JP2012174974A - Development method and development device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、集積回路装置やレチクルなどを製造する場合のリソグラフィ工程に適用するものであり、フォトマスク基板上にレジストが塗布され、電子線描画の処理が施された基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像方法及び、現像装置に関する。 The present invention is applied to a lithography process in manufacturing an integrated circuit device, a reticle, and the like. A resist is applied on a photomask substrate, and a developer is applied to the surface of the substrate subjected to electron beam drawing processing. The present invention relates to a developing method and a developing device for supplying and developing.
一般に、半導体デバイスの微細化及び高集積化に伴って、その製造プロセスでは、レジストパターンの微細化、パターン倒れの抑制が要求されていて、これら品質に大きく影響する工程の一つとしてリソグラフィ工程に於ける現像処理が問題視されている。現在、高精度の現像処理を行う現像装置や現像方法の開発が進められている。 In general, along with the miniaturization and high integration of semiconductor devices, the manufacturing process requires miniaturization of resist patterns and suppression of pattern collapse, and the lithography process is one of the processes that greatly affects the quality. The development process in this area is regarded as a problem. At present, development of a developing device and a developing method for performing high-precision development processing is in progress.
現像処理の工程では、レジスト膜が形成された基板に現像液を供給して現像液パドルを基板表面に形成し、所定時間現像処理を進行させた後、現像液を振り切り、次いで、洗浄液としてリンス液(純水)を供給して基板に残存する現像液を洗い流し、その後、基板を高速で回転して基板上に残存する現像液および洗浄液を振り切り、基板を乾燥させている。 In the development process, a developer is supplied to the substrate on which the resist film is formed to form a developer paddle on the surface of the substrate. After a predetermined time of the development process, the developer is shaken off, and then rinsed as a cleaning liquid. The developer (pure water) is supplied to wash away the developer remaining on the substrate, and then the substrate is rotated at a high speed to shake off the developer and cleaning solution remaining on the substrate, thereby drying the substrate.
ところで、露光技術等の進歩により半導体デバイスの微細化が一層進行しており、微細かつ高アスペクト比のレジストパターンが出現するに至り、上述のような現像工程における最終の振り切り乾燥において、リンス液がパターン間から抜け出る際に、リンス液の表面張力によりレジストパターンが引っ張られて倒れるという、いわゆる「パターン倒れ」が発生することが問題となっている。 By the way, semiconductor devices have been further miniaturized due to advances in exposure technology, etc., leading to the appearance of fine and high aspect ratio resist patterns, and in the final shake-off drying in the development process as described above, When coming out from between the patterns, there is a problem that so-called “pattern collapse” occurs in which the resist pattern is pulled and falls due to the surface tension of the rinsing liquid.
そこで、レジストパターン倒れの防止策として、現像液やリンス液の表面張力の低減がこれまで数多く提案されてきた。
しかしながら、リンス液に界面活性剤を用いる場合には、従来の純水とは異なり、界面活性剤がパーティクルになって基板を汚染する、つまり、析出系欠陥が生じて品質を低下させるという問題が生じている。また、界面活性剤がレジストパターンを溶解したり、CD(Critical Dimension)に変動を与えるという問題も発生している。
Thus, as a measure for preventing the resist pattern from collapsing, many proposals have been made to reduce the surface tension of the developer and the rinse solution.
However, when a surfactant is used in the rinsing liquid, unlike the conventional pure water, the surfactant becomes particles and contaminates the substrate, that is, there is a problem that a precipitation defect occurs and the quality is lowered. Has occurred. In addition, there is a problem that the surfactant dissolves the resist pattern or changes the CD (Critical Dimension).
これらの問題を考慮した最適なプロセスは、特許文献1で提案されている。
上記特許文献1で提案された発明によれば、パーティクル等の析出系欠陥とCD変動の発生を抑えられる、リンス液の界面活性剤の濃度を見出して、パターン倒れを防止するようにしている。この観点を考慮すると、リンス液における界面活性剤の濃度は、水溶液にミセル(界面活性剤を純水に溶解させたときに、一定濃度以上で発生する界面活性剤の分子どうしの集合体)が発生しない濃度の近傍が適している。上記特許文献1の実施例では、析出系欠陥とCD変動の発生が低減される、界面活性剤種を選定した結果、そのリンス液の濃度は、50ppmまたはその前後が好ましいとしている。
An optimum process considering these problems is proposed in
According to the invention proposed in
しかしながら、特許文献1で提案された発明では、レジスト種毎にリンス液に用いる界面活性剤の各素材との相性を検討したり、界面活性剤の濃度の最適化を図る必要が生じるとともに、リンス液の界面活性剤濃度の適正範囲が狭いという問題がある。しかも、特許文献1で提案された発明を実行するには、現像装置の薬液ラインの確保や、濃度管理など、装置を管理する上で負荷が大きい。そこで、界面活性剤の濃度やリンス液の組成に依存しない手段によって表面張力を低減させる方法が必要である。
However, in the invention proposed in
上記の課題を解決するために、本発明では、レジストパターン間に溜まったリンス液を乾燥するために、現像工程のリンス液を乾燥する直前において、吸液性のシートが基板表面のレジストパターン表面に接触して、レジストパターン間に溜まったリンス液を吸液することを特徴する現像方法及び現像装置を提供する。 In order to solve the above-described problems, in the present invention, in order to dry the rinsing liquid accumulated between the resist patterns, the liquid absorbing sheet is formed on the resist pattern surface of the substrate surface immediately before the rinsing liquid in the development process is dried. A developing method and a developing apparatus are provided, which are in contact with each other and absorb the rinse liquid accumulated between resist patterns.
即ち、上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の現像方法は、フォトマスク基板の現像方法であって、水平に配置した前記基板の上方に該基板と平行して配置した吸液性シートを前記基板に接近させて、現像液と置換されて前記基板上のレジストパターンを覆う洗浄液の液面に前記吸液性シートの表面を接触させる接触ステップと、前記洗浄液の液面に表面を接触させた前記吸液性シートにより前記レジストパターンに付着した前記基板上の洗浄液を吸液する吸液ステップと、前記洗浄液を吸液した吸液性シートを前記基板に対し上方に移動させて前記レジストパターンから前記吸液性シートを離間させる離間ステップとを含むことを特徴とする。
また、請求項5に記載の現像装置は、基板保持部により水平に保持したフォトマスク基板を回転させつつ該基板上に供給した洗浄液で前記基板上の現像液を置換する現像装置であって、吸液性シートを保持して前記基板の上方に該基板と平行して配置する保持プレートと、前記保持プレートを前記基板に対して昇降させる昇降手段と、前記昇降手段を制御する制御手段とを備えており、前記制御手段は、前記昇降手段により前記保持プレートを前記基板に対し下降させて、該基板上のレジストパターンを覆う前記洗浄液の液面に前記吸液性シートの表面を接触させる第1の制御と、前記洗浄液の液面に表面を接触させた前記吸液性シートにより前記レジストパターンに付着した前記基板上の洗浄液を吸液した後、前記保持プレートを前記基板に対し上昇させて、前記洗浄液を吸液した前記吸液性シートを前記レジストパターンから離間させる第2の制御とを行うことを特徴とする。
That is, as a means for solving the above-mentioned problem, the developing method according to
The developing device according to
請求項2に記載の現像方法は、前記吸液ステップが、前記洗浄液を前記吸液性シートで吸液させるための負圧を前記吸液性シートに付与する負圧付与ステップを含んでいることを特徴とする。
また、請求項6に記載の現像装置は、前記吸液性シートに負圧を付与する負圧付与手段をさらに備えており、該負圧付与手段により付与された負圧により前記吸液性シートが前記洗浄液を吸液することを特徴とする。
The developing method according to claim 2, wherein the liquid absorbing step includes a negative pressure applying step of applying a negative pressure to the liquid absorbing sheet to absorb the cleaning liquid by the liquid absorbing sheet. It is characterized by.
The developing device according to
請求項3に記載の現像方法は、前記吸液ステップが、前記基板と前記吸液性シートとにより前記レジストパターンを挟持する挟持ステップを含んでいることを特徴とする。
なお、請求項4に記載の現像方法のように、前記吸液ステップが、前記基板と共に前記レジストパターンを挟持する前記吸液性シートを前記基板と一体に回転させる回転ステップを含んでいることを特徴とすることもできる。
また、請求項7に記載の現像装置は、前記制御手段が、前記第1の制御において、前記レジストパターンに前記吸液性シートの表面を接触させて該吸液性シートと前記基板とにより前記レジストパターンを挟持させることを特徴とする。
なお、請求項8に記載の現像装置のように、前記保持プレート及び前記昇降手段を前記基板の回転軸の周りに回転可能に支持する回転支持手段をさらに備えており、前記制御手段が、前記吸液性シートと前記基板とにより前記レジストパターンを挟持させた状態で、該基板及び前記吸液性シートと共に前記保持プレート及び前記昇降手段を回転させることを特徴とすることもできる。
The developing method according to a third aspect is characterized in that the liquid absorption step includes a nipping step of nipping the resist pattern between the substrate and the liquid absorbent sheet.
Note that, as in the developing method according to
In the developing device according to claim 7, in the first control, the control unit causes the surface of the liquid-absorbing sheet to contact the resist pattern, and the liquid-absorbing sheet and the substrate are used to contact the resist pattern. A resist pattern is sandwiched.
The developing device according to
以上、説明したように本発明は、フォトマスク基板の現像工程において、リンス液または純水等の洗浄液を乾燥する直前において、吸液性のシートが基板上のレジストパターン表面又はレジストパターンを覆う洗浄液面に接触して、レジストパターンの形成を阻害することなく、レジストパターン間に溜まったリンス液を吸液することを特徴する、現像装置及び現像方法である。
これにより、現像工程における表面張力によるレジストパターン倒れを防止する効果がある。従来提案されているような界面活性剤の添加や表面塗布膜を形成する手段とは異なり、レジストと各素材同士の相性や、界面活性剤の濃度最適化の必要性が無くなる。
As described above, the present invention is a cleaning liquid in which a liquid-absorbent sheet covers a resist pattern surface or a resist pattern on a substrate immediately before drying a cleaning liquid such as a rinsing liquid or pure water in a photomask substrate development process. A developing device and a developing method are characterized in that a rinsing liquid accumulated between resist patterns is absorbed without contacting a surface and inhibiting formation of the resist pattern.
This has the effect of preventing the resist pattern from falling down due to surface tension in the development process. Unlike the conventionally proposed means of adding a surfactant or forming a surface coating film, the compatibility between the resist and each material and the necessity of optimizing the concentration of the surfactant are eliminated.
以下、図面を参照して、本発明に関する実施の形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明の実施の形態では、一例としてレジストが塗布形成されたフォトマスク基板を用いるものとする。基板上には、レジスト膜が形成されており、このレジスト膜に所定の描画工程及び現像処理工程を施してパターンを形成する。 In the embodiment of the present invention, a photomask substrate coated with a resist is used as an example. A resist film is formed on the substrate, and a pattern is formed by subjecting the resist film to a predetermined drawing process and a development process.
図1は、本発明の一実施形態に係る現像装置の断面図である。本実施形態の現像装置は、レジスト膜が形成された基板1の現像を行う装置である。この現像装置は、基板保持部2、カップ3、及び、現像液供給ノズル5を有している。
基板保持部2上には、基板1が水平に載置、保持される。基板保持部2は、水平を保って基板1を保持したまま、回転及び上下方向に駆動できるようにするために、基板保持部2の回転中心に先端が連結されたシャフト2aと、このシャフト2aに接続された駆動源2bとが、現像装置に設けられている。駆動源2bは、シャフト2aを回転駆動する不図示のモータと、モータと共にシャフト2aを昇降させる不図示のリフト装置とを有している。駆動源2bは、制御ユニットA(請求項中の制御手段に相当)によって制御される。
また、カップ3は、基板保持部2の周囲に設けられており、現像液の供給または現像処理の過程で、現像液が飛散することを防止する。なお、基板保持部2の回転及び昇降時にもカップ3の位置は固定されたままである。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a developing device according to an embodiment of the present invention. The developing device of the present embodiment is a device that develops the
The
Further, the cup 3 is provided around the substrate holding unit 2 and prevents the developer from being scattered in the course of the supply of the developer or the development process. Note that the position of the cup 3 remains fixed even when the substrate holding part 2 is rotated and raised and lowered.
なお、本実施形態の現像装置において行う基板1の現像方法の例としては、パドル現像やスプレー現像などの方法があるが、本発明においては限定する必要はなく、レジストを現像する方法であればよい。
本実施の形態では、パドル形成用の現像液供給ノズル5を用いて、レジスト膜4への現像液の供給及び現像処理を順次行う。
現像液供給ノズル5は、図1の紙面表裏方向に長手方向を延在させた長尺状をなし、その下面に設けた複数の吐出口5a(図1中では一番手前の1つのみ示している)を長手方向に沿って水平に配置している。この現像液供給ノズル5からは、現像液が全体として帯状に吐出される。
現像液供給ノズル5は、基板保持部2の上方に水平かつ平行に配置された2本以上のガイドシャフト5b(図1中では一番手前の1つのみ示している)によって移動可能に支持されている。
ガイドシャフト5bのうち1本は、モータ5cによって回転駆動されるスクリューシャフトで構成されており、このスクリューシャフトとねじ係合する送り部材5dにより、現像液供給ノズル5が吊り下げ支持されている。したがって、現像液供給ノズル5は、モータ5cの回転駆動によりガイドシャフト5bに沿って移動可能に構成されている。
このように構成したことにより、現像液供給ノズル5は、現像液の供給を行う場合に、基板保持部2上に載置した基板1の上方の所定の位置に進出することができ、それ以外の場合に、基板1の上方から退避することができる。
なお、モータ5cの回転駆動による現像液供給ノズル5の移動は、制御ユニットAによって制御される。制御ユニットAは、例えば、ROMに記憶されたプログラムにしたがってCPUがRAMの作業領域を使用し処理を実行するマイクロコンピュータによって構成することができる。
Examples of the developing method of the
In the present embodiment, the supply of the developer to the resist
The
The
One of the
With this configuration, the
The movement of the
また、本実施形態の現像装置は、図2に示す吸液性シート6及び保持プレート7を有している。本実施形態の現像装置では、保持プレート7によって外周部と背面を保持された吸液性シート6が基板保持部2上の基板1の上方に配置される。吸液性シート6の表面は、基板1の表面に対して水平に保持されている。
吸液性シート6は、後述するように多孔質の材料で構成されており、吸液性シート6の背面は、保持プレート7内の不図示の通孔と、保持プレート7の背後に取り付けたチャンバ部材7aの密閉された内部空間とを介して、減圧ライン7b(請求項中の負圧付与手段に相当)と接続される。
これにより、基板1の表面から吸液性シート6に吸液したリンス液を、チャンバ部材7aの内部空間の負圧を利用して、保持プレート7の通孔を介して減圧ライン7b側に吸い上げ、基板1の表面の乾燥を促進させることができるようにしている。
さらに、本実施形態の現像装置は、保持プレート7及びチャンバ部材7aを上下に昇降させる駆動源を有した昇降機構7c(請求項中の昇降手段に相当)を有している。この昇降機構7cによる保持プレート7及びチャンバ部材7aの昇降は、制御ユニットAによって制御される。昇降機構7cとチャンバ部材7aとは、減圧ライン7bよりも保持プレート7側の箇所において、ロータリージョイント7d(請求項中の回転支持手段に相当)を介して連結されている。このロータリージョイント7dは、チャンバ部材7aの内部空間と減圧ライン7bとを連通する通路(図示せず)を内部に有している。
ロータリージョイント7dによりチャンバ部材7aは、昇降機構7cに対して、基板保持部2の回転軸線の周りに回転可能に支持されている。したがって、昇降機構7cによりチャンバ部材7a及び保持プレート7を基板保持部2側に降下させ、基板1の表面に吸液性シート6の表面を当接させた状態で、駆動源2bにより基板保持部2を回転させると、吸液性シート6、保持プレート7及びチャンバ部材7aも、基板1や基板保持部2と一体となって回転することができる。
なお、現像液供給ノズル5やガイドシャフト5b及びモータ5cと、吸液性シート6や保持プレート7、チャンバ部材7a、減圧ライン7b及び昇降機構7cとは、互いに干渉することが無いように配置されている。
Further, the developing device of the present embodiment includes the liquid
The liquid
As a result, the rinsing liquid sucked into the liquid
Further, the developing device of the present embodiment includes an elevating
The
The
吸液性シート6には、多孔質の材料を用いる。多孔質の材料としては、スポンジ状の構造を有する材料を用いることが適当であり、具体的には、ポリビニールアルコール、ポリオレフィン、またはポリエチレン等の有機高分子繊維の薄膜が、一例として挙げられる。これらの材料は、微細な繊維から構成されており、気孔率(単位面積当りの細孔の面積)は70%以上と高い方が好ましく、各細孔間の距離も短い。
A porous material is used for the liquid
吸液性シート6は、極めて親水性が高く、微細な気孔が3次元的に広がっていて、毛細管現象を生じる。さらに吸液後の吸液性シート6は、ウエット状態で柔軟性がある方が好ましい。また、吸液性シート6の厚さは、1mm以上10mm以下が好ましい。
ここでは、一例として、吸液性シート6の厚さは5mmで、平均気孔は約90μmで、気孔率は90%のものを用いる。
The liquid-
Here, as an example, the liquid
以下に、本実施の形態の現像処理方法について説明する。なお、上述した現像装置を用いて以下の現像処理方法を実行する場合、実行する現像処理方法に適した動作を現像装置の各部が行うように、制御ユニットAによって現像装置の各部の駆動が制御される。 Hereinafter, the development processing method of the present embodiment will be described. When executing the following development processing method using the above-described developing device, the control unit A controls the driving of each part of the developing device so that each part of the developing device performs an operation suitable for the developing method to be executed. Is done.
現像液供給ノズル5が基板1の上方に移動し現像液を帯状に吐出しながら、基板1の表面に沿って水平に移動することで、現像液が基板1全面に塗布され、レジスト膜4の上に現像液パドル5eが形成される。
The
現像反応を進行させるための所定時間が経過した後に、現像液供給ノズル5と同様の構成により基板1の上方に進出させた不図示の純水供給ノズルから、リンス液としての純水を吐出しながら、基板1を所定の回転数(例えば、500〜2000rpm)で回転させる。純水以外に、界面活性剤を用いたリンス液や希釈現像液を用いてもよい。
After a predetermined time for advancing the development reaction, pure water as a rinsing liquid is discharged from a pure water supply nozzle (not shown) that has been advanced above the
所定時間、純水を供給して、レジスト膜の表面を純水に置換した後に、現像液供給ノズル5と同様に純水供給ノズルをカップ3外に待避させつつ、基板1を回転停止状態に維持するか、置換した純水(リンス液)の振り切りを完全にしない程度に低速回転(例えば50rpm)させて、基板1の表面が乾燥しない状態を維持しておく。
After supplying pure water for a predetermined time and replacing the surface of the resist film with pure water, the
次に、基板1の回転を止めた状態で、吸液性シート6の水平度(基板1に対する平行度)を保ちながら、基板1の表面に向かって吸液性シート6を下降させる。図3は、吸液性シート6が、レジスト膜4の現像により描画された基板1のレジストパターン表面8に接近した状態である。
現像液と置換された洗浄液であるリンス液10の液面は、レジストパターン表面8と同じ程度の高さ位置にあれば好ましいが、リンス液10の液面がレジストパターン表面8よりも高くなってもかまわない。吸液性シート6がリンス液10の液面に接触した段階で、吸液作用が始まる。この時、レジストパターン9を上から崩さないように吸液性シート6をリンス液10の液面の高さからわずかに下降させ、レジストパターン表面8に接触した時点でそのままの高さを保持させる。
即ち、水平に配置した基板1の上方に基板1と平行して配置した吸液性シート6を基板1に接近させて、現像液と置換されて基板1上のレジストパターン9を覆うリンス液10(洗浄液)の液面に吸液性シート6の表面を接触させる接触ステップを実行する。
Next, with the rotation of the
The liquid level of the rinse liquid 10 that is a cleaning liquid replaced with the developer is preferably as high as the resist
That is, a rinsing
吸液性シート6は、描画部のレジストパターン表面8のリンス液10と、レジストパターン9間の液を十分吸液できるよう、十分な気孔率と体積を有している。例えば、吸液性シート6の気孔率は90%で、厚さは5mmとする。また吸液性シート6の大きさは、基板1と同程度の大きさか、現像で形成されるレジストパターン9のエリアの全体を十分覆う大きさであれば良い。
また、乾燥回転をする直前に、基板1を300rpm以上1000rpm未満で10秒間回転させて液を振り切り、吸液性シート6を基板1に接触させても良い。接触させる時間はリンス液10を吸液する作用が十分働くことが好ましく、例えば5秒以上とする。
The liquid
Further, immediately before the drying rotation, the
レジストパターン倒れの発生に対するリンス液10の表面張力による影響を説明するため、図4に概略的な断面図を示す。基板1上には、現像で形成された高アスペクト比のレジストパターン9が形成されている。すなわち、底面の幅に比べて大きな高さを有する2つのレジストパターン9が基板1上に立っている。これらのレジストパターン9は、それらの上部がリンス液10の液面11から露出している。
このような状態において、レジストパターン9が液体(リンス液10)に関して良好な濡れ性を有しているとき、近接した2つのレジストパターン間の液体(リンス液10)の液面11の高さは、表面張力に基づく毛管現象によって上昇する。その上昇した液面11の高さは重力によって引き下げられようとするが、そのときに液面11の表面張力がレジストパターン9の側面を接触角θの方向に引っ張るように作用する。したがって、2つのレジストパターン9が互いに近づけられるような力Fが作用する。
この場合に、レジストパターン9の濡れ性が高ければレジストパターン9の表面に対する液体(リンス液10)の接触角θが小さくなり、レジストパターン間にある液面11とそれらの外側にある液面12との高さの差hは、液体の表面張力が大きいほど大きくなる。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the influence of the surface tension of the rinsing
In such a state, when the resist
In this case, if the wettability of the resist
吸液性シート6による作用は、液面レベル差hをできる限り無くすように、レジストパターン9,9間の液面11を下げるような効果がある。
The action of the liquid
図5は、吸液性シート6がレジストパターン表面8に接触して、吸液している状態の一例を示す。2本のレジストパターン9,9の外側に接する液面12との高さと、レジストパターン9,9間に溜まった液面11との高さとの差hができるだけ小さくなるように、吸液性シート6によるリンス液10の吸液がパターン間の液面11を下げる働きをするだけで、十分にパターン倒れを防止する効果があり、吸液性シート6によってパターン間のリンス液10を完全に吸液できなくともよい。
この状態が、リンス液10(洗浄液)の液面11に表面を接触させた吸液性シート6によりレジストパターン9に付着したリンス液10(洗浄液)を吸液する吸液ステップを実行している状態である。
FIG. 5 shows an example of a state in which the liquid
In this state, the liquid absorbing step of absorbing the rinse liquid 10 (cleaning liquid) adhering to the resist
さらに、吸液性シート6は、基板1が支える底面とは反対側の、レジストパターン表面8を上から支える作用があり、基板1と協働してレジストパターン9を上下から挟み込んで保持することで、レジストパターン倒れを防止する。
この状態が、基板1と吸液性シート6とによりレジストパターン9を挟持する挟持ステップを実行している状態である。
Further, the liquid-
This state is a state in which a sandwiching step of sandwiching the resist
次に、液の乾燥を促進するため、基板1に吸液性シート6が接触した状態を維持しながら、駆動源2bの不図示のモータによって、基板1と吸液性シート6を一体で回転させる。例えば、基板1の回転乾燥として、500〜3000rpm、例えば1000rpmとし、30秒間の回転乾燥処理を行う。
この状態が、リンス液10(洗浄液)の液面11に表面を接触させた吸液性シート6を基板1と一体に回転させる回転ステップを実行している状態である。
この時、減圧ライン7bに連通する吸液性シート6の背面側を減圧させることで、吸液性シート6が吸液したリンス液10を保持プレート7乃至チャンバ部材7aの内部空間側に拡散させる。これにより、吸液性シート6の吸液の作用を促進させるとともに、吸液したリンス液10を基板1に垂らさないように、シート内に液を保水する効果がある。なお、吸液性シート6が基板1の表面に接触した段階で、吸液性シート6の背面側の減圧を開始してもよい。
この状態が、リンス液10(洗浄液)を吸液性シート6で吸液させるための負圧を吸液性シート6に付与する負圧付与ステップを実行している状態である。
Next, in order to accelerate the drying of the liquid, the
This state is a state in which a rotating step is performed in which the liquid
At this time, the back surface side of the liquid
This state is a state in which a negative pressure application step of applying a negative pressure to the liquid
次に、リンス液10(洗浄液)を吸液した吸液性シート6を基板1に対し上方に移動させてレジストパターン9から吸液性シート6を離間させる離間ステップを実行する。
図6は、吸液性シート6がリンス液10を十分に吸液した状態のレジストパターン断面図の一例を示す。
基板1の界面には、わずかにリンス液10が残っているが、これらを完全に乾燥する工程を次に示す。吸液性シート6が保持プレート7の上昇によって、ゆっくりと基板1から上方向に離れて、基板1と吸液性シート6の距離が5mm以上離れた時に、基板1が、500〜3000rpmの高速回転を始める。ここでの最終乾燥としては、例えば1000rpmで3分間基板を回転させる。
以上によって、吸液性シート6を用いた現像処理並びにリンス液10の乾燥工程を完了させる。
Next, a separation step of separating the liquid
FIG. 6 shows an example of a resist pattern cross-sectional view in a state where the liquid
A slight amount of the rinsing
As described above, the development process using the liquid
なお、吸液性シート6は、その保持プレート7に対して交換可能な状態で取り付けられる。1回の現像処理後に、未処理の吸液性シート6に交換するのが好ましく、これにより吸液性シート6に残った不溶成分による汚染を避ける。
The liquid
1・・・基板
2・・・基板保持部
4・・・レジスト膜
6・・・吸液性シート
7・・・保持プレート
7b・・・減圧ライン(負圧付与手段)
7c・・・昇降機構(昇降手段)
7d・・・ロータリージョイント(回転支持手段)
9・・・レジストパターン
10・・・リンス液
11・・・パターン間に溜まった液面
12・・・パターン外側に接する液面
A・・・制御ユニット(制御手段)
DESCRIPTION OF
7c ... Elevating mechanism (elevating means)
7d Rotary joint (rotation support means)
DESCRIPTION OF
Claims (8)
水平に配置した前記基板の上方に該基板と平行して配置した吸液性シートを前記基板に接近させて、現像液と置換されて前記基板上のレジストパターンを覆う洗浄液の液面に前記吸液性シートの表面を接触させる接触ステップと、
前記洗浄液の液面に表面を接触させた前記吸液性シートにより前記レジストパターンに付着した前記基板上の洗浄液を吸液する吸液ステップと、
前記洗浄液を吸液した吸液性シートを前記基板に対し上方に移動させて前記レジストパターンから前記吸液性シートを離間させる離間ステップと、
を含むことを特徴とする現像方法。 A method for developing a photomask substrate, comprising:
A liquid-absorbing sheet arranged in parallel with the substrate above the horizontally arranged substrate is brought close to the substrate, and the liquid-absorbing sheet is replaced with a developing solution to cover the resist pattern on the substrate. A contact step for contacting the surface of the liquid sheet;
A liquid-absorbing step of absorbing the cleaning liquid on the substrate attached to the resist pattern by the liquid-absorbent sheet whose surface is in contact with the liquid surface of the cleaning liquid;
A separation step of moving the liquid-absorbent sheet that has absorbed the cleaning liquid upward relative to the substrate to separate the liquid-absorbent sheet from the resist pattern;
A developing method comprising the steps of:
吸液性シートを保持して前記基板の上方に該基板と平行して配置する保持プレートと、
前記保持プレートを前記基板に対して昇降させる昇降手段と、
前記昇降手段を制御する制御手段とを備えており、
前記制御手段は、
前記昇降手段により前記保持プレートを前記基板に対し下降させて、該基板上のレジストパターンを覆う前記洗浄液の液面に前記吸液性シートの表面を接触させる第1の制御と、
前記洗浄液の液面に表面を接触させた前記吸液性シートにより前記レジストパターンに付着した前記基板上の洗浄液を吸液した後、前記保持プレートを前記基板に対し上昇させて、前記洗浄液を吸液した前記吸液性シートを前記レジストパターンから離間させる第2の制御と、
を行う、
ことを特徴とする現像装置。 A developing device that replaces the developer on the substrate with a cleaning solution supplied onto the substrate while rotating the photomask substrate held horizontally by the substrate holding unit,
A holding plate that holds the liquid-absorbent sheet and is arranged above the substrate in parallel with the substrate;
Elevating means for elevating the holding plate relative to the substrate;
Control means for controlling the lifting means,
The control means includes
A first control for lowering the holding plate with respect to the substrate by the elevating means to bring the surface of the absorbent sheet into contact with the surface of the cleaning liquid covering the resist pattern on the substrate;
After the cleaning liquid on the substrate adhering to the resist pattern is absorbed by the liquid-absorbent sheet whose surface is in contact with the surface of the cleaning liquid, the holding plate is raised relative to the substrate to absorb the cleaning liquid. A second control for separating the liquid-absorbing sheet from the resist pattern;
I do,
A developing device.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103000490A (en) * | 2012-11-26 | 2013-03-27 | 北京七星华创电子股份有限公司 | Wafer drying method and device |
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-
2011
- 2011-02-23 JP JP2011037151A patent/JP2012174974A/en not_active Withdrawn
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