JP2011131475A - 光プリントヘッドおよび画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 手間のかかる作製工程を経ることなく発光素子アレイ同士の繋ぎ目からの接着剤の噴き出しを抑制し、かつ、発光素子アレイのサブピーク光のばらつきを低減できるプリントヘッドを提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板の裏面は、接着剤が設けられた内側領域と、前記接着剤が設けられていない外側領域と、から構成され、前記化合物半導体基板は、発光素子からの光により励起されて発光する直接遷移型の化合物半導体基板であり、前記接着剤は、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収し、前記外側領域上に設けられ、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収する光吸収層を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 化合物半導体基板の裏面は、接着剤が設けられた内側領域と、前記接着剤が設けられていない外側領域と、から構成され、前記化合物半導体基板は、発光素子からの光により励起されて発光する直接遷移型の化合物半導体基板であり、前記接着剤は、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収し、前記外側領域上に設けられ、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収する光吸収層を有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子写真プリンター等の露光手段として用いられる光プリントヘッドおよび画像形成装置に関する。
電子写真プリンター等の露光手段として用いられる光プリントヘッドは、例えば、所定パターンの配線導体が被着されているプリント基板の上面に、複数個の発光素子アレイを実装させた構造を有している。これらの発光素子アレイの各発光素子に外部からの印画信号に基づいて所定の電力を印加し、発光素子を個々に選択的に発光させる。そして、発光した光を、レンズを介して外部の感光体ドラム上に照射させ、感光体ドラムの表面に所定の潜像を形成し、それを現像した後用紙等に転写する。
通常、発光素子アレイをプリント基板に接着するために、接着剤の液状体をプリント基板の上面の所定領域に塗布し、塗布面に発光素子アレイを押圧した状態で前記接着剤に含まれる樹脂成分を熱硬化させ取り付ける。
発光素子アレイをプリント基板上に接着剤で固定させる際、この接着剤の量が多いと発光素子アレイの重量、加重に押された余分の接着剤が毛細管現象等により発光素子アレイ同士の繋ぎ目から噴き出し、発光素子アレイの上面に流れこんで発光素子を覆うことで発光強度を低下させたり、継続使用により接着剤が変色し当該変色した接着剤により発光素子アレイの発光強度が部分的に変化したり、ワイヤボンド用パッドに流れ込んでワイヤの付きが悪くなったりしていた。
例えば、特許文献1に記載されたLEDプリントヘッドによれば、LEDアレイの下面の外縁周部に枠状部が設けられ、当該枠状部の内部に接着剤が充填される。これにより、ダイマウント時における発光素子アレイ同士の繋ぎ目からの接着剤の噴き出しを低下することができる。
しかし特許文献1に記載のプリントヘッドでは、発光素子アレイの外周部に枠状部を別途設ける必要があった。
枠状部を設けずに接着剤の噴き出しを防止するための方法としては、発光素子アレイをプリント基板に接着した際、発光素子アレイの外周部まで広がらないように接着剤を設ける手法が挙げられるが、この手法により得られた光プリントヘッド内の発光素子アレイを構成する発光素子にとって、発光素子アレイの外周部および中央部で、プリントヘッドの裏面側の環境が異なる。具体的に、発光素子アレイの裏面側の中央部には接着剤が設けられているが、発光素子アレイの裏面側の外周部には接着剤が設けられていない。この構成で生じる課題は以下のとおりである。
例えば、GaAs結晶等の基板上にAlXGa1−XAs等の半導体層を積層して発光素子の発光層が構成された場合、発光層からのメインピーク光の波長とは異なる波長帯にサブピーク光が生じる。そして、このサブピーク光は、前記基板を透過してプリント基板で反射する。
前述のAlXGa1−XAs等の半導体層が設けられたGaAs結晶等の基板を用い、かつ、発光素子アレイの外周部には接着剤を設けない場合、接着剤がサブピーク光を吸収すると、発光素子アレイを構成する発光素子のうち、発光素子アレイの外周部に設けられた発光素子およびそれ以外の発光素子のサブピーク光はそれぞれサブピーク強度にばらつきが生じる可能性がある。この発光素子アレイを、例えば、ページプリンタ用感光ドラムの露光光源等に用いる場合、印画ムラが生じる可能性があった。
本発明はこのような新規な課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光素子アレイ同士の繋ぎ目からの接着剤の噴き出しを抑制し、かつ、発光素子アレイのサブピーク光のばらつきを低減できる光プリントヘッドを提供することにある。
本発明の一実施形態にかかる光プリントヘッドは、プリント基板と、接着剤を介して前記プリント基板上に設けられた化合物半導体基板および前記化合物半導体基板上に複数設けられた発光素子を有する複数の発光素子アレイと、具備する光プリントヘッドであって、前記化合物半導体基板の裏面は、前記接着剤が設けられた内側領域と、前記接着剤が設けられていない外側領域と、から構成され、前記化合物半導体基板は、前記発光素子からの光により励起されて発光する直接遷移型の化合物半導体基板であり、前記接着剤は、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収し、前記発光素子が設けられた前記化合物半導体基板の表面の裏側の前記外側領域に設けられ、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収する光吸収層を有する。
前記光吸収層は前記内側領域にも設けられ、前記接着剤は前記光吸収層の下に設けられることが好ましい。
前記光吸収層は、前記接着剤の周囲を囲むように設けられる段部を有することが好ましい。
本発明の一実施形態にかかる画像形成装置は、前記光プリントヘッドと、前記発光素子アレイから出射される光が照射される電子写真感光体と、前記電子写真感光体に現像剤を供給する現像剤供給手段と、前記電子写真感光体に現像剤によって形成される画像を記録シートに転写する転写手段と、前記記録シートに転写される現像剤を定着させる定着手段と、を備える。
本実施形態によれば、化合物半導体基板の裏面であって接着剤が設けられていない外側領域に光吸収層を設けることにより、発光素子アレイ同士の繋ぎ目からの噴き出しを抑制し、かつ、発光素子アレイのサブピーク光のばらつきを低減できる。
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
図1に示すように、光プリントヘッド1は、プリント基板5と発光素子アレイ4とから構成される。そして、図1(A)におけるX−X’の断面図である図1(B)に示すように、光プリントヘッド1は、発光素子アレイ4を構成する化合物半導体基板2とプリント基板5との間に接着剤7を設けられている。
化合物半導体基板2の裏面のうち、接着剤7が設けられている領域を内側領域2aとし、接着剤7が設けられておらず、内側領域2aの外側に位置する領域を外側領域2bとする。具体的には、図1(B)に示すように、接着剤の端に接するように記載した2つの点線の内側を内側領域2a、外側を外側領域2bとする。
さらに、化合物半導体基板2のうち内側領域2aと反対側の主面、つまり表面側に位置する発光素子を内側発光素子3a、また、化合物半導体基板2のうち外側領域2bと反対側の主面、つまり表面側に位置する発光素子を外側発光素子3bとする。本発明の一実施態様における光プリントヘッド1は、化合物半導体基板2の表面側に内側発光素子3aおよび外側発光素子を設け、化合物半導体基板2の裏面側のうち、内側発光素子3aの裏面側である内側領域2aに接着剤7を設け、外側発光素子3bの裏面側である外側領域2bに光吸収層6を設ける。光吸収層6および接着剤7が設けられた発光素子アレイ4をプリント基板側から見た場合、図2に示すように、化合物半導体基板2の裏面のうち接着剤7が設けられていない領域に光吸収層6が設けられる。
接着剤7は、化合物半導体基板2とプリント基板5とを接着するだけでなく、外部からの光(例えば、発光素子3からの光)を受けて励起した化合物半導体基板2から発せられる光を吸収する役割をはたす。接着剤7としては、具体的に、エポキシ樹脂などの液状の樹脂が挙げられる。
接着剤7により、以下のようにして化合物半導体基板2とプリント基板5とを接着させる。
接着剤7を液状のまま、配線導体が被着されているプリント基板上面の中央付近に、従来周知の印刷技術やディスペンサー等を用いて塗布し、しかる後、裏面側に光吸収層6を有する複数個の発光素子アレイ4を接着剤7の塗布面に一列に並べる。そして、各発光素子アレイ4をプリント基板5側に押圧した状態で印加し、接着剤7中の樹脂を熱硬化させることによって発光素子アレイ4をプリント基板5の上面に取着する。
このようにして設けられた接着剤7の厚みは1〜3μmである。
また、光吸収層6は、前述した接着剤7の外側に設けられ、外部からの光(例えば、発光素子3からの光)を受けて励起した化合物半導体基板2から発せられる光を、接着剤7とともに吸収する役割をはたす。光吸収層6は特に、内側発光素子3aからの光により励起されて化合物半導体基板2の外側領域2bから発せられた光を吸収する。
光吸収層6としては、具体的に、アモルファスシリコン層、単結晶ゲルマニウム層、単結晶シリコン層などが挙げられる。とくに、発光素子への応力を抑制できる点で、光吸収層6としてはアモルファスシリコン層が好ましい。
光吸収層6が例えばアモルファスシリコン層である場合、化合物半導体基板2上に化学気相成長させることにより(CVD法)、光吸収層6を作製することができる。光吸収層6の厚みは1〜10μmである。
図1(B)の場合、外側領域2bだけでなく、内側領域2aにも光吸収層6を設け、内側領域2aにおける光吸収層6上に接着剤7を設ける構成をとっている。
接着剤7は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。このような接着剤7を用い、さらに、光吸収層6がアモルファスシリコン層である場合、接着剤7と光吸収層6との間の接着性が向上するため、上述のように、外側領域2bだけでなく、内側領域2aにも光吸収層6を設け、内側領域2aにおける光吸収層6上に接着剤7を設けることが好ましい。
また、光吸収層6中に空隙が存在しやすくなることで、接着剤7との間でアンカー効果を示すことができるため、光吸収層6の厚みは薄いほど(1〜4μm)好ましい。
光吸収層6の融点は接着剤7の融点よりも高いことが好ましい。これにより、図1(B)のように内側領域2aにおける光吸収層6上に接着剤7を設ける場合、接着剤7による接着工程時に光吸収層6が融けることを抑制し、さらに、発光素子3bからの熱が接着剤に伝達することを抑制する。
図1(B)に示す光プリントヘッド1とは別の実施形態として他に、図3に示すような光プリントヘッド1が挙げられる。図3に示す光プリントヘッド1は、化合物半導体基板2の外側領域2b上における光吸収層6に段部6aを有することが好ましい。段部6aは、接着剤7の周囲を囲むように設けられ、接着剤7が、化合物半導体基板2同士の繋ぎ目から噴き出すことを低減させる効果を示す。前述の効果が十分に得られることから、段部6aとプリント基板5とが接するように設けられることが好ましい。
以下に各構成について示す。
(プリント基板5)
プリント基板5は、如何なる材料から構成されても良いが、例えばガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料から構成されていることが好ましい。プリント基板5の上面は、複数個の配線導体、複数個の発光素子アレイ等を支持する。
プリント基板5は、如何なる材料から構成されても良いが、例えばガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料から構成されていることが好ましい。プリント基板5の上面は、複数個の配線導体、複数個の発光素子アレイ等を支持する。
(化合物半導体基板2)
本実施形態において化合物半導体基板2は、例えば、GaAs、InP、GaNのような化合物半導体基板2などが挙げられる。これらは直接遷移型の化合物半導体であり、特定の波長の光を吸収して励起され、長波長側の光を発する。
本実施形態において化合物半導体基板2は、例えば、GaAs、InP、GaNのような化合物半導体基板2などが挙げられる。これらは直接遷移型の化合物半導体であり、特定の波長の光を吸収して励起され、長波長側の光を発する。
例えば、化合物半導体基板2としてGaAsを用い、発光素子3としてAlGaAs(たとえば、Al0.3Ga0.7As)を用いた場合、発光素子3からは約770nmの吸収極大を示す発光が得られるが、化合物半導体基板2のGaAsがこの発光を吸収して励起し、サブピークとして約860nmの発光を示す。
化合物半導体基板の裏面は、内側領域2aと外側領域2bとから構成される。
(発光素子3)
発光素子3はp型半導体層およびn型半導体層から構成され、これらの半導体層は、例えば、GaAs系化合物などから形成される。
発光素子3はp型半導体層およびn型半導体層から構成され、これらの半導体層は、例えば、GaAs系化合物などから形成される。
p型半導体層およびn型半導体層は他に、窒化物半導体も用いることができる。ここで、窒化物半導体とは、例えば、元素周期律表におけるIIIB族(13族)元素の窒化物から構成される半導体をいう。IIIB族窒化物半導体は、化学式AlxGayIn(1−x−y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)で表すことができる。IIIB族窒化物半導体としては、たとえば、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)などが挙げられる。
発光素子3の厚みは、約3〜5μmであり、p型半導体層3aの厚みは約1〜3μm、およびn型半導体層3bの厚みは約1〜3μmである。
なお、発光素子3としてLEDを具体例として用いるが、発光素子3としては例えば、発光サイリスタを用いることも可能であることは言うまでもない。
また、発光素子3は、600dpiまたは1200dpiのいずれの解像度にも対応することも可能である。
発光素子3は、例えば周知の半導体製造技術によって製造することができる。具体的には、例えばGaAs系の発光素子3を製作する場合、まずAlGaAsから成る化合物半導体基板2を炉中にて高温に加熱するとともにAsH3とGaとAlを適量に含むガスを接触させて化合物半導体基板2の表面にn型半導体のAlGaAsの単結晶を成長させる。その後、引き続いてn型半導体のAlGaAs単結晶表面にSiNの窓付膜を被着させるとともに該窓部にZnのガスをさらし、n型半導体のAlGaAs単結晶の一部にZnを拡散させてp型半導体を形成することによってpn接合を形成する。
本発明の一実施態様の光プリントヘッド1には、上述以外に、発光素子3と電気的に接続した接続パッド8を設けることができる(具体的な配線は図示していない)。とくに、図1(A)に示すように、接続パッド8は、プリント基板5のうち発光素子3が設けられた側とは反対側に並べて設けられることが好ましい。
<画像形成装置15>
以下に本発明の実施態様の一つである画像形成装置15を示す。
以下に本発明の実施態様の一つである画像形成装置15を示す。
画像形成装置15は、光プリントヘッドと、電子写真感光体と、現像剤供給手段と、転写手段と、定着手段とを備える。現像剤供給手段は、電子写真感光体に現像剤を供給する。電子写真感光体は、円柱状の感光体ドラム90に含まれ、感光体ドラムの外側面の表面として形成される。電子写真感光体には、発光素子3から出射される光が照射される。転写手段は、画像を記録シートに転写する。記録シートに転写される画像は、電子写真感光体に、現像剤によって形成される。定着手段は、記録シートに転写される現像剤を定着させる。第1実施形態において、画像形成装置15は、電子写真方式の画像形成装置であり、複数の発光素子アレイを備える光プリントヘッド85を、感光体ドラム90への露光装置に使用している。光プリントヘッド85は、発光素子アレイ(不図示)および回路基板86(前述のプリント基板5)とともに、レンズアレイ88をさらに具備する。
画像形成装置15に対して、前述した光プリントヘッドを用いることにより、発光素子からのサブピーク光のばらつきを抑制することで、印画ムラの発生を抑制することができる。
画像形成装置15は、Y(イエロ)、M(マゼンタ)、C(シアン)、K(ブラック)の4色のカラー画像を形成するタンデム方式を採用した装置であり、大略的に、4つの発光素子アレイ1Y、11M、11C、11Kがそれぞれ実装された回路基板86Y、86M、86C、86K、集光手段であるレンズアレイ88Y、88M、88C、88Kおよびレンズアレイ88を保持する第1ホルダ89Y、89M、89C、89K、4つの感光体ドラム90Y、90M、90C、90K、4つの現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写手段である転写ベルト92、4つのクリーナ93Y、93M、93C、93K、4つの帯電器94Y、94M、94C、94K、定着手段95および制御手段96を含んで構成される。
プリント基板である各回路基板86に実装されている各発光素子アレイは、駆動手段(図示せず)によって各色のカラー画像情報に基づいて駆動される。発光素子アレイからの光は、光プリントヘッド85Y、85M、85C、85Kのレンズアレイ88Y、88M、88C、88Kを介して各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに集光して照射される。レンズアレイ88は、たとえば発光素子アレイからの光の光軸上にそれぞれ配置される複数のレンズを含み、これらのレンズを一体的に集約して構成される。
発光素子アレイが実装される回路基板86およびレンズアレイ88は、第1ホルダ89によって保持される。第1ホルダ89によって、発光素子アレイの光照射方向と、レンズアレイ88のレンズの光軸方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。
各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、たとえば円筒状の基体表面に感光体層を被着してなり、その外周面には光プリントヘッド85Y、85M、85C、85Kの各発光素子アレイ1Y、11M、11C、11Kからの光を受けて静電潜像が形成される静電潜像形成位置が設定される。
各感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kの周辺部には、各静電潜像形成位置を基準として回転方向下流側に向かって順番に、露光された感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに現像剤を供給する現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写ベルト92、クリーナ93Y、93M、93C、93Kおよび帯電器94Y、94M、94C、94Kがそれぞれ配置される。感光体ドラム90に現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写ベルト92は、4つの感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kに対して共通に設けられる。
感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、第2ホルダ(図示せず)によって保持され、この第2ホルダと第1ホルダ89とは、相対的に固定される。
転写ベルト92によって、記録シートを搬送し、現像剤によって画像が形成された記録シートは、定着手段95に搬送される。定着手段95は、記録シートに転写された現像剤を定着させる。感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kは、回転駆動手段(図示せず)によって回転される。
制御手段96は、駆動手段(図示せず)にクロック信号および画像情報を与えるとともに、感光体ドラム90Y、90M、90C、90Kを回転駆動する回転駆動手段、現像剤供給手段91Y、91M、91C、91K、転写ベルト92、帯電器94Y、94M、94C、94Kおよび定着手段95の各部を制御する。
本実施の形態にて用いられる光プリントヘッド85では、発光素子アレイから出射され、レンズアレイ88に受光される光の強度が高く、レンズアレイ88から感光体ドラム90に照射される光の強度を高くすることが可能になり、感光体ドラム90に鮮明な静電潜像を形成することができる。
さらにこのような光プリントヘッドを備える画像形成装置15では、感光体ドラム90に照射される光の強度を高くすることができ、感光体ドラム90に鮮明な静電潜像を形成することができるので、記録シートに鮮明な画像を形成することが可能になる。
なお、上述したそれぞれの実施形態は、本発明に係る技術を具体化するために例示するものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではなく、本発明に係る技術内容は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることが可能である。
実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。
1,85 光プリントヘッド
2,12 化合物半導体基板
2a 化合物半導体基板2の裏面の内側領域
2b 化合物半導体基板2の裏面の外側領域
3,13 発光素子
3a 内側領域6aの反対側の発光素子
3b 外側領域6aの反対側の発光素子
4 発光素子アレイ
5,15 プリント基板
6 光吸収層
6a 光吸収層6の段部
7,17 接着剤
8 接続パッド
2,12 化合物半導体基板
2a 化合物半導体基板2の裏面の内側領域
2b 化合物半導体基板2の裏面の外側領域
3,13 発光素子
3a 内側領域6aの反対側の発光素子
3b 外側領域6aの反対側の発光素子
4 発光素子アレイ
5,15 プリント基板
6 光吸収層
6a 光吸収層6の段部
7,17 接着剤
8 接続パッド
Claims (4)
- プリント基板と、
接着剤を介して前記プリント基板上に設けられた化合物半導体基板および前記化合物半導体基板上に複数設けられた発光素子を有する複数の発光素子アレイと、
具備する光プリントヘッドであって、
前記化合物半導体基板の裏面は、前記接着剤が設けられた内側領域と、前記接着剤が設けられていない外側領域と、から構成され、
前記化合物半導体基板は、前記発光素子からの光により励起されて発光する直接遷移型の化合物半導体基板であり、
前記接着剤は、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収し、
前記発光素子が設けられた前記化合物半導体基板の表面の反対側の前記外側領域に設けられ、前記化合物半導体基板からの前記発光を吸収する光吸収層を有する
光プリントヘッド。 - 前記光吸収層は前記化合物半導体基板の裏面の内側領域にも設けられ、
前記接着剤は前記光吸収層上に設けられる請求項1記載の光プリントヘッド。 - 前記光吸収層は、前記接着剤の周囲を囲むように設けられる段部を有する請求項1または2記載の光プリントヘッド。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の光プリントヘッドと、
前記発光素子アレイから出射される光が照射される電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に現像剤を供給する現像剤供給手段と、
前記電子写真感光体に現像剤によって形成される画像を記録シートに転写する転写手段と、
前記記録シートに転写される現像剤を定着させる定着手段と、
を備える画像形成装置。
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