JP2012206448A - ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス - Google Patents
ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012206448A JP2012206448A JP2011075156A JP2011075156A JP2012206448A JP 2012206448 A JP2012206448 A JP 2012206448A JP 2011075156 A JP2011075156 A JP 2011075156A JP 2011075156 A JP2011075156 A JP 2011075156A JP 2012206448 A JP2012206448 A JP 2012206448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas barrier
- thin film
- barrier laminate
- organosilicon compound
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 165
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 90
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 68
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 196
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 73
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- FYIRUPZTYPILDH-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)C(F)C(F)(F)F FYIRUPZTYPILDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FCC(F)(F)F LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropropan-2-one Chemical compound CC(=O)C(F)(F)F FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJCOPITNGTALI-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutan-1-ol Chemical compound OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QXJCOPITNGTALI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWTOFSDLNREIFS-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3-pentafluoropropane Chemical compound FCC(F)(F)C(F)F AWTOFSDLNREIFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical group FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVDLUGWWIOGCNH-UHFFFAOYSA-N 1,3-difluoro-2-propanol Chemical compound FCC(O)CF PVDLUGWWIOGCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKUJOCJJXCPCFS-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound FC(F)(F)COC(=O)C(F)(F)F ZKUJOCJJXCPCFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIADVASZMLCQIF-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8,8-octamethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetrazatetrasilocane Chemical compound C[Si]1(C)N[Si](C)(C)N[Si](C)(C)N[Si](C)(C)N1 FIADVASZMLCQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGGNJZRNHUJNEM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexamethyl-1,3,5,2,4,6-triazatrisilinane Chemical compound C[Si]1(C)N[Si](C)(C)N[Si](C)(C)N1 WGGNJZRNHUJNEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANZPUCVQARFCDW-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexamethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1(C)O[SiH2]O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 ANZPUCVQARFCDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical class [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004687 Nylon copolymer Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQOUHJLOCJLNOH-UHFFFAOYSA-N [SiH4].N#CO Chemical class [SiH4].N#CO FQOUHJLOCJLNOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEGHITPVRNZWSI-UHFFFAOYSA-N [[bis(trimethylsilyl)amino]-dimethylsilyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C PEGHITPVRNZWSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940045713 antineoplastic alkylating drug ethylene imines Drugs 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRIWRLGWLMRJIW-UHFFFAOYSA-N benzyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CC1=CC=CC=C1 MRIWRLGWLMRJIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDWYFWIBTZJGOR-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)acetylene Chemical group C[Si](C)(C)C#C[Si](C)(C)C ZDWYFWIBTZJGOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNZSPXKCIAAEJK-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)methyl-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C BNZSPXKCIAAEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- VMFHCJPMKUTMMQ-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-2,4-dien-1-yl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C1C=CC=C1 VMFHCJPMKUTMMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019404 dichlorodifluoromethane Nutrition 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C1=CC=CC=C1 OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=CC[Si](C)(C)CC=C ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N dimethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CN(C)[Si](C)C KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- JTGAUXSVQKWNHO-UHFFFAOYSA-N ditert-butylsilicon Chemical compound CC(C)(C)[Si]C(C)(C)C JTGAUXSVQKWNHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOMUALOCHQKUCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 4-chloro-3-[[3-(4-methoxyphenyl)-3-oxopropanoyl]amino]benzoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C1=CC=C(Cl)C(NC(=O)CC(=O)C=2C=CC(OC)=CC=2)=C1 AOMUALOCHQKUCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- ZBGRMWIREQJHPK-UHFFFAOYSA-N ethenyl 2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OC=C ZBGRMWIREQJHPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C(F)(F)F VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052945 inorganic sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N methyl(silylmethyl)silane Chemical compound C[SiH2]C[SiH3] DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- KSVMTHKYDGMXFJ-UHFFFAOYSA-N n,n'-bis(trimethylsilyl)methanediimine Chemical compound C[Si](C)(C)N=C=N[Si](C)(C)C KSVMTHKYDGMXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(trimethylsilyl)methanamine Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)[Si](C)(C)C ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N n-(dimethylamino-ethenyl-methylsilyl)-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C=C)N(C)C FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(dimethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)N(C)C QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGAVXENYOVMGDJ-UHFFFAOYSA-N n-[ethylamino(dimethyl)silyl]ethanamine Chemical compound CCN[Si](C)(C)NCC NGAVXENYOVMGDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(fluoro)silane Chemical compound CCO[Si](F)(OCC)OCC XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBNVCJHJRYJVPK-UHFFFAOYSA-N trimethyl(4-trimethylsilylbuta-1,3-diynyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C#CC#C[Si](C)(C)C LBNVCJHJRYJVPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXFSUVJPEQYUGN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(phenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 KXFSUVJPEQYUGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCGLONGLPGISNX-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-1-ynyl)silane Chemical compound CC#C[Si](C)(C)C DCGLONGLPGISNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYWCXWRMUZYRPH-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-2-enyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CC=C HYWCXWRMUZYRPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULYLMHUHFUQKOE-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-2-ynyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CC#C ULYLMHUHFUQKOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYIODRUWWNNGPI-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trimethylsilylmethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C GYIODRUWWNNGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N trimethylsilyl (1z)-n-trimethylsilylethanimidate Chemical compound C[Si](C)(C)OC(/C)=N\[Si](C)(C)C SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N 0.000 description 1
- CWMFRHBXRUITQE-UHFFFAOYSA-N trimethylsilylacetylene Chemical group C[Si](C)(C)C#C CWMFRHBXRUITQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCHZCUMIENIQMY-UHFFFAOYSA-N tris(trimethylsilyl)silicon Chemical compound C[Si](C)(C)[Si]([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C SCHZCUMIENIQMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/0213—Venting apertures; Constructional details thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
従来の無機膜成膜に比べて安価に製造ができ、かつ、煩雑な製造工程を必要とせず、容易に優れたガスバリア性と可とう性を有するガスバリア積層体、その製造方法、このガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体、このガスバリア積層体の製造方法、前記ガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
【選択図】 なし。
Description
しかしながら、プラスチックフィルムは、ガラス板に比べて水蒸気や酸素等を透過しやすく、ディスプレイ内部の素子の劣化を起こしやすいという問題があった。
しかしながら、この文献記載のフレキシブルディスプレイ基板は、透明プラスチックフィルム表面に、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法等により、金属酸化物からなる透明ガスバリア層を積層したものであるため、該基板を丸めたり折り曲げたりすると、ガスバリア層にクラックが発生してガスバリア性が低下するという問題があった。また、このような方法は、ターゲットとして固体原料を用いているため、原料コストが高いという問題もあった。
しかしながら、酸素、水蒸気等のガスバリア性を得るためには、さらに無機化合物層を積層する必要があるため、工程が煩雑であったり、コストがかかったり、毒性を有するガスを使用する危険性がある等の問題があった。
しかしながら、この方法で得られるフィルムのガスバリア性は、満足のいくものではなかった。
しかしながら、この方法で得られるフィルムは、複数の層を積層する必要があり、製造工程が煩雑で経済的に不利であるという問題があった。
(1)基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体。
(2)基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるプラズマCVD法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体。
(3)基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により形成された、屈折率が1.46〜1.60である有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体。
(5)前記イオンの注入が、プラズマイオン注入によるものであることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載のガスバリア積層体。
(6)前記有機ケイ素化合物薄膜の厚みが、30〜500nmであることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載のガスバリア積層体。
(7)40℃、相対湿度90%雰囲気下での水蒸気透過率が1g/m2/day以下であることを特徴とする(1)〜(6)のいずれかに記載のガスバリア積層体。
(8)基材上に、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により、有機ケイ素化合物からなる薄膜を形成する工程と、
形成した薄膜にイオンを注入する工程と
を有することを特徴とする、(1)に記載のガスバリア積層体の製造方法。
(9)基材上に、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により、屈折率が1.46〜1.60である薄膜を形成する工程と、
形成した薄膜にイオンを注入する工程と
を有することを特徴とする、(3)〜(7)のいずれかに記載のガスバリア積層体の製造方法。
(10)前記(1)〜(7)のいずれかに記載のガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材。
本発明の第4によれば、下記(11)の電子デバイスが提供される。
(1)前記(10)に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
本発明の製造方法によれば、本発明のガスバリア積層体を効率よく製造することができる。
本発明のガスバリア積層体は、基材上にガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物原料として用いるCVD法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とする。
基材を構成する素材としては、ガスバリア積層体の目的に合致するものであれば特に制限されない。例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体等の合成樹脂が挙げられる。
ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン共重合体等が挙げられる。
基材には、コロナ放電処理、プラズマ処理等の前処理を施し、汚れ物質の除去や表面の活性化を行っておいてもよい。
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルアルコキシシラン;
ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアリールアルコキシシラン;
ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)等のジシロキサン;
ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ビス(ジメチルアミノ)メチルビニルシラン、ビス(エチルアミノ)ジメチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、テトラキスジメチルアミノシラン、トリス(ジメチルアミノ)シラン等のアミノシラン;
ヘキサメチルジシラザン(HMDSZ)、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラメチルジシラザン(TMDS)等のシラザン;
トリエトキシフルオロシラン等のハロゲノシラン;
ジアリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン等のアルケニルシラン;
ジ−t−ブチルシラン、1,3−ジシラブタン、ビス(トリメチルシリル)メタン、テトラメチルシラン、トリス(トリメチルシリル)メタン、トリス(トリメチルシリル)シラン、ベンジルトリメチルシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルシラン;
ビス(トリメチルシリル)アセチレン、トリメチルシリルアセチレン、1−(トリメチルシリル)−1−プロピン等のシリルアルキン;
1,4−ビストリメチルシリル−1,3−ブタジイン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン等のシリルアルケン;
フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン等のアリールアルキルシラン;
プロパルギルトリメチルシラン等のアルキニルアルキルシラン;
ビニルトリメチルシラン等のアルケニルアルキルシラン;
ヘキサメチルジシラン等のジシラン;
オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン等のシロキサン;
N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド;
ビス(トリメチルシリル)カルボジイミド;
等が挙げられる。
これらの中でも、取り扱い性、汎用性及び得られるガスバリア層が優れたガスバリア性を有するという点からく、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、テトラエトキシシランが特に好ましい。
本発明において、CVD法は特に限定されず、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法、レーザーCVD法等が挙げられる。
これらの中でも、基材にかかる温度を低温くすることができるという点から、プラズマCVD法が好ましい。
屈折率は、公知の屈折率測定装置(エリプソメーター)により測定することができる。
注入するイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希ガスのイオン;フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン;
金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン;
パーフルオロカーボン(PFC)等のフロリナート;テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、1,1,2,2−テトラフルオロエチレン、1,1,1,2,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ヘキサフルオロプロペン等のフッ化炭素化合物のイオン;
1,1−ジフルオロエチレン、1,1,1,2−テトラフルオロエタン、1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロパン等のフッ化炭化水素化合物のイオン;
ジフルオロジクロロメタン、トリフルオロクロロメタン等のフッ化塩化炭化水素化合物のイオン;
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール、1,3−ジフルオロ−2−プロパノール、パーフルオロブタノール等のフッ化アルコールのイオン;
ビニルトリフルオロアセテート、1,1,1−トリフルオロエチルトリフルオロアセテート等のフッ化カルボン酸エステル;アセチルフルオライド、ヘキサフルオロアセトン、1,1,1−トリフルオロアセトン等のフッ化ケトンのイオン;
等が挙げられる。
以上のように、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により形成された、有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られるガスバリア層は、従来の無機化合物層からなるガスバリア層と異なり、層内部に柔軟性を有するため、可とう性に優れ、膜厚が500nm以下と比較的薄い場合であっても、十分なガスバリア性を有する。
他の層としては、例えば、無機薄膜層、導電体層、衝撃吸収層、プライマー層等が挙げられる。
無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。
無機薄膜層の厚みは、通常10nm〜1000nm、好ましくは20〜500nm、より好ましくは20〜100nmの範囲である。
導電体層の厚さはその用途等に応じて適宜選択すればよい。通常10nm〜50μm、好ましくは20nm〜20μmである。
また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。
衝撃吸収層の厚みは、通常1〜100μm、好ましくは5〜50μmである。
プライマー層形成用溶液の塗膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。
プライマー層の厚みは、通常、10〜1000nmである。
本発明のガスバリア積層体が優れたガスバリア性を有していることは、本発明のガスバリア積層体の水蒸気等のガスの透過率が小さいことから確認することができる。例えば、水蒸気透過率は、通常5g/m2/day以下であり、好ましくは1g/m2/day以下であり、より好ましくは0.5g/m2/day以下である。なお、ガスバリア積層体の水蒸気等の透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。
本発明のガスバリア積層体の製造方法は、基材上に、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により、有機ケイ素化合物薄膜を形成する工程1と、形成した有機ケイ素化合物薄膜にイオンを注入する工程2とを有することを特徴とする。
本発明のガスバリア積層体の製造方法においては、基材上に、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により、屈折率が1.46〜1.60である有機ケイ素化合物薄膜を形成する工程と、形成した有機ケイ素化合物薄膜にイオンを注入する工程とを有することが好ましい。
基材上に、CVD法により、有機ケイ素化合物薄膜を形成するには、具体的には、原料として所定の有機ケイ素化合物を用い、公知のCVD成膜装置を使用して行うことができる。CVD法に関しては、上述した通りであり、プラズマCVD法が好ましい。基材上に、プラズマCVD法による有機ケイ素化合物薄膜の形成は、公知のプラズマCVD成膜装置を使用して行うことができる。
反応室1はその内部空間を所定の真空度に保持できる気密性を有している。
反応ガスの流量は、通常1〜100ml/分であり
酸化性ガスの流量は、通常1〜100ml/分であり、
キャリアガスの流量は、通常1〜200ml/分である。
反応室内の圧力、成膜の際の電力、成膜時間等の好ましい値は、前記1)で記載した値と同様である。
また、CVD法による有機ケイ素化合物薄膜の形成は、バッチ式であっても連続式であってもよい。
また、得られる有機ケイ素化合物薄膜の屈折率は、1.46〜1.60であることが好ましい。
次に、得られた有機ケイ素化合物薄膜にイオンを注入する。
注入するイオン種としては、上述したのと同様のものが挙げられる。
有機ケイ素化合物薄膜にイオンを注入する方法としては、バッチ式であっても連続式であってもよい。なかでも、生産効率の観点から、長尺状の、有機ケイ素化合物薄膜が形成された基材(以下、「積層体」ということがある。)を、一定方向に搬送しながら、前記有機ケイ素化合物薄膜の表面部に、イオンを注入する方法が好ましい。
長尺状の積層体は、有機ケイ素化合物薄膜が表面部に形成されていれば、前記他の層を含むものであってもよい。
積層体の厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、通常10〜500μm、好ましくは20〜300μmである。
プラズマイオン注入装置としては、具体的には、(α)有機ケイ素化合物薄膜(イオン注入する層)に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオン注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置(特開2001−26887号公報)、(β)チャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオン注入する層周囲にプラズマが到達後、イオン注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオン注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置(特開2001−156013号公報)、(γ)マイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、(δ)外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。
前記(γ)及び(δ)のプラズマイオン注入装置を用いる方法については、WO2010/021326号パンフレットに記載のものが挙げられる。
本発明の電子デバイス用部材は、本発明のガスバリア積層体からなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性と可とう性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。本発明の電子デバイス用部材は、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のディスプレイ部材;太陽電池等に用いる太陽電池バックシート;等として好適である。
・反応ガス(流量):有機ケイ素化合物(10ml/分)
・導入ガス(流量): 酸化性ガス:酸素(O2)(20ml/分)
・キャリアガス:アルゴン(Ar)(100ml/分)
・電力:400W
・RF電源:型番号「RF56000」、日本電子社製
・高電圧パルス電源:「PV−3−HSHV−0835」、栗田製作所社製
・ガス流量:100sccm
・Duty比:0.5%
・繰り返し周波数:1000Hz
・印加電圧:−25kV
・RF電源:周波数 13.56MHz、印加電力 1000W
・チャンバー内圧:0.2Pa
・パルス幅:5μsec
・処理時間(イオン注入時間):300sec
・搬送速度:0.2m/min
・エリプソメーター:「分光エリプソメトリー2000U」、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製
・測定装置:「PHI Quantera SXM」、アルバックファイ社製
・X線ビーム径:100μm
・電力値:25W
・電圧:15kV
・取り出し角度:45°
・水蒸気透過率測定装置:「PERMATRAN−W3/33」、mocon社製
・測定条件:相対湿度90%、40℃
3mmφステンレスの棒に、得られた積層体を、ポリエチレンテレフタレートフィルム側を内側にして巻きつけ、周方向に10往復させた後、光学顕微鏡(倍率2000倍、キーエンス社製)でクラック発生の有無を観察した。クラックの発生が認められなかった場合を「なし」、クラックの発生が認められた場合を「あり」と評価した。
エリプソメーター(「分光エリプソメトリー2000U」、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製)を用いて膜厚を測定した。
図1に示す真空成膜装置(プラズマCVD成膜装置)内のアノード電極2上の基材ホルダに、基材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム(商品名:PETA−4100、厚さ50μm、東洋紡績社製、以下「PETフィルム」という。)をセットし、装置の反応室の内圧を75Paとした。有機ケイ素化合物としてのヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を50℃で気化し、酸化性ガス(O2)、キャリアガス(Ar)とともに反応室に導入した。
RF電源を用いてプラズマを発生させ、成膜時間を30秒として、基材上にHMDSO薄膜(膜厚211nm)を形成し、積層体1を作製した。形成されたHMDSO薄膜の屈折率は、1.48だった。
実施例1において、有機ケイ素化合物としてヘキサメチルジシラザン(HMDSZ)を用い、装置反応室の内圧を70Paとし、成膜時間を45秒とした以外は、実施例1と同様にしてPETフィルム上にHMDSZ薄膜(膜厚209nm)を形成し、積層体2を作製した。形成されたHMDSZ薄膜の屈折率は、1.50だった。
得られた積層体2を用いて、実施例1と同様にしてガスバリア積層体2を作製した。
実施例1において、有機ケイ素化合物としてテトラメチルジシラザン(TMDS)を用い、装置反応室の内圧を60Paとし、成膜時間を60秒とした以外は、実施例1と同様にしてPETフィルム上にTMDS薄膜(膜厚195nm)を形成し、積層体3を作製した。形成されたTMDS薄膜の屈折率は、1.54だった。
得られた積層体3を用いて、実施例1と同様にしてガスバリア積層体3を作製した。
実施例1において、有機ケイ素化合物としてテトラエトキシシラン(TEOS)を用い、装置反応室の内圧を45Paとし、成膜時間を180秒とした以外は、実施例1と同様にしてPETフィルム上にTEOS薄膜(膜厚214nm)を形成し、積層体4を作製した。形成されたTEOS薄膜の屈折率は、1.49だった。
得られた積層体4を用いて、実施例1と同様にしてガスバリア積層体4を作製した。
図2〜5において、縦軸は、酸素原子、炭素原子、ケイ素原子、窒素原子の存在量の合計を100とした場合の原子の存在比(%)を表し、横軸はスパッタリングの積算時間(スパッタ時間、分)を表す。スパッタリングの速度は一定であるので、スパッタ時間は、深さに対応している。
実施例1において、プラズマイオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして積層体1rを作製した。
実施例2において、プラズマイオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして積層体2rを作製した。
実施例3において、プラズマイオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして積層体3rを作製した。
実施例4において、プラズマイオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして積層体4rを作製した。
PETフィルム上に、スパッタリング法により、SiO2層(200nm)を形成してガスバリア積層体5rとした。SiO2層の屈折率は1.45だった。
・ターゲット:Si
・成膜ガス:Ar,O2
・ガス流量:Ar;100ml/分,O2;60ml/分
・成膜圧力:0.2Pa
・ターゲット電力:2500W
・スパッタ時間:210秒
PETフィルム上に、従来から用いられる方法として、スパッタリング法により、窒化ケイ素(SiN)の層(200nm)を形成してガスバリア積層体6rとした。窒化ケイ素(SiN)の層の屈折率は2.10だった。
スパッタリングは、比較例5において酸素を窒素とした以外は、比較例5と同条件で行った。
本発明の製造方法によれば、優れたガスバリア性を有する本発明のガスバリア積層体を安全に簡便に製造することができる。
本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性と可とう性を有するため、ディスプレイ、太陽電池等の電子デバイスに好適に用いることができる。
Claims (11)
- 基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体。
- 基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるプラズマCVD法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体。
- 基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により形成された、屈折率が1.46〜1.60である有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体。
- 前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン及びケイ素化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガスバリア積層体。
- 前記イオンの注入が、プラズマイオン注入によるものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のガスバリア積層体。
- 前記有機ケイ素化合物薄膜の厚みが、30〜500nmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のガスバリア積層体。
- 40℃、相対湿度90%雰囲気下での水蒸気透過率が1g/m2/day以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のガスバリア積層体。
- 基材上に、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により、有機ケイ素化合物からなる薄膜を形成する工程と、形成した薄膜にイオンを注入する工程とを有することを特徴とする請求項1に記載のガスバリア積層体の製造方法。
- 基材上に、有機ケイ素化合物を原料として用いるCVD法により、有機ケイ素化合物からなる、屈折率が1.46〜1.60である薄膜を形成する工程と、形成した薄膜にイオンを注入する工程とを有することを特徴とする請求項3〜7のいずれかに記載のガスバリア積層体の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材。
- 請求項10に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011075156A JP5781350B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
TW101105036A TWI513845B (zh) | 2011-03-30 | 2012-02-16 | A gas barrier layered product, a manufacturing method thereof, an electronic device member, and an electronic device |
KR1020137025424A KR20140012696A (ko) | 2011-03-30 | 2012-02-27 | 가스 배리어 적층체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 |
CN201280015793.3A CN103534084B (zh) | 2011-03-30 | 2012-02-27 | 阻气层叠体、其制造方法、电子装置用部件及电子装置 |
PCT/JP2012/054706 WO2012132696A1 (ja) | 2011-03-30 | 2012-02-27 | ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
US14/004,960 US9763345B2 (en) | 2011-03-30 | 2012-02-27 | Gas barrier laminated body, method for producing same, member for electronic device, and electronic device |
EP12763091.1A EP2692522A4 (en) | 2011-03-30 | 2012-02-27 | BODY COATED WITH A GASPERFILM, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, ELEMENT FOR AN ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011075156A JP5781350B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012206448A true JP2012206448A (ja) | 2012-10-25 |
JP5781350B2 JP5781350B2 (ja) | 2015-09-24 |
Family
ID=46930452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011075156A Active JP5781350B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9763345B2 (ja) |
EP (1) | EP2692522A4 (ja) |
JP (1) | JP5781350B2 (ja) |
KR (1) | KR20140012696A (ja) |
CN (1) | CN103534084B (ja) |
TW (1) | TWI513845B (ja) |
WO (1) | WO2012132696A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017507909A (ja) * | 2014-01-08 | 2017-03-23 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッドDNF Co. Ltd. | 新規なトリシリルアミン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6363385B2 (ja) * | 2014-04-21 | 2018-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 封止膜の形成方法及び封止膜製造装置 |
JP7421551B2 (ja) * | 2018-10-03 | 2024-01-24 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ケイ素及び窒素を含有する膜を製造するための方法 |
JP7188600B2 (ja) * | 2019-08-08 | 2022-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素有機ケイ素化合物の薄膜の光学定数計測方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2794088B2 (ja) * | 1995-11-20 | 1998-09-03 | 工業技術院長 | プラスチック成形体の劣化防止方法 |
JP4012620B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2007-11-21 | 株式会社日本製鋼所 | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
JP2000338901A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブルディスプレイ基板の製造方法 |
JP3555928B2 (ja) | 1999-07-12 | 2004-08-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 表面改質方法及び表面改質装置 |
JP3517749B2 (ja) | 1999-11-26 | 2004-04-12 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 表面改質装置 |
US20010038894A1 (en) * | 2000-03-14 | 2001-11-08 | Minoru Komada | Gas barrier film |
JP2003340971A (ja) | 2002-05-24 | 2003-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性プラスチックフィルム |
JP2004203935A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリア性フィルム及びその製造方法並びにその製造装置 |
JP4464155B2 (ja) | 2003-02-10 | 2010-05-19 | 大日本印刷株式会社 | バリアフィルム |
US7288311B2 (en) | 2003-02-10 | 2007-10-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Barrier film |
JP2004351832A (ja) | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toppan Printing Co Ltd | 透明ガスバリア積層フィルム |
JP2005096275A (ja) | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Dainippon Printing Co Ltd | バリア性フィルム |
JP2005280718A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 高いガスバリア性を有する合成樹脂製容器 |
EP1586674A1 (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-19 | Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Coatings, and methods and devices for the manufacture thereof |
JP2006123307A (ja) | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性積層体 |
JP5275543B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2013-08-28 | 株式会社吉野工業所 | 高いバリア性を有する合成樹脂製容器 |
JP4775763B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2011-09-21 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリアフィルム |
US7651959B2 (en) * | 2007-12-03 | 2010-01-26 | Asm Japan K.K. | Method for forming silazane-based dielectric film |
CN102159395B (zh) | 2008-08-19 | 2014-09-10 | 琳得科株式会社 | 成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备 |
JP2010106081A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Seiko Epson Corp | 接合方法、接合体および光学素子 |
US8637396B2 (en) * | 2008-12-01 | 2014-01-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric barrier deposition using oxygen containing precursor |
TWI491500B (zh) * | 2009-02-16 | 2015-07-11 | Lintec Corp | A manufacturing method of a laminated body, a structure for an electronic device, and an electronic device |
US8906492B2 (en) * | 2009-03-17 | 2014-12-09 | LÌNTEC Corporation | Formed article, method for producing the formed article, member for electronic device, and electronic device |
JP5379530B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-12-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス |
WO2010134611A1 (ja) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP2010284845A (ja) | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Lintec Corp | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法 |
JP5612277B2 (ja) | 2009-06-16 | 2014-10-22 | リンテック株式会社 | ガスバリア性フィルム及び電子デバイス用部材 |
TWI535561B (zh) * | 2010-09-21 | 2016-06-01 | Lintec Corp | A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device |
-
2011
- 2011-03-30 JP JP2011075156A patent/JP5781350B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-16 TW TW101105036A patent/TWI513845B/zh active
- 2012-02-27 EP EP12763091.1A patent/EP2692522A4/en not_active Withdrawn
- 2012-02-27 US US14/004,960 patent/US9763345B2/en active Active
- 2012-02-27 WO PCT/JP2012/054706 patent/WO2012132696A1/ja active Application Filing
- 2012-02-27 KR KR1020137025424A patent/KR20140012696A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-02-27 CN CN201280015793.3A patent/CN103534084B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017507909A (ja) * | 2014-01-08 | 2017-03-23 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッドDNF Co. Ltd. | 新規なトリシリルアミン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 |
JP2018035180A (ja) * | 2014-01-08 | 2018-03-08 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッドDNF Co. Ltd. | 新規なトリシリルアミン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2692522A1 (en) | 2014-02-05 |
CN103534084B (zh) | 2016-08-17 |
TW201247923A (en) | 2012-12-01 |
CN103534084A (zh) | 2014-01-22 |
JP5781350B2 (ja) | 2015-09-24 |
US20140072798A1 (en) | 2014-03-13 |
TWI513845B (zh) | 2015-12-21 |
WO2012132696A1 (ja) | 2012-10-04 |
KR20140012696A (ko) | 2014-02-03 |
EP2692522A4 (en) | 2015-04-29 |
US9763345B2 (en) | 2017-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5704610B2 (ja) | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス | |
JPWO2011122497A1 (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス | |
KR101464094B1 (ko) | 투명 도전성 필름, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 | |
KR101489552B1 (ko) | 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스 | |
JPWO2012039357A1 (ja) | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
JP5781350B2 (ja) | ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
KR20170012251A (ko) | 가스 배리어성 적층체 및 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 그리고 전자 디바이스 | |
JP5635360B2 (ja) | 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
US9540519B2 (en) | Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device | |
KR101825930B1 (ko) | 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 | |
KR101442371B1 (ko) | 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5781350 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |