JP2012114469A - Lithographic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lithographic apparatus in which liquid can be drained through a gap between, for example, an edge of an object and a substrate table on which the object is disposed.SOLUTION: A liquid immersion lithographic apparatus includes a drain configured to drain liquid through a gap between an edge of a substrate and a substrate table on which the substrate is supported. The drain comprises: means for feeding the liquid to the drain regardless of a position of the substrate table; and/or means for saturating gas in the drain. These means reduce fluctuation of heat loss due to evaporation of the liquid in the drain.

Description

[0001] 本発明はリソグラフィ装置及びデバイスを製造する方法に関する。 [0001] The present invention relates to a process for producing a lithographic apparatus and a device.

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。 A lithographic apparatus, a desired pattern onto a substrate, usually a machine that applies a target portion of the substrate. リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)の製造に使用可能である。 The lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (IC). このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。 In such a case, it can be a patterning device, which is alternatively referred to as a mask or a reticle, to generate a circuit pattern to be formed on an individual layer of the IC. このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ又は幾つかのダイの一部を備える)に転写することができる。 This pattern can be transferred onto a substrate (e.g. a silicon wafer) on a target portion (e.g. comprising part of, one, or several dies). パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料(レジスト)の層への結像により行われる。 Transfer of the pattern is typically via imaging onto a layer of radiation-sensitive material (resist) provided on the substrate. 一般的に、1枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。 In general, a single substrate will contain a form of adjacent target portions that network that are successively patterned. 従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に1回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向)と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向(「スキャン」方向)に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。 Conventional lithographic apparatus, the entire pattern each target portion is irradiated by exposing the target portion in one go, and so-called steppers, synchronously scanning the substrate parallel or anti-parallel to the substrate with a predetermined direction (the "scanning" direction) while, by scanning the pattern through a radiation beam in a given direction (the "scanning" direction), each target portion is irradiated, and a so-called scanner. パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。 Also by imprinting the substrate a pattern, it is possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate.

[0003] リソグラフィ投影装置では、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。 [0003] In a lithographic projection apparatus, so as to fill a space between the final element of the projection system and the substrate, and the substrate has been proposed to immersion in a liquid having a relatively high refractive index, eg water. その要点は、より小さいフィーチャを結像可能にすることである。 The point of this is to enable imaging of smaller features. というのは、露光放射が、液体中の方が短い波長を有するからである。 Since the exposure radiation, it in the liquid because a short wavelength. (液体の効果は、システムの有効NA(レンズによって支持されている場合)を上げ、焦点深度も上げることと考えることもできる。)固体粒子(例えば石英)が浮遊している水などの他の液浸液が提案されている。 (The effect of the liquid, increasing the effective NA of the system (if supported by the lens) can be considered as increasing depth of focus.) Solid particles (e.g. quartz) to other, such as water and suspended the immersion liquid has been proposed.

[0004] しかし、基板を、又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと(例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許US4,509,852号参照)は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。 [0004] However, the substrate, or (see U.S. Pat. No. US4,509,852 entirety is incorporated herein by refer to, for example) to the substrate and the substrate table immersion in a bath of liquid, it is accelerated during a scanning exposure that there is a large body of liquid that must. これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。 This requires additional or more powerful motors, can cause unpredictable effects turbulence in the liquid is undesirable.

[0005] 提案されている解決法の1つは、液体供給システムが、液体封じ込めシステムを使用して、基板の局所区域及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである(基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する)。 [0005] One of the solutions proposed is for a liquid supply system using a liquid confinement system is to provide liquid on only in between the final element and the substrate of the local area and the projection system board (the substrate generally has a larger surface area than the final element of the projection system). これを配置構成するための1つの知られている方法が、参照により全体が本明細書に組み込まれるPCT特許公報WO99/49504号で開示されている。 One known method to arrange for this is entirely disclosed in PCT Patent Publication WO99 / ​​99/49504, incorporated herein by reference. 図2及び図3に図示されているように、液体が少なくとも1つの入口INによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口OUTによって除去される。 As illustrated in FIGS. 2 and 3, liquid on the substrate by at least one inlet IN, preferably along the direction of movement of the substrate relative to the final element, at least after having passed under the projection system It is removed by One outlet OUT. つまり、基板Wが−X方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の+X側にて供給され、−X側にて取り上げられる。 That is, as the substrate W is scanned beneath the element in a -X direction, liquid is supplied at the + X side of the element and taken up at the -X side. 図2は、液体が入口INを介して供給され、低圧源に接続された出口OUTによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。 2, the liquid is supplied via inlet IN, illustrates schematically the structure to be taken up on the other side of the element by outlet OUT which is connected to a low pressure source. 図2の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。 In the illustration of Figure 2 the liquid is supplied along the direction of movement of the substrate relative to the final element, though this does not need to be the case. 最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図3に図示され、ここでは各側に4組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。 Various orientations and numbers of in- and outlets positioned around the final element are possible, one example is illustrated in Figure 3 in which four sets of an inlet with an outlet on either side, around the final element regular It is provided in a pattern.

[0006] 局所的液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図4に図示されている。 [0006] A further immersion lithography solution with a localized liquid supply system is shown in Figure 4. 液体は、投影システムPLのいずれかの側にある2つの溝入口INによって供給され、入口INの半径方向外側に配置された複数の別個の出口OUTによって除去される。 Liquid is supplied by two groove inlets IN on either side of the projection system PL, it is removed by a plurality of discrete outlets OUT arranged radially outwardly of the inlets IN. 入口IN及びOUTは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。 The inlets IN and OUT, a hole in its center, can be arranged in a plate through which the projection beam is projected. 液体は、投影システムPLの一方側にある1つの溝入口INによって供給されて、投影システムPLの他方側にある複数の別個の出口OUTによって除去され、これによって投影システムPLと基板Wの間に液体の薄膜の流れが生じる。 Liquid is supplied by one groove inlet IN on one side of the projection system PL, is removed by a plurality of discrete outlets OUT on the other side of the projection system PL, whereby between the projection system PL and the substrate W flow of a thin film of liquid is caused. どの組合せの入口INと出口OUTを使用するかの選択は、基板Wの動作方向によって決定することができる(他の組合せの入口IN及び出口OUTは不活性である)。 Choice of which to use the combination of inlet IN and outlets OUT can be determined by the direction of movement of the substrate W (inlet IN and outlets OUT other combinations are inert).

[0007] 欧州特許出願公報EP1420300号及び米国特許出願公報US2004−0136494号(現在は米国特許US7,193,232号として特許されている)では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。 [0007] In European patent application publication EP1420300 and U.S. Patent Application Publication No. 2004-0136494 (are patented as now U.S. Patent No. US7,193,232), the idea of ​​a twin or dual stage immersion lithography apparatus is disclosed ing. このような装置には、基板を支持する2つのテーブルが設けられる。 Such devices, two tables for supporting a substrate is provided. 第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。 With a table at a first position, Leveling measurements are carried out in the absence immersion liquid, with a table at a second position, where immersion liquid is present, executes exposure. あるいは、装置は、1つのテーブルのみを有してもよい。 Alternatively, the apparatus may have only one table.

[0008] リソグラフィ装置内での液浸液の取り扱いは、液体取り扱いの1つ又は複数の問題を伴う。 [0008] Handling of the immersion liquid in a lithographic apparatus, with one or more of the problems of liquid handling. 基板及び/又はセンサなどのオブジェクトと、オブジェクト(例えば基板)のエッジの周囲の基板テーブルとの間に、通常はギャップが存在する。 An object such as a substrate and / or sensor, between the periphery of the substrate table edge object (e.g. a substrate), usually there is a gap. 米国特許出願公開US2005−0264778号は、ギャップが液体供給システムの下を通過する時の気泡内包物を回避する且つ/又は実際にギャップに入る液体を全て除去するために、そのギャップを材料で充填するか、液体源又は低圧源を提供して、ギャップを液体で意図的に充填することを開示している。 U.S. Patent Application Publication No. US2005-0264778, since the gap is to remove any and / or liquid actually entering the gap to avoid bubbles inclusions when passing under the liquid supply system, filling that gap with a material either, to provide a liquid source or a low pressure source, are gaps discloses the intentionally filled with liquid.

[0009] 例えばオブジェクトのエッジと、オブジェクトが配置されている基板テーブルとの間のギャップから、液体を除去することが望ましい。 [0009] and, for example, the edges of objects, from the gap between the substrate table object is located, it is desirable to remove the liquid. オブジェクトは、基板、センサ、閉プレートなどでよい。 Object, the substrate, the sensor may in such closed plate.

[0010] 本発明の態様によれば、 According to an aspect of the [0010] present invention,
基板を保持する基板テーブルと、 A substrate table for holding a substrate,
使用時に基板テーブル上のオブジェクトのエッジと基板テーブルとの間で漏れる第一液体を受ける基板テーブル内のドレインと、 And the drain in the substrate table that receives the first liquid from leaking between the object edge and the substrate table on the substrate table, in use,
ドレインから液体及び/又は気体を流すためのドレインへの出口と、 An outlet to the drain for the flow of liquid and / or gas from the drain,
基板テーブルの位置に関係なく、ドレインに第二液を能動的に供給する液体供給装置と、 Regardless of the position of the substrate table, a liquid supply device actively supplying a second liquid to the drain,
を備えるリソグラフィ装置が提供される。 Lithographic apparatus comprising a are provided.

[0011] 本発明の態様によれば、 According to an aspect of the invention,
基板を保持する基板テーブルと、 A substrate table for holding a substrate,
基板、基板テーブル及び/又は基板テーブル上のオブジェクトの局所区域の液体を、基板、基板テーブル及び/又はオブジェクトと投影システムとの間に提供する液体供給システムと、 Substrate, a liquid supply system to provide between the liquid in the local area of ​​the object on the substrate table and / or substrate table, the substrate, the substrate table and / or object and the projection system,
使用時に、基板及び/又はオブジェクトのエッジと基板テーブルとの間で漏れる液体を閉じ込める基板テーブル内のドレインと、 In use, a drain in the substrate table that confines the liquid leaking between the substrate and / or edges of objects and the substrate table,
低圧源及びドレインに接続され、ドレインから液体及び/又は気体を除去する出口と、 Is connected to a low pressure source and the drain, and an outlet to remove liquid and / or gas from the drain,
ドレインを出入りする全ての気体を液体で飽和させる飽和器と、 A saturator which all of the gas out of the drain is saturated with liquid,
を備えるリソグラフィ装置が提供される。 Lithographic apparatus comprising a are provided.

[0012] 本発明の態様によれば、液体を通してパターン付き放射ビームを基板に投影し、オブジェクトのエッジと基板を保持する基板テーブルとの間で漏れた液体をドレイン内で収集し、ドレインから液体を除去し、ドレインに及び/又はドレインから流れる気体を飽和させることを含むデバイス製造方法が提供される。 According to an aspect of the invention, the patterned radiation beam is projected onto the substrate through a liquid, the leaked liquid between the substrate table holding the edge and the substrate of objects collected in the drain fluid from the drain removal of the device manufacturing method comprising saturating the gas flowing from the drain to and / or drain is provided.

[0013] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。 [0013] Next, with reference to the accompanying schematic embodiment of the present invention will be described by way of example only. 図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。 In the drawings corresponding reference symbols indicate corresponding parts.

[0014] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0014] Figure 1 depicts a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention. [0015] リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。 [0015] Figures 2 and 3 depict a liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus. [0015] リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。 [0015] Figures 2 and 3 depict a liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus. [0016] リソグラフィ投影装置内で使用する別の液体供給システムを示した図である。 [0016] is a diagram showing a further liquid supply system for use in a lithographic projection apparatus. [0017] 局所区域液体供給システムを示した図である。 [0017] is a diagram showing a localized area liquid supply system. [0018] 本発明の実施形態による基板テーブルを示した断面図である。 [0018] is a cross-sectional view of a substrate table according to an embodiment of the present invention.

[0019] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。 [0019] Figure 1 depicts a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention illustrates schematically. この装置は、 This device,

[0020] 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、 [0020] and an illumination system configured to condition a radiation beam B (e.g. UV radiation or DUV radiation) (illuminator) IL,

[0021] パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、 The patterning device (e.g. mask) is configured to support the MA, support structure which is connected to a first positioner PM configured to accurately position the patterning device in accordance with certain parameters (e.g., mask table) and MT,

[0022] 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、 [0022] configured to hold a substrate (e.g. a resist-coated wafer) W, configured connected substrate table (e.g. a wafer table) to a second positioner PW to accurately position the substrate in accordance with certain parameters WT When,

[0023] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。 The patterning device MA projection system configured to project a pattern imparted to the radiation beam B onto a target portion of the substrate W C (e.g. comprising one or more dies) by (e.g. a refractive projection lens system) and a PS.

[0024] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。 [0024] The illumination system may include various types of optical shaping, or controlling for performing, refraction, reflection, including magnetic, electromagnetic, optical components of electrostatic type or the like, or various types of optical components, such as any combination thereof it may be Idei.

[0025] 支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。 [0025] The support structure, the orientation of the patterning device, the conditions of design of the lithographic apparatus, in a manner that for example the patterning device in accordance with whether it is held in a vacuum environment the patterning device. この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。 The support structure, in order to hold the patterning device, mechanical, vacuum, can use electrostatic or other clamping techniques. 支持構造体は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。 Support structure, for example, may be a frame or a table, which may be fixed or movable as required. 支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。 Support structure, patterning device, for example, can be made so that the desired position with respect to projection system. 本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。 Any use of the terms "reticle" or "mask" herein, the term may be considered with the more general term "patterning device" synonymous.

[0026] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。 The term [0026] As used herein "patterning device", to generate a pattern in a target portion of the substrate, broadly as referring to any device that may be used to impart a pattern to a cross-section of a radiation beam It should be interpreted to. ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。 Here, the pattern imparted to the radiation beam, for example if the pattern includes phase-shifting features or so called assist features should exactly to the desired pattern in the target portion of the substrate be noted that there may not correspond. 一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。 Generally, the pattern imparted to the radiation beam will correspond to a particular functional layer in a device being created in the target portion, such as an integrated circuit.

[0027] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。 [0027] The patterning device may be transmissive or reflective. パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。 Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。 Masks are well known in lithography, and include, includes a binary mask types (alternating) phase-shift mask, a halftone type (Attenuated) mask types such as phase-shift masks, and even various hybrid mask types It is. プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。 An example of a programmable mirror array employs a matrix arrangement of small mirrors, each of which can be individually tilted so as to reflect an incoming radiation beam in different directions. 傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。 The tilted mirrors impart a pattern in a radiation beam which is reflected by the mirror matrix.

[0028] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。 [0028] The term "projection system" used herein should be exposed using radiation, or as appropriate in accordance with other factors such as the use and the use of a vacuum of the immersion liquid, for example refractive optical systems, reflective optical system, catadioptric optical system, it should be interpreted broadly magneto-optical systems, electromagnetic and electrostatic optical systems, or as encompassing any type of projection system, including any combination thereof. 本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。 Any use of the term "projection lens" herein may be considered as synonymous with the more general term "projection system".

[0029] ここに示している本装置は透過タイプである(例えば透過マスクを使用する)。 [0029] The present device is shown here is of a transmissive type (e.g. employing a transmissive mask). あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する)。 Alternatively, the apparatus may be of a reflective type (eg employing a programmable mirror array of a type as referred to above, or employing a reflective mask).

[0030] リソグラフィ装置は2つ(デュアルステージ)又はそれ以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスクテーブル)を有するタイプでよい。 [0030] The lithographic apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more mask tables). このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。 In such "multiple stage" machines, or used in parallel the additional tables, preparatory steps may be carried out one or more tables while one or more other tables are being used for exposure can do.

[0031] 図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。 [0031] Referring to Figure 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. 放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。 The source and the lithographic apparatus, for example when the source is an excimer laser, it may be separate components. このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。 In such cases, the source is not considered to form part of the lithographic apparatus and the radiation beam, for example with the aid of a beam delivery system BD comprising, such as a suitable directing mirrors and / or a beam expander, the illuminator from a radiation source SO It is passed to the IL. 他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。 In other cases, for example when the source is a mercury lamp, the radiation source may be an integral part of the lithographic apparatus. 放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。 The source SO and the illuminator IL, may be referred to as a radiation system together with the beam delivery system BD if required.

[0032] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタADを備えていてもよい。 The illuminator IL may comprise an adjuster AD for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam. 通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲(一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。 Normally, the outer and / or inner radial extent of the intensity distribution in a pupil plane of the illuminator (commonly respectively referred to as sigma-outer and sigma-inner,) can be adjusted. また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。 In addition, the illuminator IL may comprise various other components, such as an integrator IN and a condenser CO. また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。 Further, by adjusting the radiation beam using the illuminator, it may be desired uniformity and intensity distribution can be obtained over its cross-section.

[0033] 放射ビームBは、支持構造体(例えばマスクテーブル)MT上に保持されたパターニングデバイス(例えばマスク)MAに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。 The radiation beam B is incident on the patterning device is held on the support structure (e.g. mask table) MT (e.g. a mask) MA, and is patterned by the patterning device. 放射ビームBはパターニングデバイスMAを通り抜けて、基板Wのターゲット部分C上にビームを集束する投影システムPSを通過する。 The radiation beam B is traversed the patterning device MA, passes through the projection system PS, which focuses the beam onto a target portion C of the substrate W. 第二ポジショナPW及び位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ)の助けにより、基板テーブルWTを、例えば放射ビームBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動できる。 Second positioner PW and position sensor IF with the aid of (e.g. an interferometric device, linear encoder or capacitive sensor), the substrate table WT, for example can be moved accurately to position different target portions C in the path of the radiation beam B . 同様に、第一ポジショナPM及び別の位置センサ(図1には明示されていない)を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。 Similarly, using the first positioner PM and another position sensor (which is not explicitly depicted in Figure 1), e.g., after mechanical retrieval from a mask library, or during a scan, with respect to the path of the radiation beam B it is possible to accurately position the patterning device MA Te. 一般的に、支持構造体MTの移動は、第一位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)を用いて実現できる。 In general, movement of the support structure MT, may be realized using a long-stroke module, which form part of the first positioner PM (coarse positioning) and a short-stroke module (fine positioning). 同様に、基板テーブルWTの移動は、第二ポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。 Similarly, movement of the substrate table WT may be realized using a long-stroke module and a short-stroke module, which form part of the second positioner PW. ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、支持構造体MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。 In the case of a stepper (as opposed to a scanner), or to connect the support structure MT short-stroke actuator only, or may be fixed. パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアラインメントマークM1、M2及び基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。 Patterning device MA and substrate W may be aligned using patterning device alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. 図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい(スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる)。 Although the substrate alignment marks as illustrated occupy dedicated target position, (these are known as scribe-lane alignment marks) may be located in spaces between target portions. 同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。 Similarly, in situations in which more than one die is provided on the patterning device MA, the patterning device alignment marks may be located between the dies.

[0034] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。 [0034] The depicted apparatus could be used in at least one of the following modes.

[0035] 1. [0035] 1. ステップモードにおいては、支持構造体MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。 In step mode, the support structure MT and the substrate table WT are kept essentially stationary, while an entire pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C at one time (i.e. a single static exposure). 次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。 Next, as can be exposed to different target portion C, the substrate table WT is moved in the X and / or Y direction. ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。 In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion C imaged in a single static exposure limits.

[0036] 2. [0036] 2. スキャンモードにおいては、支持構造体MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。 In scan mode, the support structure MT and the substrate table WT while being scanned synchronously, to project a pattern imparted to the radiation beam onto a target portion C (i.e. a single dynamic exposure). 支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。 The velocity and direction of the substrate table WT relative to the support structure MT may be determined by the (de-) magnification and image reversal characteristics of the projection system PS. スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。 In scan mode, the maximum size of the exposure field in a single dynamic exposure of the target portion (in the non-scanning direction) limits the width, the height of the target portion (in the scanning direction) of the length of the scanning motion .

[0037] 3. [0037] 3. 別のモードでは、支持構造体MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。 In another mode, the support structure MT is kept essentially stationary holding a programmable patterning device, while moving or scanning the substrate table WT, to project a pattern imparted to the radiation beam onto a target portion C . このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。 In this mode, generally using a pulsed radiation source, to each movement of the substrate table WT, or in between successive radiation pulses during a scan, is updated as required and the programmable patterning device. この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。 This mode of operation can be readily applied to maskless lithography that utilizes programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as referred to above.

[0038] 上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。 [0038] Combinations and / or variations on the above described modes of use or entirely different modes of use may also be utilized.

[0039] 本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意のタイプの液体供給システムとともに使用することができるが、本明細書で検討する設計は、図5に図示されたような局所区域液体供給システムとともに使用するのに最適化されている。 [0039] One or more embodiments of the present invention may be used with any type of liquid supply system, localized area liquid such as design, illustrated in Figure 5 discussed herein It is optimized for use with the supply system. このタイプの液体供給システムでは、液体がいかなる時にも基板の上面全体の小さい区域にしか提供されない。 In this type of liquid supply system, liquid is not provided only a small area of ​​the whole top surface of the substrate at any time. これは、局所区域液体供給システムの動作を簡単に説明するための例示である。 This is an example for briefly explaining the operation of the localized area liquid supply system.

[0040] 図5を参照すると、局所区域液体供給システムは、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体封じ込め構造を有する液体供給システムを備える。 [0040] Referring to FIG. 5, the localized area liquid supply system, the liquid supply system with a liquid confinement structure which extends along at least part of a boundary of the space between the final element of the projection system and the substrate table provided. 液体封じ込め構造は、投影システムに対してXY面で実質的に静止しているが、Z方向(光軸の方向)では多少の相対運動があってよい。 The liquid confinement structure is substantially stationary in the XY plane relative to the projection system, there may be some relative movement in the (in the direction of the optical axis) Z-direction. 実施形態では、シールが液体封じ込め構造と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでよい。 In an embodiment, a seal is formed between the liquid confinement structure and the surface of the substrate, it may be a contactless seal such as a gas seal.

[0041] 液体封じ込め構造12は、少なくとも部分的に液浸液を投影システムPLの最終要素と基板Wの間の空間11に閉じ込める。 [0041] The liquid confinement structure 12 at least partly confine immersion liquid to a space 11 between the final element and the substrate W of the projection system PL. 基板表面と投影システムの最終要素の間の空間内に液体が封じ込められるように、基板の非接触シール16を、投影システムの像フィールドの周囲に形成することができる。 As the liquid is contained in the space between the final element of the substrate surface and the projection system, the non-contact seal 16 of the substrate may be formed around the image field of the projection system. この空間は、投影システムPLの最終要素の下方に配置され、それを囲む液体封じ込め構造12によって少なくとも一部は形成される。 This space is disposed below the final element of the projection system PL, at least in part by a liquid confinement structure 12 surrounding it is formed. 液体は、液体入口13によって投影システムの下方で液体封じ込め構造12内の空間に運び込まれ、液体出口13によって除去することができる。 Liquid is brought into the space within the liquid confinement structure 12 below the projection system by liquid inlet 13, it may be removed by liquid outlet 13. 液体封じ込め構造12は、投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。 The liquid confinement structure 12 extends a little above the final element of the projection system, so that a buffer of liquid is provided, the liquid level rises above the final element. 液体封じ込め構造12は、その上端が実施形態では投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。 The liquid confinement structure 12 may be at the upper end, in an embodiment, closely conforms to the shape of the projection system or the final element has an inner periphery and may, e.g., be round. 底部では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。 At the bottom, the inner periphery closely conforms to the shape of the image field, e.g., rectangular though this need not be the case.

[0042] 液体は、使用中に液体封じ込め構造12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11に閉じ込められる。 [0042] The liquid is confined in the space 11 by a gas seal 16 formed between the bottom and the surface of the substrate W in the liquid confinement structure 12 during use. ガスシールは、空気又は合成空気のような気体で形成されるが、実施形態ではN2又は別の不活性ガスであり、圧力下で入口15を介して液体封じ込め構造12と基板の間のギャップに提供され、出口14を介して抽出される。 Gas seal is formed by gas such as air or synthetic air, in embodiments a N2 or another inert gas, under pressure via inlet 15 to the gap between liquid confinement structure 12 and substrate is provided, it is extracted via the outlet 14. ガス入口15への過剰圧力、出口14への真空のレベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を封じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。 The overpressure on the gas inlet 15, vacuum level on the outlet 14, and the gap geometry of the are arranged so that there is a high-velocity gas flow inwards that confines the liquid. これらの入口/出口は、空間11を囲む環状溝でよく、気体16の流れは、液体を空間11に収容させるのに効果的である。 These inlets / outlets may be annular grooves which surround the space 11, the flow of gas 16 is effective liquid to be housed in the space 11. このようなシステムが、米国特許出願公開US2004−0207824号で開示されている。 Such a system is disclosed in U.S. Patent Application Publication No. US 2004-0207824.

[0043] 他の解決法も可能であり、本発明の1つ又は複数の実施形態は、それにも等しく適用可能である。 [0043] a Other solutions possible, one or more embodiments of the present invention is equally applicable thereto. 例えば、ガスシール16の代わりに、液体のみを抽出する単相抽出器を有することが可能である。 For example, instead of the gas seal 16, it is possible to have a single phase extractor which only extracts liquid. このような単相抽出器の半径方向外側には、液体を空間内に閉じ込めるのに役立つガス流を生成する1つ又は複数のフィーチャがあってよい。 Radially outwardly of such a single phase extractor, there may be one or more features to produce a gas stream serves to confine liquid in the space. 1つのこのようなタイプのフィーチャは、ガスの薄いジェットを基板Wへと下向きにするいわゆるガスナイフでよい。 One such type of feature can be a so-called gas knife which downwardly thin gas jets to the substrate W. 投影システム及び液体供給システムの下方で基板がスキャン運動をしている間に、液圧及び静水圧力を発生させることができ、その結果、基板に向かって液体へと下方向の圧力がかかる。 While the substrate under the projection system and the liquid supply system is a scanning motion, it is possible to generate a hydraulic pressure and hydrostatic pressure, so that downward pressure is applied and towards the substrate into the liquid.

[0044] 局所区域液体供給システムでは、基板Wが投影システムPL及び液体供給システムの下方で移動し、基板Wのエッジに結像する場合、又は基板テーブル上のセンサに結像するか、基板交換を実行可能にするためにダミー基板又はいわゆる閉プレートを液体供給システムの下方に配置できるように、基板テーブルを移動させるべき場合、基板Wのエッジが空間11の下を通過し、液体が基板Wと基板テーブルWTの間のギャップに漏れることがある。 [0044] In the localized area liquid supply system, or the substrate W is moved under the projection system PL and the liquid supply system, when imaging to the edge of the substrate W, or imaged on the sensor on the substrate table, substrate exchange as a possible placement of the dummy substrate or a so-called closed plate to be able to run under the liquid supply system, when to move the substrate table, passed under the substrate W edge space 11, the liquid substrate W there be a leak into the gap between the substrate table WT. この液体は、液圧又は静水圧又はガスナイフ又は他のガス流発生装置の力で、強制的に入れることができる。 The liquid, hydraulic or by the force of hydrostatic pressure or gas knife or other gas flow generating device, it is possible to forcibly put.

[0045] 本発明の1つ又は複数の実施形態を、以下では基板Wのエッジの周囲にドレインを提供することに関して説明するが、1つ又は複数の実施形態は、例えば基板交換中に液体供給システムの底部に取り付けることによって液体供給システム内の液体を維持するために使用される閉プレート及び/又は1つ又は複数のセンサを含むが、それに制限されない基板テーブル上に配置された1つ又は他のオブジェクトにも、等しく適用可能である。 [0045] One or more embodiments of the present invention, will be described below with respect to providing a drain around the edge of the substrate W, but one or more embodiments, for example, the liquid supply during substrate exchange including closing plates and / or one or more sensors are used to maintain the liquid in the liquid supply system by attaching to the bottom of the system, one or other disposed on the substrate table, and not limitation the object is also equally applicable. したがって、以下の基板Wへの言及は、センサ又は閉プレートなどの任意の他のオブジェクトと同義と見なされたい。 Therefore, reference to the following substrate W is to be regarded as any other object as defined such as a sensor or a closed plate.

[0046] 図6は、本発明の実施形態を示す。 [0046] FIG. 6 shows an embodiment of the present invention. 図6は、基板テーブルWT及び基板Wの断面図である。 Figure 6 is a cross-sectional view of the substrate table WT and substrate W. ギャップ5が基板Wのエッジと基板テーブルWTのエッジとの間に存在する。 Gap 5 exists between the edge of the edge and the substrate table WT the substrate W. 基板Wのエッジに結像する場合に、又は基板Wが最初に(上述したように)投影システムPSの下方を移動する場合のように他の任意の時に、基板Wのエッジと基板テーブルWTのエッジとの間のギャップ5は、例えば液体供給システム12によって液体で充填された空間11の下方を通過する。 When imaged on the edge of the substrate W, or at any other such as when the substrate W moves underneath the first (as described above) the projection system PS, the substrate W edge and substrate table WT gap 5 between the edge passes for example the lower liquid supply system 12 space 11 filled with a liquid by. その結果、空間11からの液体がギャップに入る。 As a result, the liquid from the space 11 enters the gap.

[0047] そのギャップに入った液体に対処するために、少なくとも1つのドレイン10、20を基板Wのエッジに設けて、ギャップ5に入る全ての液体を除去する。 [0047] To address the entered liquid to the gap, at least one drain 10, 20 provided on the edge of the substrate W, to remove any liquid entering the gap 5. 図6の実施形態では、2つのドレイン10、20が図示されているが、ドレインが1つしかないか、3つ以上のドレインがあってもよい。 In the embodiment of FIG. 6, two drain 10 and 20 are illustrated, either the drain there is only one, there may be more than two drains. ドレイン10、20はそれぞれ、基板Wの全周を囲むように、例えば環状である。 The drain 10 and 20, so as to surround the entire periphery of the substrate W, for example circular.

[0048] 第一ドレイン10の主な機能は、気泡が液体供給システム12の液体11に入るのを防止することである。 [0048] The primary function of the first drain 10 is that air bubbles are prevented from entering the liquid 11 of the liquid supply system 12. このような気泡は全て、基板Wの結像に悪影響を及ぼし得る。 Such bubbles may all adversely affect the imaging of a substrate W. ギャップ5から基板Wの下方へと液体が流れた場合に、それが結像後に基板テーブルWTからの基板Wの効率的な解放を妨げるのを防止するために、第二ドレイン20が設けられる。 When the gap 5 to the lower substrate W liquid flows, it is in order to prevent interfering with the efficient release of the substrate W from the substrate table WT after imaging, the second drain 20 is provided. 従来通りに、基板Wは、複数の突起32を備えるピンプルテーブル30によって保持される。 Conventionally, the substrate W is held by the pimple table 30 comprises a plurality of protrusions 32. ピンプルテーブル30によって基板Wと基板テーブルWTの間に加えられる低圧は、基板Wが所定の位置にしっかり保持されることを保証する。 Low pressure applied between the substrate W and the substrate table WT by the pimple table 30 ensures that the substrate W is held firmly in place. しかし、液体が基板Wとピンプルテーブル30の間に入ると、これは特に基板Wのアンロード時に困難を引き起こすことがある。 However, when the liquid enters between the substrate W and the pimple table 30, which may in particular cause difficulties during unloading of the substrate W. 第二ドレイン20を設けると、基板Wの下に流れる液体のせいで発生するような問題が軽減されるか、解消される。 The provision of the second drain 20, or problems that may occur due to the liquid flowing under the substrate W is reduced, is eliminated.

[0049] 第一及び第二ドレイン10、20は両方とも、低圧によって液体を除去する。 Both [0049] The first and second drain 10 and 20, to remove liquid by low pressure. つまり、両方のドレインは、出口142及び242を介して低圧源に接続されている。 In other words, both the drain is connected to a low pressure source via outlet 142 and 242. この低圧源は、個々のドレインに入った全ての液体を効率的に除去する。 The pressure source is efficiently remove all of the liquid entering the individual drain. しかし、低圧源はまた、基板テーブルWT上のギャップ5の外側から(又は第二ドレイン20の場合は、ピンプルテーブル30からも)個々のドレインを通して気体を効果的に引き入れ、出口を通して出す。 However, the low pressure source may also (in the case or the second drain 20, pins from pull table 30) from the outside of the gap 5 on the substrate table WT effectively draws gas through individual drain out through the outlet. この液体及び気体の流れは、液浸装置の使用中に一定ではない。 The liquid and gas flow is not constant during use of the immersion apparatus. ギャップ5に液体が入る可能性がある場合は、出口142、242のみを低圧源に接続する措置を執ることができるが、ドレイン10、20を通過する気体及び/又は液体の量が変化するので、基板テーブルWTに不均一な熱負荷が加えられる危険がある。 If the gap 5 is likely the liquid entering is able to take measures to connect the only outlet 142 and 242 to a low pressure source, the amount of gas and / or liquid to pass through the drain 10 and 20 are changed , there is a risk of uneven thermal load is applied to the substrate table WT. このように気体及び液体の一時的に不均一な流れの結果、ドレイン10、20中の液体の蒸発率が異なり、それによって基板のバッチの露光中にドレイン10、20によって発生する熱損が変動してしまう。 Thus temporarily uneven flow of gas and liquid results, different evaporation rate of the liquid in the drain 10 and 20, whereby the heat loss variation caused by the drain 10 and 20 during the exposure of the substrate batch Resulting in. 露光中に熱損がこのように変動するのは、露光の経路に依存する特定の時間中に、基板Wのエッジが空間11の下にあるようにしか、基板テーブルWTが配置されていないせいである。 The heat loss during exposure to change in this way, during a specific time depending on the route of exposure, because the edge of the substrate W only to the bottom of the space 11, not the substrate table WT are arranged it is. したがって、基板のバッチの第一基板では、基板の周囲の蒸発負荷が、後続の基板とは異なる位置にある。 Accordingly, in a first substrate of a substrate of a batch evaporation load around the substrate is in a position different from the subsequent substrate. さらに、新しいバッチの開始時にはトラックから基板を送出するタイミングの遅れがあるので、ドレイン10、20の乾燥(及びそれによる蒸発の減少)によって蒸発損が変化する。 Further, at the start of a new batch there is a delay in the timing for sending the substrate from the track, the evaporation loss by drying of the drain 10, 20 (and decreased evaporation by it) changes.

[0050] ドレイン10、20によって加えられる熱損の上述した変化を緩和するために、基板テーブルの位置に関係なく(つまり基板のエッジが空間11の下にあるかに関係なく)、熱負荷が実質的に一定のままであるように措置が執られる。 [0050] In order to alleviate the above-mentioned change in heat loss exerted by the drain 10 and 20, (whether that is the edge of the substrate is below the space 11) regardless of the position of the substrate table, heat load measures are taken to remain substantially constant. これを達成する方法は、2つの別個の方法に見ることができる。 Way of achieving this can be seen in two distinct ways. 第一に、蒸発を引き起こすような気体がドレイン中の液体上を通過する場合に、蒸発を引き起こすことができないように、この気体が、液体供給装置12が使用するものと同じ(タイプの)液体で飽和するか、少なくともほぼ飽和することを確実にするものと考えることができる。 First, when the gas such as to cause evaporation as it passes over the liquid in the drain, so as not to cause evaporation, the gas, (type) identical to that the liquid supply device 12 is used liquid in either saturated, it can be considered to ensure that at least nearly saturated. 第二に、ドレイン10、20を通る(液浸)液の連続流を提供し、それによってある時間にわたる熱損を均一にするものと考えることができる。 Secondly, to provide a through drain 10, 20 (immersion) liquid continuous flow, it can be thought of as a uniform heat loss over time in by it.

[0051] 各ドレインの構造の詳細について、以下で詳述する。 [0051] The details of each drain of the structure, described in detail below. しかし、本発明の原理は、装置を使用することによって自身を通る液体及び/又は気体の変動する流れが設けられ、それによって蒸発量が変動し、熱負荷が変動する液浸装置の任意のタイプのドレインにも適用できることを理解されたい。 However, the principles of the present invention, the flow of variations in liquid and / or gas therethrough is provided by using the apparatus, whereby the amount of evaporation is varied, any type of immersion apparatus thermal load varies also of the drain should be understood that can be applied. 液体をドレイン10、20に提供する手段又はドレイン内の気体を飽和させる手段は、上述したような機能に適合する限り、及び装置の他の構成要素との有害な干渉がない限り、任意の位置に設けられることも認識される。 Means for saturating the gaseous means or the drain that provides a liquid to a drain 10 and 20, so long as they are compatible with the functions described above, and unless harmful interference with other components of the device, any position It is provided also be recognized.

[0052] ドレイン20の半径方向外側に配置されたドレイン10内には、基板Wと基板テーブルWTの間のギャップ5から第一チャンバ120へと流路110が通じている。 [0052] In the drain 10 which is located radially outward of the drain 20, channel 110 is in communication with the gap 5 between the substrate W and the substrate table WT to the first chamber 120. 流路110とチャンバ120は両方とも、例えば環状である。 Both the channel 110 and chamber 120 is, for example, annular. 流路110は、スリットの形態であることが望ましい。 Flow channel 110 is preferably in the form of a slit. つまり、高さと比較して相対的に狭い。 That is, relatively narrow and the height comparison. 第二チャンバ140は、複数の貫通穴130を通して第一流路120と流体連絡する。 The second chamber 140, first flow path 120 and fluid communication through a plurality of through-holes 130. 貫通穴130は、基板の周囲で望ましくは均等に隔置されている。 Through holes 130, preferably they are evenly spaced around the substrate. 低圧源に接続された出口142は、第二チャンバ140の底部と流体連絡する。 Outlet 142 connected to a low pressure source, a fluid communication the bottom of the second chamber 140. 認識されるように、チャンバ120、140の形状は、図6に図示したものと断面が変化してよく、機能する様々な断面形状、及び望ましいチャンバの様々な面の表面特性に関する詳細については、日本特許出願公報2007−072118号、及び2006年3月28日出願の米国特許出願11/390,427号の開示を参照されたい。 As will be appreciated, the shape of the chamber 120, 140 for more information on surface characteristics of the various aspects of the chamber well, various cross-sectional shapes and functions, and the desired change and the cross-section as illustrated in FIG. 6, Japanese Patent application Publication No. 2007-072118, and should be referred to the disclosure of US patent application Ser. No. 11 / 390,427, filed March 28, 2006.

[0053] 液体入口122、144を各チャンバ120、140に設ける。 [0053] providing a liquid inlet 122,144 in each chamber 120, 140. これらの液体入口122、144は、図示のように液体の噴霧を提供するか、液体の連続流又はその間のもの(例えば一定の小滴の滴下)を提供することができる。 These liquid inlets 122,144 can be provided either to provide spray of liquid as shown, those continuous flow or in between the liquid (e.g., dropwise addition of a certain droplet). この方法で、個々のチャンバ内の気体を飽和(又はほぼ飽和)させることができるか、各チャンバを通る液体の連続流を提供する。 In this method, either the gas within the individual chambers can be saturated (or nearly saturated), to provide a continuous flow of liquid through each chamber.

[0054] チャンバ120、140の一方にしか液体入口122、144を設けられない、又は代替的又は追加的に液体入口を流路110内に、又はギャップ5内にも設けられることが認識される。 [0054] not provided a liquid inlet 122,144 only one of the chambers 120 and 140, or alternatively or additionally the passage 110 of the liquid inlet, or can be provided in the gap 5 is recognized . 液体入口をギャップ5に設ける場合は、第一及び第二ドレイン10、20の両方に1つの液体入口で十分である。 When providing a liquid inlet to the gap 5 is sufficient one liquid inlet in both the first and second drain 10 and 20. この説明では、単一の液体入口に言及した場合、それは、断面に単一の液体入口があるという意味であることが認識される。 In this description, when referring to a single liquid inlet, it is recognized that it is meant that there is a single liquid inlet cross-section. 言うまでもなく、液体入口122、144は、連続的な(環状)溝として設けるか、ドレインの周囲に別個の入口として設けることができる。 Needless to say, the liquid inlet 122,144 can be either provided as a continuous (annular) groove is provided as a separate entrance around the drain.

[0055] 次に、第二ドレイン20について説明する。 [0055] Next, a description is given of a second drain 20. 第二ドレイン20の出口242は、ピンプルテーブル30の低圧(例えば0.5バール)よりわずかに高い低圧(例えば0.6バール)に維持される。 Outlet 242 of the second drain 20 is maintained slightly higher than the low pressure (e.g. 0.6 bar) low pressure pimple table 30 (e.g. 0.5 bar). これによって、ピンプルテーブル30から、さらにギャップ5から出口242への気体の流れが確保される。 Thus, from the pimple table 30, further gas flow from the gap 5 to the outlet 242 is ensured.

[0056] 図に見られるように、基板Wの下方に2つの突起210及び220が設けられる。 [0056] As can be seen, two projections 210 and 220 are provided below the substrate W. 半径方向外側の突起210は、いわゆる「ウェットシール」("wet seal")で、それと基板Wの底面との間を通過する液浸液を有する可能性が高い。 Radially outer protrusion 210 is a so-called "wet seal" ( "wet seal"), the same is likely to have immersion liquid passing between the bottom surface of the substrate W. 半径方向内側の突起220はドライシールで、それと基板Wの間は気体しか通過しない可能性が高い。 Radially inner projection 220 by dry seal therewith during the substrate W is likely not only to pass the gas.

[0057] 2つの突起210、220の間には、チャンバ240に通じる流路230がある。 [0057] Between the two projections 210 and 220, there is a flow path 230 leading to the chamber 240. チャンバ240は、低圧源に接続された出口242と流体連絡する。 Chamber 240 connected outlet 242 in fluid communication to a low pressure source. チャンバ240には液体入口244が設けられる。 Liquid inlet 244 is provided in the chamber 240. 液体入口244は、チャンバ240内を気体で飽和させる機構、又はギャップ5上の空間11の有無に関係なく液体を出口242に連続的に供給する機構として作用する。 Liquid inlet 244 acts in the chamber 240 mechanism is saturated with a gas, or a liquid with or without the space 11 over the gap 5 as continuously fed mechanism to the outlet 242.

[0058] 代替構成では、0.475バールというピンプルテーブル30の低圧に対して、出口242は0.5バールという低圧に維持されているだけである。 [0058] In an alternative configuration, with respect to low pressure pimple table 30 of 0.475 bar, the outlet 242 is only maintained in the low pressure of 0.5 bar. この場合、液体は、内部突起220上にあることが可能で、圧力差と液体の毛管力との組合せは、液体を内部突起220と基板Wの間に維持し、ピンプルテーブル30へと移動させないのに十分である。 In this case, the liquid can be located on the inner protrusion 220, the combination of the pressure difference and the capillary force of the liquid maintains a liquid between the interior projections 220 and the substrate W, moves to the pimple table 30 it is sufficient to not to. (外部突起210と基板の間に液体が存在するか存在しないかに応じて)外部突起210を通過して流れる気体への抵抗が変動する状態で、この圧力差を維持するために、基板テーブルの外側の絞り網によって圧力を調整する。 In a state in which (depending on whether or not present liquid between the outer protrusion 210 and the substrate are present) resistance to gas flowing through the outer projections 210 varies, in order to maintain this pressure difference, the substrate table adjusting the pressure by the outer aperture network. その結果、液体蒸発の、したがって熱負荷の最大部分は、この絞り網内で生じる。 As a result, the liquid evaporation, thus the largest portion of the heat load occurs in the diaphragm network. したがって、基板Wの下方の基板テーブルWTでは、蒸発の小さい部分しか生じない。 Accordingly, the substrate table WT beneath the substrate W, only occurs a small portion of evaporation. 熱損のこの最終部分の濡れ履歴への依存状態は、強制的な濡れで、望ましくは上述したような2つの突起210、220間の出口で調整することができる。 Dependency on wetting history for this final portion of the heat loss is the forced wetting, preferably can be adjusted at the outlet between the two projections 210 and 220 as described above.

[0059] 図に見られるように、液浸装置の抽出器の熱負荷に対する濡れ履歴の依存状態は、これらの抽出器に一定に(つまり基板テーブルに関係なく)液浸液を提供することによって調整することができる。 [0059] As can be seen, the dependency of the wetting history for the thermal load of the extractor of the immersion apparatus, by providing a constant in these extractors (ie regardless of the substrate table) immersion liquid it can be adjusted. この原理は、液体を気体状(つまり飽和又は加湿した気体)で提供することによっても働く。 This principle also works by providing a liquid in gaseous form (i.e., saturated or humidified gas). この原理は、同じ問題を抱えているような液浸機械の他の抽出器でも使用することができる。 This principle can also be used in other extractor immersion machines such as have the same problem. 一例は、投影システムの最終要素と基板の間に液体を供給する液体供給システムに使用される抽出器である(その例が図2から図5に図示されている)。 One example is the extractor to be used in a liquid supply system which supplies liquid between the final element of the projection system and the substrate (an example of which is illustrated in FIGS. 2-5). 抽出器によって生じた熱損が変動し、液体又は加湿した気体を抽出器に提供することで、その困難を緩和できる場合もある(例えば基板の交換中)。 Heat loss varies caused by extractor, to provide a liquid or humidified gas to the extractor, also (for example during substrate exchange) if it can alleviate the difficulties.

[0060] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。 [0060] Although specific reference to the use of lithographic apparatus in the manufacture of IC in this text, it is needless to say that the lithographic apparatus described herein may have other applications. 例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどである。 Such as the manufacture of integrated optical devices, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat-panel displays, liquid-crystal display (LCD), a is a thin film magnetic head. こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。 In light of such alternative applications, regarded when using the terms "wafer" or "die" herein, respectively, as "substrate" or "target portion", with the more general term synonymous may it be apparent to those skilled in the art. 本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、計測ツール及び/又は検査ツールで処理することができる。 The substrate referred to herein may be processed, before or after exposure, in for example a track (usually by applying a layer of resist to a substrate, a tool that develops the exposed resist), a metrology tool and / or an inspection tool can. 適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。 Where applicable, the disclosure herein may be applied to such and other substrate processing tools. さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。 Further, the substrate may, for example, in order to create a multilayer IC, may be processed more than once, the term substrate used herein may thus also refer to a substrate that already contains multiple processed layers.

[0061] 以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。 [0061] Although specific reference may have been made above to the use of embodiments of the present invention in the context of optical lithography, the present invention can also be used in other applications, for example imprint lithography, where the context allows, it is understood not to be limited to optical lithography. インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。 In imprint lithography a topography in a patterning device, the pattern created on a substrate is defined. パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。 Pressing the topography of the patterning device into a layer of resist supplied to the substrate whereupon the electromagnetic radiation, heat, pressure or a combination thereof, to cure the resist. パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。 The patterning device is moved out of the resist leaving a pattern in it after the resist is cured.

[0062] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)放射(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nmの波長、又はその辺りの波長を有する)及び極端紫外線光(EUV)放射(例えば、5nm〜20nmの範囲の波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。 [0062] The terms "radiation" and "beam" includes not only the particle beam such as ion beams or electron beams, ultraviolet (UV) radiation (e.g., 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm or wavelength of 126 nm, or a wavelength of the neighborhood) (EUV) radiation (e.g., covering all types of electromagnetic radiation including a wavelength in the range of 5 nm to 20 nm).

[0063] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、又はその組合せを指す。 [0063] The term "lens", may refer to refractive, reflective, magnetic, or electromagnetic and various types of optical components, including electrostatic optical components, or combinations thereof.

[0064] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。 [0064] Having described certain embodiments of the present invention, it is understood that the invention may be practiced otherwise than the method as described. 例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク)の形態をとることができる。 For example, the present invention is one or more computer programs comprising a sequence, or a data storage medium a computer program stored therein (e.g. semiconductor memory of machine-readable instructions describing a method as disclosed above, It may take the form of a magnetic or optical disk).

[0065] 本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に上述したタイプにも排他的ではなく、液浸液が浴の形態で提供されても、基板の局所的表面区域にのみ提供されても適用することができる。 [0065] One or more embodiments of the present invention may be applied to any immersion lithography apparatus, not particularly exclusive on the type discussed above, be provided in the form of immersion liquid bath, local substrate also only provided on the surface area can be applied. 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。 A liquid supply system as contemplated herein should be broadly construed. 特定の実施形態では、これは、投影システムと基板及び/又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構又は構造の組合せでよい。 In certain embodiments, it may be a mechanism or combination of structures that provides a liquid to a space between the projection system and the substrate and / or substrate table. これは、1つ又は複数の構造、1つ又は複数の液体入口、1つ又は複数の気体入口、1つ又は複数の気体出口及び/又は空間に液体を提供する1つ又は複数の液体出口の組合せを備えることができる。 This may include one or more structures, one or more liquid inlets, one or more gas inlets, one or more liquid outlets that provide liquid to the one or more gas outlets and / or space It may comprise a combination. 実施形態では、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの一部であるか、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板及び/又は基板テーブルを囲むことができる。 In an embodiment, a surface of the space may be a portion of the substrate and / or substrate table, a surface of the space may completely cover a surface of the substrate and / or substrate table, or the space may envelop the substrate and / or substrate table can. 液体供給システムは、任意選択で液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する1つ又は複数の要素をさらに含んでよい。 Liquid supply system, the position of the liquid, optionally, quantity, quality, shape, may further comprise one or more elements to control the flow rate or any other features.

[0066] 装置内で使用する液浸液は、使用される露光放射の所望の特性及び波長に従って、様々な組成を有してよい。 [0066] The immersion liquid used in the apparatus, according to the desired properties and the wavelength of exposure radiation used, may have different compositions. 193nmの露光波長の場合は、超純水又は水性配合物を使用することができ、その理由から、液浸液を水と呼ぶこともあり、親水性、疎水性、湿度などの水に関係ある用語を使用することができる。 The For an exposure wavelength of 193nm, ultra pure water or can be used an aqueous formulation, for that reason, sometimes referred to as the immersion liquid and water, related hydrophilic, hydrophobic, water such as humidity it is possible to use the term.

[0067] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。 [0067] The descriptions above are intended to be illustrative, not limiting. したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。 Therefore, without departing from the scope of the claims, that modifications may be made to the invention as described it will be apparent to those skilled in the art.

Claims (20)

  1. 基板を保持する基板テーブルと、 A substrate table for holding a substrate,
    使用時に前記基板テーブル上のオブジェクトのエッジと前記基板テーブルとの間で漏れる第一液体を受ける前記基板テーブル内のドレインと、 A drain in said substrate table for receiving the first liquid from leaking between the object edge and the substrate table on the substrate table, in use,
    前記ドレインから液体及び/又は気体を流すための前記ドレインへの出口と、 An outlet to the drain for the flow of liquid and / or gas from the drain,
    前記基板テーブルの位置に関係なく、前記ドレインに第二液を能動的に供給する液体供給装置と、 Regardless of the position of the substrate table, a liquid supply device actively supplying a second liquid to the drain,
    を備えるリソグラフィ装置。 Lithographic apparatus comprising a.
  2. 前記出口が低圧源に接続され、前記ドレインの外側から前記ドレインに入り、前記出口を通って出る気体の流れを生成する、請求項1に記載の装置。 It said outlet being connected to a low pressure source enters the drain from the outside of the drain, to generate a flow of gas exiting through said outlet The apparatus of claim 1.
  3. 前記液体供給装置が、前記出口を通って流れる気体を実質的に飽和させる流量及び形態で液体を供給するように構成される、請求項1に記載の装置。 The liquid supply device configured to supply a liquid at a flow rate and form to substantially saturate the gas flowing through said outlet The apparatus of claim 1.
  4. 前記ドレインの少なくとも2つを備え、前記ドレインの第一が前記ドレインの第二の半径方向内側に配置される、請求項1に記載の装置。 Comprising at least two of said drain, first the drain is disposed in a second radially inward of said drain device according to claim 1.
  5. 前記ドレインが、第一チャンバへと通じるスリットを備える、請求項1に記載の装置。 The drain comprises a slit leading to the first chamber, according to claim 1.
  6. 前記液体供給装置が、前記第二液を前記第一チャンバに提供する、請求項5に記載の装置。 The liquid supply device, which provides the second liquid to the first chamber, according to claim 5.
  7. 前記ドレインがさらに、貫通穴によって前記第一チャンバに接続された第二チャンバを備える、請求項5に記載の装置。 The drain further comprises a second chamber connected to the first chamber by the through holes, according to claim 5.
  8. 前記液体供給装置が、前記第二液を前記第二チャンバに提供する、請求項7に記載の装置。 The liquid supply device, which provides the second liquid to the second chamber, according to claim 7.
  9. 前記スリットが、前記第一チャンバを前記基板のエッジと流体連絡させる、請求項5に記載の装置。 Said slits, said first chamber to contact the edge and fluid the substrate Apparatus according to claim 5.
  10. 前記液体供給装置が、前記第二液を気体として供給する、請求項1に記載の装置。 The liquid supply device supplies the second liquid as a gas, according to claim 1.
  11. 前記オブジェクトが基板、センサ又はカバープレートである、請求項1に記載の装置。 It said object is a substrate, the sensor or the cover plate, according to claim 1.
  12. 前記第一液及び前記第二液が同じタイプの液体である、請求項1に記載の装置。 Wherein the first liquid and the second liquid is a liquid of the same type, according to claim 1.
  13. 基板を保持する基板テーブルと、 A substrate table for holding a substrate,
    前記基板、前記基板テーブル及び/又は前記基板テーブル上のオブジェクトの局所区域の液体を、前記基板、基板テーブル及び/又はオブジェクトと投影システムとの間に提供する液体供給システムと、 A liquid supply system to provide between the substrate, the liquid of the local area of ​​the object on the substrate table and / or the substrate table, the substrate, the substrate table and / or object and the projection system,
    使用時に、前記基板及び/又はオブジェクトのエッジと前記基板テーブルとの間で漏れる液体を閉じ込める前記基板テーブル内のドレインと、 In use, a drain in said substrate table that confines the liquid leaking between the substrate and / or edges of objects and the substrate table,
    低圧源及び前記ドレインに接続され、前記ドレインから液体及び/又は気体を除去する出口と、 Is connected to a low pressure source and the drain, and an outlet to remove liquid and / or gas from the drain,
    前記ドレインに出入りする全ての気体を液体で飽和させる飽和器と、 A saturator to saturate all of the gas into and out of the drain with a liquid,
    を備えるリソグラフィ装置。 Lithographic apparatus comprising a.
  14. 前記飽和器が、前記液体供給システムによって供給される前記液体と同じである液体で前記気体を飽和させる、請求項13に記載の装置。 The saturator is to saturate the gas with a liquid is the same as the liquid supplied by said liquid supply system, according to claim 13.
  15. 前記飽和器が、前記基板テーブルの前記位置と関係なく動作する、請求項13に記載の装置。 The saturator is operated regardless of the position of the substrate table, according to claim 13.
  16. 前記オブジェクトがセンサ又はカバープレートである、請求項13に記載の装置。 It said object is a sensor or cover plate, according to claim 13.
  17. 液体を通してパターン付き放射ビームを基板上に投影し、オブジェクトのエッジと前記基板を保持する基板テーブルとの間で漏れた液体をドレイン内で収集し、前記ドレインから液体を除去し、前記ドレインに及び/又はドレインから流れる気体を飽和させることを含むデバイス製造方法。 A patterned radiation beam is projected onto a substrate through a liquid, the leaked liquid between the substrate table holding the substrate and edges of objects collected in the drain to remove liquid from the drain, Oyobi to the drain / or device manufacturing method comprising saturating the gas flowing from the drain.
  18. 前記ドレインに及び/又はドレインから流れる気体を飽和させることが、前記ドレインに及び/又はドレインから流れる前記気体に液体を供給することを含む、請求項17に記載の方法。 It said drain and / or to the gas flowing from the drain to saturate, comprising supplying liquid to the gas flowing to and / or drain to the drain, the method according to claim 17.
  19. 前記オブジェクトが基板、センサ又はカバープレートである、請求項18に記載の方法。 It said object is a substrate, the sensor or the cover plate, The method of claim 18.
  20. 前記ドレインに及び/又はドレインから流れる前記気体に、気体の形態で液体を供給することを含む、請求項19に記載の方法。 The gas flowing from and / or drain in said drain comprises feeding a liquid in the form of a gas, the method of claim 19.
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