JP2011166271A - バイアス回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子3に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ5及びキャパシタ6が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ7と、接地されたキャパシタ8とインダクタ7との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子9を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子3の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体素子3に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ5及びキャパシタ6が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ7と、接地されたキャパシタ8とインダクタ7との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子9を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子3の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、マイクロ波、ミリ波等の高周波帯域で動作する高周波回路の半導体素子に、電力を供給するバイアス回路に関するものである。
従来のバイアス回路は、半導体素子から出力される所望周波数の4分の1波長の電気長を有したスタブを、バイアス電圧を供給する電源端子に接続することで構成されていた(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に記載されるような従来のバイアス回路は、スタブの電気長が所望周波数の4分の1波長であるので、所望周波数が低くなるに従って、バイアス回路の占める面積が大型化していた。
また、特許文献1記載のバイアス回路においては、3倍波を除去するための6分の1波長のスタブが設けられているが、所望の周波数への影響を相殺するために伝送線路上にキャパシタを設ける必要があった。このため、所望周波数が高くなるに従い、キャパシタ寸法やキャパシタに使用されている誘電体の誘電損失の影響が顕在化し、所望の周波数の伝送特性が劣化するという問題があった。
この発明は、係る課題を解決するためになされたものであり、不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
この発明によるバイアス回路は、半導体素子に電力を供給するバイアス回路において、上記半導体素子の入力側または出力側の一方または両方の高周波伝送線路と接地面との間に接続され、第1のインダクタ及びキャパシタが直列に接続された直列回路と、上記直列回路に並列に接続されて並列回路を構成する第2のインダクタと、接地キャパシタと上記第2のインダクタとの間に接続され、外部から上記電力が供給されるバイアス端子とを備え、上記並列回路は上記半導体素子の所望の周波数帯域で共振し、上記直列回路は上記半導体素子の不要波の周波数帯域で共振する、ことを特徴としたものである。
この発明によれば、不要波を除去し所望の周波数のみを伝達できる小型なバイアス回路が得られるという効果を奏する。
実施の形態1.
図1は、この発明に係る実施の形態1によるバイアス回路の基本構成を示す図であり、図2は図1のバイアス回路の等価回路を示す図である。
図において、実施の形態1による高周波回路は、入力端子1と、入力整合回路2と、半導体素子3と、出力整合回路4と、バイアス供給端子9と、バイアス回路10と、出力端子11と、バイアス回路接続点12を備えている。半導体素子3は、半導体増幅器や移相器などの能動回路を構成する。
図1は、この発明に係る実施の形態1によるバイアス回路の基本構成を示す図であり、図2は図1のバイアス回路の等価回路を示す図である。
図において、実施の形態1による高周波回路は、入力端子1と、入力整合回路2と、半導体素子3と、出力整合回路4と、バイアス供給端子9と、バイアス回路10と、出力端子11と、バイアス回路接続点12を備えている。半導体素子3は、半導体増幅器や移相器などの能動回路を構成する。
入力端子1は、入力整合回路2の一端に接続される。半導体素子3は、その入力端が入力整合回路2の他端に接続され、その出力端が出力整合回路4の一端に接続される。出力整合回路4の他端と出力端子11を接続する高周波伝送線路は、整合回路4と出力端子11の間でバイアス回路接続点12に接続される。バイアス回路接続点12には、バイアス回路10の一端部が接続され、バイアス回路10の他端部はバイアス供給端子9に接続される。入力整合回路2及び出力整合回路4は、所定のインピーダンスを有したインピーダンス整合回路であり、マイクロストリップ線路やコプレーナ線路などによって構成される。
なお、バイアス回路10は、半導体素子3の出力側の高周波伝送線路のみならず、半導体素子3の入力側の高周波伝送線路に接続されても良い。また、半導体素子3の入力側の高周波伝送線路と、半導体素子3の出力側の高周波伝送線路の両方に、それぞれ接続されていても良い。
なお、バイアス回路10は、半導体素子3の出力側の高周波伝送線路のみならず、半導体素子3の入力側の高周波伝送線路に接続されても良い。また、半導体素子3の入力側の高周波伝送線路と、半導体素子3の出力側の高周波伝送線路の両方に、それぞれ接続されていても良い。
また、バイアス回路10は、インダクタ5と、キャパシタ6と、インダクタ7と、接地キャパシタであるキャパシタ8とから構成される。インダクタ5とキャパシタ6の直列回路は、インダクタ7と並列に接続されて並列回路を構成し、バイアス回路接続点12とバイアス供給端子9の間に接続される。また、上記並列回路の他端とバイアス供給端子9の接続点は、キャパシタ8を介してグランド(接地面)に接続される。インダクタ5はインダクタンスL1、キャパシタ6はキャパシタンスC1、インダクタ7はインダクタンスL2、キャパシタ8はキャパシタンスC2を有している。
なお、キャパシタC2は、半導体素子3に入出力される所望の信号と、半導体素子3から出力される2倍波または3倍波などの高調波や雑音などの不要波に対して、十分インピーダンスを低くするように静電容量が選ばれており、図2の等価回路に示すように、所望の信号及び不要波等を含む高周波帯域に対しては、グランドとショートした状態と等価である。
次に、実施の形態1によるバイアス回路10の動作について説明する。
所望の信号は、入力端子1から入力され、入力整合回路2、半導体素子3、及び出力整合回路4を通り、出力端子11に伝達する。
入力整合回路2は、入力端子1と半導体素子3の入力インピーダンスを整合させる。出力整合回路4は、半導体素子3の出力インピーダンスと出力端子11を整合させる。半導体素子3は、バイアス供給端子9を介して外部から入力される、低周波または直流電圧のバイアス信号によって駆動され、入力端子1から入力される所望の信号を増幅する、あるいは位相を変えるなどの信号処理を施す。このバイアス信号は、バイアス供給端子9に印加されると、バイアス回路10のインダクタ5、キャパシタ6、及びインダクタ7を経て出力整合回路4に入力され、出力整合回路4を通って、半導体素子3に供給される。
所望の信号は、入力端子1から入力され、入力整合回路2、半導体素子3、及び出力整合回路4を通り、出力端子11に伝達する。
入力整合回路2は、入力端子1と半導体素子3の入力インピーダンスを整合させる。出力整合回路4は、半導体素子3の出力インピーダンスと出力端子11を整合させる。半導体素子3は、バイアス供給端子9を介して外部から入力される、低周波または直流電圧のバイアス信号によって駆動され、入力端子1から入力される所望の信号を増幅する、あるいは位相を変えるなどの信号処理を施す。このバイアス信号は、バイアス供給端子9に印加されると、バイアス回路10のインダクタ5、キャパシタ6、及びインダクタ7を経て出力整合回路4に入力され、出力整合回路4を通って、半導体素子3に供給される。
バイアス回路10において、インダクタンスL1及びキャパシタンスC1からなる直列回路の直列共振周波数ω1と、インダクタンスL1、キャパシタンスC1、及びインダクタンスL2からなる並列回路の並列共振周波数ω2は、それぞれ次式(1)、(2)で表される。
直列共振周波数ω1では、バイアス回路接続点12がグランドと短絡した状態となり、直列共振周波数ω1の帯域の信号は出力端子には伝達されない。また、並列共振周波ω2数では、バイアス回路接続点からバイアス回路側をみたインピーダンスが非常に大きくなるので、並列共振周波ω2の帯域で伝送される信号の伝達を妨げない。
従って、並列共振周波数ω2を、半導体素子3の所望の信号の周波数で共振させるとともに、直列共振周波数ω1を、半導体素子3の不要波に共振させることで、例えば所望の信号の2倍波や3倍波などの、不要波の信号伝達を防止し、所望の信号のみを出力端子に伝送することが可能となる。
以上説明した通り、この実施の形態1によるバイアス回路は、半導体素子3に電力を供給するバイアス回路10において、半導体素子3の入力側または出力側の一方または両方のと接地面との間に接続され、第1のインダクタ及びキャパシタが直列に接続された直列回路(不要波抑圧用のインダクタンスL1とキャパシタンスC1との直列接続回路)と、上記直列回路に並列に接続されて並列回路を構成する第2のインダクタ(インダクタンスL2)と、接地キャパシタ(キャパシタンスC2)と上記第2のインダクタとの間に接続され、外部から上記電力が供給されるバイアス端子と、を備え、上記並列回路は上記半導体素子の所望の周波数帯域で共振し、上記直列回路は上記半導体素子の不要波の周波数帯域で共振する、ことを特徴とする。
この実施の形態1によれば、インダクタンスL1とキャパシタンスC1を不要波の周波数に共振させ、また、インダクタンスL1、キャパシタンスC1、及びインダクタンスL2の並列共振回路を所望の周波数で共振させることにより、不要波を除去し所望の周波数のみを伝達できるバイアス回路が得られるという効果がある。また、所望周波数の4分の1波長のスタブを設けなくても、例えば2倍波のような不要波の出力を抑制することができるので、小型なバイアス回路を得ることが可能となる。
実施の形態2.
図3は、この発明に係る実施の形態2による誘電体基板に実装したバイアス回路10の構成例を示す図である。図4は、図3のバイアス回路10の回路構成および等価回路を示す図であり、(a)は回路構成図、(b)は等価回路図である。
図3は、この発明に係る実施の形態2による誘電体基板に実装したバイアス回路10の構成例を示す図である。図4は、図3のバイアス回路10の回路構成および等価回路を示す図であり、(a)は回路構成図、(b)は等価回路図である。
図3において、半導体素子3と誘電体基板20は、地導体板21の上に実装されている。地導体板21は、金属板や、炭素や導電性フィラーを含有した樹脂部材、または誘電体基板の表面にめっきや蒸着または印刷により付着した金属薄膜層によって形成される。誘電体基板20の表面には、高周波伝送線路34と、配線パターン31と、配線パターン35が形成されている。高周波伝送線路34と、配線パターン31と、配線パターン35は、それぞれ所定の特性インピーダンスを有した、マイクロストリップ線路やコプレーナ線路等の高周波伝送線路である。高周波伝送線路34には、出力整合回路4を構成するインピーダンス整合用のスタブが設けられている。
半導体素子3の出力電極(出力端子)は、導電性接続部材33を介して高周波伝送線路34の一端に接続される。高周波伝送線路34の他端は、出力端子11となっている。導電性接続部材33は金属ワイヤや金属リボン等から構成される。配線パターン31の一端は、高周波伝送線路34の線路上に接続されている。配線パターン31の他端は、導電性接続部材32を介してキャパシタ8の上部電極に接続される。キャパシタ8はキャパシタンスC2を有したコンデンサである。キャパシタ8の下部電極は、地導体板21に電気的に接続され、接地されている。導電性接続部材32は金属ワイヤや金属リボン等から構成される。配線パターン31と導電性接続部材32は、インダクタンスL2を有したインダクタである。
また、配線パターン35の一端は、高周波伝送線路34の線路上において、配線パターン31の接続点(バイアス回路接続点12)もしくはその周辺で高周波伝送線路34に接続されている。配線パターン35の他端は、キャパシタ6の上部電極に接続される。キャパシタ6はキャパシタンスC1を有しており、誘電体基板20の表面に上部電極が形成され、誘電体基板20の裏面または内層に下部電極が形成される。キャパシタ6の下部電極は、地導体板21に電気的に接続され、接地されている。配線パターン35は、インダクタンスL1を有したインダクタである。なお、キャパシタ8は、誘電体基板20に一体的に形成しても良い。
この実施の形態2では、インダクタンスL1、キャパシタンスC1及びインダクタンスL2とも、誘電体基板20上に形成された配線パターンによって構成される。インダクタンスL2は、配線パターン31と、キャパシタ8(キャパシタンスC2)に接続する導電性接続部材32の持つインダクタンスとを足し合わせたものである。
バイアス回路10の回路構成は、図4(a)に示す通りである。インダクタ5とキャパシタ6の直列回路は、バイアス回路接続点12と接地面の間に接続される。また、インダクタ5とキャパシタ6の直列回路は、インダクタ7と並列に接続されて並列回路を構成する。インダクタ7は、キャパシタ8を介して接地面に接続される。バイアス供給端子9は、インダクタ7とキャパシタ8の接続点に接続される。
図4(a)の等価回路は図4(b)に示す通りであり、図2に示した等価回路と実質的に同じになるので、図1および式(1)、式(2)を用いて説明したバイアス回路10と同様に動作する。すなわち、インダクタンスL1、キャパシタンスC1、及びインダクタンスL2の並列回路の共振周波数ω2を、半導体素子3の所望の信号の周波数で共振させるとともに、インダクタンスL1とキャパシタンスC1との直列回路の共振周波数ω1を、半導体素子3の不要波に共振させることで、例えば所望の信号の2倍波や3倍波などの、不要波の信号伝達を防止し、所望の信号のみを出力端子に伝送することができる。なお、キャパシタC2は、半導体素子3に入出力される所望の信号と、半導体素子3から出力される2倍波または3倍波などの高調波や雑音などの不要波に対して十分インピーダンスを低くするように静電容量が選ばれており、図4(b)の等価回路に示すように、所望の信号及び不要波等を含む高周波帯域に対しては、グランドとショートした状態と等価である。
以上説明した通り、この実施の形態2によれば、実施の形態1と同様に、インダクタンスL1とキャパシタンスC1を不要波の周波数に共振させ、また、インダクタンスL1、キャパシタンスC1、及びインダクタンスL2の並列共振回路を所望の周波数で共振させることにより、不要波を除去し所望の周波数のみを伝達できるバイアス回路が得られるという効果がある。
また、インダクタンスL1とキャパシタンスC1とインダクタンスL2を誘電体基板20上の配線パターンで構成することにより、より小型で部品点数の少ないバイアス回路を得ることが可能となる。
実施の形態3.
図5は、この発明に係る実施の形態3による誘電体基板に実装したバイアス回路の構成例を示す図である。図5のバイアス回路では、図3を用いて説明した実施の形態2のバイアス回路10において、配線パターン31上に第2の不要波を減衰させる先端開放スタブ40を設けたことを特徴としている。先端開放スタブ40は、第2の不要波の周波数ω3で共振するオープンスタブから構成され、例えば所望の信号の3倍波を抑制したい場合はバイアス回路接続点12から先端開放スタブ40の先端までの長さが、所望の周波数の概ね12分の1波長となるスタブ長を有すると良い。
図5は、この発明に係る実施の形態3による誘電体基板に実装したバイアス回路の構成例を示す図である。図5のバイアス回路では、図3を用いて説明した実施の形態2のバイアス回路10において、配線パターン31上に第2の不要波を減衰させる先端開放スタブ40を設けたことを特徴としている。先端開放スタブ40は、第2の不要波の周波数ω3で共振するオープンスタブから構成され、例えば所望の信号の3倍波を抑制したい場合はバイアス回路接続点12から先端開放スタブ40の先端までの長さが、所望の周波数の概ね12分の1波長となるスタブ長を有すると良い。
インダクタ7に短い先端開放スタブ40を取り付けても、インダクタ7のインダクタンスL2は殆ど変化しない。このため、所望の周波数の信号に影響はなく、先端開放スタブ40により高周波数側での第2の不要波の信号伝達を抑制することができる。
図6は、図5のバイアス回路の通過特性例を示す図である。図に示すように、並列回路の共振周波数ω2では、半導体素子3から出力端子11に出力される所望信号の周波数の通過特性が向上している。また、第1の不要波の周波数帯に相当する直列回路の共振周波数ω1では信号が大きく減衰している。さらに、第2の不要波の周波数ω3では、先端開放スタブ40の共振作用により信号が大きく減衰している。
以上説明した通り、この実施の形態3によれば、インダクタ7(インダクタンスL2)を構成する配線パターン31に、短いオープンスタブとなる先端開放スタブ40を取り付けてバイアス回路を構成する。かくして、先端開放スタブ40のスタブ長を第2の不要波に共振させることにより、例えば3倍波のような第2の不要波についても減衰させることができる。
なお、先端開放スタブ40の代わりに、第2の不要波の周波数ω3で共振するショートスタブを設けても良い。
1 入力端子、2 入力整合回路、3 半導体素子、4 出力整合回路、5 インダクタ(インダクタンスL1)、6 キャパシタ(キャパシタンスC1)、7 インダクタ(インダクタンスL2)、8 キャパシタ(キャパシタンスC2)、9 バイアス供給端子、10 バイアス回路、11 出力端子、12 バイアス回路接続点、20 誘電体基板、21 地導体板、31 配線パターン、35 配線パターン、34 高周波伝送線路、40 先端開放スタブ。
Claims (4)
- 半導体素子に電力を供給するバイアス回路において、
上記半導体素子の入力側または出力側の一方または両方の高周波伝送線路と接地面との間に接続され、第1のインダクタ及びキャパシタが直列に接続された直列回路と、
上記直列回路に並列に接続されて並列回路を構成する第2のインダクタと、
接地キャパシタと上記第2のインダクタとの間に接続され、外部から上記電力が供給されるバイアス端子と、
を備え、
上記並列回路は上記半導体素子の所望の周波数帯域で共振し、
上記直列回路は上記半導体素子の不要波の周波数帯域で共振する、
ことを特徴とするバイアス回路。 - 上記高周波伝送線路と、上記第1のインダクタを構成する配線パターンと、上記第2のインダクタを構成する配線パターンは、同一の基板上に形成されることを特徴とする請求項1記載のバイアス回路。
- 上記第2のインダクタを構成する配線パターンは、上記並列回路および直列回路の共振周波数とは異なる第2の不要波の周波数で共振するスタブを備えたことを特徴とする請求項2記載のバイアス回路。
- 上記第2のインダクタを構成する配線パターンは、第2の不要波の周波数を減衰する先端開放スタブまたはショートスタブを備えたことを特徴とする請求項2記載のバイアス回路。
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JP2020195009A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 株式会社村田製作所 | 信号電源分離回路およびそれを用いた信号伝送回路並びに車両 |
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