JP2011211424A - Millimeter-wave transmitter/receiver - Google Patents

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明浩 竜田
Yuji Oue
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform heat release and expand a millimeter-wave communication area.SOLUTION: A millimeter-wave transmitter/receiver 100 has a millimeter-wave communication IC 3 which transmits and receives a millimeter-wave signal 11 using a first antenna 4 formed on the surface, a printed wiring board 2 on which the millimeter-wave communication IC 3 is mounted, a heat sink 5 which is connected to the millimeter-wave communication IC 3 and performs heat release of the millimeter-wave communication IC 3, and a second antenna 6 formed in the heat sink 5. In addition, the millimeter-wave communication IC 3 transmits and receives a millimeter-wave signal 12 using the second antenna 6.

Description

本発明は、ミリ波送受信機に関し、特にアンテナ一体型のミリ波通信ＩＣを実装したミリ波送受信機に関する。   The present invention relates to a millimeter wave transceiver, and more particularly to a millimeter wave transceiver mounted with an antenna integrated millimeter wave communication IC.

近年、非圧縮のＡＶ（Ａｕｄｉｏ Ｖｉｓｕａｌ）データ（例えば、ＨＤＭＩ（Ｈｉｇｈ−Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）信号）の無線伝送、及び携帯機器にＡＶデータを高速ダウンロードするなどの要望が高まっている。このため、Ｇｂｐｓオーダーの伝送が可能なミリ波通信が注目されている。   In recent years, there has been a growing demand for wireless transmission of uncompressed AV (Audio Visual) data (for example, High-Definition Multimedia Interface (HDMI) signal) and high-speed downloading of AV data to portable devices. For this reason, millimeter-wave communication capable of Gbps order transmission has attracted attention.

一方では、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）技術を利用したミリ波チップが試作されている。具体的には、ＣＭＯＳトランジスタの設計ルールの微細化が進展したことにより、ＣＭＯＳ技術を用いたチップで、６０ＧＨｚ帯などのミリ波信号処理が行えるようになってきている。これにより、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路とアンテナ素子とを１チップに集積できる。   On the other hand, a millimeter wave chip using a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) technology has been prototyped. Specifically, with the progress of miniaturization of CMOS transistor design rules, millimeter wave signal processing such as 60 GHz band can be performed with a chip using CMOS technology. Thereby, an RF (Radio Frequency) circuit and an antenna element can be integrated on one chip.

図６は、このようなアンテナ素子一体型の半導体ＩＣを含むミリ波送受信機３０の構成を示す図である。以下、図６を参照しながら、従来のミリ波送受信機３０について説明する。   FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a millimeter wave transceiver 30 including such an antenna element integrated semiconductor IC. Hereinafter, a conventional millimeter wave transceiver 30 will be described with reference to FIG.

図６に示すミリ波送受信機３０は、多層基板３１と、フリップチップバンプ３５と、アンダーフィル３６、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）ボール３７と、プリント基板３８、金属平坦部４０とを含む。   A millimeter wave transceiver 30 shown in FIG. 6 includes a multilayer substrate 31, flip chip bumps 35, underfill 36, BGA (Ball Grid Array) balls 37, a printed circuit board 38, and a metal flat part 40.

ＡＶ機器の筐体の内部にプリント基板３８が固定される。プリント基板３８にはＢＧＡボール３７を使用して多層基板３１が実装される。   A printed circuit board 38 is fixed inside the housing of the AV device. A multilayer board 31 is mounted on the printed board 38 using BGA balls 37.

多層基板３１は表面にアンテナアレイ３３を、裏面にＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）３４をそれぞれ備える。また、多層基板３１の内層には伝送線路３２が形成されている。   The multilayer substrate 31 includes an antenna array 33 on the front surface and an MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) 34 on the back surface. A transmission line 32 is formed on the inner layer of the multilayer substrate 31.

ＭＭＩＣ３４はフリップチップバンプ３５及びアンダーフィル３６を使用して多層基板３１に取り付けられる。また、伝送線路３２は、フリップチップバンプ３５及びＢＧＡボール３７の各端子から入出力される信号を伝送する。   The MMIC 34 is attached to the multilayer substrate 31 using flip chip bumps 35 and underfill 36. The transmission line 32 transmits signals input / output from the terminals of the flip chip bump 35 and the BGA ball 37.

アンテナアレイ３３は複数のパッチアンテナから成り、全体として二次元アレイを構成する。ＭＭＩＣ３４は、このアンテナアレイ３３に入出力するミリ波信号の位相を変化させることにより放射パターンを変化させて、他のミリ波通信機能を有するＡＶ機器との間で映像音声信号及び関連する制御信号などを無線通信することができる。   The antenna array 33 includes a plurality of patch antennas, and constitutes a two-dimensional array as a whole. The MMIC 34 changes the radiation pattern by changing the phase of the millimeter wave signal input / output to / from the antenna array 33, and the video / audio signal and the related control signal are exchanged with other AV equipment having a millimeter wave communication function. Etc. can be wirelessly communicated.

また、ＭＭＩＣ３４の裏面には金属平坦部４０が取り付けられている。また、プリント基板３８にはＭＭＩＣ３４のサイズよりも大きい切り込み３９が設けられている。これにより、ヒートシンクなどを使用して金属平坦部４０を介してＭＭＩＣ３４を放熱させることができる。   A metal flat portion 40 is attached to the back surface of the MMIC 34. Further, the printed circuit board 38 is provided with a notch 39 larger than the size of the MMIC 34. Thereby, the MMIC 34 can be dissipated through the metal flat portion 40 using a heat sink or the like.

ミリ波送受信機３０にこのようなアンテナ素子一体型のミリ波通信ＩＣを使用することにより、複数のＡＶ機器間で映像音声信号及び関連する制御信号などを無線伝送することができる。また、アンテナ素子一体型のミリ波通信ＩＣについては例えば特許文献１に示されている。   By using such an antenna element integrated millimeter wave communication IC for the millimeter wave transceiver 30, it is possible to wirelessly transmit video and audio signals and related control signals between a plurality of AV devices. An antenna element integrated millimeter-wave communication IC is disclosed in Patent Document 1, for example.

米国特許出願公開第２００８／０２９１１１５号明細書US Patent Application Publication No. 2008/0291115

しかしながら上記のミリ波送受信機は、多層基板の片側（表面側）にだけにアンテナアレイが実装されているためにミリ波信号を放射又は入射させる方向が多層基板の片側（表面側）だけに限定されるという課題を有していた。また、上記のミリ波送受信機は、ＭＭＩＣの放熱方法に関しては明確でないといった課題を有していた。   However, since the above-mentioned millimeter wave transmitter / receiver has the antenna array mounted only on one side (surface side) of the multilayer substrate, the direction in which the millimeter wave signal is radiated or incident is limited to only one side (surface side) of the multilayer substrate. Had the problem of being done. In addition, the above-described millimeter wave transceiver has a problem that it is not clear as to the heat dissipation method of the MMIC.

本発明は上記問題点に鑑み、放熱とミリ波通信エリアの拡大とを実現できるミリ波送受信機を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the millimeter wave transmitter / receiver which can implement | achieve heat dissipation and expansion of a millimeter wave communication area in view of the said problem.

上記問題点を解決するために本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、表面に第１のアンテナが形成され、当該第１のアンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信するミリ波通信ＩＣと、前記ミリ波通信ＩＣが実装されたプリント基板と、前記ミリ波通信ＩＣに接続され、前記ミリ波通信ＩＣの放熱を行うために設けられたヒートシンクと、前記ヒートシンクに形成された第２のアンテナとを備え、前記ミリ波通信ＩＣは、さらに、前記第２のアンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信する。   In order to solve the above problem, a millimeter wave transceiver according to an embodiment of the present invention includes a millimeter wave communication in which a first antenna is formed on a surface, and a millimeter wave signal is transmitted and received using the first antenna. An IC, a printed circuit board on which the millimeter wave communication IC is mounted, a heat sink connected to the millimeter wave communication IC and provided to dissipate the millimeter wave communication IC, and a second formed on the heat sink. The millimeter wave communication IC further transmits and receives a millimeter wave signal using the second antenna.

この構成によれば、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、第１のアンテナからミリ波通信ＩＣの表面側にミリ波信号を放射及び入射できるとともに、第２のアンテナからミリ波信号を放射及び入射できる。これにより、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ミリ波通信エリアを拡大できる。   According to this configuration, the millimeter wave transceiver according to one aspect of the present invention can radiate and enter a millimeter wave signal from the first antenna to the surface side of the millimeter wave communication IC, and can also transmit the millimeter wave signal from the second antenna. Can be emitted and incident. Thereby, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can expand the millimeter wave communication area.

さらに、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ヒートシンクを使用してミリ波通信ＩＣの放熱を行うことができる。また、ヒートシンクの一部を使用して第２のアンテナが形成されることにより、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、コストの増加を抑制しつつ、ミリ波通信エリアの拡大と、ミリ波通信ＩＣの放熱とを両立できる。   Furthermore, the millimeter wave transceiver according to one embodiment of the present invention can dissipate the millimeter wave communication IC using a heat sink. In addition, by forming the second antenna using a part of the heat sink, the millimeter wave transceiver according to one embodiment of the present invention is capable of expanding the millimeter wave communication area while suppressing an increase in cost. Both heat dissipation of millimeter wave communication ICs can be achieved.

また、前記第２のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向は、前記第１のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向と異なってもよい。   In addition, the radiation direction and the incident direction of the millimeter wave signal of the second antenna may be different from the radiation direction and the incident direction of the millimeter wave signal of the first antenna.

この構成によれば、第１のアンテナと第２のアンテナとの放射方向及び入射方向は互いに補い合うことになるので、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、全体としてミリ波通信エリアを拡大できる。   According to this configuration, since the radiation direction and the incident direction of the first antenna and the second antenna complement each other, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention has a millimeter wave communication area as a whole. Can be expanded.

また、前記第１のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向は、前記ミリ波通信ＩＣの表面側であり、前記第２のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向は、前記ミリ波通信ＩＣの裏面側であってもよい。   Also, the radiation direction and the incident direction of the millimeter wave signal of the first antenna are on the surface side of the millimeter wave communication IC, and the radiation direction and the incident direction of the millimeter wave signal of the second antenna are the millimeter wave. It may be the back side of the communication IC.

この構成によれば、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、第１のアンテナからミリ波通信ＩＣの表面側にミリ波信号を放射及び入射できるとともに、第２のアンテナからミリ波通信ＩＣミリ波信号を放射及び入射できる。これにより、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ミリ波通信エリアを拡大できる。   According to this configuration, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can radiate and enter a millimeter wave signal from the first antenna to the surface side of the millimeter wave communication IC, and can perform millimeter wave communication from the second antenna. IC millimeter wave signals can be emitted and incident. Thereby, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can expand the millimeter wave communication area.

また、前記第１のアンテナは、全体として二次元アレイを構成する複数のパッチアンテナを含み、前記ミリ波通信ＩＣは、前記第１のアンテナに入出力するミリ波信号の位相を変化させることにより放射パターンを変化させてもよい。   The first antenna includes a plurality of patch antennas that form a two-dimensional array as a whole, and the millimeter wave communication IC changes a phase of a millimeter wave signal input to and output from the first antenna. The radiation pattern may be changed.

この構成によれば、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ミリ波信号の放射パターンを変更できる。   According to this configuration, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can change the radiation pattern of the millimeter wave signal.

また、前記ミリ波通信ＩＣは、裏面を接続面として前記プリント基板の表面に実装され、前記ヒートシンクは、前記プリント基板の裏面側に形成されている第１の部分と、前記ミリ波通信ＩＣと前記第１の部分とを接続する第２の部分とを含み、前記第２のアンテナは、前記第１の部分の一部を用いて形成されていてもよい。   The millimeter wave communication IC is mounted on the front surface of the printed circuit board with a back surface as a connection surface, and the heat sink is formed on the back surface side of the printed circuit board, the millimeter wave communication IC, A second portion connecting the first portion, and the second antenna may be formed using a part of the first portion.

また、前記ヒートシンクは、さらに、前記ミリ波通信ＩＣと前記第１の部分とを接続する第３の部分を含み、前記第２のアンテナは、前記第３の部分と、当該第３の部分に接する前記第１の部分とを用いて形成されていてもよい。   The heat sink further includes a third portion that connects the millimeter wave communication IC and the first portion, and the second antenna is connected to the third portion and the third portion. You may form using the said 1st part which touches.

また、前記プリント基板には、さらに、前記プリント基板を貫通する貫通孔が形成されており、前記第３の部分は、前記貫通孔を貫通してもよい。   The printed board may further include a through hole penetrating the printed board, and the third portion may penetrate the through hole.

また、前記第２のアンテナは、前記ミリ波通信ＩＣの側面に接続されていてもよい。
また、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、表面に第１のアンテナが形成され、裏面に第２のアンテナが形成され、当該第１のアンテナ及び当該第２のアンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信するミリ波通信ＩＣと、前記ミリ波通信ＩＣが実装されたプリント基板と、前記ミリ波通信ＩＣに接続され、前記ミリ波通信ＩＣの放熱を行うために設けられたヒートシンクとを備える。 The second antenna may be connected to a side surface of the millimeter wave communication IC.
In addition, in the millimeter wave transceiver according to one embodiment of the present invention, the first antenna is formed on the front surface, the second antenna is formed on the rear surface, and the millimeter is transmitted using the first antenna and the second antenna. Millimeter-wave communication IC for transmitting and receiving wave signals, a printed circuit board on which the millimeter-wave communication IC is mounted, and a heat sink connected to the millimeter-wave communication IC and provided to dissipate the millimeter-wave communication IC With.

この構成によれば、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、第１のアンテナからミリ波通信ＩＣの表面側にミリ波信号を放射及び入射できるとともに、第３のアンテナからミリ波通信ＩＣの裏面側にミリ波信号を放射及び入射できる。これにより、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ミリ波通信エリアを拡大できる。   According to this configuration, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can radiate and enter a millimeter wave signal from the first antenna to the surface side of the millimeter wave communication IC, and can perform millimeter wave communication from the third antenna. A millimeter wave signal can be emitted and incident on the back side of the IC. Thereby, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can expand the millimeter wave communication area.

さらに、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ヒートシンクを使用してミリ波通信ＩＣの放熱を行うことができる。このように、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ミリ波通信エリアの拡大と、ミリ波通信ＩＣの放熱とを両立できる。   Furthermore, the millimeter wave transceiver according to one embodiment of the present invention can dissipate the millimeter wave communication IC using a heat sink. Thus, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can achieve both expansion of the millimeter wave communication area and heat dissipation of the millimeter wave communication IC.

また、前記ヒートシンクには、当該ヒートシンクを貫通する電波入出力口が形成されており、前記第２のアンテナは、前記電波入出力口を介して、ミリ波信号を放射及び受信してもよい。   The heat sink may be formed with a radio wave input / output port penetrating the heat sink, and the second antenna may radiate and receive a millimeter wave signal through the radio wave input / output port.

この構成によれば、本発明の一形態に係るミリ波送受信機では、ヒートシンクの一部にミリ波信号が通る電波入出力口が形成される。これにより、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ミリ波通信エリアの拡大と、ミリ波通信の放熱とを両立できる。   According to this configuration, in the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention, the radio wave input / output port through which the millimeter wave signal passes is formed in a part of the heat sink. Thereby, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can achieve both expansion of the millimeter wave communication area and heat dissipation of millimeter wave communication.

また、前記ミリ波通信ＩＣは、裏面を接続面として前記プリント基板の表面に実装され、前記プリント基板には、前記ミリ波通信ＩＣと重なる領域の少なくとも一部に、当該プリント基板を貫通する貫通領域が形成されており、前記ヒートシンクは、前記プリント基板の裏面側に形成されている第１の部分と、前記貫通領域を介して、前記ミリ波通信ＩＣの裏面と前記第１の部分とを接続する第２の部分とを含み、前記電波入出力口は、前記第１の部分に形成されており、前記第２のアンテナは、前記貫通領域及び前記電波入出力口を介して、ミリ波信号を放射及び受信してもよい。   The millimeter wave communication IC is mounted on the surface of the printed circuit board with a back surface as a connection surface, and the printed circuit board penetrates at least part of a region overlapping the millimeter wave communication IC. An area is formed, and the heat sink includes a first portion formed on a back surface side of the printed circuit board, and a back surface of the millimeter wave communication IC and the first portion through the through region. And the radio wave input / output port is formed in the first portion, and the second antenna is connected to the millimeter wave via the penetration region and the radio wave input / output port. The signal may be emitted and received.

また、表面にアンテナが形成され、当該アンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信するミリ波通信ＩＣと、前記ミリ波通信ＩＣが実装されたプリント基板と、前記ミリ波通信ＩＣに接続され、前記ミリ波通信ＩＣの放熱を行うために設けられたヒートシンクと、前記ヒートシンクに接続され、前記ヒートシンクの放熱を行うためのマグネットとを備える。   In addition, an antenna is formed on the surface, a millimeter wave communication IC that transmits and receives a millimeter wave signal using the antenna, a printed circuit board on which the millimeter wave communication IC is mounted, and connected to the millimeter wave communication IC, A heat sink provided to radiate heat from the millimeter wave communication IC; and a magnet connected to the heat sink to radiate heat from the heat sink.

この構成によれば、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、例えば、ヒートシンクとＡＶ機器の筐体とをマグネットの磁力によって接合させることにより、当該ミリ波送受信機をミリ波通信ＩＣの実装面と平行方向を軸として回転させることができる。これにより、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、第１のアンテナからミリ波信号が放射及び入射される方向を変化させることにより、ミリ波通信エリアを拡大できる。   According to this configuration, the millimeter wave transmitter / receiver according to an aspect of the present invention, for example, connects the heat sink and the housing of the AV device by the magnetic force of the magnet, thereby connecting the millimeter wave transmitter / receiver of the millimeter wave communication IC. It can be rotated about a direction parallel to the mounting surface. Accordingly, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can expand the millimeter wave communication area by changing the direction in which the millimeter wave signal is radiated and incident from the first antenna.

さらに、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、例えば、ヒートシンク及びマグネットを使用してＡＶ機器の筐体にミリ波通信の熱を放熱させることができる。このように、本発明の一形態に係るミリ波送受信機は、ミリ波通信エリアの拡大と、ミリ波通信ＩＣの放熱とを両立できる。   Furthermore, the millimeter wave transmitter / receiver according to an aspect of the present invention can dissipate heat of millimeter wave communication to the housing of the AV device using, for example, a heat sink and a magnet. Thus, the millimeter wave transceiver according to an aspect of the present invention can achieve both expansion of the millimeter wave communication area and heat dissipation of the millimeter wave communication IC.

以上のように本発明は、放熱とミリ波通信エリアの拡大とを実現できるミリ波送受信機を提供できる。   As described above, the present invention can provide a millimeter wave transceiver that can realize heat dissipation and expansion of a millimeter wave communication area.

本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the millimeter wave transmitter / receiver which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機においてミリ波信号が放射及び入射される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a millimeter wave signal is radiated | emitted and incident in the millimeter wave transmitter / receiver which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the millimeter wave transmitter / receiver which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機においてミリ波信号が放射及び入射される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a millimeter wave signal is radiated | emitted and incident in the millimeter wave transmitter / receiver which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the millimeter wave transmitter / receiver which concerns on Embodiment 3 of this invention. 従来のミリ波送受信機の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional millimeter wave transmitter-receiver.

以下、本発明に係るミリ波送受信機の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a millimeter wave transceiver according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機１００は、ミリ波通信ＩＣ３の放熱を行うためのヒートシンク５を備えるとともに、当該ヒートシンク５を用いて形成された第２のアンテナ６を備える。これにより、本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機１００は、放熱とミリ波通信エリアの拡大とを実現できる。 (Embodiment 1)
The millimeter wave transceiver 100 according to the first embodiment of the present invention includes a heat sink 5 for radiating heat from the millimeter wave communication IC 3 and a second antenna 6 formed using the heat sink 5. Thereby, the millimeter wave transceiver 100 according to Embodiment 1 of the present invention can realize heat dissipation and expansion of the millimeter wave communication area.

図１は、本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機１００の構成を示す図である。また、図２は、本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機１００において表面側及び裏面側からミリ波信号が放射及び入射される様子を示す図である。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a millimeter wave transceiver 100 according to Embodiment 1 of the present invention. Moreover, FIG. 2 is a figure which shows a mode that a millimeter wave signal is radiated | emitted and incident from the surface side and back surface side in the millimeter wave transmitter-receiver 100 which concerns on Embodiment 1 of this invention.

図１に示すミリ波送受信機１００は、ミリ波送受信機１００の筐体ケース１と、筐体ケース１の内部に固定されたプリント基板２と、プリント基板２に実装されたミリ波通信ＩＣ３と、ミリ波通信ＩＣ３の表面に形成された第１のアンテナ４と、ミリ波通信ＩＣ３の裏面に装着されたヒートシンク５、ヒートシンク５に形成られた第２のアンテナ６とを備える。   A millimeter wave transceiver 100 shown in FIG. 1 includes a housing case 1 of the millimeter wave transceiver 100, a printed circuit board 2 fixed inside the housing case 1, and a millimeter wave communication IC 3 mounted on the printed circuit board 2. The first antenna 4 formed on the surface of the millimeter wave communication IC 3, the heat sink 5 attached to the back surface of the millimeter wave communication IC 3, and the second antenna 6 formed on the heat sink 5.

また、図２に示すように、ミリ波送受信機１００において、ミリ波信号１１がミリ波通信ＩＣ３の表面側から放射及び入射される。また、ミリ波信号１２がミリ波通信ＩＣ３の裏面側から放射及び入射される。   As shown in FIG. 2, in the millimeter wave transceiver 100, the millimeter wave signal 11 is radiated and incident from the surface side of the millimeter wave communication IC 3. Further, the millimeter wave signal 12 is radiated and incident from the back side of the millimeter wave communication IC 3.

以上のように構成されたミリ波送受信機１００について、以下、図１及び図２を用いて説明する。   The millimeter wave transceiver 100 configured as described above will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.

まず、図１に示すミリ波送受信機１００について説明する。
ミリ波通信ＩＣ３が実装されたプリント基板２は、筐体ケース１の内部に固定されている。 First, the millimeter wave transceiver 100 shown in FIG. 1 will be described.
The printed circuit board 2 on which the millimeter wave communication IC 3 is mounted is fixed inside the housing case 1.

ミリ波通信ＩＣ３は、送受信回路とアンテナとを集積した１チップの半導体デバイス（半導体集積回路）である。このミリ波通信ＩＣ３は、ＡＶ機器（図示せず）からプリント基板２を通じて入出力される映像音声信号及びＡＶ機器を制御するための制御信号を、ミリ波信号を用いて無線伝送するためのミリ波信号処理を行う。   The millimeter wave communication IC 3 is a one-chip semiconductor device (semiconductor integrated circuit) in which a transmission / reception circuit and an antenna are integrated. The millimeter wave communication IC 3 is a millimeter wave for wirelessly transmitting a video / audio signal input / output from / to an AV device (not shown) through the printed circuit board 2 and a control signal for controlling the AV device using the millimeter wave signal. Perform wave signal processing.

また、ミリ波通信ＩＣ３の表面には複数のパッチアンテナから構成されたアレイアンテナである第１のアンテナ４が形成されている。また、ミリ波通信ＩＣ３は、それぞれのパッチアンテナから放射又は入射されたミリ波信号１１の位相を変化させることにより、放射パターンを変化させることができる。   A first antenna 4 that is an array antenna composed of a plurality of patch antennas is formed on the surface of the millimeter wave communication IC 3. Also, the millimeter wave communication IC 3 can change the radiation pattern by changing the phase of the millimeter wave signal 11 radiated or incident from each patch antenna.

第１のアンテナ４は、ミリ波信号を透過する樹脂から成る筐体ケース１を介して外部にミリ波信号１１を送受信する。これにより、ミリ波送受信機１００は、他のミリ波通信機能を有するＡＶ機器との間で映像音声信号及びＡＶ機器の制御信号などを無線通信することができる。   The first antenna 4 transmits and receives the millimeter wave signal 11 to the outside through the housing case 1 made of resin that transmits the millimeter wave signal. As a result, the millimeter wave transceiver 100 can wirelessly communicate video / audio signals, AV device control signals, and the like with other AV devices having a millimeter wave communication function.

また、ミリ波通信ＩＣ３は、裏面を接続面としてプリント基板２の表面に実装される。
プリント基板２には、ミリ波通信ＩＣ３と重なる領域（ミリ波通信ＩＣの下方の領域）の少なくとも一部に、当該プリント基板２を貫通する貫通領域２Ａが形成されている。また、プリント基板２には、当該プリント基板２を貫通する貫通孔２Ｂが形成されている。 The millimeter wave communication IC 3 is mounted on the surface of the printed circuit board 2 with the back surface as a connection surface.
In the printed circuit board 2, a penetrating area 2 </ b> A that penetrates the printed circuit board 2 is formed in at least a part of an area overlapping with the millimeter wave communication IC 3 (an area below the millimeter wave communication IC). Further, a through hole 2 </ b> B that penetrates the printed board 2 is formed in the printed board 2.

また、ミリ波通信ＩＣ３の側面にはミリ波信号１２を入出力するための給電点６Ａが形成されている。   A feeding point 6A for inputting / outputting the millimeter wave signal 12 is formed on the side surface of the millimeter wave communication IC 3.

また、ミリ波通信ＩＣ３の裏面に接するようにヒートシンク５が取り付けられている。このヒートシンク５により、ミリ波通信ＩＣ３の放熱が行われる。   Further, a heat sink 5 is attached so as to be in contact with the back surface of the millimeter wave communication IC 3. The heat sink 5 radiates heat from the millimeter wave communication IC 3.

このヒートシンク５は、第１の部分５Ａと、第２の部分５Ｂと、第３の部分５Ｃとを含む。第１の部分５Ａは、プリント基板２の裏面側に形成されている。また、例えば、第１の部分５Ａは、プリント基板２の裏面側の下方を覆うように形成されている。また、第１の部分５Ａには、当該第１の部分５Ａを貫通する貫通孔５Ｄが形成されている。   The heat sink 5 includes a first portion 5A, a second portion 5B, and a third portion 5C. The first portion 5 </ b> A is formed on the back side of the printed circuit board 2. Further, for example, the first portion 5 </ b> A is formed so as to cover the lower part of the back surface side of the printed board 2. Further, the first portion 5A is formed with a through hole 5D that penetrates the first portion 5A.

第２の部分５Ｂは、ミリ波通信ＩＣ３の裏面と第１の部分５Ａとを接続する。この第２の部分５Ｂは、貫通領域２Ａを貫通するように形成されている。   The second portion 5B connects the back surface of the millimeter wave communication IC 3 and the first portion 5A. The second portion 5B is formed so as to penetrate the penetration region 2A.

第３の部分５Ｃは、給電点６Ａが形成されているミリ波通信ＩＣ３の側面と、貫通孔５Ｄが形成されている第１の部分５Ａの一部とを接続する。また、第３の部分５Ｃは、貫通孔２Ｂを貫通するように形成されている。   The third portion 5C connects the side surface of the millimeter wave communication IC 3 where the feeding point 6A is formed and a part of the first portion 5A where the through hole 5D is formed. The third portion 5C is formed so as to penetrate the through hole 2B.

また、ミリ波通信ＩＣ３の表面に形成された第１のアンテナ４と同時に、ヒートシンク５の一部に形成された第２のアンテナ６からミリ波信号が放射又は入射される。   Further, simultaneously with the first antenna 4 formed on the surface of the millimeter wave communication IC 3, a millimeter wave signal is radiated or incident from the second antenna 6 formed in a part of the heat sink 5.

この第２のアンテナ６は、第１の部分５Ａの貫通孔５Ｄが形成されている部分と、第３の部分５Ｃとを用いて形成されている。また、第３の部分５Ｃは、給電点６Ａと貫通孔５Ｄとを接続する中空部を有する。   The second antenna 6 is formed using a portion where the through hole 5D of the first portion 5A is formed and a third portion 5C. The third portion 5C has a hollow portion that connects the feeding point 6A and the through hole 5D.

また、図２に示すように、第１のアンテナ４からはミリ波通信ＩＣ３の表面側（実装面に対して垂直方向（＋Ｚ方向））にミリ波信号１１が放射及び入射される。一方、第２のアンテナ６からはミリ波通信ＩＣ３の裏面側（実装面に対して逆垂直方向（−Ｚ方向））にミリ波信号１２が放射及び入射される。   As shown in FIG. 2, a millimeter wave signal 11 is radiated and incident from the first antenna 4 on the surface side of the millimeter wave communication IC 3 (perpendicular to the mounting surface (+ Z direction)). On the other hand, the millimeter wave signal 12 is radiated and incident from the second antenna 6 on the back side of the millimeter wave communication IC 3 (in the reverse vertical direction (−Z direction) to the mounting surface).

以上より、本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機１００は、第１のアンテナ４からミリ波通信ＩＣ３の表面側にミリ波信号１１を放射及び入射できるとともに、第２のアンテナ６からミリ波通信ＩＣ３の裏面側にミリ波信号１２を放射及び入射できる。このように、第１のアンテナ４と第２のアンテナ６との放射方向及び入射方向は互いに補い合うことになるので、ミリ波送受信機１００は、全体としてミリ波通信エリアを拡大できる。   As described above, the millimeter wave transmitter / receiver 100 according to Embodiment 1 of the present invention can radiate and enter the millimeter wave signal 11 from the first antenna 4 to the surface side of the millimeter wave communication IC 3 and also from the second antenna 6. The millimeter wave signal 12 can be radiated and incident on the back side of the millimeter wave communication IC 3. Thus, since the radiation direction and the incident direction of the first antenna 4 and the second antenna 6 complement each other, the millimeter wave transceiver 100 can expand the millimeter wave communication area as a whole.

また、本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機１００は、ヒートシンク５を使用してミリ波通信ＩＣ３の放熱を行うことができる。   In addition, the millimeter wave transceiver 100 according to Embodiment 1 of the present invention can radiate the millimeter wave communication IC 3 using the heat sink 5.

また、ヒートシンク５の一部を使用して第２のアンテナが形成されることにより、本発明の実施の形態１に係るミリ波送受信機１００は、コストの増加を抑制しつつ、ミリ波通信エリアの拡大と、ミリ波通信ＩＣ３の放熱とを両立できる。   In addition, since the second antenna is formed by using a part of the heat sink 5, the millimeter-wave transceiver 100 according to the first embodiment of the present invention suppresses an increase in cost while the millimeter-wave communication area. Expansion and heat radiation of the millimeter wave communication IC 3 can be achieved.

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａは、ミリ波通信ＩＣ３の放熱を行うためのヒートシンク５を備えるとともに、ミリ波通信ＩＣ３の裏面に形成された第３のアンテナ７を備える。これにより、本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａは、放熱とミリ波通信エリアの拡大とを実現できる。 (Embodiment 2)
The millimeter wave transceiver 100A according to the second embodiment of the present invention includes a heat sink 5 for radiating heat from the millimeter wave communication IC 3 and a third antenna 7 formed on the back surface of the millimeter wave communication IC 3. Thereby, the millimeter wave transceiver 100A according to Embodiment 2 of the present invention can realize heat dissipation and expansion of the millimeter wave communication area.

以下、本発明の実施の形態２について図面を参照しながら説明する。
図３は本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａの構成を示す図である。また、図４は本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａにおいて表面側及び裏面側からミリ波信号が放射及び入射される様子を示す図である。 Embodiment 2 of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a millimeter wave transceiver 100A according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a state in which a millimeter wave signal is radiated and incident from the front surface side and the back surface side in the millimeter wave transceiver 100A according to Embodiment 2 of the present invention.

なお、図３において、図１と同様の要素には同一の符号を付しており重複する説明は省略する。   In FIG. 3, the same elements as those in FIG.

図３に示すミリ波送受信機１００Ａは、ミリ波送受信機１００Ａの筐体ケース１と、筐体ケース１の内部に固定されたプリント基板２と、プリント基板２に実装されたミリ波通信ＩＣ３と、ミリ波通信ＩＣ３の表面に形成された第１のアンテナ４と、ミリ波通信ＩＣ３の裏面に実装されたヒートシンク５と、ミリ波通信ＩＣの裏面に形成された第３のアンテナ７と、ヒートシンク５に設けられた電波入出力口８とを備える。   A millimeter wave transceiver 100A shown in FIG. 3 includes a housing case 1 of the millimeter wave transceiver 100A, a printed circuit board 2 fixed inside the housing case 1, and a millimeter wave communication IC 3 mounted on the printed circuit board 2. The first antenna 4 formed on the front surface of the millimeter wave communication IC 3, the heat sink 5 mounted on the back surface of the millimeter wave communication IC 3, the third antenna 7 formed on the back surface of the millimeter wave communication IC, and the heat sink 5 is provided with a radio wave input / output port 8.

また、図４に示すように、ミリ波送受信機１００Ａにおいて、ミリ波信号１１がミリ波通信ＩＣ３の表面側から放射及び入射される。また、ミリ波信号２２はミリ波通信ＩＣ３の裏面側から放射及び入射される。   As shown in FIG. 4, in the millimeter wave transceiver 100 </ b> A, the millimeter wave signal 11 is radiated and incident from the surface side of the millimeter wave communication IC 3. The millimeter wave signal 22 is radiated and incident from the back side of the millimeter wave communication IC 3.

本発明の実施の形態１と異なるのは、図３に示すミリ波送受信機１００Ａでは、ミリ波通信ＩＣ３の裏面に第３のアンテナ７が形成されている点と、ヒートシンク５に第２のアンテナ６の代わりに電波入出力口８が形成されている点とである。   The difference from the first embodiment of the present invention is that a millimeter-wave transceiver 100A shown in FIG. 6 is that a radio wave input / output port 8 is formed in place of 6.

以上のように構成されたミリ波送受信機１００Ａについて、以下、図３及び図４を用いて説明する。   The millimeter wave transceiver 100A configured as described above will be described below with reference to FIGS.

ミリ波通信ＩＣ３の裏面にはミリ波信号２２を放射及び入射するための第３のアンテナ７が形成されている。   A third antenna 7 for radiating and entering the millimeter wave signal 22 is formed on the back surface of the millimeter wave communication IC 3.

電波入出力口８は、ヒートシンク５の第１の部分５Ａに形成され、当該第１の部分５Ａを貫通する。   The radio wave input / output port 8 is formed in the first portion 5A of the heat sink 5 and penetrates through the first portion 5A.

また、第３のアンテナ７は、ミリ波通信ＩＣ３の表面に形成された第１のアンテナ４と同時に、電波入出力口８及び前記筐体ケース１を介して外部にミリ波信号２２を送受信する。   The third antenna 7 transmits and receives a millimeter wave signal 22 to the outside through the radio wave input / output port 8 and the housing case 1 simultaneously with the first antenna 4 formed on the surface of the millimeter wave communication IC 3. .

また、図４に示すように、第１のアンテナ４からはミリ波通信ＩＣ３の表面側（実装面に対して垂直方向（＋Ｚ方向））にミリ波信号１１が放射及び入射される。一方、第３のアンテナ７と電波入出力口８とからはミリ波通信ＩＣ３の裏面側（実装面に対して逆垂直方向（−Ｚ方向））にミリ波信号２２が放射及び入射される。   As shown in FIG. 4, the millimeter wave signal 11 is radiated and incident from the first antenna 4 on the surface side of the millimeter wave communication IC 3 (in the direction perpendicular to the mounting surface (+ Z direction)). On the other hand, the millimeter wave signal 22 is radiated and incident from the third antenna 7 and the radio wave input / output port 8 on the back side of the millimeter wave communication IC 3 (in the direction perpendicular to the mounting surface (−Z direction)).

以上より、本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａは、第１のアンテナ４からミリ波通信ＩＣ３の表面側にミリ波信号１１を放射及び入射できるとともに、第３のアンテナ７からミリ波通信ＩＣ３の裏面側にミリ波信号２２を放射及び入射できる。このように、第１のアンテナ４と第３のアンテナ７との放射方向及び入射方向は互いに補い合うことになるので、ミリ波送受信機１００Ａは、全体としてミリ波通信エリアを拡大できる。   As described above, the millimeter-wave transceiver 100A according to Embodiment 2 of the present invention can radiate and enter the millimeter-wave signal 11 from the first antenna 4 to the surface side of the millimeter-wave communication IC 3, and from the third antenna 7. The millimeter wave signal 22 can be radiated and incident on the back side of the millimeter wave communication IC 3. Thus, since the radiation direction and the incident direction of the first antenna 4 and the third antenna 7 complement each other, the millimeter wave transceiver 100A can expand the millimeter wave communication area as a whole.

また、本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａは、ヒートシンク５を使用してミリ波通信ＩＣ３の放熱を行うことができる。   Further, the millimeter wave transceiver 100A according to Embodiment 2 of the present invention can radiate the millimeter wave communication IC 3 using the heat sink 5.

また、本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａでは、ヒートシンク５の一部にミリ波信号２２が通る電波入出力口８が形成される。これにより、本発明の実施の形態２に係るミリ波送受信機１００Ａは、ミリ波通信エリアの拡大と、ミリ波通信ＩＣ３の放熱とを両立できる。   In the millimeter wave transceiver 100A according to the second embodiment of the present invention, the radio wave input / output port 8 through which the millimeter wave signal 22 passes is formed in a part of the heat sink 5. Thereby, the millimeter wave transceiver 100A according to Embodiment 2 of the present invention can achieve both expansion of the millimeter wave communication area and heat dissipation of the millimeter wave communication IC3.

（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機１００Ｂは、ミリ波通信ＩＣ３の放熱を行うためのヒートシンク５を備えるとともに、当該ヒートシンク５とＡＶ機器の筐体１０とを接続するマグネット９を備える。これにより、本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機１００Ｂは、放熱とミリ波通信エリアの拡大とを実現できる。 (Embodiment 3)
A millimeter-wave transceiver 100B according to Embodiment 3 of the present invention includes a heat sink 5 for radiating heat from the millimeter-wave communication IC 3, and includes a magnet 9 that connects the heat sink 5 and the housing 10 of the AV device. . Thereby, the millimeter wave transceiver 100B according to Embodiment 3 of the present invention can realize heat dissipation and expansion of the millimeter wave communication area.

以下、本発明の実施の形態３について図面を参照しながら説明する。
図５は本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機１００Ｂの構成を示す図である。なお、図５において、図１と同様の要素には同一の符号を付しており重複する説明は省略する。 The third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a millimeter wave transceiver 100B according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 5, the same elements as those in FIG.

図５に示すミリ波送受信機１００Ｂは、ミリ波送受信機１００Ｂの筐体ケース１と、筐体ケース１の内部に固定されたプリント基板２と、プリント基板２に実装されたミリ波通信ＩＣ３と、ミリ波通信ＩＣ３の表面に形成された第１のアンテナ４と、ミリ波通信ＩＣ３の裏面に装着されたヒートシンク５と、ヒートシンク５に接して設けられたマグネット９とを備える。   A millimeter wave transceiver 100B shown in FIG. 5 includes a housing case 1 of the millimeter wave transceiver 100B, a printed circuit board 2 fixed inside the housing case 1, and a millimeter wave communication IC 3 mounted on the printed circuit board 2. The first antenna 4 formed on the surface of the millimeter wave communication IC 3, the heat sink 5 mounted on the back surface of the millimeter wave communication IC 3, and the magnet 9 provided in contact with the heat sink 5.

本発明の実施の形態１と異なるのは、図５に示すミリ波送受信機１００Ｂでは、ヒートシンク５に接合するマグネット９を設けた点と、ヒートシンク５に形成された第２のアンテナ６を無くした点とである。   The difference from the first embodiment of the present invention is that the millimeter wave transceiver 100B shown in FIG. 5 is provided with a magnet 9 to be joined to the heat sink 5 and the second antenna 6 formed on the heat sink 5 is eliminated. With a point.

以上のように構成されたミリ波送受信機１００Ｂについて、以下、図５を用いて説明する。   The millimeter wave transceiver 100B configured as described above will be described below with reference to FIG.

ヒートシンク５にはマグネット９が接合して取り付けられている。また、マグネット９は、ＡＶ機器の筐体１０に接している。これにより、ヒートシンク５の熱をＡＶ機器の筐体（金属）１０に放熱できる。   A magnet 9 is bonded and attached to the heat sink 5. The magnet 9 is in contact with the housing 10 of the AV device. Thereby, the heat of the heat sink 5 can be radiated to the housing (metal) 10 of the AV equipment.

さらに、ヒートシンク５はマグネット９の磁力によってＡＶ機器の筐体１０に接合している。よって、ミリ波通信ＩＣ３の実装面と平行方向（Ｘ方向）を軸として、ミリ波送受信機１００Ｂを手動で回転させることができる。この回転方向に応じて、第１のアンテナ４からミリ波信号１１が放射及び入射される方向を変更できる。   Further, the heat sink 5 is joined to the housing 10 of the AV device by the magnetic force of the magnet 9. Therefore, the millimeter wave transmitter / receiver 100B can be manually rotated around the mounting surface of the millimeter wave communication IC 3 as the axis (X direction). The direction in which the millimeter wave signal 11 is radiated and incident from the first antenna 4 can be changed according to the rotation direction.

以上より、本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機１００Ｂは、ヒートシンク５とＡＶ機器の筐体１０とをマグネット９の磁力によって接合させることにより、当該ミリ波送受信機１００Ｂをミリ波通信ＩＣ３の実装面と平行方向（Ｘ方向）を軸として回転させることができる。これにより、本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機１００Ｂは、ミリ波通信ＩＣ３の第１のアンテナ４からミリ波信号１１が放射及び入射される方向を変化させることにより、ミリ波通信エリアを拡大できる。   As described above, the millimeter wave transceiver 100B according to Embodiment 3 of the present invention joins the heat sink 5 and the housing 10 of the AV device by the magnetic force of the magnet 9, thereby allowing the millimeter wave transceiver 100B to perform millimeter wave communication. It can be rotated about the direction parallel to the mounting surface of the IC 3 (X direction) as an axis. As a result, the millimeter wave transceiver 100B according to Embodiment 3 of the present invention changes the direction in which the millimeter wave signal 11 is radiated and incident from the first antenna 4 of the millimeter wave communication IC 3 to change the millimeter wave communication. The area can be expanded.

また、本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機１００Ｂは、ヒートシンク５及びマグネット９を使用してＡＶ機器の筐体１０にミリ波通信ＩＣ３の熱を放熱させることができる。   Also, the millimeter wave transceiver 100B according to Embodiment 3 of the present invention can dissipate heat from the millimeter wave communication IC 3 to the housing 10 of the AV device using the heat sink 5 and the magnet 9.

このように、本発明の実施の形態３に係るミリ波送受信機１００Ｂは、ミリ波通信エリアの拡大と、ミリ波通信ＩＣ３の放熱とを両立できる。   Thus, the millimeter wave transceiver 100B according to Embodiment 3 of the present invention can achieve both expansion of the millimeter wave communication area and heat dissipation of the millimeter wave communication IC3.

以上、本発明の実施の形態に係るミリ波受信機について説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。   The millimeter wave receiver according to the embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to this embodiment.

例えば、実施の形態１から実施の形態３において、筐体ケース１、プリント基板２及びヒートシンク５の大きさ及び形状は、上述した形状に限定されるものではなく、上述した形状以外であってもよい。   For example, in Embodiments 1 to 3, the sizes and shapes of the housing case 1, the printed circuit board 2, and the heat sink 5 are not limited to the shapes described above, and may be other than the shapes described above. Good.

また、実施の形態１から実施の形態３において、筐体ケース１は樹脂であるとしたが、筐体ケース１は、樹脂以外の、ミリ波信号を透過する材料で構成されてもよい。   In the first to third embodiments, the case 1 is made of resin. However, the case 1 may be made of a material that transmits a millimeter wave signal other than resin.

また、実施の形態１から実施の形態３において、ミリ波信号が入射（放射）する方向を垂直Ｚ軸方向又は水平Ｘ方向として説明したが、垂直Ｚ軸方向、水平Ｘ方向又は水平Ｙ方向に近い斜入射であってもよい。   In the first to third embodiments, the direction in which the millimeter wave signal is incident (radiated) has been described as the vertical Z-axis direction or the horizontal X direction, but in the vertical Z-axis direction, horizontal X direction, or horizontal Y direction. Near oblique incidence may be used.

また、実施の形態２において、ミリ波通信ＩＣ３の裏面に設けた第３のアンテナ７はアレイアンテナであってもよい。   In the second embodiment, the third antenna 7 provided on the back surface of the millimeter wave communication IC 3 may be an array antenna.

また、実施の形態３において、マグネット９の大きさ及び形状は、上述した形状に限定されるものではなく、上述した形状以外であってもよい。   In the third embodiment, the size and shape of the magnet 9 are not limited to the shapes described above, and may be other than the shapes described above.

また、上記において、各構成要素の角部及び辺を直線的に記載しているが、製造上の理由により、角部及び辺が丸みをおびたものも本発明に含まれる。   Moreover, in the above, although the corner | angular part and edge | side of each component are described linearly, what rounded the corner | angular part and edge | side is included in this invention for the reason on manufacture.

また、上記実施の形態１〜３に係るミリ波送受信機、及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。   Moreover, you may combine at least one part among the functions of the millimeter wave transmitter-receiver which concerns on the said Embodiment 1-3, and its modification.

更に、本発明の主旨を逸脱しない限り、本発明の実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。   Further, various modifications in which the embodiments of the present invention are modified within the scope conceived by those skilled in the art are also included in the present invention without departing from the gist of the present invention.

本発明は、ミリ波受信機に適用でき、特に、非圧縮ビデオデータを伝送するためのミリ波通信機能を内蔵したＡＶ機器に利用できる。   The present invention can be applied to a millimeter wave receiver, and in particular, can be used for an AV device incorporating a millimeter wave communication function for transmitting uncompressed video data.

１ 筐体ケース
２ プリント基板
２Ａ 貫通領域
２Ｂ、５Ｄ 貫通孔
３ ミリ波通信ＩＣ
４ 第１のアンテナ
５ ヒートシンク
５Ａ 第１の部分
５Ｂ 第２の部分
５Ｃ 第３の部分
６ 第２のアンテナ
６Ａ 給電点
７ 第３のアンテナ
８ 電波入出力口
９ マグネット
１０ ＡＶ機器の筐体
１１、１２、２２ ミリ波信号
３０、１００、１００Ａ、１００Ｂ ミリ波送受信機
３１ 多層基板
３２ 伝送線路
３３ アンテナアレイ
３４ ＭＭＩＣ
３５ フリップチップバンプ
３６ アンダーフィル
３７ ＢＧＡボール
３８ プリント基板
３９ 切り込み
４０ 金属平坦部 1 Housing Case 2 Printed Circuit Board 2A Through Area 2B, 5D Through Hole 3 Millimeter Wave Communication IC
4 First antenna 5 Heat sink 5A 1st part 5B 2nd part 5C 3rd part 6 2nd antenna 6A Feeding point 7 3rd antenna 8 Radio wave input / output port 9 Magnet 10 Housing for AV device 11, 12, 22 Millimeter wave signal 30, 100, 100A, 100B Millimeter wave transceiver 31 Multilayer substrate 32 Transmission line 33 Antenna array 34 MMIC
35 Flip chip bump 36 Underfill 37 BGA ball 38 Printed circuit board 39 Notch 40 Metal flat part

Claims (12)

表面に第１のアンテナが形成され、当該第１のアンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信するミリ波通信ＩＣと、
前記ミリ波通信ＩＣが実装されたプリント基板と、
前記ミリ波通信ＩＣに接続され、前記ミリ波通信ＩＣの放熱を行うために設けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに形成された第２のアンテナとを備え、
前記ミリ波通信ＩＣは、さらに、前記第２のアンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信する
ミリ波送受信機。 A first-wave antenna formed on the surface, and a millimeter-wave communication IC that transmits and receives a millimeter-wave signal using the first antenna;
A printed circuit board on which the millimeter wave communication IC is mounted;
A heat sink connected to the millimeter wave communication IC and provided to dissipate the millimeter wave communication IC;
A second antenna formed on the heat sink,
The millimeter wave communication IC further transmits and receives a millimeter wave signal using the second antenna. 前記第２のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向は、前記第１のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向と異なる
請求項１記載のミリ波送受信機。 The millimeter wave transceiver according to claim 1, wherein a radiation direction and an incident direction of a millimeter wave signal of the second antenna are different from a radiation direction and an incident direction of the millimeter wave signal of the first antenna. 前記第１のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向は、前記ミリ波通信ＩＣの表面側であり、
前記第２のアンテナのミリ波信号の放射方向及び入射方向は、前記ミリ波通信ＩＣの裏面側である
請求項２記載のミリ波送受信機。 The radiation direction and the incident direction of the millimeter wave signal of the first antenna are on the surface side of the millimeter wave communication IC,
The millimeter wave transceiver according to claim 2, wherein a radiation direction and an incident direction of the millimeter wave signal of the second antenna are on the back side of the millimeter wave communication IC. 前記第１のアンテナは、全体として二次元アレイを構成する複数のパッチアンテナを含み、
前記ミリ波通信ＩＣは、前記第１のアンテナに入出力するミリ波信号の位相を変化させることにより放射パターンを変化させる
請求項１〜３のいずれか１項に記載のミリ波送受信機。 The first antenna includes a plurality of patch antennas constituting a two-dimensional array as a whole,
The millimeter wave transceiver according to any one of claims 1 to 3, wherein the millimeter wave communication IC changes a radiation pattern by changing a phase of a millimeter wave signal input to and output from the first antenna. 前記ミリ波通信ＩＣは、裏面を接続面として前記プリント基板の表面に実装され、
前記ヒートシンクは、
前記プリント基板の裏面側に形成されている第１の部分と、
前記ミリ波通信ＩＣと前記第１の部分とを接続する第２の部分とを含み、
前記第２のアンテナは、前記第１の部分の一部を用いて形成されている
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミリ波送受信機。 The millimeter wave communication IC is mounted on the surface of the printed circuit board with the back surface as a connection surface,
The heat sink is
A first portion formed on the back side of the printed circuit board;
A second portion connecting the millimeter wave communication IC and the first portion;
The millimeter wave transceiver according to any one of claims 1 to 4, wherein the second antenna is formed using a part of the first portion. 前記ヒートシンクは、さらに、前記ミリ波通信ＩＣと前記第１の部分とを接続する第３の部分を含み、
前記第２のアンテナは、前記第３の部分と、当該第３の部分に接する前記第１の部分とを用いて形成されている
請求項５記載のミリ波送受信機。 The heat sink further includes a third portion that connects the millimeter wave communication IC and the first portion,
The millimeter wave transceiver according to claim 5, wherein the second antenna is formed using the third portion and the first portion in contact with the third portion. 前記プリント基板には、さらに、前記プリント基板を貫通する貫通孔が形成されており、
前記第３の部分は、前記貫通孔を貫通する
請求項６記載のミリ波送受信機。 The printed circuit board further includes a through hole penetrating the printed circuit board,
The millimeter wave transceiver according to claim 6, wherein the third portion penetrates the through hole. 前記第２のアンテナは、前記ミリ波通信ＩＣの側面に接続されている
請求項７記載のミリ波送受信機。 The millimeter wave transceiver according to claim 7, wherein the second antenna is connected to a side surface of the millimeter wave communication IC. 表面に第１のアンテナが形成され、裏面に第２のアンテナが形成され、当該第１のアンテナ及び当該第２のアンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信するミリ波通信ＩＣと、
前記ミリ波通信ＩＣが実装されたプリント基板と、
前記ミリ波通信ＩＣに接続され、前記ミリ波通信ＩＣの放熱を行うために設けられたヒートシンクとを備える
ミリ波送受信機。 A first antenna is formed on the front surface, a second antenna is formed on the rear surface, and a millimeter wave communication IC that transmits and receives a millimeter wave signal using the first antenna and the second antenna;
A printed circuit board on which the millimeter wave communication IC is mounted;
A millimeter-wave transceiver including a heat sink connected to the millimeter-wave communication IC and provided for heat dissipation of the millimeter-wave communication IC. 前記ヒートシンクには、当該ヒートシンクを貫通する電波入出力口が形成されており、
前記第２のアンテナは、前記電波入出力口を介して、ミリ波信号を放射及び受信する
請求項９記載のミリ波送受信機。 The heat sink has a radio wave input / output port that penetrates the heat sink,
The millimeter-wave transceiver according to claim 9, wherein the second antenna radiates and receives a millimeter-wave signal through the radio wave input / output port. 前記ミリ波通信ＩＣは、裏面を接続面として前記プリント基板の表面に実装され、
前記プリント基板には、前記ミリ波通信ＩＣと重なる領域の少なくとも一部に、当該プリント基板を貫通する貫通領域が形成されており、
前記ヒートシンクは、
前記プリント基板の裏面側に形成されている第１の部分と、
前記貫通領域を介して、前記ミリ波通信ＩＣの裏面と前記第１の部分とを接続する第２の部分とを含み、
前記電波入出力口は、前記第１の部分に形成されており、
前記第２のアンテナは、前記貫通領域及び前記電波入出力口を介して、ミリ波信号を放射及び受信する
請求項１０記載のミリ波送受信機。 The millimeter wave communication IC is mounted on the surface of the printed circuit board with the back surface as a connection surface,
In the printed circuit board, a penetrating region penetrating the printed circuit board is formed in at least a part of a region overlapping with the millimeter wave communication IC,
The heat sink is
A first portion formed on the back side of the printed circuit board;
A second portion connecting the back surface of the millimeter-wave communication IC and the first portion via the penetrating region;
The radio wave input / output port is formed in the first part,
The millimeter-wave transceiver according to claim 10, wherein the second antenna radiates and receives a millimeter-wave signal through the penetrating region and the radio wave input / output port. 表面にアンテナが形成され、当該アンテナを用いてミリ波信号を送信及び受信するミリ波通信ＩＣと、
前記ミリ波通信ＩＣが実装されたプリント基板と、
前記ミリ波通信ＩＣに接続され、前記ミリ波通信ＩＣの放熱を行うために設けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに接続され、前記ヒートシンクの放熱を行うためのマグネットとを備える
ミリ波送受信機。 An antenna is formed on the surface, and a millimeter wave communication IC that transmits and receives a millimeter wave signal using the antenna;
A printed circuit board on which the millimeter wave communication IC is mounted;
A heat sink connected to the millimeter wave communication IC and provided to dissipate the millimeter wave communication IC;
A millimeter-wave transceiver including a magnet connected to the heat sink and configured to radiate heat from the heat sink.
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