JP2012114469A - Lithographic apparatus - Google Patents
Lithographic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012114469A JP2012114469A JP2012055739A JP2012055739A JP2012114469A JP 2012114469 A JP2012114469 A JP 2012114469A JP 2012055739 A JP2012055739 A JP 2012055739A JP 2012055739 A JP2012055739 A JP 2012055739A JP 2012114469 A JP2012114469 A JP 2012114469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- drain
- substrate table
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Abstract
Description
[0001] 本発明はリソグラフィ装置及びデバイスを製造する方法に関する。 The present invention relates to a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device.
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ又は幾つかのダイの一部を備える)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料(レジスト)の層への結像により行われる。一般的に、1枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に1回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向)と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向(「スキャン」方向)に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。 A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, usually onto a target portion of the substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In such cases, a patterning device, alternatively referred to as a mask or reticle, can be used to generate a circuit pattern to be formed on an individual layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg comprising part of, one, or several dies) on a substrate (eg a silicon wafer). The pattern is usually transferred by imaging onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate. In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively patterned. A conventional lithographic apparatus scans a substrate in parallel or anti-parallel to a predetermined direction ("scan" direction) and a so-called stepper that irradiates each target portion by exposing the entire pattern to the target portion at once. However, a so-called scanner is provided that irradiates each target portion by scanning the pattern with a radiation beam in a predetermined direction (“scan” direction). It is also possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern onto the substrate.
[0003] リソグラフィ投影装置では、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。その要点は、より小さいフィーチャを結像可能にすることである。というのは、露光放射が、液体中の方が短い波長を有するからである。(液体の効果は、システムの有効NA(レンズによって支持されている場合)を上げ、焦点深度も上げることと考えることもできる。)固体粒子(例えば石英)が浮遊している水などの他の液浸液が提案されている。 In lithographic projection apparatus, it has been proposed to immerse the substrate in a liquid having a relatively high refractive index, such as water, so as to fill a space between the final element of the projection system and the substrate. The point is to allow smaller features to be imaged. This is because the exposure radiation has a shorter wavelength in the liquid. (The effect of the liquid can also be thought of as increasing the effective NA of the system (if supported by the lens) and increasing the depth of focus.) Others such as water with solid particles (eg quartz) floating Immersion liquids have been proposed.
[0004] しかし、基板を、又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと(例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許US4,509,852号参照)は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。 [0004] However, immersing the substrate, or the substrate and substrate table in a bath of liquid (see, eg, US Pat. No. 4,509,852, which is incorporated herein by reference in its entirety) accelerates during scan exposure. There is also a large lump of liquid that should be. This requires an additional motor or a more powerful motor, and turbulence in the liquid can cause undesirable and unpredictable effects.
[0005] 提案されている解決法の1つは、液体供給システムが、液体封じ込めシステムを使用して、基板の局所区域及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである(基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する)。これを配置構成するための1つの知られている方法が、参照により全体が本明細書に組み込まれるPCT特許公報WO99/49504号で開示されている。図2及び図3に図示されているように、液体が少なくとも1つの入口INによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口OUTによって除去される。つまり、基板Wが−X方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の+X側にて供給され、−X側にて取り上げられる。図2は、液体が入口INを介して供給され、低圧源に接続された出口OUTによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図2の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図3に図示され、ここでは各側に4組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。 [0005] One proposed solution is that the liquid supply system uses a liquid containment system to provide liquid only between the local area of the substrate and the final element of the projection system and the substrate. (The substrate typically has a larger surface area than the final element of the projection system). One known method for arranging this is disclosed in PCT patent publication WO 99/49504, which is hereby incorporated by reference in its entirety. As illustrated in FIGS. 2 and 3, liquid is supplied onto the substrate by at least one inlet IN, preferably along the direction of movement of the substrate relative to the final element, and at least one after passing under the projection system. Removed by two outlets OUT. That is, when the substrate W is scanned under the element in the −X direction, liquid is supplied on the + X side of the element and taken up on the −X side. FIG. 2 schematically shows a configuration in which liquid is supplied via an inlet IN and is taken up on the other side of the element by an outlet OUT connected to a low pressure source. In the illustration of FIG. 2, the liquid is supplied along the direction of movement of the substrate relative to the final element, although this need not be the case. Various orientations and numbers of inlets and outlets arranged around the final element are possible, an example is illustrated in FIG. 3, where four sets of inlets and outlets on each side are regular around the final element. Provided in pattern.
[0006] 局所的液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図4に図示されている。液体は、投影システムPLのいずれかの側にある2つの溝入口INによって供給され、入口INの半径方向外側に配置された複数の別個の出口OUTによって除去される。入口IN及びOUTは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムPLの一方側にある1つの溝入口INによって供給されて、投影システムPLの他方側にある複数の別個の出口OUTによって除去され、これによって投影システムPLと基板Wの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口INと出口OUTを使用するかの選択は、基板Wの動作方向によって決定することができる(他の組合せの入口IN及び出口OUTは不活性である)。 [0006] A further solution in immersion lithography with a localized liquid supply system is illustrated in FIG. The liquid is supplied by two groove inlets IN on either side of the projection system PL and is removed by a plurality of separate outlets OUT arranged radially outside the inlet IN. The inlets IN and OUT can be arranged in a plate with a hole in the center and through which the projected projection beam passes. The liquid is supplied by one groove inlet IN on one side of the projection system PL and removed by a plurality of separate outlets OUT on the other side of the projection system PL, so that between the projection system PL and the substrate W A liquid thin film flow occurs. The choice of which combination of inlets IN and outlets OUT to use can be determined by the direction of movement of the substrate W (other combinations of inlets IN and outlets OUT are inactive).
[0007] 欧州特許出願公報EP1420300号及び米国特許出願公報US2004−0136494号(現在は米国特許US7,193,232号として特許されている)では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する2つのテーブルが設けられる。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、1つのテーブルのみを有してもよい。 [0007] European patent application publication EP 1420300 and US patent application publication US 2004-0136494 (currently patented as US Pat. No. 7,193,232) disclose the concept of a twin or dual stage immersion lithography apparatus. ing. Such an apparatus is provided with two tables for supporting the substrate. Leveling measurement is performed on the table at the first position without immersion liquid, and exposure is performed on the table at the second position where immersion liquid is present. Alternatively, the device may have only one table.
[0008] リソグラフィ装置内での液浸液の取り扱いは、液体取り扱いの1つ又は複数の問題を伴う。基板及び/又はセンサなどのオブジェクトと、オブジェクト(例えば基板)のエッジの周囲の基板テーブルとの間に、通常はギャップが存在する。米国特許出願公開US2005−0264778号は、ギャップが液体供給システムの下を通過する時の気泡内包物を回避する且つ/又は実際にギャップに入る液体を全て除去するために、そのギャップを材料で充填するか、液体源又は低圧源を提供して、ギャップを液体で意図的に充填することを開示している。 [0008] Handling of immersion liquid in a lithographic apparatus involves one or more problems of liquid handling. There is usually a gap between an object, such as a substrate and / or sensor, and a substrate table around the edge of the object (eg, substrate). US Patent Application Publication No. US 2005-0264778 fills the gap with material in order to avoid bubble inclusions when the gap passes under the liquid supply system and / or to remove all liquid that actually enters the gap. Or providing a liquid or low pressure source to intentionally fill the gap with liquid.
[0009] 例えばオブジェクトのエッジと、オブジェクトが配置されている基板テーブルとの間のギャップから、液体を除去することが望ましい。オブジェクトは、基板、センサ、閉プレートなどでよい。 [0009] For example, it is desirable to remove the liquid from the gap between the edge of the object and the substrate table on which the object is placed. The object may be a substrate, a sensor, a closed plate, or the like.
[0010] 本発明の態様によれば、
基板を保持する基板テーブルと、
使用時に基板テーブル上のオブジェクトのエッジと基板テーブルとの間で漏れる第一液体を受ける基板テーブル内のドレインと、
ドレインから液体及び/又は気体を流すためのドレインへの出口と、
基板テーブルの位置に関係なく、ドレインに第二液を能動的に供給する液体供給装置と、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0010] According to an aspect of the invention,
A substrate table for holding the substrate;
A drain in the substrate table that receives a first liquid that leaks between the edge of the object on the substrate table and the substrate table in use;
An outlet to the drain for flowing liquid and / or gas from the drain;
A liquid supply device that actively supplies the second liquid to the drain regardless of the position of the substrate table;
A lithographic apparatus comprising:
[0011] 本発明の態様によれば、
基板を保持する基板テーブルと、
基板、基板テーブル及び/又は基板テーブル上のオブジェクトの局所区域の液体を、基板、基板テーブル及び/又はオブジェクトと投影システムとの間に提供する液体供給システムと、
使用時に、基板及び/又はオブジェクトのエッジと基板テーブルとの間で漏れる液体を閉じ込める基板テーブル内のドレインと、
低圧源及びドレインに接続され、ドレインから液体及び/又は気体を除去する出口と、
ドレインを出入りする全ての気体を液体で飽和させる飽和器と、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0011] According to an aspect of the invention,
A substrate table for holding the substrate;
A liquid supply system for providing a liquid in a local area of the substrate, the substrate table and / or the object on the substrate table between the substrate, the substrate table and / or the object and the projection system;
A drain in the substrate table that, in use, traps liquid leaking between the edge of the substrate and / or object and the substrate table;
An outlet connected to the low pressure source and the drain to remove liquid and / or gas from the drain;
A saturator that saturates all gases entering and exiting the drain with liquid,
A lithographic apparatus comprising:
[0012] 本発明の態様によれば、液体を通してパターン付き放射ビームを基板に投影し、オブジェクトのエッジと基板を保持する基板テーブルとの間で漏れた液体をドレイン内で収集し、ドレインから液体を除去し、ドレインに及び/又はドレインから流れる気体を飽和させることを含むデバイス製造方法が提供される。 [0012] According to an aspect of the present invention, a patterned radiation beam is projected through a liquid onto a substrate, and liquid leaking between the edge of the object and the substrate table holding the substrate is collected in the drain, and the liquid from the drain And a method of manufacturing a device comprising saturating a gas flowing into and / or from the drain.
[0013] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。 [0013] Embodiments of the present invention will now be described by way of example only with reference to the accompanying schematic drawings. Corresponding reference characters indicate corresponding parts in the drawings.
[0019] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、 [0019] Figure 1 schematically depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. This device
[0020] 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、 [0020] an illumination system (illuminator) IL configured to condition a radiation beam B (eg UV radiation or DUV radiation);
[0021] パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、 [0021] A support structure (eg, a mask table) configured to support the patterning device (eg, mask) MA and connected to a first positioner PM configured to accurately position the patterning device according to certain parameters MT,
[0022] 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、 [0022] A substrate table (eg, a wafer table) WT configured to hold a substrate (eg, a resist-coated wafer) W and connected to a second positioner PW configured to accurately position the substrate according to specific parameters. When,
[0023] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。 [0023] A projection system (eg, a refractive projection lens system) configured to project a pattern imparted to the radiation beam B by the patterning device MA onto a target portion C (eg, including one or more dies) of the substrate W. Including PS.
[0024] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。 [0024] The illumination system includes various types of optical components, such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic, etc. optical components, or any combination thereof, for directing, shaping or controlling radiation. You may go out.
[0025] 支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。 The support structure holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and the like, for example, whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. The support structure can use mechanical, vacuum, electrostatic or other clamping techniques to hold the patterning device. The support structure may be a frame or a table, for example, and may be fixed or movable as required. The support structure may ensure that the patterning device is at a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms “reticle” or “mask” herein may be considered synonymous with the more general term “patterning device.”
[0026] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。 [0026] As used herein, the term "patterning device" is used broadly to refer to any device that can be used to pattern a cross-section of a radiation beam so as to generate a pattern on a target portion of a substrate. Should be interpreted. It should be noted here that the pattern imparted to the radiation beam may not exactly correspond to the desired pattern in the target portion of the substrate, for example if the pattern includes phase shift features or so-called assist features. In general, the pattern imparted to the radiation beam corresponds to a special functional layer in a device being created in the target portion, such as an integrated circuit.
[0027] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。 [0027] The patterning device may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in lithography, and include mask types such as binary masks, Levenson phase shift masks, attenuated phase shift masks, and various hybrid mask types. It is. As an example of a programmable mirror array, a matrix array of small mirrors is used, each of which can be individually tilted to reflect the incoming radiation beam in a different direction. The tilted mirror imparts a pattern to the radiation beam reflected by the mirror matrix.
[0028] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。 [0028] As used herein, the term "projection system" refers appropriately to other factors such as, for example, the exposure radiation used or the use of immersion liquid or the use of a vacuum, eg refractive optical system, reflective optics. It should be construed broadly to cover any type of projection system, including systems, catadioptric optical systems, magneto-optical systems, electromagnetic optical systems and electrostatic optical systems, or any combination thereof. Any use of the term “projection lens” herein may be considered as synonymous with the more general term “projection system”.
[0029] ここに示している本装置は透過タイプである(例えば透過マスクを使用する)。あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する)。 The apparatus shown here is of a transmissive type (for example using a transmissive mask). Alternatively, the device may be of a reflective type (for example using a programmable mirror array of the type mentioned above or using a reflective mask).
[0030] リソグラフィ装置は2つ(デュアルステージ)又はそれ以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスクテーブル)を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。 [0030] The lithographic apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more mask tables). In such “multi-stage” machines, additional tables can be used in parallel, or one or more other tables can be used for exposure while one or more tables perform the preliminary process can do.
[0031] 図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。 [0031] Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. The radiation source and the lithographic apparatus may be separate components, for example when the radiation source is an excimer laser. In such a case, the radiation source is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam is emitted from the source SO by means of a beam delivery system BD, for example equipped with a suitable guiding mirror and / or beam expander. Passed to IL. In other cases the source may be an integral part of the lithographic apparatus, for example when the source is a mercury lamp. The radiation source SO and the illuminator IL may be referred to as a radiation system together with a beam delivery system BD as required.
[0032] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲(一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。 The illuminator IL may include an adjuster AD that adjusts the angular intensity distribution of the radiation beam. Typically, the outer and / or inner radius range (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution at the illuminator pupil plane can be adjusted. The illuminator IL may include various other components such as an integrator IN and a capacitor CO. Alternatively, the radiation beam may be adjusted using an illuminator so that desired uniformity and intensity distribution can be obtained across the cross section.
[0033] 放射ビームBは、支持構造体(例えばマスクテーブル)MT上に保持されたパターニングデバイス(例えばマスク)MAに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームBはパターニングデバイスMAを通り抜けて、基板Wのターゲット部分C上にビームを集束する投影システムPSを通過する。第二ポジショナPW及び位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ)の助けにより、基板テーブルWTを、例えば放射ビームBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナPM及び別の位置センサ(図1には明示されていない)を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造体MTの移動は、第一位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)を用いて実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第二ポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、支持構造体MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアラインメントマークM1、M2及び基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい(スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる)。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。 [0033] The radiation beam B is incident on the patterning device (eg, mask) MA, which is held on the support structure (eg, mask table) MT, and is patterned by the patterning device. The radiation beam B passes through the patterning device MA and passes through a projection system PS that focuses the beam onto a target portion C of the substrate W. With the help of the second positioner PW and the position sensor IF (eg interferometer device, linear encoder or capacitive sensor), the substrate table WT can be moved precisely to position the various target portions C, for example in the path of the radiation beam B. . Similarly, for the path of the radiation beam B using a first positioner PM and another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1), eg after mechanical retrieval from a mask library or during a scan. Thus, the patterning device MA can be accurately positioned. In general, the movement of the support structure MT can be realized using a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine positioning) that form part of the first positioning device PM. Similarly, movement of the substrate table WT can be realized with the aid of a long stroke module and a short stroke module forming part of the second positioner PW. In the case of a stepper (as opposed to a scanner) the support structure MT may be connected only to a short stroke actuator or fixed. Patterning device MA and substrate W may be aligned using patterning device alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. The substrate alignment mark as shown occupies a dedicated target position, but may be arranged in a space between target portions (referred to as a scribe lane alignment mark). Similarly, in situations in which a plurality of dies are provided on the patterning device MA, patterning device alignment marks may be placed between the dies.
[0034] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。 The illustrated lithographic apparatus can be used in at least one of the following modes:
[0035] 1.ステップモードにおいては、支持構造体MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。 [0035] In step mode, the support structure MT and the substrate table WT are basically kept stationary, while the entire pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C at one time (ie one stationary operation). exposure). Next, the substrate table WT is moved in the X and / or Y direction so that another target portion C can be exposed. In the step mode, the size of the target portion C on which an image is formed in one still exposure is limited by the maximum size of the exposure field.
[0036] 2.スキャンモードにおいては、支持構造体MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。 [0036] 2. In scan mode, the support structure MT and the substrate table WT are scanned synchronously while a pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C (ie, one dynamic exposure). The speed and direction of the substrate table WT relative to the support structure MT can be determined by the enlargement (reduction) and image reversal characteristics of the projection system PS. In the scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width of the target portion (in the non-scan direction) in one dynamic exposure, and the length of the scan operation determines the height of the target portion (in the scan direction). .
[0037] 3.別のモードでは、支持構造体MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。 [0037] 3. In another mode, the support structure MT is held essentially stationary, holding the programmable patterning device, and projecting the pattern imparted to the radiation beam onto the target portion C while moving or scanning the substrate table WT. . In this mode, a pulsed radiation source is typically used to update the programmable patterning device as needed each time the substrate table WT is moved or between successive radiation pulses during a scan. This mode of operation can be readily applied to maskless lithography that utilizes programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as referred to above.
[0038] 上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。 [0038] Combinations and / or variations on the above described modes of use or entirely different modes of use may also be employed.
[0039] 本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意のタイプの液体供給システムとともに使用することができるが、本明細書で検討する設計は、図5に図示されたような局所区域液体供給システムとともに使用するのに最適化されている。このタイプの液体供給システムでは、液体がいかなる時にも基板の上面全体の小さい区域にしか提供されない。これは、局所区域液体供給システムの動作を簡単に説明するための例示である。 [0039] Although one or more embodiments of the present invention may be used with any type of liquid supply system, the design discussed herein is a local area liquid as illustrated in FIG. Optimized for use with supply systems. In this type of liquid supply system, liquid is only provided to a small area of the entire top surface of the substrate at any given time. This is an example to briefly explain the operation of the local area liquid supply system.
[0040] 図5を参照すると、局所区域液体供給システムは、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体封じ込め構造を有する液体供給システムを備える。液体封じ込め構造は、投影システムに対してXY面で実質的に静止しているが、Z方向(光軸の方向)では多少の相対運動があってよい。実施形態では、シールが液体封じ込め構造と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでよい。 [0040] Referring to FIG. 5, a local area liquid supply system includes a liquid supply system having a liquid containment structure that extends along at least a portion of the boundary of the space between the final element of the projection system and the substrate table. Prepare. The liquid containment structure is substantially stationary in the XY plane with respect to the projection system, but there may be some relative movement in the Z direction (the direction of the optical axis). In an embodiment, a seal is formed between the liquid containment structure and the surface of the substrate, and may be a contactless seal such as a gas seal.
[0041] 液体封じ込め構造12は、少なくとも部分的に液浸液を投影システムPLの最終要素と基板Wの間の空間11に閉じ込める。基板表面と投影システムの最終要素の間の空間内に液体が封じ込められるように、基板の非接触シール16を、投影システムの像フィールドの周囲に形成することができる。この空間は、投影システムPLの最終要素の下方に配置され、それを囲む液体封じ込め構造12によって少なくとも一部は形成される。液体は、液体入口13によって投影システムの下方で液体封じ込め構造12内の空間に運び込まれ、液体出口13によって除去することができる。液体封じ込め構造12は、投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。液体封じ込め構造12は、その上端が実施形態では投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。底部では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。
[0041] The
[0042] 液体は、使用中に液体封じ込め構造12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11に閉じ込められる。ガスシールは、空気又は合成空気のような気体で形成されるが、実施形態ではN2又は別の不活性ガスであり、圧力下で入口15を介して液体封じ込め構造12と基板の間のギャップに提供され、出口14を介して抽出される。ガス入口15への過剰圧力、出口14への真空のレベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を封じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。これらの入口/出口は、空間11を囲む環状溝でよく、気体16の流れは、液体を空間11に収容させるのに効果的である。このようなシステムが、米国特許出願公開US2004−0207824号で開示されている。
[0042] The liquid is confined in the
[0043] 他の解決法も可能であり、本発明の1つ又は複数の実施形態は、それにも等しく適用可能である。例えば、ガスシール16の代わりに、液体のみを抽出する単相抽出器を有することが可能である。このような単相抽出器の半径方向外側には、液体を空間内に閉じ込めるのに役立つガス流を生成する1つ又は複数のフィーチャがあってよい。1つのこのようなタイプのフィーチャは、ガスの薄いジェットを基板Wへと下向きにするいわゆるガスナイフでよい。投影システム及び液体供給システムの下方で基板がスキャン運動をしている間に、液圧及び静水圧力を発生させることができ、その結果、基板に向かって液体へと下方向の圧力がかかる。
[0043] Other solutions are possible, and one or more embodiments of the invention are equally applicable thereto. For example, instead of the
[0044] 局所区域液体供給システムでは、基板Wが投影システムPL及び液体供給システムの下方で移動し、基板Wのエッジに結像する場合、又は基板テーブル上のセンサに結像するか、基板交換を実行可能にするためにダミー基板又はいわゆる閉プレートを液体供給システムの下方に配置できるように、基板テーブルを移動させるべき場合、基板Wのエッジが空間11の下を通過し、液体が基板Wと基板テーブルWTの間のギャップに漏れることがある。この液体は、液圧又は静水圧又はガスナイフ又は他のガス流発生装置の力で、強制的に入れることができる。
[0044] In the local area liquid supply system, the substrate W moves below the projection system PL and the liquid supply system and forms an image on the edge of the substrate W, or forms an image on a sensor on the substrate table, or replaces the substrate. If the substrate table is to be moved so that a dummy substrate or so-called closed plate can be placed below the liquid supply system in order to be able to carry out the process, the edge of the substrate W passes under the
[0045] 本発明の1つ又は複数の実施形態を、以下では基板Wのエッジの周囲にドレインを提供することに関して説明するが、1つ又は複数の実施形態は、例えば基板交換中に液体供給システムの底部に取り付けることによって液体供給システム内の液体を維持するために使用される閉プレート及び/又は1つ又は複数のセンサを含むが、それに制限されない基板テーブル上に配置された1つ又は他のオブジェクトにも、等しく適用可能である。したがって、以下の基板Wへの言及は、センサ又は閉プレートなどの任意の他のオブジェクトと同義と見なされたい。 [0045] One or more embodiments of the present invention will be described below with respect to providing a drain around the edge of the substrate W, but one or more embodiments may provide liquid supply, for example, during substrate replacement. One or other disposed on a substrate table including but not limited to a closed plate and / or one or more sensors used to maintain liquid in the liquid supply system by attaching to the bottom of the system It is equally applicable to other objects. Accordingly, the following reference to the substrate W should be considered synonymous with any other object such as a sensor or a closed plate.
[0046] 図6は、本発明の実施形態を示す。図6は、基板テーブルWT及び基板Wの断面図である。ギャップ5が基板Wのエッジと基板テーブルWTのエッジとの間に存在する。基板Wのエッジに結像する場合に、又は基板Wが最初に(上述したように)投影システムPSの下方を移動する場合のように他の任意の時に、基板Wのエッジと基板テーブルWTのエッジとの間のギャップ5は、例えば液体供給システム12によって液体で充填された空間11の下方を通過する。その結果、空間11からの液体がギャップに入る。
[0046] FIG. 6 illustrates an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of the substrate table WT and the substrate W. A gap 5 exists between the edge of the substrate W and the edge of the substrate table WT. When imaging on the edge of the substrate W, or at any other time, such as when the substrate W first moves under the projection system PS (as described above), the edge of the substrate W and the substrate table WT The gap 5 between the edges passes below a
[0047] そのギャップに入った液体に対処するために、少なくとも1つのドレイン10、20を基板Wのエッジに設けて、ギャップ5に入る全ての液体を除去する。図6の実施形態では、2つのドレイン10、20が図示されているが、ドレインが1つしかないか、3つ以上のドレインがあってもよい。ドレイン10、20はそれぞれ、基板Wの全周を囲むように、例えば環状である。
In order to deal with the liquid entering the gap, at least one
[0048] 第一ドレイン10の主な機能は、気泡が液体供給システム12の液体11に入るのを防止することである。このような気泡は全て、基板Wの結像に悪影響を及ぼし得る。ギャップ5から基板Wの下方へと液体が流れた場合に、それが結像後に基板テーブルWTからの基板Wの効率的な解放を妨げるのを防止するために、第二ドレイン20が設けられる。従来通りに、基板Wは、複数の突起32を備えるピンプルテーブル30によって保持される。ピンプルテーブル30によって基板Wと基板テーブルWTの間に加えられる低圧は、基板Wが所定の位置にしっかり保持されることを保証する。しかし、液体が基板Wとピンプルテーブル30の間に入ると、これは特に基板Wのアンロード時に困難を引き起こすことがある。第二ドレイン20を設けると、基板Wの下に流れる液体のせいで発生するような問題が軽減されるか、解消される。
[0048] The main function of the
[0049] 第一及び第二ドレイン10、20は両方とも、低圧によって液体を除去する。つまり、両方のドレインは、出口142及び242を介して低圧源に接続されている。この低圧源は、個々のドレインに入った全ての液体を効率的に除去する。しかし、低圧源はまた、基板テーブルWT上のギャップ5の外側から(又は第二ドレイン20の場合は、ピンプルテーブル30からも)個々のドレインを通して気体を効果的に引き入れ、出口を通して出す。この液体及び気体の流れは、液浸装置の使用中に一定ではない。ギャップ5に液体が入る可能性がある場合は、出口142、242のみを低圧源に接続する措置を執ることができるが、ドレイン10、20を通過する気体及び/又は液体の量が変化するので、基板テーブルWTに不均一な熱負荷が加えられる危険がある。このように気体及び液体の一時的に不均一な流れの結果、ドレイン10、20中の液体の蒸発率が異なり、それによって基板のバッチの露光中にドレイン10、20によって発生する熱損が変動してしまう。露光中に熱損がこのように変動するのは、露光の経路に依存する特定の時間中に、基板Wのエッジが空間11の下にあるようにしか、基板テーブルWTが配置されていないせいである。したがって、基板のバッチの第一基板では、基板の周囲の蒸発負荷が、後続の基板とは異なる位置にある。さらに、新しいバッチの開始時にはトラックから基板を送出するタイミングの遅れがあるので、ドレイン10、20の乾燥(及びそれによる蒸発の減少)によって蒸発損が変化する。
[0049] Both the first and
[0050] ドレイン10、20によって加えられる熱損の上述した変化を緩和するために、基板テーブルの位置に関係なく(つまり基板のエッジが空間11の下にあるかに関係なく)、熱負荷が実質的に一定のままであるように措置が執られる。これを達成する方法は、2つの別個の方法に見ることができる。第一に、蒸発を引き起こすような気体がドレイン中の液体上を通過する場合に、蒸発を引き起こすことができないように、この気体が、液体供給装置12が使用するものと同じ(タイプの)液体で飽和するか、少なくともほぼ飽和することを確実にするものと考えることができる。第二に、ドレイン10、20を通る(液浸)液の連続流を提供し、それによってある時間にわたる熱損を均一にするものと考えることができる。
[0050] In order to mitigate the above-described changes in heat loss applied by the
[0051] 各ドレインの構造の詳細について、以下で詳述する。しかし、本発明の原理は、装置を使用することによって自身を通る液体及び/又は気体の変動する流れが設けられ、それによって蒸発量が変動し、熱負荷が変動する液浸装置の任意のタイプのドレインにも適用できることを理解されたい。液体をドレイン10、20に提供する手段又はドレイン内の気体を飽和させる手段は、上述したような機能に適合する限り、及び装置の他の構成要素との有害な干渉がない限り、任意の位置に設けられることも認識される。
[0051] Details of the structure of each drain will be described in detail below. However, the principle of the present invention is that any type of immersion apparatus in which the use of the apparatus is provided with a fluctuating flow of liquid and / or gas through it, thereby varying the amount of evaporation and varying the heat load. It should be understood that the present invention can also be applied to other drains. The means for providing liquid to
[0052] ドレイン20の半径方向外側に配置されたドレイン10内には、基板Wと基板テーブルWTの間のギャップ5から第一チャンバ120へと流路110が通じている。流路110とチャンバ120は両方とも、例えば環状である。流路110は、スリットの形態であることが望ましい。つまり、高さと比較して相対的に狭い。第二チャンバ140は、複数の貫通穴130を通して第一流路120と流体連絡する。貫通穴130は、基板の周囲で望ましくは均等に隔置されている。低圧源に接続された出口142は、第二チャンバ140の底部と流体連絡する。認識されるように、チャンバ120、140の形状は、図6に図示したものと断面が変化してよく、機能する様々な断面形状、及び望ましいチャンバの様々な面の表面特性に関する詳細については、日本特許出願公報2007−072118号、及び2006年3月28日出願の米国特許出願11/390,427号の開示を参照されたい。
In the
[0053] 液体入口122、144を各チャンバ120、140に設ける。これらの液体入口122、144は、図示のように液体の噴霧を提供するか、液体の連続流又はその間のもの(例えば一定の小滴の滴下)を提供することができる。この方法で、個々のチャンバ内の気体を飽和(又はほぼ飽和)させることができるか、各チャンバを通る液体の連続流を提供する。
[0053]
[0054] チャンバ120、140の一方にしか液体入口122、144を設けられない、又は代替的又は追加的に液体入口を流路110内に、又はギャップ5内にも設けられることが認識される。液体入口をギャップ5に設ける場合は、第一及び第二ドレイン10、20の両方に1つの液体入口で十分である。この説明では、単一の液体入口に言及した場合、それは、断面に単一の液体入口があるという意味であることが認識される。言うまでもなく、液体入口122、144は、連続的な(環状)溝として設けるか、ドレインの周囲に別個の入口として設けることができる。
[0054] It will be appreciated that only one of the
[0055] 次に、第二ドレイン20について説明する。第二ドレイン20の出口242は、ピンプルテーブル30の低圧(例えば0.5バール)よりわずかに高い低圧(例えば0.6バール)に維持される。これによって、ピンプルテーブル30から、さらにギャップ5から出口242への気体の流れが確保される。
[0055] Next, the
[0056] 図に見られるように、基板Wの下方に2つの突起210及び220が設けられる。半径方向外側の突起210は、いわゆる「ウェットシール」("wet seal")で、それと基板Wの底面との間を通過する液浸液を有する可能性が高い。半径方向内側の突起220はドライシールで、それと基板Wの間は気体しか通過しない可能性が高い。
As can be seen in the figure, two
[0057] 2つの突起210、220の間には、チャンバ240に通じる流路230がある。チャンバ240は、低圧源に接続された出口242と流体連絡する。チャンバ240には液体入口244が設けられる。液体入口244は、チャンバ240内を気体で飽和させる機構、又はギャップ5上の空間11の有無に関係なく液体を出口242に連続的に供給する機構として作用する。
[0057] Between the two
[0058] 代替構成では、0.475バールというピンプルテーブル30の低圧に対して、出口242は0.5バールという低圧に維持されているだけである。この場合、液体は、内部突起220上にあることが可能で、圧力差と液体の毛管力との組合せは、液体を内部突起220と基板Wの間に維持し、ピンプルテーブル30へと移動させないのに十分である。(外部突起210と基板の間に液体が存在するか存在しないかに応じて)外部突起210を通過して流れる気体への抵抗が変動する状態で、この圧力差を維持するために、基板テーブルの外側の絞り網によって圧力を調整する。その結果、液体蒸発の、したがって熱負荷の最大部分は、この絞り網内で生じる。したがって、基板Wの下方の基板テーブルWTでは、蒸発の小さい部分しか生じない。熱損のこの最終部分の濡れ履歴への依存状態は、強制的な濡れで、望ましくは上述したような2つの突起210、220間の出口で調整することができる。
[0058] In an alternative configuration, for the low pressure of the pimple table 30 of 0.475 bar, the
[0059] 図に見られるように、液浸装置の抽出器の熱負荷に対する濡れ履歴の依存状態は、これらの抽出器に一定に(つまり基板テーブルに関係なく)液浸液を提供することによって調整することができる。この原理は、液体を気体状(つまり飽和又は加湿した気体)で提供することによっても働く。この原理は、同じ問題を抱えているような液浸機械の他の抽出器でも使用することができる。一例は、投影システムの最終要素と基板の間に液体を供給する液体供給システムに使用される抽出器である(その例が図2から図5に図示されている)。抽出器によって生じた熱損が変動し、液体又は加湿した気体を抽出器に提供することで、その困難を緩和できる場合もある(例えば基板の交換中)。 [0059] As can be seen in the figure, the dependence of the wetting history on the thermal load of the extractors of the immersion apparatus is determined by providing immersion liquid to these extractors constantly (ie regardless of the substrate table). Can be adjusted. This principle also works by providing the liquid in a gaseous state (ie, a saturated or humidified gas). This principle can also be used in other extractors of immersion machines that have the same problem. An example is an extractor used in a liquid supply system that supplies liquid between the final element of the projection system and the substrate (examples are shown in FIGS. 2 to 5). In some cases, the heat loss caused by the extractor fluctuates and the difficulty can be alleviated by providing the extractor with a liquid or humidified gas (eg, during substrate replacement).
[0060] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、計測ツール及び/又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。 [0060] Although the text specifically refers to the use of a lithographic apparatus in the manufacture of ICs, it will be appreciated that the lithographic apparatus described herein has other uses. For example, this is an integrated optical device, guidance and detection patterns for magnetic domain memory, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. In light of these alternative applications, the use of the terms “wafer” or “die” herein are considered synonymous with the more general terms “substrate” or “target portion”, respectively. It will be apparent to those skilled in the art. The substrate described herein may be processed before or after exposure, eg, with a track (usually a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), metrology tool, and / or inspection tool. Can do. Where appropriate, the disclosure herein may be applied to these and other substrate processing tools. In addition, the substrate can be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, so the term substrate as used herein can also refer to a substrate that already contains multiple processed layers.
[0061] 以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。 [0061] While the above specifically refers to the use of embodiments of the present invention in the context of optical lithography, the present invention can also be used in other applications, such as imprint lithography, if the situation allows, It is understood that the present invention is not limited to optical lithography. In imprint lithography, the pattern generated on the substrate is defined by the microstructure of the patterning device. The patterning device microstructure is pressed against a layer of resist supplied to the substrate, after which the resist is cured by electromagnetic radiation, heat, pressure or a combination thereof. The patterning device is moved away from the resist, leaving a pattern after the resist is cured.
[0062] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)放射(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nmの波長、又はその辺りの波長を有する)及び極端紫外線光(EUV)放射(例えば、5nm〜20nmの範囲の波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。 [0062] As used herein, the terms "radiation" and "beam" include not only particle beams such as ion beams or electron beams, but also ultraviolet (UV) radiation (eg, 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm or All types of electromagnetic radiation are encompassed, including wavelengths at or around 126 nm) and extreme ultraviolet light (EUV) radiation (eg having a wavelength in the range of 5 nm to 20 nm).
[0063] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、又はその組合せを指す。 [0063] The term "lens" refers to any of various types of optical components, or combinations thereof, including refractive, reflective, magnetic, electromagnetic and electrostatic optical components, as the situation allows.
[0064] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク)の形態をとることができる。 [0064] While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, the present invention provides a computer program that includes one or more sequences of machine-readable instructions that describe a method as disclosed above, or a data storage medium (eg, semiconductor memory, etc.) that stores such a computer program. Magnetic or optical disk).
[0065] 本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に上述したタイプにも排他的ではなく、液浸液が浴の形態で提供されても、基板の局所的表面区域にのみ提供されても適用することができる。本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板及び/又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、1つ又は複数の構造、1つ又は複数の液体入口、1つ又は複数の気体入口、1つ又は複数の気体出口及び/又は空間に液体を提供する1つ又は複数の液体出口の組合せを備えることができる。実施形態では、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの一部であるか、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板及び/又は基板テーブルを囲むことができる。液体供給システムは、任意選択で液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する1つ又は複数の要素をさらに含んでよい。 [0065] One or more embodiments of the present invention are not exclusive to any immersion lithographic apparatus, in particular the type described above, even if the immersion liquid is provided in the form of a bath, It can be applied even if provided only to the surface area. A liquid supply system as contemplated herein should be interpreted broadly. In certain embodiments, this may be a mechanism or combination of structures that provides liquid to the space between the projection system and the substrate and / or substrate table. This includes one or more structures, one or more liquid inlets, one or more gas inlets, one or more gas outlets and / or one or more liquid outlets that provide liquid to the space. Combinations can be provided. In embodiments, the surface of the space is part of the substrate and / or substrate table, the surface of the space completely covers the surface of the substrate and / or substrate table, or the space surrounds the substrate and / or substrate table. Can do. The liquid supply system may further include one or more elements that optionally control the position, quantity, quality, shape, flow rate, or any other characteristic of the liquid.
[0066] 装置内で使用する液浸液は、使用される露光放射の所望の特性及び波長に従って、様々な組成を有してよい。193nmの露光波長の場合は、超純水又は水性配合物を使用することができ、その理由から、液浸液を水と呼ぶこともあり、親水性、疎水性、湿度などの水に関係ある用語を使用することができる。 [0066] The immersion liquid used in the apparatus may have various compositions according to the desired properties and wavelength of the exposure radiation used. In the case of an exposure wavelength of 193 nm, ultrapure water or an aqueous formulation can be used, and for this reason, the immersion liquid is sometimes referred to as water, and is related to water such as hydrophilicity, hydrophobicity, and humidity. Terminology can be used.
[0067] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。 [0067] The descriptions above are intended to be illustrative, not limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.
Claims (20)
使用時に前記基板テーブル上のオブジェクトのエッジと前記基板テーブルとの間で漏れる第一液体を受ける前記基板テーブル内のドレインと、
前記ドレインから液体及び/又は気体を流すための前記ドレインへの出口と、
前記基板テーブルの位置に関係なく、前記ドレインに第二液を能動的に供給する液体供給装置と、
を備えるリソグラフィ装置。 A substrate table for holding the substrate;
A drain in the substrate table that receives a first liquid that leaks between an edge of an object on the substrate table and the substrate table in use;
An outlet to the drain for flowing liquid and / or gas from the drain;
A liquid supply device that actively supplies the second liquid to the drain regardless of the position of the substrate table;
A lithographic apparatus comprising:
前記基板、前記基板テーブル及び/又は前記基板テーブル上のオブジェクトの局所区域の液体を、前記基板、基板テーブル及び/又はオブジェクトと投影システムとの間に提供する液体供給システムと、
使用時に、前記基板及び/又はオブジェクトのエッジと前記基板テーブルとの間で漏れる液体を閉じ込める前記基板テーブル内のドレインと、
低圧源及び前記ドレインに接続され、前記ドレインから液体及び/又は気体を除去する出口と、
前記ドレインに出入りする全ての気体を液体で飽和させる飽和器と、
を備えるリソグラフィ装置。 A substrate table for holding the substrate;
A liquid supply system for providing a liquid in a local area of the substrate, the substrate table and / or an object on the substrate table between the substrate, the substrate table and / or the object and a projection system;
A drain in the substrate table that, in use, confines liquid leaking between the substrate and / or object edge and the substrate table;
An outlet connected to the low pressure source and the drain to remove liquid and / or gas from the drain;
A saturator that saturates all gases entering and exiting the drain with a liquid;
A lithographic apparatus comprising:
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/806,662 US8514365B2 (en) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/806,662 | 2007-06-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008136199A Division JP4954139B2 (en) | 2007-06-01 | 2008-05-26 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012114469A true JP2012114469A (en) | 2012-06-14 |
JP5286431B2 JP5286431B2 (en) | 2013-09-11 |
Family
ID=40087753
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008136199A Expired - Fee Related JP4954139B2 (en) | 2007-06-01 | 2008-05-26 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2012055739A Expired - Fee Related JP5286431B2 (en) | 2007-06-01 | 2012-03-13 | Lithographic apparatus |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008136199A Expired - Fee Related JP4954139B2 (en) | 2007-06-01 | 2008-05-26 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8514365B2 (en) |
JP (2) | JP4954139B2 (en) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4961299B2 (en) * | 2007-08-08 | 2012-06-27 | キヤノン株式会社 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
NL1036709A1 (en) * | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL1036835A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
NL2004980A (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-17 | Asml Netherlands Bv | Heat transfers assembly, lithographic apparatus and manufacturing method. |
JP2011192991A (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method |
NL2007802A (en) | 2010-12-21 | 2012-06-25 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
JP6006406B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-10-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Object holder and lithographic apparatus |
US10018926B2 (en) | 2014-06-10 | 2018-07-10 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus and method of manufacturing a lithographic apparatus |
CN107168015B (en) * | 2016-02-29 | 2019-01-04 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | A kind of immersion liquid limiting mechanism and temperature-compensation method |
US10534271B2 (en) | 2017-01-26 | 2020-01-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus and a method of manufacturing a device |
WO2018224218A1 (en) * | 2017-06-06 | 2018-12-13 | Asml Netherlands B.V. | Method of unloading an object from a support table |
NL2021663A (en) | 2017-10-12 | 2019-04-17 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder for use in a lithographic apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289127A (en) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | Lithography system and process for fabricating device |
US20050264778A1 (en) * | 2003-06-09 | 2005-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006064851A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2007005795A (en) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Asml Netherlands Bv | Lithography equipment and method of manufacturing device |
JP2007266603A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic device and method of manufacturing device |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JPH1012515A (en) | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nikon Corp | Projection aligner |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
DE10229818A1 (en) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Focus detection method and imaging system with focus detection system |
JP3977324B2 (en) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Lithographic apparatus |
EP1429188B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG150388A1 (en) * | 2002-12-10 | 2009-03-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
KR101345474B1 (en) * | 2003-03-25 | 2013-12-27 | 가부시키가이샤 니콘 | Exposure system and device production method |
TW201806001A (en) * | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | Exposure device and device manufacturing method |
KR101290021B1 (en) * | 2003-06-13 | 2013-07-30 | 가부시키가이샤 니콘 | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus and method for manufacturing device |
US20060285091A1 (en) * | 2003-07-21 | 2006-12-21 | Parekh Bipin S | Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application |
JP2005175016A (en) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | Substrate holding device, exposure device using the same, and method of manufacturing device |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US20060001851A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Grant Robert B | Immersion photolithography system |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG188899A1 (en) * | 2004-09-17 | 2013-04-30 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7248334B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Sensor shield |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7662746B2 (en) | 2005-04-07 | 2010-02-16 | The Regents Of The University Of Michigan | High gas adsorption metal-organic framework |
US7433016B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4641469B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-03-02 | キヤノン株式会社 | Image forming apparatus, image forming apparatus control method, and program |
US7420194B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7446859B2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography |
JP2007266504A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Canon Inc | Exposure device |
US8253922B2 (en) * | 2006-11-03 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
-
2007
- 2007-06-01 US US11/806,662 patent/US8514365B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-26 JP JP2008136199A patent/JP4954139B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-13 JP JP2012055739A patent/JP5286431B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289127A (en) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | Lithography system and process for fabricating device |
US20050264778A1 (en) * | 2003-06-09 | 2005-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006064851A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2007005795A (en) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Asml Netherlands Bv | Lithography equipment and method of manufacturing device |
JP2007266603A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic device and method of manufacturing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5286431B2 (en) | 2013-09-11 |
JP2008300829A (en) | 2008-12-11 |
US20080297744A1 (en) | 2008-12-04 |
JP4954139B2 (en) | 2012-06-13 |
US8514365B2 (en) | 2013-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5286431B2 (en) | Lithographic apparatus | |
JP4473811B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR100632891B1 (en) | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method | |
KR100733124B1 (en) | Lithographic Apparatus | |
JP5108045B2 (en) | Lithographic apparatus | |
JP4939283B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5065432B2 (en) | Fluid handling device, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2008537356A (en) | Immersion lithography system with tilted showerhead | |
JP2010245569A (en) | Lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
JP5412399B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4860681B2 (en) | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method | |
JP2011171760A (en) | Lithographic apparatus and method of manufacturing device | |
JP5474747B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2010147466A (en) | Fluid handling structure, table, lithography device, immersion lithography device, and device manufacturing method | |
JP2010103532A (en) | Fluid handling structure, lithography apparatus and method of producing device | |
JP4597925B2 (en) | Lithographic projection apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120313 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130419 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130603 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |