JP2012032839A - Display panel and liquid crystal display apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display apparatus which realizes a high aperture ratio and high transmittance.SOLUTION: A display panel comprises a substrate and a pixel electrode formed on the substrate and having a pair of first primary sides facing each other and a pair of second primary sides connected to the first primary sides and facing each other. The second primary sides of the pixel electrode comprise protrusions having the shape of teeth of a saw.

Description

本発明は液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device.

液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置の1つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極(field generating electrode)が形成された2枚の表示板と、その間に入っている液晶層及び表示板外側面に付着された偏光子を備える。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これによって液晶層の液晶分子の方向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。   The liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices, and includes two display plates on which a field generating electrode such as a pixel electrode and a common electrode is formed. And a polarizer attached to the outer surface of the liquid crystal layer and the display panel. The liquid crystal display device applies a voltage to the electric field generating electrode to generate an electric field in the liquid crystal layer, thereby determining the direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer and controlling the polarization of incident light to display an image.

特に、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式(vertically aligned mode)の液晶表示装置はコントラスト比が大きく、基準視野角が広いため脚光を浴びている。   In particular, a vertically aligned mode liquid crystal display device in which the long axes of liquid crystal molecules are aligned perpendicular to the display panel in the absence of an electric field has a large contrast ratio and a wide reference viewing angle. In the spotlight.

垂直配向方式の液晶表示装置で広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部及び突起は液晶分子が傾く方向(tilt direction)を決定するので、これらを適切に配置して液晶分子の傾斜方向を分散させることによって基準視野角を広くすることができる。   Specific methods for realizing a wide reference viewing angle in a vertical alignment type liquid crystal display device include a method of forming an incision in an electric field generation electrode and a method of forming a protrusion on the electric field generation electrode. Since the incision and the protrusion determine the direction in which the liquid crystal molecules are tilted, the reference viewing angle can be widened by appropriately arranging them to disperse the tilt directions of the liquid crystal molecules.

一方、液晶分子の傾斜方向は、偏光子の偏光方向と45°をなすとき最も光効率が良いものと知られ、偏光子は偏光方向がゲート線またはデータ線に平行または垂直になるように付着するのが一般的である。このため、切開部や突起は、ゲート線及びデータ線と45°をなしながら延びるように形成する。   On the other hand, the tilt direction of the liquid crystal molecules is known to have the highest light efficiency when it makes 45 ° with the polarization direction of the polarizer, and the polarizer is attached so that the polarization direction is parallel or perpendicular to the gate line or data line. It is common to do. For this reason, the incision and the protrusion are formed so as to extend at 45 ° from the gate line and the data line.

しかし、画素電極がゲート線及びデータ線に平行な長方形状である液晶表示装置では、隣接した画素電極の間で生じる電場により液晶分子の配列が乱れてテクスチャー(texture)が発生し、その結果、透過率が減少するという問題がある。   However, in the liquid crystal display device in which the pixel electrode has a rectangular shape parallel to the gate line and the data line, the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed by the electric field generated between the adjacent pixel electrodes, resulting in a texture. There is a problem that the transmittance decreases.

また、このようなテクスチャーを減らすために共通電極の切開部に画素電極の辺と重畳する部分を設けるが、その場合、開口率が減少する可能性がある。   In order to reduce such a texture, a portion overlapping the side of the pixel electrode is provided at the cut-out portion of the common electrode. In this case, the aperture ratio may be reduced.

本発明の目的は、開口率及び透過率を向上させることである。   An object of the present invention is to improve the aperture ratio and transmittance.

各画素に形成され、各画素を複数の副領域に区画する第1切開部を有する画素電極と、
前記第1切開部とともに各画素を複数の副領域に区画する第2切開部を有し、前記画素電極と対向する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に位置している液晶層と、
を備え、
前記副領域それぞれは互いに対向する一対の主辺と、これに接続している複数の副辺を有し、
隣接した2つの画素電極にそれぞれ含まれる2つの副領域の主辺は互いにずれており、
前記共通電極は、隣接する画素電極の間隙に位置し、隣り合う画素の前記第2切開部を接続する接続切開部を有することを特徴とする液晶表示装置を提供する。
A pixel electrode having a first incision formed in each pixel and dividing each pixel into a plurality of sub-regions;
A second electrode that divides each pixel into a plurality of sub-regions together with the first electrode, and a common electrode facing the pixel electrode;
A liquid crystal layer positioned between the pixel electrode and the common electrode;
With
Each of the sub-regions has a pair of main sides facing each other and a plurality of sub-sides connected thereto,
The main sides of two sub-regions respectively included in two adjacent pixel electrodes are shifted from each other,
The common electrode may be located in a gap between adjacent pixel electrodes, and may have a connection cutout that connects the second cutouts of adjacent pixels.

この発明による液晶表示装置は、共通電極の切開部のうちの縦部を除去し、除去された領域を透過領域として活用することができる。そして、共通電極に画素電極の間隙と対応する接続部を形成することにより、間隙に形成される副電場が副領域の液晶の配向を強化してテクスチャーが減少し、高開口率及び高透過率を実現した液晶表示装置を提供することができる。   In the liquid crystal display device according to the present invention, the vertical portion of the cut-out portion of the common electrode can be removed, and the removed region can be used as a transmission region. Further, by forming a connection portion corresponding to the gap of the pixel electrode in the common electrode, the sub electric field formed in the gap enhances the orientation of the liquid crystal in the sub region, and the texture is reduced, and the high aperture ratio and the high transmittance A liquid crystal display device that realizes the above can be provided.

本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。1 is a layout view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 図1の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display device of FIG. 1. 図1の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。FIG. 2 is a layout view of a common electrode panel for a liquid crystal display device of FIG. 1. 図1の液晶表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of the liquid crystal display device of FIG. 図1の共通電極及び画素電極の配置図である。FIG. 2 is a layout diagram of common electrodes and pixel electrodes in FIG. 1. 図1に示す互いに隣接した画素電極の間を拡大して示す図である。FIG. 2 is an enlarged view showing between adjacent pixel electrodes shown in FIG. 1. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 図7の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。FIG. 8 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display device of FIG. 7. 図7の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。FIG. 8 is a layout view of a common electrode panel for a liquid crystal display device of FIG. 7. 図7の液晶表示装置のX-X線に沿った断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line XX of the liquid crystal display device of FIG. 7. 図6のXI-XI線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XI-XI line of FIG. 図7のXII-XII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XII-XII line of FIG. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 図13の液晶表示装置のXIV-XIV線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XIV-XIV line | wire of the liquid crystal display device of FIG. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置で、図1のIV-IV線に沿った断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 1 in a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 図16の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板用の薄膜トランジスタ表示板の配置図である。FIG. 17 is a layout view of a thin film transistor panel for the thin film transistor panel of FIG. 16. 図16の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。FIG. 17 is a layout view of a common electrode panel for a liquid crystal display device of FIG. 16. 図16の液晶表示装置をXIX-XIX線に沿って切断した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected the liquid crystal display device of FIG. 16 along the XIX-XIX line. 図16の液晶表示装置をXX-XX線に沿って切断した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected the liquid crystal display device of FIG. 16 along the XX-XX line. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 図21の液晶表示装置のXXII-XXII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XXII-XXII line | wire of the liquid crystal display device of FIG. 図21のXXIII-XXIII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XXIII-XXIII line of FIG. 図21に示す液晶表示装置の一つの画素に対する概略的な等価回路図である。FIG. 22 is a schematic equivalent circuit diagram for one pixel of the liquid crystal display device shown in FIG. 21. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 図25のXXVI-XXVI線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XXVI-XXVI line of FIG. 図25のXXVII-XXVII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XXVII-XXVII line of FIG. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 図28のXXIX-XXIX線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XXIX-XXIX line of FIG. 図28の液晶表示装置をXXX-XXX線に沿って切断した断面図である。FIG. 29 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 28 taken along line XXX-XXX.

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs can easily carry out the embodiments. However, the present invention can be realized in various forms and is not limited to the embodiments described herein.

図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。   In the drawings, the thickness is enlarged to clearly show various layers and regions. Similar parts are denoted by the same reference numerals throughout the specification. When a layer, film, region, plate, or other part is “on top” of another part, this is not limited to “immediately above” another part, and another part is in the middle. Including some cases. Conversely, when a part is “just above” another part, this means that there is no other part in the middle.

図1〜図6を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置を詳細に説明する。   A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

図1は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図2は、図1の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図3は、図1の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図4は、図1に示す液晶表示装置のIV-IV線に沿った断面図であり、図5は、図1の共通電極及び画素電極の配置図であり、図6は、図1の互いに隣接した画素電極の間を拡大した図面である。   1 is a layout view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display device of FIG. 1, and FIG. 3 is a liquid crystal display device of FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of the liquid crystal display device shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a layout diagram of the common electrode and pixel electrode of FIG. FIG. 6 is an enlarged view between adjacent pixel electrodes in FIG.

本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板100と共通電極表示板200及びこれら2つの表示板100、200の間に挟持された液晶層3を備える。   The liquid crystal display device according to the present embodiment includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, and a liquid crystal layer 3 sandwiched between the two display panels 100 and 200.

まず、図1、図2及び図4を参照して薄膜トランジスタ表示板100を詳細に説明する。   First, the thin film transistor array panel 100 will be described in detail with reference to FIGS.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板110上に複数のゲート線121と複数の維持電極線131が形成されている。   A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に図1の横方向に延びている。各ゲート線121は、下上に突出した複数のゲート電極124と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部129を有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路(図示せず)は、基板110上に付着されるフレキシブル印刷回路膜(図示せず)上に装着するか、基板110上に直接装着するか、あるいは基板110に集積することができる。ゲート駆動回路が基板110上に集積する場合、ゲート線121を延長して直接接続するように構成できる。   The gate line 121 transmits a gate signal and extends mainly in the horizontal direction of FIG. Each gate line 121 has a wide end portion 129 for connection between a plurality of gate electrodes 124 protruding downward and another layer or an external driving circuit. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached on the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or on the substrate 110. Can be integrated. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 can be extended and directly connected.

維持電極線131は所定電圧の印加を受け、ゲート線121にほぼ平行に延びた幹線とこれから分かれた複数の第1、第2、第3及び第4維持電極133a、133b、133c、133d群、及び複数の接続部(connection)133eを含む。維持電極線131それぞれは、隣接した2つのゲート線121の間に位置し、幹線は2つのゲート線121のうちの上側に近い。   The storage electrode line 131 is applied with a predetermined voltage and has a trunk line extending substantially parallel to the gate line 121 and a plurality of first, second, third, and fourth storage electrodes 133a, 133b, 133c, and 133d groups separated therefrom. And a plurality of connections 133e. Each storage electrode line 131 is located between two adjacent gate lines 121, and the trunk line is close to the upper side of the two gate lines 121.

第1及び第2維持電極133a、133bは、図1の縦方向に延びて互いに対向する。第1維持電極133aは幹線に接続している固定端とその反対側の自由端を有し、自由端は突出部を含む。第3及び第4維持電極133c、133dは概ね第1維持電極133aの中央から第2維持電極133bの上端及び下端まで斜めに延びている。接続部133eは隣接した維持電極133a−133d群の間に接続している。しかし、維持電極線131の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。   The first and second sustain electrodes 133a and 133b extend in the vertical direction of FIG. 1 and face each other. The first sustain electrode 133a has a fixed end connected to the main line and a free end opposite to the fixed end, and the free end includes a protrusion. The third and fourth sustain electrodes 133c and 133d extend obliquely from the center of the first sustain electrode 133a to the upper and lower ends of the second sustain electrode 133b. Connection portion 133e is connected between adjacent sustain electrodes 133a-133d. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 can be modified into various forms.

ゲート線121及び維持電極線131は、アルミニウム(Al)やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀(Ag)や銀合金など銀系金属、銅(Cu)や銅合金など銅系金属、モリブデン(Mo)やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム(Cr)、タンタル(Ta)及びチタニウム(Ti)などにより形成することが望ましい。しかし、これらは物理的性質が異なる2つの導電膜(図示せず)を含む多重膜構造を有しても良い。このうちの1つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らせるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これに対し、他の導電膜は他の物質、特にITO(indium tin oxide)及びIZO(indium zinc oxide)との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで構成できる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム(合金)上部膜、及びアルミニウム(合金)下部膜とモリブデン(合金)上部膜がある。しかし、ゲート線121及び維持電極線131は、この他にも様々な金属または導電体で構成できる。   The gate line 121 and the storage electrode line 131 are made of aluminum metal such as aluminum (Al) or aluminum alloy, silver metal such as silver (Ag) or silver alloy, copper metal such as copper (Cu) or copper alloy, molybdenum (Mo). It is desirable to form with molybdenum metal such as molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of these conductive films is made of a metal having a low specific resistance such as an aluminum-based metal, a silver-based metal, or a copper-based metal so that signal delay and voltage drop can be reduced. In contrast, other conductive films have excellent physical, chemical, and electrical contact characteristics with other materials, particularly ITO (indium tin oxide) and IZO (indium zinc oxide), such as molybdenum-based metals, chromium, and the like. , Tantalum, titanium and the like. Good examples of such a combination include a chromium lower film and an aluminum (alloy) upper film, and an aluminum (alloy) lower film and a molybdenum (alloy) upper film. However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 can be made of various metals or conductors.

ゲート線121及び維持電極線131の側面は基板110面に対して傾斜し、その傾斜角は約30〜80°であることが望ましい。   The side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 to 80 °.

ゲート線121及び維持電極線131上には窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。   A gate insulating film 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate lines 121 and the storage electrode lines 131.

ゲート絶縁膜140上には水素化非晶質シリコン(非晶質シリコンはa-Siと略称する)または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体151が形成されている。線状半導体151は、主に図1の縦方向に延びており、ゲート電極124に向かって延びた複数の突出部154を含む。線状半導体151はゲート線121及び維持電極線131付近で幅が広くなり、これらを幅広く覆う。   On the gate insulating film 140, a plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated as a-Si) or polycrystalline silicon are formed. The linear semiconductor 151 mainly extends in the vertical direction of FIG. 1 and includes a plurality of protrusions 154 extending toward the gate electrode 124. The linear semiconductor 151 is wide in the vicinity of the gate line 121 and the storage electrode line 131 and covers these widely.

半導体151上には複数の線状及び島状オーミック接触部材161、165が形成されている。オーミック接触部材161、165は、リンなどのn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。線状オーミック接触部材161は複数の突出部163を有しており、該突出部163と島状オーミック接触部材165は対をなして半導体151の突出部154上に配置される。   A plurality of linear and island-shaped ohmic contact members 161 and 165 are formed on the semiconductor 151. The ohmic contact members 161 and 165 are preferably made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus at a high concentration, or made of silicide. The linear ohmic contact member 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusions 163 and the island-like ohmic contact member 165 are arranged on the protrusions 154 of the semiconductor 151 in pairs.

半導体151とオーミック接触部材161、165の側面も基板110面に対して傾斜しており、その傾斜角は30°〜80°程度である。   The side surfaces of the semiconductor 151 and the ohmic contact members 161 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

オーミック接触部材161、165及びゲート絶縁膜140上には、複数のデータ線171と複数のドレイン電極175及び複数の孤立した金属片(isolated metal piece)178が形成されている。   A plurality of data lines 171, a plurality of drain electrodes 175, and a plurality of isolated metal pieces 178 are formed on the ohmic contacts 161 and 165 and the gate insulating film 140.

データ線171はデータ電圧を伝達し、主に図1の縦方向に延びてゲート線121、維持電極線131の幹線及び接続部133eと交差する。各データ線171は、ゲート電極124に向かって延びC字状に折曲した複数のソース電極173と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部179を有する。データ電圧を生成するデータ駆動回路(図示せず)は、基板110上に付着されるフレキシブル印刷回路膜(図示せず)上に装着するか、基板110上に直接装着するか、あるいは基板110に集積することができる。データ駆動回路を基板110上に集積する場合、データ線171を延長してそれと直接接続することができる。   The data line 171 transmits a data voltage and extends mainly in the vertical direction of FIG. 1 and intersects the gate line 121, the main line of the storage electrode line 131, and the connection part 133e. Each data line 171 has a wide end 179 for connecting a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and bent in a C shape to other layers or an external driving circuit. A data driving circuit (not shown) for generating a data voltage is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached on the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or on the substrate 110. Can be integrated. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 can be extended and directly connected thereto.

ドレイン電極175はデータ線171と分離され、ゲート電極124を中心にソース電極173と対向する。各ドレイン電極175は広い一端部と棒状である他端部を有し、棒状端部はソース電極173に一部囲まれている。   The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 with the gate electrode 124 as the center. Each drain electrode 175 has a wide one end and a rod-like other end, and the rod-like end is partially surrounded by the source electrode 173.

1つのゲート電極124、1つのソース電極173及び1つのドレイン電極175は、半導体の突出部154と共に1つの薄膜トランジスタ(TFT)をなし、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極173とドレイン電極175との間の突出部154に形成される。   One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 form one thin film transistor (TFT) together with the semiconductor protrusion 154, and the channel of the thin film transistor is between the source electrode 173 and the drain electrode 175. A protrusion 154 is formed.

孤立金属片178は第1維持電極133a付近のゲート線121上に位置する。   The isolated metal piece 178 is located on the gate line 121 in the vicinity of the first sustain electrode 133a.

データ線171とドレイン電極175及び金属片178は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属、またはこれらの合金からなることが望ましく、耐火性金属膜(図示せず)と低抵抗導電膜(図示せず)を含む多重膜構造を有しても良い。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン(合金)下部膜とアルミニウム(合金)上部膜の二重膜、モリブデン(合金)下部膜とアルミニウム(合金)中間膜とモリブデン(合金)上部膜の三重膜がある。しかし、データ線171とドレイン電極175及び金属片178は、この他にも様々な金属または導電体からなっても良い。   The data line 171, the drain electrode 175, and the metal piece 178 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and a refractory metal film (not shown) and a low-resistance conductive film ( It may have a multilayer structure including (not shown). Examples of the multi-layer structure include a chromium / molybdenum (alloy) lower film and an aluminum (alloy) upper film, a molybdenum (alloy) lower film, an aluminum (alloy) intermediate film, and a molybdenum (alloy) upper film. There is a membrane. However, the data line 171, the drain electrode 175, and the metal piece 178 may be made of various metals or conductors.

データ線171とドレイン電極175及び金属片178もその側面が基板110面に対して30°〜80°程度の角度で傾斜していることが望ましい。   The side surfaces of the data line 171, the drain electrode 175, and the metal piece 178 are preferably inclined at an angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

オーミック接触部材161、165は、その下の半導体151とその上のデータ線171及びドレイン電極175の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所で線状半導体151がデータ線171より狭いが、既に説明したように、ゲート線121と交わる部分で幅を広く形成することにより、表面の段差形状をゆるやかにすることでデータ線171の断線を防止する。半導体151には、ソース電極173とドレイン電極175との間のように、データ線171及びドレイン電極175で覆われず露出した部分がある。   The ohmic contact members 161 and 165 exist only between the semiconductor 151 thereunder and the data line 171 and drain electrode 175 thereabove, and lower the contact resistance therebetween. Although the linear semiconductor 151 is narrower than the data line 171 in most places, as described above, the data line can be formed by making the step shape of the surface gentle by forming a wider width at the portion that intersects the gate line 121. 171 disconnection is prevented. The semiconductor 151 has an exposed portion that is not covered with the data line 171 and the drain electrode 175, as between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

データ線171、ドレイン電極175、金属片178及び露出した半導体151部分上には保護膜180が形成されている。保護膜180は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化されていても良い。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素と酸化ケイ素がある。有機絶縁物は感光性を有することが良く、その誘電定数は約4.0以下であることが望ましい。しかし、保護膜180は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出した半導体151部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することが望ましい。   A protective film 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, the metal piece 178, and the exposed semiconductor 151 portion. The protective film 180 may be made of an inorganic insulator or an organic insulator, and the surface thereof may be planarized. Examples of the inorganic insulator include silicon nitride and silicon oxide. The organic insulator should have photosensitivity, and its dielectric constant is desirably about 4.0 or less. However, it is desirable that the protective film 180 has a double film structure of a lower inorganic film and an upper organic film so as not to harm the exposed semiconductor 151 portion while taking advantage of the excellent insulating properties of the organic film.

保護膜180にはデータ線171の端部179とドレイン電極175をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール(接触孔)182、185が形成され、保護膜180とゲート絶縁膜140にはゲート線121の端部129を露出させる複数のコンタクトホール181、第1維持電極133aの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール183a、並びに第1維持電極133aの固定端付近の維持電極線131の一部を露出させる複数のコンタクトホール183bが形成されている。   A plurality of contact holes (contact holes) 182 and 185 exposing the end 179 of the data line 171 and the drain electrode 175 are formed in the protective film 180, and the end of the gate line 121 is formed in the protective film 180 and the gate insulating film 140. A plurality of contact holes 181 exposing the portion 129, a plurality of contact holes 183a exposing the protruding portion of the free end of the first sustain electrode 133a, and a part of the storage electrode line 131 near the fixed end of the first sustain electrode 133a. A plurality of contact holes 183b to be exposed are formed.

保護膜180上には複数の画素電極191、複数の接続ブリッジ(overpass)83及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。これらはITOまたはIZOなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で形成することが望ましい。   A plurality of pixel electrodes 191, a plurality of connection bridges 83, and a plurality of contact assisting members 81 and 82 are formed on the protective film 180. These are preferably formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver, chromium, or an alloy thereof.

画素電極191は、コンタクトホール185を介してドレイン電極175と物理的・電気的に接続しており、ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極191は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板200の共通電極270と共に電場を生成することによって2つの電極191、270の間の液晶層3の液晶分子31の方向を決定する。このように決定された液晶分子31の方向によって液晶層3を通過する光の偏光が変わる。画素電極191と共通電極270はキャパシタ(以下、“液晶キャパシタ”という)をなし薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。   The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185, and receives a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied generates an electric field together with the common electrode 270 of the common electrode panel 200 that receives the application of the common voltage, thereby forming the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 between the two electrodes 191 and 270. Determine the direction. The polarization of the light passing through the liquid crystal layer 3 changes depending on the direction of the liquid crystal molecules 31 determined in this way. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter referred to as “liquid crystal capacitor”), and maintain the applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

画素電極191は、維持電極133a−133dを始めとする維持電極線131と重畳する。画素電極191及びこれに電気的に接続しているドレイン電極175が維持電極線131と重畳してなるキャパシタをストレージキャパシタと言い、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。   The pixel electrode 191 overlaps with the storage electrode line 131 including the storage electrodes 133a to 133d. A capacitor in which the pixel electrode 191 and the drain electrode 175 electrically connected to the pixel electrode 191 overlap with the storage electrode line 131 is called a storage capacitor, and the storage capacitor reinforces the voltage maintenance capability of the liquid crystal capacitor.

画素電極191には中央切開部91、下部切開部92a及び上部切開部92bが形成され、画素電極191はこの切開部91−92bによって複数の領域に分割される。切開部91−92bは、画素電極191を二等分する仮想の横中心線に対してほぼ反転対称をなす。   A central incision 91, a lower incision 92a, and an upper incision 92b are formed in the pixel electrode 191, and the pixel electrode 191 is divided into a plurality of regions by the incision 91-92b. The incision portions 91-92b are substantially inversion symmetric with respect to a virtual horizontal center line that bisects the pixel electrode 191.

下部及び上部切開部92a、92bはほぼ画素電極191の右側辺から左側辺に斜めに延びており、第4及び第3維持電極133d、133cとそれぞれ重畳する。下部及び上部切開部92a、92bは画素電極191の横中心線に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部92a、92bはゲート線121に対して約45°をなし、互いに垂直に延びている。   The lower and upper cutouts 92a and 92b extend obliquely from the right side to the left side of the pixel electrode 191, and overlap with the fourth and third sustain electrodes 133d and 133c, respectively. The lower and upper cutouts 92a and 92b are respectively located in the lower half and the upper half with respect to the horizontal center line of the pixel electrode 191. The lower and upper cutouts 92a and 92b form about 45 ° with respect to the gate line 121 and extend perpendicular to each other.

中央切開部91は画素電極191の横中心線に沿って延びており、右辺側に入口を有する。中央切開部91の入口は下部切開部92aと上部切開部92bにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺を有する。   The central cutout 91 extends along the horizontal center line of the pixel electrode 191 and has an entrance on the right side. The entrance of the central incision 91 has a pair of hypotenuses substantially parallel to the lower incision 92a and the upper incision 92b, respectively.

よって、画素電極191の下半部は下部切開部92aによって2つの領域に分かれ、上半部も上部切開部92bによって2つの領域に分割される。   Accordingly, the lower half of the pixel electrode 191 is divided into two regions by the lower cutout 92a, and the upper half is also divided into two regions by the upper cutout 92b.

図5に示すように、各画素電極191は互いに対向する一対の第1主辺193、194とこれに接続している一対の第2主辺195、196を有する。第1主辺193、194はゲート線121にほぼ平行であり、第2主辺195、196はデータ線171にほぼ平行な内側及び外側の包絡線(envelope)951、952、961、962を有し、第1主辺193、194と第2主辺195、196の内側または外側の包絡線951、961、952、962はほぼ長方形をなす。画素電極191の左側角は面取りされて斜辺193c、194cをなし、面取りされた斜辺193c、194cはゲート線121に対して約45°の角度をなす。   As shown in FIG. 5, each pixel electrode 191 has a pair of first main sides 193 and 194 facing each other and a pair of second main sides 195 and 196 connected thereto. The first main sides 193 and 194 are substantially parallel to the gate line 121, and the second main sides 195 and 196 have inner and outer envelopes 951, 952, 961, and 962 that are substantially parallel to the data line 171. The envelopes 951, 961, 952, 962 inside or outside the first main sides 193, 194 and the second main sides 195, 196 are substantially rectangular. The left corner of the pixel electrode 191 is chamfered to form oblique sides 193 c and 194 c, and the chamfered oblique sides 193 c and 194 c form an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121.

画素電極191の第2主辺195、196は内側の包絡線951、961上に位置する複数の縦線分915、925とこれから外側に突出した複数ののこぎり状部分910、920を有し、画素電極191の横中心線に対してほぼ対称である。   The second main sides 195 and 196 of the pixel electrode 191 have a plurality of vertical line segments 915 and 925 positioned on the inner envelopes 951 and 961, and a plurality of sawtooth portions 910 and 920 projecting outward from the pixels. The electrode 191 is substantially symmetric with respect to the horizontal center line.

それぞれののこぎり状部分910、920は互いに対向する第1斜辺911、921及び第2斜辺912、922、並びにこれらを連結し外側の包絡線952、962上に位置する上辺913、923を有する。第1斜辺911、921は縦線分915、925と約135°より大きい鈍角をなして交わり、第2斜辺912、922は縦線分915、925と約45°の角度をなし、第1斜辺911、921と第2斜辺912、922の延長線は約45°より小さい鋭角をなしながら互いに交わる。また、第2斜辺912、922は下部及び上部切開部92a、92bと実質的に平行で、切開部92a、92bの延長線上にあり、第1斜辺911、921は下部及び上部切開部92a、92bと約45°より小さい角度または135°より大きい角度をなす。   Each saw-like portion 910, 920 has first oblique sides 911, 921 and second oblique sides 912, 922 that face each other, and upper sides 913, 923 that connect them and lie on outer envelopes 952, 962. The first hypotenuses 911 and 921 intersect the vertical line segments 915 and 925 at an obtuse angle greater than about 135 °, and the second hypotenuses 912 and 922 form an angle of about 45 ° with the vertical line segments 915 and 925. The extension lines of 911, 921 and the second hypotenuses 912, 922 intersect each other with an acute angle smaller than about 45 °. The second hypotenuses 912 and 922 are substantially parallel to the lower and upper incisions 92a and 92b, and are on the extension line of the incisions 92a and 92b. The first hypotenuses 911 and 921 are the lower and upper incisions 92a and 92b. And an angle of less than about 45 ° or greater than 135 °.

のこぎり状部分910、920の上部、つまり、上辺913、923付近はデータ線171と重畳し、データ線171を中心に左側に位置した画素電極191の右側辺196ののこぎり状部分920と、右側に位置した画素電極191ののこぎり状部分910は噛み合うように配置されている。また、互いに噛み合うのこぎり状部分910、920の対向する辺は互いに平行である。   The upper portions of the saw-shaped portions 910 and 920, that is, the vicinity of the upper sides 913 and 923 overlap with the data lines 171, and the saw-tooth portions 920 of the right side 196 of the pixel electrode 191 located on the left side around the data lines 171 and the right side. The saw-toothed portion 910 of the pixel electrode 191 located is arranged so as to mesh. The opposing sides of the saw-like portions 910 and 920 that mesh with each other are parallel to each other.

のこぎり状部分910、920の数は、切開部91−92bによって分れる画素電極191領域の数または切開部の数と密接な関係があり、画素電極191領域の数及びのこぎり状部分910、920の数は、画素電極191の大きさ、画素電極191の横辺と縦辺との長さの比率、液晶層3の種類や特性など設計要素によって異なる。   The number of saw-like portions 910 and 920 is closely related to the number of pixel electrode 191 regions or the number of cut-out portions divided by the incisions 91 to 92b. The number of pixel electrode 191 regions and the number of saw-like portions 910 and 920 The number varies depending on design factors such as the size of the pixel electrode 191, the ratio of the length of the horizontal side to the vertical side of the pixel electrode 191, and the type and characteristics of the liquid crystal layer 3.

接続ブリッジ83はゲート線121を横切り、ゲート線121を間に介在し反対側に位置するコンタクトホール183a、183bを介して維持電極線131の露出した部分と第1維持電極133aの自由端の露出した端部に接続している。維持電極133a、133bを始めとする維持電極線131は、接続ブリッジ83と共にゲート線121やデータ線171、または薄膜トランジスタの欠陥修理に使用できる。   The connection bridge 83 crosses the gate line 121 and exposes the exposed portion of the storage electrode line 131 and the free end of the first storage electrode 133a via contact holes 183a and 183b located on the opposite side with the gate line 121 interposed therebetween. Connected to the end. The storage electrode lines 131 including the storage electrodes 133a and 133b can be used together with the connection bridge 83 to repair defects in the gate lines 121, the data lines 171, or the thin film transistors.

接触補助部材81、82はそれぞれコンタクトホール181、182を介してゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179に接続している。接触補助部材81、82は、ゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。   The contact assistants 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through contact holes 181 and 182, respectively. The contact assisting members 81 and 82 supplement and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

以下、図1、図3及び図4を参照して共通電極表示板200について説明する。   Hereinafter, the common electrode panel 200 will be described with reference to FIGS. 1, 3, and 4.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板210上に遮光部材220が形成されている。遮光部材220はブラックマトリクスとも言い、画素電極191の間の光漏れを防止する。遮光部材220は画素電極191と対向し、ほぼ長方形状である複数の開口部225を有する。遮光部材220のデータ線171と対応する部分221の幅(W)はデータ線171の幅とほぼ同一であり(ただし、表示板100、200の整列誤差を考慮できる)、遮光部材220は、データ線171の外に突出した噛み合うのこぎり状部分910、920の間の空間を遮る拡張部222を含む。遮光部材220は、薄膜トランジスタに対応する部分をさらに含むことが望ましい。   A light shielding member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass or plastic. The light blocking member 220 is also called a black matrix and prevents light leakage between the pixel electrodes 191. The light shielding member 220 faces the pixel electrode 191 and has a plurality of openings 225 that are substantially rectangular. The width (W) of the portion 221 corresponding to the data line 171 of the light shielding member 220 is substantially the same as the width of the data line 171 (however, an alignment error between the display panels 100 and 200 can be taken into account). It includes an extension 222 that blocks the space between the mating saw-like portions 910, 920 that protrudes out of line 171. The light shielding member 220 preferably further includes a portion corresponding to the thin film transistor.

また、基板210上には、複数のカラーフィルタ230が形成されている。カラーフィルタ230は遮光部材230に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極191の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの1つを表示できる。   A plurality of color filters 230 are formed on the substrate 210. It is desirable that the color filter 230 exists mostly in a region surrounded by the light shielding member 230 and extends long in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191. Each color filter 230 can display one of the basic colors such as the three primary colors of red, green, and blue.

カラーフィルタ230及び遮光部材220上にはオーバーコート膜250が形成されている。オーバーコート膜250は(有機)絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ230が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜250は省略可能である。   An overcoat film 250 is formed on the color filter 230 and the light shielding member 220. The overcoat film 250 is preferably made of an (organic) insulator, and prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat film 250 can be omitted.

オーバーコート膜250上には共通電極270が形成されている。共通電極270はITO、IZOなどの透明な導電体などからなり、共通電極270には複数の切開部71、72a、72b群が形成されている。   A common electrode 270 is formed on the overcoat film 250. The common electrode 270 is made of a transparent conductor such as ITO or IZO, and the common electrode 270 is formed with a plurality of incisions 71, 72a, 72b.

1つの切開部71−72b群は、1つの画素電極191と対向し、中央切開部71、下部切開部72a及び上部切開部72bを含む。切開部71−72bそれぞれは画素電極191の隣接切開部91−92bの間または切開部92a、92bと画素電極191の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部71−72bは画素電極191の下部切開部92aまたは上部切開部92bにほぼ平行に延びており、少なくとも1つの斜線部を含み、各斜線部には凹まれた少なくとも1つのノッチ(notch)7がある。切開部71−72bは、画素電極191の横中心線に対してほぼ反転対称をなす。   One incision 71-72b group faces one pixel electrode 191, and includes a central incision 71, a lower incision 72a, and an upper incision 72b. Each of the incisions 71-72b is disposed between adjacent incisions 91-92b of the pixel electrode 191 or between the incisions 92a, 92b and the chamfered oblique sides of the pixel electrode 191. Each incision 71-72b extends substantially parallel to the lower incision 92a or the upper incision 92b of the pixel electrode 191, includes at least one hatched portion, and at least one notch recessed in each hatched portion. (Notch) 7. The cut-out portions 71-72b are almost inverted and symmetric with respect to the horizontal center line of the pixel electrode 191.

下部及び上部切開部72a、72bそれぞれは斜線部及び横部を含む。斜線部は大略画素電極191の上側辺または下側辺から左側辺に延びており、画素電極191の縦辺と重畳する。斜線部の対向する長い辺は大略画素電極191突出部の第1及び第2斜辺911、912、921、922またはその延長線と会うか、またはその延長線上にある。横部は斜線部の各端から画素電極191の横辺に沿って横辺と重畳しながら延びており、斜線部と鈍角をなす。   Each of the lower and upper cutouts 72a and 72b includes a hatched portion and a lateral portion. The hatched portion generally extends from the upper side or the lower side of the pixel electrode 191 to the left side, and overlaps the vertical side of the pixel electrode 191. The opposite long sides of the shaded portion generally meet or are on the first and second oblique sides 911, 912, 921, 922 of the protruding portion of the pixel electrode 191 or their extension lines. The horizontal portion extends from each end of the shaded portion along the horizontal side of the pixel electrode 191 while overlapping the horizontal side, and forms an obtuse angle with the shaded portion.

中央切開部71は中央横部及び一対の斜線部を含む。中央横部は概ね画素電極191の左側辺から画素電極191の横中心線に沿って右側に延びる。一対の斜線部は、中央横部の端から画素電極191の右側辺に向かって中央横部と鈍角をなしながら、それぞれ下部及び上部切開部72a、72bにほぼ平行に延びる。   The central incision 71 includes a central lateral portion and a pair of hatched portions. The central horizontal portion extends from the left side of the pixel electrode 191 to the right side along the horizontal center line of the pixel electrode 191. The pair of shaded portions extend substantially parallel to the lower and upper cutouts 72a and 72b, respectively, while forming an obtuse angle with the central horizontal portion from the end of the central horizontal portion toward the right side of the pixel electrode 191.

また、切開部71−72bの数も設計要素によって異なり、遮光部材220が切開部71−72bと重畳して切開部71−72b付近の光漏れを遮断することができる。共通電極270上には絶縁物質からなり、2つの表示板100、200の間の間隔を一定に維持するための間隔材320が形成されている。   In addition, the number of incisions 71-72b varies depending on the design element, and the light shielding member 220 can be overlapped with the incisions 71-72b to block light leakage near the incisions 71-72b. On the common electrode 270, a spacing member 320 made of an insulating material is formed to maintain a constant spacing between the two display panels 100 and 200.

表示板100、200の内側面には配向膜11、21が塗布されており、これらは垂直配向膜であっても良い。表示板100、200の外側面には偏光子12、22が備えられており、2つの偏光子12、22の偏光軸は直交し、斜線切開部92a、92b及び切開部71−72bの斜線部とほぼ45°の角度をなすことが良い。反射型液晶表示装置の場合、2つの偏光子12、22のうちの1つが省略可能である。   Alignment films 11 and 21 are applied to the inner side surfaces of the display panels 100 and 200, and these may be vertical alignment films. Polarizers 12 and 22 are provided on the outer surfaces of the display panels 100 and 200. The polarization axes of the two polarizers 12 and 22 are orthogonal to each other, and hatched portions of the hatched cutout portions 92a and 92b and cutout portions 71 to 72b. And an angle of approximately 45 °. In the case of a reflective liquid crystal display device, one of the two polarizers 12 and 22 can be omitted.

本実施形態による液晶表示装置は、液晶層3の遅延を補償するための位相遅延膜(図示せず)をさらに含むことが望ましい。さらに、液晶表示装置は、偏光子12、22、位相遅延膜、表示板100、200及び液晶層3に光を供給する照明部(図示せず)を含むことが望ましい。   The liquid crystal display device according to the present embodiment preferably further includes a phase retardation film (not shown) for compensating for the delay of the liquid crystal layer 3. Furthermore, the liquid crystal display device preferably includes polarizers 12 and 22, a phase retardation film, display plates 100 and 200, and an illumination unit (not shown) that supplies light to the liquid crystal layer 3.

液晶層3は負の誘電率異方性を有し、液晶層3の液晶分子31は電場がない状態でその長軸が2つの表示板100、200の表面に対してほぼ垂直をなすように配向される。このため、入射光は直交偏光子12、22を通過できず遮断される。   The liquid crystal layer 3 has a negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 have their major axes substantially perpendicular to the surfaces of the two display panels 100 and 200 in the absence of an electric field. Oriented. For this reason, incident light cannot pass through the orthogonal polarizers 12 and 22 and is blocked.

共通電極270に共通電圧を印加し、画素電極191にデータ電圧を印加すれば、表示板100、200の表面にほぼ垂直である主電場が生成される(以下、画素電極191と共通電極270をひっくるめて電場生成電極という)。液晶分子31は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。   When a common voltage is applied to the common electrode 270 and a data voltage is applied to the pixel electrode 191, a main electric field that is substantially perpendicular to the surfaces of the display panels 100 and 200 is generated (hereinafter, the pixel electrode 191 and the common electrode 270 are connected). It is called an electric field generating electrode). In response to the electric field, the liquid crystal molecules 31 attempt to change the direction so that the major axis is perpendicular to the direction of the electric field.

図1及び図5に示すように、1つの切開部群71−72b、91−92bは画素電極191を複数の副領域に区画し、各副領域は画素電極191の第1主辺193、194と斜角をなす2つの主辺と、画素電極191の辺193−196の一部である副辺を有する。各副領域の主辺の1つは画素電極191の切開部91−92bの一辺とのこぎり状部分910、920の第2斜辺912、922が交わることにより構成されるか、あるいは面取りされた斜辺193c、194cで構成され、主辺のもう1つは共通電極270の切開部71−72bの斜線部の一辺単独で構成されるか、切開部71−72bの斜線部とのこぎり状部分910、920の第2斜辺912、922が交わることにより構成される。このため、各副領域の主辺の長さは互いに異なり、隣接した副領域の隣接した主辺が互いにずれている。各副領域の副辺の1つは画素電極191ののこぎり状部分910、920の第1斜辺911、921であり、135°より大きい角度で主辺と交わる。主辺は偏光子12、22の偏光軸と約45°をなし、これは光効率を最大にするためである。   As shown in FIGS. 1 and 5, one incision group 71-72b, 91-92b divides the pixel electrode 191 into a plurality of sub-regions, and each sub-region is a first main side 193, 194 of the pixel electrode 191. And two sub-sides that are part of the sides 193 to 196 of the pixel electrode 191. One of the main sides of each sub-region is configured by intersecting one side of the cut-out portions 91-92b of the pixel electrode 191 with the second oblique sides 912, 922 of the saw-shaped portions 910, 920, or a chamfered oblique side 193c. 194c, and the other of the main sides is constituted by only one side of the hatched portion of the cut-out portion 71-72b of the common electrode 270 or the saw-shaped portions 910 and 920 of the hatched portion of the cut-out portion 71-72b. The second oblique sides 912 and 922 intersect each other. For this reason, the lengths of the main sides of the sub-regions are different from each other, and the adjacent main sides of the adjacent sub-regions are shifted from each other. One of the sub-sides of each sub-region is the first hypotenuses 911 and 921 of the saw-like portions 910 and 920 of the pixel electrode 191 and intersects the main side at an angle greater than 135 °. The main side makes about 45 ° with the polarization axes of the polarizers 12 and 22 in order to maximize the light efficiency.

ところが、主辺が副辺より極めて長く、副辺のうちの少なくとも1つは135°より大きい角度で主辺と交わるため、これら副領域上の主電場は、主辺に垂直な水平成分が主辺に平行な水平成分より極めて大きい。このため、各副領域上の液晶分子31は大部分主辺に垂直な方向に傾く。   However, since the main side is extremely longer than the sub-side, and at least one of the sub-sides intersects the main side at an angle greater than 135 °, the main electric field on these sub-regions has a horizontal component perpendicular to the main side. It is much larger than the horizontal component parallel to the side. For this reason, the liquid crystal molecules 31 on each sub-region are mostly inclined in a direction perpendicular to the main side.

各副領域上の液晶分子31は大部分主辺に垂直な方向に傾き、傾く方向は概ね4つの方向である。このように液晶分子31が傾く方向を多様にすることによって液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。   The liquid crystal molecules 31 on each sub-region are mostly tilted in a direction perpendicular to the main side, and the tilting directions are roughly four directions. Thus, the reference viewing angle of the liquid crystal display device is increased by diversifying the directions in which the liquid crystal molecules 31 are inclined.

図6に示すように、画素電極191の間の電圧差によって副次的に生成される副電場E1、E2の方向は、主に副領域の1つの副辺、つまり、のこぎり状部分910、920の第1斜辺911、921と垂直である。よって、副電場E1、E2の方向は主電場の水平成分方向と約15°より小さい角度をなす。結局、画素電極191の間の副電場は液晶分子31の傾斜方向の決定を強化する方向に作用する。   As shown in FIG. 6, the direction of the sub-electric fields E1 and E2 that are generated by the voltage difference between the pixel electrodes 191 is mainly one sub-side of the sub-region, that is, the saw-shaped portions 910 and 920. Are perpendicular to the first hypotenuses 911, 921. Therefore, the directions of the sub electric fields E1 and E2 form an angle smaller than about 15 ° with the horizontal component direction of the main electric field. Eventually, the sub electric field between the pixel electrodes 191 acts in a direction that enhances the determination of the tilt direction of the liquid crystal molecules 31.

このように、画素電極191の横辺に切開部91−92b、71−72bと135°より大きい角度をなす斜辺911、921を有するのこぎり910、920を設けることで、画素電極191の縦辺195、196付近の主電場の水平成分方向及び副電場の方向を副領域中央の主電場の水平成分方向に近づけ、隣接する画素電極191の距離を短くして副電場の強さを強くすると、画素電極191ののこぎり状部分910、920付近に位置する液晶分子の傾斜方向が副領域中央の液晶分子の傾斜方向とほぼ一致し、のこぎり状部分910、920付近も有効表示領域として活用することができる。   Thus, the vertical sides 195 of the pixel electrode 191 are provided by providing the saws 910 and 920 having the oblique sides 911 and 921 having an angle larger than 135 ° with the cutout portions 91-92b and 71-72b on the horizontal sides of the pixel electrode 191. When the horizontal component direction of the main electric field near 196 and the direction of the sub electric field are brought closer to the horizontal component direction of the main electric field in the center of the sub region, the distance between the adjacent pixel electrodes 191 is shortened, and the strength of the sub electric field is increased. The tilt direction of the liquid crystal molecules located in the vicinity of the saw-like portions 910 and 920 of the electrode 191 substantially coincides with the tilt direction of the liquid crystal molecules in the center of the subregion, and the saw-like portions 910 and 920 can also be used as an effective display region. .

これにより、のこぎり状部分910、920を設けない時に比べて有効表示領域が広くなり透過率が向上し、共通電極270の切開部71−72bに画素電極191の縦辺と重畳する部分を設けなくて済み、開口率が向上する。   As a result, the effective display area is widened and the transmittance is improved as compared with the case where the saw-shaped portions 910 and 920 are not provided, and the cut-out portions 71-72b of the common electrode 270 do not have a portion overlapping the vertical side of the pixel electrode 191. This improves the aperture ratio.

一方、画素電極191の切開部のうちの斜線切開部に位置する液晶分子については、配向方向を速やかに決定できずテクスチャーが発生する可能性があるが、斜線方向に延びる第3及び第4維持電極133c、133dがこの部分の液晶を制御する制御用電極として作用し、斜線切開部92a、92bの中央部で発生するテクスチャーを減少させることができる。   On the other hand, for the liquid crystal molecules located in the oblique line incision part of the pixel electrode 191, the orientation direction cannot be determined quickly, and texture may be generated. However, the third and fourth maintenance extending in the oblique line direction may occur. The electrodes 133c and 133d act as control electrodes for controlling the liquid crystal in this portion, and the texture generated at the center of the oblique line incisions 92a and 92b can be reduced.

切開部71−72b、91−92bの幅は約9μm〜約12μmであることが望ましい。   The width of the incisions 71-72b and 91-92b is preferably about 9 μm to about 12 μm.

共通電極270の切開部71−72bのノッチ7は切開部71−72b上に位置した液晶分子31の傾斜方向を決定する。ノッチ7は画素電極191の切開部91−92bに形成しても良い。   The notch 7 of the cutout 71-72b of the common electrode 270 determines the inclination direction of the liquid crystal molecules 31 located on the cutout 71-72b. The notch 7 may be formed in the cutouts 91-92b of the pixel electrode 191.

切開部71−72b、91−92b及びノッチ7の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。   The shape and arrangement of the incisions 71-72b, 91-92b and the notches 7 can be modified into various forms.

少なくとも1つの切開部71−72b、91−92bは、突起(図示せず)や陥没部(図示せず)で代替しても良い。突起は有機物または無機物からなることが望ましく、電場生成電極191、270の上または下に配置される。   At least one incision 71-72b, 91-92b may be replaced by a protrusion (not shown) or a depression (not shown). The protrusion is preferably made of an organic material or an inorganic material, and is disposed on or below the electric field generating electrodes 191 and 270.

図7は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図8は、図7の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図9は、図7の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図10は、図7の液晶表示装置のX-X線に沿った断面図である。   7 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, FIG. 8 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display device of FIG. 7, and FIG. 9 is a liquid crystal display of FIG. FIG. 10 is a layout view of the device common electrode panel, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX of the liquid crystal display device of FIG.

図7〜図10に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板100と共通電極表示板200及びこれら2つの表示板100、200の間に挟持された液晶層3を備える。   7 to 10, the liquid crystal display according to an embodiment of the present invention is sandwiched between the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200 and the two display panels 100 and 200 facing each other. A liquid crystal layer 3 is provided.

まず、図7、図8及び図10を参照して薄膜トランジスタ表示板100について説明する。   First, the thin film transistor array panel 100 will be described with reference to FIGS.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板110上に複数のゲート線121及び複数の維持電極線131が形成されている。   A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に図7横方向に延びている。各ゲート線121は上方に突出した複数のゲート電極124と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部129を有する。維持電極線131は所定の電圧の印加を受け、ゲート線121にほぼ平行に延びる。各維持電極線131は、隣接した2つのゲート線121の間に位置し、2つのゲート線121とほぼ同一の距離を置く。維持電極線131は下上に拡張した維持電極137を含む。しかし、維持電極線131の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。   The gate line 121 transmits a gate signal and extends mainly in the lateral direction of FIG. Each gate line 121 has a wide end portion 129 for connecting a plurality of gate electrodes 124 projecting upward to another layer or an external driving circuit. The storage electrode line 131 is applied with a predetermined voltage and extends substantially parallel to the gate line 121. Each storage electrode line 131 is located between two adjacent gate lines 121 and has the same distance as the two gate lines 121. The storage electrode line 131 includes a storage electrode 137 extended downward. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 can be modified into various forms.

ゲート線121及び維持電極線131の側面は基板110面に対して傾斜しており、その傾斜角は約30〜80°であることが望ましい。   The side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 to 80 °.

ゲート線121及び維持電極線131上には窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。   A gate insulating film 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate lines 121 and the storage electrode lines 131.

ゲート絶縁膜140上には水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体154が形成されている。半導体154はゲート電極124上に位置し、ゲート線121の境界を覆う延長部(extension)を含む。半導体154上には複数の島状オーミック接触部材163、165が形成されている。オーミック接触部材163、165はリンなどのn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材163、165は対をなして半導体154上に配置されている。   A plurality of island-shaped semiconductors 154 made of hydrogenated amorphous silicon or polycrystalline silicon are formed on the gate insulating film 140. The semiconductor 154 is located on the gate electrode 124 and includes an extension that covers the boundary of the gate line 121. A plurality of island-shaped ohmic contact members 163 and 165 are formed on the semiconductor 154. The ohmic contact members 163 and 165 are preferably made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus at a high concentration, or made of silicide. The ohmic contact members 163 and 165 are disposed on the semiconductor 154 in a pair.

半導体154とオーミック接触部材163、165の側面も基板110面に対して傾斜しており、その傾斜角は30〜80°の範囲である。   The side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contact members 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is in the range of 30 to 80 °.

オーミック接触部材163、165及びゲート絶縁膜140上には複数のデータ線171及び複数のドレイン電極175が形成されている。   A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating film 140.

データ線171はデータ電圧を伝達し、主に図7の縦方向に延びてゲート線121及び維持電極線131と交差する。各データ線171はゲート電極124に向かって延びた複数のソース電極173と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部179を有する。ドレイン電極175はデータ線171と分離されており、ゲート電極124を中心にソース電極173と対向する。各ドレイン電極175は広い面積の一端部177と棒状の他端部を有する。棒状端部はU字状に形成されたソース電極173に一部囲まれている。   The data line 171 transmits a data voltage and extends mainly in the vertical direction of FIG. 7 and intersects the gate line 121 and the storage electrode line 131. Each data line 171 has a wide end 179 for connecting a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 to other layers or an external driving circuit. The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 with the gate electrode 124 as the center. Each drain electrode 175 has a wide end portion 177 and a rod-like other end portion. The rod-shaped end is partially surrounded by a U-shaped source electrode 173.

データ線171及びドレイン電極175もその側面が基板110面に対して30〜80°の角度で傾斜していることが望ましい。   The side surfaces of the data line 171 and the drain electrode 175 are desirably inclined at an angle of 30 to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

オーミック接触部材163、165はその下部の半導体154とその上のデータ線171及びドレイン電極175の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。   The ohmic contact members 163 and 165 exist only between the lower semiconductor 154 and the data line 171 and drain electrode 175 thereabove, thereby reducing the contact resistance.

データ線171、ドレイン電極175及び露出した半導体154部分上には保護膜180が形成されている。保護膜180は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化しても良い。   A protective film 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed semiconductor 154 portion. The protective film 180 is made of an inorganic insulator or an organic insulator, and the surface may be planarized.

保護膜180にはデータ線171の端部179とドレイン電極175をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール182、185が形成され、保護膜180とゲート絶縁膜140にはゲート線121の端部129を露出させる複数のコンタクトホール181が形成されている。   A plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end 179 of the data line 171 and the drain electrode 175 are formed in the protective film 180, and the end 129 of the gate line 121 is exposed in the protective film 180 and the gate insulating film 140. A plurality of contact holes 181 are formed.

保護膜180上には複数の画素電極191及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。これらはITOまたはIZOなどの透明な導電物質やアルミニウム、または銀合金などの反射性金属からなることが望ましい。   A plurality of pixel electrodes 191 and a plurality of contact assisting members 81 and 82 are formed on the protective film 180. These are preferably made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, or a reflective metal such as aluminum or silver alloy.

画素電極191はコンタクトホール185を介してドレイン電極175と物理的・電気的に接続しており、ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受ける。画素電極191は維持電極137を始めとする維持電極線131と重畳する。   The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185, and receives a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 191 overlaps with the storage electrode line 131 including the storage electrode 137.

各画素電極191は互いに対向する一対の第1主辺193、194と、これら第1主辺193、194に接続しており、複数ののこぎり状部分90とこののこぎり状部分90との間を接続する底辺90cを含む第2主辺を有する。ここで、のこぎり状部分90は第1主辺193、194に対して傾斜した第1斜辺90aと第2斜辺90d、及び第1斜辺90aと第2斜辺90dの間を接続する上辺90bを有する。第1主辺193、194はゲート線121に平行である。第1主辺193、194と第2主辺はほぼ長方形をなし、画素電極191の4つの角は面取りされてゲート線121に対して約45°の角度をなす。   Each pixel electrode 191 is connected to a pair of first main sides 193 and 194 facing each other, and the first main sides 193 and 194, and a plurality of saw-shaped portions 90 are connected to the saw-shaped portions 90. And has a second main side including a bottom side 90c. Here, the saw-shaped portion 90 has a first oblique side 90a and a second oblique side 90d inclined with respect to the first main sides 193 and 194, and an upper side 90b connecting the first oblique side 90a and the second oblique side 90d. The first main sides 193 and 194 are parallel to the gate line 121. The first main sides 193 and 194 and the second main side are substantially rectangular, and the four corners of the pixel electrode 191 are chamfered to form an angle of about 45 ° with the gate line 121.

第1斜辺90aはデータ線171と一部分が重畳し、隣接する2つの画素電極191の第1斜辺90aは互いに対向し、平行となっている。   The first oblique side 90a partially overlaps with the data line 171. The first oblique sides 90a of the two adjacent pixel electrodes 191 face each other and are parallel to each other.

画素電極191には第1及び第2中央切開部91、92、下部斜線切開部93a、94a、95a及び上部斜線切開部93b、94b、95bが形成され、画素電極191はこの切開部91〜95bにより複数の副領域に分割される。切開部91〜95bは維持電極線131に対してほぼ反転対称をなす。下部及び上部斜線切開部93a〜95a、93b〜95bはほぼ画素電極191の右側辺から左側辺、上側辺または下側辺に斜めに延びている。下部及び上部斜線切開部93a〜95a、93b〜95bは、維持電極線131に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部斜線切開部93a〜95a、93b〜95bはゲート線121に対して約45°の角度をなし、互いに垂直に延びている。下部及び上部斜線切開部93a〜95a、93b〜95bは画素電極191の左側辺または右側辺に入口を有し、入口は凹部90cに接続することが望ましい。   The pixel electrode 191 is formed with first and second central incisions 91 and 92, lower oblique incisions 93a, 94a and 95a, and upper oblique incisions 93b, 94b and 95b. The pixel electrode 191 has the incisions 91 to 95b. Is divided into a plurality of sub-regions. The incisions 91 to 95b are almost reversed and symmetrical with respect to the storage electrode line 131. The lower and upper oblique line incisions 93a to 95a and 93b to 95b extend obliquely from the right side of the pixel electrode 191 to the left side, the upper side, or the lower side. The lower and upper oblique line incisions 93 a to 95 a and 93 b to 95 b are respectively located in the lower half and the upper half with respect to the storage electrode line 131. The lower and upper oblique cutouts 93a to 95a and 93b to 95b form an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121 and extend perpendicular to each other. The lower and upper oblique cutouts 93a to 95a and 93b to 95b preferably have entrances on the left side or the right side of the pixel electrode 191, and the entrances are preferably connected to the recesses 90c.

第2主辺ののこぎり90を構成する第1斜辺90aは、画素電極191の斜線切開部93a〜95a、93b〜95bと鈍角をなし、第2斜辺90dは斜線切開部93a〜95a、93b〜95bにほぼ平行である。   The first oblique side 90a constituting the second main side saw 90 has an obtuse angle with the oblique line incisions 93a to 95a and 93b to 95b of the pixel electrode 191, and the second oblique side 90d is the oblique line incisions 93a to 95a and 93b to 95b. Is almost parallel to.

第1中央切開部91は、維持電極線131に沿って延びており、左辺側に入口を有する。そして、第2中央切開部92は多角形で画素電極191の左側辺に位置した上下の角が突き出されている。   The first central incision 91 extends along the storage electrode line 131 and has an entrance on the left side. The second central cutout 92 has a polygonal shape, and upper and lower corners located on the left side of the pixel electrode 191 are projected.

これにより、画素電極191の下半部は下部切開部93a〜95aによって4個の領域に分割され、上半部も上部切開部92b〜95bによって4個の領域に分割される。この時、領域の数または切開部の数は、画素の大きさ、画素電極の横辺と縦辺との長さ比率、液晶層3の種類や特性など設計要素によって異なる。   Thus, the lower half of the pixel electrode 191 is divided into four regions by the lower cutouts 93a to 95a, and the upper half is also divided into four regions by the upper cutouts 92b to 95b. At this time, the number of regions or the number of incisions varies depending on design factors such as the size of the pixel, the length ratio of the horizontal and vertical sides of the pixel electrode, and the type and characteristics of the liquid crystal layer 3.

接触補助部材81、82はコンタクトホール181、182を介して各々ゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179に接続している。   The contact assistants 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively.

以下、図7、図9及び図10を参照して、共通電極表示板200について説明する。   Hereinafter, the common electrode panel 200 will be described with reference to FIGS. 7, 9, and 10.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板210上に遮光部材220が形成されている。遮光部材220はデータ線171に対応する線状部分221、一部分が拡張された拡張部222と薄膜トランジスタに対応する面状部分223を有し、画素電極191の間の光漏れを防止し、画素電極191と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材220は画素電極191と対向し画素電極191とほぼ同一形状である複数の開口部(図示せず)を有することが望ましい。   A light shielding member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass or plastic. The light shielding member 220 includes a linear portion 221 corresponding to the data line 171, a partially expanded portion 222 and a planar portion 223 corresponding to the thin film transistor, and prevents light leakage between the pixel electrodes 191. An opening area facing 191 is defined. However, it is desirable that the light shielding member 220 has a plurality of openings (not shown) facing the pixel electrode 191 and having substantially the same shape as the pixel electrode 191.

また、基板210上には、複数のカラーフィルタ230が形成されている。カラーフィルタ230は遮光部材230に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極191列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの1つを表示できる。   A plurality of color filters 230 are formed on the substrate 210. It is desirable that the color filter 230 exists mostly in a region surrounded by the light shielding member 230 and extends long in the vertical direction along the row of pixel electrodes 191. Each color filter 230 can display one of the basic colors such as the three primary colors of red, green, and blue.

カラーフィルタ230及び遮光部材220上にはオーバーコート膜250が形成されている。オーバーコート膜250は(有機)絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ230が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜250は省略可能である。   An overcoat film 250 is formed on the color filter 230 and the light shielding member 220. The overcoat film 250 is preferably made of an (organic) insulator, and prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat film 250 can be omitted.

オーバーコート膜250上には共通電極270が形成されている。共通電極270はITO、IZOなどの透明な導電体などからなる。   A common electrode 270 is formed on the overcoat film 250. The common electrode 270 is made of a transparent conductor such as ITO or IZO.

共通電極270には複数の切開部71、72a、72b、73a、73b、74a、74b、75が形成されている。   A plurality of incisions 71, 72a, 72b, 73a, 73b, 74a, 74b, 75 are formed in the common electrode 270.

1つの切開部群71〜75は、1つの画素電極191と対向し、中央切開部71、第1〜第3下部斜線切開部72a、73a、74a、第1〜第3上部斜線切開部72b、73b、74b及び接続部75を有する。切開部71〜74bそれぞれは画素電極191の隣接切開部91、92、93a、93b、94a、94b、95a、95bの間または切開部91、92、93a、93b、94a、94b、95a、95bと画素電極191の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部71〜74bは、画素電極191の下部切開部93a、94a、95aまたは上部切開部93b、94b、95bに平行に延びた少なくとも1つの斜線部を含む。   One incision group 71 to 75 faces one pixel electrode 191, and includes a central incision 71, first to third lower oblique incisions 72a, 73a, 74a, first to third upper oblique incisions 72b, 73b, 74b and connecting portion 75. Each of the incisions 71 to 74b is between the adjacent incisions 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, and 95b of the pixel electrode 191 or between the incisions 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, and 95b. The pixel electrode 191 is disposed between the chamfered oblique sides. Each of the incisions 71 to 74b includes at least one hatched portion extending in parallel to the lower incisions 93a, 94a, and 95a of the pixel electrode 191 or the upper incisions 93b, 94b, and 95b.

第1下部及び第1上部斜線切開部72a、72bはほぼ画素電極191の右側辺から画素電極191の左側辺に延びており、第2下部及び第2上部斜線切開部73a、73bは画素電極191の右側辺から画素電極191の左上また左下角に延びている。そして、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bは画素電極191の右側辺から画素電極191の上側辺または下側辺に延びており、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bの各端から画素電極191の辺に沿って重畳しながら延びた縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部74a、74bと鈍角をなす。   The first lower and first upper oblique cutouts 72a and 72b extend from the right side of the pixel electrode 191 to the left side of the pixel electrode 191, and the second lower and second upper oblique cutouts 73a and 73b are the pixel electrode 191. Extends from the right side of the pixel electrode 191 to the upper left or lower left corner of the pixel electrode 191. The third lower and third upper oblique incisions 74a and 74b extend from the right side of the pixel electrode 191 to the upper side or lower side of the pixel electrode 191, and the third lower and third upper oblique incisions 74a, It includes a vertical horizontal portion that extends from each end of 74 b while overlapping along the side of the pixel electrode 191. The vertical transverse part forms an obtuse angle with the oblique line incisions 74a and 74b.

中央切開部71は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極191の右側辺から維持電極線131に沿って左側に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極191の左側辺に向かって各々下部及び上部斜線切開部72a〜74bにほぼ平行に延びる。   The central incision 71 includes a central lateral portion and a pair of hatched portions. The central horizontal portion extends from the right side of the pixel electrode 191 to the left along the storage electrode line 131, and the pair of hatched portions are the lower and upper diagonal lines from the end of the central horizontal portion toward the left side of the pixel electrode 191, respectively. It extends substantially parallel to the incisions 72a-74b.

中央切開部71のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2下部切開部73aの一端、中央切開部71の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2上部切開部73bの一端、第1下部斜線切開部72aの一端と隣り合う画素電極の第3下部斜線切開部74aの一端、及び第1上部斜線切開部72bの一端と隣り合う画素電極の第3上部斜線切開部74bの一端はそれぞれ接続部75に接続している。接続部75は画素電極191の第1斜辺90aに平行であり、データ線171と対応する部分に位置する。接続部75の幅は画素電極191と画素電極191の間の間隔より約8μm広く、遮光部材220の拡張部222は接続部75と対応し他の部分より幅が広いことが望ましい。   One end of the second lower cutout 73a of the pixel electrode adjacent to one end of the hatched portion of the central cutout 71, and the second upper cutout 73b of the pixel electrode adjacent to one end of the other hatched portion of the central cutout 71. One end, one end of the third lower oblique cutout portion 74a of the pixel electrode adjacent to one end of the first lower oblique cutout portion 72a, and the third upper oblique cutout portion 74b of the pixel electrode adjacent to one end of the first upper oblique cutout portion 72b. One end of each is connected to the connecting portion 75. The connecting portion 75 is parallel to the first oblique side 90 a of the pixel electrode 191 and is located at a portion corresponding to the data line 171. The width of the connecting portion 75 is preferably about 8 μm wider than the distance between the pixel electrode 191 and the pixel electrode 191, and the extended portion 222 of the light shielding member 220 is preferably wider than the other portion corresponding to the connecting portion 75.

このように、画素電極191の辺のうちデータ線171と隣接する辺をのこぎり状に形成することで、図1〜図4を用いて実施形態について説明したように、隣接する画素電極191の間に形成される副電場は、副領域の液晶の配向を強化する方向に作用する。また、隣接する2つの画素電極191の第1斜辺90aが対向する領域と対応する位置に接続部75を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。   In this way, by forming the side adjacent to the data line 171 in the shape of a saw among the sides of the pixel electrode 191, as described in the embodiment with reference to FIGS. The sub-electric field formed in this acts in the direction of strengthening the alignment of the liquid crystal in the sub-region. Further, by providing the connection portion 75 at a position corresponding to the region where the first oblique sides 90a of the two adjacent pixel electrodes 191 face each other, the alignment of the liquid crystal in the sub region can be further enhanced.

このような効果に関して図11及び図12を参照して説明する。   Such an effect will be described with reference to FIGS.

図11は、図6のXI-XI線に沿った断面図であり、図12は、図7のXII-XII線に沿った断面図である。   11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 6, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG.

図11に示すように、画素電極191と共通電極270の間に形成される電場は、隣接する画素電極191の境界部で副領域の液晶の均一な配向を妨害する方向の副電場を有する。このため、副領域内部で液晶の衝突が生じ、液晶の配向が乱れる可能性がある。   As shown in FIG. 11, the electric field formed between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 has a sub-electric field in a direction that disturbs the uniform alignment of the liquid crystal in the sub-region at the boundary between the adjacent pixel electrodes 191. For this reason, collision of liquid crystal occurs inside the subregion, and there is a possibility that the alignment of the liquid crystal is disturbed.

しかし、本発明の実施形態のように、2つの画素電極191の第1斜辺90aが互いに対向する領域と対応する位置に接続部75を形成すれば、図12に示すように、共通電極270の接続部75によって共通電極270と画素電極191の間に形成される電場の方向が変化し、副領域の液晶の均一な配向を強化する方向の副電場が形成される。これにより、図11のような液晶衝突が発生せず、テクスチャーが減少する。   However, if the connection portion 75 is formed at a position corresponding to the region where the first oblique sides 90a of the two pixel electrodes 191 face each other as in the embodiment of the present invention, as shown in FIG. The direction of the electric field formed between the common electrode 270 and the pixel electrode 191 is changed by the connecting portion 75, and a sub electric field in a direction that enhances the uniform alignment of the liquid crystal in the sub region is formed. Thereby, the liquid crystal collision as shown in FIG. 11 does not occur, and the texture is reduced.

なお、各切開部71〜74bには一定の距離を置いて規則的に配置された複数の凹んだノッチ7を有することが望ましい。   Each incision 71-74b preferably has a plurality of recessed notches 7 regularly arranged at a certain distance.

切開部71〜75の数及び方向は、設計要素によって異なる。   The number and direction of the incisions 71 to 75 vary depending on design elements.

表示板100、200の内側面には配向膜11、21が塗布され、これらは垂直配向膜であっても良い。表示板100、200の外側面には偏光子(図示せず)が設けられており、2つの偏光子の透過軸は直交し、そのうちの一透過軸はゲート線121に対して平行であることが望ましい。反射型液晶表示装置の場合、2つの偏光子のうちの1つは省略可能である。   Alignment films 11 and 21 are applied to the inner side surfaces of the display panels 100 and 200, and these may be vertical alignment films. Polarizers (not shown) are provided on the outer surfaces of the display panels 100 and 200, the transmission axes of the two polarizers are orthogonal, and one of the transmission axes is parallel to the gate line 121. Is desirable. In the case of a reflective liquid crystal display device, one of the two polarizers can be omitted.

液晶表示装置は、偏光子、表示板100、200及び液晶層3に光を供給する照明部(図示せず)を含むことが望ましい。   The liquid crystal display device preferably includes a polarizer, display plates 100 and 200, and an illumination unit (not shown) that supplies light to the liquid crystal layer 3.

液晶層3は負の誘電率異方性を有し、液晶層3の液晶分子は電場がない状態でその長軸が2つの表示板100、200の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。   The liquid crystal layer 3 has a negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are aligned so that the major axis is perpendicular to the surfaces of the two display panels 100 and 200 in the absence of an electric field. ing. For this reason, incident light cannot pass through the orthogonal polarizer and is blocked.

前述した実施形態は、以下に示す実施形態にも同様に適用できる。   The above-described embodiments can be similarly applied to the following embodiments.

以下、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図13及び図14を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 13 and 14.

図13は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図14は、図13の液晶表示装置のXIV-XIV線に沿った断面図である。   FIG. 13 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 13 taken along line XIV-XIV.

図13及び図14に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置も互いに対向する薄膜トランジスタ表示板100と共通電極表示板200、これら表示板100、200の間に挟持された液晶層3、及び表示板100、200の外面に付着された一対の偏光子12、22を含む。   As shown in FIGS. 13 and 14, the liquid crystal display according to an embodiment of the present invention also includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, and a liquid crystal layer 3 sandwiched between the display panels 100 and 200. , And a pair of polarizers 12 and 22 attached to the outer surfaces of the display panels 100 and 200.

本実施形態による表示板100、200の層状構造は、概ね図1〜図4に示すものと同様である。   The layered structure of the display panels 100 and 200 according to the present embodiment is substantially the same as that shown in FIGS.

薄膜トランジスタ表示板100について、基板110上に複数のゲート線121及び複数の維持電極線131が形成されている。ゲート線121は複数のゲート電極124と端部129を含み、維持電極線131は複数の維持電極133a−133d及び複数の接続部133eを含む。ゲート線121及び維持電極線131上にはゲート絶縁膜140、突出部154を含む複数の線状半導体151、突出部163を含む複数の線状オーミック接触部材161及び複数の島状オーミック接触部材165が順に形成されている。   In the thin film transistor array panel 100, a plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on a substrate 110. The gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 and end portions 129, and the storage electrode line 131 includes a plurality of storage electrodes 133a to 133d and a plurality of connection portions 133e. On the gate line 121 and the storage electrode line 131, the gate insulating film 140, the plurality of linear semiconductors 151 including the protrusions 154, the plurality of linear ohmic contact members 161 including the protrusions 163, and the plurality of island-shaped ohmic contact members 165 are provided. Are formed in order.

オーミック接触部材161、165上には、ソース電極173及び端部179を含む複数のデータ線171、複数のドレイン電極175及び複数の孤立金属片178が形成され、その上に保護膜180が形成されている。保護膜180及びゲート絶縁膜140には複数のコンタクトホール181、182、183a、183b、185が形成されている。保護膜180上には切開部91−92bを有する複数の画素電極191、複数の接続ブリッジ83及び複数の接触補助部材81、82が形成され、その上には配向膜11が形成されている。   A plurality of data lines 171 including a source electrode 173 and an end 179, a plurality of drain electrodes 175, and a plurality of isolated metal pieces 178 are formed on the ohmic contact members 161 and 165, and a protective film 180 is formed thereon. ing. A plurality of contact holes 181, 182, 183 a, 183 b and 185 are formed in the protective film 180 and the gate insulating film 140. On the protective film 180, a plurality of pixel electrodes 191 having a cut-out portion 91-92b, a plurality of connection bridges 83, and a plurality of contact assistants 81, 82 are formed, and the alignment film 11 is formed thereon.

共通電極表示板200については、遮光部材220、複数のカラーフィルタ230、オーバーコート膜250、切開部71−72bを有する共通電極270及び配向膜21が絶縁基板210上に形成されている。   For the common electrode panel 200, a light shielding member 220, a plurality of color filters 230, an overcoat film 250, a common electrode 270 having an incision portion 71-72 b, and an alignment film 21 are formed on the insulating substrate 210.

しかし、図1〜図4に示した液晶表示装置と異なって、線状半導体151はデータ線171、ドレイン電極175及びその下のオーミック接触部材161、165と実質的に同一の平面形状である。しかし、線状半導体151には、ソース電極173とドレイン電極175の間を始めとするデータ線171及びドレイン電極175で覆われず露出した部分がある。   However, unlike the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 4, the linear semiconductor 151 has substantially the same planar shape as the data line 171, the drain electrode 175, and the ohmic contact members 161 and 165 therebelow. However, the linear semiconductor 151 has an exposed portion that is not covered with the data line 171 and the drain electrode 175 including the space between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

また、孤立金属片178の下にも孤立金属片178と実質的に同一の平面形状のオーミック接触部材(図示せず)及び島状半導体(図示せず)が形成されている。   In addition, an ohmic contact member (not shown) and an island-like semiconductor (not shown) having substantially the same planar shape as the isolated metal piece 178 are also formed under the isolated metal piece 178.

このような薄膜トランジスタ表示板100は、データ線171、ドレイン電極175及び金属片178と半導体151及びオーミック接触部材161、165を1回のフォトエッチング工程で形成することによって製造する。   The thin film transistor array panel 100 is manufactured by forming the data line 171, the drain electrode 175, the metal piece 178, the semiconductor 151, and the ohmic contact members 161 and 165 in one photoetching process.

即ち、ゲート絶縁膜140上に半導体層、オーミック接触層、データ金属層を連続蒸着し、その上に位置によって厚さが異なる感光膜を形成した後、これをエッチングマスクとして半導体層、オーミック接触層、データ金属層をエッチングすることによって、図13及び図14に示す薄膜トランジスタ表示板を製造する。   That is, a semiconductor layer, an ohmic contact layer, and a data metal layer are continuously deposited on the gate insulating film 140, and a photosensitive film having a different thickness is formed thereon, and then the semiconductor layer, the ohmic contact layer is used as an etching mask. The thin film transistor array panel shown in FIGS. 13 and 14 is manufactured by etching the data metal layer.

ここで、位置によって厚さが異なる感光膜は厚さが薄くなる順に第1部分と第2部分を有し、第1部分はデータ線171、ドレイン電極171及び金属片178が占める配線領域に位置し、第2部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置する。   Here, the photosensitive film having different thickness depending on the position has a first portion and a second portion in order of decreasing thickness, and the first portion is located in a wiring region occupied by the data line 171, the drain electrode 171 and the metal piece 178. The second portion is located in the channel region of the thin film transistor.

位置によって感光膜の厚さを異ならせる方法としては、例えば、光マスクに透光領域及び遮光領域の他に半透明領域を設ける方法などがある。半透明領域にはスリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であるか、厚さが中間である薄膜が含まれる。スリットパターンを使用する場合には、スリットの幅やスリットの間の間隔が写真工程に使用する露光器の分解能より小さいのが良い。他の例としては、リフローが可能な感光膜を使用する方法がある。即ち、透光領域と遮光領域のみを有する通常の露光マスクでリフロー可能な感光膜を形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにして薄い部分を形成する方法である。   As a method of varying the thickness of the photosensitive film depending on the position, for example, there is a method of providing a translucent region in addition to the light transmitting region and the light shielding region on the optical mask. The translucent region includes a slit pattern, a lattice pattern, or a thin film having an intermediate transmittance or an intermediate thickness. When the slit pattern is used, it is preferable that the width of the slit and the interval between the slits are smaller than the resolution of the exposure device used in the photographic process. Another example is a method using a reflowable photosensitive film. That is, after forming a reflowable photosensitive film with a normal exposure mask having only a light-transmitting area and a light-shielding area, a thin portion is formed by reflowing to flow to an area where the photosensitive film does not remain.

このような感光膜をエッチングマスクとしてデータ金属層、抵抗性接触層及び半導体層を連続エッチングしてデータ配線の大略の形状を形成する。次に、感光膜をアッシングして第2部分を除去し、残った第1部分をエッチングマスクとして露出したデータ金属層と抵抗性接触層をエッチングすることによって薄膜トランジスタのチャンネル部を形成する。   Using the photosensitive film as an etching mask, the data metal layer, the resistive contact layer, and the semiconductor layer are continuously etched to form a rough shape of the data wiring. Next, the photosensitive film is ashed to remove the second portion, and the exposed data metal layer and the resistive contact layer are etched using the remaining first portion as an etching mask to form a channel portion of the thin film transistor.

このようして1回のフォト工程を減らすことができ、製造方法が簡単になる。   In this way, one photo process can be reduced, and the manufacturing method is simplified.

図1〜図12に示した液晶表示装置の多くの特徴は、図13及び図14に示す液晶表示装置にも適用できる。   Many features of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 12 can be applied to the liquid crystal display device shown in FIGS.

以下、図15を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。   Hereinafter, a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

図15は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置を示し、図1のIV-IV線に沿った断面図である。   FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 1, showing a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

図15に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板100と共通電極表示板200、これら表示板100、200の間に挟持された液晶層3、及び表示板100、200外面に付着された一対の偏光子12、22を備える。   As shown in FIG. 15, the liquid crystal display according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, a liquid crystal layer 3 sandwiched between the display panels 100 and 200, and A pair of polarizers 12 and 22 attached to the outer surfaces of the display panels 100 and 200 are provided.

本実施形態による表示板100、200の層状構造は概ね図1〜図4に示したものと同様である。   The layered structure of the display panels 100 and 200 according to the present embodiment is substantially the same as that shown in FIGS.

薄膜トランジスタ表示板100については、基板110上に複数のゲート線121及び複数の維持電極線131が形成されている。ゲート線121は複数のゲート電極124と端部129を含み、維持電極線131は複数の維持電極133a−133d及び複数の接続部133eを含む。ゲート線121及び維持電極線131上には、ゲート絶縁膜140、突出部154を含む複数の線状半導体151、突出部163を含む複数の線状オーミック接触部材161及び複数の島状オーミック接触部材165が順次に形成されている。オーミック接触部材161、165及びゲート絶縁膜140上には、ソース電極173及び端部179を含む複数のデータ線171、複数のドレイン電極175及び複数の孤立金属片178が形成され、その上に保護膜180が形成されている。保護膜180及びゲート絶縁膜140には複数のコンタクトホール181、182、183a、183b、185が形成されている。保護膜180上には切開部91−92bを有する複数の画素電極191、複数の接続ブリッジ83及び複数の接触補助部材81、82が形成され、その上には配向膜11が形成されている。   For the thin film transistor array panel 100, a plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on a substrate 110. The gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 and end portions 129, and the storage electrode line 131 includes a plurality of storage electrodes 133a to 133d and a plurality of connection portions 133e. On the gate line 121 and the storage electrode line 131, the gate insulating film 140, the plurality of linear semiconductors 151 including the protruding portions 154, the plurality of linear ohmic contact members 161 including the protruding portions 163, and the plurality of island-shaped ohmic contact members. 165 are sequentially formed. A plurality of data lines 171 including a source electrode 173 and an end 179, a plurality of drain electrodes 175, and a plurality of isolated metal pieces 178 are formed on the ohmic contact members 161 and 165 and the gate insulating film 140, and are protected thereon. A film 180 is formed. A plurality of contact holes 181, 182, 183 a, 183 b and 185 are formed in the protective film 180 and the gate insulating film 140. On the protective film 180, a plurality of pixel electrodes 191 having a cut-out portion 91-92b, a plurality of connection bridges 83, and a plurality of contact assistants 81, 82 are formed, and the alignment film 11 is formed thereon.

共通電極表示板200については、遮光部材220、オーバーコート膜250、切開部71−72bを有する共通電極270及び配向膜21が絶縁基板210上に形成されている。   For the common electrode panel 200, a light shielding member 220, an overcoat film 250, a common electrode 270 having an incision 71-72 b and an alignment film 21 are formed on the insulating substrate 210.

しかし、図1〜図4に示した液晶表示装置と異なって、共通電極表示板200にカラーフィルタがなく、その代わりに薄膜トランジスタ表示板100の保護膜180下部に複数のカラーフィルタ230が形成されている。   However, unlike the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 4, the common electrode panel 200 has no color filter, and instead, a plurality of color filters 230 are formed below the protective film 180 of the thin film transistor panel 100. Yes.

カラーフィルタ230は画素電極191の列に沿って帯状に縦に長く延びており、隣接した2つのカラーフィルタ230の境界はデータ線171上で一致する。しかし、カラーフィルタ230は互いに離れているか、互いに重畳して画素電極191の間の光漏れを防止する遮光部材の役割を果たすことができる。カラーフィルタ230が互いに重畳する場合、共通電極表示板200上の遮光部材220を省略しても良い。   The color filter 230 extends vertically in a strip shape along the column of the pixel electrodes 191, and the boundary between two adjacent color filters 230 coincides on the data line 171. However, the color filters 230 may be separated from each other or may overlap each other to serve as a light blocking member that prevents light leakage between the pixel electrodes 191. When the color filters 230 overlap each other, the light shielding member 220 on the common electrode display panel 200 may be omitted.

カラーフィルタ230にはコンタクトホール185が通過する貫通孔235が形成されており、貫通孔235はコンタクトホール185より大きい。ゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179が位置した周辺領域にはカラーフィルタ230が存在しない。   A through hole 235 through which the contact hole 185 passes is formed in the color filter 230, and the through hole 235 is larger than the contact hole 185. The color filter 230 does not exist in the peripheral region where the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 are located.

図15示した液晶表示装置は、図1〜図14に示した液晶表示装置と多くの特徴を共有する。   The liquid crystal display device shown in FIG. 15 shares many features with the liquid crystal display device shown in FIGS.

一方、画素電極を2つに分離して互いに異なる電圧を印加する構造の液晶表示装置にも本発明の実施形態の特徴を適用できる。   On the other hand, the characteristics of the embodiment of the present invention can be applied to a liquid crystal display device having a structure in which pixel electrodes are separated into two and different voltages are applied to each other.

図16は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図17は、図16の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図18は、図16の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図19及び図20は、各々図16の液晶表示装置のXIX-XIX線及びXX-XX線に沿った断面図である。   16 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, FIG. 17 is a layout view of a thin film transistor array panel for a thin film transistor display panel for the liquid crystal display device of FIG. 16, and FIG. FIG. 19 and FIG. 20 are sectional views taken along lines XIX-XIX and XX-XX, respectively, of the liquid crystal display device of FIG.

本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、これら2つの表示板100、200の間に挟持された液晶層3を備える。
まず、図16、図17、図19及び図20を参照して薄膜トランジスタ表示板100について詳細に説明する。
The liquid crystal display device according to the present embodiment includes a thin film transistor array panel 100, a common electrode panel 200, and a liquid crystal layer 3 sandwiched between the two display panels 100 and 200.
First, the thin film transistor array panel 100 will be described in detail with reference to FIGS. 16, 17, 19, and 20.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板110上に複数のゲート線121と複数の維持電極線131が形成されている。   A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延びている。各ゲート線121は下上に突出した複数のゲート電極124と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部129を有する。維持電極線131は所定の電圧の印加を受け、ゲート線121にほぼ平行に延びた幹線と、これから分かれた複数の第1、第2、第3及び第4維持電極133a、133b、133c、133d群及び複数の接続部133eを含む。維持電極線131それぞれは、隣接した2つのゲート線121の間に位置し、幹線は2つのゲート線121のうちの上側に近い。   The gate line 121 transmits a gate signal and extends mainly in the horizontal direction in the figure. Each gate line 121 has a plurality of gate electrodes 124 protruding downward and a wide end portion 129 for connection to another layer or an external driving circuit. The storage electrode line 131 is applied with a predetermined voltage and has a trunk line extending substantially parallel to the gate line 121, and a plurality of first, second, third, and fourth storage electrodes 133a, 133b, 133c, and 133d separated therefrom. A group and a plurality of connecting portions 133e are included. Each storage electrode line 131 is located between two adjacent gate lines 121, and the trunk line is close to the upper side of the two gate lines 121.

第1及び第2維持電極133a、133bは図の縦方向に延びて互いに対向する。第1維持電極133aは幹線に接続している固定端とその反対方向の自由端を有し、自由端は突出部を含む。第3及び第4維持電極133c、133dはほぼ第1維持電極133aの中央から第2維持電極133bの下端及び上端まで斜めに延びている。接続部133eは、隣接した維持電極133a-133d群の間に接続している。しかし、維持電極線131の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。   The first and second sustain electrodes 133a and 133b extend in the vertical direction of the drawing and face each other. The first sustain electrode 133a has a fixed end connected to the main line and a free end in the opposite direction, and the free end includes a protrusion. The third and fourth sustain electrodes 133c and 133d extend obliquely from the center of the first sustain electrode 133a to the lower end and the upper end of the second sustain electrode 133b. The connection portion 133e is connected between adjacent sustain electrodes 133a-133d. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 can be modified into various forms.

ゲート線121及び維持電極線131の側面は基板110面に対して傾斜し、その傾斜角は約30〜80°であることが望ましい。   The side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 to 80 °.

ゲート線121及び維持電極線131上には窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。   A gate insulating film 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate lines 121 and the storage electrode lines 131.

ゲート絶縁膜140上には水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体151が形成されている。線状半導体151は主に図の縦方向に延びており、ゲート電極124に向かって延びた複数の突出部154を含む。線状半導体151はゲート線121及び維持電極線131付近で幅が広くなり、これらを幅広く覆っている。   On the gate insulating film 140, a plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon or polycrystalline silicon are formed. The linear semiconductor 151 extends mainly in the vertical direction of the drawing, and includes a plurality of protrusions 154 extending toward the gate electrode 124. The linear semiconductor 151 is wide in the vicinity of the gate line 121 and the storage electrode line 131 and covers these widely.

半導体151上には複数の線状及び島状オーミック接触部材161、165が形成されている。オーミック接触部材161、165は、リンなどのn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で構成されたシリサイドからなることが望ましい。線状オーミック接触部材161は複数の突出部163を有し、この突出部163と島状オーミック接触部材165は対をなし半導体151の突出部154上に配置されている。   A plurality of linear and island-shaped ohmic contact members 161 and 165 are formed on the semiconductor 151. The ohmic contact members 161 and 165 are preferably made of silicide composed of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus at a high concentration. The linear ohmic contact member 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusions 163 and the island-like ohmic contact member 165 form a pair and are disposed on the protrusions 154 of the semiconductor 151.

また、半導体151とオーミック接触部材161、165の側面も基板110面に対して傾斜しており、傾斜角は30°〜80°程度である。   The side surfaces of the semiconductor 151 and the ohmic contact members 161 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

オーミック接触部材161、165及びゲート絶縁膜140上には、複数のデータ線171と複数のドレイン電極175及び複数の孤立した金属片178が形成されている。   A plurality of data lines 171, a plurality of drain electrodes 175, and a plurality of isolated metal pieces 178 are formed on the ohmic contact members 161 and 165 and the gate insulating film 140.

データ線171はデータ電圧を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線121、維持電極線131の幹線及び接続部133eと交差する。各データ線171はゲート電極124に向かって延びC字状に曲がった複数のソース電極173と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部179を有する。ドレイン電極175はデータ線171と分離され、ゲート電極124を中心にソース電極173と対向する棒状部分と棒状部分から延びた容量性結合電極176を含む。各ドレイン電極175の棒状部分はソース電極173に一部囲まれ、容量性結合電極176は互いに接続しており、第3及び第4維持電極133c、133dにそれぞれ平行な2つの斜線部176a、176bを有する。   The data line 171 transmits a data voltage, and extends mainly in the vertical direction of the figure, and intersects the gate line 121, the main line of the storage electrode line 131, and the connection portion 133e. Each data line 171 extends toward the gate electrode 124 and has a plurality of source electrodes 173 bent in a C shape and a wide end 179 for connection to another layer or an external driving circuit. The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and includes a rod-shaped portion facing the source electrode 173 with the gate electrode 124 as a center, and a capacitive coupling electrode 176 extending from the rod-shaped portion. The rod-shaped portion of each drain electrode 175 is partially surrounded by the source electrode 173, the capacitive coupling electrode 176 is connected to each other, and two hatched portions 176a and 176b parallel to the third and fourth sustain electrodes 133c and 133d, respectively. Have

金属片178は第1維持電極133a付近のゲート線121上に位置する。   The metal piece 178 is located on the gate line 121 near the first sustain electrode 133a.

また、データ線171とドレイン電極175及び金属片178は、その側面が基板110面に対して30°〜80°程度の角度で傾斜していることが望ましい。   Further, it is desirable that the side surfaces of the data line 171, the drain electrode 175, and the metal piece 178 are inclined at an angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

オーミック接触部材161、165は、その下の半導体151とその上のデータ線171及びドレイン電極175の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状半導体151がデータ線171より狭いが、既に説明したように、ゲート線121と交わる部分で幅が広くなり、表面の段差形状をゆるやかに形成することで、データ線171が断線することを防止する。半導体151にはソース電極173とドレイン電極175の間のように、データ線171及びドレイン電極175で覆われず露出した部分がある。   The ohmic contact members 161 and 165 exist only between the semiconductor 151 thereunder and the data line 171 and drain electrode 175 thereabove, and lower the contact resistance therebetween. In most places, the linear semiconductor 151 is narrower than the data line 171, but as already described, the width is wide at the portion where the gate line 121 intersects, and the data line 171 is formed gently by forming a stepped shape on the surface. Prevents disconnection. The semiconductor 151 has an exposed portion that is not covered with the data line 171 and the drain electrode 175, such as between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

データ線171、ドレイン電極175、金属片178及び露出した半導体151部分上には保護膜180が形成されている。保護膜180は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦化することも可能である。保護膜180にはデータ線171の端部179とドレイン電極175をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール182、185が形成され、保護膜180とゲート絶縁膜140にはゲート線121の端部129を露出させる複数のコンタクトホール181、第1維持電極133aの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール183a、そして、第1維持電極133aの固定端付近の維持電極線131の一部を露出させる複数のコンタクトホール183bが形成されている。コンタクトホール181、182、183a、183b、185は、多角形または円形など様々な形状とすることができる。コンタクトホール181、182、183a、183b、185の側壁は30°〜85°の角度で傾斜しているか、階段状であることが望ましい。   A protective film 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, the metal piece 178, and the exposed semiconductor 151 portion. The protective film 180 is made of an inorganic insulator or an organic insulator, and the surface can be planarized. A plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end 179 of the data line 171 and the drain electrode 175 are formed in the protective film 180, and the end 129 of the gate line 121 is exposed in the protective film 180 and the gate insulating film 140. A plurality of contact holes 181 to be exposed, a plurality of contact holes 183a exposing a protruding portion of the free end of the first sustain electrode 133a, and a plurality of portions exposing a part of the storage electrode line 131 near the fixed end of the first sustain electrode 133a. The contact hole 183b is formed. The contact holes 181, 182, 183 a, 183 b, and 185 can have various shapes such as a polygon or a circle. The side walls of the contact holes 181, 182, 183 a, 183 b, and 185 are preferably inclined at an angle of 30 ° to 85 ° or stepped.

保護膜180上には第1及び第2副画素電極191a、191bを含む複数の画素電極191、複数の接続ブリッジ83及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。これらはITOまたはIZOなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。   A plurality of pixel electrodes 191 including first and second subpixel electrodes 191 a and 191 b, a plurality of connection bridges 83, and a plurality of contact assisting members 81 and 82 are formed on the protective film 180. These are preferably made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof.

第1副画素電極191aは、コンタクトホール185を介してドレイン電極175と物理的・電気的に接続しており、ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受ける。   The first subpixel electrode 191 a is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185, and receives a data voltage from the drain electrode 175.

第1副画素電極191aと第2副画素電極191bは間隙92を介在して互いに分離されており、間隙92は左側辺から右側辺に斜めに延びた斜線部と、斜線部を連結する縦部を有する。斜線部はゲート線121に対して約45°の角度をなす。   The first sub-pixel electrode 191a and the second sub-pixel electrode 191b are separated from each other with a gap 92 therebetween. The gap 92 is an oblique portion extending obliquely from the left side to the right side, and a vertical portion connecting the oblique portions. Have The hatched portion forms an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121.

間隙92によって分割された副画素電極191a、191bのうちの第1副画素電極191aは、第2副画素電極191bを中心に上部及び下部に位置し、第2副画素電極191bを囲み、第2副画素電極191bは第1副画素電極191aの二部分の間に挟まれた形態である。第1副画素電極191aと第2副画素電極191bは互いに対向し、ゲート線121に対して45°傾いた辺を有しており、画素電極191の仮想の横中心線に対して反転対称構造を有する。   Of the subpixel electrodes 191a and 191b divided by the gap 92, the first subpixel electrode 191a is located at the upper and lower portions around the second subpixel electrode 191b, surrounds the second subpixel electrode 191b, and The subpixel electrode 191b is sandwiched between two portions of the first subpixel electrode 191a. The first subpixel electrode 191a and the second subpixel electrode 191b face each other, have sides inclined by 45 ° with respect to the gate line 121, and have an inverted symmetrical structure with respect to the virtual lateral center line of the pixel electrode 191. Have

第2副画素電極191bは中央切開部91を有し、中央切開部91は横中心線に沿って延びており、右辺側に入口を有する。中央切開部91の入口は間隙92に平行な一対の斜辺を有する。   The second subpixel electrode 191b has a central cutout 91, which extends along the horizontal center line and has an entrance on the right side. The entrance of the central incision 91 has a pair of hypotenuses parallel to the gap 92.

ここで、第1副画素電極191aそれぞれはコンタクトホール185を介してドレイン電極175に接続しており、これから直接データ電圧の印加を受けるのに対し、第2副画素電極191bは第1画素電極191aに接続している容量性結合電極176と重畳する。よって、第2画素電極191bは第1画素電極191aに電磁気的に結合(容量性)されている。   Here, each of the first subpixel electrodes 191a is connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185, and receives a data voltage directly from the first subpixel electrode 191a, whereas the second subpixel electrode 191b has the first pixel electrode 191a. It overlaps with the capacitive coupling electrode 176 connected to. Therefore, the second pixel electrode 191b is electromagnetically coupled (capacitive) to the first pixel electrode 191a.

画素電極191は間隙92及び中央切開部91によって4つの領域に分割される。   The pixel electrode 191 is divided into four regions by the gap 92 and the central cutout 91.

図5及び図16に示すように、各画素電極191は互いに対向する一対の第1主辺193、194とこれに接続している一対の第2主辺195、196を有する。第1主辺193、194はゲート線121にほぼ平行であり、第2主辺195、196はデータ線171にほぼ平行な内側及び外側の包絡線を有し、第1主辺193、194と第2主辺195、196の内側または外側の包絡線は概ね長方形をなす。画素電極191の左側角は面取りされて斜辺193c、194cをなし、面取りされた斜辺193c、194cはゲート線121に対して約45°をなす。   As shown in FIGS. 5 and 16, each pixel electrode 191 has a pair of first main sides 193 and 194 facing each other and a pair of second main sides 195 and 196 connected thereto. The first main sides 193 and 194 are substantially parallel to the gate line 121, the second main sides 195 and 196 have inner and outer envelopes substantially parallel to the data line 171, and the first main sides 193 and 194 The envelope inside or outside the second main sides 195 and 196 is generally rectangular. The left corner of the pixel electrode 191 is chamfered to form oblique sides 193 c and 194 c, and the chamfered oblique sides 193 c and 194 c form about 45 ° with respect to the gate line 121.

画素電極191の第2主辺195、196は、内側の包絡線951、961上に位置する複数の縦線分915、925と、これから外側に突出した複数ののこぎり状部分910、920を有し、画素電極191の横中心線に対してほぼ対称である。   The second main sides 195 and 196 of the pixel electrode 191 have a plurality of vertical line segments 915 and 925 positioned on the inner envelopes 951 and 961, and a plurality of saw-shaped portions 910 and 920 projecting outward therefrom. The pixel electrode 191 is substantially symmetric with respect to the horizontal center line.

各々ののこぎり状部分910、920は互いに対向する第1斜辺911、921及び第2斜辺912、922、並びにこれらを連結し外側の包絡線952、962上に位置する上辺913、923を有する。第1斜辺911、921は縦線分915、925と約135°より大きい鈍角をなしながら交わり、第2斜辺912、922は縦線分915、925と約45゜の角度をなし、第1斜辺911、921と第2斜辺912、922の延長線は約45゜より小さい鋭角をなしながら互いに交わる。また、第2斜辺912、922は間隙92と実質的に平行で間隙92の延長線上にあり、第1斜辺911、921は間隙92と約45°より小さい角度、または135°より大きい角度をなす。   Each saw-like portion 910, 920 has first oblique sides 911, 921 and second oblique sides 912, 922 facing each other, and upper sides 913, 923 that connect them and lie on outer envelopes 952, 962. The first hypotenuses 911 and 921 intersect the vertical line segments 915 and 925 with an obtuse angle greater than about 135 °, and the second hypotenuses 912 and 922 form an angle of about 45 ° with the vertical line segments 915 and 925. The extension lines of 911, 921 and the second hypotenuse 912, 922 intersect each other with an acute angle smaller than about 45 °. Also, the second hypotenuses 912 and 922 are substantially parallel to the gap 92 and on the extension of the gap 92, and the first hypotenuses 911 and 921 form an angle with the gap 92 that is less than about 45 ° or greater than 135 °. .

のこぎり状部分910、920の上部、つまり、上辺913、923付近はデータ線171と重畳し、データ線171を中心に左側に位置した画素電極191の右側辺196ののこぎり状部分920と右側に位置した画素電極191ののこぎり状部分910は噛み合うように配置されている。また、互いに噛み合うのこぎり状部分910、920の対向する辺は互いに平行である。   The upper portions of the saw-shaped portions 910 and 920, that is, the vicinity of the upper sides 913 and 923 overlap with the data line 171 and are positioned on the right side and the saw-shaped portion 920 of the right side 196 of the pixel electrode 191 located on the left side around the data line 171. The saw-toothed portion 910 of the pixel electrode 191 is arranged so as to be engaged. The opposing sides of the saw-like portions 910 and 920 that mesh with each other are parallel to each other.

のこぎり状部分910、920の数は、切開部及び間隙91、92によって分割される画素電極191領域の数または切開部の数と密接な関係があり、画素電極191領域の数及びのこぎり状部分910、920の数は、画素電極191の大きさ、画素電極191の横辺と縦辺との長さの比率、液晶層3の種類や特性など設計要素によって異なる。   The number of saw-like portions 910 and 920 is closely related to the number of pixel electrode 191 regions or the number of cut-out portions divided by the incisions and the gaps 91 and 92, and the number of pixel electrode 191 regions and the saw-like portions 910 are determined. , 920 differs depending on the design factors such as the size of the pixel electrode 191, the ratio of the length of the horizontal and vertical sides of the pixel electrode 191, the type and characteristics of the liquid crystal layer 3.

また、画素電極191は、隣接するゲート線121またはデータ線171と重なって開口率を向上させることができる。   Further, the pixel electrode 191 can overlap with the adjacent gate line 121 or the data line 171 to improve the aperture ratio.

接続ブリッジ83はゲート線121を横切り、ゲート線121を間に介在して反対側に位置するコンタクトホール183a、183bを介して維持電極線131の露出した部分と第1維持電極133aの自由端の露出した端部に接続している。維持電極133a、133bを始めとする維持電極線131は、接続ブリッジ83と共にゲート線121やデータ線171、または薄膜トランジスタの欠陥修理に使用できる。   The connection bridge 83 crosses the gate line 121 and connects the exposed portion of the storage electrode line 131 and the free end of the first storage electrode 133a via contact holes 183a and 183b located on the opposite side with the gate line 121 interposed therebetween. Connected to exposed end. The storage electrode lines 131 including the storage electrodes 133a and 133b can be used together with the connection bridge 83 to repair defects in the gate lines 121, the data lines 171, or the thin film transistors.

接触補助部材81、82はそれぞれコンタクトホール181、182を介してゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179に接続している。   The contact assistants 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through contact holes 181 and 182, respectively.

以下、図16、図18、図19及び図20を参照して、共通電極表示板200について説明する。   Hereinafter, the common electrode panel 200 will be described with reference to FIGS. 16, 18, 19, and 20.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板210上に遮光部材220が形成されている。遮光部材220は画素電極191と対向し、ほぼ長方形状の複数の開口部225を有する。遮光部材220のデータ線171と対応する部分221の幅はデータ線171の幅とほぼ同一であり(ただし、表示板100、200の整列誤差を考慮できる)、遮光部材220はデータ線171の外側に突出した噛み合うのこぎり状部分910、920の間の空間を遮る拡張部222を有する。遮光部材220は薄膜トランジスタに対応する部分をさらに含むことが望ましい。   A light shielding member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass or plastic. The light shielding member 220 faces the pixel electrode 191 and has a plurality of substantially rectangular openings 225. The width of the portion 221 corresponding to the data line 171 of the light shielding member 220 is substantially the same as the width of the data line 171 (however, an alignment error between the display panels 100 and 200 can be taken into consideration). And has an extension 222 that blocks the space between the mating saw-like portions 910 and 920 projecting. It is desirable that the light shielding member 220 further includes a portion corresponding to the thin film transistor.

また、基板210上には複数のカラーフィルタ230が形成されている。カラーフィルタ230は、遮光部材230に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極191の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの1つを表示できる。   A plurality of color filters 230 are formed on the substrate 210. It is desirable that the color filter 230 exists mostly in the region surrounded by the light shielding member 230 and extends long in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191. Each color filter 230 can display one of the basic colors such as the three primary colors of red, green, and blue.

カラーフィルタ230及び遮光部材220上にはオーバーコート膜250が形成されている。オーバーコート膜250は(有機)絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ230が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜250は省略可能である。   An overcoat film 250 is formed on the color filter 230 and the light shielding member 220. The overcoat film 250 is preferably made of an (organic) insulator, and prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat film 250 can be omitted.

オーバーコート膜250上には共通電極270が形成されている。共通電極270はITO、IZOなどの透明な導電体などからなり、共通電極270には複数の切開部71、72a、72b群が形成されている。   A common electrode 270 is formed on the overcoat film 250. The common electrode 270 is made of a transparent conductor such as ITO or IZO, and the common electrode 270 is formed with a plurality of incisions 71, 72a, 72b.

共通電極270は複数組の切開部71、72a、72b群を有する。   The common electrode 270 has a plurality of sets of incisions 71, 72a, 72b.

1つの切開部71−72b群は1つの画素電極191と対向し、中央切開部71、下部切開部72a及び上部切開部72bを含む。切開部71−72bそれぞれは画素電極191の隣接切開部91−92bの間、または切開部92a、92bと画素電極191の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部71−72bは画素電極191の下部切開部92aまたは上部切開部92bにほぼ平行に延びており、少なくとも1つの斜線部を有する。切開部71−72bは画素電極191の横中心線に対してほぼ反転対称をなす。   One incision 71-72b group faces one pixel electrode 191, and includes a central incision 71, a lower incision 72a, and an upper incision 72b. Each of the incisions 71-72b is disposed between adjacent incisions 91-92b of the pixel electrode 191 or between the incisions 92a, 92b and the chamfered oblique sides of the pixel electrode 191. Each incision 71-72b extends substantially parallel to the lower incision 92a or the upper incision 92b of the pixel electrode 191, and has at least one hatched portion. The cut-out portions 71-72b are almost inverted and symmetric with respect to the horizontal center line of the pixel electrode 191.

下部及び上部切開部72a、72bそれぞれは斜線部及び横部を含む。斜線部はほぼ画素電極191上側辺または下側辺から左側辺に延びており、画素電極191の縦辺と重畳する。斜線部の対向する長い辺は、ほぼ画素電極191ののこぎり状部分の第1及び第2斜辺911、912、921、922、またはその延長線と交わるか、その延長線上に位置する。横部は斜線部の各端から画素電極191の横辺に沿って横辺と重畳しながら延びており、斜線部と鈍角をなす。   Each of the lower and upper cutouts 72a and 72b includes a hatched portion and a lateral portion. The hatched portion extends from the upper side or the lower side of the pixel electrode 191 to the left side, and overlaps with the vertical side of the pixel electrode 191. The opposing long sides of the shaded portion substantially intersect with or are located on the first and second oblique sides 911, 912, 921, 922 of the sawtooth portion of the pixel electrode 191 or their extension lines. The horizontal portion extends from each end of the shaded portion along the horizontal side of the pixel electrode 191 while overlapping the horizontal side, and forms an obtuse angle with the shaded portion.

中央切開部71は中央横部及び一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極191の左側辺から画素電極191の横中心線に沿って右側に延びる。一対の斜線部は、中央横部の端から画素電極191の右側辺に向かって中央横部と鈍角をなしながら、それぞれ下部及び上部切開部72a、72bにほぼ平行に延びる。   The central incision 71 includes a central lateral portion and a pair of hatched portions. The central horizontal portion extends from the left side of the pixel electrode 191 to the right along the horizontal center line of the pixel electrode 191. The pair of shaded portions extend substantially parallel to the lower and upper cutouts 72a and 72b, respectively, while forming an obtuse angle with the central horizontal portion from the end of the central horizontal portion toward the right side of the pixel electrode 191.

また、切開部71−72bの数は設計要素によって異なり、遮光部材220が切開部71−72bと重畳して切開部71−72b付近の光漏れを遮断することができる。   Further, the number of the incisions 71-72b varies depending on the design element, and the light shielding member 220 can be overlapped with the incisions 71-72b to block light leakage near the incisions 71-72b.

共通電極270上には絶縁物質からなり、2つの表示板100、200の間の間隔を一定に維持するための間隔材(図示せず)が形成されている。   An interval material (not shown) made of an insulating material is formed on the common electrode 270 to maintain a constant interval between the two display panels 100 and 200.

遮光部材220は切開部71、72a、72bと重畳して切開部71、72a、72b付近の光漏れを遮断することができる。本実施形態で、容量性結合電極176の斜線部176a、176bが切開部71、72a、72bと重畳して切開部71、72a、72b付近の光漏れを遮断する。   The light shielding member 220 can overlap the incisions 71, 72a, 72b and block light leakage near the incisions 71, 72a, 72b. In the present embodiment, the hatched portions 176a and 176b of the capacitive coupling electrode 176 overlap with the incisions 71, 72a and 72b to block light leakage near the incisions 71, 72a and 72b.

この時、画素電極191ののこぎり状部分910、920の傾斜角は、共通電極270の中央切開部71の斜線部の傾斜角より1°〜15°さらに大きく形成してもよい。表示板100、200の内側面には垂直配向膜11、21がそれぞれ塗布されており、外側面には偏光子12、22が配置されている。   At this time, the inclination angle of the saw-like portions 910 and 920 of the pixel electrode 191 may be formed to be 1 ° to 15 ° larger than the inclination angle of the hatched portion of the central cutout portion 71 of the common electrode 270. Vertical alignment films 11 and 21 are applied to the inner side surfaces of the display panels 100 and 200, respectively, and polarizers 12 and 22 are disposed on the outer side surfaces.

共通電極270に共通電圧を印加し、画素電極191にデータ電圧を印加すると、表示板の表面にほぼ垂直な電場が生成される。液晶分子310は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。一方、共通電極270及び画素電極191の切開部71、72a、72b、91、92a、92bと画素電極191aの斜辺は、電場を歪ませて液晶分子の傾斜方向を決定する水平成分を形成する。電場の水平成分は切開部71、72a、72b、91、92a、92bの辺と画素電極191aの斜辺に垂直である。また、切開部71、72a、72b、91、92a、92bの対向する2つの辺の主電場の水平成分は互いに逆方向である。   When a common voltage is applied to the common electrode 270 and a data voltage is applied to the pixel electrode 191, an electric field substantially perpendicular to the surface of the display panel is generated. In response to the electric field, the liquid crystal molecules 310 try to change direction so that the major axis is perpendicular to the direction of the electric field. On the other hand, the cut portions 71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b of the common electrode 270 and the pixel electrode 191 and the hypotenuse of the pixel electrode 191a form a horizontal component that distorts the electric field and determines the tilt direction of the liquid crystal molecules. The horizontal component of the electric field is perpendicular to the sides of the incisions 71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b and the oblique sides of the pixel electrode 191a. Further, the horizontal components of the main electric fields on the two opposing sides of the incisions 71, 72a, 72b, 91, 92a, and 92b are opposite to each other.

このような電場を通じて切開部71、72a、72b、91、92a、92bは液晶層3の液晶分子が傾く方向を制御する。隣接する切開部71、72a、72b、91、92a、92bによって定義されるか、切開部72a、72bと副画素電極191a、191bの右側及び左側の斜辺によって定義される各ドメイン内にある液晶分子は、切開部71、72a、72b、91、92a、92bの長さ方向に対して垂直をなす方向に傾く。各ドメインの最長辺2つはほぼ平行であり、ゲート線121と約45°をなし、ドメイン内で液晶分子の大部分は4つの方向に傾き、これによって視野角が拡張される。   Through such an electric field, the incisions 71, 72a, 72b, 91, 92a, and 92b control the direction in which the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are tilted. Liquid crystal molecules in each domain defined by adjacent cutouts 71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b or defined by right and left oblique sides of cutouts 72a, 72b and subpixel electrodes 191a, 191b Is inclined in a direction perpendicular to the length direction of the incisions 71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b. The two longest sides of each domain are substantially parallel and form approximately 45 ° with the gate line 121, and most of the liquid crystal molecules in the domain tilt in four directions, thereby expanding the viewing angle.

また、画素電極191a、191bの辺のうちのデータ線171と隣接する辺をのこぎり状に形成すると、図1〜図4を用いて前記した実施形態で説明したように、隣接する画素電極の間に形成される副電場は副領域の液晶の配向を強化できる。   Further, when the side adjacent to the data line 171 among the sides of the pixel electrodes 191a and 191b is formed in a saw-tooth shape, as described in the above-described embodiment with reference to FIGS. The sub-electric field formed in can enhance the alignment of the liquid crystal in the sub-region.

切開部71、72a、72b、91、92a、92bの幅は約9μm〜約12μmであることが望ましい。   The incisions 71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b preferably have a width of about 9 μm to about 12 μm.

少なくとも1つの切開部71、72a、72b、91、92a、92bは突起(図示せず)や陥没部(図示せず)で代替しても良い。突起は有機物または無機物からなることが望ましく、電場生成電極191a、191b、270の上または下に配置すると良く、その幅は約5μm〜約10μmであることが望ましい。   At least one incision 71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b may be replaced by a protrusion (not shown) or a depression (not shown). The protrusion is preferably made of an organic material or an inorganic material, and may be disposed above or below the electric field generating electrodes 191a, 191b, 270, and preferably has a width of about 5 μm to about 10 μm.

一方、液晶分子31の傾斜方向と偏光子12、22の透過軸が45°をなすとき最高輝度が得られ、本実施形態では全ドメインの液晶分子31の傾斜方向がゲート線121と45°をなし、ゲート線121は表示板100、200の周縁と垂直または水平である。よって、本実施形態で、偏光子12、22の透過軸を表示板100、200の周縁に対して垂直または平行になるように付着すると最高輝度が得られると共に偏光子12、22を安価で製造することができる。   On the other hand, the highest luminance is obtained when the tilt direction of the liquid crystal molecules 31 and the transmission axes of the polarizers 12 and 22 form 45 °. In this embodiment, the tilt directions of the liquid crystal molecules 31 of all domains are 45 ° with the gate lines 121. None, the gate line 121 is vertical or horizontal with the peripheral edge of the display panels 100 and 200. Therefore, in this embodiment, when the transmission axes of the polarizers 12 and 22 are attached so as to be perpendicular or parallel to the peripheral edges of the display plates 100 and 200, the maximum luminance is obtained and the polarizers 12 and 22 are manufactured at low cost. can do.

このような本発明の実施形態による液晶表示装置について、前述したように、第2副画素電極191bは第1副画素電極191aに電磁気的に結合(容量性結合)されている。第1画素電極191aはドレイン電極175を介して薄膜トランジスタ(Q)に直接接続され薄膜トランジスタによってデータ線171を通じて伝達される画像信号電圧の印加を受けるのに対し、第2副画素電極191bの電圧は第1副画素電極191aとの容量性結合に変わる。本実施形態で第2副画素電極191bの電圧は、第1副画素電極191aの電圧に比べて絶対値が常に低い。   In the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention, as described above, the second subpixel electrode 191b is electromagnetically coupled (capacitively coupled) to the first subpixel electrode 191a. The first pixel electrode 191a is directly connected to the thin film transistor (Q) through the drain electrode 175 and receives an image signal voltage transmitted through the data line 171 by the thin film transistor, whereas the voltage of the second sub pixel electrode 191b is the second voltage. The capacitive coupling with the one subpixel electrode 191a is changed. In this embodiment, the voltage of the second subpixel electrode 191b is always lower in absolute value than the voltage of the first subpixel electrode 191a.

このような容量性結合構造は以下のような構造を有することが望ましい。   Such a capacitive coupling structure desirably has the following structure.

図21は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図22は、図21の液晶表示装置のXXII-XXII線に沿った断面図であり、図24は、図21に示した液晶表示装置の1つの画素に対する概略的な等価回路図である。   21 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, FIG. 22 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 21, taken along line XXII-XXII, and FIG. 2 is a schematic equivalent circuit diagram for one pixel of the liquid crystal display device shown in FIG.

図21〜図24に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、及びこれら2つの表示板100、200の間に挟持された液晶層3を備える。   As shown in FIGS. 21 to 24, a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100, a common electrode display panel 200, and a liquid crystal layer sandwiched between the two display panels 100 and 200. 3 is provided.

以下、薄膜トランジスタ表示板100について説明する。   Hereinafter, the thin film transistor array panel 100 will be described.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板110上に複数のゲート線121、複数の維持電極線131及び複数の容量電極136を有する複数のゲート導電体が形成されている。   A plurality of gate conductors having a plurality of gate lines 121, a plurality of storage electrode lines 131, and a plurality of capacitor electrodes 136 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に図21の横方向に延びている。各ゲート線121は、上方に突出した複数のゲート電極124と他の層または外部駆動回路との接続のための広い面積を有する端部129を有する。維持電極線131は所定の電圧の印加を受け、ゲート線121にほぼ平行に延びた下部及び上部幹線(stem)131a1、131a2を含む。各維持電極線131は隣接した2つのゲート線121の間に位置し、下部幹線131a1は、2つのゲート線121のうちの下側に近く、上部幹線131a2は上側に近い。下部及び上部幹線131a1、131a2はそれぞれ下上に拡張された下部及び上部維持電極137a1、137a2を含む。   The gate line 121 transmits a gate signal and extends mainly in the horizontal direction of FIG. Each gate line 121 has a plurality of gate electrodes 124 protruding upward and an end portion 129 having a large area for connection to another layer or an external driving circuit. The storage electrode line 131 is applied with a predetermined voltage and includes lower and upper trunk lines 131 a 1 and 131 a 2 that extend substantially parallel to the gate line 121. Each storage electrode line 131 is located between two adjacent gate lines 121, the lower trunk line 131a1 is closer to the lower side of the two gate lines 121, and the upper trunk line 131a2 is closer to the upper side. The lower and upper trunk lines 131a1 and 131a2 include lower and upper sustain electrodes 137a1 and 137a2 extending downward and upward, respectively.

容量電極136は横方向に長い長方形状であり、ゲート線121及び維持電極線131と分離されている。容量電極136は一対の下部及び上部維持電極137a1、137a2の間に位置し、2つの維持電極137a1、137a2とほぼ同一な距離を置いて配置され、隣接した2つのゲート線121ともほぼ同一な距離を置いて配置される。しかし、維持電極線131の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。   The capacitor electrode 136 has a rectangular shape that is long in the horizontal direction, and is separated from the gate line 121 and the storage electrode line 131. The capacitor electrode 136 is positioned between the pair of lower and upper sustain electrodes 137a1 and 137a2, and is disposed at substantially the same distance as the two sustain electrodes 137a1 and 137a2, and is also approximately the same distance between the two adjacent gate lines 121. Is placed. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 can be modified into various forms.

ゲート導電体121、131、136の側面は基板110面に対して傾斜し、その傾斜角は約30°〜約80°であることが望ましい。   The side surfaces of the gate conductors 121, 131, and 136 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

ゲート導電体121、131、136上には窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。   A gate insulating film 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate conductors 121, 131, and 136.

ゲート絶縁膜140上には水素化非晶質シリコン(非晶質シリコンはa-Siと略称する)または多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体154が形成されている。半導体154はゲート電極124上に位置し、ゲート線121の境界を覆う延長部を有する。また、維持電極線131の境界を覆う別途の島状半導体が形成されてもよい。   A plurality of island-shaped semiconductors 154 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated as a-Si) or polycrystalline silicon are formed on the gate insulating film 140. The semiconductor 154 is located on the gate electrode 124 and has an extension that covers the boundary of the gate line 121. Further, a separate island semiconductor that covers the boundary of the storage electrode line 131 may be formed.

半導体154上には複数の島状オーミック接触部材163、165が形成されている。オーミック接触部材163、165はリンなどのn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材163、165は対をなして半導体154上に配置されている。   A plurality of island-shaped ohmic contact members 163 and 165 are formed on the semiconductor 154. The ohmic contact members 163 and 165 are preferably made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus at a high concentration, or made of silicide. The ohmic contact members 163 and 165 are disposed on the semiconductor 154 in a pair.

半導体154とオーミック接触部材163、165の側面も、基板110面に対して傾斜し、その傾斜角は30°〜80°程度である。   The side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contact members 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

オーミック接触部材163、165及びゲート絶縁膜140上には複数のデータ線171と複数のドレイン電極175を含むデータ導電体が形成されている。   A data conductor including a plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 is formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating film 140.

データ線171はデータ信号を伝達し、主に図21の縦方向に延びてゲート線121及び維持電極線131と交差する。各データ線171は、ゲート電極124に向かって延びた複数のソース電極173と他の層または外部駆動回路との接続のための面積が広い端部179を含む。ドレイン電極175はデータ線171と分離され、ゲート電極124を中心にソース電極173と対向する棒状端部を含む。棒状端部はU字状に曲がったソース電極173に一部囲まれている。   The data line 171 transmits a data signal and extends mainly in the vertical direction of FIG. 21 and intersects the gate line 121 and the storage electrode line 131. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and an end portion 179 having a large area for connection to another layer or an external driving circuit. The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and includes a rod-shaped end portion facing the source electrode 173 around the gate electrode 124. The rod-shaped end portion is partially surrounded by a source electrode 173 bent in a U shape.

また、各ドレイン電極175は、下部、上部及び中央拡張部177a1、177a2、176及びこれらを接続する一対の接続部178a1、178a2を含む。拡張部177a1、177a2、176は横方向に長い長方形であり、接続部178a1、178a2は拡張部177a1、177a2、176の両側でこれらを互いに接続しており、データ線171にほぼ平行である。   Each drain electrode 175 includes a lower portion, an upper portion, and a central extension portion 177a1, 177a2, 176, and a pair of connection portions 178a1, 178a2 connecting them. The extended portions 177a1, 177a2, 176 are rectangular in the horizontal direction, and the connecting portions 178a1, 178a2 are connected to each other on both sides of the extended portions 177a1, 177a2, 176, and are substantially parallel to the data line 171.

下部及び上部拡張部177a1、177a2はそれぞれ下部及び上部維持電極137a1、137a2と重畳する。   The lower and upper extensions 177a1 and 177a2 overlap with the lower and upper sustain electrodes 137a1 and 137a2, respectively.

中央拡張部176は容量電極136と重畳し、以下、中央拡張部176を結合電極という。結合電極176の右側端付近にはコンタクトホール176Hが形成されている。結合電極176は容量電極136の形状とほぼ同様に作製される。   The central extension 176 overlaps with the capacitive electrode 136, and the central extension 176 is hereinafter referred to as a coupling electrode. A contact hole 176H is formed near the right end of the coupling electrode 176. The coupling electrode 176 is manufactured in substantially the same shape as the capacitor electrode 136.

データ導電体171、175、176はその側面が基板110面に対して30°〜80°程度の角度で傾斜していることが望ましい。   The data conductors 171, 175, and 176 preferably have side surfaces inclined at an angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

オーミック接触部材163、165は、その下の半導体154とその上のデータ導電体171、175の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。ゲート線121上に位置した半導体154の延長部は、表面の段差形状をゆるやかに形成することによって、データ線171が断線することを防止する。半導体154はデータ線171、ドレイン電極175及びその下のオーミック接触部材161、165と実質的に同一の平面形状である。しかし、半導体154にはソース電極173とドレイン電極175の間のようにデータ導電体171、175で覆われず露出した部分がある。   The ohmic contact members 163 and 165 exist only between the underlying semiconductor 154 and the upper data conductors 171 and 175, and lower the contact resistance between them. An extension of the semiconductor 154 located on the gate line 121 prevents the data line 171 from being disconnected by gently forming a stepped shape on the surface. The semiconductor 154 has substantially the same planar shape as the data line 171, the drain electrode 175, and the ohmic contact members 161 and 165 therebelow. However, the semiconductor 154 has an exposed portion that is not covered with the data conductors 171 and 175, such as between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

データ導電体171、175及び露出した半導体154部分上には保護膜180が形成されている。保護膜180は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦化することができる。保護膜180にはデータ線171の端部179を露出させる複数のコンタクトホール182及びドレイン電極175の下部及び上部拡張部177a1、177a2をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール185a1、185a2が形成されている。保護膜180とゲート絶縁膜140にはゲート線121の端部129を露出する複数のコンタクトホール181及び結合電極176のコンタクトホール176Hを貫通して容量電極136を露出させる複数のコンタクトホール186が形成されている。   A protective film 180 is formed on the data conductors 171 and 175 and the exposed semiconductor 154 portion. The protective film 180 is made of an inorganic insulator or an organic insulator, and the surface can be planarized. A plurality of contact holes 182 exposing the end portions 179 of the data lines 171 and a plurality of contact holes 185a1 and 185a2 exposing the lower and upper extension portions 177a1 and 177a2 of the drain electrode 175 are formed in the protective film 180. In the protective film 180 and the gate insulating film 140, a plurality of contact holes 181 exposing the end portions 129 of the gate lines 121 and a plurality of contact holes 186 exposing the capacitor electrodes 136 through the contact holes 176H of the coupling electrode 176 are formed. Has been.

保護膜180上には複数の画素電極191及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。これらはITOまたはIZOなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。   A plurality of pixel electrodes 191 and a plurality of contact assisting members 81 and 82 are formed on the protective film 180. These are preferably made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof.

各画素電極191は、互いに対向する一対の第1主辺193、194と該第1主辺193、194に接続しており、複数ののこぎり状部分90とこののこぎり状部分90の間を接続する底辺90cを含む第2主辺を有する。ここでのこぎり状部分90は第1主辺193、194に対して傾いた第1斜辺90aと第2斜辺90d、及び第1斜辺90aと第2斜辺90dの間を接続する上辺90bを有する。第1主辺193、194はゲート線121に平行である。第1主辺193、194と第2主辺はほぼ長方形をなし、画素電極191の4つの角は面取りされてゲート線121に対して約45°の角度をなす。第1斜辺90aはデータ線171と一部が重畳し、隣接する2つの画素電極191の第1斜辺90aは互いに対向し、平行となっている。   Each pixel electrode 191 is connected to a pair of first main sides 193 and 194 facing each other and the first main sides 193 and 194, and connects between the plurality of saw-like portions 90 and the saw-like portions 90. The second main side includes the bottom side 90c. The saw-shaped portion 90 has a first oblique side 90a and a second oblique side 90d inclined with respect to the first main sides 193 and 194, and an upper side 90b connecting the first oblique side 90a and the second oblique side 90d. The first main sides 193 and 194 are parallel to the gate line 121. The first main sides 193 and 194 and the second main side are substantially rectangular, and the four corners of the pixel electrode 191 are chamfered to form an angle of about 45 ° with the gate line 121. The first oblique side 90a partially overlaps with the data line 171. The first oblique sides 90a of the two adjacent pixel electrodes 191 face each other and are parallel to each other.

各画素電極191は、下部及び上部間隙93a、93bを間に介在して分割された下部、上部及び中央副画素電極191a1、191a2、191bを含む。下部及び上部間隙93a、93bはほぼ画素電極191の左側辺から右側辺に斜めに延びており、このため、中央副画素電極191bは、ほぼ90°だけ回転した二等辺台形になり、下部及び上部副画素電極191a1、191a2はほぼ90°だけ回転した直角三角形になる。下部及び上部間隙93a、93bはゲート線121に対して約45°の角度をなし、互いに垂直である。   Each pixel electrode 191 includes a lower, upper, and center subpixel electrodes 191a1, 191a2, 191b that are divided with a lower and upper gaps 93a, 93b interposed therebetween. The lower and upper gaps 93a and 93b extend obliquely from the left side of the pixel electrode 191 to the right side, so that the central subpixel electrode 191b has an isosceles trapezoid rotated by about 90 °. The subpixel electrodes 191a1 and 191a2 are right triangles rotated by approximately 90 °. The lower and upper gaps 93a and 93b form an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121 and are perpendicular to each other.

下部及び上部副画素電極191a1、191a2はそれぞれコンタクトホール185a1、185a2を介してドレイン電極175の下部及び上部拡張部177a1、177a2に接続している。   The lower and upper subpixel electrodes 191a1 and 191a2 are connected to the lower and upper extensions 177a1 and 177a2 of the drain electrode 175 through contact holes 185a1 and 185a2, respectively.

中央副画素電極191bはコンタクトホール186を介して容量電極136に接続し、結合電極176と重畳する。中央副画素電極191bと容量電極136は結合電極176と共に結合キャパシタを構成する。   The central subpixel electrode 191 b is connected to the capacitor electrode 136 through the contact hole 186 and overlaps with the coupling electrode 176. The central subpixel electrode 191b and the capacitor electrode 136 together with the coupling electrode 176 form a coupling capacitor.

中央副画素電極191bには中央切開部91及び第1上部及び下部斜線切開部92a、92bが形成され、下部副画素電極191a1には第2下部斜線切開部94aが形成され、上部副画素電極191a2には第2上部斜線切開部94bが形成されている。この切開部91、92a、92b、94a、94bは副画素電極191b、191a1、191a2を複数の副領域に区画する。切開部91、92a、92b、94a、94b及び間隙93a、93b(以下、間隙も切開部と称する)を含む画素電極191は容量電極136に対してほぼ反転対称をなす。   A central incision 91 and first upper and lower oblique incisions 92a and 92b are formed in the central subpixel electrode 191b, and a second lower oblique incision 94a is formed in the lower subpixel electrode 191a1 and the upper subpixel electrode 191a2. Is formed with a second upper oblique incision 94b. The incisions 91, 92a, 92b, 94a, 94b partition the subpixel electrodes 191b, 191a1, 191a2 into a plurality of subregions. The pixel electrode 191 including the cutout portions 91, 92 a, 92 b, 94 a, 94 b and the gaps 93 a, 93 b (hereinafter, the gap is also referred to as the cutout portion) is almost inversion symmetric with respect to the capacitor electrode 136.

下部及び上部斜線切開部92a−94bは、ほぼ画素電極191の左側角、下側辺または上側辺から右側辺に斜めに延びている。下部及び上部斜線切開部92a−94bはゲート線121に対して約45°の角度をなし、互いに垂直に延びている。下部及び上部斜線切開部92a、92b、94a、94bは、画素電極191の左側辺または右側辺に入口を有し、入口は凹部90cに接続することが望ましい。   The lower and upper oblique cutout portions 92a to 94b extend obliquely from the left corner, the lower side, or the upper side of the pixel electrode 191 to the right side. The lower and upper oblique cutouts 92a to 94b form an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121 and extend perpendicular to each other. The lower and upper oblique cutouts 92a, 92b, 94a, 94b preferably have entrances on the left side or right side of the pixel electrode 191, and the entrances are preferably connected to the recesses 90c.

第2主辺ののこぎり状部分90をなす第1斜辺90aは画素電極191の斜線切開部92a〜94aと鈍角をなし、第2斜辺90dは斜線切開部92a−94bにほぼ平行である。   The first oblique side 90a forming the saw-like portion 90 of the second main side forms an obtuse angle with the oblique line incisions 92a to 94a of the pixel electrode 191, and the second oblique side 90d is substantially parallel to the oblique line incisions 92a to 94b.

中央切開部91は維持電極線131に沿って延びており、左側辺に入口を有する。中央切開部91の入口は下部切開部92a〜94aと上部切開部92b〜94bにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺を有する。   The central incision 91 extends along the storage electrode line 131 and has an entrance on the left side. The entrance of the central incision 91 has a pair of hypotenuses substantially parallel to the lower incisions 92a to 94a and the upper incisions 92b to 94b.

この時、切開部の数または領域の数は画素電極191a1、191a2、191bの大きさ、画素電極191a1、191a2、191bの横辺と縦辺との長さの比率、液晶層3の種類や特性など設計要素によって異なる。   At this time, the number of incisions or the number of regions are the size of the pixel electrodes 191a1, 191a2, 191b, the ratio of the lengths of the horizontal and vertical sides of the pixel electrodes 191a1, 191a2, 191b, the type and characteristics of the liquid crystal layer 3. It depends on the design element.

接触補助部材81、82はそれぞれコンタクトホール181、182を介してゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179に接続している。   The contact assistants 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through contact holes 181 and 182, respectively.

以下、共通電極表示板200について説明する。   Hereinafter, the common electrode panel 200 will be described.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板210上に遮光部材220が形成されている。遮光部材220はデータ線171に対応する線状部分221、一部分が拡張された拡張部222と薄膜トランジスタに対応する面状部分223を含み、画素電極191の間の光漏れを防止し、画素電極191と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材220は画素電極191と対向し、画素電極191とほぼ同一形状である複数の開口部(図示せず)を有することが望ましい。   A light shielding member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass or plastic. The light blocking member 220 includes a linear portion 221 corresponding to the data line 171, a partially expanded portion 222 and a planar portion 223 corresponding to the thin film transistor, and prevents light leakage between the pixel electrodes 191. Define the opening area opposite to. However, it is desirable that the light shielding member 220 has a plurality of openings (not shown) facing the pixel electrode 191 and having substantially the same shape as the pixel electrode 191.

基板210上には、複数のカラーフィルタ230が形成されている。カラーフィルタ230は遮光部材230に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極191の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの1つを表示できる。   A plurality of color filters 230 are formed on the substrate 210. It is desirable that the color filter 230 exists mostly in a region surrounded by the light shielding member 230 and extends long in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191. Each color filter 230 can display one of the basic colors such as the three primary colors of red, green, and blue.

カラーフィルタ230及び遮光部材220上にはオーバーコート膜250が形成されている。オーバーコート膜250は(有機)絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ230が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜250は省略しても良い。   An overcoat film 250 is formed on the color filter 230 and the light shielding member 220. The overcoat film 250 is preferably made of an (organic) insulator, and prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat film 250 may be omitted.

オーバーコート膜250上には共通電極270が形成されている。   A common electrode 270 is formed on the overcoat film 250.

共通電極270には複数の切開部71、72a、72b、73a、73b、74a、74b、75が形成されている。   A plurality of incisions 71, 72a, 72b, 73a, 73b, 74a, 74b, 75 are formed in the common electrode 270.

1つの切開部群71〜75は1つの画素電極191と対向し、中央切開部71、第1〜第3下部斜線切開部72a、73a、74a、第1〜第3上部斜線切開部72b、73b、74b及び接続部75を含む。切開部71〜74bそれぞれは画素電極191の隣接切開部91、92、93a、93b、94a、94b、95a、95bの間または切開部91、92、93a、93b、94a、94b、95a、95bと画素電極191の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部71〜74bは、画素電極191の下部切開部93a、94a、95aまたは上部切開部93b、94b、95bに平行に延びた少なくとも1つの斜線部を含む。   One incision group 71 to 75 faces one pixel electrode 191, and includes a central incision 71, first to third lower oblique incisions 72a, 73a and 74a, and first to third upper oblique incisions 72b and 73b. 74b and connecting portion 75. Each of the incisions 71 to 74b is between the adjacent incisions 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, and 95b of the pixel electrode 191 or between the incisions 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, and 95b. The pixel electrode 191 is disposed between the chamfered oblique sides. Each of the incisions 71 to 74b includes at least one hatched portion extending in parallel to the lower incisions 93a, 94a, and 95a of the pixel electrode 191 or the upper incisions 93b, 94b, and 95b.

第1下部及び第1上部斜線切開部72a、72bはほぼ画素電極191の右側辺から画素電極191の左側辺に延びており、第2下部及び第2上部斜線切開部73a、73bは、画素電極191の右側辺から画素電極191の左側上または左側下の角に延びている。そして、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bは、画素電極191の右側辺から画素電極191の上側辺または下側辺に延びており、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bの各端から画素電極191の下側辺と上側辺に沿ってそれぞれ重畳しながら延びた縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部74a、74bと鈍角をなす。   The first lower and first upper oblique cutouts 72a and 72b extend substantially from the right side of the pixel electrode 191 to the left side of the pixel electrode 191, and the second lower and second upper oblique cutouts 73a and 73b are the pixel electrode. The pixel electrode 191 extends from the right side of 191 to the upper left corner or the lower left corner. The third lower and third upper oblique incisions 74a and 74b extend from the right side of the pixel electrode 191 to the upper side or lower side of the pixel electrode 191, and the third lower and third upper oblique incision 74a. , 74b, and a vertical horizontal portion extending while overlapping each other along the lower side and the upper side of the pixel electrode 191. The vertical transverse part forms an obtuse angle with the oblique line incisions 74a and 74b.

中央切開部71は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極191の右側辺から維持電極線131に沿って左側に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極191の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線切開部72a〜74bにほぼ平行に延びる。   The central incision 71 includes a central lateral portion and a pair of hatched portions. The central horizontal portion extends from the right side of the pixel electrode 191 to the left along the storage electrode line 131, and the pair of hatched portions are the lower and upper diagonal lines from the end of the central horizontal portion toward the left side of the pixel electrode 191, respectively. It extends substantially parallel to the incisions 72a-74b.

中央切開部71のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2下部切開部73aの一端、中央切開部71の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2上部切開部73bの一端、第1下部斜線切開部72aの一端と隣り合う画素電極の第3下部斜線切開部74aの一端、及び第1上部斜線切開部72bの一端と隣り合う画素電極の第3上部斜線切開部74bの一端はそれぞれ接続部75に接続している。接続部75は、画素電極191の第1斜辺90aに平行であり、データ線171と対応する部分に位置する。接続部75の幅は画素電極191と画素電極191との間の間隔より約8μm程度広く、遮光部材220の拡張部222は接続部75と対応し他の部分より幅が広いことが望ましい。   One end of the second lower cutout 73a of the pixel electrode adjacent to one end of the hatched portion of the central cutout 71, and the second upper cutout 73b of the pixel electrode adjacent to one end of the other hatched portion of the central cutout 71. One end, one end of the third lower oblique cutout portion 74a of the pixel electrode adjacent to one end of the first lower oblique cutout portion 72a, and the third upper oblique cutout portion 74b of the pixel electrode adjacent to one end of the first upper oblique cutout portion 72b. One end of each is connected to the connecting portion 75. The connecting portion 75 is parallel to the first oblique side 90 a of the pixel electrode 191 and is located at a portion corresponding to the data line 171. The width of the connecting portion 75 is preferably about 8 μm wider than the interval between the pixel electrode 191 and the pixel electrode 191, and the extended portion 222 of the light shielding member 220 preferably corresponds to the connecting portion 75 and is wider than the other portions.

そして、各切開部71〜74bには一定の距離を置いて規則的に配置された複数の凹んだノッチ7が形成されている。   Each incision 71-74b is formed with a plurality of recessed notches 7 regularly arranged at a certain distance.

表示板100、200の内側面には配向膜11、21が塗布されており、これらは垂直配向膜であっても良い。表示板100、200の外側面には偏光子(図示せず)を有しており、2つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの1つの偏光軸はゲート線121に対して平行であることが望ましい。反射型液晶表示装置の場合、2つの偏光子のうちの1つは省略してもよい。   Alignment films 11 and 21 are applied to the inner side surfaces of the display panels 100 and 200, and these may be vertical alignment films. The outer surfaces of the display panels 100 and 200 have polarizers (not shown). The polarization axes of the two polarizers are orthogonal to each other, and one of the polarization axes is parallel to the gate line 121. It is desirable to be. In the case of a reflective liquid crystal display device, one of the two polarizers may be omitted.

本実施形態による液晶表示装置は、液晶層3の遅延値を補償するための位相遅延膜(図示せず)をさらに含むことが望ましい。位相遅延膜は複屈折性を有し、液晶層3の位相遅延を逆に補償する。   The liquid crystal display device according to the present embodiment preferably further includes a phase retardation film (not shown) for compensating the delay value of the liquid crystal layer 3. The phase retardation film has birefringence and compensates for the phase retardation of the liquid crystal layer 3 in reverse.

液晶表示装置は、偏光子、位相遅延膜、表示板100、200及び液晶層3に光を供給する照明部(図示せず)を備えることが望ましい。   The liquid crystal display device preferably includes a polarizer, a phase retardation film, display panels 100 and 200, and an illumination unit (not shown) that supplies light to the liquid crystal layer 3.

液晶層3は負の誘電率異方性を有し、液晶層3の液晶分子は電場がない状態で、その長軸が2つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。   The liquid crystal layer 3 has a negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are aligned so that the major axis is perpendicular to the surfaces of the two display panels in the absence of an electric field. . For this reason, incident light cannot pass through the orthogonal polarizer and is blocked.

図21〜図25に示した液晶表示装置において、維持電極線131、容量電極136、ドレイン電極175の拡張部177a1、177a2、176及び接続部178a1、178a2などの不透明部材と、切開部91−94b、71−75を有する画素電極191及び共通電極270などの透明部材が隣接した2つのゲート線121から等距離にある容量電極136を中心に対称に配置されている。このような液晶表示装置について図24を参照して説明する。   In the liquid crystal display device shown in FIGS. 21 to 25, an opaque member such as the storage electrode line 131, the capacitor electrode 136, the extended portions 177a1, 177a2, 176 and the connecting portions 178a1, 178a2 of the drain electrode 175, and the cutout portions 91-94b. , 71-75, and transparent electrodes such as the pixel electrode 191 and the common electrode 270 are arranged symmetrically around the capacitor electrode 136 that is equidistant from the adjacent two gate lines 121. Such a liquid crystal display device will be described with reference to FIG.

図24に示すように、液晶表示装置の1つの画素は薄膜トランジスタ(Q)、第1液晶キャパシタ(CLCa)及びストレージキャパシタ(CST)を含む第1副画素、第2液晶キャパシタ(CLCb)を含む第2副画素、並びに結合キャパシタ(Ccp)を有する。 As shown in FIG. 24, one pixel of the liquid crystal display device includes a first sub-pixel including a thin film transistor (Q), a first liquid crystal capacitor (C LC a) and a storage capacitor (C ST ), a second liquid crystal capacitor (C LC). a second subpixel including b), and a coupling capacitor (Ccp).

第1液晶キャパシタ(CLCa)は一端子として下部副画素電極191a1及び上部副画素電極191a2を含み、他の一端子として共通電極270の当該部分を含み、2つの端子の間の液晶層3部分を誘電体として含む。これと同様に、第2液晶キャパシタ(CLCb)は一端子として中央副画素電極191bを含み、他の一端子として共通電極270の当該部分を含み、2つの端子の間の液晶層3部分を誘電体として含む。 The first liquid crystal capacitor (C LC a) includes a lower subpixel electrode 191a1 and an upper subpixel electrode 191a2 as one terminal, and includes the portion of the common electrode 270 as another terminal, and the liquid crystal layer 3 between the two terminals. The portion is included as a dielectric. Similarly, the second liquid crystal capacitor (C LC b) includes the central subpixel electrode 191b as one terminal, the corresponding portion of the common electrode 270 as the other terminal, and the liquid crystal layer 3 portion between the two terminals. Is included as a dielectric.

ストレージキャパシタ(CST)は一端子としてドレイン電極175の下部及び上部拡張部177a1、177a2を含み、他の一端子として下部及び上部維持電極137a1、137a2を含み、2つの端子の間のゲート絶縁膜140部分を誘電体として含む。結合キャパシタ(Ccp)は一端子として中央副画素電極191bと容量電極136を含み、他の一端子として結合電極176を含み、2つの端子の間の保護膜180及びゲート絶縁膜140部分を誘電体として含む。 The storage capacitor (C ST ) includes the lower and upper extensions 177a1 and 177a2 of the drain electrode 175 as one terminal, and the lower and upper sustain electrodes 137a1 and 137a2 as another terminal, and a gate insulating film between the two terminals. 140 parts are included as a dielectric. The coupling capacitor (Ccp) includes the central sub-pixel electrode 191b and the capacitor electrode 136 as one terminal, and includes the coupling electrode 176 as the other terminal. The protective film 180 and the gate insulating film 140 between the two terminals are dielectrics. Include as.

第1液晶キャパシタ(CLCa)とストレージキャパシタ(CST)は薄膜トランジスタ(Q)のドレインに接続しており、結合キャパシタ(Ccp)は薄膜トランジスタ(Q)と第2液晶キャパシタ(CLCb)の間に接続している。共通電極270には共通電圧(Vcom)が印加されるものであり、維持電極線131にも共通電圧(Vcom)を印加することもできる。 The first liquid crystal capacitor (C LC a) and the storage capacitor (C ST ) are connected to the drain of the thin film transistor (Q), and the coupling capacitor (Ccp) is connected to the thin film transistor (Q) and the second liquid crystal capacitor (C LC b). Connected between. A common voltage (Vcom) is applied to the common electrode 270, and a common voltage (Vcom) can also be applied to the storage electrode line 131.

薄膜トランジスタ(Q)は、ゲート線121からのゲート信号に従ってデータ線171からのデータ電圧を第1液晶キャパシタ(CLCa)及び結合キャパシタ(Ccp)に印加し、結合キャパシタ(Ccp)は該電圧をその大きさを変えて第2液晶キャパシタ(CLCb)に伝達する。 The thin film transistor (Q) applies the data voltage from the data line 171 to the first liquid crystal capacitor (C LC a) and the coupling capacitor (Ccp) according to the gate signal from the gate line 121, and the coupling capacitor (Ccp) applies the voltage. The size is changed and transmitted to the second liquid crystal capacitor (C LC b).

維持電極線131に共通電圧(Vcom)が印加され、キャパシタ(CLCa、CST、CLCb、Ccp)とその静電容量を同じ図面符号で示す場合、第1液晶キャパシタ(CLCa)に充電された電圧(Va)と、第2液晶キャパシタ(CLCb)に充電された電圧(Vb)は次のような関係を有する。 When a common voltage (Vcom) is applied to the storage electrode line 131 and the capacitors (C LC a, C ST , C LC b, Ccp) and their capacitances are indicated by the same reference numerals, the first liquid crystal capacitor (C LC a ) And the voltage (Vb) charged in the second liquid crystal capacitor (C LC b) have the following relationship.

Vb=Va[Ccp/(Ccp+CLCb)]
Ccp/(Ccp+CLCb)の値が1より小さいため、第2液晶キャパシタ(CLCb)に充電された電圧(Vb)は、第1液晶キャパシタ(CLCa)に充電された電圧(Va)より常に小さい。この関係は、維持電極線131の電圧が共通電圧(Vcom)でない場合にも同様に成立する。
Vb = Va [Ccp / (Ccp + C LC b)]
Since the value of Ccp / (Ccp + C LC b) is smaller than 1, the voltage (Vb) charged in the second liquid crystal capacitor (C LC b) is the voltage (Va) charged in the first liquid crystal capacitor (C LC a). ) Always smaller. This relationship is similarly established when the voltage of the storage electrode line 131 is not the common voltage (Vcom).

このように、第1または第2液晶キャパシタ(CLCa、CLCb)の両端に電位差が生じると、表示板100、200の面にほぼ垂直な電場が液晶層3に生成される。すると液晶層3の液晶分子は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層3を通過した光の偏光の変化程度が異なる。このような偏光の変化は偏光子12、22によって透過率の変化として表れ、これによって液晶表示装置は映像を表示する。 As described above, when a potential difference is generated between both ends of the first or second liquid crystal capacitor (C LC a, C LC b), an electric field substantially perpendicular to the surfaces of the display panels 100 and 200 is generated in the liquid crystal layer 3. Then, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are inclined so that the major axis thereof is perpendicular to the direction of the electric field in response to the electric field, and the degree of change in the polarization of the light passing through the liquid crystal layer 3 varies depending on the degree of inclination of the liquid crystal molecules. . Such a change in polarization appears as a change in transmittance by the polarizers 12 and 22, whereby the liquid crystal display device displays an image.

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって異なるが、第1液晶キャパシタ(CLCa)の電圧(Va)と第2液晶キャパシタ(CLCb)の電圧(Vb)が互いに異なるため、第1副画素と第2副画素で液晶分子が傾く角度が異なり、このため、2つの副画素の輝度が異なる。よって、第1液晶キャパシタ(CLCa)の電圧(Va)と第2液晶キャパシタ(CLCb)の電圧(Vb)を適切に合せることによって側面から見る映像を正面から見る映像に最大に近づけることができ、その結果、側面視認性を向上させることができる。 The angle at which the liquid crystal molecules are tilted varies depending on the strength of the electric field, but the voltage (Va) of the first liquid crystal capacitor (C LC a) and the voltage (V b) of the second liquid crystal capacitor (C LC b) are different from each other. The angle at which the liquid crystal molecules tilt is different between the sub-pixel and the second sub-pixel, and therefore the luminance of the two sub-pixels is different. Accordingly, by appropriately matching the voltage (Va) of the first liquid crystal capacitor (C LC a) and the voltage (Vb) of the second liquid crystal capacitor (C LC b), the image viewed from the side is brought close to the image viewed from the front. As a result, side visibility can be improved.

第1液晶キャパシタ(CLCa)の電圧(Va)と第2液晶キャパシタ(CLCb)の電圧(Vb)との比率は、結合キャパシタ(Ccp)の静電容量を変化させて調整し、結合キャパシタ(Ccp)の静電容量は、第2副画素電極191b及び容量電極136と結合電極176の重畳面積と距離を調整することによって変更できる。例えば、容量電極136を除去し、結合電極176をその位置に配置すると結合電極176と第2画素電極191bの間の距離を遠くすることができる。第2液晶キャパシタ(CLCb)電圧(Vb)は、第1液晶キャパシタ(CLCa)電圧(Va)の0.6〜0.8倍であることが望ましい。 The ratio between the voltage (Va) of the first liquid crystal capacitor (C LC a) and the voltage (Vb) of the second liquid crystal capacitor (C LC b) is adjusted by changing the capacitance of the coupling capacitor (Ccp), The capacitance of the coupling capacitor (Ccp) can be changed by adjusting the overlapping area and distance of the second subpixel electrode 191b, the capacitance electrode 136, and the coupling electrode 176. For example, when the capacitor electrode 136 is removed and the coupling electrode 176 is disposed at that position, the distance between the coupling electrode 176 and the second pixel electrode 191b can be increased. The second liquid crystal capacitor (C LC b) voltage (Vb) is preferably 0.6 to 0.8 times the first liquid crystal capacitor (C LC a) voltage (Va).

これに対し、第2液晶キャパシタ(CLCb)の電圧(Vb)を第1液晶キャパシタ(CLCa)の電圧(Va)より高くしてもよいが、これは、第2液晶キャパシタ(CLCb)を共通電圧などのような所定の電圧で事前充電することによって可能である。 On the other hand, the voltage (Vb) of the second liquid crystal capacitor (C LC b) may be higher than the voltage (Va) of the first liquid crystal capacitor (C LC a). This is possible by precharging LC b) with a predetermined voltage such as a common voltage.

第1副画素の下部及び上部画素電極191a1、191a2と第2副画素の中央画素電極191bとの面積比率は1:0.85〜1:1.15の範囲であることが望ましく、各副画素の副画素電極の数は変更しても良い。   The area ratio between the lower and upper pixel electrodes 191a1 and 191a2 of the first subpixel and the central pixel electrode 191b of the second subpixel is preferably in the range of 1: 0.85 to 1: 1.15. The number of subpixel electrodes may be changed.

また、画素電極191の辺のうちのデータ線171と隣接する辺をのこぎり状部分90と同様形状に形成することによって、隣り合う画素電極191の間に形成された副電場は、副領域の液晶の配向を強化する方向に形成される。また、隣り合う2つの画素電極191の第1斜辺90aが互いに対向する領域と対応する位置に接続部75を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。   Further, by forming the side adjacent to the data line 171 among the sides of the pixel electrode 191 in the same shape as the saw-toothed portion 90, the sub-electric field formed between the adjacent pixel electrodes 191 is changed to the liquid crystal in the sub-region. It is formed in a direction to strengthen the orientation of Further, by providing the connection portion 75 at a position corresponding to the region where the first oblique sides 90a of the two adjacent pixel electrodes 191 face each other, the alignment of the liquid crystal in the sub region can be further enhanced.

図25は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図26は、図25の液晶表示装置のXXVI-XXVI線に沿った断面図であり、図27は、図25の液晶表示装置のXXVII-XXVII線に沿った断面図である。   FIG. 25 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, FIG. 26 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 25 taken along line XXVI-XXVI, and FIG. It is sectional drawing along the XXVII-XXVII line of the liquid crystal display device.

図25〜図27に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体は、薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、これら2つの表示板100、200の間に挟持された液晶層3を備える。   As shown in FIGS. 25 to 27, a liquid crystal panel assembly according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor panel 100, a common electrode panel 200, and a liquid crystal sandwiched between the two display panels 100 and 200. Layer 3 is provided.

以下、薄膜トランジスタ表示板100について説明する。   Hereinafter, the thin film transistor array panel 100 will be described.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板110上に複数対の第1及び第2ゲート線121a、121bと複数の維持電極線131を含む複数のゲート導電体が形成されている。   A plurality of gate conductors including a plurality of pairs of first and second gate lines 121a and 121b and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

第1及び第2ゲート線121a、121bはゲート信号を伝達し、主に横方向に延びており、それぞれ維持電極線131の上側及び下側に位置する。   The first and second gate lines 121a and 121b transmit gate signals and extend mainly in the horizontal direction, and are located above and below the storage electrode line 131, respectively.

第1ゲート線121aは下方に突出した複数の第1ゲート電極124aと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広く、それぞれ左側に配置された端部129aを含む。   The first gate line 121a has a large area for connecting a plurality of first gate electrodes 124a projecting downward to another layer or an external driving circuit, and includes an end portion 129a disposed on the left side.

第2ゲート線121bは上方に突出した複数の第2ゲート電極124bと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広く、左側に配置された端部129bを含む。   The second gate line 121b has a large area for connection between the plurality of second gate electrodes 124b protruding upward and other layers or an external driving circuit, and includes an end portion 129b disposed on the left side.

しかし、この端部129a、129bは2つとも右側に配置することもでき、互いに異なる側に配置することもできる。維持電極線131は所定の電圧の印加を受け、主に図25の横方向に延びている。各維持電極線131は第1及び第2ゲート線121a、121bの間に位置し、第2ゲート線121bよりも第1ゲート線121aにさらに近く、隣接した2つの第2ゲート線121bとほぼ同じ距離を置く。各維持電極線131は下上に拡張された維持電極137を含み、維持電極137はほぼ長方形で、維持電極線131に対称である。維持電極137を始めとする維持電極線131の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。   However, both of the end portions 129a and 129b can be arranged on the right side, or can be arranged on different sides. The storage electrode line 131 is applied with a predetermined voltage and extends mainly in the lateral direction of FIG. Each storage electrode line 131 is located between the first and second gate lines 121a and 121b, is closer to the first gate line 121a than the second gate line 121b, and is substantially the same as two adjacent second gate lines 121b. Put away. Each storage electrode line 131 includes a storage electrode 137 extended downward, and the storage electrode 137 is substantially rectangular and symmetrical to the storage electrode line 131. The shape and arrangement of the storage electrode line 131 including the storage electrode 137 can be modified into various forms.

ゲート導電体121a、121b、131の側面は基板110面に対して傾斜し、その傾斜角は約30°〜約80°であることが望ましい。   The side surfaces of the gate conductors 121a, 121b, and 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

ゲート導電体121a、121b、131上には、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。   A gate insulating film 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate conductors 121a, 121b, and 131.

ゲート絶縁膜140上には水素化非晶質シリコン(非晶質シリコンはa-Siと略称する)または多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体154a、154b、156、157a、157bが形成されている。半導体154a、154bはそれぞれゲート電極124a、124b上に位置する。半導体156は維持電極線131の境界を覆う。半導体157a、157bは維持電極137の境界線と一部重畳する。   A plurality of island-shaped semiconductors 154a, 154b, 156, 157a, and 157b made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated as a-Si) or polycrystalline silicon are formed on the gate insulating film 140. ing. The semiconductors 154a and 154b are located on the gate electrodes 124a and 124b, respectively. The semiconductor 156 covers the boundary of the storage electrode line 131. The semiconductors 157a and 157b partially overlap with the boundary line of the sustain electrode 137.

半導体154a、154b、157b上には複数の島状オーミック接触部材163a、163b、165a、165b、167bが形成され、半導体156、157a上にも島状オーミック接触部材(図示せず)が形成されている。オーミック接触部材163a、163b、165a、165b、167bは、リンなどのn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材163a、165aとオーミック接触部材163b、165bはそれぞれ対をなして半導体154a、154b上に配置されている。   A plurality of island-shaped ohmic contact members 163a, 163b, 165a, 165b, and 167b are formed on the semiconductors 154a, 154b, and 157b, and an island-shaped ohmic contact member (not shown) is also formed on the semiconductors 156 and 157a. Yes. The ohmic contact members 163a, 163b, 165a, 165b, and 167b are preferably made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus at a high concentration, or made of silicide. The ohmic contact members 163a and 165a and the ohmic contact members 163b and 165b are disposed on the semiconductors 154a and 154b in pairs.

半導体154a、154b、156、157a、157bとオーミック接触部材163a、163b、165a、165b、167bの側面は基板110面に対して傾斜し、その傾斜角は30°〜80°程度である。   The side surfaces of the semiconductors 154a, 154b, 156, 157a, 157b and the ohmic contact members 163a, 163b, 165a, 165b, 167b are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

オーミック接触部材163a、163b、165a、165b、167b及びゲート絶縁膜140上には、複数のデータ線171と複数対の第1及び第2ドレイン電極175a、175bを含むデータ導電体が形成されている。   A data conductor including a plurality of data lines 171 and a plurality of pairs of first and second drain electrodes 175a and 175b is formed on the ohmic contact members 163a, 163b, 165a, 165b, and 167b and the gate insulating film 140. .

データ線171はデータ信号を伝達し、主に図25の縦方向に延びゲート線121a、121b及び維持電極線131と交差する。各データ線171は第1及び第2ゲート電極124a、124bに向かって延びた複数の第1及び第2ソース電極173a、173bと他の層または外部駆動回路との接続のための面積が広い端部179を含む。   The data line 171 transmits a data signal and extends mainly in the vertical direction of FIG. 25 and intersects with the gate lines 121a and 121b and the storage electrode line 131. Each data line 171 has a large area for connecting a plurality of first and second source electrodes 173a, 173b extending toward the first and second gate electrodes 124a, 124b to another layer or an external driving circuit. Part 179.

第1及び第2ドレイン電極175a、175bは互いに分離され、データ線171とも分離されている。   The first and second drain electrodes 175a and 175b are separated from each other and from the data line 171.

第1ドレイン電極175aは、第1ゲート電極124aを中心に第1ソース電極173aと対向する棒状端部176a、棒状端部176aの反対側の端にある広い長方形状の拡張部177a、並びに拡張部177aと端部176aを接続する線状接続部176aaを含む。拡張部177aは維持電極137と重畳し、棒状端部176aは、第1ゲート電極124aと重畳しU字状に曲がった第1ソース電極173aに一部囲まれている。第1ドレイン電極175aの接続部176aaは大部分延長部139上に位置し、延長部139に平行に延びており、延長部139の縦境界線内に位置する。   The first drain electrode 175a has a rod-shaped end 176a facing the first source electrode 173a around the first gate electrode 124a, a wide rectangular-shaped extension 177a at the end opposite to the rod-shaped end 176a, and an extension It includes a linear connection portion 176aa that connects the end portion 176a and the end portion 176a. The extended portion 177a overlaps with the sustain electrode 137, and the rod-shaped end portion 176a is partially surrounded by the first source electrode 173a that overlaps with the first gate electrode 124a and is bent in a U shape. The connection part 176aa of the first drain electrode 175a is mostly located on the extension part 139, extends parallel to the extension part 139, and is located within the vertical boundary line of the extension part 139.

これと同様に、第2ドレイン電極175bは第2ゲート電極124bを中心に第2ソース電極173bと対向する棒状端部176b、棒状端部176bの反対側の端にある広い長方形状の拡張部177b、並びに拡張部177bと端部176bを接続する線状接続部176bbを含む。拡張部177bは維持電極137と重畳し、棒状端部176bは第2ゲート電極124bと重畳し、U字状に曲がった第2ソース電極173bに一部囲まれている。第2ドレイン電極175bの拡張部177bの面積は、第1ドレイン電極の拡張部177aの面積より小さい。   Similarly, the second drain electrode 175b has a rod-shaped end 176b facing the second source electrode 173b with the second gate electrode 124b as the center, and a wide rectangular extension 177b at the end opposite to the rod-shaped end 176b. In addition, a linear connection portion 176bb that connects the extended portion 177b and the end portion 176b is included. The extended portion 177b overlaps with the sustain electrode 137, and the rod-shaped end portion 176b overlaps with the second gate electrode 124b and is partially surrounded by the second source electrode 173b bent in a U shape. The area of the extended portion 177b of the second drain electrode 175b is smaller than the area of the extended portion 177a of the first drain electrode.

このように第1ドレイン電極175aの接続部176aaの下に延長部139を設けて保持容量を増加させることができるので、維持電極137の面積を小さくし、開口率を向上させることができる。   As described above, since the extension portion 139 can be provided under the connection portion 176aa of the first drain electrode 175a to increase the storage capacitance, the area of the sustain electrode 137 can be reduced and the aperture ratio can be improved.

第1、第2ゲート電極124a、124b、第1、第2ソース電極173a、173b、及び第1、第2ドレイン電極175a、175bは、第1、第2半導体154a、154bと共に第1、第2薄膜トランジスタ(Qa、Qb)を構成し、第1、第2薄膜トランジスタ(Qa、Qb)のチャンネルは第1、第2ソース電極173a、173bと第1、第2ドレイン電極175a、175bの間の第1、第2半導体154a、154bに形成される。   The first and second gate electrodes 124a and 124b, the first and second source electrodes 173a and 173b, and the first and second drain electrodes 175a and 175b are first and second together with the first and second semiconductors 154a and 154b. A thin film transistor (Qa, Qb) is configured, and a channel of the first and second thin film transistors (Qa, Qb) is a first between the first and second source electrodes 173a, 173b and the first and second drain electrodes 175a, 175b. The second semiconductors 154a and 154b are formed.

データ導電体171、175a、175bはその側面が基板110面に対して30°〜80°程度の角度で傾斜していることが望ましい。   The side surfaces of the data conductors 171, 175a and 175b are preferably inclined at an angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

オーミック接触部材163a、163b、165a、165b、167bはその下の半導体154a、154b、157bとその上のデータ導電体171、175a、175bの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。ゲート線121a、121b及び維持電極線131上に位置した半導体156、157a、157bは、表面の段差形状をゆるやかに形成することによりデータ線171及びドレイン電極175a、175bの断線を防止する。島状半導体154a、154bにはソース電極173a、173bとドレイン電極175a、175bの間のようにデータ導電体171、175a、175bで覆われず露出した部分がある。   The ohmic contact members 163a, 163b, 165a, 165b, and 167b exist only between the underlying semiconductors 154a, 154b, and 157b and the data conductors 171, 175a, and 175b thereabove, and lower the contact resistance between them. . The semiconductors 156, 157a, and 157b located on the gate lines 121a and 121b and the storage electrode line 131 prevent the disconnection of the data line 171 and the drain electrodes 175a and 175b by forming the surface step shape gently. The island-shaped semiconductors 154a and 154b have portions exposed without being covered with the data conductors 171, 175a and 175b, such as between the source electrodes 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b.

データ導電体171、175a、175b及び露出した半導体154a、154b上には保護膜180が形成されている。保護膜180は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦化することもできる。保護膜180にはデータ線171の端部179及び第1及び第2ドレイン電極175a、175bの拡張部177a、177bをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール182、185a、185bが形成され、保護膜180とゲート絶縁膜140にはゲート線121a、121bの端部129a、129bを露出させる複数のコンタクトホール181a、181bが形成されている。   A protective film 180 is formed on the data conductors 171, 175a, 175b and the exposed semiconductors 154a, 154b. The protective film 180 is made of an inorganic insulator or an organic insulator, and the surface can be planarized. A plurality of contact holes 182, 185 a, and 185 b are formed in the protective film 180 to expose the end portion 179 of the data line 171 and the extended portions 177 a and 177 b of the first and second drain electrodes 175 a and 175 b, respectively. In the gate insulating film 140, a plurality of contact holes 181a and 181b exposing the end portions 129a and 129b of the gate lines 121a and 121b are formed.

保護膜180上には第1副画素電極191a及び第2副画素電極191bを含む複数の画素電極191及び複数の接触補助部材81a、81b、82が形成されている。これらはITOまたはIZOなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。   A plurality of pixel electrodes 191 including a first subpixel electrode 191a and a second subpixel electrode 191b and a plurality of contact assistants 81a, 81b, 82 are formed on the protective film 180. These are preferably made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof.

各画素電極191は4つの角が面取りされたほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺はゲート線121a、121bに対して約45°の角度をなす。   Each pixel electrode 191 has a substantially quadrangular shape with four corners chamfered, and the chamfered hypotenuse forms an angle of about 45 ° with respect to the gate lines 121a and 121b.

各画素電極191を構成する一対の第1及び第2副画素電極191a、191bは間隙(gap)92、93を介在して互いに噛み合っている。第2副画素電極191bはほぼ回転した等辺台形で、底辺が台形状に凹んだ形状であり、大部分が第1副画素電極191aに囲まれている。第1副画素電極191aは左側辺で互いに接続している上部、下部及び中央台形部からなる。   A pair of first and second subpixel electrodes 191a and 191b constituting each pixel electrode 191 are in mesh with each other with a gap 92 and 93 therebetween. The second subpixel electrode 191b has a substantially rotated isosceles trapezoidal shape, the bottom is recessed in a trapezoidal shape, and most of the second subpixel electrode 191b is surrounded by the first subpixel electrode 191a. The first subpixel electrode 191a includes an upper part, a lower part, and a central trapezoid part connected to each other on the left side.

各画素電極191は互いに対向する一対の第1主辺193、194とこれら第1主辺193、194に接続しており、複数ののこぎり状部分90とこれらのこぎり状部分90の間を接続する底辺90cを含む第2主辺を有する。ここでのこぎり状部分90は、第1主辺193、194に対して傾いた第1斜辺90aと第2斜辺90d及び第1斜辺90aと第2斜辺90dの間を接続する上辺90bを有する。第1主辺193、194はゲート線121に平行である。第1主辺193、194と第2主辺はほぼ長方形をなし、画素電極191の4つの角は面取りされてゲート線121に対して約45°の角度をなす。第1斜辺90aはデータ線171と一部分が重畳し、隣り合う2つの画素電極191の第1斜辺90aは互いに対向し、平行となっている。   Each pixel electrode 191 is connected to a pair of first main sides 193, 194 facing each other and the first main sides 193, 194, and a plurality of saw-shaped portions 90 are connected to the bases connecting the saw-shaped portions 90. A second main side including 90c. The saw-shaped portion 90 has a first hypotenuse 90a and a second hypotenuse 90d inclined with respect to the first main sides 193 and 194, and an upper side 90b connecting the first hypotenuse 90a and the second hypotenuse 90d. The first main sides 193 and 194 are parallel to the gate line 121. The first main sides 193 and 194 and the second main side are substantially rectangular, and the four corners of the pixel electrode 191 are chamfered to form an angle of about 45 ° with the gate line 121. The first oblique side 90a partially overlaps with the data line 171. The first oblique sides 90a of two adjacent pixel electrodes 191 face each other and are parallel to each other.

第1副画素電極191aは上部台形部の上辺及び下部台形部の下辺から右側辺に向かって延びた切開部94a、94bを有する。第1副画素電極191aの中央台形部は、第2副画素電極191bの凹んだ底辺に挟まれている。また、第1副画素電極191aは横部及びこれに接続している一対の斜線部を含む中央切開部91を有する。横部は第1副画素電極191aの横中心線に沿って短く延びており、一対の斜線部は横部から第1副画素電極191aの左側辺に向かって延びており、維持電極線131に対して約45°の角度をなす。第1副画素電極191aと第2副画素電極191bの間の間隙92、93は、ゲート線121a、121bと約45°をなす二対の上部及び下部斜線部と縦部を含む。以下、説明上、間隙92、93も切開部と称する。切開部91−94bは維持電極線131に対してほぼ反転対称をなし、これらはゲート線121a、121bに対して約45°の角度をなし互いに垂直に延びている。画素電極191はこの切開部91−94bによって複数の領域に分割される。   The first subpixel electrode 191a includes cutouts 94a and 94b extending from the upper side of the upper trapezoidal part and the lower side of the lower trapezoidal part toward the right side. The central trapezoidal portion of the first subpixel electrode 191a is sandwiched between the concave bottom sides of the second subpixel electrode 191b. The first subpixel electrode 191a has a central cutout 91 including a horizontal portion and a pair of shaded portions connected to the horizontal portion. The horizontal portion extends shortly along the horizontal center line of the first subpixel electrode 191 a, and the pair of shaded portions extend from the horizontal portion toward the left side of the first subpixel electrode 191 a, and is connected to the storage electrode line 131. It makes an angle of about 45 ° with respect to it. The gaps 92 and 93 between the first subpixel electrode 191a and the second subpixel electrode 191b include two pairs of upper and lower hatched portions and vertical portions that form about 45 ° with the gate lines 121a and 121b. In the following description, the gaps 92 and 93 are also referred to as incisions. The cutouts 91-94b are substantially inversion symmetric with respect to the storage electrode line 131, and they form an angle of about 45 ° with respect to the gate lines 121a, 121b and extend perpendicular to each other. The pixel electrode 191 is divided into a plurality of regions by the incisions 91-94b.

これにより、画素電極191を横方向に二等分する維持電極線131を中心にした上半部と下半部は、切開部91−94bによってそれぞれ4つの領域に分割される。   Accordingly, the upper half and the lower half around the storage electrode line 131 that bisects the pixel electrode 191 in the horizontal direction are each divided into four regions by the cutout portions 91-94b.

この時、領域の数または切開部の数は、画素電極191の大きさ、画素電極191の横辺と縦辺の長さの比率、液晶層3の種類や特性など設計要素によって異なる。   At this time, the number of regions or the number of incisions varies depending on design factors such as the size of the pixel electrode 191, the ratio of the length of the horizontal and vertical sides of the pixel electrode 191, and the type and characteristics of the liquid crystal layer 3.

第1及び第2副画素電極191a、191bはそれぞれコンタクトホール185a、185bを介して第1及び第2ドレイン電極175a、175bに接続しており、第1及び第2ドレイン電極175a、175bからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極191a、191bには1つの入力映像信号に対して予め設定された互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極191a、191bの大きさ及び形状に応じて設定できる。また、副画素電極191a、191bの面積は互いに異なるようにしても良い。例えば、第2副画素電極191bは第1副画素電極191aに比べて高い電圧の印加を受け、第1副画素電極191aより面積が小さい。   The first and second subpixel electrodes 191a and 191b are connected to the first and second drain electrodes 175a and 175b through the contact holes 185a and 185b, respectively. The data voltage is supplied from the first and second drain electrodes 175a and 175b. Is applied. A pair of subpixel electrodes 191a and 191b are applied with different data voltages preset for one input video signal, and the magnitude thereof depends on the size and shape of the subpixel electrodes 191a and 191b. Can be set. Further, the areas of the subpixel electrodes 191a and 191b may be different from each other. For example, the second subpixel electrode 191b is applied with a higher voltage than the first subpixel electrode 191a and has a smaller area than the first subpixel electrode 191a.

データ電圧が印加された副画素電極191a、191bと共通電圧の印加を受ける共通電極270は、第1及び第2液晶キャパシタを構成し、薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタは液晶層3部分を誘電体として含む。   The sub-pixel electrodes 191a and 191b to which the data voltage is applied and the common electrode 270 that receives the common voltage constitute the first and second liquid crystal capacitors, and maintain the applied voltage even after the thin film transistor is turned off. Each liquid crystal capacitor includes a liquid crystal layer 3 portion as a dielectric.

第1及び第2副画素電極191a、191b及びこれに電気的に接続しているドレイン電極173a、173bの拡張部177a、177bは、維持電極137及び延長部139を始めとする維持電極線131と重畳して、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化するストレージキャパシタを構成する。   The first and second subpixel electrodes 191a and 191b and the extended portions 177a and 177b of the drain electrodes 173a and 173b electrically connected to the first and second subpixel electrodes 191a and 191b are connected to the storage electrode line 131 including the storage electrode 137 and the extension 139. A storage capacitor that superimposes and enhances the voltage maintenance capability of the liquid crystal capacitor is formed.

接触補助部材81a、81b、82はそれぞれコンタクトホール181a、181b、182を介してゲート線121a、121bの端部129a、129b及びデータ線171の端部179に接続している。   The contact assistants 81a, 81b, 82 are connected to the end portions 129a, 129b of the gate lines 121a, 121b and the end portion 179 of the data lines 171 through contact holes 181a, 181b, 182 respectively.

以下、共通電極表示板200について説明する。   Hereinafter, the common electrode panel 200 will be described.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板210上に遮光部材220が形成されている。遮光部材220はデータ線171に対応する線状部分、一部分が拡張された拡張部と薄膜トランジスタに対応する面状部分を含み、画素電極191の間の光漏れを防止し、画素電極191と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材220は、画素電極191と対向し画素電極191とほぼ同一形状である複数の開口部(図示せず)を有することが望ましい。   A light shielding member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass or plastic. The light shielding member 220 includes a linear portion corresponding to the data line 171, a partially expanded portion and a planar portion corresponding to the thin film transistor, and prevents light leakage between the pixel electrodes 191 and faces the pixel electrodes 191. Define the open area. However, the light shielding member 220 preferably has a plurality of openings (not shown) that face the pixel electrode 191 and have substantially the same shape as the pixel electrode 191.

基板210上には、複数のカラーフィルタ230が形成されている。カラーフィルタ230は遮光部材230に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極191の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの1つを表示できる。   A plurality of color filters 230 are formed on the substrate 210. It is desirable that the color filter 230 exists mostly in a region surrounded by the light shielding member 230 and extends long in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191. Each color filter 230 can display one of the basic colors such as the three primary colors of red, green, and blue.

カラーフィルタ230及び遮光部材220上にはオーバーコート膜250が形成されている。オーバーコート膜250は(有機)絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ230が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜250は省略しても良い。   An overcoat film 250 is formed on the color filter 230 and the light shielding member 220. The overcoat film 250 is preferably made of an (organic) insulator, and prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat film 250 may be omitted.

オーバーコート膜250上には共通電極270が形成されている。共通電極270はITO、IZOなどの透明な導電体などからなる。   A common electrode 270 is formed on the overcoat film 250. The common electrode 270 is made of a transparent conductor such as ITO or IZO.

共通電極270には複数の切開部71、72、73a、73b、74a、74b、75が形成されている。   A plurality of incisions 71, 72, 73a, 73b, 74a, 74b, and 75 are formed in the common electrode 270.

1つの切開部群71〜75は、1つの画素電極191と対向し、中央切開部71、第1〜第3下部斜線切開部72、73a、74a、第1〜第3上部斜線切開部72、73b、74b及び接続部75を含む。切開部71〜74bそれぞれは画素電極191の隣接切開部91、92、93、94a、94bの間または切開部91、92、93、94a、94bと画素電極191の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部71〜74bは、画素電極191の下部切開部93、94aまたは上部切開部93、94bに平行に延びて少なくとも1つの斜線部を含む。   One incision group 71 to 75 faces one pixel electrode 191, and includes a central incision 71, first to third lower oblique incisions 72, 73a, 74a, first to third upper oblique incisions 72, 73b, 74b and connecting portion 75 are included. Each of the incisions 71 to 74b is disposed between adjacent incisions 91, 92, 93, 94a, 94b of the pixel electrode 191 or between the incisions 91, 92, 93, 94a, 94b and the chamfered oblique sides of the pixel electrode 191. Has been. Each of the incisions 71 to 74b extends in parallel to the lower incisions 93 and 94a or the upper incisions 93 and 94b of the pixel electrode 191, and includes at least one hatched portion.

第1下部及び第1上部斜線切開部72はほぼ画素電極191の右側辺から画素電極191の左側辺に延びており、第2下部及び第2上部斜線切開部73a、73bは画素電極191の右側辺から画素電極191の左上または左下角に延びている。そして、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bは、画素電極191の右側辺から画素電極191の上側辺または下側辺に延びており、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bの各端から画素電極191の下側辺と上側辺に沿ってそれぞれ重畳しながら延びた縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部74a、74bと鈍角をなす。   The first lower and first upper oblique cutouts 72 extend substantially from the right side of the pixel electrode 191 to the left side of the pixel electrode 191, and the second lower and second upper oblique cutouts 73 a and 73 b are on the right side of the pixel electrode 191. It extends from the side to the upper left or lower left corner of the pixel electrode 191. The third lower and third upper oblique incisions 74a and 74b extend from the right side of the pixel electrode 191 to the upper side or lower side of the pixel electrode 191, and the third lower and third upper oblique incision 74a. , 74b, and a vertical horizontal portion extending while overlapping each other along the lower side and the upper side of the pixel electrode 191. The vertical transverse part forms an obtuse angle with the oblique line incisions 74a and 74b.

中央切開部71は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極191の右側辺から維持電極線131に沿って左に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極191の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線切開部72〜74bにほぼ平行に延びる。   The central incision 71 includes a central lateral portion and a pair of hatched portions. The central horizontal portion extends to the left along the storage electrode line 131 from the right side of the pixel electrode 191, and the pair of diagonal lines are the lower and upper diagonal lines from the end of the central horizontal portion toward the left side of the pixel electrode 191, respectively. It extends substantially parallel to the incisions 72-74b.

中央切開部71のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2下部切開部73aの一端、中央切開部71の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2上部切開部73bの一端、第1下部斜線切開部72の一端と隣り合う画素電極の第3下部斜線切開部74aの一端、及び第1上部斜線切開部72の一端と隣り合う画素電極の第3上部斜線切開部74bの一端はそれぞれ接続部75に接続している。接続部75は、画素電極191の第1斜辺90aに平行であり、データ線171と対応する部分に位置する。接続部75の幅は画素電極191と画素電極191との間の間隔より約8μm程度広く、遮光部材220の拡張部222は接続部75と対応し他の部分に比べて幅が広いことが望ましい。   One end of the second lower cutout 73a of the pixel electrode adjacent to one end of the hatched portion of the central cutout 71, and the second upper cutout 73b of the pixel electrode adjacent to one end of the other hatched portion of the central cutout 71. One end, one end of the third lower oblique incision 74a of the pixel electrode adjacent to one end of the first lower oblique incision 72, and the third upper oblique incision 74b of the pixel electrode adjacent to one end of the first upper oblique incision 72 One end of each is connected to the connecting portion 75. The connecting portion 75 is parallel to the first oblique side 90 a of the pixel electrode 191 and is located at a portion corresponding to the data line 171. The width of the connecting portion 75 is preferably about 8 μm wider than the distance between the pixel electrode 191 and the pixel electrode 191, and the extended portion 222 of the light shielding member 220 corresponds to the connecting portion 75 and is preferably wider than the other portions. .

切開部71〜74bの斜線部には三角形状のノッチ7が形成されている。このようなノッチは四角形、台形または半円形であるか、突出した形状や凹んだ形状であっても良い。このようなノッチは、切開部71−74bに対応する領域境界に位置する液晶分子3の配列方向を決定する。   A triangular notch 7 is formed in the hatched portion of the incisions 71 to 74b. Such a notch may be square, trapezoidal or semi-circular, or may have a protruding shape or a recessed shape. Such a notch determines the alignment direction of the liquid crystal molecules 3 located at the region boundary corresponding to the incisions 71-74b.

切開部71−75の数及び方向は設計要素によって異なり、遮光部材220が切開部71〜75と重畳して切開部71−75付近の光漏れを遮断することができる。   The number and direction of the incisions 71-75 vary depending on the design elements, and the light blocking member 220 can overlap the incisions 71 to 75 to block light leakage near the incisions 71-75.

表示板100、200の内側面には配向膜11、21が塗布されており、これらは垂直配向膜であっても良い。   Alignment films 11 and 21 are applied to the inner side surfaces of the display panels 100 and 200, and these may be vertical alignment films.

表示板100、200の外側面には偏光子(図示せず)が備えられており、2つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの1つの偏光軸はゲート線121a、121bに対して平行であることが望ましい。反射型液晶表示装置の場合、2つの偏光子のうちの1つは省略しても良い。   Polarizers (not shown) are provided on the outer surfaces of the display panels 100 and 200, and the polarization axes of the two polarizers are orthogonal to each other, and one of the polarization axes is relative to the gate lines 121a and 121b. It is desirable to be parallel. In the case of a reflective liquid crystal display device, one of the two polarizers may be omitted.

本実施形態による液晶表示装置は、液晶層3の遅延値を補償するための位相遅延膜(図示せず)をさらに備えることが望ましい。位相遅延膜は、複屈折性を有し、液晶層3の位相遅延を逆補償する。   The liquid crystal display device according to the present embodiment preferably further includes a phase retardation film (not shown) for compensating the delay value of the liquid crystal layer 3. The phase delay film has birefringence and reversely compensates for the phase delay of the liquid crystal layer 3.

液晶層3は負の誘電率異方性を有し、液晶層3の液晶分子は電場がない状態でその長軸が2つの表示板100、200の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。   The liquid crystal layer 3 has a negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are aligned so that the major axis is perpendicular to the surfaces of the two display panels 100 and 200 in the absence of an electric field. ing. For this reason, incident light cannot pass through the orthogonal polarizer and is blocked.

共通電極270に共通電圧を印加し、画素電極191にデータ電圧を印加して第1または第2液晶キャパシタの両端に電位差が生じると表示板100、200の面にほぼ垂直な電場が液晶層3に生成される。このため、液晶層3の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層3に入射した光の偏光の変化程度が異なる。このような偏光の変化は偏光子によって透過率の変化として表れ、これによって液晶表示装置は映像を表示する。   When a common voltage is applied to the common electrode 270 and a data voltage is applied to the pixel electrode 191 to generate a potential difference across the first or second liquid crystal capacitor, an electric field substantially perpendicular to the surfaces of the display panels 100 and 200 is generated in the liquid crystal layer 3. Is generated. For this reason, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are inclined so that the major axis thereof is perpendicular to the direction of the electric field in response to the electric field, and the degree of change in the polarization of the light incident on the liquid crystal layer 3 depends on the degree of inclination of the liquid crystal molecules. Different. Such a change in polarization appears as a change in transmittance by the polarizer, whereby the liquid crystal display device displays an image.

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって異なっており、第1副画素電極には低い電圧が印加され、第2副画素電極には高い電圧が印加される場合、第1液晶キャパシタの電圧(Va)が第2液晶キャパシタの電圧(Vb)より大きいので、第1副画素と第2副画素とで液晶分子が傾いた角度が異なり、このため、2つの副画素の輝度が異なる。よって、第1液晶キャパシタの電圧(Va)と第2液晶キャパシタの電圧(Vb)を適切に合せることによって、側面から見る映像を正面から見る映像に最大限近似させることができ、その結果、側面視認性を向上させることができる。   The angle at which the liquid crystal molecules tilt depends on the strength of the electric field. When a low voltage is applied to the first subpixel electrode and a high voltage is applied to the second subpixel electrode, the voltage of the first liquid crystal capacitor ( Since Va) is larger than the voltage (Vb) of the second liquid crystal capacitor, the angles at which the liquid crystal molecules are inclined are different between the first subpixel and the second subpixel, and therefore the luminance of the two subpixels is different. Therefore, by appropriately matching the voltage (Va) of the first liquid crystal capacitor and the voltage (Vb) of the second liquid crystal capacitor, the image viewed from the side can be approximated to the image viewed from the front as much as possible. Visibility can be improved.

液晶分子が傾く方向は、電場生成電極191、270の切開部71−74b、91−94bと画素電極191の斜辺が電場を歪ませて形成する水平成分によって決定され、このような電場の水平成分は切開部71−74b、91−94bの辺と画素電極191の辺に垂直である。   The direction in which the liquid crystal molecules are tilted is determined by the horizontal component formed by distorting the electric field by the incisions 71-74b and 91-94b of the electric field generating electrodes 191 and 270 and the oblique sides of the pixel electrode 191, and the horizontal component of such an electric field. Is perpendicular to the sides of the incisions 71-74b and 91-94b and the sides of the pixel electrode 191.

図26に示すように、1つの切開部群71−74b、91−94bは、画素電極191をそれぞれ2つの傾いた主辺(major edge)を有する複数の副領域(sub-area)に分割し、各副領域の液晶分子の傾斜方向は電場の水平成分によって決定される方向に決定され、傾く方向は概ね4つの方向となる。このように液晶分子が傾く方向を多様にすることで液晶表示装置の基準視野角を広くできる。   As shown in FIG. 26, one incision group 71-74b, 91-94b divides the pixel electrode 191 into a plurality of sub-areas each having two inclined major edges. The tilt direction of the liquid crystal molecules in each sub-region is determined by the direction determined by the horizontal component of the electric field, and the tilt directions are approximately four directions. In this way, the reference viewing angle of the liquid crystal display device can be widened by diversifying the directions in which the liquid crystal molecules are tilted.

また、画素電極191の辺のうちのデータ線171と隣接する辺をのこぎり状に形成することによって、隣り合う画素電極191の間に形成される副電場は副領域の液晶の配向を強化する方向に作用する。また、隣り合う2つの画素電極191の第1斜辺90aが互いに対向する領域と対応する位置に接続部75を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。   In addition, by forming the side adjacent to the data line 171 among the sides of the pixel electrode 191 in a sawtooth shape, the sub electric field formed between the adjacent pixel electrodes 191 enhances the alignment of the liquid crystal in the sub region. Act on. Further, by providing the connection portion 75 at a position corresponding to the region where the first oblique sides 90a of the two adjacent pixel electrodes 191 face each other, the alignment of the liquid crystal in the sub region can be further enhanced.

液晶分子の傾斜方向を決定するための切開部71−74b、91−94bの形状及び配置は変更可能であり、少なくとも1つの切開部71−74b、91−94bは、突起(図示せず)や陥没部(図示せず)で代替しても良い。突起は有機物または無機物からなり、電場生成電極191、270の上または下に配置すると良い。   The shape and arrangement of the incisions 71-74b and 91-94b for determining the tilt direction of the liquid crystal molecules can be changed, and at least one of the incisions 71-74b and 91-94b includes protrusions (not shown), A depressed portion (not shown) may be substituted. The protrusion is made of an organic material or an inorganic material, and is preferably disposed above or below the electric field generating electrodes 191 and 270.

また、高い電圧の印加を受ける第2副画素電極191bの面積を第1副画素電極191aの面積より小さくすることで側面ガンマ曲線の歪みを小さくすることができる。特に、第1及び第2副画素電極191a、191bの面積比率がほぼ2:1である場合、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線にさらに近づいて側面視認性が一段と良くなる。   Further, the distortion of the side surface gamma curve can be reduced by making the area of the second subpixel electrode 191b to which a high voltage is applied smaller than the area of the first subpixel electrode 191a. In particular, when the area ratio of the first and second subpixel electrodes 191a and 191b is approximately 2: 1, the side face gamma curve is closer to the front gamma curve and the side face visibility is further improved.

本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図28〜図30を参照して詳細に説明する。   A liquid crystal display according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

図28は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図29は、図28の液晶表示装置を各々XXIX-XXIX線に沿って切断した断面図であり、図30は、図28の液晶表示装置を各々XXX-XXX線に沿って切断した断面図である。   FIG. 28 is a layout view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, FIG. 29 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 28 taken along line XXIX-XXIX, and FIG. FIG. 29 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 28 taken along line XXX-XXX.

図28〜図30に示すように、本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板201及びその間の液晶層3を備える。   As shown in FIGS. 28 to 30, the liquid crystal display device according to the present embodiment includes a thin film transistor array panel 100, a common electrode display panel 201, and a liquid crystal layer 3 therebetween.

まず、薄膜トランジスタ表示板100について詳細に説明する。   First, the thin film transistor array panel 100 will be described in detail.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板110上に複数のゲート線121と複数の維持電極線131を含む複数のゲート導電体が形成されている。   A plurality of gate conductors including a plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に図28の横方向に延びている。各ゲート線121は上方に突出した第1及び第2ゲート電極124a、124bと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部129を含む。維持電極線131は所定の電圧の印加を受けて主に図28の横方向に延びている。各維持電極線131は隣接した2つのゲート線121の間に位置し、2つのゲート線121とほぼ同じ距離を置いて位置する。各維持電極線131は、下上に拡張された維持電極137と維持電極137から下方に長く延びた棒状延長部139を含む。維持電極137はほぼ長方形で、維持電極線131と対称であり、延長部139は第1ゲート電極124a付近まで延びている。しかし、維持電極137を始めとする維持電極線131の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。   The gate line 121 transmits a gate signal and extends mainly in the horizontal direction of FIG. Each gate line 121 includes an end portion 129 having a large area for connecting the first and second gate electrodes 124a and 124b projecting upward to another layer or an external driving circuit. The storage electrode line 131 extends mainly in the lateral direction of FIG. 28 upon application of a predetermined voltage. Each storage electrode line 131 is located between two adjacent gate lines 121 and is located at substantially the same distance as the two gate lines 121. Each storage electrode line 131 includes a storage electrode 137 that extends downward and a bar-like extension 139 that extends downward from the storage electrode 137. The storage electrode 137 is substantially rectangular and symmetrical with the storage electrode line 131, and the extension 139 extends to the vicinity of the first gate electrode 124a. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 including the storage electrode 137 can be modified into various forms.

ゲート導電体121、131上には、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。   On the gate conductors 121 and 131, a gate insulating film 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed.

ゲート絶縁膜140上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体154a、154b、157a、157bが形成されている。半導体154a、154bはそれぞれゲート電極124a、124b上に位置する。   On the gate insulating film 140, a plurality of island-shaped semiconductors 154a, 154b, 157a, 157b made of hydrogenated amorphous silicon or polycrystalline silicon are formed. The semiconductors 154a and 154b are located on the gate electrodes 124a and 124b, respectively.

半導体154a、154b、157a、157b上には、複数の島状オーミック接触部材163a、163b、165a、165b、167a、167bが形成されている。オーミック接触部材163a-167bは、リンなどのn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材163a、165aとオーミック接触部材163b、165bはそれぞれ対をなして半導体154a、154b上に位置し、オーミック接触部材167a、167bはそれぞれ半導体157a、157b上に位置する。   A plurality of island-shaped ohmic contact members 163a, 163b, 165a, 165b, 167a, 167b are formed on the semiconductors 154a, 154b, 157a, 157b. The ohmic contact members 163a to 167b are preferably made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus at a high concentration, or made of silicide. The ohmic contact members 163a and 165a and the ohmic contact members 163b and 165b are paired and located on the semiconductors 154a and 154b, respectively, and the ohmic contact members 167a and 167b are located on the semiconductors 157a and 157b, respectively.

ゲート絶縁膜140及びオーミック接触部材163a、163b、165a、165b、167a、167b上には、複数のデータ線171a、171bと複数対の第1及び第2ドレイン電極175a、175bを含むデータ導電体が形成されている。   A data conductor including a plurality of data lines 171a and 171b and a plurality of pairs of first and second drain electrodes 175a and 175b is formed on the gate insulating layer 140 and the ohmic contact members 163a, 163b, 165a, 165b, 167a, and 167b. Is formed.

データ線171a、171bはデータ信号を伝達し、主に図28の縦方向に延びてゲート線121及び維持電極線131と交差する。各データ線171a、171bは、第1及び第2ゲート電極124a、124bに向かって延びた複数の第1及び第2ソース電極173a、173bと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部179a、179bを含む。   The data lines 171a and 171b transmit data signals, and extend mainly in the vertical direction of FIG. 28 and intersect the gate lines 121 and the storage electrode lines 131. Each of the data lines 171a and 171b has an area for connecting a plurality of first and second source electrodes 173a and 173b extending toward the first and second gate electrodes 124a and 124b to another layer or an external driving circuit. Includes wide ends 179a, 179b.

第1及び第2ドレイン電極175a、175bは互いに分離されており、データ線171a、171bとも分離されている。各ドレイン電極175a、175bは、ゲート電極124a、124bを中心に第1及び第2ソース電極173a、173bと対向し、一方端には面積が広い長方形状の拡張部177a、177b、棒状である他方端部176a、176b、並びに拡張部177a、177bと端部176a、176bを接続する接続部176aa、176bbを含む。各拡張部177a、177bは維持電極137と重畳し、棒状端部176a、176bはゲート電極124a、124bと重畳し、U字状に曲がったソース電極173a、173bに一部囲まれている。   The first and second drain electrodes 175a and 175b are separated from each other and are also separated from the data lines 171a and 171b. The drain electrodes 175a and 175b are opposed to the first and second source electrodes 173a and 173b with the gate electrodes 124a and 124b as the center, and one end is a rectangular extension portion 177a and 177b having a large area, and the other is a rod shape. It includes end portions 176a and 176b and connection portions 176aa and 176bb connecting the extended portions 177a and 177b to the end portions 176a and 176b. Each extended portion 177a, 177b overlaps with the sustain electrode 137, and the rod-shaped end portions 176a, 176b overlap with the gate electrodes 124a, 124b, and are partially surrounded by the U-shaped source electrodes 173a, 173b.

第1ドレイン電極1735aの接続部176aaは、大部分延長部139上に位置し、延長部139に平行に延び延長部139の縦境界線内に位置する。第2ドレイン電極175bの拡張部177bの面積は第1ドレイン電極175aの拡張部177aの面積より小さい。   The connection part 176aa of the first drain electrode 1735a is mostly located on the extension part 139, extends parallel to the extension part 139, and is located within the vertical boundary line of the extension part 139. The area of the extension 177b of the second drain electrode 175b is smaller than the area of the extension 177a of the first drain electrode 175a.

第1、第2ゲート電極124a、124b、第1、第2ソース電極173a、173b及び第1、第2ドレイン電極175a、175bは、半導体154a、154bと共に第1、第2薄膜トランジスタ(Qa、Qb)を構成し、薄膜トランジスタ(Qa、Qb)のチャンネルは、第1、第2ソース電極173a、173bと第1、第2ドレイン電極175a、175bの間の半導体154a、154bに形成される。   The first and second gate electrodes 124a and 124b, the first and second source electrodes 173a and 173b, and the first and second drain electrodes 175a and 175b, together with the semiconductors 154a and 154b, are first and second thin film transistors (Qa and Qb). The channel of the thin film transistor (Qa, Qb) is formed in the semiconductors 154a, 154b between the first and second source electrodes 173a, 173b and the first and second drain electrodes 175a, 175b.

オーミック接触部材163a−167bはその下の半導体154a、154b、157a、157bとその上のデータ線171a、171b及びドレイン電極175a、175bの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島状半導体154a、154bにはソース電極173a、173bとドレイン電極175a、175bの間を始めとするこれらで覆われず露出した部分がある。   The ohmic contact members 163a to 167b exist only between the semiconductors 154a, 154b, 157a and 157b below the ohmic contact members 163a to 167b and the data lines 171a and 171b and the drain electrodes 175a and 175b thereabove, thereby reducing the contact resistance therebetween. The island-shaped semiconductors 154a and 154b have portions that are not covered and exposed, such as between the source electrodes 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b.

データ線171a、171b、ドレイン電極175a、175b及び露出した半導体154a、154b部分上には保護膜180が形成されている。   A protective film 180 is formed on the data lines 171a and 171b, the drain electrodes 175a and 175b, and the exposed portions of the semiconductors 154a and 154b.

保護膜180にはドレイン電極175a、175bの拡張部177a、177bとデータ線171a、171bの端部179a、179bをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール185a、185b、182a、182bが形成されており、保護膜180とゲート絶縁膜140にはゲート線121の端部129を露出させる複数のコンタクトホール181が形成されている。   The protective film 180 has a plurality of contact holes 185a, 185b, 182a, and 182b that expose the extended portions 177a and 177b of the drain electrodes 175a and 175b and the end portions 179a and 179b of the data lines 171a and 171b, respectively. A plurality of contact holes 181 exposing the end portions 129 of the gate lines 121 are formed in the film 180 and the gate insulating film 140.

保護膜180上には、第1及び第2副画素電極191a、191bを含む複数の画素電極191及び複数の接触補助部材81、82a、82bが形成されている。これらはITOまたはIZOなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。   A plurality of pixel electrodes 191 including a first and second subpixel electrodes 191a and 191b and a plurality of contact assistants 81, 82a, and 82b are formed on the protective film 180. These are preferably made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof.

各画素電極191は4つの角が面取りされたほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺はゲート線121に対して約45°の角度をなす。   Each pixel electrode 191 has a substantially square shape with four corners chamfered, and the chamfered hypotenuse forms an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121.

各画素電極191を構成する一対の第1及び第2副画素電極191a、191bは、間隙(gap)92、93を介在して互いに噛み合っている。第2副画素電極191bはほぼ回転した等辺台形で、底辺が台形状に凹んだ形状に構成されており、大部分第1副画素電極191aに囲まれている。第1副画素電極191aは、左側辺で互いに接続している上部、下部及び中央台形部からなる。   A pair of first and second subpixel electrodes 191a and 191b constituting each pixel electrode 191 are in mesh with each other with a gap 92 and 93 therebetween. The second subpixel electrode 191b has an isosceles trapezoid shape that is substantially rotated and has a base that is recessed in a trapezoidal shape, and is mostly surrounded by the first subpixel electrode 191a. The first subpixel electrode 191a includes an upper part, a lower part, and a central trapezoidal part connected to each other on the left side.

各画素電極191は互いに対向する一対の第1主辺193、194とこれら第1主辺193、194に接続しており、複数ののこぎり状部分90とこれらのこぎり状部分90の間を接続する底辺90cを含む第2主辺を有する。ここでのこぎり状部分90は、第1主辺193、194に対して傾いた第1斜辺90aと第2斜辺90d及び第1斜辺90aと第2斜辺90dの間を接続する上辺90bを有する。第1主辺193、194はゲート線121に平行である。第1主辺193、194と第2主辺はほぼ長方形をなし、画素電極191の4つの角は面取りされてゲート線121に対して約45°の角度をなす。第1斜辺90aはデータ線171と一部分が重畳しており、隣り合う2つの画素電極191の第1斜辺90aは互いに対向し、平行となっている。   Each pixel electrode 191 is connected to a pair of first main sides 193, 194 facing each other and the first main sides 193, 194, and a plurality of saw-shaped portions 90 are connected to the bases connecting the saw-shaped portions 90. A second main side including 90c. The saw-shaped portion 90 has a first hypotenuse 90a and a second hypotenuse 90d inclined with respect to the first main sides 193 and 194, and an upper side 90b connecting the first hypotenuse 90a and the second hypotenuse 90d. The first main sides 193 and 194 are parallel to the gate line 121. The first main sides 193 and 194 and the second main side are substantially rectangular, and the four corners of the pixel electrode 191 are chamfered to form an angle of about 45 ° with the gate line 121. The first oblique side 90a partially overlaps with the data line 171. The first oblique sides 90a of two adjacent pixel electrodes 191 face each other and are parallel to each other.

第1副画素電極191aは、上部台形部の上辺及び下部台形部の下辺から右側辺に向かって延びた切開部94a、94bを有している。第1副画素電極191aの中央台形部は、第2副画素電極191bの凹んだ形状の底辺に挟まれている。また、第1副画素電極191aは横部及びこれに接続している一対の斜線部を含む中央切開部91を有する。横部は第1副画素電極191aの横中心線に沿って短く延びており、一対の斜線部は横部から第1副画素電極191aの左側辺に向かって延びており、維持電極線131に対して約45°の角度をなす。第1副画素電極191aと第2副画素電極191bの間の間隙92、93は、ゲート線121と約45°をなす二対の上部及び下部斜線部と縦部を含む。   The first subpixel electrode 191a has incisions 94a and 94b extending from the upper side of the upper trapezoidal part and the lower side of the lower trapezoidal part toward the right side. The central trapezoidal portion of the first subpixel electrode 191a is sandwiched between the concave bottoms of the second subpixel electrode 191b. The first subpixel electrode 191a has a central cutout 91 including a horizontal portion and a pair of shaded portions connected to the horizontal portion. The horizontal portion extends shortly along the horizontal center line of the first subpixel electrode 191 a, and the pair of shaded portions extend from the horizontal portion toward the left side of the first subpixel electrode 191 a, and is connected to the storage electrode line 131. It makes an angle of about 45 ° with respect to it. The gaps 92 and 93 between the first subpixel electrode 191a and the second subpixel electrode 191b include two pairs of upper and lower hatched portions and a vertical portion that form an angle of about 45 ° with the gate line 121.

切開部91−94bは維持電極線131に対してほぼ反転対称をなしており、これらはゲート線121に対して約45°の角度をなしながら互いに垂直に延びている。画素電極191は該切開部91−94bによって複数の領域に分割される。   The incisions 91-94b are substantially inversion symmetrical with respect to the storage electrode line 131, and these extend perpendicularly to each other while forming an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121. The pixel electrode 191 is divided into a plurality of regions by the incisions 91-94b.

これにより、画素電極191を横方向に二等分する維持電極線131を中心にした上半部と下半部は、切開部91−94bによってそれぞれ4つの領域に分割される。   Accordingly, the upper half and the lower half around the storage electrode line 131 that bisects the pixel electrode 191 in the horizontal direction are each divided into four regions by the cutout portions 91-94b.

この時、領域の数または切開部の数は画素電極191の大きさ、画素電極191の横辺と縦辺との長さの比率、液晶層3の種類や特性など設計要素によって異なる。   At this time, the number of regions or the number of cutouts varies depending on design factors such as the size of the pixel electrode 191, the ratio of the length of the horizontal and vertical sides of the pixel electrode 191, the type and characteristics of the liquid crystal layer 3.

第1及び第2副画素電極191a、191bはそれぞれコンタクトホール185a、185bを介して第1及び第2ドレイン電極175a、175bに接続しており、第1及び第2ドレイン電極175a、175bからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極191a、191bには1つの入力映像信号に対して予め設定されていた互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極191a、191bの大きさ及び形状に応じて設定できる。また、副画素電極191a、191bの面積は互いに異なるようにしても良い。例えば、第2副画素電極191bは第1副画素電極191aより高い電圧の印加を受け、第1副画素電極191aより面積が小さい。   The first and second subpixel electrodes 191a and 191b are connected to the first and second drain electrodes 175a and 175b through the contact holes 185a and 185b, respectively. The data voltage is supplied from the first and second drain electrodes 175a and 175b. Is applied. A pair of subpixel electrodes 191a and 191b are applied with different data voltages set in advance for one input video signal, and the magnitude thereof depends on the size and shape of the subpixel electrodes 191a and 191b. Can be set. Further, the areas of the subpixel electrodes 191a and 191b may be different from each other. For example, the second subpixel electrode 191b receives a higher voltage than the first subpixel electrode 191a and has a smaller area than the first subpixel electrode 191a.

第1、第2副画素電極191a、191bは、コンタクトホール185a、185bを介して第1、第2ドレイン電極173a、173bと物理的、電気的に接続しており、第1、第2ドレイン電極173a、173bからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極191a、191bには1つの入力映像信号に対して予め設定されていた互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極191a、191bの大きさ及び形状に応じて設定できる。また、副画素電極191a、191bの面積は互いに異なるようにしても良い。例えば、第2副画素電極191bは第1副画素電極191aより高い電圧の印加を受け、第1副画素電極191aより面積が小さい。   The first and second subpixel electrodes 191a and 191b are physically and electrically connected to the first and second drain electrodes 173a and 173b through the contact holes 185a and 185b. Data voltages are applied from 173a and 173b. A pair of subpixel electrodes 191a and 191b are applied with different data voltages set in advance for one input video signal, and the magnitude thereof depends on the size and shape of the subpixel electrodes 191a and 191b. Can be set. Further, the areas of the subpixel electrodes 191a and 191b may be different from each other. For example, the second subpixel electrode 191b receives a higher voltage than the first subpixel electrode 191a and has a smaller area than the first subpixel electrode 191a.

データ電圧が印加された副画素電極191a、191bにおいて、共通電圧の印加を受ける共通電極270は第1及び第2液晶キャパシタを構成して薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタは液晶層3部分を誘電体として含む。   In the sub-pixel electrodes 191a and 191b to which the data voltage is applied, the common electrode 270 that receives the common voltage constitutes the first and second liquid crystal capacitors and maintains the applied voltage even after the thin film transistor is turned off. Each liquid crystal capacitor includes a liquid crystal layer 3 portion as a dielectric.

第1及び第2副画素電極191a、191b及びこれに電気的に接続しているドレイン電極173a、173bの拡張部177a、177bは、ゲート絶縁膜140を介在して維持電極137及び延長部139を始めとする維持電極線131と重畳し、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化するストレージキャパシタを構成する。   The extended portions 177a and 177b of the first and second subpixel electrodes 191a and 191b and the drain electrodes 173a and 173b electrically connected to the first and second subpixel electrodes 191a and 191b are connected to the sustain electrode 137 and the extended portion 139 via the gate insulating film 140. A storage capacitor is formed that overlaps with the storage electrode line 131 as a starting point and enhances the voltage maintenance capability of the liquid crystal capacitor.

接触補助部材81、82a、82bはそれぞれコンタクトホール181、182a、182bを介してゲート線121の端部129及びデータ線171a、171bの端部179a、179bに接続している。   The contact assistants 81, 82a, and 82b are connected to the end portions 129 of the gate lines 121 and the end portions 179a and 179b of the data lines 171a and 171b through contact holes 181, 182a, and 182b, respectively.

以下、共通電極表示板200について説明する。   Hereinafter, the common electrode panel 200 will be described.

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板210上に遮光部材220が形成されている。遮光部材220はデータ線171に対応する線状部分、一部分が拡張された拡張部と薄膜トランジスタに対応する面状部分を有し、画素電極191の間の光漏れを防止し、画素電極191と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材220は画素電極191と対向し、画素電極191とほぼ同一形状である複数の開口部(図示せず)を有することが望ましい。   A light shielding member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass or plastic. The light blocking member 220 has a linear portion corresponding to the data line 171, a partially expanded portion and a planar portion corresponding to the thin film transistor, and prevents light leakage between the pixel electrodes 191 and faces the pixel electrodes 191. Define the opening area to be. However, it is desirable that the light shielding member 220 has a plurality of openings (not shown) facing the pixel electrode 191 and having substantially the same shape as the pixel electrode 191.

基板210上には、複数のカラーフィルタ230が形成されている。カラーフィルタ230は遮光部材230に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極191の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの1つを表示できる。   A plurality of color filters 230 are formed on the substrate 210. It is desirable that the color filter 230 exists mostly in a region surrounded by the light shielding member 230 and extends long in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191. Each color filter 230 can display one of the basic colors such as the three primary colors of red, green, and blue.

カラーフィルタ230及び遮光部材220上にはオーバーコート膜250が形成されている。オーバーコート膜250は(有機)絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ230が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜250は省略しても良い。   An overcoat film 250 is formed on the color filter 230 and the light shielding member 220. The overcoat film 250 is preferably made of an (organic) insulator, and prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat film 250 may be omitted.

オーバーコート膜250上には共通電極270が形成されている。共通電極270はITO、IZOなどの透明な導電体で形成される。   A common electrode 270 is formed on the overcoat film 250. The common electrode 270 is formed of a transparent conductor such as ITO or IZO.

共通電極270には複数の切開部71、72、73a、73b、74a、74b、75が形成されている。   A plurality of incisions 71, 72, 73a, 73b, 74a, 74b, and 75 are formed in the common electrode 270.

1つの切開部群71〜75は、1つの画素電極191と対向し、中央切開部71、第1〜第3下部斜線切開部72、73a、74a、第1〜第3上部斜線切開部72、73b、74b及び接続部75を含む。切開部71〜74bそれぞれは画素電極191の隣接切開部91、92、93、94a、94bの間または切開部91、92、93、94a、94bと画素電極191の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部71〜74bは、画素電極191の下部切開部92、93、94aまたは上部切開部92、93、94bに平行に延びた少なくとも1つの斜線部を含む。   One incision group 71 to 75 faces one pixel electrode 191, and includes a central incision 71, first to third lower oblique incisions 72, 73a, 74a, first to third upper oblique incisions 72, 73b, 74b and connecting portion 75 are included. Each of the incisions 71 to 74b is disposed between adjacent incisions 91, 92, 93, 94a, 94b of the pixel electrode 191 or between the incisions 91, 92, 93, 94a, 94b and the chamfered oblique sides of the pixel electrode 191. Has been. Each of the incisions 71 to 74b includes at least one hatched portion extending in parallel with the lower incisions 92, 93, 94a of the pixel electrode 191 or the upper incisions 92, 93, 94b.

第1下部及び第1上部斜線切開部72はほぼ画素電極191の右側辺から画素電極191の左側辺に延びており、第2下部及び第2上部斜線切開部73a、73bは画素電極191の右側辺から画素電極191の左上または左下角に延びている。そして、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bは、画素電極191の右側辺から画素電極191の上側辺または下側辺に延びており、第3下部及び第3上部斜線切開部74a、74bの各端から画素電極191の下側辺と上側辺に沿ってそれぞれ重畳しながら延長された縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部74a、74bと鈍角をなす。   The first lower and first upper oblique cutouts 72 extend substantially from the right side of the pixel electrode 191 to the left side of the pixel electrode 191, and the second lower and second upper oblique cutouts 73 a and 73 b are on the right side of the pixel electrode 191. It extends from the side to the upper left or lower left corner of the pixel electrode 191. The third lower and third upper oblique incisions 74a and 74b extend from the right side of the pixel electrode 191 to the upper side or lower side of the pixel electrode 191, and the third lower and third upper oblique incision 74a. , 74b, and a vertical horizontal portion that extends while overlapping each other along the lower and upper sides of the pixel electrode 191. The vertical transverse part forms an obtuse angle with the oblique line incisions 74a and 74b.

中央切開部71は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極191の右側辺から維持電極線131に沿って左に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極191の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線切開部72〜74bにほぼ平行に延びる。   The central incision 71 includes a central lateral portion and a pair of hatched portions. The central horizontal portion extends to the left along the storage electrode line 131 from the right side of the pixel electrode 191, and the pair of diagonal lines are the lower and upper diagonal lines from the end of the central horizontal portion toward the left side of the pixel electrode 191, respectively. It extends substantially parallel to the incisions 72-74b.

中央切開部71のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2下部切開部73aの一端、中央切開部71の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第2上部切開部73bの一端、第1下部斜線切開部72の一端と隣り合う画素電極の第3下部斜線切開部74aの一端、及び第1上部斜線切開部72の一端と隣り合う画素電極の第3上部斜線切開部74bの一端はそれぞれ接続部75に接続している。接続部75は、画素電極191の第1斜辺90aに平行であり、データ線171と対応する部分に位置する。接続部75の幅は、画素電極191と画素電極191の間の間隔より約8μm程度広く、遮光部材220の拡張部222は接続部75と対応し他の部分より幅が広いことが望ましい。   One end of the second lower cutout 73a of the pixel electrode adjacent to one end of the hatched portion of the central cutout 71, and the second upper cutout 73b of the pixel electrode adjacent to one end of the other hatched portion of the central cutout 71. One end, one end of the third lower oblique incision 74a of the pixel electrode adjacent to one end of the first lower oblique incision 72, and the third upper oblique incision 74b of the pixel electrode adjacent to one end of the first upper oblique incision 72 One end of each is connected to the connecting portion 75. The connecting portion 75 is parallel to the first oblique side 90 a of the pixel electrode 191 and is located at a portion corresponding to the data line 171. The width of the connecting portion 75 is preferably about 8 μm wider than the distance between the pixel electrode 191 and the pixel electrode 191, and the extended portion 222 of the light shielding member 220 corresponds to the connecting portion 75 and is preferably wider than the other portions.

切開部71−74bの斜線部には三角形状のノッチ7が形成されている。このようなノッチは四角形、台形または半円形の形状であるか、突出した形状や凹んだ形状であっても良い。このようなノッチは、切開部71−74bに対応する領域境界に位置する液晶分子3の配列方向を決定する。   A triangular notch 7 is formed in the hatched portion of the incision 71-74b. Such a notch may have a quadrangular, trapezoidal or semicircular shape, or may have a protruding shape or a recessed shape. Such a notch determines the alignment direction of the liquid crystal molecules 3 located at the region boundary corresponding to the incisions 71-74b.

切開部71−75の数及び方向は設計要素によって異なり、遮光部材220が切開部71〜75と重畳して切開部71−75付近の光漏れを遮断することができる。   The number and direction of the incisions 71-75 vary depending on the design elements, and the light blocking member 220 can overlap the incisions 71 to 75 to block light leakage near the incisions 71-75.

また、画素電極191の辺のうちのデータ線171と隣接する辺をのこぎり状に形成することで、隣り合う画素電極191の間に形成される副電場は副領域の液晶の配向を強化する方向に作用する。また、隣り合う2つの画素電極191の第1斜辺90aが互いに対向する領域と対応する位置に接続部75を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。   In addition, by forming the side adjacent to the data line 171 among the sides of the pixel electrode 191 in a sawtooth shape, the sub electric field formed between the adjacent pixel electrodes 191 enhances the alignment of the liquid crystal in the sub region. Act on. Further, by providing the connection portion 75 at a position corresponding to the region where the first oblique sides 90a of the two adjacent pixel electrodes 191 face each other, the alignment of the liquid crystal in the sub region can be further enhanced.

表示板101、201の内側面には配向膜11、21が塗布されており、外側面には偏光子(図示せず)が備えられている。   Alignment films 11 and 21 are applied to the inner side surfaces of the display plates 101 and 201, and a polarizer (not shown) is provided on the outer side surface.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、これは例示的なものに過ぎず、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明に基づいて様々な変形及び均等な他の実施例が可能であることが理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。   The preferred embodiment of the present invention has been described above, but this is merely an example, and various modifications and equivalents may be made based on the present invention as long as the person has ordinary knowledge in the technical field. It will be appreciated that the following embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention also includes various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the claims. .

11、21 配向膜
12、22 偏光子
71、72a、72b、73a、73b、74a、74b、75 共通電極の切開部
81、81a、81b、82、82a、82b 接触補助部材
91、92、92a、92b、93、94a、94b 画素電極の切開部
110、210 基板
121、121a、121b、129a、129b、129 ゲート線
124、124a、124b ゲート電極
140 ゲート絶縁膜
151、154、154a、154b 半導体
161、163、163a、163b、165、165a、165b、166 オーミック接触部材
171、171a、171b、179、179a、179b データ線
173、173a、173b ソース電極
175、175a、175b ドレイン電極
180 保護膜
181、181a、181b、182、182a、182b、183a、183b、185、185a、185b コンタクトホール(接触孔)
191 画素電極
230 カラーフィルタ
250 オーバーコート膜
270 共通電極
11, 21 Alignment films 12, 22 Polarizers 71, 72a, 72b, 73a, 73b, 74a, 74b, 75 Common electrode incisions 81, 81a, 81b, 82, 82a, 82b Contact assisting members 91, 92, 92a, 92b, 93, 94a, 94b Pixel electrode incisions 110, 210 Substrate 121, 121a, 121b, 129a, 129b, 129 Gate lines 124, 124a, 124b Gate electrode 140 Gate insulating films 151, 154, 154a, 154b Semiconductor 161, 163, 163a, 163b, 165, 165a, 165b, 166 Ohmic contact members 171, 171a, 171b, 179, 179a, 179b Data lines 173, 173a, 173b Source electrodes 175, 175a, 175b Drain electrode 180 Protective films 181, 181a, 18 b, 182,182a, 182b, 183a, 183b, 185,185a, 185b contact hole (contact hole)
191 Pixel electrode 230 Color filter 250 Overcoat film 270 Common electrode

Claims (16)

各画素に形成され、各画素を複数の副領域に区画する第1切開部を有する画素電極と、
前記第1切開部とともに各画素を複数の副領域に区画する第2切開部を有し、前記画素電極と対向する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に位置している液晶層と、
を備え、
前記副領域それぞれは互いに対向する一対の主辺と、これに接続している複数の副辺を有し、
隣接した2つの画素電極にそれぞれ含まれる2つの副領域の主辺は互いにずれており、
前記共通電極は、隣接する画素電極の間隙に位置し、隣り合う画素の前記第2切開部を接続する接続切開部を有することを特徴とする液晶表示装置。
A pixel electrode having a first incision formed in each pixel and dividing each pixel into a plurality of sub-regions;
A second electrode that divides each pixel into a plurality of sub-regions together with the first electrode, and a common electrode facing the pixel electrode;
A liquid crystal layer positioned between the pixel electrode and the common electrode;
With
Each of the sub-regions has a pair of main sides facing each other and a plurality of sub-sides connected thereto,
The main sides of two sub-regions respectively included in two adjacent pixel electrodes are shifted from each other,
The liquid crystal display device, wherein the common electrode has a connection cutout portion that is located in a gap between adjacent pixel electrodes and connects the second cutout portions of adjacent pixels.
前記主辺は前記第1及び第2切開部と斜角をなすことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the main side forms an oblique angle with the first and second cutouts. 前記各副領域の副辺のうちの少なくとも1つは135°より大きい角度で主辺と交わることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the sub-sides of each sub-region intersects with the main side at an angle greater than 135 °. 前記各副領域の主辺は第1主辺と前記第1主辺より短い第2主辺を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a main side of each sub-region includes a first main side and a second main side shorter than the first main side. 前記画素電極の辺のうちの一部は前記副領域の副辺をなし、前記第2切開部は前記副領域の副辺をなす前記画素電極の辺のうちの一部とは重畳しないことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   A part of the side of the pixel electrode forms a sub-side of the sub-region, and the second cut-out portion does not overlap with a part of the side of the pixel electrode forming the sub-side of the sub-region. The liquid crystal display device according to claim 1. 前記接続切開部と第2切開部は鈍角をなすことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the connection incision part and the second incision part form an obtuse angle. 前記接続切開部の幅は前記間隙の幅より広いことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a width of the connection cutout is wider than a width of the gap. 前記副領域の副辺と重畳するデータ線をさらに含むことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a data line overlapping with a sub-side of the sub-region. 前記接続切開部は前記データ線と対向することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the connection cut-out portion faces the data line. 前記データ線と対向する遮光部材をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 8, further comprising a light shielding member facing the data line. 前記副領域の副辺のうちの一部は前記データ線と重畳せず、前記遮光部材は前記データ線と重畳しない前記副領域の副辺のうちの一部を遮る拡張部をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。   A part of a sub-side of the sub-region does not overlap with the data line, and the light shielding member further includes an extension part that blocks a part of the sub-side of the sub-region that does not overlap with the data line. The liquid crystal display device according to claim 10. 前記画素電極は前記第1切開部のうちの一部によって物理的に互いに分離された少なくとも2つの副画素電極を含むことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。   The pixel electrode according to claim 1, wherein the pixel electrode includes at least two subpixel electrodes physically separated from each other by a part of the first cutout. Liquid crystal display device. 前記1つの画素電極において、各々の副画素電極は互いに異なるデータ線に接続しており、
前記1つの画素電極において、各々の副画素電極は同じゲート線に接続していることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
In the one pixel electrode, each sub-pixel electrode is connected to a different data line,
13. The liquid crystal display device according to claim 12, wherein in each of the one pixel electrode, each sub-pixel electrode is connected to the same gate line.
前記1つの画素電極において、各々の副画素電極は互いに異なるゲート線に接続しており、
前記1つの画素電極において、各々の副画素電極は同じデータ線に接続していることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
In the one pixel electrode, each sub-pixel electrode is connected to a different gate line,
13. The liquid crystal display device according to claim 12, wherein in each of the one pixel electrode, each sub-pixel electrode is connected to the same data line.
前記画素電極は前記接続切開部と交互に配置されている第3切開部を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode includes third cutouts arranged alternately with the connection cutouts. ゲート線と前記接続切開部とは45°をなすことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the gate line and the connection cut-out portion form 45 °.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI512377B (en) 2013-06-04 2015-12-11 Au Optronics Corp Pixel structure
CN104091821B (en) * 2014-07-16 2017-05-03 上海和辉光电有限公司 flexible display device and folding-resistant metal wire
KR102484235B1 (en) * 2015-11-27 2023-01-03 삼성디스플레이 주식회사 liquid crystal display

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0643461A (en) * 1992-04-30 1994-02-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Liquid crystal display device
JPH11174453A (en) * 1997-12-16 1999-07-02 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device
JP2001109009A (en) * 1999-10-01 2001-04-20 Samsung Electronics Co Ltd Wide visual field angle liquid crystal display device
JP2002357808A (en) * 2000-12-19 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device and method for driving the same
JP2003043488A (en) * 2001-08-02 2003-02-13 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2003075867A (en) * 2001-08-31 2003-03-12 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2003121866A (en) * 2001-10-12 2003-04-23 Samsung Electronics Co Ltd Wide viewing angle liquid crystal display device and substrate therefor
JP2003186017A (en) * 2001-10-12 2003-07-03 Fujitsu Display Technologies Corp Liquid crystal display device
JP3096202U (en) * 2002-06-07 2003-09-12 瀚宇彩晶股▲ふん▼有限公司 Pixel electrode structure of LCD with high aperture ratio
JP2003270653A (en) * 2002-03-18 2003-09-25 Fujitsu Display Technologies Corp Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2004258652A (en) * 2003-02-27 2004-09-16 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display
JP2004264822A (en) * 2003-03-03 2004-09-24 Hannstar Display Corp Pixel structure for liquid crystal display, liquid crystal display drive method and drive circuit
JP2004354940A (en) * 2003-05-30 2004-12-16 Sharp Corp Liquid crystal display
JP2005004212A (en) * 2003-06-10 2005-01-06 Samsung Electronics Co Ltd Multidomain liquid crystal display device and display plate used therein
JP2005024711A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display
JP2005031578A (en) * 2003-07-11 2005-02-03 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2005049907A (en) * 2004-11-08 2005-02-24 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2005049739A (en) * 2003-07-31 2005-02-24 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4468529B2 (en) * 1999-07-09 2010-05-26 シャープ株式会社 Liquid crystal display
JP2002169159A (en) * 2000-11-27 2002-06-14 Koninkl Philips Electronics Nv Alignment division type vertical alignment liquid crystal display
TW583425B (en) * 2001-08-02 2004-04-11 Sanyo Electric Co Liquid crystal display
KR100878241B1 (en) * 2002-09-27 2009-01-13 삼성전자주식회사 Thin film transistor substrate for multi-domain liquid crystal display
KR100961946B1 (en) * 2003-05-13 2010-06-10 삼성전자주식회사 A vertically aligned mode liquid crystal display

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0643461A (en) * 1992-04-30 1994-02-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Liquid crystal display device
JPH11174453A (en) * 1997-12-16 1999-07-02 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device
JP2001109009A (en) * 1999-10-01 2001-04-20 Samsung Electronics Co Ltd Wide visual field angle liquid crystal display device
JP2002357808A (en) * 2000-12-19 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device and method for driving the same
JP2003043488A (en) * 2001-08-02 2003-02-13 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2003075867A (en) * 2001-08-31 2003-03-12 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2003121866A (en) * 2001-10-12 2003-04-23 Samsung Electronics Co Ltd Wide viewing angle liquid crystal display device and substrate therefor
JP2003186017A (en) * 2001-10-12 2003-07-03 Fujitsu Display Technologies Corp Liquid crystal display device
JP2003270653A (en) * 2002-03-18 2003-09-25 Fujitsu Display Technologies Corp Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP3096202U (en) * 2002-06-07 2003-09-12 瀚宇彩晶股▲ふん▼有限公司 Pixel electrode structure of LCD with high aperture ratio
JP2004258652A (en) * 2003-02-27 2004-09-16 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display
JP2004264822A (en) * 2003-03-03 2004-09-24 Hannstar Display Corp Pixel structure for liquid crystal display, liquid crystal display drive method and drive circuit
JP2004354940A (en) * 2003-05-30 2004-12-16 Sharp Corp Liquid crystal display
JP2005004212A (en) * 2003-06-10 2005-01-06 Samsung Electronics Co Ltd Multidomain liquid crystal display device and display plate used therein
JP2005024711A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display
JP2005031578A (en) * 2003-07-11 2005-02-03 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2005049739A (en) * 2003-07-31 2005-02-24 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display
JP2005049907A (en) * 2004-11-08 2005-02-24 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device

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