JP2012047579A - Ceramic wiring board for probe card and probe card employing the same - Google Patents

Ceramic wiring board for probe card and probe card employing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2012047579A
JP2012047579A JP2010189602A JP2010189602A JP2012047579A JP 2012047579 A JP2012047579 A JP 2012047579A JP 2010189602 A JP2010189602 A JP 2010189602A JP 2010189602 A JP2010189602 A JP 2010189602A JP 2012047579 A JP2012047579 A JP 2012047579A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
probe card
sintered body
wiring board
mullite
surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010189602A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuya Furukubo
Katsuhito Mori
Tooru Nakayama
Koji Yamamoto
徹 仲山
有哉 古久保
浩司 山本
克仁 森
Original Assignee
Kyocera Corp
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic wiring board for probe card in which an insulation substrate is minute and which has a thermal expansion coefficient close to a Si wafer, and a probe card which can be appropriately used for inspecting electric characteristics by reducing a position deviation between a measuring terminal provided on the ceramic wiring board for probe card and a measuring pad formed on a surface of the Si wafer during a thermal load test.SOLUTION: A ceramic wiring board for probe card includes an insulation substrate comprised of a mullite sintered compact and an inner wiring layer formed inside the insulation substrate. The mullite sintered compact contains at least Mn, Ti and Mg and a maximum pore diameter of the mullite sintered compact is 20 μm or less.

Description

本発明は、半導体ウェハの電気特性を測定するための微細な配線を備えたプローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカードに関するものである。 The present invention relates to a probe card using the ceramic wiring board and this probe card having fine wiring for measuring electrical characteristics of a semiconductor wafer.

Siウェハ等の半導体ウェハに多数個同時に形成される大規模集積回路を有する半導体素子には、異物の付着などに起因する電気不良等によって、ほぼ一定の割合で電気的接続および電気特性の不良品が含まれている。 The semiconductor device having a large-scale integrated circuits plurality simultaneously formed on a semiconductor wafer such as a Si wafer by an electrical failure or the like due like adhesion of foreign matters, defective electrical connections and electrical properties substantially constant rate It is included.

上記半導体素子の不良品を検出するものとして、半導体ウエハの状態のまま同時に多数の半導体素子の電気特性を一括して検査することができるプローブカードが知られている(例えば、特許文献1を参照)。 As to detect the defective products of the semiconductor element, a probe card that can be collectively inspecting the electrical characteristics of many simultaneous semiconductor element in the state of the semiconductor wafer is known (e.g., see Patent Document 1 ).

このプローブカードは、アルミナ質焼結体からなる絶縁基体の主面および内部に微細な配線が形成されている配線基板と、この配線基板の表面に精度よく配置された複数のプローブピンと呼ばれる測定端子とを含んでおり、このプローブピンを多数の半導体素子の端子にあてて、電圧をかけたときの出力を測定して期待値と比較することで、多数の半導体素子の良否を一括して判定するものである。 The probe card is measured terminal called a wiring board fine wiring main surface and in the interior of the insulating base made of alumina sintered body is formed, a plurality of probe pins disposed precisely on the surface of the wiring substrate includes the door, place the probe pins to the terminals of a number of semiconductor elements, it is compared with the expected value by measuring the output when a voltage is applied, determined collectively the quality of a large number of semiconductor elements it is intended to.

近年、半導体素子に形成された集積回路の配線の微細化に伴って、プローブカードの単位面積当たりのプローブピン数を多くすることが求められ、またプローブカード用セラミック配線基板に形成される配線もより微細化することが求められている。 In recent years, with miniaturization of the wiring of an integrated circuit formed on the semiconductor element, it is required to increase the number of probe pins per unit area of ​​the probe card, and also wiring to be formed on the ceramic wiring board probe card there is a demand for finer.

ところが、配線の微細化、すなわち線幅を狭くすることにより、配線抵抗が増大して電気信号の遅延が生じ、集積回路の動作状態について正しく判断できず、検査ミスにつながるという問題があった。 However, the miniaturization of the wiring, i.e., by narrowing the line width, the delay of the electric signal wiring resistance increases occurs, it can not properly determine the operation state of the integrated circuit, there is a problem that leads to the inspection error.

そこで、配線として、Cu、Ag、Auなどの低抵抗金属を用いることが考えられるが、これらの低抵抗金属は融点が低いため、低抵抗金属のみではアルミナ質焼結体との同時焼成ができない。 Therefore, as the wiring, Cu, Ag, it is conceivable to use a low-resistance metal such as Au, for these low resistance metals is low melting point, with only low resistance metal can not be co-fired with the alumina sintered body .

これに対し、本出願人は、アルミナ質焼結体からなる絶縁基体の内部にCu、Ag、Auなどの低抵抗金属とMo、Wなどの高融点金属との複合金属を主成分とする配線を形成したプローブカード用セラミック配線基板を提案した(例えば、特許文献2を参照)。 In contrast, the present applicant, Cu in the insulating substrate made of alumina sintered body, Ag, low-resistance metal and Mo, such as Au, wirings mainly containing composite metal with a high melting point metal such as W proposed the formed ceramic wiring board probe card (for example, see Patent Document 2).

このプローブカード用セラミック配線基板は、具体的には、MnおよびSiを焼結助剤として含有させることにより、従来のアルミナ質焼結体からなる絶縁基体を有する配線基板よりも200℃以上低い1500℃以下の温度で焼成できるようにしたことから、上記低抵抗金属および高融点金属の複合金属を主成分として含む配線を同時焼成により形成することを可能にしたものである。 Ceramic wiring board for this probe card is specifically, by incorporating Mn and Si as a sintering aid, 200 ° C. or higher than the wiring board having an insulating substrate made of conventional alumina sintered body lower 1500 ℃ from what has to be able to calcination at a temperature, in which it possible to form a co-firing the wiring including the composite metal of the low resistance metal and the refractory metal as the main component.

特開平11−160356号 Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-160356 特開2009−180518号 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-180518

しかしながら、絶縁基体を特許文献2に記載のアルミナ質焼結体で形成したプローブカード用セラミック配線基板は、絶縁基体の熱膨張係数が、やはりアルミナ質焼結体の熱膨張係数(6〜7×10 −6 /℃)に近いことから、検査対象であるSiウエハの熱膨張係数(3〜4×10 −6 /℃)との差が大きく、そのため、半導体素子の電気特性の測定前に行う熱負荷試験(バーンイン試験)時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子(プローブピン)がSiウエハの表面に形成された測定パッドの位置からずれて電気特性の検査を行えないという問題があった。 However, the ceramic wiring board probe card formed by alumina sintered body according to the insulating base in Patent Document 2, the thermal expansion coefficient of the insulating substrate, also the thermal expansion coefficient of the alumina sintered body (6 to 7 × from close to 10 -6 / ° C.), the difference between the thermal expansion coefficient of the Si wafer to be inspected (3~4 × 10 -6 / ℃) is large, therefore, carried out before the measurement of the electrical characteristics of a semiconductor element during the heat load test (burn-in test), it can not be performed inspection of electrical characteristics is deviated from the position of the measuring pads measuring terminals provided on the ceramic wiring board probe card (probe pin) formed on the surface of the Si wafer there was a problem.

また、アルミナ質焼結体からなる絶縁基体の内部にCu、Ag、Auなどの低抵抗金属とMo、Wなどの高融点金属との複合金属を主成分とする配線を形成し、同時焼成して得られるプローブカード用セラミック配線基板では、配線として上記のような低融点金属を含む複合金属を用いることから、プローブカード用セラミック配線基板を製造する際の焼成温度を、低融点金属を含まない配線との同時焼成の温度よりも低い温度で焼成する必要があり、このため絶縁基体の緻密化が困難になることから、絶縁基体には気孔が形成されやすくなる。 Further, to form a wiring consisting mainly of composite metal in the insulating substrate made of alumina sintered body Cu, Ag, low-resistance metal and Mo, such as Au, a refractory metal such as W, cofired Te the ceramic wiring board probe card obtainable, from using a composite metal comprising a low melting point metal such as described above as a wiring, the baking temperature for producing a ceramic wiring board probe card free of low melting point metal must be fired at a lower temperature than the temperature of the co-firing of the wiring, since the densification of this for the insulating base is difficult, it tends to be pores are formed in the insulating substrate. 次に、このような絶縁基体の表面または内部に配線を形成すると、気孔を覆うように形成された配線に、気孔に起因した欠けなどの欠陥が生じやすくなり、結果的に、配線の抵抗が増大するという問題があった。 Next, when forming a wiring on the surface or inside of such an insulating substrate, a wiring formed so as to cover the pores, likely defects such as chipping due to pores occurs, as a result, resistance of the wiring is there is a problem that increases.

従って、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、絶縁基体が緻密であり、かつSiウエハに近い熱膨張係数を有するプローブカード用セラミック配線基板および熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、電気特性の検査時に好適に使用できるプローブカードを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention has been made in view of such circumstances, the insulating substrate is dense, and at the time of the ceramic wiring board and the heat load test probe card has a thermal expansion coefficient close to the Si wafer, the probe aims to positional deviation between the measured pad formed on the surface of the measurement terminal and the Si wafer provided on a ceramic wiring board card is small, to provide a probe card which can be suitably used for the inspection of the electrical characteristics.

本発明のプローブカード用セラミック配線基板は、ムライト質焼結体からなる絶縁基体と、該絶縁基体の内部に形成された内部配線層とを備えてなり、前記ムライト質焼結体は、少なくともMnとTiとMgとを含有するとともに、最大気孔径が20μm以下であることを特徴とする。 Ceramic wiring board for probe card of the present invention comprises comprises an insulating base made of mullite sintered body, and an inner wiring layer formed inside the insulating substrate, wherein the mullite sintered body, at least Mn with containing Ti and Mg and, wherein the maximum pore diameter is 20μm or less.

上記プローブカード用セラミック配線基板では、前記ムライト質焼結体は、前記ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、前記MnをMn 換算で1〜7質量部、前記TiをTiO 換算で2〜10質量部、前記MgをMgO換算で0.05〜3質量部含み、ムライト粒子間にMnTiO 結晶相を有することが望ましい。 The ceramic wiring substrate for a probe card, the mullite sintered body, when the total amount of Al and the terms of Al 2 O 3 and Si SiO 2 in terms contained in the mullite sintered material and 100 parts by weight to, MnTiO the Mn 1 to 7 parts by mass of Mn 2 O 3 in terms of the 2 to 10 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, the Mg comprises from 0.05 to 3 parts by weight in terms of MgO, between mullite grains it is desirable to have a 3 crystal phase.

また、上記プローブカード用セラミック配線基板では、前記ムライト質焼結体は、前記ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、前記MgをMgO換算で0.05〜1質量部含有するとともに、ムライト粒子間に、非晶質相と該非晶質相の周囲に存在する前記MnTiO 結晶相とを有することが望ましい。 Further, in the ceramic wiring substrate for a probe card, the mullite sintered body, a total amount of SiO 2 in terms of Al the terms of Al 2 O 3 and Si contained in the mullite sintered material and 100 parts by weight when, the Mg with containing 0.05 parts by weight in terms of MgO, between mullite particles, to have said MnTiO 3 crystalline phase present around the amorphous phase and amorphous phase desirable.

また、上記プローブカード用セラミック配線基板では、前記ムライト質焼結体は、Naを含み、前記ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、前記MnをMn 換算で3〜7質量部、前記TiをTiO 換算で2〜4質量部、前記MgをMgO換算で1〜3質量部、前記NaをNa O換算で0.5〜3質量部含み、かつムライト粒子間にMnTiO 結晶相を有することが望ましい。 Further, in the ceramic wiring substrate for a probe card, the mullite sintered body comprises Na, the total amount of Al and the terms of Al 2 O 3 and Si SiO 2 in terms contained in the mullite sintered material is 100 parts by mass, the 3-7 parts by mass Mn 2 O 3 in terms of the Mn, the 2-4 parts by weight in terms of TiO 2 and Ti, 1 to 3 parts by mass of the Mg in terms of MgO, the Na hints 0.5-3 parts by mass terms of Na 2 O, and it is desirable to have a MnTiO 3 crystal phase between the mullite grains.

本発明のプローブカードは、上記のプローブカード用セラミック配線基板の表面に表面配線層が設けられており、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子が接続されてなることを特徴とする。 The probe card of the present invention is a surface wiring layer is provided on the surface of the ceramic wiring substrate for a probe card, the measurement terminals for measuring the electrical characteristics of a semiconductor element to the surface wiring layer which are connected the features.

本発明によれば、絶縁基体が緻密であり、かつSiウエハに近い熱膨張係数を有するプローブカード用セラミック配線基板および熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、電気特性の検査時に好適に使用できるプローブカードを得ることができる。 According to the present invention, the insulating substrate is dense, and at the time of the ceramic wiring board and the heat load test probe card has a thermal expansion coefficient close to the Si wafer, the measurement terminal and Si provided on the ceramic wiring board probe card positional deviation between the measured pad formed on the surface of the wafer is small, it is possible to obtain a probe card that can be suitably used for the inspection of the electrical characteristics.

本発明のプローブカード用セラミック配線基板の一実施形態の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a ceramic wiring substrate for probe card of the present invention. 本実施形態のプローブカード用配線基板を構成する絶縁基体であるムライト質焼結体の断面模式図である。 It is a schematic cross-sectional view of a mullite sintered body is an insulating substrate constituting the wiring board for probe card of the present embodiment. 本発明のプローブカードの一実施形態を用いた半導体素子の評価装置の説明図である。 Is an illustration of apparatus for evaluating a semiconductor device using an embodiment of a probe card of the present invention.

本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明のプローブカード用セラミック配線基板の一実施形態の概略断面図である。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a ceramic wiring substrate for probe card of the present invention. 図1に示すプローブカード用セラミック配線基板1は、セラミック焼結体からなる絶縁基体11と、絶縁基体11の内部に形成された内部配線層12と、絶縁基体11の表面に形成された表面配線層13とを備えており、その絶縁基体11の内部における内部配線層12同士または内部配線層12と表面配線層13とを電気的に接続するビアホール導体14とを有している。 Ceramic wiring substrate 1 probe card shown in FIG. 1 includes an insulating base 11 made of a ceramic sintered body, and the internal wiring layer 12 formed in the insulating substrate 11, a surface wiring formed on the surface of the insulating base 11 and a layer 13, and a via-hole conductor 14 for electrically connecting the internal wiring layer 12 or between the inner wiring layer 12 and the surface wiring layer 13 in the interior of the insulating substrate 11.

絶縁基体11は複数のセラミック絶縁層11a、11b、11c、11dからなるもので、それぞれのセラミック絶縁層11a、11b、11c、11dはムライトを主成分とするセラミック焼結体により形成されている。 Insulating base 11 is a plurality of ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, made of 11d, the respective ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d are formed by a ceramic sintered body composed mainly of mullite. 以下、ムライトを主成分とするセラミック焼結体のことをムライト質焼結体と記す。 Hereinafter referred to as mullite sintered body to a ceramic sintered body composed mainly of mullite.

絶縁基体11がムライト質焼結体であると、絶縁基体11の熱膨張係数(室温〜300℃)を3.3〜4.3×10 −6 /℃の範囲にできる。 When the insulating base 11 is a mullite sintered body, can the thermal expansion coefficient of the insulating base 11 (room temperature to 300 ° C.) in the range of 3.3~4.3 × 10 -6 / ℃. これにより、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1は、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板1に設けられた測定端子とSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが無く、電気特性の検査に好適に使用できるものとなる。 Thus, a probe card for a ceramic wiring substrate 1 of this embodiment, when the thermal load test, positional deviation between the measured pad formed on the measurement terminals and the Si surface of the wafer provided on the probe ceramic wiring substrate 1 card without, and which can be suitably used for inspecting the electrical characteristics.

また、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1は、絶縁基体11であるムライト質焼結体が、少なくともMnとTiとMgとを含有するとともに、最大気孔径が20μm以下である。 The probe ceramic wiring board 1 for card of the present embodiment, mullite sintered body is an insulating base 11, as well as containing at least Mn and Ti and Mg, a maximum pore diameter of 20μm or less. このプローブカード用セラミック配線基板1は、それを構成する絶縁基体11が緻密質となっていることから、絶縁基体11の内部に形成される内部配線層12は、この内部配線層12が接している絶縁基体11の表面状態に起因する欠陥や断線が生じ難く、このため内部配線層12の配線抵抗の増大を抑えることができ、配線抵抗の低いプローブカード用セラミック配線基板1を得ることができる。 The probe card for a ceramic wiring substrate 1, since the insulating substrate 11 has a dense constituting it, the internal wiring layer 12 formed in the insulating base 11, the internal wiring layer 12 is in contact defects or breakage hardly occurs due to the surface condition of there insulating base 11, and thus it is possible to suppress the increase of the wiring resistance of the internal wiring layer 12, it is possible to obtain a ceramic wiring substrate 1 for low wiring resistance probe card .

本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1は、上述のように、絶縁基体11であるムライト質焼結体が、少なくともMnとTiとMgとを含有する。 Ceramic wiring substrate 1 probe card of the present embodiment, as described above, mullite sintered body is an insulating base 11, containing at least Mn, Ti, and Mg. 通常、ムライトを主成分とする成形体材料を焼結させるには、最低でも1450℃以上の焼成温度が必要になるが、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1では、絶縁基体11が少なくともMnとTiとMgとを含有することで、後述する1380℃〜1420℃の焼成温度で緻密なムライト質焼結体を得ることが可能となる。 Usually, in order to sinter the molded material mainly composed of mullite is required firing temperatures above 1450 ° C. also is the lowest, the ceramic wiring board 1 probe card of the present embodiment, the insulating substrate 11 is at least by containing Mn, and Ti and Mg, it is possible to obtain a dense mullite sintered body at the firing temperature described later 1380 ℃ ~1420 ℃.

これに対して、絶縁基体11となるムライト質焼結体が、Mn、TiおよびMgのいずれかを含有しない場合には、ムライト質焼結体の緻密化が困難となり、最大気孔径が20μmよりも大きくなる。 In contrast, mullite sintered body that becomes the dielectric substrate 11, Mn, in the case of not containing any of Ti and Mg, it is difficult to densify mullite sintered body, a maximum pore diameter of from 20μm also increased. このような場合には、絶縁基体11の内部に形成される内部配線層12に、絶縁基体11の気孔に起因した欠けなどの欠陥が形成されやすくなり、これにより内部配線層12の配線抵抗が大きくなる。 In such a case, the internal wiring layer 12 formed in the insulating substrate 11, defects such as chipping due to pores of the insulating substrate 11 is likely to be formed, thereby the wiring resistance of the internal wiring layer 12 growing.

本実施形態のプローブカード用配線基板1では、絶縁基体11を構成するムライト質焼結体の主成分であるムライトは粒子状または柱状の結晶として存在している。 In the wiring substrate 1 probe card of the present embodiment, the mullite as the main component of the mullite sintered body forming the insulating base 11 is present as a particulate or columnar crystals. ムライトは、結晶粒径が大きくなるに従い熱伝導性が向上し、結晶粒径が小さくなるに従い強度が向上することから、高熱伝導性および高強度の両立という点から好適なムライトの平均粒径の範囲を選択する必要があるが、この場合、高熱伝導性および高強度を有しつつ、絶縁基体11に形成される最大気孔径を20μm以下にするという理由から、ムライトの平均粒径は1.0〜5.0μm、特に1.7〜2.5μmであることが望ましい。 Mullite, thermal conductivity is improved in accordance with the crystal grain diameter increases, since the crystal grain size to improve the strength in accordance with decreases, the average particle size of the preferred mullite terms both of high thermal conductivity and high strength it is necessary to select a range, this case, while having a high thermal conductivity and high strength, because it is the largest pore diameter formed in the insulating base 11 to 20μm or less, an average particle size of the mullite is 1. 0~5.0Myuemu, it is desirable that especially 1.7~2.5Myuemu.

ここで、ムライトの平均粒径は、配線基板から切り出したムライト質焼結体の部分を研磨し、エッチングした試料について走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上に約50個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択し、次いで、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各結晶粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求める。 The average particle size of the mullite is to polish the portion of the mullite sintered body cut out from the wiring board, taking pictures of internal tissue using a scanning electron microscope for etching samples, about 50 on the photograph draw a circle pieces entering, select the circle and the crystal grains suffering the circumference, then the contours of the crystal grains by an image processing, measuring the area of ​​each crystal grains, when the circles having the same area of calculating the diameter, determined from the average value.

また、ムライト質焼結体の最大気孔径は、配線基板から切り出したムライト質焼結体の部分を研磨し、エッチングした試料を、例えば、走査電子顕微鏡や画像解析装置などにより測定することにより求まる。 The maximum pore diameter of the mullite sintered body, polishing the portion of the mullite sintered body cut out from the wiring substrate, the etched sample, for example, obtained by measuring the like scanning electron microscope or an image analyzer . この場合、まず、作製した試料の研磨面のほぼ中央部の300μm角の領域について、100〜300倍の倍率で観察して研磨面に存在する気孔径を測定し、測定した気孔から最大気孔径を求める。 In this case, first, the region of 300μm angle of substantially central portion of the polishing surface of the sample produced, the pore size that exists in the polished surface was observed with 100 to 300-fold magnification was measured, a maximum pore diameter from the measured pore the seek.

また、絶縁基体11中に含まれるMn、TiおよびMgの存在は、原子吸光分析またはICP(Inductivity coupled Plasma)分析により確認する。 The presence of Mn, Ti and Mg contained in the insulating base 11 is confirmed by atomic absorption analysis or ICP (Inductivity coupled Plasma) analysis.

また、本実施形態において、絶縁基体11が緻密化した状態というのは、絶縁基体11の吸水率が0.1%以下であるものをいう。 Further, in the present embodiment, because the state in which the insulating base 11 is densified, refers to water absorption of the insulating substrate 11 is 0.1% or less. なお、絶縁基体11の吸水率は、JIS C2141に基づき測定する。 Incidentally, the water absorption of the insulating base 11 is measured based on JIS C2141.

図2は、本実施形態のプローブカード用配線基板を構成する絶縁基体であるムライト質焼結体の断面模式図である。 Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a mullite sintered body is an insulating substrate constituting the wiring board for probe card of the present embodiment.

本実施形態のプローブカード用配線基板1では、ムライト質焼結体が、そのムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、MnをMn 換算で1〜7質量部、TiをTiO 換算で2〜10質量部、MgをMgO換算で0.05〜3質量部含み、ムライト粒子15間にMnTiO 結晶相16を有することが望ましい。 In the probe wiring board card 1 of this embodiment, mullite sintered body, and the total amount of 100 parts by weight of the the Al contained in its mullite sintered material in terms of Al 2 O 3 and Si was SiO 2 in terms MnTiO when the Mn 1 to 7 parts by mass of Mn 2 O 3 in terms of 2 to 10 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, comprising 0.05 to 3 parts by weight of Mg in terms of MgO, between mullite grains 15 it is desirable to have a 3 crystal phase 16.

ムライト質焼結体がこのような組成を有するとともに結晶相を含有するものであると、絶縁基体11の耐薬品性を高めることが可能になる。 When mullite sintered body is one that contains a crystal phase and having such a composition, it is possible to increase the chemical resistance of the insulating substrate 11. これはムライト粒子15間に形成されているSiを含む非晶質相17にMnTiO 結晶相16が接触して存在しているため、耐薬品性の弱いSiを含む非晶質相17を保護していることによる。 This is because the MnTiO 3 crystal phase 16 in the amorphous phase 17 containing Si which is formed between the mullite particles 15 are present in contact, protect the amorphous phase 17 containing weak Si chemical resistance due to the fact it is.

また、本実施形態のプローブカード用配線基板1において、特に、ムライト質焼結体が、そのムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、MnをMn 換算で1〜7質量部、TiをTiO 換算で2〜10質量部、MgをMgO換算で0.05〜1質量部含有し、ムライト粒子15間に、非晶質相17と、この非晶質相17の周囲に存在するMnTiO 結晶相16とを有するようにしたときは、得られたプローブカード用配線基板にプローブピンを形成する工程において、エッチング処理を行っても絶縁基体11からの成分の溶出を抑えることができるとともに、エッチング処理による絶縁基板11の表面の色調の変化(退色)の少ないプローブカー Further, in the probe card wiring board 1 of the present embodiment, in particular, mullite sintered body, a total amount of the the Al contained in its mullite sintered material in terms of Al 2 O 3 and Si was SiO 2 in terms is 100 parts by weight of 1 to 7 parts by mass of Mn in Mn 2 O 3 in terms of 2 to 10 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, containing 0.05 to 1 part by weight of Mg in terms of MgO, mullite formed between the particles 15, the amorphous phase 17, the present around the amorphous phase 17 MnTiO 3 when such a crystal phase 16, the probe in the resulting wiring board probe card pins in the step of, with even and etching treatment can be suppressed elution of components from the insulating base 11, change in color tone of the surface of the insulating substrate 11 by the etching process (fading) less probe car 用セラミック配線基板1を得ることができる。 It can be obtained use ceramic wiring substrate 1. その結果、絶縁基体11と、この表面に形成される表面配線層との間の色調差(コントラスト)を維持できることから、エッチング後のプローブピンの取付け工程においてプローブピンの取付け位置を容易に認識できるようになり、プローブカードの製造工程における作業性を高めることが可能になる。 As a result, the insulating base 11, since the color tone difference between the surface wiring layer formed on the surface (contrast) can be maintained, it can easily recognize the installation position of the probe pin in the mounting process of the probe pins after etching becomes way, it is possible to increase the workability in the manufacturing process of the probe card. これは、ムライト粒子15間に存在するSiを含む非晶質相17の周囲にMnTiO 結晶相16が付着して存在する組織となることから、比較的耐薬品性の低い非晶質相17がエッチング液などの薬液にさらに接触し難くなるためである。 This low since the tissue surrounding the amorphous phase 17 MnTiO 3 crystal phase 16 is present attached containing Si existing between the mullite grains 15, a relatively chemically resistant amorphous phase 17 There is because hardly further contact with the chemical solution, such as an etching solution. なお、本実施形態のプローブカード用配線基板では、絶縁基体11であるムライト粒子15間の一部においてMnTiO 結晶相16が非晶質相17を取り囲んでいる部分も見られる。 In the probe card wiring board of the present embodiment, MnTiO 3 crystal phase 16 is partially also seen surrounding the amorphous phase 17 in some among mullite particles 15 which is an insulating substrate 11. このように、本実施形態のプローブカード用配線基板では、ムライト粒子15間にMnTiO 結晶相16が非晶質相17を取り囲んでいる部分も含まれることから、耐薬品性を高められるのである。 Thus, in the probe card wiring board of the present embodiment is from the MnTiO 3 crystal phase 16 also includes a portion surrounding the amorphous phase 17 between the mullite grains 15, the enhanced chemical resistance .

具体的には、絶縁基体11を40質量%水酸化カリウム水溶液に浸漬し、揺動試験を行ってエッチングを加速させても、ムライト質焼結体に含まれる非晶質相17の溶出を抑えられ、耐薬品性試験による色調変化が極めて低いものとなる。 Specifically, the insulating base 11 was immersed in 40 wt% aqueous solution of potassium hydroxide, also to accelerate etching performed rocking test, suppressing the elution of the amorphous phase 17 contained in the mullite sintered body is, change in color tone due to the chemical resistance test is extremely low. ここで、絶縁基体11の色調の変化とは、絶縁基体11の表面において、ムライト粒子15の表面とは異なる模様が見られることをいう。 Here, the change in color tone of the insulating substrate 11, the surface of the insulating base 11, means that the observed different patterns to the surface of the mullite particles 15. これはムライト粒子15間(粒界相)に形成されているSiを含む非晶質相17が変色しているためであると考えられる。 This is probably because the amorphous phase 17 containing Si formed between mullite particles 15 (grain boundary phase) are discolored.
なお、本実施形態のプローブカード用配線基板では、ムライト粒子15間に形成されるMnTiO 結晶相16は、Siを含む非晶質相17の他に、ムライト粒子15間に存在するTi等他の成分を含む結晶相の周囲にも存在しており、Siを含む非晶質相17以外の結晶相の溶出を抑制している。 In the probe card wiring board of the present embodiment, MnTiO 3 crystal phase 16 formed between the mullite particles 15, in addition to the amorphous phase 17 containing Si, Ti or the like other existing between the mullite grains 15 also present around the crystal phase containing the component, is suppressed elution of crystalline phases other than the amorphous phase 17 containing Si.

また、本実施形態のプローブカード用配線基板1では、ムライト質焼結体は、Naを含み、このムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、MnをMn 換算で3〜7質量部、TiをTiO 換算で2〜4質量部、MgをMgO換算で1〜3質量部、NaをNaO換算で0.5〜3質量部含み、かつムライト粒子15間にMnTiO 結晶相16を有することが望ましい。 The total in the probe card wiring board 1 of this embodiment, a mullite sintered body, which comprises a Na, and the the Al contained in the mullite sintered material in terms of Al 2 O 3 and Si SiO 2 converted when the amount is 100 parts by mass, 3 to 7 parts by mass of Mn in Mn 2 O 3 in terms of, 2-4 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, 1 to 3 parts by weight in terms of MgO to Mg, a Na NaO wherein 0.5 to 3 parts by mass in terms, and it is desirable to have a MnTiO 3 crystal phase 16 and the mullite particles 15.

ムライト質焼結体がこのような組成を有するとともに結晶相を含有するものであると、絶縁基体11の耐薬品性を高めることができるとともに、絶縁基体11の表面に色むらが無く外観の良いプローブカード用セラミック配線基板1を得ることができる。 When mullite sintered body is one that contains a crystal phase and having such a composition, it is possible to increase the chemical resistance of the insulating base 11, it is color unevenness without appearance on the surface of the insulating base 11 it is possible to obtain a ceramic wiring substrate 1 probe card. その結果、この場合も、プローブカードの単位面積当たりのプローブピン数が多くなった場合に、プローブピンの取付けにおいて、絶縁基体11と、この表面に形成される表面配線層との間の色調差(コントラスト)を維持でき、取付け位置を容易に認識できるようになり、プローブカードの製造工程の作業性を高めることが可能になる。 As a result, even in this case, when it becomes a lot number of the probe pins per unit area of ​​the probe card, the mounting of the probe pins, difference in color tone between the insulating base 11, a surface wiring layer formed on the surface (contrast) can be maintained, will be able to easily recognize the installation position, it is possible to increase the workability of the probe card manufacturing process.

本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1は、ムライト粒子15間にMnT Ceramic wiring substrate 1 probe card of the present embodiment, mnt between mullite grains 15
iO 結晶相16を有するものであり、ムライト粒子15間に存在するガラス成分量が極めて少ないために、絶縁基体11を40質量%水酸化カリウム水溶液に5時間浸漬したとしても、ムライト質焼結体に含まれるガラス成分の溶出が殆ど溶出しないものとなる。 are those having iO 3 crystal phase 16, for glass components amount existing between the mullite grains 15 is very small, even when the insulating base 11 was immersed for 5 hours in 40 wt% aqueous solution of potassium hydroxide, mullite sintered It becomes the elution of the glass component contained in the body hardly eluted.

ムライト粒子15間にMnTiO が存在するようなムライト質焼結体は、その表面に不均一な染みが発生して色むらが生じてしまうことになるが、本実施形態のプローブカード用配線基板1では、絶縁基体11にNa成分を含有させている。 Mullite sintered body as MnTiO 3 is present between the mullite particles 15 is so that the color irregularity occurs and uneven spots are generated on the surface, wiring the probe card of the present embodiment the substrate in 1, it contains a Na component in the insulating base 11. これにより絶縁基体11の耐薬品性が高まるとともに、MnTiO 結晶相16に起因する色むらが抑制され、絶縁基体11はほぼ単一の色彩を呈するようになる。 With increased chemical resistance of the insulating substrate 11 by this is suppressed color unevenness due to MnTiO 3 crystal phase 16, the insulating base 11 becomes substantially exhibits a single color. こうして、外観がきれいであり、かつ十分な耐薬品性を持つプローブカード用セラミック配線基板を得ることができる。 Thus, the appearance is beautiful, and it is possible to obtain a ceramic wiring substrate for a probe card having sufficient chemical resistance. この場合、ムライト質焼結体中に存在するMnTiO 結晶相16の割合は、メインピークであるムライトの結晶相の回折強度に対する比で1〜1.4%であるのがよい。 In this case, the proportion of MnTiO 3 crystal phase 16 present in the mullite sintered material may be between 1 to 1.4% in the ratio of the diffraction intensity of the crystal phase of mullite as a main peak.

ここで、絶縁基体11中に含まれるMnTiO 結晶相16の存在と最大径は、以下のようにして求める。 Wherein the presence and the maximum diameter of MnTiO 3 crystal phase 16 contained in the insulating substrate 11 is obtained as follows. まず、分析用に研磨加工した試料の表面の300μm角の領域をX線マイクロアナライザー(EPMA)を付設した走査型電子顕微鏡を用いて観察し、MnTiO 結晶相16の存在を確認する。 First, an area of 300μm square of polished surface of a sample using a scanning electron microscope attached with X-ray microanalyzer (EPMA) was observed for analysis, to confirm the presence of MnTiO 3 crystal phase 16. また、絶縁基体11の表面に色むらが無いとは、絶縁基体11の表面を実体顕微鏡を用いて観察を行った際に、絶縁基体11の表面に、絶縁基体11の基本的な色彩に対して、色の異なる部分が見られないものをいう。 Further, there is no color unevenness on the surface of the insulating base 11, upon carrying out the observation of the surface of the insulating base 11 by using a stereoscopic microscope, the surface of the insulating base 11, with respect to the basic color of the insulating base 11 Te, it refers to those not seen different parts of the color.

また、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1では、絶縁基体11のヤング率が200GPa以上であることが望ましい。 Further, in the ceramic wiring board 1 probe card of the present embodiment, it is desirable that the Young's modulus of the insulating substrate 11 is not less than 200 GPa. 絶縁基体11のヤング率が200GPa以上であると、プローブカード用セラミック配線基板を大型化したときのたわみを低減でき、これにより、プローブカード用セラミック配線基板のたわみが小さくなり、プローブカード用セラミック配線基板における全てのプローブピンの先端の高さの位置を均一なものにでき、これにより電気特性の検査の精度を高めることが可能になる。 When the Young's modulus of the insulating substrate 11 is not less than 200 GPa, it is possible to reduce the deflection when the size of the ceramic wiring board probe card, thereby, the deflection of the ceramic wiring board probe card is reduced, the ceramic wiring probe card can the ones the position of the height of the tip of every probe pin uniform in the substrate, thereby it is possible to improve the inspection accuracy of the electric characteristics. なお、絶縁基体11のヤング率は、超音波パルス法により弾性率を測定して求める。 Incidentally, the Young's modulus of the insulating base 11 is determined by measuring the elastic modulus by ultrasonic method.

ここで、セラミック焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部に対する、Mn、Ti、MgおよびNaの含有量は、まず、絶縁基体11を酸に溶解させて、ICP分析により絶縁基体11中に含まれるアルミニウム(Al)、珪素(Si)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、マグネシウム(Mg)およびナトリウム(Na)の含有量を求め、次いで、これらの元素をそれぞれAl 、SiO 、Mn 、TiO 、MgOおよびNa Oに換算して求める。 Here, the total amount of SiO 2 in terms of Al the terms of Al 2 O 3 and Si contained in the sintered ceramic for 100 parts by weight, the content of Mn, Ti, Mg and Na, first, the insulating base 11 It was dissolved in acid, aluminum contained in the insulating base 11 by ICP analysis (Al), silicon (Si), the content of manganese (Mn), titanium (Ti), magnesium (Mg) and sodium (Na) determined, then determined in terms of these elements each Al 2 O 3, SiO 2, Mn 2 O 3, the TiO 2, MgO and Na 2 O.

なお、本実施形態におけるムライト質焼結体では、アルカリ金属元素として、Naを挙げているが、同様の含有量であれば、Naの他、K(カリウム)または、NaとKとを混合して含有させることができる。 In the mullite sintered body in the present embodiment, as the alkali metal element, but by way of Na, if the same content, other Na, K (potassium) or a mixture of Na and K it can be contained Te. また、Mnの他に、焼結性を高める助剤成分として、Ca、Sr、BおよびCrなどから選ばれる少なくとも1種が、耐薬品性、ヤング率、密度および色彩等の特性を損なわない程度含有されていても良い。 Extent In addition to Mn, as an aid component to improve the sinterability, the Ca, Sr, at least one selected from and B and Cr, not impairing chemical resistance, Young's modulus, properties such as density and color it may be contained.

本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1を構成する導体層(内部配線層12)としては、Cuが40〜60体積%、WまたはMoが40〜60体積%となる組成を有する複合導体で構成されていることが望ましい。 The conductor layers constituting the ceramic wiring board 1 probe card of the present embodiment (internal wiring layer 12), Cu is 40 to 60 vol%, a composite conductor having a composition W or Mo is 40 to 60 vol% it is preferably composed.

ムライト質焼結体と同時焼成可能な内部配線層12の形成材料として、高融点金属であるタングステン(W)またはモリブデン(Mo)が挙げられるが、タングステン(W)またはモリブデン(Mo)からなる内部配線層12は電気抵抗値が高い。 Internal as the material for forming the mullite sintered body and fireable internal wiring layer 12, but tungsten is a refractory metal (W) or molybdenum (Mo) and the like made of tungsten (W) or molybdenum (Mo) wiring layer 12 has a high electrical resistance. 一方、銅(Cu)などの低抵抗金属はムライトを主成分とするセラミック焼結体の焼成温度よりもかなり融点が低いため、低抵抗金属である銅のみをムライトを主成分とするセラミック焼結体と同時焼成することはできない。 Meanwhile, since the low-resistance metal such as copper (Cu) is considerably lower melting point than the firing temperature of the ceramic sintered body mainly composed of mullite, sintered ceramic which only copper is low-resistance metal as a main component mullite it is not possible to body and co-firing. そこで、内部配線層12を銅およびタングステンの複合導体とすることで、銅単体に比べると電気抵抗値は多少あがってしまうものの、後述する1380℃〜1420℃の焼成温度でムライトを主成分とするセラミック焼結体との同時焼成が可能となる。 Therefore, by the internal wiring layer 12 and the composite conductors of copper and tungsten, although compared to pure copper would electric resistance slightly up, mainly composed of mullite at a firing temperature described later 1380 ℃ ~1420 ℃ co-firing of the ceramic sintered body is made possible.

ただし、同時焼成可能といえども、銅の融点を超える温度での焼成となるため、銅の溶融を抑制して内部配線層12の形状を保つことが必要となる。 However, even the simultaneous enabling firing, since the firing at a temperature above the melting point of copper, it is necessary to maintain the shape of the internal wiring layer 12 to suppress the melting of copper. そこで、内部配線層12の低抵抗化と保形性をともに達成するうえで、銅が40〜60体積%、タングステンが40〜60体積%の割合にするのがよい。 Therefore, in order to both achieve low resistance and shape retention of the internal wiring layer 12, copper 40 to 60% by volume, tungsten better to the proportion of 40 to 60 vol%.

ここで、内部配線層12の銅およびタングステンの組成は、プローブカード用配線基板1から内部配線層12が形成された部位を切り出し、これを酸に溶解させた溶液をICP分析を用いて導体材料である銅およびタングステンの含有量を質量で求める。 Here, the conductor composition of copper and tungsten internal wiring layer 12, cut out portion internal wiring layer 12 is formed from the probe card wiring board 1, was dissolved in an acid solution this using ICP analysis material determining the content of copper and tungsten is at mass. 次に、質量として求めた銅およびタングステンの量をそれぞれの密度で除して各々の体積を求め、次いで、銅およびタングステンの合計の体積を100%としたときの銅およびタングステンの割合を求める。 Then, determine the volume of each by dividing the amount of copper and tungsten determined as the mass in each density, then determine the percentage of copper and tungsten when the total volume of copper and tungsten is 100%.

なお、表面配線層13は、内部配線層13と同様の組成であっても異なっても良く、高融点金属であるタングステンまたはモリブデンのみで形成されていても良い。 The surface wiring layer 13 may be different even in the same composition as the internal wiring layer 13 may be formed only of tungsten or molybdenum which is a refractory metal.

また、ビアホール導体14は、表面配線層13と同様の組成からなることが焼成時にビアホール導体14からの導体成分の脱落を防止する上で望ましい。 Also, via-hole conductors 14, that of the same composition as the surface wiring layer 13 desirable for preventing detachment of the conductive components from the via-hole conductors 14 at the time of firing.

上述した本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1は、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板1に設けられた測定端子(プローブピン)とSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれを抑制でき、電気特性の検査に好適に使用できる。 Ceramic wiring substrate 1 probe card of the present embodiment described above, when the thermal load test, and the measurement pad formed on the measurement terminals (probe pin) and Si surface of the wafer provided on the ceramic wiring board 1 Probe Card positional deviation of the can be suppressed, can be suitably used for inspecting the electrical characteristics. また、ムライト質焼結体を特定の組成としたときには、緻密なものになる。 Further, when a particular composition mullite sintered body will dense.

また、図1に示すプローブカード用セラミック配線基板1を構成する絶縁基体11の主面には、焼成直後においては、元々、表面配線層13の代わりにビアホール導体14に接続されたランドパターン(図示せず)が形成されている。 Further, on the main surface of the insulating substrate 11 constituting the ceramic wiring board 1 probe card shown in FIG. 1, immediately after the firing was originally land pattern (FIG connected to the via-hole conductors 14 in place of the surface wiring layer 13 Shimese not) are formed. このランドパターンは焼成後にこのプローブカード用セラミック配線基板1の内部配線層12およびビアホール導体14の電気的接続のショートまたはオープンの検査を行うために設けられたものである。 The land pattern is provided in order to inspect the short or open the electrical connection of the internal wiring layers 12 and the via hole conductors 14 of the ceramic wiring board 1 for the probe card after firing. そして、プローブカード用セラミック配線基板1の内部配線層12およびビアホール導体14の電気的接続のショートまたはオープンの検査を行った後、ランドパターンは研磨により取り除かれ、ビアホール導体14を露出させたうえで、スパッタ法または蒸着法などの薄膜法により表面配線層13が形成され、さらに、この表面配線層13の表面上に測定端子(プローブピン)が形成され、図3に示すプローブカード2が作製される。 Then, after the inspection of the short or open the electrical connection of the internal wiring layers 12 and the via hole conductors 14 of the ceramic probe card wiring board 1, the land pattern is removed by polishing, after exposing the via hole conductor 14 , surface wiring layer 13 is formed by a thin film method such as sputtering or vapor deposition, and further, the surface on the measuring terminal of the surface wiring layer 13 (probe pin) is formed, the probe card 2 shown in FIG. 3 is produced that.

図3は、本発明のプローブカードの一実施形態を用いた半導体素子の評価装置の説明図である。 Figure 3 is an illustration of apparatus for evaluating a semiconductor device using an embodiment of a probe card of the present invention. 上記したプローブカード用セラミック配線基板1は、例えば、図3に示すようなプローブカード2として用いることができる。 Ceramic wiring substrate 1 probe card described above, for example, it can be used as a probe card 2 as shown in FIG.

図3に示すプローブカード2は、プローブカード用セラミック配線基板1の一方の主面に、内部配線層12と接続される表面配線層(図示せず)が形成され、この表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための探針(測定端子21)が接続されており、さらに、測定端子21が形成された面とは反対側の面に接続端子3を介して外部回路基板4が接合された構成となっている。 Probe card 2 shown in FIG. 3, on one main surface of the ceramic probe card wiring substrate 1, the surface wiring layer connected to the internal wiring layer 12 (not shown) is formed, the semiconductor elements on the surface wiring layer of which the probe for measuring an electrical characteristic (measurement terminal 21) is connected, further, the external circuit board 4 is joined via the connecting terminals 3 on the opposite side to the measuring terminal 21 is formed a surface and it has a configuration.

ここで、外部回路基板4は、テスタ5に接続されており、ステージ6の上に載置された半導体ウェハ7の上面にプローブカード2の測定端子21を接触させて半導体素子の電気特性を測定することができる。 Here, the external circuit board 4 is connected to the tester 5, measuring the electrical characteristics of the semiconductor device contacting the measuring terminal 21 of the probe card 2 to the upper surface of the semiconductor wafer 7 placed on the stage 6 can do.

なお、プローブカード2は、昇降装置8によって上下に駆動させることができ、プローブカード2の測定端子21を半導体ウェハ7の上面に接触させたり離したりするようになっている。 Incidentally, the probe card 2, the lifting device 8 can be driven up and down, so that the or released by contacting the measuring terminal 21 of the probe card 2 to the upper surface of the semiconductor wafer 7.

このプローブカード2の配線基板として、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1を適用すると、まず、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板1に設けられた測定端子21とSiウエハ7の表面に形成された測定パッドとの位置ずれが無く、電気特性の検査に好適に使用できるものとなる。 As the wiring board of the probe card 2, when applying the probe ceramic wiring board 1 for card of the present embodiment, first, when the thermal load test, the measurement terminal 21 and the Si wafer 7 provided on the ceramic wiring board 1 Probe Card without positional deviation between the measured pad formed on the surface of, and which can be suitably used for inspecting the electrical characteristics.

また、プローブカード用セラミック配線基板1を構成する絶縁基体11を、ムライトを主結晶相とし、少なくともMnとTiとMgとを含有するとともに、最大気孔径が20μm以下であるムライト質焼結体により形成した場合には、配線抵抗の低い内部電極層12を有するプローブカード2を得ることができる。 Also, the insulating base 11 of the ceramic wiring board 1 probe card, mullite as a main crystal phase, as well as containing at least Mn and Ti and Mg, the mullite sintered body maximum pore diameter is 20μm or less in the case of forming can be obtained probe card 2 having a low wiring resistance internal electrode layer 12.

次に、上記のプローブカード用セラミック配線基板1の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the above ceramic circuit board for probe card 1.

まず、絶縁基体11を形成するために、ムライト(3Al ・2SiO )粉末として、純度が99%以上、平均粒径が0.5〜2.5μmのものを用いる。 First, in order to form the insulating base 11, as mullite (3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ) powder, purity 99%, average particle size used as a 0.5 to 2.5 .mu.m. ムライト粉末の平均粒径を0.5μm以上とすることでシート成形性を良好なものとし、2.5μm以下とすることで1420℃以下の温度での焼成によっても緻密化を促進させることが可能となる。 The average particle size of the mullite powder and sheet formability made favorable by the above 0.5 [mu] m, also possible to promote densification by sintering at 1420 ° C. or less of the temperature by a 2.5μm or less to become.

次に、ムライト粉末100質量部に対して、少なくともAl 粉末を0〜15質量部、Mn 粉末を1〜8質量部、TiO 粉末を1〜10質量部、MgO粉末を0.05〜3質量部、Na O粉末を0〜4質量部添加して混合粉末を調製する。 Next, the mullite powder 100 parts by weight of at least Al 2 O 3 powder 0-15 parts by mass, 1-8 parts by mass of Mn 2 O 3 powder, 1 to 10 parts by weight of the TiO 2 powder, a MgO powder 0.05-3 parts by weight, Na 2 O powder to prepare a mixed powder by adding 0-4 parts by weight. この場合、添加剤として用いるAl 粉末は平均粒径が0.5〜1.5μm、Mn 粉末は平均粒径が0.5〜3μm、TiO 粉末は0.5〜2μm、MgO粉末は平均粒径が0.5〜3μmおよびNa O粉末は0.5〜3μmであるものを用いるがよい。 In this case, Al 2 O 3 powder has an average particle size 0.5~1.5μm used as an additive, Mn 2 O 3 powder has an average particle size of 0.5 to 3 [mu] m, TiO 2 powder is 0.5~2μm , MgO powder 2 O powder having an average particle size of 0.5 to 3 [mu] m and Na may but used as a 0.5 to 3 [mu] m. なお、Al 粉末、Mn 粉末、TiO 粉末、MgO粉末およびNa O粉末の純度はともに99質量%以上であるものがよい。 Incidentally, Al 2 O 3 powder, Mn 2 O 3 powder, TiO 2 powder, the purity of the MgO powder and Na 2 O powder good those are both 99 wt% or more. これにより、シート成形性を良好なものとし、Mn、Ti、MgおよびNaの拡散を向上させ、1380℃〜1420℃の温度での焼結性を高めることができる。 Thus, the sheet moldability and favorable, Mn, Ti, improve the diffusion of Mg and Na, can increase the degree of sintering in a temperature of 1380 ℃ ~1420 ℃.

本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1を製造する場合、ムライト粉末に対して、Mn 粉末およびTiO 粉末とともにMgO粉末を添加すると、焼成後に得られるムライト質焼結体が緻密化し、吸水率が0.1%以下の焼結体とすることができ、これにより絶縁基体11であるムライト質焼結体に形成される気孔の最大径を20μm以下にすることができる。 When producing the probe ceramic wiring board 1 for card of the present embodiment, with respect to the mullite powder, the addition of MgO powder with Mn 2 O 3 powder and TiO 2 powder, mullite sintered body obtained after firing to densify , water absorption can be made less of the sintered body of 0.1%, which makes it possible to the maximum diameter of the pores formed in mullite sintered body is an insulating base 11 to 20μm or less.

この場合、ムライト粉末100質量部に対して、Mn 粉末を1〜7質量部、TiO 粉末を2〜10質量部、MgO粉末を0.05〜3質量部添加すると、ムライト粒子15間にMnTiO 結晶相16を形成することができる。 In this case, the mullite powder 100 parts by weight of 1 to 7 parts by mass of Mn 2 O 3 powder, 2 to 10 parts by weight of the TiO 2 powder and a MgO powder are added 0.05 to 3 parts by weight, mullite particles 15 it can be formed MnTiO 3 crystal phase 16 between.

また、ムライト粉末100質量部に対して、Mn 粉末を1〜7質量部、TiO 粉末を2〜10質量部、MgO粉末を0.05〜1質量部添加すると、ムライト粒子15間に非晶質相17と、この非晶質相17の周囲に存在するMnTiO 結晶相16とを有するムライト質焼結体を形成することができる。 Further, with respect to the mullite powder 100 parts by weight of 1 to 7 parts by mass of Mn 2 O 3 powder, 2 to 10 parts by weight of the TiO 2 powder and a MgO powder are added 0.05 parts by weight, while mullite particles 15 in the amorphous phase 17, it is possible to form a mullite sintered body having a MnTiO 3 crystal phase 16 existing around the amorphous phase 17.

またさらに、ムライト粉末100質量部に対して、Mn 粉末を3〜7質量部、TiO 粉末を2〜4質量部、MgO粉末を1〜3質量部およびNa O粉末を0.5〜3質量部添加すると、ムライト粒子15間にMnTiO 結晶相16を有するムライト質焼結体を得ることができる。 Furthermore, with respect to the mullite powder 100 parts by weight of 3 to 7 parts by mass of Mn 2 O 3 powder, 2-4 parts by mass of TiO 2 powder, 1 to 3 parts by weight and Na 2 O powder of MgO powder 0. When 5-3 parts by weight is added, it is possible to obtain a mullite sintered body having a MnTiO 3 crystal phase 16 and the mullite particles 15.

この場合、Mn、Ti、MgおよびNaは、上記の酸化物粉末以外に焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等として添加しても良い。 In this case, Mn, Ti, Mg and Na are carbonate capable of forming an oxide by calcination in addition oxide powder described above, nitrate, may be added as acetates.

さらに、ムライト質焼結体の緻密化と内部配線層12を形成する複合金属との同時焼結性を高めるという理由から、ムライト粉末100質量部に対して、Ca、Sr、BおよびCrの群から選ばれる1種以上の酸化物粉末(CaO粉末、SrO粉末、B 粉末、Cr 粉末)または焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩からなる粉末を、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1の熱膨張係数を変化させず、また耐薬品性を劣化させない程度の割合で添加してもよい。 Furthermore, the reason that increasing the co-sintering of a composite metal forming the densified and internal wiring layer 12 of mullite sintered body, with respect to the mullite powder 100 parts by weight, Ca, Sr, group B and Cr one or more oxide powder selected from (CaO powder, SrO powder, B 2 O 3 powder, Cr 2 O 3 powder) or carbonate capable of forming an oxide by calcination, nitrates, a powder consisting of acetate, without changing the thermal expansion coefficient of the probe card ceramic wiring substrate 1 of the present embodiment, or may be added at a rate so as not to degrade the chemical resistance.

次に、この混合粉末に対して有機バインダ、溶媒を添加してスラリーを調整した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法によってグリーンシートを作製する。 Then, after the organic binder, and adding a solvent to prepare a slurry of this mixed powder, which press method, doctor blade method, rolling method, to prepare a green sheet by a molding method such as injection method. あるいは、混合粉末に有機バインダを添加し、プレス成形、圧延成形等の方法により所定の厚みのグリーンシートを作製する。 Alternatively, an organic binder was added to the mixed powder, press molding to prepare a green sheet having a predetermined thickness by a method such as roll formed. なお、グリーンシートの厚みはたとえば50〜300μmとすることができるが、特に限定されない。 Although the thickness of the green sheet may be, for example, 50 to 300 [mu] m, it is not particularly limited.

そして、適宜、このグリーンシートに対して、マイクロドリル、レーザー等により直径50〜250μmの貫通孔を形成する。 Then, as appropriate, with respect to the green sheet, a micro drill, a laser or the like to form a through-hole with a diameter of 50 to 250 [mu] m.

このようにして作製されたグリーンシートに対して、銅(Cu)粉末とタングステン(W)粉末とを前述した比率(Cuが40〜60体積%、Wが40〜60体積%)となるように混合して導体ペーストを調製し、この導体ペーストを各グリーンシートの貫通孔内に充填し、またスクリーン印刷、グラビア印刷などの方法により印刷塗布して配線パターンを形成する。 Against this way green sheet produced, copper (Cu) powder and tungsten (W) ratio of the powder described above (Cu 40-60 vol%, W 40-60% by volume) such that mixing a conductive paste prepared, the conductive paste filled into the through holes of the green sheets, also the screen printing to form a wiring pattern by printing applied by a method such as gravure printing.

なお、この導体ペースト中には、絶縁基体11との密着性を高めるために、上記の金属粉末以外にアルミナ粉末あるいは絶縁基体11と同一組成物の混合粉末を添加してもよく、さらにはNi等の活性金属あるいはそれらの酸化物を導体ペースト全体に対して0.05〜2体積%の割合で添加してもよい。 Incidentally, the conductor is in the paste, in order to enhance the adhesion between the insulating base 11, it may be added to mixed powder of the metal alumina powder in addition to the powder or the insulating base 11 and the same composition, more Ni the active metal or an oxide thereof may be added in a proportion of 0.05 to 2% by volume relative to the total conductor paste like.

その後、導体ペーストを印刷塗布したグリーンシートを位置合わせして積層圧着した後、この積層体を非酸化性雰囲気(窒素雰囲気あるいは窒素と水素との混合雰囲気)中で焼成する。 Then, after laminating crimped by aligning the green sheets applied by printing conductive paste, firing the laminate in a non-oxidizing atmosphere (a mixed atmosphere of nitrogen or nitrogen and hydrogen).

ここで、この焼成中の最高温度を1380℃〜1420℃とするのがよい。 Here, the maximum temperature during the sintering preferably set to 1380 ℃ ~1420 ℃. 焼成中の最高温度を1380℃〜1420℃とすると、この範囲の温度において保持時間を調整することにより、ムライト質焼結体に形成される気孔の最大径を20μm以下にでき、ムライト質焼結体を緻密化させることができるようになる。 When the maximum temperature during firing to 1380 ℃ ~1420 ℃, by adjusting the retention time in the temperature in this range, can the maximum diameter of the pores formed in mullite sintered body 20μm or less, mullite sintered it is possible to densify the body.

また、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1を構成する絶縁基体11であるムライト質焼結体では、少なくとMn、TiおよびMgを所定量含有させて焼成すると、ムライト粒子15のネック成長が抑えられるためムライトの異常粒成長を抑制でき、ヤング率の高いムライト質焼結体を得ることができる。 Also, the mullite sintered body is an insulating base 11 of the ceramic wiring board 1 probe card of the present embodiment, least Mn, and baked by the Ti and Mg is contained a predetermined amount, necks grow mullite grains 15 can suppress abnormal grain growth of mullite order to be suppressed, it is possible to obtain a high Young's modulus mullite sintered body.

また、本実施形態のプローブカード用セラミック配線基板1を作製する場合、ムライト質焼結体中に形成された気孔の最大径を20μm以下にするという理由から、1000℃から焼成最高温度までの昇温速度は50℃/hr〜150℃/hr、特に、75℃/hr〜 In the case of manufacturing a probe card for a ceramic wiring substrate 1 of the present embodiment, the maximum diameter of pores formed in a mullite sintered body for the reason that to 20μm or less, the temperature from 1000 ° C. to maximum firing temperature rate of temperature 50 ℃ / hr~150 ℃ / hr, especially, 75 ° C. / hr to
100℃/hrにすることが望ましく、焼成最高温度から1000℃までの降温速度は、 Desirably to 100 ° C. / hr, temperature decrease rate from the maximum firing temperature to 1000 ° C. is
50℃/hr〜300℃/hr、特に、50℃/hr〜100℃/hrにすることが望ましい。 50 ℃ / hr~300 ℃ / hr, especially, it is desirable to 50 ℃ / hr~100 ℃ / hr.

またさらに、焼成時の雰囲気は、内部配線層12中のCuの拡散を抑制するという理由から、水素および窒素を含み、その露点が+30℃以下、特に+25℃以下の非酸化性雰囲気であることが望ましい。 Furthermore, an atmosphere during firing, because of suppressing the diffusion of Cu in the internal wiring layer 12, contains hydrogen and nitrogen, that the dew point of + 30 ° C. or less, in particular + 25 ° C. The following non-oxidizing atmosphere It is desirable 焼成時の露点が+30℃より高いと、焼成中に酸化物セラミックスと雰囲気中の水分とが反応し酸化膜を形成し、この酸化膜と銅とが反応してしまい、導体の低抵抗化の妨げとなるのみでなく、Cuの拡散を助長してしまうためである。 When the dew point during the firing is higher than + 30 ° C., the oxide ceramics and the atmosphere during firing moisture and is reacted to form oxide film, it would react this oxide film and the copper, the resistance of the conductor not only hinder is because thereby promote the diffusion of Cu. なお、この雰囲気には所望によりアルゴンガス等の不活性ガスを混入してもよい。 It may be mixed with an inert gas such as optionally argon gas in the atmosphere.

以上述べた方法により作製されたプローブカード用セラミック配線基板1は、CuおよびWを主成分として含み、配線抵抗の低い内部配線層12を有し、熱膨張係数が検査対象であるSiウエハの熱膨張係数に近ものとなる。 Above mentioned ceramic wiring substrate 1 probe card produced by the method comprises Cu and W as a main component, has a wiring resistance of low internal wiring layer 12, the Si wafer thermal expansion coefficient is inspected heat It becomes close to the expansion coefficient.

純度が99%で平均粒子径が2.1μmのムライト粉末100質量部に対して、純度が99%以上で平均粒子径が1.8μmのAl 粉末、純度が99%で平均粒子径が1.5μmのMn 粉末、純度が99%で平均粒径が1.0μmのTiO 粉末、純度が99%で平均粒子径が0.7μmのMgO粉末、純度が99%で平均粒子径が1.0μmのNa CO 粉末を表1に示すような割合で混合した後、さらに成形用有機樹脂(有機バインダー)としてアクリル系バインダーと、有機溶媒としてトルエンとを混合してセラミックスラリーを調製した後、ドクターブレード法にて厚さ200μmのシート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製した。 The average particle diameter purity relative to the average mullite powder 100 parts by weight of the particle diameter of 2.1μm at 99% purity average particle diameter of 1.8μm Al 2 O 3 powder in 99%, purity 99% mean There Mn 2 O 3 powder of 1.5 [mu] m, purity average particle size 1.0 .mu.m TiO 2 powder in 99% purity average particle diameter of 0.7 [mu] m MgO powder 99%, purity 99% after the particle size were mixed Na 2 CO 3 powder 1.0μm in proportions shown in Table 1, further an acrylic binder as molding organic resin (organic binder), a mixture of toluene as an organic solvent ceramic after preparing the slurry was molded into a sheet having a thickness of 200μm by a doctor blade method, to prepare a ceramic green sheet.

得られたグリーンシートを15層積層し、室温から600℃の温度において、露点を+25℃とした窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行なった後、引き続き焼成を行った。 The resulting green sheets were laminated 15 layers, at a temperature of 600 ° C. from room temperature, after performing a degreasing in a nitrogen hydrogen mixed atmosphere with a dew point of + 25 ° C., it was subsequently baked. 焼成は、1000℃から最高温度までを表1に示す昇温速度で昇温し、最高温度にて露点を+25℃とした窒素水素混合雰囲気に、1時間保持した後、最高温度から1000℃までを表1に示す降温速度で冷却して、ムライト質焼結体を得た。 Firing, the temperature was raised up to a maximum temperature of from 1000 ° C. at a heating rate shown in Table 1, the nitrogen hydrogen mixed atmosphere with a + 25 ° C. The dew point at the highest temperature and, after holding for 1 hour, to 1000 ° C. from the maximum temperature It was cooled at a cooling rate shown in Table 1, to obtain a mullite sintered body.

ここで、ムライト質焼結体の最大気孔径は、配線基板から切り出したムライト質焼結体の部分を研磨し、エッチングした試料を、画像解析装置により測定した。 The maximum pore diameter of the mullite sintered body, polishing the portion of the mullite sintered body cut out from the wiring substrate, the etched sample was measured by an image analyzer. この場合、まず、作製した試料の研磨面のほぼ中央部の300μm角の領域について、100〜300倍の倍率で観察して研磨面に存在する気孔径を測定し、測定した気孔から最大気孔径を求めた。 In this case, first, the region of 300μm angle of substantially central portion of the polishing surface of the sample produced, the pore size that exists in the polished surface was observed with 100 to 300-fold magnification was measured, a maximum pore diameter from the measured pore I was asked.

ムライト質焼結体に存在する結晶の同定は、ムライト質焼結体を粉砕し、X線回折により得られるメインピーク位置をJCPDSに照らし合わせて行った。 Identification of crystals present in the mullite sintered body, mullite sintered body was ground, were performed against the main peak position obtained by X-ray diffraction in JCPDS. また、同定された結晶相であるAl 、MnAl 、MgAl 、MnTiO 、Mn Al Si 12およびMg Al Si 18ついて、それぞれのメインピークの回折強度をムライトのメインピークの回折強度に対する比として求めた。 Further, Al 2 O 3 is identified crystalline phase, MnAl with 2 O 4, MgAl 2 O 4 , MnTiO 3, Mn 3 Al 2 Si 3 O 12 and Mg 2 Al 4 Si 5 O 18 , each of the main peak the diffraction intensity was determined as a ratio to the diffraction intensity of the main peak of mullite. その結果を表2に示す。 The results are shown in Table 2.

なお、表2には求めた比を100倍した値(%表示)を示した。 Incidentally, it showed a value 100 times the ratio obtained is shown in Table 2 (percentages). ここで、Al のメインピークは(104)面、MnAl のメインピークは(311)面、MgAl Here, the main peak of Al 2 O 3 is (104) plane, the main peak of MnAl 2 O 4 is (311) plane, MgAl
のメインピークは(311)面、MnTiO のメインピークは(104)面、Mn Al Si 12のメインピークは(420)面、Mg Al Si 18のメインピークは(222)面とした。 The main peak of 2 O 4 is (311) plane, the main peak of MnTiO 3 is (104) plane, the main peak of the Mn 3 Al 2 Si 3 O 12 is (420) plane, the main Mg 2 Al 4 Si 5 O 18 peak was (222) plane.

また、絶縁基体中に含まれるMnTiO 結晶相16の存在は、以下のようにして求めた。 The presence of MnTiO 3 crystal phase 16 contained in the insulating substrate, was determined as follows. まず、分析用に研磨加工した試料の表面の300μm角の領域をX線マイクロアナライザー(EPMA)を付設した走査型電子顕微鏡を用いて観察し、MnTiO 結晶相16の存在を確認するようにした。 First, an area of 300μm square of polished surface of a sample using a scanning electron microscope attached with X-ray microanalyzer (EPMA) was observed for analysis, and to confirm the presence of MnTiO 3 crystal phase 16 . この場合、Mn を含まない試料No. In this case, the sample does not contain Mn 2 O 3 No. 13を除いて作製したいずれの試料においてもMnTiO 結晶相16はムライト粒子15間に存在していることを確認した。 13 MnTiO 3 crystal phase 16 in any of the samples prepared except it was confirmed that it is present between the mullite particles 15.

また、耐薬品性の指標として、ムライト質焼結体の初期の質量および100℃の水酸化カリウム40質量%水溶液に5時間浸漬させた後のムライト質焼結体の質量を測定し、重量減少率(「ムライト質焼結体の初期質量」−「100℃の水酸化カリウム40質量%水溶液に5時間浸漬させた後のムライト質焼結体の質量」)/「ムライト質焼結体の初期質量」×100[%]を算出した。 Further, as an index of chemical resistance, by measuring the mass of mullite sintered body after immersion 5 hours Potassium 40 wt% aqueous solution of hydroxide of the initial mass and 100 ° C. mullite sintered body, weight reduction rate ( "initial mass of mullite sintered body" - "100 ° C. mass of mullite sintered body after immersion 5 hours potassium 40 wt% aqueous solution of hydroxide") / "initial mullite sintered body It was calculated mass "× 100 [%]. ここで、耐薬品性の判定は重量変化率が0.12質量%以下の場合合格とした。 The determination of the chemical resistance weight change rate was as acceptable when the 0.12 wt% or less.

また、得られたグリーンシートを30層積層して作製した成形体を、上記と同様の脱脂および焼成の条件にて作製したムライト質焼結体を、平面研磨機を用いて、幅3mm、厚み2mm、長さ1mmの形状のサンプルに加工して、TMA分析(熱機械分析)用の試料を作製し、熱膨張係数を測定した。 Further, the molded body produced by laminating the resulting green sheets 30 layers, mullite sintered body prepared by the same degreasing and firing conditions as above by using a surface grinding machine, width 3 mm, the thickness 2 mm, and processed into the shape of the sample length 1 mm, to prepare a sample for TMA analysis (thermomechanical analysis) were measured for thermal expansion coefficient.

さらに、熱膨張係数を測定したムライト質焼結体の試料を用いて、超音波パルス法による弾性率測定を行いヤング率を求めた。 Furthermore, using a sample of the measured thermal expansion coefficient of mullite sintered body, Young's modulus was calculated perform modulus measurement using ultrasonic method.

なお、X線回折、耐薬品性、熱膨張係数およびヤング率の評価は試料数を3個とし、平均値より求めた。 Incidentally, X-rays diffraction, chemical resistance, evaluation of the thermal expansion coefficient and Young's modulus and three the number of samples was determined from the mean value.

また、作製されたグリーンシートに対して、Cu粉末とW粉末とをCuが45体積%、Wが55体積%となるように調製した導体ペーストを各グリーンシートの表面に印刷して内部配線パターンを形成するとともに貫通孔内にMoの導体ペーストを充填してビア導体が形成されたグリーンシートを作製した。 Further, with respect to the fabricated green sheet, the internal print the Cu powder and a W powder Cu is 45 vol%, the conductive paste W was prepared so that 55% by volume on the surface of the green sheets wiring pattern to prepare a green sheet having a via conductor formed by filling a conductive paste Mo in a through hole be formed.

このとき、内部配線パターンの一部に、抵抗測定用として、線幅が100μm、長さが20mmの評価パターンを形成し、この内部配線パターンをビア導体に接続するようにし、さらに、内部配線パターンの端部にはビア導体との接続用としてランドパターンを形成した。 At this time, a part of the internal wiring pattern, as a resistance measurement, the line width of 100 [mu] m, to form a test pattern of 20mm length, so as to connect the internal wiring pattern in the via conductor, further internal wiring pattern the end to form a land pattern for the connection between the via conductors.

こうして作製した各セラミックグリーンシートを位置合わせして積層圧着して積層体を作製した。 Thus it was produced a laminate of the ceramic green sheet produced by laminating crimp in registration. ここで作製された積層体は、最上層には抵抗測定用に測定端子を接触させるためのパッドが設けられたセラミックグリーンシートを配置し、2層目には抵抗測定用の内部配線パターンとランドパターンが印刷塗布されたセラミックグリーンシートを配置し、最上層に設けられた貫通孔(Mo導体ペーストが充填されている)と、2層目に印刷塗布されたランドが電気的に接続されるように、位置合わせしたものであり、全30層のセラミックグリーンシートが積層されたものである。 Here fabricated laminate, the ceramic green sheet pads provided for contacting a measuring terminal for resistance measurement in the top layer is arranged, the second-layer internal wiring pattern and lands for resistance measurement the ceramic green sheet on which the pattern is printed coated arranged so that a through hole provided in the top layer (Mo conductive paste is filled), printed coated lands the second layer are electrically connected in, which has aligned, in which ceramic green sheets of all 30 layers are laminated.

次に、この積層体を上記と同様の脱脂および焼成の条件にて焼成してプローブカード用セラミック配線基板を作製した。 Next, to produce a ceramic circuit board for probe card of this laminate was fired at the same degreasing and firing conditions. 基板サイズは340mm×340mm、厚みが5mmであった。 The substrate size 340 mm × 340 mm, a thickness was 5 mm.

次に、作製したプローブカード用セラミック配線基板の表面を研磨し、ランドパターンを取り除いた後、スパッタ法を用いて、プローブカード用セラミック配線基板の表面の全面に厚みが約2μmのチタンおよび銅の導電性薄膜を順に形成した。 Next, by polishing the surface of the fabricated ceramic wiring board for probe card, after removing the land pattern by sputtering, the surface of the ceramic wiring board probe card entirely in the thickness of about 2μm titanium and copper a conductive thin film formed in this order.

次に、フォトリソグラフィーによりチタンおよび銅の導電性薄膜をパターン加工して、この銅の表面にニッケルおよび金の電解めっき膜を順に形成して、プローブカード用セラミック配線基板の表面のビアホール導体上に表面配線層を形成した。 Then patterned conductive thin film of titanium and copper by photolithography, the electrolytic plating film of nickel and gold on the surface of the copper was formed in this order, on a via-hole conductors of the surface of the ceramic wiring board probe card to form a surface wiring layer.

次に、このプローブカード用セラミック配線基板の表面に形成した表面配線層の表面にSi製の測定端子(プローブピン)を接合してプローブカードを作製した。 Next, to prepare a probe card by bonding Si-made measuring terminal (probe pins) on the surface of the surface wiring layer formed on the surface of the ceramic wiring board for probe card.

次に、ステージ上に載置したSiウェハの上面にプローブカードの測定端子であるプローブピンを接触させて90℃の温度に加熱した状態に保持し、プローブカードの側面から実体顕微鏡を用いて、プローブピンとSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれを観察した。 Then, holding the heated state to the upper surface of the Si wafer was placed on a stage by contacting the probe pins is a measurement terminals of the probe card to a temperature of 90 ° C., using a stereoscopic microscope from the side of the probe card, It was observed displacement between the measurement pads formed on the probe pin and the Si surface of the wafer. この場合、プローブカードおよびSiウエハの最外周に形成した測定端子(プローブピン)と測定パッドを観察したときに、測定端子(プローブピン)の先端が測定パッド上から横に位置ずれしている状態を位置ずれ有りとした。 State In this case, when the measured terminal formed on the outermost periphery of the probe card and Si wafer (the probe pins) were observed measurement pad, the tip of the measuring terminals (probe pin) is misaligned laterally from the measurement pads It was that there is a positional shift.

絶縁基体の表面の色むらは、作製したプローブカード用セラミック配線基板の表面配線層が形成されていない絶縁基体の表面を実体顕微鏡により観察した。 Color unevenness of the surface of the insulating substrate, the prepared surface of the insulating substrate surface wiring layer of the ceramic wiring board probe card is not formed was observed by a stereomicroscope. このとき絶縁基体の表面において絶縁基体の基本的な色彩に対して、最大径で0.05μm以上の色の異なる部分が見られないものを磁器の外観が良(表3では○)とした。 Against basic colors of the insulating substrate in the surface of the case insulating substrate, it was the appearance of porcelain good shall not observed color different parts of the above 0.05μm with a maximum diameter (Table 3 ○).

作製したプローブカード用セラミック配線基板から絶縁基体の部分を切り出し、JISC2141に基づき吸水率を測定し、絶縁基体の緻密性を評価した。 Cut out portion from the probe ceramic wiring board card insulating substrate was produced to measure the water absorption rate based on JISC2141, it was evaluated denseness of the insulating base. 吸水率が0.1%以下の場合、絶縁基体が緻密であると判定し、吸水率が0.1%よりも大きいものを絶縁基体が緻密でないものと判定した。 If water absorption of 0.1% or less, the insulating substrate is determined to be dense, those water absorption is greater than 0.1% was determined that the insulating substrate is not dense.

また、絶縁基体中に含まれるMn、TiおよびMgの存在は、ICP分析により確認した。 The presence of Mn contained in the insulating substrate, Ti and Mg was confirmed by ICP analysis.

また、絶縁基体11中に含まれるAl、Si、Mn、Ti、MgおよびNaの含有量は、プローブカード用配線基板から切り出した絶縁基体を一旦、酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ICP発光分光分析にかけて定量化した。 The content of Al, Si, Mn, Ti, Mg and Na contained in the insulating base 11, once the insulating substrate cut out from the wiring board for probe card, is dissolved in an acid, first, by atomic absorption spectrometry performs qualitative analysis of elements contained in the dielectric ceramic, then those obtained by diluting a standard solution of each element identified as a standard sample were quantified over the ICP emission spectroscopy. この場合、ICP分析により絶縁基体中に含まれるアルミニウム(Al)、珪素(Si)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、マグネシウム(Mg)およびナトリウム(Na)の含有量を求め、これらの分析値のうちアルミニウム(Al)および珪素(Si)からムライト(3Al ・2SiO )量を求め、さらにムライト量に対するMn、Ti、MgおよびNaの量を酸化物換算で求めたところ表1に示す量にそれぞれ一致していた。 In this case, aluminum contained in the insulating substrate by ICP analysis (Al), silicon (Si), determined the content of manganese (Mn), titanium (Ti), magnesium (Mg) and sodium (Na), these analyzes calculated aluminum (Al) and mullite silicon (Si) (3Al 2 O 3 · 2SiO 2) the amount of the value, Table 1 where further Mn relative amounts of mullite, Ti, the amount of Mg and Na were determined in terms of oxide was consistent respective amounts shown in.

また、内部配線層の銅およびタングステンの組成は、まず、プローブカード用配線基板から内部配線層が形成された部位を切り出し、これを酸に溶解させた溶液をICP分析を用いて導体材料である銅およびタングステンの含有量を質量で求めた。 Further, the composition of the copper and tungsten internal wiring layer, first, cut out portion internal wiring layer is formed from the wiring board for probe card, is a conductor material using ICP analysis was dissolved in an acid solution to which the content of copper and tungsten were determined by mass. 次に、質量として求めた銅およびタングステンの量をそれぞれの密度で除して各々の体積を求め、次いで、銅およびタングステンの合計の体積を100%としたときの銅およびタングステンの割合を求めた。 Then, determine the volume of each by dividing the amount of copper and tungsten determined as the mass in each density, and then to determine the proportion of copper and tungsten when the total volume of copper and tungsten to 100% . なお、作製したプローブカード用配線基板に形成された内部配線層は銅が45体積%、タングステンが55体積%であることを確認した。 The internal wiring layer formed on the wiring board for probe card manufactured copper is 45% by volume, tungsten was confirmed to be 55% by volume.

配線抵抗は、測定で得られた導体の抵抗をR、測定する内部配線層の全長をL、内部配線層の幅をWとしたときに、関係式:R×W/Lで表される抵抗値(シート抵抗という。単位はmΩ/□)として求めた。 Wiring resistance, the resistance of the conductor obtained in the measurement R, the total length of the internal wiring layer for measuring L, and the width of the internal wiring layer is W, equation: represented by R × W / L resistors value (referred to as sheet resistance. unit is mΩ / □) was determined as. 電気抵抗はデジタルマルチメーターによる四端子法により測定した。 Electrical resistance was measured by the four probe method with a digital multimeter. このとき、配線抵抗は、シート抵抗換算で4.0mΩ/□以下を合格とした。 In this case, wiring resistance, was passed 4.0mΩ / □ or less in sheet resistance conversion. これらの結果を表1〜3に示す。 The results are shown in Tables 1-3. 表1に調合組成と焼成条件を、表2にムライト質焼結体(絶縁基体)のX線回折により求めた各結晶相の割合を、表3に、ムライト質焼結体の吸水率、焼結体中に存在するMnTiO 結晶相が30μm以下であるか30μmより大きいかの判定、ムライト質焼結体(絶縁基体)の磁器の外観、最大気孔径、熱膨張係数、熱負荷試験での位置ずれ、耐薬品性、ヤング率、プローブカード用配線基板の配線抵抗の各特性を示した。 The firing conditions and formulated compositions shown in Table 1, the proportion of each crystal phase was determined by X-ray diffraction of mullite sintered body (the insulating base) in Table 2, Table 3, the water absorption of mullite sintered body, baked determination MnTiO 3 crystal phase of either 30μm or greater is 30μm or less present in the body, porcelain mullite sintered body (insulating substrate) appearance, maximum pore diameter, the thermal expansion coefficient, in the heat load test positional deviation showed chemical resistance, Young's modulus, the characteristics of the wiring resistance of the wiring board for probe card.

表1〜3の結果から明らかなように、本発明の試料(試料No.I−4〜I−10、I−12、I−14およびI−18)では、絶縁基体が少なくともMn、TiおよびMgを含み、絶縁基体であるムライト質焼結体に形成された気孔はいずれも最大径が20μ以下であった。 As evident from the results in Tables 1 to 3, the samples of the present invention (Sample No.I-4~I-10, I-12, I-14 and I-18), the insulating substrate is at least Mn, Ti and comprises mg, maximum diameter any pores formed in the mullite sintered body is less than or equal to 20μ, which is an insulating substrate. こうした本発明の試料である絶縁基体は、その熱膨張係数(室温〜125℃)が3.4×10 −6 /℃〜4.1×10 −6 /℃であり、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが無く、電気特性の検査に好適に使用できるものであった。 Sample a is an insulating substrate according to the aspect of the invention, the thermal expansion coefficient (room temperature to 125 ° C.) a is 3.4 × 10 -6 /℃~4.1×10 -6 / ℃ , during thermal loading test, no positional deviation between the measured pad formed on the measurement terminals and the Si surface of the wafer provided on the ceramic wiring board probe card was achieved, can be suitably used for inspecting the electrical characteristics. また、 Also,
作製した本発明のプローブカード用配線基板の配線抵抗は、いずれもシート抵抗換算で4.0mΩ/□以下であった。 The wiring resistance of the probe card wiring board of the present invention prepared are all was 4.0mΩ / □ or less in sheet resistance terms.

また、プローブカード用セラミック配線基板を構成する絶縁基体を、Naを含み、前記ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、MnをMn 換算で3〜7質量部、TiをTiO 換算で2〜4質量部、MgをMgO換算で1〜3質量部、NaをNa O換算で0.5〜3質量部含み、かつムライト粒子の粒界に最大径が30μm以下のMnTiO 結晶相を有するムライト質焼結体により形成した試料(試料No.I−5、I−7、I−10、I−12、I−14およびI−18)では、耐薬品性試験での重量変化率が0.12質量部以下であり、耐薬品性に優れ、色むらの無いものであった。 Further, an insulating substrate constituting the ceramic wiring board probe card includes Na, the Al contained in the mullite sintered material and Al 2 O 3 the total amount of 100 parts by weight of the conversion and Si was SiO 2 in terms 0 when 3-7 parts by mass of Mn in Mn 2 O 3 in terms of, 2-4 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, 1 to 3 parts by weight in terms of MgO to Mg, the Na in terms of Na 2 O. It comprises 5-3 parts by weight, and mullite sintered samples formed by sintered bodies (sample No.I-5, I-7 with MnTiO 3 crystal phase maximum diameter less 30μm in grain boundaries of the mullite grains, I-10 in I-12, I-14 and I-18), the weight change ratio in the chemical resistance test is less 0.12 parts by mass, excellent chemical resistance, it was those with no color unevenness.

純度が99%で平均粒子径が2.1μmのムライト粉末100質量部に対して、純度が99%以上で平均粒子径が1.8μmのAl 粉末、純度が99%で平均粒子径が1.5μmのMn 粉末、純度が99%で平均粒径が1.0μmのTiO 粉末、純度が99%で平均粒子径が0.7μmのMgO粉末を表4に示すような割合で混合した後、さらに成形用有機樹脂(有機バインダー)としてアクリル系バインダーと、有機溶媒としてトルエンとを混合してセラミックスラリーを調製した後、ドクターブレード法にて厚さ200μmのシート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製した。 The average particle diameter purity relative to the average mullite powder 100 parts by weight of the particle diameter of 2.1μm at 99% purity average particle diameter of 1.8μm Al 2 O 3 powder in 99%, purity 99% There shown Mn 2 O 3 powder of 1.5 [mu] m, purity average particle size 1.0 .mu.m TiO 2 powder in 99% purity average particle size at 99% of 0.7μm of MgO powder Table 4 after mixing at a ratio, further shaped and acrylic binder as molding organic resin (organic binder), after a mixture of toluene as an organic solvent to prepare a ceramic slurry, into a sheet having a thickness of 200μm by a doctor blade method and, to produce a ceramic green sheet.

得られたグリーンシートを15層積層し、室温から600℃の温度において、露点を+25℃とした窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行なった後、引き続き焼成を行った。 The resulting green sheets were laminated 15 layers, at a temperature of 600 ° C. from room temperature, after performing a degreasing in a nitrogen hydrogen mixed atmosphere with a dew point of + 25 ° C., it was subsequently baked. 焼成は、1000℃から最高温度までを75℃/hrの昇温速度で昇温し、1400℃を最高温度として、露点を+25℃とした窒素水素混合雰囲気に、1時間保持した後、最高温度から1000℃までを60℃/hrの降温速度で冷却して、ムライト質焼結体を得た。 Firing, up to a maximum temperature was raised at a heating rate of 75 ° C. / hr from 1000 ° C., as the highest temperature 1400 ° C., in a nitrogen hydrogen mixed atmosphere with a dew point of + 25 ° C., it was maintained for 1 hour, the maximum temperature up to 1000 ° C. by cooling at a cooling rate of 60 ° C. / hr from to obtain mullite sintered body.

ここで、ムライト質焼結体の最大気孔径、ムライト質焼結体に存在する結晶の同定および耐薬品性は、前記実施例1と同様の評価にて求めた。 The maximum pore diameter of the mullite sintered body, identification and chemical resistance of the crystals present in the mullite sintered body was determined by the same evaluation as in Example 1. なお、実施例2では、耐薬品性試験を浸漬時に静置させた状態および揺動させた状態について行った。 In Example 2, it was performed in a state where the chemical resistance test was state and swing were allowed to stand at immersion.

また、ムライト質焼結体についての熱膨張係数および結晶相の同定を求める際の試料の作製および評価は、実施例1と同様の方法で行った。 Further, Preparation and evaluation of samples for obtaining the identification of the thermal expansion coefficient and the crystal phase of mullite sintered body was obtained in the same manner as in Example 1. なお、ムライト質焼結体に含まれる結晶相比率はX線回折パターンをリートベルト解析することにより求めた。 The crystal phase proportions contained in the mullite sintered body was determined by Rietveld analysis of X-ray diffraction pattern. また、ムライト質焼結体中に存在するムライト粒子、非晶質相およびMnTiO 結晶相の存在状態は、実施例1と同様の方法で評価した。 Further, mullite grains present in the mullite sintered body, the state of existence of the amorphous phase and MnTiO 3 crystal phase was evaluated in the same manner as in Example 1. この場合、作製したいずれの試料においてもMnTiO 結晶相はムライト粒子間の非晶質相の周囲に存在していることを確認した。 In this case, MnTiO 3 crystal phase in any of the samples prepared was confirmed to be present in the periphery of the amorphous phase between the mullite grains.

次に、この実施例2においてもプローブカード用配線基板を作製し、プローブピンとSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれ、絶縁基体の表面の色むら、絶縁基体中に含まれるMn、TiおよびMgの含有量、内部配線層の銅およびタングステンの組成および配線抵抗を評価したが、これらはいずれも実施例1と同様の方法で行った。 Next, to prepare a wiring board for probe card also in this second embodiment, positional deviation between the measured pad formed on the probe pin and the Si surface of the wafer, the color unevenness of the surface of the insulating substrate, contained in the insulating substrate Mn , the content of Ti and Mg, was evaluated copper and composition and the wiring resistance of the tungsten inside the wiring layers, these were carried out in the same manner either as described in example 1.

なお、作製したプローブカード用配線基板について、ムライト量に対するMn、TiおよびMgの量を酸化物換算で求めたところ表4に示す量にそれぞれ一致していた。 Note that the wiring board for probe card prepared was consistent respective amounts shown Mn, in Table 4 were determined in terms of oxide amount of Ti and Mg for mullite amount. また、作製したプローブカード用配線基板に形成された内部配線層は銅が45体積%、タングステンが55体積%であることを確認した。 The internal wiring layer formed on the wiring board for probe card manufactured copper is 45% by volume, tungsten was confirmed to be 55% by volume. これらの結果を表4、5に示す。 The results are shown in Tables 4 and 5. 表4に調合組成とムライト質焼結体(絶縁基体)のX線回折により求めた各結晶相の割合を、表5に、最大気孔径、熱膨張係数、熱負荷試験での位置ずれ、プローブカード用配線基板の配線抵抗、ムライト質焼結体(絶縁基体)におけるMnTiO 結晶相の存在状態および耐薬品性、の各特性を示した。 Table 4 The ratio of each crystal phase was determined by X-ray diffraction of the formulation composition and mullite sintered body (insulating substrate) in Table 5, the maximum pore diameter, coefficient of thermal expansion, misalignment of a thermal load test, probe the wiring resistance of the wiring board card, existing state and chemical resistance of MnTiO 3 crystalline phase in the mullite sintered body (insulating substrate) showed the characteristics of.

表4,5の結果から明らかなように、本発明の試料(試料No.II−2〜16)では、絶縁基体が少なくともMn、TiおよびMgを含み、絶縁基体であるムライト質焼結体に形成された気孔はいずれも最大径が20μ以下であった。 As can be seen from the results of Tables 4 and 5, the samples of the present invention (Sample No.II-2~16), the insulating substrate is at least Mn, include Ti and Mg, a mullite sintered body is an insulating substrate the formed pores maximum diameter both were below 20 [mu]. こうした本発明の試料である絶縁基体は、その熱膨張係数(室温〜125℃)が3.4×10 −6 /℃〜3.8×10 −6 /℃であり、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とSiウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが無く、電気特性の検査に好適に使用できるものであった。 Sample a is an insulating substrate according to the aspect of the invention, the thermal expansion coefficient (room temperature to 125 ° C.) a is 3.4 × 10 -6 /℃~3.8×10 -6 / ℃ , during thermal loading test, no positional deviation between the measured pad formed on the measurement terminals and the Si surface of the wafer provided on the ceramic wiring board probe card was achieved, can be suitably used for inspecting the electrical characteristics. また、作製した本発明のプローブカード用配線基板の配線抵抗は、いずれもシート抵抗換算で4.0mΩ/□以下であった。 The wiring resistance of the probe card wiring board of the present invention prepared are all was 4.0mΩ / □ or less in sheet resistance terms.

また、プローブカード用セラミック配線基板を構成する絶縁基体を、ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、MnをMn 換算で1〜7質量部、TiをTiO 換算で2〜10質量部、MgをMgO換算で0.05〜3質量部含み、かつMnTiO 結晶相を有するムライト質焼結体により形成した試料(試料No.II−2〜11および13〜15)では、耐薬品性試験での重量変化率が0.12質量%以下であった。 Further, an insulating substrate constituting the ceramic wiring board probe card, the total amount of Al and the terms of Al 2 O 3 and Si SiO 2 in terms contained in the mullite sintered material is 100 parts by mass, Mn 1-7 parts by mass Mn 2 O 3 in terms of 2 to 10 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, comprising 0.05 to 3 parts by weight of Mg in terms of MgO, and mullite sintered with MnTiO 3 crystal phase in samples formed by the body (sample No.II-2~11 and 13-15), the weight change ratio in the chemical resistance test was less than 0.12 wt%.

また、プローブカード用セラミック配線基板を構成する絶縁基体を、ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、MnをMn 換算で1〜7質量部、TiをTiO 換算で2〜10質量部、MgをMgO換算で0.05〜1質量部含有するとともに、ムライト粒子間に、非晶質相と、この非晶質相の周囲に存在するMnTiO 結晶相とを有するムライト質焼結体により形成した試料(試料No.II−2〜6、10、11、14および15)では、耐薬品性試験の揺動試験においても重量変化率が0.12質量部以下であり、耐薬品性に優れていた。 Further, an insulating substrate constituting the ceramic wiring board probe card, the total amount of Al and the terms of Al 2 O 3 and Si SiO 2 in terms contained in the mullite sintered material is 100 parts by mass, Mn 1-7 parts by mass Mn 2 O 3 in terms of 2 to 10 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, while containing 0.05 to 1 part by weight of Mg in terms of MgO, between mullite grains, an amorphous phase When, in the samples formed by mullite sintered body having a MnTiO 3 crystal phase present around the amorphous phase (sample No.II-2~6,10,11,14 and 15), chemical even weight change rate in the oscillating test sex test is not more than 0.12 parts by mass, it was excellent in chemical resistance.

1:プローブカード用セラミック配線基板11:絶縁基体12:内部配線層13:表面配線層14:ビアホール導体15:ムライト粒子16:MnTiO 結晶相17:非晶質相2:プローブカード21:測定端子 1: a probe card for a ceramic wiring substrate 11: insulating substrate 12: internal wiring layer 13: surface wiring layer 14: hole conductor 15: mullite particles 16: MnTiO 3 crystal phase 17: amorphous phase 2: the probe card 21: measurement terminal

Claims (5)

  1. ムライト質焼結体からなる絶縁基体と、該絶縁基体の内部に形成された内部配線層とを備えてなり、前記ムライト質焼結体は、少なくともMnとTiとMgとを含有するとともに、最大気孔径が20μm以下であることを特徴とするプローブカード用セラミック配線基板。 An insulating substrate made of mullite sintered body, it comprises the internal wiring layer formed inside the insulating substrate, wherein the mullite sintered body, as well as containing at least Mn and Ti and Mg, up to ceramic wiring board for probe card, wherein the pore diameter of 20μm or less.
  2. 前記ムライト質焼結体は、前記ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、前記MnをMn 換算で1〜7質量部、前記TiをTiO 換算で2〜10質量部、前記MgをMgO換算で0.05〜3質量部含み、ムライト粒子間にMnTiO 結晶相を有することを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用セラミック配線基板。 The mullite sintered body, a total amount of Al and the terms of Al 2 O 3 and Si SiO 2 in terms contained in the mullite sintered material is 100 parts by weight, the Mn Mn 2 O 3 1-7 parts by mass in terms of the 2 to 10 parts by mass of Ti in terms of TiO 2, comprising 0.05 to 3 parts by mass of the Mg in terms of MgO, and wherein a MnTiO 3 crystal phase between the mullite grains ceramic wiring board for probe card of claim 1,.
  3. 前記ムライト質焼結体は、前記ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、前記MgをMgO換算で0.05〜1質量部含有するとともに、ムライト粒子間に、非晶質相と、該非晶質相の周囲に存在する前記MnTiO 結晶相とを有することを特徴とする請求項2に記載のプローブカード用セラミック配線基板。 The mullite sintered body, a total amount of SiO 2 in terms of Al the terms of Al 2 O 3 and Si contained in the mullite sintered material is 100 parts by weight, the Mg in terms of MgO 0 together containing .05~1 parts by mass, between the mullite grains, probe according to claim 2, characterized in that it comprises an amorphous phase, and said MnTiO 3 crystalline phase present around the amorphous phase ceramic circuit board for the card.
  4. 前記ムライト質焼結体は、Naを含み、前記ムライト質焼結体中に含まれるAlをAl 換算およびSiをSiO 換算した合計量を100質量部としたときに、前記MnをMn 換算で3〜7質量部、前記TiをTiO 換算で2〜4質量部、前記MgをMgO換算で1〜3質量部、前記NaをNa O換算で0.5〜3質量部含み、かつムライト粒子間にMnTiO 結晶相を有することを特徴とする請求項2に記載のプローブカード用セラミック配線基板。 The mullite sintered body comprises Na, and Al contained in the mullite sintered material when the terms of Al 2 O 3 and Si to SiO 2-converted total amount of 100 parts by weight, the Mn 3-7 parts by mass Mn 2 O 3 in terms of, 2-4 parts by mass of the Ti in terms of TiO 2, the Mg 1 to 3 parts by weight in terms of MgO, the Na in terms of Na 2 O 0.5-3 parts by comprising, and a ceramic wiring board probe card according to claim 2, characterized in that it comprises a MnTiO 3 crystal phase between the mullite grains.
  5. 請求項1乃至4のうちいずれかに記載のプローブカード用セラミック配線基板の表面に表面配線層が設けられており、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子が接続されてなることを特徴とするプローブカード。 Claim 1 has a surface wiring layer is provided on the surface of the ceramic wiring board probe card according to any one of the four, the measurement terminals for measuring the electrical characteristics of a semiconductor element to the surface wiring layer is connected probe card characterized by comprising Te.
JP2010189602A 2010-07-26 2010-08-26 Ceramic wiring board for probe card and probe card employing the same Pending JP2012047579A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010167245 2010-07-26
JP2010167245 2010-07-26
JP2010189602A JP2012047579A (en) 2010-07-26 2010-08-26 Ceramic wiring board for probe card and probe card employing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010189602A JP2012047579A (en) 2010-07-26 2010-08-26 Ceramic wiring board for probe card and probe card employing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012047579A true true JP2012047579A (en) 2012-03-08

Family

ID=45902635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010189602A Pending JP2012047579A (en) 2010-07-26 2010-08-26 Ceramic wiring board for probe card and probe card employing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012047579A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012171817A (en) * 2011-02-18 2012-09-10 Kyocera Corp Mullite sintered body, and multilayer wiring board and probe card using the same
JP2014160050A (en) * 2013-01-25 2014-09-04 Kyocera Corp Substrate for probe card and probe card

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11160356A (en) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Probe card for wafer collective measurement and inspection and ceramic multilayer interconnection board as well as their manufacture
JP2005145811A (en) * 2003-02-24 2005-06-09 Showa Denko Kk Alumina-based ceramic material and production method thereof
JP2006073280A (en) * 2004-08-31 2006-03-16 Ngk Spark Plug Co Ltd Metalized composition and ceramic wiring board
JP2008098147A (en) * 2006-09-15 2008-04-24 Nippon Electric Glass Co Ltd Plane display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11160356A (en) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Probe card for wafer collective measurement and inspection and ceramic multilayer interconnection board as well as their manufacture
JP2005145811A (en) * 2003-02-24 2005-06-09 Showa Denko Kk Alumina-based ceramic material and production method thereof
JP2006073280A (en) * 2004-08-31 2006-03-16 Ngk Spark Plug Co Ltd Metalized composition and ceramic wiring board
JP2008098147A (en) * 2006-09-15 2008-04-24 Nippon Electric Glass Co Ltd Plane display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012171817A (en) * 2011-02-18 2012-09-10 Kyocera Corp Mullite sintered body, and multilayer wiring board and probe card using the same
JP2014160050A (en) * 2013-01-25 2014-09-04 Kyocera Corp Substrate for probe card and probe card

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5604018A (en) Ceramic oxide circuit board
US4695403A (en) Thick film conductor composition
JP2005298259A (en) Glass ceramic raw material composition, glass ceramic sintered compact, and glass ceramic multilayer substrate
JP2003040668A (en) Low temperature fired ceramic sintered compact and its manufacturing method and wiring board
WO2010113892A1 (en) Process for producing metallized substrate and metallized substrate
JP2010010157A (en) Stacked ceramic capacitor, and method of manufacturing the same
JP2007123835A (en) Laminated ceramic capacitor and manufacturing method thereof
JPH1095686A (en) Copper-metalizing composition and glass ceramic wiring substrate using the same
JP2001342063A (en) Low temperature-baked ceramic composition, low temperature ceramic, its production method, wiring board using the same and its production method
JP2010147101A (en) Electronic part
US20110057678A1 (en) Ceramic Substrate, Functional Ceramic Substrate, Probe Card and Method for Manufacturing Ceramic Substrate
JP2002173362A (en) Dielectric ceramic composition and multilayer substrate using the same
JP2006310777A (en) Substrate with built-in coil
JP2006073280A (en) Metalized composition and ceramic wiring board
US6414247B1 (en) Glass ceramic board
JP2011049351A (en) Laminated ceramic capacitor
JP2005306714A (en) Glass ceramic composition, glass ceramic sintered body and manufacturing method for the same, and circuit board and thin film circuit board both using the same
JP2008270741A (en) Wiring board
JP2008053525A (en) Multilayer ceramic substrate and its manufacturing method
JP2000188453A (en) Wiring substrate and its manufacture
JP2001097767A (en) Alumina-based sintered product and its production, and wiring substrate and its production
JP2002193691A (en) Low-permittivity ceramic sintered-compact, method for manufacturing the same, and wiring board using the same
JP2006229144A (en) Wiring board and its manufacturing method
JP2006284541A (en) Measuring wiring substrate, probe card, and evaluation device
JP2003342060A (en) Glass ceramic sintered compact and wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130716

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140212

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140902