JP2011204909A - 洗浄組成物及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】57〜95重量%の(成分a)水、1〜40重量%の(成分b)第2級水酸基及び/又は第3級水酸基を有するヒドロキシ化合物、(成分c)有機酸、並びに、(成分d)第4級アンモニウム化合物、を含有し、pHが5〜10であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【選択図】図2
Description
また、特許文献2には、多価カルボン酸及び/又はその塩と、水とを含有し、pHが8未満であるレジスト用剥離剤組成物が開示されている。
本発明が解決しようとする課題は、配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
<1>57〜95重量%の(成分a)水、1〜40重量%の(成分b)第2級水酸基及び/又は第3級水酸基を有するヒドロキシ化合物、(成分c)有機酸、並びに、(成分d)第4級アンモニウム化合物、を含有し、pHが5〜10であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、
<2>前記成分bがジオール化合物である、上記<1>に記載の洗浄組成物、
<3>前記成分bが、少なくとも第2級水酸基と、第1級乃至第3級水酸基のいずれかとを有する化合物である、上記<2>に記載の洗浄組成物、
<4>前記成分bが、ジプロピレングリコール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、及び1,3−ブタンジオールからなる群より選択される化合物である、上記<3>に記載の洗浄組成物、
<5>さらに(成分e)ヒドロキシルアミン及び/又はその塩を含有する、上記<1>〜<4>いずれか1つに記載の洗浄組成物、
<6>前記成分cが、構成元素をC、H、及びOのみとするカルボン酸である、上記<1>〜<5>いずれか1つに記載の洗浄組成物、
<7>前記成分cが、クエン酸、乳酸、グリコール酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリアン酸、イソバレリアン酸、コハク酸、リンゴ酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びマロン酸からなる群より選択される化合物である、上記<6>に記載の洗浄組成物、
<8>さらに(成分f)アミノ基含有カルボン酸を含有する、上記<1>〜<7>いずれか1つに記載の洗浄組成物、
<9>前記成分fが、ヒスチジン又はアルギニンである、上記<8>に記載の洗浄組成物、
<10>さらに(成分g)無機酸を含有する、上記<1>〜<9>いずれか1つに記載の洗浄組成物、
<11>前記成分gが、リン酸、ホウ酸、リン酸アンモニウム、及びホウ酸アンモニウムからなる群より選択される化合物である、上記<10>に記載の洗浄組成物、
<12>上記<1>〜<11>いずれか1つに記載の洗浄組成物を用いて半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法、
<13>前記半導体基板がアルミニウム又は銅を含む、上記<12>に記載の半導体装置の製造方法。
本発明の洗浄組成物は、57〜95重量%の(成分a)水、1〜40重量%の(成分b)第2級水酸基及び/又は第3級水酸基を有するヒドロキシ化合物、(成分c)有機酸、及び、(成分d)第4級アンモニウム化合物、を含有し、pHが5〜10であることを特徴とし、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用のものである。
本発明の洗浄組成物は、後述するように、アルミニウム又は銅を含む金属膜のプラズマエッチング後に生じたプラズマエッチング残渣除去用であることが好ましい。具体的には、半導体装置の配線構造における配線、配線間を接続するビア、又は、ワイヤボンディング等により外部電極が接続されるパッドを形成する際のプラズマエッチング又はプラズマアッシングにより生じた残渣の除去に好適に使用することができる。
以下、本発明の洗浄組成物に必須の(成分a)〜(成分d)及びpHについて順に説明する。
本発明の洗浄組成物は、溶媒として水を含有する。水の含有量は、洗浄組成物全体の重量に対して、57〜95重量%であり、70〜90重量%であることが好ましい。
水としては、半導体製造に使用される超純水が好ましい。
本発明の洗浄組成物は、第2級水酸基及び/又は第3級水酸基を有するヒドロキシ化合物を含有する。
前記ヒドロキシ化合物としては、第2級水酸基及び/又は第3級水酸基を有するものであれば、特に限定されるものではないが、少なくとも第2級水酸基を有する化合物が好ましく、少なくとも第2級水酸基と、第1級乃至第3級水酸基のいずれかとを有する化合物がより好ましい。なお、前記ヒドロキシ化合物は、カルボキシ基を有さないものである。
また、前記ヒドロキシ化合物は、モノアルコール化合物であってもポリアルコール化合物であってもよいが、ジオール化合物であることが好ましい。
洗浄組成物に前記ヒドロキシ化合物を含有させることにより、プラズマエッチング残渣中の有機物を十分に溶解させることができ、プラズマエッチング残渣を十分に洗浄除去することができる。特に、半導体装置におけるパッドを露出する開口部を絶縁膜に形成する際に生じるプラズマエッチング残渣を十分に洗浄除去することができる。
本発明の洗浄組成物は、少なくとも1つの有機酸を含有し、1つ以上のカルボキシ基を含有することが好ましい。有機酸は、腐食防止剤として役立つ。カルボン酸、とりわけヒドロキシル基を有するカルボン酸は、アルミニウム、銅及びそれらの合金の金属腐食を有効に防止する。カルボン酸はこれらの金属に対してキレート効果を有する。好ましいカルボン酸には、モノカルボン酸及びポリカルボン酸が含まれる。カルボン酸としては、これらに限定されないが、クエン酸、乳酸、グリコール酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリアン酸、イソバレリアン酸、コハク酸、リンゴ酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びマロン酸及びその混合物が例示でき、クエン酸、グリコール酸、酢酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、グルコン酸、マロン酸及びその混合物が好ましく使用でき、クエン酸、グリコール酸、又はマロン酸がより好ましく使用できる。なお、カルボン酸は、構成元素をC、H、及びOのみとするものであることが好ましく、アミノ基を有さないことがより好ましい。
本発明の洗浄組成物は、第4級アンモニウム化合物を含有する。
前記第4級アンモニウム化合物としては、第4級アンモニウム水酸化物、第4級アンモニウムフッ化物、第4級アンモニウム臭化物、第4級アンモニウムヨウ化物、第4級アンモニウムの酢酸塩、第4級アンモニウムの炭酸塩などが挙げられ、中でも、第4級アンモニウム水酸化物が好ましい。
本発明の洗浄組成物の第4級アンモニウム化合物として使われる第4級アンモニウム水酸化物としては、テトラアルキルアンモニウム水酸化物が好ましく、低級(炭素数1〜4)アルキル基又は芳香族アルキル基で置換されたテトラアルキルアンモニウム水酸化物がより好ましく、具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチル、ベンジルのいずれかのアルキル基を4つ有するテトラアルキルアンモニウム水酸化物が挙げられる。かかるテトラアルキルアンモニウム水酸化物には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(以下TMAHと称する)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリ(ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、テトラ(ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド(以下BTMAHと称する)などを含む。それに加え、アンモニウム水酸化物と1つあるいはそれ以上の4級アンモニウム水酸化物の組み合わせも使用することができる。
本発明の洗浄組成物のpHは5〜10であり、5〜8.5であることが好ましく、6〜8であることがより好ましい。pHが上記数値の範囲内であると、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣、及び、アッシング残渣を十分に除去することができる。このpH領域にすることにより、酸化ケイ素と金属層をプラズマエッチングしてビアパターンを形成した場合の残渣を完全に除去することができる。
pHの測定方法としては、市販のpHメーターを用いて測定することができる。
洗浄組成物の所定のpHへの調整は、塩基性アミン及び/又は第4級アンモニウム化合物の添加量を調節した滴定により行うことができる。
本発明の洗浄組成物は、前記第4級アンモニウム化合物以外に、少なくとも1つのヒドロキシルアミン及び/又はその塩を含有してもよい。ヒドロキシルアミンの塩は、ヒドロキシルアミンの無機酸塩又は有機酸塩であることが好ましく、Cl、S、N、Pなどの非金属が水素と結合してできた無機酸の塩であることがより好ましく、塩酸、硫酸、硝酸いずれかの酸の塩であることが特に好ましい。
本発明の洗浄組成物を形成するのに使われるヒドロキシルアミンの塩としては、ヒドロキシルアンモニウム硝酸塩(HANとも称される)、ヒドロキシルアンモニウム硫酸塩(HASとも称される)、ヒドロキシルアンモニウムリン酸塩、ヒドロキシルアンモニウム塩酸塩、及びこれらの混合物が好ましい。
洗浄組成物に、ヒドロキシルアミンの有機酸塩も使用することができ、ヒドロキシルアンモニウムクエン酸塩、ヒドロキシルアンモニウムシュウ酸塩、ヒドロキシルアンモニウムフルオライド、N,N−ジエチルヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、N,N−ジエチルヒドロキシルアンモニウム硝酸塩などが例示できる。
ヒドロキシルアミン及び/又はその塩は、プラズマエッチング残渣の除去を容易にし、金属基板の腐食を防止する。
本発明の洗浄組成物は、アミノ基含有カルボン酸を含有してもよい。アミノ基含有カルボン酸は、金属含有残渣を効率よく除去する点で好ましい。
アミノ基含有カルボン酸としては、以下から成るアミノポリカルボン酸塩群{エチレンジアミンテトラ酢酸塩(EDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩(HEDTA)、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸塩(DHEDDA)、ニトリロ酸酢酸塩(NTA)、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩(HIDA)、β−アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸塩、ジヒドロキシエチルグリシン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩など}、以下から成るヒドロキシカルボン酸塩群{ヒドロキシ酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸塩など}、以下から成るシクロカルボン酸塩群{ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩、シクロペンタンテトラカルボン酸塩など}、以下から成るエーテルカルボン酸塩群{カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジサクシネートなど}、以下から成るその他カルボン酸塩群{マレイン酸誘導体、シュウ酸塩など}、以下から成る有機カルボン酸(塩)ポリマー群{アクリル酸重合体及び共重合体(アクリル酸−アリルアルコール共重合体、アクリル酸−マレイン酸共重合体、ヒドロキシアクリル酸重合体、多糖類−アクリル酸共重合体など)、以下から成る多価カルボン酸重合体及び共重合体群{マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、テトラメチレン−1,2−ジカルボン酸、コハク酸、アスパラギン酸、グルタミン酸などのモノマーの重合体及び共重合体}、以下から成るグリオキシル酸重合体、多糖類群{デンプン、セルロース、アミロース、ペクチン、カルボキシメチルセルロースなど}、以下から成るホスホン酸塩群{メチルジホスホン酸塩、アミノトリスメチレンホスホン酸塩、エチリデンジホスホン酸塩、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸塩、エチルアミノビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、プロピレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸塩、トリエチレンテトラミンヘキサメチレンホスホン酸塩及びテトラエチレンペンタミンヘプタメチレンホスホン酸塩など}などが挙げられる。
なお、これらの塩としては、アンモニウム塩、アルカノールアミン(モノエタノールアミン、トリエタノールアミンなど)塩などが挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明の洗浄組成物において、(成分f)アミノ基含有カルボン酸を含有させる場合、その添加量は、適宜選択できるが、約0.001〜約5重量%であることが好ましく、0.01〜3重量%であることがより好ましい。
本発明の洗浄組成物は、少なくとも1つの無機酸及び/又はその塩を含有してもよい。
洗浄組成物に含有される無機酸及び/又はその塩により、半導体基板などの洗浄対象物におけるアルミニウムの表面を平滑化するとともに、洗浄性を向上することができる。さらに、アルミニウムの腐食を防止ないし抑制することができる。また、洗浄組成物に無機酸及び/又はその塩が含有されていることで、これらが含有されていない場合と比較して、腐食を防止ないし抑制しつつ十分な洗浄を実現できる洗浄組成物の温度範囲及び洗浄対象物の洗浄組成物への浸漬時間の範囲を拡大することができる。
本発明の洗浄組成物に使用される無機酸としては、リン酸、ホウ酸、六フッ化リン酸、及びそれらの混合物が例示できる。
また、洗浄組成物に前記無機酸の塩を使用することもでき、前記無機酸のアンモニウム塩などが挙げられる。具体的には、リン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム、六フッ化リン酸アンモニウム及びそれらの混合物が例示できる。
これらの中でも、リン酸、リン酸塩が好ましく、リン酸がより好ましい。
本発明の洗浄組成物は界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、ノニオン性、アニオン性、カチオン性界面活性剤、及び、両性界面活性剤を用いることができる。
中でも好ましくは、ポリアルキレンオキサイド(以下PAO)アルキルエーテル系界面活性剤で、PAOデシルエーテル、PAOラウリルエーテル、PAOトリデシルエーテル、PAOアルキレンデシルエーテル、PAOソルビタンモノラウレート、PAOソルビタンモノオレエート、PAOソルビタンモノステアレート、テトラオレイン酸ポリエチレンオキサイドソルビット、PAOアルキルアミン、PAOアセチレングリコールから選択されるポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤である。ポリアルキレンオキサイドとしては、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド又はポリブチレンオキサイドの重合体が好ましい。
本発明の洗浄組成物は、水溶性有機溶剤を含有してもよい。水溶性有機溶剤は、腐食防止の点でよい。例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶剤、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶剤、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤等が挙げられる。これらの中で好ましいのは、エーテル系、アミド系、含硫黄系溶剤で、更に好ましくは、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、N−メチルピロリドン及びジメチルスルホキシドである。水溶性有機溶剤は単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。
本発明の洗浄組成物は腐食防止剤を含有してもよい。
腐食防止剤は複素環化合物であることが好ましく、ベンゾトリアゾール及びその誘導体であることがより好ましい。前記誘導体としては、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール(DBTA)、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール(DCEBTA)、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール(HEABTA)、1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール(HMBTA)が好ましい。
次に、本発明の半導体装置の製造方法について詳述する。本発明の半導体装置の製造方法は、ビアホール又は配線を形成した後の半導体基板の洗浄において、本発明の洗浄組成物を適用することを特徴とする。
以下にいくつかの実施形態を例示する。
図1は、本発明の第1実施形態に基づく半導体装置の製造方法の概要を示す工程断面図である。
まず、通常の半導体装置の製造プロセスにより、シリコンウエハ等の半導体基板10上に、トランジスタその他の素子や1層又は2層以上の配線を形成する。次いで、素子等が形成された半導体基板10上に、層間絶縁膜を形成する。
次に、本発明の第2実施形態による半導体装置の製造方法の概要について、同じく図1を用いて説明する。本実施形態による半導体装置の製造方法は、配線16のAl合金膜12に達するビアホール22を形成する点で、第1実施形態による半導体装置の製造方法とは異なる。
まず、第1実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、半導体基板10上に、Al合金膜12と窒化チタン膜14とからなる配線16、及びシリコン酸化膜18を形成する(図1(a)参照)。
次に、本発明の第3実施形態による半導体装置の製造方法の概要について図1及び図2を用いて説明する。
まず、第1実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、素子等が形成された半導体基板上に、層間絶縁膜24を形成する。
次に、本発明の第4実施形態による半導体装置の製造方法の概要について図3を用いて説明する。図3は、本実施形態に基づく半導体装置の製造方法の概要を示す工程断面図である。本実施形態による半導体装置の製造方法は、半導体基板上の多層配線構造における最上部に形成されたパッド(パッド電極)を露出する開口部をパッシベーション膜などの絶縁膜に形成するものである。
また、上記実施形態では、順次積層された密着膜54とAl膜56と密着膜58とを有するパッド60を形成する場合について説明したが、パッドの材料は上述したものに限定されるものではない。パッドの材料としては、種々の金属材料を用いることができる。また、シリコン窒化膜よりなるパッシベーション膜64及びシリコン酸化膜62にパッド60を露出する開口部66を形成する場合について説明したが、パッドを露出する開口部を形成する絶縁膜もこれらに限定されるものではない。このような絶縁膜としては、種々の絶縁膜を用いることができる。
上記第1及び第2実施形態について、ビアホール形成後、本発明の洗浄組成物による洗浄前に、パターンウエハを走査電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)により観察したところ、いずれもビアホール壁面にプラズマエッチング残渣が認められた。また、上記第3実施形態について、配線形成後、本発明の洗浄組成物による洗浄前に、パターンウエハをSEMにより観察したところ、配線の上面及び側面にプラズマエッチング残渣が認められた。また、上記第4実施形態について、パッドを露出する開口部を形成した後、本発明の洗浄組成物による洗浄前に、パターンウエハをSEMにより観察したところ、開口部側面及び開口部周辺の絶縁膜上面にプラズマエッチング残渣が認められた。
以下の表1に示す組成の洗浄組成物1〜29(実施例1〜21、比較例1〜8)を調液した。
洗浄対象物としては、プラズマエッチングによりアルミニウム配線パターンを形成した後のパターンウエハ、プラズマエッチングによりビアホールのパターンを形成した後のパターンウエハ、及び、プラズマエッチングによりパッドを露出する開口部を形成した後のパッドパターンを有するパターンウエハを用意した。
浸漬試験後のパターンウエハの切片の表面をSEMで観察し、プラズマエッチング残渣の除去性(洗浄性)について下記の評価基準に従って評価を行った。なお、配線パターンについては、配線側面及び上面の残渣除去性を評価した。また、ビアホールのパターンについては、ビアホール周辺の残渣除去性を評価した。また、パッドを露出する開口部が形成されたパッドパターンについては、開口部側面及び開口部周辺の絶縁膜上面の残渣除去性を評価した。
また、SEMによる観察により、配線パターンについてはそのAlの腐食性(リセス)を評価し、ビアパターンについてはビアホール底部に露出した配線のAlの腐食性を評価した。
評価基準を以下に示す。また、評価結果を表2に示す。
◎:プラズマエッチング残渣が完全に除去された。
○:プラズマエッチング残渣がほぼ完全に除去された。
△:プラズマエッチング残渣の溶解が未完了であった。
×:プラズマエッチング残渣がほとんど除去されていなかった。
なお、上記洗浄性の評価基準は、配線パターン、ビアパターン、及びパッドパターンについて共通するものである。
◎:Alの腐食は見られなかった。
○:Alの腐食が配線に対して5%以下で起こっていた。
△:Alの腐食が配線に対して10%以下で起こっていた。
×:Al配線が完全に消失していた。
なお、上記腐食性の評価基準は、配線パターン及びビアパターンに共通するものである。
(成分b)
DPG:ジプロピレングリコール(1,1’−オキシジ(2−プロパノール))
MPD:2−メチル−2,4−ペンタンジオール
BD:1,3−ブタンジオール
BO:2−ブタノール
CHD:1,2−シクロヘキサンジオール
Pin:ピナコール
Gly:グリセリン
APO:1−アミノ−2−プロパノール
PGME:2−メトキシ−1−プロパノール
DEG:ジエチレングリコール
(成分c)
CA:クエン酸
GA:グリコール酸
LA:乳酸
MNA:マロン酸
OA:シュウ酸
AA:酢酸
PA:プロピオン酸
VA:バレリアン酸
IVA:イソバレリアン酸
SUA:コハク酸
MA:リンゴ酸
GTA:グルタル酸
MLA:マレイン酸
FA:フマル酸
PHA:フタル酸
BCA:1,2,3−ベンゼントリカルボン酸
SA:サリチル酸
TA:酒石酸
GLA:グルコン酸
FRA:蟻酸
(成分d)
TMAH:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
TBAH:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
BTMAH:ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド
(成分e)
HAS:硫酸ヒドロキシルアンモニウム
(成分f)
His:ヒスチジン
Arg:アルギニン
(成分g)
PA:リン酸
BA:ホウ酸
AP:リン酸アンモニウム
HFP:六フッ化リン酸
AHFP:六フッ化リン酸アンモニウム
AB:ホウ酸アンモニウム
また、本発明の洗浄組成物を用いた洗浄では、浸漬温度、浸漬時間を比較的自由に選ぶことができ、低温度、短時間での洗浄が可能であった。さらに、本発明の洗浄組成物を用いた洗浄では、浸漬時間延長の強制条件においても、Alの腐食の進行がなかった。
12 Al合金膜
14 窒化チタン膜
16 配線
18 シリコン酸化膜
20 ビアホール
22 ビアホール
24 層間絶縁膜
26 窒化チタン膜
28 チタン膜
30 Al合金膜
32 窒化チタン膜
34 配線
36 プラズマエッチング残渣
38 層間絶縁膜
40 バリアメタル膜
42 Al膜
44 配線パターン
46 層間絶縁膜
48 バリアメタル膜
50 タングステン膜
52 ビア
54 密着膜
56 Al膜
58 密着膜
60 パッド
62 シリコン酸化膜
64 パッシベーション膜
66 開口部
Claims (13)
- 57〜95重量%の(成分a)水、
1〜40重量%の(成分b)第2級水酸基及び/又は第3級水酸基を有するヒドロキシ化合物、
(成分c)有機酸、並びに、
(成分d)第4級アンモニウム化合物、を含有し、
pHが5〜10であることを特徴とする、
半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物。 - 前記成分bがジオール化合物である、請求項1に記載の洗浄組成物。
- 前記成分bが、少なくとも第2級水酸基と、第1級乃至第3級水酸基のいずれかとを有する化合物である、請求項2に記載の洗浄組成物。
- 前記成分bが、ジプロピレングリコール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、及び1,3−ブタンジオールからなる群より選択される化合物である、請求項3に記載の洗浄組成物。
- さらに(成分e)ヒドロキシルアミン及び/又はその塩を含有する、請求項1〜4いずれか1項に記載の洗浄組成物。
- 前記成分cが、構成元素をC、H、及びOのみとするカルボン酸である、請求項1〜5いずれか1項に記載の洗浄組成物。
- 前記成分cが、クエン酸、乳酸、グリコール酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリアン酸、イソバレリアン酸、コハク酸、リンゴ酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びマロン酸からなる群より選択される化合物である、請求項6に記載の洗浄組成物。
- さらに(成分f)アミノ基含有カルボン酸を含有する、請求項1〜7いずれか1項に記載の洗浄組成物。
- 前記成分fが、ヒスチジン又はアルギニンである、請求項8に記載の洗浄組成物。
- さらに(成分g)無機酸及び/又はその塩を含有する、請求項1〜9いずれか1項に記載の洗浄組成物。
- 前記成分gが、リン酸、ホウ酸、リン酸アンモニウム、及びホウ酸アンモニウムからなる群より選択される化合物である、請求項10に記載の洗浄組成物。
- 請求項1〜11いずれか1項に記載の洗浄組成物を用いて半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板がアルミニウム又は銅を含む、請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013101224A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Nagase Chemtex Corp | レジスト残渣除去組成物 |
JP2014141669A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用洗浄剤 |
JP2015079244A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-04-23 | 花王株式会社 | 樹脂マスク層用洗浄剤組成物及び回路基板の製造方法 |
KR20150056727A (ko) * | 2013-11-15 | 2015-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 세정제 조성물 및 이를 이용한 금속배선 제조방법 |
JP2015165561A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-09-17 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
KR20160028998A (ko) * | 2013-07-09 | 2016-03-14 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 인듐, 갈륨, 아연, 및 산소로 이루어진 산화물(igzo)의 표면으로부터 구리를 포함하는 부착물을 세정·제거하는 액체 조성물, 및 그 액체 조성물을 이용한 igzo표면의 세정방법, 그리고 그 세정방법에 의해 세정되는 기판 |
JP2016536392A (ja) * | 2013-10-21 | 2016-11-24 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
KR20190112296A (ko) * | 2017-02-10 | 2019-10-04 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 세정 제형 |
JP2020513440A (ja) * | 2016-11-25 | 2020-05-14 | インテグリス・インコーポレーテッド | エッチング後残留物を除去するための洗浄組成物 |
US10927329B2 (en) | 2013-12-06 | 2021-02-23 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
US11407966B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-08-09 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning compositions |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9275851B2 (en) * | 2011-03-21 | 2016-03-01 | Basf Se | Aqueous, nitrogen-free cleaning composition and its use for removing residues and contaminants from semiconductor substrates suitable for manufacturing microelectronic devices |
US9190376B1 (en) * | 2014-05-15 | 2015-11-17 | International Business Machines Corporation | Organic coating to inhibit solder wetting on pillar sidewalls |
CN107155367B (zh) * | 2014-06-30 | 2021-12-21 | 恩特格里斯公司 | 利用钨及钴兼容性移除蚀刻后残余物的含水及半含水清洁剂 |
US10168125B2 (en) * | 2014-09-02 | 2019-01-01 | Crotega, LLC | Sprayable composition for deterring intruders |
US9593297B2 (en) | 2014-10-15 | 2017-03-14 | Micron Technology, Inc. | Compositions for removing residues and related methods |
JP6486652B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2019-03-20 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液、及び基板の洗浄方法 |
KR102637508B1 (ko) * | 2015-08-03 | 2024-02-15 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 세정 조성물 |
CN105671579B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-06-29 | 安徽三环水泵有限责任公司 | 一种泵用轴承及轴承座清洗剂 |
CN114706271A (zh) * | 2016-03-31 | 2022-07-05 | 富士胶片株式会社 | 半导体制造用处理液及图案形成方法 |
US10329674B2 (en) | 2016-12-01 | 2019-06-25 | Vitech International, Inc. | Fluorinated acid compounds, compositions and methods of use |
US10761423B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical composition for tri-layer removal |
KR102062342B1 (ko) * | 2019-03-08 | 2020-01-03 | 영창케미칼 주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정액 조성물 및 그를 이용한 세정방법 |
WO2023170021A1 (en) * | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing solution, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008023753A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Tombow Pencil Co Ltd | 鉛筆削り器 |
JP2009212383A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Sanyo Chem Ind Ltd | 洗浄剤組成物及び半導体基板の製造方法 |
JP2009278018A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Kanto Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液組成物 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7144848B2 (en) * | 1992-07-09 | 2006-12-05 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal |
US5597678A (en) * | 1994-04-18 | 1997-01-28 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosive photoresist stripper composition |
US6033993A (en) * | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
JPH11316465A (ja) | 1998-03-03 | 1999-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
JP3477390B2 (ja) | 1999-01-22 | 2003-12-10 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
US6361712B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
ATE434033T1 (de) * | 2002-04-25 | 2009-07-15 | Fujifilm Electronic Materials | Nicht korrodierende reinigungsmittel zur entfernung von ätzmittelrückständen |
US7399365B2 (en) * | 2003-04-18 | 2008-07-15 | Ekc Technology, Inc. | Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices |
US20050089489A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Carter Melvin K. | Composition for exfoliation agent effective in removing resist residues |
US8030263B2 (en) * | 2004-07-01 | 2011-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for stripping and cleaning and use thereof |
US7922824B2 (en) * | 2005-10-05 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Oxidizing aqueous cleaner for the removal of post-etch residues |
US20070179072A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rao Madhukar B | Cleaning formulations |
JP4766114B2 (ja) | 2006-08-24 | 2011-09-07 | ダイキン工業株式会社 | 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法 |
US20080139436A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-06-12 | Chris Reid | Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material |
US7879783B2 (en) | 2007-01-11 | 2011-02-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning composition for semiconductor substrates |
JP2010535422A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物 |
WO2009058287A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Process of purification of amidoxime containing cleaning solutions and their use |
WO2009058278A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc | Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions |
US7825079B2 (en) * | 2008-05-12 | 2010-11-02 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning composition comprising a chelant and quaternary ammonium hydroxide mixture |
US20090291873A1 (en) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and Composition for Post-CMP Cleaning of Copper Interconnects Comprising Noble Metal Barrier Layers |
JP5312887B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-10-09 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液 |
-
2010
- 2010-03-25 JP JP2010070821A patent/JP5513196B2/ja active Active
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- 2011-03-24 CN CN201110078415.7A patent/CN102206559B/zh active Active
-
2014
- 2014-01-17 US US14/158,454 patent/US9396926B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008023753A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Tombow Pencil Co Ltd | 鉛筆削り器 |
JP2009212383A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Sanyo Chem Ind Ltd | 洗浄剤組成物及び半導体基板の製造方法 |
JP2009278018A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Kanto Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液組成物 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013101224A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Nagase Chemtex Corp | レジスト残渣除去組成物 |
JP2014141669A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用洗浄剤 |
KR20160028998A (ko) * | 2013-07-09 | 2016-03-14 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 인듐, 갈륨, 아연, 및 산소로 이루어진 산화물(igzo)의 표면으로부터 구리를 포함하는 부착물을 세정·제거하는 액체 조성물, 및 그 액체 조성물을 이용한 igzo표면의 세정방법, 그리고 그 세정방법에 의해 세정되는 기판 |
KR102000726B1 (ko) | 2013-07-09 | 2019-07-16 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 인듐, 갈륨, 아연, 및 산소로 이루어진 산화물(igzo)의 표면으로부터 구리를 포함하는 부착물을 세정·제거하는 액체 조성물, 및 그 액체 조성물을 이용한 igzo표면의 세정방법, 그리고 그 세정방법에 의해 세정되는 기판 |
JP2015079244A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-04-23 | 花王株式会社 | 樹脂マスク層用洗浄剤組成物及び回路基板の製造方法 |
JP2016536392A (ja) * | 2013-10-21 | 2016-11-24 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
KR102261638B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2021-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 세정제 조성물 및 이를 이용한 금속배선 제조방법 |
KR20150056727A (ko) * | 2013-11-15 | 2015-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 세정제 조성물 및 이를 이용한 금속배선 제조방법 |
US11401487B2 (en) | 2013-12-06 | 2022-08-02 | Fujifilm Electronics Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
US10927329B2 (en) | 2013-12-06 | 2021-02-23 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
US11286444B2 (en) | 2013-12-06 | 2022-03-29 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
US11618867B2 (en) | 2013-12-06 | 2023-04-04 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
US11639487B2 (en) | 2013-12-06 | 2023-05-02 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
JP2015165561A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-09-17 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
JP2020513440A (ja) * | 2016-11-25 | 2020-05-14 | インテグリス・インコーポレーテッド | エッチング後残留物を除去するための洗浄組成物 |
JP2021181570A (ja) * | 2016-11-25 | 2021-11-25 | インテグリス・インコーポレーテッド | エッチング後残留物を除去するための洗浄組成物 |
JP2020508369A (ja) * | 2017-02-10 | 2020-03-19 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄用調合物 |
KR20190112296A (ko) * | 2017-02-10 | 2019-10-04 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 세정 제형 |
KR102499429B1 (ko) * | 2017-02-10 | 2023-02-13 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 세정 제형 |
US11407966B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-08-09 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning compositions |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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