JP2012253202A - パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるパワーモジュールは、同一パッケージ内に並列接続されたMOSFETチップ11とIGBTチップ12とを搭載するパワーモジュール22であって、MOSFETチップ11およびIGBTチップ12の動作を制御するゲートドライバ13を備え、MOSFETチップ11は、当該MOSFETチップ11を流れる電流を検知する電流センサを有し、ゲートドライバ13は、電流センサが検知した電流値に基づいてパワーモジュール22の負荷が短絡していると判断すると、先にIGBTチップ12、次いでMOSFETチップ11をオフし、MOSFETチップ11のアバランシェ電圧は、IGBTチップ12の耐圧より低いことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 同一パッケージ内に並列接続されたMOSFETチップとIGBTチップとを搭載するパワーモジュールであって、
前記MOSFETチップおよび前記IGBTチップの動作を制御するゲートドライバを備え、
前記MOSFETチップは、当該MOSFETチップを流れる電流を検知する電流センサを有し、
前記ゲートドライバは、前記電流センサが検知した電流値に基づいて前記パワーモジュールの負荷が短絡していると判断すると、先に前記IGBTチップ、次いで前記MOSFETチップをオフし、
前記MOSFETチップのアバランシェ電圧は、前記IGBTチップの耐圧より低いことを特徴とする、パワーモジュール。 - 前記MOSFETチップおよび前記IGBTチップは、1チップ上に形成されることを特徴とする、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記IGBTチップは、SiC素子であることを特徴とする、請求項1または2に記載のパワーモジュール。
- 前記MOSFETチップは当該MOSFETチップの接合温度を検知する温度センサをさらに備え、
前記ゲートドライバは、前記電流センサが検知した電流値と前記温度センサが検知した接合温度とに基づいて、前記MOSFETチップのみを動作させる、あるいは、前記MOSFETチップおよび前記IGBTチップの両方を動作させることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載のパワーモジュール。 - 前記MOSFETチップのゲートの閾値電圧は前記IGBTチップのゲートの閾値電圧よりも低く、前記MOSFETチップのゲートと前記IGBTチップのゲートとは共通のゲート端子に接続されていることを特徴とする、請求項4に記載のパワーモジュール。
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