JP2012245565A - 半導体プロセスチャンバ内において使用するための物品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本方法は、加工片をテクスチャ化チャンバへ供給するステップと、加工片の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップとを含む。形成されたフィーチャは、一般的には凹み、突起、及びそれらの組合わせである。プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法も提供される。この方法は、1またはそれ以上のプロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、1またはそれ以上のチャンバ構成部品をプロセスチャンバ内に位置決めするステップと、プロセスチャンバ内においてプロセスシーケンスを開始するステップとを含む。
【選択図】図1
Description
加工片104の表面をテクスチャ化するための種々の方法を、図3A、3B、3C、3D、3E、及び3Fに示す。詳述すれば、図3Aは、ステップ301において開始され、加工片104が図1のチャンバ114のような表面テクスチャ化チャンバへ送給されるステップ304以降の一連のプロセスステップ300を示している。図3Bは、図3Aと同じプロセス300を示しているが、テクスチャ化プロセスを実行する前に加工片104を予熱するステップ307が追加されている。図3Cは、図3Aと同じ一連のプロセスステップ300を示しているが、ステップ304の前に加工片104から応力を逃すステップ302と、テクスチャ化プロセスを実行する前に加工片104を予熱するステップ307とが追加されている。図3Dは、図3Aと同じ一連のプロセスステップ300を示しているが、ステップ304の前に加工片104から応力を逃すステップ302が追加されている。予熱ステップ及び応力逃しステップは、テクスチャ化プロセスとは分離したチャンバにおいて、または同一のチャンバにおいて遂行することができる。図3Eは、図3Aと同じ一連のプロセスステップ300を示しているが、ステップ310におけるテクスチャ化プロセスが完了した後に加工片104から応力を逃し、テクスチャ化プロセス中に発生した、またはテクスチャ化プロセスの後に残る何等かの応力を逃すステップ311が追加されている。本発明の他の実施の形態においては、ステップ311を図3B、3C、3D、及び3Fに示す他のプロセスステップ300にも追加し、テクスチャ化プロセスの適用によって加工片内に誘起された残留応力を逃すか、または加工片内に残る応力を除去することができる。図3Fは、図3Aと同じ一連のプロセスステップ300を示しているが、ステップ310が完了した後に加工片を化学的に清浄化するステップ312が追加され、その後のプロセスへの汚染の影響を減少乃至は阻止し、また第2の材料の加工片への付着を改善するようにしている。本発明の他の実施の形態においては、ステップ312を図3B、3C、3D、及び3Eに示す他のプロセスステップ300にも追加し、加工片を使用するであろうその後のプロセスへの汚染の影響を減少乃至は阻止し、また第2の材料の加工片への付着を改善することができる。
本発明の別の実施の形態においては、プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法が提供される。一実施の形態においては、本方法は、プロセスチャンバへ供給された基体の汚染を減少させる。一般的に言えば、チャンバは、チャンバの内部表面上に、またはチャンバ内の諸構成部品の表面上に材料が凝縮し易い何等かの囲まれた、または部分的に囲まれたチャンバであることができる。一実施の形態においては、チャンバは、基体処理チャンバである。このチャンバは、半導体基体またはガラスパネルの真空処理に適するチャンバである。ウェハー処理チャンバは、例えば蒸着チャンバであることができる。代表的な蒸着チャンバは、スパッタリングチャンバ、物理蒸着(PVD)チャンバ、及びイオン金属プラズマ(IMP)チャンバ、化学蒸着(CVD)チャンバ、エッチングチャンバ、分子線エピタキシー(MBE)チャンバ、原子層蒸着(ALD)チャンバ、その他を含む。チャンバは、例えばプラズマエッチングチャンバのような、エッチングチャンバであることもできる。他の適当なプロセスチャンバの例は、イオン注入チャンバ、焼鈍チャンバ、その他の炉チャンバを含む。好ましい実施の形態においては、チャンバは、基体が1またはそれ以上の気相材料に曝される基体プロセスチャンバである。
102 電磁(電子)ビーム
104 加工片
106 陰極
108 陽極
112 高速偏向コイル
114 作業チャンバ
116 バイアスカップ
118 孔
120 カラム
122 高電圧ケーブル
124 ポンプ
126 弁
128、132 分離弁
130 真空ポンプ
140 作動手段
150 加熱要素
181 エネルギ源
200 マイクロプロセッサコントローラ
204 関数発生器
500 フィーチャ
502 加工片表面上の領域
504 ビーム直径
508 フィーチャ間の間隔
510 フィーチャのパターン
602 凹み
604 突起
606 ビーム直径
610 入射角
612 凹みの深さ
614 凹みの表面直径
616 凹みの内部直径
618 突起の高さ
620 加工片の頂面
622 凹みの表面
700 スパッタリング反応器
702 電源
704 電極電源
706 ターゲット板
710 絶縁体
712 支持リング
714 チャンバ壁
716 真空チャンバ
718 シールド組立体
720 基体
728 位置合わせリング
730 蒸着リング
732 エレベータシステム
734 電極
736 基体支持具
738 支持ボディ
742 シールド部材
777 反応ゾーン
Claims (56)
- 半導体プロセスチャンバ内に使用する構成部品の表面にテクスチャを設ける方法であって、
前記表面上に複数のフィーチャを形成させるのに十分な時間の間、前記構成部品の表面を横切って電磁ビームを走査させるステップと、
前記構成部品の表面及び前記フィーチャを粗くするステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記走査は、移動時間及び休止時間からなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記電磁ビームは、前記ビームが導かれる前記構成部品の表面上の一点において、約104W/mm2乃至約107W/mm2の範囲内の電力密度を有していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品にビードを吹き付けるステップからなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品を化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記電磁ビームを走査させるステップの前に、前記構成部品を加熱するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記構成部品を加熱するステップは、前記構成部品が溶融、流れ、または実質的な分解を受け始める温度より低い温度まで前記構成部品を予熱するステップからなることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記構成部品は、放射熱ランプ、誘導加熱器、または赤外型抵抗加熱器を使用して加熱されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記ビードを吹き付けるステップは、酸化アルミニウム、ガーネット、炭化シリコン、酸化シリコン、またはそれらの組合わせからなるグリット粒子を使用して遂行されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記構成部品を化学的に粗くするステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記構成部品の表面上に前記複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記複数のフィーチャを形成するステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に、前記構成部品の応力を逃がすステップと、前記表面上に複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップとを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記電磁ビームは、前記構成部品の第1の表面上にフィーチャを形成させることによって生じた何等かの可能な歪みを補償するために、前記構成部品の第2の表面上にフィーチャを形成させるために使用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 構成部品の表面にテクスチャを設ける方法であって、
テクスチャ化チャンバを約10-3トル乃至約10-5トルの範囲の圧力までポンプするステップと、
約50乃至約160キロボルトの加速電圧において、約15乃至約50ミリアンペアの電子ビーム電流の電子ビームを前記構成部品の表面を横切って走査させ、前記表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、
前記構成部品の表面及び前記フィーチャを粗くするステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記走査は、移動時間及び休止時間からなることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記電子ビームは、前記ビームが導かれる前記構成部品の表面上の一点において、約104W/mm2乃至約107W/mm2の範囲内の電力密度を有していることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品にビードを吹き付けるステップからなることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品を化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記電子ビームを走査させるステップの前に、前記構成部品を加熱するステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記構成部品を加熱するステップは、前記構成部品が溶融、流れ、または実質的な分解を受け始める温度より低い温度まで前記構成部品を予熱するステップからなることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記構成部品は、放射熱ランプ、誘導加熱器、または赤外型抵抗加熱器を使用して加熱されることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記ビードを吹き付けるステップは、酸化アルミニウム、ガーネット、炭化シリコン、酸化シリコン、またはそれらの組合わせからなるグリット粒子を使用して遂行されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記構成部品を化学的に粗くするステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記構成部品の表面上に前記複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に前記構成部品の応力を逃がすステップと、前記表面上に複数のフィーチャを形成させるステップの後に前記構成部品の応力を逃がすステップとを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記電磁ビームは、前記構成部品の第1の表面上にフィーチャを形成させることによって生じた何等かの可能な歪みを補償するために、前記構成部品の第2の表面上にフィーチャを形成させるために使用されることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
1またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択されることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。 - 前記プロセスチャンバ構成部品は、チャンバシールド、ターゲット、シャドウリング、蒸着コリメータ、蒸着リング、コンタクトリング、コイル、コイル支持具、位置合わせリング、シャッタディスク、及び基体支持具のグループから選択されることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記表面は、ビード吹き付け処理を更に受けることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記プロセスチャンバ構成部品は、鋼、ステンレス鋼、鉄・ニッケル・クロム合金、ニッケル・クロム・モリブデン・タングステン合金、クロム・銅合金、銅・亜鉛合金、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、銅、アルミニウム、炭化シリコン、サファイア、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化シリコン、石英、ポリイミド、ポリアリル酸塩、ポリエーテルエーテルケトン、及びそれらの組合わせのグループから選択された材料で製造されることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記表面上のフィーチャ密度は、約1乃至約300フィーチャ/cm2であることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記表面は、前記表面上に複数のフィーチャが形成された後に、化学的に粗くされることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記プロセスチャンバ構成部品にビードを吹き付けた後に、前記表面を化学的に清浄化することを特徴とする請求項37に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記プロセスチャンバ構成部品を化学的に粗くした後に、前記表面を化学的に清浄化することを特徴とする請求項40に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記表面上に複数のフィーチャが形成された後に、前記表面を化学的に清浄化することを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品は、前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁ビームを走査させる前に、応力逃がしされていることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品は、前記電磁ビームを走査させる前に、予熱温度にされることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記予熱温度は、前記プロセスチャンバ構成部品が溶融、流れ、または実質的な分解を受け始める温度より低い温度であることを特徴とする請求項45に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品は、予熱温度まで加熱される前に、応力逃がしされていることを特徴とする請求項45に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品は、前記複数のフィーチャが形成された後に、応力逃がしされていることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品は、表面にテクスチャを設ける前に、及び前記表面上に複数のフィーチャが形成された後に、応力逃がしされていることを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品は、前記複数のフィーチャが形成された後に、応力逃がしされていることを特徴とする請求項45に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記プロセスチャンバ構成部品は、放射熱ランプ、誘導加熱器、または赤外型抵抗加熱器を使用して加熱されることを特徴とする請求項45に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品は第1及び第2の表面上に形成されているフィーチャを有し、前記第2の表面上のフィーチャは前記第1の表面上へのフィーチャの形成によって誘起される応力を補償することを特徴とする請求項35に記載のプロセスチャンバ構成部品。
- 前記構成部品の表面上の一点における電力密度は、約104W/mm2乃至約105W/mm2の範囲内にあることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記表面を化学的に粗くするステップは、前記表面を電気化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記表面を化学的に粗くするステップは、前記表面を電気化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記表面は、電気化学的に粗くされていることを特徴とする請求項40に記載のプロセスチャンバ構成部品。
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