JP2012099567A - Cleaning method and exposure device - Google Patents

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正幸 田邉
Yutaka Watanabe
豊 渡辺
Yasuyuki Tamura
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device capable of cleaning a configuration member of an exposure device and starting exposure without deteriorating the exposure performance of the exposure device.SOLUTION: In a cleaning method for cleaning a configuration member that constitutes the exposure device and comes into contact with the immersion liquid in an exposure device that exposes a substrate through immersion liquid, the configuration member is cleaned using cleaning fluid, and the cleaning fluid is washed in a state where the liquid level of cleaning fluid in the cleaning fluid is higher than the liquid level of rinsing liquid using the rinsing liquid.

Description

本発明は洗浄方法および露光装置に関する。   The present invention relates to a cleaning method and an exposure apparatus.

微細な半導体素子を製造するための露光装置として、液体を介してウエハを露光する液浸露光装置が用いられている。液浸露光装置としては、ウエハ全体がチャックを含むとも読めて良くないと思いました。⇒ウエハ全体をウエハチャックごとウエハチャック槽内に満たされた液浸液に浸す形態や、ウエハ表面とそれに対向している投影光学系の最終光学素子との間隔のみを局所的に液浸液で満たす形態などがある。例えば特許文献1には、ウエハ表面とそれに対向する投影光学系の最終レンズとの間のみを液体で満たし露光する露光装置が開示されている。さらに、特許文献1には、液浸液に接触する最終レンズの表面が汚れた場合にそのレンズを定期的に交換する必要があることが記載されている。   As an exposure apparatus for manufacturing a fine semiconductor element, an immersion exposure apparatus that exposes a wafer through a liquid is used. As an immersion exposure system, I thought it would be bad to read that the entire wafer included the chuck. ⇒ Only the form in which the entire wafer is immersed in the immersion liquid filled in the wafer chuck tank and the distance between the wafer surface and the final optical element of the projection optical system facing it are locally immersed in the immersion liquid. There are forms to fill. For example, Patent Document 1 discloses an exposure apparatus that fills and exposes only a space between a wafer surface and a final lens of a projection optical system facing the wafer surface. Further, Patent Document 1 describes that when the surface of the final lens that comes into contact with the immersion liquid becomes dirty, it is necessary to periodically replace the lens.

レンズ表面に液浸液が残って水痕が残る場合の他に、ウエハから発生した物質あるいは露光装置内から発生した物質などが原因となって、レンズ表面に汚れとして付着する可能性がある。また、汚れはレンズ表面だけでなく、液浸領域を形成するためのノズル部材表面やウエハステージの表面などにも発生する可能性がある。特許文献2においては、最終レンズ表面の汚れを除去するために洗浄液を用いた洗浄システム、および、最終レンズ表面をすすぎ液ですすぐことが記載されている。   In addition to the case where the immersion liquid remains on the lens surface and a water mark remains, it may adhere to the lens surface due to a substance generated from the wafer or a substance generated from within the exposure apparatus. Further, the contamination may occur not only on the lens surface but also on the surface of the nozzle member and the surface of the wafer stage for forming the liquid immersion area. Patent Document 2 describes a cleaning system that uses a cleaning liquid to remove dirt on the final lens surface, and that the final lens surface is rinsed with a rinsing liquid.

国際公開第99/49504号パンフレットInternational Publication No. 99/49504 Pamphlet 特開2006−032750号公報JP 2006-032750 A

露光装置上で部材の洗浄を行う場合には、液浸液と接触する構成部材に洗浄液が残留していない状態に戻して、通常露光を再開させる必要がある。引用文献2に記載の発明では、すすぎ液を用いて洗浄液を具体的にどのようにすすぐのかについて記載されていない。そのため、すすぎ液の液面が洗浄液の液面よりも低い場合は洗浄液が残留してしまうという問題がある。洗浄液が残留することの悪影響としては、残留した洗浄液が液浸液と混合して、液浸液の光学特性を劣化させてしまい、解像不良や露光欠陥が生じてしまうことが考えられる。また、構成部材上に残留した洗浄液がその部材と化学反応してその部材を劣化させて、その部材からパーティクルを発生させてしまい、露光欠陥が生じてしまう。このように、洗浄液が露光装置内に残留すると露光性能の劣化(解像不良や露光欠陥)が生じるおそれある。   When cleaning the member on the exposure apparatus, it is necessary to return to a state where the cleaning liquid does not remain on the constituent member that comes into contact with the immersion liquid and to resume normal exposure. In the invention described in the cited document 2, there is no description on how to rinse the cleaning liquid using the rinsing liquid. Therefore, there is a problem that the cleaning liquid remains when the level of the rinsing liquid is lower than the level of the cleaning liquid. As an adverse effect of the remaining cleaning liquid, the remaining cleaning liquid may be mixed with the immersion liquid to degrade the optical characteristics of the immersion liquid, resulting in poor resolution and exposure defects. In addition, the cleaning liquid remaining on the constituent member chemically reacts with the member to deteriorate the member, generating particles from the member, and an exposure defect occurs. Thus, if the cleaning liquid remains in the exposure apparatus, the exposure performance may be deteriorated (resolution failure or exposure defect).

そこで、本発明は、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始することができる露光装置を供給することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can start exposure by cleaning constituent members of the exposure apparatus without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus.

本発明の一側面としての洗浄方法は、液浸液を介して基板を露光する露光装置内において、前記露光装置を構成して前記液浸液と接触する構成部材を洗浄する洗浄方法であって、洗浄液を用いて前記構成部材を洗浄する洗浄ステップと、すすぎ液を用いて、前記洗浄ステップ時における前記洗浄液の液面よりも前記すすぎ液の液面を高くした状態で前記洗浄液を洗い流すすすぎステップとを有することを特徴とする。   A cleaning method according to one aspect of the present invention is a cleaning method for cleaning a constituent member that constitutes the exposure apparatus and contacts the immersion liquid in an exposure apparatus that exposes a substrate through an immersion liquid. A cleaning step of cleaning the component using a cleaning liquid, and a rinsing step of rinsing the cleaning liquid using a rinsing liquid in a state in which the liquid level of the rinsing liquid is higher than the liquid level of the cleaning liquid at the time of the cleaning step It is characterized by having.

本発明では、洗浄ステップ時における洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面を高くした状態で洗浄液を洗い流すため、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始することができる。   In the present invention, since the cleaning liquid is washed away in a state in which the liquid level of the rinsing liquid is higher than the liquid level of the cleaning liquid at the time of the cleaning step, the components of the exposure apparatus are cleaned and exposed without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus. Can start.

露光装置の全体概略図である。1 is an overall schematic diagram of an exposure apparatus. (a)液浸領域周囲の概略断面図である。(b)液浸領域から投影光学系とノズルを見た概略図である。(A) It is a schematic sectional drawing around a liquid immersion area | region. (B) It is the schematic which looked at the projection optical system and the nozzle from the immersion area. ウエハステージが駆動した時の液浸領域周囲の概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view around the liquid immersion area when the wafer stage is driven. 洗浄メンテナンスのフローチャートである。It is a flowchart of cleaning maintenance. 露光装置における洗浄メンテナンス時の全体概略図である。It is the whole schematic figure at the time of the cleaning maintenance in an exposure apparatus. 実施例1における洗浄時の洗浄液領域周囲の概略断面図である。2 is a schematic cross-sectional view around a cleaning liquid region during cleaning in Example 1. FIG. 実施例1におけるすすぎ時のすすぎ液領域周囲の概略断面図である。2 is a schematic cross-sectional view around a rinse liquid region at the time of rinsing in Example 1. FIG. 実施例2におけるすすぎ時のすすぎ液領域周囲の概略断面図である。6 is a schematic cross-sectional view around a rinsing liquid region at the time of rinsing in Example 2. FIG. (a)実施例3における露光時の液浸液領域周囲の概略断面図である。(b)実施例3における洗浄時の洗浄液領域周囲の概略断面図である。(c)実施例3におけるすすぎ時のすすぎ液領域周囲の概略断面図である。(A) It is a schematic sectional drawing around the immersion liquid area | region at the time of exposure in Example 3. FIG. (B) It is a schematic sectional drawing around the washing | cleaning-liquid area | region at the time of washing | cleaning in Example 3. FIG. (C) It is a schematic sectional drawing around the rinse liquid area | region at the time of the rinse in Example 3. FIG. 実施例4におけるすすぎ時のすすぎ液領域周囲の概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view around a rinsing liquid region at the time of rinsing in Example 4. 実施例5における洗浄メンテナンスのフローチャートである。10 is a flowchart of cleaning maintenance in the fifth embodiment. 実施例5における洗浄時の洗浄液領域周囲の概略断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view around a cleaning liquid region at the time of cleaning in Example 5. (a)実施例7における洗浄時の洗浄液領域周囲の概略断面図である。(b)実施例7におけるすすぎ時のすすぎ液領域周囲の概略断面図である。(A) It is a schematic sectional drawing around the washing | cleaning-liquid area | region at the time of washing | cleaning in Example 7. FIG. (B) It is a schematic sectional drawing around the rinse liquid area | region at the time of the rinse in Example 7. FIG. 実施例8におけるすすぎ時のすすぎ液領域周囲の概略断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view around a rinsing liquid region at the time of rinsing in Example 8.

以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each figure, about the same member, the same reference number is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、ステップ・アンド・スキャン方式の液浸露光装置の概略構成を示す図である。液浸露光装置は、照明光学系12、レチクルステージ22、投影光学系31、ウエハステージ53、投影光学系31とウエハステージ53との間に液浸液100を供給する液浸液供給装置101、投影光学系31とウエハステージ53との間から液浸液100を回収する液浸液回収装置102を有する。   FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a step-and-scan type immersion exposure apparatus. The immersion exposure apparatus includes an illumination optical system 12, a reticle stage 22, a projection optical system 31, a wafer stage 53, an immersion liquid supply apparatus 101 that supplies an immersion liquid 100 between the projection optical system 31 and the wafer stage 53, An immersion liquid recovery apparatus 102 that recovers the immersion liquid 100 from between the projection optical system 31 and the wafer stage 53 is provided.

このように、液浸露光装置は、投影光学系31の最もウエハ51側にある最終レンズのウエハ側の表面(最終面)が全体的にまたは部分的に液浸液100に接触し、液浸液100を介してレチクル21に形成されたパターンの像をウエハ51に投影してウエハ(基板)を露光する。   As described above, in the immersion exposure apparatus, the wafer side surface (final surface) of the final lens closest to the wafer 51 of the projection optical system 31 is in contact with the immersion liquid 100 in whole or in part. An image of a pattern formed on the reticle 21 via the liquid 100 is projected onto the wafer 51 to expose the wafer (substrate).

照明光学系12は、光源11からの光を用いて転写用の回路パターンが形成されたレチクル21を照明する。光源11として例えば波長約193nmのArFエキシマレーザーを用いることができる。   The illumination optical system 12 uses the light from the light source 11 to illuminate the reticle 21 on which a transfer circuit pattern is formed. For example, an ArF excimer laser having a wavelength of about 193 nm can be used as the light source 11.

レチクル(マスク)21は、←3行上にほぼ同じ内容が書いてあるので、削除しました。レチクルステージ22に支持され駆動される。レチクル21からの回折光は、投影光学系31を通り、ウエハ51に投影される。レチクル21とウエハ51とは光学的に共役の関係に配置される。   Reticle (mask) 21 was deleted because almost the same contents are written on the 3rd line. It is supported and driven by the reticle stage 22. Diffracted light from the reticle 21 passes through the projection optical system 31 and is projected onto the wafer 51. The reticle 21 and the wafer 51 are arranged in an optically conjugate relationship.

投影光学系31は、複数のレンズ素子からなる屈折光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のミラー素子を有する反射屈折光学系などを使用することができる。   The projection optical system 31 can be a refractive optical system composed of a plurality of lens elements, a catadioptric optical system having a plurality of lens elements and at least one mirror element, or the like.

被露光体(基板)としてのウエハ51には、レジストが塗布されており、チャック等の保持部52を介してウエハステージ53に支持される。   A resist is applied to a wafer 51 as an object to be exposed (substrate) and is supported on a wafer stage 53 via a holding unit 52 such as a chuck.

投影光学系31の最終面とウエハ51の間にある液浸領域(液浸液で満たされる領域)には、液浸液供給装置101から液浸液が供給され、液浸液回収装置102に回収される。液浸液の材料としては、露光光の透過率がよく、レジストプロセスとのマッチングがよく、投影光学系31に汚れを付着しない物質が選択される。例えば、水や有機系液体があり、露光光の波長やウエハ51に塗布したレジストなどとの関係によって選定される。   An immersion liquid is supplied from the immersion liquid supply apparatus 101 to the immersion area (area filled with the immersion liquid) between the final surface of the projection optical system 31 and the wafer 51, and the immersion liquid recovery apparatus 102 receives the immersion liquid. Collected. As the material of the immersion liquid, a substance that has good transmittance of exposure light, good matching with the resist process, and does not adhere dirt to the projection optical system 31 is selected. For example, there are water and organic liquid, which is selected according to the relationship between the wavelength of exposure light and the resist applied to the wafer 51.

図2(a)は、液浸領域周辺の概略断面図を示したものである。図2(b)は、液浸領域側から投影光学系31の最終レンズ32、ノズル41を見た概略図を示したものである。ノズル41は、投影光学系31を取り囲むように、円環状の形状になっている。ノズル41は、投影光学系31とは別に、支持部材42で支持されており、駆動機構により上下の移動が可能である。ノズル41の液浸液供給口111は、最終レンズ32(投影光学系)の周囲に円環状に配置され、液浸液供給装置101と通じている。ノズル41の液浸液供給口112は、投影光学系31を取り囲むように円環状に配置され、液浸液供給装置101と通じている。また、ノズル41の液浸液回収口113は最終レンズ32(投影光学系)の周囲に円環状に配置され、液浸液回収装置102と通じている。ノズル41の液浸液回収口114は、ノズル41の上面側に円環状に配置され、液浸液回収装置102と通じている。したがって、液浸液は、液浸液供給装置101から液浸液供給口111、112を介して、投影光学系31の最終レンズ32とウエハ51の間にある液浸領域に供給され、液浸液回収口113、114を介して液浸液回収装置103に回収される。   FIG. 2A shows a schematic sectional view around the immersion area. FIG. 2B shows a schematic view of the final lens 32 and the nozzle 41 of the projection optical system 31 viewed from the liquid immersion area side. The nozzle 41 has an annular shape so as to surround the projection optical system 31. The nozzle 41 is supported by a support member 42 separately from the projection optical system 31 and can be moved up and down by a drive mechanism. The immersion liquid supply port 111 of the nozzle 41 is arranged in an annular shape around the final lens 32 (projection optical system) and communicates with the immersion liquid supply apparatus 101. The immersion liquid supply port 112 of the nozzle 41 is arranged in an annular shape so as to surround the projection optical system 31 and communicates with the immersion liquid supply apparatus 101. Further, the immersion liquid recovery port 113 of the nozzle 41 is arranged in an annular shape around the final lens 32 (projection optical system) and communicates with the immersion liquid recovery apparatus 102. The immersion liquid recovery port 114 of the nozzle 41 is arranged in an annular shape on the upper surface side of the nozzle 41 and communicates with the immersion liquid recovery device 102. Therefore, the immersion liquid is supplied from the immersion liquid supply apparatus 101 to the immersion area between the final lens 32 of the projection optical system 31 and the wafer 51 via the immersion liquid supply ports 111 and 112, and the immersion liquid is supplied. The liquid is recovered by the immersion liquid recovery apparatus 103 via the liquid recovery ports 113 and 114.

図3は、ウエハステージ53が移動した際に、最終レンズ32とノズル41との間での液浸液の液面高さが変化することを模式的に示したものである。ウエハステージ53が矢印201の方向に加速度を有して移動した際に、最終面レンズ32とノズル41の間の液面は、左側の液面高さは矢印211のように低くなり、右側の液面高さは矢印212のように高くなる。このようにステージ駆動によって、液浸液の液面は変化する。   FIG. 3 schematically shows that the liquid level of the immersion liquid changes between the final lens 32 and the nozzle 41 when the wafer stage 53 moves. When the wafer stage 53 moves in the direction of the arrow 201 with acceleration, the liquid level between the final lens 32 and the nozzle 41 has a lower liquid level on the left side as indicated by the arrow 211, and the right side. The liquid level becomes higher as indicated by an arrow 212. In this way, the liquid level of the immersion liquid changes by driving the stage.

図4は、洗浄メンテナンス実施手順のフローチャートである。最終レンズ32やノズル41などを洗浄する際には、露光終了後、液浸液の供給と回収を停止する(ステップA)。次に、ウエハステージと洗浄ステージを移動する(ステップB)。図5は、洗浄メンテナンス時の露光装置の概略構成を示したものである。図5中の矢印は電気信号の流れを示す。ステージ制御部301は、露光時に投影光学系31の最終レンズ32の下方にあったウエハステージ51を他の場所に移動して、最終レンズ32の下方に洗浄ステージ61を移動させる(ステップB)。   FIG. 4 is a flowchart of the cleaning maintenance execution procedure. When cleaning the final lens 32 and the nozzle 41, the supply and recovery of the immersion liquid are stopped after the exposure is completed (Step A). Next, the wafer stage and the cleaning stage are moved (step B). FIG. 5 shows a schematic configuration of an exposure apparatus during cleaning maintenance. The arrows in FIG. 5 indicate the flow of electrical signals. The stage control unit 301 moves the wafer stage 51 that was below the final lens 32 of the projection optical system 31 to another place during exposure, and moves the cleaning stage 61 below the final lens 32 (step B).

その後、投影光学系31と洗浄ステージ61の間に洗浄液を供給する(ステップC)。洗浄液としては、例えば水素水やオゾン水等が考えられる。図5に示したように、洗浄液供給装置103は、洗浄時には切り換えバルブ121を介して、ノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくともいずれか1つと通じるようになっている。また、バルブ制御部302によって、切り換えバルブ121を切り換えることができる。したがって、洗浄時には、切り換えバルブ121を切り換えることで、洗浄液が洗浄液供給装置103からノズル41を介して供給されて、洗浄液領域151が洗浄ステージ61上に最終レンズ32やノズル41に接して形成される。図6は、ステップCの洗浄における洗浄液領域151周辺の概略断面図を示したものである。ノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくとも1つから洗浄液が供給されて、洗浄液領域151が形成される。洗浄液領域151は、露光時に液浸液に接していた構成部材が、洗浄液に接するように形成される。洗浄ステージ61には、回収口62があり、配管を介して液体回収装置104に通じている。よって、洗浄液領域151の洗浄液は、回収口62から液体回収装置104に回収される。   Thereafter, a cleaning liquid is supplied between the projection optical system 31 and the cleaning stage 61 (step C). As the cleaning liquid, for example, hydrogen water or ozone water can be considered. As shown in FIG. 5, the cleaning liquid supply device 103 communicates with at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41 via the switching valve 121 at the time of cleaning. It is like that. Further, the switching valve 121 can be switched by the valve control unit 302. Therefore, at the time of cleaning, by switching the switching valve 121, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply device 103 via the nozzle 41, and the cleaning liquid region 151 is formed on the cleaning stage 61 in contact with the final lens 32 and the nozzle 41. . FIG. 6 is a schematic cross-sectional view around the cleaning liquid region 151 in the cleaning in Step C. The cleaning liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41 to form the cleaning liquid region 151. The cleaning liquid region 151 is formed so that a component that has been in contact with the immersion liquid at the time of exposure is in contact with the cleaning liquid. The cleaning stage 61 has a recovery port 62 and communicates with the liquid recovery apparatus 104 via a pipe. Therefore, the cleaning liquid in the cleaning liquid region 151 is recovered from the recovery port 62 to the liquid recovery apparatus 104.

ステップCを実行した後にノズル位置の変更を行い(ステップD)、投影光学系31と洗浄ステージ61の間にすすぎ液を供給してすすぎを行う(ステップE)。本実施例では、すすぎ液として液浸液と同じ種類の液体を用いて、洗浄液を液浸液で洗い流す。図7は、ノズル位置の変更を行った後、ステップEにおける最終レンズ32やノズル41の周辺の概略断面図を示したものである。ノズル41は、ノズル支持部材制御部303によってノズル支持部材42を移動することで、ステップCの洗浄時の位置から、矢印221の方向(洗浄ステージ61に近づく方向)に移動する。すすぎ液がノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくとも1つから供給されて、すすぎ液領域152が洗浄ステージ61上に形成される。ノズル41の高さを洗浄時(ステップC)と変更したことで、ステップCでの洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面を高くする。図7の点線はステップCにおける液面高さを表す。これにより、ステップCで洗浄液に接していた最終レンズ32やノズル41の全ての部分にすすぎ液が接して、部材表面に残っていた洗浄液をすすぎ液によって洗い流すことができる。   After executing Step C, the nozzle position is changed (Step D), and the rinsing liquid is supplied between the projection optical system 31 and the cleaning stage 61 (Step E). In this embodiment, the same type of liquid as the immersion liquid is used as the rinsing liquid, and the cleaning liquid is washed away with the immersion liquid. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the periphery of the final lens 32 and the nozzle 41 in Step E after the nozzle position is changed. The nozzle 41 moves in the direction of the arrow 221 (direction approaching the cleaning stage 61) from the position at the time of cleaning in Step C by moving the nozzle supporting member 42 by the nozzle supporting member control unit 303. The rinsing liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41, and the rinsing liquid region 152 is formed on the cleaning stage 61. By changing the height of the nozzle 41 from that at the time of cleaning (step C), the liquid level of the rinsing liquid is made higher than the liquid level of the cleaning liquid in step C. The dotted line in FIG. 7 represents the liquid level in Step C. As a result, the rinsing liquid comes into contact with all portions of the final lens 32 and the nozzle 41 that have been in contact with the cleaning liquid in Step C, and the cleaning liquid remaining on the member surface can be washed away with the rinsing liquid.

図7ではノズル41の高さを下げることで、液面が上昇する場合について説明したが、最終レンズ32とノズル41のそれぞれの形状や両者の間隔によっては、ノズル41の高さを上げた際に液面が上昇する場合がある。この場合には、洗浄時に比べてすすぎ時のノズル41の高さを上げる。また、ノズル位置の変更は高さ方向に限らず、水平方向に変更してもよい。
例えば、液体の供給回収ノズルの位置を上下左右(高さ方向および水平方向)に変更可能なようにノズルを構成すれば、洗浄時に比べてすすぎ時の液面が高くなるように所定の方向にノズルを移動してもよい。
Although FIG. 7 illustrates the case where the liquid level rises by lowering the height of the nozzle 41, depending on the shape of the final lens 32 and the nozzle 41 and the distance between them, the height of the nozzle 41 is increased. The liquid level may rise. In this case, the height of the nozzle 41 at the time of rinsing is increased as compared with the time of cleaning. Further, the change of the nozzle position is not limited to the height direction, and may be changed in the horizontal direction.
For example, if the nozzle is configured so that the position of the liquid supply / recovery nozzle can be changed vertically and horizontally (height direction and horizontal direction), the liquid level at the time of rinsing becomes higher in a predetermined direction than at the time of cleaning. The nozzle may be moved.

また、すすぎ液領域152に供給するすすぎ液供給流量を、洗浄時で洗浄液領域151に供給していた洗浄液供給流量よりも多くすることで、洗浄時の洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くしてもよい。また、すすぎ液領域152から回収するすすぎ液回収流量を、ステップCで洗浄液領域151から回収していた洗浄液回収流量よりも少なくしてもよい。このように、すすぎ液供給流量及びすすぎ液回収流量を、洗浄時の洗浄液供給流量及び洗浄液回収流量とは変更することで、洗浄時の洗浄液領域151の液面よりもすすぎ時のすすぎ液領域152の液面を高くしてもよい。   Further, the rinsing liquid supply flow rate supplied to the rinsing liquid region 152 is made larger than the cleaning liquid supply flow rate supplied to the cleaning liquid region 151 at the time of cleaning, so that the rinsing liquid region is higher than the liquid surface of the cleaning liquid region 151 at the time of cleaning. The liquid level of 152 may be increased. Further, the rinsing liquid recovery flow rate recovered from the rinsing liquid region 152 may be smaller than the cleaning liquid recovery flow rate recovered from the cleaning liquid region 151 in Step C. As described above, the rinse liquid supply flow rate and the rinse liquid recovery flow rate are changed from the cleaning liquid supply flow rate and the cleaning liquid recovery flow rate at the time of cleaning, thereby rinsing liquid region 152 at the time of rinsing rather than the liquid surface of the cleaning liquid region 151 at the time of cleaning. The liquid level may be increased.

ステップEのすすぎ後には、洗浄ステージ61を最終レンズ32の下方から他の場所に移動して、ウエハステージ51を最終レンズ32の下方に移動させる(ステップF)。その後、液浸液を液浸液供給装置101から液浸液供給口111、112を介して供給して、最終レンズ32とウエハ51の間にある液浸領域が形成される(ステップG)。露光開始条件が整った後に、露光を開始する(ステップH)。   After rinsing in step E, the cleaning stage 61 is moved from below the final lens 32 to another location, and the wafer stage 51 is moved below the final lens 32 (step F). Thereafter, the immersion liquid is supplied from the immersion liquid supply apparatus 101 via the immersion liquid supply ports 111 and 112, so that an immersion area between the final lens 32 and the wafer 51 is formed (step G). After the exposure start conditions are satisfied, exposure is started (step H).

以上、実施例1の露光装置においては、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流すすすぎにおいて、ノズル部材の位置を洗浄時とすすぎ時で変更することで、洗浄時における洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面を高くした状態で洗浄液を洗い流すことができる。これによって、洗浄液が残留しないようにすることができ、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始できる。   As described above, in the exposure apparatus according to the first embodiment, in rinsing away the cleaning liquid using the rinsing liquid, the position of the nozzle member is changed between the time of cleaning and the time of rinsing, so The washing liquid can be washed away with the liquid level raised. Accordingly, the cleaning liquid can be prevented from remaining, and the constituent members of the exposure apparatus can be cleaned and exposure can be started without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus.

なお、洗浄およびすすぎを洗浄ステージ61で行ったが、ウエハステージ上で洗浄およびすすぎを行ってもよい。例えば、ウエハチャックで洗浄用の基板を保持し、洗浄用の基板上に洗浄液領域を形成し、すすぎを行えば良い。   Although cleaning and rinsing are performed on the cleaning stage 61, cleaning and rinsing may be performed on the wafer stage. For example, a cleaning substrate may be held by a wafer chuck, a cleaning liquid region may be formed on the cleaning substrate, and rinsing may be performed.

実施例2は、図4に示した第1実施例における洗浄メンテナンス実施手順フローチャートとはステップDが異なる。実施例2においては、洗浄(ステップC)とすすぎ(ステップE)との間で、洗浄ステージの高さを変更する(ステップD2)。   The second embodiment is different from the cleaning maintenance execution procedure flowchart in the first embodiment shown in FIG. In the second embodiment, the height of the cleaning stage is changed between the cleaning (step C) and the rinsing (step E) (step D2).

図8は、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流すステップEにおける最終レンズ32やノズル41の周辺の概略を示したものである。すすぎ液がノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくとも1つから供給されて、すすぎ液領域152が洗浄ステージ61上に最終レンズ32やノズル41に接して形成される。このステップEの前段階のステップD2において、ステージ制御部301により、洗浄ステージ61を、洗浄時の位置から矢印231の方向に移動させる。洗浄ステージ61の高さを洗浄時よりも高くし、洗浄ステージ61と投影光学系31との間隔を狭くすることで、ステップCでの洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くする。図8の点線はステップCにおける液面高さを表す。これにより、ステップCで洗浄液に接していた最終レンズ32やノズル41の全ての部分にすすぎ液が接して、部材表面に残っていた洗浄液をすすぎ液によって洗い流すことができる。また、すすぎ液の供給流量及び回収液量を、ステップCにおける洗浄液領域151に対する洗浄液の供給流量及び回収流量とは変更することで、ステップCでの洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くする効果を更に高めてもよい。さらに、実施例1のようにノズルの位置を変更してもよい。   FIG. 8 shows an outline of the periphery of the final lens 32 and the nozzle 41 in Step E in which the cleaning liquid is washed away using the rinsing liquid. The rinsing liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41, and the rinsing liquid region 152 comes into contact with the final lens 32 and the nozzle 41 on the cleaning stage 61. Formed. In step D2 before step E, the stage controller 301 moves the cleaning stage 61 in the direction of the arrow 231 from the position at the time of cleaning. The height of the cleaning stage 61 is made higher than that at the time of cleaning, and the distance between the cleaning stage 61 and the projection optical system 31 is narrowed, so that the liquid level in the rinsing liquid region 152 is higher than the liquid level in the cleaning liquid region 151 in Step C. To increase. The dotted line in FIG. 8 represents the liquid level in Step C. As a result, the rinsing liquid comes into contact with all portions of the final lens 32 and the nozzle 41 that have been in contact with the cleaning liquid in Step C, and the cleaning liquid remaining on the member surface can be washed away with the rinsing liquid. Further, the rinsing liquid supply flow rate and the recovery liquid amount are changed from the cleaning liquid supply flow rate and the recovery flow rate for the cleaning liquid region 151 in Step C, so that the rinsing liquid region 152 is higher than the liquid surface of the cleaning liquid region 151 in Step C. The effect of increasing the liquid level may be further enhanced. Further, the position of the nozzle may be changed as in the first embodiment.

以上、実施例2の露光装置においては、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流すすすぎにおいて、洗浄ステージ61と投影光学系31との間隔を狭くすすぎすることで、洗浄時における洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面を高くした状態で洗浄液を洗い流すことができる。これによって、洗浄液が残留しないようにすることができ、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始できる。   As described above, in the exposure apparatus according to the second embodiment, in rinsing away the cleaning liquid using the rinsing liquid, the distance between the cleaning stage 61 and the projection optical system 31 is rinsed to be smaller than the liquid level of the cleaning liquid at the time of cleaning. The washing liquid can be washed away with the liquid level raised. Accordingly, the cleaning liquid can be prevented from remaining, and the constituent members of the exposure apparatus can be cleaned and exposure can be started without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus.

実施例3は、前述の実施例とはステップDが異なる。実施例3においては、洗浄(ステップC)とすすぎ(ステップE)との間で、気体吹き付け圧力を変更する(ステップD3)。   The third embodiment is different in step D from the above-described embodiment. In Example 3, the gas blowing pressure is changed between cleaning (step C) and rinsing (step E) (step D3).

図9(a)は、本実施例における液浸領域周辺の概略断面図を示したものである。液浸液は、液浸液供給口111、112を介して、投影光学系31の最終レンズ32とウエハ51の間にある液浸領域に供給され、液浸液回収口113、114から回収される。実施例1で説明した図2と異なるのは、液浸領域の液保持を強固にするために、液浸液100の周囲に気体を吹き付けていることである。図9(a)においては、気体圧力制御部304による制御で、気体供給装置141から気体供給口131を介して気体を供給して、気体回収口132を介して気体回収装置142で気体を回収している。   FIG. 9A shows a schematic cross-sectional view around the immersion area in the present embodiment. The immersion liquid is supplied to the immersion area between the final lens 32 of the projection optical system 31 and the wafer 51 via the immersion liquid supply ports 111 and 112, and is recovered from the immersion liquid recovery ports 113 and 114. The The difference from FIG. 2 described in the first embodiment is that gas is blown around the immersion liquid 100 in order to strengthen the liquid retention in the immersion area. In FIG. 9A, gas is supplied from the gas supply device 141 through the gas supply port 131 and is recovered by the gas recovery device 142 through the gas recovery port 132 under the control of the gas pressure control unit 304. is doing.

図9(b)は、ステップCの洗浄における最終レンズ32やノズル41の周辺の概略断面図を示したものである。ノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくともいずれか1つから洗浄液が供給されて、洗浄液領域151が形成される。洗浄液領域151は、液浸露光時に液浸液に接していた周辺部材が、洗浄液に接するように形成される。洗浄液領域151周辺には、気体供給口131から気体が供給されている。したがって、洗浄液は、洗浄ステージ61上の洗浄液領域151より外側に広がることなく、洗浄ステージ61の回収口62から液体回収装置104に回収される。   FIG. 9B is a schematic cross-sectional view around the final lens 32 and the nozzle 41 in the cleaning in Step C. The cleaning liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41 to form the cleaning liquid region 151. The cleaning liquid region 151 is formed so that peripheral members that have been in contact with the immersion liquid at the time of immersion exposure are in contact with the cleaning liquid. A gas is supplied from the gas supply port 131 around the cleaning liquid region 151. Accordingly, the cleaning liquid is recovered from the recovery port 62 of the cleaning stage 61 to the liquid recovery apparatus 104 without spreading outside the cleaning liquid region 151 on the cleaning stage 61.

図9(c)は、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流すステップEのすすぎにおける最終レンズ32やノズル41の周辺の概略を示したものである。すすぎ液がノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくとも1つから供給されて、すすぎ液領域152が洗浄ステージ61上に最終レンズ32やノズル41に接して形成される。このステップEの前段階のステップD3において、気体供給口131に吹き付ける気体の圧力を気体圧力制御部304によって洗浄時よりも高くすることで、ステップCでの洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くする。これにより、ステップCで洗浄液に接していた最終レンズ32やノズル41の全ての部分にすすぎ液が接して、部材表面に残っていた洗浄液をすすぎ液によって洗い流すことができる。   FIG. 9C shows an outline of the periphery of the final lens 32 and the nozzle 41 in the rinsing in the step E in which the rinsing liquid is used to wash away the cleaning liquid. The rinsing liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41, and the rinsing liquid region 152 comes into contact with the final lens 32 and the nozzle 41 on the cleaning stage 61. Formed. In step D3 prior to step E, the pressure of the gas blown to the gas supply port 131 is made higher than that during cleaning by the gas pressure control unit 304, so that the rinsing liquid is higher than the liquid level in the cleaning liquid region 151 in step C. The liquid level in the region 152 is increased. As a result, the rinsing liquid comes into contact with all portions of the final lens 32 and the nozzle 41 that have been in contact with the cleaning liquid in Step C, and the cleaning liquid remaining on the member surface can be washed away with the rinsing liquid.

また、すすぎ液の供給流量及び回収液量を、ステップCで洗浄液領域151に対する洗浄液の供給流量及び回収流量とは変更することで、ステップCでの洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くする効果を更に高めてもよい。さらに、実施例1、2のように、ノズルの位置を変更したり、ステージの位置を変更したりしてもよい。   Further, by changing the supply flow rate and the recovery flow rate of the rinsing liquid from the supply flow rate and the recovery flow rate of the cleaning liquid to the cleaning liquid region 151 in Step C, the rinsing liquid region 152 is larger than the liquid level of the cleaning liquid region 151 in Step C. The effect of increasing the liquid level may be further enhanced. Further, as in the first and second embodiments, the position of the nozzle may be changed, or the position of the stage may be changed.

液浸液の周囲に吹き付ける気体の吹き付けについて、ノズル41から液浸液の周囲に気体を吹き付けることで説明を行ったが、気体の吹き付けはノズル以外の部材から行ってもよい。例えば、洗浄ステージ61に気体供給口133と気体回収口134を取り付けて、気体吹き付け圧力をステップCの洗浄時よりもステップDのすすぎ時に高くする。この場合にも、ステップCでの洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くする効果を得られる。   Although the description of the blowing of the gas to be blown around the immersion liquid has been made by blowing the gas from the nozzle 41 around the immersion liquid, the blowing of the gas may be performed from a member other than the nozzle. For example, the gas supply port 133 and the gas recovery port 134 are attached to the cleaning stage 61, and the gas spray pressure is set higher during the rinsing in Step D than in the cleaning in Step C. Also in this case, the effect of increasing the liquid level of the rinsing liquid region 152 than the liquid level of the cleaning liquid region 151 in Step C can be obtained.

以上、本実施例においては、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流す際に、液浸液の周囲に吹き付ける気体の吹き付け圧力を洗浄時よりもすすぎ時に高くすることで、洗浄時における洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面を高くした状態で洗浄液を洗い流すことができる。これによって、洗浄液が残留しないようにすることができ、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始できる。   As described above, in this embodiment, when the cleaning liquid is washed away using the rinsing liquid, the pressure of the gas sprayed around the immersion liquid is set higher during the rinsing than in the cleaning, so that the level of the cleaning liquid during the cleaning is higher. The washing liquid can be washed away with the liquid level of the rinsing liquid raised. Accordingly, the cleaning liquid can be prevented from remaining, and the constituent members of the exposure apparatus can be cleaned and exposure can be started without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus.

実施例4は、前述の実施例とはステップDが異なる。実施例4においては、洗浄(ステップC)とすすぎ(ステップE)との間で、液漏れ防止部材を追加または変更する(ステップD4)。   The fourth embodiment is different in step D from the previous embodiment. In the fourth embodiment, a liquid leakage preventing member is added or changed between cleaning (step C) and rinsing (step E) (step D4).

図10は、実施例4おいて、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流すステップEにおける最終レンズ32やノズル41の周辺の概略を示したものである。すすぎ液がノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくとも1つから供給されて、すすぎ液領域152が洗浄ステージ61上に最終レンズ32やノズル41に接して形成される。このステップEの前段階のステップD4において、洗浄ステージ61は、洗浄ステップ時に比べて液漏れ防止部材66が追加される。この液漏れ防止部材66は、円環状に配置されており、すすぎ液領域152のすすぎ液が周辺に漏れにくくなる。これにより、ステップCでの洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くすると共に、ステージ外側への液漏れを防止することができる。図10の点線は洗浄時の液面高さを表す。したがって、ステップCで洗浄液に接していた最終面レンズ32やノズル41の全ての部分にすすぎ液が接して、部材表面に残っていた洗浄液をすすぎ液によって洗い流すことができる。以上は、液漏れ防止部材66は、ステップD4において新たに追加されることで説明を行った。液漏れ防止部材は、洗浄のステップCで取り付けられていてもよく、ステップD4において高さを変えたり、水平方向に移動させたりすることで、位置を変えてもよい。   FIG. 10 shows an outline of the periphery of the final lens 32 and the nozzle 41 in step E in which the cleaning liquid is washed away with the rinsing liquid in the fourth embodiment. The rinsing liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41, and the rinsing liquid region 152 comes into contact with the final lens 32 and the nozzle 41 on the cleaning stage 61. Formed. In step D4, which is a stage prior to step E, the liquid leakage prevention member 66 is added to the cleaning stage 61 as compared to the cleaning step. The liquid leakage prevention member 66 is arranged in an annular shape, and the rinsing liquid in the rinsing liquid region 152 is less likely to leak to the periphery. Thereby, the liquid level of the rinse liquid area | region 152 can be made higher than the liquid level of the washing | cleaning liquid area | region 151 in step C, and the liquid leakage to the stage outer side can be prevented. The dotted line in FIG. 10 represents the liquid level height during cleaning. Therefore, the rinsing liquid comes into contact with all portions of the final lens 32 and the nozzle 41 that have been in contact with the cleaning liquid in Step C, and the cleaning liquid remaining on the member surface can be washed away with the rinsing liquid. The above description has been given by adding the liquid leakage prevention member 66 in step D4. The liquid leakage preventing member may be attached in the cleaning step C, and the position may be changed by changing the height in step D4 or moving it in the horizontal direction.

また、すすぎ液の供給流量及び回収液量を、ステップCで洗浄液領域151に対する洗浄液の供給流量及び回収流量とは変更することで、ステップCでの洗浄液領域151の液面よりもすすぎ液領域152の液面を高くする効果を更に高めてもよい。   Further, the supply flow rate and the recovery liquid amount of the rinse liquid are changed from the supply flow rate and the recovery flow rate of the cleaning liquid with respect to the cleaning liquid region 151 in Step C, so The effect of increasing the liquid level may be further enhanced.

以上、本実施例においては、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流すすすぎにおいて、すすぎ液の液漏れを防止する部材を用いて、洗浄時における洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面を高くした状態で洗浄液を洗い流すことができる。これによって、洗浄液が残留しないようにすることができ、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始できる。   As described above, in this embodiment, in rinsing away the cleaning liquid using the rinsing liquid, a state in which the liquid level of the rinsing liquid is made higher than the liquid level of the cleaning liquid at the time of cleaning using a member that prevents liquid leakage of the rinsing liquid. The washing liquid can be washed away with. Accordingly, the cleaning liquid can be prevented from remaining, and the constituent members of the exposure apparatus can be cleaned and exposure can be started without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus.

実施例5では、図11の洗浄メンテナンス実施手順フローチャートにおけるステップ3において、ノズル位置を変更し、露光時における液浸液の最大液面高さよりも、洗浄液の液面を高くした状態で洗浄を行う。ステップ4、5においては前述および後述の実施例のように、すすぎ液を用いて洗浄液を洗い流す際に、洗浄時における洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面を高くした状態で洗浄液を洗い流す。   In the fifth embodiment, in step 3 in the cleaning maintenance execution procedure flowchart of FIG. 11, the nozzle position is changed, and cleaning is performed with the cleaning liquid level higher than the maximum liquid level of the immersion liquid during exposure. . In Steps 4 and 5, as in the examples described above and later, when the cleaning liquid is washed away using the rinsing liquid, the cleaning liquid is washed away in a state where the liquid level of the rinsing liquid is higher than the liquid level of the cleaning liquid at the time of cleaning.

図12は、ステップ4の洗浄における洗浄液領域151周辺の概略を示したものである。ノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくとも1つから洗浄液が供給されて、洗浄液領域151が形成される。洗浄液領域151は、露光時に液浸液に接していた周辺部材が洗浄液に接するように形成される。洗浄ステージ61には回収口62があり、配管を介して液体回収装置104に通じている。よって、洗浄液領域151の洗浄液は、回収口62から液体回収装置104に回収される。このステップ4の前段階のステップ3において、ノズル41は露光時の位置から矢印221の方向(洗浄ステージ61に近づく方向)に移動させる。ノズル41の高さを露光時と変更することで、露光時の液浸液領域の液面よりも洗浄液領域151の液面を高くする。なお、露光時はステージ移動により液面高さが変化するため、洗浄時は、露光時の最大の液面高さよりも高くする必要がある。これにより、露光時に液浸液に接していた最終レンズ32やノズル41の全ての部分に洗浄液が接して、部材表面に残っていた液浸液や汚れを洗浄液によって洗浄することができる。   FIG. 12 shows an outline of the periphery of the cleaning liquid region 151 in the cleaning in Step 4. The cleaning liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41 to form the cleaning liquid region 151. The cleaning liquid region 151 is formed so that the peripheral member that has been in contact with the immersion liquid at the time of exposure is in contact with the cleaning liquid. The cleaning stage 61 has a recovery port 62 and communicates with the liquid recovery apparatus 104 via a pipe. Therefore, the cleaning liquid in the cleaning liquid region 151 is recovered from the recovery port 62 to the liquid recovery apparatus 104. In step 3 before step 4, the nozzle 41 is moved in the direction of the arrow 221 (direction approaching the cleaning stage 61) from the position at the time of exposure. By changing the height of the nozzle 41 from that at the time of exposure, the liquid level of the cleaning liquid region 151 is made higher than the level of the immersion liquid region at the time of exposure. In addition, since the liquid level height changes by moving the stage during exposure, it is necessary to make it higher than the maximum liquid level height during exposure during cleaning. As a result, the cleaning liquid comes into contact with all parts of the final lens 32 and the nozzle 41 that have been in contact with the immersion liquid at the time of exposure, and the immersion liquid and dirt remaining on the surface of the member can be cleaned with the cleaning liquid.

露光時の液浸液領域の液面よりも洗浄液領域151の液面を高くする方法として、ノズル部材の位置を露光時と洗浄時で変更することで説明を行ったが、例えば、液面の高さを変える上記の実施例に記載のような他の方法で行ってもよい。   As a method for making the liquid level of the cleaning liquid region 151 higher than the liquid level of the immersion liquid region at the time of exposure, the position of the nozzle member was changed between the time of exposure and the time of cleaning. Other methods such as those described in the above examples of changing the height may be used.

以上、実施例5の液浸露光装置においては、露光時における液浸液の液面よりも洗浄液の液面を高くした状態で洗浄を行うことができる。これによって、ノズル41の上方の液浸液残りや汚れにも洗浄液が接することができ、洗い残しがない洗浄を行うことができる。   As described above, in the immersion exposure apparatus according to the fifth embodiment, cleaning can be performed in a state where the level of the cleaning liquid is higher than the level of the immersion liquid during exposure. As a result, the cleaning liquid can come into contact with the remaining immersion liquid and dirt above the nozzle 41, and cleaning without any remaining cleaning can be performed.

前述の実施例では、すすぎ液に液浸液と同じ液体を用いてすすぎを行い(ステップE)、その後に洗浄ステージとウエハステージを移動して(ステップF)、液浸液を供給した(ステップG)。本実施例は、すすぎ液を液浸液と異なる種類の液体を用いる。   In the above-described embodiment, rinsing is performed using the same liquid as the immersion liquid (Step E), and then the cleaning stage and the wafer stage are moved (Step F) to supply the immersion liquid (Step S). G). In this embodiment, the rinsing liquid is different from the immersion liquid.

すすぎ液が液浸液と異なる種類の液体であり、すすぎ液が装置内に残留すると、装置に悪影響を及ぼす場合には、すすぎ液を液浸液で洗い流す必要がある。すすぎ液を液浸液で洗い流すステップ(ステップE´)は、図4に示すステップEの後、ステップGの間に行う。   If the rinsing liquid is a different type of liquid from the immersion liquid, and the rinsing liquid remains in the apparatus, the rinsing liquid needs to be washed away with the immersion liquid if it adversely affects the apparatus. The step of rinsing the rinsing liquid with the immersion liquid (step E ′) is performed during step G after step E shown in FIG.

液浸液ですすぎ液を洗い流すステップE´において、ステップEにおけるすすぎ液の液面よりも液浸液の液面を高くして、すすぎ液を洗い流す。これによって、すすぎ液が残留して装置に悪影響を及ぼすことを防止する。液面を高くする方法として、前述の実施例で行う方法を採用することができる。   In step E ′ in which the rinsing liquid is washed away with the immersion liquid, the liquid level of the immersion liquid is made higher than the liquid level of the rinsing liquid in step E to wash away the rinsing liquid. This prevents the rinse liquid from remaining and adversely affecting the apparatus. As a method for increasing the liquid level, the method performed in the above-described embodiment can be employed.

本実施例においては、すすぎ液が液浸液とは異なる種類の液体を用いて、すすぎ液で洗浄液を洗い流した後に、液浸液を用いてすすぎ時におけるすすぎ液の液面よりも液浸液の液面を高くした状態ですすぎ液を洗い流す。これによって、すすぎ液が残留しないようにすることができ、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始できる。   In this embodiment, the rinsing liquid uses a different type of liquid from the immersion liquid, and after rinsing the cleaning liquid with the rinsing liquid, the immersion liquid is used rather than the liquid level of the rinsing liquid when rinsing with the immersion liquid. Rinse the rinse with the liquid level raised. Accordingly, it is possible to prevent the rinsing liquid from remaining, and it is possible to start exposure by cleaning the constituent members of the exposure apparatus without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus.

本実施例は、図4に示すステップDを行わない例である。図13(a)には、ステップCの洗浄における洗浄液領域151周辺の概略を示した。液浸液供給口112から洗浄液が供給されて、洗浄液領域151が形成される。図13(b)には、ステップEのすすぎにおけるすすぎ液領域152周辺の概略を示した。ステップCで洗浄液を供給していた液浸液供給口112よりも高い位置にある液浸液回収口114からすすぎ液が供給され、洗浄液が洗い流される。すすぎ液の供給を、洗浄液の供給よりも高い場所から行うことで、ステップCの洗浄で部材表面に残った洗浄液を、すすぎ液によって洗い流すことができる。なお、洗浄液の回収口62はすすぎ液の供給口より低い位置にあればよい。これにより、洗浄液が残留しないようにすることができ、露光装置の露光性能を劣化させることなく、露光装置の構成部材を洗浄して露光を開始できる。   In this embodiment, step D shown in FIG. 4 is not performed. FIG. 13A shows an outline of the periphery of the cleaning liquid region 151 in the cleaning in Step C. A cleaning liquid is supplied from the immersion liquid supply port 112 to form a cleaning liquid region 151. FIG. 13B schematically shows the vicinity of the rinsing liquid region 152 in the rinsing in Step E. The rinsing liquid is supplied from the immersion liquid recovery port 114 at a position higher than the immersion liquid supply port 112 that has supplied the cleaning liquid in step C, and the cleaning liquid is washed away. By supplying the rinse liquid from a place higher than the supply of the cleaning liquid, the cleaning liquid remaining on the surface of the member by the cleaning in Step C can be washed away by the rinse liquid. The cleaning liquid recovery port 62 may be located at a position lower than the rinse liquid supply port. Thereby, it is possible to prevent the cleaning liquid from remaining, and it is possible to start exposure by cleaning the constituent members of the exposure apparatus without deteriorating the exposure performance of the exposure apparatus.

なお、液浸液供給口112から洗浄液を供給すると同時に液浸液回収口114からすすぎ液を供給してもよい。この場合には、液浸液供給口112より高い位置にある液浸液回収口114からすすぎ液を供給することで、洗浄液の液面よりもすすぎ液の液面の方が高くなり、洗浄液が、すすぎ液によって上方から下方向へ洗い流されるので残留することはない。   The rinsing liquid may be supplied from the immersion liquid recovery port 114 at the same time as the cleaning liquid is supplied from the immersion liquid supply port 112. In this case, by supplying the rinsing liquid from the immersion liquid recovery port 114 positioned higher than the immersion liquid supply port 112, the liquid level of the rinsing liquid becomes higher than the liquid level of the cleaning liquid, and the cleaning liquid Since it is washed away from above by the rinse liquid, it does not remain.

実施例8では、洗浄液供給口よりも高い位置にすすぎ液専用の供給口115を設ける。図14に、本実施例の露光装置における最終レンズ32やノズル41の周辺の概略を示した。すすぎ液供給口115が、洗浄液を供給する液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114よりも高い位置にある。洗浄メンテナンス実施手順は実施例7と同じである。ステップCの洗浄において、ノズル41の液浸液供給口111、112、液浸液回収口113、114の少なくともいずれか1つから洗浄液が供給されて、洗浄液領域151が形成される。洗浄液領域151は、液浸露光時に液浸液に接していた周辺部材が、洗浄液に接するように形成される。ステップEのすすぎにおいて、すすぎ液を、洗浄供給よりも高い位置のすすぎ供給口115から供給することで、ステップCの洗浄で部材表面に残った洗浄液を、すすぎ液によって洗い流すことができる。これにより、洗浄液が残留しないようにすることができ、装置に悪影響を及ぼさない洗浄を行うことができる。   In the eighth embodiment, the supply port 115 dedicated to the rinsing liquid is provided at a position higher than the cleaning liquid supply port. FIG. 14 schematically shows the periphery of the final lens 32 and the nozzle 41 in the exposure apparatus of the present embodiment. The rinsing liquid supply port 115 is positioned higher than the immersion liquid supply ports 111 and 112 for supplying the cleaning liquid and the immersion liquid recovery ports 113 and 114. The cleaning maintenance execution procedure is the same as that of the seventh embodiment. In the cleaning in Step C, the cleaning liquid is supplied from at least one of the immersion liquid supply ports 111 and 112 and the immersion liquid recovery ports 113 and 114 of the nozzle 41 to form the cleaning liquid region 151. The cleaning liquid region 151 is formed so that peripheral members that have been in contact with the immersion liquid at the time of immersion exposure are in contact with the cleaning liquid. In the rinsing in Step E, the rinsing liquid is supplied from the rinsing supply port 115 at a position higher than the cleaning supply, so that the cleaning liquid remaining on the member surface in the cleaning in Step C can be washed away by the rinsing liquid. Thereby, it is possible to prevent the cleaning liquid from remaining, and it is possible to perform cleaning that does not adversely affect the apparatus.

本実施例においても、洗浄液供給とすすぎ液供給を同時に行ってもよい。   Also in this embodiment, the cleaning liquid supply and the rinsing liquid supply may be performed simultaneously.

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、液面を高くする方法として、上記の各実施例に記載の方法を適宜組み合わせてもよい。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist. For example, as a method for increasing the liquid level, the methods described in the above embodiments may be appropriately combined.

次に、前述の露光装置を利用したデバイス(半導体IC素子、液晶表示素子等)の製造方法を説明する。デバイスは、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布された基板(ウェハ、ガラス基板等)を露光する工程と、その基板(感光剤)を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本デバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。   Next, a method for manufacturing a device (semiconductor IC element, liquid crystal display element, etc.) using the above-described exposure apparatus will be described. The device uses the above-described exposure apparatus to expose a substrate (wafer, glass substrate, etc.) coated with a photosensitive agent, to develop the substrate (photosensitive agent), and other well-known steps. It is manufactured by going through. Other known processes include etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like. According to this device manufacturing method, it is possible to manufacture a higher quality device than before.

31 投影光学系
41 ノズル
51 ウエハ
61 洗浄ステージ
66 液漏れ防止部材
31 Projection Optical System 41 Nozzle 51 Wafer 61 Cleaning Stage 66 Liquid Leakage Prevention Member

Claims (10)

液浸液を介して基板を露光する露光装置内において、前記露光装置を構成して前記液浸液と接触する構成部材を洗浄する洗浄方法であって、
洗浄液を用いて前記構成部材を洗浄する洗浄ステップと、
すすぎ液を用いて、前記洗浄ステップ時における前記洗浄液の液面よりも前記すすぎ液の液面を高くした状態で前記洗浄液を洗い流すすすぎステップとを有することを特徴とする洗浄方法。
In an exposure apparatus that exposes a substrate through an immersion liquid, a cleaning method for cleaning a constituent member that constitutes the exposure apparatus and contacts the immersion liquid,
A cleaning step of cleaning the component using a cleaning liquid;
And a rinsing step of rinsing the cleaning liquid in a state where the liquid level of the rinsing liquid is higher than the liquid level of the cleaning liquid at the time of the cleaning step.
前記液浸液の供給口及び回収口を有するノズル部材の位置を前記洗浄ステップ時と前記すすぎステップ時とで変更することによって、前記洗浄ステップ時における前記洗浄液の液面よりも前記すすぎステップ時における前記すすぎ液の液面を高くすることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。   By changing the position of the nozzle member having the supply port and the recovery port for the immersion liquid between the cleaning step and the rinsing step, the liquid level of the cleaning liquid at the time of the rinsing step is higher than that at the time of the cleaning step. The cleaning method according to claim 1, wherein a liquid level of the rinse liquid is increased. 前記洗浄液を下方より保持して前記構成部材を洗浄するための洗浄ステージの位置を、前記洗浄ステップ時よりも前記すすぎステップ時に高くすることによって、前記洗浄ステップ時における前記洗浄液の液面よりも前記すすぎステップ時における前記すすぎ液の液面を高くすることを特徴とする請求項1又は2に記載の洗浄方法。   The position of the cleaning stage for cleaning the components by holding the cleaning liquid from below is made higher at the time of the rinsing step than at the time of the cleaning step, so that the level of the cleaning liquid at the time of the cleaning step is higher than that at the time of the cleaning step. The cleaning method according to claim 1, wherein a level of the rinse liquid during the rinsing step is increased. 前記液浸液の周囲に吹き付ける気体の吹き付け圧力を前記洗浄ステップ時よりも前記すすぎステップ時に高くすることによって、前記洗浄ステップ時における前記洗浄液の液面よりも前記すすぎステップ時における前記すすぎ液の液面を高くすることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の洗浄方法。   The liquid of the rinsing liquid at the time of the rinsing step is higher than the liquid level of the cleaning liquid at the time of the rinsing step by increasing the spraying pressure of the gas sprayed around the immersion liquid at the time of the rinsing step than at the time of the cleaning step. 4. The cleaning method according to claim 1, wherein the surface is raised. 前記洗浄液を下方より保持して前記構成部材を洗浄するための洗浄ステージに設けられた、前記洗浄液と前記すすぎ液の少なくとも一方の液漏れを防止する部材を用いて、前記洗浄ステップ時における前記洗浄液の液面よりも前記すすぎステップ時における前記すすぎ液の液面を高くすることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の洗浄方法。   Using the member for preventing leakage of at least one of the cleaning liquid and the rinsing liquid provided in a cleaning stage for holding the cleaning liquid from below and cleaning the component member, the cleaning liquid at the time of the cleaning step The cleaning method according to any one of claims 1 to 4, wherein a liquid level of the rinse liquid at the time of the rinsing step is made higher than a liquid level of the liquid. 前記基板を露光する時における前記液浸液の液面よりも、前記洗浄ステップ時における前記洗浄液の液面を高くした状態で前記洗浄ステップを実行することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の洗浄方法。   6. The cleaning step according to claim 1, wherein the cleaning step is performed in a state where the level of the cleaning liquid at the time of the cleaning step is higher than the level of the immersion liquid at the time of exposing the substrate. The cleaning method according to claim 1. 前記すすぎ液が前記液浸液とは異なる種類の液体であり、前記洗浄液を洗い流した後に、前記液浸液を用いて、前記すすぎステップ時における前記すすぎ液の液面よりも前記液浸液の液面を高くした状態で前記すすぎ液を洗い流すステップを有することを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。   The rinse liquid is a different type of liquid from the immersion liquid, and after washing the cleaning liquid, the immersion liquid is used to remove the immersion liquid from the surface of the rinse liquid during the rinsing step. The cleaning method according to claim 1, further comprising a step of rinsing the rinse liquid in a state where the liquid level is raised. 液浸液を介して基板を露光する露光装置において、
前記露光装置を構成して前記液浸液と接触する構成部材と、
前記構成部材の洗浄を制御する制御部とを有し、
前記制御部は、洗浄液を用いて前記部材を洗浄し、かつ、すすぎ液を用いて前記洗浄液を洗い流す際、前記洗浄液の液面よりも前記すすぎ液の液面が高くなるように制御することを特徴とする露光装置。
In an exposure apparatus that exposes a substrate through an immersion liquid,
Components constituting the exposure apparatus and in contact with the immersion liquid;
A control unit that controls cleaning of the constituent members;
The control unit controls the cleaning liquid to be higher than the cleaning liquid level when the member is cleaned with the cleaning liquid and the cleaning liquid is rinsed off with the rinsing liquid. A featured exposure apparatus.
液浸液を介して基板を露光する露光装置において、
前記露光装置を構成して前記液浸液と接触する構成部材を洗浄するための洗浄液の供給する供給口と、
前記洗浄液を回収する回収口と、
前記洗浄液を洗い流すためのすすぎ液の供給口とを有し、
前記洗浄液の供給口と回収口よりも前記すすぎ液の供給口の方が高い位置にあることを特徴とする露光装置。
In an exposure apparatus that exposes a substrate through an immersion liquid,
A supply port for supplying a cleaning liquid for cleaning the constituent members that constitute the exposure apparatus and come into contact with the immersion liquid;
A recovery port for recovering the cleaning liquid;
A rinsing liquid supply port for washing away the cleaning liquid;
An exposure apparatus, wherein the rinse liquid supply port is located higher than the cleaning liquid supply port and the recovery port.
請求項8または請求項9に記載の露光装置を用いて基板を回路パターンにより露光する工程と、該露光した基板を現像する工程とを含むデバイス製造方法。   10. A device manufacturing method comprising: exposing a substrate with a circuit pattern using the exposure apparatus according to claim 8; and developing the exposed substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107309211A (en) * 2017-06-20 2017-11-03 合肥市惠科精密模具有限公司 A kind of liquid crystal display cleaning fluid and cleaning method

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