JP2011156480A - Liquid resin coating device - Google Patents

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JP2011156480A JP2010020094A JP2010020094A JP2011156480A JP 2011156480 A JP2011156480 A JP 2011156480A JP 2010020094 A JP2010020094 A JP 2010020094A JP 2010020094 A JP2010020094 A JP 2010020094A JP 2011156480 A JP2011156480 A JP 2011156480A
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Seiji Shima
正治 島
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid resin coating device which enables economical coating of a liquid resin. <P>SOLUTION: The liquid resin coating device for applying a liquid resin to a plate-like material includes a liquid resin supply means having a support table for rotatably supporting the plate-like material, a liquid resin supply nozzle for supplying the liquid resin to the exposed surface of the plate-like material supported by the support table and a liquid resin supply source communicating with the liquid resin supply nozzle, a liquid receiving container having a liquid discharge port in the bottom arranged so as to surround the support table, and a recovery passage for recovering the liquid resin accumulated in the liquid receiving container from the liquid discharge port. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の板状物に液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布装置に関する。   The present invention relates to a liquid resin coating apparatus for coating a liquid resin on a plate-like material such as a semiconductor wafer.

IC、LSI、LED等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。   A wafer such as a silicon wafer or a sapphire wafer formed on the surface by dividing a plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. by dividing lines is divided into individual devices by a processing apparatus, and the divided devices are mobile phones, Widely used in various electronic devices such as personal computers.

ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスへと分割する。   A dicing method using a cutting device called a dicer is widely used for dividing the wafer. In the dicing method, a wafer is cut by cutting a wafer into a wafer while rotating a cutting blade having a thickness of about 30 μm by solidifying abrasive grains such as diamond with a metal or a resin at a high speed of about 30000 rpm. Divide into

一方、近年では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザ加工溝を形成し、このレーザ加工溝に沿ってブレーキング装置でウエーハを割断して個々のデバイスへと分割する方法が提案されている(例えば、特開平10−305420号公報参照)。   On the other hand, in recent years, a laser processing groove is formed by irradiating a wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that absorbs the wafer, and the wafer is cut along the laser processing groove by a breaking device. A method of dividing into devices has been proposed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-305420).

レーザ加工装置によるレーザ加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやSiC等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば10μm以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ1枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。   The formation of the laser processing groove by the laser processing apparatus can increase the processing speed as compared with the dicing method using the dicer, and relatively easily processes even a wafer made of a material having high hardness such as sapphire or SiC. be able to. In addition, since the processing groove can be made to have a narrow width of, for example, 10 μm or less, the amount of devices taken per wafer can be increased as compared with the case of processing by the dicing method.

ところが、ウエーハにパルスレーザビームを照射すると、パルスレーザビームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生する。このデブリがデバイス表面に付着するとデバイスの品質を低下させるという問題が生じる。   However, when the wafer is irradiated with a pulse laser beam, debris is generated due to concentration of thermal energy in the region irradiated with the pulse laser beam. When this debris adheres to the device surface, there arises a problem that the quality of the device is lowered.

そこで、例えば特開2004−322168号公報又は特開2007−201178号公報には、このようなデブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にPVA(ポリビニルアルコール)、PEG(ポリエチレングリコール)等の水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆し、この保護膜を通してウエーハにパルスレーザビームを照射するようにしたレーザ加工装置が提案されている。   Therefore, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-322168 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-201178 discloses a PVA (polyvinyl alcohol), PEG (polyethylene glycol) or the like on the processed surface of the wafer in order to solve such a problem caused by debris. There has been proposed a laser processing apparatus in which a water-soluble resin is applied to cover a protective film and a wafer is irradiated with a pulsed laser beam through the protective film.

特開平10−305420号公報JP-A-10-305420 特開2004−322168号公報JP 2004-322168 A 特開2007−201178号公報JP 2007-2011178 A

ところが、特許文献2に開示された装置では、液状樹脂がスピンナテーブルに保持されたウエーハの加工面に供給された後、スピンナテーブルの回転に伴う遠心力によってウエーハ外周に移動されることでウエーハの加工面全面に液状樹脂が塗布される、所謂スピンコート法を用いてウエーハの加工面上に保護膜が形成されている。   However, in the apparatus disclosed in Patent Document 2, after the liquid resin is supplied to the processing surface of the wafer held by the spinner table, it is moved to the outer periphery of the wafer by the centrifugal force accompanying the rotation of the spinner table. A protective film is formed on the processed surface of the wafer using a so-called spin coating method in which a liquid resin is applied to the entire processed surface.

しかし、このようなスピンコート法による保護膜の形成では、供給した液状樹脂の90%以上が飛散して廃棄されてしまうので、非常に不経済であるという問題がある。   However, the formation of the protective film by such a spin coating method has a problem that it is very uneconomical because 90% or more of the supplied liquid resin is scattered and discarded.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、経済的に液状樹脂の塗布を可能とする液状樹脂塗布装置を提供することである。   This invention is made | formed in view of such a point, The place made into the objective is providing the liquid resin coating device which enables application | coating of liquid resin economically.

本発明によると、板状物に液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布装置であって、板状物を回転可能に保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された板状物の露出面に液状樹脂を供給する液成樹脂供給ノズルと、該液状樹脂供給ノズルに連通する液状樹脂供給源とを有する液状樹脂供給手段と、該保持テーブルを包囲して配設された底部に排液口を有する液体受け容器と、該液体受け容器に溜まった液状樹脂を該排液口から該液状樹脂供給源に回収する回収路と、を具備したことを特徴とする液状樹脂塗布装置が提供される。   According to the present invention, there is provided a liquid resin coating apparatus for applying a liquid resin to a plate-like material, the holding table rotatably holding the plate-like material, and a liquid on the exposed surface of the plate-like material held by the holding table. A liquid resin supply means having a liquid resin supply nozzle for supplying resin, a liquid resin supply source communicating with the liquid resin supply nozzle, and a drain port at a bottom portion surrounding the holding table. There is provided a liquid resin coating apparatus comprising: a liquid receiving container; and a recovery path for recovering the liquid resin accumulated in the liquid receiving container from the drain port to the liquid resin supply source.

好ましくは、液状樹脂塗布装置は、前記保持テーブルに保持された板状物の前記露出面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、該洗浄液ノズルに連通する洗浄液供給源とを有する洗浄液供給手段と、前記排液口から排液を排出する排液路と、該排液口を該回収路又は該排液路に選択的に連通させる切替手段とを更に具備している。   Preferably, the liquid resin coating device includes a cleaning liquid nozzle that supplies a cleaning liquid to the exposed surface of the plate-like object held by the holding table, and a cleaning liquid supply unit that communicates with the cleaning liquid nozzle, A drainage path for draining the drainage from the drainage port, and switching means for selectively communicating the drainage port with the recovery path or the drainage path are further provided.

本発明の液状樹脂塗布装置では、スピンコートによって飛散した液状樹脂は回収路を介して液状樹脂供給源に回収されるので、液状樹脂の再利用が可能であり非常に経済的である。   In the liquid resin coating apparatus of the present invention, since the liquid resin scattered by spin coating is recovered to the liquid resin supply source via the recovery path, the liquid resin can be reused and is very economical.

また、洗浄液供給手段及び切替手段を備えた構成では、板状物を洗浄した際に発生する排液は廃棄し、液状樹脂塗布時に飛散した液状樹脂のみ再利用することが可能となるため、レーザ加工装置に組み込むことによりその利用価値が大きくなる。   Further, in the configuration provided with the cleaning liquid supply means and the switching means, the waste liquid generated when the plate-like object is cleaned can be discarded and only the liquid resin scattered during the liquid resin application can be reused. By incorporating it into a processing device, its utility value increases.

レーザ加工装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of a laser processing apparatus. ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the wafer supported by the annular frame via the dicing tape. レーザビーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. 液状樹脂塗布装置の一部破断斜視図である。It is a partially broken perspective view of a liquid resin coating device. スピンナテーブルが上昇されてウエーハがスピンナテーブルに保持された状態の液状樹脂塗布装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the liquid resin coating device in a state where the spinner table is raised and the wafer is held on the spinner table.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の液状樹脂塗布装置を具備し、ウエーハをレーザ加工して個々のチップ(デバイス)に分割することのできるレーザ加工装置2の斜視図が示されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a laser processing apparatus 2 that includes the liquid resin coating apparatus of the present invention and can divide a wafer into individual chips (devices) by laser processing.

レーザ加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。   On the front side of the laser processing apparatus 2, operation means 4 is provided for an operator to input instructions to the apparatus such as processing conditions. In the upper part of the apparatus, there is provided a display means 6 such as a CRT for displaying a guidance screen for an operator and an image taken by an imaging means described later.

図2に示すように、加工対象の半導体ウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交されて形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。   As shown in FIG. 2, on the surface of the semiconductor wafer W to be processed, the first street S1 and the second street S2 are formed to be orthogonal to each other, and the first street S1 and the second street S2 are formed. A number of devices D are formed in a region partitioned by.

ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。   The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the annular frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the wafer cassette 8 shown in FIG. The wafer cassette 8 is placed on a cassette elevator 9 that can move up and down.

ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8からレーザ加工前のウエーハWを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。   Behind the wafer cassette 8, loading / unloading means 10 is provided for unloading the wafer W before laser processing from the wafer cassette 8 and loading the processed wafer into the wafer cassette 8.

ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。   Between the wafer cassette 8 and the loading / unloading means 10, a temporary placement area 12, which is an area on which a wafer to be loaded / unloaded is temporarily placed, is provided. A wafer W is fixed in the temporary placement area 12. Positioning means 14 for positioning to the position of is arranged.

30は液状樹脂塗布装置であり、この液状樹脂塗布装置30は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。   Reference numeral 30 denotes a liquid resin coating device. The liquid resin coating device 30 also serves as a cleaning device for cleaning the processed wafer. In the vicinity of the temporary placement region 12, a transport unit 16 having a turning arm that sucks and transports the frame F integrated with the wafer W is disposed.

仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されて液状樹脂塗布装置30に搬送される。液状樹脂塗布装置30は、後で詳細に説明するようにウエーハWの加工面に液状樹脂を塗布して保護膜を被覆する。   The wafer W carried out to the temporary placement area 12 is adsorbed by the conveying means 16 and conveyed to the liquid resin coating device 30. The liquid resin coating apparatus 30 coats a protective film by applying a liquid resin to the processed surface of the wafer W as will be described in detail later.

加工面に保護膜が被覆されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段(クランプ)19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。   The wafer W whose processing surface is coated with a protective film is attracted by the conveying means 16 and conveyed onto the chuck table 18 and is sucked by the chuck table 18, and the frame F is fixed by a plurality of fixing means (clamps) 19. As a result, the chuck table 18 is held.

チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWのレーザ加工すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。   The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, an alignment unit 20 that detects a street of the wafer W to be laser processed. Is arranged.

アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。   The alignment unit 20 includes an imaging unit 22 that images the surface of the wafer W, and can detect a street to be laser processed by image processing such as pattern matching based on an image acquired by imaging. The image acquired by the imaging unit 22 is displayed on the display unit 6.

アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24が配設されている。レーザビーム照射ユニット24はY軸方向に移動可能である。   A laser beam irradiation unit 24 that irradiates the wafer W held on the chuck table 18 with a laser beam is disposed on the left side of the alignment means 20. The laser beam irradiation unit 24 is movable in the Y axis direction.

レーザビーム照射ユニット24のケーシング26中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング26の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器(レーザヘッド)28が装着されている。   The casing 26 of the laser beam irradiation unit 24 accommodates laser beam oscillation means and the like which will be described in detail later, and a condenser (a light collector for condensing the laser beam on the wafer to be processed) at the tip of the casing 26. A laser head) 28 is attached.

レーザビーム照射ユニット24のケーシング26内には、図3のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段34と、レーザビーム変調手段36が配設されている。   In the casing 26 of the laser beam irradiation unit 24, a laser beam oscillation means 34 and a laser beam modulation means 36 are disposed as shown in the block diagram of FIG.

レーザビーム発振手段34としては、YAGレーザ発振器或いはYVO4レーザ発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段36は、繰り返し周波数設定手段38と、レーザビームパルス幅設定手段40と、レーザビーム波長設定手段42を含んでいる。   As the laser beam oscillation means 34, a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator can be used. The laser beam modulating unit 36 includes a repetition frequency setting unit 38, a laser beam pulse width setting unit 40, and a laser beam wavelength setting unit 42.

レーザビーム変調手段36を構成する繰り返し周波数設定手段38、レーザビームパルス幅設定手段40及びレーザビーム波長設定手段42は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。   The repetition frequency setting means 38, the laser beam pulse width setting means 40, and the laser beam wavelength setting means 42 constituting the laser beam modulation means 36 are of known forms, and detailed description thereof is omitted in this specification.

レーザビーム照射ユニット24によりレーザ加工が終了したウエーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により保持されて洗浄装置を兼用する液状樹脂塗布装置30まで搬送される。液状樹脂塗布装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハを洗浄する。   The wafer W that has been subjected to laser processing by the laser beam irradiation unit 24 is moved by the chuck means 18 in the X-axis direction and is then held by the conveying means 32 that can move in the Y-axis direction. It is conveyed to the device 30. The liquid resin coating apparatus 30 cleans the wafer by rotating the wafer W at a low speed (for example, 300 rpm) while spraying water from the cleaning nozzle.

洗浄後、ウエーハWを高速回転(例えば2000rpm)させながらエアノズルからエアを噴出させてウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWは戻される。   After cleaning, the wafer W is dried at a high speed (for example, 2000 rpm) by blowing air from the air nozzle to dry the wafer W, and then the wafer W is adsorbed by the conveying means 16 and returned to the temporary storage area 12, and then the loading / unloading means 10, the wafer W is returned to the original storage location of the wafer cassette 8.

次に、図4及び図5を参照して、本発明実施形態に係る液状樹脂塗布装置30の詳細構造について説明する。まず図4を参照すると、液状樹脂塗布装置30の一部破断斜視図が示されている。   Next, with reference to FIG.4 and FIG.5, the detailed structure of the liquid resin coating device 30 which concerns on this embodiment is demonstrated. First, referring to FIG. 4, a partially broken perspective view of the liquid resin coating device 30 is shown.

液状樹脂塗布装置30は、スピンナテーブル機構44と、スピンナテーブル機構44を包囲して配設された液体受け機構46を具備している。スピンナテーブル機構44は、スピンナテーブル(保持テーブル)48と、スピンナテーブル48を回転駆動する電動モータ50と、電動モータ50を上下方向に移動可能に支持する支持機構52とから構成される。   The liquid resin coating device 30 includes a spinner table mechanism 44 and a liquid receiving mechanism 46 disposed so as to surround the spinner table mechanism 44. The spinner table mechanism 44 includes a spinner table (holding table) 48, an electric motor 50 that rotationally drives the spinner table 48, and a support mechanism 52 that supports the electric motor 50 so as to be movable in the vertical direction.

スピンナテーブル48は多孔性材料から形成された吸着チャック(保持面)48aを具備しており、吸着チャック48aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル48は、吸着チャック48aにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック48a上にウエーハを吸引保持する。   The spinner table 48 includes a suction chuck (holding surface) 48a formed of a porous material, and the suction chuck 48a communicates with suction means (not shown). Accordingly, the spinner table 48 holds the wafer on the suction chuck 48a by placing the wafer on the suction chuck 48a and applying a negative pressure by suction means (not shown).

スピンナテーブル48には振り子タイプの一対のクランプ49が配設されており、スピンナテーブル48が回転されるとこのクランプ49が遠心力で揺動して図2に示す環状フレームFをクランプする。   The spinner table 48 is provided with a pair of pendulum type clamps 49. When the spinner table 48 is rotated, the clamp 49 swings by a centrifugal force to clamp the annular frame F shown in FIG.

スピンナテーブル48は、電動モータ50の出力軸50aに連結されている。支持機構52は、複数の(本実施形態においては3本)の支持脚54と、支持脚54にそれぞれ連結され電動モータ50に取り付けられた複数(本実施形態においては3本)のエアシリンダ56とから構成される。   The spinner table 48 is connected to the output shaft 50 a of the electric motor 50. The support mechanism 52 includes a plurality of (three in the present embodiment) support legs 54 and a plurality of (three in the present embodiment) air cylinders 56 respectively connected to the support legs 54 and attached to the electric motor 50. It consists of.

このように構成された支持機構52は、エアシリンダ56を作動することにより、電動モータ50及びスピンナテーブル48を図5に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図示しない下降位置である作業位置に位置付け可能である。   The support mechanism 52 configured as described above operates the air cylinder 56 to operate the electric motor 50 and the spinner table 48 at the wafer loading / unloading position, which is the rising position shown in FIG. Can be positioned.

液体受け機構46は、液体受け容器58と、液体受け容器58を支持する3本(図4には2本のみ図示)の支持脚60と、電動モータ50の出力軸50aに装着されたカバー部材62とから構成される。   The liquid receiving mechanism 46 includes a liquid receiving container 58, three support legs 60 that support the liquid receiving container 58 (only two are shown in FIG. 4), and a cover member that is attached to the output shaft 50a of the electric motor 50. 62.

液体受け容器58は、図5に示すように、円筒状の外側壁58aと、底壁58bと、内側壁58cとから構成される。底壁58bの中央部には、電動モータ50の出力軸50aが挿入される穴51が設けられており、内側壁58cはこの穴51の周辺から上方に突出するように形成されている。   As shown in FIG. 5, the liquid receiving container 58 includes a cylindrical outer wall 58a, a bottom wall 58b, and an inner wall 58c. A hole 51 into which the output shaft 50a of the electric motor 50 is inserted is provided at the center of the bottom wall 58b, and the inner wall 58c is formed so as to protrude upward from the periphery of the hole 51.

また、図4に示すように、底壁58bには廃液口59が設けられており、この廃液口59にドレンホース64が接続されている。カバー部材62は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部62aを備えている。   As shown in FIG. 4, a waste liquid port 59 is provided on the bottom wall 58 b, and a drain hose 64 is connected to the waste liquid port 59. The cover member 62 is formed in a disc shape, and includes a cover portion 62a that protrudes downward from the outer periphery thereof.

このように構成されたカバー部材62は、電動モータ50及びスピンナテーブル48が作業位置に位置付けられると、カバー部62aが液体受け容器58を構成する内側壁58cの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。   When the electric motor 50 and the spinner table 48 are positioned at the working position, the cover member 62 configured in this manner is overlapped so that the cover portion 62a overlaps the outside of the inner wall 58c constituting the liquid receiving container 58 with a gap. Positioned on.

液状樹脂塗布装置30は、スピンナテーブル48に保持された加工前のウエーハWに液状樹脂を塗布する塗布手段66を具備している。塗布手段66は、スピンナテーブル48に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を供給する液状樹脂供給ノズル68と、液状樹脂供給ノズル68を支持する概略L形状のアーム70と、アーム70に支持された液状樹脂供給ノズル68を揺動する正転・逆転可能な電動モータ72とから構成される。液状樹脂供給ノズル68はアーム70を介して液状樹脂供給源90に接続されている。   The liquid resin coating apparatus 30 includes a coating unit 66 for coating the liquid resin on the unprocessed wafer W held on the spinner table 48. The application unit 66 includes a liquid resin supply nozzle 68 that supplies a liquid resin toward the processed surface of the unprocessed wafer held by the spinner table 48, a generally L-shaped arm 70 that supports the liquid resin supply nozzle 68, An electric motor 72 capable of normal / reverse rotation that swings the liquid resin supply nozzle 68 supported by the arm 70 is configured. The liquid resin supply nozzle 68 is connected to a liquid resin supply source 90 via an arm 70.

液状樹脂塗布装置30はレーザ加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、液状樹脂塗布装置30は、スピンナテーブル48に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段74及びエア供給手段76を具備している。   The liquid resin coating device 30 also serves as a cleaning device for cleaning the wafer after laser processing. Therefore, the liquid resin coating apparatus 30 includes a cleaning water supply unit 74 and an air supply unit 76 for cleaning the processed wafer held by the spinner table 48.

洗浄水供給手段74は、スピンナテーブル48に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル78と、洗浄水ノズル78を支持するアーム80と、アーム80に支持された洗浄水ノズル78を揺動する正転・逆転可能な電動モータ82とから構成される。洗浄水ノズル78はアーム80を介して洗浄水供給源92に接続されている。   The cleaning water supply means 74 includes a cleaning water nozzle 78 that ejects cleaning water toward the processed wafer held by the spinner table 48, an arm 80 that supports the cleaning water nozzle 78, and a cleaning that is supported by the arm 80. An electric motor 82 that can rotate forward and reverse is provided to swing the water nozzle 78. The cleaning water nozzle 78 is connected to the cleaning water supply source 92 via the arm 80.

エア供給手段76は、スピンナテーブル48に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアを噴出するエアノズル84と、エアノズル84を支持するアーム86と、アーム86に支持されたエアノズル84を揺動する正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えている。エアノズル84はアーム86を介して図示しないエア供給源に接続されている。   The air supply means 76 includes an air nozzle 84 that blows air toward the cleaned wafer held by the spinner table 48, an arm 86 that supports the air nozzle 84, and a positive that swings the air nozzle 84 that is supported by the arm 86. An electric motor (not shown) capable of rotating and reversing is provided. The air nozzle 84 is connected to an air supply source (not shown) via an arm 86.

排液口59に接続されたドレンホース64は切替弁等の切替手段94により回収路96或いは排液路98に選択的に接続される。回収路96は液状樹脂供給源90に接続されており、排液路98は排液タンク100に接続されている。   The drain hose 64 connected to the drainage port 59 is selectively connected to the recovery path 96 or the drainage path 98 by switching means 94 such as a switching valve. The recovery path 96 is connected to the liquid resin supply source 90, and the drainage path 98 is connected to the drainage tank 100.

次に、このように構成された液状樹脂塗布装置30の作用について説明する。ウエーハ搬送手段16の旋回動作によって加工前のウエーハが液状樹脂塗布装置30のスピンナテーブル48に搬送され、図5に示すように吸着チャック48aにより吸引保持される。   Next, the operation of the liquid resin coating apparatus 30 configured as described above will be described. The wafer before processing is transported to the spinner table 48 of the liquid resin coating device 30 by the turning motion of the wafer transport means 16, and is sucked and held by the suction chuck 48a as shown in FIG.

この時、液状樹脂供給ノズル68、洗浄水ノズル78及びエアノズル84は図4及び図5に示すように、スピンナテーブル48の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。   At this time, the liquid resin supply nozzle 68, the washing water nozzle 78, and the air nozzle 84 are positioned at a standby position separated from above the spinner table 48, as shown in FIGS.

次いで、エアシリンダ56を作動してスピンナテーブル48を下降して、スピンナテーブル48をカバー部62aが液体受け容器58を構成する内周壁58cの外側に隙間をもって重合する作業位置に位置づける。   Next, the air cylinder 56 is actuated to lower the spinner table 48, and the spinner table 48 is positioned at a working position where the cover portion 62 a overlaps the outside of the inner peripheral wall 58 c constituting the liquid receiving container 58 with a gap.

スピンナテーブル48を作業位置に位置づけたならば、スピンナテーブル48を30〜50rpmで回転させながら、ウエーハWの加工面の中央領域に液状樹脂供給ノズル68から液状樹脂を滴下する。   If the spinner table 48 is positioned at the work position, the liquid resin is dropped from the liquid resin supply nozzle 68 onto the central region of the processing surface of the wafer W while the spinner table 48 is rotated at 30 to 50 rpm.

スピンナテーブル48が回転されているため、滴下された液状樹脂はウエーハWの加工面にスピンコーティングされ、ウエーハWの加工面には保護膜が形成される。保護膜の厚さは0.5〜10μm程度が好ましい。   Since the spinner table 48 is rotated, the dropped liquid resin is spin-coated on the processed surface of the wafer W, and a protective film is formed on the processed surface of the wafer W. The thickness of the protective film is preferably about 0.5 to 10 μm.

このスピンコート法によると、ウエーハWの加工面の中央領域に滴下された液状樹脂の大部分は、スピンナテーブル48の回転により飛散されて液体受け容器58に収容される。   According to this spin coating method, most of the liquid resin dropped on the central region of the processed surface of the wafer W is scattered by the rotation of the spinner table 48 and accommodated in the liquid receiving container 58.

ウエーハWの加工面への液状樹脂塗布時には、ドレンホース64は切替手段94により回収路96に接続するように切り替えられている。よって、液体受け容器58に収容された飛散した液状樹脂は、排液口59、ドレンホース64及び回収路96を介して液状樹脂供給源90に回収される。   When the liquid resin is applied to the processed surface of the wafer W, the drain hose 64 is switched by the switching means 94 so as to be connected to the recovery path 96. Therefore, the scattered liquid resin accommodated in the liquid receiving container 58 is recovered by the liquid resin supply source 90 through the drain port 59, the drain hose 64, and the recovery path 96.

このように本実施形態の液状樹脂塗布装置30によれば、スピンコート時に飛散された液状樹脂の大部分は回収路96を介して液状樹脂供給源90に回収され、液状樹脂の再利用が可能であるため、非常に経済的である。   As described above, according to the liquid resin coating apparatus 30 of the present embodiment, most of the liquid resin scattered during the spin coating is recovered to the liquid resin supply source 90 via the recovery path 96, and the liquid resin can be reused. Therefore, it is very economical.

半導体ウエーハWの表面に保護膜が被覆されたならば、スピンナテーブル48を図5に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナテーブル48に保持されているウエーハの吸引保持を解除する。   If the surface of the semiconductor wafer W is coated with the protective film, the spinner table 48 is positioned at the wafer loading / unloading position shown in FIG. 5 and the suction and holding of the wafer held on the spinner table 48 is released.

そして、スピンナテーブル48上のウエーハWは、ウエーハ搬送手段16によってチャックテーブル18に搬送され、チャックテーブル18により吸引保持される。さらに、チャックテーブル18がX軸方向に移動してウエーハWは撮像手段22の直下に位置付けられる。   The wafer W on the spinner table 48 is transported to the chuck table 18 by the wafer transport means 16 and sucked and held by the chuck table 18. Further, the chuck table 18 moves in the X-axis direction, and the wafer W is positioned immediately below the imaging means 22.

撮像手段22でウエーハWの加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24の集光器28とストリートSとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。   Image processing such as pattern matching for aligning the condenser 28 and the street S of the laser beam irradiation unit 24 that irradiates the laser beam by imaging the processing area of the wafer W by the imaging means 22 is executed. The alignment of the laser beam irradiation position is performed.

このようにして、チャックテーブル18上に保持されているウエーハWのストリートS1又はS2を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル18をレーザビームを照射する集光器28が位置するレーザビーム照射領域に移動し、ウエーハWのストリートS1又はS2に沿って集光器28からレーザビームを保護膜を通して照射する。   In this way, if the street S1 or S2 of the wafer W held on the chuck table 18 is detected and the alignment of the laser beam irradiation position is performed, the condenser that irradiates the chuck table 18 with the laser beam. It moves to the laser beam irradiation area | region where 28 is located, and irradiates a laser beam from the collector 28 along the street S1 or S2 of the wafer W through a protective film.

レーザビーム照射工程においては、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24の集光器28からウエーハWの加工面である表面側から保護膜を通して所定のストリートSに向けてパルスレーザビームを照射しながら、チャックテーブル18をX軸方向に所定の送り速度(例えば100mm/秒)で移動する。   In the laser beam irradiation step, a pulse laser beam is irradiated from the condenser 28 of the laser beam irradiation unit 24 for irradiating the laser beam toward the predetermined street S through the protective film from the surface side that is the processing surface of the wafer W The chuck table 18 is moved in the X-axis direction at a predetermined feed rate (for example, 100 mm / second).

尚、レーザ加工条件は例えば以下の通りである。   The laser processing conditions are as follows, for example.

光源 :YAGレーザ
波長 :355nm(YAGレーザの第3高調波)
出力 :3.0W
繰り返し周波数 :20kHz
集光スポット径 :1.0μm
送り速度 :100mm/秒
Light source: YAG laser Wavelength: 355 nm (third harmonic of YAG laser)
Output: 3.0W
Repetition frequency: 20 kHz
Condensing spot diameter: 1.0 μm
Feeding speed: 100 mm / second

レーザビーム照射工程を実施することによって、ウエーハWにはストリートSに沿ってレーザ加工溝が形成される。この時、レーザビームの照射によりデブリが発生しても、このデブリは保護膜によって遮断され、デバイスDの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。   By performing the laser beam irradiation process, a laser processing groove is formed along the street S on the wafer W. At this time, even if debris is generated by the laser beam irradiation, the debris is blocked by the protective film and does not adhere to the electronic circuit of the device D, the bonding pad, and the like.

このようにして、ウエーハWにレーザ加工溝を形成したら、チャックテーブル18は最初にウエーハWを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハWの吸引保持を解除する。そして、ウエーハWは搬送手段32によって液状樹脂塗布装置30のスピンナテーブル48に搬送され、吸着チャック48aに吸引保持される。   When the laser processing groove is formed on the wafer W in this way, the chuck table 18 is first returned to the position where the wafer W is sucked and held, and here, the wafer W is released from sucking and holding. Then, the wafer W is transported to the spinner table 48 of the liquid resin coating device 30 by the transport means 32, and is sucked and held by the suction chuck 48a.

この時、液状樹脂供給ノズル68、洗浄水ノズル78及びエアノズル84は、図4及び図5に示すようにスピンナテーブル48の上方から隔離した待機位置に位置づけられている。   At this time, the liquid resin supply nozzle 68, the washing water nozzle 78, and the air nozzle 84 are positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 48 as shown in FIGS.

そして、洗浄水供給源92とエア源に接続された洗浄水ノズル78から純水とエアとからなる洗浄水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハWを洗浄する。   The wafer W is cleaned by rotating the wafer W at a low speed (for example, 300 rpm) while spraying cleaning water composed of pure water and air from the cleaning water supply source 92 and the cleaning water nozzle 78 connected to the air source.

その結果、ウエーハWの表面に被覆されていた保護膜は水溶性の樹脂によって形成されているので、保護膜を容易に洗い流すことができるとともに、レーザ加工時に発生したデブリも除去される。   As a result, since the protective film coated on the surface of the wafer W is formed of a water-soluble resin, the protective film can be easily washed away and debris generated during laser processing is also removed.

ウエーハWの洗浄時には、ドレンホース64は切替手段94により排液路98に接続されている。よって、ウエーハWを洗浄した後の排液は、排液口59、ドレンホース64及び排液路98を介して排液タンク100に排出される。   When cleaning the wafer W, the drain hose 64 is connected to the drainage path 98 by the switching means 94. Therefore, the drainage liquid after cleaning the wafer W is discharged to the drainage tank 100 via the drainage port 59, the drain hose 64, and the drainage path 98.

洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル78を待機位置に位置付けるとともに、エアノズル84の噴出口をスピンナテーブル48上に保持されたウエーハWの外周部上方に位置付ける。   When the cleaning process is completed, a drying process is performed. That is, the cleaning water nozzle 78 is positioned at the standby position, and the outlet of the air nozzle 84 is positioned above the outer peripheral portion of the wafer W held on the spinner table 48.

そして、スピンナテーブル48を例えば3000rpmで回転しつつエアノズル84からスピンナテーブル48に保持されているウエーハWに向けてエアを噴出する。この時、エアノズル84から噴出されたエアがスピンナテーブル48に保持されたウエーハWの外周部に当たる位置から中心部に当たる位置までの揺動範囲で揺動される。その結果、ウエーハWの表面が乾燥される。   Then, air is ejected from the air nozzle 84 toward the wafer W held on the spinner table 48 while rotating the spinner table 48 at, for example, 3000 rpm. At this time, the air ejected from the air nozzle 84 is swung within a swing range from a position where it hits the outer peripheral portion of the wafer W held by the spinner table 48 to a position where it hits the center portion. As a result, the surface of the wafer W is dried.

ウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWは戻される。   After the wafer W is dried, the wafer W is adsorbed by the conveying means 16 and returned to the temporary storage area 12, and the wafer W is returned to the original storage location of the wafer cassette 8 by the carry-in / out means 10.

このようにストリートSに沿ったレーザ加工溝が形成されたウエーハWは、次いで、ブレーキング装置(エキスパンド装置)に装着されて、ダイシングテープTを半径方向に拡張することにより、ウエーハWはレーザ加工溝に沿って個々のデバイスDに分割される。   The wafer W formed with the laser processing groove along the street S in this manner is then mounted on a braking device (expanding device) and the dicing tape T is expanded in the radial direction, so that the wafer W is laser processed. Divided into individual devices D along the groove.

2 レーザ加工装置
18 チャックテーブル
24 レーザビーム照射ユニット
28 集光器
30 液状樹脂塗布装置
48 スピンナテーブル
66 液状樹脂塗布手段
68 液状樹脂供給ノズル
74 洗浄手段
78 洗浄水ノズル
76 乾燥手段
84 エアノズル
2 Laser processing apparatus 18 Chuck table 24 Laser beam irradiation unit 28 Condenser 30 Liquid resin coating apparatus 48 Spinner table 66 Liquid resin coating means 68 Liquid resin supply nozzle 74 Cleaning means 78 Washing water nozzle 76 Drying means 84 Air nozzle

Claims (2)

板状物に液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布装置であって、
板状物を回転可能に保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された板状物の露出面に液状樹脂を供給する液成樹脂供給ノズルと、該液状樹脂供給ノズルに連通する液状樹脂供給源とを有する液状樹脂供給手段と、
該保持テーブルを包囲して配設された底部に排液口を有する液体受け容器と、
該液体受け容器に溜まった液状樹脂を該排液口から該液状樹脂供給源に回収する回収路と、
を具備したことを特徴とする液状樹脂塗布装置。
A liquid resin coating apparatus for applying a liquid resin to a plate-like object,
A holding table that rotatably holds the plate-like object;
A liquid resin supply means having a liquid resin supply nozzle for supplying a liquid resin to the exposed surface of the plate-like object held by the holding table, and a liquid resin supply source communicating with the liquid resin supply nozzle;
A liquid receiving container having a drainage port at the bottom disposed surrounding the holding table;
A recovery path for recovering the liquid resin collected in the liquid receiving container from the drainage port to the liquid resin supply source;
A liquid resin coating apparatus comprising:
前記保持テーブルに保持された板状物の前記露出面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、該洗浄液ノズルに連通する洗浄液供給源とを有する洗浄液供給手段と、
前記排液口から排液を排出する排液路と、
該排液口を該回収路又は該排液路に選択的に連通させる切替手段とを更に具備したことを特徴とする請求項1記載の液状樹脂塗布装置。
A cleaning liquid supply means having a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the exposed surface of the plate-like object held by the holding table, and a cleaning liquid supply source communicating with the cleaning liquid nozzle;
A drainage path for draining drainage from the drainage port;
The liquid resin coating apparatus according to claim 1, further comprising switching means for selectively communicating the drain port with the recovery path or the drain path.
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