JP2011510511A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 半導体材料からなるボディと、
前記ボディ内の、第1のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第1の領域と第2のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第2の領域との間に形成された、第1の接合領域と、
前記ボディ内の、前記ボディの前記第2の領域と前記第1のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第3の領域との間に形成された、第2の接合領域と、
前記ボディに接続され、第2の接合領域の少なくとも一部に順バイアスをかけ、前記第1の接合領域が降伏モードとなるように第1の接合領域へと逆バイアスを印加するように構成された端子構成と
を備え、
前記逆バイアスがかけられた第1の接合領域に関連する第1の空乏領域が、前記第2の接合領域の少なくとも一部のエネルギー障壁を低くするために、前記第2の接合領域の前記順バイアスがかけられた少なくとも一部に関連する第2の空乏領域にパンチスルーするように構成されるとともに、キャリアを前記第2の接合領域の少なくとも一部から第1の接合領域へと注入し、これによりデバイスにおけるエレクトロルミネセンス効果を向上させるように構成された
発光デバイス。 - 第2の接合領域の少なくとも一部は前記第1の接合領域および第1の接合領域の表面から横方向に離隔され、第2の接合領域の他の領域は逆バイアスがかけられる請求項1に記載の発光デバイス。
- 前記半導体材料が単結晶間接遷移型半導体材料である、請求項1または2に記載の発光デバイス。
- 前記半導体材料がシリコンを含む、請求項3に記載の発光デバイス。
- 記半導体材料が直接遷移型半導体材料である、請求項1または2に記載の発光デバイス。
- 前記第1のドーピング・タイプがnであり、前記第2のドーピング・タイプがpである、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光デバイス。
- 前記第1のドーピング・タイプがpであり、前記第2のドーピング・タイプがnである、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光デバイス。
- 降伏モードが、アバランシェ・モード、電界放出モード、およびアバランシェ・モードと電界放出モードの組合せのうちの1つである、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光デバイス。
- 前記第1の空乏領域が前記第2の接合領域にパンチスルーする、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発光デバイス。
- 前記端子構成が、前記ボディの前記第1の領域に接続された、第1の極性の電圧を前記第1の領域に印加するための第1の端子と、前記ボディの前記第3の領域に接続された、反対極性の電圧を前記第3の領域に印加するための第2の端子との2つの端子を備える、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発光デバイス。
- 前記端子構成が、前記ボディの前記第1の領域に接続されている、第1の極性の電圧を前記ボディの前記第1の領域に印加するための第1の端子と、前記ボディの前記第3の領域に接続されている、反対極性の電圧を前記第3の領域に印加するための第2の端子と、前記ボディの前記第2の領域に接続されている第3の端子との3つの端子を備える、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の発光デバイス。
- 発光デバイスを動作させる方法であって、
第1のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第1の領域と第2のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第2の領域との間に形成された第1の接合領域と、前記ボディの前記第2の領域と前記第1のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第3の領域との間のボディ内部に形成された第2の接合領域とを備える半導体材料のボディを供給するステップと、
前記第1の接合領域に逆バイアスをかけて降伏モードにするステップと、
前記第2の接合領域の少なくとも第1の部分に順バイアスをかけるステップと、
前記逆バイアスがかけられた第1の接合領域に関連する第1の空乏領域に、前記ボディの前記第2の領域を前記第2の接合領域の少なくとも一部のエネルギー障壁を低くするために、前記第2の接合領域の前記少なくとも第1の部分と関連する第2の空乏領域へとパンチスルーさせるとともに、キャリアを前記第2の接合領域の少なくとも第1の部分から第1の接合領域へと注入させ、これによりデバイスにおけるエレクトロルミネセンス効果を向上させるステップと
を含む方法。 - 前記第2の接合領域に逆バイアスがかけられ、前記パンチスルーさせた第1の空乏領域によって、前記第2の接合領域の前記第1の部分に順バイアスがかかるようになる、請求項12に記載の方法。
- 前記半導体材料が単結晶間接遷移型半導体材料である、請求項12または13に記載の方法
- 前記半導体材料が直接遷移型半導体材料である、請求項13または14に記載の方法。
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