JP2011196952A - Inspection device and method - Google Patents

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Shuichi Tamamushi
秀一 玉虫
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection device and an inspection method capable of detecting a flaw at high speed while precisely aligning the pattern of an optical image and the pattern of a reference image.SOLUTION: The inspection method includes the steps of acquiring the optical image of a sample from an image sensor, determining an equation expressing the relationship of α, β, and the squared-sum of the difference between the optical image and the reference image on either the optical image or the reference image of determination reference with the movement quantities in the X direction and the Y direction as α (0≤α<1) and β (0≤β<1) respectively, and determining suitable movement quantities for aligning from a pair of (α, β) that the squared-sum of the differences obtained from this equation is minimum. The suitable movement quantities for aligning may be determined by solving the partial differential equation for α and β on this equation.

Description

本発明は、検査装置および検査方法に関し、より詳しくは、光学画像と基準画像を比較して欠陥検査を行う検査装置および検査方法に関する。   The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method, and more particularly to an inspection apparatus and an inspection method for performing defect inspection by comparing an optical image and a reference image.

近年、大規模集積回路(LSI)の高集積化および大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅は益々狭くなっている。半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン(マスクまたはレチクルを指す。以下では、マスクと総称する。)を用い、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。こうした微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細パターンを描画可能な電子ビーム描画装置が用いられる。また、レーザビームを用いて描画するレーザビーム描画装置の開発も試みられている。尚、電子ビーム描画装置は、ウェハに直接回路パターンを描画する場合にも用いられる。   In recent years, the circuit line width required for a semiconductor element has become increasingly narrower as the large scale integrated circuit (LSI) is highly integrated and has a large capacity. The semiconductor element uses an original pattern pattern (a mask or a reticle, which will be collectively referred to as a mask hereinafter) on which a circuit pattern is formed, and the circuit is exposed and transferred onto a wafer by a reduction projection exposure apparatus called a stepper. Manufactured by forming. For manufacturing a mask for transferring such a fine circuit pattern onto a wafer, an electron beam drawing apparatus capable of drawing the fine pattern is used. Attempts have also been made to develop a laser beam drawing apparatus for drawing using a laser beam. The electron beam drawing apparatus is also used when drawing a circuit pattern directly on a wafer.

多大な製造コストのかかるLSIの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。一方、最近の代表的なロジックデバイスでは、数十nmの線幅のパターン形成が要求される状況になってきている。ここで、歩留まりを低下させる大きな要因としては、マスクのパターン欠陥や、露光転写時におけるプロセス諸条件の変動が挙げられる。これまでは、半導体ウェハ上に形成されるLSIパターン寸法の微細化に伴い、マスクの寸法精度を高めることで、プロセス諸条件の変動マージンを吸収することが行われてきた。このため、マスク検査においては、パターン欠陥として検出しなければならない寸法が微細化しており、極めて小さなパターンの位置誤差を検出することが必要になっている。こうしたことから、LSI製造に使用される転写用マスクの欠陥を検出する検査装置に対しては、高い検査精度が要求されている。   Yield improvement is indispensable for the manufacture of LSIs that require a large amount of manufacturing costs. On the other hand, recent typical logic devices are required to form a pattern having a line width of several tens of nanometers. Here, as a major factor for reducing the yield, there are mask pattern defects and variations in process conditions during exposure transfer. Until now, with the miniaturization of the LSI pattern dimension formed on a semiconductor wafer, it has been performed to absorb the variation margin of process conditions by increasing the dimensional accuracy of the mask. For this reason, in mask inspection, the dimensions that must be detected as pattern defects are miniaturized, and it is necessary to detect position errors of extremely small patterns. For this reason, high inspection accuracy is required for inspection apparatuses that detect defects in transfer masks used in LSI manufacturing.

欠陥検出をする手法には、ダイ−トゥ−ダイ(Die to Die)検査方式とダイ−トゥ−データベース(Die to Database)検査方式がある。ダイ−トゥ−ダイ検査方式は、同一のマスク内であって、その一部分または全体に同一のパターン構成を有する複数のチップが配置されている場合に、マスクの異なるチップの同一パターン同士を比較する検査方法である。この方式によれば、マスクのパターンを直接比較するので比較的簡単な装置構成で精度の高い検査が行える。しかし、比較するパターンの両方に共通して存在する欠陥は検出することができない。一方、ダイ−トゥ−データベース検査方式は、マスク製造に使用された設計パターンデータから生成される参照データと、マスク上の実際のパターンとを比較する検査方法である。参照画像を生成するための機構が必要になるので装置が大掛かりになるが、設計パターンデータとの厳密な比較が行える。1つのマスクに1つのチップ転写領域しかない場合にはこの方法しか採れない。   Defect detection methods include a die-to-die inspection method and a die-to-database inspection method. The die-to-die inspection method compares the same patterns of chips with different masks when a plurality of chips having the same pattern configuration are arranged in a part or the whole of the same mask. Inspection method. According to this method, since the mask patterns are directly compared, highly accurate inspection can be performed with a relatively simple apparatus configuration. However, it is impossible to detect a defect that exists in common in both patterns to be compared. On the other hand, the die-to-database inspection method is an inspection method in which reference data generated from design pattern data used for mask manufacture is compared with an actual pattern on the mask. Since a mechanism for generating a reference image is required, the apparatus becomes large, but a strict comparison with design pattern data can be performed. This method can be used only when there is only one chip transfer area in one mask.

ダイ−トゥ−データベース検査では、光源から出射された光が光学系を介して検査対象であるマスクに照射される。マスクはテーブル上に載置されており、テーブルが移動することによって照射された光がマスク上を走査する。マスクを透過または反射した光はレンズを介して画像センサ上に結像し、画像センサで撮像された光学画像は測定データとして比較部へ送られる。比較部では、測定データと参照データとが適当なアルゴリズムにしたがって比較される。そして、これらのデータが一致しない場合には欠陥ありと判定される(例えば、特許文献1参照。)。   In die-to-database inspection, light emitted from a light source is irradiated onto a mask to be inspected via an optical system. The mask is placed on a table, and light irradiated as the table moves scans the mask. The light transmitted or reflected through the mask forms an image on the image sensor via the lens, and the optical image captured by the image sensor is sent to the comparison unit as measurement data. In the comparison unit, the measurement data and the reference data are compared according to an appropriate algorithm. If these data do not match, it is determined that there is a defect (see, for example, Patent Document 1).

ところで、マスクが載置されたステージの位置を検出するレーザ干渉計の誤差や、ステージの真直度の誤差などによって、光学画像と参照画像との間にパターンの位置ずれが生じることが知られている。このため、これらの画像におけるパターンの比較の前に、パターンの位置合わせ(フレーム・アライメント)が行われる。従来は、1画素または(1/16)画素程度の単位でX軸方向とY軸方向にパターンをずらしながら、2つの画像の差の2乗和平均をとり、その値が最小となる位置を最適位置として位置合わせしていた(例えば、特許文献2参照。)。   By the way, it is known that a positional deviation of the pattern occurs between the optical image and the reference image due to an error of a laser interferometer for detecting the position of the stage on which the mask is placed, an error of the straightness of the stage, or the like. Yes. Therefore, pattern alignment (frame alignment) is performed before pattern comparison in these images. Conventionally, while shifting the pattern in the X-axis direction and the Y-axis direction in units of about 1 pixel or (1/16) pixel, the square sum of the differences between the two images is taken, and the position where the value is the minimum is obtained. The position was adjusted as the optimum position (see, for example, Patent Document 2).

特開2008−112178号公報JP 2008-112178 A 特開2009−168553号公報JP 2009-168553 A

しかしながら、最近の微細化が進んだマスクでは、1画素や(1/16)画素程度の単位でパターンをずらすのでは十分な精度での位置合わせができず、欠陥であるか否かを判別することが困難となる場合がある。   However, in recent masks that have been miniaturized, if the pattern is shifted by a unit of about 1 pixel or (1/16) pixel, alignment cannot be performed with sufficient accuracy, and it is determined whether or not it is a defect. May be difficult.

一方、十分な位置合わせ精度を得ようとすると、位置合わせのための計算量を増やすことが必要になる。つまり、計算時間を長期化させたり、ハードウェアの規模を増大させたりして、コスト上昇を招く結果となる。   On the other hand, in order to obtain sufficient alignment accuracy, it is necessary to increase the amount of calculation for alignment. In other words, the calculation time is prolonged or the scale of hardware is increased, resulting in an increase in cost.

本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、光学画像のパターンと基準画像のパターンとの位置合わせを高い精度で行いつつ、且つ、高速で欠陥検出のできる検査装置および検査方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of these points. That is, an object of the present invention is to provide an inspection apparatus and an inspection method capable of detecting a defect at high speed while performing alignment between an optical image pattern and a reference image pattern with high accuracy.

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。   Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

本発明の第1の態様は、パターンが形成された試料の像を画像センサに結像して試料の光学画像を取得する部分と、
光学画像を判定の基準となる基準画像と位置合わせする部分と、
光学画像と基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する部分とを有し、
位置合わせする部分は、光学画像および基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める部分と、
この方程式から得られる差分の2乗和が最小となる(α,β)の組から、位置合わせに最適な移動量を求める部分とを有することを特徴とする検査装置に関する。
According to a first aspect of the present invention, an image of a sample on which a pattern is formed is formed on an image sensor to obtain an optical image of the sample;
A portion for aligning the optical image with a reference image as a reference for determination;
Comparing the optical image with the reference image and determining a defect when the difference exceeds a threshold,
The portions to be aligned are α and β with respect to either one of the optical image and the reference image, where the movement amounts in the X and Y directions are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively. And a part for obtaining an equation representing the relationship between the square sum of the difference between the optical image and the reference image,
The present invention relates to an inspection apparatus including a portion for obtaining an optimal movement amount for alignment from a set of (α, β) that minimizes the sum of squares of differences obtained from this equation.

本発明の第2の態様は、パターンが形成された試料の像を画像センサに結像して試料の光学画像を取得する部分と、
光学画像を判定の基準となる基準画像と位置合わせする部分と、
光学画像と基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する部分とを有し、
位置合わせする部分は、光学画像および基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める部分と、
この方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、位置合わせに最適な移動量を求める部分とを有することを特徴とする検査装置に関する。
According to a second aspect of the present invention, an image of a sample on which a pattern is formed is formed on an image sensor to obtain an optical image of the sample;
A portion for aligning the optical image with a reference image as a reference for determination;
Comparing the optical image with the reference image and determining a defect when the difference exceeds a threshold,
The portions to be aligned are α and β with respect to either one of the optical image and the reference image, where the movement amounts in the X and Y directions are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively. And a part for obtaining an equation representing the relationship between the square sum of the difference between the optical image and the reference image,
The present invention relates to an inspection apparatus characterized by having a part for obtaining a movement amount optimum for alignment by solving partial differentials of α and β for this equation.

本発明の第3の態様は、パターンが形成された試料に光を照明し、この試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査方法において、
画像センサから試料の光学画像を取得する工程と、
光学画像および判定の基準となる基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める工程と、
この方程式から得られる差分の2乗和が最小となる(α,β)の組から、光学画像と基準画像との位置合わせに最適な移動量を求める工程と、
最適な移動量にしたがって光学画像と基準画像を位置合わせする工程と、
光学画像と基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する工程とを有することを特徴とするものである。
A third aspect of the present invention is an inspection method for illuminating a sample on which a pattern is formed, forming an image of the sample on an image sensor via an optical system, and determining the presence or absence of defects.
Obtaining an optical image of the sample from the image sensor;
For either one of the optical image and the reference image serving as a reference for determination, the movement amounts in the X direction and the Y direction are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively, and α and β Obtaining an equation representing the relationship between the square sum of the difference between the optical image and the reference image;
A step of obtaining an optimal amount of movement for alignment between the optical image and the reference image from a set of (α, β) that minimizes the sum of squares of the differences obtained from this equation;
Aligning the optical image and the reference image according to the optimum amount of movement;
A step of comparing the optical image with the reference image and determining a defect when the difference exceeds a threshold value.

本発明の第4の態様は、パターンが形成された試料に光を照明し、この試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査方法において、
画像センサから試料の光学画像を取得する工程と、
光学画像および判定の基準となる基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める工程と、
方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、光学画像と基準画像の位置合わせに最適な移動量を求める工程と、
最適な移動量にしたがって光学画像と基準画像を位置合わせする工程と、
光学画像と基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する工程とを有することを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an inspection method for illuminating a sample on which a pattern is formed, forming an image of the sample on an image sensor via an optical system, and determining the presence or absence of a defect.
Obtaining an optical image of the sample from the image sensor;
For either one of the optical image and the reference image serving as a reference for determination, the movement amounts in the X direction and the Y direction are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively, and α and β Obtaining an equation representing the relationship between the square sum of the difference between the optical image and the reference image;
Obtaining the optimal amount of movement for alignment of the optical image and the reference image by solving the partial differential of α and β for the equation;
Aligning the optical image and the reference image according to the optimum amount of movement;
A step of comparing the optical image with the reference image and determining a defect when the difference exceeds a threshold value.

本発明の第3の態様または第4の態様において、基準画像は、パターンの設計データから作成された参照画像、または、試料で光学画像とは異なる領域にあるパターンと同一のパターンの光学画像であることが好ましい。   In the third aspect or the fourth aspect of the present invention, the reference image is a reference image created from pattern design data, or an optical image of the same pattern as a pattern in a region different from the optical image on the sample. Preferably there is.

本発明によれば、光学画像のパターンと基準画像のパターンとの位置合わせを高い精度で行いつつ、且つ、高速で欠陥検出のできる検査装置および検査方法が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the inspection apparatus and the inspection method which can detect a defect at high-speed can be provided, aligning with the pattern of an optical image and the pattern of a reference | standard image with high precision.

本実施の形態における検査装置の構成図である。It is a block diagram of the inspection apparatus in this Embodiment. 本実施の形態におけるデータの流れを示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the flow of the data in this Embodiment. フィルタ処理を説明する図である。It is a figure explaining a filter process. マスク測定データの取得手順を説明する図である。It is a figure explaining the acquisition procedure of mask measurement data. 広がりが20画素の2次元ガウス関数を中心に配置し、1画素単位でサンプリングした光学画像の一例である。It is an example of an optical image that is centered on a two-dimensional Gaussian function having a spread of 20 pixels and sampled in units of one pixel. 図5の光学画像に対応する参照画像の一例であり、X方向に0.7画素、Y方向に0.3画素それぞれ平行移動させて、図5と同じ位置でサンプリングしたものである。FIG. 6 is an example of a reference image corresponding to the optical image in FIG. 5, in which 0.7 pixels in the X direction and 0.3 pixels in the Y direction are translated and sampled at the same position as in FIG. 5. 図5の中心部を拡大した図である。It is the figure which expanded the center part of FIG. 図6の中心部を拡大した図である。It is the figure which expanded the center part of FIG. 本実施の形態で求められた9通りの(α,β)の組と差分2乗和との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between nine sets of ((alpha), (beta)) calculated | required by this Embodiment, and the sum of squared differences. 本実施の形態で求められた(α,β)の組と差分2乗和との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the group of ((alpha), (beta)) calculated | required in this Embodiment, and the sum of squared differences. 図10で、2乗和の値の等しい点を同じ線で結んだ図である。It is the figure which connected the point with the same value of a sum of squares with the same line in FIG. 本実施の形態の比較回路の構成を説明する図である。It is a figure explaining the structure of the comparison circuit of this Embodiment.

図1は、本実施の形態における検査装置の構成図である。本実施の形態においては、フォトリソグラフィ法などで使用されるマスクを検査対象としている。   FIG. 1 is a configuration diagram of an inspection apparatus according to the present embodiment. In this embodiment mode, a mask used in a photolithography method or the like is an inspection target.

図1に示すように、検査装置100は、光学画像取得部Aと制御部Bを有する。   As illustrated in FIG. 1, the inspection apparatus 100 includes an optical image acquisition unit A and a control unit B.

光学画像取得部Aは、光源103と、水平方向(X方向、Y方向)および回転方向(θ方向)に移動可能なXYθテーブル102と、透過照明系を構成する照明光学系170と、拡大光学系104と、フォトダイオードアレイ105と、センサ回路106と、レーザ測長システム122と、オートローダ130とを有する。   The optical image acquisition unit A includes a light source 103, an XYθ table 102 that can move in the horizontal direction (X direction, Y direction) and the rotation direction (θ direction), an illumination optical system 170 that constitutes a transmissive illumination system, and magnification optics. A system 104, a photodiode array 105, a sensor circuit 106, a laser length measurement system 122, and an autoloader 130 are included.

制御部Bでは、検査装置100の全体の制御を司る制御計算機110が、データ伝送路となるバス120を介して、位置回路107、比較回路108、参照回路112、展開回路111、オートローダ制御部113、テーブル制御回路114、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレキシブルディスク装置116、CRT117、パターンモニタ118およびプリンタ119に接続されている。XYθテーブル102は、テーブル制御回路114によって制御されたX軸モータ、Y軸モータおよびθ軸モータによって駆動される。これらのモータには、例えば、ステップモータが用いられる。   In the control unit B, a control computer 110 that controls the entire inspection apparatus 100 performs a position circuit 107, a comparison circuit 108, a reference circuit 112, a development circuit 111, and an autoloader control unit 113 via a bus 120 serving as a data transmission path. Are connected to a table control circuit 114, a magnetic disk device 109 as an example of a storage device, a magnetic tape device 115, a flexible disk device 116, a CRT 117, a pattern monitor 118, and a printer 119. The XYθ table 102 is driven by an X-axis motor, a Y-axis motor, and a θ-axis motor controlled by the table control circuit 114. As these motors, for example, step motors are used.

データベース方式の基準データとなる設計パターンデータは、磁気ディスク装置109に格納されており、検査の進行に合わせて読み出されて展開回路111に送られる。展開回路111では、設計パターンデータがイメージデータ(ビットパターンデータ)に変換される。その後、このイメージデータは、参照回路112に送られて、基準画像となる参照画像の生成に用いられる。   Design pattern data serving as database-based reference data is stored in the magnetic disk device 109, read out as the inspection progresses, and sent to the development circuit 111. In the development circuit 111, the design pattern data is converted into image data (bit pattern data). Thereafter, this image data is sent to the reference circuit 112 and used to generate a reference image to be a standard image.

尚、図1では、本実施の形態で必要な構成成分を記載しているが、マスクを検査するのに必要な他の公知成分が含まれていてもよい。また、本実施の形態では、ダイ−トゥ−データベース検査方式を例にしているが、ダイ−トゥ−ダイ検査方式であってもよい。この場合には、マスク内の異なる領域にある同一パターンの一方の光学画像を基準画像として取り扱う。   In FIG. 1, constituent components necessary for the present embodiment are illustrated, but other known components necessary for inspecting the mask may be included. In this embodiment, a die-to-database inspection method is taken as an example, but a die-to-die inspection method may be used. In this case, one optical image of the same pattern in a different area in the mask is handled as a reference image.

図2は、本実施の形態におけるデータの流れを示す概念図である。   FIG. 2 is a conceptual diagram showing the flow of data in the present embodiment.

図2に示すように、設計者(ユーザ)が作成したCADデータ401は、OASISなどの階層化されたフォーマットの設計中間データ402に変換される。設計中間データ402には、レイヤ(層)毎に作成されて各マスクに形成される設計パターンデータが格納される。ここで、一般に、検査装置100は、OASISデータを直接読み込めるようには構成されていない。すなわち、検査装置100の製造メーカー毎に、独自のフォーマットデータが用いられている。このため、OASISデータは、レイヤ毎に各検査装置に固有のフォーマットデータ403に変換された後に検査装置100に入力される。尚、フォーマットデータ403は、検査装置100に固有のデータとすることができるが、描画装置と互換性のあるデータとしてもよい。   As shown in FIG. 2, CAD data 401 created by a designer (user) is converted into design intermediate data 402 in a hierarchical format such as OASIS. The design intermediate data 402 stores design pattern data created for each layer and formed on each mask. Here, in general, the inspection apparatus 100 is not configured to directly read OASIS data. That is, unique format data is used for each manufacturer of the inspection apparatus 100. Therefore, the OASIS data is input to the inspection apparatus 100 after being converted into format data 403 unique to each inspection apparatus for each layer. The format data 403 can be data unique to the inspection apparatus 100, but may be data compatible with the drawing apparatus.

フォーマットデータ403は、図1の磁気ディスク装置109に入力される。すなわち、フォトマスク101のパターン形成時に用いた設計パターンデータは、磁気ディスク装置109に記憶される。   The format data 403 is input to the magnetic disk device 109 of FIG. That is, the design pattern data used when forming the pattern of the photomask 101 is stored in the magnetic disk device 109.

設計パターンに含まれる図形は、長方形や三角形を基本図形としたものである。磁気ディスク装置109には、例えば、図形の基準位置における座標(x,y)、辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報であって、各パターン図形の形、大きさ、位置等を定義した図形データが格納される。   The figure included in the design pattern is a basic figure of a rectangle or a triangle. The magnetic disk device 109 includes information such as coordinates (x, y) at the reference position of the graphic, side length, graphic code serving as an identifier for distinguishing graphic types such as a rectangle and a triangle, and each pattern graphic. Graphic data defining the shape, size, position, etc.

さらに、数十μm程度の範囲に存在する図形の集合を一般にクラスタまたはセルと称するが、これを用いてデータを階層化することが行われている。クラスタまたはセルには、各種図形を単独で配置したり、ある間隔で繰り返し配置したりする場合の配置座標や繰り返し記述も定義される。クラスタまたはセルデータは、さらにフレームまたはストライプと称される、幅が数百μmであって、長さがフォトマスクのX方向またはY方向の全長に対応する100mm程度の短冊状領域に配置される。   Furthermore, a set of figures existing in a range of about several tens of μm is generally called a cluster or a cell, and data is hierarchized using this. In the cluster or cell, arrangement coordinates and repeated description when various figures are arranged alone or repeatedly at a certain interval are also defined. The cluster or cell data is further arranged in a strip-shaped region called a frame or stripe having a width of several hundreds μm and a length of about 100 mm corresponding to the total length of the photomask in the X direction or Y direction. .

入力された設計パターンデータは、磁気ディスク装置109から制御計算機110を通して展開回路111によって読み出される。   The input design pattern data is read from the magnetic disk device 109 by the development circuit 111 through the control computer 110.

展開回路111は、設計パターンを図形毎のデータにまで展開し、その図形データの図形形状を示す図形コード、図形寸法などを解釈する。そして、所定の量子化寸法のグリッドを単位とするマス目内に配置されるパターンとして2値ないしは多値の設計画像データを展開する。展開された設計画像データは、センサ画素に相当する領域(マス目)毎に設計パターンにおける図形が占める占有率を演算する。そして、各画素内の図形占有率が画素値となる。   The expansion circuit 111 expands the design pattern to data for each graphic, and interprets a graphic code, a graphic dimension, and the like indicating the graphic shape of the graphic data. Then, binary or multivalued design image data is developed as a pattern arranged in a grid having a grid with a predetermined quantization size as a unit. The developed design image data calculates the occupancy ratio of the figure in the design pattern for each area (square) corresponding to the sensor pixel. And the figure occupation rate in each pixel becomes a pixel value.

上記のようにして2値ないしは多値のイメージデータ(設計画像データ)に変換された設計パターンデータは、次に参照回路112に送られる。参照回路112では、送られてきた図形のイメージデータである設計画像データに対して適切なフィルタ処理が施される。   The design pattern data converted into binary or multi-value image data (design image data) as described above is then sent to the reference circuit 112. In the reference circuit 112, an appropriate filter process is performed on the design image data which is the image data of the transmitted graphic.

図3は、フィルタ処理を説明する図である。   FIG. 3 is a diagram for explaining the filter processing.

後述する、センサ回路106から得られた光学画像としてのマスク測定データ404は、光学系の解像特性やフォトダイオードアレイのアパーチャ効果等によってぼやけを生じた状態、言い換えれば空間的なローパスフィルタが作用した状態にある。したがって、画像強度(濃淡値)がデジタル値となった、設計側のイメージデータであるビットパターンデータにもフィルタ処理を施すことで、マスク測定データ404に合わせることができる。このようにしてマスク測定データ404と比較する参照画像を作成する。   The mask measurement data 404 as an optical image obtained from the sensor circuit 106, which will be described later, is blurred due to the resolution characteristics of the optical system, the aperture effect of the photodiode array, or the like, in other words, a spatial low-pass filter acts. Is in a state. Therefore, it is possible to match the mask measurement data 404 by filtering the bit pattern data that is the image data on the design side, in which the image intensity (light / dark value) is a digital value. In this way, a reference image to be compared with the mask measurement data 404 is created.

次に、図1および図4を用いてマスク測定データ404の取得方法を説明する。   Next, a method for obtaining the mask measurement data 404 will be described with reference to FIGS.

図1において、光学画像取得部Aによって、マスク101の光学画像、すなわち、マスク測定データ404が取得される。ここで、マスク測定データ404は、設計パターンに含まれる図形データに基づく図形が描画されたマスクの画像である。マスク測定データ404の具体的な取得方法は、例えば、次に示す通りである。   In FIG. 1, the optical image acquisition unit A acquires an optical image of the mask 101, that is, mask measurement data 404. Here, the mask measurement data 404 is an image of a mask on which a figure based on the figure data included in the design pattern is drawn. A specific method for acquiring the mask measurement data 404 is as follows, for example.

検査対象となるフォトマスク101は、XYθ各軸のモータによって水平方向および回転方向に移動可能に設けられたXYθテーブル102上に載置される。そして、フォトマスク101に形成されたパターンに対し、XYθテーブル102の上方に配置された光源103から光が照射される。より詳しくは、光源103から照射される光束が、照明光学系170を介してフォトマスク101に照射される。フォトマスク101の下方には、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105およびセンサ回路106が配置されている。フォトマスク101を透過した光は、拡大光学系104を介して、フォトダイオードアレイ105に光学像として結像する。ここで、拡大光学系104は、図示しない自動焦点機構によって自動的に焦点調整がなされるように構成されていてもよい。さらに、図示しないが、検査装置100は、フォトマスク101の下方から光を照射し、反射光を拡大光学系を介して第2のフォトダイオードアレイに導き、透過光と反射光を同時に採取するように構成されていてもよい。   A photomask 101 to be inspected is placed on an XYθ table 102 provided so as to be movable in a horizontal direction and a rotation direction by motors of XYθ axes. Then, light is emitted from the light source 103 disposed above the XYθ table 102 to the pattern formed on the photomask 101. More specifically, the photomask 101 is irradiated with the light beam emitted from the light source 103 via the illumination optical system 170. Below the photomask 101, an enlargement optical system 104, a photodiode array 105, and a sensor circuit 106 are arranged. The light that has passed through the photomask 101 forms an optical image on the photodiode array 105 via the magnifying optical system 104. Here, the magnifying optical system 104 may be configured such that the focus is automatically adjusted by an automatic focusing mechanism (not shown). Further, although not shown, the inspection apparatus 100 irradiates light from below the photomask 101, guides the reflected light to the second photodiode array via the magnifying optical system, and collects the transmitted light and the reflected light simultaneously. It may be configured.

図4は、マスク測定データ404の取得手順を説明するための図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining a procedure for acquiring the mask measurement data 404.

検査領域は、図4に示すように、Y方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ20に仮想的に分割され、さらにその分割された各検査ストライプ20が連続的に走査されるようにXYθテーブル102の動作が制御され、X方向に移動しながら光学画像が取得される。フォトダイオードアレイ105には、図4に示されるようなスキャン幅Wの画像が連続的に入力される。第1の検査ストライプ20における画像を取得すると、今度はXYθテーブル102が逆方向に移動しながら、第2の検査ストライプ20について同様にスキャン幅Wの画像が連続的に入力される。第3の検査ストライプ20については、第2の検査ストライプ20における画像を取得する方向とは逆方向、すなわち、第1の検査ストライプ20における画像を取得した方向に移動しながら取得する。このように、連続的に画像を取得していくことで、無駄な処理時間を短縮することができる。   As shown in FIG. 4, the inspection area is virtually divided into a plurality of strip-like inspection stripes 20 having a scan width W in the Y direction, and each of the divided inspection stripes 20 is continuously scanned. Thus, the operation of the XYθ table 102 is controlled, and an optical image is acquired while moving in the X direction. An image having a scan width W as shown in FIG. 4 is continuously input to the photodiode array 105. When an image in the first inspection stripe 20 is acquired, an image having a scan width W is continuously input to the second inspection stripe 20 in the same manner while the XYθ table 102 is moved in the opposite direction. The third inspection stripe 20 is acquired while moving in the direction opposite to the direction in which the image in the second inspection stripe 20 is acquired, that is, in the direction in which the image in the first inspection stripe 20 is acquired. In this way, it is possible to shorten a useless processing time by continuously acquiring images.

フォトダイオードアレイ105に結像したパターンの像は、光電変換された後、さらにセンサ回路106でA/D(アナログデジタル)変換される。フォトダイオードアレイ105には、画像センサが設けられている。画像センサの例としては、TDI(Time Delay Integration)センサが挙げられる。例えば、XYθテーブル102がX軸方向に連続的に移動しながら、TDIセンサによってフォトマスク101のパターンが撮像される。   The pattern image formed on the photodiode array 105 is photoelectrically converted and then A / D (analog-digital) converted by the sensor circuit 106. The photodiode array 105 is provided with an image sensor. An example of the image sensor is a TDI (Time Delay Integration) sensor. For example, the pattern of the photomask 101 is imaged by the TDI sensor while the XYθ table 102 continuously moves in the X-axis direction.

XYθテーブル102は、制御計算機110の制御の下、テーブル制御回路114によって駆動され、X方向、Y方向、θ方向に駆動する3軸(X−Y−θ)モータの様な駆動系によって移動可能となっている。X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータには、例えば、ステップモータが用いられる。XYθテーブル102の移動位置は、レーザ測長システム122により測定されて位置回路107に送られる。また、XYθテーブル102上のフォトマスク101は、オートローダ制御回路113により駆動されるオートローダ130から自動的に搬送され、検査終了後には自動的に排出されるようになっている。   The XYθ table 102 is driven by a table control circuit 114 under the control of the control computer 110, and can be moved by a drive system such as a three-axis (XY-θ) motor that drives in the X, Y, and θ directions. It has become. For example, a step motor is used as the X-axis motor, the Y-axis motor, and the θ-axis motor. The movement position of the XYθ table 102 is measured by the laser length measurement system 122 and sent to the position circuit 107. The photomask 101 on the XYθ table 102 is automatically conveyed from the autoloader 130 driven by the autoloader control circuit 113, and is automatically discharged after the inspection is completed.

センサ回路106から出力されたマスク測定データ404(以下、単に光学画像とも言う。)は、位置回路107から出力されたXYθテーブル102上でのフォトマスク101の位置を示すデータとともに、比較回路108に送られる。マスク測定データ404は、例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調を表現している。また、上述した参照画像も比較回路108に送られる。   Mask measurement data 404 (hereinafter also simply referred to as an optical image) output from the sensor circuit 106 is sent to the comparison circuit 108 together with data indicating the position of the photomask 101 on the XYθ table 102 output from the position circuit 107. Sent. The mask measurement data 404 is, for example, 8-bit unsigned data and represents the brightness gradation of each pixel. Further, the reference image described above is also sent to the comparison circuit 108.

比較回路108では、光学画像と参照画像の比較を行う前に、これらの画像におけるパターンの位置合わせが行われる。   In the comparison circuit 108, before the optical image and the reference image are compared, pattern alignment in these images is performed.

上述したように、従来法におけるパターンの位置合わせ精度低下の原因は、位置合わせの最適値が(1/16)画素単位となっているためである。そこで、本実施の形態では、1画素より小さい画素単位での画像データの平行移動を線形補間により行う。この方法によれば、(1/16)画素より小さい画素単位での位置合わせが可能となる。   As described above, the cause of the decrease in the alignment accuracy of the pattern in the conventional method is that the optimal value of the alignment is (1/16) pixel unit. Therefore, in the present embodiment, the parallel movement of the image data in units of pixels smaller than one pixel is performed by linear interpolation. According to this method, it is possible to perform alignment in units of pixels smaller than (1/16) pixel.

光学画像について、その像面における画像の強度分布関数をΦ(x,y)とする。そして、これを画像センサによって等間隔でサンプリングしたものの座標(x,y)での強度をΦi,j=Φ(x,y)とする。ここで、1画素分の移動は、例えば、Φi,j→Φi−1,jのように表現する。 For an optical image, the intensity distribution function of the image on the image plane is Φ (x, y). And, although this was sampled at regular intervals by the image sensor coordinates (x i, y j) the intensity at Φ i, j = Φ (x i, y j) and. Here, the movement for one pixel is expressed as, for example, Φ i, j → Φ i−1, j .

本実施の形態では、座標(x,y)と、この座標をX方向に1画素移動させた座標(xi+1,y)と、Y方向に1画素移動させた座標(x,yj+1)と、X方向とY方向にそれぞれ1画素ずつ移動させた座標(xi+1,yj+1)とにおける4種類の画像データを線形補間することで、1画素より小さい画素単位での移動を可能とする。これを式で表すと、式(1)のようになる。但し、0≦α<1、0≦β<1である。 In this embodiment, the coordinates (x i, y j) and, and coordinates the coordinates was 1 pixel shifted in the X (x i + 1, y j ), the coordinates obtained by one pixel moves in the Y direction (x i, y j + 1 ) and four types of image data at the coordinates (x i + 1 , y j + 1 ) moved by one pixel each in the X direction and the Y direction can be linearly interpolated to move in units of pixels smaller than one pixel. Make it possible. When this is expressed by an equation, the equation (1) is obtained. However, 0 ≦ α <1 and 0 ≦ β <1.

式(1)で表される光学画像のデータと参照画像のデータとの差が最小となる値を求める。すなわち、参照画像の強度分布関数をΨ(x,y)とし、これをサンプリングしたものの座標(x,y)での強度をΨi,j=Ψ(x,y)として、式(2)を満足するαおよびβを求めればよい。 A value that minimizes the difference between the optical image data and the reference image data represented by Expression (1) is obtained. That is, the intensity distribution function of the reference image is Ψ (x, y), and the intensity at the coordinates (x i , y j ) of the sampled image is Ψ i, j = Ψ (x i , y j ). What is necessary is just to obtain | require (alpha) and (beta) which satisfy (2).

式(2)は、αとβの4次多項式となるので、αとβの最小値は数学的に求めることができる。この多項式をP(α,β)とすると、式(3)のようになる。   Since Equation (2) is a fourth-order polynomial of α and β, the minimum values of α and β can be obtained mathematically. When this polynomial is P (α, β), the following equation (3) is obtained.

式(3)のαとβに異なる9種類の組み合わせの数値を代入することで、αi(m,n)が求められる。すると、式(3)の多項式が決定されるので、この式をαとβで微分した値が同時に0となる点を求めれば、多項式を最小にする値が得られる。具体的には、式(4)に示す連立方程式を解くことになる。 Α i (m, n) is obtained by substituting numerical values of nine different combinations for α and β in equation (3). Then, since the polynomial of equation (3) is determined, a value that minimizes the polynomial can be obtained by obtaining a point at which the value obtained by differentiating this equation with α and β becomes 0 at the same time. Specifically, the simultaneous equations shown in Equation (4) are solved.

式(4)において、各方程式は4次多項式の微分形であるので3次多項式となる。この方程式の解は、Newton法などを用いて求められる。   In equation (4), each equation is a differential form of a fourth order polynomial, and therefore becomes a third order polynomial. The solution of this equation is obtained using the Newton method or the like.

図5は、広がりが20画素の2次元ガウス関数(式(5))を中心に配置し、1画素単位でサンプリングした光学画像の一例である。   FIG. 5 is an example of an optical image that is centered on a two-dimensional Gaussian function (formula (5)) having a spread of 20 pixels and sampled in units of one pixel.

図6は、図5の光学画像に対応する参照画像の一例であり、X方向に0.7画素、Y方向に0.3画素それぞれ平行移動させて、図5と同じ位置でサンプリングしたものである。図6に示す参照画像の強度分布関数は式(6)で表される。   FIG. 6 is an example of a reference image corresponding to the optical image of FIG. 5, which is sampled at the same position as in FIG. 5 by translating 0.7 pixels in the X direction and 0.3 pixels in the Y direction. is there. The intensity distribution function of the reference image shown in FIG. 6 is expressed by Expression (6).

図7および図8は、それぞれ図5および図6の中心部を拡大した図である。これらの図から分かるように、参照画像をX方向に0.7画素、Y方向に0.3画素平行移動させた画像は、光学画像と略一致したものとなる。すなわち、参照画像をX方向に0.7画素、Y方向に0.3画素平行移動させた位置の付近に、参照画像と光学画像の各パターンの位置合わせに最適な位置がある。   7 and 8 are enlarged views of the central portions of FIGS. 5 and 6, respectively. As can be seen from these figures, the image obtained by translating the reference image by 0.7 pixels in the X direction and 0.3 pixels in the Y direction is substantially coincident with the optical image. That is, there is an optimum position for the alignment of each pattern of the reference image and the optical image near the position where the reference image is translated by 0.7 pixels in the X direction and 0.3 pixels in the Y direction.

参照画像について、原点(0,0)からX方向とY方向にそれぞれ(1/2)画素または1画素移動させる場合のαとβの組は、原点を入れると次の9通りである。
(0,0)、(0.5,0)、(1,0)、(0,0.5)、(0.5,0.5)、(1,0.5)、(0,1)、(0.5,1)、(1,1)
With respect to the reference image, there are the following nine combinations of α and β when moving the origin (0, 0) from the origin (0, 0) by (1/2) pixels or 1 pixel respectively in the X direction and the Y direction.
(0,0), (0.5,0), (1,0), (0,0.5), (0.5,0.5), (1,0.5), (0,1 ), (0.5,1), (1,1)

式(5)および式(6)を用いた線形補間により、上記9通りの(α,β)について、光学画像と、移動後の参照画像との差を求める。すると、2つの画像の差の2乗和は、それぞれ次のようになる。   The difference between the optical image and the moved reference image is obtained for the above nine (α, β) by linear interpolation using the equations (5) and (6). Then, the sum of squares of the difference between the two images is as follows.

(α,β) 差分2乗和
(0,0) 0.91071
(0.5,0) 0.83211
(1,0) 1.53841
(0,0.5) 0.20426
(0.5,0.5) 0.12599
(1,0.5) 0.83211
(0,1) 0.28271
(0.5,1) 0.20426
(1,1) 0.91071
(Α, β) Sum of squared differences (0,0) 0.91071
(0.5,0) 0.83211
(1,0) 1.53841
(0,0.5) 0.20426
(0.5, 0.5) 0.12599
(1,0.5) 0.83211
(0,1) 0.28271
(0.5, 1) 0.20426
(1,1) 0.91071

上記関係を3次元の図にしたものが図9である。この図で見ると、2乗和が最小となるのは(0.7,0.3)の付近である。一方、上記9通りの(α,β)の組み合わせの中で見ると、2乗和が最小となるのは(0.5,0.5)、すなわち、参照画像をX方向とY方向にそれぞれ0.5画素平行移動させた位置となる。したがって、真の最小値を求めるには、上記9通りについての計算よりもさらに細かい計算をすることが必要になる。   FIG. 9 is a three-dimensional view of the above relationship. In this figure, the sum of the squares is the minimum in the vicinity of (0.7, 0.3). On the other hand, in the nine combinations of (α, β), the sum of squares is the smallest (0.5, 0.5), that is, the reference image is in the X and Y directions, respectively. This is the position translated by 0.5 pixels. Therefore, in order to obtain the true minimum value, it is necessary to perform a calculation that is finer than the calculations for the above nine patterns.

光学画像と参照画像の差分の2乗和は、αとβの4次多項式である。そこで、これをP(α,β)としてベクトルで表現すると式(7)のようになる。   The sum of squares of the difference between the optical image and the reference image is a fourth-order polynomial of α and β. Therefore, when this is expressed as a vector as P (α, β), Equation (7) is obtained.

上記9点について、差分の2乗和を式で表すと、それぞれ次のような4次多項式になる。   When the sum of squares of the differences is expressed by an equation for the above nine points, the following fourth-order polynomials are obtained.

上記式を行列式で表すと、式(8)のようになる。   When the above equation is expressed by a determinant, the equation (8) is obtained.

式(8)において、
とすると、Aの逆行列を求めることにより、4次多項式の係数a、a、a、・・・、aが求められる。そこで、上記9点を代入すると、Aは式(9)のようになる。
In equation (8),
Then, by obtaining an inverse matrix of A, coefficients a 1 , a 2 , a 3 ,..., A 9 of a fourth-order polynomial are obtained. Therefore, when the above nine points are substituted, A becomes as shown in Equation (9).

したがって、逆行列は式(10)のようになる。   Therefore, the inverse matrix is as shown in Equation (10).

したがって、4次多項式の係数は、式(11)によって求められ、係数a、a、a、・・・、aは式(12)のようになる。 Therefore, the coefficients of the fourth-order polynomial are obtained by Expression (11), and the coefficients a 1 , a 2 , a 3 ,..., A 9 are as shown in Expression (12).

以上のようにして、光学画像と参照画像の差分の2乗和である、αとβの4次多項式P(α,β)の具体的な関数形が求められた。図10は、0≦α<1、0≦β<1の範囲でこの関数をプロットしたものである。また、図11は、2乗和の最小値を分かりやすくするために、2乗和の値の等しい点を同じ線で結んだ図である。図11より、2乗和が最小となる(α,β)の組は、(0.7,0.3)の付近にあることが分かる。より正確に求めるには、P(α,β)のαおよびβについての偏微分を求めることが必要になる。具体的には、偏微分した多項式の係数を求めればよい。ここで、多項式の係数ベクトルと、その微分の係数ベクトルは線形写像となっており、行列で表現できる。   As described above, a specific function form of the fourth-order polynomial P (α, β) of α and β, which is the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image, was obtained. FIG. 10 is a plot of this function in the range of 0 ≦ α <1 and 0 ≦ β <1. Further, FIG. 11 is a diagram in which points having the same value of the square sum are connected by the same line in order to make the minimum value of the square sum easy to understand. From FIG. 11, it can be seen that the set of (α, β) that minimizes the sum of squares is in the vicinity of (0.7, 0.3). In order to obtain more accurately, it is necessary to obtain partial derivatives of P (α, β) with respect to α and β. Specifically, the coefficients of the partially differentiated polynomial may be obtained. Here, the coefficient vector of the polynomial and the coefficient vector of the derivative are linear mapping and can be expressed by a matrix.

αについての微分を表現する行列は次のようになる。
The matrix expressing the derivative with respect to α is

また、βについての微分を表現する行列は次のようになる。
The matrix expressing the derivative with respect to β is as follows.

したがって、P(α,β)のαおよびβについての偏微分は、式(13)および式(14)のようになる。   Therefore, the partial differentiation of P (α, β) with respect to α and β is as shown in equations (13) and (14).

式(13)および式(14)の解を反復法により求めると、
α=0.70026
β=0.30000
となる。図11から求められる、差分2乗和を最小にする組を(0.7,0.3)とすれば、これらとの差は0.02%程度である。
When the solution of Equation (13) and Equation (14) is obtained by an iterative method,
α = 0.70026
β = 0.30,000
It becomes. If the set that minimizes the sum of squared differences obtained from FIG. 11 is (0.7, 0.3), the difference between these is about 0.02%.

以上述べたように、本実施の形態では、参照画像のX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、光学画像と参照画像の差分の2乗和を表す方程式を求める。得られた方程式をプロットすれば、α、β、差分の2乗和の関係が分かるので、差分の2乗和が最小となる(α,β)の組から、これらの画像におけるパターンの位置合わせに最適な参照画像の移動量が分かる。この移動量は、従来法における(1/16)画素単位よりも小さい値とすることができるので、位置合わせの精度を従来より向上させることができる。   As described above, in the present embodiment, the movement amounts of the reference image in the X direction and the Y direction are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively. An equation representing the sum of squared differences is obtained. If the resulting equation is plotted, the relationship between α, β, and the sum of squares of the differences can be understood, so the pattern alignment in these images can be determined from the set of (α, β) that minimizes the sum of squares of the differences. It is possible to know the amount of movement of the reference image that is most suitable for. Since this movement amount can be set to a value smaller than the (1/16) pixel unit in the conventional method, the alignment accuracy can be improved as compared with the conventional method.

また、光学画像と参照画像の差分の2乗和を表す方程式について、そのαおよびβについての偏微分を解けば、αとβの値が求められる。したがって、これらの画像におけるパターンの位置合わせに最適な参照画像の移動量が正確に分かる。   Further, by solving the partial differential with respect to α and β of the equation representing the square sum of the difference between the optical image and the reference image, the values of α and β can be obtained. Therefore, it is possible to accurately know the amount of movement of the reference image that is optimal for pattern alignment in these images.

尚、上記では、光学画像と参照画像のパターンの位置合わせを行うために、参照画像をX方向とY方向にそれぞれ平行移動させたが、これに限られるものではなく、参照画像は移動させずに光学画像を移動させることとしてもよい。   In the above description, the reference image is translated in the X and Y directions in order to align the pattern of the optical image and the reference image. However, the present invention is not limited to this, and the reference image is not moved. It is also possible to move the optical image.

光学画像と参照画像におけるパターンの位置合わせに最適な(α,β)の組、すなわち、X方向とY方向への最適な画像の移動量が求められたら、この値にしたがっていずれか一方の画像を移動させる。これらの処理は、フレーム毎に、比較回路108の位置合わせ部108aで行われる(図12)。   When a set of (α, β) that is optimal for the alignment of the pattern in the optical image and the reference image, that is, the optimal amount of movement of the image in the X direction and the Y direction is obtained, either one of the images according to this value. Move. These processes are performed by the alignment unit 108a of the comparison circuit 108 for each frame (FIG. 12).

すなわち、位置合わせ部108aは、光学画像および参照画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める部分と、この方程式から得られる差分の2乗和が最小となる(α,β)の組から、位置合わせに最適な移動量を求める部分と、得られた最適な移動量にしたがって光学画像と参照画像画像を位置合わせする部分とを有する。   That is, the alignment unit 108a sets α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1) as movement amounts in the X direction and the Y direction for either one of the optical image and the reference image, respectively. Alignment is performed from a set of a part for obtaining an equation representing the relationship between β and the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image, and a set of (α, β) that minimizes the sum of squares of the difference obtained from the equation. And a portion for aligning the optical image and the reference image according to the obtained optimum amount of movement.

また、位置合わせ部108aは、光学画像および基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める部分と、この方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、位置合わせに最適な移動量を求める部分と、得られた最適な移動量にしたがって光学画像と参照画像画像を位置合わせする部分とを有するよう構成されていてもよい。   In addition, the alignment unit 108a sets α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1) as movement amounts in the X direction and the Y direction for either one of the optical image and the reference image, respectively. And a part for obtaining an equation representing the relationship between β, the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image, and a part for obtaining an optimum movement amount for alignment by solving the partial differentiation of α and β for this equation; The optical image may be configured to have a portion for aligning the reference image according to the obtained optimum movement amount.

尚、本実施の形態においては、例えば、1ストライプを3000〜3500個のフレームによって構成することができ、1フレームを512画素×512画素によって構成することができる。また、1画素を70nm×70nmのサイズで構成することができる。   In this embodiment, for example, one stripe can be composed of 3000 to 3500 frames, and one frame can be composed of 512 pixels × 512 pixels. In addition, one pixel can be configured with a size of 70 nm × 70 nm.

本実施の形態の検査装置は、位置合わせ部108aで求められた、フレーム毎の最適な位置合わせ量、すなわち、画像の移動量を記憶できるよう構成されていてもよい。   The inspection apparatus according to the present embodiment may be configured to store the optimum alignment amount for each frame, that is, the amount of image movement obtained by the alignment unit 108a.

位置合わせを終えた後は、欠陥検出部108bにおいて、これらの画像を比較した上でのパターンの欠陥検出処理が行われる。   After the alignment is completed, the defect detection unit 108b performs pattern defect detection processing after comparing these images.

欠陥検出部108bでは、センサ回路106から送られたマスク測定データ404と、参照回路112で生成した参照画像とが、適切な比較判定アルゴリズムを用いて比較される。比較は、透過画像のみ、反射画像のみ、または、透過と反射を組み合わせたアルゴリズムで行われる。また、欠陥の性状に応じて複数のアルゴリズムが選択される。各アルゴリズムには閾値がそれぞれ設定されており、その閾値を超える反応値を有するものが欠陥として検出される。この場合、まず、アルゴリズムに対して暫定的な閾値が設定され、この閾値に基づいて行った欠陥検査結果が、後述するレビュー工程でレビューされる。この処理を繰り返し、十分な欠陥検出感度が得られたと判定されると、上記暫定的な閾値がアルゴリズムの閾値として決定される。   In the defect detection unit 108b, the mask measurement data 404 sent from the sensor circuit 106 and the reference image generated by the reference circuit 112 are compared using an appropriate comparison determination algorithm. The comparison is performed using only a transmission image, only a reflection image, or an algorithm that combines transmission and reflection. A plurality of algorithms are selected according to the nature of the defect. A threshold value is set for each algorithm, and an algorithm having a reaction value exceeding the threshold value is detected as a defect. In this case, first, a temporary threshold is set for the algorithm, and a defect inspection result performed based on this threshold is reviewed in a review process described later. When this process is repeated and it is determined that sufficient defect detection sensitivity is obtained, the provisional threshold is determined as the algorithm threshold.

比較の結果、マスク測定データ404と参照画像の差異が閾値を超えた場合に、その箇所を欠陥と判断する。欠陥と判断されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったマスク測定データ404および参照画像とが、マスク検査結果405として磁気ディスク装置109に保存される。   As a result of the comparison, when the difference between the mask measurement data 404 and the reference image exceeds the threshold value, the portion is determined as a defect. If it is determined as a defect, the coordinates, the mask measurement data 404 and the reference image that are the basis for the defect determination are stored in the magnetic disk device 109 as a mask inspection result 405.

マスク検査結果405は、検査装置100の外部装置であるレビュー装置500に送られる。レビューは、オペレータによって、検出された欠陥が問題となるものであるかどうかを判断する動作である。レビュー装置500では、欠陥1つ1つの欠陥座標が観察できるように、マスクが載置されたテーブルを移動させながら、マスクの欠陥箇所の画像を表示する。また同時に欠陥判定の判断条件や、判定根拠になった光学画像と参照画像を確認できるよう、画面上にこれらを並べて表示する。マスク上での欠陥とウェハ転写像への波及状況とをレビュー工程で並べて表示することで、マスクパターンを修正すべきか否かを判断するのが容易になる。尚、一般に、マスクからウェハへは1/4程度の縮小投影が行われるので、並べて表示する際にはこの縮尺も考慮する。   The mask inspection result 405 is sent to a review device 500 that is an external device of the inspection device 100. The review is an operation in which the operator determines whether the detected defect is a problem. The review device 500 displays an image of a defective portion of the mask while moving the table on which the mask is placed so that the defect coordinates of each defect can be observed. At the same time, these are displayed side by side on the screen so that the determination conditions for defect determination and the optical image and reference image that are the basis for determination can be confirmed. By displaying the defect on the mask and the ripple state on the wafer transfer image side by side in the review process, it becomes easy to determine whether or not the mask pattern should be corrected. In general, a reduction projection of about 1/4 is performed from the mask to the wafer, so this scale is also taken into consideration when displaying them side by side.

検査装置100が検出した全欠陥は、レビュー装置500で判別される。判別された欠陥情報は、検査装置100に戻されて磁気ディスク装置109に保存される。そして、レビュー装置500で1つでも修正すべき欠陥が確認されると、マスクは、欠陥情報リスト406とともに、検査装置100の外部装置である修正装置600に送られる。パターン欠陥では、欠陥のタイプが凸系の欠陥か凹系の欠陥かによって修正方法が異なるので、欠陥情報リスト406には、凹凸の区別を含む欠陥の種別と欠陥の座標が添付される。例えば、遮光膜を削るのか補填するのかの区別、および、修正装置で修正すべき箇所のパターンを認識するための切り出したパターンデータが添付される。ここで、パターンデータには、上述のマスク測定データ404を利用できる。   All the defects detected by the inspection apparatus 100 are determined by the review apparatus 500. The determined defect information is returned to the inspection apparatus 100 and stored in the magnetic disk device 109. When at least one defect to be corrected is confirmed by the review apparatus 500, the mask is sent to the correction apparatus 600 that is an external apparatus of the inspection apparatus 100 together with the defect information list 406. In the case of a pattern defect, the correction method differs depending on whether the defect type is a convex defect or a concave defect. Therefore, the defect information list 406 includes defect types including irregularities and defect coordinates. For example, it is attached whether the shading film is to be cut or compensated, and cut out pattern data for recognizing the pattern of the portion to be corrected by the correction device. Here, the above-described mask measurement data 404 can be used as the pattern data.

尚、検査装置100自身がレビュー機能を有していてもよい。この場合には、マスク検査結果405が、検査装置100のCRT117、または、別途準備される計算機の画面上に、欠陥判定の付帯情報とともに画像表示される。   Note that the inspection apparatus 100 itself may have a review function. In this case, the mask inspection result 405 is displayed on the CRT 117 of the inspection apparatus 100 or a screen of a separately prepared computer together with the accompanying information for defect determination.

レビュー工程では、検査結果から作成されたデータを基にモニタに欠陥が表示され、オペレータは、これが本当に問題となる欠陥であるか否かを判定するとともに欠陥を分類する。具体的には、測定データである光学画像と参照画像から比較画像が生成され、比較画像に表示された欠陥がオペレータによってレビューされる。これらの画像における画素データは、画素毎の階調値で表現される。すなわち、各画素には、256段階の階調値を有するカラーパレットより0階調から255階調のいずれかの値が与えられ、これによって描画パターンや欠陥が表示される。   In the review process, the defect is displayed on the monitor based on the data created from the inspection result, and the operator determines whether this is a really problematic defect and classifies the defect. Specifically, a comparison image is generated from an optical image that is measurement data and a reference image, and defects displayed on the comparison image are reviewed by an operator. Pixel data in these images is expressed by gradation values for each pixel. That is, each pixel is given any value from 0 gradation to 255 gradation from a color palette having 256 gradation values, thereby displaying a drawing pattern or a defect.

以上述べたように、本実施の形態では、参照画像のX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、光学画像と参照画像の差分の2乗和を表す方程式を求める。得られた方程式をプロットすれば、α、β、差分の2乗和の関係が分かるので、差分の2乗和が最小となる(α,β)の組から、これらの画像におけるパターンの位置合わせに最適な参照画像の移動量が分かる。さらに、光学画像と参照画像の差分の2乗和を表す方程式について、そのαおよびβについての偏微分を解けば、αとβの値が求められる。したがって、これらの画像におけるパターンの位置合わせに最適な参照画像の移動量が正確に分かる。   As described above, in the present embodiment, the movement amounts of the reference image in the X direction and the Y direction are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively. An equation representing the sum of squared differences is obtained. If the resulting equation is plotted, the relationship between α, β, and the sum of squares of the differences can be understood, so the pattern alignment in these images can be determined from the set of (α, β) that minimizes the sum of squares of the differences. It is possible to know the amount of movement of the reference image that is most suitable for. Further, by solving the partial differential with respect to α and β of the equation representing the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image, the values of α and β can be obtained. Therefore, it is possible to accurately know the amount of movement of the reference image that is optimal for pattern alignment in these images.

上記移動量は、従来法における(1/16)画素単位よりも小さい値とすることができるので、位置合わせの精度を従来より向上させることができる。すなわち、本実施の形態によれば、光学画像のパターンと基準画像のパターンとの位置合わせを高い精度で行いつつ、且つ、高速で欠陥検出のできる検査装置および検査方法が提供される。   Since the movement amount can be set to a value smaller than the (1/16) pixel unit in the conventional method, the alignment accuracy can be improved as compared with the conventional method. That is, according to the present embodiment, an inspection apparatus and an inspection method capable of detecting defects at high speed while performing alignment between the pattern of the optical image and the pattern of the reference image with high accuracy are provided.

本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

また、上記実施の形態では、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要としない部分についての記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更し得る全てのパターン検査装置またはパターン検査方法は、本発明の範囲に包含される。   In the above embodiments, descriptions of parts that are not directly required for the description of the present invention, such as the device configuration and control method, are omitted. However, the required device configuration and control method may be appropriately selected and used. Needless to say, you can. In addition, all pattern inspection apparatuses or pattern inspection methods that include elements of the present invention and whose design can be changed as appropriate by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

100 検査装置
101 フォトマスク
102 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105 フォトダイオードアレイ
106 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
108a 位置合わせ部
108b 欠陥検出部
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
111 展開回路
112 参照回路
113 オートローダ制御部
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 フレキシブルディスク装置
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122 レーザ測長システム
130 オートローダ
170 照明光学系
401 CADデータ
402 設計中間データ
403 フォーマットデータ
404 マスク測定データ
405 マスク検査結果
406 欠陥情報リスト
500 レビュー装置
600 修正装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Inspection apparatus 101 Photomask 102 XY (theta) table 103 Light source 104 Expansion optical system 105 Photodiode array 106 Sensor circuit 107 Position circuit 108 Comparison circuit 108a Position alignment part 108b Defect detection part 109 Magnetic disk apparatus 110 Control computer 111 Development circuit 112 Reference circuit 113 Autoloader control unit 114 Table control circuit 115 Magnetic tape device 116 Flexible disk device 117 CRT
118 Pattern Monitor 119 Printer 120 Bus 122 Laser Length Measuring System 130 Autoloader 170 Illumination Optical System 401 CAD Data 402 Design Intermediate Data 403 Format Data 404 Mask Measurement Data 405 Mask Inspection Result 406 Defect Information List 500 Review Device 600 Correction Device

Claims (5)

パターンが形成された試料の像を画像センサに結像して前記試料の光学画像を取得する部分と、
前記光学画像を基準画像と位置合わせする部分と、
前記光学画像と前記基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する部分とを有し、
前記位置合わせする部分は、前記光学画像および前記基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと前記光学画像と前記基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める部分と、
前記方程式から得られる前記差分の2乗和が最小となる(α,β)の組から、前記位置合わせに最適な移動量を求める部分とを有することを特徴とする検査装置。
A portion for forming an image of a sample on which a pattern is formed on an image sensor to obtain an optical image of the sample;
A portion for aligning the optical image with a reference image;
Comparing the optical image with the reference image, and determining a defect when the difference exceeds a threshold,
The portion to be aligned is set such that the movement amount in the X direction and the Y direction is α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1) for either one of the optical image and the reference image, respectively. a part for obtaining an equation representing the relationship between α and β, and the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image;
An inspection apparatus comprising: a part for obtaining an optimum movement amount for the alignment from a set of (α, β) that minimizes the sum of squares of the differences obtained from the equation.
パターンが形成された試料の像を画像センサに結像して前記試料の光学画像を取得する部分と、
前記光学画像を基準画像と位置合わせする部分と、
前記光学画像と前記基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する部分とを有し、
前記位置合わせする部分は、前記光学画像および前記基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと前記光学画像と前記基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める部分と、
前記方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、前記位置合わせに最適な移動量を求める部分とを有することを特徴とする検査装置。
A portion for forming an image of a sample on which a pattern is formed on an image sensor to obtain an optical image of the sample;
A portion for aligning the optical image with a reference image;
Comparing the optical image with the reference image, and determining a defect when the difference exceeds a threshold,
The portion to be aligned is set such that the movement amount in the X direction and the Y direction is α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1) for either one of the optical image and the reference image, respectively. a part for obtaining an equation representing the relationship between α and β, and the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image;
An inspection apparatus comprising: a part for obtaining a movement amount optimum for the alignment by solving partial differentials of α and β with respect to the equation.
パターンが形成された試料に光を照明し、前記試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査方法において、
前記画像センサから前記試料の光学画像を取得する工程と、
前記光学画像および前記判定の基準となる基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと前記光学画像と前記基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める工程と、
前記方程式から得られる前記差分の2乗和が最小となる(α,β)の組から、前記光学画像と前記基準画像の位置合わせに最適な移動量を求める工程と、
前記最適な移動量にしたがって前記光学画像と前記基準画像を位置合わせする工程と、
前記光学画像と前記基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する工程とを有することを特徴とする検査方法。
In an inspection method for illuminating a sample on which a pattern is formed, forming an image of the sample on an image sensor via an optical system, and determining the presence or absence of defects,
Obtaining an optical image of the sample from the image sensor;
With respect to any one of the optical image and the reference image serving as the determination reference, the movement amounts in the X direction and the Y direction are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively, and α and obtaining an equation representing the relationship between β and the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image;
Obtaining an optimal amount of movement for alignment between the optical image and the reference image from a set of (α, β) that minimizes the square sum of the differences obtained from the equation;
Aligning the optical image and the reference image according to the optimal amount of movement;
And a step of comparing the optical image with the reference image and determining a defect when the difference exceeds a threshold value.
パターンが形成された試料に光を照明し、前記試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査方法において、
前記画像センサから前記試料の光学画像を取得する工程と、
前記光学画像および前記判定の基準となる基準画像のいずれか一方について、そのX方向とY方向の移動量をそれぞれα(0≦α<1)とβ(0≦β<1)として、αおよびβと前記光学画像と前記基準画像の差分の2乗和との関係を表す方程式を求める工程と、
前記方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、前記光学画像と前記基準画像の位置合わせに最適な移動量を求める工程と、
前記最適な移動量にしたがって前記光学画像と前記基準画像を位置合わせする工程と、
前記光学画像と前記基準画像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する工程とを有することを特徴とする検査方法。
In an inspection method for illuminating a sample on which a pattern is formed, forming an image of the sample on an image sensor via an optical system, and determining the presence or absence of defects,
Obtaining an optical image of the sample from the image sensor;
With respect to any one of the optical image and the reference image serving as the determination reference, the movement amounts in the X direction and the Y direction are α (0 ≦ α <1) and β (0 ≦ β <1), respectively, and α and obtaining an equation representing the relationship between β and the sum of squares of the difference between the optical image and the reference image;
Obtaining an optimal amount of movement for alignment of the optical image and the reference image by solving partial differentials of α and β for the equation;
Aligning the optical image and the reference image according to the optimal amount of movement;
And a step of comparing the optical image with the reference image and determining a defect when the difference exceeds a threshold value.
前記基準画像は、前記パターンの設計データから作成された参照画像、または、前記試料で前記光学画像とは異なる領域にある前記パターンと同一のパターンの光学画像であることを特徴とする請求項3または4に記載の検査方法。   The reference image is a reference image created from design data of the pattern or an optical image of the same pattern as the pattern in a region different from the optical image on the sample. Or the inspection method of 4.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014126430A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Hitachi High-Technologies Corp Defect inspection method and defect inspection device
JP2014199246A (en) * 2013-03-15 2014-10-23 株式会社リコー Image inspection apparatus, image inspection system, and image inspection method
JP2015194368A (en) * 2014-03-31 2015-11-05 富士通株式会社 defect inspection method and defect inspection apparatus
JP2016219746A (en) * 2015-05-26 2016-12-22 株式会社Screenホールディングス Inspection device and substrate processing apparatus
US10546766B2 (en) 2015-04-23 2020-01-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Inspection device and substrate processing apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04194702A (en) * 1990-11-28 1992-07-14 Hitachi Ltd Pattern recognizing method
JPH09203621A (en) * 1996-01-29 1997-08-05 Hitachi Ltd Method for inspecting defect of pattern to be inspected, method for evaluating semiconductor-manufacturing process using the method, and method for positioning plurality of images
JP2005024329A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd Image defect inspection method, image defect inspection device, and visual inspection device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04194702A (en) * 1990-11-28 1992-07-14 Hitachi Ltd Pattern recognizing method
JPH09203621A (en) * 1996-01-29 1997-08-05 Hitachi Ltd Method for inspecting defect of pattern to be inspected, method for evaluating semiconductor-manufacturing process using the method, and method for positioning plurality of images
JP2005024329A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd Image defect inspection method, image defect inspection device, and visual inspection device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014126430A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Hitachi High-Technologies Corp Defect inspection method and defect inspection device
JP2014199246A (en) * 2013-03-15 2014-10-23 株式会社リコー Image inspection apparatus, image inspection system, and image inspection method
JP2015194368A (en) * 2014-03-31 2015-11-05 富士通株式会社 defect inspection method and defect inspection apparatus
US10546766B2 (en) 2015-04-23 2020-01-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Inspection device and substrate processing apparatus
JP2016219746A (en) * 2015-05-26 2016-12-22 株式会社Screenホールディングス Inspection device and substrate processing apparatus

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