JP2011163839A - Method and device for inspecting substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、凹凸パターンを有する基板の検査方法及び基板の検査装置に関する。 The present invention relates to a method for inspecting a substrate having a concavo-convex pattern and a substrate inspection apparatus.
例えば、半導体デバイス、記録メディアなどに対する微細パターン形成技術の1つとしてインプリント技術や近接場露光技術などが提案されている。インプリント技術は、凹凸パターンが刻まれた基板(テンプレート)を、パターニング対象物上に塗布された例えば光硬化性樹脂などのインプリント材に押し当てた状態で光を当ててインプリント材を硬化させ、インプリント材にパターンを転写する技術である。 For example, an imprint technique and a near-field exposure technique have been proposed as one of fine pattern formation techniques for semiconductor devices, recording media, and the like. In the imprint technology, a substrate (template) with a concavo-convex pattern engraved on it is applied to the imprint material such as a photo-curing resin applied on the object to be patterned, and light is applied to cure the imprint material. And transferring the pattern onto the imprint material.
インプリント技術においては、インプリント材へのパターン転写後、テンプレートをインプリント材から離型するが、そのときインプリント材の一部がテンプレートに付着して残ってしまうことが起こり得る。 In the imprint technique, after transferring the pattern to the imprint material, the template is released from the imprint material. At this time, a part of the imprint material may remain attached to the template.
例えば石英製のテンプレートと、インプリント材である光硬化性樹脂との屈折率差は非常に小さいため、微小な凹部に付着した極少量の樹脂を、光学顕微鏡などの光学的手法でで検出することは困難である。 For example, the difference in refractive index between a quartz template and a photo-curable resin that is an imprint material is very small, so a very small amount of resin adhering to a minute recess is detected by an optical technique such as an optical microscope. It is difficult.
なお、例えば特許文献1には、表面プラズモン共鳴分光法を利用した汚染検出システムが開示されているが、これは金属層上に付着する汚染物質の検出が開示されているに過ぎない。
For example,
本発明は、基板と屈折率が同等もしくは近い異物を高感度に検出できる基板の検査方法及び基板の検査装置を提供する。 The present invention provides a substrate inspection method and a substrate inspection apparatus that can detect a foreign substance having a refractive index equal to or close to that of the substrate with high sensitivity.
本発明の一態様によれば、プリズムの表面に形成された金属膜に対して基板に形成された凹凸パターンを近接させた状態で、前記プリズムの表面と前記金属膜との界面側から前記金属膜に光を照射して前記光の反射特性を取得する工程を複数の前記基板について行い、複数の前記基板間で前記反射特性を比較することを特徴とする基板の検査方法が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、金属膜が形成された表面を有するプリズムと、前記金属膜に対して基板に形成された凹凸パターンを近接させた状態で、前記プリズムと前記基板とを前記金属膜の面方向に相対移動可能に前記プリズムと前記基板とを保持する保持装置と、前記プリズムの前記表面と前記金属膜との界面側から前記金属膜に対して光を照射する光源と、前記金属膜に照射された前記光の反射特性を取得する測定装置と、を備えたことを特徴とする基板の検査装置が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、金属膜が形成された表面を有するプリズムと、前記プリズムの前記表面に形成された金属膜と、前記金属膜に対して基板に形成された凹凸パターンを近接させた状態で、前記プリズムと前記基板とを保持する保持装置と、前記プリズムの前記表面と前記金属膜との界面側から前記金属膜に対して光を照射する光源と、前記金属膜に照射された前記光の反射特性を取得する測定装置と、を備え、前記プリズムは、前記プリズムに入射した前記光を、前記金属膜における異なる箇所で複数回反射させつつ前記金属膜の面方向に導波可能であることを特徴とする基板の検査装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, the metal film is formed from the interface side between the surface of the prism and the metal film in a state in which the uneven pattern formed on the substrate is brought close to the metal film formed on the surface of the prism. A method for inspecting a substrate is provided, wherein the step of irradiating light on a film to acquire the reflection characteristic of the light is performed on the plurality of substrates, and the reflection characteristics are compared among the plurality of substrates.
According to another aspect of the present invention, the prism and the substrate in a state where the prism having the surface on which the metal film is formed and the concavo-convex pattern formed on the substrate are close to the metal film. And irradiating the metal film with light from the interface between the surface of the prism and the metal film, and a holding device that holds the prism and the substrate so as to be relatively movable in the surface direction of the metal film. There is provided a substrate inspection apparatus comprising: a light source; and a measurement device that acquires a reflection characteristic of the light irradiated on the metal film.
According to yet another aspect of the present invention, a prism having a surface on which a metal film is formed, a metal film formed on the surface of the prism, and a substrate formed on the metal film. A holding device that holds the prism and the substrate in a state in which a concavo-convex pattern is brought close; a light source that irradiates light to the metal film from an interface side between the surface of the prism and the metal film; A measuring device that acquires a reflection characteristic of the light irradiated to the metal film, wherein the prism reflects the light incident on the prism a plurality of times at different locations in the metal film. There is provided an inspection apparatus for a substrate, which is capable of guiding in a plane direction.
本発明によれば、基板と屈折率が同等もしくは近い異物を高感度に検出できる基板の検査方法及び基板の検査装置が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the inspection method of a board | substrate and the inspection apparatus of a board | substrate which can detect a foreign material with a refractive index equivalent to or close to a board | substrate with high sensitivity are provided.
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る基板検査装置の構成を例示する模式図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view illustrating the configuration of a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the invention.
本実施形態に係る基板検査装置は、金属膜15が形成された表面16aを有するプリズム16と、プリズム16及び検査対象である基板20を保持する保持装置30と、レーザー出力装置などの光源31と、レンズなどの光学系32と、反射光を検出する検出装置33と、反射光の検出結果に基づいて反射特性を導出する測定装置34と、複数の基板20間で反射特性を比較する比較装置35と、反射特性がデータとして格納・保持される記憶装置36とを有する。
The substrate inspection apparatus according to this embodiment includes a
プリズム16は例えば半球形状に形成され、その平坦な表面16aに金属膜15が形成されている。基板20には複数の凹部22及び凸部21を有する凹凸パターンが形成され、その凹凸パターンを金属膜15に対して近接させた状態で、光源31から検査光が金属膜15に照射され、金属膜15での反射光が検出装置33に検出される。
The
プリズム16及び基板20は保持装置30に保持される。図1は、保持装置30に保持されたプリズム16及び基板20を保持装置30の上方から見た状態を模式的に示す。また、保持装置30は、基板20の凹凸パターンを金属膜15に近接させた状態で、プリズム16と基板20とを金属膜15の面方向(矢印A方向)に相対移動可能にそれら両者を保持する。
The
光源31から出力された検査光は、光学系32を介してプリズム16内に入射し、金属膜15とその金属膜15が形成されたプリズム16の表面16aとの界面側から金属膜15に対して照射される。
The inspection light output from the
金属膜15に照射されて反射した光は検出装置33に検出され、その検出結果から反射特性が取得される。反射特性は、後述するように、金属膜15表面で表面プラズモン共鳴が励起された状態の反射光の反射角、反射率、反射強度などである。
The light irradiated and reflected on the
薄い金属膜15にプリズム16を介して光を照射すると、全反射角領域のある角度において特有の光の吸収(反射光の減衰)が見られる。このとき、金属膜15表面では光(エバネッセント光)とカップリングを起こす電子波のモードが生じ、表面プラズモン共鳴が励起されている。
When the
エバネッセント光の浸透距離内で金属膜15表面に近接して存在する物質の屈折率をn1、金属膜15の複素誘電率をεm、照射光の速さをc、角振動数をωとすると、表面プラズモン共鳴を満たす波数kspは、下記式1で表される。
The refractive index of the substance existing close to the surface of the
表面プラズモン共鳴が励起された状態の反射角θは、プリズム16の屈折率npを用いると下記式2で与えられる。
The reflection angle θ in the state where the surface plasmon resonance is excited is given by the following
したがって、式2より、金属膜15表面上の物質の屈折率n1が変化すると、表面プラズモン共鳴が励起された状態の反射角θが変化することになる。また、金属膜15表面上の物質が異なると、その物質の光吸収特性に応じて、表面プラズモン共鳴が励起された状態の反射率(または反射強度)が変化することもある。
Therefore, according to
本実施形態では、検査対象の基板20として、インプリント用のテンプレートを一例に挙げて説明する。その基板(テンプレート)20には、凸部21と凹部22とを有する凹凸パターンが形成されている。
In the present embodiment, an imprint template will be described as an example of the
その基板(テンプレート)20を用いたパターン形成方法について、図2を参照して説明する。 A pattern forming method using the substrate (template) 20 will be described with reference to FIG.
まず、図2(a)に示すように、被処理層10上にインプリント材11を供給する。被処理層10は、例えば、半導体基板、あるいは半導体基板上に形成された絶縁層、半導体層、導電層などである。液状のインプリント材11が、例えばスピンコート法で被処理層10上に塗布される。インプリント材11は、例えば紫外線硬化性の樹脂である。
First, as shown in FIG. 2A, an
次に、図2(b)に示すように、基板(テンプレート)20の凹凸パターンを液状のインプリント材11に接触させる。基板(テンプレート)20の凹凸パターンがインプリント材11に対して押し付けられ、インプリント材11は凹部22内に充填される。その状態で、インプリント材11に、例えば紫外線を照射して、インプリント材11を硬化させる。
Next, as shown in FIG. 2B, the uneven pattern of the substrate (template) 20 is brought into contact with the
基板(テンプレート)20は、紫外線に対する透過性を有する材料(例えば石英)からなる。したがって、基板(テンプレート)20の上方から紫外線が照射され、その紫外線は基板(テンプレート)20を透過してインプリント材11に到達する。これにより、インプリント材11が硬化する。
The substrate (template) 20 is made of a material (for example, quartz) having transparency to ultraviolet rays. Accordingly, ultraviolet rays are irradiated from above the substrate (template) 20, and the ultraviolet rays pass through the substrate (template) 20 and reach the
基板(テンプレート)20の凸部21はインプリント材11を押しのけるようにしてインプリント材11中に入り込み、凹部22にはインプリント材11が充填された状態で、インプリント材11は硬化される。したがって、その硬化後、インプリント材11には、基板(テンプレート)20の凹凸パターンと凹凸が反転したパターンが転写される。
The
次に、図2(c)に示すように、基板(テンプレート)20をインプリント材11から引き上げて、基板(テンプレート)20に対してインプリント材11を離型する。
Next, as shown in FIG. 2C, the substrate (template) 20 is pulled up from the
その後、凹凸パターンが転写されたインプリント材11をマスクにして、被処理層10に対してエッチング、不純物導入などの各種処理が行われる。
Thereafter, various processes such as etching and impurity introduction are performed on the layer to be processed 10 using the
次に、図1に例示した基板検査装置を利用した基板(テンプレート)20の検査について説明する。そのフローを図3に示す。 Next, inspection of the substrate (template) 20 using the substrate inspection apparatus illustrated in FIG. 1 will be described. The flow is shown in FIG.
まず、インプリントに使用するする前、すなわち、インプリント材11に接触させる前の基板(テンプレート)20の反射特性を、図1の装置を用いて取得する(ステップS1)。
First, the reflection characteristics of the substrate (template) 20 before being used for imprinting, that is, before being brought into contact with the
すなわち、プリズム16の表面16aに形成された金属膜15に対して、使用前(インプリント材11に未接触)の基板20に形成された凹凸パターンを近接させる。ここで、金属膜15の表面と、凹凸パターンにおける凸部21の先端との間の距離を、光源31からの照射光の波長よりも短くする。
That is, the uneven pattern formed on the
その状態で、プリズム16の表面16aと金属膜15との界面側から金属膜15に対して検査光を照射して、検出装置33で反射光を検出する。なお、表面プラズモン共鳴は、TM偏光(p偏光)照射時にのみ励起されるので、照射光の偏光をTM偏光(p偏光)に制御する。
In this state, the inspection light is applied to the
そして、測定装置34は、例えば図4に例示されるような、反射光の反射角θと反射率との関係を導出する。使用前の基板20に対する上記検査時の特性を実線で表す。すなわち、反射角θ1のときに、光エネルギーが表面プラズモンのエネルギーに変換されて表面プラズモン共鳴が励起され、反射率(または反射強度)が大きく低下している。この結果は、記憶装置36に基準データもしくは参照データとして格納される。
Then, the measuring
次に、インプリントに使用され、インプリント材11と接触済みの基板(テンプレート)20について、使用前基板と同様に検査を行う(ステップS2)。すなわち、プリズム16の表面16aに形成された金属膜15に対して、使用済み基板20に形成された凹凸パターンを近接させ、プリズム16の表面16aと金属膜15との界面側から金属膜15に対して検査光を照射して、検出装置33で反射光を検出する。
Next, the substrate (template) 20 used for imprinting and in contact with the
ここで、使用済み基板(テンプレート)20において、凹部22内にインプリント材11が付着して残っている場合には、金属膜15表面に近接する部分の屈折率(上記式2におけるn1)が変化するため、表面プラズモン励起角(共鳴角)に相当する反射角θが変化する。
Here, in the used substrate (template) 20, when the
この使用済み基板20の検査時に取得された反射特性を、例えば図4において破線で表す。使用済みの基板20では、反射角θ2のときに、光エネルギーが表面プラズモンのエネルギーに変換されて表面プラズモン共鳴が励起され、反射率(または反射強度)が大きく低下している。
The reflection characteristics acquired at the time of inspecting the used
例えば、屈折率n1が1.51の石英製の基板(テンプレート)20を用い、インプリント材11の屈折率n1を1.46とし、屈折率npが1.7のプリズム16の表面16a上に金属膜15としてAu膜を形成し、検査光として波長632nmのHe−Neレーザーを照射した場合について、上記式2の関係を図5に示す。
図5のグラフにおいて、横軸は表面プラズモン共鳴が励起された状態の反射角θであり、縦軸は式2における右辺である。
For example, a quartz substrate (template) 20 having a refractive index n 1 of 1.51 is used, the refractive index n 1 of the
In the graph of FIG. 5, the horizontal axis is the reflection angle θ in a state where surface plasmon resonance is excited, and the vertical axis is the right side in
インプリント前、すなわち、凹凸パターンにインプリント材11が付着していない状態では、n1は1.51であり、インプリント後、凹凸パターンにインプリント材11が付着した状態では、n1は1.46となる。
Before imprinting, that is, in a state where the
図5のグラフより、n1が1.51のときと、n1が1.46のときとでは、反射角(表面プラズモン励起角)θが約5°異なる。したがって、使用前基板20についての表面プラズモン励起角(図4におけるθ1)に対して、使用済み基板20についての表面プラズモン励起角(図4におけるθ2)を比較することで、凹凸パターンにインプリント材11等の異物が付着しているかどうかが判定できる。
From the graph of FIG. 5, the reflection angle (surface plasmon excitation angle) θ differs by about 5 ° when n 1 is 1.51 and when n 1 is 1.46. Therefore, by comparing the surface plasmon excitation angle (θ2 in FIG. 4) of the used
石英製の基板(屈折率1.51)と、紫外線硬化性樹脂(屈折率1.46)との屈折率差は3%程であり、例えば光学顕微鏡等でそれら両者の屈折率変化を検出することは難しい。しかし、表面プラズモン共鳴は、金属膜表面上の屈折率変化に敏感であり、表面プラズモン励起角(共鳴角)をモニターすることで、基板20との屈折率の差が小さなインプリント材11等の異物を高感度に検出できる。
The difference in refractive index between the quartz substrate (refractive index 1.51) and the ultraviolet curable resin (refractive index 1.46) is about 3%. For example, an optical microscope or the like detects a change in the refractive index between the two. It ’s difficult. However, the surface plasmon resonance is sensitive to a change in the refractive index on the surface of the metal film. By monitoring the surface plasmon excitation angle (resonance angle), the difference in the refractive index with the
例えば、比較装置35は、記憶装置36に格納された使用前基板20についての表面プラズモン励起角θ1を参照し、使用済み基板20についての表面プラズモン励起角θ2と比較する(図3におけるステップS3)。
For example, the
例えば、θ1とθ2との差Δθが予め設定された閾値θth以上の場合には、凹凸パターンに付着しているインプリント材11の量が許容できず、次のインプリント時にその基板(テンプレート)20を使用すると、転写パターンに欠陥が生じ得ると判定し、その基板(テンプレート)20を洗浄工程に供給する(ステップS4a)。
For example, if the difference Δθ between θ1 and θ2 is greater than or equal to a preset threshold θth, the amount of
θ1とθ2との差Δθが閾値θthより小さい場合には、そのまま基板(テンプレート)20を次のインプリントにも継続して使用する(ステップS4b)。 If the difference Δθ between θ1 and θ2 is smaller than the threshold θth, the substrate (template) 20 is continuously used for the next imprint as it is (step S4b).
以上説明した本実施形態によれば、インプリントに使用した基板(テンプレート)20を使用後に毎回洗浄する必要がなくなり、コスト削減と生産性の向上を図れる。さらに、基板(テンプレート)20の欠陥を事前に確実に取り除くことができ、インプリント法によってパターニングされる半導体デバイスや記録メディアなどの欠陥の低減や、歩留まり向上による低コスト化を図れる。 According to the present embodiment described above, it is not necessary to clean the substrate (template) 20 used for imprinting every time after use, thereby reducing costs and improving productivity. Furthermore, defects on the substrate (template) 20 can be surely removed in advance, and defects such as semiconductor devices and recording media patterned by the imprint method can be reduced and cost can be reduced by improving yield.
検査光は1つの凹部22ごとに照射して、各凹部22にインプリント材11等の異物が付着しているかどうかを逐次判定してもよいし、複数の凹部22を含む比較的広い範囲に照射して、その照射領域の反射特性を評価してもよい。いずれにしても、検査光の照射領域にインプリント材11等の異物がある場合には、その異物がない場合に比べて、表面プラズモン共鳴が励起される反射角の違いが生じ、凹凸パターンに付着した異物有無を判定することができる。
The inspection light may be applied to each
また、基板20における凹凸パターンが形成された被検査領域が、プリズム16の表面16a、すなわち金属膜15表面の平面サイズよりも大きい場合には、基板20とプリズム16とを金属膜15の面方向に相対移動させて、基板20の被検査領域全体をカバーする。例えば、静止したプリズム16及び金属膜15に対して、基板20を図1において矢印A方向に直線移動させ、基板20におけるすべての被検査領域の検査を行う。
Further, when the inspection region on the
また、保持装置30ごと基板20及びプリズム16を、θ方向に回転させることで、検査光の入射角を変え、表面プラズモン共鳴が励起される反射角を検出することができる。
Further, by rotating the
前述したように、金属膜15表面に近接する物質の屈折率n1によって、表面プラズモン励起角θは変化する。さらに、その物質の吸収特性によっては、表面プラズモン共鳴が励起された状態の反射率(または反射強度)も変化することがある。
As described above, the surface plasmon excitation angle θ changes depending on the refractive index n 1 of the substance close to the surface of the
したがって、基板20の凹凸パターンにインプリント材11等の異物の付着があるかどうかは、表面プラズモン共鳴が励起された状態の反射率(反射強度)の変化によっても判定することが可能である。反射角(表面プラズモン励起角)とそのときの反射率(反射強度)の両方を評価することで、異物有無判定の確実性(信頼性)は高まる。
Therefore, whether or not foreign matter such as the
例えば、異物の有無で反射率(反射強度)が異なることを利用して、反射光の画像データを異物有無を判定するための反射特性として利用することもできる。その場合、反射光を検出する検出装置33として例えば撮像装置が用いられる。
For example, by utilizing the fact that the reflectance (reflection intensity) varies depending on the presence or absence of foreign matter, the image data of reflected light can also be used as reflection characteristics for determining the presence or absence of foreign matter. In this case, for example, an imaging device is used as the
比較的広い範囲に検査光を照射し、その照射領域に異物が無い場合の表面プラズモン励起角付近では、反射光はほとんど観測されない。すなわち、取得される画像データは暗い。そして、検査光の入射角は変えずに、異物の付着がある基板20を金属膜15に近接させて検査光を照射すると、その入射角では表面プラズモン共鳴は励起されず、反射率(反射強度)の極端な低下は起こらず、取得される画像データは明るい。すなわち、異物の付いたパターン部分が明るくなり、欠陥の有無を高速で確認することができる。
In the vicinity of the surface plasmon excitation angle when the inspection light is irradiated over a relatively wide range and there is no foreign matter in the irradiated region, almost no reflected light is observed. That is, the acquired image data is dark. Then, when the inspection light is irradiated with the
前述した実施形態では、インプリント使用前であってインプリント材11と未接触の基板20と、インプリント使用後のインプリント材11と接触済みの基板20との間で、反射特性を比較した。しかし、使用前後の基板20間での比較に限らず、使用前の複数の基板20間で反射特性を比較することで、使用前に予め欠陥を含む基板を特定することができる。そのフローを図6に示す。
In the above-described embodiment, the reflection characteristics are compared between the
まず、使用前の複数の基板20に対して、前述した実施形態と同様に、図1の装置を用いて、検査光の照射及び反射特性の取得を行う(ステップS11)。
First, similarly to the above-described embodiment, the irradiation of inspection light and the acquisition of reflection characteristics are performed on a plurality of
次に、ステップS12にて、複数の基板20間で反射特性を比較する。
例えば、複数の基板20間の反射特性の平均値を算出し、その平均値に対して、予め設定された閾値以上異なるものがあれば、何らかの異物の付着があると判定し、洗浄工程にまわす(ステップS13a)。反射特性が平均値に対して閾値より小さい基板については、インプリント工程に使用する(ステップS13b)。これにより、インプリント工程におけるパターン転写欠陥を確実に防ぐことができる。
Next, in step S12, the reflection characteristics are compared between the plurality of
For example, the average value of the reflection characteristics between the plurality of
異物有無の検査精度を高めるには、金属膜15表面と基板20とを密着させることが望ましい。両者の密着性を向上させるために、図7に示すように、それら両者間に例えばオイル系液体あるいは樹脂膜のような媒質18を密着層として介在させることが有効である。その媒質18は検査光に対する透過性を有する。これにより、金属膜15と基板20とは媒質18を介して密着し、高い検査精度が得られる。このとき、反射特性を比較する基板20間で、検査時に用いる媒質18は同じにする、または屈折率が同じ媒質18を用いる。
In order to increase the inspection accuracy for the presence or absence of foreign matter, it is desirable to bring the surface of the
また、プリズムの形状は、半球状に限らず、錐形、錐台形状などであってもよい。例えば、図8には、円錐台または角錐台形状のプリズム40を用いた例を示す。
Further, the shape of the prism is not limited to a hemispherical shape, and may be a cone shape, a truncated cone shape, or the like. For example, FIG. 8 shows an example using a
例えば、上底側の表面40aに金属膜15が形成され、その金属膜15の表面に対して凹凸パターンを近接させて基板20が配置される。このようなプリズム40を使った場合、プリズム40に入射した検査光を、金属膜15における異なる箇所で複数回反射させつつ、金属膜15の面方向に導波可能である。
For example, the
図8において矢印で模式的に表されるように、プリズム40に入射した光は、金属膜15が形成された上底側と、下底側とで複数回全反射しつつ、金属膜15の面方向に導波される。これにより、基板20の凹凸パターンにおける比較的広範囲の領域を一度に検査可能である。場合によっては、基板20とプリズム40とを相対移動させることなく、基板20の凹凸パターンの全領域にわたっての検査が可能になる。
As schematically represented by arrows in FIG. 8, the light incident on the
この場合でも、検査光の照射領域に異物がある場合と、無い場合とで、表面プラズモン共鳴が励起された状態での反射特性に違いが生じ、その違いから異物の有無を判定できる。 Even in this case, there is a difference in the reflection characteristics in the state where the surface plasmon resonance is excited depending on whether or not there is a foreign substance in the inspection light irradiation region, and the presence or absence of the foreign substance can be determined from the difference.
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to them, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
前述した実施形態では、検査対象の基板としてインプリント用のテンプレートを例示したが、これに限らず、パターン露光に一般的に用いられるフォトマスク、あるいは、近接場露光に用いられる密着型のマスクなどの検査にも本発明は適用可能である。また、それら基板を使ったパターニング対象は、半導体デバイス、記録メディアなどが挙げられる。 In the above-described embodiment, the imprint template is exemplified as the substrate to be inspected. However, the present invention is not limited to this, and a photomask generally used for pattern exposure or a contact-type mask used for near-field exposure, etc. The present invention can also be applied to this inspection. Examples of the patterning target using these substrates include semiconductor devices and recording media.
検出可能な異物はインプリント材のような樹脂に限らない。本発明は、基板と屈折率が同等もしくは近い異物を高感度に検出可能である。 The detectable foreign matter is not limited to a resin such as an imprint material. The present invention can detect a foreign substance having a refractive index equivalent to or close to that of a substrate with high sensitivity.
11…インプリント材、15…金属膜、16,40…プリズム、18…媒質、20…基板、30…保持装置
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記凹凸パターンが前記樹脂に未接触のテンプレートについての前記反射特性と、前記凹凸パターンを前記樹脂に接触済みのテンプレートについての前記反射特性との比較から、前記樹脂に接触済みのテンプレートを評価することを特徴とする請求項1記載の基板の検査方法。 The substrate is an imprint template that transfers the inverted pattern of the concavo-convex pattern to the resin by bringing the concavo-convex pattern into contact with the resin,
Evaluating a template that has been in contact with the resin from a comparison between the reflection characteristic of the template in which the concave / convex pattern is not in contact with the resin and the reflection characteristic of a template in which the concave / convex pattern is in contact with the resin. The substrate inspection method according to claim 1.
前記金属膜に対して基板に形成された凹凸パターンを近接させた状態で、前記プリズムと前記基板とを前記金属膜の面方向に相対移動可能に前記プリズムと前記基板とを保持する保持装置と、
前記プリズムの前記表面と前記金属膜との界面側から前記金属膜に対して光を照射する光源と、
前記金属膜に照射された前記光の反射特性を取得する測定装置と、
を備えたことを特徴とする基板の検査装置。 A prism having a surface on which a metal film is formed;
A holding device for holding the prism and the substrate so that the prism and the substrate can be moved relative to each other in the surface direction of the metal film in a state in which an uneven pattern formed on the substrate is brought close to the metal film. ,
A light source that irradiates the metal film with light from an interface side between the surface of the prism and the metal film;
A measuring device for obtaining a reflection characteristic of the light irradiated on the metal film;
A board inspection apparatus comprising:
前記プリズムの前記表面に形成された金属膜と、
前記金属膜に対して基板に形成された凹凸パターンを近接させた状態で、前記プリズムと前記基板とを保持する保持装置と、
前記プリズムの前記表面と前記金属膜との界面側から前記金属膜に対して光を照射する光源と、
前記金属膜に照射された前記光の反射特性を取得する測定装置と、
を備え、
前記プリズムは、前記プリズムに入射した前記光を、前記金属膜における異なる箇所で複数回反射させつつ前記金属膜の面方向に導波可能であることを特徴とする基板の検査装置。 A prism having a surface on which a metal film is formed;
A metal film formed on the surface of the prism;
A holding device that holds the prism and the substrate in a state in which the uneven pattern formed on the substrate is brought close to the metal film;
A light source that irradiates the metal film with light from an interface side between the surface of the prism and the metal film;
A measuring device for obtaining a reflection characteristic of the light irradiated on the metal film;
With
The substrate inspection apparatus, wherein the prism is capable of guiding the light incident on the prism in a plane direction of the metal film while reflecting the light multiple times at different locations in the metal film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010025052A JP2011163839A (en) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | Method and device for inspecting substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010025052A JP2011163839A (en) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | Method and device for inspecting substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011163839A true JP2011163839A (en) | 2011-08-25 |
Family
ID=44594709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010025052A Pending JP2011163839A (en) | 2010-02-08 | 2010-02-08 | Method and device for inspecting substrate |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2011163839A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171139A1 (en) * | 2013-04-16 | 2014-10-23 | コニカミノルタ株式会社 | Measurement abnormality detection method and surface plasmon-field enhanced fluorescence measurement device |
JPWO2016120951A1 (en) * | 2015-01-26 | 2017-10-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Optical analyzer |
JP2018534623A (en) * | 2015-11-20 | 2018-11-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Imprint device |
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010025052A patent/JP2011163839A/en active Pending
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JPWO2014171139A1 (en) * | 2013-04-16 | 2017-02-16 | コニカミノルタ株式会社 | Measurement abnormality detection method and surface plasmon excitation enhanced fluorescence measurement apparatus |
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