New! View global litigation for patent families

JP2011503351A - Sputter coating apparatus and a coating method - Google Patents

Sputter coating apparatus and a coating method

Info

Publication number
JP2011503351A
JP2011503351A JP2010532517A JP2010532517A JP2011503351A JP 2011503351 A JP2011503351 A JP 2011503351A JP 2010532517 A JP2010532517 A JP 2010532517A JP 2010532517 A JP2010532517 A JP 2010532517A JP 2011503351 A JP2011503351 A JP 2011503351A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2010532517A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
アンドレーアス クロエペル
トビアス シュトレイ
マーカス ベンデル
クリストフ モエレ
ラルフ リンデンベルク
アンドレーアス ロプ
Original Assignee
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452Magnet distribution
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455Movable magnets

Abstract

磁石/ターゲットアセンブリ(1)は、横並びに配置された、それぞれがターゲット(2)の縦軸xに沿って延びる複数の(仮想)セグメント(2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6)から成るターゲット(2)を備える。 Magnet / target assembly (1) is arranged side by side, each of the plurality extending along the longitudinal axis x of the target (2) (virtual) segment (2.1,2.2,2.3,2. comprising a target (2) consisting of 4,2.5,2.6). 複数のターゲットセグメント(2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6)のそれぞれは、それぞれのターゲットセグメントに帰属する磁石システム(3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6)を有する。 Each of the plurality of target segments (2.1,2.2,2.3,2.4,2.5,2.6), the magnet system of their respective target segments (3.1, 3.2 It has a 3.3,3.4,3.5,3.6). 本発明のターゲット/磁石アセンブリ(1)の実施形態において、磁石システム(3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6)は、ターゲットセグメント(2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6)をそれぞれ走査する間、それぞれが隣接する磁石システム(3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6)に相対して互いにずらして配置される。 In an embodiment of a target / magnet assembly (1) of the present invention, the magnet system (3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6), the target segment (2.1 , while scanning 2.2,2.3,2.4,2.5,2.6) respectively, the magnet system (3.1,3.2,3.3,3.4, each adjacent They are arranged offset from one another relative to 3.5,3.6). 特に、第1の磁石システム(3.1)、第3の磁石システム(3.3)及び第5の磁石システム(3.5)は、互いに平行に且つ同期して移動する第1の磁石システム群であり、第2の磁石システム(3.2)、第4の磁石システム(3.4)及び第6の磁石システム(3.6)は、互いに平行して且つ同期して移動する第2の磁石システム群である。 In particular, the first magnet system (3.1), the first magnet system third magnet system (3.3) and the fifth magnet system (2.2) is to be moved in parallel and synchronously with each other a group, a second magnet system (3.2), the fourth magnet system (3.4) and the sixth magnet system of (3.6), the second translating to and synchronized with each other which is a magnet system group. 第1、第3及び第5の磁石システム(3.1、3.3、3.5)は、ターゲット(2)の横方向yに、第2、第4及び第6の磁石システム(3.2、3.4、3.6)とそれぞれ交互に配置される。 First, third and fifth magnet system (3.1,3.3,3.5), the horizontal direction y of the target (2), second, fourth and sixth magnet system (3. 2,3.4,3.6) respectively are arranged alternately. 磁石システムの移動経路は、平行に配置される。 The movement path of the magnet system are arranged in parallel. 第1及び第2の磁石システム群(3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6)は、ターゲット(2)の縦方向xにずれて配置される。 The first and second magnet system group (3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6) are arranged offset in the longitudinal direction x of the target (2) . 即ち、これらの磁石システムは、2つの磁石システム群の間にターゲット2の縦方向xに距離dを置いて配置される。 That is, these magnet system is disposed at a distance d in the longitudinal direction x of the target 2 between the two magnet system group.

Description

本発明は、基板上にコーティング層を堆積するための、ターゲット表面を有する少なくとも1つのターゲットを備えるスパッタコーティング装置及びスパッタ表面を有する少なくとも1つのターゲットを備えるスパッタコーティング装置を提供する工程を含むコーティング方法に関する。 The present invention, for depositing a coating layer on a substrate, the coating method comprising the steps of providing a sputter coating apparatus comprising at least one target having a sputter coating apparatus and a sputtering surface comprising at least one target having a target surface on.

従来技術 The prior art

基板上に薄層を堆積するためのスパッタコーティング装置及び方法は、当該分野で既に知られている。 Sputter coating apparatus and method for depositing a thin layer on a substrate is already known in the art. 一般に、スパッタコーティング装置は、コーティング材料を供給するための静止した平面ターゲット又は円筒形の回転式ターゲットと、コーティング装置に給電するための電源と、ターゲットのスパッタ表面に面した方向に配置されるコーティング対象である基板とを備える。 In general, sputter coating apparatus, coating disposed a planar target or a cylindrical rotary target stationary for supplying coating material, a power source for supplying power to the coating device, in a direction facing the sputtering surface of the target and a substrate of interest.

コーティング装置のスパッタ速度を上昇させるために、マグネトロンスパッタコーティング装置が導入された。 To increase the sputtering rate of the coating apparatus, a magnetron sputter coating device is introduced. マグネトロンスパッタコーティング装置においては、ターゲットのスパッタ表面上方で磁場を発生させる。 In magnetron sputter coating device generates a magnetic field in the sputtering surface over the target. 磁場によって、イオン密度が上昇した複数のプラズマ閉じ込め区域が画成され、スパッタ速度が上昇する。 By a magnetic field, a plurality of plasma confinement zone ion density is increased is defined, sputtering rate is increased. しかしながら、静磁場を利用する場合、ターゲット表面上のエロージョンプロファイルは不均一となり、その結果、基板上のコーティングが不均一となり、またターゲットの利用率が不良となる。 However, when using a static magnetic field, the erosion profile on the target surface becomes uneven, resulting in a coating on the substrate becomes uneven, also target utilization is poor.

このため、ターゲット表面を走査するための、コーティング処理中に駆動される可動式の磁石が導入された。 Thus, for scanning the target surface, the movable magnets are driven during the coating process has been introduced.

しかしながら、最大電力供給量及びスパッタ速度は、ターゲットの表面温度によって制限されてしまう。 However, the maximum amount of power supply and sputtering rate, is limited by the surface temperature of the target. 高温だとターゲット表面が損傷を受けてしまい、アーク放電等の作用が生じ、ターゲットが使用不能となる場合がある。 Hot but the cause target surface is damaged, resulting action such as arc discharge, there is a case where the target is unavailable.

欧州特許出願第06124060.2号(未公開)(その内容は参照により本願に組み込まれる)は、ターゲット表面と磁石アセンブリとの間の相対速度を大幅に上昇させることによって、ターゲットの表面温度を低下させる方法を開示している。 European Patent Application No. 06124060.2 (unpublished) (the contents of which are incorporated herein by reference), by raising significantly the relative velocity between the target surface and the magnet assembly, reduce the surface temperature of the target It discloses a method for. 驚くべきことに、この方法によって、スパッタ速度を、ターゲット表面を損なうことなく上昇させることができた。 Surprisingly, this method, the sputter rate, could be increased without compromising the target surface.

発明の目的 The purpose of the invention

本発明の目的は、向上した均一性でもって薄膜層を基板上に形成し、それと同時にターゲット表面の温度を低下させ、ターゲット利用率を改善するためのスパッタコーティング装置及びコーティング方法を提供することである。 An object of the present invention, a thin film layer formed on the substrate with a uniformity improved, therewith lowering the temperature of the target surface simultaneously, by providing a sputter coating apparatus and a coating method for improving the target utilization is there.

技術的解決 Technical solutions

この目的は、請求項1に記載のスパッタコーティング装置及び請求項13に記載のスパッタコーティング方法を提供することによって達成される。 This object is achieved by providing a sputter coating method according to sputter coating apparatus and claim 13 according to claim 1. 従属請求項は、本発明の特定の実施形態の構成について言及している。 The dependent claims refer to the configuration of a particular embodiment of the present invention.

層を基板上に堆積するための本発明のスパッタコーティング装置は、スパッタ表面を有する少なくとも1つのターゲットと、このターゲットに相対して移動可能に配置される、ターゲット表面上方に磁場を形成するための複数の磁石ユニットとを備える。 Sputter coating apparatus of the present invention for depositing a layer on a substrate, at least one target having a sputtering surface, the target relative is movably arranged, for forming a magnetic field above the target surface and a plurality of magnet units.

ターゲットに相対して移動する複数の磁石ユニット(即ち、少なくとも2つの磁石ユニットだが、特には3つ以上の磁石ユニット)を取り付けることによって、移動する磁場、ひいては移動するプラズマ閉じ込め区域(例えば、レーストラックの形状)がターゲットのスパッタ表面上方に発生する。 A plurality of magnet units to move relative to the target (i.e., but at least two magnet units, particularly three or more magnet units) by attaching a moving magnetic field, the plasma confinement zone (e.g., racetrack moves thus shape) is generated in the sputtering surface over the target.

複数の磁石ユニットを取り付けることによって、ターゲットのスパッタ表面に供給される平均エネルギー密度を低下させてターゲットの表面温度を低下させることができると判明している。 By mounting a plurality of magnet units, it has been found to be able to lower the surface temperature of the target by reducing the average energy density supplied to the sputter surface of the target. この結果、ターゲットのエロージョンがより均一なものとなり、結果的に基板上に堆積される層の厚さがより均一なものとなる。 As a result, erosion of the target is made more uniform, the thickness of the layer to be consequently deposited on the substrate becomes more uniform. 更に、ターゲット利用率が改善され得る。 Furthermore, target utilization can be improved. 特に、理論値70%〜75%のターゲット利用率を達成することができたが、この値は慣用の平面陰極のターゲット利用率よりはるかに高い。 In particular, it was possible to achieve a target utilization of the theoretical 70% value to 75%, much higher than the target utilization of planar cathodes this value customary. このターゲット利用率の上昇は、磁場の形状及び配向によって、ターゲットのスパッタ表面上でのホットスポット(エロージョンが深い領域)の発達を回避することが可能になるという事実に因る。 This increase in target utilization, the shape and orientation of the magnetic field, due to the fact that it is possible to avoid the development of hot spots on the sputtering surface of the target (region deep erosion). ターゲット利用率は、ターゲット表面の縁付近でさえ極めて均一である。 Target utilization is very uniform even near the edge of the target surface. ターゲット表面に損傷を引き起こす作用(例えば、アーク放電)は、効果的に阻止される。 Action causing damage to the target surface (e.g., arc discharge) is effectively prevented.

本発明の好ましい実施形態においては、複数の磁石ユニットのうちの少なくとも1つの磁石ユニットが、複数の磁石ユニットの少なくとも別の磁石ユニットに相対して移動可能に配置される。 In a preferred embodiment of the present invention, at least one magnet unit of the plurality of magnet units are arranged movably relative to at least another magnet unit of a plurality of magnet units. この結果、その磁石ユニットは少なくとももう1つの磁石ユニットに平行な経路上を、その別の磁石ユニットと同一又は異なる速度でもって同一又は反対方向に、横並び又はずれて移動する。 As a result, the upper path parallel to the magnet unit at least another magnet unit, in the same or opposite direction with its separate magnet unit and the same or different speeds, moving side by side or deviated. このずれは、磁石ユニット間で実質的に一定の又は変動する距離である。 This deviation is substantially constant or varying distances between the magnet units.

特に、複数の磁石ユニットの少なくとも1つの磁石ユニットを、複数の磁石ユニットの少なくとも別の磁石ユニットとは独立して移動可能となるように配置してもよい。 In particular, at least one magnet unit of a plurality of magnet units may be arranged to be movable independently of the at least another magnet unit of a plurality of magnet units. 磁石ユニットの独立した移動とは、磁石ユニットが異なる速度、異なる方向、別々の経路上を移動し、その移動はその他の磁石ユニットによって制限される及び/又はされないことを意味する。 The independent movement was of the magnet units, the speed of the magnet unit are different, to move in different directions, different on the path, the movement means not being the and / or limited by other magnet unit. この移動は同期であっても非同期であってもよい。 This movement may be asynchronous be synchronized. この複数の磁石ユニットの第1群が連動し(例えば、同期して移動する)、その他の磁石ユニットが第1群の磁石ユニットとは独立して移動してもよい。 First group of the plurality of magnet units are linked (e.g., moves synchronously), may move independently of the other magnet unit is the first group of magnet units.

別の好ましい実施形態において、スパッタコーティング装置は、複数の磁石ユニットの磁石ユニットの移動を制御するためのコントロールユニットを備える。 In another preferred embodiment, the sputter coating device comprises a control unit for controlling the movement of the magnet unit of the plurality of magnet units.

特に、ターゲットは平面ターゲットである。 In particular, the target is a flat target. 平面ターゲットは平面のスパッタ表面を有する。 Planar target has a sputtering surface of the plane. 基板上に均一な厚さを有するコーティング層を堆積し且つ良好なターゲット利用率を達成するために、平面スパッタ表面のエロージョンプロファイルは可能な限り均一であることが好ましく、またこれが本発明の成果の1つである。 To achieve and good target utilization depositing a coating layer having a uniform thickness on the substrate is preferably as uniform as possible erosion profile of planar sputtering surface, also this is a result of the present invention which is one.

複数の磁石ユニットは通常、ターゲットのスパッタ表面の反対側に配置される。 The plurality of the magnet unit usually located on the opposite side of the sputtering surface of the target. 即ち、少なくとも2つの磁石ユニットを1つのターゲットの下方に配置することによって磁場をターゲットの反対側の上、即ちターゲットのスパッタ表面上方に発生させる。 That is, to generate a magnetic field by placing at least two magnet units below the one target on the opposite side of the target, i.e., the sputtering surface over the target. これは、多数のターゲットを、分離した磁石ユニットとの間に距離を置いて設置し、磁石ユニットの1つが各ターゲットの下方に配置されることとは異なる。 This multiple targets, placed at a distance between the separate magnet unit differs from the one of the magnet unit is disposed below the respective target.

本発明の好ましい実施形態において、磁石ユニットは、ターゲットの縦軸に沿って及び/又は平行に移動可能に配置される。 In a preferred embodiment of the present invention, the magnet unit is in and / or parallel to movably disposed along the longitudinal axis of the target. ターゲットが平面で矩形のターゲットなら、縦軸は対称軸の1つ、特には長いほうの対称軸である。 If rectangular target target is planar, and the vertical axis one axis of symmetry, in particular a longer axis of symmetry. 縦軸に沿った移動により、ターゲットのスパッタ表面のあるセグメントを走査する場合に、磁石ユニットの移動がより速くなる。 The movement along the longitudinal axis, when scanning a segment of the sputtering surface of the target, the movement of the magnet unit is faster.

本発明の別の好ましい実施形態において、複数の磁石ユニットの磁石ユニットは、実質的に平行な経路上で互いに相対的に移動可能となるように配置される。 In another preferred embodiment of the present invention, the magnet unit of the plurality of magnet units are arranged to be movable relative to each other on substantially parallel paths.

特に、磁石ユニットは、互いに隣接して配置される。 In particular, the magnet units are arranged adjacent to each other. 通常、磁石ユニットは別の磁石ユニットの移動経路に平行な経路上で互いに相対的に移動可能なため、磁石ユニット同士の移動が干渉されることはない。 Usually, since the magnet unit can be moved relative to each other on a path parallel to the path of movement of another magnet unit, does not move between the magnet unit is interference. 一方、磁石ユニットは互いに隣接して配置される。 On the other hand, the magnet unit are arranged adjacent to each other. そのため、第1の磁石ユニットによって発生する磁場は別の又はその他の磁石ユニットによって発生する磁場に、特に磁石ユニットが互いに近接して移動する又はすれ違う場合に干渉する。 Therefore, the magnetic field generated by the first magnet unit caused by another or other of the magnet unit, in particular interfere when or pass each other moving in proximity magnet units to each other.

好ましい実施形態において、ターゲットは複数のターゲットセグメントを有し、複数の磁石ユニットのそれぞれは、それぞれのターゲットセグメントの下方を移動しながらターゲットセグメントを走査するようにと、それぞれのターゲットセグメントの下方に移動可能に配置される。 Move In a preferred embodiment, the target has a plurality of target segments, each of the plurality of magnet units, and to scan the target segment while moving downward of the respective target segments below the respective target segments It is possible arranged. そのため、磁石ユニットはターゲットのスパッタ表面のそれぞれの部位(タブ)を、特にはターゲット表面の全長に沿って走査する。 Therefore, the magnet unit of the respective portions of the sputtering surface of the target (tabs), in particular scans along the entire length of the target surface. 複数の磁石ユニットは、コーティング処理中、ターゲットのスパッタ表面全体を走査する。 A plurality of magnet units during the coating process, to scan the entire sputtering surface of the target. 磁石ユニットは互いに独立して移動し得るという事実により、最適化した(変動)磁場を、特定のコーティング処理について自由度高く計算する及び発生させることができる。 Magnet unit by the fact that they can move independently of each other, were optimized (change) field can be and generated calculates a high degree of freedom for a particular coating process.

スパッタコーティング装置は、陰極を備えていてもよい。 Sputter coating device may comprise a cathode. 陰極は、複数の(即ち、2つ以上の)電気的に独立した陰極セグメントを含み得る。 Cathode, a plurality of (i.e., two or more) may include electrically cathode segments separate. 陰極セグメントは、電気的に互いに絶縁することができる。 Cathode segments can be electrically isolated from each other. 複数の磁石ユニットのそれぞれを、それぞれの陰極セグメントに相対して移動可能に配置することができる。 Each of the plurality of magnet units may be movably arranged relative to each of the cathode segments. 各(実又は仮想)陰極セグメントは、ターゲットセグメントの1つ及び/又は磁石ユニットの1つに割り当てられる。 Each (real or virtual) cathode segment is assigned to one of the one and / or the magnet unit of the target segment.

スパッタコーティング装置は、複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の磁石ユニットを駆動するための駆動部を備え、この駆動部は、磁石ユニットを0.1m/秒を超える速度、特には0.2m/秒、特には0.5m/秒、特には1.0m/秒、特には5.0m/秒で駆動するように構成される。 Sputter coating device comprises a driver for driving the magnet unit of a plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6), the drive unit includes a magnet unit 0.1m / speeds in excess of seconds, especially 0.2 m / sec, especially 0.5 m / sec, especially 1.0 m / sec, in particular configured to drive at 5.0 m / sec.

好ましい実施形態において、スパッタコーティング装置は、複数の磁石ユニットの磁石ユニットを駆動するための駆動部を備え、この駆動部は、磁石ユニットを0.1m/秒を超える速度、特には0.2m/秒、特には0.5m/秒、特には1.0m/秒、特には5.0m/秒で駆動するように構成される。 In a preferred embodiment, the sputter coating device comprises a driver for driving the magnet unit of a plurality of magnet units, the drive unit, speed magnet unit exceeding 0.1m / sec, in particular 0.2 m / sec, especially 0.5 m / sec, especially 1.0 m / sec, in particular configured to drive at 5.0 m / sec. 本発明を実行する最適なやりかたは、ターゲットの縦軸に沿って磁石ユニットを移動させることである。 Best way of carrying out the invention is to move the magnet unit along the longitudinal axis of the target.

本発明のスパッタコーティング方法は、(a)スパッタ表面を有する少なくとも1つのターゲットと、このスパッタ表面上方に磁場を形成するための複数の磁石ユニットとを備えるスパッタコーティング装置を提供し、(b)これら複数の磁石ユニットの少なくとも2つの磁石ユニットをスパッタ表面に相対的に移動させることによってターゲット表面の上方に移動する及び/又は変動する磁場を形成することを含む。 Sputter coating process of the present invention, (a) providing at least one target having a sputtering surface, the sputter coating apparatus comprising a plurality of magnet units to form a magnetic field in the sputter surface upwardly, (b) these and forming a magnetic field that is and / or variation moved above the target surface by relatively moving at least two magnet units of the plurality of magnet units to the sputter surface. 移動する及び/又は変動する磁場は、スパッタ表面に相対しての磁石ユニットの移動及び/又は磁石ユニットの互いに相対した移動によって発生する。 Moving and / or varying magnetic field is generated by movement relative to each other in the moving and / or the magnet unit of the magnet unit relative to the sputtering surface. 磁場は、各磁石ユニットによって発生する磁場の動的な重ね合わせとして発生する。 Magnetic field is generated as a dynamic superposition of the magnetic field generated by each magnet unit.

本発明の好ましい実施形態において、複数の磁石ユニットの少なくとも2つの磁石ユニットは、工程(b)中、互いに相対的に移動させられる。 In a preferred embodiment of the present invention, the at least two magnet units of the plurality of magnet units, in step (b), are moved relative to one another.

特に、工程(b)中、これら少なくとも2つの磁石ユニットの第1の磁石ユニットは、これら少なくとも2つの磁石ユニットの第2の磁石ユニットとは独立して移動させられる。 In particular, during step (b), the first magnet unit of the at least two magnet units is moved independently of the second magnet unit of the at least two magnet units.

特に、処理工程(b)中、磁石ユニットの移動及び/又は速度は制御される。 In particular, during the processing step (b), movement and / or speed of the magnet unit is controlled.

処理工程(a)で提供されるターゲットが平面ターゲットであることが好ましい。 It is preferred targets are provided in process step (a) is a plan targets.

特に、これら少なくとも2つの磁石ユニットは、ターゲットの縦軸に沿って及び/又は平行に移動させられる。 In particular, the at least two magnet units are moved along the longitudinal axis of the target and / or in parallel.

工程(b)中に、これら少なくとも2つの磁石ユニットが互いに平行に移動することが好ましい。 During step (b), it is preferable that the at least two magnet units is parallel to move relative to one another.

好ましい実施形態において、工程(a)において、これら少なくとも2つの磁石ユニットは互いに隣接して配置されるため、それぞれの移動経路に沿って移動する間、これらの磁石ユニットはすれ違い得る。 In a preferred embodiment, in step (a), for the at least two magnet units are arranged adjacent to each other, while moving along the respective movement path, these magnet units may passing.

工程(b)中、これら少なくとも2つの磁石ユニットは、ターゲットのスパッタ表面の全長に亘って走査してもよい。 During step (b), the at least two magnet units may be scanned over the entire length of the sputtering surface of the target.

本発明の好ましい実施形態において、工程(b)中、これら少なくとも2つの磁石ユニットは、ターゲットのスパッタ表面に相対して0.1m/秒を超える速度、特には0.2m/秒、特には0.5m/秒、特には1.0m/秒、特には5.0m/秒で移動する。 In a preferred embodiment of the present invention, in step (b), the at least two magnet units, the speed relative to the sputtering surface of the target exceeds 0.1m / sec, especially 0.2 m / sec, in particular 0 .5m / sec, in particular 1.0m / sec, especially moves at 5.0m / sec.

工程(b)において、これら少なくとも2つの磁石ユニットが、ターゲットのスパッタ表面に相対して、同一又は異なる速度で及び/又は同一又は反対の移動方向で及び/又はこれら少なくとも2つの磁石ユニット間で縦方向に変位して移動することが好ましい。 In the step (b), the the at least two magnet units are vertically between relative to the sputtering surface of the target, the same or different speeds and / or in Oyobi the same or opposite direction of movement of the / or the at least two magnet units it is preferable to move displaced in direction. これは、磁石ユニットが、処理工程(b)中、同期して又は非同期で移動することを意味する。 This magnet unit, in process step (b), means to move synchronously or asynchronously.

同期した移動において、磁石ユニットは、同一速度及び同一移動方向で互いに相対して平行に同期して移動する。 In the mobile synchronized, the magnet unit is moved synchronously in parallel relative to each other at the same speed and the same direction of movement. 即ち、縦方向にずれることなく/変位することなく移動する。 That is, moving without without / displacement being displaced in the vertical direction.

本発明の別の好ましい実施形態において、これら少なくとも2つの磁石ユニットは同一速度及び/又は同一移動方向で移動するが、これら少なくとも2つの隣接する磁石ユニット間には縦方向の変位がある。 In another preferred embodiment of the present invention, but these at least two magnet units move at the same speed and / or the same direction of movement, between these at least two adjacent magnet units have longitudinal displacement. 例えば、磁石ユニットの交互配列がある。 For example, there are alternating arrangement of the magnet unit. 例えば、第1、第2、第3、第4その他の磁石ユニットがターゲットの横方向の広がりに沿って横並びで配置される配列である。 For example, first, second, third, a sequence fourth other magnet units are arranged side by side along a lateral extension of the target. 第1、第3、第5その他の磁石ユニットは、互いに相対して縦方向に変位することなく移動する。 First, third, fifth and other magnet unit is moved without being displaced longitudinally relative to each other. 即ち、同期して移動する。 In other words, to move in synchronization with each other. 第2、第4、第6その他の磁石ユニットは、第1、第3、第5その他の磁石ユニットとターゲット表面の横方向の広がりに沿って交互に配置される。 Second, fourth, sixth and other magnet unit, first, third, are alternately arranged along the lateral extension of the 5 other magnet unit and the target surface. 第2、第4、第6その他の磁石ユニットは、互いに相対して縦方向に変位することなく移動する。 Second, fourth, sixth and other magnet unit is moved without being displaced longitudinally relative to each other. 即ち、同期して移動するが、第1、第3、第5その他の磁石ユニットに相対して縦方向に変位して移動する。 That is, to move in synchronism, the first, third, displaced longitudinally moves relative to the fifth other magnet units.

本発明の別の実施形態において、これら少なくとも2つの磁石ユニットは、その少なくとも2つの磁石ユニット間で異なる速度及び/又は異なる移動方向及び/又は縦方向の変位でもって移動する。 In another embodiment of the present invention, the at least two magnet units move at least two different speeds and between magnet units / or different direction of movement and / or with a longitudinal displacement. これら少なくとも2つの磁石ユニットの移動は、互いに非同期で独立した及び/又は不規則なものであってもよい。 Movement of the at least two magnet units may also be separate and / or irregular ones asynchronously with each other.

特に、磁石の相対移動をターゲットに相対しての比較的高い値を超える速度で行なうと、良好なパフォーマンス、即ち基板上での均一なコーティング及び良好なターゲット利用率が得られる。 In particular, when conducted at speeds in excess of relatively high values ​​of relative relative movement of the magnet to the target, good performance, i.e. uniform coating and good target utilization on the substrate is obtained. 同時に、ターゲットのスパッタ表面での高温の発生(例えば、ホットスポット)、ひいてはターゲットの損傷が防止される。 At the same time, the occurrence of hot sputter surface of the target (e.g., hot spots), is thus prevented damage to the target.

本発明の更なる構成及び利点は、以下の好ましい実施形態の説明及び添付図面から明らかとなる。 Additional features and advantages of the present invention will become apparent from the following preferred embodiments of the description and the accompanying drawings.

慣用のターゲット/磁石アセンブリの概略図である。 It is a schematic view of a conventional target / magnet assembly. 本発明の第1の実施形態によるターゲット/磁石アセンブリの概略図である。 According to a first embodiment of the present invention is a schematic view of a target / magnet assembly. 本発明の第2の実施形態によるターゲット/磁石アセンブリの概略図である。 According to a second embodiment of the present invention is a schematic view of a target / magnet assembly. 本発明の第3の実施形態によるターゲット/磁石アセンブリの概略図である。 According to a third embodiment of the present invention is a schematic view of a target / magnet assembly. 本発明の第4の実施形態によるターゲット/磁石アセンブリの概略図である。 According to a fourth embodiment of the present invention is a schematic view of a target / magnet assembly.

発明の好ましい実施形態の説明 Description of the preferred embodiments of the invention

図1は、慣用のターゲット/磁石アセンブリ1の上面図である。 Figure 1 is a top view of a conventional target / magnet assembly 1. ターゲット/磁石アセンブリ1のスパッタターゲット2は、縦軸x及び横軸yを有する実質的に平面で矩形の表面2´を備える。 Sputter target 2 target / magnet assembly 1 is substantially planar having a longitudinal axis x and transverse axis y comprises a rectangular surface 2 '. ターゲット2のスパッタ表面2´(即ち、基板(図示せず)に面した表面)上方でのプラズマ密度を上昇させるために、磁石アセンブリ3は、ターゲット2の下方に配置される。 Sputter surface 2 'of the target 2 (i.e., the substrate (the surface facing the not shown)) in order to increase the plasma density at the upper magnet assembly 3 is disposed below the target 2. 磁石アセンブリ3は、ターゲット2の縦軸xに沿って延びる。 Magnet assembly 3 extends along the longitudinal axis x of the target 2.

ターゲットに均一なエロージョンをもたらし、ひいては基板上に均一な厚さを有するコーティングを堆積するために、磁石システム3は、コーティング処理中、既定の移動速度uでターゲット2の横軸yに沿って往復移動する。 Target resulted uniform erosion, to deposit a coating having a thus uniform thickness on a substrate, the magnet system 3, during the coating process, reciprocating along a horizontal axis y of the target 2 in the default moving speed u Moving. 磁石システム3はターゲット2の表面2´を走査し、その間、ターゲット2のスパッタ表面2´に面した基板がコーティングされる。 Magnet system 3 scans the surface 2 'of the target 2, while the substrate facing the sputter surface 2' of the target 2 is coated.

しかしながら、ターゲット2のスパッタ表面2´上に形成されるエロージョンプロファイル、ひいては基板上に施されるコーティング層の均一性は不十分である。 However, erosion profile to be formed on sputter surface 2 'of the target 2, the uniformity of the coating layer to be applied to turn on the substrate is insufficient. 更に、ターゲット表面2´上で発生する高温によって、表面2´上に局所的な損傷が(例えば、アーク放電によって)生じ、ターゲットを破壊する場合さえある。 Furthermore, the high temperatures generated on the target surface 2 ', local damage on the surface 2' (e.g., by arc discharge) occurs, even if destroying target.

図2は、本発明による磁石/ターゲットアセンブリ1の上面図及び磁石/ターゲットアセンブリ1の断面図である。 Figure 2 is a top view and a cross-sectional view of a magnet / target assembly 1 of the magnet / target assembly 1 according to the present invention.

磁石/ターゲットアセンブリ1は、横並びに配置された、それぞれがターゲット2の縦軸xに沿って延びる複数の(仮想)セグメント2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6から成るターゲット2を備える。 Magnet / target assembly 1 is disposed side by side, each of the plurality extending along the longitudinal axis x of the target 2 (virtual) segment 2.1,2.2,2.3,2.4,2.5 comprises a target 2 consisting of 2.6. 複数のターゲットセグメント2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6のそれぞれは、それぞれのターゲットセグメントに帰属する磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6を有する。 Each of the plurality of target segments 2.1,2.2,2.3,2.4,2.5,2.6, magnet system 3.1,3.2,3 of their respective target segments. with a 3,3.4,3.5,3.6.

本発明の第1の実施形態において、磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6は、ターゲット2の縦軸xに平行に、それぞれv 、v 、v 、v 、v 、v の0.1m/秒を超える、特には0.2m/秒、特には0.5m/秒の高速で、それぞれのターゲットセグメント2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6をそれぞれ走査しながら移動する。 In a first embodiment of the present invention, the magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 is parallel to the longitudinal axis x of the target 2, respectively v 1 , v 2, v 3, v 4, v 5, v exceeds 0.1m / s 6, in particular 0.2 m / sec, especially in high-speed 0.5 m / sec, each target segment 2.1 moves while scanning the 2.2,2.3,2.4,2.5,2.6 respectively.

磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6は同一方向に横並びで移動し、それぞれのターゲットセグメント2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6に沿って同一速度v =v =v =v =v =v で往復移動する。 Magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 moves side by side in the same direction, each of the target segments 2.1, 2.2, 2.3, It reciprocates at the same speed v 1 = v 2 = v 3 = v 4 = v 5 = v 6 along 2.4,2.5,2.6. 磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6の移動距離lは、ターゲットセグメント2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6の横方向への広がりb 、b 、b 、b 、b 、b よりそれぞれはるかに大きい。 Moving distance l of the magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6, the target segment 2.1,2.2,2.3,2.4,2 spread b 1 in the lateral direction of the .5,2.6, b 2, b 3, b 4, b 5, b much larger respectively than 6.

磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6の高走査速度v 、v 、v 、v 、v 、v が、ターゲット2の利用率を改善し、また平面Aに配置され且つターゲット2のスパッタ表面2´と対向して配置される基板4上に堆積されるコーティング層の良好な均一性をもたらすことが判明している。 High scanning speed of the magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 v 1, v 2, v 3, v 4, v 5, v 6 is the target 2 of improving utilization, also have been found to provide good uniformity of coating layer deposited on a substrate 4 arranged by sputtering surface 2 'and opposite arranged and the target 2 in plane a .

本発明のターゲット/磁石アセンブリ1の第2の実施形態が図3に示される。 A second embodiment of a target / magnet assembly 1 of the present invention is shown in FIG. 磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6は、ターゲットセグメント2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6をそれぞれ走査する間、それぞれが隣接する磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6に相対して互いにずらして配置される。 Magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6, the target segment 2.1,2.2,2.3,2.4,2.5,2 while scanning .6, respectively, are arranged offset from one another relative to the magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6, each adjacent. 特に、第1の磁石システム3.1、第3の磁石システム3.3及び第5の磁石システム3.5は、互いに平行に且つ同期して移動する第1の磁石システム群であり、第2の磁石システム3.2、第4の磁石システム3.4及び第6の磁石システム3.6は、互いに平行して且つ同期して移動する第2の磁石システム群である。 In particular, the first magnet system 3.1, the third magnet system 3.3 and the fifth magnet system 3.5 is a first magnet system group that moves parallel and synchronized to each other, the second the magnet system 3.2, the fourth magnet system 3.4 and the sixth magnet system 3.6 is a second magnet system unit which moves in parallel to and synchronously with each other. 第1、第3及び第5の磁石システム3.1、3.3、3.5は、ターゲット2の横方向yに、第2、第4及び第6の磁石システム3.2、3.4、3.6とそれぞれ交互に配置される。 The first magnet system 3.1,3.3,3.5 third and fifth laterally y of the target 2, the second, fourth and sixth magnet system 3.2,3.4 They are disposed respectively alternately 3.6. 磁石システムの移動経路は、平行に配置される。 The movement path of the magnet system are arranged in parallel. 第1及び第2の磁石システム群3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6は、ターゲット2の縦方向xにずれて配置される。 The first and second magnet system group 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 are arranged offset in the longitudinal direction x of the target 2. 即ち、これらの磁石システムは、2つの磁石システム群の間にターゲット2の縦方向xに距離を置いて配置される。 That is, these magnet system are arranged at a distance in the longitudinal direction x of the target 2 between the two magnet system group.

図4に図示の本発明の別の実施形態において、磁石/ターゲット配列1の磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6は、互いに非同期で移動する。 In another embodiment of the present invention shown in FIG. 4, the magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 magnet / target sequence 1, asynchronously to each other Moving. 即ち、磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6は、コーティング処理中、互いに相対して縦方向にずれて配置される。 That is, the magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 during the coating process, are arranged offset in the vertical direction relative to each other. 磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6間の距離は、コーティング処理中、異なり且つ変化し得る。 The distance between the magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 during the coating process may vary different and. 移動速度及び方向も異なり得る。 Moving speed and direction may differ.

本発明の別の実施形態が図5に示される。 Another embodiment of the present invention is shown in FIG. 磁石/ターゲットアセンブリ1は、互いに平行に実質的に同一方向に移動する磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6を備え、第1の磁石システム群3.1、3.3、3.5と第2の磁石システム群3.2、3.4、3.6とは縦方向に少しずれている。 Magnet / target assembly 1 comprises a magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 moving in substantially the same direction in parallel to each other, the first magnet system group 3.1,3.3,3.5 that deviates slightly in the vertical direction and the second magnet system group 3.2,3.4,3.6. しかしながら、第1の磁石システム群3.1、3.3、3.5及び第2の磁石システム群3.2、3.4、3.6は、互いに(また、ターゲット2の縦軸xに)平行に反対方向に移動することも可能である。 However, the first magnet system group 3.1,3.3,3.5 and second magnet system group 3.2,3.4,3.6 are each (also the longitudinal axis x of the target 2 ) can be moved in opposite directions in parallel.

本発明によって、ターゲットの利用率が改善され得る。 The present invention, the target utilization can be improved. 磁石システム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6は縦軸xに平行に移動し、ターゲット2の長さlに亘って走査する。 Magnet system 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 moves parallel to the vertical axis x, is scanned over the length l of the target 2. ターゲット2の横方向の広がりb(b≦l)に沿って互いに横方向にずれて配置されるターゲットシステム3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6の独立した移動によって、磁場を最適化して、ターゲット2上でのホットスポット(エロージョンが深い領域)の形成を回避することができる。 Target systems are arranged laterally offset from each other along the lateral extension b of the target 2 (b ≦ l) 3.1,3.2,3.3,3.4,3.5,3.6 of the independent movement was, to optimize the magnetic field, it is possible to avoid the formation of hot spots on the target 2 (region deep erosion). 更に、基板4上に堆積されるコーティング層の厚さの均一性は、適切な形状及び配向の磁場を選択し発生させることによって制御することができる。 Further, thickness uniformity of the coating layer deposited on the substrate 4 can be controlled by selecting the magnetic field of a suitable shape and orientation occurred. 従って、ターゲット2は、ターゲット2の縁付近でさえ均等な比率で使用/エロードされる。 Accordingly, the target 2 is used / eroded in equal proportions even near the edge of the target 2. この結果、基板4上のコーティング層の厚さのプロファイルが均一になる。 As a result, the profile of the thickness of the coating layer on the substrate 4 is uniform.

本発明は、固定式コーティング処理(コーティング処理中、ターゲット2に相対して基板4は固定して配置される)又は動的コーティング処理(コーティング処理中、ターゲット2に相対して基板が移動させられる)に応用することができる。 The present invention (during the coating process, the substrate 4 relative to the target 2 is fixed to disposed to) fixed coating treatment is in or dynamic coating process (coating process, by moving the substrate relative to the target 2 it can be applied to).

Claims (23)

  1. スパッタ表面(2´)を有する少なくとも1つのターゲット(2)を備える、基板(4)上にコーティング層を堆積するためのスパッタコーティング装置において、 Comprises a sputtering surface (2 ') at least one target (2) having, in the sputter coating apparatus for depositing a coating layer on the substrate (4),
    前記スパッタコーティング装置が、前記ターゲット表面(2´)上方に磁場を形成するための、前記ターゲット(2)に相対して移動可能に配置される複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)を備えることを特徴とする装置。 The sputter coating device, said target surface (2 ') for forming a magnetic field above, a plurality of magnet units that are movably arranged relative to said target (2) (3.1, 3.2, ..., device characterized in that it comprises 3.6).
  2. 前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の少なくとも1つの磁石ユニットが、前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の少なくとも別の磁石ユニットに相対して移動可能に配置されることを特徴とする請求項1記載の装置。 Wherein the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) of at least one magnet unit, the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) the apparatus of claim 1, wherein the movably arranged relative to at least another magnet unit of.
  3. 前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の少なくとも1つの磁石ユニットが、前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の少なくとも別の磁石ユニットとは独立して移動可能に配置されることを特徴とする請求項1又は2記載の装置。 Wherein the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) of at least one magnet unit, the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) at least another apparatus according to claim 1 or 2, wherein the movably arranged independently of the magnet unit of.
  4. 前記スパッタコーティング装置が、前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の磁石ユニットの移動を制御するためのコントロールユニットを備えることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 The sputter coating device, the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) preceding claims, characterized in that it comprises a control unit for controlling the movement of the magnet unit of apparatus according to any one of.
  5. 前記ターゲット(2)が平面ターゲットであることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 It said target (2) The apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that a plane target.
  6. 前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)が、前記ターゲット(2)のスパッタ表面(2´)とは反対側に配置されることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 Wherein the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) is, prior to the sputtering surface of the target (2) (2 ') and being disposed on the opposite side the apparatus of any one of claims.
  7. 前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の磁石ユニットが、前記ターゲット(2)の縦軸(x)に沿って及び/又は平行に移動可能に配置されることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 Wherein the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) magnet units are arranged in and / or parallel to movable along the longitudinal axis (x) of the target (2) apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in Rukoto.
  8. 前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の磁石ユニットが、実質的に平行な経路上を互いに相対して移動可能に配置されることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 Prior to said plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) is the magnet units, characterized in that it is arranged to be movable relative to the upper substantially parallel paths to each other apparatus according to any one of claims.
  9. 前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の磁石ユニットが、互いに隣接して配置されることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 Wherein the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) of the magnet unit, apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that disposed adjacent to each other .
  10. 前記ターゲット(2)が複数のターゲットセグメント(2.1、2.2・・・、2.6)を有し、前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)のそれぞれが、前記ターゲットセグメント(2.1、2.2・・・、2.6)のそれぞれの下方を移動しながら前記ターゲットセグメントを走査するように、それぞれのターゲットセグメントの下方に移動可能に配置されることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 Said target (2) is a plurality of target segments (2.1, 2.2, ..., 2.6) has a plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6 each of) the target segment (2.1, 2.2 ..., to scan the target segment while moving each of the lower 2.6), movable below the respective target segments apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that disposed.
  11. 前記スパッタコーティング装置が陰極を備え、前記陰極が複数の電気的に独立した陰極セグメントを含むことを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 The sputter coating device comprises a cathode, apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that it comprises a cathode segments the cathode has a plurality of electrically independent.
  12. 前記スパッタコーティング装置が、前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の磁石ユニットを駆動するための駆動部を備え、前記駆動部が前記磁石ユニットを0.1m/秒を超える速度、特には0.2m/秒、特には0.5m/秒、特には1.0m/秒、特には5.0m/秒で駆動するように構成されることを特徴とする先行の請求項のいずれか1項記載の装置。 The sputter coating device, the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) comprises a driver for driving the magnet unit of the drive unit is the magnet unit 0. rates in excess of 1 m / sec, especially 0.2 m / sec, especially 0.5 m / sec, especially 1.0 m / sec, particularly the feature that it is configured to drive at 5.0 m / sec apparatus according to any one of the preceding claims to be.
  13. (a)スパッタ表面(2´)を有する少なくとも1つのターゲット(2)と、前記ターゲット(2)のスパッタ表面(2´)上方に磁場を形成するための複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)とを備えるスパッタコーティング装置を提供し、 (A) sputter surface (2 ') and at least one target having a (2), sputter surface (2') a plurality of magnet units to form a magnetic field above the target (2) (3.1,3 .2., provides a sputter coating apparatus comprising a 3.6) and,
    (b)前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の少なくとも2つの磁石ユニットを前記スパッタ表面(2´)に相対的に移動させることによって前記スパッタ表面(2´)の上方に移動/変動する磁場を形成する工程を含むコーティング方法。 (B) said plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) the sputter surface by relatively moving at least two magnet units of said sputter surface (2 ') ( coating method comprising the steps of forming a magnetic field that moves / change over the 2 ').
  14. 工程(b)中、前記複数の磁石ユニット(3.1、3.2・・・、3.6)の少なくとも2つの磁石ユニットを互いに相対的に移動させることを特徴とする請求項13記載の方法。 During step (b), the plurality of magnet units (3.1, 3.2, ..., 3.6) of claim 13 wherein the relatively moving to each other at least two magnet units of Method.
  15. 工程(b)中、前記少なくとも2つの磁石ユニットの第1の磁石ユニットを、前記少なくとも2つの磁石ユニットの第2の磁石ユニットとは独立して移動させることを特徴とする請求項13又は14記載の方法。 During step (b), said at least a first magnet unit of the two magnet units, the at least two independently claim 13 or 14, wherein the moving and the second magnet unit of the magnet unit the method of.
  16. 工程(b)中、前記磁石ユニットの移動及び/又は速度を制御することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項記載の方法。 During step (b), any one method according to claim 13 to 15, characterized in that to control the movement and / or speed of the magnet unit.
  17. 工程(a)において、平面ターゲット(2)を提供することを特徴とする請求項13〜16のいずれか1項記載の方法。 In step (a), the any one method of claims 13 to 16, characterized in that to provide a planar target (2).
  18. 工程(b)中、前記ターゲット(2)の縦軸(x)に沿って及び/又は平行に少なくとも2つの磁石ユニットを移動させることを特徴とする請求項13〜17のいずれか1項記載の方法。 During step (b), the target longitudinal axis of any one of claims 13 to 17, wherein along and / or parallel to moving at least two magnet units (x) of (2) Method.
  19. 工程(b)中、少なくとも2つの磁石ユニットを互いに平行に移動させることを特徴とする請求項13〜18のいずれか1項記載の方法。 During step (b), the method of any one of claims 13 to 18, characterized in that moving parallel to each other at least two magnet units.
  20. 工程(a)において、少なくとも2つの磁石ユニットを互いに隣接して配置することによって、工程(b)においてこれら2つの磁石ユニットが、それぞれの移動経路に沿って移動しながらすれ違うことを特徴とする請求項13〜19のいずれか1項記載の方法。 In step (a), the by arranging adjacent to each other at least two magnet units, the two magnet units in step (b), characterized in that pass each other while moving along the respective movement path according any one method according to claim 13 to 19.
  21. 工程(b)において、前記少なくとも2つの磁石ユニットが、前記ターゲット(2)のスパッタ表面(2´)の全長(l)に亘って走査することを特徴とする請求項13〜20のいずれか1項記載の方法。 In the step (b), the at least two magnet units are any of claims 13 to 20, characterized in that the scanning over the entire length (l) of the sputter surface of the target (2) (2 ') 1 the method of claim wherein.
  22. 工程(b)中、前記少なくとも2つの磁石ユニットが、前記ターゲット(2)のスパッタ表面(2´)に相対して0.1m/秒を超える速度、特には0.2m/秒、特には0.5m/秒、特には1.0m/秒、特には5.0m/秒で移動することを特徴とする請求項13〜21のいずれか1項記載の方法。 During step (b), the at least two magnet units is, speeds in excess of 0.1m / sec relative to the sputtering surface (2 ') of the target (2), particularly 0.2 m / sec, in particular 0 .5M / sec, especially 1.0 m / sec, in particular any one method of claims 13 to 21, characterized in that moving at 5.0 m / sec.
  23. 工程(b)中、前記少なくとも2つの磁石ユニットが、前記ターゲット(2)のスパッタ表面(2´)に相対して、同一又は異なる速度で及び/又は同一又は反対の移動方向で及び/又は前記少なくとも2つの磁石ユニット間で縦方向に変位して移動することを特徴とする請求項13〜22のいずれか1項記載の方法。 During step (b), the at least two magnet units are relative to the sputter surface of the target (2) (2 '), the same or different rates and / or Oyobi the same or opposite direction of movement of / or the any one method of claims 13 to 22, characterized in that to move displaced longitudinally between at least two magnet units.
JP2010532517A 2007-11-07 2008-07-04 Sputter coating apparatus and a coating method Ceased JP2011503351A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20070120166 EP2058836A1 (en) 2007-11-07 2007-11-07 Sputter coating device and coating method
US11936586 US20090114528A1 (en) 2007-11-07 2007-11-07 Sputter coating device and coating method
PCT/EP2008/058654 WO2009059817A1 (en) 2007-11-07 2008-07-04 Sputter coating device and coating method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011503351A true true JP2011503351A (en) 2011-01-27

Family

ID=40129233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010532517A Ceased JP2011503351A (en) 2007-11-07 2008-07-04 Sputter coating apparatus and a coating method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2011503351A (en)
KR (1) KR20100102101A (en)
CN (1) CN101878514B (en)
WO (1) WO2009059817A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016513096A (en) * 2013-02-07 2016-05-12 エルジー・ケム・リミテッド Heterocyclic compounds and organic light-emitting device using the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534523B (en) * 2010-12-15 2013-12-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Magnetron source, magnetron sputtering device and magnetron sputtering method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1025572A (en) * 1996-07-11 1998-01-27 Hitachi Ltd Magnetron sputtering system
JPH1096078A (en) * 1996-07-19 1998-04-14 Applied Komatsu Technol Inc Non planar magnet tracking during magnetron sputtering
JP2000192239A (en) * 1998-12-22 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering method and sputtering device
JP2004346388A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Ulvac Japan Ltd Sputtering source, sputtering apparatus and sputtering method
WO2006132806A2 (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Applied Materials, Inc. Multiple scanning magnetrons

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458759A (en) * 1991-08-02 1995-10-17 Anelva Corporation Magnetron sputtering cathode apparatus
JP2000104167A (en) * 1998-09-29 2000-04-11 Sharp Corp Magnetron sputtering device
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1025572A (en) * 1996-07-11 1998-01-27 Hitachi Ltd Magnetron sputtering system
JPH1096078A (en) * 1996-07-19 1998-04-14 Applied Komatsu Technol Inc Non planar magnet tracking during magnetron sputtering
JP2000192239A (en) * 1998-12-22 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering method and sputtering device
JP2004346388A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Ulvac Japan Ltd Sputtering source, sputtering apparatus and sputtering method
WO2006132806A2 (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Applied Materials, Inc. Multiple scanning magnetrons

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016513096A (en) * 2013-02-07 2016-05-12 エルジー・ケム・リミテッド Heterocyclic compounds and organic light-emitting device using the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
CN101878514B (en) 2012-07-04 grant
CN101878514A (en) 2010-11-03 application
WO2009059817A1 (en) 2009-05-14 application
KR20100102101A (en) 2010-09-20 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6488824B1 (en) Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US5415753A (en) Stationary aperture plate for reactive sputter deposition
US6171659B1 (en) Process for the formation of a coating on a substrate and device for the use this process
US6001432A (en) Apparatus for forming films on a substrate
US6244212B1 (en) Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
US5855744A (en) Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering
US6258217B1 (en) Rotating magnet array and sputter source
US5487821A (en) Anode structure for magnetron sputtering systems
KR20080044775A (en) Evaporation source and vacuum evaporator using the same
WO1992001081A1 (en) Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films
US6506290B1 (en) Sputtering apparatus with magnetron device
US5616225A (en) Use of multiple anodes in a magnetron for improving the uniformity of its plasma
US6093293A (en) Magnetron sputtering source
JP2002529600A (en) Sputtering apparatus and method for high-rate coating
JP2006002226A (en) Vapor deposition apparatus
EP0858095A2 (en) Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering
JPH11229132A (en) Sputter film forming device and sputter film forming method
EP0278494A2 (en) Hollow cathode gun and deposition device for ion plating process
US20050145488A1 (en) Tube magnetron
US20050252768A1 (en) Coater with a large-area assembly of rotatable magnetrons
US4488956A (en) High-power cathode system for producing multilayers
US20090277779A1 (en) Magnetic field generating apparatus, magnetic field generating method, sputtering apparatus, and method of manufacturing device
JP2000192239A (en) Sputtering method and sputtering device
US4652357A (en) Apparatus for and a method of modifying the properties of a material
JP2003109908A (en) Device and method for plasma treatment, substrate, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130319

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130610

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130617

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130718

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130725

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130818

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130826

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130919

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140513

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140805

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140812

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140912

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140922

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141010

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141020

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141216

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150324

A045 Written measure of dismissal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20150728