JP2011035688A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 請求項１記載の振幅変換回路であって、
   前記駆動回路は、
   前記第１信号の非活性期間に、前記第１ノードを、基準電位を基準にして前記第１トランジスタのしきい値電圧に略等しい電圧にする充放電回路と、
   前記第１入力端子と前記第１ノードとの間に接続した容量素子とを備える
   ことを特徴とする振幅変換回路。
2. 請求項２記載の振幅変換回路であって、
   前記充放電回路は、
   基準電位を基準にして前記第１トランジスタのしきい値電圧の略２倍の電圧を発生する電圧発生回路と、
   前記電圧発生回路が発生した電圧を前記第１トランジスタのしきい値電圧だけ小さい電圧にシフトして前記第１ノードに供給するレベルシフト素子と、
   前記第１容量素子に並列接続された第１ダイオード素子とを含む
   ことを特徴とする振幅変換回路。
3. 請求項３または請求項４記載の振幅変換回路であって、
   前記電圧発生回路は、
   基準電位を基準にして前記第１トランジスタのしきい値電圧の略２倍の電圧が出力される第２ノードと第２電源端子との間に接続した第２電流駆動素子と、
   前記第２ノードと基準電源端子との間に直列接続された第２および第３ダイオード素子とを含む
   ことを特徴とする振幅変換回路。
4. 請求項５から請求項８のいずれか記載の振幅変換回路であって、
   前記第２および第３ダイオード素子は、それぞれダイオード接続されたトランジスタである
   ことを特徴とする振幅変換回路。
5. 請求項１から請求項１８のいずれか記載の振幅変換回路であって、
   前記出力端子と前記第１トランジスタとの間に第７トランジスタが介在し、
   前記第８トランジスタの制御電極は、前記第１信号の活性化に応じて前記第１ノードが昇圧されたとき、基準電位を基準にして当該第１ノードの電圧より大きい電圧に設定される
   ことを特徴とする振幅変換回路。
6. 第１信号を、当該第１信号より振幅が大きい第２信号に変換する振幅変換回路であって、
   前記第１信号を、当該第１信号より振幅が大きい第１内部信号に変換する第１振幅変換回路と、
   前記第１信号の相補信号を、当該相補信号より振幅が大きい第２内部信号に変換する第２振幅変換回路と、
   前記第１および第２内部信号の一方で制御され、前記第２信号を出力するための出力端子を充電する第８トランジスタと、
   前記第１および第２内部信号の他方で制御され、前記出力端子を放電する第９トランジスタとを備え、
   前記第１および第２振幅変換回路のそれぞれは、請求項１から請求項１９のいずれか記載の振幅変換回路である
   ことを特徴とする振幅変換回路。