JP2012515269A - 荷電粒子ビームpvd装置、シールド装置、基板をコーティングするためのコーティングチャンバ、およびコーティング方法 - Google Patents
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Abstract
ケーシング(261)内部にあるコーティング材料のターゲット(262)と、ケーシング内に設けられた蒸気開口(263)と、蒸気開口に隣接して設けられ、浮遊電位にあるシールド装置(266、268;2680)と、を備える荷電粒子ビームPVD装置が提供される。
Description
本明細書に記載した実施形態は、荷電粒子ビームPVD装置、シールド装置、基板をコーティングするためのコーティングチャンバ、およびコーティング方法に関する。詳細には、実施形態は、基板をコーティングするためのコーティングチャンバ用の荷電粒子ビームPVD装置、荷電粒子ビームPVD装置用のシールド装置、基板をコーティングするためのコーティングチャンバ、およびコーティングチャンバ内の1つまたは複数の基板をコーティングする方法に関する。
例えば板状の基板への材料の薄膜コーティングは、多くのやり方、例えばコーティング材料の蒸着またはスパッタリングによって行うことができる。
PVD(物理蒸着法)により、カソードスパッタリングを用いてガラス基板などの基板を薄層でコーティングするための知られた真空設備の中には、いくつかの区画が互いに隣り合って配置されているものがある。それらの区画のうちの少なくとも1つは、少なくとも1つのスパッタリングカソードと処理ガス注入口を含み、排気用の真空ポンプに接続されている。これらの区画は、典型的には真空ロックまたはエアロックといった孔によって互いに接続してもよく、これらの孔は1つまたは複数のスリットバルブを含んでもよい。(1つまたは複数の)スパッタリングカソードの前、例えば下方にある経路に沿って基板を搬送し、区画間で孔を通って基板を受け渡すための搬送ロールを含む搬送系が、基板支持体として設けられていてもよい。
スパッタリングカソードを稼働させる1つの例では、プラズマが発生し、基板に堆積されるコーティング材料のターゲットの上に、そのプラズマのイオンが加速される。ターゲットへのこの衝突によってコーティング材料の原子が放出され、これらの原子はスパッタリングカソードのスパッタリング開口を通って、基板上に堆積膜として蓄積される。
典型的な例では、例えば、連続的に搬送される板状の基板をコーティングするために、細長いスパッタリング開口を有する細長いスパッタリングカソードを用いることがある。この細長いスパッタリング開口は、そのスパッタリング開口の前を搬送される板状の基板の幅、例えば、搬送方向に垂直な寸法にまたがっていてもよい。細長いスパッタリングカソードを用いる、ある知られたスパッタリングコーティングの作業中には、基板支持体の側部などの一部が、好ましくないことにコーティングされる恐れがある。基板支持体上のコーティング材料の厚い層が、チャンバに通気孔を開けたときに大気からの湿気を吸収する可能性があり、このことがコーティング処理の間の不安定さにつながる恐れがある。更に、基板上に堆積するコーティングの厚さは、基板の幅にわたって一様ではないことがある。加えて、ターゲットの腐食の分布は、そのターゲットのスパッタリング領域全体を通して一様ではないことがある。
上記に鑑みて、独立請求項1に記載の荷電粒子ビームPVD装置、独立請求項8に記載のシールド装置、独立請求項9に記載のコーティングチャンバ、およびコーティングチャンバ内の1つまたは複数の基板をコーティングする請求項12に記載の方法が提供される。
一実施形態では、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口と、蒸気開口に隣接して設けられ、浮遊電位にあるシールド装置と、を備える荷電粒子ビームPVD装置が提供される。
別の実施形態では、荷電粒子ビームPVD装置用のシールド装置であって、荷電粒子ビームPVD装置が、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口とを備え、シールド装置が蒸気開口に隣接して設けられるように構成され、かつ浮遊電位で設けられるように構成されたものが提供される。
他の実施形態では、基板をコーティングするためのコーティングチャンバであって、基板支持体と荷電粒子ビームPVD装置とを備え、荷電粒子ビームPVD装置が、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口と、蒸気開口に隣接して設けられ浮遊電位にあるシールド装置とを備えるものが提供される。
更に他の実施形態では、コーティングチャンバ内の1つまたは複数の基板をコーティングする方法であって、荷電粒子ビームPVD装置を有するコーティングチャンバの基板支持体に基板を設けるステップと、荷電粒子ビームPVD装置から基板に向けてコーティング材料を分注するステップとを含み、荷電粒子ビームPVD装置が、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口と、蒸気開口に隣接して設けられ浮遊電位にあるシールド装置とを備えるものが提供される。
更なる特徴および詳細は、従属請求項、明細書および図面から明らかである。
実施形態は、開示された方法を実行するための装置をも対象とし、記載された方法のステップを行うための装置の部分を含んでいる。更に、実施形態は、記載された装置がそれによって動作する方法、または記載された装置がそれによって製造される方法をも対象とする。装置の機能を実行するため、または装置の部分を製造するための方法のステップを含んでもよい。この方法のステップは、ハードウェアコンポーネント、ファームウェア、ソフトウェア、適当なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータ、またはそれらの任意の組み合わせとして行ってもよく、あるいは他のどのようなやり方で行ってもよい。
一実施形態の構成要素は、更に繰り返すことなく他の実施形態で好適に利用されてもよいことが企図される。
上記の特徴を詳細に理解できるように、実施形態を参照することにより、上記で簡単に概要を述べた本発明の実施形態のより詳細な説明が与えられる。添付の図面は本発明の実施形態に関するものであり、以下で説明する。上記の実施形態のいくつかは、以下の図面を参照して、典型的な実施形態またはその実施例についての以下の明細書の中でより詳細に説明する。
ここで様々な実施形態について詳細に触れるが、そのうちの1つまたは複数の実施例を図面に示している。各実施例は説明のために与えられるものであり、本発明を限定することを意味するものではない。
本明細書に記載した実施形態の荷電粒子ビームPVD装置、シールド装置、コーティングチャンバ、およびコーティング方法の典型的な用途は、コーティング設備の、真空スパッタリング区画などのPVD(物理蒸着法)区画にある。したがって、荷電粒子ビームPVD装置、シールド装置およびコーティングチャンバは、真空に対応できる材料を含むか、またはそうした材料で構成することができる。荷電粒子ビームPVD装置は、特に、連続的または不連続的に運ばれる板状の基板を薄膜でコーティングするための設備で利用することができる。例えば太陽電池を製造する際、板状のガラス基板などのガラス基板を、薄い金属膜、例えばAg膜でコーティングするときに、本実施形態は特に有用である。
本明細書に記載した実施形態の荷電粒子ビームPVD装置は、例えば、電子ビームPVD装置、イオンビームPVD装置、スパッタリング装置、プラズマスパッタリング装置、荷電粒子ビームスパッタリング装置、電子ビームスパッタリング装置、またはイオンビームスパッタリング装置でもよい。
範囲を制限することなく、以下は、真空コーティングチャンバ内の基板をコーティングするための荷電粒子ビームPVD装置としてのプラズマスパッタリング装置を対象とする。本明細書に記載した実施形態は、長方形の板状ガラス基板を薄膜のAgでコーティングするためのものとすることができる。実施形態は、他の荷電粒子ビームPVD装置およびコーティング方法、ならびにAg以外のコーティング材料、例えばAlなどの他の金属または合金にも適用することができる。更に、改良した形状をもつ、薄い金属板やプラスチックフィルムなどの他の基板を使用してもよい。その上、(1つまたは複数の)基板をコーティングチャンバに連続的に送り出しても、またはコーティングチャンバに不連続モードで供給してもよい。加えて、コーティングチャンバは真空チャンバに限定されない。範囲を制限することなく、本明細書では、荷電粒子ビームPVD装置の蒸気開口のことも、スパッタリング開口ということがある。更に、本明細書では、荷電粒子ビームPVD装置のターゲットのことを、スパッタリングターゲットということがある。
図1は、典型的な実施例として、連続的に搬送される長方形の板状ガラス基板100を薄膜でコーティングするための真空スパッタリングチャンバとして設計されたコーティングチャンバ10の断面図を示している。図2は、図1によるコーティングチャンバ10の、A−A線に沿った断面図を示している。コーティングチャンバ10は、底壁12と、上壁14と、前方壁16と、後方壁18と、2つの側壁17とを備える。全ての壁の材料はステンレス鋼であり、コーティングチャンバ10は真空気密である。前方壁16は基板供給孔20を含み、後方壁18は基板排出孔22を含む。基板供給孔20および基板排出孔22は、ガラス基板100を供給および排出するときにコーティングチャンバ10内の真空を維持するため、真空ロックまたはエアロック、典型的にはスリットバルブとして設計することができる。コーティングチャンバ10は処理ガス注入口(図示せず)を更に有し、約10−6Torrの真空を確立するため、真空ポンプ(図示せず)に接続されている。当然のことながら、10−6Torrの圧力値は一例として理解すべきであり、他の圧力値や圧力範囲も利用可能である。例えば、スパッタリング用の典型的な圧力範囲は10−3hPaと10−2hPaの間であり、蒸着用の典型的な圧力範囲は10−6hPa未満〜10−3hPaであり、より典型的には10−5hPa〜10−4hPaの範囲である。
更に、上壁14には、それぞれがAgのターゲットを含む少なくとも1つのプラズマスパッタリングカソード26、典型的には2つのスパッタリングカソード26が、コーティング材料をコーティングチャンバ内に分注するためのプラズマスパッタリング装置として設けられている。本明細書では、プラズマスパッタリングカソード26のこともスパッタリングカソード26という。
底壁12の上には、図1および図2に示すように、基板支持体として、複数のガラス基板100を連続的に運ぶための搬送系30が装着されている。搬送系30は、スパッタリングカソード26に面した正面31を有し、この正面31上で1つまたは複数の板状ガラス基板100を支持するように構成されている。搬送系30は、複数の、典型的には2つの回転可能なロール32を含み、この回転ロールは、コーティングチャンバ10の全体にわたり、前方壁16から後方壁18まで続けて互いに平行に配置されている。ロール32は、一方の側壁17から反対側の側壁17まで延在している。更に、各ロール32は、搬送系30のカバーパネル36の下に位置しており、ロール32にそれぞれ同心円状に取り付けられた、複数の離間したリング33を含んでいる。リング33は、搬送系30のカバーパネル36内の孔を通って延在し、ガラス基板100を支持し、それによってカバーパネル36の上に基板支持面120を画定する。基板支持面120は、図1および図2に破線として示してある。リング33の上に支持されたガラス基板100の表側105は、スパッタリングカソード26に面している。カバーパネル36は搬送系の正面31に配設され、基板支持面120より典型的には約2mm〜約12mm下に位置するような設置高さを有する。
搬送系の別の設計(図示せず)では、複数のロールの直径を複数のリングの直径よりはるかに小さくしてもよい。そして各リングを、それらのロールのうちの1つに取り付けられたホイールに取り付けてもよい。したがって、各ロールは、そのロールにそれぞれ同心円状に取り付けられた、複数の離間したホイールを有してもよい。各ホイールは、そのホイールの最も外側の周縁にある1つのリングを支持してもよい。リングはガラス基板100を支持し、それによって基板支持体の正面31で基板支持面120を画定しており、本明細書では、基板支持面120のことを支持面120ともいう。
ロール32は駆動ユニット(図示せず)に接続され、駆動ユニットは制御ユニット(図示せず)に接続されている。搬送系30は、搬送経路60に沿った搬送方向に、板状ガラス基板100を運ぶようになされている。搬送経路60は搬送されるガラス基板100によって画定され、スパッタリングカソード26の下の基板支持面120上に位置しており、コーティングチャンバ10の基板供給孔20および基板排出孔22を通る。コーティング作業の中、搬送経路60は基板供給孔20から基板排出孔22まで延在する。
以下は、本明細書に記載した実施形態によるコーティング方法の一例であり、その方法の初めの部分を図3に模式的に示している。第1のガラス基板100((n−1)枚目のガラス基板;nは2以上の整数)の前方端部がコーティングチャンバ10に入る。ここで、スパッタリングカソード26をオンに切り替えるか、あるいはスパッタリングカソード26は既に稼働している。第1のガラス基板100は稼働中のスパッタリングカソード26の下でコーティングチャンバ10を通って連続的に搬送され、その間に基板の表側105がAg粒子でコーティングされる。第1のガラス基板100の後方端部がコーティングチャンバ10内に入った後で、基板供給孔20を通ってコーティングチャンバ10内に、第2の(n枚目の)ガラス基板100の前方端部が供給される。第2のガラス基板100は、搬送系30のリング33の上に配置され、その上で搬送される。再び、第2のガラス基板100は稼働中のスパッタリングカソード26の下でコーティングチャンバ10を通って連続的に搬送され、その間に基板の表側105がAg粒子でコーティングされる。第2のガラス基板100を運ぶ間、第1の期間と第2の期間の後で、連続的に搬送される第1のガラス基板100の前方端部と後方端部が続けて排出孔22に到着し、その排出孔22を通って排出される。当業者であればわかるように、第1の期間と第2の期間は、第1のガラス基板100の長さ、すなわち、第1のガラス基板100の前方端部と後方端部の間の距離によって決まる。その後、第2のガラス基板100の前方端部が基板排出孔22に到着し、コーティングチャンバ10から排出される。最後に、第2のガラス基板100の長さに応じた期間の後で、その後方端部が基板排出孔22を通って排出され、こうして第2のガラス基板100のコーティング処理が完了する。
例えば図2に示すように、各ガラス基板100は、コーティング対象となり、搬送系30の上でそのガラス基板が搬送される間にスパッタリングカソード26に面する一方の表側105を有する。各ガラス基板100は更に、表側105とは反対側であって搬送系30の上でそのガラス基板が搬送される間に搬送系30に面する裏側110と、それぞれが側面114を備える2つの側方端部112とを含む。搬送系30の上でガラス基板100が搬送される間に、図2に示すように、ガラス基板100の側面114とコーティングチャンバ10の側壁17の間にギャップ500が形成されることがある。ギャップ500を介して搬送系30の一部が露出することがあり、好ましくないことに、(1つまたは複数の)スパッタリングカソード26から放出されたAg粒子によって、この一部がコーティングされる恐れがある。
典型的なプラズマスパッタリングカソードは、ケーシングと、ケーシング内部のターゲットと、ケーシング内の蒸気開口とを含んでもよい。ターゲットから放出されたコーティング材料の粒子は、蒸気開口を通ってコーティングチャンバ内に進む。そうしたスパッタリング配置により、基板上に堆積するコーティングの厚さが不均一になる恐れがある。例えば、基板上のコーティングの厚さの均一性は、約±7%になることがある。加えて、蒸気開口の周囲にあるケーシングの部分、例えば、接地電位にあるシェーパーシールドが、基板支持体、例えば搬送系30の上に堆積したコーティング材料の量に影響することがある。その上、そうした部分やシェーパーシールドが、ターゲットの腐食の分布に影響を及ぼすことがあり、これによってターゲットの平均の耐用年数が低下する恐れがある。
典型的な実施例では、蒸気開口は細長く、互いに向かい合う2つの端部を有していてもよい。その上、例えば、図1および図2に示す連続的に搬送される基板100をコーティングするためのコーティングチャンバ10内に、細長い蒸気開口が搬送経路60を横切って位置するように、スパッタリングカソード26を設けてもよい。いくつかの実施例では、細長い蒸気開口は、その蒸気開口の前に搬送される板状の基板の幅、すなわち、その基板の搬送方向に垂直な寸法にまたがっていてもよい。そうしたスパッタリング設備では、基板100の側方端部112でコーティングの厚さを増加させることができる。
本明細書に記載した実施形態によれば、荷電粒子ビームPVD装置は、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口と、その蒸気開口に隣接して設けられ浮遊電位にあるシールド装置とを含む。
シールド装置が浮遊電位にある結果として、ターゲットの腐食の分布が改善される。これは、ターゲットがより一様に腐食されることを意味し、これによってターゲットの耐用年数が長くなる。蒸気開口に隣接する位置にあるシールド装置が浮遊電位にあるため、ターゲットの腐食が実質的に一様であることは、蒸気開口の端部での電場の成形に起因する可能性がある。そのために、蒸気開口の端部での、および/または蒸気開口の両端での電位の勾配を、プラズマが不都合に影響されることなくターゲットにわたってより均一に分布するように調整することができる。その上、とりわけシールド装置のシャドーイング効果のため、コーティング材料の粒子は、ターゲットからより基板に向かう方向に放出される。したがって、基板支持体の露出した部分、例えば側部が被覆される厚さを減少させることができるとともに、基板上に堆積したコーティングの厚さが実質的に一様になる。このため、基板支持体を洗浄する時間間隔を長くすることができる。加えて、チャンバに通気孔を開けたときに大気からの湿気を吸収し得る、基板支持体上のコーティング材料の層が厚くなることが回避されるため、コーティング処理の間の不安定さを未然に防ぐことができる。
図4は、図1に示したプラズマスパッタリングカソードのうちの一方の底面を模式的に示している。スパッタリングカソード26は、ケーシング261と、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲット262と、ケーシング内に設けられた蒸気開口263とを含む。蒸気開口263の周囲では、ケーシング261またはその一部、例えばシェーパーシールド(図示せず)が接地されてもよい。本明細書に記載した実施形態によれば、シールド装置266、268は、蒸気開口263に隣接して設けられる。シールド装置266、268は、浮遊電位で設けられ、かつ/または1つまたは複数の、真空に対応できる材料で構成される。シールド装置は、蒸気開口の周縁に位置してもよい。実施形態のいくつかの実施例では、開口263の周囲のターゲット262とケーシング261の間にある側方の領域を取り囲み、遮へいするキャップとして、シールド装置を形成してもよい。図4に示した実施例では、シールド装置266、268は蒸気開口263の中に延在しており、ターゲット262と蒸気開口263の間に位置している。
ターゲットからのシールド装置の距離は、40mm〜70mmの範囲内でよく、または典型的には少なくとも55mmあってもよい。そうした距離があることにより、スパッタリング動作の間、ターゲットが高温になるためにシールド装置が変形または劣化することを回避することができる。
図4に示した実施例では、互いに向かい合う2つの端部264をもつ細長い形状を蒸気開口263が有し、一方の端部264に設けられた第1のシールド266と他方の端部264に設けられた第2のシールド268とをシールド装置が含む。典型的には、蒸気開口263は、一方の端部264から他方の端部264までの長さが約900mm〜約1800mmの範囲内、例えば約1560mmであってよい。第1のシールド266と第2のシールド268は、蒸気開口263の中に延在している。結果として、ターゲットから放出されたコーティング材料の粒子を解放するための孔の長さは、典型的には約700mm〜約1600mmの範囲内、例えば約1360mmであってよい。
実施形態のいくつかの実施例によれば、シールド装置は絶縁コネクタを介してケーシングに装着されてもよい。それによって、シールド装置はケーシングから絶縁され、ケーシングは少なくとも部分的には接地することができ、シールド装置は浮遊電位に保持される。図4および図5に示すように、シールド装置は、ケーシング261内部で、ターゲット262とケーシング261の間に絶縁コネクタ固定部265で装着することができる。
図5は、図4に示したプラズマスパッタリング装置26の右側にある端部264の部分断面を模式的に示している。図5に示すように、シールド268は、開口263に隣接するケーシング261で絶縁コネクタ270によって装着されている。絶縁コネクタの材料は、電気的な絶縁性があり、例えば、磁器または炭素をベースとする材料などの、真空に対応できる耐熱性の合成材料である。絶縁コネクタの材料は、例えば、テフロン(登録商標)、磁器、PEEKからなる群より選択された少なくとも1つの材料を含むか、またはその少なくとも1つの材料で構成されてもよい。絶縁コネクタ270により、シールド268を浮遊電位に保つことが可能になる。実施形態のいくつかの実施例では、絶縁コネクタ270は、短い枝部2701と長い枝部2702をもつL字型の断面を有する。絶縁コネクタ270の長い枝部2702の端部は、絶縁コネクタ固定部265によって、開口263に近いケーシング261に取り付けられてもよい。シールド268は、絶縁コネクタ270の短い枝部2701で装着されてもよい。図5に示したような絶縁コネクタ270のL字型の断面および配置のために、開口263の周囲でターゲット262とケーシング261の間にある側方の領域が遮へいされる。その上、図5に示したようないくつかの実施例では、開口263の周囲でターゲット262とケーシング261の間にある側方の領域を追加的に取り囲み、遮へいするキャップとして、シールド268を形成してもよい。
本明細書で開示した他のどの実施形態の実施例または実施形態とも組み合わることができるいくつかの実施形態によれば、シールド装置は、自己遮へい構造を有する絶縁コネクタを介して、荷電粒子ビームPVD装置のケーシングに装着されている。そのため、放出されたコーティング材料の導電性の膜が絶縁コネクタの表面上に形成されるために絶縁コネクタの絶縁特性が悪化することが回避され、あるいは一層防止される。
自己遮へい構造を有する絶縁コネクタを含む実施形態の1つの実施例によれば、図5に示した絶縁コネクタは、短い枝部2701に接続されケーシング261に向かいコネクタの形状をU字型にする別の枝部2703を有してもよい。この実施例を図6aに示している。別の枝部2703は長い枝部2702よりいくらか短く、このためケーシング261に接触しない。別の枝部2703は、開口263とターゲット262の間に配置されたプラズマから、および/またはスパッタリングされたコーティング材料の粒子から、長い枝部2702を遮へいする。したがって、スパッタリング手順の間に、長い枝部2702の上を被覆する導電性の面が形成されることが回避される。そのため、シールド268の浮遊電位が、スパッタリング装置などの荷電粒子ビームPVD装置の長い稼働時間にわたって維持される。
実施形態のいくつかの実施例では、蒸気開口は、シールド装置とターゲットの間に位置している。例えば、蒸気開口を含むケーシングは、シールド装置とターゲットの間に配置されている。蒸気開口とシールド装置の間、例えばケーシングとシールド装置の間の距離は、約1.5mm〜約4mmの範囲内、より典型的には約2mmであってよい。
自己遮へい構造を有する絶縁コネクタ2700を含む実施形態の別の実施例を図6bに示している。この実施例では、蒸気開口(図6bには図示せず)を含むケーシングはシールド装置とターゲット(図6bには図示せず)の間に位置している。更に、蒸気開口を含むケーシングとシールド装置の間の距離は、約2mmの範囲内であってよい。ケーシング261は、シールド装置の複数のシールドのうちの1つ、例えばシールド268を固定するための複数の固定孔2611を、蒸気開口の周囲に含む。本実施例では、図6bに示すケーシング261の固定孔2611は円筒形である。絶縁コネクタ2700は、この実施例では第1の絶縁部分2713と第2の絶縁部分2714を含み、それぞれが電気的な絶縁性のある材料で形成されてもよい。絶縁コネクタ2700の材料は、例えば、磁器または炭素をベースとする材料などの、真空に対応できる耐熱性の合成材料であってよい。絶縁コネクタ2700の材料は、例えば、テフロン(登録商標)、磁器、PEEKからなる群より選択された少なくとも1つの材料を含むか、またはその少なくとも1つの材料で構成されてもよい。一実施例では、少なくとも第2の絶縁部分2714が電気的な絶縁性のある材料で形成される。ケーシング261の円筒孔2611には、第1の絶縁部分2713が設けられてもよい。第1の絶縁部分2713は、固定ねじ2717と係合するための雌ねじ2715を有する。いくつかの実施例では、固定ねじも電気的な絶縁性のある材料で形成されてもよい。第1の絶縁部分2713は、ターゲット(図6bには図示せず)に面するケーシング261の側に装着されてもよい。第1の絶縁部分2713は、孔2611を部分的にふさぐように装着されるように構成され、雌ねじ2715は基板支持体(図6bには図示せず)に面するケーシング261の側から接触可能である。第2の絶縁部分2714は絶縁性のワッシャなどのリングとして形成され、このリングは、基板支持体に面するケーシングの側で孔2611の上に位置してもよい。この位置で、絶縁コネクタの第1の絶縁部分2713と第2の絶縁部分2714の間に、図6bに示すようにギャップ2716を設けることができる。第2の絶縁部分2714の上に、シールド268を装着してもよい。このために、シールド268は、ケーシング上に設置するときケーシング261の孔2611に対応する箇所に、孔2681を有している。孔2681は、固定ねじ2717を受けるように適合した寸法を有している。
図6bに示した固定状態では、ねじ2717は、シールド268を第2の絶縁部分2714上で固定し、孔2611を通って第1の絶縁部分2713内に延在し、ねじ山2715に係合している。それによって、シールド268と第1の絶縁部分2713と第2の絶縁部分2714は、ケーシング261に固定されている。その上、ギャップ2716ならびに第1の絶縁部分2713および/または第2の絶縁部分2714および/または固定ねじ2717の絶縁性の材料のため、絶縁コネクタ2700はシールド268を浮遊電位に保つ。加えて、第2の絶縁部分2714はシールド268とケーシング261の間に配置されており、本実施例では両者の間の距離が約2mmある。このため、第2の絶縁部分2714は、第2の絶縁部分の上に導電性のコーティングを形成し得る蒸気の粒子から実質的に遮へいされる。その上、蒸気の粒子はギャップ2716に接触可能でないため、絶縁コネクタ2700は、それ自体がギャップ2716内で導電性のコーティングによって被覆されないように保護する。したがって、ケーシング261とシールド268を電気的に接続し得る導電性のコーティングが絶縁コネクタ2700上に形成されることが回避される。その結果として、スパッタリング装置などの本明細書に記載した実施形態の荷電粒子ビームPVD装置を用いたコーティング処理の間に、ケーシング261に装着されたシールド268の浮遊電位は影響を受けない。
図7aは、別の典型的な実施例として、動かないように支持されたガラス基板100を薄膜でコーティングするための真空スパッタリングチャンバとして設計されたコーティングチャンバの断面図1000を示している。コーティングチャンバ1000は、底壁12と、上壁(図示せず)と、前方壁(図示せず)と、後方壁(図示せず)と、2つの側壁17とを備える。全ての壁の材料はステンレス鋼であり、コーティングチャンバ1000は真空気密である。コーティングチャンバ1000は処理ガス注入口(図示せず)を更に有し、真空を確立するため、真空ポンプ(図示せず)に接続されている。例えば、スパッタリング用の典型的な圧力範囲は10−3hPa〜10−2hPaの間であり、蒸着用の典型的な圧力範囲は10−6hPa未満〜10−3hPaであり、より典型的には10−5hPa〜10−4hPaの範囲である。
コーティングチャンバ1000の底壁12の上には、1つまたは複数のガラス基板100を動かないように支持するための基板支持体300が装着されている。基板支持体300は、スパッタリングカソード260に面した正面31を有し、この正面31上で1つまたは複数の板状ガラス基板100を支持するように構成されている。コーティングチャンバ100は、(1つまたは複数の)基板100をチャンバ1000内に、またチャンバ1000から移送するための基板供給孔(図示せず)および/または操縦装置(図示せず)を含んでもよい。
更に、上壁14には、それぞれがAgのターゲットを含む少なくとも1つのプラズマスパッタリングカソード260、典型的には2つのスパッタリングカソード260が、コーティング材料をコーティングチャンバ1000内に分注するためのプラズマスパッタリング装置として設けられている。本明細書では、プラズマスパッタリングカソード260のこともスパッタリングカソード260という。
図7bは、ケーシング261と、ターゲット262と、スパッタリング開口263とを含むスパッタリングカソード260の底面図を示している。スパッタリング開口263の周囲では、シールド枠2680として形成されたシールド装置が、開口に近いケーシング261の内部およびケーシング261に、絶縁コネクタ(図示せず)を介して絶縁コネクタ固定部265で装着されている。それによって、シールド枠2680はケーシングから絶縁され、浮遊電位に保持される。絶縁コネクタは、例えば、上記で図6を参照して説明した自己遮へい構造を有してもよい。いくつかの実施例では、図5の実施例を参照して言及したように、開口263の周囲のターゲット262とケーシング261の間にある側方の領域が取り囲まれ、遮へいされるようなキャップとして、シールド2680を形成してもよく、かつ/または絶縁コネクタがそのような形状を有してもよい。
シールド枠2680を含むシールド装置が浮遊電位にある結果として、スパッタリングカソード260のターゲットの腐食の分布が改善される。これは、ターゲットがより一様に腐食されることを意味し、これによってターゲットの耐用年数が長くなる。蒸気開口に隣接する位置にあるシールド装置が浮遊電位にあるため、ターゲットの腐食が実質的に一様であることは、蒸気開口の端部での電場の成形に起因する可能性がある。そのために、蒸気開口の端部での、および/または蒸気開口の両端での電位の勾配を、プラズマが不都合に影響されることなくターゲットにわたってより均一に分布するように調整することができる。その上、とりわけシールド装置のシャドーイング効果のため、コーティング材料の粒子は、ターゲットからより基板に向かう方向に放出される。したがって、基板支持体の露出した部分、例えば側部が被覆される厚さを減少させることができるとともに、基板上に堆積したコーティングの厚さが実質的に一様になる。このため、基板支持体を洗浄する時間間隔を長くすることができる。加えて、チャンバに通気孔を開けたときに大気からの湿気を吸収し得る、基板支持体上のコーティング材料の層が厚くなることが回避されるため、コーティング処理の間の不安定さを未然に防ぐことができる。
したがって、一実施形態によれば、コーティングチャンバ内の1つまたは複数の基板をコーティングする方法は、上記の実施形態の実施例または実施形態のいずれかによる荷電粒子ビームPVD装置を有するコーティングチャンバの基板支持体に基板を設けるステップと、その荷電粒子ビームPVD装置から基板に向けてコーティング材料を分注するステップとを含む。
別の実施形態によれば、コーティングチャンバ内の1つまたは複数の基板をコーティングする方法は、上記の実施形態の実施例または実施形態のいずれかによるコーティングチャンバを設けるステップと、そのコーティングチャンバの基板支持体に基板を設けるステップと、コーティングチャンバに設けられた荷電粒子ビームPVD装置から基板に向けてコーティング材料を分注するステップとを含む。
例えば、荷電粒子ビームPVD装置としてのプラズマスパッタリングカソード26または260をそれぞれ含む、上記のコーティングチャンバ10またはコーティングチャンバ1000を用いて、これらの方法を行うことができる。
例えば、コーティングチャンバ10を用いるコーティング方法では、基板100は、稼働中のスパッタリングカソード26の下を連続的または不連続的に搬送される。カソード26は浮遊電位にあるシールド266、268をスパッタリング開口263の両端に有しているため、基板100の上に堆積したコーティングの厚さを、基板の幅の全体にわたって、基板の側方端部112でも実質的に一様にすることができる。スパッタリングカソード26を含むコーティングチャンバ10を用いて、例えば、基板100の上でのコーティングの厚さの均一性は、約±3.5%を実現することができる。
更に、1つまたは複数の基板100に対し、カソード260を含むチャンバ1000を用いてコーティング処理を行った結果として、基板100の上に堆積したコーティングの厚さを、基板の全域にわたって、基板の周辺部でも実質的に一様にすることができる。
その上、上記の方法を実行するとき、浮遊電位にあるシールド装置をそれぞれが含むスパッタリングカソード26および260の腐食の分布が、上記のように改善される。一例として、向かい合う2つの端部264に細長いAlターゲットを有する例示的なスパッタリングカソード26の、様々な測定点(mp)でのターゲットのプロファイルを検査する長期間の試験手順を、以下に提示する。
表1からわかるように、Alターゲットを53時間稼働し、1540kW/hの全エネルギーにさらした後で、Alターゲットは実質的に一様に腐食され、腐食したAl材料の厚さは、ターゲットの長さにわたって約3.4mm±0.6mmの範囲内にある。
一実施形態では、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口と、蒸気開口に隣接して設けられ、浮遊電位にあるシールド装置と、を備える荷電粒子ビームPVD装置が提供される。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、シールド装置が蒸気開口の周縁に位置している。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、シールド装置が蒸気開口の中に延在している。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、シールド装置がコーティング材料のターゲットと蒸気開口の間に位置しているか、または蒸気開口がシールド装置とコーティング材料のターゲットの間に位置している。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、シールド装置が絶縁コネクタを介してケーシングに装着されている。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、自己遮へい構造を有する絶縁コネクタを介してシールド装置がケーシングに装着されている。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、互いに向かい合う2つの端部をもつ細長い形状を蒸気開口が有し、その端部のうちの一方に設けられた第1のシールドと他方の端部に設けられた第2のシールドとからなる群より選択された少なくとも1つの構成要素を、シールド装置が備える。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、ターゲットからのシールド装置の距離が40mmから70mmの範囲内にある。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、ターゲットからのシールド装置の距離が少なくとも55mmある。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、荷電粒子ビームPVD装置が、電子ビームPVD装置、イオンビームPVD装置、スパッタリング装置、プラズマスパッタリング装置、荷電粒子ビームスパッタリング装置、電子ビームスパッタリング装置、およびイオンビームスパッタリング装置から選択された少なくとも1つの構成要素である。
一実施形態では、荷電粒子ビームPVD装置用のシールド装置であって、荷電粒子ビームPVD装置が、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口とを備え、シールド装置が蒸気開口に隣接して設けられるように構成され、かつ浮遊電位で設けられるように構成されたものが提供される。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、自己遮へい構造を有し、シールド装置を荷電粒子ビームPVD装置に装着するように構成された絶縁コネクタを備えている。
一実施形態では、基板をコーティングするためのコーティングチャンバであって、基板支持体と荷電粒子ビームPVD装置とを備え、荷電粒子ビームPVD装置が、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口と、蒸気開口に隣接して設けられ浮遊電位にあるシールド装置とを備えるものが提供される。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、
自己遮へい構造を有し、シールド装置を荷電粒子ビームPVD装置に装着するように構成された絶縁コネクタをシールド装置が備えている。
自己遮へい構造を有し、シールド装置を荷電粒子ビームPVD装置に装着するように構成された絶縁コネクタをシールド装置が備えている。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、基板支持体が、搬送経路に沿って1つまたは複数の基板を搬送するように構成された搬送系を備え、荷電粒子ビームPVD装置が、互いに向かい合う2つの端部をもつ細長い蒸気開口を備え、シールド装置が、その端部のうちの一方に設けられた第1のシールドと他方の端部に設けられた第2のシールドとからなる群より選択された少なくとも1つの構成要素を備え、細長い蒸気開口が搬送経路を横切って位置するように、荷電粒子ビームPVD装置がコーティングチャンバに設けられている。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、搬送経路が互いに向かい合う2つの境界を有し、第1のシールドが搬送経路の一方の境界に面し、かつ第2のシールドが搬送経路の他方の境界に面するように、荷電粒子ビームPVD装置がコーティングチャンバに設けられている。
一実施形態では、コーティングチャンバ内の1つまたは複数の基板をコーティングする方法であって、荷電粒子ビームPVD装置を有するコーティングチャンバの基板支持体に基板を設けるステップと、荷電粒子ビームPVD装置から基板に向けてコーティング材料を分注するステップとを含み、荷電粒子ビームPVD装置が、ケーシング内部にあるコーティング材料のターゲットと、ケーシング内に設けられた蒸気開口と、蒸気開口に隣接して設けられ浮遊電位にあるシールド装置とを備えるものが提供される。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる本方法の一実施形態では、絶縁コネクタと自己遮へい構造を有する絶縁コネクタからなる群より選択された少なくとも1つの構成要素を介して、シールド装置がケーシングに装着されている。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる本方法の一実施形態では、基板支持体が、搬送経路に沿って1つまたは複数の基板を搬送するように構成された搬送系を備え、荷電粒子ビームPVD装置が、互いに向かい合う2つの端部をもつ細長い蒸気開口を備え、シールド装置が、その端部のうちの一方に設けられた第1のシールドと他方の端部に設けられた第2のシールドとからなる群より選択された少なくとも1つの構成要素を備え、細長い蒸気開口が基板の搬送経路を横切って位置するように、荷電粒子ビームPVD装置がコーティングチャンバに設けられている。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる一実施形態では、本方法は、基板をコーティングチャンバ内に供給し基板を基板支持体の上に配置することによって基板を設けるステップと、荷電粒子ビームPVD装置からコーティング材料を分注しながら、搬送系により搬送方向に沿って連続的または不連続的に基板を搬送するステップと、基板をコーティングチャンバから排出するステップとを更に含む。
本明細書で開示した他のどの実施形態とも組み合わることができる本方法の一実施形態では、搬送経路が互いに向かい合う2つの境界を有し、第1のシールドが搬送経路の一方の境界に面し、かつ第2のシールドが搬送経路の他方の境界に面するように、荷電粒子ビームPVD装置がコーティングチャンバに設けられている。
本明細書では、最良の形態を含む実施例を用いて本発明を開示し、また当業者であれば本発明を製作しかつ使用することができるようにしている。様々な具体的な実施形態の観点から本発明を説明してきたが、当業者であれば、特許請求の範囲の精神および範囲の中で改変を加えて本発明を実施可能であることが理解されよう。特に、上記の実施形態の相互に排他的でない特徴を互いに組み合わせてもよい。本発明の特許性のある範囲は特許請求の範囲によって定められ、当業者が想到する他の実施例を含み得る。そうした他の実施例は、特許請求の範囲内にあることが意図される。
上記は本発明の実施形態に関するが、本発明の基本的範囲から逸脱することなく本発明の他の更なる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲により定められる。
Claims (13)
- ケーシング(261)内部にあるコーティング材料のターゲット(262)と、
前記ケーシング内に設けられた蒸気開口(263)と、
前記蒸気開口に隣接して設けられ、浮遊電位にあるシールド装置(266、268;2680)とを具備し、
自己遮へい構造を有する絶縁コネクタ(270)を介して前記シールド装置が前記ケーシングに装着されている荷電粒子ビームPVD装置。 - 前記シールド装置が前記蒸気開口の周縁に位置し、かつ/または前記蒸気開口の中に延在している、請求項1に記載の荷電粒子ビームPVD装置。
- 前記シールド装置が前記コーティング材料のターゲットと前記蒸気開口の間に位置しているか、または前記蒸気開口が前記シールド装置と前記コーティング材料のターゲットの間に位置している、請求項1または2に記載の荷電粒子ビームPVD装置。
- 前記シールド装置が絶縁コネクタ(270)を介して前記ケーシングに装着されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の荷電粒子ビームPVD装置。
- 互いに向かい合う2つの端部をもつ細長い形状を前記蒸気開口が有し、前記端部のうちの一方に設けられた第1のシールドおよび/または他方の端部に設けられた第2のシールドを前記シールド装置が備える、請求項1ないし4のいずれかに記載の荷電粒子ビームPVD装置。
- 前記ターゲットからの前記シールド装置の距離が40mm〜70mmの範囲内にあり、かつ/または少なくとも55mmある、請求項1ないし5のいずれかに記載の荷電粒子ビームPVD装置。
- 前記荷電粒子ビームPVD装置が、電子ビームPVD装置、イオンビームPVD装置、スパッタリング装置、プラズマスパッタリング装置、荷電粒子ビームスパッタリング装置、電子ビームスパッタリング装置、およびイオンビームスパッタリング装置から選択された少なくとも1つの構成要素である、請求項1ないし6のいずれかに記載の荷電粒子ビームPVD装置。
- 荷電粒子ビームPVD装置用のシールド装置であって、
前記荷電粒子ビームPVD装置が、
ケーシング(261)内部にあるコーティング材料のターゲット(262)と、
前記ケーシング内に設けられた蒸気開口(263)とを具備し、
前記シールド装置(266、268;2680)が前記蒸気開口に隣接して設けられるように構成され、かつ浮遊電位で設けられるように構成され、
自己遮へい構造を有し、前記シールド装置を前記荷電粒子ビームPVD装置(26;260)に装着するように構成された絶縁コネクタ(270)を具備するシールド装置。 - 基板支持体(30;300)と、
請求項1ないし7のいずれかに記載の荷電粒子ビームPVD装置(26;260)と
を具備し、基板をコーティングするためのコーティングチャンバ。 - 前記基板支持体が、搬送経路(60)に沿って1つまたは複数の前記基板を搬送するように構成された搬送系(30)を備え、
前記荷電粒子ビームPVD装置が、互いに向かい合う2つの端部をもつ細長い蒸気開口を具備し、前記シールド装置が、前記端部のうちの一方に設けられた第1のシールド(266)および/または他方の端部に設けられた第2のシールド(268)を備え、
前記細長い蒸気開口が前記搬送経路を横切って位置するように、前記荷電粒子ビームPVD装置が前記コーティングチャンバに設けられている、請求項9に記載のコーティングチャンバ。 - 前記搬送経路(60)が互いに向かい合う2つの境界を有し、
前記第1のシールドが前記搬送経路の一方の境界に面し、かつ前記第2のシールドが前記搬送経路の他方の境界に面するように、前記荷電粒子ビームPVD装置が前記コーティングチャンバに設けられている、請求項10に記載のコーティングチャンバ。 - コーティングチャンバ内の1つまたは複数の基板をコーティングする方法であって、
請求項1ないし7のいずれかに記載の荷電粒子ビームPVD装置(26;260)を有する前記コーティングチャンバの基板支持体(30;300)に基板(100)を設けるステップと、
前記荷電粒子ビームPVD装置(26;260)から前記基板(100)に向けてコーティング材料を分注するステップと
を具備する方法。 - 前記コーティングチャンバが請求項9ないし11のいずれかに記載のコーティングチャンバである、請求項12に記載の方法。
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