JP2012080007A - Exposure device, maintenance method, and manufacturing method of device - Google Patents

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Ryuichi Hoshika
隆一 星加
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株式会社ニコン
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a maintenance method capable of minimizing occurrence of poor exposure.SOLUTION: The maintenance method of an exposure device which exposes a substrate with exposure light emitted from the emission surface of an optical member through a liquid includes a step for supplying a second liquid having a prescribed gas concentration higher than that of a first liquid to the surface of a film containing an amorphous fluororesin that is irradiated with exposure light from the emission surface through a first liquid subjected to deaeration, and a step for irradiating the film surface with ultraviolet light through the second liquid.

Description

本発明は、露光装置、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, maintenance method, and a device manufacturing method.

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば特許文献1に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。 In exposure apparatuses used in photolithography, for example as disclosed in Patent Document 1, an immersion exposure apparatus is known for exposing a substrate with exposure light through a liquid.

米国特許出願公開第2007/0258072号明細書 U.S. Patent Application Publication No. 2007/0258072 Pat

液浸露光装置において、所望状態で液体が供給されないと、その液体を用いる処理を良好に実行できなくなる可能性がある。 In an immersion exposure apparatus, the liquid is not supplied in a desired state, it may become impossible satisfactorily perform the treatment with the liquid. 例えば、液体を用いて露光装置の部材をメンテナンスする場合において、所望状態で液体が供給されないと、そのメンテナンスを良好に実行できなくなる可能性がある。 For example, in the case of maintenance the member of an exposure apparatus using a liquid, the liquid is not supplied in a desired state, it may become impossible satisfactorily perform its maintenance. その結果、露光装置の性能が低下し、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。 As a result, performance of the exposure device is decreased, or exposure failure occurs, there is a possibility that the defective device or generated.

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及びメンテナンス方法を提供することを目的とする。 Aspect of the present invention is an exposure apparatus that can prevent exposure failures, and an object of the invention to provide a maintenance method. また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 Further aspects of the present invention has an object to provide a device manufacturing method that can prevent defective devices.

本発明の第1の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、脱気処理された第1の液体を介して射出面からの露光光が照射された非晶質フッ素樹脂を含有する膜の表面に、第1の液体よりも所定ガス濃度が高い第2の液体を供給することと、膜の表面に第2の液体を介して紫外光を照射することと、を含むメンテナンス方法が提供される。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a maintenance method for an exposure apparatus which exposes a substrate through a liquid in the exposure light emitted from the exit surface of the optical member, the first liquid which has been deaerated on the surface of the film containing amorphous fluororesin exposure light is irradiated from the exit surface through a the predetermined gas concentration than that of the first liquid supplying high second liquid, the surface of the membrane maintenance method comprising irradiating the ultraviolet light through the second liquid, it is provided.

本発明の第2の態様に従えば、本発明の第1の態様のメンテナンス方法でメンテナンスされた露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, a device comprising the method comprising exposing a substrate using the first aspect exposure apparatus is maintained in the maintenance method of the present invention, and developing the exposed substrate manufacturing method is provided.

本発明の第3の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置であって、非晶質フッ素樹脂を含有する膜が形成された部材と、脱気処理された第1の液体を介して射出面から射出された露光光が照射された膜の表面に、第1の液体よりも所定ガス濃度が高い第2の液体を供給する供給口と、膜の表面に第2の液体を介して紫外光を照射する照射装置と、を備える露光装置が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus which exposes a substrate through a liquid in the exposure light emitted from the exit surface of the optical member, a film containing amorphous fluororesin is formed supplying a member, degassed treated surface of the first film exposure light is irradiated emitted from the exit surface through a liquid, a predetermined gas concentration than that of the first liquid higher second liquid a supply port, an irradiation device for irradiating ultraviolet light through the second liquid, the exposure apparatus comprising a are provided on the surface of the membrane.

本発明の第4の態様に従えば、本発明の第3の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, third and exposing a substrate using an embodiment of an exposure apparatus, device manufacturing method comprising the method comprising developing the exposed substrate, the present invention is provided .

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。 According to an aspect of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defective exposure. また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to an aspect of the present invention, it can prevent defective devices.

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 Is a schematic diagram showing an example of an exposure apparatus according to this embodiment. 本実施形態に係る液浸部材及び液体供給装置の一例を示す図である。 Is a diagram illustrating an example of the liquid immersion member and the liquid supply apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る液体処理装置の一例を示す図である。 Is a diagram illustrating an example of a liquid processing apparatus according to this embodiment. 本実施形態に係る基板ステージの一例を示す図である。 Is a diagram illustrating an example of a substrate stage according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。 It is a flowchart for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to this embodiment. 撥液性を有する膜に紫外光を照射したときの膜の撥液性の変化を説明するためのグラフである。 It is a graph for explaining changes in liquid repellency of the film when irradiated with ultraviolet light film having liquid repellency. 本実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 It is a diagram for explaining an example of the maintenance sequence according to the present embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。 It is a flowchart for explaining an example of a process of fabricating a microdevice.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。 Will be explained below with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention, the present invention is not limited thereto. 以下の説明では、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。 In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system will be described positional relationship of each portion with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. 水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。 X-axis direction is a predetermined direction in a horizontal plane, the direction perpendicular to the X-axis direction Y-axis direction in the horizontal plane, a direction perpendicular to both the X-axis direction and the Y-axis direction (i.e., vertical direction) and the Z-axis direction. また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Further, X-axis, Y-axis, and rotation about the Z-axis (inclination) directions, .theta.X, [theta] Y, and the θZ direction.

本実施形態について説明する。 Describing the present embodiment. 図1は、本実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。 Figure 1 is a schematic block diagram showing an exposure apparatus EX according to the embodiment. 本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。 The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes the substrate P with the exposure light EL through the liquid LQ. また、本実施形態の露光装置EXは、例えば米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測部材C(計測器)を搭載して移動可能な計測ステージ3とを備えた露光装置である。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, for example, U.S. Patent No. 6897963, as disclosed in European Patent Application Publication No. 1713113 Pat like, movable substrate stage that holds the substrate P 2 If, without holding the substrate P, an exposure apparatus provided with a movable measurement stage 3 equipped with a measuring member C that measures the exposure light EL (the instrument).

図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板ステージ2と、計測ステージ3と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材4と、露光光ELの光路の少なくとも一部に液体LQを供給可能な液体供給装置5と、液体LQを回収可能な液体回収装置6と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。 1, the exposure apparatus EX includes a mask stage 1 is movable while holding a mask M, a substrate stage 2, and the measurement stage 3, an illumination system IL which illuminates the mask M with the exposure light EL, the exposure light EL in a projection optical system PL which projects an image of a pattern of the mask M illuminated is projected onto the substrate P, and the formable liquid immersion member immersion space LS so that at least part of the optical path of the exposure light EL is filled with the liquid LQ 4, a liquid supply device 5 capable of supplying the liquid LQ in at least a part of the optical path of the exposure light EL, a liquid recovery device 6 capable of recovering the liquid LQ, the control device 7 for controlling the operation of the entire exposure apparatus EX It is equipped with a.

液浸空間は、液体で満たされた空間である。 Immersion space is a space filled with liquid. 本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。 In the present embodiment, as the liquid LQ, water (pure water) is used. マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。 The mask M includes a reticle wherein a device pattern is formed that is projected onto the substrate P. 基板Pは、デバイスを製造するための基板である。 Substrate P is a substrate for fabricating a device. 基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。 Substrate P includes, for example, a substrate such as a semiconductor wafer, and a photosensitive layer formed on the substrate. 感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。 Photosensitive film is made of a photosensitive material (photoresist).

照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。 The illumination system IL irradiates the exposure light EL in a predetermined illumination region IR. 照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。 Illumination region IR is the exposure light EL emitted from the illumination system IL comprises a position capable of irradiating. 照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を露光光ELで照明する。 The illumination system IL illuminates at least a portion of the mask M arranged on the illumination region IR in the exposure light EL. 照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。 As exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, emission lines (g-ray, h-ray, i-ray) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) far ultraviolet light such as (DUV light), ArF excimer laser beam (wavelength 193 nm), and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) is used. 本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 In the present embodiment, as the exposure light EL, an ArF excimer laser beam is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light).

マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IRを含むベース部材8のガイド面8G上を移動可能である。 The mask stage 1, while holding the mask M, is movable on the guide surface 8G of the base member 8 including the illumination region IR. マスクステージ1は、例えば平面モータを含むステージ駆動システムの作動により、ガイド面8G上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。 The mask stage 1, for example, by the operation of a stage drive system that includes a planar motor, on the guide surface 8G, X axis, Y axis, Z axis, .theta.X, [theta] Y, and is movable in six directions in the θZ direction.

投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。 Projection optical system PL radiates the exposure light EL in a predetermined projection region PR. 投影光学系PLは、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面10を有する。 The projection optical system PL has an exit surface 10 that emits the exposure light EL toward the image plane of the projection optical system PL. 投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子11が射出面10を有する。 Among the plurality of optical elements of the projection optical system PL, and the closest last optical element 11 in the image plane of the projection optical system PL has an exit surface 10. 投影領域PRは、射出面10から射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。 Projection area PR is exposure light EL that emerges from the emergent surface 10 includes a position capable of irradiating. 投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。 The projection optical system PL, on at least a portion of the substrate P disposed in the projection region PR, to project an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification. 本実施形態において、終端光学素子11の光軸は、Z軸と平行である。 In the present embodiment, the optical axis of the final optical element 11 is parallel to the Z axis. 本実施形態において、射出面10から射出される露光光ELは、−Z方向に進行する。 In the present embodiment, the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10 proceeds in the -Z direction.

基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材12のガイド面12G上を移動可能である。 The substrate stage 2, while holding the substrate P, is movable on the guide surface 12G of the base member 12 including the projection area PR. 計測ステージ3は、計測部材Cを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材12のガイド面12G上を移動可能である。 Measurement stage 3, while holding a measuring member C, is movable on the guide surface 12G of the base member 12 including the projection area PR. 基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、例えば平面モータを含むステージ駆動システムの作動により、ガイド面12G上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。 Each of the substrate stage 2 and the measurement stage 3, for example by the operation of a stage drive system that includes a planar motor, on the guide surface 12G, X axis, Y axis, Z axis, .theta.X, [theta] Y, and six directions θZ direction it is movable.

本実施形態において、基板ステージ2は、基板Pをリリース可能に保持する保持部13を有する。 In this embodiment, the substrate stage 2 has a holding portion 13 which holds the substrate P releasably. 計測ステージ3は、計測部材Cをリリース可能に保持する保持部14を有する。 Measurement stage 3 includes a holding portion 14 for holding the measuring members C releasably. 本実施形態において、基板ステージ2は、米国特許出願公開第2007/0177125号明細書、及び米国特許出願公開第2008/0049209号明細書等に開示されているような、保持部13の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Tをリリース可能に保持する保持部15を有する。 In this embodiment, the substrate stage 2, U.S. Patent Application Publication No. 2007/0177125, and as U.S. disclosed in Patent Application Publication No. 2008/0049209 Pat etc., around the holder 13 at least disposed on a portion, having a holding portion 15 for holding the cover member T releasably. 計測ステージ3は、保持部14の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Sをリリース可能に保持する保持部16を有する。 Measurement stage 3 is disposed on at least a portion of the periphery of the holding portion 14 has a holding portion 16 for holding the cover member S releasably.

なお、カバー部材Tが基板ステージ2に一体的に形成されてもよいし、カバー部材Sが計測ステージ3に一体的に形成されてもよい。 Incidentally, the cover member T may be formed integrally with the substrate stage 2, the cover member S may be integrally formed on the measurement stage 3.

本実施形態において、マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置は、レーザ干渉計ユニット17A、17Bを含む干渉計システム17によって計測される。 In the present embodiment, the position of the mask stage 1, the substrate stage 2, and the measurement stage 3 is measured by an interferometer system 17 including a laser interferometer unit 17A, the 17B. 基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置7は、干渉計システム17の計測結果に基づいて、ステージ駆動システムを作動し、マスクステージ1(マスクM)、基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測部材C)の位置制御を実行する。 When performing the exposure process for the substrate P, or when performing a predetermined measuring process, the control unit 7, based on the measurement results of the interferometer system 17, operates the stage drive system, the mask stage 1 (mask M) , the substrate stage 2 (substrate P), and performing the position control of the measurement stage 3 (measuring members C).

液浸部材4は、終端光学素子11の近傍に配置される。 Liquid immersion member 4 is disposed in the vicinity of the last optical element 11. 本実施形態において、液浸部材4は、環状の部材であり、露光光ELの光路の周囲に配置される。 In the present embodiment, the liquid immersion member 4 is an annular member, is disposed around the optical path of the exposure light EL. 本実施形態においては、液浸部材4の少なくとも一部が、終端光学素子11の周囲に配置される。 In the present embodiment, at least part of the liquid immersion member 4 is disposed around the last optical element 11.

液浸部材4は、射出面10と、その射出面10と対向する位置(投影領域PR)に配置される物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能である。 Liquid immersion member 4, the emergent surface 10, the liquid immersion space such that the optical path K of the exposure light EL between the object disposed in the position (projection area PR) for opposing the exit surface 10 is filled with the liquid LQ LS can be formed. 液浸部材4は、射出面10と対向する位置に配置される物体が対向可能な下面18を有する。 Liquid immersion member 4, the object is disposed at a position facing the exit surface 10 has a counter capable underside 18.

射出面10は、射出面10と対向する位置に配置される物体の表面(上面)との間で液体LQを保持可能である。 Exit surface 10 can hold the liquid LQ between the surface of the object to be arranged at a position facing the exit surface 10 (upper surface). 下面18は、射出面10と対向する位置に配置される物体の表面(上面)との間で液体LQを保持可能である。 Lower surface 18 can hold the liquid LQ between the surface of the object to be arranged at a position facing the exit surface 10 (upper surface). 一方側の射出面10及び下面18と、他方側の物体の表面(上面)との間に液体LQが保持されることによって、終端光学素子11と物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。 Meanwhile the emergent surface 10 and lower surface 18 side, by the liquid LQ is held between the other side of the surface of the object (the upper surface), the optical path K of the exposure light EL between the final optical element 11 and the object immersion space LS is formed to be filled with the liquid LQ.

本実施形態において、射出面10と対向する位置に配置可能な物体は、その射出面10と対向する位置を含む所定面内において移動可能な物体を含む。 In the present embodiment, the object that can be placed in a position facing the exit surface 10 includes an object movable in a predetermined plane including a position opposing the exit surface 10. 本実施形態において、その物体は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方を含む。 In the present embodiment, the object includes at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3. 本実施形態において、その物体は、基板ステージ2の保持部15に保持されたカバー部材T、計測ステージ3の保持部16に保持されたカバー部材S、及び計測ステージ3の保持部14に保持された計測部材Cの少なくとも一つを含む。 In the present embodiment, the object is held cover member T held by the holding portion 15 of the substrate stage 2, held by the holder 16 of the measurement stage 3 a cover member S, and the holding portion 14 of the measurement stage 3 and at least one of the measuring members C. また、本実施形態において、その物体は、保持部13に保持された基板Pを含む。 Further, in the present embodiment, the object includes a substrate P held by the holding portion 13.

それら物体は、投影光学系PLの像面側(終端光学素子11の射出面10側)において移動可能である。 They object is movable on the image plane side of the projection optical system PL (the exit surface 10 side of the final optical element 11). 本実施形態において、物体は、射出面10と対向する位置を含むXY平面内において移動可能である。 In the present embodiment, the object is movable in the XY plane containing the position facing the exit surface 10. 物体は、射出面10及び下面18との間に液体LQを保持した状態で移動可能である。 Object is movable while holding the liquid LQ between the exit surface 10 and the lower surface 18.

本実施形態においては、基板Pの表面に射出面10からの露光光ELが照射されているときに、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成される。 In the present embodiment, when the exposure light EL is irradiated from the exit surface 10 to the surface of the substrate P, the liquid such that a portion of the region of the surface of the substrate P including the projection region PR is covered by the liquid LQ immersion space LS is formed. 液体LQの界面(メニスカス、エッジ)LGの少なくとも一部は、液浸部材4の下面18と基板Pの表面との間に形成される。 The interface of the liquid LQ (meniscus, edge) at least a portion of the LG is formed between the lower surface 18 and the front surface of the substrate P of the liquid immersion member 4. すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。 That is, the exposure apparatus EX of the present embodiment employs a local liquid immersion method.

例えば基板Pの露光の少なくとも一部において、終端光学素子11及び液浸部材4と、保持部13に保持された基板P及び保持部15に保持されたカバー部材Tの少なくとも一方との間に液体LQが保持されて液浸空間LSが形成される。 For example, in at least part of the exposure of the substrate P, and the final optical element 11 and the liquid immersion member 4, the liquid between at least one of the substrate P and the cover member T held by the holding portion 15 held by the holding portion 13 immersion space LS is formed LQ is retained. 例えば計測部材C(計測器)を用いる計測の少なくとも一部において、終端光学素子11及び液浸部材4と、保持部14に保持された計測部材C及び保持部16に保持されたカバー部材Sの少なくとも一方との間に液体LQが保持されて液浸空間LSが形成される。 For example, in at least part of the measurement using the measuring members C (instrumentation), and the last optical element 11 and the liquid immersion member 4, the holding portion 14 of the cover member S held on the measurement member C and the holding portion 16 is held in the liquid LQ is held immersion space LS is formed between at least one.

図2は、本実施形態に係る液浸部材4及び液体供給装置5の一例を示す図である。 Figure 2 is a diagram showing an example of the liquid immersion member 4 and the liquid supply device 5 according to this embodiment. なお、図2を用いる説明においては、投影領域PR(終端光学素子11及び液浸部材4と対向する位置)に基板Pが配置される場合を例にして説明するが、上述のように、基板ステージ2(カバー部材T)、及び計測ステージ3(カバー部材S、計測部材C)を配置することもできる。 In the description using FIG. 2 will be described with the case where the substrate P is disposed in the projection region PR (final optical element 11 and the liquid immersion member 4 opposite to the position) as an example, as described above, the substrate stage 2 (cover member T), and the measurement stage 3 (the cover member S, the measuring member C) may be disposed.

図2に示すように、液浸部材4は、射出面10と対向する位置に配置される開口19と、開口19の周囲に配置される下面20とを有する。 As shown in FIG. 2, the liquid immersion member 4 has an opening 19 which is arranged at a position facing the exit surface 10, and a lower surface 20 which is disposed around the opening 19. 射出面10から射出された露光光ELは、開口19を通過して、基板Pに照射可能である。 The exposure light EL emitted from the emergent surface 10 passes through the opening 19, which is capable of irradiating the substrate P.

また、液浸部材4は、液体LQを供給可能な供給口21と、液体LQを回収可能な回収口22とを備えている。 Further, the liquid immersion member 4 includes a supply port 21 capable of supplying the liquid LQ, and a recoverable recovery port 22 of the liquid LQ. 供給口21は、射出面10から射出される露光光ELの光路Kに液体LQを供給可能である。 Supply port 21 is capable of supplying the liquid LQ to the optical path K of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10. 供給口21から供給された液体LQの少なくとも一部は、開口19を介して、射出面10及び下面18と対向する基板P(物体)上に供給される。 At least a portion of the liquid LQ supplied from the supply port 21 through the opening 19, is supplied onto the substrate P (object) that opposes the exit surface 10 and the lower surface 18. 供給口21は、射出面10から射出される露光光ELの光路Kの近傍において、その光路Kに面するように配置されている。 Supply port 21, in the vicinity of the optical path K of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10 is disposed so as to face the optical path K.

供給口21は、流路23を介して、液体供給装置5と接続されている。 Supply port 21 via the flow path 23 is connected to a liquid supply device 5. 液体供給装置5は、液体LQを送出可能である。 Liquid supply unit 5 is capable of feeding the liquid LQ. 流路23は、液浸部材4の内部に形成された供給流路21R、及びその供給流路21Rと液体供給装置5とを接続する供給管24で形成される流路24Rを含む。 Passage 23 includes the liquid immersion member 4 of the supply channel 21R formed therein, and the supply channel 21R and the liquid supply device 5 and is the passage 24R formed in the supply pipe 24 which connects. 液体供給装置5から送出された液体LQは、流路23を介して供給口21に供給される。 Liquid LQ fed from the liquid supply unit 5 is supplied to the supply port 21 via the flow path 23.

回収口22は、射出面10及び下面18と対向する基板P(物体)上の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。 Recovery port 22 is capable of recovering at least some of the liquid LQ on the substrate opposite to the exit surface 10 and the lower surface 18 P (object). 回収口22は、基板P(物体)が対向可能な液浸部材4の所定位置に配置されている。 Recovery port 22, the substrate P (the object) is placed at a predetermined position of the opposable liquid immersion member 4. 本実施形態において、回収口22は、下面20の周囲の少なくとも一部に配置されている。 In the present embodiment, the recovery port 22 is arranged at least partly around the lower surface 20.

本実施形態において、回収口22には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材25が配置される。 In the present embodiment, the recovery port 22, the plate-shaped porous member 25 that includes a plurality of holes (Openings or pores) are arranged. 本実施形態において、基板P(物体)上の液体LQの少なくとも一部は、多孔部材25の孔を介して回収される。 In the present embodiment, at least a portion of the liquid LQ on the substrate P (the object) is recovered through the pores of the porous member 25. なお、回収口22に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。 Incidentally, the recovery port 22, the mesh filter may be disposed a porous member which numerous small holes are formed in a mesh shape.
多孔部材25の下面26に基板P(物体)が対向可能である。 The lower surface 26 of the porous member 25 the substrate P (object) can be opposed. 下面20の周囲に下面26が配置される。 The lower surface 26 is disposed around the lower surface 20. 本実施形態において、液浸部材4の下面18の少なくとも一部は、下面20及び多孔部材25の下面26を含む。 In the present embodiment, at least a portion of the lower surface 18 of the liquid immersion member 4 includes a bottom surface 26 of the lower surface 20 and the porous member 25.

回収口22は、流路27を介して、液体回収装置6と接続されている。 Recovery port 22 via the flow path 27, and is connected to the liquid recovery unit 6. 液体回収装置6は、回収口22を介して液体LQを吸引可能である。 Liquid recovery unit 6 is capable of sucking the liquid LQ via the recovery port 22. 流路27は、液浸部材4の内部に形成された回収流路22R、及びその回収流路22Rと液体回収装置6とを接続する回収管28で形成される流路28Rを含む。 Flow path 27 includes recovery flow passage 22R which is formed inside the liquid immersion member 4, and the recovery flow passage 22R and the liquid recovery device 6 and the flow path 28R is formed in the recovery pipe 28 for connecting. 回収口22(多孔部材25の孔)から回収された液体LQは、流路27を介して、液体回収装置6に回収される。 Liquid LQ recovered via the recovery port 22 (holes of the porous member 25) through the passage 27, is recovered by the liquid recovery device 6.

液体供給装置5は、流路23を介して、供給口21に液体LQを供給可能である。 Liquid supply unit 5 through the flow passage 23, can supply the liquid LQ to the supply port 21. 液体供給装置5は、供給口21を介して、露光光ELの光路Kの少なくとも一部に液体LQを供給可能である。 Liquid supply unit 5 through the supply port 21, it is possible to supply the liquid LQ in at least part of the optical path K of the exposure light EL. 射出面10と対向する位置に基板P(物体)が配置されている状態において、液体供給装置5は、供給口21を介して、射出面10と基板P(物体)の表面との間の露光光ELの光路Kに液体LQを供給可能である。 In a state where the substrate at a position facing the exit surface 10 P (object) is arranged, the liquid supply device 5, via the supply port 21, the exposure between the exit surface 10 and the substrate surface P (object) it is possible to supply the liquid LQ to the optical path K of the light EL.

本実施形態においては、露光装置EXが液体供給装置5を有する。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX has a liquid supply device 5. なお、液体供給装置5が、露光装置EXとは別の装置でもよい。 The liquid supply device 5 may be a separate device from the exposure apparatus EX. 換言すれば、液体供給装置5は、露光装置EXに対する外部の装置でもよい。 In other words, the liquid supply device 5, may be an external device to the exposure apparatus EX. 液体供給装置5が露光装置EXに対する外部の装置である場合、その液体供給装置5は、流路23を介して供給口21に接続されることによって露光装置EXに使用される。 If the liquid supply device 5 is an external device to the exposure apparatus EX, the liquid supply device 5 is used for the exposure apparatus EX by being connected to the supply port 21 via the flow path 23.

液体供給装置5は、脱気処理された液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行する液体処理装置31を備えている。 Liquid supply unit 5 includes a liquid processing device 31 executes a process to increase the predetermined gas concentration dissolved in the deaerated liquid LQS. 液体処理装置31は、脱気処理された液体LQsに所定ガスGを溶解して、その液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行可能である。 Liquid treatment apparatus 31, by dissolving a predetermined gas G in deaerated liquid LQS, is capable of executing processing to increase the predetermined gas concentration dissolved in the the liquid LQS.

本実施形態において、所定ガスGは、酸素ガスである。 In the present embodiment, the predetermined gas G is oxygen gas. なお、所定ガスGが、酸素ガスと、酸素ガスとは異なる種類のガス(例えば窒素ガス)とを含んでいてもよい。 The predetermined gas G, and oxygen gas may contain a different type of gas (e.g., nitrogen gas) and oxygen gas. なお、所定ガスGが、炭酸ガス、水素ガス、及びオゾンガスの少なくとも一つを含んでもよい。 The predetermined gas G, carbon dioxide, may include at least one of hydrogen gas, and the ozone gas. また、所定ガスGが、不活性ガスを含んでもよい。 Further, the predetermined gas G may contain an inert gas.

本実施形態において、液体供給装置5は、液体LQpの脱気処理を実行可能な脱気装置32を備えている。 In the present embodiment, the liquid supply device 5 is deaerated liquid LQp includes executable degasser 32. 脱気処理は、液体LQpに含まれるガスを除去する処理である。 Degassing process is a process to remove gas contained in the liquid LQP. 脱気処理によって、少なくとも、液体LQpに含まれる所定ガスGが液体LQpから除去される。 By degassing, at least, the predetermined gas G contained in the liquid LQP is removed from the liquid LQP.

脱気装置32は、例えば米国特許出願公開第2005/0219490号明細書等に開示されているような、液体に溶存するガス濃度を低減可能な膜脱気装置を含む。 Deaerator 32 includes, for example, U.S. as disclosed in Patent Application Publication No. 2005/0219490 Pat etc., capable of reducing membrane degasifier the gas concentration dissolved in the liquid. 本実施形態において、脱気装置32は、液体LQpを供給可能な供給源SPLに接続される。 In the present embodiment, the deaeration apparatus 32 is connected to the liquid LQp a source SPL capable of supplying. 本実施形態において、供給源SPLは、液体LQpとして、水(純水)を供給する。 In the present embodiment, the source SPL as liquid LQP, supplying water (pure water). 本実施形態において、脱気装置32は、供給源SPLから供給された液体LQpの脱気処理を実行する。 In the present embodiment, the deaeration apparatus 32 executes deaerated liquid LQp supplied from the supply source SPL. 本実施形態において、脱気装置32は、管33に形成された流路33Rを介して供給源SPLに接続される。 In the present embodiment, the deaeration apparatus 32 is connected to a source SPL via a flow passage 33R formed in the tube 33. 供給源SPLからの液体LQpは、流路33Rを介して脱気装置32に供給される。 Liquid LQp from sources SPL is supplied to the deaerator 32 through the flow path 33R. 脱気装置32は、流路33Rを介して供給源SPLから供給された液体LQpの脱気処理を実行する。 Degasser 32 executes deaerated liquid LQp supplied from the supply source SPL via stream 33R. 脱気装置32は、脱気処理された液体LQsを送出可能である。 Deaerator 32 is capable of feeding the deaerated liquid LQS.

本実施形態において、液体処理装置31は、脱気装置32に接続される。 In the present embodiment, the liquid processing apparatus 31 is connected to the deaerator 32. 本実施形態において、液体処理装置31は、脱気装置32で脱気処理された液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行可能である。 In the present embodiment, the liquid processing apparatus 31 is capable of executing processing to increase the predetermined gas concentration dissolved in the degassed 32 deaerated liquid LQS. 本実施形態において、液体処理装置31は、管34に形成された流路34Rを介して脱気装置32に接続される。 In the present embodiment, the liquid processing apparatus 31 is connected via a flow path 34R formed in the tube 34 to the deaerator 32. 脱気装置32からの液体LQsは、流路34Rを介して液体処理装置31に供給される。 Liquid LQs from deaerator 32 is supplied to the liquid treatment apparatus 31 via the flow path 34R. 液体処理装置31は、流路34Rを介して脱気装置32から供給された液体LQsに対して、溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行する。 Liquid treatment apparatus 31 through a flow path 34R to liquid LQs supplied from the deaerator 32, executes a process of increasing a predetermined gas concentration to be dissolved.

本実施形態において、液体処理装置31は、ガス供給装置35に接続される。 In the present embodiment, the liquid processing apparatus 31 is connected to a gas supply device 35. ガス供給装置35は、所定ガスGを送出可能である。 Gas supply device 35 is capable of feeding the predetermined gas G. 本実施形態において、液体処理装置31は、管36に形成された流路36Rを介してガス供給装置35に接続される。 In the present embodiment, the liquid processing apparatus 31 is connected to the gas supply unit 35 via a flow passage 36R formed in the tube 36. ガス供給装置35からの所定ガスGは、流路36Rを介して液体処理装置31に供給される。 The predetermined gas G from the gas supply unit 35 is supplied to the liquid treatment apparatus 31 via the flow path 36R. 液体処理装置31は、流路36Rを介してガス供給装置35から供給された所定ガスGを液体LQsに溶解して、液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める。 Liquid treatment apparatus 31 via the flow path 36R predetermined gas G supplied from the gas supply device 35 is dissolved in a liquid LQS, increasing the predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQS.

液体処理装置31は、所定ガス濃度が高められた液体LQh1を送出可能である。 Liquid treatment apparatus 31 is capable of feeding the liquid LQh1 a predetermined gas concentration is increased. 液体処理装置31は、流路34R(脱気装置32)から供給された脱気処理後の液体LQsに溶存する所定ガス濃度よりも高い所定ガス濃度の液体LQh1を送出可能である。 Liquid treatment apparatus 31 has a passage 34R (degasser 32) is capable of feeding the liquid LQh1 high predetermined gas concentration than a predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQs after supplied degassing from. 液体処理装置31は、所定ガス濃度が高められた液体LQh1を流路23に送出し、供給口21を介して露光光ELの光路の少なくとも一部に供給可能である。 Liquid processing apparatus 31 sends a liquid LQh1 a predetermined gas concentration is increased in the flow path 23 can be supplied to at least a portion of the optical path of the exposure light EL through the supply port 21.

また、液体処理装置31は、所定ガス濃度が高められていない液体を送出可能である。 The liquid processing apparatus 31 is capable of feeding the liquid of a predetermined gas concentration is not increased. 液体処理装置21は、流路34R(脱気装置32)から供給された脱気処理後の液体LQsに溶存する所定ガス濃度よりとほぼ同じ所定ガス濃度の液体を送出可能である。 Liquid processing apparatus 21 has a passage 34R (degasser 32) is capable of feeding substantially the same predetermined gas concentration liquid and the predetermined gas concentration dissolved in the supplied degassing treatment after the liquid LQs from. 例えば、液体処理装置31は、脱気装置32から供給された脱気処理後の液体LQsに対する所定ガス濃度を高める処理を実行せずに、その所定ガス濃度が低減されている液体LQsを送出可能である。 For example, the liquid processing apparatus 31 does not perform the treatment for increasing a predetermined gas concentration to liquid LQs after degassing supplied from the deaerator 32, capable of feeding the liquid LQs that the predetermined gas concentration is reduced it is. 本実施形態において、所定ガス濃度が低減されている液体LQsが、基板Pの露光において供給される液体(露光液体)LQとして使用される。 In the present embodiment, the liquid LQs a predetermined gas concentration is reduced, the liquid supplied in the exposure of the substrate P (exposure liquid) is used as LQ. 液体処理装置31は、所定ガス濃度が高められていない(所定ガス濃度が低減されている)液体LQsを流路23に送出し、供給口21を介して露光光ELの光路の少なくとも一部に供給可能である。 Liquid treatment apparatus 31, predetermined gas concentration has not increased (predetermined gas concentration is reduced) liquid LQs sent to the channel 23, at least a portion of the optical path of the exposure light EL through the supply port 21 It can be supplied.

なお、液体処理装置31が、流路34R(脱気装置32)から供給された脱気処理後の液体LQsに溶存する所定ガス濃度よりも低い所定ガス濃度の液体LQssを送出してもよい。 The liquid processing apparatus 31 may send the liquid LQss lower predetermined gas concentration than a predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQs after supplied deaerated from the passage 34R (degasser 32). 例えば、液体処理装置31が、流路34R(脱気装置32)から供給された液体LQsの脱気処理を実行して液体LQssを生成してもよい。 For example, the liquid treatment apparatus 31 may generate a liquid LQss running degassed liquid LQs supplied from the flow path 34R (degasser 32). 液体処理装置31は、所定ガス濃度が低減された液体LQssを流路23に送出し、供給口21を介して露光光ELの光路の少なくとも一部に供給可能である。 Liquid processing apparatus 31 sends a liquid LQss a predetermined gas concentration is reduced in the flow channel 23 can be supplied to at least a portion of the optical path of the exposure light EL through the supply port 21. なお、そのLQssが、基板Pの露光において供給される液体(露光液体)LQとして使用されてもよい。 Incidentally, the LQss is, the liquid supplied in the exposure of the substrate P (exposure liquid) may be used as LQ.

以下の説明において、所定ガス濃度が高められた液体LQh1を供給口21(光路K)に供給する動作を適宜、高濃度モード、と称する。 In the following description, appropriately referred to as a high density mode, and the operation of supplying the supply port 21 (the optical path K) liquid LQh1 a predetermined gas concentration is increased. また、所定ガス濃度が低減されている液体LQs(LQ)を供給口21(光路K)に供給する動作を適宜、低濃度モード、と称する。 Further, the predetermined liquid gas concentration is reduced LQS (LQ) appropriate operation of supplying the supply port 21 (the optical path K) and low density mode, referred to as.

本実施形態において、高濃度モードは、液体供給装置5(液体処理装置31)が液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行することを含む。 In the present embodiment, the high density mode comprises performing a treatment for increasing a predetermined gas concentration in which the liquid supply device 5 (liquid treatment apparatus 31) is dissolved in liquid LQS. 低濃度モードは、液体供給装置5(液体処理装置31)が液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行しないことを含む。 Low density mode comprises taking any action to increase the predetermined gas concentration liquid supply device 5 (liquid treatment apparatus 31) is dissolved in liquid LQS. 換言すれば、低濃度モードは、液体供給装置5(液体処理装置31)が所定ガス濃度を高める処理を停止することを含む。 In other words, the low concentration mode comprises a liquid supply device 5 (liquid treatment apparatus 31) stops the process to increase the predetermined gas concentration. 高濃度モードにおいては、所定ガス濃度を高める処理が実行された液体LQh1が供給口21から供給される。 At high concentrations mode, liquid LQh1 the process is performed to increase the predetermined gas concentration is supplied from the supply port 21. 低濃度モードにおいては、液体処理装置31による所定ガス濃度を高める処理が停止され、所定ガス濃度を高める処理が実行されない液体LQ(LQs)が供給口21から供給される。 In low concentrations mode, processing to increase the predetermined gas concentration by liquid processing apparatus 31 is stopped, LQ liquid processing is not executed to increase the predetermined gas concentration (LQS) is supplied from the supply port 21.

図3は、液体処理装置31の一例を示す図である。 Figure 3 is a diagram showing an example of a liquid treatment apparatus 31. 本実施形態において、液体処理装置31は、気体透過膜43を用いて液体にガスを溶解させる膜溶解装置40を有する。 In the present embodiment, the liquid treatment apparatus 31 includes a film dissolving device 40 for dissolving a gas in a liquid by using a gas-permeable membrane 43. 膜溶解装置40は、空間41を形成する容器42と、空間41に配置された気体透過膜43とを有する。 Film dissolution apparatus 40 includes a container 42 defining a space 41, a gas permeable membrane 43 disposed in the space 41. 気体透過膜43は、気体を透過し、液体を透過しない膜である。 Gas-permeable membrane 43 is transmitted through a gas, a film which does not transmit liquid. 気体透過膜43は、空間41を第1空間(液体室)41Aと第2空間(液体室)41Bとに分けるように配置される。 Gas-permeable membrane 43 is arranged to divide the space 41 into a first space (liquid chamber) 41A and the second space (liquid chamber) 41B.

流路34R(脱気装置32)からの液体LQsは、液体室41Aに供給される。 Liquid LQs from passage 34R (degassing unit 32) is supplied to the liquid chamber 41A. 流路36R(ガス供給装置35)からの所定ガスGは、気体室41Bに供給される。 The predetermined gas G from the flow path 36R (gas supply unit 35) is supplied to the gas chamber 41B. 気体室41Bの所定ガスGの少なくとも一部は、気体透過膜43を透過して、液体室41Aに移動可能である。 At least a portion of the predetermined gas G of the gas chamber 41B passes through the gas permeable membrane 43 is movable in the liquid chamber 41A. これにより、液体室41Aの液体LQsに所定ガスGが溶解し、溶存する所定ガス濃度が高められた液体LQh1が生成される。 Thus, the liquid LQs the liquid chamber 41A was dissolved a predetermined gas G, a predetermined concentration of gas dissolved is liquid LQh1 elevated generated. 液体処理装置31は、気泡を含まず、所定ガス濃度が高められた液体LQh1を送出可能である。 Liquid treatment apparatus 31 contains no bubbles, is capable of feeding the liquid LQh1 elevated a predetermined gas concentration.

なお、液体に気体を溶解可能な溶解装置の一例が、例えば特開2009−219997号公報に開示されている。 Incidentally, one possible dissolution dissolution apparatus a gas to a liquid is disclosed, for example, in JP 2009-219997 JP.

本実施形態において、液体処理装置31は、流路34Rと流路24R(23)とを接続可能な流路44Rを有する管44と、流路44Rの一端に配置される流路切替機構45と、流路44Rの他端に配置される流路切替機構46とを有する。 In the present embodiment, the liquid treatment apparatus 31 includes a tube 44 having a possible passage 44R connecting the passage 34R and the passage 24R (23), a flow path switching mechanism 45 which is disposed at one end of the flow path 44R , and a flow path switching mechanism 46 disposed on the other end of the flow path 44R. 流路切替機構45、46は、例えばバルブ機構を含む。 Passage switching mechanism 45 and 46, for example, includes a valve mechanism. 流路44Rの一端は、流路切替機構45を介して流路34Rに接続され、流路44Rの他端は、流路切替機構46を介して流路24R(23)に接続される。 One end of the passage 44R is connected to the flow path 34R via a flow path switching mechanism 45, the other end of the passage 44R is connected through a flow path switching mechanism 46 to the flow path 24R (23).

本実施形態において、制御装置7は、流路切替機構45、46を制御して、高濃度モードと、低濃度モードとの少なくとも一方を実行可能である。 In the present embodiment, the control device 7 controls the passage switching mechanism 45, and the high density mode, is capable of executing at least one of the low density mode.

制御装置7は、高濃度モードを実行するとき、脱気装置32からの液体LQsが膜溶解装置40に供給され、流路44Rに供給されないように、流路切替機構45を制御する。 The controller 7, when executing the high density mode, liquid LQs from deaerator 32 is supplied to the film dissolving device 40, so as not to be supplied to the flow path 44R, and controls the passage switching mechanism 45. 膜溶解装置40は、供給された液体LQsに所定ガスGを溶解し、溶存する所定ガス濃度が高められた液体LQh1を生成する。 Film dissolution apparatus 40 can be prepared by dissolving the predetermined gas G to the supply liquid LQS, predetermined gas concentration dissolved to produce a liquid LQh1 elevated. 膜溶解装置40によって生成された液体LQh1は、流路23に送出される。 Liquid LQh1 generated by film dissolution apparatus 40 is delivered to the flow path 23. 制御装置7は、膜溶解装置40から送出された液体LQh1が流路23を介して供給口21に供給され、流路44Rに供給されないように、流路切替機構46を制御する。 The controller 7, the liquid LQh1 sent from the membrane dissolving device 40 is supplied to the supply port 21 via the channel 23, so as not to be supplied to the flow path 44R, and controls the passage switching mechanism 46.

制御装置7は、低濃度モードを実行するとき、脱気装置32からの液体LQsが流路44Rに供給され、膜溶解装置40に供給されないように、流路切替機構45を制御する。 The controller 7, when performing the low density mode, the liquid LQs from deaerator 32 is supplied to the flow passage 44R, so as not to be supplied to the membrane lysis device 40, controls the passage switching mechanism 45. 流路44Rを流れた液体LQsは、流路切替機構46を介して流路23に流入する。 Liquid LQs flowing through the flow path 44R flows into the flow path 23 via a flow path switching mechanism 46. 制御装置7は、流路44Rからの液体LQsが流路23を介して供給口21に供給されるように、流路切替機構46を制御する。 The controller 7, so that the liquid LQs from passage 44R is supplied to the supply port 21 via the channel 23, controls the passage switching mechanism 46. すなわち、制御装置7は、低濃度モードを実行するとき、膜溶解装置40による所定ガス濃度を高める処理が実行されないように、流路切替機構45、46を制御する。 That is, the control device 7, when performing the low density mode, processing to increase the predetermined gas concentration by membrane dissolving device 40 is so not executed, it controls the passage switching mechanism 45 and 46. なお、低濃度モードを実行するとき、膜溶解装置40による所定ガス濃度を高める処理が停止されてもよい。 Incidentally, when performing the low density mode, processing to increase the predetermined gas concentration by membrane dissolving device 40 may be stopped.

図2に示すように、本実施形態において、液体供給装置5は、供給口21に供給する単位時間当たりの液体LQ(LQh1)の量(液体供給量)を調整可能な供給量調整装置37を備えている。 As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the liquid supply device 5, the amount (liquid supply amount) adjustable supply amount adjustment apparatus 37 of the liquid LQ (LQh1) per unit time supplied to the supply port 21 It is provided. 供給量調整装置37は、例えばマスフローコントローラを含み、単位時間当たりの液体供給量を調整可能である。 Supply amount adjusting device 37 includes, for example, a mass flow controller, it is possible to adjust the liquid supply amount per unit time. 制御装置7は、供給量調整装置37を制御して、供給口21を介して光路Kに供給される単位時間当たりの液体LQ(LQh1)の供給量を調整可能である。 The controller 7 controls the supply amount adjusting apparatus 37, it is possible to adjust the supply amount of the liquid LQ (LQh1) per unit time supplied to the optical path K through the supply port 21.

なお、液体供給装置5が、液体LQ(LQh1、LQs、LQp)中の異物を除去可能なフィルタユニット、及び供給口21に供給する液体LQ(LQh1)の温度を調整可能な温度調整装置を有してもよい。 The liquid supply device 5, the liquid LQ (LQh1, LQs, LQp) foreign substance removable filter units in, and adjustable temperature control device the temperature of the supplied liquid LQ (LQh1) to the supply port 21 Yes it may be.

本実施形態において、制御装置7は、液体処理装置31、脱気装置32、及びガス供給装置35の少なくとも一つを制御して、液体処理装置31から送出される液体に溶存する所定ガス濃度を調整可能である。 In the present embodiment, the control device 7, the liquid processing apparatus 31, the deaeration apparatus 32, and controls at least one of a gas supply apparatus 35, a predetermined gas concentration dissolved in the liquid to be fed from the liquid processing apparatus 31 it is adjustable. 制御装置7は、例えば液体処理装置31の液体室41A及び気体室41Bの少なくとも一方の圧力を調整したり、脱気装置32から液体処理装置31に供給される液体LQsの量を調整したり、脱気装置32の処理能力を調整して脱気装置32から送出される液体LQsに溶存するガス濃度を調整したり、ガス供給装置35から液体処理装置31に供給される所定ガスGの量を調整したりすることによって、液体処理装置31から送出される液体に溶存する所定ガス濃度を調整可能である。 The controller 7, for example, to adjust at least one of the pressure of the liquid chamber 41A and a gas chamber 41B of the liquid processing apparatus 31, to adjust the amount of liquid LQs supplied from the deaerator 32 to the liquid treatment apparatus 31, to adjust the gas concentration dissolved in the liquid LQs sent from deaerator 32 processing capacity adjustments to deaerator 32, the amount of a given gas G supplied from the gas supply unit 35 to the liquid treatment apparatus 31 by and adjust, can adjust the predetermined gas concentration dissolved in the liquid to be fed from the liquid processing apparatus 31.

高濃度モードにおいては、液体処理装置31によって処理された液体LQh1に溶存する所定ガス濃度は、流路34R(脱気装置32)から液体処理装置31に供給される液体LQsに溶存する所定ガス濃度よりも高い。 At high concentrations mode, predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQh1 processed by the liquid processing apparatus 31, a predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQs supplied from the flow path 34R (degassing unit 32) to the liquid treatment apparatus 31 higher than that. 低濃度モードにおいては、液体処理装置31から送出される液体LQ(LQs)に溶存する所定ガス濃度は、流路34R(脱気装置32)から液体処理装置31に供給される液体LQsに溶存する所定ガス濃度とほぼ等しい。 In low concentrations mode, predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQ (LQS) which is fed from the liquid processing apparatus 31 is dissolved in the liquid LQS supplied from the flow path 34R (degassing unit 32) to the liquid treatment apparatus 31 approximately equal to a predetermined gas concentration.

本実施形態において、流路34Rを介して液体処理装置31に供給される液体LQsに溶存するガス濃度は、例えば10ppb以上100ppb以下でもよい。 In this embodiment, gas concentration dissolved in the liquid LQs supplied to the liquid treatment apparatus 31 via the flow path 34R, for example 100ppb or below over 10 ppb. また、高濃度モードにおいて、液体処理装置31から流路24Rに送出される液体LQh1に溶存する所定ガス濃度が、500ppbよりも高く10ppm以下でもよいし、1ppm以上8ppm以下でもよい。 In the high density mode, a predetermined concentration of gas dissolved from the liquid processing apparatus 31 in the liquid LQh1 delivered to the passage 24R, may be a 10ppm or less higher than 500 ppb, may be 1ppm or 8ppm less. また、高濃度モードにおいて、流路34Rを介して液体処理装置31に供給される液体LQsに溶存するガス濃度に対して、液体処理装置31から流路24Rに送出される液体LQh1に溶存する所定ガス濃度が、例えば50倍よりも大きく1000倍以下でもよいし、100倍以上800倍以下でもよい。 In the high density mode, predetermined via the flow path 34R against gas concentration dissolved in the liquid LQs supplied to the liquid treatment apparatus 31, dissolved from the liquid treatment apparatus 31 in the liquid LQh1 delivered to the flow channel 24R gas concentration, for example may be a 1000-fold less greater than 50-fold, or at least 100 times 800 times or less. また、高濃度モードにおいて、流路34Rを介して液体処理装置31に供給される液体LQsに溶存するガス濃度に対して、供給口21から光路Kに供給される液体LQh1に溶存する所定ガス濃度が50倍より大きく1000倍以下になるように調整されてもよいし、100倍以上800倍以下になるように調整されてもよい。 In the high density mode, with respect to the gas concentration dissolved in the liquid LQs supplied to the liquid treatment apparatus 31 through the passage 34R, a predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQh1 supplied from the supply port 21 to the optical path K There may be adjusted to be less than 1000 times greater than 50 times, it may be adjusted to be less than 800 times 100 times or more. また、液体処理装置31から流路24Rに送出される液体LQh1に溶存する所定ガス濃度に対して、供給口21から光路Kに供給される液体LQh1に溶存する所定ガス濃度が所定倍になるように調整されてもよい。 Also, so that for a given gas concentration of the dissolved from the liquid treatment apparatus 31 in the liquid LQh1 delivered to the flow channel 24R, a predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQh1 supplied from the supply port 21 to the optical path K becomes a predetermined multiple it may be adjusted to.

なお、本実施形態において、液体供給装置5が、供給源SPLを備えていてもよい。 In the present embodiment, the liquid supply unit 5 may be provided with a source SPL. なお、供給源SPLが、露光装置EXが設置される工場の設備でもよい。 The supply source SPL may be a plant facility in which the exposure apparatus EX is installed. また、液体供給装置5が露光装置EXに対する外部の装置である場合において、露光装置EXが供給源SPLを備えていてもよい。 Further, when the liquid supply unit 5 is an external device to the exposure apparatus EX, the exposure apparatus EX may be provided with a source SPL.

なお、本実施形態において、脱気装置32が、液体供給装置5とは別の装置でもよい。 In the present embodiment, the deaeration apparatus 32 may be a separate device from the liquid supply device 5. 換言すれば、脱気装置32は、液体供給装置5に対する外部の装置でもよい。 In other words, the deaerator 32 may be an external device to the liquid supply device 5. また、脱気装置32が、露光装置EXとは別の装置でもよい。 In addition, the degassing device 32, may be in a different device from the exposure apparatus EX. また、液体供給装置5が露光装置EXに対する外部の装置である場合において、露光装置EXが脱気装置32を備えていてもよい。 Further, when the liquid supply unit 5 is an external device to the exposure apparatus EX, the exposure apparatus EX may be provided with a deaerator 32. 脱気装置32が液体供給装置5に対する外部の装置であっても、液体供給装置5は、脱気処理された液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行可能である。 Be an external device deaeration device 32 to the liquid supply device 5, a liquid supply device 5 is capable of executing processing to increase the predetermined gas concentration dissolved in the deaerated liquid LQS.

なお、本実施形態において、液体供給装置5がガス供給装置35を備えてもよい。 In the present embodiment, the liquid supply unit 5 may be provided with a gas supply device 35. あるいは、ガス供給装置35が、液体供給装置5とは別の装置でもよい。 Alternatively, the gas supply device 35 may be a separate device from the liquid supply device 5. 換言すれば、ガス供給装置35は、液体供給装置5に対する外部の装置でもよい。 In other words, the gas supply apparatus 35 may be an external device to the liquid supply device 5. また、ガス供給装置35が、露光装置EXとは別の装置でもよい。 The gas supply device 35 may be a separate device from the exposure apparatus EX. また、液体供給装置5が露光装置EXに対する外部の装置である場合において、露光装置EXがガス供給装置35を備えていてもよい。 Further, when the liquid supply unit 5 is an external device to the exposure apparatus EX, the exposure apparatus EX may be provided with a gas supply device 35. ガス供給装置35が液体供給装置5に対する外部の装置であっても、液体供給装置5は、脱気処理された液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行可能である。 Be an external device the gas supply device 35 to the liquid supply device 5, a liquid supply device 5 is capable of executing processing to increase the predetermined gas concentration dissolved in the deaerated liquid LQS.

液体回収装置6は、回収口22からの液体LQ(LQh1)を回収可能である。 Liquid recovery unit 6 is capable of recovering the liquid LQ (LQh1) from the recovery port 22. 液体回収装置6は、回収口22を真空システムに接続可能である。 Liquid recovery unit 6 is connectable to the recovery port 22 to the vacuum system. なお、液体回収装置6が、液体LQ(LQh1)を吸引可能な真空システムを備えていてもよい。 The liquid recovery device 6 may be provided with a vacuum system capable of sucking the liquid LQ (LQh1). 液体回収装置6は、回収口22から回収される単位時間当たりの液体回収量を調整可能である。 Liquid recovery unit 6 is capable of adjusting the liquid recovery amount per unit recovered time from the recovery port 22. 制御装置7は、液体回収装置6を制御して、回収口22を介して基板P上から回収される単位時間当たりの液体LQの回収量を調整可能である。 The controller 7 controls the liquid recovery device 6, it is possible to adjust the amount of recovered liquid LQ per unit time to be recovered from the substrate P via the recovery port 22.

なお、回収口22から多孔部材25を介して実質的に液体LQ(LQh1)のみが回収されてもよい。 Incidentally, substantially only the liquid LQ via the recovery port 22 via the porous member 25 (LQh1) may be recovered. また、回収口22から多孔部材25を介して液体LQ(LQh1)が液浸空間LSの周囲のガスとともに回収されてもよい。 Further, the liquid LQ via the recovery port 22 via the porous member 25 (LQh1) may be recovered with the gas surrounding the immersion space LS. なお、回収口22に多孔部材25が配置されなくてもよい。 Incidentally, the porous member 25 may not be arranged in the recovery port 22.

なお、液浸部材4として、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書、欧州特許出願公開第1768170号明細書に開示されているような液浸部材(ノズル部材)を用いることができる。 As the liquid immersion member 4, it is possible to use, for example, US Patent Application Publication No. 2007/0132976, EP 1768170 Pat as disclosed in a liquid immersion member (nozzle member).

本実施形態において、制御装置7は、供給口21から基板P(物体)上に液体LQ(LQh1)を供給し、その液体LQ(LQh1)の供給と並行して、回収口22から基板P(物体)上の液体LQ(LQh1)を回収することによって、一方側の終端光学素子12及び液浸部材6と、他方側の基板P(物体)との間に液体LQ(LQh1)で液浸空間LSを形成可能である。 In the present embodiment, the control unit 7, the liquid LQ and (LQh1) was supplied onto the substrate P (object) from the supply port 21, in parallel with the supply of the liquid LQ (LQh1), via the recovery port 22 substrate P ( by recovering the liquid LQ (LQh1) on the object), whereas the last optical element 12 and the liquid immersion member 6 side, the immersion space with the liquid LQ (LQh1) between the other side of the substrate P (object) LS can be formed.

図4は、終端光学素子11及び液浸部材4と基板Pとの間に液体LQで液浸空間LSが形成されている状態の一例を示す図である。 Figure 4 is a diagram showing an example of a state in which the liquid immersion space LS is formed in the liquid LQ between the final optical element 11 and the liquid immersion member 4 and the substrate P. 図4に示すように、基板Pは保持部13に保持され、カバー部材Tは保持部15に保持される。 As shown in FIG. 4, the substrate P is held by the holding portion 13, the cover member T is held by the holder 15. カバー部材Tは、保持部13に保持された基板Pの周囲に配置される。 The cover member T is disposed around the substrate P held by the holding portion 13. 基板ステージ2が移動することによって、保持部13に保持された基板P、及び保持部15に保持されたカバー部材Tは、投影領域PRに移動可能である。 By the substrate stage 2 is moved, the substrate P held by the holding portion 13, and the cover member T held by the holding unit 15 is movable in the projection region PR.

本実施形態において、保持部13は、基板Pの表面(上面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。 In the present embodiment, the holding portion 13, so that the surface of the substrate P (upper surface) and the XY plane is substantially parallel to hold the substrate P. 保持部15は、カバー部材Tの上面TfとXY平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Tを保持する。 Holding portion 15, so that the upper surface Tf the XY plane of the cover member T is substantially parallel to hold the cover member T. 本実施形態において、保持部13に保持された基板Pの表面と保持部15に保持されたカバー部材Tの上面Tfとは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。 In this embodiment, the upper surface Tf of the surface and by a cover member T held by the holding portion 15 of the substrate P held by the holding portion 13, (a substantially flush), which is arranged substantially in the same plane. なお、Z軸方向に関する基板Pの表面の位置とカバー部材Tの上面Tfとの位置とが異なってもよい。 It is also different from a position of the upper surface Tf position and the cover member T of the surface of the substrate P in the Z axis direction. また、カバー部材Tの上面Tfの少なくとも一部が、基板Pの表面(XY平面)に対して傾斜していてもよい。 Further, at least a portion of the upper surface Tf of the cover member T may be inclined with respect to the surface of the substrate P (XY plane). また、カバー部材Tの上面Tfの少なくとも一部が曲面でもよい。 Further, at least a portion of the upper surface Tf of the cover member T may be a curved surface.

本実施形態において、カバー部材Tの上面Tfは、液体LQ(LQh1)に対して撥液性の膜Frの表面を含む。 In the present embodiment, the upper surface Tf of the cover member T includes a surface of the liquid-repellent membrane Fr with respect to the liquid LQ (LQh1). 液体LQに対する上面Tfの接触角は、例えば90度以上である。 The contact angle of the upper surface Tf with respect to the liquid LQ is, for example, 90 degrees or more. 本実施形態において、液体LQに対する上面Tfの接触角は、100度以上である。 In the present embodiment, the contact angle of the upper surface Tf with respect to the liquid LQ is 100 degrees or more.

図1に示すように、保持部14は、計測部材Cの表面(上面)CfとXY平面とがほぼ平行となるように、計測部材Cを保持する。 As shown in FIG. 1, the holding portion 14, so that the surface (upper surface) Cf the XY plane of the measuring member C is substantially parallel to retain the measuring members C. 保持部16は、カバー部材Sの上面SfとXY平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Sを保持する。 Holding portion 16, so that the upper surface Sf and the XY plane of the cover member S is substantially parallel to hold the cover member S. 本実施形態において、保持部14に保持された計測部材Cの上面Cfと保持部16に保持されたカバー部材Sの上面Sfとは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。 In this embodiment, the upper surface Sf of the upper surface Cf and the holding portion 16 in the held cover member S of the measuring member C held by the holding portion 14, (a substantially flush), which is arranged substantially in the same plane . なお、Z軸方向に関する計測部材Cの上面Cfの位置とカバー部材Sの上面Sfとの位置とが異なってもよい。 It is also different from a position of the upper surface Sf position and the cover member S of the upper surface Cf of the measuring member C about the Z-axis direction. また、カバー部材Sの上面Sfの少なくとも一部が、計測部材Cの上面Cf(XY平面)に対して傾斜していてもよい。 Further, at least a portion of the upper surface Sf of the cover member S may be inclined with respect to the upper surface Cf of the measuring member C (XY plane). また、カバー部材Sの上面Sfの少なくとも一部が曲面でもよい。 Further, at least a portion of the upper surface Sf of the cover member S may be a curved surface.

本実施形態において、カバー部材Sの上面Sfは、液体LQに対して撥液性の膜Frの表面を含む。 In the present embodiment, the upper surface Sf of the cover member S includes a surface of the liquid-repellent membrane Fr with respect to the liquid LQ. 液体LQに対する上面Sfの接触角は、例えば90度以上である。 The contact angle of the upper surface Sf for the liquid LQ is, for example, 90 degrees or more. 本実施形態において、液体LQに対する上面Sfの接触角は、100度以上である。 In the present embodiment, the contact angle of the upper surface Sf for the liquid LQ is 100 degrees or more.

また、本実施形態において、計測部材Cの上面Cfは、液体LQに対して撥液性の膜Frの表面を含む。 Further, in the present embodiment, the upper surface Cf of the measuring member C includes a surface of the liquid-repellent membrane Fr with respect to the liquid LQ. 液体LQに対する上面Cfの接触角は、例えば90度以上である。 The contact angle of the upper surface Cf with respect to the liquid LQ is, for example, 90 degrees or more. 本実施形態において、液体LQに対する上面Cfの接触角は、100度以上である。 In the present embodiment, the contact angle of the upper surface Cf with respect to the liquid LQ is 100 degrees or more.

本実施形態において、膜Frを形成する材料は、フッ素を含むフッ素系材料である。 In the present embodiment, a material for forming the film Fr, a fluorine-based material containing fluorine. 本実施形態において、膜Frは、非晶質フッ素樹脂を含有する。 In this embodiment, film Fr contains amorphous fluororesin. 膜Frは、非晶質フッ素樹脂と、非晶質フッ素樹脂以外の添加物とを含有してもよい。 Film Fr is an amorphous fluororesin may contain a additives other than amorphous fluororesin. 本実施形態において、膜Frは、PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)の膜である。 In this embodiment, film Fr is a film PFA (Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer). なお、膜Frが、PTFE(Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、テフロン(登録商標)等の膜でもよい。 Incidentally, the film Fr is, PTFE (Poly tetra fluoro ethylene), PEEK (polyetheretherketone), or a film, such as Teflon (registered trademark). また、膜Frが、旭硝子社製「サイトップ」、あるいは3M社製「Novec EGC」でもよい。 In addition, the film Fr is, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. "Sai top", or manufactured by 3M "Novec EGC" even good. また、上面Tfを形成する膜Frと上面Sfを形成する膜Frとが、異なる種類の材料で形成されてもよい。 Moreover, and a membrane Fr to form a film Fr and the upper surface Sf to form an upper surface Tf, may be formed of different types of materials. また、上面Cfを形成する膜Frと上面Sfを形成する膜Frとが異なる種類の材料で形成されてもよい。 Further, a film Fr to form a film Fr and the upper surface Sf to form an upper surface Cf may be formed of different types of materials.

本実施形態において、射出面10及び下面18と対向可能な基板ステージ2の上面は、カバー部材Tの上面Tfを含む。 In the present embodiment, the upper surface of the exit surface 10 and the lower surface 18 capable of opposing the substrate stage 2 includes a top surface Tf of the cover member T. 射出面10及び下面18と対向可能な計測ステージ3の上面は、カバー部材Sの上面Sf及び計測部材Cの上面Cfの少なくとも一方を含む。 Upper surface of the exit surface 10 and the lower surface 18 capable of facing measurement stage 3 includes at least one of the upper surface Cf of the top surface Sf and the measuring member C of the cover member S. 以下の説明において、カバー部材Tの上面Tfを適宜、基板ステージ2の上面、と称し、カバー部材Sの上面Sf及び計測部材Cの上面Cfを合わせて適宜、計測ステージ3の上面、と称する。 In the following description, appropriately upper surface Tf of the cover member T, referred upper surface of the substrate stage 2, and, as appropriate in accordance with the upper surface Sf and the upper surface Cf of the measuring member C of the cover member S, the upper surface of measurement stage 3, and referred to.

次に、上述の構成を有する露光装置EXの動作の一例について、図5のフローチャートを参照して説明する。 Next, an example of operation of the exposure apparatus EX constructed as described above will be described with reference to the flowchart of FIG.

図5に示すように、本実施形態においては、終端光学素子11の射出面10から射出される露光光ELで液体LQを介して基板Pを露光する露光処理を含む露光シーケンス(ステップSA1)と、液体LQh1を用いて露光装置EXの部材をメンテナンスするメンテナンスシーケンス(ステップSA2)とが実行される。 As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the exposure sequence including an exposure process via the liquid LQ with the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10 of the final optical element 11 to expose the substrate P (step SA1) maintenance sequence (step SA2) to maintain the members of the exposure apparatus EX with a liquid LQh1 and is executed.

まず、露光シーケンスについて説明する。 First, a description will be given of an exposure sequence. 露光シーケンスは、基板Pの交換処理、計測ステージ3を用いる計測処理、及び液体LQを介して基板Pを露光する露光処理を含む。 Exposure sequence includes exchange of the substrate P, the measurement process using the measuring stage 3, and the exposure process for exposing the substrate P through the liquid LQ. 露光シーケンスの少なくとも一部において、制御装置7は、脱気処理されて溶存するガス濃度が低減されている液体LQ(LQs)が供給口21から光路Kに対して供給されるように、液体供給装置5を制御する。 In at least part of the exposure sequence, the control device 7, as degassing treatment has been liquid LQ gas concentration of the dissolved is reduced (LQS) is supplied to the optical path K from the supply port 21, the liquid supply to control the device 5. すなわち、露光シーケンスの少なくとも一部において、制御装置7は、低濃度モードを実行する。 That is, in at least part of the exposure sequence, the controller 7 executes a low density mode.

制御装置7は、基板搬送装置(不図示)を用いて、基板Pの交換処理を実行する。 Controller 7 uses the substrate transport apparatus (not shown), it executes the exchange process of the substrate P. 制御装置7は、露光前の基板Pを保持部13に搬入(ロード)する。 The controller 7 is carried into the holding portion 13 of the substrate P before exposure (loading). なお、保持部13に露光後の基板Pが保持されている場合、その基板Pが保持部13から搬出(アンロード)された後、露光前の基板Pが保持部13に搬入(ロード)される。 In the case where the substrate P after the exposure to the holding portion 13 is held, after the substrate P is unloaded (unloaded) from the holding portion 13, the substrate P before being exposed is conveyed (loaded) into the holding portion 13 that.

また、制御装置7は、計測ステージ3(計測部材C、計測器)を用いて、所定の計測処理を実行する。 Further, the control unit 7, the measurement stage 3 (the measuring member C, the instrument) is used to perform a predetermined measuring process. 露光前の基板Pが保持部13にロードされ、計測ステージ3を用いる計測処理が終了した後、制御装置7は、基板ステージ2を投影領域PRに移動して、終端光学素子11及び液浸部材4と基板P(基板ステージ2)との間に液体LQで液浸空間LSを形成する。 Unexposed substrate P is loaded on the holder 13, after the measurement process using the measuring stage 3 has been completed, the control device 7 moves the substrate stage 2 in the projection area PR, the final optical element 11 and the liquid immersion member 4 and forming a liquid immersion space LS with the liquid LQ between the substrate P (substrate stage 2).

制御装置7は、基板Pの露光を開始する。 The controller 7 starts the exposure of the substrate P. 本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction, a scanning exposure apparatus for projecting an image of the pattern of the mask M onto the substrate P (so-called scanning stepper). 基板Pの露光において、制御装置7は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、XY平面内の所定の走査方向に移動する。 In the exposure of the substrate P, the controller 7 controls the mask stage 1 and the substrate stage 2, the mask M and the substrate P, and moved in a predetermined scanning direction in the XY plane. 本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。 In the present embodiment, the scanning direction of the substrate P (synchronous movement direction) is the Y-axis direction, the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y axis direction.

制御装置7は、基板P(ショット領域)を投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。 The controller 7 is configured to move the substrate P (shot region) in the Y-axis direction with respect to the projection area PR of the projection optical system PL, and in synchronization with the movement of the Y-axis direction of the substrate P, the illumination system IL while the mask M relative to the illumination region IR is moved in the Y-axis direction, irradiating the exposure light EL onto the substrate P via the liquid LQ of the immersion space LS on the projection optical system PL and the substrate P. これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、その基板Pが射出面10から射出された露光光ELで露光される。 Thereby, the image of the pattern of the mask M is projected onto the substrate P, the substrate P is exposed with the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10. 基板P上に複数のショット領域が設けられている場合、制御装置7は、それら複数のショット領域を、液体LQを介して順次露光する。 If a plurality of shot areas on the substrate P is provided, the control device 7, a plurality of shot areas are successively exposed through the liquid LQ.

本実施形態において、液体供給装置5は、少なくとも基板Pの表面に射出面10からの露光光ELが照射されているときに、所定ガス濃度を高める処理が実行されない液体LQ(LQs)を、射出面10と基板Pの表面との間の光路Kに供給する。 In the present embodiment, the liquid supply device 5, when the exposure light EL from the exit surface 10 at least on the surface of the substrate P is irradiated, the liquid LQ (LQS) to treatment for increasing the predetermined gas concentration is not performed, the injection supplied to the optical path K between the surface 10 and the front surface of the substrate P. 例えば、液体供給装置5は、基板Pの表面に射出面10からの露光光ELが照射されているときに、液体処理装置31による所定ガス濃度を高める処理を停止する。 For example, the liquid supply device 5, when the exposure light EL is irradiated from the exit surface 10 to the surface of the substrate P, to stop the treatment for increasing the predetermined gas concentration by liquid processing apparatus 31.

基板Pの露光が終了した後、制御装置7は、その露光後の基板Pを保持した基板ステージ2を基板交換位置に移動する。 After exposure of the substrate P is completed, the control device 7 moves the substrate stage 2 holds the substrate P after the exposure to the substrate exchange position. 露光後の基板Pは、基板ステージ2からアンロードされ、露光前の基板Pが基板ステージ2にロードされる。 Exposed substrate P is unloaded from the substrate stage 2, the substrate P before the exposure is loaded on the substrate stage 2. 以下、制御装置7は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Pを順次露光する。 Hereinafter, the control unit 7 repeats the process described above, sequentially exposing a plurality of substrates P.

次に、メンテナンスシーケンスについて説明する。 Next, a description will be given of maintenance sequence.
上述のように、本実施形態において、計測ステージ3の上面は、液体LQに対して撥液性の膜Frの表面を含む。 As described above, in the present embodiment, the upper surface of measurement stage 3 includes a surface of the liquid-repellent membrane Fr with respect to the liquid LQ. 本発明者の知見によれば、その膜Frとガス濃度が低い液体(LQs)とを接触させた状態で、その膜Frに紫外光を照射すると、その膜Frの撥液性が低下する可能性が高いことが分かった。 According to the findings of the present inventors, with its film Fr and the gas concentration was brought into contact with low liquid (LQS), is irradiated with ultraviolet light to the film Fr, possible liquid repellency of the film Fr is reduced it has been found that a high sex. 例えば、液体に溶存する酸素濃度が低いと、膜Frの撥液性が低下する可能性がある。 For example, if the low oxygen concentration dissolved in the liquid, liquid-repellent film Fr may be reduced.

本実施形態においては、局所液浸方式を採用しており、終端光学素子11及び液浸部材4との間で液浸空間LSを形成する物体(基板ステージ2,及び計測ステージ3等)の表面(上面)は、液体LQに対して撥液性であることが望ましい。 In the present embodiment adopts a local liquid immersion method, the surface of the object (substrate stage 2, and the measurement stage 3, etc.) which forms a liquid immersion space LS between the last optical element 11 and the liquid immersion member 4 (upper surface) is preferably a liquid-repellent with respect to the liquid LQ. 液体LQに対する物体の表面の撥液性が低下すると、終端光学素子11及び液浸部材4と物体との間に液体LQを良好に保持することが困難となり、液浸空間LSの液体LQが流出したり、物体の表面に液体LQが残留したりする可能性がある。 When the liquid repellency of the surface of the object with respect to the liquid LQ decreases, satisfactorily it is difficult to hold the liquid LQ between the final optical element 11 and the liquid immersion member 4 and the object, the liquid LQ is flowing out of the immersion space LS or, the liquid LQ on the surface of the object is likely to or remaining. また、本実施形態においては、物体は、終端光学素子11及び液浸部材4に対して移動可能であり、その物体の表面の撥液性が低下すると、その物体の移動に伴って、液浸空間LSの液体LQが流出したり、物体の表面に残留したりする可能性が高くなる。 In the present embodiment, the object is movable relative to the final optical element 11 and the liquid immersion member 4, the liquid repellency of the surface of the object is reduced, with the movement of the object, immersion or the liquid LQ flows out of the space LS, or possibly remaining on the surface of the object becomes higher. また、流出あるいは残留する液体LQによって気化熱が発生し、物体が熱変形したり、基板Pが熱変形したり、物体の周囲の環境(温度、湿度等)が変動したりしてしまう可能性がある。 Further, vaporization heat is generated by the liquid LQ flowing out or remaining object or thermally deformed, or the substrate P is thermally deformed, the environment (temperature, humidity, etc.) of the object potentially resulting in or fluctuate there is. その結果、計測不良及び露光不良が発生する可能性がある。 As a result, there is a possibility that the measurement failure and exposure failure.

そこで、本実施形態においては、制御装置7は、非露光シーケンス時に、基板ステージ2の上面、及び計測ステージ3の上面の少なくとも一部のメンテナンス処理を実行する。 Therefore, in the present embodiment, the control device 7, at the time of non-exposure sequence, performing the upper surface of the substrate stage 2, and at least part of the maintenance process of the upper surface of measurement stage 3. 本実施形態において、メンテナンス処理は、基板ステージ2の上面、及び計測ステージ3の上面の少なくとも一部について、脱気処理された液体LQsを介して露光光が照射されて撥液性が低下した膜の撥液性を高める(回復する)処理を含む。 In the present embodiment, the maintenance process, an upper surface of the substrate stage 2, and for at least a portion of the upper surface of measurement stage 3, a film liquid repellency exposure light is irradiated through the deaerated liquid LQs drops enhancing the liquid repellency containing (recovery to) process.

図6は、非晶質フッ素樹脂で形成された膜の表面に光を照射したときに、光の照射量に対する、膜の接触角の変化を調べた実験の結果を説明するための図である。 6, when irradiating light to the surface of the film formed in the amorphous fluororesin, with respect to the irradiation amount of light, is a diagram for explaining the results of experiments of examining the change in contact angle of the film . 図6のグラフにおいて、横軸は光の照射量(J/cm )を示し、縦軸は所定の液体に対する膜の接触角を示す。 In the graph of FIG. 6, the horizontal axis represents the dose of light (J / cm 2), the vertical axis represents the contact angle of the film for a given liquid. 本実験では、上記の光として、基板Pの表面に射出面10から照射される露光光ELと波長が同程度の紫外光を用いた。 In this experiment, as the light, the exposure light EL and the wavelength emitted from the exit surface 10 to the surface of the substrate P using comparable ultraviolet light. また、本実験では、上記の所定の液体として、酸素ガス濃度が10ppb程度の純水を用いた。 Further, in this experiment, as the predetermined liquid of the oxygen gas concentration using pure water of about 10 ppb.

実験例1は、酸素ガス濃度が10ppb程度の純水を介して、膜の表面に紫外光を照射した結果である。 Experimental Example 1 through the pure water of about the oxygen gas concentration is 10 ppb, the result of ultraviolet light on the surface of the membrane. 実験例1における膜の接触角は、照射量が増加するにつれて著しく低下した後に接触角の低下が緩やかになり、照射量の変化に対してほぼ一定値に収束した。 The contact angle of the film in Experimental Example 1, becomes gentle decrease of the contact angle after significantly reduced as the amount of radiation increases, and converges substantially constant value with respect to a change in the dose.

実験例2は、実験例1と同じく酸素ガス濃度が10ppb程度の純水を介して紫外光を照射し、膜の接触角の低下が緩やかになる程度の照射量で紫外光の照射を停止し、酸素ガス濃度が6ppm程度の純水を介して紫外光を再度照射した結果である。 Experimental Example 2, like the oxygen gas concentration in Experimental Example 1 was irradiated with ultraviolet light through pure water of about 10 ppb, the irradiation of ultraviolet light is stopped at the irradiation amount to the extent that reduction in the contact angle becomes gentle membrane , the oxygen gas concentration is the result of ultraviolet light again through the pure water of about 6 ppm. 実験例2において、酸素ガス濃度が10ppbを介して紫外光が照射されて接触角が低下した状態から、接触角が急速に上昇し、照射量の変化に対して接触角がほぼ一定値に収束した。 In Experimental Example 2, the convergence from the state of oxygen gas concentration the contact angle is irradiated ultraviolet light through a 10ppb is lowered, the contact angle rapidly rises in almost constant contact angle with respect to changes in dose did.

実験例3は、実験例1と同じく酸素ガス濃度が10ppb程度の純水を介して紫外光を照射し、膜の接触角の低下が緩やかになる程度の照射量で紫外光の照射を停止し、窒素雰囲気で(窒素ガスを介して)、膜の表面に紫外光を再度照射した結果である。 Experimental Example 3, like the oxygen gas concentration in Experimental Example 1 was irradiated with ultraviolet light through pure water of about 10 ppb, the irradiation of ultraviolet light is stopped at the irradiation amount to the extent that reduction in the contact angle becomes gentle membrane in a nitrogen atmosphere (via a nitrogen gas) is the result of ultraviolet light again on the surface of the membrane. 実験例3において、酸素ガス濃度が10ppbを介して紫外光が照射されて接触角が低下した状態から、接触角が実験例2よりも緩やかに上昇し、照射量の変化に対して接触角がほぼ一定値に収束した。 In Experimental Example 3, from the state of oxygen gas concentration is the contact angle ultraviolet light is irradiated through a 10ppb decreases, the contact angle increases slowly than Experimental example 2, the contact angle with respect to changes in dose It converged substantially constant value. 実験例3における接触角の収束値は、実験例2における接触角の収束値よりも高かった。 Convergence value of the contact angle in Experimental Example 3 was higher than the convergence value of the contact angle in Experimental Example 2.

実験例4は、実験例1と同じく酸素ガス濃度が10ppb程度の純水を介して紫外光を照射し、膜の接触角の低下が緩やかになるよりも少ない照射量で紫外光の照射を停止し、酸素ガス濃度が6ppm程度の純水を介して紫外光を再度照射した結果である。 Experimental Example 4, like the oxygen gas concentration in Experimental Example 1 was irradiated with ultraviolet light through pure water of about 10 ppb, stopping the irradiation of the ultraviolet light with a small dose than the decrease of the contact angle becomes gentle membrane and the oxygen gas concentration is the result of ultraviolet light again through the pure water of about 6 ppm. 実験例4において、酸素ガス濃度が10ppbを介して紫外光が照射されて接触角が低下した状態から、接触角が急速に上昇し、照射量の変化に対して接触角がほぼ一定値に収束した。 In Experiment 4, the convergence from the state of oxygen gas concentration the contact angle is irradiated ultraviolet light through a 10ppb is lowered, the contact angle rapidly rises in almost constant contact angle with respect to changes in dose did. 実験例4における接触角の収束値は、実験例2における接触角の収束値と同程度であった。 Convergence value of the contact angle in Experimental Example 4 was convergence value about the same contact angle in Experimental Example 2. 実験例4において接触角が収束するまでの照射量は、実験例2において接触角が収束するまでの照射量よりも少なかった。 Irradiation amount to the contact angle converges in the experimental example 4, the contact angle was less than dose to converge in Experimental Example 2.

以上のように、酸素ガス濃度が低い液体を介して紫外線が照射されて接触角が低下した膜に、酸素ガス濃度が相対的に高い液体を介して紫外線が照射すると、接触角が回復することが確認された。 As described above, the oxygen gas concentration through the lower liquid film contact angle ultraviolet is irradiated is reduced, the UV oxygen gas concentration through a relatively high liquid is irradiated, the contact angle is restored There has been confirmed.

以下、計測ステージ3の上面をメンテナンスする場合を例にして説明する。 Hereinafter will be described the case where maintenance of the upper surface of measurement stage 3 as an example. 本実施形態において、メンテナンス処理は、液体LQh1を介して計測ステージ3の上面に射出面10からの露光光ELを照射する処理を含む。 In the present embodiment, the maintenance process comprises a process of irradiating the exposure light EL from the exit surface 10 on the upper surface of measurement stage 3 through the liquid LQh1. 計測ステージ3の上面に露光光(紫外光)ELが照射されることによって、その計測ステージ3の上面の撥液性が回復する。 By exposure light (ultraviolet light) EL is irradiated onto the upper surface of measurement stage 3, the liquid repellency of the upper surface of the measurement stage 3 is restored.

本実施形態のメンテナンス方法は、射出面10からの露光光ELが照射された膜Frの、液体LQに対する撥液性を調べることと、その結果に基づいて撥液性を回復する処理を実行するか否か(撥液性を回復する処理を実行するタイミング)を決定することを含む。 Maintenance method of the present embodiment, the film Fr the exposure light EL is irradiated from the exit surface 10, to execute the examining liquid repellency against the liquid LQ, the process of recovering the liquid repellency on the basis of the result whether it comprises determining the (timing of executing a process of recovering the liquid repellency). 本実施形態において、制御装置7は、液体LQに対する撥液性を調べる処理を実行し、液体LQが閾値以上の量で残留しているか否かを判定する。 In the present embodiment, the controller 7 executes a process of examining the liquid repellency against the liquid LQ, determines whether the liquid LQ is left in an amount equal to or higher than the threshold. 本実施形態において、制御装置7は、少なくとも、液体LQが閾値以上の量で残留していると判定されたときに、撥液性を回復する処理を実行する。 In the present embodiment, the control device 7, at least, when the liquid LQ is judged as remaining in an amount of more than the threshold value, executes the process of recovering the liquid repellency. 上述したように、脱気処理された液体LQsを介して露光光ELを膜Frに照射したときに、所定の照射量を超えると液体LQsに対する膜Frの接触角の低下が緩やかになる。 As described above, when the exposure light EL in the film Fr via the deaerated liquid LQS, reduction of the contact angle of the membrane Fr to liquid LQS becomes gentle exceeds a predetermined irradiation amount. 本実施形態において、制御装置7は、上記の膜Frの接触角の低下が緩やかになるよりも前の段階で、膜Frの撥液性を回復する処理を実行する。 In the present embodiment, the control device 7, a reduction in the contact angle of the film Fr is at a stage before the becomes gentle, executes the process of recovering the liquid repellency of the film Fr.

本実施形態のメンテナンス方法は、射出面10と計測ステージ3の上面との間の液体LQ(LQs)を液体回収装置6が回収した後に、射出面10と計測ステージ3の上面との間における液体LQの残留の状態を調べることを含む。 Maintenance method of the present embodiment, the liquid LQ (LQS) between the top of the exit surface 10 and the measurement stage 3 after the liquid recovery device 6 is collected, the liquid between the upper surface of the exit surface 10 and the measurement stage 3 It comprises determining the state of LQ residual. 例えば、射出面10と計測ステージ3の上面との間に光を照射し、射出面10と計測ステージ3の上面との間を通った光を検出することにより、液体LQの残留の状態を調べることができる。 For example, irradiating light to between the upper surface of the exit surface 10 and the measurement stage 3, by detecting the light passing between the upper surface of the exit surface 10 and the measurement stage 3, check the state of the residual of the liquid LQ be able to. 計測ステージ射出面10と計測ステージ3の上面との間を通った光を検出する装置として、投影光学系PLの焦点位置を調整可能なオートフォーカス装置を利用してもよい。 As a device for detecting the light passing between the measurement stage exit surface 10 and the upper surface of measurement stage 3 may utilize adjustable autofocus device the focal position of the projection optical system PL. 本実施形態において、制御装置7は、オートフォーカス装置を利用して、射出面10と計測ステージ3の上面との間に光を照射し、液体LQの残留の状態を調べる処理を実行する。 In the present embodiment, the control device 7 uses the autofocus device, irradiating light to between the upper exit surface 10 and the measurement stage 3 performs a process to determine the status of the remaining liquid LQ. 制御装置7は、表面形状を検出可能な検出装置を利用して、液体LQの残留を調べる対象の面の凹凸を検出し、この面において凸となる部分を残留している液体LQとして、その寸法や数に基づいて液体LQの残留の状態を調べてもよい。 The controller 7 may utilize detectable detection device the surface shape, to detect the unevenness of the surface of the object to examine the residual of the liquid LQ, as the liquid LQ remaining portion which is convex in this plane, the it may examine the state of the residual of the liquid LQ based on the dimensions and number.

なお、例えば図6に示したように、膜Frに照射される露光光ELの照射量を示す値と、液体LQに対する膜Frの撥液性との関係は、撥液性を回復する処理を実行するよりも前に、予め調べておくことができる。 Incidentally, for example, as shown in FIG. 6, the value indicating the amount of irradiation of the exposure light EL is irradiated onto the film Fr, the relationship between the liquid-repellent film Fr with respect to the liquid LQ is the process of recovering the liquid repellency before executing, it can be studied in advance. 制御装置7は、上記の関係を示す情報に基づいて、膜Frの撥液性を回復する処理を実行するタイミングを決定してもよい。 The controller 7 based on the information indicating the above relationship may determine a timing for executing processing to restore the liquid repellency of the film Fr. 例えば、制御装置7は、膜Frの撥液性を回復する処理を終了してから膜Frに照射された露光光ELの総照射量(照射量を示す値)が所定の照射量に達した後に、次の露光処理を実行するよりも前に膜Frの撥液性を回復する処理を実行してもよい。 For example, the control unit 7, the total dose of liquid repellency completed irradiating the film Fr from the exposure light EL the process to recover the membrane Fr (value indicating the dose) has reached a predetermined dose after it may execute the process of recovering the liquid repellency of the film Fr before performing the next exposure process. 上記の所定の照射量は、上記の関係を示す情報に基づき、膜Frの接触角が所定値以下になる照射量以下でもよい。 Predetermined dose of the, based on the information indicating the above relationship, the contact angle of the film Fr may be below the dose that falls below a predetermined value. また、制御装置7は、膜Frの撥液性を回復する処理を終了してから膜Frに露光光ELが照射された回数(照射量を示す値)が所定の回数に達した達した後に、次の露光処理を実行するよりも前に膜Frの撥液性を回復する処理を実行してもよい。 Further, the control device 7, after reaching the number of times the exposure light EL from the end of the process to recover the membrane Fr liquid repellency of the film Fr is irradiated (value indicating the dose) has reached a predetermined number of times it may execute the process of recovering the liquid repellency of the film Fr before performing the next exposure process.

図7は、計測ステージ3の上面に射出面10からの露光光ELが照射されている状態の一例を示す図である。 7, the exposure light EL from the exit surface 10 on the upper surface of measurement stage 3 is a diagram illustrating an example of a state that has been irradiated. 本実施形態において、液体供給装置5は、露光装置EXが有する計測ステージ3の上面に射出面10からの露光光ELが照射されるときに、所定ガス濃度が高められた液体LQh1を射出面10と計測ステージ3の上面との間の光路Kに供給する。 In the present embodiment, the liquid supply device 5, when the exposure light EL from the exit surface 10 is irradiated to an upper surface of the measuring stage 3 in which the exposure apparatus EX has exit surface 10 a liquid LQh1 elevated a predetermined gas concentration and supplied to the optical path K between the upper surface of measurement stage 3.
すなわち、制御装置7は、メンテナンスシーケンスの少なくとも一部において、高濃度モードを実行する。 That is, the control device 7, at least part of the maintenance sequence, performing a high density mode.

液体供給装置5は、液体処理装置31を用いて、脱気処理された液体LQsに溶存する所定ガス濃度を高める処理を実行して液体LQh1を生成し、その所定ガス濃度が高められた液体LQh1を、射出面10と計測ステージ3の上面との間の露光光ELの光路Kに供給する。 Liquid supply unit 5, using a liquid processing apparatus 31 executes a process to increase the predetermined gas concentration dissolved in the deaerated liquid LQs generate liquid LQh1, liquid the predetermined gas concentration is increased LQh1 and supplies to the optical path K of the exposure light EL between the upper surface of the exit surface 10 and the measurement stage 3.

本実施形態のメンテナンス方法は、射出面10と計測ステージ3の上面との間の露光光ELの光路Kに供給された液体LQh1を介して、計測ステージ3の上面の膜Frの表面に露光光ELを照射することを含む。 Maintenance method of the present embodiment, through the liquid LQh1 supplied to the optical path K of the exposure light EL between the upper surface of the exit surface 10 and the measurement stage 3, the exposure light on the surface of the membrane Fr of the upper surface of the measurement stage 3 It comprises irradiating the EL. 本実施形態では、照明系ILから射出された露光光ELが、投影光学系PLを介して、膜Frの表面に照射される。 In the present embodiment, the exposure light EL that emerges from the illumination system IL, through the projection optical system PL, is applied to the surface of the membrane Fr. 本実施形態では、露光光ELと同じ波長の紫外光が膜Frの表面に照射される。 In the present embodiment, the ultraviolet light having the same wavelength as the exposure light EL is irradiated onto the surface of the membrane Fr. なお、液体LQh1を介して膜Frに照射される紫外光の波長は、露光光ELの波長よりも長くてもよい。 The wavelength of the ultraviolet light irradiated to the film Fr through the liquid LQh1 may be longer than the wavelength of the exposure light EL. 例えば、液体LQを介して膜Frに照射される露光光ELの波長が193nmであって、液体LQh1を介して膜Frに照射される紫外光の波長が248nm以上であってもよい。 For example, the wavelength of the exposure light EL is irradiated onto the film Fr through the liquid LQ is a 193 nm, the wavelength of the ultraviolet light may be more 248nm is irradiated to the film Fr through the liquid LQh1.

本実施形態では、照明系ILがパルス光(露光光EL)を射出し、終端光学素子11の射出面10から射出されたパルス光が膜Frの表面に照射される。 In the present embodiment, the illumination system IL pulsed light (exposure light EL) emitted, pulse light emitted from the exit face 10 of the last optical element 11 is irradiated to the surface of the membrane Fr. パルス光の時間間隔を調整することによって、膜Frの表面に対する単位時間当たりの照射量を調整することができる。 By adjusting the time interval of the pulse light, it is possible to adjust the irradiation amount per unit time with respect to the surface of the membrane Fr. なお、照明系ILが連続光(露光光EL)を射出し、この連続光が膜Frの表面に照射されてもよい。 The illumination system IL to emit continuous light (exposure light EL), the continuous light may be irradiated on the surface of the membrane Fr.

本実施形態では、膜Frの表面に入射するときの露光光ELのエネルギー密度が、露光において基板Pに入射するときの露光光ELのエネルギー密度よりも小さく設定される。 In the present embodiment, the energy density of the exposure light EL when incident on the surface of the film Fr, is set smaller than the energy density of the exposure light EL when incident on the substrate P in the exposure. 本実施形態では、投影光学系PLの焦点位置と膜Frの表面の位置との相対位置を調整することによって、膜Frの表面に入射するときの露光光ELのエネルギー密度が調整される。 In the present embodiment, by adjusting the relative position between the position of the surface of the focal position and the film Fr of the projection optical system PL, and the energy density of the exposure light EL when incident on the surface of the film Fr is adjusted. 本実施形態では、投影光学系PLの光軸に対する計測ステージ3の位置をZ方向に調整することによって、投影光学系PLの焦点位置と膜Frの表面の位置との相対位置が調整される。 In the present embodiment, by adjusting the position of the measurement stage 3 with respect to the optical axis of the projection optical system PL in the Z-direction, relative position between the position of the surface of the focal position and the film Fr of the projection optical system PL is adjusted.

本実施形態によれば、計測ステージ3の上面に射出面10からの露光光(紫外光)ELが照射されるときに射出面10と計測ステージ3の上面との間の光路Kに供給される液体LQh1に溶存する所定ガス濃度が、基板Pの表面に射出面10からの露光光ELが照射されるときに射出面10と基板Pの表面との間の光路Kに供給される液体LQに溶存する所定ガス濃度よりも高いので、液体LQに対する計測ステージ3の上面の撥液性が回復する。 According to this embodiment, it is supplied to the optical path K between the emergent surface 10 and the upper surface of the measurement stage 3 when the exposure light (ultraviolet light) EL from the exit surface 10 on the upper surface of measurement stage 3 is irradiated a predetermined concentration of gas dissolved in the liquid LQh1, the liquid LQ supplied to the optical path K between the emergent surface 10 and the front surface of the substrate P when the exposure light EL is irradiated from the exit surface 10 to the surface of the substrate P is higher than a predetermined concentration of gas dissolved, the liquid repellency of the upper surface of measurement stage 3 with respect to the liquid LQ is recovered. したがって、液浸空間LSの液体LQが流出したり、計測ステージ3の上面に液体LQが残留したりすることを抑制することができる。 Accordingly, or the liquid LQ flows out of the immersion space LS, the liquid LQ on the upper surface of the measuring stage 3 can be prevented or to remain.

なお、図7は、計測部材Cの上面Cfに露光光ELを照射して上面Cfの撥液性を回復させている状態を示しているが、もちろん、液体LQh1とカバー部材Sの上面Sfとを接触させた状態で、カバー部材Sの上面Sfに露光光ELを照射して上面Sfの撥液性を回復させてもよい。 Note that FIG. 7 is irradiated with the exposure light EL on the upper surface Cf of the measuring member C shows a state in which to restore the liquid repellency of the upper surface Cf, of course, the upper surface Sf liquid LQh1 and the cover member S the being in contact, may be recovered liquid repellency of the upper surface Sf is irradiated with exposure light EL on the upper surface Sf of the cover member S.

また、液体LQh1と基板ステージ2の上面(カバー部材Tの上面Tf)とを接触させた状態で、基板ステージ2の上面に露光光ELを照射して基板ステージ2の上面の撥液性を回復してもよい。 Further, in a state where the contacting of the (upper surface Tf of the cover member T) upper surface of the liquid LQh1 and the substrate stage 2, the recovery liquid repellency of the upper surface of the substrate stage 2 is irradiated with the exposure light EL on the upper surface of the substrate stage 2 it may be.

なお、本実施形態において、液体LQの残留の状態を調べた結果に基づいて上面Cfの撥液性を回復させているが、液体LQの残留の状態を示す情報とは別の、膜Frの撥液性を示す情報に基づいて、上面Cfの撥液性を回復させてもよい。 In this embodiment, although to restore the liquid repellency of the upper surface Cf based on the results of examining the state of the residual of the liquid LQ, separate from the information indicating the state of the residual of the liquid LQ, the film Fr based on the information indicating the liquid repellency may be recovered liquid repellency of the upper surface Cf. 例えば、液体LQに対する上面Cfの接触角を計測し、その計測結果に基づいて、撥液性を回復する処理を実行するか否かを決定してもよい。 For example, by measuring the contact angle of the upper surface Cf with respect to the liquid LQ, based on the measurement result, it may determine whether to execute processing for recovering the liquid repellency. また、撥液性を示す情報として、脱気処理された液体LQsを介して膜Frに照射された紫外光の照射量を用いてもよく、この照射量が所定の閾値以上となったときに、撥液性を回復する処理を実行してもよい。 Further, as information indicating the liquid repellency, even with irradiation of deaerated treated through a liquid LQs film Fr ultraviolet light irradiated to the well, when the irradiation amount is equal to or greater than a predetermined threshold value it may execute the process of recovering the liquid repellency. なお、撥液性を回復する処理を実行するか否かの決定は、自動で行われてもよいし、自動で行われなくとも構わない。 Incidentally, the determination of whether to execute the process of recovering the liquid repellency may be performed automatically, or may even not be performed automatically. また、膜Frの撥液性を示す情報に基づくことなく、例えば定期的に、撥液性を回復する処理を実行してもよい。 Furthermore, not based on the information indicating the lyophobic film Fr, for example periodically, may execute processing to recover the liquid repellency.

なお、本実施形態において、照明系ILから射出された露光光ELが、投影光学系PLを介して、膜Frの表面に照射されているが、露光光ELを発する光源とは別の光源から射出された紫外光が、液体LQh1を介して膜Frの表面に照射されてもよい。 In the present embodiment, the exposure light EL emitted from the illumination system IL, through the projection optical system PL, has been irradiated to the surface of the film Fr, from a different source than the light source emitting the exposure light EL the emitted ultraviolet light may be irradiated onto the surface of the membrane Fr through the liquid LQh1. 別の光源は、照明系ILに含まれていてもよいし、照明系ILとは別の光学系に含まれていても構わない。 Another light source may be included in the illumination system IL, it may be included in another optical system and the illumination system IL. また、液体LQh1を介して膜Frの表面に、投影光学系PLとは別の光学系を介して、紫外光が照射されてもよいし、光学系を介さないで紫外光が膜Frの表面に照射されても構わない。 Further, the surface of the membrane Fr through the liquid LQh1, through another optical system and the projection optical system PL, to ultraviolet light may be irradiated, the surface ultraviolet light without passing through the optical system of the film Fr it may be irradiated to.

なお、本実施形態では、膜Frの表面に入射するときの露光光ELのエネルギー密度は、露光において基板Pに入射するときの露光光ELのエネルギー密度よりも小さく設定されているが、液体LQh1を通って膜Frの表面に入射するときの紫外光のエネルギー密度は、露光において基板Pに入射するときの露光光ELのエネルギー密度以上に設定されてもよい。 In the present embodiment, the energy density of the exposure light EL when incident on the surface of the membrane Fr has been set smaller than the energy density of the exposure light EL when incident on the substrate P in the exposure, the liquid LQh1 the energy density of the ultraviolet light when incident on the surface of the membrane Fr through may be set to more than the energy density of the exposure light EL when incident on the substrate P in the exposure. 上記の紫外光のエネルギー密度は、紫外光の膜Frの表面での照度を調整することによって、調整してもよい。 Energy density of the ultraviolet light, by adjusting the illuminance on the surface of the membrane Fr of ultraviolet light may be adjusted. 液体LQh1を通って膜Frの表面に入射する紫外光の照度は、露光において基板Pに入射するときの露光光ELの照度よりも低くてもよいし、高くても構わない。 The illuminance of the ultraviolet light incident on the surface of the membrane Fr through the liquid LQh1 may be lower than the illuminance of the exposure light EL when incident on the substrate P in the exposure, may be high. 上記の照度は、液体LQh1を通って膜Frの表面に入射する紫外光を発する光源に供給される電力を調整することによって、調整してもよい。 The above illuminance by adjusting the power supplied to the light source that emits ultraviolet light incident on the surface of the membrane Fr through the liquid LQh1, may be adjusted. また、上記の照度は、液体LQh1を通って膜Frの表面に入射する紫外光を発する光源と膜Frの表面との間の光路に、紫外光の少なくとも一部を吸収するフィルターを配置することによって、調整してもよい。 Further, the illuminance is in the optical path between the light source and the film Fr surface that emits ultraviolet light incident on the surface of the membrane Fr through the liquid LQh1, placing a filter absorbing at least a portion of the ultraviolet light by, it may be adjusted. 上記の紫外光のエネルギー密度は、この紫外光の波長を調整することによって、調整してもよい。 Energy density of the ultraviolet light, by adjusting the wavelength of the ultraviolet light may be adjusted. 液体LQh1を通って膜Frの表面に入射する紫外光の波長は、露光において基板Pに入射するときの露光光ELの波長よりも長くてもよいし、短くても構わない。 Wavelength of ultraviolet light incident on the surface of the membrane Fr through the liquid LQh1 may be longer than the wavelength of the exposure light EL when incident on the substrate P in the exposure, may be shortened.

なお、基板ステージ2の上面のメンテナンス時において、保持部13にダミー基板を保持した状態で、基板ステージ2の上面に露光光ELを照射してもよい。 At the time of maintenance of the upper surface of the substrate stage 2, while holding the dummy substrate holding portion 13, it may be irradiated with the exposure light EL on the upper surface of the substrate stage 2. ダミー基板は、デバイス製造用の基板Pよりも異物を放出し難く、基板Pとほぼ同じ外形を有する基板である。 The dummy substrate is difficult to release the foreign matter from the substrate P for device production, which is a substrate having substantially the same outer shape as the substrate P. 保持部13は、ダミー基板をリリース可能に保持できる。 Holding portion 13 can hold the dummy substrate releasably. 保持部13にダミー基板を保持した状態で、基板ステージ2の上面をメンテナンスすることによって、例えば液体LQh1が保持部13に付着することを抑制でき、液体LQh1の液浸空間LSを良好に形成できる。 In a state where the holding portion 13 holding the dummy substrate, by maintaining the upper surface of the substrate stage 2, can be suppressed, for example, liquid LQh1 adheres to the holding portion 13, can be satisfactorily form the liquid immersion space LS of the liquid LQh1 .

なお、撥液性を回復する処理は、脱気処理された液体LQsを介して射出面10からの露光光ELが照射された膜Frの表面に、ガス雰囲気で紫外光を照射する処理を含んでいてもよい。 The process of recovering the liquid repellency is degassed treated surface of the film Fr the exposure light EL is irradiated from the exit surface 10 via the liquid LQS, it includes a process of irradiating ultraviolet light at gas atmosphere it may be Idei. 制御装置7は、液体LQh1を介して膜Frの表面に露光光ELを照射する処理の後に、液体回収装置6が膜Frの表面の液体LQh1を回収した状態で、膜Frの表面に紫外光を照射する処理を実行してもよい。 The controller 7, after the process of irradiating the exposure light EL on the surface of the membrane Fr through the liquid LQh1, in a state in which the liquid recovery unit 6 has recovered the liquid LQh1 surface of the membrane Fr, ultraviolet light on the surface of the membrane Fr it may perform a process of irradiating.

また、メンテナンスシーケンスは、撥液性を回復する処理とは別の処理を含んでいてもよい。 Moreover, the maintenance sequence may include different processing from the processing of recovering the liquid repellency. 上記の別の処理は、膜Frの表面に液体LQh1よりも所定ガス濃度が低い液体LQhを供給することを含んでいてもよい。 Another process described above may also include that the predetermined gas concentration than liquid LQh1 the surface of the membrane Fr supplying low liquid LQH. この液体LQhに溶存している所定ガス濃度は、液体LQsに溶存している所定ガス濃度よりも高くてもよいし、低くても構わない。 The predetermined gas concentration in the liquid LQh are dissolved may be higher than a predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQS, it may be low. この液体LQhを膜Frの表面に供給する装置の少なくとも一部は、液体供給装置5に含まれていてもよいし、液体供給装置5の外部の装置に含まれていても構わない。 At least a portion of the device for supplying the liquid LQh the surface of the membrane Fr may be included in the liquid supply device 5, may be included in a device external to the liquid supply device 5. また、メンテナンスシーケンスが終了した後、そのメンテナンスされた露光装置EXを用いて露光シーケンスが実行されてもよい。 Further, after the maintenance sequence is complete, the maintenance the exposure apparatus EX may be exposure sequence is performed using.

以上説明したように、本実施形態によれば、所定ガス濃度が高められた液体LQh1を介して物体の上面(基板ステージ2の上面、計測ステージ3の上面等)に露光光ELを照射するようにしたので、液体LQに対する物体の上面の撥液性を回復することができる。 As described above, according to this embodiment, the upper surface of the object through the liquid LQh1 a predetermined gas concentration has been increased (the upper surface of the substrate stage 2, the upper surface or the like of the measurement stage 3) to irradiate the exposure light EL in since, it is possible to restore the liquid repellency of the upper surface of the object with respect to the liquid LQ. したがって、例えば露光シーケンスにおいて、終端光学素子11及び液浸部材4と物体と間の空間に液体LQを良好に保持することができ、液体LQの流出、残留等を抑制することができる。 Thus, for example, in the exposure sequence, the liquid LQ can be satisfactorily held in the space between the object and the final optical element 11 and the liquid immersion member 4, the outflow of the liquid LQ, it is possible to suppress the residual like. そのため、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。 Therefore, exposure failures occurred, defective devices can be suppressed.

本実施形態においては、液体LQpの脱気処理を実行し、液体LQpに溶存するガスを除去して液体LQsを生成した後、その液体LQsに所定ガスGを溶解させる。 In this embodiment, it performs the degassing treatment liquid LQP, after generating the liquid LQS to remove gas dissolved in the liquid LQP, dissolving a predetermined gas G in the liquid LQS. これにより、所定ガスG以外のガスが液体LQh1に溶存することを抑制しつつ、液体LQh1における所定ガスGの濃度を精度良く調整できる。 Thus, while suppressing that the gas other than the predetermined gas G is dissolved in the liquid LQh1, the concentration of the predetermined gas G can be accurately adjusted in the liquid LQh1. 例えば、液体LQに対する物体の表面の撥液性を回復させる場合において、液体LQh1に溶存させる所定ガスGとして酸素ガスが好ましい場合、その酸素ガスのみを液体LQh1に溶存させ、酸素ガス以外のガスが液体LQh1中に存在することを抑制できる。 For example, in the case of recovering the liquid repellency of the surface of the object with respect to the liquid LQ, when the oxygen gas is preferred as the predetermined gas G to be dissolved in the liquid LQh1, only the oxygen gas is dissolved in the liquid LQh1, gas other than oxygen gas It can be suppressed to be present in the liquid LQh1. また、本実施形態によれば、溶存するガスが低減された液体LQsに所定ガスGを溶解させるので、液体LQh1に溶存する所定ガス濃度を精度良く調整できる。 Further, according to this embodiment, since dissolving the predetermined gas G in the gas to be dissolved is reduced liquid LQS, it can be accurately adjusted predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQh1.

なお、所定ガスGは、液体LQh1に求められる機能(性能)に応じて適宜選択可能である。 The predetermined gas G can be appropriately selected depending on the functions required for the liquid LQh1 (performance). 例えば、物体の帯電を抑制したい場合、あるいは物体に帯電している電気(静電気)を除去したい場合、所定ガスGとして炭酸ガスを用いてもよい。 For example, if you want to remove the electric (electrostatic) which is charged when want to suppress the charging of the object, or the object, may be used carbon dioxide gas as the predetermined gas G. 炭酸ガスが溶存する液体LQh1を物体上に供給することによって、その物体の帯電等を抑制することができる。 The liquid LQh1 carbon dioxide gas is dissolved by feeding on the object, it is possible to suppress the charging or the like of the object.

また、本実施形態においては、基板Pの表面に射出面10からの露光光ELが照射されるときに光路Kに供給される液体LQに溶存する所定ガス濃度は、物体の上面(基板ステージ2の上面、計測ステージ3の上面等)に露光光ELが照射されるときに光路Kに供給される液体LQh1に溶存する所定ガス濃度よりも低い。 In the present embodiment, the predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQ supplied to the optical path K when the exposure light EL from the exit surface 10 to the surface of the substrate P is irradiated, an object of the upper surface (substrate stage 2 lower the upper surface, than a predetermined gas concentration dissolved in the liquid LQh1 supplied to the optical path K when the exposure light EL is irradiated onto the upper surface or the like) of the measurement stage 3. したがって、例えば基板Pの露光において光路Kを満たす液体LQに気泡が発生することを抑制でき、露光不良の発生を抑制できる。 Thus, for example, in the exposure of the substrate P can be suppressed that the bubbles are generated in the liquid LQ to fill the optical path K, can prevent exposure failures.

なお、本実施形態においては、基板ステージ2の上面及び計測ステージ3の上面の少なくとも一方のメンテナンスにおいて、所定ガス濃度が高められた液体LQh1を供給することとしたが、露光シーケンスの少なくとも一部において液体LQh1を供給してもよい。 In the present embodiment, at least one of the maintenance of the upper surface of the upper surface and the measurement stage 3 of the substrate stage 2, it is assumed that supplying the liquid LQh1 a predetermined gas concentration is increased, at least part of the exposure sequence liquid LQh1 may be supplied. 例えば計測ステージ3を用いる計測処理において光路Kに液体LQh1を供給してもよい。 For example the liquid LQh1 may be supplied to the optical path K in the measurement process using the measuring stage 3. 例えば、図7に示したように、終端光学素子11及び液浸部材4と計測部材Cとの間に、所定ガス濃度が高められた液体LQh1で液浸空間LSを形成し、その液体LQh1の液浸空間LSが形成されている状態で、射出面10からの露光光ELを計測部材Cに照射してもよい。 For example, as shown in FIG. 7, between the final optical element 11 and the liquid immersion member 4 and the measurement member C, to form a liquid immersion space LS at a predetermined gas concentration is increased liquid LQh1, the liquid LQh1 in a state that the liquid immersion space LS is formed, the exposure light EL from the exit surface 10 may be irradiated to the measuring member C. 計測部材Cに照射された露光光ELは、その計測部材Cを介して、光センサ50に受光される。 The exposure light EL irradiated onto the measuring members C through the measurement member C, it is received by the light sensor 50. これにより、計測部材Cを用いる計測処理と並行して、液体LQに対する計測部材Cの上面Cfの撥液性を回復することができる。 Thus, in parallel with the measurement process using the measuring member C, it is possible to restore the liquid repellency of the upper surface Cf of the measuring member C relative to the liquid LQ.

なお、終端光学素子11及び液浸部材4と計測ステージ3(物体)との間に供給口21から所定量の液体LQを供給して液浸空間LSを形成した後、供給口21からの液体LQの供給及び回収口22からの液体LQの回収を停止した状態で、計測ステージ3を所定の移動条件で移動してもよい。 After forming the liquid immersion space LS for supplying a predetermined amount of the liquid LQ from the supply ports 21 between the last optical element 11 and the liquid immersion member 4 and the measurement stage 3 (object), the liquid from the supply port 21 the recovery of the liquid LQ from the supply and the recovery port 22 of the LQ in a state of stopping, may be moved measurement stage 3 at a predetermined moving condition. こうすることによっても、液浸空間LSの液体LQに溶存するガス濃度を円滑に高めることができる。 By doing so, it is possible to increase the gas concentration dissolved in the liquid LQ of the immersion space LS smoothly.

なお、液体LQに溶存するガス濃度を高めるために、終端光学素子11及び液浸部材4と基板ステージ2との間に液体LQで液浸空間LSが形成されている状態で、基板ステージ2を移動させ、その基板ステージ2に液体LQを介して露光光ELを照射してもよい。 In order to increase the gas concentration dissolved in the liquid LQ, in a state in which the liquid immersion space LS is formed in the liquid LQ between the final optical element 11 and the liquid immersion member 4 and the substrate stage 2, the substrate stage 2 the moved, may be irradiated with the exposure light EL through the liquid LQ on the substrate stage 2.

なお、液体LQに溶存するガス濃度を高めるために物体(基板ステージ2、計測ステージ3)を移動する動作が、露光シーケンスの少なくとも一部において実行されてもよい。 Incidentally, an object (substrate stage 2, measurement stage 3) in order to increase the gas concentration dissolved in the liquid LQ operation of moving may be executed during at least part of the exposure sequence.
例えば、液体LQに溶存するガス濃度を高めるために計測ステージ3を移動する動作を実行した後、溶存するガス濃度が高められた液体LQを介して計測部材Cに露光光ELを照射して、計測部材C及び光センサ50を用いる計測処理が実行されてもよい。 For example, after performing the operation of moving measurement stage 3 in order to increase the gas concentration dissolved in the liquid LQ, by irradiating the exposure light EL on the measurement member C via a gas concentration of the dissolved is increased liquid LQ, measurement process using the measuring member C and the light sensor 50 may be performed. なお、液体LQに溶存するガス濃度を高めるために計測ステージ3を移動する動作を実行しながら、液体LQを介して計測部材Cに露光光ELを照射して、計測部材C及び光センサ50を用いる計測処理が実行されてもよい。 Note that while performing the operation of moving measurement stage 3 in order to increase the gas concentration dissolved in the liquid LQ, through the liquid LQ by irradiating exposure light EL on the measurement member C, a measuring member C and the light sensor 50 measurement processing may be performed using.

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子11の射出側(像面側)の光路Kが液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子11の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影光学系PLを採用することができる。 Furthermore, in each of the embodiments described above, the optical path K of the exit side (image plane side) of the last optical element 11 of the projection optical system PL is filled with the liquid LQ, for example, in International Publication No. WO 2004/019128 as disclosed, it is possible to adopt a projection optical system PL whose optical path is also filled with the liquid LQ of the incident side (object plane side) of the final optical element 11.

なお、上述の各実施形態においては、液体LQとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。 Furthermore, in each of the embodiments described above, water is used as the liquid LQ, it may be a liquid other than water. 液体LQとしては、露光光ELに対して透過性であり、露光光ELに対して高い屈折率を有し、投影光学系PLあるいは基板Pの表面を形成する感光材(フォトレジスト)などの膜に対して安定なものが好ましい。 The liquid LQ, is transparent to the exposure light EL, has a high refractive index with respect to the exposure light EL, film such as a photosensitive material (photoresist) to form a surface of the projection optical system PL or the substrate P It is stable against is preferable. 例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。 For example, as the liquid LQ, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), it is also possible to use the Fomblin oil. また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 Further, as the liquid LQ, various fluids, for example, it is also possible to use a supercritical fluid.

なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, the substrate P in each of the embodiments discussed above, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a glass substrate, an original mask or reticle used in a ceramic wafer or an exposure apparatus, for a thin film magnetic head for a display device (synthetic quartz, silicon wafer) used by an exposure apparatus.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As for the exposure apparatus EX, in the other scanning exposure apparatus by a step-and-scan method by synchronously moving the mask M and the substrate P to scan expose the pattern of the mask M (scanning stepper), and the mask M and the substrate P the pattern of the mask M collectively exposed, can also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat system for moving sequentially steps the substrate P (stepper) while stationary.

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。 Further, in the exposure step-and-repeat method, in a state wherein the first pattern and the substrate P are substantially stationary, after a reduced image of a first pattern by using the projection optical system and transferred onto the substrate P, the second pattern almost stationary state, batch exposure apparatus of the second pattern may be a full-field exposure of the substrate P a reduced image first pattern partially superposes the of (stitch method using a projection optical system and the substrate P and ). また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Also, the stitching type exposure apparatus, and transferring at least two patterns are partially overlaid and the substrate P, it is also applicable to an exposure apparatus of step-and-stitch type and the substrate P is successively moved.

また、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。 Further, for example, as disclosed in U.S. Patent No. 6611316, a pattern of two masks, synthesized on the substrate via a projection optical system, one shot region on the substrate using a single scanning exposure it can be applied to even present invention substantially simultaneously, double exposure to exposure apparatus. また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。 Further, it is also possible to apply the present invention to an exposure apparatus, a mirror projection aligner of a proximity type.

また、本発明は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。 Further, the present invention can be applied to an exposure apparatus having a plurality of substrate stages and measuring stages.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX, the present invention is not limited to semiconductor device fabrication exposure apparatuses that expose a semiconductor element pattern onto a substrate P, an exposure apparatus and a liquid crystal display device for manufacturing or for display manufacturing, thin film magnetic heads, imaging devices (CCD ), micromachines, MEMS, DNA chips, or widely applied to an exposure apparatus for manufacturing such as a reticle or mask.

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。 In each embodiment described above, it is assumed that measures positional information of each stage using an interferometer system that includes a laser interferometer, not limited to this, for example, the scale (diffraction grating) provided on each of the stages it may use an encoder system for detecting the.

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。 In the embodiment described above, a light transmitting type mask is used to form a predetermined light shielding pattern (or a phase pattern or a light attenuation pattern) on a transparent substrate, in place of the mask, for example, U.S. Pat. as disclosed in the 6778257 Pat, also referred to as transmission pattern or reflection pattern based on electronic data of the pattern to be exposed, or variable shaped mask (electronic mask for forming a light-emitting pattern, active mask or an image generator, ) may be used. また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。 In addition, instead of a variable shaped mask comprising a non-emission type image display device, it may be a pattern forming apparatus that comprises a self-luminous type image display device.

上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。 In the embodiments described above, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example, it is possible to apply the present invention to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. 例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。 For example, the immersion space is formed between the optical member and the substrate such as a lens, it can be through the optical member is irradiated with exposure light onto the substrate.

また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Also, as disclosed in WO 2001/035168 pamphlet, by forming on the substrate P interference fringes, an exposure apparatus that exposes a line-and-space pattern on the substrate P (lithography system) also possible to apply the present invention to.

上述の実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 The exposure apparatus EX of the embodiment described above is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application, so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy, manufactured by assembling It is. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed.
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The manufacturing of the exposure apparatus is preferably performed in a clean room in which temperature and cleanliness are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図8に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 Microdevices such as semiconductor devices are manufactured, as shown in FIG. 8, step 201 that designs the functions and performance of the microdevice, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on this design step, a base material for the device substrate step 203 producing, according to the above embodiment, a substrate processing step 204 that includes exposing a substrate with exposure light from the pattern of the mask, and a substrate processing that includes developing the exposed substrate (exposure process), a device assembly step (dicing, bonding, including processed processes such as packaging step) 205, and an inspection step 206, and the like.

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。 Furthermore, the features of each of the embodiments discussed above can be combined as appropriate. また、一部の構成要素を用いない場合もある。 There is also a case of not using some components. また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Furthermore, the extent allowed by law, the are incorporated herein by reference the disclosures of all publications and U.S. patents relating to such cited in the above respective embodiments and modified examples exposure apparatus.

2…基板ステージ、3…計測ステージ、4…液浸部材、5…液体供給装置、7…制御装置、10…射出面、11…終端光学素子、21…供給口、22…回収口、31…液体処理装置、32…脱気装置、35…ガス供給装置、37…供給量調整装置、C…計測部材、Fr…膜、IL…照明系、K…光路、P…基板、PL…投影光学系、S…カバー部材、T…カバー部材、EL…露光光、EX…露光装置、LQ…液体、LS…液浸空間 2 ... substrate stage, 3 ... measurement stage, 4 ... liquid immersion member, 5 ... liquid supply device, 7 ... controller, 10 ... exit plane, 11 ... last optical element, 21 ... inlet, 22 ... recovery port, 31 ... liquid treatment apparatus, 32 ... degasser, 35 ... gas supply device, 37 ... supply amount adjusting apparatus, C ... measuring member, Fr ... film, IL ... illumination system, K ... optical path, P ... substrate, PL ... projection optical system , S ... cover member, T ... cover member, EL ... exposure light, EX ... exposure apparatus, LQ ... liquid, LS ... immersion space

Claims (14)

  1. 光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、 A maintenance method for an exposure apparatus which exposes a substrate through a liquid in the exposure light emitted from the exit surface of the optical member,
    脱気処理された第1の液体を介して前記射出面からの露光光が照射された非晶質フッ素樹脂を含有する膜の表面に、前記第1の液体よりも所定ガス濃度が高い第2の液体を供給することと、 Degassed treated surface of the film exposure light from the exit surface through the first liquid contains the amorphous fluororesin is irradiated, the high predetermined gas concentration than said first liquid 2 and supplying a liquid,
    前記膜の表面に前記第2の液体を介して紫外光を照射することと、 And irradiating ultraviolet light through the second liquid to the surface of the membrane,
    を含むメンテナンス方法。 Maintenance methods, including.
  2. 前記第1の液体に溶存する前記所定ガス濃度を高めて前記第2の液体を生成することを含む、請求項1記載のメンテナンス方法。 Wherein the predetermined gas concentration to increase and generating the second liquid, the maintenance method of claim 1 dissolved in the first liquid.
  3. 前記膜に照射される前記露光光の照射量を示す値と、前記第1の液体に対する該膜の撥液性との関係を示す情報に基づいて、前記膜の表面に前記第2の液体を介して紫外光を照射するタイミングを決定する、請求項1又は2記載のメンテナンス方法。 A value indicating the irradiation amount of the exposure light irradiated to the film, based on the information indicating the relationship between the film of the liquid-repellent with respect to the first liquid, the second liquid to the surface of the film determining a timing for irradiating ultraviolet light through, according to claim 1 or 2 maintenance method according.
  4. 前記第1の液体に対する前記膜の撥液性を検出した結果に基づいて、前記膜の表面に前記第2の液体を介して紫外光を照射するタイミングを決定する、請求項1〜3のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 Based on the result of the detection of liquid repellency of the film to the first liquid, determines the timing of irradiating ultraviolet light through the second liquid to the surface of the film, any of claims 1 to 3 maintenance method of one claim or.
  5. 前記紫外光の波長は、前記露光光の波長と同じである請求項1〜4のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 Wavelength of the ultraviolet light, any one maintenance method according to claims 1 to 4 is the same as the wavelength of the exposure light.
  6. 前記紫外光の波長は、前記露光光の波長よりも長い請求項1〜5のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 Wavelength of the ultraviolet light, any maintenance method of one claim of long claims 1-5 than the wavelength of the exposure light.
  7. 前記紫外光の照度は、前記露光光の照度よりも低い請求項1〜6のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 Illuminance of the ultraviolet light, the one maintenance method of one claim of lower claims 1-6 than the illuminance of the exposure light.
  8. 前記所定ガスは、酸素ガスを含む請求項1〜7のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 The predetermined gas is one method of maintaining one of claims 1 to 7 containing an oxygen gas.
  9. 前記第2の液体を介して前記紫外光を照射して、前記膜の表面の前記第1の液体に対する接触角を高める請求項1〜8のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 The second through the liquid by irradiating the ultraviolet light, any one maintenance method according to claim 1 to 8 to increase the contact angle with respect to the first liquid surface of the membrane.
  10. 請求項1〜9のいずれか一項記載のメンテナンス方法でメンテナンスされた露光装置を用いて基板を露光することと、 And exposing the substrate using the maintenance the exposure apparatus in any one claim of maintenance method of claims 1 to 9,
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 A device manufacturing method comprising the method comprising developing the exposed substrate, the.
  11. 光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置であって、 An exposure apparatus which exposes a substrate through a liquid in the exposure light emitted from the exit surface of the optical member,
    非晶質フッ素樹脂を含有する膜が形成された部材と、 A member film containing amorphous fluororesin is formed,
    脱気処理された第1の液体を介して前記射出面から射出された露光光が照射された前記膜の表面に、前記第1の液体よりも所定ガス濃度が高い第2の液体を供給する供給口と、 Degassed treated surface of the first of said film exposure light is irradiated to the liquid via a emitted from the exit plane, and supplies the second liquid is higher predetermined gas concentration than said first liquid a supply port,
    前記膜の表面に前記第2の液体を介して紫外光を照射する照射装置と、を備える露光装置。 An exposure apparatus and a radiation device for irradiating ultraviolet light through the second liquid to the surface of the membrane.
  12. 前記第1の液体に溶存する前記所定ガス濃度を高めて前記第2の液体を生成する液体処理装置を備える請求項11記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 11, further comprising a liquid processing apparatus for generating said second liquid to enhance the predetermined gas concentration dissolved in the first liquid.
  13. 前記照射装置は、前記光学部材を含む請求項11又は12記載の露光装置。 The irradiation apparatus, an exposure apparatus according to claim 11 or 12, wherein including the optical member.
  14. 請求項11〜13のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、 And exposing a substrate using an exposure apparatus according to any one of claims 11 to 13,
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 A device manufacturing method comprising and developing the exposed the substrate.
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