JP2011156480A - Liquid resin coating device - Google Patents
Liquid resin coating device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011156480A JP2011156480A JP2010020094A JP2010020094A JP2011156480A JP 2011156480 A JP2011156480 A JP 2011156480A JP 2010020094 A JP2010020094 A JP 2010020094A JP 2010020094 A JP2010020094 A JP 2010020094A JP 2011156480 A JP2011156480 A JP 2011156480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid resin
- wafer
- liquid
- nozzle
- resin coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 91
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 99
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体ウエーハ等の板状物に液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布装置に関する。 The present invention relates to a liquid resin coating apparatus for coating a liquid resin on a plate-like material such as a semiconductor wafer.
IC、LSI、LED等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。 A wafer such as a silicon wafer or a sapphire wafer formed on the surface by dividing a plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. by dividing lines is divided into individual devices by a processing apparatus, and the divided devices are mobile phones, Widely used in various electronic devices such as personal computers.
ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスへと分割する。 A dicing method using a cutting device called a dicer is widely used for dividing the wafer. In the dicing method, a wafer is cut by cutting a wafer into a wafer while rotating a cutting blade having a thickness of about 30 μm by solidifying abrasive grains such as diamond with a metal or a resin at a high speed of about 30000 rpm. Divide into
一方、近年では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザ加工溝を形成し、このレーザ加工溝に沿ってブレーキング装置でウエーハを割断して個々のデバイスへと分割する方法が提案されている(例えば、特開平10−305420号公報参照)。 On the other hand, in recent years, a laser processing groove is formed by irradiating a wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that absorbs the wafer, and the wafer is cut along the laser processing groove by a breaking device. A method of dividing into devices has been proposed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-305420).
レーザ加工装置によるレーザ加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやSiC等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば10μm以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ1枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。 The formation of the laser processing groove by the laser processing apparatus can increase the processing speed as compared with the dicing method using the dicer, and relatively easily processes even a wafer made of a material having high hardness such as sapphire or SiC. be able to. In addition, since the processing groove can be made to have a narrow width of, for example, 10 μm or less, the amount of devices taken per wafer can be increased as compared with the case of processing by the dicing method.
ところが、ウエーハにパルスレーザビームを照射すると、パルスレーザビームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生する。このデブリがデバイス表面に付着するとデバイスの品質を低下させるという問題が生じる。 However, when the wafer is irradiated with a pulse laser beam, debris is generated due to concentration of thermal energy in the region irradiated with the pulse laser beam. When this debris adheres to the device surface, there arises a problem that the quality of the device is lowered.
そこで、例えば特開2004−322168号公報又は特開2007−201178号公報には、このようなデブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にPVA(ポリビニルアルコール)、PEG(ポリエチレングリコール)等の水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆し、この保護膜を通してウエーハにパルスレーザビームを照射するようにしたレーザ加工装置が提案されている。 Therefore, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-322168 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-201178 discloses a PVA (polyvinyl alcohol), PEG (polyethylene glycol) or the like on the processed surface of the wafer in order to solve such a problem caused by debris. There has been proposed a laser processing apparatus in which a water-soluble resin is applied to cover a protective film and a wafer is irradiated with a pulsed laser beam through the protective film.
ところが、特許文献2に開示された装置では、液状樹脂がスピンナテーブルに保持されたウエーハの加工面に供給された後、スピンナテーブルの回転に伴う遠心力によってウエーハ外周に移動されることでウエーハの加工面全面に液状樹脂が塗布される、所謂スピンコート法を用いてウエーハの加工面上に保護膜が形成されている。
However, in the apparatus disclosed in
しかし、このようなスピンコート法による保護膜の形成では、供給した液状樹脂の90%以上が飛散して廃棄されてしまうので、非常に不経済であるという問題がある。 However, the formation of the protective film by such a spin coating method has a problem that it is very uneconomical because 90% or more of the supplied liquid resin is scattered and discarded.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、経済的に液状樹脂の塗布を可能とする液状樹脂塗布装置を提供することである。 This invention is made | formed in view of such a point, The place made into the objective is providing the liquid resin coating device which enables application | coating of liquid resin economically.
本発明によると、板状物に液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布装置であって、板状物を回転可能に保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された板状物の露出面に液状樹脂を供給する液成樹脂供給ノズルと、該液状樹脂供給ノズルに連通する液状樹脂供給源とを有する液状樹脂供給手段と、該保持テーブルを包囲して配設された底部に排液口を有する液体受け容器と、該液体受け容器に溜まった液状樹脂を該排液口から該液状樹脂供給源に回収する回収路と、を具備したことを特徴とする液状樹脂塗布装置が提供される。 According to the present invention, there is provided a liquid resin coating apparatus for applying a liquid resin to a plate-like material, the holding table rotatably holding the plate-like material, and a liquid on the exposed surface of the plate-like material held by the holding table. A liquid resin supply means having a liquid resin supply nozzle for supplying resin, a liquid resin supply source communicating with the liquid resin supply nozzle, and a drain port at a bottom portion surrounding the holding table. There is provided a liquid resin coating apparatus comprising: a liquid receiving container; and a recovery path for recovering the liquid resin accumulated in the liquid receiving container from the drain port to the liquid resin supply source.
好ましくは、液状樹脂塗布装置は、前記保持テーブルに保持された板状物の前記露出面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、該洗浄液ノズルに連通する洗浄液供給源とを有する洗浄液供給手段と、前記排液口から排液を排出する排液路と、該排液口を該回収路又は該排液路に選択的に連通させる切替手段とを更に具備している。 Preferably, the liquid resin coating device includes a cleaning liquid nozzle that supplies a cleaning liquid to the exposed surface of the plate-like object held by the holding table, and a cleaning liquid supply unit that communicates with the cleaning liquid nozzle, A drainage path for draining the drainage from the drainage port, and switching means for selectively communicating the drainage port with the recovery path or the drainage path are further provided.
本発明の液状樹脂塗布装置では、スピンコートによって飛散した液状樹脂は回収路を介して液状樹脂供給源に回収されるので、液状樹脂の再利用が可能であり非常に経済的である。 In the liquid resin coating apparatus of the present invention, since the liquid resin scattered by spin coating is recovered to the liquid resin supply source via the recovery path, the liquid resin can be reused and is very economical.
また、洗浄液供給手段及び切替手段を備えた構成では、板状物を洗浄した際に発生する排液は廃棄し、液状樹脂塗布時に飛散した液状樹脂のみ再利用することが可能となるため、レーザ加工装置に組み込むことによりその利用価値が大きくなる。 Further, in the configuration provided with the cleaning liquid supply means and the switching means, the waste liquid generated when the plate-like object is cleaned can be discarded and only the liquid resin scattered during the liquid resin application can be reused. By incorporating it into a processing device, its utility value increases.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の液状樹脂塗布装置を具備し、ウエーハをレーザ加工して個々のチップ(デバイス)に分割することのできるレーザ加工装置2の斜視図が示されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a
レーザ加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
On the front side of the
図2に示すように、加工対象の半導体ウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交されて形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the semiconductor wafer W to be processed, the first street S1 and the second street S2 are formed to be orthogonal to each other, and the first street S1 and the second street S2 are formed. A number of devices D are formed in a region partitioned by.
ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the annular frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8からレーザ加工前のウエーハWを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。
Behind the
ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
Between the
30は液状樹脂塗布装置であり、この液状樹脂塗布装置30は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。
仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されて液状樹脂塗布装置30に搬送される。液状樹脂塗布装置30は、後で詳細に説明するようにウエーハWの加工面に液状樹脂を塗布して保護膜を被覆する。
The wafer W carried out to the
加工面に保護膜が被覆されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段(クランプ)19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
The wafer W whose processing surface is coated with a protective film is attracted by the
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWのレーザ加工すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, an
アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
The
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24が配設されている。レーザビーム照射ユニット24はY軸方向に移動可能である。
A laser
レーザビーム照射ユニット24のケーシング26中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング26の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器(レーザヘッド)28が装着されている。
The
レーザビーム照射ユニット24のケーシング26内には、図3のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段34と、レーザビーム変調手段36が配設されている。
In the
レーザビーム発振手段34としては、YAGレーザ発振器或いはYVO4レーザ発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段36は、繰り返し周波数設定手段38と、レーザビームパルス幅設定手段40と、レーザビーム波長設定手段42を含んでいる。
As the laser beam oscillation means 34, a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator can be used. The laser
レーザビーム変調手段36を構成する繰り返し周波数設定手段38、レーザビームパルス幅設定手段40及びレーザビーム波長設定手段42は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。 The repetition frequency setting means 38, the laser beam pulse width setting means 40, and the laser beam wavelength setting means 42 constituting the laser beam modulation means 36 are of known forms, and detailed description thereof is omitted in this specification.
レーザビーム照射ユニット24によりレーザ加工が終了したウエーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により保持されて洗浄装置を兼用する液状樹脂塗布装置30まで搬送される。液状樹脂塗布装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハを洗浄する。
The wafer W that has been subjected to laser processing by the laser
洗浄後、ウエーハWを高速回転(例えば2000rpm)させながらエアノズルからエアを噴出させてウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWは戻される。
After cleaning, the wafer W is dried at a high speed (for example, 2000 rpm) by blowing air from the air nozzle to dry the wafer W, and then the wafer W is adsorbed by the conveying
次に、図4及び図5を参照して、本発明実施形態に係る液状樹脂塗布装置30の詳細構造について説明する。まず図4を参照すると、液状樹脂塗布装置30の一部破断斜視図が示されている。
Next, with reference to FIG.4 and FIG.5, the detailed structure of the liquid
液状樹脂塗布装置30は、スピンナテーブル機構44と、スピンナテーブル機構44を包囲して配設された液体受け機構46を具備している。スピンナテーブル機構44は、スピンナテーブル(保持テーブル)48と、スピンナテーブル48を回転駆動する電動モータ50と、電動モータ50を上下方向に移動可能に支持する支持機構52とから構成される。
The liquid
スピンナテーブル48は多孔性材料から形成された吸着チャック(保持面)48aを具備しており、吸着チャック48aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル48は、吸着チャック48aにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック48a上にウエーハを吸引保持する。
The spinner table 48 includes a suction chuck (holding surface) 48a formed of a porous material, and the
スピンナテーブル48には振り子タイプの一対のクランプ49が配設されており、スピンナテーブル48が回転されるとこのクランプ49が遠心力で揺動して図2に示す環状フレームFをクランプする。
The spinner table 48 is provided with a pair of pendulum type clamps 49. When the spinner table 48 is rotated, the
スピンナテーブル48は、電動モータ50の出力軸50aに連結されている。支持機構52は、複数の(本実施形態においては3本)の支持脚54と、支持脚54にそれぞれ連結され電動モータ50に取り付けられた複数(本実施形態においては3本)のエアシリンダ56とから構成される。
The spinner table 48 is connected to the
このように構成された支持機構52は、エアシリンダ56を作動することにより、電動モータ50及びスピンナテーブル48を図5に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図示しない下降位置である作業位置に位置付け可能である。
The
液体受け機構46は、液体受け容器58と、液体受け容器58を支持する3本(図4には2本のみ図示)の支持脚60と、電動モータ50の出力軸50aに装着されたカバー部材62とから構成される。
The
液体受け容器58は、図5に示すように、円筒状の外側壁58aと、底壁58bと、内側壁58cとから構成される。底壁58bの中央部には、電動モータ50の出力軸50aが挿入される穴51が設けられており、内側壁58cはこの穴51の周辺から上方に突出するように形成されている。
As shown in FIG. 5, the
また、図4に示すように、底壁58bには廃液口59が設けられており、この廃液口59にドレンホース64が接続されている。カバー部材62は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部62aを備えている。
As shown in FIG. 4, a
このように構成されたカバー部材62は、電動モータ50及びスピンナテーブル48が作業位置に位置付けられると、カバー部62aが液体受け容器58を構成する内側壁58cの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。
When the
液状樹脂塗布装置30は、スピンナテーブル48に保持された加工前のウエーハWに液状樹脂を塗布する塗布手段66を具備している。塗布手段66は、スピンナテーブル48に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を供給する液状樹脂供給ノズル68と、液状樹脂供給ノズル68を支持する概略L形状のアーム70と、アーム70に支持された液状樹脂供給ノズル68を揺動する正転・逆転可能な電動モータ72とから構成される。液状樹脂供給ノズル68はアーム70を介して液状樹脂供給源90に接続されている。
The liquid
液状樹脂塗布装置30はレーザ加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、液状樹脂塗布装置30は、スピンナテーブル48に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段74及びエア供給手段76を具備している。
The liquid
洗浄水供給手段74は、スピンナテーブル48に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル78と、洗浄水ノズル78を支持するアーム80と、アーム80に支持された洗浄水ノズル78を揺動する正転・逆転可能な電動モータ82とから構成される。洗浄水ノズル78はアーム80を介して洗浄水供給源92に接続されている。
The cleaning water supply means 74 includes a cleaning
エア供給手段76は、スピンナテーブル48に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアを噴出するエアノズル84と、エアノズル84を支持するアーム86と、アーム86に支持されたエアノズル84を揺動する正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えている。エアノズル84はアーム86を介して図示しないエア供給源に接続されている。
The air supply means 76 includes an
排液口59に接続されたドレンホース64は切替弁等の切替手段94により回収路96或いは排液路98に選択的に接続される。回収路96は液状樹脂供給源90に接続されており、排液路98は排液タンク100に接続されている。
The
次に、このように構成された液状樹脂塗布装置30の作用について説明する。ウエーハ搬送手段16の旋回動作によって加工前のウエーハが液状樹脂塗布装置30のスピンナテーブル48に搬送され、図5に示すように吸着チャック48aにより吸引保持される。
Next, the operation of the liquid
この時、液状樹脂供給ノズル68、洗浄水ノズル78及びエアノズル84は図4及び図5に示すように、スピンナテーブル48の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
At this time, the liquid
次いで、エアシリンダ56を作動してスピンナテーブル48を下降して、スピンナテーブル48をカバー部62aが液体受け容器58を構成する内周壁58cの外側に隙間をもって重合する作業位置に位置づける。
Next, the
スピンナテーブル48を作業位置に位置づけたならば、スピンナテーブル48を30〜50rpmで回転させながら、ウエーハWの加工面の中央領域に液状樹脂供給ノズル68から液状樹脂を滴下する。
If the spinner table 48 is positioned at the work position, the liquid resin is dropped from the liquid
スピンナテーブル48が回転されているため、滴下された液状樹脂はウエーハWの加工面にスピンコーティングされ、ウエーハWの加工面には保護膜が形成される。保護膜の厚さは0.5〜10μm程度が好ましい。 Since the spinner table 48 is rotated, the dropped liquid resin is spin-coated on the processed surface of the wafer W, and a protective film is formed on the processed surface of the wafer W. The thickness of the protective film is preferably about 0.5 to 10 μm.
このスピンコート法によると、ウエーハWの加工面の中央領域に滴下された液状樹脂の大部分は、スピンナテーブル48の回転により飛散されて液体受け容器58に収容される。
According to this spin coating method, most of the liquid resin dropped on the central region of the processed surface of the wafer W is scattered by the rotation of the spinner table 48 and accommodated in the
ウエーハWの加工面への液状樹脂塗布時には、ドレンホース64は切替手段94により回収路96に接続するように切り替えられている。よって、液体受け容器58に収容された飛散した液状樹脂は、排液口59、ドレンホース64及び回収路96を介して液状樹脂供給源90に回収される。
When the liquid resin is applied to the processed surface of the wafer W, the
このように本実施形態の液状樹脂塗布装置30によれば、スピンコート時に飛散された液状樹脂の大部分は回収路96を介して液状樹脂供給源90に回収され、液状樹脂の再利用が可能であるため、非常に経済的である。
As described above, according to the liquid
半導体ウエーハWの表面に保護膜が被覆されたならば、スピンナテーブル48を図5に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナテーブル48に保持されているウエーハの吸引保持を解除する。 If the surface of the semiconductor wafer W is coated with the protective film, the spinner table 48 is positioned at the wafer loading / unloading position shown in FIG. 5 and the suction and holding of the wafer held on the spinner table 48 is released.
そして、スピンナテーブル48上のウエーハWは、ウエーハ搬送手段16によってチャックテーブル18に搬送され、チャックテーブル18により吸引保持される。さらに、チャックテーブル18がX軸方向に移動してウエーハWは撮像手段22の直下に位置付けられる。 The wafer W on the spinner table 48 is transported to the chuck table 18 by the wafer transport means 16 and sucked and held by the chuck table 18. Further, the chuck table 18 moves in the X-axis direction, and the wafer W is positioned immediately below the imaging means 22.
撮像手段22でウエーハWの加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24の集光器28とストリートSとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。
Image processing such as pattern matching for aligning the
このようにして、チャックテーブル18上に保持されているウエーハWのストリートS1又はS2を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル18をレーザビームを照射する集光器28が位置するレーザビーム照射領域に移動し、ウエーハWのストリートS1又はS2に沿って集光器28からレーザビームを保護膜を通して照射する。
In this way, if the street S1 or S2 of the wafer W held on the chuck table 18 is detected and the alignment of the laser beam irradiation position is performed, the condenser that irradiates the chuck table 18 with the laser beam. It moves to the laser beam irradiation area | region where 28 is located, and irradiates a laser beam from the
レーザビーム照射工程においては、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24の集光器28からウエーハWの加工面である表面側から保護膜を通して所定のストリートSに向けてパルスレーザビームを照射しながら、チャックテーブル18をX軸方向に所定の送り速度(例えば100mm/秒)で移動する。
In the laser beam irradiation step, a pulse laser beam is irradiated from the
尚、レーザ加工条件は例えば以下の通りである。 The laser processing conditions are as follows, for example.
光源 :YAGレーザ
波長 :355nm(YAGレーザの第3高調波)
出力 :3.0W
繰り返し周波数 :20kHz
集光スポット径 :1.0μm
送り速度 :100mm/秒
Light source: YAG laser Wavelength: 355 nm (third harmonic of YAG laser)
Output: 3.0W
Repetition frequency: 20 kHz
Condensing spot diameter: 1.0 μm
Feeding speed: 100 mm / second
レーザビーム照射工程を実施することによって、ウエーハWにはストリートSに沿ってレーザ加工溝が形成される。この時、レーザビームの照射によりデブリが発生しても、このデブリは保護膜によって遮断され、デバイスDの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。 By performing the laser beam irradiation process, a laser processing groove is formed along the street S on the wafer W. At this time, even if debris is generated by the laser beam irradiation, the debris is blocked by the protective film and does not adhere to the electronic circuit of the device D, the bonding pad, and the like.
このようにして、ウエーハWにレーザ加工溝を形成したら、チャックテーブル18は最初にウエーハWを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハWの吸引保持を解除する。そして、ウエーハWは搬送手段32によって液状樹脂塗布装置30のスピンナテーブル48に搬送され、吸着チャック48aに吸引保持される。
When the laser processing groove is formed on the wafer W in this way, the chuck table 18 is first returned to the position where the wafer W is sucked and held, and here, the wafer W is released from sucking and holding. Then, the wafer W is transported to the spinner table 48 of the liquid
この時、液状樹脂供給ノズル68、洗浄水ノズル78及びエアノズル84は、図4及び図5に示すようにスピンナテーブル48の上方から隔離した待機位置に位置づけられている。
At this time, the liquid
そして、洗浄水供給源92とエア源に接続された洗浄水ノズル78から純水とエアとからなる洗浄水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハWを洗浄する。
The wafer W is cleaned by rotating the wafer W at a low speed (for example, 300 rpm) while spraying cleaning water composed of pure water and air from the cleaning
その結果、ウエーハWの表面に被覆されていた保護膜は水溶性の樹脂によって形成されているので、保護膜を容易に洗い流すことができるとともに、レーザ加工時に発生したデブリも除去される。 As a result, since the protective film coated on the surface of the wafer W is formed of a water-soluble resin, the protective film can be easily washed away and debris generated during laser processing is also removed.
ウエーハWの洗浄時には、ドレンホース64は切替手段94により排液路98に接続されている。よって、ウエーハWを洗浄した後の排液は、排液口59、ドレンホース64及び排液路98を介して排液タンク100に排出される。
When cleaning the wafer W, the
洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル78を待機位置に位置付けるとともに、エアノズル84の噴出口をスピンナテーブル48上に保持されたウエーハWの外周部上方に位置付ける。
When the cleaning process is completed, a drying process is performed. That is, the cleaning
そして、スピンナテーブル48を例えば3000rpmで回転しつつエアノズル84からスピンナテーブル48に保持されているウエーハWに向けてエアを噴出する。この時、エアノズル84から噴出されたエアがスピンナテーブル48に保持されたウエーハWの外周部に当たる位置から中心部に当たる位置までの揺動範囲で揺動される。その結果、ウエーハWの表面が乾燥される。
Then, air is ejected from the
ウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWは戻される。
After the wafer W is dried, the wafer W is adsorbed by the conveying
このようにストリートSに沿ったレーザ加工溝が形成されたウエーハWは、次いで、ブレーキング装置(エキスパンド装置)に装着されて、ダイシングテープTを半径方向に拡張することにより、ウエーハWはレーザ加工溝に沿って個々のデバイスDに分割される。 The wafer W formed with the laser processing groove along the street S in this manner is then mounted on a braking device (expanding device) and the dicing tape T is expanded in the radial direction, so that the wafer W is laser processed. Divided into individual devices D along the groove.
2 レーザ加工装置
18 チャックテーブル
24 レーザビーム照射ユニット
28 集光器
30 液状樹脂塗布装置
48 スピンナテーブル
66 液状樹脂塗布手段
68 液状樹脂供給ノズル
74 洗浄手段
78 洗浄水ノズル
76 乾燥手段
84 エアノズル
2
Claims (2)
板状物を回転可能に保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された板状物の露出面に液状樹脂を供給する液成樹脂供給ノズルと、該液状樹脂供給ノズルに連通する液状樹脂供給源とを有する液状樹脂供給手段と、
該保持テーブルを包囲して配設された底部に排液口を有する液体受け容器と、
該液体受け容器に溜まった液状樹脂を該排液口から該液状樹脂供給源に回収する回収路と、
を具備したことを特徴とする液状樹脂塗布装置。 A liquid resin coating apparatus for applying a liquid resin to a plate-like object,
A holding table that rotatably holds the plate-like object;
A liquid resin supply means having a liquid resin supply nozzle for supplying a liquid resin to the exposed surface of the plate-like object held by the holding table, and a liquid resin supply source communicating with the liquid resin supply nozzle;
A liquid receiving container having a drainage port at the bottom disposed surrounding the holding table;
A recovery path for recovering the liquid resin collected in the liquid receiving container from the drainage port to the liquid resin supply source;
A liquid resin coating apparatus comprising:
前記排液口から排液を排出する排液路と、
該排液口を該回収路又は該排液路に選択的に連通させる切替手段とを更に具備したことを特徴とする請求項1記載の液状樹脂塗布装置。 A cleaning liquid supply means having a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the exposed surface of the plate-like object held by the holding table, and a cleaning liquid supply source communicating with the cleaning liquid nozzle;
A drainage path for draining drainage from the drainage port;
The liquid resin coating apparatus according to claim 1, further comprising switching means for selectively communicating the drain port with the recovery path or the drain path.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010020094A JP2011156480A (en) | 2010-02-01 | 2010-02-01 | Liquid resin coating device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010020094A JP2011156480A (en) | 2010-02-01 | 2010-02-01 | Liquid resin coating device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011156480A true JP2011156480A (en) | 2011-08-18 |
Family
ID=44588936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010020094A Pending JP2011156480A (en) | 2010-02-01 | 2010-02-01 | Liquid resin coating device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011156480A (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6351638A (en) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Clean Saafueisu Gijutsu Kk | Resist applying and recovering device in photoetching process |
JP2001332474A (en) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Tokyo Electron Ltd | Resist application treatment device and method |
JP2002166217A (en) * | 2000-09-25 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2004355753A (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Tdk Corp | Method and apparatus for filtering coating material for optical recording medium, method for coating optical recording medium, and coating device |
-
2010
- 2010-02-01 JP JP2010020094A patent/JP2011156480A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6351638A (en) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Clean Saafueisu Gijutsu Kk | Resist applying and recovering device in photoetching process |
JP2001332474A (en) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Tokyo Electron Ltd | Resist application treatment device and method |
JP2002166217A (en) * | 2000-09-25 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2004355753A (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Tdk Corp | Method and apparatus for filtering coating material for optical recording medium, method for coating optical recording medium, and coating device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5133855B2 (en) | Protective film coating method | |
JP4777783B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP6739873B2 (en) | Wafer processing method | |
JP5385060B2 (en) | Protective film coating method and protective film coating apparatus | |
JP2012023085A (en) | Method for processing optical device wafer | |
JP2013207170A (en) | Method for dividing device wafer | |
JP2010012508A (en) | Protective film covering device and laser beam machining device | |
JP2004322168A (en) | Laser machining apparatus | |
JP5713749B2 (en) | Protective film coating device | |
JP2007073670A (en) | Water-soluble resin coating method | |
JP2010267638A (en) | Coating method for protective film and laser beam machining method for wafer | |
JP6328522B2 (en) | Protective film coating method and protective film coating apparatus | |
JP2008006379A (en) | Protection film formation method | |
JP4666583B2 (en) | Protective coating method | |
JP4776431B2 (en) | Protective film coating equipment | |
JP5065722B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP2011176035A (en) | Method for cleaning wafer | |
JP2009148793A (en) | Protective film covering device and laser beam machine | |
JP2017208460A (en) | Cleaning device and cleaning method | |
JP6199582B2 (en) | Protective film forming device | |
JP5706235B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP2010022990A (en) | Protective film formation apparatus and laser beam machine | |
JP2011156480A (en) | Liquid resin coating device | |
JP2013021211A (en) | Method for processing wafer | |
JP2008118027A (en) | Protective-film coating device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20130118 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20140527 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |