JP2011029263A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】素子破壊を低減し、高耐圧で信頼性の高い横型MOSFET法を提供する。
【解決手段】半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、前記ウェル内および前記第1導電型の前記活性領域内に、第1導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型MOSFETにおいて、前記活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極が、厚い絶縁膜上に乗り上げるように形成されるとともに、前記ゲート電極が乗り上げた厚い絶縁膜下には、前記活性領域の濃度よりも高濃度の第1導電型の拡散領域が形成される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、前記ウェル内および前記第1導電型の前記活性領域内に、第1導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型MOSFETにおいて、前記活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極が、厚い絶縁膜上に乗り上げるように形成されるとともに、前記ゲート電極が乗り上げた厚い絶縁膜下には、前記活性領域の濃度よりも高濃度の第1導電型の拡散領域が形成される。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置およびその製造方法にかかり、特にSOIパワー半導体素子の高速化、高耐圧化および破壊防止に関する。
近年、低消費電力化、高速スイッチング特性、高集積化を求めて、SOI(Silicon On Insulator)技術を用いたSOIパワー半導体素子が注目されている。SOIパワー半導体素子としては、一例を特許文献1に示すように、SOI基板を利用した横型二重拡散MOSFET(LDMOSFET)がある。図9は、SOI基板を利用した横型二重拡散MOSFETの概略断面図である。このLDMOSFET(Lateral Double Diffused MOSFET)は、n型またはp型のシリコン基板1等の半導体基板上に酸化シリコン膜等の埋め込み絶縁層2を介して第1導電型半導体層としてn型シリコン層3等のn型半導体層が形成されてSOI基板を構成している。
そして、n型シリコン層3内に第2導電型ウェル領域であるp型ウェル領域4と、高濃度第1導電型ドレイン領域であるn+型ドレイン領域8とが離間して形成され、さらに高濃度第1導電型ソース領域であるn+型ソース領域5がp型ウェル領域4内に形成されている。このとき、p型ウェル領域4は、埋め込み絶縁層2に達する深さまで形成されており、p型ウェル領域4内には、高濃度の第2導電型ボディコンタクト領域であるp+型ボディコンタクト領域(図示せず)が形成されている。
また、n+型ドレイン領域8と電気的に接続されるようにドレイン電極(図示せず)が形成され、p型ウェル領域4及びn+型ソース領域5と電気的に接続されるようにソース電極が形成され、n型シリコン層3表面の、n+型ドレイン領域8とn+型ソース領域5との間に介在するp型ウェル領域4上には、ゲート絶縁膜を介して導電性を有するポリシリコンより成るゲート電極10が形成されている。ここで、n型シリコン層3は、ドリフト領域を形成している。また、n+型ドレイン領域8内には高濃度のn+型シリコンからなるドレインコンタクト領域6が形成されている。
また、n+型ドレイン領域8と電気的に接続されるようにドレイン電極(図示せず)が形成され、p型ウェル領域4及びn+型ソース領域5と電気的に接続されるようにソース電極が形成され、n型シリコン層3表面の、n+型ドレイン領域8とn+型ソース領域5との間に介在するp型ウェル領域4上には、ゲート絶縁膜を介して導電性を有するポリシリコンより成るゲート電極10が形成されている。ここで、n型シリコン層3は、ドリフト領域を形成している。また、n+型ドレイン領域8内には高濃度のn+型シリコンからなるドレインコンタクト領域6が形成されている。
ところで、近年、ラッチアップ現象の抑制と寄生容量の低減を目的とし、LOCOS絶縁膜で絶縁分離する構造が提案されている。このような構造において、図10に一例を示すように、ゲート電極10をLOCOS絶縁膜である厚い絶縁膜12上に乗り上げることによって、ドレイン−ソース間耐圧を向上するようにした構造が提案されている(特許文献1)。この乗り上げ部分はフィールドプレートともよばれ、このゲート電極の乗り上げ部分を高濃度のn+型ドレイン領域8上に十分重なる位置まで伸長させている。この構成により、SOI基板上のn型シリコン層3の比抵抗が変動し、n型シリコン層3とp型ウェル領域4とのpn接合から広がる空乏層の拡がり速度がばらついても、空乏層はいったん高濃度のn+型ドレイン領域8にぶつかってから、n型シリコン層3の比抵抗の影響を受けることなく、一定の濃度勾配を持つn+型ドレイン領域中を拡がっていくため、n+型ドレイン領域とソース領域間の耐圧ばらつきが抑制され、デバイスの相対特性を向上させることができる。
また、絶縁耐圧特性の向上のためにフィールドプレートを、誘電体層を介して、厚い絶縁膜上に乗り上げた構造も提案されている(特許文献2)。
さらにまた、ゲート電極を、厚い絶縁膜上に2μm以上乗り上げた構造も提案されている(特許文献3)。
また、絶縁耐圧特性の向上のためにフィールドプレートを、誘電体層を介して、厚い絶縁膜上に乗り上げた構造も提案されている(特許文献2)。
さらにまた、ゲート電極を、厚い絶縁膜上に2μm以上乗り上げた構造も提案されている(特許文献3)。
このように、SOI構造型のLDMOSFETにおいては、ゲート電極を厚いLOCOS絶縁膜上に乗り上げるように形成し、耐圧向上をはかることはできるものの、さまざまな要因によって素子が破壊されやすいという問題があった。横型MOSFETは縦型MOSFETに比べて破壊されやすく、性能を維持したまま、素子を破壊されにくくするのは困難であった。
本発明は、前記実情に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、素子破壊を低減し、高耐圧で信頼性の高い横型MOSFETを提供することにある。
本発明は、前記実情に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、素子破壊を低減し、高耐圧で信頼性の高い横型MOSFETを提供することにある。
そこで本発明の半導体装置は、半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、前記ウェル内および前記第1導電型の前記活性領域内に、第1導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型MOSFETにおいて、前記活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極が、厚い絶縁膜上に乗り上げるように形成されるとともに、前記ゲート電極が乗り上げた厚い絶縁膜下には、前記活性領域の濃度よりも高濃度の第1導電型の拡散領域が形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、空乏層がドリフト領域である活性領域内に伸び、電界集中を緩和することができる。すなわち、表面の不純物濃度が高濃度であるため表面近傍では空乏層がのびにくく、埋め込み酸化膜の近くでは空乏層が伸びやすいため、ウェルの形状の影響を受けて球面上に広がる空乏層の曲率が大きくなり、電界集中が緩和されるため、MOSFETの高耐圧化をはかることができる。
この構成によれば、空乏層がドリフト領域である活性領域内に伸び、電界集中を緩和することができる。すなわち、表面の不純物濃度が高濃度であるため表面近傍では空乏層がのびにくく、埋め込み酸化膜の近くでは空乏層が伸びやすいため、ウェルの形状の影響を受けて球面上に広がる空乏層の曲率が大きくなり、電界集中が緩和されるため、MOSFETの高耐圧化をはかることができる。
また、本発明は、上記半導体装置において、前記厚い絶縁膜はLOCOS絶縁膜であるものを含む。
この構成により、高耐圧化を図ることができる。
この構成により、高耐圧化を図ることができる。
また、本発明は、上記半導体装置において、前記ドレイン領域の不純物濃度をn2、前記ドレイン領域内に形成されるドレインコンタクト領域の不純物濃度をn1、前記拡散領域の濃度をn3、前記活性領域の濃度をn4としたとき、
以下の濃度関係が成り立つようにしたものを含む。
n1>n2>n3>n4
この構成によれば、ドレイン側からソース側に徐徐に濃度が小さくなるため、より確実に電界を緩和することが可能となる。
以下の濃度関係が成り立つようにしたものを含む。
n1>n2>n3>n4
この構成によれば、ドレイン側からソース側に徐徐に濃度が小さくなるため、より確実に電界を緩和することが可能となる。
また、本発明は、上記半導体装置において、前記チャネル領域上では第1導電型のポリシリコン層、前記乗り上げた領域上では第2導電型のポリシリコン層を構成するものを含む。
この構成によれば、ゲート電極とその延長部であるフィールドプレートとが一体形成されている構造であるにもかかわらず、pn接合を形成することで、ゲート電極によって形成される容量を直列接続とすることができ、これにより、ゲートーソース間容量を大幅に低減することができる。
この構成によれば、ゲート電極とその延長部であるフィールドプレートとが一体形成されている構造であるにもかかわらず、pn接合を形成することで、ゲート電極によって形成される容量を直列接続とすることができ、これにより、ゲートーソース間容量を大幅に低減することができる。
また、本発明は、上記半導体装置において、前記ゲート電極が、ゲート絶縁膜上から前記厚い絶縁膜上に乗り上げるように伸長してフィールドプレート電極を形成しており、前記厚い絶縁膜上への突出長Lgが前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上であるものを含む。
この構成によれば、空乏層がドリフト領域である活性領域内に伸び、電界集中を緩和することができる。
この構成によれば、空乏層がドリフト領域である活性領域内に伸び、電界集中を緩和することができる。
また、本発明は、上記半導体装置において、前記第1導電型の拡散領域は、前記活性領域表面から前記SOI基板の埋め込み絶縁膜にむかって徐々に濃度が小さくなる濃度傾斜領域を構成する。
この構成によれば、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
この構成によれば、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
また、本発明は、半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型MOSFETにおいて、前記活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極が、厚い絶縁膜上に乗り上げるように伸長してフィールドプレート電極を形成しており、前記厚い絶縁膜上への突出長Lgが、前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上であるものを含む。
この構成によれば、突出長Lgが、前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上となるようにすることで、空乏層の伸びにより、電界集中を抑制することができる。また望ましくはゲート電極が、ドレイン領域を構成する不純物拡散領域上には到達していないようにすることで、大電圧の印加されるドレイン領域との短絡を防ぐことができ、高電界による破壊を防止することができる。また、ドレイン電極とゲート電極との間で寄生容量が発生するのを抑制することができ、駆動速度の低下を防ぐことが可能となる。
この構成によれば、突出長Lgが、前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上となるようにすることで、空乏層の伸びにより、電界集中を抑制することができる。また望ましくはゲート電極が、ドレイン領域を構成する不純物拡散領域上には到達していないようにすることで、大電圧の印加されるドレイン領域との短絡を防ぐことができ、高電界による破壊を防止することができる。また、ドレイン電極とゲート電極との間で寄生容量が発生するのを抑制することができ、駆動速度の低下を防ぐことが可能となる。
また、本発明は、上記半導体装置において、前記第1導電型の拡散領域は、前記活性領域表面から前記SOI基板の埋め込み絶縁膜にむかって徐々に濃度が小さくなる濃度傾斜領域を構成する。
この構成によれば、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
この構成によれば、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
また、本発明は、半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板を用意する工程と、前記前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、前記ウェル内および前記第1導電型の前記活性領域内に、第1導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成する工程を含む横型MOSFETの製造方法において、前記ソース・ドレイン領域を形成する工程に先立ち、前記活性領域表面に、前記活性領域よりも高濃度の第1導電型の拡散領域を形成する工程と、前記ドレイン領域の側方の少なくとも一部に、選択酸化により、絶縁分離領域を構成する厚い絶縁膜を形成する工程と、前記厚い絶縁膜上に乗り上げるようにゲート電極を形成する工程とを含み、ゲート電極が乗り上げた下には、前記活性領域の濃度よりも高濃度の第1導電型の拡散領域が形成されたことを特徴とする。
この方法によれば、高濃度の第1導電型の拡散領域の存在により、電界集中を緩和することができ、高耐圧化および信頼性の向上を図ることができる。
この方法によれば、高濃度の第1導電型の拡散領域の存在により、電界集中を緩和することができ、高耐圧化および信頼性の向上を図ることができる。
また、本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記ドレイン領域の不純物濃度をn2、ドレインコンタクト領域の不純物濃度をn1、前記拡散領域の濃度をn3、前記活性領域の濃度をn4としたとき、以下の濃度関係が成り立つようにしている。
n1>n2>n3>n4
n1>n2>n3>n4
また、本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記ゲート電極を形成する工程は、第1導電型のポリシリコン層を形成し、これをパターニングする工程と、レジストを塗布し、エッチバックにより、高い部分の第1導電型のポリシリコン層を露呈せしめ、レジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを介して第2導電型の不純物を注入し、第2導電型のポリシリコン層を形成する工程とを含む。
この構成によれば、ゲート電極の導電型を部分的に変えるに際し、突出領域であることを利用し、マスクなしでエッチバックにより、レジストから選択的に露呈する領域を形成し、この露呈する領域に選択的に第2の導電型の不純物を注入することで、容易に形成することが可能となる。
この構成によれば、ゲート電極の導電型を部分的に変えるに際し、突出領域であることを利用し、マスクなしでエッチバックにより、レジストから選択的に露呈する領域を形成し、この露呈する領域に選択的に第2の導電型の不純物を注入することで、容易に形成することが可能となる。
以上説明してきたように、本発明によれば、活性領域の表面に高濃度の拡散領域を形成しているため、ドリフト領域に形成されている空乏層の形状がさらになめらかな形状となることによって電界集中を抑制し耐圧を上昇させることができる。
また、厚い絶縁膜上に乗り上げるフィールドプレートをポリシリコンで構成し、ゲート電極となる部分はn層、厚い絶縁膜上に乗り上げるフィールドプレート電極はp層で構成することで、ゲート電極とフィールドプレートとを一体形成しながらも、これらによって形成される寄生容量は直列となり、寄生容量の大幅な低減を図ることができ、高速駆動を実現することができる。
また、厚い絶縁膜上に乗り上げるフィールドプレートをポリシリコンで構成し、ゲート電極となる部分はn層、厚い絶縁膜上に乗り上げるフィールドプレート電極はp層で構成することで、ゲート電極とフィールドプレートとを一体形成しながらも、これらによって形成される寄生容量は直列となり、寄生容量の大幅な低減を図ることができ、高速駆動を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1および2は、本発明の実施の形態1に係るSOI構造型のLDMOSFETを示す概略断面図である。図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、説明の簡略化のために、ソースおよびドレイン電極を省略し、ゲート電極10を示している。
なお、以下に示す実施の形態においては、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明するが、第1導電型がp型、第2導電型がn型である場合にも適用可能である。
図1および2は、本発明の実施の形態1に係るSOI構造型のLDMOSFETを示す概略断面図である。図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、説明の簡略化のために、ソースおよびドレイン電極を省略し、ゲート電極10を示している。
なお、以下に示す実施の形態においては、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明するが、第1導電型がp型、第2導電型がn型である場合にも適用可能である。
本実施の形態に係るLDMOSFETは、活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜11を介して形成されるゲート電極10が、厚い絶縁膜であるLOCOS絶縁膜12上に乗り上げるように形成されるとともに、ゲート電極10が乗り上げたLOCOS絶縁膜12下には、活性領域としての第1導電型の半導体層であるn型シリコン層3の濃度よりも高濃度の第1導電型の拡散領域3sが形成されたことを特徴とする。
また、ここで、n+型ドレイン領域8の不純物濃度をn2、n+型ドレイン領域8内に形成されるドレインコンタクト領域6の不純物濃度をn1、拡散領域すなわち高濃度のn型シリコン層3sの濃度をn3、前記活性領域すなわちn型シリコン層3の濃度をn4としたとき、
以下の濃度関係が成り立つように構成している。
n1>n2>n3>n4
以下の濃度関係が成り立つように構成している。
n1>n2>n3>n4
すなわち本発明では、半導体基板1としてのシリコン基板と、前記シリコン基板上に埋め込み絶縁層2を介して形成された第1導電型の半導体層としてのn型シリコン層(活性領域)3とを有するSOI基板と、この活性領域3内に、第2導電型の半導体層としてp+型シリコン層からなるp型ウエル4を形成し、このp型ウエル4とn型シリコン層(活性領域)3とにそれぞれ第1導電型の半導体層としてのn型シリコン層からなるソース・ドレイン領域5,8を形成した横型MOSFETにおいて、n+型ドレイン領域8を囲むように、LOCOS絶縁膜12からなる絶縁分離領域を形成したことを特徴とする。ここでは、n型シリコン層3内に第2導電型ウェル領域であるp型ウェル領域4と、高濃度第1導電型のドレイン領域であるn+型ドレイン領域8とが離間して形成され、高濃度第1導電型のソース領域であるn+型ソース領域5がp型ウェル領域4内に形成されている。このとき、p型ウェル領域4は、埋め込み絶縁層2に達する深さまで形成されており、p型ウェル領域4内には、高濃度第2導電型のボディコンタクト領域であるp+型ボディコンタクトが形成されているがここでは図示しない。7はソース電極、9はドレイン電極、10はゲート電極である。11はゲート絶縁膜である。
また、n+型ドレイン領域8と電気的に接続されるようにドレイン電極9が形成され、p型ウェル領域及びn+型ソース領域5と電気的に接続されるようにソース電極7が形成され、n型シリコン層3表面の、n+型ドレイン領域8とn+型ソース領域5との間に介在するp型ウェル領域4上には、ゲート絶縁膜を介して導電性を有するポリシリコンより成るゲート電極が形成されている。ここで、n型シリコン層3は、ドリフト領域を形成している。なおゲート絶縁膜11の膜厚t2は50から60nm望ましくは55から60nm、LOCOS絶縁膜12の膜厚t1は600から700nm、ゲート電極の膜厚t3は500から600nm、ソース領域5の拡散深さtaは、0.1μm、活性層の膜厚tsは、0.5から2.0μm望ましくは、1から1.7μm、埋め込み絶縁膜2の膜厚tiは、4μm、SOI基板の膜厚tは530μmであった。
またここで、ゲート電極10が、ゲート絶縁膜上から厚い絶縁膜上に乗り上げるように伸長してフィールドプレート電極を形成しており、厚い絶縁膜上への突出長Lgが、ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上となるようにしている。
次に、このゲート乗りあげ長さを変化させ、破壊率とゲート乗りあげ長との関係について、測定した。ここでは、ゲート乗りあげ長がソース・ドレイン間距離の何倍に相当し、その時の高電圧の印加による破壊率を測定した。
その結果を図3に示す。図3では縦軸を破壊率、横軸を突出長Lgをソース・ドレイン間距離Ldsで割ったものとした。この図から、ゲート乗りあげ長がソースドレイン間距離の2分の1を超えるとき、高電圧を印加したときの破壊率が低下していることがわかる。
その結果を図3に示す。図3では縦軸を破壊率、横軸を突出長Lgをソース・ドレイン間距離Ldsで割ったものとした。この図から、ゲート乗りあげ長がソースドレイン間距離の2分の1を超えるとき、高電圧を印加したときの破壊率が低下していることがわかる。
また、本実施の形態では、このゲート電極10は、n+ドレイン領域を構成する不純物拡散領域上には到達しないようにするのが望ましい。このように、突出長Lgをソース・ドレイン間距離Ldsで割った値が2分の1を超える一方で、n+ドレイン領域を構成する不純物拡散領域上には到達しないようにすることで、大電圧の印加されるn+ドレイン領域8との短絡を防ぐことができ、高電圧による破壊を防止することができる。また、ドレイン電極とゲート電極との間で寄生容量が増大するのを抑制することができ、駆動速度の低下を防ぐことが可能となる。
次に、本実施の形態に係るSOI構造型のLDMOSFETの製造工程について説明する。
図4は、本実施の形態に係るSOI構造型のLDMOSFETの製造工程の一部を示す概略断面図である。本実施の形態に係るSOI構造型のLDMOSFETの製造工程は、通例のSOI構造型のLDMOSFETの製造工程と略同様であるが、LOCOS絶縁膜の形成に先立ち、拡散領域を形成する点が異なる。
図4は、本実施の形態に係るSOI構造型のLDMOSFETの製造工程の一部を示す概略断面図である。本実施の形態に係るSOI構造型のLDMOSFETの製造工程は、通例のSOI構造型のLDMOSFETの製造工程と略同様であるが、LOCOS絶縁膜の形成に先立ち、拡散領域を形成する点が異なる。
本実施の形態では、まず図4(a)に示すように、SOI基板を用意し、このn型シリコン層3に対し窒化シリコン膜などのマスクパターンを形成する。
そして、高エネルギーイオン注入法によりボロン(B)等のp型不純物を導入を行い、p型ウェル領域4を形成する。マスクパターンを介して選択的にイオン注入を行い、n型シリコン層3、拡散領域3s、n+型ドレイン領域8を形成する。この後、マスクパターンを除去し、図4(b)に示すように、ゲート絶縁膜11を形成するとともに、LOCOS法により酸化シリコン膜を形成し、LOCOS絶縁膜12とする。
そしてこの後、図4(c)に示すように、n+型ソース領域5形成のためのn型不純物の導入を行い、さらにn型不純物の導入を行い、n+型ドレインコンタクト領域6を形成する。
そして最後に、図4(d)に示すように、ポリシリコン層を形成し、これをパターニングすることで、LOCOS絶縁膜12上に乗り上げるようにフィールドプレートを構成する伸長部を有するゲート電極10を形成する。こののち、ソースおよびドレイン電極7,9を形成し、図2に示したLDMOSFETが形成される。
この方法によれば、通例の工程に拡散工程を追加するとともに、ゲート電極のパターンを変更するだけでよいので、比較的容易に製造することができる。
なお、本実施の形態においては、埋め込み絶縁層2として酸化シリコン膜を用いたが、窒化アルミニウム(AlN)または、酸化シリコン膜よりも誘電率が低く、かつ、熱伝導率が高い材料を用いるようにすれば、ドレイン・基板間容量を低減できるとともに、オン抵抗とドレイン電流によってドリフト領域内に発生する熱を効率良く半導体基板(シリコン基板1)側に逃がして発熱を抑制することができ、熱破壊を防止することができるという効果もある。
また、ドリフト領域をSiに比べて移動度が高く、熱伝導度が高く、高電界強度を有するSiCまたは、同様の特性を有し、Siよりも広いバンドギャップを有する材料により形成すれば、さらにオン抵抗が低くなり、耐圧が高くなるとともに、ドリフト領域内で発生する熱を効率良く半導体基板(シリコン基板)1側に逃がして発熱を抑制することができ、熱破壊を防止することもできる。
また、上記実施の形態において、表面に高濃度の第1導電型拡散領域3sの形成された第1導電型の拡散領域であるn型シリコン層3を、表面からSOI基板の埋め込み絶縁膜にむかって徐々に濃度が小さくなる濃度傾斜領域を構成するようにしてもよい。
この構成によれば、上記効果に加え、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、さらに確実に電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
この構成によれば、上記効果に加え、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、さらに確実に電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
(実施の形態2)
次に本発明の実施の形態2について説明する。
図5および6は、本発明の実施の形態2に係るSOI構造型のLDMOSFETを示す概略断面図である。図5は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、説明の簡略化のために、ソースおよびドレイン電極を省略し、ゲート電極10を示している。
図5は本発明の実施の形態2のLDMOSFETを示す概略断面図である。
本実施の形態では、ゲート電極10をポリシリコンで構成しこの導電型を、ゲート絶縁膜上ではn+型ソース領域5と同じ導電型であるn型ポリシリコン層10nとし、厚いLOCOS絶縁膜12上に乗り上げる領域では第2導電型であるp型ポリシリコン層10pとしてなることを特徴とする。
他の構成については前記実施の形態1と同様である。
次に本発明の実施の形態2について説明する。
図5および6は、本発明の実施の形態2に係るSOI構造型のLDMOSFETを示す概略断面図である。図5は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、説明の簡略化のために、ソースおよびドレイン電極を省略し、ゲート電極10を示している。
図5は本発明の実施の形態2のLDMOSFETを示す概略断面図である。
本実施の形態では、ゲート電極10をポリシリコンで構成しこの導電型を、ゲート絶縁膜上ではn+型ソース領域5と同じ導電型であるn型ポリシリコン層10nとし、厚いLOCOS絶縁膜12上に乗り上げる領域では第2導電型であるp型ポリシリコン層10pとしてなることを特徴とする。
他の構成については前記実施の形態1と同様である。
この構成によれば、マスク数を増大することなく、効率よく異なる導電型領域を有するゲート電極を形成することが可能となる。
なお、本実施の形態では、ゲート電極10の導電型を部分的に異なるもので構成したことを特徴とする。ここでは、ゲート絶縁膜上ではn+型ソース領域5と同じ導電型であるn型ポリシリコン層10nとし、厚いLOCOS絶縁膜12上に乗り上げる領域では第2導電型であるp型ポリシリコン層10pとしている。
このように、ゲート電極10をゲート絶縁膜11とLOCOS絶縁膜12上との境界を境目とし、異なる導電型で構成しpn接合を形成するようにしているため、LOCOS絶縁膜12上に乗り上げてフィールドプレートを構成するp型ポリシリコン層10pと基板との間に形成される容量C1と、ゲート絶縁膜11上の本来のゲート電極10nとの間に形成される容量C2とに分かれることになり、これら容量C1、C2およびpn接合による接合容量とが直列接続されることになり1/(1/C1+1/Cpn)+C2となり、容量の低減をはかることができる。
ゲート電極中にpn接合が形成されることによってゲート電極と基板間との間に発生する寄生容量は小さくなり、これによりトータルの寄生容量を小さくすることができる。
ゲート電極中にpn接合が形成されることによってゲート電極と基板間との間に発生する寄生容量は小さくなり、これによりトータルの寄生容量を小さくすることができる。
製造に際しては、ゲート電極を形成する工程を、第1導電型のポリシリコン層を形成し、これをパターニングする工程と、レジストを塗布し、エッチバックにより、高い部分の第1導電型のポリシリコン層を露呈せしめ、レジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを介して第2導電型の不純物を注入し、第2導電型のポリシリコン層を形成する工程とで構成することを特徴とする。
すなわち、前記実施の形態2の製造工程において、図4(d)に示すように、電極形成を行った後、図7(a)に示すように、表面の段差全体を被覆するようにレジストRを塗布する。
こののち、レジストエッチバックを行い、図7(b)に示すように、LOCOS絶縁膜12上に乗り上げたポリシリコン層10の表面のみを露呈させる。
この状態でボロンなどのp型不純物をポリシリコン層10nに選択的に注入し、p型ポリシリコン層10pを形成する。
こののち、レジストエッチバックを行い、図7(b)に示すように、LOCOS絶縁膜12上に乗り上げたポリシリコン層10の表面のみを露呈させる。
この状態でボロンなどのp型不純物をポリシリコン層10nに選択的に注入し、p型ポリシリコン層10pを形成する。
このようにしてp型ポリシリコン層10pとn型ポリシリコン層10nとからなるゲート電極10(フィールドプレートとなる伸長部を含む)を形成し、図6に示したLDMOSFETが完成する。
(実施の形態3)
次に本発明の実施の形態3について説明する。
図8は本発明の実施の形態3のLDMOSFETを示す概略断面図である。
前記実施の形態1では、n型シリコン層3の表面に拡散領域3sを形成したが、本実施の形態では、拡散領域3sを形成していない。そして、活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜11を介して形成されるゲート電極10が、厚い絶縁膜であるLOCOS絶縁膜12上に乗り上げるように形成され、LOCOS絶縁膜12上へのゲート電極の突出長Lgが前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上である。一方、このゲート電極10は、ドレイン領域を構成する不純物拡散領域上には到達していない。
次に本発明の実施の形態3について説明する。
図8は本発明の実施の形態3のLDMOSFETを示す概略断面図である。
前記実施の形態1では、n型シリコン層3の表面に拡散領域3sを形成したが、本実施の形態では、拡散領域3sを形成していない。そして、活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜11を介して形成されるゲート電極10が、厚い絶縁膜であるLOCOS絶縁膜12上に乗り上げるように形成され、LOCOS絶縁膜12上へのゲート電極の突出長Lgが前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上である。一方、このゲート電極10は、ドレイン領域を構成する不純物拡散領域上には到達していない。
他の構成については前記実施の形態1と同様である。
この構成によっても、破壊率は低減し、信頼性の高いLDMOSFETを形成することが可能となる。
この構成によれば、厚い絶縁膜であるLOCOS絶縁膜12上へのゲート電極の突出長Lgが前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上であることで、空乏層の伸びを制御し、ドリフト領域における電界集中を抑制し、素子の破壊を防ぐことができる。
この構成によっても、破壊率は低減し、信頼性の高いLDMOSFETを形成することが可能となる。
この構成によれば、厚い絶縁膜であるLOCOS絶縁膜12上へのゲート電極の突出長Lgが前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上であることで、空乏層の伸びを制御し、ドリフト領域における電界集中を抑制し、素子の破壊を防ぐことができる。
なお、本実施の形態では、このゲート電極10は、ドレイン領域を構成する不純物拡散領域上には到達していないため、大電圧の印加されるn+型ドレイン領域8との短絡を防ぐことができ、高電界による破壊を防止することができる。また、ドレイン電極とゲート電極との間で寄生容量が発生するのを抑制することができ、駆動速度の低下を防ぐことが可能となる。
また、上記実施の形態において、第1導電型の拡散領域であるn型シリコン層を、表面からSOI基板の埋め込み絶縁膜にむかって徐々に濃度が小さくなる濃度傾斜領域を構成するようにしてもよい。
この構成によれば、上記効果に加え、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、さらに確実に電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
この構成によれば、上記効果に加え、表面から埋め込み絶縁膜に向かって徐々に濃度が小さくなっているため、第2導電型のウェルの形状の影響をうけて球面状に広がる空乏層の曲率が大きくなり、さらに確実に電界集中が緩和されるためMOSFETの高耐圧化を実現できる。
1 シリコン基板
2 埋め込み絶縁層
3 n型シリコン層
4 p型ウェル領域
5 n+型ソース領域
6 n+型ドレインコンタクト領域
7 ソース電極
8 n+型ドレイン領域
9 ドレイン電極
10 ゲート電極
11 ゲート絶縁膜
12 LOCOS絶縁膜
2 埋め込み絶縁層
3 n型シリコン層
4 p型ウェル領域
5 n+型ソース領域
6 n+型ドレインコンタクト領域
7 ソース電極
8 n+型ドレイン領域
9 ドレイン電極
10 ゲート電極
11 ゲート絶縁膜
12 LOCOS絶縁膜
Claims (11)
- 半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板に形成され、
前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、前記ウェル内および前記第1導電型の前記活性領域内に、第1導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型MOSFETにおいて
前記活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極が、厚い絶縁膜上に乗り上げるように形成されるとともに、
前記ゲート電極が乗り上げた厚い絶縁膜下には、前記活性領域の濃度よりも高濃度の第1導電型の拡散領域が形成された半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記厚い絶縁膜はLOCOS絶縁膜である半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置であって、
前記ドレイン領域の不純物濃度をn2、前記ドレイン領域内に形成されるドレインコンタクト領域の不純物濃度をn1、前記拡散領域の濃度をn3、前記活性領域の濃度をn4としたとき、
以下の濃度関係が成り立つようにした半導体装置。
n1>n2>n3>n4 - 請求項1乃至3のいずれかに記載に半導体装置であって、
前記ゲート電極がポリシリコン層で形成されており、
前記チャネル領域上では第1導電型のポリシリコン層、前記乗り上げた領域上では第2導電型のポリシリコン層を構成する半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載に半導体装置であって、
前記ゲート電極が、ゲート絶縁膜上から前記厚い絶縁膜上に乗り上げるように伸長してフィールドプレート電極を形成しており、
前記厚い絶縁膜上への突出長Lgが
前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上である半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載に半導体装置であって、
前記第1導電型の拡散領域は、前記活性領域表面から前記SOI基板の埋め込み絶縁膜にむかって徐々に濃度が小さくなる濃度傾斜領域を構成する半導体装置。 - 半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板に形成され、
前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型MOSFETにおいて
前記活性領域のうちチャネル領域となる表面にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極が、厚い絶縁膜上に乗り上げるように伸長してフィールドプレート電極を形成しており、
前記厚い絶縁膜上への突出長Lgが
前記ソース・ドレイン間距離Ldsの2分の1以上である半導体装置。 - 請求項7に記載に半導体装置であって、
前記第1導電型の拡散領域は、前記活性層表面から前記SOI基板の埋め込み絶縁膜にむかって徐々に濃度が小さくなる濃度傾斜領域を構成する半導体装置。 - 半導体基板と前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された第1導電型の半導体層とを有するSOI基板を用意する工程と、
前記前記第1導電型の半導体層からなる活性領域内に、第2導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、前記ウェル内および前記第1導電型の前記活性領域内に、第1導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成する工程を含む横型MOSFETの製造方法において、
前記ソース・ドレイン領域を形成する工程に先立ち、
前記活性領域表面に、前記活性領域よりも高濃度の第1導電型の拡散領域を形成する工程と、
前記ドレイン領域の側方の少なくとも一部に、選択酸化により、絶縁分離領域を構成する厚い絶縁膜を形成する工程と、
前記厚い絶縁膜上に乗り上げるようにゲート電極を形成する工程とを含み、
ゲート電極が乗り上げた下には、前記活性領域の濃度よりも高濃度の第1導電型の拡散領域が形成された半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ドレイン領域の不純物濃度をn2、ドレインコンタクト領域の不純物濃度をn1、前記拡散領域の濃度をn3、前記活性領域の濃度をn4としたとき、
以下の濃度関係が成り立つようにした半導体装置の製造方法。
n1>n2>n3>n4 - 請求項9または10に記載に半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート電極を形成する工程は、第1導電型のポリシリコン層を形成し、これをパターニングする工程と、
レジストを塗布し、エッチバックにより、高い部分の第1導電型のポリシリコン層を露呈せしめ、レジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクを介して第2導電型の不純物を注入し、第2導電型のポリシリコン層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009171221A JP2011029263A (ja) | 2009-07-22 | 2009-07-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2009171221A JP2011029263A (ja) | 2009-07-22 | 2009-07-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2011029263A true JP2011029263A (ja) | 2011-02-10 |
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JP2009171221A Withdrawn JP2011029263A (ja) | 2009-07-22 | 2009-07-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
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- 2009-07-22 JP JP2009171221A patent/JP2011029263A/ja not_active Withdrawn
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