JP2011174157A - Plating device, plating method, and method for producing chip type electronic component - Google Patents

Plating device, plating method, and method for producing chip type electronic component Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plating device which can efficiently perform plating treatment in a short plating time, and can improve the quality of the object to be plated, a plating method, and a method for producing a chip type electronic component. <P>SOLUTION: The plating device includes: a first cathode electrode 23b composing at least a part of the inner circumferential wall face 23a of a recessed vessel 20a storing a plating liquid; a second cathode electrode 22b insulated from the first cathode electrode 23b and composing at least a part of the bottom face 22a of the recessed vessel 20a; an anode electrode 40 dipped into the plating liquid 30 stored into the recessed vessel 20a; and a rotating tool 21a rotating the recessed vessel 20a around a central axis 20T almost vertical to the bottom face 22a. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、めっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a plating apparatus, a plating method, and a chip-type electronic component manufacturing method.

小型の部品に均一なめっき層を形成するために、めっき対象物(部品)をめっき装置に投入した後で、回転接触リングを回転させ、部品を遠心力により回転接触リングに接触させた状態で、回転接触リングを通電することで、めっき処理を行う技術が知られている(特許文献1参照)。   In order to form a uniform plating layer on a small component, after putting the object to be plated (component) into the plating equipment, the rotating contact ring is rotated and the component is in contact with the rotating contact ring by centrifugal force. A technique is known in which plating is performed by energizing a rotating contact ring (see Patent Document 1).

この方法では、回転接触リングの回転と、停止または減速を繰り返すことで、部品のめっき処理が行われる。部品を十分にめっき処理するためには、特許文献1に記載のめっき方法では、回転接触リングの回転と、停止または減速を繰り返す必要がある。   In this method, the parts are plated by repeating the rotation of the rotating contact ring and stopping or decelerating. In order to sufficiently plate parts, in the plating method described in Patent Document 1, it is necessary to repeat rotation of the rotating contact ring and stop or deceleration.

しかしながら、めっき時間が長すぎると、回転接触リングの回転中に受ける衝撃などにより、部品が欠けるおそれがある。また、長時間めっきを行うことで、部品にゴミが付着する確率が高まり、部品の品質が低下するおそれがある。   However, if the plating time is too long, the parts may be lost due to an impact received during the rotation of the rotating contact ring. Further, by performing plating for a long time, the probability that dust adheres to the part increases, and the quality of the part may be deteriorated.

特許第3126867号公報Japanese Patent No. 3126867

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、めっき時間が短く効率的にめっき処理を行うことができ、めっき対象物の品質を向上させることが可能なめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such a situation, and an object thereof is a plating apparatus, a plating method, and a plating apparatus capable of efficiently performing a plating process with a short plating time and improving the quality of an object to be plated. It is to provide a method for manufacturing a chip-type electronic component.

上記目的を達成するために、本発明に係るめっき装置は、
めっき液を貯留する凹状容器の内周壁面の少なくとも一部を構成する第1カソード電極と、
前記第1カソード電極とは絶縁され、前記凹状容器の底面の少なくとも一部を構成する第2カソード電極と、
前記凹状容器に貯留される前記めっき液に浸されるアノード電極と、
前記凹状容器を、前記底面に略垂直な中心軸の回りに回転させる回転手段と、を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a plating apparatus according to the present invention comprises:
A first cathode electrode constituting at least a part of the inner peripheral wall surface of the concave container storing the plating solution;
A second cathode electrode insulated from the first cathode electrode and constituting at least a part of a bottom surface of the concave container;
An anode electrode immersed in the plating solution stored in the concave container;
Rotating means for rotating the concave container around a central axis substantially perpendicular to the bottom surface.

本発明に係るめっき方法は、複数のめっき対象物を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第1回転速度で回転させ、前記めっき対象物を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第1回転速度よりも高速な第2回転速度で回転させ、前記めっき対象物を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第2回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第1カソード電極を通電し、前記第1カソード電極に直接または間接的に接触してある前記めっき対象物の表面をめっき処理する第1めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記めっき対象物を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第2カソード電極に前記めっき対象物が直接または間接的に接触している状態で、前記第2カソード電極を通電して前記めっき対象物の表面をめっきする第2めっき工程と、を有することを特徴とする。
The plating method according to the present invention includes a step of accommodating a plurality of objects to be plated in a concave container,
In a state where the plating solution is put inside the concave container, the concave container is rotated at a first rotation speed, and the plating object is moved near the inner wall surface at the bottom surface of the concave container; and
A wall surface moving step of rotating the concave container at a second rotation speed higher than the first rotation speed and moving the plating object upward along the inner wall surface;
The concave container is rotated at the second rotational speed, and the first cathode electrode formed on at least a part of the inner wall surface is energized, and is in direct or indirect contact with the first cathode electrode. A first plating step of plating the surface of the plating object;
A bottom return step of stopping rotation of the concave container and spreading the plating object to the bottom;
In a state where the object to be plated is in direct or indirect contact with the second cathode electrode formed on at least a part of the bottom surface, the surface of the object to be plated is plated by energizing the second cathode electrode. And a second plating step.

本発明に係るチップ型電子部品の製造方法は、素子本体を製造する工程と、
前記素子本体に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層の表面にめっき膜を形成する工程とを有するチップ型電子部品の製造方法であって、
前記めっき膜を形成する工程が、
前記下地電極層が形成された複数の素子本体を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第1回転速度で回転させ、前記素子本体を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第1回転速度よりも高速な第2回転速度で回転させ、前記素子本体を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第2回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第1カソード電極を通電し、前記第1カソード電極に直接または間接的に接触してある前記下地電極層の表面をめっき処理する第1めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記素子本体を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第2カソード電極に前記素子本体の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第2カソード電極を通電して前記下地電極層の表面をめっきする第2めっき工程と、を有することを特徴とする。
A method for manufacturing a chip-type electronic component according to the present invention includes a step of manufacturing an element body,
Forming a base electrode layer on the element body;
A method of manufacturing a chip-type electronic component having a step of forming a plating film on the surface of the base electrode layer,
Forming the plating film comprises:
Accommodating a plurality of element bodies formed with the base electrode layer in a concave container;
In a state where the plating solution is put inside the concave container, the concave container is rotated at a first rotation speed, and the element main body is moved near the inner wall surface at the bottom surface of the concave container; and
A wall surface moving step of rotating the concave container at a second rotation speed higher than the first rotation speed, and moving the element body upward along the inner wall surface;
The concave container is rotated at the second rotational speed, and the first cathode electrode formed on at least a part of the inner wall surface is energized, and is in direct or indirect contact with the first cathode electrode. A first plating step of plating the surface of the base electrode layer;
A bottom return step of stopping rotation of the concave container and spreading the element body to the bottom;
In a state where the base electrode layer of the element body is in direct or indirect contact with the second cathode electrode formed on at least a part of the bottom surface, the second cathode electrode is energized to pass through the base electrode layer. And a second plating step of plating the surface.

本発明に係るめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法では、凹状容器の回転を制御することで、遠心力により、めっき対象物(たとえばチップ型電子部品、以下同様)が、直接または間接的に第1カソード電極に接触する。めっき対象物が間接的に第1カソード電極に接触するとは、たとえば他のめっき対象物あるいは導電性メディアを介して間接的に第1カソード電極に電気的に接続されるという意味である。   In the plating apparatus, the plating method, and the chip type electronic component manufacturing method according to the present invention, the object to be plated (for example, the chip type electronic component, the same applies hereinafter) is directly or directly controlled by centrifugal force by controlling the rotation of the concave container. Indirect contact with the first cathode electrode. The phrase “the plating object indirectly contacts the first cathode electrode” means that, for example, the plating object is indirectly electrically connected to the first cathode electrode via another plating object or a conductive medium.

本発明では、めっき対象物が直接または間接的に第1カソード電極に接触するタイミングで、第1カソード電極を通電するように制御が行われ、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させることができる。さらに、凹状容器の回転を制御することで、めっき対象物が、自重により、直接または間接的に第2カソード電極に接触する。   In the present invention, control is performed so that the first cathode electrode is energized at the timing when the plating object directly or indirectly contacts the first cathode electrode, and the eluted material eluted from the anode electrode is removed from the plating object. It can be deposited on the surface. Further, by controlling the rotation of the concave container, the plating object directly or indirectly contacts the second cathode electrode by its own weight.

本発明では、めっき対象物が直接または間接的に第2カソード電極に接触するタイミングで、第2カソード電極を通電するように制御が行われ、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させることができる。   In the present invention, control is performed so that the second cathode electrode is energized at the timing when the plating object directly or indirectly contacts the second cathode electrode, and the eluted material eluted from the anode electrode is removed from the plating object. It can be deposited on the surface.

このように、凹状容器の回転を制御すると共に、第1カソード電極だけでなく、第2カソード電極に対しても効果的なタイミングで電圧が印加される。このように、1回あたりのめっきサイクルにおいて、めっき対象物の表面のめっき処理時間を比較的に長く確保することが可能となる。   Thus, while controlling the rotation of the concave container, a voltage is applied to the second cathode electrode as well as the first cathode electrode at an effective timing. In this way, it is possible to ensure a relatively long plating time on the surface of the plating object in one plating cycle.

本発明では、上述したサイクルを繰り返して行うように制御する。したがって、めっき工程をトータルで見た場合に、めっき時間を短くすることが可能となり、効率的にめっき処理を行うことができる。トータルの処理時間が短く済むので、めっき対象物が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後のめっき対象物の品質を向上させることが可能となる。特に、チップバリスタなどの電子部品では、素子本体の表面が長時間めっき液に曝されて特性に悪影響を与えることを避ける必要があり、めっき処理時間を短縮することで、電子部品の信頼性を向上させることができる。   In the present invention, control is performed so that the above-described cycle is repeated. Therefore, when the plating process is viewed in total, the plating time can be shortened and the plating process can be performed efficiently. Since the total processing time can be shortened, the probability that the plating target is missing or dust is attached is reduced, and the quality of the plating target after plating can be improved. In particular, in electronic parts such as chip varistors, it is necessary to avoid the surface of the element body from being exposed to the plating solution for a long period of time and adversely affecting the characteristics. Can be improved.

好ましくは、本発明に係るめっき装置は、前記回転手段による前記凹状容器の回転状態に合わせて、前記第1カソード電極に通電するタイミングと、前記第2カソード電極に通電するタイミングとを、切り替え制御する制御手段をさらに有する。切り替え制御することで、効率的にめっき対象物の表面をめっき処理することができる。   Preferably, the plating apparatus according to the present invention performs switching control between a timing at which the first cathode electrode is energized and a timing at which the second cathode electrode is energized in accordance with the rotation state of the concave container by the rotating means. And a control means. By controlling the switching, the surface of the plating object can be efficiently plated.

好ましくは、前記第1カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第2カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい。めっき対象物が第1カソード電極に接触する場合には、凹状容器の回転による遠心力により、めっき対象物が第1カソード電極に強く押し付けられているために、めっき電圧が高くてもスパークなどが生じにくく、めっき電圧を高く設定することでめっき効率が向上する。   Preferably, the plating voltage when energizing the first cathode electrode is higher than the plating voltage when energizing the second cathode electrode. When the object to be plated comes into contact with the first cathode electrode, the object to be plated is strongly pressed against the first cathode electrode by the centrifugal force caused by the rotation of the concave container. Plating efficiency is improved by setting the plating voltage high.

好ましくは、前記内周壁面は、前記底面に対して、90度よりも大きく180度よりも小さな傾斜角度で傾斜している。このような傾斜を有することで、凹状容器の回転に伴い、めっき対象物が容易に内周壁面を這い上がり、内周壁面に沿って分散する。したがって、第1カソード電極を通電する時に、より効果的にめっき対象物の表面をめっき処理することができる。   Preferably, the inner peripheral wall surface is inclined at an inclination angle larger than 90 degrees and smaller than 180 degrees with respect to the bottom surface. By having such an inclination, with the rotation of the concave container, the plating object easily climbs up the inner peripheral wall surface and disperses along the inner peripheral wall surface. Therefore, when the first cathode electrode is energized, the surface of the plating object can be more effectively plated.

好ましくは、前記底面移動工程に際しても、前記第2カソード電極を通電させ、前記めっき対象物の表面をめっき処理する。凹状容器の形状と回転制御・電圧印加制御を効果的に組み合わせることにより、凹状容器の形状を最大限に生かしてめっき対象物の表面をめっき処理することが可能となる。その結果、トータルで見た場合の処理時間をより短縮することができ、めっき対象物が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後のめっき対象物の品質を向上させることが可能となる。   Preferably, also in the bottom surface moving step, the second cathode electrode is energized and the surface of the plating object is plated. By effectively combining the shape of the concave container and the rotation control / voltage application control, the surface of the object to be plated can be plated using the shape of the concave container to the maximum. As a result, the processing time when viewed in total can be further shortened, and the probability that the plating target is missing or dust is attached is reduced, and the quality of the plating target after plating can be improved. Become.

図1は、本発明の一実施形態に係るめっき装置の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施形態に係るめっき方法により処理されるチップ型電子部品の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a chip-type electronic component processed by the plating method according to one embodiment of the present invention. 図3は、図1に示すめっき装置における凹状容器の回転制御パターンを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a rotation control pattern of the concave container in the plating apparatus shown in FIG. 図4(A)〜図4(C)は、本発明の一実施形態に係るめっき方法の工程を示す断面図である。4 (A) to 4 (C) are cross-sectional views showing the steps of the plating method according to one embodiment of the present invention. 図5は、図4(A)に示すV部の詳細を示す要部拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of a main part showing details of the V part shown in FIG. 図6は、図4(C)に示すVI部の詳細を示す要部拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of a main part showing details of the VI part shown in FIG.

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
めっき対象物としての積層チップバリスタ
Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.
Multilayer chip varistors as plating objects

まず、本発明の一実施形態に係る図1に示すめっき装置20を用いてめっき処理されるチップ型電子部品としての図2に示す積層チップバリスタ2について説明する。図2に示すように、積層チップバリスタ2は、内部電極層4,6と抵抗体層8とが積層された構成の素子本体10を有する。この素子本体10の両端部11,13には、素子本体10の内部に配置された内部電極層4,6と各々導通する一対の外部端子電極12,14が形成してある。   First, the multilayer chip varistor 2 shown in FIG. 2 as a chip-type electronic component plated using the plating apparatus 20 shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 2, the multilayer chip varistor 2 includes an element body 10 having a configuration in which internal electrode layers 4 and 6 and a resistor layer 8 are stacked. A pair of external terminal electrodes 12 and 14 are formed on both end portions 11 and 13 of the element body 10 to be electrically connected to the internal electrode layers 4 and 6 disposed inside the element body 10.

内部電極層4,6は、各端面が素子本体10の対向する両端部11,13の表面に露出するように積層してある。一対の外部端子電極12,14は、素子本体10の両端部に形成され、内部電極層4,6の露出端面にそれぞれ接続されて、バリスタ回路を構成している。   The internal electrode layers 4 and 6 are laminated such that each end face is exposed on the surface of the opposite end portions 11 and 13 of the element body 10. The pair of external terminal electrodes 12 and 14 are formed at both ends of the element body 10 and connected to the exposed end surfaces of the internal electrode layers 4 and 6 to constitute a varistor circuit.

抵抗体層8は、バリスタ特性を有する材料であれば特に限定されないが、たとえば酸化亜鉛系バリスタ材料層で構成される。この酸化亜鉛系バリスタ材料層は、例えばZnOを主成分とし、副成分として希土類元素、Co、IIIb族元素(B、Al、Ga及びIn)、Si、Cr、アルカリ金属元素(K、Rb及びCs)及びアルカリ土類金属元素(Mg、Ca、Sr及びBa)等を含む材料で構成される。または、ZnOを主成分とし、副成分としてBi、Co、Mn、Sb、Al等を含む材料で構成されていても良い。   The resistor layer 8 is not particularly limited as long as it is a material having varistor characteristics. For example, the resistor layer 8 is composed of a zinc oxide varistor material layer. This zinc oxide-based varistor material layer has, for example, ZnO as a main component and rare earth elements, Co, IIIb group elements (B, Al, Ga and In), Si, Cr, alkali metal elements (K, Rb and Cs) as subcomponents. ) And alkaline earth metal elements (Mg, Ca, Sr and Ba) and the like. Alternatively, it may be made of a material containing ZnO as a main component and Bi, Co, Mn, Sb, Al, etc. as subcomponents.

抵抗体層8としては、酸化亜鉛系バリスタ材料層以外に、コンデンサ材料層、インダクタ材料層、NTCサーミスタ材料層などで構成されてもよい。   The resistor layer 8 may be composed of a capacitor material layer, an inductor material layer, an NTC thermistor material layer, etc. in addition to the zinc oxide varistor material layer.

内部電極層4,6は、導電材を含んで構成される。内部電極層4,6に含まれる導電材としては、特に限定されないが、PdまたはAg−Pd合金からなることが好ましい。内部電極層4,6の厚さは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常0.5〜5μm程度である。   The internal electrode layers 4 and 6 are configured to include a conductive material. The conductive material contained in the internal electrode layers 4 and 6 is not particularly limited, but is preferably made of Pd or an Ag—Pd alloy. The thickness of the internal electrode layers 4 and 6 may be appropriately determined according to the use, but is usually about 0.5 to 5 μm.

外部端子電極12,14も導電材を含んで構成される。外部端子電極12,14に含まれる導電材としては、特に限定されないが、通常、AgやAg−Pd合金などを用いる。本実施形態では、AgやAg−Pd合金などのペースト電極膜から成る下地電極層12p,14pの表面に、電気メッキ等により、Ni及びSn膜などで構成されるめっき膜12c,14cが形成してある。下地電極層12p,14pの厚みは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常5〜50μm程度である。また、めっき膜12c,14cの厚みは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常3〜10μm程度である。   The external terminal electrodes 12 and 14 are also configured to include a conductive material. Although it does not specifically limit as a electrically conductive material contained in the external terminal electrodes 12 and 14, Usually, Ag, an Ag-Pd alloy, etc. are used. In the present embodiment, plated films 12c and 14c made of Ni and Sn films are formed by electroplating or the like on the surface of the base electrode layers 12p and 14p made of a paste electrode film such as Ag or an Ag—Pd alloy. It is. The thicknesses of the base electrode layers 12p and 14p may be appropriately determined according to the use, but are usually about 5 to 50 μm. Moreover, although the thickness of the plating films 12c and 14c may be appropriately determined according to the use, it is usually about 3 to 10 μm.

素子本体10の形状は、特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて決定され、特に、1005形状(縦1.0mm×横0.5mm×厚み0.5mm)サイズ以下、たとえば、小さく軽く電極間距離が短い0603形状(縦0.6mm×横0.3mm×厚み0.3mm)サイズ以下である場合に本実施形態の方法の効果が大きい。   The shape of the element body 10 is not particularly limited, but is usually a rectangular parallelepiped shape. Also, there is no particular limitation on the dimensions, and it is determined according to the application. In particular, it is 1005 shape (length 1.0 mm × width 0.5 mm × thickness 0.5 mm) or less, for example, small and light and the distance between electrodes is short. The effect of the method of the present embodiment is great when the size is 0603 (length 0.6 mm × width 0.3 mm × thickness 0.3 mm) or less.

素子本体10において、内部電極層4,6および抵抗体層8の積層方向の両外側端部には、外側抵抗体層18が配置してあり、素子本体10の内部を保護している。外側抵抗体層18の材質は、抵抗体層8の材質と同じであっても異なっていても良いが、通常、抵抗体層8の材質とほぼ同じであり、半導体材料で構成されている。   In the element body 10, outer resistor layers 18 are disposed at both outer ends of the internal electrode layers 4 and 6 and the resistor layer 8 in the stacking direction, and protect the inside of the element body 10. The material of the outer resistor layer 18 may be the same as or different from the material of the resistor layer 8, but is usually substantially the same as the material of the resistor layer 8, and is made of a semiconductor material.

一対の下地電極層12p,14pの外側にめっき膜12c,14cを形成する際には、そのめっき処理時に、半導体である外側抵抗体層18の外表面(素子本体10の表面10α)には、めっき膜が形成されてショート不良となりやすい。そのため、その表面10αには、ガラスコートなどの保護膜16が形成してあることが好ましいが、必ずしも保護膜16は形成されていなくとも良い。保護膜16を形成する場合には、保護膜16の厚さは、好ましくは0.05〜0.2μm程度に薄い。保護膜16が厚すぎると、保護膜16を形成した後に、下地電極層12p,14pを形成する際に、内部電極層4および6と下地電極層12p,14pとのコンタクトが困難になる傾向にある。   When the plating films 12c and 14c are formed outside the pair of base electrode layers 12p and 14p, the outer surface of the outer resistor layer 18 that is a semiconductor (the surface 10α of the element body 10) is formed during the plating process. A plating film is formed, and short-circuit defects are likely to occur. Therefore, a protective film 16 such as a glass coat is preferably formed on the surface 10α, but the protective film 16 is not necessarily formed. When the protective film 16 is formed, the thickness of the protective film 16 is preferably as thin as about 0.05 to 0.2 μm. If the protective film 16 is too thick, the contact between the internal electrode layers 4 and 6 and the base electrode layers 12p and 14p tends to be difficult when the base electrode layers 12p and 14p are formed after the protective film 16 is formed. is there.

下地電極層12p,14pは、電極ペーストの焼付け処理により形成されている。下地電極層12p,14pは、素子本体10の端面に位置する端面部分12γ,14γと、端面部分12γ,14γに連続して形成され、素子本体10の端面近傍の四側面にまで延びる側面部分12β,14βとを有している。
積層チップバリスタの製造方法
The base electrode layers 12p and 14p are formed by an electrode paste baking process. The base electrode layers 12p and 14p are formed continuously with the end surface portions 12γ and 14γ located on the end surface of the element body 10 and the end surface portions 12γ and 14γ, and extend to the four side surfaces in the vicinity of the end surface of the element body 10. , 14β.
Manufacturing method of multilayer chip varistor

次に、図2に示す積層チップバリスタ2の製造方法について説明する。
まず素子本体10を製造する。素子本体10を製造するために、印刷工法またはシート工法等により、内部電極層4,6が互い違いに両端部に露出するように、抵抗体層8(バリスタ層)と内部電極層4,6を交互に積層し、その積層方向の両端に外側抵抗体層18を積層し、積層体を形成する。
Next, a method for manufacturing the multilayer chip varistor 2 shown in FIG. 2 will be described.
First, the element body 10 is manufactured. In order to manufacture the element body 10, the resistor layer 8 (varistor layer) and the internal electrode layers 4 and 6 are formed by a printing method or a sheet method so that the internal electrode layers 4 and 6 are alternately exposed at both ends. They are alternately stacked, and the outer resistor layers 18 are stacked at both ends in the stacking direction to form a stacked body.

次に、この積層体を切断し、グリーンチップを得る。次に、必要に応じて脱バインダー処理を行い、グリーンチップを焼成し、素子本体10を得る。次に、必要に応じて、素子本体10の研磨(たとえば一般的なバレル研磨)を行い、内部電極の端部を素子本体の両端面に露出させる。その後に、素子本体10の両端部に外部端子電極12,14を形成するための電極ペーストを塗布、焼き付けして下地電極層12p,14pを形成する。   Next, this laminate is cut to obtain a green chip. Next, a binder removal process is performed as necessary, and the green chip is fired to obtain the element body 10. Next, if necessary, the element body 10 is polished (for example, general barrel polishing) to expose the end portions of the internal electrodes on both end surfaces of the element body. Thereafter, electrode paste for forming the external terminal electrodes 12 and 14 is applied and baked on both ends of the element body 10 to form the base electrode layers 12p and 14p.

次に、下地電極層12p,14pの表面を研磨して、下地電極層12p,14pの表面に導電性粒子を露出させ、その下地電極層12p,14pの表面にめっき膜12c,14cを均一に形成しやすくする。その研磨は、一般的なバレル研磨でも良いが、後述するめっき装置と同様な構造の研磨装置による研磨でも良い。すなわち、回転する凹状容器の内側壁面に素子本体を遠心力で押し付けて研磨する方法でも良い。   Next, the surfaces of the base electrode layers 12p and 14p are polished to expose the conductive particles on the surfaces of the base electrode layers 12p and 14p, and the plating films 12c and 14c are uniformly formed on the surfaces of the base electrode layers 12p and 14p. Make it easier to form. The polishing may be general barrel polishing, but may be polishing by a polishing apparatus having a structure similar to a plating apparatus described later. That is, a method in which the element body is pressed against the inner wall surface of the rotating concave container with a centrifugal force and polished may be used.

そのような研磨後に、図2に示す下地電極層12p,14pの表面に、めっき膜12c,14cを、図1に示すめっき装置を用いて電気めっき法により形成する。このようにして図2に示す積層チップバリスタ2が製造される。   After such polishing, plating films 12c and 14c are formed on the surfaces of the base electrode layers 12p and 14p shown in FIG. 2 by electroplating using the plating apparatus shown in FIG. In this way, the multilayer chip varistor 2 shown in FIG. 2 is manufactured.

なお、図2に示すガラスコートなどの保護膜16の形成は、めっき処理の前に行うことが好ましく、下地電極層12p,14pの形成前に行っても良い。保護膜16は、十分に薄いので、素子本体10の端面に下地電極層12p,14pを形成する際に、内部電極層4,6との接続を確保することが可能である。
めっき装置
The formation of the protective film 16 such as a glass coat shown in FIG. 2 is preferably performed before the plating treatment, and may be performed before the formation of the base electrode layers 12p and 14p. Since the protective film 16 is sufficiently thin, it is possible to ensure the connection with the internal electrode layers 4 and 6 when forming the base electrode layers 12p and 14p on the end face of the element body 10.
Plating equipment

次に、めっき処理を行うためのめっき装置について説明する。
図1に示すように、めっき装置20は、回転盤21と、底板22と、側面リング23と、スリット形成部材24と、カバー25と、取出し用蓋26と、供給パイプ27と、排出受け28と、排出パイプ29とを有している。
Next, a plating apparatus for performing the plating process will be described.
As shown in FIG. 1, the plating apparatus 20 includes a turntable 21, a bottom plate 22, a side ring 23, a slit forming member 24, a cover 25, a take-out lid 26, a supply pipe 27, and a discharge receptacle 28. And a discharge pipe 29.

回転盤21には、軸部21aが下面に形成してあり、その軸部21aが不図示のベルトおよびベルト駆動モータからの駆動力を受けることによって、回転軸20Tを中心に時計回りおよび反時計回りの双方に回転可能になっている。回転盤21には、底板22が固定され、底板22の上には、側面リング23が固定してある。   A shaft portion 21a is formed on the lower surface of the rotating disk 21, and the shaft portion 21a receives a driving force from a belt and a belt drive motor (not shown), thereby rotating clockwise and counterclockwise around the rotating shaft 20T. It can be rotated in both directions. A bottom plate 22 is fixed to the turntable 21, and a side ring 23 is fixed on the bottom plate 22.

側面リング23の上面には、スリット形成部材24が配置してある。スリット形成部材24の上面には、カバー25の固定部25aが固定され、カバー25の上面には、取出し用蓋26が開閉可能に固定されている。これにより、後述するめっき液30の飛散を防止している。   A slit forming member 24 is arranged on the upper surface of the side ring 23. A fixing portion 25a of the cover 25 is fixed to the upper surface of the slit forming member 24, and an extraction lid 26 is fixed to the upper surface of the cover 25 so as to be opened and closed. Thereby, scattering of the plating solution 30 described later is prevented.

本実施形態では、スリット形成部材24と、側面リング23と、底板22と、回転盤21とを、カバー25に対して着脱自在に固定してあり、回転盤21と共に回転可能になっている。取出し用蓋26は、カバー25に着脱自在に装着され、カバー25と共に回転可能に構成してある。供給パイプ27は、取り出し用蓋26には固定されず、回転盤21とは共に回転しないようになっていることが好ましい。なお、本実施形態では、回転盤21と共に、回転する部分は、少なくとも側面リング23であればよく、スリット形成部材24、カバー25、取り出し用蓋26および供給パイプ27は、必ずしも回転しなくとも良い。   In the present embodiment, the slit forming member 24, the side ring 23, the bottom plate 22, and the turntable 21 are detachably fixed to the cover 25, and can be rotated together with the turntable 21. The take-out lid 26 is detachably attached to the cover 25 and is configured to be rotatable together with the cover 25. It is preferable that the supply pipe 27 is not fixed to the take-out lid 26 and does not rotate together with the turntable 21. In the present embodiment, the part that rotates together with the turntable 21 may be at least the side ring 23, and the slit forming member 24, the cover 25, the take-out lid 26, and the supply pipe 27 may not necessarily rotate. .

側面リング23は、底板22と共に、凹状容器20aを構成する部材であり、内周に沿って内側壁面23aが形成してある。内側壁面23aは、底板22の上面、すなわち凹状容器20aの底面22aに対して、所定角度θで傾斜してある。所定角度θは、90度よりも大きく180度よりも小さな傾斜角度、さらに好ましくは100度〜120度である。なお、内側壁面23aは、必ずしも直線状の傾斜面である必要はなく、凸状あるいは凹状の曲面状の傾斜面でも良い。ただし、好ましくは、内側壁面23aは、直線状の傾斜面である。   The side ring 23 is a member that constitutes the concave container 20a together with the bottom plate 22, and an inner wall surface 23a is formed along the inner periphery. The inner wall surface 23a is inclined at a predetermined angle θ with respect to the upper surface of the bottom plate 22, that is, the bottom surface 22a of the concave container 20a. The predetermined angle θ is an inclination angle larger than 90 degrees and smaller than 180 degrees, more preferably 100 degrees to 120 degrees. The inner wall surface 23a is not necessarily a linear inclined surface, and may be a convex or concave curved inclined surface. However, the inner wall surface 23a is preferably a linear inclined surface.

側面リング23の軸方向の高さは、特に限定されないが、好ましくは5〜35mmである。側面リング23とスリット形成部材24との間、あるいはスリット形成部材24とカバー25の固定部25aとの間には、凹状容器20aの内部と外部とを連通させるスリット24aが形成してある。凹状容器20aの内部には、供給パイプ27からめっき液30が供給され、余分なめっき液30は、スリット24aから容器の外部に排出され、排出受け28および排出パイプ29を通して外部に排出され、必要に応じて濾過後に供給パイプ27に戻される。   The height of the side ring 23 in the axial direction is not particularly limited, but is preferably 5 to 35 mm. Between the side ring 23 and the slit forming member 24, or between the slit forming member 24 and the fixing portion 25 a of the cover 25, a slit 24 a that connects the inside and the outside of the concave container 20 a is formed. The plating solution 30 is supplied from the supply pipe 27 to the inside of the concave container 20a, and the excess plating solution 30 is discharged to the outside of the container from the slit 24a, and is discharged to the outside through the discharge receiver 28 and the discharge pipe 29. Accordingly, after filtration, it is returned to the supply pipe 27.

凹状収容部20aに貯留してあるめっき液30中には、アノード電極40が浸されるようになっている。アノード電極40は、凹状容器20aと共に回転可能に保持してあっても良いが、凹状容器20aには固定せずに、上から吊り下げ保持してあることが好ましく、凹状容器20aと共には回転しないようになっている。アノード電極40には、たとえばNi球など、めっき液30中に溶け出し、めっき膜として析出する材料が保持してある。   The anode electrode 40 is immersed in the plating solution 30 stored in the concave accommodating portion 20a. The anode electrode 40 may be rotatably held together with the concave container 20a. However, the anode electrode 40 is preferably not suspended from the concave container 20a but is suspended from above, and does not rotate together with the concave container 20a. It is like that. The anode electrode 40 holds a material that dissolves in the plating solution 30 and deposits as a plating film, such as Ni spheres.

本実施形態では、側面リング23において、少なくとも内側壁面23aは、導電性金属などの導電材料で構成してあり、その導電材料で構成してある内側壁面23aが第1カソード電極23bを構成している。第1カソード電極23bは、制御手段50に接続してあり、制御手段50により制御された第1めっき電圧が第1カソード電極23bに印加されるようになっている。   In the present embodiment, in the side ring 23, at least the inner wall surface 23a is made of a conductive material such as a conductive metal, and the inner wall surface 23a made of the conductive material forms the first cathode electrode 23b. Yes. The first cathode electrode 23b is connected to the control means 50, and the first plating voltage controlled by the control means 50 is applied to the first cathode electrode 23b.

底板22においては、凹状容器20aの底面22aが少なくとも導電性金属などの導電材料で構成してあり、第2カソード電極22bを構成してある。第2カソード電極22bは、制御手段50に接続してあり、制御手段50により制御された第2めっき電圧が第2カソード電極22bに印加されるようになっている。第2めっき電圧は、第1めっき電圧に比較して低く、その差は、好ましくは1〜3Vである。   In the bottom plate 22, the bottom surface 22a of the concave container 20a is made of at least a conductive material such as a conductive metal and constitutes the second cathode electrode 22b. The second cathode electrode 22b is connected to the control means 50, and the second plating voltage controlled by the control means 50 is applied to the second cathode electrode 22b. The second plating voltage is lower than the first plating voltage, and the difference is preferably 1 to 3V.

第1カソード電極23bと第2カソード電極22bとは絶縁されている。本実施形態では、底板22において、側面リング23との接続部分を絶縁部材で構成することにより、第1カソード電極23bと第2カソード電極22bとを絶縁しているが、それ以外の方法で絶縁しても良い。   The first cathode electrode 23b and the second cathode electrode 22b are insulated. In the present embodiment, in the bottom plate 22, the first cathode electrode 23 b and the second cathode electrode 22 b are insulated by configuring the connection portion with the side ring 23 with an insulating member. You may do it.

制御手段50は、回転盤21を回転させるためのモータなどの回転手段に接続してあり、モータを制御することで、凹状容器20aの回転を制御している。制御手段50は、凹状容器20aの回転状態に合わせて、第1カソード電極23bに通電するタイミングと、第2カソード電極22bに通電するタイミングとを、切り替え制御している。本実施形態では、制御手段50は、コンピュータなどで構成され、第1カソード電極23b、第2カソード電極22b、アノード電極40へのめっき電圧印加手段を含んでいると共に、回転盤21の回転駆動手段の制御手段も兼ねている。
めっき方法
The control means 50 is connected to a rotation means such as a motor for rotating the turntable 21, and controls the rotation of the concave container 20a by controlling the motor. The control means 50 switches and controls the timing of energizing the first cathode electrode 23b and the timing of energizing the second cathode electrode 22b in accordance with the rotational state of the concave container 20a. In the present embodiment, the control means 50 is constituted by a computer or the like, and includes plating voltage application means for the first cathode electrode 23b, the second cathode electrode 22b, and the anode electrode 40, and the rotation driving means for the turntable 21. It also serves as a control means.
Plating method

本実施形態では、図1に示すめっき装置20の回転盤21を、図3に示すように回転制御する。まず、図2に示す下地電極層12p,14pが形成された素子本体10を、図4(A)に示すように、凹状容器20aの内部に多数投入する。投入される素子本体10の個数は、特に限定されず、例えば1000個〜2000000個投入される。これらの素子本体10は、めっき液30が貯留されている凹状容器20aの内部で、底面22aの中央部に集まり、素子本体群10aを形成している。   In this embodiment, rotation control of the turntable 21 of the plating apparatus 20 shown in FIG. 1 is performed as shown in FIG. First, as shown in FIG. 4A, a large number of element bodies 10 on which the base electrode layers 12p and 14p shown in FIG. 2 are formed are put into the concave container 20a. The number of element bodies 10 to be input is not particularly limited, and for example, 1000 to 2000000 elements are input. These element bodies 10 are gathered at the center of the bottom surface 22a inside the concave container 20a in which the plating solution 30 is stored to form an element body group 10a.

凹状容器20aを一定方向にゆっくりと回転させながら、徐々に回転速度を上げていく(図3に示す第1工程T01/第1可変速度領域)と、素子本体群10aが、凹状容器20aの底面22aに沿って外周方向にゆっくり移動する。その後に、図3に示す第2工程T02では、凹状容器20aが一定の回転速度(第1定速度領域)で回転し、素子本体群10aは、図4(B)に示すように、凹状容器20aの底面22aにおいて、内側壁面23近くに移動する(底面移動工程)。   When the rotational speed is gradually increased while slowly rotating the concave container 20a in a certain direction (first step T01 / first variable speed region shown in FIG. 3), the element main body group 10a becomes the bottom surface of the concave container 20a. It moves slowly along the outer peripheral direction along 22a. Thereafter, in the second step T02 shown in FIG. 3, the concave container 20a rotates at a constant rotational speed (first constant speed region), and the element body group 10a is formed into a concave container as shown in FIG. In the bottom face 22a of 20a, it moves near the inner wall surface 23 (bottom face moving step).

本実施形態では、この第1工程T01および/または第2工程T02において、図1に示す制御手段50を用いて、第1カソード電極23bには第1めっき電圧を印加させずに、第2カソード電極22bとアノード電極40との間に第2めっき電圧を印加する。第2カソード電極22bの表面には、図5に示すように、下地電極層12p,14pが形成してある素子本体10が整列して配置される。なお、実際には、必ずしも整然と整列するわけではないと共に、折り重なって雑然として配置されるが、ミクロ的に見れば、整列して配置される部分もあるので、ここでは、図5に示すように配列されたとして説明する。   In the present embodiment, in the first step T01 and / or the second step T02, the first cathode voltage is not applied to the first cathode electrode 23b using the control means 50 shown in FIG. A second plating voltage is applied between the electrode 22b and the anode electrode 40. On the surface of the second cathode electrode 22b, as shown in FIG. 5, the element body 10 on which the base electrode layers 12p and 14p are formed is arranged in alignment. Actually, they are not necessarily neatly arranged and are arranged in a messy manner by folding, but there are some parts that are arranged in a microscopic manner, so here, as shown in FIG. It will be described as being arranged.

図5に示すように、素子本体10の下地電極層12p,14pが第2カソード電極22bに接触して通電され、下地電極層12p,14pの表面にめっき液中の金属成分が析出してめっき処理がなされる。図5では、素子本体10の下地電極層12p,14pが第2カソード電極22bに直接に接触して通電されるが、実際には、その上に、下地電極層12p,14pが形成してある多数の素子本体10が折り重なる。折り重なっている他の素子本体10の下地電極層12p,14pは、その下で接触している他の素子本体10の下地電極層12p,14pを介して第2カソード電極22bに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。   As shown in FIG. 5, the base electrode layers 12p and 14p of the element body 10 are brought into contact with the second cathode electrode 22b to be energized, and metal components in the plating solution are deposited on the surfaces of the base electrode layers 12p and 14p. Processing is done. In FIG. 5, the base electrode layers 12p and 14p of the element body 10 are in direct contact with the second cathode electrode 22b to be energized, but actually the base electrode layers 12p and 14p are formed thereon. Many element bodies 10 are folded. The underlying electrode layers 12p and 14p of the other element body 10 that are folded are indirectly in contact with the second cathode electrode 22b via the underlying electrode layers 12p and 14p of the other element body 10 that are in contact therewith. Is energized to perform plating.

なお、めっき対象物としての素子本体10以外に、図示しないが、導電性メディアを素子本体10と共に、めっき液中に入れても良い。その場合には、導電性メディアを介して、折り重なっている他の素子本体10の下地電極層12p,14pは、第2カソード電極22bに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。   In addition to the element body 10 as an object to be plated, although not shown, a conductive medium may be placed in the plating solution together with the element body 10. In that case, the underlying electrode layers 12p and 14p of the other element body 10 that are folded are electrically connected to the second cathode electrode 22b through the conductive medium and are subjected to plating.

次に、図3に示す第3工程T03において、第1工程T01および第2工程T02よりも速い回転速度で凹状容器20aを回転させる。第3工程T03の間に、回転速度が急激に上昇する(第2可変速度領域)。この時、図4(C)に示すように、遠心力により、素子本体群10aは、内側壁面23aに沿って上方に移動する(壁面移動工程)。その後に、図3に示すように、第4工程T04において、最もめっき効率の良い回転速度(第2定速度領域)が維持される。   Next, in the third step T03 shown in FIG. 3, the concave container 20a is rotated at a higher rotational speed than in the first step T01 and the second step T02. During the third step T03, the rotational speed increases rapidly (second variable speed region). At this time, as shown in FIG. 4C, the element body group 10a moves upward along the inner wall surface 23a by a centrifugal force (wall surface moving step). Thereafter, as shown in FIG. 3, in the fourth step T04, the rotation speed (second constant speed region) with the highest plating efficiency is maintained.

第3工程T03では、第1カソード電極23bおよび第2カソード電極22bへの通電は停止している。第4工程T04では、図1に示す制御手段50が、第1カソード電極23とアノード電極40との間に、第1めっき電圧を印加する。第2カソード電極22bには通電しない。   In the third step T03, energization to the first cathode electrode 23b and the second cathode electrode 22b is stopped. In the fourth step T04, the control means 50 shown in FIG. 1 applies a first plating voltage between the first cathode electrode 23 and the anode electrode 40. The second cathode electrode 22b is not energized.

本実施形態では、素子本体群10aが内側壁面23aを登り上がる際に、遠心力により、図3(C)および図6に示すように、内側壁面23aに沿って素子本体10が層状にばらけて押し付けられる。その状態では、遠心力により、内側壁面23aに対して素子本体10が縦置きされる確率よりも横置きされる確率が高く、確実に、下地電極層12p,14pが第1カソード電極23bに強く接触してめっき処理がなされる。   In the present embodiment, when the element body group 10a climbs up the inner wall surface 23a, the element body 10 is scattered in layers along the inner wall surface 23a by centrifugal force as shown in FIGS. 3 (C) and 6. Pressed. In that state, due to the centrifugal force, the probability that the element body 10 is placed horizontally is higher than the probability that the element body 10 is placed vertically with respect to the inner wall surface 23a, and the base electrode layers 12p and 14p are surely strong against the first cathode electrode 23b. The plating process is performed upon contact.

このめっき処理に際しては、素子本体10相互が衝突する確率も比較的に少なくなる。したがって、下地電極層12p,14pよりも窪んだ位置に存在する素子本体10の表面10α(図参照)には、メディアや他の素子本体10あるいは内側壁面23aが衝突するおそれが少なく、素子本体10の表面10αに対するダメージも少ない。   In this plating process, the probability that the element bodies 10 collide with each other is also relatively reduced. Therefore, there is little possibility that the medium or another element body 10 or the inner wall surface 23a collides with the surface 10α (see the drawing) of the element body 10 present at a position recessed from the base electrode layers 12p and 14p. There is little damage to the surface 10α.

なお、図6では、素子本体10が一列に配列してあるが、必ずしも一列である必要はなく、数列に折り重なっても良い。いずれにしても、遠心力が作用するために、内側壁面23aに対して素子本体10が縦置きされる確率よりも横置きされる確率が高い。そのため、折り重なっている他の素子本体10の下地電極層12p,14pは、その下で接触している他の素子本体10の下地電極層12p,14pを介して第2カソード電極22bに間接的に接触して通電され、確実にめっき処理がなされる。   In FIG. 6, the element main bodies 10 are arranged in a line. However, the element bodies 10 are not necessarily arranged in a line, and may be folded in several lines. In any case, since the centrifugal force acts, the probability that the element body 10 is placed horizontally is higher than the probability that the element body 10 is placed vertically with respect to the inner wall surface 23a. Therefore, the base electrode layers 12p and 14p of the other element body 10 that are folded are indirectly connected to the second cathode electrode 22b via the base electrode layers 12p and 14p of the other element body 10 that are in contact therewith. It contacts and is energized, and a plating process is performed reliably.

なお、めっき対象物としての素子本体10以外に、導電性メディアがめっき液中に入っている場合には、導電性メディアを介して、素子本体10の下地電極層12p,14pは、第2カソード電極22bに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。   When conductive media is contained in the plating solution other than the element body 10 as the plating object, the base electrode layers 12p and 14p of the element body 10 are connected to the second cathode via the conductive medium. The electrode 22b is indirectly contacted and energized to perform plating.

その後に、図4に示す第5工程T05では、凹状容器20aの回転速度を急激に低下させる。第5工程T05では、第1カソード電極23bおよび第2カソード電極22bのいずれにもめっき電圧を印加しない。次に、第6工程T06において、凹状容器20aの回転速度をゼロにする状態を維持する。凹状容器20aの回転を停止させても、凹状容器20aの内部に存在する液体は、慣性力により回転し続ける。そのため、内側壁面23aに沿って押し付けられていた素子本体10は、その液体の回転流により、内側壁面23aから離れ、渦を巻きながら、ゆっくりと、内側容器23aの底面22aの略中央に攪拌されながら落下する(底面戻し工程)。その状態を図3(A)に示す。   Thereafter, in the fifth step T05 shown in FIG. 4, the rotational speed of the concave container 20a is rapidly reduced. In the fifth step T05, no plating voltage is applied to either the first cathode electrode 23b or the second cathode electrode 22b. Next, in the sixth step T06, a state in which the rotational speed of the concave container 20a is made zero is maintained. Even if the rotation of the concave container 20a is stopped, the liquid present in the concave container 20a continues to rotate due to the inertial force. Therefore, the element body 10 that has been pressed along the inner wall surface 23a is separated from the inner wall surface 23a by the rotational flow of the liquid, and is slowly stirred to the approximate center of the bottom surface 22a of the inner container 23a while swirling. While falling (bottom return process). The state is shown in FIG.

第6工程T06においては、第1工程T01および/または第2工程T02と同様に、第2カソード電極22bとアノード電極40との間に第2めっき電圧を印加しても良い。   In the sixth step T06, a second plating voltage may be applied between the second cathode electrode 22b and the anode electrode 40 as in the first step T01 and / or the second step T02.

その後に、図3に示すように、第1工程T01〜第6工程T06とは回転方向が異なる以外は同様な第1工程T11〜第6工程T16を行い、その後に、第1工程T01〜第6工程T06と、第1工程T11〜第6工程T16とを交互に繰り返し行う。このようなサイクルを繰り返し行うことで、多数の素子本体10にそれぞれ形成してある下地電極層12p,14pの表面が均一にめっき処理され、めっき不良になる不良品の発生率を抑制することができる。その結果、図2に示すように、めっき膜12c,14cが形成された積層チップバリスタ2が得られる。   After that, as shown in FIG. 3, the first step T11 to the sixth step T16 are performed except that the rotation direction is different from the first step T01 to the sixth step T06, and then the first step T01 to the sixth step T16. Six steps T06 and the first step T11 to the sixth step T16 are alternately repeated. By repeating such a cycle, the surface of the base electrode layers 12p and 14p formed on each of the large number of element bodies 10 is uniformly plated, thereby suppressing the occurrence rate of defective products that cause plating defects. it can. As a result, as shown in FIG. 2, the multilayer chip varistor 2 in which the plating films 12c and 14c are formed is obtained.

本実施形態のめっき装置、めっき方法、およびそれを利用したチップ型電子部品の製造方法では、凹状容器の回転を制御することで、遠心力により、めっき対象物としての素子本体10の下地電極層12p,14pが、直接または間接的に第1カソード電極23bに接触する。   In the plating apparatus, the plating method, and the chip-type electronic component manufacturing method using the same according to the present embodiment, by controlling the rotation of the concave container, the ground electrode layer of the element body 10 as a plating object is obtained by centrifugal force. 12p and 14p contact the 1st cathode electrode 23b directly or indirectly.

本実施形態では、素子本体10の下地電極層12p,14pが、直接または間接的に第1カソード電極23bに接触するタイミング(図3に示す工程T04およびT14)で、第1カソード電極23bを通電するように制御が行われる。そのため、アノード電極40から溶出した溶出物を、下地電極層12p,14pの表面に析出させてめっき処理することができる。   In the present embodiment, the first cathode electrode 23b is energized at a timing (steps T04 and T14 shown in FIG. 3) where the base electrode layers 12p and 14p of the element body 10 directly or indirectly contact the first cathode electrode 23b. Control is performed as follows. Therefore, the eluate eluted from the anode electrode 40 can be deposited on the surface of the base electrode layers 12p and 14p and plated.

さらに、図3に示す工程T01(T11),T02(T12),T06(T16)のように、凹状容器20aの回転を制御することで、素子本体10が、直接または間接的に第2カソード電極22bに接触する状態を作り出すことができる。その状態で、制御手段50は、第2カソード電極22bを通電し、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させて、めっき処理することができる。   Further, as in steps T01 (T11), T02 (T12), and T06 (T16) shown in FIG. 3, the element body 10 is directly or indirectly controlled by the second cathode electrode by controlling the rotation of the concave container 20a. A state of contacting 22b can be created. In this state, the control means 50 can energize the second cathode electrode 22b to deposit the eluate eluted from the anode electrode on the surface of the object to be plated for plating.

このように、本実施形態では、凹状容器20aの回転を制御すると共に、第1カソード電極23aだけでなく、第2カソード電極22aに対しても効果的なタイミングで電圧が印加される。このように、1回あたりのめっきサイクルにおいて、めっき処理時間を比較的に長く確保することが可能となる。   Thus, in this embodiment, while controlling rotation of the concave container 20a, a voltage is applied with effective timing not only to the first cathode electrode 23a but also to the second cathode electrode 22a. In this way, it is possible to ensure a relatively long plating time in a single plating cycle.

しかも本実施形態では、上述したサイクルを繰り返して行うように制御する。したがって、めっき工程をトータルで見た場合に、めっき時間を短くすることが可能となり、効率的にめっき処理を行うことができる。トータルの処理時間が短く済むので、素子本体10が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後の部品の品質を向上させることが可能となる。特に、チップバリスタ2などの電子部品では、素子本体10の表面が長時間めっき液に曝されて特性に悪影響を与えることを避ける必要があり、めっき処理時間を短縮することで、バリスタ2の信頼性を向上させることができる。   Moreover, in the present embodiment, control is performed so that the above-described cycle is repeated. Therefore, when the plating process is viewed in total, the plating time can be shortened and the plating process can be performed efficiently. Since the total processing time is shortened, the probability that the element main body 10 is missing or dust is attached is reduced, and the quality of parts after plating can be improved. In particular, in an electronic component such as the chip varistor 2, it is necessary to avoid that the surface of the element body 10 is exposed to the plating solution for a long time and adversely affect the characteristics. By shortening the plating process time, the reliability of the varistor 2 can be reduced. Can be improved.

また本実施形態では、素子本体10が第1カソード電極23bに接触する場合には、凹状容器20aの回転による遠心力により、素子本体10が第1カソード電極23bに強く押し付けられているために、めっき電圧が高くてもスパークなどが生じにくく、めっき電圧を高く設定することでめっき効率が向上する。   In the present embodiment, when the element body 10 is in contact with the first cathode electrode 23b, the element body 10 is strongly pressed against the first cathode electrode 23b by the centrifugal force due to the rotation of the concave container 20a. Even if the plating voltage is high, sparks are hardly generated, and the plating efficiency is improved by setting the plating voltage high.

しかも本実施形態では、凹状容器20aの内周壁面23aが、回転軸20Tに沿って上側に向けてテーパ状に広がる方向に傾斜しているため、凹状容器20aの回転に伴い、素子本体10が容易に内周壁面23aを這い上がり、内周壁面23aに沿って分散する。したがって、内周壁面23aに形成してある第1カソード電極23bを通電する時に、より効果的に下地電極層12p,14pの表面をめっき処理することができる。   In addition, in the present embodiment, the inner peripheral wall surface 23a of the concave container 20a is inclined in a taper-shaped direction toward the upper side along the rotation axis 20T, so that the element body 10 is rotated along with the rotation of the concave container 20a. The inner peripheral wall surface 23a is easily climbed up and dispersed along the inner peripheral wall surface 23a. Therefore, when the first cathode electrode 23b formed on the inner peripheral wall surface 23a is energized, the surface of the base electrode layers 12p and 14p can be more effectively plated.

また本実施形態では、メディアを用いないでもめっき処理が可能なので、メディアによる衝撃で発生するチップ部品やメディアの破片(カス)の付着がめっき不均一や外観不良の原因となることもない。また、メディアを用いないことから、めっき後に、メディアと素子本体10とを分離する必要もない。   Further, in the present embodiment, since plating can be performed without using media, the adhesion of chip parts and debris of the media generated by the impact of the media does not cause uneven plating or poor appearance. Further, since no media is used, it is not necessary to separate the media and the element body 10 after plating.

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、積層チップバリスタを例に説明を行ったが、これに限定されず、本発明のめっき装置およびめっき方法が適用されるチップ型電子部品としては、積層コンデンサ、チップバリスタ、チップインダクタ、チップNTCサーミスタなどであってもよい。また、本発明のめっき装置およびめっき方法が適用されるめっき対象物は、チップ型電子部品に限らず、たとえば粉体(5〜100μm)、コネクタ、リードスイッチ、釘、ボルト、ナット、ワッシャなどのような小物(小形部品)が例示される。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the multilayer chip varistor has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the chip type electronic component to which the plating apparatus and the plating method of the present invention are applied includes a multilayer capacitor and a chip varistor. A chip inductor, a chip NTC thermistor, or the like may be used. The plating object to which the plating apparatus and the plating method of the present invention are applied is not limited to a chip-type electronic component, and examples thereof include powder (5 to 100 μm), connectors, reed switches, nails, bolts, nuts, washers and the like. Such small items (small parts) are exemplified.

また、上述した実施形態では、側面リング23の内側壁面23aの全面を第1カソード電極23bとして構成したが、本発明では、それに限らず、内側壁面23aの少なくとも一部を第1カソード電極23bとして構成してもよい。また、上述した実施形態では、凹状容器20aの底面22aのほぼ全面を、第2カソード電極22bとして構成したが、本発明では、それに限らず、その少なくとも一部を第2カソード電極22bとして構成してもよい。   In the above-described embodiment, the entire inner wall surface 23a of the side ring 23 is configured as the first cathode electrode 23b. However, the present invention is not limited thereto, and at least a part of the inner wall surface 23a is defined as the first cathode electrode 23b. It may be configured. In the above-described embodiment, the substantially entire bottom surface 22a of the concave container 20a is configured as the second cathode electrode 22b. However, in the present invention, at least a part thereof is configured as the second cathode electrode 22b. May be.

2…積層チップバリスタ
6,8…内部電極
10…素子本体
12,14…外部端子電極
12p,14p…下地電極層
12c,14c…めっき膜
12β,14β…側面部分
12γ,14γ…端面部分
16…保護膜
20…めっき装置
20a…凹状容器
22…底板
22a…底面
22b…第2カソード電極
23…側面リング
23a…内側壁面
23b…第1カソード電極
30…めっき液
40…アノード電極
50…制御手段
2 ... Laminated chip varistors 6, 8 ... Internal electrodes 10 ... Element main bodies 12, 14 ... External terminal electrodes 12p, 14p ... Base electrode layers 12c, 14c ... Plating films 12β, 14β ... Side portions 12γ, 14γ ... End face portions 16 ... Protection Membrane 20 ... Plating apparatus 20a ... Concave container 22 ... Bottom plate 22a ... Bottom surface 22b ... Second cathode electrode 23 ... Side ring 23a ... Inner wall surface 23b ... First cathode electrode 30 ... Plating solution 40 ... Anode electrode 50 ... Control means

Claims (10)

めっき液を貯留する凹状容器の内周壁面の少なくとも一部を構成する第1カソード電極と、
前記第1カソード電極とは絶縁され、前記凹状容器の底面の少なくとも一部を構成する第2カソード電極と、
前記凹状容器に貯留される前記めっき液に浸されるアノード電極と、
前記凹状容器を、前記底面に略垂直な中心軸の回りに回転させる回転手段と、を有するめっき装置。
A first cathode electrode constituting at least a part of the inner peripheral wall surface of the concave container storing the plating solution;
A second cathode electrode insulated from the first cathode electrode and constituting at least a part of a bottom surface of the concave container;
An anode electrode immersed in the plating solution stored in the concave container;
And a rotating means for rotating the concave container about a central axis substantially perpendicular to the bottom surface.
前記内周壁面は、前記底面に対して、90度よりも大きく180度よりも小さな傾斜角度で傾斜している請求項1に記載のめっき装置。   The plating apparatus according to claim 1, wherein the inner peripheral wall surface is inclined at an inclination angle greater than 90 degrees and smaller than 180 degrees with respect to the bottom surface. 前記回転手段による前記凹状容器の回転状態に合わせて、前記第1カソード電極に通電するタイミングと、前記第2カソード電極に通電するタイミングとを、切り替え制御する制御手段をさらに有する請求項1または2に記載のめっき装置。   The control unit according to claim 1 or 2, further comprising: a switching unit that controls switching between a timing of energizing the first cathode electrode and a timing of energizing the second cathode electrode in accordance with a rotation state of the concave container by the rotating unit. The plating apparatus as described in. 前記制御手段では、前記第1カソード電極に印加するめっき電圧を、前記第2カソード電極に印加するめっき電圧よりも高く設定する請求項3に記載のめっき装置。   The plating apparatus according to claim 3, wherein the control unit sets a plating voltage applied to the first cathode electrode higher than a plating voltage applied to the second cathode electrode. 複数のめっき対象物を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第1回転速度で回転させ、前記めっき対象物を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第1回転速度よりも高速な第2回転速度で回転させ、前記めっき対象物を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第2回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第1カソード電極を通電し、前記第1カソード電極に直接または間接的に接触してある前記めっき対象物の表面をめっき処理する第1めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記めっき対象物を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第2カソード電極に前記めっき対象物の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第2カソード電極を通電して前記めっき対象物の表面をめっきする第2めっき工程と、を有することを特徴とするめっき方法。
Storing a plurality of objects to be plated in a concave container;
In a state where the plating solution is put inside the concave container, the concave container is rotated at a first rotation speed, and the plating object is moved near the inner wall surface at the bottom surface of the concave container; and
A wall surface moving step of rotating the concave container at a second rotation speed higher than the first rotation speed and moving the plating object upward along the inner wall surface;
The concave container is rotated at the second rotational speed, and the first cathode electrode formed on at least a part of the inner wall surface is energized, and is in direct or indirect contact with the first cathode electrode. A first plating step of plating the surface of the plating object;
A bottom return step of stopping rotation of the concave container and spreading the plating object to the bottom;
In a state where the base electrode layer of the object to be plated is in direct or indirect contact with the second cathode electrode formed on at least a part of the bottom surface, the second cathode electrode is energized to supply the object to be plated. And a second plating step of plating the surface of the plating.
前記底面移動工程に際しても、前記第2カソード電極を通電させ、前記めっき対象物の表面をめっき処理する請求項5に記載のめっき方法。   The plating method according to claim 5, wherein the second cathode electrode is energized and the surface of the plating object is plated in the bottom surface moving step. 前記第1カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第2カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい請求項5または6に記載のめっき方法。   The plating method according to claim 5 or 6, wherein a plating voltage when the first cathode electrode is energized is larger than a plating voltage when the second cathode electrode is energized. 素子本体を製造する工程と、
前記素子本体に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層の表面にめっき膜を形成する工程とを有するチップ型電子部品の製造方法であって、
前記めっき膜を形成する工程が、
前記下地電極層が形成された複数の素子本体を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第1回転速度で回転させ、前記素子本体を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第1回転速度よりも高速な第2回転速度で回転させ、前記素子本体を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第2回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第1カソード電極を通電し、前記第1カソード電極に直接または間接的に接触してある前記下地電極層の表面をめっき処理する第1めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記素子本体を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第2カソード電極に前記素子本体の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第2カソード電極を通電して前記下地電極層の表面をめっきする第2めっき工程と、を有することを特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
Manufacturing the element body;
Forming a base electrode layer on the element body;
A method of manufacturing a chip-type electronic component having a step of forming a plating film on the surface of the base electrode layer,
Forming the plating film comprises:
Accommodating a plurality of element bodies formed with the base electrode layer in a concave container;
In a state where the plating solution is put inside the concave container, the concave container is rotated at a first rotation speed, and the element main body is moved near the inner wall surface at the bottom surface of the concave container; and
A wall surface moving step of rotating the concave container at a second rotation speed higher than the first rotation speed, and moving the element body upward along the inner wall surface;
The concave container is rotated at the second rotational speed, and the first cathode electrode formed on at least a part of the inner wall surface is energized, and is in direct or indirect contact with the first cathode electrode. A first plating step of plating the surface of the base electrode layer;
A bottom return step of stopping rotation of the concave container and spreading the element body to the bottom;
In a state where the base electrode layer of the element body is in direct or indirect contact with the second cathode electrode formed on at least a part of the bottom surface, the second cathode electrode is energized to pass through the base electrode layer. And a second plating step for plating the surface. A method for manufacturing a chip-type electronic component.
前記底面移動工程に際しても、前記第2カソード電極を通電させ、前記下地電極層の表面をめっき処理する請求項8に記載のチップ型電子部品の製造方法。   9. The method for manufacturing a chip-type electronic component according to claim 8, wherein the second cathode electrode is energized and the surface of the base electrode layer is plated during the bottom surface moving step. 前記第1カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第2カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい請求項8または9に記載のチップ型電子部品の製造方法。   The method for manufacturing a chip-type electronic component according to claim 8 or 9, wherein a plating voltage when the first cathode electrode is energized is larger than a plating voltage when the second cathode electrode is energized.
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