JP2012122768A - Method for measuring thin film element using optical multi-wavelength interferometry - Google Patents

Method for measuring thin film element using optical multi-wavelength interferometry Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for measuring a thin film element using an optical multi-wavelength interferometry.SOLUTION: A method for measuring a film element using an optical multi-wavelength interferometry is revealed. This invention uses reflection coefficients of a thin film at different wavelengths to measure a thickness and optical constants of the thin film. A phase difference derived from a phase difference between test and reference surfaces is distinguished from that derived from a spatial path difference between reference and test beams by performing measurement at different wavelengths, because these phase differences change in different ways as the measuring wavelength changes. A reflection phase is then acquired. A reflection coefficient of the thin film is obtained by combination with the measured reflectance of the thin film. The reflection coefficients at respective points are collected to calculate the thickness and a two-dimensional optical constant distribution of the thin film. A surface profile is found through the spatial path differences between reference and test beams. These are measured by a dynamic interferometer to avoid a vibration influence.

Description

本発明は薄膜測定の方法に係り、特に、光学マルチ波長インターフェロメトリー（Optical Multi-wavelength Interferometry）を使用した薄膜素子測定方法に関する。   The present invention relates to a method for measuring a thin film, and more particularly, to a method for measuring a thin film element using optical multi-wavelength interferometry.

今日、非接触測光の透過と反射強度スペクトルは、一般に、薄膜の光学定数と厚さを知るのに用いられる。しかし、測定精度はエリプソメータ測定より低く、それはエリプソメータ測定は、コーティングの反射マグニチュートと位相の両方を同時に測定して答えの精確さを増すためである。しかしながら、エリプソメータは薄膜の２次元厚さと光学定数を測定することはできない。基板表面の輪郭及び残留圧力はエリプソメータでは知ることができない。   Today, non-contact photometric transmission and reflection intensity spectra are commonly used to determine the optical constants and thickness of thin films. However, the measurement accuracy is lower than the ellipsometer measurement because the ellipsometer measurement simultaneously measures both the reflection magnitude and phase of the coating to increase the accuracy of the answer. However, the ellipsometer cannot measure the two-dimensional thickness and optical constant of the thin film. The contour of the substrate surface and the residual pressure cannot be known with an ellipsometer.

最近の研究では、干渉計において反射の大きさ（ｍｇｎｉｔｕｄｅ）を使用して厚さと屈折率を計算し、位相を測定して表面輪郭を得ている。しかしながら、エリプソメータとは異なり、それはスペクトル位相と大きさの両方を同時に使用することで精度を高めることはないため、抗振動能力は有していない。   In a recent study, the thickness and refractive index are calculated using the reflection magnitude (mgnitude) in an interferometer, and the phase is measured to obtain the surface profile. However, unlike ellipsometers, it does not have anti-vibration capability because it does not increase accuracy by using both spectral phase and magnitude simultaneously.

本発明の目的は、新規な測定方法を提供することにある。薄膜の物理的性質測定により、測定情報は光学インターフェロメトリーを使用して獲得される。   An object of the present invention is to provide a novel measurement method. By measuring the physical properties of the thin film, measurement information is obtained using optical interferometry.

マルチ波長インターフェロメトリーを使用しての薄膜素子光学測定方法が開示される。本発明は、異なる波長での薄膜の反射係数を使用して薄膜の厚さと光学定数を測定する。試験薄膜サンプルは、光学干渉計で測定される。白色光が、狭帯域フィルタ或いは分散素子により測定において異なる波長に分離される。試験及び参考表面の間の反射位相差由来の位相差は、異なる波長での測定を行うことで参考及び試験光束の間の空間経路差由来の位相差と区別され、なぜならそれらは測定波長が変化するにつれて異なる方式で変化するためである。反射位相がそれから得られる。薄膜素子の測定反射率と組み合わされて、薄膜の反射係数が得られる。各点の垂直入射光下での反射係数を集め、二次元の薄膜厚さと光学定数分布が計算される。表面輪郭もまた、参考及び試験光束間の空間経路差を通して知られる。これらは偏光干渉計と画素化位相マスクカメラを包含した動的干渉計で測定されることで、振動影響が回避される。   A thin film device optical measurement method using multi-wavelength interferometry is disclosed. The present invention uses thin film reflection coefficients at different wavelengths to measure thin film thickness and optical constants. The test thin film sample is measured with an optical interferometer. White light is separated into different wavelengths in the measurement by narrowband filters or dispersive elements. The phase difference due to the reflection phase difference between the test and reference surfaces is distinguished from the phase difference due to the spatial path difference between the reference and test beams by measuring at different wavelengths, because they change the measurement wavelength Because it changes in different ways. A reflection phase is then obtained. Combined with the measured reflectivity of the thin film element, the reflection coefficient of the thin film is obtained. The reflection coefficients of each point under normal incident light are collected, and the two-dimensional thin film thickness and optical constant distribution are calculated. The surface contour is also known through the spatial path difference between the reference and test beams. These are measured by a dynamic interferometer including a polarization interferometer and a pixelated phase mask camera, thereby avoiding vibration effects.

請求項１の発明は、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、
異なる波長の参考光束と試験光束を使用して、干渉計を用いて薄膜を測定し、該試験光束は試験表面に反射されて、第１反射光束を形成し、該参考光線は参考表面に反射されて、第２反射光束を形成し、
該第１反射光束と該第２反射光束はそれぞれ互いに干渉し、該薄膜は該試験表面上に成長し、
光検出素子を使用して反射参考光束と反射試験光束を受信し、反射光束の光の強度に一致する試験表面の反射率を得て、
該光検出素子が干渉光束を受け取り、該干渉光束に一致する複数の位相を得て、
該薄膜の位相と反射率に一致する該薄膜の各層の厚さと光学定数を得るステップを包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項２の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該試験表面は薄膜表面であることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項３の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、異なる波長の参考光束と試験光束を使用して、干渉計を用いて薄膜を測定するステップでは、該干渉計は、光フィルタ素子或いは光分散素子を通して異なる波長の該第１反射光束と該第２反射光束を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項４の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該干渉計は、各画素上の光強度と位相を測定するための光検出素子を包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項５の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該光検出素子は画素化位相マスクカメラであり、その各画素検出ユニットの位相シフトは周囲の隣接する画素と異なることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項６の発明は、請求後５記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該画素化位相マスクカメラは、偏光板が結合された複屈折結晶アレイアライン画素アレイであることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項７の発明は、請求後５記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該画素化位相マスクカメラは、４分の１波長板が結合された偏光板アレイアライン画素アレイであることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項８の発明は、請求後５記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該画素化位相マスクカメラは、画素を包含し、該画素は４画素ごとに１ユニットとして設定され、各ユニットは位相として記録されることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項９の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該光検出素子が干渉光束を受け取り、該干渉光束に一致する複数の位相を得るステップでは、該光検出素子は全ての反射光を受け取り異なる位相シフトインターフェログラムを生成し、それから該干渉計が該位相シフトインターフェログラムに一致する位相を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項１０の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該光検出素子が干渉光束を受け取り、該干渉光束に一致する複数の位相を得るステップでは、位相シフトアルゴリズムを使用して参考表面と試験表面からの反射光束間の位相差を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項１１の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、反射光束の光の強度に一致する試験表面の反射率を得るステップでは、参考光束と試験光束の強度を比較することにより該反射率を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項１２の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、異なる波長の参考光束と試験光束を使用して、干渉計を用いて薄膜を測定するステップでは、マルチ波長における薄膜の反射率と、異なる波長における参考光束と試験光束の位相差データを使用して、該薄膜の反射係数と、試験光線と参考光線間の空間経路差を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項１３の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該薄膜の位相と反射率に一致する該薄膜の各層の厚さと光学定数を得るステップでは、反射係数を使用して該薄膜の光学定数と厚さを得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項１４の発明は、請求後１３記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、各空間点データを収集して厚さと光学定数の２次元分布を得るステップをさらに包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。
請求項１５の発明は、請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、各空間点の参考光線と試験光線の間の経路差に一致する薄膜の表面輪郭を検出するステップをさらに包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法としている。 The invention of claim 1 is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry.
Using a reference beam and a test beam of different wavelengths, the thin film is measured using an interferometer, the test beam is reflected on the test surface to form a first reflected beam, and the reference beam is reflected on the reference surface A second reflected light flux is formed,
The first reflected light beam and the second reflected light beam interfere with each other, and the thin film grows on the test surface;
Receive the reflected reference light beam and the reflected test light beam using the light detection element, obtain the reflectivity of the test surface that matches the light intensity of the reflected light beam,
The photodetection element receives the interference light beam, obtains a plurality of phases matching the interference light beam,
A method of measuring a thin film element using optical multi-wavelength interferometry, comprising the step of obtaining the thickness and optical constant of each layer of the thin film that matches the phase and reflectance of the thin film.
The invention of claim 2 is the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein the test surface is a thin film surface. The measurement method.
According to a third aspect of the present invention, in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to the first aspect, the step of measuring a thin film using an interferometer using a reference light beam and a test light beam of different wavelengths The interferometer is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry, wherein the first reflected light beam and the second reflected light beam having different wavelengths are obtained through an optical filter element or a light dispersion element. .
According to a fourth aspect of the present invention, in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to the first aspect, the interferometer includes a light detecting element for measuring light intensity and phase on each pixel. This is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry.
The invention of claim 5 is the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein the photodetecting element is a pixelated phase mask camera, and the phase shift of each pixel detecting unit is It is a thin-film element measurement method using optical multi-wavelength interferometry, which is different from adjacent pixels.
The invention of claim 6 is the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 5, wherein the pixelated phase mask camera is a birefringent crystal array aligned pixel array to which a polarizing plate is coupled. It is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry.
The invention according to claim 7 is the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 5, wherein the pixelated phase mask camera is a polarizing plate array aligned pixel array in which quarter-wave plates are combined. It is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry, characterized by
The invention according to claim 8 is the thin film element measurement method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 5, wherein the pixelated phase mask camera includes pixels, and the pixels are set as one unit for every four pixels. Each unit is recorded as a phase, which is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry.
The invention of claim 9 is the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein the photodetecting element receives the interference light beam and obtains a plurality of phases matching the interference light beam. The optical detection element receives all reflected light and generates different phase shift interferograms from which the interferometer obtains a phase that matches the phase shift interferogram The thin film element measurement method is used.
According to a tenth aspect of the present invention, in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to the first aspect, in the step of receiving the interference light flux and obtaining a plurality of phases matching the interference light flux, A thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry is characterized in that a phase difference between reflected light beams from a reference surface and a test surface is obtained using a phase shift algorithm.
According to the eleventh aspect of the present invention, in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to the first aspect, in the step of obtaining the reflectance of the test surface that matches the light intensity of the reflected light flux, The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry is characterized in that the reflectivity is obtained by comparing the intensities of the thin films.
According to a twelfth aspect of the present invention, in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to the first aspect, the step of measuring a thin film using an interferometer using a reference beam and a test beam having different wavelengths Using the reflectance of the thin film at multiple wavelengths and the phase difference data of the reference beam and the test beam at different wavelengths, the reflection coefficient of the thin film and the spatial path difference between the test beam and the reference beam are obtained. This is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry.
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to the first aspect, in the step of obtaining the thickness and optical constant of each layer of the thin film that matches the phase and reflectance of the thin film, The thin-film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry is characterized in that the optical constant and thickness of the thin film are obtained using a reflection coefficient.
The invention of claim 14 further includes a step of collecting each spatial point data to obtain a two-dimensional distribution of thickness and optical constant in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 13. It is a thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry.
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to the first aspect, the surface contour of the thin film that matches the path difference between the reference beam and the test beam at each spatial point is detected. A thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry, further comprising a step.

本発明は、試験フィルムからの反射大きさと位相の両方を利用し、光学定数と厚さを解き、解答の精度を上げる。該測定システムは非接触及び抗振動のシステムとされ得る。それは表面輪郭を含む薄膜素子測定のグローバルな機能を提供する。   The present invention uses both the reflection magnitude and the phase from the test film to solve the optical constant and thickness, thereby increasing the accuracy of the answer. The measurement system can be a non-contact and anti-vibration system. It provides a global function of thin film device measurement including surface contours.

本発明の好ましい実施例による測定装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the measuring apparatus by the preferable Example of this invention. 本発明の好ましい実施例による画素化位相マスクカメラ上の偏光板分布を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the polarizing plate distribution on the pixelated phase mask camera by the preferable Example of this invention. 本発明の好ましい実施例によるフローチャートである。3 is a flowchart according to a preferred embodiment of the present invention. 本発明の好ましい実施例によるマルチ波長の測定を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating multi-wavelength measurements according to a preferred embodiment of the present invention.

本発明は添付の図面に対する詳しい説明により、さらに理解されるが、それは本発明を限定するものではない。   The present invention will be further understood by the detailed description of the accompanying drawings, which do not limit the invention.

本発明は添付の図面を参照してなされる以下の詳しい説明により、明確となるが、そのうち、同じ参照番号は同じ素子に関係する。   The present invention will become apparent from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings, in which like reference numerals refer to like elements.

本発明において、薄膜の反射係数の大きさ（ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）と位相のいずれもが周知の白色光干渉計或いは動的白色光干渉計で得られ、それは振動及び乱気流抵抗を有する薄膜の光学定数と厚さを得るため光学偏光干渉計と画素化位相マスクカメラを包含する。   In the present invention, both the magnitude and phase of the reflection coefficient of the thin film are obtained with a well-known white light interferometer or dynamic white light interferometer, which is the optical constant and thickness of the thin film having vibration and turbulence resistance. It includes an optical polarization interferometer and a pixelated phase mask camera to achieve this.

干渉計で測定される位相は参考光束と試験光束の間の位相差である。それは二つの部分で構成されている。すなわち、参考表面と薄膜表面の間の空間経路長差と反射位相差である。位相と強度のマルチ波長測定がこれら二つの部分を分離するのに使用され、なぜなら、それらは全て、測定波長が変化する解き、異なる方式で変化するためである。   The phase measured by the interferometer is the phase difference between the reference beam and the test beam. It consists of two parts. That is, the spatial path length difference and the reflection phase difference between the reference surface and the thin film surface. Multi-wavelength measurements of phase and intensity are used to separate these two parts because they all change in different ways, solving the measurement wavelength changing.

図１を参照されたい。マルチ波長光学装置１０は、光源１０１、コリメータ１０２、偏光板１０３、偏光ビームスプリッタ１０４、二つの４分の１波長板１０５、１０６、参考表面１０７、試験表面１０８、４分の１波長板１０９、狭帯域フィルタ１１０、撮像レンズ１１１及び検出素子１１２を包含する。   Please refer to FIG. The multi-wavelength optical device 10 includes a light source 101, a collimator 102, a polarizing plate 103, a polarizing beam splitter 104, two quarter-wave plates 105 and 106, a reference surface 107, a test surface 108, a quarter-wave plate 109, A narrow band filter 110, an imaging lens 111, and a detection element 112 are included.

該試験表面１０８は薄膜表面である。該検出素子１１２は画素化位相マスクカメラであり、それは偏光板に結合され複屈折結晶アレイがアラインされた画素アレイか、４分の１波長板が結合されて偏光板アレイがアラインされた画素マトリクスであり、位相をキャプチャする。   The test surface 108 is a thin film surface. The detection element 112 is a pixelated phase mask camera, which is a pixel array coupled to a polarizing plate and aligned with a birefringent crystal array, or a pixel matrix in which a quarter wave plate is combined and the polarizing plate array is aligned. And capture the phase.

光源１０１はコリメータ１０２の一側に配置される。偏光板１０３はコリメータ１０２の反対側に配置される。偏光板１０３はまた偏光ビームスプリッタ１０４の第１側に配置される。   The light source 101 is disposed on one side of the collimator 102. The polarizing plate 103 is disposed on the opposite side of the collimator 102. The polarizing plate 103 is also disposed on the first side of the polarizing beam splitter 104.

４分の１波長板１０５の一側は、偏光ビームスプリッタ１０４の第２側に配置され、４分の１波長板１０６の一側は、偏光ビームスプリッタ１０４の第３側に配置される。参考表面１０７が４分の１波長板１０５の別側に配置され、試験表面１０８は該４分の１波長板１０６の別側に配置される。   One side of the quarter wave plate 105 is disposed on the second side of the polarization beam splitter 104, and one side of the quarter wave plate 106 is disposed on the third side of the polarization beam splitter 104. A reference surface 107 is disposed on the other side of the quarter wave plate 105 and a test surface 108 is disposed on the other side of the quarter wave plate 106.

４分の１波長板１０９の一側は偏光ビームスプリッタ１０４の第４側に配置される。狭帯域フィルタ１１０の一側は４分の１波長板１０９の別側に配置される。   One side of the quarter wave plate 109 is disposed on the fourth side of the polarization beam splitter 104. One side of the narrow band filter 110 is arranged on the other side of the quarter wave plate 109.

撮像レンズ１１１は狭帯域フィルタ１１０と検出素子１１２の間に配置される。   The imaging lens 111 is disposed between the narrow band filter 110 and the detection element 112.

図１に示されるように、光線は、白色光源１０１から発射された後、コリメータ１０２により平行にされる。平行にされた光は偏光板１０３を通過し、それは二つの直交する偏光間の強度比を調整するのに用いられる。   As shown in FIG. 1, the light beam is emitted from the white light source 101 and then collimated by the collimator 102. The collimated light passes through the polarizer 103, which is used to adjust the intensity ratio between the two orthogonal polarizations.

該偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１０４は二つの直交する偏光をトワイマン−グリーン干渉計の異なるアームに分離する。   The polarizing beam splitter (PBS) 104 separates two orthogonal polarizations into different arms of a Twiman-Green interferometer.

該二つの４分の１波長板１０５、１０６は該偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１０４の周囲に配置されて、一つの参考表面１０７より反射されたＳ偏光をＰ偏光に変換し、試験表面から反射されたＰ偏光をＳ偏光に、それぞれ変換するように配向される。狭帯域フィルタ１１０の前方の４分の１波長板１０９を通過した後、それらは右旋及び左旋円偏光に、それぞれ変換される。   The two quarter-wave plates 105 and 106 are arranged around the polarizing beam splitter (PBS) 104 to convert S-polarized light reflected from one reference surface 107 into P-polarized light and reflect it from the test surface. Oriented so as to convert the P-polarized light into S-polarized light, respectively. After passing through the quarter-wave plate 109 in front of the narrowband filter 110, they are converted into right-handed and left-handed circularly polarized light, respectively.

これらの二つの光束は、線形偏光板を通過した後、互いに干渉する。もし偏光板がｘ軸に対してα角偏向していると、強度は以下のとおりである。

Figure 2012122768
そのうちＩT 及びＩR はそれぞれ試験表面と参考表面からの強度である。δm は二つの光束間の測定位相差である。撮像レンズ１１１を通過した後、光束は検出素子１１２に向かう。該システムの該検出素子は画素化位相マスクカメラであり、隣接する画素は、図２のように異なる配向の偏光板を有する。ユニット２０１、２０２、２０３、２０４中に四つの異なる偏光板があり得て、ユニットはＣＣＤアレイ中に周期的に分配されている。 These two light beams interfere with each other after passing through the linear polarizer. If the polarizing plate is deflected by α angle with respect to the x-axis, the intensity is as follows.
Figure 2012122768
 Of which I T and I R is the intensity from a reference surface, respectively the test surface. δ m is the measured phase difference between the two light beams. After passing through the imaging lens 111, the light beam travels toward the detection element 112. The detection element of the system is a pixelated phase mask camera, and adjacent pixels have polarizing plates with different orientations as shown in FIG. There can be four different polarizers in the units 201, 202, 203, 204, and the units are periodically distributed in the CCD array.

図３は対応する位相シフトがカメラのＣＣＤアレイ上に引き起こされるのを示す。カメラ上の０°、４５°、−４５°、９０°に異なる偏光板があり、それらは四つの位相シフトインターフェログラムを一度に位相シフトアルゴリズムのために生成する。ゆえにδmが、振動影響を回避するため圧電トランスデューサーにより参考アームを移動させることなく獲得される。 FIG. 3 shows that the corresponding phase shift is caused on the camera CCD array. There are different polarizers at 0 °, 45 °, −45 °, 90 ° on the camera, which generate four phase shift interferograms at a time for the phase shift algorithm. Therefore, δ m is obtained without moving the reference arm by the piezoelectric transducer to avoid vibration effects.

位相は先に解かれなければならず、それから傾斜が除去される。複数のフレームで得られたデータは平均されて乱気流影響が除去される。   The phase must be solved first, and then the slope is removed. Data obtained in a plurality of frames are averaged to remove the influence of turbulence.

狭帯域フィルタは測定波長を分離或いは選択するのに使用される。それは分散素子、たとえば回折格子に置き換えられ得て、マルチ波長測定を一度に行うのに供される。   Narrowband filters are used to separate or select the measurement wavelengths. It can be replaced by a dispersive element, for example a diffraction grating, to serve for performing multi-wavelength measurements at once.

もし、我々が測定波長を変更するなら、反射係数ｒｅｉδｒは等式（２）により変えられる。

Figure 2012122768
ｎは屈折率、δT は光学位相厚さである。ｎs は基板の屈折率である。それらは全て波長変化に伴い変化する。光線が垂直入射するため、数学的表現はエリプソメータにおける間接入射よりもずっと簡単である。ｒは、反射係数の大きさであり、参考アームがブロックされた時の、試験及び参考サンプルの間の反射率比較により測定される。 If we change the measurement wavelength, the reflection coefficient reiδr can be changed by equation (2).
Figure 2012122768
 n is the refractive index, the [delta] T is the optical phase thickness. n s is the refractive index of the substrate. They all change with wavelength changes. Due to the normal incidence of the rays, the mathematical representation is much simpler than indirect incidence in an ellipsometer. r is the magnitude of the reflection coefficient, measured by the reflectance comparison between the test and the reference sample when the reference arm is blocked.

空間経路差δは波長因子により簡単に変えられ、すなわち、δ’＝（λ／λ’）δである。δ及びδｒ及びｒは波長が変わると異なる方式で変わるため、マルチ波長測定によりδをδｒより区別することができる。   The spatial path difference δ can be easily changed by the wavelength factor, ie δ ′ = (λ / λ ′) δ. Since δ and δr and r change in different ways when the wavelength changes, δ can be distinguished from δr by multi-wavelength measurement.

マルチレイヤー測定については、等式（２）におけるｎs は、マルチレイヤー薄膜スタックにおける前層の等価光学アドミタンスでなければならない。ゆえに、光学定数及び厚さが等式（２）により得られる。各ユニットセットのデータを、カメラのＣＣＤアレイより収集し、厚さと光学定数の２次元分布が分かる。δは表面輪郭を検出するのに使用され得る。 For multi-layer measurements, n s in equation (2) must be equivalent optical admittance of the previous layer in a multi-layer film stack. Therefore, the optical constant and thickness are obtained by equation (2). Data of each unit set is collected from the CCD array of the camera, and the two-dimensional distribution of thickness and optical constant can be known. δ can be used to detect surface contours.

図３を参照されたい。光学マルチ波長インターフェロメトリーを使用した薄膜素子測定方法が、薄膜の厚さと屈折率を測定するために提供される。   Please refer to FIG. A thin film device measurement method using optical multi-wavelength interferometry is provided for measuring thin film thickness and refractive index.

ステップＳ１００として、動的干渉計１０により、参考光束と試験光束を使用して、薄膜が測定される。該試験光束は試験表面１０８に反射されて、第１反射光束を形成する。参考光線は参考表面１０７に反射されて、第２反射光束を形成する。   In step S100, the thin film is measured by the dynamic interferometer 10 using the reference light beam and the test light beam. The test beam is reflected by the test surface 108 to form a first reflected beam. The reference light beam is reflected by the reference surface 107 to form a second reflected light beam.

第１反射光束と第２反射光束はそれぞれ互いに干渉する。それから、検出素子１１２を使用して反射参考光束と反射試験光束を受信し、反射光束の位相を解いて、反射光束の傾斜と収差を除去し、複数のフレームの位相を平均して乱気流の影響を除去する。   The first reflected light beam and the second reflected light beam interfere with each other. Then, the reflected reference light beam and the reflected test light beam are received using the detection element 112, the phase of the reflected light beam is solved, the inclination and aberration of the reflected light beam are removed, and the phases of a plurality of frames are averaged to influence the turbulence Remove.

ステップＳ１０２として、連続的に参考アームと試験アームをブロックすることで参考光束と試験光束間の強度を比較し、反射光束の強度による試験表面の反射率を得るため試験表面（薄膜）の反射率を計算する。   In step S102, the reference arm and the test arm are continuously blocked to compare the intensities between the reference beam and the test beam, and to obtain the reflectivity of the test surface according to the intensity of the reflected beam, the reflectivity of the test surface (thin film) Calculate

ステップＳ１０４として、全ての波長を記録する。   In step S104, all wavelengths are recorded.

ステップＳ１０６に進み、参考光線と試験光線間の測定位相差と薄膜の反射率を使用し、各層の光学定数と厚さを得て、参考光線と試験光線間の空間経路差を得る。   Proceeding to step S106, the measured phase difference between the reference beam and the test beam and the reflectance of the thin film are used to obtain the optical constant and thickness of each layer, and the spatial path difference between the reference beam and the test beam is obtained.

最後に、ステップＳ１０８として、各ユニットのデータを収集し、薄膜の厚さと光学定数の分布、及び表面輪郭を得る。   Finally, in step S108, data of each unit is collected to obtain the thickness of the thin film, the distribution of optical constants, and the surface contour.

Figure 2012122768
Figure 2012122768

表１は本発明の５つの波長測定とエリプソメータの１００個の波長測定の平均実験結果を示す。図４から、屈折率と厚さの測定結果の精度は、５つの波長の反射率のみが提供されるだけならば、低いことが示される。しかし、測定精度は、位相測定が加えられることにより、大きく改善される。   Table 1 shows the average experimental results of the five wavelength measurements of the present invention and the 100 wavelength measurements of the ellipsometer. FIG. 4 shows that the accuracy of the refractive index and thickness measurement results is low if only five wavelength reflectances are provided. However, the measurement accuracy is greatly improved by adding the phase measurement.

また、本発明は簡易な構造と動作原理を有する振動鈍感システムを提供する。それはエリプソメータの全ての利点を有するのみならず、薄膜の均一性と表面輪郭を測定できる。それはＬＣＤディスプレイ、半導体のような薄膜でコーティングされた大サイズのパターン化されたあらゆる基板の生産の高精度オンライン試験に供され得る。   The present invention also provides a vibration insensitive system having a simple structure and operating principle. Not only does it have all the advantages of an ellipsometer, it can also measure thin film uniformity and surface contours. It can be subjected to high precision on-line testing of production of any large size patterned substrate coated with thin film like LCD display, semiconductor.

以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。   The above description is only an example of the present invention, and does not limit the scope of the present invention. Any equivalent changes and modifications that can be made based on the scope of the claims of the present invention are all described in the present invention. Shall belong to the scope covered by the rights.

１０ マルチ波長光学装置
１０１ 光源
１０２ コリメータ
１０３ 偏光板
１０４ 偏光ビームスプリッタ
１０５、１０６ ４分の１波長板
１０７ 参考表面
１０８ 試験表面
１０９ ４分の１波長板
１１０ 狭帯域フィルタ
１１１ 撮像レンズ
１１２ 検出素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Multi-wavelength optical apparatus 101 Light source 102 Collimator 103 Polarizing plate 104 Polarizing beam splitter 105, 106 Quarter wave plate 107 Reference surface 108 Test surface 109 Quarter wave plate 110 Narrow band filter 111 Imaging lens 112 Detection element

Claims (15)

光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、
異なる波長の参考光束と試験光束を使用して、干渉計を用いて薄膜を測定し、該試験光束は試験表面に反射されて、第１反射光束を形成し、該参考光線は参考表面に反射されて、第２反射光束を形成し、
該第１反射光束と該第２反射光束はそれぞれ互いに干渉し、該薄膜は該試験表面上に成長し、
光検出素子を使用して反射参考光束と反射試験光束を受信し、反射光束の光の強度に一致する試験表面の反射率を得て、
該光検出素子が干渉光束を受け取り、該干渉光束に一致する複数の位相を得て、
該薄膜の位相と反射率に一致する該薄膜の各層の厚さと光学定数を得るステップを包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。 In the thin film element measurement method using optical multi-wavelength interferometry,
Using a reference beam and a test beam of different wavelengths, the thin film is measured using an interferometer, the test beam is reflected on the test surface to form a first reflected beam, and the reference beam is reflected on the reference surface A second reflected light flux is formed,
The first reflected light beam and the second reflected light beam interfere with each other, and the thin film grows on the test surface;
Receive the reflected reference light beam and the reflected test light beam using the light detection element, obtain the reflectivity of the test surface that matches the light intensity of the reflected light beam,
The photodetection element receives the interference light beam, obtains a plurality of phases matching the interference light beam,
A method of measuring a thin film element using optical multi-wavelength interferometry, comprising the step of obtaining the thickness and optical constant of each layer of the thin film that matches the phase and reflectance of the thin film. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該試験表面は薄膜表面であることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein the test surface is a thin film surface. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、異なる波長の参考光束と試験光束を使用して、干渉計を用いて薄膜を測定するステップでは、該干渉計は、光フィルタ素子或いは光分散素子を通して異なる波長の該第１反射光束と該第２反射光束を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   In the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, in the step of measuring a thin film using an interferometer using a reference light beam and a test light beam having different wavelengths, the interferometer A thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry, wherein the first reflected light beam and the second reflected light beam having different wavelengths are obtained through a filter element or a light dispersion element. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該干渉計は、各画素上の光強度と位相を測定するための光検出素子を包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein the interferometer includes a light detecting element for measuring light intensity and phase on each pixel. Thin film element measurement method using multi-wavelength interferometry. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該光検出素子は画素化位相マスクカメラであり、その各画素検出ユニットの位相シフトは周囲の隣接する画素と異なることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein the light detecting element is a pixelated phase mask camera, and a phase shift of each pixel detecting unit is different from surrounding neighboring pixels. A thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry. 請求後５記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該画素化位相マスクカメラは、偏光板が結合された複屈折結晶アレイアライン画素アレイであることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 5, wherein the pixelated phase mask camera is a birefringent crystal array aligned pixel array to which a polarizing plate is coupled. Thin film element measurement method using wavelength interferometry. 請求後５記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該画素化位相マスクカメラは、４分の１波長板が結合された偏光板アレイアライン画素アレイであることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   6. The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 5, wherein the pixelated phase mask camera is a polarizing plate array aligned pixel array in which quarter-wave plates are combined. Thin film element measurement method using optical multi-wavelength interferometry. 請求後５記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該画素化位相マスクカメラは、画素を包含し、該画素は４画素ごとに１ユニットとして設定され、各ユニットは位相として記録されることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   6. The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 5, wherein the pixelated phase mask camera includes pixels, and the pixels are set as one unit every four pixels, and each unit is set as a phase. A thin-film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry, characterized by being recorded. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該光検出素子が干渉光束を受け取り、該干渉光束に一致する複数の位相を得るステップでは、該光検出素子は全ての反射光を受け取り異なる位相シフトインターフェログラムを生成し、それから該干渉計が該位相シフトインターフェログラムに一致する位相を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein in the step of receiving the interference light beam and obtaining a plurality of phases matching the interference light beam, the light detection element A method for measuring thin film elements using optical multi-wavelength interferometry, characterized by receiving reflected light and generating different phase shift interferograms, from which the interferometer obtains a phase that matches the phase shift interferogram. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該光検出素子が干渉光束を受け取り、該干渉光束に一致する複数の位相を得るステップでは、位相シフトアルゴリズムを使用して参考表面と試験表面からの反射光束間の位相差を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, wherein the step of receiving the interference light beam and obtaining a plurality of phases matching the interference light beam uses a phase shift algorithm. A thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry, characterized by obtaining a phase difference between reflected light beams from a reference surface and a test surface. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、反射光束の光の強度に一致する試験表面の反射率を得るステップでは、参考光束と試験光束の強度を比較することにより該反射率を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   In the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, the step of obtaining the reflectivity of the test surface that matches the light intensity of the reflected light beam is performed by comparing the intensity of the reference light beam and the test light beam. A method for measuring a thin film element using optical multi-wavelength interferometry, wherein the reflectance is obtained. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、異なる波長の参考光束と試験光束を使用して、干渉計を用いて薄膜を測定するステップでは、マルチ波長における薄膜の反射率と、異なる波長における参考光束と試験光束の位相差データを使用して、該薄膜の反射係数と、試験光線と参考光線間の空間経路差を得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   In the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, the step of measuring a thin film using an interferometer using a reference light beam and a test light beam of different wavelengths includes reflecting the thin film at multiple wavelengths. Optical multi-wavelength interferometer, characterized in that the reflection coefficient of the thin film and the spatial path difference between the test beam and the reference beam are obtained using the phase difference data of the reference beam and the test beam at different wavelengths. Thin film element measurement method using a meter. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、該薄膜の位相と反射率に一致する該薄膜の各層の厚さと光学定数を得るステップでは、反射係数を使用して該薄膜の光学定数と厚さを得ることを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   In the thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, the step of obtaining the thickness and the optical constant of each layer of the thin film that matches the phase and reflectance of the thin film uses a reflection coefficient. A thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry, characterized by obtaining an optical constant and a thickness of a thin film. 請求後１３記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、各空間点データを収集して厚さと光学定数の２次元分布を得るステップをさらに包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   14. The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 13, further comprising the step of collecting each spatial point data to obtain a two-dimensional distribution of thickness and optical constant. Thin film element measurement method using wavelength interferometry. 請求後１記載の光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法において、各空間点の参考光線と試験光線の間の経路差に一致する薄膜の表面輪郭を検出するステップをさらに包含することを特徴とする、光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法。   The thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry according to claim 1, further comprising the step of detecting a surface contour of the thin film that matches a path difference between the reference beam and the test beam at each spatial point. A thin film element measuring method using optical multi-wavelength interferometry.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6371926B1 (en) * 2018-01-29 2018-08-08 大塚電子株式会社 Optical measuring apparatus and optical measuring method
US10288412B2 (en) 2017-06-05 2019-05-14 Otsuka Electronics Co., Ltd. Optical measurement apparatus and optical measurement method
CN113587844A (en) * 2021-07-27 2021-11-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Phase-shifting interferometry system and method

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5288361A (en) * 1976-01-19 1977-07-23 Canon Inc Measuring method using interferometer
JPH09119812A (en) * 1995-06-06 1997-05-06 Holtronic Technol Ltd Method and device for featuring multilayered film structure and measuring distance between two planes directly facing film thereof
JP2007086720A (en) * 2005-08-23 2007-04-05 Photonic Lattice Inc Polarization imaging device
JP2008082811A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Japan Steel Works Ltd:The Optical characteristic measuring method and optical characteristic measuring instrument for thin film
JP2008528972A (en) * 2005-01-20 2008-07-31 ザイゴ コーポレーション Interferometer for determining object surface characteristics
JP2009058533A (en) * 2007-08-07 2009-03-19 Panasonic Corp Normal line information forming device and method
JP2010109763A (en) * 2008-10-30 2010-05-13 Fujifilm Corp Calculation device, imaging apparatus, calculation method, method, and program
JP2010190722A (en) * 2009-02-18 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp Method and device for inspecting defect
JP2010256138A (en) * 2009-04-23 2010-11-11 Canon Inc Imaging apparatus and method for controlling the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5288361A (en) * 1976-01-19 1977-07-23 Canon Inc Measuring method using interferometer
JPH09119812A (en) * 1995-06-06 1997-05-06 Holtronic Technol Ltd Method and device for featuring multilayered film structure and measuring distance between two planes directly facing film thereof
JP2008528972A (en) * 2005-01-20 2008-07-31 ザイゴ コーポレーション Interferometer for determining object surface characteristics
JP2007086720A (en) * 2005-08-23 2007-04-05 Photonic Lattice Inc Polarization imaging device
JP2008082811A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Japan Steel Works Ltd:The Optical characteristic measuring method and optical characteristic measuring instrument for thin film
JP2009058533A (en) * 2007-08-07 2009-03-19 Panasonic Corp Normal line information forming device and method
JP2010109763A (en) * 2008-10-30 2010-05-13 Fujifilm Corp Calculation device, imaging apparatus, calculation method, method, and program
JP2010190722A (en) * 2009-02-18 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp Method and device for inspecting defect
JP2010256138A (en) * 2009-04-23 2010-11-11 Canon Inc Imaging apparatus and method for controlling the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10288412B2 (en) 2017-06-05 2019-05-14 Otsuka Electronics Co., Ltd. Optical measurement apparatus and optical measurement method
US10309767B2 (en) 2017-06-05 2019-06-04 Otsuka Electronics Co., Ltd. Optical measurement apparatus and optical measurement method
JP6371926B1 (en) * 2018-01-29 2018-08-08 大塚電子株式会社 Optical measuring apparatus and optical measuring method
JP2018205295A (en) * 2018-01-29 2018-12-27 大塚電子株式会社 Optical measuring device and optical measuring method
CN113587844A (en) * 2021-07-27 2021-11-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Phase-shifting interferometry system and method

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