JP2012007239A5 - - Google Patents
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- 成膜室内に誘導結合型電極を配置したプラズマＣＶＤ装置であって、
前記誘導結合型電極は、折り返し部を有して中心間距離を一定として折り返された形状であって、両端部にそれぞれ高周波電力の給電部と接地部とが設けられており、
複数の前記誘導結合型電極を、同一平面内で前記給電部及び前記接地部を同じ側として平行に配置し、
前記複数の誘導結合型電極の各々において前記給電部と前記折り返し部との間及び前記接地部と前記折り返し部との間に半波長又はその自然数倍の定在波が立つように高周波電力を供給すると共に、前記複数の誘導結合型電極の隣り合う電極の給電部において、高周波の位相が互いに逆位相となるよう構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 成膜室内に誘導結合型電極を配置したプラズマＣＶＤ装置であって、
前記誘導結合型電極は、折り返し部を有して中心間距離を一定として折り返された形状であって、両端部にそれぞれ高周波電力の給電部と接地部とが設けられており、
複数の前記誘導結合型電極を、同一平面内で前記給電部及び前記接地部を同じ側として平行に配置し、
前記複数の誘導結合型電極の各々において前記給電部と前記折り返し部との間及び前記接地部と前記折り返し部との間に半波長又はその自然数倍の定在波が立つように、かつ、前記複数の誘導結合型電極の一つおきの給電部において、位相が互いに逆となるように、高周波電力を供給する構成としたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 前記複数の誘導結合型電極の内の一つおきの電極を、前記給電部と前記折り返し部との間の長さを前記接地部と前記折り返し部との間の長さよりも前記高周波の半波長分長く構成したことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記複数の誘導結合型電極の内の一つおきの電極を、前記給電部に前記高周波の半波長分の長さに等価な同軸ケーブルを継ぎ足して構成したことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記給電部から前記接地部までの少なくとも一部の電極径を１０ｍｍ以下としたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記給電部から前記接地部までの少なくとも一部の電極径を１ｍｍ〜１０ｍｍとしたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記誘導結合型電極の電極径を変化させたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記誘導結合型電極の表面の一部又は全体を誘電体で被覆したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記誘電体の厚さを電極長手方向に変化させたことを特徴とする請求項８記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記誘電体の端部において、その断面をテーパー状としたことを特徴とする請求項８記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記誘電体を電極の長手方向に沿ってらせん形状に被覆したことを特徴とする請求項８記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記誘導結合型電極の給電側の表面を前記誘電体で被覆したことを特徴とする請求項８記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 前記高周波は６０ＭＨｚ以上の高周波であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
- 成膜室内に、折り返し部を有して中心間距離を一定として折り返された形状であって、両端部にそれぞれ高周波電力の給電部と接地部とが設けられた誘導結合型電極の複数を、同一平面内でそれぞれの前記給電部及び前記接地部を同じ側として平行に配置し、
前記複数の誘導結合型電極の各々において前記給電部と前記折り返し部との間及び前記接地部と前記折り返し部との間に半波長又はその自然数倍の定在波が立つように高周波電力を供給すると共に、前記複数の誘導結合型電極の隣り合う電極の給電部における高周波の位相が互いに逆位相となるようにして、前記成膜室内に導入された反応性ガスの構成元素の少なくとも一つを含む薄膜を形成することを特徴とするプラズマＣＶＤ法。 - 前記複数の誘導結合型電極の内の一つおきの電極を、前記給電部と前記折り返し部との間の長さが前記接地部と前記折り返し部との間の長さよりも前記高周波の半波長分長く構成して、前記複数の誘導結合型電極の隣り合う電極の給電部における高周波の位相を互いに逆位相にしたことを特徴とする請求項１４記載のプラズマＣＶＤ法。
- 前記複数の誘導結合型電極の内の一つおきの電極を、前記給電部に前記高周波の半波長分の長さに等価な同軸ケーブルを継ぎ足して構成して、前記複数の誘導結合型電極の隣り合う電極の給電部における高周波の位相を互いに逆位相にしたことを特徴とする請求項１４記載のプラズマＣＶＤ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011151674A JP5287944B2 (ja) | 2000-05-17 | 2011-07-08 | プラズマｃｖｄ装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145645 | 2000-05-17 | ||
| JP2000145645 | 2000-05-17 | ||
| JP2000239221 | 2000-08-07 | ||
| JP2000239221 | 2000-08-07 | ||
| JP2011151674A JP5287944B2 (ja) | 2000-05-17 | 2011-07-08 | プラズマｃｖｄ装置及び方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001584602A Division JP4867124B2 (ja) | 2000-05-17 | 2001-05-17 | プラズマｃｖｄ装置及び方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012007239A JP2012007239A (ja) | 2012-01-12 |
| JP2012007239A5 true JP2012007239A5 (ja) | 2012-04-19 |
| JP5287944B2 JP5287944B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=26592083
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001584602A Expired - Fee Related JP4867124B2 (ja) | 2000-05-17 | 2001-05-17 | プラズマｃｖｄ装置及び方法 |
| JP2011151674A Expired - Lifetime JP5287944B2 (ja) | 2000-05-17 | 2011-07-08 | プラズマｃｖｄ装置及び方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001584602A Expired - Fee Related JP4867124B2 (ja) | 2000-05-17 | 2001-05-17 | プラズマｃｖｄ装置及び方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US20040020432A1 (ja) |
| EP (1) | EP1293588B1 (ja) |
| JP (2) | JP4867124B2 (ja) |
| KR (1) | KR100797423B1 (ja) |
| AT (1) | ATE452219T1 (ja) |
| DE (1) | DE60140803D1 (ja) |
| ES (1) | ES2336303T3 (ja) |
| WO (1) | WO2001088221A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4509337B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2010-07-21 | 株式会社Ｉｈｉ | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| JP4770029B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2011-09-07 | 株式会社Ｉｈｉ | プラズマｃｖｄ装置及び太陽電池の製造方法 |
| JP3820188B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2006-09-13 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2004055600A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP4120546B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2008-07-16 | 株式会社Ｉｈｉ | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池 |
| JP4741845B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2011-08-10 | 株式会社 セルバック | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| EP1729551A4 (en) * | 2004-03-26 | 2009-08-12 | Nissin Electric Co Ltd | PLASMA PRODUCTION EQUIPMENT |
| WO2007129568A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
| US7845310B2 (en) * | 2006-12-06 | 2010-12-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Wide area radio frequency plasma apparatus for processing multiple substrates |
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| TW201233253A (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-01 | Bing-Li Lai | Plasma reaction method and apparatus |
| WO2012176242A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5780023B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2015-09-16 | 株式会社Ihi | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ装置を用いた成膜方法 |
| GB2489761B (en) * | 2011-09-07 | 2015-03-04 | Europlasma Nv | Surface coatings |
| JP5018994B1 (ja) * | 2011-11-09 | 2012-09-05 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2013214445A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Ihi Corp | プラズマ処理装置 |
| TWI502096B (zh) | 2013-06-17 | 2015-10-01 | Ind Tech Res Inst | 用於化學氣相沉積的反應裝置及反應製程 |
| FR3035881B1 (fr) * | 2015-05-04 | 2019-09-27 | Sidel Participations | Installation pour le traitement de recipients par plasma micro-ondes, comprenant un generateur a etat solide |
| JP6561725B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2019-08-21 | 日新電機株式会社 | アンテナ及びプラズマ処理装置 |
| JP6870408B2 (ja) * | 2017-03-21 | 2021-05-12 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| US10510515B2 (en) | 2017-06-22 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Processing tool with electrically switched electrode assembly |
| US11114284B2 (en) | 2017-06-22 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode array in ceiling |
| US11355321B2 (en) | 2017-06-22 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode assembly for moving substrate |
| TWI788390B (zh) | 2017-08-10 | 2023-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理的分佈式電極陣列 |
| CN110364408A (zh) * | 2018-04-11 | 2019-10-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 电感耦合装置和等离子体处理设备 |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2785442B2 (ja) | 1990-05-15 | 1998-08-13 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2989279B2 (ja) | 1991-01-21 | 1999-12-13 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
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| JPH11131244A (ja) | 1997-10-28 | 1999-05-18 | Canon Inc | プラズマ発生用高周波電極と、該電極により構成されたプラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ法 |
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| JPH11317299A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-16 | Toshiba Corp | 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置 |
| AU726151B2 (en) * | 1998-04-08 | 2000-11-02 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma CVD apparatus |
| JP3844274B2 (ja) | 1998-06-25 | 2006-11-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法 |
| JP3572204B2 (ja) * | 1998-08-26 | 2004-09-29 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置及び薄膜電子デバイス製造方法 |
| JP2000091236A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2000232070A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Canon Inc | 高周波プラズマｃｖｄ法 |
| JP2000345351A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-12 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP3836636B2 (ja) | 1999-07-27 | 2006-10-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | プラズマ発生装置 |
| JP4029615B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2008-01-09 | 株式会社Ｉｈｉ | 内部電極方式のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| EP1146569B1 (en) * | 2000-04-13 | 2008-05-21 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Thin film forming method, thin film forming apparatus and solar cell |
| JP4770029B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2011-09-07 | 株式会社Ｉｈｉ | プラズマｃｖｄ装置及び太陽電池の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-17 DE DE60140803T patent/DE60140803D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-17 ES ES01932112T patent/ES2336303T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-17 AT AT01932112T patent/ATE452219T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-05-17 WO PCT/JP2001/004113 patent/WO2001088221A1/ja active Application Filing
- 2001-05-17 JP JP2001584602A patent/JP4867124B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-17 EP EP01932112A patent/EP1293588B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-17 KR KR1020027015416A patent/KR100797423B1/ko active IP Right Grant
- 2001-05-17 US US10/276,371 patent/US20040020432A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-02-10 US US12/368,740 patent/US20090148624A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-08-13 US US12/855,809 patent/US9165748B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-08 JP JP2011151674A patent/JP5287944B2/ja not_active Expired - Lifetime
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