JP2012073518A - Display device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device with resistance against the strain applied from the outside.SOLUTION: A display device comprises: a substrate with a flat plane including a side in a first direction and a side in a second direction that is longer than the side in the first direction; a display portion on the substrate; and a display driver circuit for driving the display portion on the substrate, which includes a gate driver circuit formed using a thin film transistor, and a data driver circuit configured using an integrated circuit provided for a semiconductor substrate. The data driver circuit is disposed along the side of the substrate in the first direction, and the gate driver circuit is disposed along the side of the substrate in the second direction.

Description

本発明はディスプレイ装置に関し、特に、フレキシブルな基板に形成したディスプレイ装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device formed on a flexible substrate.

多様なディスプレイ装置が様々な用途に用いられており、携帯電話に代表される携帯端末においては必須の構成要素となっている。さらに、携帯型デジタル音楽プレイヤーやICカード等にも利用され、さらなる小型化が要求されている。一方、有機ELや電子ペーパー等の新規なディスプレイ装置も実用化され、フレキシブルなディスプレイ装置の開発も進められている。 Various display devices are used for various purposes, and are essential components in mobile terminals typified by mobile phones. Furthermore, it is also used for portable digital music players, IC cards, etc., and further miniaturization is required. On the other hand, new display devices such as organic EL and electronic paper have been put into practical use, and development of flexible display devices has been promoted.

これに伴い、ディスプレイ装置の表示部のみならず、ディスプレイ駆動回路についても、さらなる小型化、フレキシブルな装置への対応が求められている。例えば、特許文献1には、ディスプレイ装置において、ディスプレイを駆動するため、ドライバICチップを実装する方法が記載されている。また、画素回路と同じ薄膜トランジスタでディスプレイ駆動回路を同一基板上に造り込む取組みが現在行われており、特許文献2には、ドライバICチップをシリコンチップ上に作製して実装するのではなく、直接画素回路と同じ薄膜トランジスタを使用して基板上に直接造り込む技術が記載されている。また、特許文献3には、ICカード上にICチップを実装する場合、ICチップの外形のアスペクト比を、カード上の実装位置の縦横の曲げ応力比に応じて決定することが記載されている。 Accordingly, not only the display unit of the display device but also the display drive circuit is required to be further miniaturized and compatible with a flexible device. For example, Patent Document 1 describes a method of mounting a driver IC chip to drive a display in a display device. In addition, efforts are currently being made to build a display drive circuit on the same substrate with the same thin film transistor as the pixel circuit. In Patent Document 2, a driver IC chip is not directly fabricated and mounted on a silicon chip, but directly. A technique is described in which a thin film transistor that is the same as a pixel circuit is used and is directly formed on a substrate. Patent Document 3 describes that when an IC chip is mounted on an IC card, the aspect ratio of the outer shape of the IC chip is determined according to the vertical and horizontal bending stress ratio of the mounting position on the card. .

特開2003−315760号公報JP 2003-315760 A 特許第3944394号公報Japanese Patent No. 3944394 特開2005−165814号公報JP 2005-165814 A

しかし、特許文献1は、通常のPC用の液晶ディスプレイや携帯端末用の液晶ディスプレイ等の場合のように、ガラスなどのリジットな基板であれば問題ないが、ICカードのような曲がることのあるアプリケーションにおいては、カードの歪によってICチップが割れる問題があった。また、特許文献2は、ゲートドライバのようにシフトレジスタとバッファドライバのみのシンプルな回路においては問題ないが、データドライバのように、シフトレジスタとバッファドライバ、デコーダー、LACH、レジスター、コントローラなどを内蔵した複雑な回路の場合、トランジスタが1個でも動作しなくなると、ディスプレイ装置自体動が動作しなくなくなる問題があった。 However, in Patent Document 1, there is no problem as long as it is a rigid substrate such as glass as in the case of a normal liquid crystal display for a PC or a liquid crystal display for a portable terminal, but it may be bent like an IC card. In applications, there is a problem that the IC chip breaks due to distortion of the card. Further, Patent Document 2 has no problem in a simple circuit including only a shift register and a buffer driver like a gate driver, but includes a shift register and a buffer driver, a decoder, a LACH, a register, a controller, etc. like a data driver. In the case of such a complicated circuit, if even one transistor does not operate, there is a problem that the display device itself does not operate.

上記の実情に鑑みて、本発明は、外部からの歪に耐性を有するディスプレイ装置を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a display device that is resistant to external distortion.

本発明の一実施形態によると、第1の方向の辺と、前記第1の方向の辺より長い第2の方向の辺からなる平面を有する基材と、前記基材上の表示部と、前記基材上の前記表示部を駆動するディスプレイドライバ回路であって、薄膜トランジスタを用いて構成したゲートドライバ回路と、半導体基板に形成した集積回路で構成したデータドライバ回路と、を有するディスプレイドライバ回路と、を有するディスプレイ装置であって、前記データドライバ回路は、前記基材の前記第1の方向の辺に沿って配置され、且つ、前記ゲートドライバ回路は、前記基材の前記第2の方向の辺に沿って配置されることを特徴とするディスプレイ装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, a substrate having a plane composed of a side in the first direction, a side in the second direction longer than the side in the first direction, a display unit on the substrate, A display driver circuit for driving the display unit on the substrate, comprising: a gate driver circuit configured using thin film transistors; and a data driver circuit configured by an integrated circuit formed on a semiconductor substrate; The data driver circuit is disposed along a side of the base in the first direction, and the gate driver circuit is in the second direction of the base. A display device is provided that is arranged along a side.

前記薄膜トランジスタは酸化物半導体を用いて形成されてもよい。 The thin film transistor may be formed using an oxide semiconductor.

前記基材がフレキシブル基板であってもよい。 The base material may be a flexible substrate.

また、本発明の一実施形態によると、前記ディスプレイ装置と、情報を記録するメモリと、前記メモリを制御するメモリ制御回路と、を有する情報記録媒体が提供される。 According to an embodiment of the present invention, there is provided an information recording medium including the display device, a memory for recording information, and a memory control circuit for controlling the memory.

本発明によると、外部からの歪に耐性を有するディスプレイ装置が提供される。 According to the present invention, a display device having resistance to external distortion is provided.

一実施形態に係る本発明のディスプレイ装置100を説明する上面図である。It is a top view explaining the display apparatus 100 of the present invention according to one embodiment. ディスプレイ装置100の断面図である。4 is a cross-sectional view of the display device 100. FIG. 一実施形態に係る本発明のディスプレイ装置200の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus 200 of this invention which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係る本発明のディスプレイ装置300の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus 300 of this invention which concerns on one Embodiment.

以下、図面を参照して本発明に係るディスプレイ装置及びその製造方法について説明する。但し、本発明のディスプレイ装置は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態及び実施例で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, a display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the display device of the present invention can be implemented in many different modes and should not be construed as being limited to the description of the embodiments and examples shown below. Note that in the drawings referred to in this embodiment mode and examples, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.

上述の課題を解決すべく鋭意検討した結果、データドライバ回路には集積回路(IC)を用い、ゲートドライバ回路には薄膜トランジスタを用いてディスプレイ装置を製造することを想到した。すなわち、表示部及びディスプレイ駆動回路を形成する基材を考えると、一般に、第1の方向(短手方向)の辺と、第1の方向より長い第2の方向(長手方向)の辺からなる矩形の平面上にそれらの回路を形成しており、短手方向の辺に比して長手方向の辺は曲がりやすい構造を有する。また、データドライバ回路は、回路構成が複雑なため、画素回路と同じ薄膜トランジスタで形成するよりも、ICチップを用いて形成する方が好ましい。ICチップは、半導体基板に形成されているため、ICチップを用いてデータドライバ回路を形成する場合、基材の短手方向の辺に沿って配置することで、外部からディスプレイ装置に力がかかった場合にも、基材の歪みが基材の長手方向の辺に比して小さいため、ICチップが割れ難くなる。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, it has been conceived that an integrated circuit (IC) is used for the data driver circuit and a display device is manufactured using a thin film transistor for the gate driver circuit. That is, when considering the base material that forms the display unit and the display drive circuit, it generally includes a side in the first direction (short direction) and a side in the second direction (longitudinal direction) that is longer than the first direction. These circuits are formed on a rectangular plane, and the side in the longitudinal direction is more easily bent than the side in the short direction. In addition, since the data driver circuit has a complicated circuit configuration, the data driver circuit is preferably formed using an IC chip rather than the same thin film transistor as the pixel circuit. Since the IC chip is formed on the semiconductor substrate, when the data driver circuit is formed using the IC chip, the display device is forced from the outside by being arranged along the short side of the substrate. In this case, since the distortion of the base material is smaller than the side in the longitudinal direction of the base material, the IC chip is difficult to break.

一方、ゲートドライバ回路は、データドライバ回路に比して、回路構成が簡易であるため、画素回路と同じ薄膜トランジスタで形成することができる。また、データドライバ回路を基材の長手方向の辺に沿って薄膜トランジスタを配置しても、ICチップように割れる心配はない。データドライバ回路を薄膜トランジスタで形成することで、ICチップを用いるよりも安価にディスプレイ装置を製造することができ、ディスプレイ装置の長手方向の辺を別段補強する必要はない。したがって、本発明に係るディスプレイ装置は、同一基材上に、ICチップで形成したデータドライバ回路を基材の短手方向の辺に沿って配置し、薄膜トランジスタで形成したゲートドライバ回路を基材の長手方向の辺に沿って配置する。本発明に係るディスプレイ装置について、以下に例を挙げて、さらに詳細に説明する。 On the other hand, the gate driver circuit has a simpler circuit configuration than the data driver circuit, and thus can be formed using the same thin film transistor as the pixel circuit. Further, even if the data driver circuit is arranged with the thin film transistor along the side in the longitudinal direction of the base material, there is no fear of breaking like an IC chip. By forming the data driver circuit with a thin film transistor, a display device can be manufactured at a lower cost than using an IC chip, and there is no need to reinforce the side in the longitudinal direction of the display device. Therefore, in the display device according to the present invention, a data driver circuit formed of an IC chip is arranged on the same base material along a short side of the base material, and a gate driver circuit formed of a thin film transistor is provided on the base material. Arrange along the side in the longitudinal direction. The display device according to the present invention will be described in more detail with reference to examples.

(実施形態1)
本発明の実施形態1に係るディスプレイ装置100の構造について説明する。図1は本実施形態に係るディスプレイ装置100の構造について説明する上面図であり、図2はディスプレイ装置100の断面図である。
(Embodiment 1)
The structure of the display apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a top view for explaining the structure of the display device 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the display device 100.

本実施形態に係るディスプレイ装置100は、基材101の素子形成面である上部表面に表示部110、表示部を駆動するディスプレイドライバ回路が配置され、ディスプレイドライバ回路は、データドライバ回路120及びゲートドライバ回路130を有する。データドライバ回路120は基材101に形成したICチップで構成され、基材101の第1の方向(短手方向)の辺に沿って配置される。ゲートドライバ回路130は薄膜トランジスタで構成され、第2の方向(長手方向)の辺に沿って配置される。データドライバ回路120及びゲートドライバ回路130は、配線140を介して表示部110にそれぞれ接続する。なお、電源回路、情報を記録するメモリ及び制御回路(図示せず)などがICチップによって構成され、基材101に配置される場合は、基材101の第1の方向(短手方向)の辺に沿って配置される。 In the display device 100 according to the present embodiment, a display unit 110 and a display driver circuit that drives the display unit are arranged on an upper surface that is an element formation surface of a base material 101. The display driver circuit includes a data driver circuit 120 and a gate driver. A circuit 130 is included. The data driver circuit 120 is composed of an IC chip formed on the base material 101 and is arranged along the side of the base material 101 in the first direction (short direction). The gate driver circuit 130 is formed of a thin film transistor and is disposed along a side in the second direction (longitudinal direction). The data driver circuit 120 and the gate driver circuit 130 are connected to the display unit 110 through the wiring 140, respectively. When a power supply circuit, a memory for recording information, a control circuit (not shown), and the like are configured by an IC chip and arranged on the base material 101, the first direction (short direction) of the base material 101 Arranged along the side.

表示部110の形成領域には、基材101の上部表面に平坦化層10、ゲート電極51、ゲート絶縁膜20、半導体層57、ソース電極53及びドレイン電極55、層間絶縁膜30が順次積層されてマトリクス状に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタの上方にドレイン電極55と接続された透明電極111が配置され、さらに、配向膜117、液晶層、配向膜117、113及び透明電極115が順次積層されて、液晶表示部を形成する。 In the formation region of the display unit 110, the planarization layer 10, the gate electrode 51, the gate insulating film 20, the semiconductor layer 57, the source electrode 53 and the drain electrode 55, and the interlayer insulating film 30 are sequentially stacked on the upper surface of the base material 101. A thin film transistor is formed in a matrix shape, a transparent electrode 111 connected to the drain electrode 55 is disposed above the thin film transistor, and an alignment film 117, a liquid crystal layer, alignment films 117 and 113, and a transparent electrode 115 are sequentially stacked. A liquid crystal display unit is formed.

データドライバ回路120の形成領域には、層間絶縁膜30の上部表面にパッド131、バンプ133、電極135、ICチップ137が順次積層されて、データドライバ回路120を形成する。データドライバ回路120は、ゲートドライバ回路130に比して回路構造が複雑であるため、薄膜トランジスタを形成するよりもICチップ137を用いる方が好ましい。データドライバ回路120はICチップ137を基材101の第1の方向(短手方向)の辺に沿って配置することで、外部からディスプレイ装置100に力がかかった場合にも、基材101の第1の方向の歪みが小さいため、ICチップ137が破壊することはなく、安定して使用可能である。 In the formation region of the data driver circuit 120, the pad 131, the bump 133, the electrode 135, and the IC chip 137 are sequentially stacked on the upper surface of the interlayer insulating film 30 to form the data driver circuit 120. Since the data driver circuit 120 has a more complicated circuit structure than the gate driver circuit 130, it is preferable to use the IC chip 137 rather than forming a thin film transistor. The data driver circuit 120 arranges the IC chip 137 along the side in the first direction (short direction) of the base material 101, so that even when a force is applied to the display device 100 from the outside, the data driver circuit 120 Since the distortion in the first direction is small, the IC chip 137 is not broken and can be used stably.

ゲートドライバ回路130の形成領域には、表示部110と同様に薄膜トランジスタが形成され、ゲートドライバ回路130を構成する。ゲートドライバ回路130は簡易な構造を有し、ディスプレイ装置100外部から力がかかった場合でも可撓性の基材101に追従して撓むことで、回路が破壊することはなく、安定して使用可能である。 In the formation region of the gate driver circuit 130, a thin film transistor is formed in the same manner as the display unit 110, and the gate driver circuit 130 is configured. The gate driver circuit 130 has a simple structure, and even when a force is applied from the outside of the display device 100, the gate driver circuit 130 bends following the flexible base material 101, so that the circuit is not destroyed and is stable. It can be used.

基材101にはフレキシブル基板を用い、例えば、ポリエチレンテレフタレート(Polyethylene Terephthalate:PET)、ポリエチレンナフタレート(Polyethylene Naphthalate:PEN)、ステンレス鋼(SUS)箔にポリイミドを積層したもの等の可撓性を有する材料を用いることができる。基材101の厚さは、50μm〜2mmの範囲で適宜選択することができる。基材101にフレキシブル基板を用いることにより、ゲートドライバ回路130が形成された第2の方向にディスプレイ装置100を曲げることが可能となる。 A flexible substrate is used for the base material 101, and has flexibility such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and stainless steel (SUS) foil laminated with polyimide. Materials can be used. The thickness of the base material 101 can be appropriately selected within a range of 50 μm to 2 mm. By using a flexible substrate for the base material 101, the display device 100 can be bent in the second direction in which the gate driver circuit 130 is formed.

ゲート電極51、ソース電極53及びドレイン電極55には、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、ガリウムを添加した酸化亜鉛(GZO)等を用いることができる。また、チタン、アルミ、金、銅、チタン及びアルミの積層等を用いることもできる。ゲート電極51、ソース電極53及びドレイン電極55の厚さは、100nm〜300nmが好ましい。 For the gate electrode 51, the source electrode 53, and the drain electrode 55, for example, indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide added with gallium (GZO), or the like is used. it can. Alternatively, a stack of titanium, aluminum, gold, copper, titanium, and aluminum can be used. As for the thickness of the gate electrode 51, the source electrode 53, and the drain electrode 55, 100 nm-300 nm are preferable.

ゲート絶縁膜20及び層間絶縁膜30には、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素等を用いることができる。また、プラスチック基板のような透明な有機樹脂からなる基板、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、ポリエステル、ポリアミドのような透明なフィルム等を用いてもよい。ゲート絶縁膜20及び層間絶縁膜30の厚さは、100nm〜3μmの範囲で適宜選択することができる。 For the gate insulating film 20 and the interlayer insulating film 30, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like can be used. Further, a substrate made of a transparent organic resin such as a plastic substrate, a transparent film such as polypropylene, polyester, vinyl, polyvinyl fluoride, vinyl chloride, polyester, and polyamide may be used. The thicknesses of the gate insulating film 20 and the interlayer insulating film 30 can be appropriately selected within a range of 100 nm to 3 μm.

半導体層57は、酸化物亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物半導体を用いて形成することができる。ZnOを主成分とする場合には、真性の酸化物亜鉛の他に、必要に応じて、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、窒素(N)及び炭素(C)等のp型ドーパント及びホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)等のn型ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛及びマグネシウム(Mg)、ベリリウム(Be)などがドーピングされた酸化亜鉛を加えたものであってもよい。さらに、半導体層57は、錫を添加した酸化インジウム(インジウム錫オキサイド:ITO)、インジウム亜鉛オキサイド(IZO)または酸化マグネシウム(MgO)などの酸化物半導体から形成されていてもよい。半導体層57の厚さは、20nm〜100μmの範囲で適宜選択することができる。酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを形成することにより、ゲートドライバ回路130を十分に駆動可能である。 The semiconductor layer 57 can be formed using an oxide semiconductor containing zinc oxide (ZnO) as a main component. When ZnO is the main component, in addition to intrinsic oxide zinc, p-type dopants such as lithium (Li), sodium (Na), nitrogen (N) and carbon (C), and boron, if necessary (B), zinc oxide doped with n-type dopants such as aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and zinc oxide doped with magnesium (Mg), beryllium (Be), etc. It may be. Further, the semiconductor layer 57 may be formed of an oxide semiconductor such as indium oxide added with tin (indium tin oxide: ITO), indium zinc oxide (IZO), or magnesium oxide (MgO). The thickness of the semiconductor layer 57 can be appropriately selected within the range of 20 nm to 100 μm. By forming a thin film transistor using an oxide semiconductor, the gate driver circuit 130 can be sufficiently driven.

表示部110は公知の液晶表示装置と同様の構成であってよく、透明電極111及び透明電極115には、例えば、酸化スズ(Zinc oxide:ZnO)、酸化インジウムスズ(tin-doped indium oxide:ITO)等を用いることができる。また、必要に応じて偏光膜等の公知の構成を配置することができる。なお、本発明のディスプレイ装置100に制御回路とメモリ等を同一基材101上に配置して、情報記録媒体を構成してもよい。 The display unit 110 may have the same configuration as that of a known liquid crystal display device. For example, the transparent electrode 111 and the transparent electrode 115 may include tin oxide (Zinc oxide: ZnO) and indium tin oxide (ITO). ) Etc. can be used. In addition, a known configuration such as a polarizing film can be arranged as necessary. Note that an information recording medium may be configured by arranging a control circuit, a memory, and the like on the same substrate 101 in the display device 100 of the present invention.

以上説明したように、本発明の本実施形態に係るディスプレイ装置100は、複雑な構造を有するデータドライバ回路にはシリコンICチップを用い、簡易な構造のゲートドライバ回路には薄膜トランジスタを用いることにより、ディスプレイ装置100の歩留まりを向上することができる優れた効果を奏する。また、ICチップを用いたデータドライバ回路をディスプレイ装置100が曲がり難い可撓性基板の短辺方向に配置することにより、ICチップの破損を抑制することができる。さらに、薄膜トランジスタにより形成したゲートドライバ回路を可撓性基板の長手方向に配置することにより、ディスプレイ装置100を曲げてもゲートドライバ回路が破損せず歩留まりが安定する。 As described above, the display device 100 according to the embodiment of the present invention uses a silicon IC chip for a data driver circuit having a complicated structure and a thin film transistor for a gate driver circuit having a simple structure. The outstanding effect which can improve the yield of the display apparatus 100 is show | played. Further, by disposing the data driver circuit using the IC chip in the short side direction of the flexible substrate where the display device 100 is difficult to bend, breakage of the IC chip can be suppressed. Furthermore, by disposing the gate driver circuit formed of the thin film transistor in the longitudinal direction of the flexible substrate, the gate driver circuit is not damaged even when the display device 100 is bent, and the yield is stabilized.

(実施形態2)
実施形態1においては、液晶表示部110は配置したディスプレイ装置100を例に説明したが、本実施形態においては、エレクトロルミネッセンス(Electro-Luminescence:EL)表示部210を配置したディスプレイ装置200について説明する。実施形態2においては、有機ELを例に説明するが、EL表示部210は無機ELであってもよい。
(Embodiment 2)
In the first embodiment, the liquid crystal display unit 110 has been described by taking the display device 100 as an example. In the present embodiment, the display device 200 in which an electroluminescence (EL) display unit 210 is disposed will be described. . In the second embodiment, an organic EL is described as an example, but the EL display unit 210 may be an inorganic EL.

ディスプレイ装置200において、データドライバ回路120及びゲートドライバ回路130は、実施形態1のディスプレイ装置100と同様の構成であるため、説明は省略する。EL表示部210の形成領域には、基材101の上部表面に平坦化層10、ゲート電極51、ゲート絶縁膜20、半導体層57、ソース電極53及びドレイン電極55、層間絶縁膜30が順次積層されてマトリクス状に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタの上方にドレイン電極55と接続された電極211が配置され、さらに、発光層213及び透明電極215が順次積層されて、EL表示部210を形成する。 In the display device 200, the data driver circuit 120 and the gate driver circuit 130 have the same configuration as that of the display device 100 of the first embodiment, and thus description thereof is omitted. In the formation region of the EL display unit 210, the planarization layer 10, the gate electrode 51, the gate insulating film 20, the semiconductor layer 57, the source electrode 53 and the drain electrode 55, and the interlayer insulating film 30 are sequentially stacked on the upper surface of the base material 101. Thus, a thin film transistor is formed in a matrix, an electrode 211 connected to the drain electrode 55 is disposed above the thin film transistor, and a light emitting layer 213 and a transparent electrode 215 are sequentially stacked to form an EL display unit 210.

EL表示部210は公知の有機EL表示装置と同様の構成であってよく、電極211には、電子が注入しやすい導電性材料を用い、金属材料、有機物、無機化合物から適宜選択される。例えば、単体としてAl、Cs、Er等、合金としてMgAg、AlLi、AlLi、AlMg、CsTe等、積層体としてCa/Al、Mg/Al、Li/Al、Cs/Al、CsO/Al、LiF/Al、ErF/Al等が挙げられる。また、透明電極115には、電子が注入しやすい導電性材料を用い、金属材料、有機物、無機化合物から適宜選択される。例えば、酸化スズ(Zinc oxide:ZnO)、酸化インジウムスズ(tin-doped indium oxide:ITO)、酸化インジウム亜鉛(indium zinc oxide:IZO)等を用いることができる。 The EL display unit 210 may have the same configuration as a known organic EL display device, and the electrode 211 is made of a conductive material that easily injects electrons, and is appropriately selected from a metal material, an organic material, and an inorganic compound. For example, Al, Cs, Er, etc. as a simple substance, MgAg, AlLi, AlLi, AlMg, CsTe, etc. as an alloy, Ca / Al, Mg / Al, Li / Al, Cs / Al, Cs 2 O / Al, LiF as a laminate / Al, ErF 3 / Al, and the like. The transparent electrode 115 is made of a conductive material that easily injects electrons, and is appropriately selected from metal materials, organic substances, and inorganic compounds. For example, tin oxide (Zinc oxide: ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like can be used.

発光層213の材料は、色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。また、金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体、イリジウム金属錯体、プラチナ金属錯体等、中心金属に、Al、Zn、Be、Ir、Pt等、またはTb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等が挙げられる。具体的には、トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム(Alq3)を用いることができる。また、高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体、およびそれらの共重合体等が挙げられる。また、上記の色素系材料および金属錯体系材料を高分子化したものでもよい。 The material of the light emitting layer 213 is, for example, a cyclopentadiene derivative, a tetraphenylbutadiene derivative, a triphenylamine derivative, an oxadiazole derivative, a pyrazoloquinoline derivative, a distyrylbenzene derivative, a distyrylarylene derivative, or a silole. Derivatives, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like. Examples of metal complex materials include aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazole zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, porphyrin zinc complexes, europium complexes, iridium metal complexes, platinum metal complexes, etc. The center metal has a rare earth metal such as Al, Zn, Be, Ir, Pt, etc., or Tb, Eu, Dy, etc., and the ligand is an oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure, etc. And metal complexes having Specifically, tris (8-hydroxyquinolinolato) aluminum (Alq 3 ) can be used. Examples of the polymer material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyvinylcarbazole, polyfluorenone derivatives, polyfluorene derivatives, polyquinoxaline derivatives, polydialkylfluorene derivatives. , And copolymers thereof. Moreover, what polymerized said pigment-type material and metal complex-type material may be used.

また、図示しないが、発光層213の上面にホール輸送層、下面に電子輸送層を形成してもよい。さらに、ホール輸送層の上面にホール注入層、電子輸送層の下面に電子注入層形成してもよく、これら以外の構成であってもよい。 Although not shown, a hole transport layer may be formed on the upper surface of the light emitting layer 213 and an electron transport layer may be formed on the lower surface. Furthermore, a hole injection layer may be formed on the upper surface of the hole transport layer, and an electron injection layer may be formed on the lower surface of the electron transport layer, or other configurations may be employed.

以上説明したように、本発明の本実施形態に係るディスプレイ装置200は、EL表示部210を駆動するディスプレイドライバ回路として、複雑な構造を有するデータドライバ回路にはシリコンICチップを用い、簡易な構造のゲートドライバ回路には薄膜トランジスタを用いることにより、ディスプレイ装置200の歩留まりを向上することができる優れた効果を奏する。また、ICチップを用いたデータドライバ回路をディスプレイ装置200が曲がり難い可撓性基板の短辺方向に配置することにより、ICチップの破損を抑制することができる。さらに、薄膜トランジスタにより形成したゲートドライバ回路を可撓性基板の長手方向に配置することにより、ディスプレイ装置200を曲げてもゲートドライバ回路が破損せず歩留まりが安定する。このようなディスプレイドライバ回路の構成は、ディスプレイ装置全体として可撓性を付与しやすい有機ELディスプレイには好適である。なお、本発明のディスプレイ装置200に制御回路とメモリ等を同一基材101上に配置して、情報記録媒体を構成してもよい。 As described above, the display device 200 according to this embodiment of the present invention uses a silicon IC chip for a data driver circuit having a complicated structure as a display driver circuit for driving the EL display unit 210, and has a simple structure. By using a thin film transistor for the gate driver circuit, the yield of the display device 200 can be improved. Further, by disposing the data driver circuit using the IC chip in the short side direction of the flexible substrate where the display device 200 is difficult to bend, the breakage of the IC chip can be suppressed. Furthermore, by disposing the gate driver circuit formed of the thin film transistor in the longitudinal direction of the flexible substrate, the gate driver circuit is not damaged even when the display device 200 is bent, and the yield is stabilized. Such a configuration of the display driver circuit is suitable for an organic EL display that easily imparts flexibility to the entire display device. Note that an information recording medium may be configured by arranging a control circuit, a memory, and the like on the same substrate 101 in the display device 200 of the present invention.

(実施形態3)
本実施形態においては、電子ペーパーへの適用例として、トナーディスプレイ方式の表示部310を配置したディスプレイ装置300について説明する。実施形態3においては、トナーディスプレイ方式を例に説明するが、表示部310はマイクロカプセル電気泳動方式ツイストボール方式または電子粉流体方式であってもよい。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a display device 300 provided with a toner display type display unit 310 will be described as an example of application to electronic paper. In the third embodiment, a toner display method will be described as an example, but the display unit 310 may be a microcapsule electrophoresis twist ball method or an electronic powder fluid method.

ディスプレイ装置300において、データドライバ回路120及びゲートドライバ回路130は、実施形態1のディスプレイ装置100と同様の構成であるため、説明は省略する。表示部310の形成領域には、基材101の上部表面に平坦化層10、ゲート電極51、ゲート絶縁膜20、半導体層57、ソース電極53及びドレイン電極55、層間絶縁膜30が順次積層されてマトリクス状に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタの上方にドレイン電極55と接続された電極311が配置され、さらに、絶縁層317、トナー層313、絶縁層317、及び透明電極315が順次積層されて、表示部310を形成する。また、表示部310は、これら以外の構成であってもよい。 In the display device 300, the data driver circuit 120 and the gate driver circuit 130 have the same configuration as that of the display device 100 of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. In the formation region of the display portion 310, the planarization layer 10, the gate electrode 51, the gate insulating film 20, the semiconductor layer 57, the source electrode 53 and the drain electrode 55, and the interlayer insulating film 30 are sequentially stacked on the upper surface of the base material 101. A thin film transistor is formed in a matrix shape, an electrode 311 connected to the drain electrode 55 is disposed above the thin film transistor, and an insulating layer 317, a toner layer 313, an insulating layer 317, and a transparent electrode 315 are sequentially stacked, A display unit 310 is formed. Further, the display unit 310 may have a configuration other than these.

表示部310は公知の電子ペーパー型と同様の構成であってよく、電極311及び透明電極315は、透明な導電性材料で形成され、例えば、酸化インジウム、アルミニウム、金、銀、銅等の金属類、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子類が挙げられる。 The display unit 310 may have the same configuration as a known electronic paper type, and the electrode 311 and the transparent electrode 315 are formed of a transparent conductive material, for example, a metal such as indium oxide, aluminum, gold, silver, or copper. , Conductive polymers such as polyaniline, polypyrrole and polythiophene.

絶縁層317には可撓性のある材料が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、アクリルなどのポリマーシートが挙げられる。 The insulating layer 317 is preferably a flexible material, and examples thereof include polymer sheets such as polyethylene terephthalate, polyethersulfone, polyethylene, polycarbonate, polyimide, and acrylic.

トナー層313に用いる粒子は、帯電性能を有する材料を用い、例えば、樹脂、荷電制御剤、着色剤、無機添加剤等、あるいは、着色剤単独等が挙げられる。樹脂であれば、ウレタン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリルウレタンシリコーン樹脂、アクリルウレタンフッ素樹脂、アクリルフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリルシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレンアクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ブチラール樹脂、塩化ビニリデン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられ、2種以上混合することもできる。また、荷電制御剤であれば、負荷電制御剤としては例えば、サリチル酸金属錯体、含金属アゾ染料、含金属(金属イオンや金属原子を含む)の油溶性染料、4級アンモニウム塩系化合物、カリックスアレン化合物、含ホウ素化合物(ベンジル酸ホウ素錯体)、ニトロイミダゾール誘導体等が挙げられる。正荷電制御剤としては例えば、ニグロシン染料、トリフェニルメタン系化合物、4級アンモニウム塩系化合物、ポリアミン樹脂、イミダゾール誘導体等が挙げられる。その他、超微粒子シリカ、超微粒子酸化チタン、超微粒子アルミナ等の金属酸化物、ピリジン等の含窒素環状化合物及びその誘導体や塩、各種有機顔料、フッ素、塩素、窒素等を含んだ樹脂等も荷電制御剤として用いることができる。また、着色剤であれば、黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化銅、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等がある。黄色顔料としては、黄鉛、亜鉛黄、カドミウムイエロー、黄色酸化鉄、ミネラルファーストイエロー、ニッケルチタンイエロー、ネーブルイエロー、ナフトールイエローS、ハンザイエローG、ハンザイエロー10G、ベンジジンイエローG、ベンジジンイエローGR、キノリンイエローレーキ、パーマネントイエローNCG、タートラジンレーキ等がある。橙色顔料としては、赤色黄鉛、モリブデンオレンジ、パーマネントオレンジGTR、ピラゾロンオレンジ、バルカンオレンジ、インダスレンブリリアントオレンジRK、ベンジジンオレンジG、インダスレンブリリアントオレンジGK等がある。赤色顔料としては、ベンガラ、カドミウムレッド、鉛丹、硫化水銀、カドミウム、パーマネントレッド4R、リソールレッド、ピラゾロンレッド、ウォッチングレッド、カルシウム塩、レーキレッドD、ブリリアントカーミン6B、エオシンレーキ、ローダミンレーキB、アリザリンレーキ、ブリリアントカーミン3B等がある。紫色顔料としては、マンガン紫、ファーストバイオレットB、メチルバイオレットレーキ等がある。青色顔料としては、紺青、コバルトブルー、アルカリブルーレーキ、ビクトリアブルーレーキ、フタロシアニンブルー、無金属フタロシアニンブルー、フタロシアニンブルー部分塩素化物、ファーストスカイブルー、インダスレンブルーBC等がある。緑色顔料としては、クロムグリーン、酸化クロム、ピグメントグリーンB、マラカイトグリーンレーキ、ファイナルイエローグリーンG等がある。白色顔料としては、亜鉛華、酸化チタン、アンチモン白、硫化亜鉛等がある。体質顔料としては、バライト粉、炭酸バリウム、クレー、シリカ、ホワイトカーボン、タルク、アルミナホワイト等がある。また、塩基性、酸性、分散、直接染料等の各種染料として、ニグロシン、メチレンブルー、ローズベンガル、キノリンイエロー、ウルトラマリンブルー等がある。これらの着色剤は、単独或いは複数組み合わせて用いてもよい。 As the particles used for the toner layer 313, a material having charging performance is used, and examples thereof include a resin, a charge control agent, a colorant, an inorganic additive, and the like, or a colorant alone. If it is resin, urethane resin, urea resin, acrylic resin, polyester resin, acrylic urethane resin, acrylic urethane silicone resin, acrylic urethane fluororesin, acrylic fluororesin, silicone resin, acrylic silicone resin, epoxy resin, polystyrene resin, styrene acrylic Resins, polyolefin resins, butyral resins, vinylidene chloride resins, melamine resins, phenol resins, fluororesins, polycarbonate resins, polysulfone resins, polyether resins, polyamide resins and the like can be mentioned, and two or more kinds can be mixed. In the case of a charge control agent, examples of the negative charge control agent include salicylic acid metal complexes, metal-containing azo dyes, metal-containing (including metal ions and metal atoms) oil-soluble dyes, quaternary ammonium salt compounds, calixes. Examples include allene compounds, boron-containing compounds (benzyl acid boron complexes), and nitroimidazole derivatives. Examples of the positive charge control agent include nigrosine dyes, triphenylmethane compounds, quaternary ammonium salt compounds, polyamine resins, imidazole derivatives, and the like. In addition, metal oxides such as ultrafine silica, ultrafine titanium oxide, ultrafine alumina, nitrogen-containing cyclic compounds such as pyridine and derivatives and salts thereof, various organic pigments, resins containing fluorine, chlorine, nitrogen, etc. are also charged. It can be used as a control agent. In the case of a colorant, examples of black pigments include carbon black, copper oxide, manganese dioxide, aniline black, and activated carbon. Yellow pigments include yellow lead, zinc yellow, cadmium yellow, yellow iron oxide, mineral first yellow, nickel titanium yellow, navel yellow, naphthol yellow S, Hansa yellow G, Hansa yellow 10G, benzidine yellow G, benzidine yellow GR, quinoline There are yellow rake, permanent yellow NCG, tartrage rake and so on. Examples of the orange pigment include red yellow lead, molybdenum orange, permanent orange GTR, pyrazolone orange, Vulcan orange, indanthrene brilliant orange RK, benzidine orange G, and indanthrene brilliant orange GK. Examples of red pigments include bengara, cadmium red, red lead, mercury sulfide, cadmium, permanent red 4R, risol red, pyrazolone red, watching red, calcium salt, lake red D, brilliant carmine 6B, eosin lake, rhodamine lake B, alizarin. Rake, Brilliant Carmine 3B, etc. Examples of purple pigments include manganese purple, first violet B, and methyl violet lake. Examples of blue pigments include bitumen, cobalt blue, alkali blue lake, Victoria blue lake, phthalocyanine blue, metal-free phthalocyanine blue, partially chlorinated phthalocyanine blue, first sky blue, and indanthrene blue BC. Examples of the green pigment include chrome green, chromium oxide, pigment green B, malachite green lake, final yellow green G, and the like. Examples of white pigments include zinc white, titanium oxide, antimony white, and zinc sulfide. Examples of extender pigments include barite powder, barium carbonate, clay, silica, white carbon, talc, and alumina white. Examples of various dyes such as basic, acidic, disperse, and direct dyes include nigrosine, methylene blue, rose bengal, quinoline yellow, and ultramarine blue. These colorants may be used alone or in combination.

以上説明したように、本発明の本実施形態に係るディスプレイ装置300は、また、表示部310を駆動するディスプレイドライバ回路として、複雑な構造を有するデータドライバ回路にはシリコンICチップを用い、簡易な構造のゲートドライバ回路には薄膜トランジスタを用いることにより、ディスプレイ装置300の歩留まりを向上することができる優れた効果を奏する。また、ICチップを用いたデータドライバ回路をディスプレイ装置300が曲がり難い可撓性基板の短辺方向に配置することにより、ICチップの破損を抑制することができる。さらに、薄膜トランジスタにより形成したゲートドライバ回路を可撓性基板の長手方向に配置することにより、ディスプレイ装置300を曲げてもゲートドライバ回路が破損せず歩留まりが安定する。このようなディスプレイドライバ回路の構成は、ディスプレイ装置全体として可撓性を付与しやすい電子ペーパーには好適である。なお、本発明のディスプレイ装置300に制御回路とメモリ等を同一基材101上に配置して、情報記録媒体を構成してもよい。 As described above, the display device 300 according to the embodiment of the present invention uses a silicon IC chip for a data driver circuit having a complicated structure as a display driver circuit for driving the display unit 310, and is simple. By using a thin film transistor for the gate driver circuit having the structure, the yield of the display device 300 can be improved. Further, by disposing the data driver circuit using the IC chip in the short side direction of the flexible substrate where the display device 300 is difficult to bend, the breakage of the IC chip can be suppressed. Further, by disposing the gate driver circuit formed of the thin film transistor in the longitudinal direction of the flexible substrate, even if the display device 300 is bent, the gate driver circuit is not damaged and the yield is stabilized. Such a configuration of the display driver circuit is suitable for electronic paper that easily imparts flexibility to the entire display device. Note that an information recording medium may be configured by arranging a control circuit, a memory, and the like on the same base material 101 in the display device 300 of the present invention.

10 平坦化層、20 ゲート絶縁膜、30 層間絶縁膜、51 ゲート電極、53 ソース電極、55 ドレイン電極、57 半導体層、100 ディスプレイ装置、101 基材、110 表示部、111 透明電極、113 液晶層、115 透明電極、117 配向膜、120 データドライバ回路、130 ゲートドライバ回路、131 パッド、133 バンプ、135 電極、137 ICチップ、140 配線、200 ディスプレイ装置、211 電極、213 発光層、215 透明電極、300 ディスプレイ装置、311 下部電極、313 粒子層、315 透明電極、317 絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Planarization layer, 20 Gate insulating film, 30 Interlayer insulating film, 51 Gate electrode, 53 Source electrode, 55 Drain electrode, 57 Semiconductor layer, 100 Display apparatus, 101 Base material, 110 Display part, 111 Transparent electrode, 113 Liquid crystal layer 115 transparent electrode, 117 alignment film, 120 data driver circuit, 130 gate driver circuit, 131 pad, 133 bump, 135 electrode, 137 IC chip, 140 wiring, 200 display device, 211 electrode, 213 light emitting layer, 215 transparent electrode, 300 display device, 311 lower electrode, 313 particle layer, 315 transparent electrode, 317 insulating layer

Claims (4)

第1の方向の辺と、前記第1の方向の辺より長い第2の方向の辺からなる平面を有する基材と、
前記基材上の表示部と、
前記基材上の前記表示部を駆動するディスプレイドライバ回路であって、薄膜トランジスタを用いて構成したゲートドライバ回路と、半導体基板に形成した集積回路で構成したデータドライバ回路と、を有するディスプレイドライバ回路と、
を有するディスプレイ装置であって、
前記データドライバ回路は、前記基材の前記第1の方向の辺に沿って配置され、且つ、前記ゲートドライバ回路は、前記基材の前記第2の方向の辺に沿って配置されることを特徴とするディスプレイ装置。
A substrate having a plane composed of a side in the first direction and a side in the second direction longer than the side in the first direction;
A display on the substrate;
A display driver circuit for driving the display unit on the substrate, comprising: a gate driver circuit configured using thin film transistors; and a data driver circuit configured by an integrated circuit formed on a semiconductor substrate; ,
A display device comprising:
The data driver circuit is disposed along a side of the base in the first direction, and the gate driver circuit is disposed along a side of the base in the second direction. A display device.
前記薄膜トランジスタは酸化物半導体を用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ装置。 The display device according to claim 1, wherein the thin film transistor is formed using an oxide semiconductor. 前記基材がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載のディスプレイ装置。 The display device according to claim 1, wherein the base material is a flexible substrate. 請求項1乃至3の何れかに記載のディスプレイ装置と、
情報を記録するメモリと、
前記メモリを制御するメモリ制御回路と、
を有する情報記録媒体。
A display device according to any one of claims 1 to 3,
A memory for recording information;
A memory control circuit for controlling the memory;
An information recording medium having:
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