JP2011188525A - 信号により電力が供給される通信用集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、システム側インターフェース回路と、ライン側インターフェース回路と、変圧器を含む分離バリアを備える。各インターフェース回路は、(ライン側またはシステム側の)上位の通信回路と接続することができ、インターフェース回路は上位の通信回路から、分離バリアを跨って他方のインターフェース回路へ送信すべきデータ信号を受け取ることができ、かつインターフェース回路は上位の通信回路へ、分離バリアを跨って他方のインターフェース回路から受信したデータ信号を渡すことができる。ライン側インターフェース回路はさらに、整流器および蓄積素子を含むことができる。
【選択図】図5
Description
他の実施形態において、本発明は集積回路に電力供給する方法である。データ内容および所定のエネルギーを有する第1の入力信号は、集積回路の第1の端子において受信される。第1の入力信号の一部分は、集積回路の第1の端子と接地ノードの間に接続された第1のダイオード、および集積回路の第1の端子と供給ノードの間に接続された第2のダイオードによって整流される。第1の入力信号の所定のエネルギーの少なくとも一部分は供給ノードに蓄積される。第1および第2のダイオードのそれぞれは、ESDインパルスに耐えることができる。
次に、本発明の様々な実施形態について、添付の図面に関連して詳細に説明する。
(1)時間スロット301および302の間の順方向データ・ビット(DF、それに続くNOT DFとしてマンチェスタ符号化されているのが示される)
(2)時間スロット303および304の間の順方向制御ビット(CF、NOT CFとして示される)
(3)時間スロット305〜308の間の所定の順方向フレーミング・シーケンス326(NOT CF、NOT CF、CF、CFとして示される)
(4)時間スロット309および310の間の逆方向データ・ビット(DR、NOT DRとして示される)
(5)時間スロット311および312の間の逆方向制御ビット(CR、NOT CRとして示される)
Claims (10)
- 信号により電力が供給される集積回路であって、
接地ノード、供給ノード、およびデータ内容および所定のエネルギーを有する入力信号を受信するための第1の端子を含む、集積回路ダイと、
前記集積回路ダイ上に形成され、前記第1の端子に接続され、前記入力信号に付随するデータ内容を受信することができる、受信バッファと、
前記集積回路ダイ上に形成された整流器であって、
前記第1の端子と前記接地ノードの間に接続された第1のダイオードと、
前記第1の端子と前記供給ノードの間に接続された第2のダイオードと
を含み、
前記入力信号を整流し、前記入力信号の所定のエネルギーの少なくとも一部分を供給ノードに渡すことができ、
前記第1および第2のダイオードのそれぞれは、ESDインパルスに耐えることができる、整流器と
を備える集積回路。 - 前記第1および第2のダイオードが、それぞれ第1のトランジスタおよび第2のトランジスタ内の寄生ダイオードである、請求項1に記載の回路。
- 前記入力信号の平均エネルギーが、前記第1および第2のダイオードを整流器として動作させるのに十分大きい、請求項1または2に記載の回路。
- 前記第1および第2のダイオードが、前記第1の端子を通る静電放電から前記集積回路ダイを保護する、主要な素子または唯一の素子である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の回路。
- 前記入力信号は、第1の信号と、前記第1の信号に対して相補形な第2の信号によって形成される差動入力信号であり、前記第1の端子は前記第1の信号を受信することができ、
前記集積回路ダイは、前記第2の信号を受け取ることができる第2の端子をさらに含み、
前記整流器は、
前記第2の端子と前記接地ノードの間に接続された第3のダイオードと、
前記第2の端子と前記供給ノードの間に接続された第4のダイオードと
をさらに含み、
前記第1、第2、第3、および第4のダイオードは全体で前記差動入力信号の全波整流を実現し、
前記第3および第4のダイオードのそれぞれは、ESDインパルスに耐えることができる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の回路。 - 集積回路に電力供給する方法であって、
前記集積回路の第1の端子にて、データ内容および所定のエネルギーを有する第1の入力信号を受信するステップと、
前記集積回路の前記第1の端子と接地ノードの間に接続された第1のダイオード、および前記集積回路の前記第1の端子と供給ノードの間に接続された第2のダイオードにより、前記第1の入力信号の一部分を整流するステップと、
前記供給ノードにて、前記第1の入力信号の所定のエネルギーの少なくとも一部分を蓄積するステップとを含み、
前記第1および第2のダイオードのそれぞれは、ESDインパルスに耐えることができる方法。 - 前記第1および第2のダイオードが、それぞれ第1のトランジスタおよび第2のトランジスタ内の寄生ダイオードである、請求項6に記載の方法。
- 前記第1および第2のダイオードのみにより前記第1の端子を通る静電放電から前記集積回路を保護するステップをさらに含む、請求項6または7に記載の方法。
- 前記第1の入力信号に付随するデータ内容をバッファするステップをさらに含む、請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記集積回路の第2の端子にて、データ内容および所定のエネルギーを有し、前記第1の入力信号と共に差動入力信号を形成する、第2の入力信号を受信するステップと、
前記第2の入力信号に付随するデータ内容をバッファするステップと、
前記集積回路の前記第2の端子と前記接地ノードの間に接続された第3のダイオード、および前記集積回路の前記第2の端子と前記供給ノードの間に接続された第4のダイオードにより、前記第2の入力信号の一部分を整流するステップであって、各ダイオードはESDインパルスに耐えることができる、ステップと、
前記供給ノードにて、前記第2の入力信号の所定のエネルギーの少なくとも一部分を蓄積するステップと
をさらに含み、それにより前記差動入力信号を全波整流する、請求項6〜9のいずれか1項に記載の方法。
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