JP2012155894A - Vapor-deposition device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor-deposition device capable of performing uniform co-deposition on a substrate being conveyed.SOLUTION: A vapor-deposition device 10 forms a thin film on a substrate K by vapor-deposition in a vacuum container 1. In the vacuum container 1, the vapor-deposition device 10 comprises: a conveyance means for conveying the substrate K; linear deposition sources 3A and 3B which are aligned along a conveyance direction of the substrate K so as to extend in a direction perpendicular to the conveyance direction, and which blow a deposition material as vapor onto the substrate K; and a plurality of point deposition source parts 4A and 4B which are aligned along the conveyance direction, and which blow, as vapor, a deposition material with a concentration lower than that of the deposition material blown from the linear deposition sources 3A and 3B onto the substrate K. Co-deposition is performed by using the vapor blown from the linear deposition sources 3A and 3B as well as the plurality of point deposition source parts 4A and 4B.

Description

本発明は、蒸着装置に関する。 The present invention relates to a deposition apparatus.

各種情報産業機器の表示ディスプレイや発光素子等においては、薄型化が図られるとともに視認性や耐衝撃性等に優れることから、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略す)の利用が進んでいる。 In the display displays or light emitting elements of various information industrial equipment, since it is excellent in visibility and impact resistance with thinner is achieved, the organic electroluminescence device (hereinafter, referred to as organic EL element) advances the use of there. 有機EL素子は、基板上に一対の電極に挟持された有機層を備えた構成を有している。 The organic EL element has a structure having an organic layer sandwiched by the pair of electrodes on the substrate. 有機層は、機能の異なる複数の層が積層されたものであり、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層等を備えた構成である。 The organic layer is a plurality of layers having different functions are laminated, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, light emitting layer, electron transporting layer, and a structure having an electron injection layer.

このような有機EL素子の有機層は、例えば、蒸着法により成膜される。 The organic layer of the organic EL element, for example, is deposited by vapor deposition. 一般に、蒸着による成膜は、成膜材料である有機材料を坩堝等の容器内に収容し、真空状態で容器ごとに加熱して有機材料を蒸発させることにより行われる。 In general, deposition by evaporation, the organic material is a film-forming material accommodated in a container such as a crucible and is carried out by evaporating the organic material by heating each receptacle in a vacuum state.

ここで、有機層の発光層は、発光剤となる有機化合物(ホスト)中に、発色剤となる有機化合物(ドーパント)が分散された構成である。 Here, the light emitting layer of the organic layer in the organic compound to be a luminescent agent (host), the organic compound form a coloring agent (dopant) is configurations dispersed. しかしながら、ドーパントの発光層中の含有量は微量であり、ドーパントを発光層中に均一に分散させることは困難である。 However, the content of the light-emitting layer of the dopant is very small, it is difficult to uniformly disperse the dopant in the light emitting layer.
そこで、例えば、特許文献1には、多量のホストを気化させるリング状の蒸着源の中央に、微量なドーパントを気化させるポイントソースを設置し、基板にドーパントを均一に蒸着させる装置が開示されている。 Therefore, for example, Patent Document 1, in the center of the ring-shaped evaporation source for vaporizing a large amount of host, set up a point source to vaporize the small amount of dopant, the apparatus for uniformly depositing a dopant is disclosed in the substrate there.
また、例えば、特許文献2には、ホスト材料の蒸着源及びゲスト材料(ドーパント)の蒸着源と、基板との間に遮蔽版を設け、基板及び遮蔽版を回転させる装置が開示されている。 Further, for example, Patent Document 2, the deposition source of the vapor deposition source and the guest material of the host material (dopant), a shielding plate provided between the substrate, apparatus for rotating is disclosed a substrate and shielding plate.

特開2000−313952号公報 JP 2000-313952 JP 特開2003−193217号公報 JP 2003-193217 JP

しかしながら、上記特許文献1、2の装置は、何れも固定された基板に用いることを想定したものである。 However, devices of Patent Documents 1 and 2, in which were all assumed to be used in a fixed substrate. 従って、例えば、ロール・ツー・ロール装置などで搬送される基板に適用した場合、均一に蒸着することが難しいという問題があった。 Thus, for example, there is applied to a substrate carried by a roll-to-roll apparatus, a problem that it is difficult to uniformly deposition.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, its object is to provide a deposition apparatus capable of the substrate to be transported, and uniformly codeposited.

上記課題を解決するため、本発明は、 To solve the above problems, the present invention is,
真空容器内で基板上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置において、 In the vapor deposition apparatus for depositing a thin film on a substrate in a vacuum chamber,
前記真空容器内に、 In the vacuum chamber,
前記基板を搬送する搬送手段と、 Conveying means for conveying the substrate,
前記基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、 A plurality of linear evaporation source for ejecting a film-forming material as a vapor to the disposed side by side along the conveying direction, said substrate so as to extend in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate,
前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して前記複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、 Arranged side by side along the conveying direction, a plurality of point deposition source unit for ejecting low density deposition material as a vapor from the deposition material to be ejected from said plurality of linear evaporation source to the substrate ,
を備え、 Equipped with a,
前記複数の線状蒸着源と、前記複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。 Wherein a plurality of linear deposition source, wherein the co-deposition is performed by jetting steam from a plurality of point deposition source unit.

本発明によれば、基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、搬送方向に沿って並んで配され、基板に対して複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、を備え、複数の線状蒸着源と、複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われる。 According to the present invention, arranged side by side along the conveying direction so as to extend in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate, and a plurality of linear evaporation source for ejecting a film-forming material as a vapor to the substrate, arranged side by side along the conveying direction, and a plurality of point deposition source unit for ejecting low density deposition material as a vapor from the deposition material ejected from the linear evaporation source to the substrate , co-deposition is carried out a plurality of linear deposition sources, a plurality of point deposition source unit, the steam ejected from.
このため、複数の点状蒸着源部によって、微量の成膜材料の制御を行えるので、搬送される基材に対して均一に共蒸着を行うことができる。 Therefore, the plurality of point deposition source unit, so enabling the control of the film forming material traces, can be uniformly codeposited to the substrate to be conveyed.

有機ELパネルの一例を示す概略斜視図である。 It is a schematic perspective view showing an example of an organic EL panel. 図1のII−II線に沿った概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view taken along line II-II of Figure 1. 第1実施形態の蒸着装置における基板と2種類の蒸着源とを示す平面図である。 Is a plan view showing the substrate and the two evaporation sources in the deposition apparatus of the first embodiment. 図4の蒸着装置の基板と2種類の蒸着源とを示す斜視図である。 Is a perspective view showing the substrate and the two evaporation sources of the vapor deposition apparatus of FIG. 点状蒸着源部の往復移動による作用を説明するための図である。 It is a diagram for explaining the action of the reciprocating movement of the point evaporation source unit. 点状蒸着源部の往復移動における軌跡を示す図である。 It is a diagram illustrating a trajectory in a reciprocating movement of the point-like evaporation source unit. 点状蒸着源部の移動範囲の変形例を示すための図である。 It is a diagram for illustrating a modification of the moving range of the point evaporation source unit. 線状蒸着源、点状蒸着源部の設置方法の変形例を示すための図である。 Linear evaporation source is a diagram for illustrating a modified example of the installation method of point deposition source unit. 線状蒸着源に遮蔽板を備えた状態を示すための図である。 It is a diagram for illustrating a state having a shielding plate on a linear deposition source. 第2実施形態の蒸着装置における基板と2種類の蒸着源とを示す平面図である。 Is a plan view showing the substrate and the two evaporation sources in the deposition apparatus of the second embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 It will be described below with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention. ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。 However, the scope of the invention is not limited to the illustrated examples.

[第1実施形態] First Embodiment

(1.有機EL素子) (1. organic EL element)
先ず、有機EL素子について説明する。 First, a description will be given organic EL element.

有機EL素子100は、図1、2に示すように、支持基板101上に、陽極102、有機層103、陰極104が順次設けられた構成である。 The organic EL element 100, as shown in FIGS. 1 and 2, the supporting substrate 101, an anode 102, an organic layer 103, a structure in which the cathode 104 is sequentially provided. 有機EL素子100の非発光面となる上面は、ガラスカバー105で覆われ、このように有機EL素子100をガラスカバー105で覆った状態を有機ELパネルという。 Non-light-emitting surface to become the upper surface of the organic EL element 100 is covered with a glass cover 105, thus the state of the organic EL element 100 is covered with a glass cover 105 that organic EL panel. なお、ガラスカバー105内には窒素ガス106が充填され、捕水剤107が設けられている。 Incidentally, the nitrogen gas 106 in the glass cover 105 is filled, Tomizuzai 107 is provided.

陽極102と陰極104との間の有機層103は、少なくとも発光層を含むものであれば構成可能であるが、有機層103の代表的な層構成としては、例えば、以下の(i)〜(v)の構成が挙げられる。 The organic layer 103 between the anode 102 and the cathode 104 is a configurable as long as it contains at least a light emitting layer, typical layer structure of organic layers 103, for example, the following (i) ~ ( v) the configuration of, and the like.
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極 (ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極 (iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極 (iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極 (v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極 (I) anode / light emitting layer / electron transporting layer / cathode (ii) anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode (iii) anode / hole transport layer / luminescent layer / hole blocking layer / electron transporting layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / luminescent layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode

(1−1.発光層) (1-1. Emitting layer)
本実施形態における発光層は、後述の蒸着装置10を用いた真空蒸着法により製膜して形成されるものである。 The light-emitting layer of the present embodiment is formed by a film by a vacuum deposition method using a deposition apparatus 10 to be described later.
発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。 The light-emitting layer, the electrode or the electron transporting layer is a layer in which electrons and holes, injected from the hole transporting layer, are recombined to emit light. 発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。 Portion which emits light may be the interface between even within the layer of the light-emitting layer and the light emitting layer adjacent layer.
発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、40nm〜200nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは50nm以上、150nm以下の範囲に調整される。 The thickness of the light-emitting layer is not particularly limited, homogeneity and of the film to be formed, to prevent the application of the unwanted high voltage during light emission, and, from the viewpoint of improving stability of the emission color with respect to the drive current , preferably adjusted to a range of 40Nm~200nm, more preferably 50nm or more is adjusted to the range 150 nm.
また、発光層は、いずれも燐光発光性の青色発光ドーパント、緑色発光ドーパント及び赤色発光ドーパントと、ホスト化合物と、を含有することが好ましい。 Further, the light-emitting layer are all phosphorescent blue light-emitting dopant, a green emitting dopant and the red light emitting dopant preferably contains a host compound.
以下、各発光ドーパント及びホスト化合物について説明する。 The following describes the light-emitting dopant and a host compound.

(1−1−1.青色発光ドーパント) (1-1-1. Blue light-emitting dopant)
青色発光ドーパントは、下記一般式(A)〜(C)から選ばれる少なくとも1つの部分構造を有することが好ましい。 Blue light-emitting dopant preferably has at least one partial structure selected from the following formulas (A) ~ (C).
前記一般式(A)において、Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Rb、Rcは各々水素原子または置換基を表し、A1は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、MはIrまたはPtを表す。 In formula (A), Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group or a heterocyclic group, Rb, Rc each represent a hydrogen atom or a substituent, A1 is an aromatic ring or aromatic heterocyclic ring represents a residue necessary to form a, M represents Ir or Pt.
また、前記一般式(B)において、Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Rb、Rc、Rb 、Rc は各々水素原子または置換基を表し、A1は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、MはIrまたはPtを表す。 Further, in the general formula (B), Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group or a heterocyclic group, Rb, Rc, Rb 1, Rc 1 each represent a hydrogen atom or a substituent, A1 is represents a residue necessary to form an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring, M represents Ir or Pt.
また、前記一般式(C)において、Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Rb、Rcは各々水素原子または置換基を表し、A1は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、MはIrまたはPtを表す。 Further, in the general formula (C), Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group or a heterocyclic group, Rb, Rc each represent a hydrogen atom or a substituent, A1 is an aromatic ring or aromatic represents a residue necessary to form a heterocyclic ring, M represents Ir or Pt.

一般式(A)〜(C)の構造は部分構造であり、それ自身が完成構造の発光ドーパントとなるには、中心金属の価数に対応した配位子が必要である。 Structure of the general formula (A) ~ (C) is a partial structure is itself a light emitting dopant of the finished structure, it is necessary ligand corresponding to the valence of the central metal.
一般式(A)〜(C)において、MはIr、Ptを表し、特にIrが好ましい。 In formula (A) ~ (C), M is Ir, represents Pt, especially Ir being preferred. また一般式(A)〜(C)の部分構造3個で完成構造となるトリス体が好ましい。 The tris body comprising a general formula (A) ~ partial structure 3 in the finished structure (C) is preferable.

以下、本実施形態に係る発光ドーパントの前記一般式(A)〜(C)の部分構造を持つ化合物を例示するが、これらに限定されるものではない。 Hereinafter is exemplified a compound having a partial structure of the general formula emitting dopant according to the present embodiment (A) ~ (C), but is not limited thereto.
本実施形態において、青色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、以下の化合物(1−1)〜(1−10)が挙げられる。 In this embodiment, the compounds preferably used as a blue light emitting dopant include the following compounds (1-1) to (1-10).

(1−1−2.緑色発光ドーパント) (1-1-2. Green light-emitting dopant)
本実施形態において、緑色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。 In this embodiment, the compounds preferably used as a green light-emitting dopant, include the following compounds.

(1−1−3.赤色発光ドーパント) (1-1-3. Red light-emitting dopant)
本実施形態において、赤色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。 In this embodiment, the compounds preferably used as the red light-emitting dopant, include the following compounds.

(1−1−4.ホスト化合物) (1-1-4. Host compound)
ホスト化合物とは、室温(25℃)における燐光発光の燐光量子収率が、0.1未満の化合物であることが好ましく、更に好ましくは燐光量子収率が0.01未満の化合物である。 The host compound, phosphorescence quantum yield of the phosphorescent at room temperature (25 ° C.), preferably a compound of less than 0.1, more preferably compounds of phosphorescence quantum yield of less than 0.01. また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20質量%以上であることが好ましい。 Further, among the compounds contained in the light-emitting layer, it is preferable mass ratio in that the layer is not higher than 20 mass%.
ホスト化合物としては、ホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。 The host compound may be used also good, or in combination with plural kinds by using the host compound alone.
本実施形態に用いられる発光ホスト化合物としては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。)等が挙げられる。 The light-emitting host compound used in the present embodiment is not particularly limited in structure, typically carbazole derivatives, triarylamine derivatives, aromatic borane derivatives, nitrogen-containing heterocyclic compounds, thiophene derivatives, furan derivatives , those having a basic skeleton such oligoarylene compound, or, in carboline derivatives and diazacarbazole derivative (here, the diazacarbazole derivative, at least one carbon atom of a hydrocarbon ring constituting a carboline ring of carboline derivatives It represents what has been replaced by a nitrogen atom.), and the like.

本実施形態に係る発光層に用いられる発光ホスト化合物としては、下記一般式(a)で表される化合物が好ましい。 The light-emitting host compound used in the light-emitting layer according to the present embodiment, a compound represented by the following general formula (a) is preferred.
一般式(a)において、Xは、NR′、O、S、CR′R″またはSiR′R″を表し、R′、R″は各々水素原子または置換基を表す。Arは芳香環を表す。nは0から8の整数を表す。 In formula (a), X, NR ', O, S, represents CR'R "or SiR'R", R', R ".Ar each represent a hydrogen atom or a substituent represents an aromatic ring .n represents an integer from 0 to 8.
Xとして好ましく用いられるのは、NR′またはOであり、R′としては芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が特に好ましい。 As preferably used X, 'it is or O, R' NR Examples of the aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group is particularly preferred.
一般式(a)において、Arで表される芳香環としては、芳香族炭化水素環または芳香族複素環が挙げられる。 In Formula (a), the aromatic ring represented by Ar, an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring. また、該芳香環は単環でもよく、縮合環でもよく、更に未置換でも、後述するような置換基を有していてもよい。 Moreover, aromatic ring may be monocyclic, may be a condensed ring, in addition unsubstituted or may have a substituent such as described below.
Arで表される芳香環として好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ベンゼン環であり、特に好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ベンゼン環である。 The preferably used as aromatic ring represented by Ar, a carbazole ring, a carboline ring, a dibenzofuran ring, a benzene ring, particularly preferably used are, carbazole ring, a carboline ring, a benzene ring. 上記の中でも、置換基を有するベンゼン環が好ましく、特に好ましくは、カルバゾリル基を有するベンゼン環が好ましい。 Among these, a benzene ring are preferred having a substituent, particularly preferably a benzene ring having a carbazolyl group are preferable.
ここで、一般式(a)において、Arで表される芳香環が有してもよい置換基は、R′、R″で、各々表される置換基と同義である。 Here, in Formula (a), substituents which may have an aromatic ring represented by the Ar, R ', with R ", is synonymous with the substituent represented by each.
また、一般式(a)において、nは0〜8の整数を表すが、0〜2であることが好ましく、特にXがO、Sである場合には1または2であることが好ましい。 In the general formula (a), n represents an integer of 0 to 8, preferably 0-2, in particular X is O, it is preferred if it is S 1 or 2.
また、本発明に用いるホスト化合物は、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。 The host compound used in the present invention, even at low molecular compound may be a polymer compound having a repeating unit may be a low molecular compound (an evaporation polymerizing emission host) having a polymerizable group such as a vinyl group and an epoxy group .

ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。 The host compound having a positive hole transporting ability and an electron transporting ability, and prevents the longer wavelength of emission, having a high Tg (glass transition temperature).
本実施形態においては、複数の発光層を有する場合には、ホスト化合物は発光層ごとに異なっていてもよいが、同一の化合物であることが優れた駆動寿命特性が得られることから好ましい。 In the present embodiment, when a plurality of light-emitting layer, the host compound may be different for each light-emitting layer, but preferable because excellent operation life characteristics to be the same compound.
また、前記ホスト化合物は、その最低励起3重項エネルギー(T1)が、2.7eVより大きいことがより高い発光効率を得られることから好ましい。 Further, the host compound, the lowest excited triplet energy (T1) is preferable because it can obtain a higher luminous efficiency greater than 2.7 eV. 本発明でいう最低励起3重項エネルギーとは、ホスト化合物を溶媒に溶解し、液体窒素温度において観測した燐光発光スペクトルの最低振動バンド間遷移に対応する発光バンドのピークエネルギーを言う。 The lowest excited triplet energy in the present invention, a host compound is dissolved in a solvent refers to the peak energy of emission band corresponding to between lowest vibrational band transition of the phosphorescent spectra observed at liquid nitrogen temperatures.
本実施形態においては、ガラス転移点が90℃以上の化合物が好ましく、更には130℃以上の化合物が優れた駆動寿命特性を得られることから好ましい。 In the present embodiment, the glass transition point is preferably compounds of the above 90 ° C., more preferably from the obtained excellent driving lifetime characteristics the compounds of above 130 ° C..
ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。 Here, the glass transition point and the (Tg), DSC: using (Differential Scanning Colorimetry differential scanning calorimetry) is a value determined by a method based on JIS-K-7121.
本実施形態の有機EL素子においては、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。 In the organic EL device of the present embodiment, the host material to bear the transport of carrier material having a carrier transport ability is preferable. キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は、一般的に電界強度に依存性が見られる。 Carrier mobility is used as the physical property representing the carrier transport ability, but the carrier mobility of organic material, the dependency generally field strength is observed. 電界強度依存性の高い材料は、正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすい為、中間層材料、ホスト材料は、移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。 Electric field strength dependence of high material, for easily destroy the hole and electron injecting and transporting balance, the interlayer material, host material, it is preferable to use a mobility electric field strength less dependent on material.
本実施形態において、ホスト化合物として好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。 In this embodiment, the compounds preferably used as a host compound include the following compounds.

(1−2.注入層:電子注入層、正孔注入層) (. 1-2 injecting layer: electron injecting layer, hole injecting layer)
注入層は必要に応じて設けることができ、陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。 Injection layer may be provided as required, an anode and between the light-emitting layer or a hole transport layer, and cathode and may be present between the light-emitting layer or an electron transport layer.
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設ける層のことで、例えば、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)にその詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。 An injection layer, the drive voltage is lowered and the layer provided between an electrode and an organic layer to improve an emission luminance that, for example, "Organic EL element and its Industrialization Front (Nov. 30, 1998 N. Tea Esusha there issuance) and 2 Chapter 2 is the detail in the "electrode material" (page 123 to 166) of "a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer) .
陽極バッファー層(正孔注入層)としては、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 The anode buffer layer (hole injection layer), specific examples include a phthalocyanine buffer layer represented by a copper phthalocyanine, an oxide buffer layer represented by a vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, polyaniline (emeraldine) and polythiophene conductive polymer a polymer buffer layer employing the like.
陰極バッファー層(電子注入層)としては、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。 Cathode buffer layer as the (electron injection layer), a metal buffer layer specifically represented by a strontium or aluminum, an alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride, alkaline earth typified by magnesium fluoride metal compound buffer layer, an oxide buffer layer represented by aluminum oxide.
上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、使用する素材にもよるが、その膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。 It is desirable the buffer layer (injecting layer) is a very thin layer, although depending on the material used, its thickness in the range of 0.1nm~5μm is preferred.

(1−3.阻止層:正孔阻止層、電子阻止層) (. 1-3 blocking layer: a hole blocking layer, an electron blocking layer)
阻止層は、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。 Blocking layer and is provided if necessary in addition to the basic structure layer of an organic compound thin film. 「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。 There is a hole blocking listed in page 237, etc. "Organic EL element and its Industrialization Front (Nov. 30, 1998 issued from NTS Inc.)" (hole blocking) layer.
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 Has the function of the electron transporting layer in a broad sense, a hole blocking layer, the ability of transporting holes while having a function of transporting electrons but a very small hole blocking material while transporting electrons holes it is possible to improve the probability of recombination of electrons and holes by blocking. また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。 Further, it is possible to optionally the structure of an electron transport layer described later, is used as the hole blocking layer.
本実施形態の有機EL素子に設ける正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。 Hole blocking layer provided in an organic EL device of the present embodiment is preferably arranged adjacent to the light emitting layer.
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 On the other hand, has the functions of hole transport layer in a broad sense, the electron blocking layer, the ability to transport electrons while having a function of transporting holes but a very small material, an electron while transporting holes it is possible to improve the probability of recombination of electrons and holes by inhibiting. また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。 Furthermore, it can be used as the electron blocking layer optionally the structure of a positive hole transport layer described later.
正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、特に制限はないが、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。 Hole blocking layer, the film thickness of the electron blocking layer is not particularly limited, preferably 3 nm to 100 nm, more preferably from 5 nm to 30 nm.

(1−4.正孔輸送層) (1-4. Hole transport layer)
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。 The hole transport layer made of a hole transport material having a function of transporting holes, a hole injection layer in a broad sense, an electron blocking layer are included in the hole transport layer. 正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。 The hole transport layer may be a single layer or plural layers.
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。 As the hole transporting material, a hole injection or transport, which has any of the electron barrier property, organic matter may be any of inorganic substance.
正孔輸送材料として好ましく用いられるのは、より高効率の発光素子が得られることから、いわゆるp型半導体的性質を有するとされる正孔輸送材料である。 As preferably used the hole transporting material, since the higher efficiency of the light emitting element is obtained, which is a hole-transporting material to be to have a so-called p-type semiconductor properties.
正孔輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。 The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, it is generally about 5 nm to 5 [mu] m, preferably 5 nm to 200 nm. この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。 The hole transport layer may have a single layer structure comprising one kind or two or more kinds of the above materials.

(1−5.電子輸送層) (1-5. Electron transport layer)
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。 The electron transport layer made of a material having a function of transporting electrons, an electron injection layer in a broad sense, a hole blocking layer are included in an electron transport layer. 電子輸送層は単層または複数層設けることができる。 Electron-transporting layer may be a single layer or plural layers.
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。 Conventionally, an electron-transporting layer of a single layer, and if a plurality of layers, as the electron transporting material used in the electron transport layer adjacent to the cathode side of the light-emitting layer (also serving as a hole blocking material), injected from the cathode the electrons has a function of transmitting the light emitting layer, an organic substance may be any of inorganic substance.
電子輸送材料として好ましく用いられるのは、より低消費電力の素子が得られることから、不純物をドープしたn型半導体的性質を有するとされる電子輸送材料である。 Preferably used as the electron-transporting material, since the lower power consumption of the device can be obtained, an electron-transporting material is to have n-type semiconductor properties doped with impurities.
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。 There is no particular limitation on the thickness of the electron transporting layer is usually about 5 nm to 5 [mu] m, preferably 5 to 200 nm. 電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。 Electron-transporting layer may have a single layer structure comprising one kind or two or more kinds of the above materials.

(1−6.支持基板) (1-6. Supporting substrate)
本実施形態の有機EL素子100に適用する支持基板101としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。 As the supporting substrate 101 to be applied to the organic EL device 100 of the present embodiment, the glass is not particularly limited to a type of plastic, also, be transparent or may be opaque. 支持基板101側から光を取り出す場合には、支持基板は101透明であることが好ましい。 When light is taken out from the supporting substrate 101 side, it is preferred supporting substrate is 101 transparent. 好ましく用いられる透明な支持基板101としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。 The transparent supporting substrate 101 which is preferably used, mention may be made of glass, quartz, a transparent resin film. 特に好ましい支持基板101は、有機EL素子100にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。 Particularly preferred support substrate 101 is a resin film capable of providing flexibility to the organic EL element 100.
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、 As the resin film, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyesters such as polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), cellulose esters or their derivatives such as cellulose acetate phthalate (TAC), cellulose nitrate, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , polyether sulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, リエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)或いはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。 Li, polyether ketone imide, polyamide, fluorine resin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylates, ARTON (trade name JSR Corp.) or APEL (trade name manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) such cycloolefin resin like the. 樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度が、0.01g/m ・day・atm以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1992に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10 −3 g/m /day以下、水蒸気透過度が、10 −3 g/m /day以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも10 −5 g/m /day以下であることが、更に好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic material may be a hybrid coating of an organic substance of the coating or both has not been formed, the water vapor permeability was measured by the method based on JIS K 7129-1992 is, 0.01 g / m 2 · preferably day · atm or less of a barrier film, and further, the oxygen permeability was measured by the method based on JIS K 7126-1992 is, 10 -3 g / m 2 / day or less, water vapor permeability but 10 is preferably -3 g / m 2 / day or less of the high barrier film, wherein the water vapor permeability, it oxygen permeability is less than both 10 -5 g / m 2 / day , A further preferred.
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。 As a material for forming a barrier film may be a material having a function to retard penetration of those that result in the deterioration of the element, such as moisture and oxygen, for example, silicon oxide, silicon dioxide, or the like can be used silicon nitride. 更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。 It is more preferable that a laminated layer structure of the inorganic layer and an organic material layer in order to improve the brittleness of the aforesaid film. 無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 No particular limitation is imposed on the lamination order of an inorganic layer and an organic layer, it is preferable that both are alternatively laminated a plurality of times.
バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものも好ましい。 The method of forming the barrier film is not particularly limited, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy, cluster - ion beam method, an ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, thermal CVD method, or the like can be used coating methods, preferable by atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-a-2004-68143.
不透明な支持基板100としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属基板や不透明樹脂フィルム、セラミック基板等が挙げられる。 The opaque supporting substrate 100, for example, aluminum, a metal substrate or an opaque resin film such as stainless steel, a ceramic substrate, and the like.

(1−7.封止) (1-7. Sealing)
有機EL素子100の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板101とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。 The sealing means used for sealing the organic EL element 100 can be, for example, a sealing member, electrodes, a method of bonding the supporting substrate 101 with an adhesive.
ガラス、ポリマー、金属等からなる封止部材が有機EL素子100を覆うように配置されておればよく、封止部材は凹板状でも、平板状でもよい。 Glass, polymer, it is sufficient sealing member made of metal or the like is disposed so as to cover the organic EL element 100, in sealing member intaglio shape may be a flat plate. 凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。 For processing into concave, sand blasting, chemical etching and the like are used. また、封止部材の透明性、電気絶縁性は特に限定されない。 Further, transparency of the sealing member, the electrically insulating is not particularly limited.
有機EL素子100を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルム(金属箔)を好ましく使用することができる。 Polymeric film from the fact that the organic EL element 100 can be thinned, can be preferably used a metal film (metal foil). 更には、ポリマーフィルムは、酸素透過度10 −3 g/m /day以下、水蒸気透過度10 −3 g/m /day以下のものであることが好ましい。 Furthermore, the polymer film, the oxygen permeability of 10 -3 g / m 2 / day or less, it is preferable that the following water vapor permeability 10 -3 g / m 2 / day. また、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも10 −5 g/m /day以下であることが、更に好ましい。 Further, the water vapor permeability, it oxygen permeability is less than both 10 -5 g / m 2 / day , more preferable.
接着剤として、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、湿気硬化型接着剤、熱及び化学硬化型(二液混合)、ホットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。 As an adhesive, light curing adhesive, thermosetting adhesive, moisture-curing adhesive, thermal and chemical curing type (two-liquid mixing), it may be mentioned hot-melt adhesive, a UV-curable adhesive.
なお、有機EL素子100が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。 Since the organic EL element 100 may deteriorate by heat treatment, preferably one capable of adhering cured to 80 ° C. from room temperature. また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。 Further, a drying agent may be dispersed in the adhesive. 接着剤は、ディスペンサーによる塗工やスクリーン印刷やラミネート等により、封止部材に形成することができる。 Adhesives, by coating, screen printing or lamination or the like by a dispenser can be formed in the sealing member.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。 Further, on the outer side of the electrode supporting substrate and the opposing sandwiching the organic layer, and covering the electrode and the organic layer, inorganic and in the form of contact with the supporting substrate, it is also preferably a layer of organic material to form the sealing film it can. この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。 In this case, as the material for forming the membrane may be a material having a function to retard penetration of those that result in the deterioration of the element, such as moisture and oxygen, for example, silicon oxide, silicon dioxide, be used as the silicon nitride it can. 更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。 Further it is preferable that a laminated layer structure of these inorganic layer and an organic material layer in order to improve the brittleness of the aforesaid film. これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることができる。 The method for forming these films is not particularly limited, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy, cluster - ion beam method, an ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method, a plasma CVD method, can be used a laser CVD method, thermal CVD method, a coating method, or the like.
封止部材と有機EL素子との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体や、フッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。 The gap between the sealing member and the organic EL element, in the gas phase and liquid phase, nitrogen, or an inert gas such as argon, fluorinated hydrocarbons, it is preferred to inject the inert liquid such as silicone oil. また、真空とすることも可能である。 It is also possible to vacuum. また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。 It is also possible to encapsulate the internal hygroscopic compounds.

(1−8.保護膜、保護板) (1-8. Protective film, protective plate)
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。 Outside of the sealing film or the sealing film on the side and faces the support substrate to sandwich the organic layer, in order to increase the mechanical strength of the device may be provided with a protective film or protective plate. 特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。 Particularly, if the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength thereof is not necessarily high, such a protective film, it is preferable to provide a protective plate. これに使用することができる材料としては、前記封止部材に用いたのと同様の材料を用いることができる。 The material can be used for this, it is possible to use the same material as that used for the sealing member.

(1−9.陽極) (1-9. Anode)
有機EL素子100における陽極102としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。 The anode 102 of the organic EL device 100, a large work function (4 eV or more) metals, an alloy, is preferably used a conductive compound and a mixture thereof as an electrode material. このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO 、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。 Metals such as Au, specific examples of the electrode substance, CuI, indium tin oxide (ITO), a conductive transparent material SnO 2, ZnO and the like. また、IDIXO(In −ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。 It may also be used IDIXO (In 2 O 3 -ZnO) spruce amorphous in can prepare a transparent conductive film material. 陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。 By a method such as evaporation or spattering of the electrode material is an anode, the degree films were formed, may be a pattern of a desired shape by photolithography, or if the pattern accuracy requires less (100 [mu] m or more ), a pattern may be formed through a mask of a desired form at the time of depositing or spattering of the electrode material. あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式など湿式製膜法を用いることもできる。 Alternatively, in the case of using coatable materials such as organic conductive compounds, it can also be used wet film forming method such as printing method, coating method. この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。 When light is emitted through the anode, the transmittance is preferably set to not greater than 10%, the sheet resistance as an anode is preferably several hundreds Omega / □ or less. 更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。 Further, although the layer thickness depends on the material, usually 10 nm to 1000 nm, preferably chosen in the range of 10 nm to 200 nm.

(1−10.陰極) (1-10. Cathode)
有機EL素子100における陰極104としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。 As the cathode 104 of the organic EL device 100, a small work function (also referred to as an electron injecting metal) (4 eV or less) metal, alloy, and an electroconductive compound, or a mixture thereof is used as the electrode material. このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al )混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。 Specific examples of the electrode substance include sodium, sodium - potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, a magnesium / silver mixture, a magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3) mixture, indium, a lithium / aluminum mixture, and rare earth metals. これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al )混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。 Among these, from the viewpoint of electron injection property and durability against oxidation or the like, a mixture of a second metal values ​​of the electron injection metal and a work function than this is the large stable metal, such as magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3) mixture, lithium / aluminum mixture, and aluminum. 陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。 Cathode by forming a thin film by a method such as evaporation or spattering of the electrode material can be manufactured. また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。 The sheet resistance is preferably several hundreds Omega / □ or less of the cathode, the thickness is usually 10 nm to 5 [mu] m, it is preferably selected in the range of 50 nm to 200 nm. なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 Incidentally, in order to transmit emission, either the anode or the cathode of the organic EL element, emission luminance is advantageous improved if transparent or translucent.
また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。 Further, the metal on the cathode after forming a thickness of 1 nm to 20 nm, the conductive transparent material exemplified in the description of the anode by manufacturing thereon, it is possible to produce a cathode transparent or semi-transparent, both the anode and cathode by the application of this can be manufactured element having transparency.

(2.有機EL素子の作製方法) (Manufacturing method 2. Organic EL device)
次に、上記構成を有する有機EL素子100の作製方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the organic EL device 100 having the above structure.
なお、上述したように、有機層103は、少なくとも発光層を含むものであれば構成可能であるが、ここでは、一例として、陽極102と陰極104との間に、陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層からなる有機層103を備えた有機EL素子100の作製法について説明する。 As described above, the organic layer 103 is a configurable as long as it contains at least a light emitting layer, as an example, between the anode 102 and the cathode 104, the anode buffer layer, a hole transport layer, light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, will be described manufacturing method of the organic EL device 100 having the organic layer 103 composed of a cathode buffer layer.

まず適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。 Desired electrode material on a first suitable support substrate, e.g., below 1μm, a thin film made of an anode substance, preferably to have a thickness of 10 nm to 200 nm, is formed by vapor deposition, sputtering or some other method, prepare an anode to.

次に、この上に、有機EL素子材料である陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層の有機化合物薄膜を順次形成する。 Next, on the anode buffer layer of an organic EL device material, a hole transport layer, light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer are sequentially formed an organic compound thin film of the cathode buffer layer.
この有機化合物薄膜のうち発光層の形成方法としては、後述の蒸着装置10による真空蒸着法が用いられる。 The method for forming the light emitting layer of the organic compound thin film, a vacuum vapor deposition method is employed by the deposition apparatus 10 to be described later.
また、発光層以外の各層の形成方法としては、蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、LB法(ラングミュア−ブロジェット法)、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法)等の公知の方法が用いられるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、スロット型コータ法が特に好ましい。 As a method for forming the respective layers other than the light-emitting layer, a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, a casting method, an inkjet method, a printing method, LB method (Langmuir - Blodgett method), a spray method, a printing method, a slot-type Although known methods coater method) is used, uniform film easily obtained, and from the viewpoint of the pinhole is formed with difficulty, vacuum deposition, spin coating, ink jet method, a printing method, slot type coaters the law is particularly preferred. 更に層毎に異なる製膜法を適用してもよい。 Further it may apply different film forming method for each layer.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子100が得られる。 After forming these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon, 1 [mu] m as preferably of a thickness in the range of 50nm~200nm below, for example, is formed by a method such as vapor deposition or sputtering, providing a cathode desired organic EL device 100 is obtained by.

なお、作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファー層、陽極の順に作製することも可能である。 Incidentally, in prepared in the reverse order, a cathode, a cathode buffer layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, an emission layer, a hole transport layer, an anode buffer layer, it is also possible to prepare the order of the anode. このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。 Such multi-color display device obtained by, in the case of applying the direct-current voltage, the anode to plus and that of the cathode - the application of a voltage of about 2V~40V as polarity, light emission occurs. また交流電圧を印加してもよい。 The alternating current voltage may be applied. なお、印加する交流の波形は任意でよい。 The waveform of the alternating current may be arbitrary.

(3.蒸着装置) (3. vapor deposition apparatus)
次に、蒸着装置10について説明する。 It will now be described deposition apparatus 10.
蒸着装置10は、上述したように、例えば、有機EL素子100における有機層103の発光層などを形成する場合に好適に用いられるものであり、真空中を搬送される基板Kに対して、複数の蒸着源から放出した蒸気により共蒸着を行う真空蒸着装置である。 Deposition apparatus 10, as described above, for example, which is suitably used in the case of forming a like luminous layer of the organic layer 103 in the organic EL element 100, the substrate K to be transported through the vacuum, a plurality the steam released from the evaporation source is a vacuum vapor deposition apparatus for performing co-evaporation.
ここで、基板Kとは、有機EL素子100の発光層の形成前まで作製された積層体を示している。 Here, the substrate K, shows a laminate made before the formation of the light-emitting layer of the organic EL element 100. 具体的には、基板Kとは、例えば、支持基板101上に陽極102を設けたもの、支持基板101上に陽極102及び正孔注入層を設けたもの、支持基板101上に陽極102、正孔注入層、及び正孔輸送層を設けたもの等である。 Specifically, the substrate K, for example, those of the anode 102 is provided on the supporting substrate 101, those provided with a supporting substrate 101 anode 102 and the hole injection layer, the anode 102 on the supporting substrate 101, a positive hole injection layer, and the like that a hole transporting layer.
また、本実施形態における基板Kは、薄く長尺な帯状に形成されたものであるが、ロール状に巻き取られた形で使用される。 Further, the substrate K in the present embodiment is one which is formed into a thin elongated strip, is used in wound form in the form of a roll. 基板Kの幅や長さ等は、作製する有機ELパネル等の大きさに応じて適宜設定される。 Width and length of the substrate K is appropriately set according to the size of the organic EL panel or the like to produce.
なお、以下の説明において、基板Kの搬送方向をX方向とし、基板Kの搬送方向と直交する方向(基板Kの幅方向)をY方向とする。 In the following description, the conveying direction of the substrate K and X direction, a direction perpendicular to the conveyance direction of the substrate K (the width direction of the substrate K) and Y-direction.

蒸着装置10は、図3、4に示すように、真空容器1、搬送手段2、線状蒸着源3A,3B、点状蒸着源部4A,4B、膜厚モニター7,7、膜厚モニター8,8等を備えて構成されている。 Deposition apparatus 10, as shown in FIGS. 3 and 4, the vacuum chamber 1, the conveying means 2, linear deposition sources 3A, 3B, point-like evaporation source unit 4A, 4B, thickness monitor 7,7, thickness monitor 8 It is configured to include eight such.

(3−1.真空容器) (3-1. Vacuum vessel)
真空容器1は、例えば、上面の開口した容器本体及び当該開口を塞ぐ蓋体(何れも図示せず)を備えており、蓋体を脱着して基板Kや各蒸着源に収容される成膜材料P1〜P4の出し入れが行われる。 Vacuum vessel 1, for example, comprises a lid which closes the container body and the opening is opened in the upper surface (both not shown), deposited accommodated in the substrate K and the vapor deposition source to desorb the lid loading and unloading of material P1~P4 is performed.
また、真空容器1には、真空ポンプ11が接続されており、真空容器1は、蒸着に際してこの真空ポンプ11により内部が真空排気され、真空状態が保たれるようになっている。 Further, the vacuum chamber 1, a vacuum pump 11 is connected, the vacuum container 1, inside is evacuated by the vacuum pump 11 during deposition, so that the vacuum state is maintained.
真空度は、成膜材料の種類により異なるが、例えば、10 −2 〜10 −7 Paである。 Vacuum may vary depending on the type of film forming material, for example, a 10 -2 ~10 -7 Pa.

(3−2.搬送手段) (3-2. Transport means)
搬送手段2は、真空容器1の内部上方に設置され、ロール・ツー・ロール方式と称される手法にてロール状の基板Kを搬送するものである。 Conveying means 2 is installed inside the upper of the vacuum chamber 1, and transports the rolled substrate K by a roll-to-roll method called method.
具体的に、搬送手段2は、搬送経路の上流端に配置された巻出部21と、搬送経路の下流端に配置された巻取部22とを有し、巻出部21から基板Kを繰り出して搬送し、搬送されてきた基板Kを巻取部22により巻き取るようになっている。 Specifically, the conveying means 2, the unwinding unit 21 disposed at the upstream end of the conveying path, and a winding section 22 disposed at a downstream end of the conveying path, the substrate K from the unwinding unit 21 feeding and transported, has a substrate K that has been transported to the take up by the winding section 22.
基板Kは、巻出部21と巻取部22との間を、一定の張力が維持された状態で一定速度で搬送され、巻出部21から巻取部22まで搬送される間に、下方に設置された線状蒸着源3A,3B、及び点状蒸着源部4A,4Bから噴出される蒸気によって、共蒸着が施されるようになっている。 Substrate K, while that between the unwinding part 21 and the winding portion 22 is transported at a constant speed in a state where a constant tension is maintained, are conveyed from the unwinding unit 21 to the winding section 22, the lower installed linear evaporation source 3A to, 3B, and point-shaped evaporation source portion 4A, the steam ejected from 4B, so that the co-evaporation is performed.
なお、基板Kの搬送速度は、例えば、1m/minに設定されている。 The transport speed of the substrate K, for example, is set to 1 m / min.

(3−3.線状蒸着源) (3-3. Linear evaporation source)
線状蒸着源3A,3Bは、ラインソースとも称されるもので、真空容器1の内部の底面付近において、Y方向に延在するようにX方向に沿って並列に配されている。 Linear deposition sources 3A, 3B are intended to be referred to as line sources, in the vicinity of the bottom surface of the interior of the vacuum chamber 1 are arranged in parallel along the X direction so as to extend in the Y direction.
この線状蒸着源3A,3Bは、搬送される基板Kに対して、基板Kの下面側から成膜材料P1及びP2をそれぞれ蒸気として噴出するものである。 The linear deposition sources 3A, 3B, to the board K to be transported is for jetting the respective vapor deposition material P1 and P2 from the lower surface side of the substrate K.
具体的には、線状蒸着源3A,3Bは、どちらもY方向に延在する長尺な容器であり、その上面にY方向に延在する長尺な蒸気噴出口31を有している。 Specifically, linear deposition sources 3A, 3B are both a long container extends in the Y direction and has an elongated steam jet port 31 extending in the Y direction on the upper surface .
この線状蒸着源3A,3Bは、例えば、タンタルやタングステンなどの高融点金属などによって形成され、その内部に、基板Kの表面(下面)に蒸着させる成膜材料P1、P2がそれぞれ収容されている。 The linear deposition sources 3A, 3B, for example, be formed by a high-melting metal such as tantalum or tungsten, in its interior, the film forming material P1, P2 to be deposited on the surface (lower surface) of the substrate K is accommodated respectively there. また、線状蒸着源3A,3Bには、当該線状蒸着源3A,3Bを加熱するためのヒータ32が備えられており、ヒータ32は、ヒータ制御部(図示省略)の制御に応じて通電して、線状蒸着源3A,3Bを一定の温度にまで加熱する。 Also, the linear evaporation source 3A, the 3B, the linear evaporation source 3A, a heater 32 is provided for heating the 3B, the heater 32, under the control of the heater control unit (not shown) energized and heated linear evaporation source 3A, and 3B to a constant temperature.
これにより、成膜材料P1、P2は蒸発または昇華し、それぞれの蒸気噴出口31から基板Kに対して蒸気が放出される。 Thus, the film forming material P1, P2 is evaporated or sublimed, steam is released from the respective steam injection port 31 to the substrate K.
基板Kは、このような線状蒸着源3A,3Bの上方をX方向に通過する際に、Y方向に均一に成膜材料P1、P2が蒸着されることとなる。 Substrate K, when passing through such a linear deposition source 3A, the upper 3B in the X direction, uniformly deposited material in the Y direction P1, P2 is to be deposited. そして、基板Kが搬送されるにつれて、基板Kの下面全体に成膜材料P1、P2の薄膜が形成される。 Then, as the substrate K is conveyed, a thin film of the film forming material P1, P2 are formed on the entire lower surface of the substrate K.
なお、線状蒸着源3A,3Bは、上記構成以外にも、例えば、複数の点状蒸着源が一列に並んで構成されたものであっても良い。 Incidentally, linear deposition sources 3A, 3B, in addition to the above-mentioned configuration also, for example, may be a plurality of point-like evaporation source is configured in a row.

(3−4.点状蒸着源部) (3-4. Points shaped evaporation source portion)
点状蒸着源部4A,4Bは、線状蒸着源3A,3Bの上流側に、X方向に沿って並んで配されている。 Point-like evaporation source unit 4A, 4B is a linear deposition source 3A, and 3B upstream of, are arranged side by side along the X direction.
本実施形態においては、点状蒸着源部4A,4Bの各々は、Y方向に沿って往復移動可能な一の点状蒸着源を備えて構成されている。 In the present embodiment, each of the point evaporation source unit 4A, 4B is configured with one point-like evaporation source reciprocally movable along the Y direction. 点状蒸着源は、ポイントソースとも称されるものである。 Point-like evaporation source is to be referred to as point sources.
この点状蒸着源部4A,4Bは、搬送される基板Kに対して、基板Kの下面側から成膜材料P3及びP4を蒸気として噴出するものである。 The point-like evaporation source unit 4A, 4B, to the board K to be transported, the film-forming material P3 and P4 from the lower surface side of the substrate K is to ejected as a vapor. 点状蒸着源部4A,4Bは、その形状から、少量の成膜材料を効率良く蒸発させることが可能である。 Point-like evaporation source unit 4A, 4B from its shape, it is possible to efficiently evaporate a small amount of film forming material.
具体的には、点状蒸着源部4A,4Bは、その上面に蒸気噴出口41を有する点状の容器である。 Specifically, point-like evaporation source unit 4A, 4B is a point-like container having a steam ejection port 41 on the upper surface thereof. 点状蒸着源部4A,4Bも、線状蒸着源3A,3Bと同様に、例えば、タンタルやタングステンなどの高融点金属などによって形成され、その内部に、基板Kの表面(下面)に蒸着させる成膜材料P3、P4が収容されている。 Point-like evaporation source unit 4A, 4B also, the linear deposition source 3A, as with 3B, for example, be formed by a high-melting metal such as tantalum or tungsten, therein, is deposited on the surface (lower surface) of the substrate K the film-forming material P3, P4 are accommodated. また、点状蒸着源部4A,4Bには、当該点状蒸着源部4A,4Bを加熱するためのヒータ42が備えられており、ヒータ42は、ヒータ制御部(図示省略)の制御に応じて通電して、点状蒸着源部4A,4Bを一定の温度にまで加熱する。 Also, point-like evaporation source portion 4A, the 4B, the point-shaped evaporation source portion 4A, the heater 42 is provided for heating the 4B, heater 42, the control of the heater control unit (not shown) energized Te, heated point-like evaporation source unit 4A, and 4B to a certain temperature.
これにより、成膜材料P3、P4は蒸発または昇華し、蒸気噴出口41から基板Kに対して蒸気が噴出される。 Thus, the film forming material P3, P4 is vaporized or sublimed, steam is ejected from the steam ejection port 41 to the substrate K.

かかる点状蒸着源部4A,4Bは、上記したように、それぞれ、Y方向に往復移動可能に構成されている。 Such point-like evaporation source unit 4A, 4B, as described above, each of which is reciprocally movable in the Y direction. 具体的に、点状蒸着源部4A,4Bの各々には、駆動制御部(図示省略)の制御によって駆動する駆動機構43が備えられ、駆動機構43の駆動に応じてY方向に往復移動する。 Specifically, point-like evaporation source portion 4A, the respective 4B, provided with a driving mechanism 43 for driving the control of the drive control unit (not shown) reciprocates in the Y direction according to the driving of the drive mechanism 43 .
これにより、点状蒸着源部4A,4Bは、それぞれ、Y方向に往復移動しながら蒸気を噴出するようになっている。 Thus, point-like evaporation source unit 4A, 4B, respectively, so as to eject steam while reciprocating in the Y direction.
これは、図5(a)に示すように、蒸気噴出口41からの距離がより短い箇所が基板Kにおける蒸着量が多くなってしまうという点状蒸着源部における欠点を改善するためのものであって、点状蒸着源部4A,4Bを往復移動させることで、図5(b)に示すように、基板Kの幅方向(Y方向)のムラをなくし、均一に蒸着することを可能としている。 This is because, as shown in FIG. 5 (a), for the purpose of distance shorter portion from the steam ejection port 41 to improve the drawbacks in point-shaped evaporation source portion that becomes much amount deposited in the substrate K there, by reciprocating punctiform deposition source unit 4A, a 4B, as shown in FIG. 5 (b), as possible to eliminate the unevenness in the width direction of the substrate K (Y-direction), uniformly deposited there.

このとき、点状蒸着源部4A,4Bの移動速度は、例えば、基板Kの搬送速度に対して、5倍となるように設定されている。 At this time, point-like evaporation source unit 4A, 4B moving speed of, for example, with respect to the transport speed of the substrate K, is set to be 5 times. この範囲内の移動速度であれば、例えば、図6に示すように、基板Kの幅方向に対して、点状蒸着源部4A,4Bが一定の軌跡(図6中の破線)を描くように成膜材料P3、P4の蒸着が行われ、基板Kの搬送速度に対してムラがでることなく、均一な蒸着を行うことができる。 If the moving speed in this range, for example, as shown in FIG. 6, the width direction of the substrate K, such that the point-like evaporation source unit 4A, 4B draws a certain trace (broken line in FIG. 6) in is performed deposition of the film forming material P3, P4, without unevenness may appear with respect to the conveying speed of the substrate K, it is possible to perform uniform deposition.

また、線状蒸着源3A,3Bと点状蒸着源部4A,4Bとは、当該線状蒸着源3A,3B及び当該点状蒸着源部4A,4Bから放出された成膜材料P1〜P4が基板K上で重なり合う程度に近接して配置されることが好ましい。 Also, the linear deposition sources 3A, 3B and the point-like evaporation source unit 4A, 4B and is the linear evaporation source 3A, 3B and the point-like evaporation source portion 4A, the film forming material P1~P4 released from 4B it is preferably disposed proximate to the extent of overlap on the substrate K.
例えば、線状蒸着源3Aと線状蒸着源3Bとの間隔、線状蒸着源3Bと点状蒸着源部4Aとの間隔、及び点状蒸着源部4Aと点状蒸着源部4Bとの間隔を、何れも5mmの設定することにより、成膜材料P1〜P4が基板K上で重なり合わせることができ、均一な共蒸着が行えるようになっている。 For example, the interval between the linear evaporation source 3A and the linear distance between the deposition source 3B, the linear deposition source 3B and spacing between the point-like evaporation source unit 4A, and point-shaped evaporation source portion 4A and the point-like evaporation source unit 4B the, by any set of 5 mm, the film forming material P1~P4 is adapted to be able to overlap on the substrate K, it can be performed even co-evaporation.

膜厚モニター7,7は、例えば水晶振動子であり、それぞれ線状蒸着源3Aの端部及び線状蒸着源3Bの端部に設置されている。 Thickness monitor 7, 7 for example, a quartz oscillator, which is installed at the ends of the end portions and linear evaporation source 3B each linear deposition sources 3A.
線状蒸着源3A,3Bにおいて膜厚モニター7,7の設置された端部は、気化した蒸気を噴出出来る構造となっており、膜厚モニター7,7は、当該膜厚モニター7,7に付着した材料の膜厚を計測する。 Linear deposition sources 3A, the installed end of film thickness monitor 7, 7 in 3B has a structure that can eject vaporized vapor film thickness monitor 7, 7 to the film thickness monitor 7,7 thickness of the deposited material to measure.
膜厚モニター7,7には、モニター制御部(図示省略)が接続されており、モニター制御部は、膜厚モニター7,7により計測した膜厚を成膜速度に換算し、これをヒータ制御部にフィードバックするようになっている。 The thickness monitor 7,7, monitor control unit are (not shown) is connected, the monitor control unit are converted film thickness measured by the thickness monitor 7, 7 to deposition rate, which heater control It is adapted to feedback to the department. 従って、成膜速度に変化があった場合には、ヒータ32の出力が制御され、これにより、線状蒸着源3A,3Bからの成膜材料P1、P2の蒸発量が一定に保たれ、成膜速度も一定に保たれるようになっている。 Therefore, when there is a change in the deposition rate, the output of the heater 32 is controlled, by this, the linear deposition source 3A, the evaporation amount of the film forming material P1, P2 from 3B is kept constant, film speed also has to be kept constant.

膜厚モニター8,8は、例えば水晶振動子であり、それぞれ点状蒸着源部4A及び点状蒸着源部4Bに追随して動くようになっており、当該膜厚モニター8,8に付着した材料の膜厚を計測する。 Thickness monitor 8, 8 is, for example, a crystal oscillator, are adapted to move to follow the respective point-shaped evaporation source portion 4A and the point-like evaporation source unit 4B, attached to the film thickness monitor 8, 8 the film thickness of the material to measure.
膜厚モニター8,8には、モニター制御部(図示省略)が接続されており、モニター制御部は、膜厚モニター8,8により計測した膜厚を成膜速度に換算し、これをヒータ制御部にフィードバックするようになっている。 The thickness monitor 8, 8, the monitor control unit are (not shown) is connected, the monitor control unit are converted film thickness measured by the thickness monitor 8, 8 deposition rate, which heater control It is adapted to feedback to the department. 従って、成膜速度に変化があった場合には、ヒータ42の出力が制御され、これにより、点状蒸着源部4A,4Bからの成膜材料P3、P4の蒸発量が一定に保たれ、成膜速度も一定に保たれるようになっている。 Therefore, when there is a change in the deposition rate, the output of the heater 42 is controlled by this point-like evaporation source portion 4A, the evaporation amount of the film forming material P3, P4 from 4B is kept constant, the film formation rate also has to be kept constant.

なお、基板Kと4つの蒸着源との間に、シャッター(図示省略)を設置することとしても良い。 Between the substrate K and four deposition sources, it is also possible to place the shutter (not shown). かかるシャッターは、制御装置(図示省略)からの指示信号に基づき開閉を行うものである。 Such shutter is configured to perform opening and closing based on an instruction signal from the controller (not shown). 具体的には、シャッターは、膜厚モニター7,7、8,8による測定値が所望の一定値になるまで閉鎖され、当該所望の一定値となったところで開放される。 Specifically, the shutter is closed between the value measured by the film thickness monitor 7,7,8,8 has a desired constant value, is released upon reaching with the desired constant value. シャッターが開放されると、蒸着が開始される。 When the shutter is opened, the deposition is started.

成膜材料P1及びP2は、それぞれ線状蒸着源3A及び線状蒸着源3Bから噴出される。 Film forming material P1 and P2 is ejected from the respective linear deposition sources 3A and linear evaporation source 3B. 具体的には、成膜材料P1及びP2は、例えば、発光層中に高濃度で存在する有機材料であって、上述した青色発光ドーパントやホスト化合物が挙げられる。 Specifically, the film-forming material P1 and P2, for example, an organic material present in high concentrations in the light emitting layer, and a blue light-emitting dopant and a host compound described above.
また、成膜材料P3及びP4は、それぞれ点状蒸着源部4A及び点状蒸着源部4Bから噴出される。 Also, film-forming material P3 and P4 are ejected from the respective point-shaped evaporation source portion 4A and the point-like evaporation source unit 4B. 具体的には、成膜材料P3及びP4は、例えば、発光層中に成膜材料P1及びP2よりも低濃度で存在する有機材料であって、上述した緑色発光ドーパントや赤色発光ドーパントが挙げられる。 Specifically, the film-forming material P3 and P4, for example, an organic material which is present in lower concentration than the film forming material P1 and P2 in the light-emitting layers include a green emitting dopant and the red light-emitting dopant mentioned above .

(3−5.蒸着方法) (3-5. Vapor deposition method)
次に、蒸着装置10による蒸着方法について説明する。 It will now be described deposition method by vapor deposition apparatus 10.
本実施形態の蒸着装置10は、ロール・ツー・ロール方式によって搬送される長尺な基板Kに、2種類の蒸着源を用いて共蒸着する装置である。 Deposition apparatus 10 of this embodiment, the elongated substrate K that is conveyed by a roll-to-roll method, an apparatus for co-deposition using two evaporation sources.
蒸着を実施する場合、最初に真空ポンプ11を稼動して真空容器1の内部を真空とする。 When carrying out the deposition, first a vacuum inside the vacuum vessel 1 by operating the vacuum pump 11 in.
そして、ヒータ32、42によって、線状蒸着源3A,3B及び点状蒸着源部4A,4Bを一定の温度にまで加熱すると、線状蒸着源3A,3B及び点状蒸着源部4A,4Bの内部に収容された成膜材料P1〜P4は、所定の温度にまで加熱され、蒸発または昇華して蒸気流が発生し、この蒸気流が各蒸気噴出口31、41から抜け出て、上方を搬送されている基板Kの表面(下面)に共蒸着による薄膜が形成されるようになっている。 Then, the heater 32 and 42, linear deposition sources 3A, 3B and point-like evaporation source portion 4A, when heated to a 4B at a constant temperature, linear deposition sources 3A, 3B and point-like evaporation source section 4A, 4B of film forming material P1~P4 contained therein are heated to a predetermined temperature, steam flow is generated evaporated or sublimated to, the vapor stream exits from the steam injection ports 31 and 41, conveyed upward so that the thin film by co-evaporation is formed on the surface (lower surface) of the substrate K being.

このとき、成膜材料P1及びP2は、線状蒸着源3A,3Bから放出されることで基板Kの下面にY方向に均一に蒸着される。 In this case, the film-forming material P1 and P2, linear deposition sources 3A, is uniformly deposited on the Y-direction on the lower surface of the substrate K by being released from 3B.
一方、成膜材料P1やP2よりも低濃度な成膜材料P3、P4は、点状蒸着源部4A,4Bから放出されることで効率よく基板Kの下面に蒸着される。 On the other hand, than the film forming material P1 and P2 low density deposition material P3, P4 is a point-like evaporation source portion 4A, is deposited on the bottom surface of effectively substrate K by being released from 4B.
更に、点状蒸着源部4A,4BはY方向に往復移動しているため、成膜材料P3及びP4も、基板Kの下面に均一に蒸着されるようになっている。 Furthermore, point-like evaporation source unit 4A, 4B is because it reciprocates in the Y direction, also the film-forming material P3 and P4, is adapted to be uniformly deposited on the lower surface of the substrate K.
また、点状蒸着源部4A,4Bの移動速度は、基板Kの搬送速度に対して5倍となるように設定されているため、基板KのX方向にムラが発生するのが抑止され、均一に共蒸着されることとなる。 Also, point-like evaporation source unit 4A, 4B moving speed of, since it is set to be 5 times the conveying speed of the substrate K, is suppressed for unevenness is generated in the X direction of the substrate K, uniformly and thus is co-evaporation.

以上のように、本実施形態によれば、真空容器1内で基板K上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置10において、真空容器1内において、基板Kを搬送する搬送手段2と、Y方向に延在するようにX方向に沿って並列に配され、基板Kに対して成膜材料P1、P2を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源3A,3Bと、X方向に沿って並んで配され、基板Kに対して線状蒸着源3A,3Bから噴出される成膜材料P1、P2より低濃度な成膜材料P3、P4を蒸気として噴出する点状蒸着源部4A,4Bと、を備え、線状蒸着源3A,3Bと、点状蒸着源部4A,4Bとから噴出された蒸気により共蒸着が行われる。 As described above, according to this embodiment, in the vapor deposition apparatus 10 for depositing a thin film on a substrate K in the vacuum chamber 1, in the vacuum chamber 1, a conveying means 2 for transporting the substrate K, in the Y-direction arranged in parallel along the X direction so as to extend, distribution plurality of linear evaporation source 3A for ejecting a film forming material P1, P2 as a vapor to the substrate K, and 3B, side by side along the X direction is a linear deposition source 3A with respect to the substrate K, deposition materials P1, P2 from the low density deposition material P3, P4 points ejected as vaporous deposition source unit 4A ejected from 3B, and 4B, the includes, co-evaporation is performed linear evaporation source 3A, and 3B, point-like evaporation source portion 4A, the vapor ejected from the 4B.
このため、点状蒸着源部4A,4Bによって、微量の成膜材料P3、P4の制御を行えるので、搬送される基板Kに対して均一に共蒸着を行うことができる。 Therefore, the point-like evaporation source unit 4A, 4B, since perform the control of the film forming material P3, P4 traces, can be uniformly codeposited on the substrate K to be transported.
即ち、線状蒸着源3A,3B及び点状蒸着源部4A,4Bを組み合わせて用いることで、搬送される基板Kに対して均一に共蒸着を行うことができる。 That is, by using in combination a linear deposition source 3A, 3B and point-like evaporation source unit 4A, a 4B, it can be uniformly codeposited on the substrate K to be transported.

特に、本実施形態によれば、点状蒸着源部4A,4Bは、基板Kの搬送方向と直交する方向(Y方向)に往復移動可能であって、Y方向に往復移動しながら蒸気を放出するようになっている。 In particular, according to the present embodiment, point-like evaporation source unit 4A, 4B is a reciprocally movable in a direction (Y direction) perpendicular to the conveying direction of the substrate K, the steam while reciprocating in the Y-direction releasing It has become way.
このため、点状蒸着源部4A,4BのY方向のムラがなくなり、搬送される基板Kに対して、より均一に共蒸着を行うことができる。 Thus, point-like evaporation source unit 4A, there is no Y-direction unevenness of 4B, the substrate may undergo K being conveyed, the more uniformly codeposited.
よって、蒸着装置10自体を大型化することなく、材料効率の良い蒸着を行うことができる。 Therefore, the deposition apparatus 10 itself without upsizing, it is possible to perform good deposition of material efficiency.

なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。 Incidentally, the applicable embodiments of the present invention is not limited to the embodiments described above, and can be suitably changed without departing from the scope of the present invention.

例えば、図7に示すように、点状蒸着源部4A,4BのY方向の移動範囲を、基板Kの幅よりも広くすることとしても良い。 For example, as shown in FIG. 7, a point-like evaporation source portion 4A, the moving range of the Y direction 4B, may be wider than the width of the substrate K.
このようにすることで、点状蒸着源部4A,4Bを、基板Kと対向するうちは一定速度で移動させ、基板Kの外側において減速・停止させ、逆方向に加速を開始するなどの制御を行うことが可能となる。 In this way, point-like evaporation source unit 4A, a 4B, among which faces the substrate K moves at a constant speed, deceleration and stopping outside the substrate K, control such as starting the acceleration in the reverse direction it is possible to perform. よって、基板Kの幅方向の中央部と両端部とでムラがなく、より均一に蒸着を行うことができる。 Therefore, no unevenness between the center portion and both end portions in the width direction of the substrate K, can be performed more uniformly deposited.

また、例えば、図8に示すように、線状蒸着源3A,3Bの蒸気噴出口31と、点状蒸着源部4A,4Bの蒸気噴出口41とを、基板Kに対して傾斜させて設置することとしても良い。 Further, for example, as shown in FIG. 8, a linear deposition source 3A, a steam ejection port 31 of 3B, point-like evaporation source unit 4A, 4B and steam spout 41 of, and is inclined with respect to the substrate K placed it may be able to. このとき、線状蒸着源3A,3Bからの蒸気の噴出方向と直交する線と、点状蒸着源部4A,4Bからの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度は、180度より小さくする。 In this case, the angle between a line perpendicular to the ejection direction of the steam from the linear evaporation source 3A, 3B, and a line perpendicular to the ejection direction of the steam from the point-shaped evaporation source unit 4A, 4B, less than 180 degrees to.
このようにすることで、点状蒸着源部4A,4Bから噴出される成膜材料P3、P4と、線状蒸着源3A,3Bから噴出される成膜材料P1、P2とが重なり合う部分を、傾斜させない場合と比較して拡大させることができる。 In this way, point-like evaporation source portion 4A, a film forming material P3, P4 ejected from 4B, linear deposition sources 3A, a film-forming material P1, P2 and overlap portions ejected from 3B, it can be expanded as compared with the case where not inclined.

また、例えば、図9に示すように、線状蒸着源3A,3Bの蒸気噴出口31の一部を遮蔽する遮蔽板33を備えることとしても良い。 Further, for example, as shown in FIG. 9, it may be provided with a linear deposition source 3A, the shield plate 33 for shielding a portion of the steam jet port 31 of 3B. このようにすることで、搬送される基板Kに濃度勾配をつけて蒸着することができる。 In this way, it can be deposited with a concentration gradient in the substrate K to be transported.

[第2実施形態] Second Embodiment
次に、本発明の第2実施形態について、第1実施形態と異なる点を中心に説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described focusing on differences from the first embodiment.
なお、第1実施形態と同様の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。 Note that the same components as the first embodiment, description thereof is omitted are denoted by the same reference numerals.

本実施形態の蒸着装置20は、図10に示すように、線状蒸着源3A,3Bの上流側に、X方向に沿って並んで配される点状蒸着源部9A,9Bを備え、点状蒸着源部9A,9Bの各々は、Y方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源9a・・・,9b・・・を備えて構成されている。 Deposition apparatus 20 of this embodiment, as shown in FIG. 10, a linear deposition source 3A, the upstream side of 3B, point-like evaporation source unit 9A that are arranged side by side along the X direction, includes a 9B, point Jo deposition source unit 9A, 9B each are a plurality of point-like evaporation source 9a · · · which is fixedly installed along the Y direction, and is configured with a 9b · · ·.
複数の点状蒸着源9a・・・,9b・・・は、タイミング制御部(図示省略)により制御され、所定のタイミングで切り替わって、順次蒸気を噴出するようになっている。 A plurality of point-like evaporation source 9a · · ·, 9b · · · is controlled by the timing controller (not shown), switched at a predetermined timing, so as to eject sequentially vapor. この場合、個々の蒸着源からの噴出量を時間で制御することが出来るため、蒸着源の蒸気噴出口91と基板Kとの距離を近づけた場合でも蒸気を噴出させている時間を短くすることで蒸着量を減らすことが可能となる。 In this case, since it is possible to control the ejection amount from each of the deposition source in time, shortening the time that is ejected steam even when the closer the distance between the steam injection port 91 and the substrate K of evaporation source in it is possible to reduce the evaporation amount. 更に、距離を短くしたことで材料使用効率も向上させることが可能となる。 Furthermore, the distance also the material utilization becomes possible to improve by a shortened.
このとき、線状蒸着源3A,3Bと点状蒸着源部9A,9Bとは、当該線状蒸着源3A,3B及び当該点状蒸着源部9A,9Bから放出された成膜材料P1〜P4が基板K上で重なり合う程度に近接して配置されることが好ましい。 At this time, linear deposition sources 3A, 3B and the point-like evaporation source portion 9A, and 9B, the film forming material released the linear evaporation source 3A, 3B and the point-like evaporation source portion 9A, a 9B P1 to P4 There is preferably disposed proximate to the extent of overlap on the substrate K.
例えば、線状蒸着源3Aと線状蒸着源3Bとの間隔、線状蒸着源3Bと点状蒸着源部9Aとの間隔、及び点状蒸着源部9Aと点状蒸着源部9Bとの間隔を、何れも5mmの設定することにより、成膜材料P1〜P4が基板K上で重なり合わせることができ、均一な共蒸着が行えるようになっている。 For example, the interval between the linear evaporation source 3A and the linear distance between the deposition source 3B, the linear deposition source 3B and spacing between the point-like evaporation source portion 9A, and point-shaped evaporation source portion 9A and the point-like evaporation source portion 9B the, by any set of 5 mm, the film forming material P1~P4 is adapted to be able to overlap on the substrate K, it can be performed even co-evaporation.

以上のように、本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、点状蒸着源部9A,9Bの各々は、Y方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源9a・・・,9b・・・を備え、複数の点状蒸着源9a・・・,9b・・・は、所定のタイミングで切り替わって順次蒸気を噴出する構成であるため、搬送される基板Kに対して、Y方向に均一に共蒸着を行うことができる。 As described above, according to this embodiment, the first the same effect as the embodiment can be obtained of course, point-like evaporation source portion 9A, 9B each are fixedly installed along the Y-direction a plurality of point-like evaporation source 9a · · · and comprises 9b · · ·, a plurality of point-like evaporation source 9a · · ·, 9b · · · is a configuration for ejecting successively vapor switched at a predetermined timing Therefore, the substrate may undergo K being conveyed uniformly codeposited in the Y direction.
よって、蒸着装置20自体を大型化することなく、材料効率の良い蒸着を行うことができる。 Therefore, the deposition device 20 itself without upsizing, it is possible to perform good deposition of material efficiency.

なお、複数の点状蒸着源9a・・・,9b・・・の数は特に限定されるものではなく、基板Kの幅方向の中央部と両端部とでムラがなく均一に蒸着を行うことができるように、基板Kの幅に合せて適宜設定される。 The plurality of point-like evaporation source 9a · · ·, the number of 9b · · · is not limited in particular, be carried out uniformly deposited without unevenness between the central portion and both end portions in the width direction of the substrate K It is as can be appropriately set to match the width of the substrate K.

また、本実施形態においても、線状蒸着源3A,3Bの蒸気噴出口31と、点状蒸着源部9A,9Bの蒸気噴出口91とを、基板Kに対して傾斜させ、このとき、線状蒸着源3A,3Bからの蒸気の噴出方向と直交する線と、点状蒸着源部9A,9Bからの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度を、180度より小さくなるよう設置することとしても良い。 Also in this embodiment, a linear deposition source 3A, a steam ejection port 31 of 3B, point-like evaporation source portion 9A, 9B and steam spout 91 of, is inclined with respect to the substrate K, this time, the line Jo deposition source 3A, a line perpendicular to the ejection direction of the steam from 3B, point-like evaporation source unit 9A, the angle formed between a line perpendicular to the ejection direction of the steam from 9B, placed so as to be smaller than 180 degrees it is also possible.
このようにすることで、点状蒸着源部9A,9Bから噴出される成膜材料P3、P4と、線状蒸着源3A,3Bから噴出される成膜材料P1、P2とが重なり合う部分を、傾斜させない場合と比較して拡大させることができる。 In this way, point-like evaporation source portion 9A, a film forming material P3, P4 ejected from 9B, linear deposition sources 3A, a film-forming material P1, P2 and overlap portions ejected from 3B, it can be expanded as compared with the case where not inclined.

[実施例] [Example]
以下、実施例により、本発明の蒸着装置について、比較対象例も含めて具体的に説明する。 The following examples, the vapor deposition apparatus of the present invention, also specifically described, including comparative examples.

<有機ELパネルの作製> <Preparation of the organic EL panel>
(実施例1) (Example 1)
陽極として厚さ0.7mmのガラス基板上に、ITO(インジウムチンオキシド)を110nmの厚さで成膜した支持基板にパターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明支持基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。 On a glass substrate having the thickness of 0.7mm as an anode, ITO after patterning (indium tin oxide) to a supporting substrate which is formed to a thickness of 110 nm, isopropyl alcohol transparent support substrate on which the ITO transparent electrode in ultrasonic cleaning, and dried with dry nitrogen gas, then subjected to UV-ozone cleaning for 5 minutes to fix the transparent support substrate on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus.
市販の真空蒸着装置を用い、真空度1×10 −4 Paまで減圧した後、透明支持基板を移動させながら下記の化合物HT−1を、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、20nmの正孔輸送層を設けた。 Using a commercially available vacuum deposition apparatus, the pressure was reduced to a vacuum degree 1 × 10 -4 Pa, Compound HT-1 below while moving the transparent supporting substrate, at a deposition rate of 0.1 nm / sec, 20 nm positive holes made transporting layer.

次いで、図3、4に示す蒸着装置を用い、上記支持基板を1m/minの搬送速度で移動させながら、下記の化合物A−1(緑色発光ドーパント)、化合物A−2(赤色発光ドーパント)、化合物A−3(青色発光ドーパント)、及び化合物H−1(ホスト化合物)を、化合物A−1、A−2はポイントソースを用いて、膜厚に依存することなく各々0.2重量%の濃度になるように蒸着速度が0.02nm・m/minで蒸着を行い、化合物A−3、H−1はラインソースを用いて、それぞれ35重量%、94.6重量%になるように蒸着速度を固定させて蒸着し、厚さ70nmになるよう共蒸着し発光層を形成した。 Then, using a vapor deposition apparatus shown in FIGS. 3 and 4, while moving the substrate at a conveying speed of 1 m / min, Compound A-1 (green light-emitting dopant) below, Compound A-2 (red light-emitting dopant), compound a-3 (blue light-emitting dopant) and compound H-1 (the host compound), compound a-1, a-2 by using a point source, each of 0.2 wt% without depending on the film thickness deposition rate to a concentration performs deposited at 0.02 nm · m / min, compound a-3, H-1 by using a line source, 35% by weight, respectively, so that 94.6 wt% evaporation deposited by fixed speed, it was co-deposited to a thickness of 70nm to form a light emitting layer.

なお、各蒸発物のレート測定は水晶振動子を用いて実施した。 Incidentally, the rate measurement of each evaporant was performed using a quartz oscillator. ラインソースの端部からも気化した蒸気を噴射出来る構造にして端部に設置した振動子を用いて蒸着速度の測定を実施した。 Measurement was carried out of the deposition rate using a vibrator which is installed at the ends have a structure that can inject vaporized vapor from the end of the line source. また、ポイントソースの蒸発速度の測定は、ポイントソースと追随するように動く振動子を設置することで実施した。 The measurement of the evaporation rate of the point source was performed by installing a vibrator that moves so as to follow the point source. ラインソース及びポイントソースは蒸着を行っている最中も蒸発速度をモニターすることが可能で、蒸発速度変動があった場合には坩堝温度にフィードバックすることで蒸発速度を一定に保った状態での成膜を実施した。 Line source and point source can be monitored even evaporation rate while performing the deposition, in the state of keeping the evaporation rate constant by feeding back the crucible temperature in the case where there is evaporation rate fluctuation the deposition was carried out.

その後、市販の真空蒸着装置を用い、下記の化合物ET−1を膜厚30nmに蒸着して電子輸送層を形成し、更に陰極バッファー層としてKFを厚さ2nmで形成した。 Then, using a commercially available vacuum deposition apparatus, by depositing a compound ET-1 below the thickness 30nm to form an electron transporting layer was formed further with a thickness of 2nm to KF as a cathode buffer layer. 更に、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成した。 Further, a cathode was formed an aluminum 110nm was deposited.

次いで、上記有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、図1、2に示す構成からなる有機ELパネルを作製した。 Then the non-light emitting surface of the organic EL device is covered with a glass cover, to produce an organic EL panel having the structure shown in FIGS.
ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。 Sealing operation with the glass cover was an organic EL element in a glove box under a nitrogen atmosphere without contacting the air (atmosphere of 99.999% or higher purity nitrogen gas). なお、ガラスカバー内には窒素ガスを充填し、捕水剤を設けた。 Note that in the glass cover filled with nitrogen gas, provided water-capturing agent.

(実施例2) (Example 2)
実施例2は、図9に示す蒸着装置を用い、ラインソースの蒸気噴出口を遮蔽板で覆い隠すことにより、化合物H−1を64.6重量%から94.6重量%になるように濃度勾配をつけ、化合物A−3が膜厚に対し線形に35重量%から5重量%になるように濃度勾配をつけて発光層を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 Example 2, using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 9, by obscuring the steam spout of the line source in the shielding plate, the concentration of compound H-1 as consisting of 64.6 wt% to 94.6 wt% a gradient, except for forming the light emitting layer is compound a-3 with a concentration gradient such that the 5% to 35% by weight linear relative thickness, an organic EL device in the same manner as in example 1 It was produced.
次いで、作製した有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ELパネルを作製した。 Then, the non-light emitting surface of the organic EL devices fabricated covered with a glass cover, to produce an organic EL panel.

(比較例1) (Comparative Example 1)
比較例1は、図3、4に示す蒸着装置のポイントソースが支持基板中央の位置で固定されたまま動かない状態としたものを用いて発光層を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 Comparative Example 1, except for forming the light-emitting layer used in which the state of point-source of the vapor deposition apparatus shown in FIGS. 3 and 4 do not move remains fixed at the position of the supporting substrate center, in the same manner as in Example 1 to produce an organic EL element Te.
次いで、作製した有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ELパネルを作製した。 Then, the non-light emitting surface of the organic EL devices fabricated covered with a glass cover, to produce an organic EL panel.

(比較例2) (Comparative Example 2)
比較例2は、図3、4に示す蒸着装置のポイントソースの移動範囲を支持基板幅以下としたものを用いて発光層を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 Comparative Example 2, except for forming the light-emitting layer used in which the movement range of the point source of the vapor deposition apparatus shown in FIGS. 3 and 4 than the support substrate width, producing an organic EL device in the same manner as in Example 1 did.
次いで、作製した有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ELパネルを作製した。 Then, the non-light emitting surface of the organic EL devices fabricated covered with a glass cover, to produce an organic EL panel.

(比較例3) (Comparative Example 3)
比較例3は、図3、4に示す蒸着装置のラインソースとポイントソースの間の間隔が大きく、噴出された蒸気同士が互いに重なりあうことのないように各ソースを設置したものを用いて発光層を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 Comparative Example 3, light emission using what distance between the line source and point source of a vapor deposition apparatus shown in FIGS. 3 and 4 is large, installed each source so as not to steam between jetted is overlapped with each other except for forming a layer, to manufacture an organic EL device in the same manner as in example 1.
次いで、作製した有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ELパネルを作製した。 Then, the non-light emitting surface of the organic EL devices fabricated covered with a glass cover, to produce an organic EL panel.

<有機ELパネルの評価> <Evaluation of the organic EL panel>
上記した実施例1、2及び比較例1〜3において作製した有機ELパネルについて、下記の手法を用いて評価を行った。 The organic EL panel fabricated in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 described above was evaluated using the following techniques. その評価結果は表1に示す。 The evaluation results are shown in Table 1.

(TOF−SIMSによる濃度評価) (Concentration evaluation by TOF-SIMS)
TOF−SIMSによる濃度測定として、Physical Electronics社製の飛行時間型2次イオン質量分析計TRIFT2を用い、1次イオンとして加速電圧25kVのInイオン(ビーム電流は2nA)を用いて、発光層の陽極側端部から陰極側端部までの各材料の濃度を測定した。 As the concentration measurement by TOF-SIMS, using time-of-flight secondary ion mass spectrometer TRIFT2 of Physical Electronics, Inc., using the In ions at an accelerating voltage of 25kV a primary ion (beam current 2nA), an anode of the light-emitting layer the concentration of each material from the side end portion to the cathode side end portion was measured.
測定の結果、設定値に対して、±5%以内になっていれば○、それ以外の範囲は×として評価した。 As a result of the measurement, the set value, if it within ± 5% ○, other ranges it was evaluated as ×.

(輝度ムラ・色度ムラの評価) (Evaluation of uneven brightness and chromaticity unevenness)
輝度ムラ・色度ムラの評価として、作製した有機ELパネルを25A/m の一定電流値で駆動し、発光面を正面から目視し、輝度ムラ及び色度ムラの観察を行った。 As evaluation of brightness unevenness and chromaticity unevenness, drives the organic EL panel manufactured with a constant current of 25A / m 2, viewing the light emitting surface from the front, it was observed in the luminance unevenness and chromaticity unevenness.
観察の結果、輝度ムラ、色度ムラが無かった場合には○、輝度ムラ、色度ムラが有る場合には×として評価した。 As a result of observation, when the luminance unevenness, chromaticity unevenness was not ○, when uneven brightness, chromaticity unevenness is present was evaluated as ×.

(色度変動幅の評価) (Evaluation of chromaticity change width)
色度変動幅の評価として、正面輝度300cd/m 〜1500cd/m におけるCIE1931色度座標における、x、y値の変動最大距離ΔE(下式)を算出した。 As the evaluation of the chromaticity variation range was calculated in CIE1931 chromaticity coordinates in front luminance 300cd / m 2 ~1500cd / m 2 , x, the variation of the y values maximum distance ΔE (the following equation).
ΔE=(Δx +Δy 1/2 ΔE = (Δx 2 + Δy 2 ) 1/2
算出の結果、有機ELパネルの変動最大距離ΔEが0.01未満である場合を○、それ以外の領域では×としとして評価した。 Calculation results, if the maximum distance ΔE variation of the organic EL panel is less than 0.01 ○, was evaluated as × cities in other regions.

<結果> <Result>

比較例1は、支持基板中央部の輝度は高く、端部に近づくにつれて輝度の低下がみられたため、輝度・色度ムラの評価は×である。 Comparative Example 1, the luminance of the supporting substrate central portion is high, since the decrease in brightness was observed toward the end, evaluation of brightness and chromaticity unevenness is ×. また、比較例1は、変動最大距離ΔEが0.06であったため、色度変動幅の評価は×である。 In Comparative Example 1, since the variation maximum distance ΔE was 0.06, the evaluation of the chromaticity variation width is ×.
比較例2は、支持基板巾手で輝度ムラが発生したため、輝度・色度ムラの評価は×である。 Comparative Example 2, since the luminance unevenness occurs in the support substrate width hand, evaluation of brightness and chromaticity unevenness is ×. また、比較例2は、変動最大距離ΔEが0.1であったため、色度変動幅の評価は×である。 In Comparative Example 2, since the variation maximum distance ΔE was 0.1, evaluation of the chromaticity variation width is ×.
比較例3は、輝度・色度共に他の比較例・実施例に対して低く、製品スペックを満たしていないため、輝度・色度ムラの評価は×である。 Comparative Example 3 is lower than the both another comparative example, Example brightness and chromaticity, because it does not meet the product specification, evaluation of brightness and chromaticity unevenness is ×. また、比較例3は、変動最大距離ΔEが0.05であったため、色度変動幅の評価は×である。 In Comparative Example 3, since the fluctuation maximum distance ΔE was 0.05, the evaluation of the chromaticity variation width is ×.

10、20 蒸着装置1 真空容器11 真空ポンプ2 搬送手段21 巻出部22 巻取部3A,3B 線状蒸着源31 蒸気噴出口32 ヒータ33 遮蔽板4A,4B 点状蒸着源部41 蒸気噴出口42 ヒータ43 駆動機構7,7 膜厚モニター8,8 膜厚モニター9A,9B 点状蒸着源部9a・・・,9b・・・ 点状蒸着源91 蒸気噴出口K 基板P1-P4 成膜材料 10,20 deposition apparatus 1 vacuum chamber 11 the vacuum pump second conveying unit 21 unwinding unit 22 winding section 3A, 3B linear evaporation source 31 steam injection ports 32 heater 33 shielding plate 4A, 4B punctate deposition source section 41 steam jet port 42 heater 43 drive mechanism 7,7 thickness monitor 8,8 thickness monitor 9A, 9B punctate deposition source portion 9a ···, 9b ··· punctate evaporation source 91 steam spout K board P1-P4 film forming material

Claims (6)

  1. 真空容器内で基板上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置において、 In the vapor deposition apparatus for depositing a thin film on a substrate in a vacuum chamber,
    前記真空容器内に、 In the vacuum chamber,
    前記基板を搬送する搬送手段と、 Conveying means for conveying the substrate,
    前記基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、 A plurality of linear evaporation source for ejecting a film-forming material as a vapor to the disposed side by side along the conveying direction, said substrate so as to extend in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate,
    前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して前記複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、 Arranged side by side along the conveying direction, a plurality of point deposition source unit for ejecting low density deposition material as a vapor from the deposition material to be ejected from said plurality of linear evaporation source to the substrate ,
    を備え、 Equipped with a,
    前記複数の線状蒸着源と、前記複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする蒸着装置。 Vapor deposition apparatus, wherein the plurality of linear deposition source, wherein the plurality of point deposition source unit, that the co-evaporation is performed by jetting steam from.
  2. 前記点状蒸着源部の各々は、前記直交方向に沿って往復移動可能な点状蒸着源を備え、 Each of said point-like evaporation source unit includes a reciprocally movable punctiform evaporation source along the perpendicular direction,
    前記点状蒸着源は、前記直交方向に往復移動するとともに蒸気を噴出することを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。 It said point-like evaporation source, vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the jetting steam with reciprocates in the perpendicular direction.
  3. 前記点状蒸着源の前記直交方向の移動範囲は、前記基板の幅よりも広いことを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。 The moving range in the perpendicular direction of the point-like evaporation source, vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the wider than the width of the substrate.
  4. 前記点状蒸着源部の各々は、前記直交方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源を備え、 Each of said point-like evaporation source unit includes a plurality of point-like evaporation source fixed installed along the perpendicular direction,
    前記複数の点状蒸着源は、所定のタイミングで切り替わって順次蒸気を噴出することを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。 Wherein the plurality of point deposition source, the vapor deposition apparatus according to claim 1, characterized in that ejecting successively vapor switched at a predetermined timing.
  5. 前記線状蒸着源の蒸気噴出口と、前記点状蒸着源部の蒸気噴出口とは、前記基板に対して傾斜しており、 A steam injection port of the linear deposition source, and the point-like evaporation source of the steam jets are inclined with respect to the substrate,
    前記線状蒸着源からの蒸気の噴出方向と直交する線と、前記点状蒸着源部からの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度は、180度より小さいことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の蒸着装置。 A line perpendicular to the ejection direction of the steam from the linear deposition source, the angle formed between a line perpendicular to the ejection direction of the steam from said point-like evaporation source unit claims, characterized in that less than 180 degrees deposition apparatus according to any one of 1 to 4.
  6. 前記線状蒸着源の蒸気噴出口の一部を遮蔽する遮蔽板が備えられることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の蒸着装置。 Deposition apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that shielding plates for shielding a portion of the steam jet port of the linear evaporation source is provided.
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