JP2013007712A5

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Publication number: JP2013007712A5
Application number: JP2011141921A
Authority: JP
Filing date: 2011-06-27
Publication date: 2014-08-14
Anticipated expiration: 2031-06-27

Description

固定部５１は、回路基板２３に、たとえばねじ５３を用いて固定されている。回路基板２３には、回路基板２３上に形成された回路のグランドが露出している部分が形成されていて、固定部５１はこのグランドが露出している部分に接している。また、遮蔽部５２の固定部５１に対して反対側の端部は、支持板２０に接している。 The fixing part 51 is fixed to the circuit board 23 using, for example, screws 53 . The circuit board 23 has a portion where the ground of the circuit formed on the circuit board 23 is exposed, and the fixing portion 51 is in contact with the portion where the ground is exposed. Further, the end of the shielding part 52 opposite to the fixed part 51 is in contact with the support plate 20.

初期状態では、フォトダイオード３９と並列に接続されたコンデンサー１５には、電荷が蓄えられており、並列接続されているフォトダイオード３９には逆バイアス状態の電圧が加えられている。この電圧は、信号線１７に加えられている電圧と同じである。フォトダイオード３９はダイオードの一種なので、逆バイアスの電圧が加えられても電流はほとんど流れることは無い。そのためコンデンサー１５に蓄えられた電荷は減少することなく保持されることになる。 In the initial state, a charge is stored in the capacitor 15 connected in parallel with the photodiode 39, and a reverse bias voltage is applied to the photodiode 39 connected in parallel. This voltage is the same as the voltage applied to the signal line 17. Since the photodiode 39 is a kind of diode, even if a reverse bias voltage is applied, almost no current flows. Therefore, the electric charge stored in the capacitor 15 is held without decreasing.

フォトダイオード３９に入射した蛍光は、フォトダイオード３９内部で電子とホールからなる電荷に変換され、コンデンサー１５にて印加されている電界方向に沿ってフォトダイオード３９の持つ両端子へと到達する。この電荷の移動は、フォトダイオード３９内部を流れる電流として観測される。 Fluorescence incident on the photodiode 39 is converted into charge consisting of electrons and holes inside the photo diode 39, along the direction of an electric field is applied by the capacitor 15 to reach the both terminals with the photodiode 39. This charge movement is observed as a current flowing through the photodiode 39 .

蛍光の入射により発生したフォトダイオード３９内部を流れる電流は、並列接続されているコンデンサー１５へと流れ込む。これに伴い、コンデンサー１５内部に蓄えられていた電荷が打ち消される。その結果、コンデンサー１５に蓄えられていた電荷は減少し、コンデンサー１５の端子間に発生していた電位差も初期状態と比べて低下する。 The current flowing inside the photodiode 39 generated by the incidence of fluorescence flows into the capacitor 15 connected in parallel. Along with this, the electric charge stored in the capacitor 15 is canceled. As a result, the charge stored in the capacitor 15 decreases, and the potential difference generated between the terminals of the capacitor 15 also decreases compared to the initial state.

初期状態においてコンデンサー１５は信号線１７と同じ電位状態になっているため、コンデンサー１５の電荷量が初期状態と変化していない場合、コンデンサー１５には信号線１７からの電荷の移動は発生しない。しかし、外部から入射したＸ線３７よって蛍光変換膜３８内部にて発生した蛍光が入射したフォトダイオード３９と並列接続しているコンデンサー１５では、内部に蓄えられている電荷が減少しており、初期状態の電位とは変化している。このため、導通状態となった薄膜トランジスタ１４を通じて信号線１７より電荷の移動が発生し、コンデンサー１５内部に蓄えられた電荷量は初期状態に戻る。また、移動した電荷量は信号線１７を流れる信号となり外部へと伝わる。 Since the capacitor 15 is in the same potential state as that of the signal line 17 in the initial state, when the charge amount of the capacitor 15 is not changed from the initial state, no charge transfer from the signal line 17 occurs in the capacitor 15. However, in the capacitor 15 connected in parallel with the photodiode 39 into which the fluorescence generated inside the fluorescence conversion film 38 is incident by the X-ray 37 incident from the outside, the charge stored inside is reduced, and the initial value is reduced. The potential of the state has changed. For this reason, the movement of the charge is generated from the signal line 17 through the thin film transistor 14 in the conductive state, and the amount of charge stored in the capacitor 15 returns to the initial state. Further, the amount of the electric charge that has moved becomes a signal flowing through the signal line 17 and is transmitted to the outside.

信号線１７を流れる電流は、対応する積分アンプ３３へと入力される。積分アンプ３３では一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を外部へと出力する。この動作をおこなうことで、ある一定時間内に信号線１７を流れる電荷量を電圧値に変換することができる。この結果、Ｘ線３７によって蛍光変換膜３８内部に発生した蛍光の強弱分布に対応したフォトダイオード３９内部に発生する電荷信号は、積分アンプ３３によって電位情報へと変換される。 The current flowing through the signal line 17 is input to the corresponding integrating amplifier 33. The integrating amplifier 33 integrates the current that flows within a predetermined time, and outputs a voltage corresponding to the integrated value to the outside. By performing this operation, the amount of charge flowing through the signal line 17 within a certain time can be converted into a voltage value. As a result, the charge signal generated in the photodiode 39 corresponding to the fluorescence intensity distribution generated in the fluorescence conversion film 38 by the X-ray 37 is converted into potential information by the integrating amplifier 33.

このような放射線検出装置３０を駆動させると、放射線検出装置３０の一部である回路基板２３からノイズが発生してしまう。たとえば回路基板２３上のコイルやコンデンサーなどの素子によって形成された電源回路は、主要なノイズ発生源の一つである。また、ゲートドライバー３２などの素子もノイズ発生源となりうる。発生したノイズは、放射線検出パネル２１から出力される電荷信号に影響を与える可能性がある。特に、放射線検出パネル２１にて検出された微小な電荷信号を回路基板２３へ伝達するフレキシブル基板１８は、ノイズの影響を受けやすい。このためノイズの影響がフレキシブル基板１８に及ぶと、特にノイズ成分の多い画像信号を取得してしまう可能性がある。 When such a radiation detection apparatus 30 is driven, noise is generated from the circuit board 23 which is a part of the radiation detection apparatus 30. For example, the power supply circuit thus formed in the element such as a coil and a capacitor on the circuit board 23 is one of the major noise sources. An element such as the gate driver 32 can also be a noise generation source. The generated noise may affect the charge signal output from the radiation detection panel 21. In particular, the flexible substrate 18 that transmits a minute charge signal detected by the radiation detection panel 21 to the circuit substrate 23 is easily affected by noise. For this reason, when the influence of noise reaches the flexible substrate 18, an image signal having a particularly large noise component may be acquired.

本実施の形態の放射線検出装置において、ノイズ遮蔽体２４は、１枚の固定部５１のそれぞれの長辺に遮蔽部５２が起立している。これらの遮蔽部５２の支持板２０側の端辺は、支持板２０に接触していない。また、固定部５１と支持板２０の間には、たとえば円柱状のスペーサ５４が配置されている。このスペーサ５４は、導電性の材料で形成されている。 In the radiation detection apparatus according to the present embodiment, the noise shielding body 24 has the shielding portions 52 standing on the long sides of the single fixing portion 51. The edges of these shielding parts 52 on the support plate 20 side are not in contact with the support plate 20. Further, for example, a columnar spacer 54 is disposed between the fixing portion 51 and the support plate 20. The spacer 54 is made of a conductive material.

１０…ＴＦＴ回路層、１１…保持基板、１２…画像検出部、１３…ゲート線、１４…薄膜トランジスタ、１５…コンデンサー、１７…信号線、１８…フレキシブル基板、１９…放射線入射窓、２０…支持板、２１…放射線検出パネル、２２…筐体、２３…回路基板、２４…ノイズ遮蔽体、２５…回路基板支持柱、２７…隙間、３０…放射線検出装置、３２…ゲートドライバー、３３…積分アンプ、３４…Ａ／Ｄ変換器、３５…行選択回路、３６…画像合成回路、３７…Ｘ線、３８…蛍光変換膜、３９…フォトダイオード、５１…固定部、５２…遮蔽部、５３…ねじ、５４…スペーサ、６１…端子群、６２…端子群、６３…素子、６４…押しつけ部材、６５…防湿体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT circuit layer, 11 ... Holding substrate, 12 ... Image detection part, 13 ... Gate line, 14 ... Thin-film transistor, 15 ... Condenser , 17 ... Signal line, 18 ... Flexible substrate, 19 ... Radiation incident window, 20 ... Support plate 21 ... Radiation detection panel, 22 ... Housing, 23 ... Circuit board, 24 ... Noise shield, 25 ... Circuit board support column, 27 ... Gap, 30 ... Radiation detection device, 32 ... Gate driver, 33 ... Integration amplifier, 34 ... A / D converter, 35 ... row selection circuit, 36 ... image composition circuit, 37 ... X-ray, 38 ... fluorescence conversion film, 39 ... photodiode, 51 ... fixing part, 52 ... shielding part, 53 ... screw , 54 ... Spacer , 61 ... Terminal group, 62 ... Terminal group, 63 ... Element, 64 ... Pressing member, 65 ... Moisture-proof body