JP2011164508A - Method for manufacturing electric solid-state device, and electric solid-state device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、タッチパネル等の電気的固体装置の製造方法および電気的固体装置に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing an electrical solid state device such as a touch panel, and an electrical solid state device.
タッチパネル、液晶装置や太陽電池等は、配線層および/または電極層からなる機能層が形成された電気的固体装置用基板を備えた電気的固体装置として構成されている。かかる電気的固体装置においては、基板の強度を維持しながら基板の薄型化を図る手段として強化ガラスを用いることが考えられる。 A touch panel, a liquid crystal device, a solar cell, and the like are configured as an electric solid device including a substrate for an electric solid device on which a functional layer including a wiring layer and / or an electrode layer is formed. In such an electrical solid state device, it is conceivable to use tempered glass as means for reducing the thickness of the substrate while maintaining the strength of the substrate.
かかる電気的固体装置用基板として強化ガラスを用いるにあたって、大型強化ガラスを超硬合金からなるホイールカッター、レーザー、水ジェット流によって切断することが提案されている(特許文献1参照)。 In using tempered glass as a substrate for such an electrical solid device, it has been proposed to cut large tempered glass with a wheel cutter, laser, water jet flow made of cemented carbide (see Patent Document 1).
しかしながら、特許文献1に記載の方法で大型強化ガラス基板を切断すると、強化ガラス自身の応力によって破損するおそれがある。このため、従来は、強化処理前の大型ガラス基板を小型のガラス基板に切断した後、強化処理を行ない、小型の強化ガラス基板を得るという方法が一般的である。それ故、強化処理工程の効率が悪いという問題点がある。 However, when a large tempered glass substrate is cut by the method described in Patent Document 1, there is a risk of breakage due to the stress of the tempered glass itself. For this reason, conventionally, a method of obtaining a small tempered glass substrate by performing a tempering process after cutting the large glass substrate before the tempering process into a small glass substrate. Therefore, there is a problem that the efficiency of the strengthening process is poor.
また、大型ガラス基板を小型のガラス基板に切断した後、強化処理を行なう方法では、小型の強化ガラス毎に成膜工程やパターニング工程を行なって機能層を形成することになるため、生産性が低いという問題点がある。 Moreover, in the method of performing the tempering treatment after cutting the large glass substrate into the small glass substrate, the film forming process and the patterning process are performed for each small tempered glass, and thus the productivity is increased. There is a problem that it is low.
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、強化ガラス自身の応力によって破損することなく、大型強化ガラス基板を切断することのできる電気的固体装置の製造方法および電気的固体装置を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electrical solid state device manufacturing method and an electrical solid state device capable of cutting a large tempered glass substrate without being damaged by the stress of the tempered glass itself. There is.
上記課題を解決するために、本発明は、大型基板を切断予定領域に沿って切断して電気的固体装置用基板を得る電気的固体装置の製造方法であって、前記大型基板としての大型強化ガラス基板の一方面において前記電気的固体装置用基板として切り出される基板切り出し領域と重なる領域に第1エッチング保護層を形成し、前記大型強化ガラス基板の他方面において前記基板切り出し領域と重なる領域に第2エッチング保護層を形成する保護層形成工程と、前記第1エッチング保護層および前記第2エッチング保護層を形成した状態で前記大型強化ガラス基板をエッチングして前記大型強化ガラス基板の両面において前記第1エッチング保護層および前記第2エッチング保護層から露出している前記切断予定領域の表層の強化層を除去するエッチング工程と、前記切断予定領域に沿って前記大型強化ガラス基板を切断して前記電気的固体装置用基板を得る切断工程と、を有することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for manufacturing an electrical solid-state device that obtains a substrate for an electrical solid-state device by cutting a large-size substrate along a planned cutting region, and the large-scale reinforcement as the large-size substrate. A first etching protective layer is formed in a region that overlaps a substrate cutout region cut out as the substrate for an electrical solid device on one surface of the glass substrate, and a first region is formed in the region that overlaps the substrate cutout region on the other surface of the large tempered glass substrate. A protective layer forming step of forming an etching protective layer, and etching the large tempered glass substrate in a state in which the first etching protective layer and the second etching protective layer are formed, and the first tempered glass substrate on both sides of the large tempered glass substrate. An etching process for removing the reinforcing layer on the surface layer of the region to be cut exposed from the first etching protective layer and the second etching protective layer. And having a quenching step, and a cutting step of obtaining the electrical solid state device substrate by cutting the large tempered glass substrate along the cutting region.
本発明では、大型基板を切断予定領域に沿って切断して電気的固体装置用基板を得るにあたって、大型基板として大型強化ガラス基板を用い、かかる大型強化ガラス基板において、第1エッチング保護層および第2エッチング保護層から露出する切断予定領域の表面をエッチング除去する。このため、切断予定領域からは強化層が除去されるので、切断工程で大型強化ガラス基板を切断する際、大型強化ガラス基板が強化ガラス自身の応力によって破損するという事態を回避することができる。従って、単品サイズにまで切断したガラス基板を何枚も強化処理する必要がないので、強化処理工程の効率を向上することができる。また、電気的固体装置用基板に対して機能層を形成する必要がある場合でも、大型強化ガラス基板の状態で機能層を形成した後、大型強化ガラス基板を切断すればよいので、機能層を効率よく形成することができる。 In the present invention, a large tempered glass substrate is used as the large substrate when the large substrate is cut along the planned cutting region to obtain a substrate for an electrical solid state device. In the large tempered glass substrate, the first etching protective layer and the first (2) The surface of the region to be cut exposed from the etching protective layer is removed by etching. For this reason, since the tempered layer is removed from the planned cutting region, it is possible to avoid a situation where the large tempered glass substrate is damaged by the stress of the tempered glass itself when the large tempered glass substrate is cut in the cutting process. Therefore, since it is not necessary to reinforce many glass substrates cut to the size of a single product, the efficiency of the strengthening process can be improved. Even if it is necessary to form a functional layer on the substrate for an electrical solid state device, the functional layer can be cut after the large tempered glass substrate is formed after the functional layer is formed in the state of the large tempered glass substrate. It can be formed efficiently.
本発明において、前記保護層形成工程の前に、前記基板切り出し領域に配線層および/または電極層からなる機能層を形成する機能層形成工程を有していることが好ましい。このように構成すれば、大型強化ガラス基板の状態で機能層を形成した後でも、エッチング工程では、機能層が第1エッチング保護層あるいは第2エッチング保護層で保護されるため、エッチング工程で機能層が損傷することを防止することができる。 In this invention, it is preferable to have the functional layer formation process which forms the functional layer which consists of a wiring layer and / or an electrode layer in the said board | substrate cutting-out area | region before the said protective layer formation process. If comprised in this way, even after forming a functional layer in the state of a large tempered glass substrate, in the etching process, the functional layer is protected by the first etching protective layer or the second etching protective layer, and thus functions in the etching process. It is possible to prevent the layer from being damaged.
本発明において、前記切断工程の後、前記第1エッチング保護層および前記第2エッチング保護層を除去する前に、前記電気的固体装置用基板の外周端部に研磨を行なった後、当該外周端部にエッチングを行なうことが好ましい。このように構成すると、電気的固体装置用基板の外周端部に突部が形成された場合でも、研磨により突部を除去できるとともに、電気的固体装置用基板の外周端部にマイクロクラックが発生している場合でも、かかるマイクロクラックを切断後のエッチングにより除去することができる。 In the present invention, after the cutting step, before removing the first etching protective layer and the second etching protective layer, after polishing the outer peripheral edge of the substrate for an electric solid state device, the outer peripheral edge It is preferable to etch the part. With this configuration, even when a protrusion is formed on the outer peripheral end of the substrate for an electrical solid state device, the protrusion can be removed by polishing, and a micro crack is generated at the outer peripheral end of the substrate for an electric solid state device. Even in this case, such microcracks can be removed by etching after cutting.
本発明において、前記第1エッチング保護層および前記第2エッチング保護層のうち、一方のエッチング保護層では、他方のエッチング保護層に比して、前記切断予定領域が露出している幅寸法が狭く、前記切断工程では、前記大型強化ガラス基板の前記一方面および前記他方面のうち、前記一方のエッチング保護層が形成されている側にスクライブ溝形成用カッターを当ててスクライブ溝を形成し、その後、前記大型強化ガラス基板を前記スクライブ溝に沿って割断することが好ましい。かかる構成によれば、大型強化ガラス基板の切断位置を精度よく設定することができる。 In the present invention, of the first etching protective layer and the second etching protective layer, one etching protective layer has a narrower width dimension in which the region to be cut is exposed than the other etching protective layer. In the cutting step, a scribing groove is formed by applying a scribing groove forming cutter to the side on which the one etching protective layer is formed on the one surface and the other surface of the large tempered glass substrate, and then It is preferable to cleave the large tempered glass substrate along the scribe groove. According to this configuration, the cutting position of the large tempered glass substrate can be set with high accuracy.
本発明において、前記エッチング工程では、前記大型強化ガラス基板を前記一方面と前記他方面とにおいて同一の深さまでエッチングする構成を採用することができる。また、本発明において、前記エッチング工程では、前記大型強化ガラス基板を前記一方面と前記他方面とにおいて異なる深さまでエッチングする構成を採用してもよい。 In this invention, the said etching process WHEREIN: The structure which etches the said large tempered glass board | substrate to the same depth in the said one surface and the said other surface is employable. In the present invention, the etching step may employ a configuration in which the large tempered glass substrate is etched to different depths on the one surface and the other surface.
本発明において、前記電気的固体装置用基板の外周端部に基板側段部を残しておき、当該基板側段部と、前記電気的固体装置用基板の周りに配置される枠体に設けた枠体側段部とによって、前記電気的固体装置用基板と前記枠体とが位置合わせされていることが好ましい。このように構成すると、電気的固体装置用基板と枠体とを容易かつ確実に位置合わせするができる。また、電気的固体装置用基板と枠体との重なり部分が屈曲しているので埃等の異物が枠体の内部に侵入しにくい。また、電気的固体装置用基板と枠体との重なり部分でシールすれば、水分等の異物が枠体の内部に侵入することを防止できる。 In the present invention, the substrate side stepped portion is left at the outer peripheral end of the electric solid state device substrate, and the substrate side stepped portion is provided on the frame body arranged around the electric solid state device substrate. It is preferable that the electric solid-state device substrate and the frame body are aligned by a frame body side step portion. If comprised in this way, the board | substrate for electric solid devices and a frame can be aligned easily and reliably. Moreover, since the overlapping part of the board | substrate for electrical solid devices and a frame is bent, foreign materials, such as dust, do not easily enter the inside of a frame. Further, if sealing is performed at the overlapping portion between the substrate for the electric solid device and the frame, it is possible to prevent foreign matters such as moisture from entering the inside of the frame.
本発明において、電気的固体装置としてはタッチパネルを挙げることができる。この場合、前記電気的固体装置用基板は、前記機能層として入力位置検出用電極が形成されたタッチパネル用の基板である。 In the present invention, examples of the electric solid device include a touch panel. In this case, the substrate for an electric solid device is a substrate for a touch panel on which an input position detection electrode is formed as the functional layer.
この場合、前記電気的固体装置用基板は、前記入力位置検出用電極が入力操作面と反対側の面に形成された静電容量方式のタッチパネル用基板であることが好ましい。 In this case, it is preferable that the substrate for an electrical solid device is a capacitive touch panel substrate in which the input position detection electrode is formed on a surface opposite to the input operation surface.
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、タッチパネル、液晶装置や太陽電池等々、各種の電気的固体装置に適用することができるが、以下の説明では、タッチパネルに本発明を適用した場合を例示する。このため、以下の説明では、タッチパネルが「電気的固体装置」に相当し、タッチパネル用基板が「電気的固体装置用基板」に相当し、入力位置検出用電極や配線が「機能層」に相当する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, although this invention can be applied to various electric solid devices, such as a touch panel, a liquid crystal device, a solar cell, etc., in the following description, the case where this invention is applied to a touch panel is illustrated. For this reason, in the following description, the touch panel corresponds to an “electric solid device”, the touch panel substrate corresponds to an “electric solid device substrate”, and the input position detection electrodes and wiring correspond to “functional layers”. To do. In the drawings referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.
[実施の形態1]
図1は、本発明の実施の形態1に係るタッチパネルを備えた入力機能付き電気光学装置の全体構成を模式的に示す説明図であり、図1(a)、(b)は、入力機能付き電気光学装置の外観を模式的に示す説明図、および入力機能付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図である。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing the overall configuration of an electro-optical device with an input function including a touch panel according to Embodiment 1 of the present invention, and FIGS. FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an external appearance of the electro-optical device, and an explanatory diagram schematically showing a cross-sectional configuration of the electro-optical device with an input function.
図1において、本形態の入力機能付き電気光学装置100は、概ね、液晶装置等からなる画像生成装置5と、この画像生成装置5において表示光を出射する側の面に重ねて配置された静電容量型の入力装置1とを有している。入力装置1はタッチパネル2(電気的固体装置)を備え、画像生成装置5は電気光学パネル5a(表示パネル)としての液晶パネルを備えている。本形態において、タッチパネル2および電気光学パネル5aはいずれも矩形の平面形状を備えており、入力装置1および入力機能付き電気光学装置100を平面視したときの中央領域が入力領域2aである。また、画像生成装置5および入力機能付き電気光学装置100において入力領域2aと平面視で重なる領域が画像形成領域である。タッチパネル2の4つの外周端部20e、20f、20g、20hのうち、外周端部20eが位置する側にはフレキシブル配線基板35が接続され、電気光学パネル5aにおいて外周端部20eが位置する側にはフレキシブル配線基板73が接続されている。
In FIG. 1, an electro-
画像生成装置5は、透過型や半透過反射型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、電気光学パネル5aに対してタッチパネル2が配置されている側とは反対側(表示光の出射側とは反対側)にはバックライト装置(図示せず)が配置されている。バックライト装置は、例えば、電気光学パネル5aに対してタッチパネル2が配置されている側とは反対側に重ねて配置された透光性の導光板と、導光板の側端部に向けて白色光等を出射する発光ダイオード等の光源とを備えており、光源から出射された光は、導光板の側端部から入射した後、導光板内を伝搬しながら電気光学パネルに向けて出射される。なお、導光板と電気光学パネル5aとの間には、光散乱シートやプリズムシート等のシート状光学部材が配置されており、導光板に対して電気光学パネル5aが位置する側とは反対側には反射シートが配置されている。
The
画像生成装置5において、電気光学パネル5aに対して表示光の出射側には第1偏光板81が重ねて配置され、その反対側に第2偏光板82が重ねて配置されている。電気光学パネル5aは、表示光の出射側とは反対側に配置された透光性の素子基板50と、この素子基板50に対して表示光の出射側で対向配置された透光性の対向基板60とを備えている。対向基板60と素子基板50とは、矩形枠状のシール材71により貼り合わされており、対向基板60と素子基板50との間においてシール材71で囲まれた領域内に液晶層55が保持されている。素子基板50において、対向基板60と対向する面には複数の画素電極58がITO(Indium Tin Oxide)膜やIZO(Indium Zinc Oxide)膜等の透光性導電膜により形成され、対向基板60において、素子基板50と対向する面には共通電極68がITO膜等の透光性導電膜により形成されている。また、対向基板60にはカラーフィルター(図示せず)が形成されている。なお、画像生成装置5がIPS(In Plane Switching)方式や、FFS(Fringe Field Switching)方式である場合、共通電極68は素子基板50の側に設けられる。また、素子基板50が対向基板60に対して表示光の出射側に配置されることもある。素子基板50において、対向基板60の縁から張り出した張出領域59には駆動用IC75がCOG実装されているとともに、張出領域59にはフレキシブル配線基板73が接続されている。なお、素子基板50には、素子基板50上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。
In the
(入力装置1の詳細構成)
入力装置1において、タッチパネル2は、透光性のタッチパネル用基板20を有しており、以下、タッチパネル用基板20において、入力操作面側に位置する側を第1面20aとし、その反対側を第2面20bとして説明する。
(Detailed configuration of the input device 1)
In the input device 1, the touch panel 2 includes a translucent
本形態の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第1面20a側には透光性のカバー等が設けられておらず、タッチパネル用基板20の第1面20a自身が入力操作面になっている。このため、透光性のカバー等が設けられていない分、タッチパネル2の薄型化が図られている。また、タッチパネル用基板20は強化ガラス基板であり、透光性のカバー等を設けなくても、十分な強度を備えている。また、タッチパネル用基板20が強化ガラス基板であるため、タッチパネル用基板20の厚さを薄くすることができる分、タッチパネル2の薄型化が図られている。タッチパネル用基板20の第1面20a側には、入力領域2aの外側に相当する周辺領域2bに遮光層90(図1(a)では図示せず)が設けられており、かかる遮光層90は印刷層や遮光シートからなる。
In the input device 1 of this embodiment, a light-transmitting cover or the like is not provided on the
本形態の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第2面20b側には、タッチパネル用基板20からみて下層側から上層側に向かって第1透光性導電膜4a、層間絶縁膜214、および第2透光性導電膜4bが形成されており、第1透光性導電膜4aおよび第2透光性導電膜4bのうち、第1透光性導電膜4aによって入力位置検出用電極21が形成されている。また、タッチパネル用基板20の外周端部20eでは、第1面20aにフレキシブル配線基板35が接続されている。
In the input device 1 of the present embodiment, on the
タッチパネル2と電気光学パネル5aとの間には、透光性フィルム上にITO膜等の透光性導電膜が形成されたシールド用の導電フィルム99が配置されており、かかる導電フィルム99は、タッチパネル用基板20の第2面20b側に粘着剤層99eによって接着されている。タッチパネル2において導電フィルム99の側は、接着剤層(図示せず)によって画像生成装置5と一体化されている。導電フィルム99は、画像生成装置5側での電位変化がノイズとして入力位置検出用電極21に影響を及ぼすことを防止する機能を担っており、画像生成装置5と入力位置検出用電極21との間に十分な距離が確保できる場合、導電フィルム99は省略されることもある。
Between the touch panel 2 and the electro-
(入力装置1の電極等の概略構成)
図2は、本発明の実施の形態1に係る静電容量型の入力装置1に用いたタッチパネル用基板20の概略構成を示す説明図であり、図2(a)、(b)は平面構成を示す説明図および断面構成を示す説明図である。なお、図2(a)において、入力領域2aについては、その角部分の位置を英文字の「L」状のマークで示してある。また、図2(b)は、タッチパネル用基板20のC−C′断面図に相当する。なお、図2(a)は、タッチパネル用基板20の第2面20b側を示すため、図1等と左右逆になって表されている。
(Schematic configuration of electrodes of input device 1)
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the
図2(a)に示すように、本形態の静電容量型の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第2面20bには、入力領域2aでX方向(第1方向)に延在する入力位置検出用の複数の第1電極211と、入力領域2aでX方向に交差するY方向(第2方向)に延在する入力位置検出用の複数の第2電極212とが形成されており、これらの第1電極211および第2電極212によって入力位置検出用電極21(電極層/機能層)が形成されている。また、タッチパネル用基板20の第2面20bにおいて、入力領域2aの外側に相当する周辺領域2bには、第1電極211の一方側端部から延在する信号配線27(配線層/機能層)、および第2電極212の一方側端部から延在する信号配線27が形成されており、これらの信号配線27において外周端部20eに位置する部分は実装端子24になっている。なお、信号配線27や実装端子24等に対しては、図1(b)を参照して説明した遮光層90が重なっており、入力操作面側からは信号配線27や実装端子24が見えないようになっている。
As shown in FIG. 2A, in the capacitance-type input device 1 of this embodiment, the
図2(b)に示すように、本形態の静電容量型の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第2面20bの側には、タッチパネル用基板20からみて下層側から上層側に向けて第1透光性導電膜4a、層間絶縁膜214、および第2透光性導電膜4bが順に形成されている。また、タッチパネル用基板20の第2面20bの側には、第1透光性導電膜4aのうち、信号配線27を構成する部分(下層側配線層271)には、第1透光性導電膜4aの上面に金属層4cからなる上層側配線層272が形成されている。
As shown in FIG. 2B, in the capacitance-type input device 1 of the present embodiment, the
本形態において、第1透光性導電膜4aは多結晶のITO膜からなり、第1透光性導電膜4aの上層側には、感光性樹脂膜やシリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜214が形成されている。本形態において、第2透光性導電膜4bも、第1透光性導電膜4aと同様、多結晶のITO膜からなる。金属層4cは、銀−パラジウム−銅の合金等からなる。なお、タッチパネル用基板20の第2面20bには、その全面にシリコン酸化膜等からなる透光性の下地保護膜が形成されている場合があり、この場合、下地保護膜上に第1透光性導電膜4a、層間絶縁膜214、および第2透光性導電膜4bが順に積層されることになる。
In this embodiment, the first light-transmitting
本形態の静電容量型の入力装置1において、第1透光性導電膜4aは、まず、入力領域2aに複数の菱形領域として形成され、かかる菱形領域は、入力位置検出用電極21(第1電極211および第2電極212)のパッド部211a、212a(大面積部分)を構成する。これらのパッド部211a、212aは、X方向およびY方向において交互に配列されている。複数のパッド部211aにおいてX方向(第1方向)で隣り合うパッド部211a同士は連結部分211cを介して繋がっており、パッド部211aおよび連結部分211cは、X方向で延在する第1電極211を構成している。これに対して、複数のパッド部212aは、Y方向(第2方向)で延在する第2電極212を構成するが、Y方向で隣り合うパッド部212aの間、すなわち、連結部分211cと重なる部分は途切れ部分218aになっている。また、第1透光性導電膜4aは、周辺領域2bにおいて、信号配線27の下層側を構成する下層側配線層271として形成されている。
In the capacitance-type input device 1 of the present embodiment, the first light-transmissive
層間絶縁膜214は入力領域2aから周辺領域2bにわたって広い領域に形成されている。層間絶縁膜214には、コンタクトホール214aが形成されており、かかるコンタクトホール214aは、パッド部212aにおいて途切れ部分218aを介して対峙する端部と重なる位置に形成されている。層間絶縁膜214の上層側において、第2透光性導電膜4bは、コンタクトホール214aと重なる領域に中継電極215として形成されている。金属層4cは、周辺領域2bにおいて、信号配線27の上層側を構成する上層側配線層272として形成されている。さらに、第2透光性導電膜4bの上層側には、タッチパネル用基板20の略全面に感光性樹脂等からなるトップコート層219が形成されている。
The
このように構成した静電容量型の入力装置1において、第1電極211および第2電極212は、同一の導電膜(第1透光性導電膜4a)によって形成され、かつ、互いに交差する方向に延在しているため、タッチパネル用基板20上には、第1電極211と第2電極212とが交差する交差部218が存在する。ここで、第1電極211および第2電極212のうち、第1電極211は、交差部218でも第2透光性導電膜4bからなる連結部分211cによってX方向で繋がって延在している。これに対して、第2電極212には交差部218に途切れ部分218aが構成されている。但し、交差部218では、層間絶縁膜214の上層に中継電極215が形成されており、かかる中継電極215は、層間絶縁膜214のコンタクトホール214aを介して、途切れ部分218aを介して隣り合うパッド212a同士を電気的に接続している。このため、第2電極212はY方向で電気的に接続した状態でY方向に延在している。なお、中継電極215は、層間絶縁膜214を介して連結部分211cに重なっているため、短絡するおそれはない。
In the capacitance-type input device 1 configured as described above, the first electrode 211 and the second electrode 212 are formed of the same conductive film (first translucent
(入力位置検出方法)
このように構成した入力装置1において、入力位置検出用電極21に矩形パルス状の位置検出信号を出力すると、入力位置検出用電極21に容量が寄生していない場合、入力位置検出用電極21に印加した位置検出信号と同一波形の信号が検出される。これに対して、入力位置検出用電極21に容量が寄生していると、容量に起因する波形の歪みが発生するので、入力位置検出用電極21に容量が寄生しているか否かを検出することができる。従って、複数の入力位置検出用電極21のうちのいずれかに指が接近すると、指が接近した入力位置検出用電極21では、指との間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。
(Input position detection method)
In the input device 1 configured as described above, when a position detection signal in the form of a rectangular pulse is output to the input
(タッチパネル2の製造方法)
図3は、本発明の実施の形態1に係るタッチパネル2の製造方法において、大型強化ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板20を切り出す様子を示す説明図であり、図3(a)、(b)、(c)は、大型ガラス基板においてタッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域の説明図、大型ガラス基板の一方面に対する第1エッチング保護層の形成領域を示す説明図、および大型ガラス基板の他方面に対する第2エッチング保護層の形成領域を示す説明図である。図4は、本発明の実施の形態1に係るタッチパネル2の製造工程のうち、タッチパネル用基板20の製造工程を示す工程断面図である。
(Method for manufacturing touch panel 2)
FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which a single-size
本形態では、タッチパネル用基板20を製造するにあたって、図3(a)および図4(a)に示すように、タッチパネル用基板20を多数取りできる大型強化ガラス基板200を準備する。かかる大型強化ガラス基板20は、強化処理として、大型強化ガラス基板200を温度が400℃程度のカリウム塩溶融浴に浸漬して化学強化処理を行うによって得ることができる。かかる化学強化処理によれば、大型ガラス基板のナトリウムイオンがカリウムイオンにイオン交換される。ここで、ナトリウムイオンのイオン半径は95nmであるのに対して、カリウムイオンのイオン半径は133nmであり、カリウムイオンの方がナトリウムイオンよりもイオン半径が大きい。このため、大型ガラス基板は、ガラス基板の両面の表層において数十μmの厚さをもって形成された化学強化層に起因する圧縮応力によって強度が強化された大型強化ガラス基板200となる。かかる大型強化ガラス基板200において、タッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sは切断予定領域200tで囲まれた領域として表され、切断予定領域200tの幅寸法は200μm以下である。
In this embodiment, when manufacturing the
かかる大型強化ガラス基板200を用いてタッチパネル用基板20を製造するにあたって、本形態では、まず、図4(b)に示す機能層形成工程を行なう。機能層形成工程では、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板200の一方面200b側に、図2(a)、(b)等を参照して説明した入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層29を形成する。また、大型強化ガラス基板200の段階で、入力位置検出用電極21や信号配線27を覆うトップコート層219も形成しておく。
In manufacturing the
次に、図4(c)に示す保護層形成工程において、フォトリソグラフィ技術を用いて、大型強化ガラス基板200の一方面200bにおいてタッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sと重なる領域にレジストマスクからなる第1エッチング保護層281を形成する。また、フォトリソグラフィ技術を用いて、大型強化ガラス基板200の他方面200aにおいて基板切り出し領域200sと重なる領域にレジストマスクからなる第2エッチング保護層282を第1エッチング保護層281と同一面積をもって形成する。その結果、大型強化ガラス基板200の一方面200bに形成した機能層29は、第1エッチング保護層281で覆われる。ここで、第1エッチング保護層281は、図3(b)および図4(c)に示すように、大型強化ガラス基板200の一方面200bにおいて切断予定領域200tと重ならないように形成されるため、切断予定領域200tは、第1エッチング保護層281から露出した状態にある。また、第2エッチング保護層282は、図3(c)および図4(c)に示すように、大型強化ガラス基板200の他方面200aにおいて切断予定領域200tと重ならないように形成されるため、切断予定領域200tは、第2エッチング保護層282から露出した状態にある。なお、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282としては、レジストマスクに代えて、剥離可能な保護シートを用いてもよい。
Next, in the protective layer forming step shown in FIG. 4C, a resist mask is formed in a region overlapping with the
次に、図4(d)に示すエッチング工程では、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282を形成した状態で大型強化ガラス基板200を化学強化層の厚さよりも深い位置までエッチングして大型強化ガラス基板200の両面(一方面200b、および他方面200a)において第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出している切断予定領域200tの表層をエッチング除去する。その結果、大型強化ガラス基板200の両面において第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出していた部分に、化学強化層の厚さより深い凹部200i、200jが形成される。このため、大型強化ガラス基板200の両面において第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出していた表層の強化層(化学強化層)が除去される。かかるエッチングには、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずれを実施してもよいが、本形態では、フッ素系エッチング液を用いたウエットエッチングが実施される。
Next, in the etching step shown in FIG. 4D, the large tempered
次に、図4(e)、(f)に示す切断工程では、大型強化ガラス基板200を単品サイズのタッチパネル用基板20に切断する。かかる切断には、ブレーク法、レーザーカット法、水ジェット流法を採用することができる。本形態では、ブレーク法を実施する。より具体的には、図4(e)に示すように、大型強化ガラス基板200の両面の一方側、例えば、一方面200bの側から凹部200iの底部に、ホイールカッター等のスクライブ溝形成用カッター250を当ててスクライブ溝250aを形成し、その後、大型強化ガラス基板200の他方面200aの側からブレークバーを当てて応力を加える。その結果、大型強化ガラス基板200は、図4(f)に示す単品サイズのタッチパネル用基板20に割断される。ここで、タッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hには、ブレーク痕が突部20uとして残る。そこで、本形態では、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282を除去する前にタッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hに研磨を行ない、図4(g)に示すように、タッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hから突部20uを除去した後、外周端部20e、20f、20g、20hにエッチングを行なう。研磨の際、研磨範囲は、化学強化層を研磨しない範囲に制限する。また、エッチングには、図4(d)を参照して説明したエッチング工程と同様、フッ素系エッチング液を用いたウエットエッチングを実施する。その結果、タッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hに発生していたマイクロクラックが除去される。従って、タッチパネル用基板20の強度を高めることができる。
Next, in the cutting process shown in FIGS. 4E and 4F, the large tempered
しかる後には、図4(h)に示すように、タッチパネル用基板20から第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282を除去する。その結果、図1(b)および図2を参照して説明した機能層29を備えたタッチパネル用基板20が完成する。かかるタッチパネル用基板20の第2面20bには、大型強化ガラス基板200の一方面200bに形成された機能層29が入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層29を形成されている。
After that, as shown in FIG. 4H, the first etching
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、大型ガラス基板からタッチパネル用基板20を得るにあたって、大型基板として大型強化ガラス基板200を用い、かかる大型強化ガラス基板200において、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出する切断予定領域200tの表面をエッチング除去する。このため、切断予定領域200tからは化学強化層が除去されるので、切断工程で大型強化ガラス基板200を切断する際、大型強化ガラス基板200が強化ガラス自身の応力によって破損するという事態を回避することができる。従って、単品サイズにまで切断したガラス基板を何枚も強化処理する必要がないので、強化処理工程の効率を向上することができる。
(Main effects of this form)
As described above, in this embodiment, when the
また、タッチパネル用基板20に対して入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層29を形成する必要がある場合でも、大型強化ガラス基板200の状態で機能層29を形成した後、大型強化ガラス基板200を切断すればよいので、機能層29を効率よく形成することができる。また、大型強化ガラス基板200の状態で機能層29を形成した後でも、エッチング工程では、機能層29が第1エッチング保護層281で保護されるため、エッチング工程で機能層29が損傷することを防止することができる。また、切断工程を行なう際、入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層29は、第1エッチング保護層281で保護されるため、切断工程において機能層29が損傷することを防止することができる。
Further, even when it is necessary to form the
また、本形態では、タッチパネル用基板20に強化ガラス基板を用いているため、タッチパネル用基板20の厚さが薄くてよい。さらに、タッチパネル用基板20に強化ガラス基板を用い、かつ、タッチパネル用基板20の第2面20bに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成している。このため、タッチパネル用基板20の第1面20aを入力操作面として利用でき、タッチパネル用基板20の入力操作面側にカバーを別途、設ける必要がない。従って、タッチパネル2の薄型化を図ることができる。
In this embodiment, since the tempered glass substrate is used for the
[実施の形態2]
図5は、本発明の実施の形態2に係るタッチパネル2の製造工程のうち、タッチパネル用基板20の製造工程を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 5 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the
本形態でも、実施の形態1と同様、タッチパネル用基板20を製造するにあたって、図3(a)および図5(a)に示す大型強化ガラス基板200を準備する。かかる大型強化ガラス基板20の両面の表層には化学強化層が形成されている。かかる大型強化ガラス基板200において、タッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sは切断予定領域200tで囲まれた領域として表され、切断予定領域200tの幅寸法は200μm以下である。
Also in this embodiment, when manufacturing the
かかる大型強化ガラス基板200を用いてタッチパネル用基板20を製造するにあたって、本形態でも、実施の形態1と同様、図5(b)に示す機能層形成工程を行なう。機能層形成工程では、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板200の一方面200b側に、図2(a)、(b)等を参照して説明した入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層29を形成する。また、大型強化ガラス基板200の段階で、入力位置検出用電極21や信号配線27を覆うトップコート層219も形成しておく。
In manufacturing the
次に、図5(c)に示す保護層形成工程において、フォトリソグラフィ技術を用いて、大型強化ガラス基板200の一方面200bにおいてタッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sと重なる領域にレジストマスクからなる第1エッチング保護層281を形成する、また、フォトリソグラフィ技術を用いて、大型強化ガラス基板200の他方面200aにおいて基板切り出し領域200sと重なる領域にレジストマスクからなる第2エッチング保護層282を形成する。ここで、第1エッチング保護層281は、大型強化ガラス基板200の一方面200bにおいて切断予定領域200tと重ならないように形成されるため、切断予定領域200tは、第1エッチング保護層281から露出した状態にある。また、第2エッチング保護層282も、第1エッチング保護層281と同様、大型強化ガラス基板200の一方面200bにおいて切断予定領域200tと重ならないように形成されるため、切断予定領域200tは、第2エッチング保護層282から露出した状態にある。
Next, in the protective layer forming step shown in FIG. 5C, a resist mask is formed in a region overlapping with the
かかる第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282において、本形態では、第1エッチング保護層281の形成領域が第2エッチング保護層282の形成領域よりも広い。すなわち、第1エッチング保護層281は、第2エッチング保護層282の形成領域よりも外側まで形成されている。このため、第1エッチング保護層281によって規定される切断領域200tの幅寸法は、第2エッチング保護層282によって規定される切断領域200tの幅寸法よりも狭くなっている。なお、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282としては、レジストマスクに代えて、剥離可能な保護シートを用いてもよい。
In the first etching
次に、図5(d)に示すエッチング工程では、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282を形成した状態で大型強化ガラス基板200を化学強化層の厚さよりも深い位置までエッチングして大型強化ガラス基板200の両面(一方面200b、および他方面200a)において第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出している切断予定領域200tの表層をエッチング除去する。その結果、大型強化ガラス基板200の両面(一方面200bおよび他方面200a)において第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出していた部分に、化学強化層の厚さより深い凹部200i、200jが形成される。このため、大型強化ガラス基板200の両面において第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出していた表層の強化層(化学強化層)が除去される。かかるエッチングには、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずれを実施してもよいが、本形態では、フッ素系エッチング液を用いたウエットエッチングが実施される。
Next, in the etching step shown in FIG. 5D, the large tempered
ここで、第1エッチング保護層281によって規定される切断領域200tの幅寸法は、第2エッチング保護層282によって規定される切断領域200tの幅寸法よりも狭くなっている。このため、凹部200iの幅寸法は、凹部200jの幅寸法より狭い。このような場合、凹部200iの深さ寸法が凹部200jの深さ寸法よりも浅くなることがあるが、この場合でも、凹部200iの深さ寸法は、化学強化層の厚さよりも深い。
Here, the width dimension of the cutting
次に、図5(e)、(f)に示す切断工程では、大型強化ガラス基板200を単品サイズのタッチパネル用基板20に切断する。かかる切断には、ブレーク法、レーザーカット法、水ジェット流法を採用することができる。本形態では、ブレーク法を実施する。より具体的には、図5(e)に示すように、大型強化ガラス基板200の両面に形成した凹部20i、20jのうち、幅寸法が狭い凹部200iの底部に、ホイールカッター等のスクライブ溝形成用カッター250を当ててスクライブ溝250aを形成し、その後、大型強化ガラス基板200の他方面200aの側からブレークバーを当てて応力を加える。その結果、大型強化ガラス基板200は、図5(f)に示す単品サイズのタッチパネル用基板20に割断される。ここで、タッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hには、ブレーク痕が突部20uとして残る。そこで、本形態では、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282を除去する前にタッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hに研磨を行ない、図5(g)に示すように、タッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hから突部20uを除去した後、外周端部20e、20f、20g、20hにエッチングを行なう。また、エッチングには、図5(d)を参照して説明したエッチング工程と同様、フッ素系エッチング液を用いたウエットエッチングを実施する。その結果、タッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hに発生していたマイクロクラックが除去される。ここで、研磨の際、研磨範囲は、化学強化層を研磨しない範囲に制限するため、タッチパネル用基板20の外周端部20e、20f、20g、20hには突部20uが小さく残ることになる。
Next, in the cutting process shown in FIGS. 5E and 5F, the large tempered
しかる後には、図5(h)に示すように、タッチパネル用基板20から第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282を除去する。その結果、図1(b)および図2を参照して説明した機能層29を備えたタッチパネル用基板20が完成する。かかるタッチパネル用基板20の第2面20bには、大型強化ガラス基板200の一方面200bに形成された機能層29が入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層29を形成されている。
After that, as shown in FIG. 5H, the first etching
以上説明したように、本形態でも、実施の形態1と同様、大型ガラス基板からタッチパネル用基板20を得るにあたって、大型基板として大型強化ガラス基板200を用い、かかる大型強化ガラス基板200において、第1エッチング保護層281および第2エッチング保護層282から露出する切断予定領域200tの表面をエッチング除去する。このため、切断予定領域200tからは強化層が除去されるので、切断工程で大型強化ガラス基板200を切断する際、大型強化ガラス基板200が強化ガラス自身の応力によって破損するという事態を回避することができる等、実施の形態1と同様な効果を奏する。
As described above, in the present embodiment as well, in the same manner as in the first embodiment, in obtaining the
また、本形態において、第1エッチング保護層281では、第2エッチング保護層282に比して、切断予定領域200tが露出している幅寸法が狭く、切断工程では、大型強化ガラス基板200の一方面200bおよび他方面200aのうち、切断予定領域200tが露出している幅寸法が狭い一方面200bからスクライブ溝形成用カッター250を当ててスクライブ溝250aを形成する。このため、大型強化ガラス基板200の切断位置を精度よく設定することができる。
Further, in this embodiment, the first etching
[実施の形態3]
図6は、本発明の実施の形態3に係るタッチパネル2の説明図であり、図6(a)、(b)は、タッチパネル用基板20と枠体との位置関係を示す平面図およびその断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 3]
6A and 6B are explanatory diagrams of the touch panel 2 according to Embodiment 3 of the present invention. FIGS. 6A and 6B are a plan view showing a positional relationship between the
図6(a)、(b)に示すように、本形態の入力機能付き電気光学装置100および入力装置1(タッチパネル2)は、タッチパネル用基板20の周りに矩形の枠体300を備えており、かかる枠体300は、タッチパネル用基板20の外周端部20e〜20hと対向する枠部310を備えている。ここで、枠部310は、タッチパネル用基板20において、入力操作側とは反対側に向く枠体側段部310wを備えている。
As shown in FIGS. 6A and 6B, the electro-
これに対して、タッチパネル用基板20は、実施の形態1、2で説明した方法で製造され、タッチパネル用基板20の外周端部20e〜20hには、図4(f)および図5(f)、(g)、(h)に示す突部20uが残っている。このため、タッチパネル用基板20の外周端部20e〜20hには、枠体側段部310wとは反対に入力操作側に向く基板側段部20wが形成されている。
On the other hand, the
従って、タッチパネル用基板20と枠体300とを入力操作側から重ねると、基板側段部20wおよび枠体側段部310wによって、タッチパネル用基板20と枠体300とを容易かつ確実に位置合わせすることができる。また、タッチパネル用基板20と枠体300との重なり部分が屈曲しているので埃等の異物が枠体300の内部に侵入しにくい。また、タッチパネル用基板20と枠体300との重なり部分に接着剤やゴム製シール材等を配置してシールすれば、水分等の異物が枠体300の内部に侵入するのを防止することができる。
Accordingly, when the
[他の実施の形態]
上記実施の形態では、画像生成装置5として液晶装置を用いたが、画像生成装置5としては有機エレクトロルミネッセンス装置を用いてもよい。
[Other embodiments]
In the above embodiment, a liquid crystal device is used as the
上記実施の形態では、大型強化ガラス200からタッチパネル用基板20を製造するのに本発明を適用する例を説明したが、タッチパネル用基板20とは別体のカバーを製造するのに本発明を適用してもよい。この場合、大型強化ガラス200から製造されたカバーには、配線や電極等の機能層が形成されずに、タッチパネル用基板20に対して入力操作側に配置される。かかるカバーを製造するには、図4および図5を参照して説明した方法において、機能層形成工程を省略すればよい。また、上記実施の形態では、基板の片方の面のみに機能層が形成されている例を説明したが、基板の両面に機能層が形成されている場合に本発明を適用してもよい。
In the above embodiment, the example in which the present invention is applied to manufacture the
上記実施の形態では、電気的固体装置として静電容量方式のタッチパネルを説明したが、電極構造が相違する他の静電容量方式のタッチパネル、静電容量方式以外のタッチパネル、液晶装置、太陽電池等の電気的固体装置に用いる基板(電気的固体装置用基板)を製造するのに本発明を適用してもよい。 In the above embodiment, the capacitive touch panel has been described as the electrical solid state device. However, other capacitive touch panels having different electrode structures, touch panels other than the capacitive touch panel, liquid crystal devices, solar cells, etc. The present invention may be applied to manufacture a substrate (substrate for an electrical solid state device) used in the electrical solid state device.
[電子機器への搭載例]
上述した実施形態に係る入力機能付き電気光学装置100を適用した電子機器について説明する。図7は、本発明を適用した入力機能付き電気光学装置100を備えた電子機器の説明図である。図7(a)に、入力機能付き電気光学装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター2000は、表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。図7(b)に、入力機能付き電気光学装置100を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001、スクロールボタン3002、および表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、入力機能付き電気光学装置100に表示される画面がスクロールされる。図7(c)に、入力機能付き電気光学装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001、電源スイッチ4002、および表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力機能付き電気光学装置100に表示される。
[Example of mounting on electronic devices]
An electronic apparatus to which the electro-
なお、入力機能付き電気光学装置100が適用される電子機器としては、図7に示すものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、銀行端末等の電子機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力機能付き電気光学装置100が適用可能である。
As an electronic apparatus to which the electro-
1・・静電容量型の入力装置、2・・タッチパネル(電気的固体装置)、2a・・入力領域、2b・・周辺領域、20・・タッチパネル用基板(電気的固体装置用基板)、21・・入力位置検出用電極(機能層)、27・・信号配線(機能層)、100・・入力機能付き電気光学装置、200・・大型強化ガラス基板、200s・・基板切り出し領域、200t・・切断予定領域、281・・第1エッチング保護層、282・・第2エッチング保護層 1..Capacitance type input device, 2..Touch panel (electrical solid state device), 2a..Input region, 2b..Peripheral region, 20..Touch panel substrate (electric solid state device substrate), 21. ..Electrode for detecting input position (functional layer), 27..Signal wiring (functional layer), 100..Electro-optical device with input function, 200..Large tempered glass substrate, 200 s. Planned cutting region, 281... First etching protective layer, 282 .. Second etching protective layer
Claims (9)
前記大型基板としての大型強化ガラス基板の一方面において前記電気的固体装置用基板として切り出される基板切り出し領域と重なる領域に第1エッチング保護層を形成し、前記大型強化ガラス基板の他方面において前記基板切り出し領域と重なる領域に第2エッチング保護層を形成する保護層形成工程と、
前記第1エッチング保護層および前記第2エッチング保護層を形成した状態で前記大型強化ガラス基板をエッチングして前記大型強化ガラス基板の両面において前記第1エッチング保護層および前記第2エッチング保護層から露出している前記切断予定領域の表層の強化層を除去するエッチング工程と、
前記切断予定領域に沿って前記大型強化ガラス基板を切断して前記電気的固体装置用基板を得る切断工程と、
を有することを特徴とする電気的固体装置の製造方法。 A method for manufacturing an electrical solid state device for obtaining a substrate for an electrical solid state device by cutting a large substrate along a planned cutting region,
A first etching protective layer is formed in a region overlapping with a substrate cut-out region cut out as the substrate for an electrical solid device on one surface of the large tempered glass substrate as the large substrate, and the substrate is formed on the other surface of the large tempered glass substrate. A protective layer forming step of forming a second etching protective layer in a region overlapping with the cutout region;
The large tempered glass substrate is etched with the first etching protective layer and the second etching protective layer formed, and exposed from the first etching protective layer and the second etching protective layer on both sides of the large tempered glass substrate. An etching step of removing the reinforcing layer of the surface layer of the planned cutting region,
A cutting step of cutting the large tempered glass substrate along the planned cutting region to obtain the electric solid state device substrate;
A method for manufacturing an electrical solid state device.
前記電気的固体装置用基板の外周端部に研磨を行なった後、当該外周端部にエッチングを行なうことを特徴とする請求項1または2に記載の電気的固体装置の製造方法。 After the cutting step, before removing the first etching protective layer and the second etching protective layer,
3. The method for manufacturing an electrical solid state device according to claim 1, wherein after polishing the outer peripheral end portion of the substrate for the electric solid state device, etching is performed on the outer peripheral end portion.
前記切断工程では、前記大型強化ガラス基板の前記一方面および前記他方面のうち、前記一方のエッチング保護層が形成されている側にスクライブ溝形成用カッターを当ててスクライブ溝を形成し、その後、前記大型強化ガラス基板を前記スクライブ溝に沿って割断することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。 Of the first etching protective layer and the second etching protective layer, one of the etching protective layers has a narrower width dimension at which the region to be cut is exposed than the other etching protective layer,
In the cutting step, a scribing groove is formed by applying a scribing groove forming cutter to the side on which the one etching protective layer is formed among the one surface and the other surface of the large tempered glass substrate, The method for manufacturing an electrical solid state device according to any one of claims 1 to 3, wherein the large tempered glass substrate is cleaved along the scribe groove.
当該基板側段部と、前記電気的固体装置用基板の周りに配置される枠体に設けた枠体側段部とによって、前記電気的固体装置用基板と前記枠体とが位置合わせされていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。 Leaving the substrate side step at the outer peripheral edge of the substrate for the electrical solid device,
The electric solid device substrate and the frame body are aligned by the substrate side step portion and a frame side step portion provided on a frame body arranged around the electric solid device substrate. The method for manufacturing an electrical solid state device according to any one of claims 1 to 5.
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