JP2012064277A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1電極2と、第1電極2より仕事関数の大きい第2電極3、両電極の間に介装された可変抵抗体4を備え、一方の電極が可変抵抗体4とオーミック接合し、他方の電極が可変抵抗体4と非オーミック接合し両電極間に電圧印加することで抵抗状態が2以上の異なる抵抗状態間で遷移する可変抵抗素子1と、第1電極2を基準として第2電極3に正または負の書き込み電圧を選択的に印加することで、可変抵抗素子1の抵抗状態を低抵抗状態から高抵抗状態または高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移させる書き込み動作を実行する書き込み回路と、第1電極2を基準として第2電極3に正の読み出し電圧を印加することで、第2電極3から第1電極2に向けて流れる電流を検知して可変抵抗素子1の抵抗状態を判定する読み出し回路を備えてなる。
【選択図】 図1
Description
第1電極と、前記第1電極より仕事関数の大きい第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に介装された可変抵抗体を備え、前記第1電極と前記第2電極の一方が前記可変抵抗体とオーミック接合を形成する導電性材料で形成され、他方が前記可変抵抗体と非オーミック接合を形成する導電性材料で形成され、前記第1電極と前記第2電極間に電圧を印加することにより抵抗状態が2以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の抵抗状態を不揮発的に保持する可変抵抗素子と、
前記第1電極を基準として前記第2電極に正極性または負極性の書き込み電圧を選択的に印加することで、前記可変抵抗素子の抵抗状態を低抵抗状態から高抵抗状態へ遷移させる高抵抗化動作と高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移させる低抵抗化動作の何れか一方の書き込み動作を実行する書き込み回路と、
前記第1電極を基準として前記第2電極に前記正極性の書き込み電圧より低電圧の正極性の読み出し電圧を印加することで、前記第2電極から前記第1電極に向けて流れる電流を検知して前記可変抵抗素子の抵抗状態を判定する読み出し動作を実行する読み出し回路と、を備えてなることを第1の特徴とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。
前記メモリセルアレイ内の前記書き込み動作または前記読み出し動作の対象となる選択メモリセルの前記第1端子が接続する前記行選択線を選択行線として選択する行選択回路と、前記選択メモリセルの前記第2端子が接続する前記列選択線を選択列線として選択する列選択回路を備え、
前記書き込み回路が、前記書き込み動作時において、前記選択行線を基準として正極性または負極性の前記書き込み電圧を前記列選択線に印加し、
前記読み出し回路が、前記読み出し動作時において、前記選択行線を基準として正極性の前記読み出し電圧を前記列選択線に印加することが好ましい。
前記メモリセルアレイ内の前記書き込み動作または前記読み出し動作の対象となる選択メモリセルの前記制御端子が接続する前記行選択線を選択行線として選択する行選択回路と、前記選択メモリセルの前記第2端子が接続する前記列選択線を選択列線として選択する列選択回路を備え、
前記書き込み回路が、前記書き込み動作時において、前記選択行線に前記選択メモリセルの前記選択トランジスタのソース・ドレイン間を導通状態とする書き込みゲート電圧を印加するとともに、前記選択メモリセルの前記第1端子に接続する前記基準電位線を基準として正極性または負極性の前記書き込み電圧を前記列選択線に印加し、
前記読み出し回路が、前記読み出し動作時において、前記選択行線に前記選択メモリセルの前記選択トランジスタのソース・ドレイン間を導通状態とする読み出しゲート電圧を印加するとともに、前記選択メモリセルの前記第1端子に接続する前記基準電位線を基準として正極性の前記読み出し電圧を前記列選択線に印加することが好ましい。
第1実施形態では、2端子型のメモリセルが、一例として、図1に示す可変抵抗素子1だけで構成される場合を説明する。
第2実施形態では、3端子型のメモリセル6が、一例として、図8に示すように、図1に示す可変抵抗素子1と選択トランジスタ7の直列回路で構成される場合を説明する。より具体的には、選択トランジスタ7は、ソース及びドレインの導電型がN型で閾値電圧が正電圧(例えば+0.1V〜+1.5V程度)のエンハンスメント型のNチャンネルMOSFETで構成され、可変抵抗素子1の第1電極2と選択トランジスタ7のドレインが接続している。
2: 第1電極
3: 第2電極
4: 可変抵抗体
5: 2端子型のメモリセル
6: 3端子型のメモリセル
7: 選択トランジスタ
10,20: メモリセルアレイ
11,21: ビット線デコーダ(列選択回路)
12,22: ワード線デコーダ(行選択回路)
13,23: 電圧スイッチ回路
14,24: 読み出し回路
15,25: 電圧発生回路
16,26: 制御回路
17,27: アドレス線
18,28: データ線
19,29: 制御信号線
BL1〜BLm: ビット線(列選択線)
WL1〜WLn: ワード線(行選択線)
SL: ソース線(基準電位線)
Vcc: 電源電圧
Vss: 接地電圧
Vpp1,Vpp2: 書き込み電圧
Vpd1: 書き込み阻止電圧
Vrd: 読み出し電圧
Vpg1,Vpg2: 書き込みゲート電圧
Vrg: 読み出しゲート電圧
Claims (7)
- 第1電極と、前記第1電極より仕事関数の大きい第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に介装された可変抵抗体を備え、前記第1電極と前記第2電極の一方が前記可変抵抗体とオーミック接合を形成する導電性材料で形成され、他方が前記可変抵抗体と非オーミック接合を形成する導電性材料で形成され、前記第1電極と前記第2電極間に電圧を印加することにより抵抗状態が2以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の抵抗状態を不揮発的に保持する可変抵抗素子と、
前記第1電極を基準として前記第2電極に正極性または負極性の書き込み電圧を選択的に印加することで、前記可変抵抗素子の抵抗状態を低抵抗状態から高抵抗状態へ遷移させる高抵抗化動作と高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移させる低抵抗化動作の何れか一方の書き込み動作を実行する書き込み回路と、
前記第1電極を基準として前記第2電極に前記正極性の書き込み電圧より低電圧の正極性の読み出し電圧を印加することで、前記第2電極から前記第1電極に向けて流れる電流を検知して前記可変抵抗素子の抵抗状態を判定する読み出し動作を実行する読み出し回路と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記可変抵抗体がn型の金属酸化物で形成され、
前記第1電極が前記可変抵抗体とオーミック接合を形成する第1の導電性材料で形成され、
前記第2電極が前記可変抵抗体と非オーミック接合を形成する第2の導電性材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記書き込み回路が、前記高抵抗化動作時に、前記第1電極を基準として前記第2電極に前記正極性の書き込み電圧を印加し、前記低抵抗化動作時に、前記第1電極を基準として前記第2電極に前記負極性の書き込み電圧を印加するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記可変抵抗体が、Ti,Ta,Hf,Zrの中から選択される金属の酸化物を含んでなることを特徴とする請求項2または3に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記可変抵抗素子を備えた2端子型のメモリセルが、互いに直交する行方向と列方向に夫々複数、マトリクス状に配置されてメモリセルアレイを構成し、
同一行に配置された前記メモリセルの前記第1電極側の第1端子が夫々共通の行選択線に接続し、
同一列に配置された前記メモリセルの前記第2電極側の第2端子が夫々共通の列選択線に接続し、
前記メモリセルアレイ内の前記書き込み動作または前記読み出し動作の対象となる選択メモリセルの前記第1端子が接続する前記行選択線を選択行線として選択する行選択回路と、前記選択メモリセルの前記第2端子が接続する前記列選択線を選択列線として選択する列選択回路を備え、
前記書き込み回路が、前記書き込み動作時において、前記選択行線を基準として正極性または負極性の前記書き込み電圧を前記列選択線に印加し、
前記読み出し回路が、前記読み出し動作時において、前記選択行線を基準として正極性の前記読み出し電圧を前記列選択線に印加することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記可変抵抗素子の前記第1電極または前記第2電極と選択トランジスタのソースまたはドレインを接続した直列回路を備え、前記直列回路の両端の内、前記第1電極側を第1端子とし、前記第2電極側を第2端子とし、前記選択トランジスタのゲートを制御端子とする3端子型のメモリセルが、互いに直交する行方向と列方向に夫々複数、マトリクス状に配置されてメモリセルアレイを構成し、
同一行に配置された前記メモリセルの前記制御端子が夫々共通の行選択線に接続し、
同一列に配置された前記メモリセルの前記第2端子が夫々共通の列選択線に接続し、
少なくとも同一行または同一列に配置された前記メモリセルの前記第1端子が夫々共通の基準電位線に接続し、
前記メモリセルアレイ内の前記書き込み動作または前記読み出し動作の対象となる選択メモリセルの前記制御端子が接続する前記行選択線を選択行線として選択する行選択回路と、前記選択メモリセルの前記第2端子が接続する前記列選択線を選択列線として選択する列選択回路を備え、
前記書き込み回路が、前記書き込み動作時において、前記選択行線に前記選択メモリセルの前記選択トランジスタのソース・ドレイン間を導通状態とする書き込みゲート電圧を印加するとともに、前記選択メモリセルの前記第1端子に接続する前記基準電位線を基準として正極性または負極性の前記書き込み電圧を前記列選択線に印加し、
前記読み出し回路が、前記読み出し動作時において、前記選択行線に前記選択メモリセルの前記選択トランジスタのソース・ドレイン間を導通状態とする読み出しゲート電圧を印加するとともに、前記選択メモリセルの前記第1端子に接続する前記基準電位線を基準として正極性の前記読み出し電圧を前記列選択線に印加することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記書き込み回路が、前記書き込み動作時において、書き込み対象でない前記可変抵抗素子に対して、前記第1電極を基準として前記第2電極に負極性の電圧を印加しないことを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010208777A JP2012064277A (ja) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | 不揮発性半導体記憶装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010208777A JP2012064277A (ja) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | 不揮発性半導体記憶装置 |
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Family Applications (1)
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JP2010208777A Pending JP2012064277A (ja) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101415357B1 (ko) | 2011-10-07 | 2014-07-04 | 엘피다 메모리 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치 및 반도체 장치 |
CN104766627A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-07-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抗读干扰的阻变存储器读方法 |
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JP2007193878A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリ装置,および電気素子の再生電圧極性決定方法 |
JP2008016854A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子 |
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-
2010
- 2010-09-17 JP JP2010208777A patent/JP2012064277A/ja active Pending
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