JP2011095755A - マスク・パターンを生成するためのリソグラフィ装置、方法、及びコンピュータ・プログラマ製品並びにそれらを使用するデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと2次元補正カーネル又は2つの1次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのOPCフィーチャを生成するS11ことによりマスク・パターンに追加される。その結果得られるパターンは、3つ以上の強度レベルを生成するように適合されたプログラム可能なパターン形成手段を備える投影リソグラフィ装置内で使用することができる。パターンにより出力されるであろう空間像をシミュレートS12し、シミュレーションを所望のパターンと比較しS14、OPCフィーチャを調整する反復処理工程S15を使用して、投影に最適なパターンを生成することができる。
【選択図】図5
Description
本文では集積回路(IC)の製造にリソグラフィ装置を使用することについて具体的参照を行う場合があるが、本明細書で説明されているリソグラフィ装置には、集積光学系、磁区メモリの誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他のアプリケーションのあることは理解されるであろう。当業者であれば、このような他のアプリケーションに関して、本明細書の「ウェハ」又は「ダイス」という用語の使用は、「基板」又は「目標部分」という、より一般的な用語とそれぞれ同義であると考えられることを理解するであろう。本明細書で参照している基板は、露光前後に、例えばトラック(例えば、通常レジストの層を基板上に形成し露光したレジストを現像する工具)又は測定若しくは検査工具内で処理されるようにできる。該当する場合には、本明細書の開示をそのような基板処理工具及び他の基板処理工具に適用することができる。さらに、基板は、例えば、多層ICを作製するために複数回処理することができ、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、すでに複数の処理済み層を含む基板をも指すことができる。
図1は、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置100の概略を示している。装置100は、少なくとも1つの放射システム102、個々に制御可能な要素からなるアレイ104、対物テーブル106(例えば、基板テーブル)、及び投影システム(「レンズ」)108を備える。
図2は、本発明の一実施例に従い、方法により生成されるマスク・パターンの一部を示す図である。この実施例では、補正フィーチャは、中間強度レベルに設定される、つまり、印刷フィーチャの強度レベルと背景の強度レベルの中間である。暗いL字型印刷フィーチャ1は、明るい背景又は場に対して設定されている。一実施例では、印刷フィーチャ1は完全に暗く、コントラスト・デバイスが透過的、反射的、又は自己放射的かに応じて約0の透過率、反射率、又は放射率を持つか、又はできる限り暗い。それと同時に、明るい背景は、できる限り明るく、透過率、反射率、又は放射率ができる限り高い。明るい背景に暗いフィーチャの場合、ポジティブ・トーン・レジストが使用され、これは、露光化されている場合に現像で洗い流されるレジストである。強度レベルは、ネガティブ・トーン・レジストが使用される場合に逆にされる、つまり、露光されている場合にのみ現像後もレジストは残るものである。そのため、一般に、印刷フィーチャ1は、第2の強度レベルの背景に対して第1の強度レベルの領域により定められるものとして説明することができる。
図3、4、及び5は、本発明の様々な実施例によるマスク・パターンを生成する方法を示す図である。これらの方法は、ソフトウェア、ハードウェア、ファームウェアなど、及びそれらの組合せで実行することができる。
投影パターンを生成する本発明の処理工程は、単一工程であろうと反復であろうと、コンピュータ・プログラムにより実行することができ、これらのプログラムは、当業者であれば適当なプログラミング言語を使用して作成し、スタンドアロンのデバイス又はリソグラフィ装置の制御システムの一部であってもよい適当なコンピュータ上で実行することができる。これらのプログラムは、適当なコンピュータ可読記憶媒体上に格納し、適当な通信ネットワーク上で伝送することができる。
これまで本発明の様々な実施例について説明してきたが、実施例としてのみ提示されており、限定することを意図していないことは理解されるであろう。当業者にとっては、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく形態及び詳細の様々な変更が可能であることは明白であろう。したがって、本発明の程度及び範囲は、上述の実施例により限定されるのではなく、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ定義されるべきである。
Claims (1)
- マスク・パターンを生成する方法であって、
(a)印刷する1つ又は複数のフィーチャを表すデバイス・パターンを受け取ることと、
(b)第2の強度レベルを持つ背景に対して第1の強度レベルを持つデバイス・パターンからの前記1つ又は複数のフィーチャ並びに前記第1及び第2の強度レベルの中間にある第3の強度レベルを持つ少なくとも1つの補正フィーチャを含む前記マスク・パターンを生成することとを含む方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9291902B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-22 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7500218B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same |
US7713667B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-05-11 | Asml Holding N.V. | System and method for generating pattern data used to control a pattern generator |
US7562333B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-07-14 | Texas Instruments Incorporated | Method and process for generating an optical proximity correction model based on layout density |
US7325223B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-01-29 | Intel Corporation | Modification of pixelated photolithography masks based on electric fields |
US7824842B2 (en) * | 2005-10-05 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of patterning a positive tone resist layer overlaying a lithographic substrate |
CN101271483B (zh) * | 2006-09-13 | 2012-02-22 | Asml蒙片工具有限公司 | 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法 |
US8259285B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-09-04 | Asml Holding N.V. | Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data |
KR100891336B1 (ko) * | 2007-07-05 | 2009-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법, 이를 수행하는프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한저장 매체 및 이미징 시스템 |
US7707539B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-04-27 | Synopsys, Inc. | Facilitating process model accuracy by modeling mask corner rounding effects |
US8566755B2 (en) | 2007-11-26 | 2013-10-22 | Macronix International Co., Ltd. | Method of correcting photomask patterns |
NL1036189A1 (nl) * | 2007-12-05 | 2009-06-08 | Brion Tech Inc | Methods and System for Lithography Process Window Simulation. |
NL2003716A (en) | 2008-11-24 | 2010-05-26 | Brion Tech Inc | Harmonic resist model for use in a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US20150006138A1 (en) * | 2013-07-01 | 2015-01-01 | Globalfoundries Inc. | Optical proximity correction for connecting via between layers of a device |
US9612526B2 (en) | 2014-08-28 | 2017-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photomask and method for fabricating integrated circuit |
US11380516B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-07-05 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control |
US10176966B1 (en) | 2017-04-13 | 2019-01-08 | Fractilia, Llc | Edge detection system |
US10522322B2 (en) | 2017-04-13 | 2019-12-31 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements |
TW202334731A (zh) * | 2021-10-19 | 2023-09-01 | 美商元平台技術有限公司 | 使用基於聚合物晶體的倍縮光罩的極紫外光(euv)微影 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1184627A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-26 | Nec Corp | フォトマスクの製造方法 |
DE19914583A1 (de) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Kaiser Michael | Lithographiegerät zur Erzeugung von Strukturen für mikromechanische und halbleitertechnische Anwendungen |
JP2001281836A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Sony Corp | フォトマスクパターンの補正方法、フォトマスクの製造方法および記録媒体 |
JP2002333700A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sony Corp | ルールベースopcの評価方法およびシミュレーションベースopcモデルの評価方法 |
JP2002351051A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-12-04 | Asml Netherlands Bv | サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法 |
JP2002372790A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-26 | Micronic Laser Syst Ab | 改良型パターン・ジェネレータ |
JP2003162041A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法及び光近接効果補正システム |
WO2003052516A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-26 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for patterning a workpiece |
JP2003521720A (ja) * | 1997-11-24 | 2003-07-15 | アスムル マスクツールズ ビー.ブイ. | 光ハーフトーン化マスクを用いた微細パターンエッジ同調方法 |
JP2003215780A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-07-30 | Asml Masktools Bv | 2次元フィーチャ・モデルの較正および最適化方法 |
JP2004012722A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Seiko Epson Corp | フォトマスク及びパターン作製方法及び半導体装置 |
JP2004040781A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-02-05 | Eastman Kodak Co | ドットエッジ検知スキームを用いた中間調網点の画素数変更技術 |
JP2004151717A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-05-27 | Asml Masktools Bv | フルチップcpl製造におけるcd線形コントロールの方法 |
JP2004214625A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-07-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法 |
JP2006501525A (ja) * | 2002-10-01 | 2006-01-12 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | コーナー・フィーチャ装飾をプロセス制御するための方法およびシステム |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
EP0527166B1 (de) | 1990-05-02 | 1995-06-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Belichtungsvorrichtung |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
AU1975197A (en) | 1996-02-28 | 1997-10-01 | Kenneth C. Johnson | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
AU2048097A (en) | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
US5998069A (en) | 1998-02-27 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Electrically programmable photolithography mask |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
IL127484A (en) * | 1998-12-09 | 2001-06-14 | Aprion Digital Ltd | Laser container printing method and method |
JP3287333B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2002-06-04 | 日本電気株式会社 | 電子線露光用マスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US6811953B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-11-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice |
TWI285295B (en) | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
JP3592666B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
EP1357429A1 (en) * | 2002-04-23 | 2003-10-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100545297B1 (ko) | 2002-06-12 | 2006-01-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 |
US6854104B2 (en) | 2002-11-27 | 2005-02-08 | Lsi Logic Corporation | First approximation for OPC significant speed-up |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7500218B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same |
-
2004
- 2004-08-17 US US10/919,532 patent/US7500218B2/en active Active
-
2005
- 2005-08-04 TW TW094126551A patent/TWI277828B/zh active
- 2005-08-10 EP EP05254979A patent/EP1628157A1/en not_active Withdrawn
- 2005-08-12 SG SG200505154A patent/SG120264A1/en unknown
- 2005-08-16 JP JP2005235896A patent/JP5009515B2/ja active Active
- 2005-08-16 CN CN2005101098900A patent/CN1746769B/zh active Active
- 2005-08-17 KR KR1020050075272A patent/KR100734597B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-11-05 JP JP2010248143A patent/JP5632259B2/ja active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1184627A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-26 | Nec Corp | フォトマスクの製造方法 |
JP2003521720A (ja) * | 1997-11-24 | 2003-07-15 | アスムル マスクツールズ ビー.ブイ. | 光ハーフトーン化マスクを用いた微細パターンエッジ同調方法 |
DE19914583A1 (de) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Kaiser Michael | Lithographiegerät zur Erzeugung von Strukturen für mikromechanische und halbleitertechnische Anwendungen |
JP2001281836A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Sony Corp | フォトマスクパターンの補正方法、フォトマスクの製造方法および記録媒体 |
JP2002351051A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-12-04 | Asml Netherlands Bv | サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法 |
JP2002372790A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-26 | Micronic Laser Syst Ab | 改良型パターン・ジェネレータ |
JP2002333700A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sony Corp | ルールベースopcの評価方法およびシミュレーションベースopcモデルの評価方法 |
JP2003215780A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-07-30 | Asml Masktools Bv | 2次元フィーチャ・モデルの較正および最適化方法 |
JP2003162041A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法及び光近接効果補正システム |
WO2003052516A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-26 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for patterning a workpiece |
JP2004040781A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-02-05 | Eastman Kodak Co | ドットエッジ検知スキームを用いた中間調網点の画素数変更技術 |
JP2004012722A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Seiko Epson Corp | フォトマスク及びパターン作製方法及び半導体装置 |
JP2004151717A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-05-27 | Asml Masktools Bv | フルチップcpl製造におけるcd線形コントロールの方法 |
JP2006501525A (ja) * | 2002-10-01 | 2006-01-12 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | コーナー・フィーチャ装飾をプロセス制御するための方法およびシステム |
JP2004214625A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-07-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9291902B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-22 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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