JP2011201128A - Manufacturing method of mounting structure and manufacturing method of thermal head - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress shrinking deformation of a mounting body mounted on conductive wiring provided on a substrate.SOLUTION: This invention is a manufacturing method of a mounting structure X having a step of mounting a mounting body 29, which undergoes shrinking deformation at mounting onto the conductive wiring 21, onto the conductive wiring 21 provided on the substrate 7. The method includes a preparation step of preparing the substrate 7 on which the conductive wiring 21 is provided, a pressing step of pressing by a pressing member Z at least part of the region of the conductive wiring 21 corresponding to the region in which the mounting body 29 is to be mounted, and a mounting step of mounting the mounting body 29 onto a region of the conductive wiring 21 pressed in the pressing step.

Description

本発明は、実装構造体の製造方法およびサーマルヘッドの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a mounting structure and a method for manufacturing a thermal head.

従来、ファクシミリやビデオプリンタ等の印画デバイスとして、種々のサーマルヘッドが提案されている。例えば、特許文献１に記載のサーマルヘッドでは、基板（ヘッド基板）上に複数の発熱部（発熱素子）が配列されている。この複数の発熱部は、複数の群に分けられ、各群の発熱部の通電状態を制御する駆動ＩＣ（駆動用ＩＣ）が、複数の発熱部の各群に対応して基板上に配置されている。この駆動ＩＣは、発熱部に接続された導電配線（リード電極）と、フレキシブルプリント配線板（フレキシブル配線基板）に接続された導電配線（リード電極）とに接続されており、フレキシブルプリント配線を介して外部電源から供給される電流の発熱部への供給状態を制御し、複数の発熱部を選択的に発熱させるようになっている。   Conventionally, various thermal heads have been proposed as printing devices such as facsimiles and video printers. For example, in the thermal head described in Patent Document 1, a plurality of heat generating portions (heat generating elements) are arranged on a substrate (head substrate). The plurality of heat generating portions are divided into a plurality of groups, and a driving IC (driving IC) for controlling the energization state of each group of heat generating portions is arranged on the substrate corresponding to each group of the plurality of heat generating portions. ing. This drive IC is connected to the conductive wiring (lead electrode) connected to the heat generating part and the conductive wiring (lead electrode) connected to the flexible printed wiring board (flexible wiring board). Thus, the supply state of the current supplied from the external power source to the heat generating portion is controlled, and the plurality of heat generating portions are selectively heated.

特開２００５−２１２１２８号公報JP-A-2005-212128

特許文献１に記載のサーマルヘッドでは、駆動ＩＣを被覆する被覆部材が導電配線上に実装されている。この被覆部材は、エポキシ樹脂等で形成されており、硬化時に収縮変形する。そのため、この被覆部材を導電配線上に実装したときには、この硬化時の収縮変形によって、被覆部材が実装された導電配線に反りが発生し、この導電配線とこの導電配線に接続された駆動ＩＣとの接続部分に応力が発生し易くなっている。これにより、この接続部分に発生した応力に起因して、亀裂や剥離が発生し、この接続部分が切断されるという問題があった。   In the thermal head described in Patent Document 1, a covering member that covers the driving IC is mounted on the conductive wiring. This covering member is formed of an epoxy resin or the like, and shrinks and deforms when cured. For this reason, when the covering member is mounted on the conductive wiring, the conductive wiring on which the covering member is mounted is warped due to shrinkage deformation at the time of curing, and the conductive wiring and the driving IC connected to the conductive wiring are It is easy for stress to be generated in the connecting portion. As a result, there is a problem that cracks and peeling occur due to the stress generated in the connection portion, and the connection portion is cut.

また、このような被覆部材等の実装体の収縮変形に起因する問題は、例えば、プリント配線板等の基板に設けられたプリント配線等の導電配線に、コンデンサや発光ダイオード等の素子が接続され、この素子を被覆する被覆部材等の実装体がこの導電配線上に実装された一般的な実装構造体にも同様に発生する。   In addition, a problem caused by shrinkage deformation of a mounting body such as a covering member is caused by, for example, an element such as a capacitor or a light emitting diode being connected to a conductive wiring such as a printed wiring provided on a substrate such as a printed wiring board. A mounting body such as a covering member that covers the element is similarly generated in a general mounting structure mounted on the conductive wiring.

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、基板に設けられた導電配線上に実装された実装体の収縮変形を抑制することができる実装構造体の製造方法およびサーマルヘッドの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problem, and a method for manufacturing a mounting structure and a thermal head capable of suppressing shrinkage deformation of a mounting body mounted on a conductive wiring provided on a substrate. An object is to provide a manufacturing method.

本発明の実装構造体の製造方法は、基板に設けられた導電配線上に、該導電配線上への実装時に収縮変形する実装体を実装する工程を有する実装構造体の製造方法であって、前記導電配線が設けられた前記基板を準備する準備工程と、前記実装体が実装される領域に対応する前記導電配線上の領域を押圧部材によって押し広げるように押圧する押圧工程と、該押圧工程において押圧された前記導電配線の前記領域上に前記実装体を実装する実装工程とを備えることを特徴とする。   The mounting structure manufacturing method of the present invention is a mounting structure manufacturing method including a step of mounting a mounting body that contracts and deforms when mounted on a conductive wiring on a conductive wiring provided on a substrate, A preparatory step of preparing the substrate provided with the conductive wiring, a pressing step of pressing the pressing member to expand a region on the conductive wiring corresponding to a region where the mounting body is mounted, and the pressing step And a mounting step of mounting the mounting body on the region of the conductive wiring pressed in the step.

本発明の上記実装構造体の製造方法において、前記実装構造体は、前記導電配線に接続された素子を有しており、前記実装体は、前記素子を被覆する被覆部材であってもよい。   In the method for manufacturing the mounting structure according to the aspect of the invention, the mounting structure may include an element connected to the conductive wiring, and the mounting body may be a covering member that covers the element.

本発明のサーマルヘッドの製造方法は、基板上に配列された複数の発熱部の配列方向に沿って帯状に延び、該発熱部に電気的に接続される導電配線上に、該導電配線上への実装時に収縮変形する実装体を実装する工程を有するサーマルヘッドの製造方法であって、前記複数の発熱部が配列されているとともに前記導電配線が設けられた前記基板を準備する準備工程と、前記実装体が実装される領域に対応する前記導電配線上の領域を押圧部材によって押し広げるように押圧する押圧工程と、該押圧工程において押圧された前記導電配線の前記領域上に前記実装体を実装する実装工程とを備えることを特徴とする。   The method for manufacturing a thermal head according to the present invention extends in a strip shape along the arrangement direction of a plurality of heat generating portions arranged on a substrate, and onto the conductive wiring electrically connected to the heat generating portion. A method of manufacturing a thermal head including a step of mounting a mounting body that shrinks and deforms when mounted, and preparing the substrate on which the plurality of heat generating portions are arranged and the conductive wiring is provided, and A pressing step of pressing the pressing member to expand a region on the conductive wiring corresponding to a region where the mounting body is mounted; and the mounting body on the region of the conductive wiring pressed in the pressing step. And a mounting process for mounting.

本発明の上記サーマルヘッドの製造方法において、前記サーマルヘッドは、前記発熱部を被覆する保護層を有しており、前記押圧部材として、前記保護層の形成時に、前記導電配線上に前記保護層が形成されないように前記導電配線を被覆するマスクを用いてもよい。   In the thermal head manufacturing method of the present invention, the thermal head has a protective layer that covers the heat generating portion, and the protective layer is formed on the conductive wiring as the pressing member when the protective layer is formed. A mask that covers the conductive wirings may be used so that is not formed.

また、前記マスクとして、前記実装体が実装される領域に対応する前記導電配線上の少なくとも一部の領域に対応する位置に形成された凸部を有するものを用い、該凸部によって前記導電配線を押圧してもよい。   Further, as the mask, a mask having a convex portion formed at a position corresponding to at least a part of the conductive wiring corresponding to a region where the mounting body is mounted is used, and the conductive wiring is formed by the convex portion. May be pressed.

また、前記サーマルヘッドは、前記導電配線に接続され、前記発熱部の通電状態を制御する駆動ＩＣを有しており、前記実装体は、前記駆動ＩＣを被覆する被覆部材であってもよい。   The thermal head may include a drive IC that is connected to the conductive wiring and controls an energization state of the heat generating portion, and the mounting body may be a covering member that covers the drive IC.

また、本発明の上記サーマルヘッドの製造方法において、前記実装体は、フレキシブルプリント配線板であってもよい。   In the method for manufacturing a thermal head according to the present invention, the mounting body may be a flexible printed wiring board.

本発明によれば、基板に設けられた導電配線上に実装された実装体の収縮変形を抑制することができる実装構造体の製造方法およびサーマルヘッドの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the mounting structure which can suppress the shrinkage deformation | transformation of the mounting body mounted on the electrically conductive wiring provided in the board | substrate, and the manufacturing method of a thermal head can be provided.

本発明のサーマルヘッドの一実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows one Embodiment of the thermal head of this invention. 図１のサーマルヘッドのII−II線断面図である。It is the II-II sectional view taken on the line of the thermal head of FIG. 図１のサーマルヘッドのIII−III線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III of the thermal head of FIG. 1. 図１のサーマルヘッドにおけるヘッド基体の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a head substrate in the thermal head of FIG. 1. 第１保護層、第２保護層、駆動ＩＣおよび被覆部材の図示を省略して示す図４のヘッド基体の平面図である。FIG. 5 is a plan view of the head substrate of FIG. 4, omitting illustration of a first protective layer, a second protective layer, a drive IC, and a covering member. 第１保護層、第２保護層および被覆部材の図示を省略したヘッド基体にＦＰＣを接続した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which connected FPC to the head base | substrate which abbreviate | omitted illustration of the 1st protective layer, the 2nd protective layer, and the coating | coated member. （ａ）〜（ｇ）は、図１のサーマルヘッドの製造工程の一実施形態を示す工程図である。(A)-(g) is process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing process of the thermal head of FIG. 図７（ｂ）のサーマルヘッドの製造工程に示すマスクの平面図である。It is a top view of the mask shown in the manufacturing process of the thermal head of FIG.7 (b). （ａ）は、図７（ｂ）のIXa−IXa線断面図である。（ｂ）は、図７（ｄ）のIXb−IXb線断面図である。（ｃ）は、図７（ｇ）のIXc−IXc線断面図である。(A) is the IXa-IXa sectional view taken on the line of FIG.7 (b). (B) is the IXb-IXb sectional view taken on the line of FIG.7 (d). (C) is the IXc-IXc line sectional view of Drawing 7 (g).

以下、本発明の実装構造体の製造方法の一実施形態について、サーマルヘッドの製造方法の一実施形態を例として、図面を参照しつつ説明する。   Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a mounting structure according to the present invention will be described with reference to the drawings, taking an embodiment of a method for manufacturing a thermal head as an example.

まず、本実施形態のサーマルヘッドの製造方法によって製造するサーマルヘッドの一実
施形態について、図面を参照しつつ説明する。 First, an embodiment of a thermal head manufactured by the thermal head manufacturing method of the present embodiment will be described with reference to the drawings.

図１〜図３に示すように、本実施形態のサーマルヘッドＸは、放熱体１と、放熱体１上に配置されたヘッド基体３と、ヘッド基体３に接続されたフレキシブルプリント配線板５（以下、ＦＰＣ５という）とを備えている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the thermal head X of the present embodiment includes a radiator 1, a head substrate 3 disposed on the radiator 1, and a flexible printed wiring board 5 ( Hereinafter referred to as FPC5).

放熱体１は、例えば、銅またはアルミニウム等の金属材料で形成されており、平面視で長方形状である台板部１ａと、この台板部１ａの一方の長辺（図１では右側の長辺）に沿って延びる突出部１ｂとを備えている。図２に示すように、突出部１ｂを除いた台板部１ａの上面には、両面テープや接着剤等（不図示）によってヘッド基体３が接着されている。また、突出部１ｂ上には、両面テープや接着剤等（不図示）によってＦＰＣ５が接着されている。また、放熱体１は、後述するようにヘッド基体３の発熱部９で発生した熱のうち、印画に寄与しない熱の一部を放熱する機能を有している。   The radiator 1 is made of, for example, a metal material such as copper or aluminum, and has a base plate portion 1a that is rectangular in plan view, and one long side of the base plate portion 1a (the right side in FIG. 1). And a protruding portion 1b extending along the side. As shown in FIG. 2, the head substrate 3 is bonded to the upper surface of the base plate portion 1a excluding the protruding portion 1b by a double-sided tape, an adhesive, or the like (not shown). Further, the FPC 5 is bonded on the protruding portion 1b by a double-sided tape, an adhesive, or the like (not shown). The radiator 1 has a function of radiating a part of heat generated in the heat generating portion 9 of the head base 3 that does not contribute to printing, as will be described later.

図１〜図５に示すように、ヘッド基体３は、平面視で長方形状の基板７と、基板７上に設けられ、基板７の長手方向に沿って配列された複数（図示例では２４個）の発熱部９と、発熱部９の配列方向に沿って基板７上に並べて配置された複数（図示例では３個）の駆動ＩＣ１１とを備えている。なお、図４は、ヘッド基体３の平面図である。図５は、後述する第１保護層２５、第２保護層２７、駆動ＩＣ１１および被覆部材２９の図示を省略したヘッド基体３の平面図である。   As shown in FIGS. 1 to 5, the head base 3 is provided with a rectangular substrate 7 in plan view and a plurality of (24 in the illustrated example) arranged along the longitudinal direction of the substrate 7. ) And a plurality (three in the illustrated example) of driving ICs 11 arranged side by side on the substrate 7 along the arrangement direction of the heat generating portions 9. FIG. 4 is a plan view of the head base 3. FIG. 5 is a plan view of the head base 3 in which the first protective layer 25, the second protective layer 27, the drive IC 11 and the covering member 29 which will be described later are omitted.

基板７は、アルミナセラミックス等の電気絶縁性材料や単結晶シリコン等の半導体材料等によって形成されている。   The substrate 7 is made of an electrically insulating material such as alumina ceramic, a semiconductor material such as single crystal silicon, or the like.

図２、図３および図５に示すように、基板７の上面には、蓄熱層１３が形成されている。この蓄熱層１３は、基板７の上面全体に形成された下地部１３ａと、複数の発熱部９の配列方向に沿って帯状に延び、断面が略半楕円形状の隆起部１３ｂとを有している。この隆起部１３ｂは、印画する記録媒体を、発熱部９上に形成された後述する第１保護層２５に良好に押し当てるように作用する。   As shown in FIGS. 2, 3 and 5, a heat storage layer 13 is formed on the upper surface of the substrate 7. The heat storage layer 13 includes a base portion 13a formed on the entire top surface of the substrate 7, and a raised portion 13b extending in a strip shape along the arrangement direction of the plurality of heat generating portions 9 and having a substantially semi-elliptical cross section. Yes. The raised portions 13b act so as to favorably press the recording medium to be printed against a first protective layer 25 described later formed on the heat generating portion 9.

また、蓄熱層１３は、例えば、熱伝導性の低いガラスで形成されており、発熱部９で発生する熱の一部を一時的に蓄積することで、発熱部９の温度を上昇させるのに要する時間を短くし、サーマルヘッドＸの熱応答特性を高めるように作用する。この蓄熱層１３は、例えば、ガラス粉末に適当な有機溶剤を混合して得た所定のガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷等によって基板７の上面に塗布し、これを高温で焼成することで形成される。   In addition, the heat storage layer 13 is made of, for example, glass having low thermal conductivity, and temporarily accumulates part of the heat generated in the heat generating part 9 to increase the temperature of the heat generating part 9. The time required is shortened and the thermal response characteristic of the thermal head X is enhanced. The heat storage layer 13 is formed, for example, by applying a predetermined glass paste obtained by mixing a glass powder with an appropriate organic solvent onto the upper surface of the substrate 7 by screen printing or the like, and baking it at a high temperature. Is done.

蓄熱層１３の上面には、電気抵抗層１５が設けられている。この電気抵抗層１５は、蓄熱層１３と、後述する共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３との間に介在し、図５に示すように、平面視において、これらの個別電極配線１９、共通電極配線１７、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３と同形状の領域（以下、介在領域という）と、個別電極配線１９と共通電極配線１７との間から露出した複数の領域（以下、露出領域という）とを有している。なお、図５では、この電気抵抗層１５の介在領域は、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３で隠れている。   An electrical resistance layer 15 is provided on the upper surface of the heat storage layer 13. The electrical resistance layer 15 is interposed between the heat storage layer 13 and a later-described common electrode wiring 17, individual electrode wiring 19, ground electrode wiring 21, and IC control wiring 23. As shown in FIG. These individual electrode wiring 19, common electrode wiring 17, ground electrode wiring 21, and region having the same shape as the IC control wiring 23 (hereinafter referred to as an intervening region) are exposed from between the individual electrode wiring 19 and the common electrode wiring 17. A plurality of regions (hereinafter referred to as exposed regions). In FIG. 5, the intervening region of the electric resistance layer 15 is hidden by the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23.

電気抵抗層１５の各露出領域は、上記の発熱部９を形成している。そして、この複数の露出領域（発熱部９）が、図２および図５に示すように、蓄熱層１３の隆起部１３ｂ上に列状に配置されている。複数の発熱部９は、説明の便宜上、図１、図４および図５で簡略化して記載しているが、例えば、６００ｄｐｉ（dot per inch）等の密度で配置される。   Each exposed region of the electrical resistance layer 15 forms the heat generating portion 9 described above. Then, as shown in FIGS. 2 and 5, the plurality of exposed regions (heat generating portions 9) are arranged in a row on the raised portions 13 b of the heat storage layer 13. For convenience of explanation, the plurality of heat generating portions 9 are illustrated in a simplified manner in FIGS. 1, 4, and 5, but are arranged at a density of, for example, 600 dpi (dot per inch).

電気抵抗層１５は、例えば、ＴａＮ系、ＴａＳｉＯ系、ＴａＳｉＮＯ系、ＴｉＳｉＯ系、ＴｉＳｉＣＯ系またはＮｂＳｉＯ系等の電気抵抗の比較的高い材料によって形成されている。そのため、後述する共通電極配線１７と個別電極配線１９との間に電圧が印加され、発熱部９に電流が供給されたときに、ジュール発熱によって発熱部９が発熱する。   The electric resistance layer 15 is made of a material having a relatively high electric resistance, such as TaN, TaSiO, TaSiNO, TiSiO, TiSiCO, or NbSiO. Therefore, when a voltage is applied between the common electrode wiring 17 and the individual electrode wiring 19 which will be described later and a current is supplied to the heat generating portion 9, the heat generating portion 9 generates heat due to Joule heat generation.

図１〜図６に示すように、電気抵抗層１５の上面（より詳細には、上記の介在領域の上面）には、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３が設けられている。これらの共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３は、導電性を有する材料で形成されており、例えば、アルミニウム、金、銀および銅のうちのいずれか一種の金属またはこれらの合金によって形成されている。なお、図６は、後述する第１保護層２５、第２保護層２７および被覆部材２９の図示を省略したヘッド基体３に、ＦＰＣ５を接続した状態を示す平面図である。   As shown in FIGS. 1 to 6, the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring are formed on the upper surface of the electric resistance layer 15 (more specifically, the upper surface of the intervening region). 23 is provided. The common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 are made of a conductive material. For example, any one of aluminum, gold, silver, and copper is used. It is formed of a metal or an alloy thereof. FIG. 6 is a plan view showing a state in which the FPC 5 is connected to the head base 3 in which a first protective layer 25, a second protective layer 27, and a covering member 29 described later are omitted.

共通電極配線１７は、図５に示すように、基板７の一方の長辺（図５では左側の長辺）に沿って延びる主配線部１７ａと、基板７の一方および他方の短辺のそれぞれに沿って延び、一端部（図５では左側の端部）が主配線部１７ａに接続された２つの副配線部１７ｂと、主配線部１７ａから各発熱部９に向かって延びる複数（図示例では２４個）のリード部１７ｃとを有している。そして、図６に示すように、副配線部１７ｂの他端部（図６では右側の端部）がＦＰＣ５に接続されているとともに、リード部１７ｃの先端部（図６では右側の端部）が発熱部９に接続されている。これにより、ＦＰＣ５と発熱部９との間が電気的に接続されている。   As shown in FIG. 5, the common electrode wiring 17 includes a main wiring portion 17 a extending along one long side (the left long side in FIG. 5) of the substrate 7, and one and the other short sides of the substrate 7. And two sub-wiring portions 17b having one end portion (the left-side end portion in FIG. 5) connected to the main wiring portion 17a and a plurality (illustrated examples) extending from the main wiring portion 17a toward the heat generating portions 9. 24 leads) 17c. As shown in FIG. 6, the other end portion (right end portion in FIG. 6) of the sub wiring portion 17b is connected to the FPC 5, and the tip end portion (right end portion in FIG. 6) of the lead portion 17c. Is connected to the heat generating part 9. Thereby, the FPC 5 and the heat generating part 9 are electrically connected.

個別電極配線１９は、図２および図６に示すように、各発熱部９と駆動ＩＣ１１との間に延びており、これらの間を接続している。より詳細には、個別電極配線１９は、複数の発熱部９を複数（図示例では３つ）の群に分け、各群の発熱部９を、各群に対応して設けられた駆動ＩＣ１１に電気的に接続している。   As shown in FIGS. 2 and 6, the individual electrode wiring 19 extends between each heat generating portion 9 and the drive IC 11, and connects between them. More specifically, the individual electrode wiring 19 divides a plurality of heat generating portions 9 into a plurality of groups (three in the illustrated example), and the heat generating portions 9 of each group are connected to a drive IC 11 provided corresponding to each group. Electrically connected.

グランド電極配線２１は、図５に示すように、発熱部９の配列方向に沿って、基板７の他方の長辺（図示例では右側の長辺）の近傍で帯状に延びている。このグランド電極配線２１上には、図３および図６に示すように、ＦＰＣ５および駆動ＩＣ１１が接続されている。より詳細には、ＦＰＣ５は、図６に示すように、グランド電極配線２１の一方および他方の端部に位置する端部領域２１Ｅに接続されているとともに、隣接する駆動ＩＣ１１の間に位置するグランド電極配線２１の第１中間領域２１Ｍに接続されている。駆動ＩＣ１１は、グランド電極配線２１の端部領域２１Ｅと第１中間領域２１Ｍとの間の第２中間領域２１Ｎに接続されているとともに、隣接する第１中間領域２１Ｍの間の第３中間領域２１Ｌに接続されている。これにより、駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間が電気的に接続されている。   As shown in FIG. 5, the ground electrode wiring 21 extends in a band shape in the vicinity of the other long side of the substrate 7 (the long side on the right side in the illustrated example) along the arrangement direction of the heat generating portions 9. On the ground electrode wiring 21, as shown in FIGS. 3 and 6, the FPC 5 and the drive IC 11 are connected. More specifically, as shown in FIG. 6, the FPC 5 is connected to an end region 21E located at one end and the other end of the ground electrode wiring 21 and is also connected to a ground located between adjacent drive ICs 11. The electrode wiring 21 is connected to the first intermediate region 21M. The driving IC 11 is connected to the second intermediate region 21N between the end region 21E of the ground electrode wiring 21 and the first intermediate region 21M, and the third intermediate region 21L between the adjacent first intermediate regions 21M. It is connected to the. Thereby, the drive IC 11 and the FPC 5 are electrically connected.

駆動ＩＣ１１は、図６に示すように、複数の発熱部９の各群に対応して配置されており、個別電極配線１９の一端部（図６では右側の端部）とグランド電極配線２１とに接続されている。この駆動ＩＣ１１は、各発熱部９の通電状態を制御するためのものであり、後述するように、内部に複数のスイッチング素子を有しており、各スイッチング素子がオン状態のときに通電状態となり、各スイッチング素子がオフ状態のときに不通電状態となる公知のものを用いることができる。各駆動ＩＣ１１は、図２に示すように、内部のスイッチング素子（不図示）に接続されている一方（図示例では左側）の接続端子１１ａ（以下、第１接続端子１１ａという）が個別電極配線１９に接続されており、このスイッチング素子に接続されている他方（図示例では右側）の接続端子１１ｂ（以下、第２接続端子１１ｂという）がグランド電極配線２１に接続されている。これにより、駆動ＩＣ１１の各スイッチング素子がオン状態のときに、各スイッチング素子に接続された個別電極配線１
９とグランド電極配線２１とが電気的に接続される。 As shown in FIG. 6, the drive IC 11 is disposed corresponding to each group of the plurality of heat generating portions 9, and includes one end portion (right end portion in FIG. 6) of the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the like. It is connected to the. This drive IC 11 is for controlling the energization state of each heat generating part 9, and has a plurality of switching elements inside, as will be described later, and is energized when each switching element is in the ON state. A known element that is in a non-energized state when each switching element is in an off state can be used. As shown in FIG. 2, each drive IC 11 is connected to an internal switching element (not shown), and one (left side in the illustrated example) connection terminal 11a (hereinafter referred to as the first connection terminal 11a) is an individual electrode wiring. The other connection terminal 11b (right side in the illustrated example) (hereinafter referred to as the second connection terminal 11b) connected to the switching element is connected to the ground electrode wiring 21. Thereby, when each switching element of the drive IC 11 is in the ON state, the individual electrode wiring 1 connected to each switching element.
9 and the ground electrode wiring 21 are electrically connected.

なお、図示していないが、個別電極配線１９に接続された第１接続端子１１ａおよびグランド電極配線２１に接続された第２接続端子１１ｂは、各個別電極配線１９に対応して複数個設けられている。この複数の第１接続端子１１ａは、各個別電極配線１９に個別に接続されている。また、複数の第２接続端子１１ｂは、グランド電極配線２１に共通して接続されている。   Although not shown, a plurality of first connection terminals 11 a connected to the individual electrode wirings 19 and a plurality of second connection terminals 11 b connected to the ground electrode wirings 21 are provided corresponding to the individual electrode wirings 19. ing. The plurality of first connection terminals 11 a are individually connected to each individual electrode wiring 19. The plurality of second connection terminals 11 b are connected in common to the ground electrode wiring 21.

ＩＣ制御配線２３は、駆動ＩＣ１１を制御するためのものであり、図５および図６に示すように、ＩＣ電源配線２３ａとＩＣ信号配線２３ｂとを備えている。ＩＣ電源配線２３ａは、基板７の長手方向の両端部で基板７の右側の長辺の近傍に配置された端部電源配線部２３ａＥと、隣接する駆動ＩＣ１１間に配置された中間電源配線部２３ａＭとを有している。   The IC control wiring 23 is for controlling the driving IC 11 and includes an IC power supply wiring 23a and an IC signal wiring 23b as shown in FIGS. The IC power supply wiring 23a is provided at both ends in the longitudinal direction of the substrate 7 at the end power supply wiring portion 23aE disposed near the right long side of the substrate 7 and the intermediate power supply wiring portion 23aM disposed between the adjacent drive ICs 11. And have.

図６に示すように、端部電源配線部２３ａＥは、一端部が駆動ＩＣ１１の配置領域に配置され、グランド電極配線２１の周囲を回り込むようにして、他端部が基板７の右側の長辺の近傍に配置されている。この端部電源配線部２３ａＥは、一端部が駆動ＩＣ１１に接続されているとともに、他端部がＦＰＣ５に接続されている。これにより、駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間が電気的に接続されている。   As shown in FIG. 6, the end power supply wiring portion 23 a </ i> E has one end portion disposed in the region where the drive IC 11 is disposed and wraps around the ground electrode wiring 21, and the other end portion is the long side on the right side of the substrate 7. It is arranged in the vicinity. The end power wiring portion 23aE has one end connected to the drive IC 11 and the other end connected to the FPC 5. Thereby, the drive IC 11 and the FPC 5 are electrically connected.

図６に示すように、中間電源配線部２３ａＭは、グランド電極配線２１に沿って延び、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方の配置領域に配置され、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方の配置領域に配置されている。この中間電源配線部２３ａＭは、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方に接続され、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方に接続され、中間部がＦＰＣ５に接続されている（図３参照）。これにより、駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間が電気的に接続されている。   As shown in FIG. 6, the intermediate power supply wiring portion 23 a </ i> M extends along the ground electrode wiring 21, one end portion is arranged in one arrangement region of the adjacent drive IC 11, and the other end portion is the other of the adjacent drive IC 11. Arranged in the arrangement area. The intermediate power supply wiring portion 23aM has one end connected to one of the adjacent drive ICs 11, the other end connected to the other of the adjacent drive ICs 11, and the intermediate connected to the FPC 5 (see FIG. 3). Thereby, the drive IC 11 and the FPC 5 are electrically connected.

端部電源配線部２３ａＥと中間電源配線部２３ａＭとは、これらの双方が接続された駆動ＩＣ１１の内部で電気的に接続されている。また、隣接する中間電源配線部２３ａＭ同士は、これらの双方が接続された駆動ＩＣ１１の内部で電気的に接続されている。   The end power supply wiring portion 23aE and the intermediate power supply wiring portion 23aM are electrically connected inside the drive IC 11 to which both of them are connected. The adjacent intermediate power supply wiring portions 23aM are electrically connected inside the drive IC 11 to which both of them are connected.

このようにＩＣ電源配線２３ａを各駆動ＩＣ１１と接続することにより、ＩＣ電源配線２３ａが各駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間を電気的に接続している。これにより、後述するようにＦＰＣ５から端部電源配線部２３ａＥおよび中間電源配線部２３ａＭを介して各駆動ＩＣ１１に電源電流を供給するようになっている。   By connecting the IC power supply wiring 23a to each drive IC 11 in this way, the IC power supply wiring 23a electrically connects each drive IC 11 and the FPC 5. As a result, as will be described later, a power supply current is supplied from the FPC 5 to each drive IC 11 via the end power supply wiring portion 23aE and the intermediate power supply wiring portion 23aM.

ＩＣ信号配線２３ｂは、図５および図６に示すように、基板７の長手方向の両端部で基板７の右側の長辺の近傍に配置された端部信号配線部２３ｂＥと、隣接する駆動ＩＣ１１間に配置された中間信号配線部２３ｂＭとを有している。   As shown in FIGS. 5 and 6, the IC signal wiring 23 b is connected to the end signal wiring portion 23 b E arranged in the vicinity of the long side on the right side of the substrate 7 at both ends in the longitudinal direction of the substrate 7 and the adjacent driving IC 11. And an intermediate signal wiring portion 23bM disposed therebetween.

図６に示すように、端部信号配線部２３ｂＥは、端部電源配線部２３ａＥと同様、一端部が駆動ＩＣ１１の配置領域に配置され、グランド電極配線２１の周囲を回り込むようにして、他端部が基板７の右側の長辺の近傍に配置されている。この端部信号配線部２３ｂＥは、一端部が駆動ＩＣ１１に接続されているとともに、他端部がＦＰＣ５に接続されている。   As shown in FIG. 6, the end signal wiring portion 23bE has one end portion disposed in the region where the drive IC 11 is disposed and the other end of the ground electrode wiring 21 in the same manner as the end power supply wiring portion 23aE. The part is arranged in the vicinity of the long side on the right side of the substrate 7. The end signal wiring portion 23bE has one end connected to the drive IC 11 and the other end connected to the FPC 5.

中間信号配線部２３ｂＭは、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方の配置領域に配置され、中間電源配線部２３ａＭの周囲を回り込むようにして、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方の配置領域に配置されている。この中間信号配線部２３ｂＭは、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方に接続され、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方に接続されてい
る。 The intermediate signal wiring portion 23bM is arranged in one arrangement region of the adjacent driving IC 11 with one end portion thereof, and wraps around the periphery of the intermediate power supply wiring portion 23aM so that the other end portion is arranged in the other arrangement region of the driving IC 11 adjacent thereto. Is arranged. The intermediate signal wiring portion 23bM has one end connected to one of the adjacent drive ICs 11 and the other end connected to the other of the adjacent drive ICs 11.

端部信号配線部２３ｂＥと中間信号配線部２３ｂＭとは、これらの双方が接続された駆動ＩＣ１１の内部で電気的に接続されている。また、隣接する中間信号配線部２３ｂＭ同士は、これらの双方が接続された駆動ＩＣの内部で電気的に接続されている。   The end signal wiring portion 23bE and the intermediate signal wiring portion 23bM are electrically connected inside the driving IC 11 to which both of them are connected. Further, the adjacent intermediate signal wiring portions 23bM are electrically connected inside the drive IC to which both of them are connected.

このようにＩＣ信号配線２３ｂを各駆動ＩＣ１１と接続することにより、ＩＣ信号配線２３ｂが各駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間を電気的に接続している。これにより、後述するようにＦＰＣ５から端部信号配線部２３ｂＥを介して駆動ＩＣ１１に伝送された制御信号を、中間信号配線部２３ｂを介して、隣接する駆動ＩＣ１１へさらに伝送するようになっている。   By connecting the IC signal wiring 23b to each driving IC 11 in this way, the IC signal wiring 23b electrically connects each driving IC 11 and the FPC 5. As a result, as described later, the control signal transmitted from the FPC 5 to the drive IC 11 via the end signal wiring portion 23bE is further transmitted to the adjacent drive IC 11 via the intermediate signal wiring portion 23b. .

上記の電気抵抗層１５、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３は、例えば、各々を構成する材料層を蓄熱層１３上に、例えばスパッタリング法等の従来周知の薄膜成形技術によって順次積層した後、この積層体を従来周知のフォトリソグラフィー技術やエッチング技術等を用いて所定のパターンに加工することにより形成される。なお、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３は、同じ工程によって同時に形成することができる。   The electrical resistance layer 15, the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 are conventionally well-known, for example, by forming a material layer constituting each on the heat storage layer 13, for example, sputtering. After sequentially laminating by the thin film forming technique, the laminated body is formed by processing into a predetermined pattern using a conventionally known photolithography technique, etching technique or the like. The common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 can be simultaneously formed by the same process.

図１〜図４に示すように、基板７の上面に形成された蓄熱層１３上には、発熱部９、共通電極配線１７の一部および個別電極配線１９の一部を被覆する第１保護層２５が形成されている。図示例では、この第１保護層２５は、蓄熱層１３の上面の略左半分の領域を覆うように設けられている。この第１保護層２５は、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９を、大気中に含まれている水分等の付着による腐食や、印画する記録媒体との接触による摩耗から保護するためのものである。この第１保護層２５は、例えば、ＳｉＣ系、ＳｉＮ系、ＳｉＯ系およびＳｉＯＮ系等の材料で形成することができる。また、この第１保護層２５は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の従来周知の薄膜成形技術や、スクリーン印刷法等の厚膜成形技術を用いて形成することができる。なお、この第１保護層２５は、複数の材料層を積層して形成してもよい。   As shown in FIGS. 1 to 4, on the heat storage layer 13 formed on the upper surface of the substrate 7, the first protection covering the heat generating portion 9, a part of the common electrode wiring 17 and a part of the individual electrode wiring 19. Layer 25 is formed. In the illustrated example, the first protective layer 25 is provided so as to cover a substantially left half region of the upper surface of the heat storage layer 13. The first protective layer 25 protects the heat generating portion 9, the common electrode wiring 17 and the individual electrode wiring 19 from corrosion due to adhesion of moisture contained in the atmosphere and wear due to contact with the recording medium to be printed. Is for. The first protective layer 25 can be formed of a material such as SiC, SiN, SiO, and SiON, for example. The first protective layer 25 can be formed by using a conventionally well-known thin film forming technique such as a sputtering method or a vapor deposition method, or a thick film forming technique such as a screen printing method. The first protective layer 25 may be formed by laminating a plurality of material layers.

また、図１〜図４に示すように、基板７の上面に形成された蓄熱層１３上には、共通電極配線１７、個別電極配線１９、ＩＣ制御配線２３およびグランド電極配線２１を部分的に被覆する第２保護層２７が設けられている。図示例では、この第２保護層２７は、蓄熱層１３の上面の略右半分の領域を部分的に覆うように設けられている。第２保護層２７は、被覆した共通電極配線１７、個別電極配線１９、ＩＣ制御配線２３およびグランド電極配線２１を、大気との接触による酸化や、大気中に含まれている水分等の付着による腐食から保護するためのものである。なお、第２保護層２７は、共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ制御配線２３の保護をより確実にするため、第１保護層２５の端部に重なるようにして形成されている。第２保護層２７は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料で形成することができる。また、この第２保護層２７は、例えば、スクリーン印刷法等の厚膜成形技術を用いて形成することができる。   As shown in FIGS. 1 to 4, the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the IC control wiring 23, and the ground electrode wiring 21 are partially provided on the heat storage layer 13 formed on the upper surface of the substrate 7. A second protective layer 27 to be covered is provided. In the example of illustration, this 2nd protective layer 27 is provided so that the area | region of the substantially right half of the upper surface of the thermal storage layer 13 may be covered partially. The second protective layer 27 is formed by oxidizing the coated common electrode wiring 17, individual electrode wiring 19, IC control wiring 23 and ground electrode wiring 21 by contact with the atmosphere or adhesion of moisture contained in the atmosphere. It is intended to protect against corrosion. The second protective layer 27 is formed so as to overlap the end portion of the first protective layer 25 in order to ensure the protection of the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19 and the IC control wiring 23. The 2nd protective layer 27 can be formed with resin materials, such as an epoxy resin and a polyimide resin, for example. The second protective layer 27 can be formed using a thick film forming technique such as a screen printing method.

なお、第２保護層２７には、駆動ＩＣ１１を接続する個別電極配線１９の端部、グランド電極配線２１の第２中間領域２１Ｎおよび第３中間領域２１ＬならびにＩＣ制御配線２３の端部を露出させるための開口部（不図示）が形成されており、この開口部を介してこれらの配線が駆動ＩＣ１１に接続されている。また、駆動ＩＣ１１は、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３に接続された状態で、駆動ＩＣ１１自体の保護、および駆動ＩＣ１１とこれらの配線との接続部の保護のため、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂からなる被覆部材２９によって被覆されることで封止されている。   Note that the second protective layer 27 exposes the end portions of the individual electrode wiring 19 that connects the driving IC 11, the second intermediate region 21 N and the third intermediate region 21 L of the ground electrode wiring 21, and the end portion of the IC control wiring 23. For this purpose, an opening (not shown) is formed, and these wirings are connected to the drive IC 11 through this opening. In addition, the drive IC 11 is connected to the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 to protect the drive IC 11 itself and to protect the connection portion between the drive IC 11 and these wirings. It is sealed by being covered with a covering member 29 made of resin such as resin or silicone resin.

ＦＰＣ５は、図６に示すように、上記のように共通電極配線１７、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３に接続されている。このＦＰＣ５は、絶縁性の樹脂層の内部に複数のプリント配線が配線された周知のものであり、各プリント配線がコネクタ３１（図１および図６参照）を介して、図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されるようになっている。   As shown in FIG. 6, the FPC 5 is connected to the common electrode wiring 17, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 as described above. The FPC 5 is a well-known one in which a plurality of printed wirings are wired inside an insulating resin layer, and each printed wiring is connected to an external power supply device (not shown) via a connector 31 (see FIGS. 1 and 6). And it is electrically connected to a control device or the like.

より詳細には、ＦＰＣ５は、内部に形成された各プリント配線が、半田バンプ３３（図３参照）によって、共通電極配線１７の副配線部１７ｂの端部、グランド電極配線２１の端部およびＩＣ制御配線２３の端部にそれぞれ接続され、これらの配線１７，２１，２３とコネクタ３１との間を接続している。そして、コネクタ３１が、図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されると、共通電極配線１７は、正電位（例えば２０Ｖ〜２４Ｖ）に保持された電源装置のプラス側端子に接続され、個別電極配線１９は、接地電位（例えば０Ｖ〜１Ｖ）に保持された電源装置のマイナス側端子に接続されるようになっている。そのため、駆動ＩＣ１１のスイッチング素子がオン状態のとき、発熱部９に電流が供給され、発熱部９が発熱するようになっている。   More specifically, in the FPC 5, each printed wiring formed inside is connected by solder bumps 33 (see FIG. 3) to the end of the sub-wiring portion 17b of the common electrode wiring 17, the end of the ground electrode wiring 21, and the IC. The wires are connected to the end portions of the control wires 23 to connect the wires 17, 21, 23 and the connector 31. When the connector 31 is electrically connected to an external power supply device and control device (not shown), the common electrode wiring 17 is connected to the positive terminal of the power supply device held at a positive potential (for example, 20V to 24V). The individual electrode wirings 19 are connected to the negative terminal of the power supply device held at a ground potential (for example, 0 V to 1 V). For this reason, when the switching element of the drive IC 11 is in the on state, a current is supplied to the heat generating portion 9 and the heat generating portion 9 generates heat.

また、コネクタ３１が、図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されると、ＩＣ制御配線２３のＩＣ電源配線２３ａは、共通電極配線１７と同様、正電位に保持された電源装置のプラス側端子に接続されるようになっている。これにより、駆動ＩＣ１１が接続されたＩＣ電源配線２３ａとグランド電極配線２１との電位差によって、駆動ＩＣ１１に駆動ＩＣ１１を動作させるための電流が供給される。また、ＩＣ制御配線２３のＩＣ信号配線２３ｂは、駆動ＩＣ１１の制御を行う制御装置に接続される。これにより、制御装置からの制御信号が端部信号配線部２３ｂＥを介して駆動ＩＣ１１に伝送され、この駆動ＩＣ１１に伝送された制御信号が中間信号配線部２３ｂＭを介して、隣接する駆動ＩＣにさらに伝送される。この制御信号によって、駆動ＩＣ１１内のスイッチング素子のオン・オフ状態を制御することで、発熱部９を選択的に発熱させることができる。   When the connector 31 is electrically connected to an external power supply device and control device (not shown), the IC power supply wiring 23a of the IC control wiring 23 is a power supply held at a positive potential, like the common electrode wiring 17. It is designed to be connected to the positive terminal of the device. As a result, a current for operating the drive IC 11 is supplied to the drive IC 11 by the potential difference between the IC power supply wiring 23 a to which the drive IC 11 is connected and the ground electrode wiring 21. Further, the IC signal wiring 23 b of the IC control wiring 23 is connected to a control device that controls the driving IC 11. Thereby, the control signal from the control device is transmitted to the drive IC 11 via the end signal wiring portion 23bE, and the control signal transmitted to the drive IC 11 is further transmitted to the adjacent drive IC via the intermediate signal wiring portion 23bM. Is transmitted. By controlling the on / off state of the switching element in the drive IC 11 by this control signal, the heat generating portion 9 can be selectively heated.

また、サーマルヘッドＸを適用してサーマルプリンタを構成する場合は、印画する記録媒体の搬送方向に対して、複数の発熱部９の配列方向が直交するようにサーマルヘッドＸを配置する。また、この記録媒体の搬送方向に直交する方向が主走査方向となる。   When a thermal printer is configured by applying the thermal head X, the thermal head X is arranged so that the arrangement direction of the plurality of heat generating units 9 is orthogonal to the conveyance direction of the recording medium to be printed. The direction perpendicular to the conveyance direction of the recording medium is the main scanning direction.

次に、本実施形態のサーマルヘッドＸの製造方法の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。   Next, an embodiment of a method for manufacturing the thermal head X of the present embodiment will be described with reference to the drawings.

まず、図７（ａ）に示すように、蓄熱層１３、発熱部９、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３が設けられた基板７を準備する。なお、図５がこの状態の平面図に相当する。   First, as shown in FIG. 7A, a substrate 7 provided with a heat storage layer 13, a heat generating portion 9, a common electrode wiring 17, an individual electrode wiring 19, a ground electrode wiring 21, and an IC control wiring 23 is prepared. FIG. 5 corresponds to a plan view of this state.

次に、図７（ｄ）に示すように、発熱部９、共通電極配線１７の一部および個別電極配線１９の一部を被覆するように、蓄熱層１３上に第１保護層２５を形成する。本実施形態では、図７（ｂ）および図８に示すように、第１保護層２５を形成しない蓄熱層１３上の領域に、金属や硬質の樹脂等からなるマスクＺを配置し、このマスクＺが配置された状態で、スパッタリング法、蒸着法等の周知の薄膜成形技術や、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術を用い、図７（ｃ）に示すように第１保護層２５を形成する。こうすることで、マスクＺで覆われた領域には、第１保護層２５が形成されず、マスクで覆われていない領域上にのみ第１保護層２５が形成される。つまり、後の工程で形成する第２保護層２７によって被覆される共通電極配線１７の一部、個別電極配線１９の一部、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３の領域上には、第１保護層２５が形成されない。   Next, as shown in FIG. 7 (d), a first protective layer 25 is formed on the heat storage layer 13 so as to cover the heat generating portion 9, a part of the common electrode wiring 17 and a part of the individual electrode wiring 19. To do. In this embodiment, as shown in FIGS. 7B and 8, a mask Z made of metal, hard resin, or the like is disposed in a region on the heat storage layer 13 where the first protective layer 25 is not formed. In the state where Z is arranged, the first protective layer 25 is formed as shown in FIG. 7C by using a well-known thin film forming technique such as sputtering or vapor deposition or a thick film forming technique such as screen printing. To do. In this way, the first protective layer 25 is not formed in the region covered with the mask Z, and the first protective layer 25 is formed only on the region not covered with the mask. In other words, a part of the common electrode wiring 17, a part of the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 that are covered by the second protective layer 27 formed in a later process are arranged on the first The protective layer 25 is not formed.

ここで、マスクＺの形状について詳述する。マスクＺは、図７（ｂ）および図８に示す
ように、平面視でヘッド基体３の基板７の外形より大きい外形を有する平板部Ｚａと、平板部Ｚａに形成された貫通孔Ｚｂと、平板部Ｚａから基板７に向けて突出する凸部Ｚｃを有している。貫通孔Ｚｂは、第１保護層２５を形成する領域に対応して形成されている。凸部Ｚｃは、後の工程で被覆部材２９が実装される領域に対応するグランド電極配線２１上の一部の領域に対応する位置に形成されている。この凸部Ｚｃは、マスクＺが基板７上に配置されたときに、図７（ｂ）に示すように、グランド電極配線２１上に当接される。これにより、マスクＺの平板部Ｚａと、共通電極配線１７、個別電極配線１９、ＩＣ制御配線２３およびグランド電極配線２１との間に隙間が形成され、この平板部Ｚａとこれらの配線とが接触しないようになっている。そのため、マスクＺの接触による接触痕２１Ｚは、グランド電極配線２１上にのみ形成される。また、本実施形態では、このように比較的幅の広いグランド電極配線２１の幅方向（図７（ｂ）では左右方向）の一部分にマスクＺの凸部Ｚｃを当接しているため、この凸部Ｚｃの接触痕２１Ｚによってグランド電極配線２１が断線しないようにしている。なお、凸部Ｚｃの高さが高すぎると、マスクＺの平板部Ｚａと、共通電極配線１７、個別電極配線１９、ＩＣ制御配線２３およびグランド電極配線２１との間の隙間が大きくなり、第１保護層２５の形成時にこの隙間に第１保護層２５が侵入して形成されるため、この第１保護層２５の侵入が抑制されるように凸部Ｚｃの高さを設定する。なお、本実施形態では、被覆部材２９、グランド電極配線２１、マスクＺがそれぞれ、本発明の実装構造体の製造方法における実装体、導電配線、押圧部材に相当する。 Here, the shape of the mask Z will be described in detail. As shown in FIGS. 7B and 8, the mask Z has a flat plate portion Za having an outer shape larger than the outer shape of the substrate 7 of the head base 3 in plan view, and a through hole Zb formed in the flat plate portion Za. It has a convex portion Zc protruding from the flat plate portion Za toward the substrate 7. The through hole Zb is formed corresponding to a region where the first protective layer 25 is formed. The convex portion Zc is formed at a position corresponding to a partial region on the ground electrode wiring 21 corresponding to a region where the covering member 29 is mounted in a later step. When the mask Z is disposed on the substrate 7, the convex portion Zc is brought into contact with the ground electrode wiring 21 as shown in FIG. Thereby, a gap is formed between the flat plate portion Za of the mask Z and the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the IC control wiring 23, and the ground electrode wiring 21, and the flat plate portion Za and these wirings are in contact with each other. It is supposed not to. Therefore, the contact mark 21 </ b> Z due to the contact with the mask Z is formed only on the ground electrode wiring 21. Further, in the present embodiment, since the projection Zc of the mask Z is in contact with a part of the width direction (the left-right direction in FIG. 7B) of the relatively wide ground electrode wiring 21 in this way, The ground electrode wiring 21 is prevented from being disconnected by the contact mark 21Z of the portion Zc. If the height of the convex portion Zc is too high, a gap between the flat plate portion Za of the mask Z and the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the IC control wiring 23, and the ground electrode wiring 21 becomes large. Since the first protective layer 25 penetrates into the gap when the first protective layer 25 is formed, the height of the projection Zc is set so that the penetration of the first protective layer 25 is suppressed. In the present embodiment, the covering member 29, the ground electrode wiring 21, and the mask Z respectively correspond to the mounting body, the conductive wiring, and the pressing member in the mounting structure manufacturing method of the present invention.

なお、図７では、説明の便宜上、１つのヘッド基体３の製造工程を図示しているが、実際には、基板７として１枚の大きな基板を用い、この基板上に複数のヘッド基体３を作り込み、この大きな基板を最後に分割することによって、複数のヘッド基体３が並行して製造される。この場合、マスクＺも複数のヘッド基体３の第１保護層２５を並行して形成できるように、複数のマスクＺが一体化された形状の大きなマスクを用いる。このマスクには複数の凸部Ｚｃが形成されているため、マスクが複数の凸部Ｚｃによって支持され、マスクの傾きが抑制される。   In FIG. 7, for convenience of explanation, the manufacturing process of one head substrate 3 is shown. However, in practice, a single large substrate is used as the substrate 7, and a plurality of head substrates 3 are mounted on this substrate. A plurality of head bases 3 are manufactured in parallel by forming and finally dividing this large substrate. In this case, a large mask having a shape in which the plurality of masks Z are integrated is used so that the first protective layers 25 of the plurality of head substrates 3 can be formed in parallel. Since the mask has a plurality of convex portions Zc, the mask is supported by the plurality of convex portions Zc, and the inclination of the mask is suppressed.

また、グランド電極配線２１は、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すように、マスクＺの凸部Ｚｃが当接されたときに、この凸部Ｚｃによって押し広げられるように押圧される。これにより、グランド電極配線２１は、図９（ａ）に示すように、厚さ方向に圧縮され、グランド電極配線２１の面内方向で外方へ向かう応力（矢印Ｗ方向の応力）が発生する。この応力は、図９（ｂ）に示すように、グランド電極配線２１上からマスクＺを除去した後も残留応力として残留する。   Further, as shown in FIGS. 7B and 7C, the ground electrode wiring 21 is pressed so as to be expanded by the convex portion Zc when the convex portion Zc of the mask Z is brought into contact therewith. The As a result, the ground electrode wiring 21 is compressed in the thickness direction as shown in FIG. 9A, and a stress (stress in the arrow W direction) is generated in the in-plane direction of the ground electrode wiring 21. . As shown in FIG. 9B, this stress remains as residual stress even after the mask Z is removed from the ground electrode wiring 21.

次に、図７（ｄ）に示すようにグランド電極配線２１上からマスクＺを除去し、図７（ｅ）に示すように第２保護層２７を形成する。この第２保護層２７は、例えば、スクリーン印刷法等の厚膜成形技術を用いて形成する。   Next, the mask Z is removed from the ground electrode wiring 21 as shown in FIG. 7D, and the second protective layer 27 is formed as shown in FIG. 7E. The second protective layer 27 is formed using, for example, a thick film forming technique such as a screen printing method.

続いて、図７（ｆ）に示すように、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３上に駆動ＩＣ１１を実装する。具体的には、詳細には図示しないが、駆動ＩＣ１１の第１接続端子１１ａおよび第２接続端子１１ｂを半田バンプ（不図示）を介して個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３上に接続する。なお、図７（ｆ）では、個別電極配線１９および共通電極配線１７と駆動ＩＣ１１との接続部分が図示されている。   Subsequently, as shown in FIG. 7F, the drive IC 11 is mounted on the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23. Specifically, although not shown in detail, the first connection terminal 11a and the second connection terminal 11b of the drive IC 11 are connected to the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 via solder bumps (not shown). Connect on top. In FIG. 7F, a connection portion between the individual electrode wiring 19 and the common electrode wiring 17 and the driving IC 11 is illustrated.

そして、図７（ｇ）に示すように、駆動ＩＣ１１を被覆部材２９によって被覆することで封止する。より詳細には、駆動ＩＣ１１を覆うとともに、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３上に形成された第２保護層２７を覆うように、被覆部材２９となる樹脂を塗布し、この樹脂を硬化させる。これにより、
被覆部材２９が、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３上に第２保護層２７を介して実装され、駆動ＩＣ１１が被覆部材２９によって被覆される。このとき、被覆部材２９は、上記のようにグランド電極配線２１に形成された接触痕２１Ｚ上に位置する第２保護層２７を覆うように実装される。被覆部材２９は、硬化時に収縮変形する樹脂で形成されており、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性ポリイミド、ポリブチレンテレフタレート樹脂等の熱可塑性樹脂で形成することができる。被覆部材２９が熱硬化性樹脂の場合は、被覆部材２９を加熱することにより硬化させ、熱可塑性樹脂の場合は、被覆部材２９を冷却することにより硬化させる。なお、本実施形態のサーマルヘッドＸでは、発熱部９で発生した熱が被覆部材２９へ伝導して被覆部材２９が加熱されることが想定されるため、被覆部材２９としては、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。 Then, as shown in FIG. 7G, the driving IC 11 is covered with a covering member 29 to be sealed. More specifically, the cover member 29 is formed so as to cover the driving IC 11 and the second protective layer 27 formed on the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23. A resin is applied and the resin is cured. This
The covering member 29 is mounted on the common electrode wiring 17, the individual electrode wiring 19, the ground electrode wiring 21, and the IC control wiring 23 via the second protective layer 27, and the driving IC 11 is covered with the covering member 29. At this time, the covering member 29 is mounted so as to cover the second protective layer 27 located on the contact mark 21Z formed on the ground electrode wiring 21 as described above. The covering member 29 is made of a resin that shrinks and deforms when cured. For example, the covering member 29 can be made of a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin, or a thermoplastic resin such as a thermoplastic polyimide or a polybutylene terephthalate resin. . When the covering member 29 is a thermosetting resin, the covering member 29 is cured by heating, and when the covering member 29 is a thermoplastic resin, the covering member 29 is cured by cooling. In the thermal head X of the present embodiment, it is assumed that the heat generated in the heat generating portion 9 is conducted to the covering member 29 and the covering member 29 is heated, so that the covering member 29 is a thermosetting resin. Is preferably used.

この被覆部材２９は、上記のように硬化時に収縮変形する樹脂で形成されており、グランド電極配線２１上への実装時に収縮変形するため、図９（ｃ）に矢印Ｒで示すように、内方へ向う応力が被覆部材２９内に発生する。これに対し、本実施形態では、上記のように、被覆部材２９が実装される領域に対応するグランド電極配線２１上の一部の領域（つまり、接触痕２１Ｚが形成された領域）が、マスクＺの凸部Ｚｃによって予め押し広げられるように押圧されているため、図９（ｂ）に示すように、グランド電極配線２１の面内方向で外方へ向う応力がグランド電極配線２１内に残留応力として残留している。そのため、図９（ｃ）に示すように、被覆部材２９内の矢印Ｒ方向の応力とグランド電極配線２１内の矢印Ｗ方向の残留応力とが互いに打ち消しあう方向に作用し、被覆部材２９の収縮変形を抑制することができる。   The covering member 29 is formed of a resin that shrinks and deforms when cured as described above, and shrinks and deforms when mounted on the ground electrode wiring 21, so that as shown by an arrow R in FIG. Stress in the direction is generated in the covering member 29. In contrast, in the present embodiment, as described above, a part of the region on the ground electrode wiring 21 corresponding to the region where the covering member 29 is mounted (that is, the region where the contact mark 21Z is formed) is a mask. Since it is pressed so as to be preliminarily spread by the convex portion Zc of Z, as shown in FIG. 9B, the outward stress in the in-plane direction of the ground electrode wiring 21 remains in the ground electrode wiring 21. It remains as stress. For this reason, as shown in FIG. 9C, the stress in the arrow R direction in the covering member 29 and the residual stress in the arrow W direction in the ground electrode wiring 21 act in a mutually canceling direction, and the shrinkage of the covering member 29 occurs. Deformation can be suppressed.

なお、本実施形態では、グランド電極配線２１の接触痕２１Ｚ上に第２保護層２７を形成しているため、この第２保護層２７自体が収縮変形する場合にも、第２保護層２７内に発生する内方へ向う応力と、グランド電極配線２１内の残留応力とが打ち消しあう方向に作用する。これにより、この場合も、第２保護層２７の収縮変形を抑制することができる。   In the present embodiment, since the second protective layer 27 is formed on the contact mark 21Z of the ground electrode wiring 21, even when the second protective layer 27 itself contracts and deforms, Acts in the direction in which the inwardly generated stress and the residual stress in the ground electrode wiring 21 cancel each other. Thereby, also in this case, shrinkage deformation of the second protective layer 27 can be suppressed.

以上の工程によってヘッド基体３が製造される。そして、図２および図３に示すように、このヘッド基体３を放熱体１の台板部１ａに接着し、ＦＰＣ５をヘッド基体３に接続するとともに放熱体１の突出部１ｂに接着することにより、サーマルヘッドＸが製造される。   The head substrate 3 is manufactured through the above steps. 2 and 3, the head base 3 is bonded to the base plate 1a of the radiator 1, and the FPC 5 is connected to the head base 3 and bonded to the protrusion 1b of the radiator 1. The thermal head X is manufactured.

本実施形態のサーマルヘッドＸの製造方法によれば、被覆部材２９が実装される領域に対応するグランド電極配線２１上の一部の領域を押し広げるように押圧する押圧工程と、この押圧工程において押圧されたグランド電極配線２１の領域（接触痕２１Ｚ）上に被覆部材２９を実装する実装工程とを備えている。これにより、上記のように被覆部材２９の収縮変形を抑制することができる。その結果、被覆部材２９で被覆された駆動ＩＣ１１とグランド電極配線２１等との接続部分に、被覆部材２９の収縮変形によって生じる応力が発生するのを抑制することができる。そのため、この接続部分に発生した応力に起因して生じる亀裂や剥離を抑制し、この接続部分が切断されるのを抑制することができる。   According to the manufacturing method of the thermal head X of the present embodiment, in the pressing step of pressing to spread a part of the area on the ground electrode wiring 21 corresponding to the area where the covering member 29 is mounted, A mounting step of mounting the covering member 29 on the pressed area of the ground electrode wiring 21 (contact mark 21Z). Thereby, shrinkage deformation of the covering member 29 can be suppressed as described above. As a result, it is possible to suppress the occurrence of stress caused by the contraction deformation of the covering member 29 at the connection portion between the driving IC 11 covered with the covering member 29 and the ground electrode wiring 21 and the like. Therefore, it is possible to suppress cracks and peeling caused by the stress generated in the connection portion, and to prevent the connection portion from being cut.

また、本実施形態のように発熱部９の配列方向沿って帯状に延びるグランド電極配線２１上に被覆部材２９が実装されているサーマルヘッドＸでは、被覆部材２９の収縮変形によってヘッド基体３が発熱部９の配列方向に反り易くなっているが、このように被覆部材２９の収縮変形を抑制することにより、このヘッド基体３に生じる反りを抑制することができる。そのため、印画を行う記録媒体に対して、配列された複数の発熱部９をより均等な力で押圧することができ、記録媒体上の印画の濃度ムラを抑制することができる。   Further, in the thermal head X in which the covering member 29 is mounted on the ground electrode wiring 21 extending in a strip shape along the arrangement direction of the heat generating portions 9 as in the present embodiment, the head substrate 3 generates heat due to the contraction deformation of the covering member 29. Although it is easy to warp in the arrangement direction of the portions 9, the warpage generated in the head base 3 can be suppressed by suppressing the contraction deformation of the covering member 29 in this way. For this reason, it is possible to press the arranged plurality of heat generating portions 9 with a more even force against the recording medium on which printing is performed, and to suppress density unevenness of the printing on the recording medium.

以上、本発明の実装構造体の製造方法の一実施形態として、上記実施形態のサーマルヘッドＸの製造方法を例示したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。   As mentioned above, although the manufacturing method of the thermal head X of the said embodiment was illustrated as one Embodiment of the manufacturing method of the mounting structure of this invention, this invention is not limited to the said embodiment, It deviates from the meaning. Various modifications are possible as long as they are not.

例えば、上記実施形態では、図７（ｂ）に示すように、駆動ＩＣ１１を被覆する被覆部材２９が実装される領域に対応するグランド電極配線２１上の一部の領域を、マスクＺの凸部Ｚｃによって押し広げるように押圧しているが、被覆部材２９が実装される領域に対応するグランド電極配線２１上の少なくとも一部の領域を押し広げるように押圧する限り、これに限定されるものではない。よって、例えば、被覆部材２９が実装される領域に対応するグランド電極配線２１上の領域全体を、マスクＺの凸部Ｚｃによって押圧してもよい。また、マスクＺの凸部Ｚｃによって押圧することにも限定されるものではなく、被覆部材２９をグランド電極配線２１上に実装する前に、この被覆部材２９を実装するグランド電極配線２１上の領域を押圧する限り、この領域を押圧するための押圧部材を別部材として準備し、この押圧部材によって押圧してもよい。この押圧部材の形状は特に限定されるものではない。   For example, in the above embodiment, as shown in FIG. 7B, a part of the area on the ground electrode wiring 21 corresponding to the area where the covering member 29 that covers the driving IC 11 is mounted is formed as a convex portion of the mask Z. Although it is pressed so as to be expanded by Zc, as long as it is pressed so as to expand at least a part of the ground electrode wiring 21 corresponding to the region where the covering member 29 is mounted, it is not limited to this. Absent. Therefore, for example, the entire region on the ground electrode wiring 21 corresponding to the region where the covering member 29 is mounted may be pressed by the convex portion Zc of the mask Z. Further, it is not limited to pressing by the convex portion Zc of the mask Z, and the region on the ground electrode wiring 21 on which the covering member 29 is mounted before the covering member 29 is mounted on the ground electrode wiring 21. As long as is pressed, a pressing member for pressing this region may be prepared as a separate member and pressed by this pressing member. The shape of the pressing member is not particularly limited.

なお、上記実施形態では、マスクＺの凸部Ｚｃによる押圧によって、グランド電極配線２１上に接触痕２１Ｚが形成されているが、グランド電極配線２１の内部に残留応力を発生させることができれば、この接触痕２１Ｚが形成されないように押圧してもよい。例えば、接触痕２１Ｚが形成されない程度の力で押圧してもよいし、凸部Ｚｃをグランド電極配線２１よりも軟質である弾性体によって押圧してもよい。なお、グランド電極配線２１の内部の残留応力は、例えば、Ｘ線回折を利用した公知のＸ線応力測定方法等を用いて測定することができる。   In the above embodiment, the contact mark 21Z is formed on the ground electrode wiring 21 by the pressing by the convex portion Zc of the mask Z. However, if residual stress can be generated in the ground electrode wiring 21, You may press so that the contact trace 21Z may not be formed. For example, it may be pressed with a force that does not form the contact mark 21 </ b> Z, or the convex portion Zc may be pressed with an elastic body that is softer than the ground electrode wiring 21. The residual stress inside the ground electrode wiring 21 can be measured using, for example, a known X-ray stress measurement method using X-ray diffraction.

また、上記実施形態では、マスクＺの凸部Ｚｃによって、駆動ＩＣ１１を被覆する被覆部材２９が実装される領域に対応するグランド電極配線２１上の一部の領域を押圧しているが、これに限定されるものではない。例えば、グランド電極配線２１上に接続されるＦＰＣ５が実装時に収縮変形する場合は、このＦＰＣ５が実装される領域にもマスクＺの凸部Ｚｃを形成し、この凸部Ｚｃによってこの領域を押圧してもよい。こうすることで、ＦＰＣ５の収縮変形を抑制することができる。この場合、ＦＰＣ５が、本発明の実装構造体の製造方法における実装体に相当する。   Moreover, in the said embodiment, although the one part area | region on the ground electrode wiring 21 corresponding to the area | region where the coating | coated member 29 which coat | covers the drive IC11 is mounted by the convex part Zc of the mask Z is pressed, It is not limited. For example, when the FPC 5 connected to the ground electrode wiring 21 is contracted and deformed at the time of mounting, a convex portion Zc of the mask Z is formed also in the region where the FPC 5 is mounted, and this region is pressed by the convex portion Zc. May be. By doing so, shrinkage deformation of the FPC 5 can be suppressed. In this case, the FPC 5 corresponds to the mounting body in the manufacturing method of the mounting structure of the present invention.

また、本発明の実装構造体の製造方法は、上記のようなサーマルヘッドの製造方法に限定されるものではなく、基板上に設けられた導電配線上に、この導電配線上への実装時に収縮変形する実装体を実装する工程を有する種々の実装構造体の製造方法に適用することができる。例えば、基板としてプリント配線板を用い、このプリント配線板上に設けられたプリント配線上に、集積回路、抵抗器、コンデンサ、発光ダイオード等を被覆する被覆部材を実装体として実装する実装構造体の製造方法にも本発明を適用することができる。この場合、被覆部材２９等の実装体が実装される領域に対応するプリント配線上の少なくとも一部の領域を押圧部材によって押圧すればよい。   Further, the method for manufacturing a mounting structure of the present invention is not limited to the method for manufacturing a thermal head as described above, and shrinks when mounted on the conductive wiring on the conductive wiring provided on the substrate. The present invention can be applied to various mounting structure manufacturing methods including a step of mounting a deformed mounting body. For example, using a printed wiring board as a substrate, a mounting structure in which a covering member covering an integrated circuit, a resistor, a capacitor, a light emitting diode, etc. is mounted as a mounting body on the printed wiring provided on the printed wiring board. The present invention can also be applied to a manufacturing method. In this case, at least a part of the printed wiring corresponding to the region where the mounting body such as the covering member 29 is mounted may be pressed by the pressing member.

Ｘ サーマルヘッド（実装構造体）
１ 放熱体
３ ヘッド基体
７ 基板
９ 発熱部
２１ グランド電極配線（導電配線）
２１Ｚ 接触痕
２９ 被覆部材（実装体）
Ｚ マスク（押圧部材）
Ｚｃ 凸部 X Thermal head (mounting structure)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat radiator 3 Head base 7 Substrate 9 Heat generating part 21 Ground electrode wiring (conductive wiring)
21Z Contact mark 29 Cover member (mounting body)
Z mask (pressing member)
Zc Convex

Claims (7)

基板に設けられた導電配線上に、該導電配線上への実装時に収縮変形する実装体を実装する工程を有する実装構造体の製造方法であって、
前記導電配線が設けられた前記基板を準備する準備工程と、
前記実装体が実装される領域に対応する前記導電配線上の領域を押圧部材によって押し広げるように押圧する押圧工程と、
該押圧工程において押圧された前記導電配線の前記領域上に前記実装体を実装する実装工程と
を備えることを特徴とする実装構造体の製造方法。 A method of manufacturing a mounting structure including a step of mounting a mounting body that shrinks and deforms when mounted on the conductive wiring on the conductive wiring provided on the substrate,
A preparation step of preparing the substrate provided with the conductive wiring;
A pressing step for pressing the pressing member to expand the region on the conductive wiring corresponding to the region where the mounting body is mounted;
A mounting step of mounting the mounting body on the region of the conductive wiring pressed in the pressing step. 前記実装構造体は、前記導電配線に接続された素子を有しており、
前記実装体は、前記素子を被覆する被覆部材であることを特徴とする請求項１に記載の実装構造体の製造方法。 The mounting structure has an element connected to the conductive wiring,
The method for manufacturing a mounting structure according to claim 1, wherein the mounting body is a covering member that covers the element. 基板上に配列された複数の発熱部の配列方向に沿って帯状に延び、該発熱部に電気的に接続される導電配線上に、該導電配線上への実装時に収縮変形する実装体を実装する工程を有するサーマルヘッドの製造方法であって、
前記複数の発熱部が配列されているとともに前記導電配線が設けられた前記基板を準備する準備工程と、
前記実装体が実装される領域に対応する前記導電配線上の領域を押圧部材によって押し広げるように押圧する押圧工程と、
該押圧工程において押圧された前記導電配線の前記領域上に前記実装体を実装する実装工程と
を備えることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。 A mounting body that extends in a strip shape along the arrangement direction of a plurality of heat generating portions arranged on a substrate and is contracted and deformed when mounted on the conductive wiring is mounted on the conductive wiring electrically connected to the heat generating portion. A method of manufacturing a thermal head having a step of:
A preparation step of preparing the substrate on which the plurality of heat generating portions are arranged and the conductive wiring is provided;
A pressing step for pressing the pressing member to expand the region on the conductive wiring corresponding to the region where the mounting body is mounted;
And a mounting step of mounting the mounting body on the region of the conductive wiring pressed in the pressing step. 前記サーマルヘッドは、前記発熱部を被覆する保護層を有しており、
前記押圧部材として、前記保護層の形成時に、前記導電配線上に前記保護層が形成されないように前記導電配線を被覆するマスクを用いることを特徴とする請求項３に記載のサーマルヘッドの製造方法。 The thermal head has a protective layer covering the heat generating part,
The method of manufacturing a thermal head according to claim 3, wherein a mask that covers the conductive wiring is used as the pressing member so that the protective layer is not formed on the conductive wiring when the protective layer is formed. . 前記マスクとして、前記実装体が実装される領域に対応する前記導電配線上の少なくとも一部の領域に対応する位置に形成された凸部を有するものを用い、該凸部によって前記導電配線を押圧することを特徴とする請求項４に記載のサーマルヘッドの製造方法。   A mask having a convex portion formed at a position corresponding to at least a part of the conductive wiring corresponding to a region where the mounting body is mounted is used, and the conductive wiring is pressed by the convex portion. The method of manufacturing a thermal head according to claim 4. 前記サーマルヘッドは、前記導電配線に接続され、前記発熱部の通電状態を制御する駆動ＩＣを有しており、
前記実装体は、前記駆動ＩＣを被覆する被覆部材であることを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載のサーマルヘッドの製造方法。 The thermal head has a drive IC that is connected to the conductive wiring and controls the energization state of the heat generating part,
6. The method of manufacturing a thermal head according to claim 3, wherein the mounting body is a covering member that covers the driving IC. 前記実装体は、フレキシブルプリント配線板であることを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載のサーマルヘッドの製造方法。   6. The method of manufacturing a thermal head according to claim 3, wherein the mounting body is a flexible printed wiring board.
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