JP2011101913A - ウエーハの加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエーハ搬入・搬出領域と粗研削領域と仕上げ研削領域と研磨領域に沿って適宜回転せしめられるターンテーブル3と、4個のチャックテーブル4と、チャックテーブル4にウエーハを搬入搬出するウエーハ搬入・搬出手段14と、ウエーハに粗研削加工を施す粗研削手段5と、ウエーハに仕上げ研削加工を施す仕上げ研削手段50と、研磨領域に位置付けられたチャックテーブル4に保持されているウエーハに第1の研磨加工を施す第1の研磨手段6とを具備するウエーハの加工装置であって、ウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたチャックテーブル4に保持され第1の研磨加工が施されたウエーハに第2の研磨加工を施す第2の研磨手段7を備えている。
【選択図】図1
Description
該ウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたチャックテーブルに保持され該第1の研磨加工が施されたウエーハに第2の研磨加工を施す第2の研磨手段を備えている、
ことを特徴とするウエーハの加工装置が提供される。
即ち、上記第2の研磨手段を上記第1の研磨手段より高精度の研磨加工を実施するように構成することにより、サブデバイスを形成するウエーハの裏面を高精度の鏡面に加工することができる。
また、上記第2の研磨手段を上記第1の研磨手段より面粗さの粗い研磨加工を実施するように構成することにより、DRAMやフラッシュメモリ等のデータ保存機能を有するデバイスが形成されたウエーハの裏面をゲッタリング効果が得られる面粗さに加工することができる。
図1に示すウエーハの加工装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上部)に設けられ上方に延びる直立壁22とを有している。このように形成された装置ハウジング2は、後述する被加工物であるウエーハを搬入・搬出する搬入・搬出領域2aと粗研削領域2bと仕上げ研削領域2cおよび研磨領域2dを備えている。
図6には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工される被加工物としての半導体ウエーハが示されている。図6に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚みが700μmのシリコンウエーハからなり、表面10aに複数のストリート101が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように形成された加工前の半導体ウエーハ10の裏面10bを研削して所定の厚み(例えば、100μm)に形成するに際し、半導体ウエーハ10の表面10aに形成されたデバイス102を保護するために、図7の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ10の表面10aに塩化ビニール等からなる保護テープTを貼着する(保護テープ貼着工程)。このようにして表面10aに保護テープTが貼着された半導体ウエーハ10は、被加工面である裏面10bを上側にして第1のカセット8に収容される。そして、加工前のウエーハ10が収容された第1のカセット8を第1のカセット載置部8aに載置するとともに、加工後のウエーハを収容するための空の第2のカセット9を第2のカセット載置部9aに載置する。
3:ターンテーブル
4a、4b、4c、4d:チャックテーブル
5:粗研削ユニット
50:仕上げ研削ユニット
51:ユニットハウジング
52:粗研削ホイール
520:仕上げ用の研削ホイール
53:サーボモータ
56:研削送り手段
6:第1の研磨手段
61:第1の研磨工具
611:第1の研磨パッド
62:マウンター
63:スピンドルユニット
64:スピンドルユニット支持部材
65:支持基台
66:第1の研磨送り手段
67:第2の研磨送り手段
7:第2の研磨手段
71:第2の研磨工具
711:第2の研磨パッド
72:マウンター
73:スピンドルユニット
74:スピンドルユニット支持部材
75:支持基台
76:研磨送り手段
77:進退手段
8:第1のカセット
9:第2のカセット
11:中心合わせ手段
12:スピンナー洗浄手段
13:ウエーハ搬送手段
14:ウエーハ搬入・搬出手段
Claims (2)
- 回転可能に配設されウエーハ搬入・搬出領域と粗研削領域と仕上げ研削領域と研磨領域に沿って適宜回転せしめられるターンテーブルと、該ターンテーブルに等角度をもって配設されウエーハを保持する保持面を備えた4個のチャックテーブルと、該ウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたチャックテーブルにウエーハを搬入搬出するウエーハ搬入・搬出手段と、該粗研削領域に位置付けられたチャックテーブルに保持されているウエーハに粗研削加工を施す粗研削手段と、該仕上げ研削領域に位置付けられたチャックテーブルに保持されているウエーハに仕上げ研削加工を施す仕上げ研削手段と、該研磨領域に位置付けられたチャックテーブルに保持されているウエーハに第1の研磨加工を施す第1の研磨手段と、を具備するウエーハの加工装置において、
該ウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたチャックテーブルに保持され該第1の研磨加工が施されたウエーハに第2の研磨加工を施す第2の研磨手段を備えている、
ことを特徴とするウエーハの加工装置。 - 該第2の研磨手段は、第2の研磨パッドを備えた第2の研磨工具と、該研磨工具を着脱可能に装着するマウンターと、該マウンターを回転せしめるスピンドルユニットと、該スピンドルユニットを該チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に移動可能に支持するスピンドルユニット支持部材と、該スピンドルユニット支持部材をチャックテーブルの保持面に対して平行な方向に移動可能に支持する支持基台と、該スピンドルユニットを該チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に移動せしめる研磨送り手段と、該スピンドルユニット支持部材を該チャックテーブルの保持面に対して平行な方向に移動し該スピンドルユニットに装着された該研磨工具を搬入・搬出領域に位置付けられた該チャックテーブルの上方位置である研磨位置と該研磨位置から退避した待機位置に位置付ける進退手段とを具備している、請求項1記載のウエーハの加工装置。
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---|---|
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102211311A (zh) * | 2011-05-30 | 2011-10-12 | 清华大学 | 化学机械抛光设备 |
JP2013158871A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Disco Corp | 研削装置 |
JP2013247132A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
JP2014037013A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
JPWO2012144270A1 (ja) * | 2011-04-20 | 2014-07-28 | 日産自動車株式会社 | ソナーセンサの取付構造 |
JP2015065195A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工装置 |
CN105215839A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
JPWO2014136221A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-02-09 | 三菱電機株式会社 | 障害物検知装置 |
KR20170086310A (ko) * | 2016-01-18 | 2017-07-26 | 삼성전자주식회사 | 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
JP2018032832A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 株式会社東京精密 | ウェハの表面処理装置 |
CN107791115A (zh) * | 2016-09-06 | 2018-03-13 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
JP2019021859A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
CN109848814A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-06-07 | 北京中电科电子装备有限公司 | 一种全自动晶圆减薄抛光装置 |
US10562150B2 (en) | 2016-08-18 | 2020-02-18 | Disco Corporation | Polishing apparatus |
WO2020143262A1 (zh) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 化学机械抛光工作台及化学机械抛光设备 |
DE102020200540A1 (de) | 2019-01-17 | 2020-07-23 | Disco Corporation | Verfahren zum bearbeiten eines werkstücks |
JP2021077763A (ja) * | 2019-11-08 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | 加工装置及び板状ワークの搬入出方法 |
US20210260716A1 (en) * | 2018-09-07 | 2021-08-26 | Hangzhou Sizone Electronic Technology Inc. | Chemical mechanical planarization equipment, wafer transfer method, and wafer planarization unit |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5837367B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-12-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
CN102513871A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-06-27 | 上海电机学院 | 气电加工设备、其控制方法以及其组成的自动加工生产线 |
CN102773793A (zh) * | 2012-07-06 | 2012-11-14 | 苏州速腾电子科技有限公司 | 研磨辅助设备 |
CN103273390B (zh) * | 2013-05-13 | 2018-03-20 | 湖南驰洁环保设备有限公司 | 自动精坯洗水机 |
JP6523872B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2019-06-05 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP6560110B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-08-14 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
CN105945716B (zh) * | 2016-05-04 | 2017-09-19 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 抛光头进给加压抛光方法、控制器及进给加压机构 |
JP6731793B2 (ja) * | 2016-06-08 | 2020-07-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハ加工システム |
JP6920063B2 (ja) * | 2017-01-11 | 2021-08-18 | 株式会社ディスコ | 板状ワークの保持方法 |
JP2018114573A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2019018326A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
CN107984375A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-05-04 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆加工装置及其加工方法 |
CN108000267A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-08 | 北京中电科电子装备有限公司 | 减薄机 |
CN108942534A (zh) * | 2018-08-16 | 2018-12-07 | 陶佩林 | 一种防盗井盖自动加工设备 |
CN113363198B (zh) * | 2021-06-03 | 2022-11-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆加工装置 |
CN113305732B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-05-03 | 北京中电科电子装备有限公司 | 一种用于半导体设备的多工位全自动减薄磨削方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000254857A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-09-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
JP2001252853A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置 |
JP2006086278A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Lapmaster Sft Corp | シリコンウエハの鏡面研削加工方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4617028B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2011-01-19 | 株式会社ディスコ | 加工歪除去装置 |
JP4464113B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-05-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工装置 |
JP4790322B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2011-10-12 | 株式会社ディスコ | 加工装置および加工方法 |
-
2009
- 2009-11-10 JP JP2009257051A patent/JP5406676B2/ja active Active
-
2010
- 2010-11-09 CN CN201010539654.3A patent/CN102085639B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000254857A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-09-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
JP2001252853A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置 |
JP2006086278A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Lapmaster Sft Corp | シリコンウエハの鏡面研削加工方法 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012144270A1 (ja) * | 2011-04-20 | 2014-07-28 | 日産自動車株式会社 | ソナーセンサの取付構造 |
CN102211311A (zh) * | 2011-05-30 | 2011-10-12 | 清华大学 | 化学机械抛光设备 |
JP2013158871A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Disco Corp | 研削装置 |
JP2013247132A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
JP2014037013A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
JPWO2014136221A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-02-09 | 三菱電機株式会社 | 障害物検知装置 |
JP2015065195A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工装置 |
CN105215839A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
KR20160001627A (ko) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
JP2016012595A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
TWI649158B (zh) * | 2014-06-27 | 2019-02-01 | 日商迪思科股份有限公司 | Processing device |
KR102194659B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2020-12-23 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
CN105215839B (zh) * | 2014-06-27 | 2019-02-15 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
KR102214510B1 (ko) * | 2016-01-18 | 2021-02-09 | 삼성전자 주식회사 | 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
KR20170086310A (ko) * | 2016-01-18 | 2017-07-26 | 삼성전자주식회사 | 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
US10562150B2 (en) | 2016-08-18 | 2020-02-18 | Disco Corporation | Polishing apparatus |
JP2018032832A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 株式会社東京精密 | ウェハの表面処理装置 |
CN107791115B (zh) * | 2016-09-06 | 2021-06-11 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
KR20180027381A (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
CN107791115A (zh) * | 2016-09-06 | 2018-03-13 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
JP2018039063A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
KR102277932B1 (ko) * | 2016-09-06 | 2021-07-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
JP2019021859A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
JP7002874B2 (ja) | 2017-07-21 | 2022-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
US20210260716A1 (en) * | 2018-09-07 | 2021-08-26 | Hangzhou Sizone Electronic Technology Inc. | Chemical mechanical planarization equipment, wafer transfer method, and wafer planarization unit |
WO2020143262A1 (zh) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 化学机械抛光工作台及化学机械抛光设备 |
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