JP2012225815A

JP2012225815A - 高周波特性評価治具

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Publication number: JP2012225815A
Application number: JP2011094878A
Authority: JP
Inventors: Kenta Kuroda; 健太黒田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2011-04-21
Filing date: 2011-04-21
Publication date: 2012-11-15

Abstract

【課題】高周波素子の特性評価では、入力側基板及び土台間の接地と、出力側基板及び土台間の接地とを確実に行えない。
【解決手段】導電性の土台１５と、入力側基板１６と、出力側基板１７と、それぞれ接地導体２５、２８の各裏面及び土台１５の主面１３間に挟持され、各裏面１８及び主面１３の何れかに接触する凸状部を有する２つの導電性の被挟持部１９と、出力側基板１７及び土台１５間、入力側基板１６及び土台１５間を締結し接地導体２５、２８を主面１３上に密着固定させる複数本の締結具２０と、ストリップ導体２７、３０に高周波素子２１の入出力リード２２、２３を接触させた状態で高周波素子２１に上から下への力を作用させる押圧機構２４とを備え、押圧機構２４及び締結具２０により各被挟持部１９は凸状部が凸状先端に有する平坦面部を各接地導体２５、２８の裏面又は主面１３に押し付ける高周波特性評価治具１０が提供される。
【選択図】図１

Description

一実施形態は高周波特性評価治具に関する。

マイクロ波帯で動作する半導体増幅器の高周波特性を評価するためには治具が用いられる（例えば特許文献１、２参照）。ＲＦ信号の特性の測定では、高周波特性評価用の治具が用いられる。治具は、評価対象の高周波素子の入出力リードにそれぞれ、マイクロストリップ線路を有する基板を接続する。基板とは誘電体基材上に配線層がパターニングされたプリント基板を指す。入出力側の基板はそれぞれ誘電体基材を厚み方向に切断することにより２分割して得られたものであり、それぞれが高周波素子の入出力リードに接続される。ところで切断によって入力側基板及び出力側基板の間で接地面の連続性が失われる。高周波素子の接地面と、入出力側基板の各接地面との間で、高周波信号に対する特性インピーダンスを連続させ、且つ電気的な伝導性を担保するために、高周波特性評価治具は導電性の土台を必要とする。

高周波特性評価治具は、製造後の高周波素子に測定器を接続し高周波特性を評価する環境を与える。入出力側基板の各裏面と、土台の主面（上面）との接地面を確保するため、例えば１２ＧＨｚ以上の周波数帯域での評価では、入出力側基板の各裏面と、土台の主面とをはんだ付けする。

特開平８−２７１５８１号公報特開平４−１４２４７４号公報

しかしながら、製品を客先に提供する前に入出力側基板と土台とをはんだ付け固定することはできないため、例えば１２ＧＨｚ以上の周波数帯域用の高周波素子の特性評価では、入力側基板及び土台間の接地と、出力側基板及び土台間の接地とを確実に行えない。良好な電気的接触を確保することができない。

このような課題を解決するため、一実施形態によれば、高周波信号の入出力方向に対向配置された入出力端子対、この入出力端子対間の主面、およびこの主面に凹設され評価対象の高周波素子が着脱自在に載置される凹部を有する導電性の土台と、この土台の入力端子対側に設けられ、前記主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する入力側基板と、この入力側基板と前記凹部を挟んで前記土台の出力端子対側に設けられ、前記土台の主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する出力側基板と、それぞれこれらの出力側基板および入力側基板の各接地導体の裏面および前記土台の主面間に挟持され、前記各接地導体の裏面および主面の何れかに接触する凸状部を有する複数の導電性の被挟持部と、これらの被挟持部を挟んで出力側基板及び前記土台間および前記入力側基板及び前記土台間を締結し、各接地導体を前記土台の主面上に密着固定させる締結具と、この締結具の締結力によってマイクロストリップ線路を成す各ストリップ導体に前記高周波素子の入出力リードを接触させた状態で前記高周波素子に上方から下方へ向かう力を作用させる押圧機構と、を備え、この押圧機構による押圧および前記締結具による締結により前記複数の被挟持部は前記凸状部が凸状先端に有する平坦面部を前記各接地導体の裏面又は前記主面に押し付けることを特徴とする高周波特性評価治具が提供される。

実施の形態に係る高周波特性評価治具の斜視図である。（ａ）は実施の形態に係る高周波特性評価治具の上面図であり、（ｂ）はそのＡＡ′線に沿う縦断面図であり、（ｃ）はそのＢＢ′線に沿う縦断面図である。実施の形態に係る高周波特性評価治具に用いられる押圧機構による押圧箇所を示す高周波素子の上面図である。（ａ）は比較例のマイクロ波帯用治具の入力側基板の平面図であり、（ｂ）はその入力側基板の縦断面図である。（ａ）は第１の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図であり、（ｂ）はその縦断面図である。第２の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。第３の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。第４の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。第５の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。

以下、実施の形態に係る高周波特性評価治具について、図１乃至図９を参照しながら説明する。尚、各図において同一箇所については同一の符号を付すとともに、重複した説明は省略する。

実施の形態に係る高周波特性評価治具はマイクロ波帯域の高周波信号の電力半導体増幅素子を評価するマイクロ波帯用の治具である。

図１はマイクロ波帯用治具の斜視図である。図２（ａ）はマイクロ波帯用治具の上面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のマイクロ波帯用治具のＡＡ′線に沿う縦断面図である。図２（ｃ）は同マイクロ波帯用治具のＢＢ′線に沿う縦断面図である。これらの図中、同一の符号を付した要素は互いに同じ要素を表す。

マイクロ波帯用治具１０は、入出力端子対１１、１２、入出力端子対１１、１２間の主面１３、及び主面１３に凹設された凹部１４を有する導電性の土台１５と、土台１５上で入力端子対１１側に設けられた入力側基板１６と、この入力側基板１６と凹部１４を挟んで対向するように土台１５上で出力端子対１２側に設けられた出力側基板１７と、それぞれ入力側基板１６及び出力側基板１７の各裏面１８及び主面１３間に挟持され、これらの裏面１８に接触する凸状部を有する２つの導電性の被挟持部１９とを備えている。

更にマイクロ波帯用治具１０は、これらの被挟持部１９を挟み出力側基板１７及び土台１５間及び入力側基板１６及び土台１５間を締結する複数本のネジ２０（締結具）と、これらのネジ２０が締結し評価対象の高周波素子２１の入出力リード２２、２３を接触させた状態でこの高周波素子２１に上方から下方へ向かう力を作用させる押圧機構２４とを備えている。

土台１５はアルミニウムや銅などの金属からなるベース材である。

入出力端子対１１、１２は、高周波信号の入出力方向に対向配置されている。入力端子対１１、出力端子対１２にはそれぞれコネクタや配線類を介して図示しない測定器に接続されるようになっている。土台１５はその上面を主面１３としており、凹部１４はこの主面１３の面高さよりも低い凹底を有する。この凹部１４は例えば溝状であり、この内部に高周波素子２１が着脱自在に載置される。高周波素子２１の素子パッケージが接地されるようにされている。

入力側基板１６はプリント基板であり、土台１５の主面１３に接地する接地導体２５、この接地導体２５上の誘電体基材２６及びこの誘電体基材２６上のストリップ導体２７を有する。接地導体２５及びストリップ導体２７は金属層である。誘電体基材２６にはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレンが用いられ、例えばテフロン（登録商標）が用いられる。この入力側基板１６のパターニングは、ストリップ導体２７として生成される領域にメッキを施し、この領域以外の非配線パターンとして生成される領域にフォトレジストを用いてエッチング処理するなどして生成されている。

出力側基板１７も入力側基板１６の例と同様な処理により配線がパターニングされたプリント基板である。出力側基板１７は、土台１５の主面１３に接地する接地導体２８、この接地導体２８上の誘電体基材２９及びこの誘電体基材２９上のストリップ導体３０を有する。接地導体２８及びストリップ導体３０は金属層である。誘電体基材２９にはＰＴＦＥが用いられる。また、入力側基板１６及び出力側基板１７の各周辺縁部には貫通ネジ孔が形成されている。裏面１８は接地導体２５、２８の各裏面である。

２つの被挟持部１９の凸状部は土台１５の長手方向に直交する断面内で上に凸の円弧状に湾曲している。これらの凸状部の凸部先端面は、マイクロ波信号の伝播方向即ち入出力端子対１１、１２方向を長手方向とする平坦面である。これらの平坦な面部によって２つの被挟持部１９は各接地導体２５、２８の裏面と接触する。各被挟持部１９はともに土台１５と一体に形成されており、アルミニウムや銅などの金属からなる。入力側一方の被挟持部１９の長手方向の長さは、入力側基板１６の基板長さと等しい。基板長さとは高周波信号の入出力方向に沿う入力側基板１６の長さを指す。出力側他方の被挟持部１９の長手方向の長さは出力側基板１７の基板長さと等しい。

図２（ｂ）の被挟持領域４４（破線部参照）は、入力側基板１６の基板面領域よりもやや大きい領域サイズを有し、土台１５の上部、被挟持部１９及び入力側基板１６の下部を囲む空間領域である。被挟持領域４４の領域内に、曲面を有する被挟持部１９が設けられる。上下の入力側基板１６及び土台１５のうち、少なくとも下側の入力側基板１６が曲面を有し、入力側基板１６が押し付け機能を発揮するようになっている。

また、図２（ｃ）の被挟持領域４５（破線部参照）は、出力側基板１７の基板面領域よりもやや大きい領域サイズを有し、土台１５の上部、他方の被挟持部１９及び出力側基板１７の下部を囲む空間領域である。被挟持領域４５でもその領域内に他方の被挟持部１９が存在する。被挟持領域４５においても、上下のうち少なくとも下側の出力側基板１６が曲面を有し、出力側基板１６が押し付けを行う。

複数本のネジ２０は、入力側基板１６の接地導体２５を土台１５の一方の主面１３上に密着固定させ、出力側基板１７の接地導体２８を他方の主面１３上に密着固定させる。これらのネジ２０による締結力は、接地導体２５及び主面１３間の接地面と、接地導体２８及び主面１３間の接地面とを何れも圧着させる。この締結力は入力側基板１６のストリップ導体２７と、出力側基板１７のストリップ導体３０とを高周波信号に対するマイクロストリップ線路として機能させるようにしている。

押圧機構２４はレバーやばね圧で押さえ付ける力を発生させる部材である。一例として、押圧機構２４はマイクロ波帯用治具１０に対して上下動自在な部材からなり、突起部３１等により高周波素子２１に上方から下方へ付勢するものである。

つまり、マイクロ波帯用治具１０は、入力側基板１６及び出力側基板１７を土台１５の主面１３上のこれらの基板と接する部分に、頂部が平坦且つ上に凸の曲面部を持たせ、各曲面部は入力側基板１６及び出力側基板１７の各裏面１８に土台１５側から均一に押し付ける力が働くようにされており、更にネジ止めされて構成されている。

上述の構成のマイクロ波帯用治具１０の凹部１４に、ピンセット等によって人が評価対象の高周波素子２１を位置決めする。

図３は押圧機構２４が高周波素子２１へ押圧する箇所を示す高周波素子２１の上面図である。同図に示す符号のうち既述の符号はそれらと同じ要素を表す。高周波素子２１は接地用の素子パッケージ３２を有する。この素子パッケージ３２が凹部１４の凹底に接地した状態において、押圧機構２４による押圧及びネジ止めによる締結が入力側基板１６及び出力側基板１７の各裏面１８に下方から上方へと向かう押し付け力を作用させる。押圧機構２４は高周波素子２１の入力リード２２を入力側基板１６側のストリップ導体２７に接触させ、出力リード２３を出力側基板１７側のストリップ導体３０に接触させ、高周波素子２１に押圧力を与える。

具体的には押圧機構２４は高周波素子２１のＡ１、Ａ２、Ｂ及びＣの各部分にのみ押圧する。部分Ａ１、Ａ２への押圧により、押圧機構２４は素子パッケージ３２の裏面及び凹部１４の凹底の間を圧接する。部分Ｂへの押圧により、ストリップ導体２７の上面及び入力リード２２の間を密着する。部分Ｃへの押圧により、ストリップ導体３０の上面及び出力リード２３の間を密着する。

各被挟持部１９は上に凸の曲面を有している。またこの曲面はマイクロ波信号が伝播する方向に平坦となっており、この方向で傾斜をしていない。入力側基板１６、出力側基板１７は何れも弾性を有する。各裏面１８の全領域のうち、少なくともマイクロストリップ線路の電磁界が伝播する部分に押し付け力が作用するようにネジ止めされているため、該曲面の面高さが最も高い部分以外の箇所でこれらの入力側基板１６、出力側基板１７をネジ２０によって固定することにより、電磁界の伝播領域を土台１５の主面１３上へ押し付ける力が働き、良好な電気的接触が得られる。

この状態で、測定器は入力端子対１１からマイクロ波帯用治具１０に、例えば数十Ｗの電力を持つ高周波信号を高周波素子２１へ加える。出力端子対１２から測定器は高周波信号を印加し、相互変調歪や高周波パラメータなどの特性を評価する。ネジ止め及び被挟持部１９によって均一に力が入力側基板１６、出力側基板１７に加わるようにして測定器は評価を行う。

高周波素子２１が製造された後、全ての高周波素子２１を検査する。高周波素子２１の顧客が実装する前、高周波素子２１の製造者は高周波素子２１をはんだ付けできない。このため、マイクロ波帯用治具１０が必要とされる。高周波素子２１は例えばＧａＮ（ガリウムナイトライド）系の電力半導体増幅素子である。高周波素子２１は１４ＧＨｚ以上の周波数帯域のマイクロ波信号を増幅する。この高周波素子２１の消費電力は大きい。マイクロ波帯用治具１０により押さえ付けられている部分に大電力が通電すると、高周波素子２１は発熱する。発熱などにより入力側基板１６、出力側基板１７が劣化したとしても、ネジ２０を緩めてこれらの入力側基板１６、出力側基板１７を外して新品の入力側基板１６、出力側基板１７に交換することによって土台１５ごと治具を交換するといった無駄を省くことができる。

高周波素子２１を人が交換し何回にも亘って測定系のセッティングをし、評価を実行すると、マイクロ波帯用治具１０は劣化してくる。例えば入出力リード２２、２３や、入力側基板１６、出力側基板１７上の電極が発熱により劣化してくる。誘電体基材２６、２９の材質は高周波数帯において良好な特性を得るためＰＴＦＥを主体としており一般の誘電体材料よりも軟らかい。機械的な押し付け力が入力側基板１６、出力側基板１７に加えられた状態で、複数回に亘って測定に用いられると、ＰＴＦＥ材は、その力が作用する部位が変形することがある。

従来例による高周波特性評価治具を使って１２ＧＨｚ以上の周波数帯域での評価を行う場合、はんだ付けにより土台の主面と、入力側基板、出力側基板の各裏面とを固定する。一旦、入出力側基板及び土台間をはんだ付けすると、これらの入出力側基板と土台とを剥離することができない。評価時、大電力の高周波信号の通電によって治具は発熱し、入出力側基板が劣化する。例えば入出力側基板の電極や、誘電体基材の変形が生じる。入出力側基板及び土台間の電気的接触が要求される測定精度を得られない。特性の評価時、特性が劣化したときには入力側基板、出力側基板のみを交換することが出来ない。はんだ付けにより入出力側基板に接続された土台も交換を要する。土台及び入力側基板、出力側基板を含む治具全体を新規に作り直さなければならない。

また、従来例による高周波特性評価治具を使って１２ＧＨｚ以下の周波数帯域での評価を行う場合、入力側基板、出力側基板と、土台とを締結するネジ止め可能な治具が用いられている。入力側基板、出力側基板だけを交換可能にされている。図４に、１２ＧＨｚ以下の周波数の増幅器の評価用治具の例を示す。

図４（ａ）は比較例のマイクロ波帯用治具の入力側基板の平面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）の入力側基板のＣＣ′線に沿う縦断面図である。これらの図中、左右方向は高周波信号の入出力方向に対応する。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。

ストリップ導体２００の長手方向に沿ってプリント基板２０１を直接土台１５上にネジ止めする場合、プリント基板２０１には反りが生じる。図４（ｂ）に示すように、ネジ止めされた複数の箇所のうち、隣接するネジ２０の中間部が土台主面より浮き上がる。従来の治具ではプリント基板２０１と対面する相手側固定面が土台１５側であり、プリント基板２０１の周辺縁部をネジ止めしたときにネジ止めされていない箇所が浮き上がる。

これに対して、マイクロ波帯用治具１０によれば、マイクロストリップ線路を確保するための電気的な接触の度合いを良好に得ることができる。マイクロ波帯用治具１０を交換する場合、土台１５ごと交換することなしに、土台１５を残して入力側基板１６、出力側基板１７だけを交換することができるようになる。

（第１の変形例）
図５（ａ）は第１の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。同図は図２（ａ）のＡＡ′線に沿う入力側基板１６の縦断面を示す。図５（ｂ）は図２（ａ）のＤＤ′線に沿う縦断面図である。第１の変形例に係る高周波特性評価治具は、図１から図３に示す要素のうち、図５に示されているもの以外の要素を有する。

図５に示す高周波特性評価治具はネジ止めを、それぞれネジ長が長い複数本のネジ３３と、それぞれこれらのネジ３３用の貫通ネジ孔を有し、入力側基板１６の主面上に締結固定される２個のスペーサ３４とを備えている。２個のスペーサ３４は絶縁性の構造物であり、例えば直方体の合成樹脂が用いられる。これらのスペーサ３４の入出力方向の長さは入力側基板１６の基板長さと同じである。各スペーサ３４の基板幅方向の厚みは入力側基板１６の周辺縁部の領域の大きさあるいはネジ３３の太さ等により決められる。出力側基板１７の例も入力側基板１６の構造と同じである。

このような構成によって、押圧機構２４は高周波素子２１に上方から下方へ力を与える。ネジ３３による締結力を各スペーサ３４が基板長方向に均一化させる。各スペーサ３４が締結力を分散させて、入力側基板１６及び出力側基板１７が固定される。より良好な電気的接触が得られるようになる。

（第２の変形例）
図６は第２の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。同図は図２（ａ）のＡＡ′線に沿う入力側基板１６の縦断面を示す。第２の変形例に係る高周波特性評価治具は、図１から図３に示す要素のうち、図６に示されているもの以外の要素を有する。第２の変形例に係る高周波特性評価治具は被挟持部３５を有する。この被挟持部３５は断面視半月板の導電性部材である。被挟持部３５は、入力側基板１６の基板長の方向に、この基板長と同じ部材長を有する。被挟持部１９と異なり被挟持部３５は土台１５とは別体に構成されている。被挟持部３５は上に凸の曲面を有する。この被挟持部３５の材質は電気伝導性に富む材料が用いられている。高周波特性評価治具は、土台１５と入力側基板１６との間に被挟持部３５を挟み込んでいる。

また、被挟持領域４６（破線部参照）は、入力側基板１６の基板面領域よりもやや大きい領域サイズを有し、土台１５の上部、被挟持部３５及び入力側基板１６の下部を囲む空間領域である。被挟持領域４６の領域内に、曲面を有する被挟持部３５が存在している。

被挟持部３５を挟んでネジ３３が土台１５及び入力側基板１６、出力側基板１７間を締結固定した場合であっても、上記一実施形態及び第１変形例の効果と同様の効果が得られる。また被挟持部３５は延性に富む性質を持つ材質を用いても良い。被挟持部３５が延性を持つ場合、入力側基板１６の裏面１８の表面粗さと、土台１５の主面１３の表面粗さとによる電気的接触の劣化を防ぐことが可能となる。出力側基板１７の例も同様である。

（第３の変形例）
図７は第３の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。第３の変形例に係る高周波特性評価治具は主面の湾曲曲率が大きい土台３６を有する。この曲率は、入力側基板１６の基板幅から独立した大きさを有する。土台３６の主面３７の湾曲の大きさは、この土台３６が固定される入力側基板１６の大きさに依存しない。出力側基板１７の例も同様である。

（第４の変形例）
上記実施形態及び各変形例と異なり、曲面部を持たせる側を土台１５でなく、入出力側基板１６、１７の裏面側に曲面部を持たせてもよい。マイクロ波信号の電磁界が伝播する領域が電気的に良好な接触が確保されるようにする。

図８は第４の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。同図は図２（ａ）のＡＡ′線に沿う入力側基板１６の縦断面と同等である。第４の変形例に係る高周波特性評価治具は、図１から図３に示す要素のうち、図８に示されているもの以外の要素を有する。

入力側基板３８は、接地導体３９、誘電体基材４０及びストリップ導体４１を有する。接地導体３９の裏面側が土台１５の主面１３に向かって下方に湾曲している。接地導体３９の主面の湾曲面部と、誘電体基材４０の裏面の湾曲面部とが面一になるように、これらの接地導体３９及び誘電体基材４０が形成されている。誘電体基材４０の主面側は平坦であり、この誘電体基材４０の基材厚みは基板幅方向に連続的に変化するように形成されている。

誘電体基材４０の基板幅方向中央部における基材厚みは、同じ誘電体基材４０の基板幅方向で両サイドの縁端における基材厚みよりも大きい。特性インピーダンスを補正するために、ストリップ導体４１の基板幅方向の導体幅は、ストリップ導体２７の導体幅よりも太くされている。出力側基板の例も入力側基板３８の例と同じである。

（第５の変形例）
また、入力側基板３８の土台１５と接地する側が下に凸の曲面を有する他の例を図９に示す。図９は第５の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。入力側基板４２は、接地導体４３、誘電体基材２６及びストリップ導体２７を有する。接地導体４３の裏面側が下方に湾曲しており、この接地導体４３の主面側は平坦である。誘電体基材２６の基板厚みは基板幅方向で均一であり、接地導体４３の金属層の厚みにより曲面部を変化させている。出力側基板も入力側基板３８と同様である。

上記図８のように入力側基板３８を構成する誘電体基材４０の中央部を厚くする構成、または図９のように接地導体４３の中央部の導体層の厚みを厚くする構成において、ネジ止めによって締結し、入力側基板３８及び図示しない出力側基板が固定される。より良好な電気的接触が得られる。

（その他）
上記実施形態では、押圧機構２４の形状、構造は種々変更可能である。また、被挟持部１９、３５の相手面部との接触部分の形状は、種々の形状をとり得る。平坦面部のサイズ、湾曲の度合いや比率を変更させてもよい。これらの形状等を変更したに過ぎない実施品に対して本実施形態に係る高周波特性評価治具の優位性は何ら損なわれるものではない。

凹部１４は主面１３の面高さよりも低い凹底を有していたが、評価対象によっては、主面１３の面高さと同じかそれ以上にすることもありうる。

誘電体基材２６には、ＰＴＦＥ＋Ａｌ_２Ｏ_３やＢＴレジン、ＰＰＯなどを使うことができる。

スペーサ３４は、マイクロ波特性に影響を与えなければ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を用いることも可能である。

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０…マイクロ波帯用治具（高周波特性評価治具）、１１…入力端子対、１２…出力端子対、１３…主面、１４…凹部、１５…土台、１６…入力側基板、１７…出力側基板、１８…裏面、１９…被挟持部、２０…ネジ（締結具）、２１…高周波素子、２２…入力リード、２３…出力リード、２４…押圧機構、２５，２８…接地導体、２６，２９…誘電体基材、２７，３０…ストリップ導体、３１…突起部、３２…素子パッケージ、３３…ネジ、３４…スペーサ、３５…被挟持部、３６…土台、３７…主面、３８…入力側基板、３９…接地導体、４０…誘電体基材、４１…ストリップ導体、４２…入力側基板、４３…接地導体、４４，４５，４６…被挟持領域。

Claims

高周波信号の入出力方向に対向配置された入出力端子対、この入出力端子対間の主面、およびこの主面に凹設され評価対象の高周波素子が着脱自在に載置される凹部を有する導電性の土台と、
この土台の入力端子対側に設けられ、前記主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する入力側基板と、
この入力側基板と前記凹部を挟んで前記土台の出力端子対側に設けられ、前記土台の主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する出力側基板と、
それぞれこれらの出力側基板および入力側基板の各接地導体の裏面および前記土台の主面間に挟持され、前記各接地導体の裏面および主面の何れかに接触する凸状部を有する複数の導電性の被挟持部と、
これらの被挟持部を挟んで出力側基板及び前記土台間および前記入力側基板及び前記土台間を締結し、各接地導体を前記土台の主面上に密着固定させる締結具と、
この締結具の締結力によってマイクロストリップ線路を成す各ストリップ導体に前記高周波素子の入出力リードを接触させた状態で前記高周波素子に上方から下方へ向かう力を作用させる押圧機構と、を備え、
この押圧機構による押圧および前記締結具による締結により前記複数の被挟持部は前記凸状部が凸状先端に有する平坦面部を前記各接地導体の裏面又は前記主面に押し付けることを特徴とする高周波特性評価治具。
前記被挟持部は、前記土台の主面上で前記入力側基板の下方においてこの入力側基板の前記接地導体の裏面に向かって上方に湾曲した入力側の部分と、前記土台の主面上で前記出力側基板の下方においてこの出力側基板の前記接地導体の裏面に向かって下方に湾曲した出力側の部分とを有することを特徴とする請求項１記載の高周波特性評価治具。
前記被挟持部は、前記入力側基板の前記接地導体の裏面側が前記土台の主面に向かって下方に湾曲しており、前記出力側基板の前記接地導体の裏面側が前記土台の主面に向かって下方に湾曲していることを特徴とする請求項１記載の高周波特性評価治具。
前記入力側基板の前記誘電体基材の基材厚みは前記入出力方向と直交する基板幅方向に均一であり、この誘電体基材下の前記接地導体の導体厚みは前記基板幅方向で変化しており、
前記出力側基板の前記誘電体基材の基材厚みは前記基板幅方向に均一であり、この誘電体基材下の前記接地導体の導体厚みは前記基板幅方向で変化していることを特徴とする請求項３記載の高周波特性評価治具。
前記被挟持部は、前記土台とは別体に構成されており、この被挟持部の材質は電気伝導性に富む材料であることを特徴とする請求項１記載の高周波特性評価治具。
前記土台の主面が湾曲しており、この主面の湾曲の曲率は、前記入出力方向と直交する方向についての前記入力側基板の基板幅又は前記出力側基板の基板幅から独立した大きさであることを特徴とする請求項１記載の高周波特性評価治具。
前記締結具は、前記入力側基板および前記出力側基板の各裏面のうち少なくとも前記マイクロストリップ線路を構成する部分に押し付け力を作用させることを特徴とする請求項１記載の高周波特性評価治具。