JP2011028292A - ファイバ・ブラッグ・グレーティング素子およびファイバアダプタ - Google Patents

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Abstract

【課題】使用する波長帯で生ずる遮断量のリップルを回避または低減することが可能なファイバ・ブラッグ・グレーティング素子およびファイバアダプタを提供すること。
【解決手段】コアと、コアの外側に設けられたクラッドと、少なくともコア内に設けられ、光導波路に入射した光信号を所定の波長帯域で遮断するフィルタリングを行う複数のグレーティングであって、少なくとも2つのグレーティングが相互に離れて対向するように配置され、1650nm近傍の光信号の波長をブラッグ反射するように構成され、対向するグレーティングの中心から離れるにつれて、グレーティングピッチが短くなり、対向するように配置されたグレーティング間の間隔が1.5〜2.0mmである複数のチャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティングとを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、入射する光信号に対し、広帯域にわたって高い遮断量のフィルタリングを行う光フィルタとしての機能を有するファイバ・ブラッグ・グレーティング素子およびファイバアダプタに関する。
従来、光通信装置では、所望の波長帯域を遮断するためにファイバ・ブラッグ・グレーティング(FBG:Fiber Bragg Grating)を用いた光フィルタが広く使用されている(特許文献1を参照)。このFBGは、光ファイバに紫外線を照射すると屈折率が上昇する「光誘起屈折率変化」を利用して形成されたものがある。FBGは、ファイバコアに周期的な屈折率変化を形成して得られるものであり、この周期的な屈折率変化は、二光束干渉法、フェーズマスクを用いた方法等を用いて形成される。この周期的な屈折率変化によって、ブラッグ中心波長λBの光が反射され、結果的にこのブラッグ中心波長λB領域の光が遮断されることになる。ここで、ブラッグ中心波長λBは、λB=2nΛで表される。ここで、nは光ファイバの実効屈折率であり、Λは屈折率変化の周期でありグレーティングピッチという。このようなFBGは、WDM(Wavelength Division Multiplexing)通信システム以外にも、合分波器、線路監視用フィルタ、温度センサ、歪みセンサとしても用いられる。
特開2002−328238号公報
ここで、幅約10nm程度の広帯域にわたって光信号を遮断しようとする場合、FBGをいわゆるチャープトFBGにすることが行われる。そして、この帯域で大きな遮断量を得ようとする場合、グレーティング長を長くすることが行われている。例えば、波長1650nm帯の幅約10nmにわたる波長帯の光をグレーティング長が7mmのチャープトFBGでは、約30〜35dBの遮断量が得られ、グレーティング長が13mmのチャープトFBGでは、約35〜40dBの遮断量が得られている。
近年の光通信分野等では、監視通信系の光を実通信系の光と確実に分離する必要があり、この監視通信系の光が実通信系の光に漏れることによる実通信への影響を極力なくすため、例えば、広帯域で安定した40dB程度の遮断量が要求される場合がある。この要求に応えるべく、グレーティングピッチが一様なユニフォームFBGとチャープトFBGとを複数配置したFBG素子(以下、複合FBG素子という)が開発された。このように構成することによって、図19に示すように、広帯域で40dBを超える遮断量が得られる。
しかしながら、従来の複合FBG素子では、遮断量の波長依存特性にリップルが生ずる場合があり、使用する波長帯またはその近傍に所定値以上のリップルが発生すると、この波長帯で使用できなくなるという問題があった。その結果、複合FBG素子の製造の歩留まりを低下させることになっていた。
本発明は、使用する波長帯で生ずる遮断量のリップルを回避または低減することが可能なファイバ・ブラッグ・グレーティング素子およびファイバアダプタを提供することを目的とする。
本発明は、コアと、前記コアの外側に設けられたクラッドと、少なくとも前記コア内に設けられ、光導波路に入射した光信号を所定の波長帯域で遮断するフィルタリングを行う複数のグレーティングであって、少なくとも2つの前記グレーティングが相互に離れて対向するように配置され、1650nm近傍の光信号の波長をブラッグ反射するように構成され、対向する前記グレーティングの中心から離れるにつれて、グレーティングピッチが短くなり、対向するように配置された前記グレーティング間の間隔が1.5〜2.0mmである複数のチャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティングとを備えることを特徴とする。
また、本発明は、コアと、前記コアの外側に設けられ、前記コアを取り囲むディプレッスト領域またはコドープ領域の両方または少なくとも一方を有するクラッドと、少なくとも前記コア内に設けられ、光導波路に入射した光信号を所定の波長帯域で遮断するフィルタリングを行う複数のグレーティングであって、少なくとも2つの前記グレーティングが相互に離れて対向するように配置され、1650nm近傍の光信号の波長をブラッグ反射するように構成され、対向する前記グレーティングの中心から離れるにつれて、グレーティングピッチが短くなり、対向するように配置された前記グレーティング間の間隔が1.5〜2.0mmである複数のチャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティングとを有する対向チャープトFBGファイバと、前記対向チャープトFBGファイバを内部に保持するフェルールと、前記フェルールを内部に格納するハウジングとを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、少なくともコア内に対向して配置された1対のチャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティングが離されていることによって、使用する波長帯で生ずる遮断量のリップルを回避または低減することが可能なファイバ・ブラッグ・グレーティング素子およびファイバアダプタを実現できる。
本発明の第1の態様のファイバ・ブラッグ・グレーティング素子の構成を模式的に示す横断面図である。 ファイバ・ブラッグ・グレーティング素子の機能の説明図である。 グレーティング間隔が0.3mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が1.0mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が1.5mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が2.0mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が2.5mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が3.5mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が4.0mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が4.5mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 グレーティング間隔が5.0mmのときの遮断量の波長特性を示す図である。 リップルのグレーティング間隔依存特性を示す図である。 本発明の第2の態様のファイバアダプタの構成を示す模式的に示す断面図である。 図13に示すファイバアダプタの光導波路内の半径方向の屈折率分布の一例を示す図である。 ファイバアダプタ20についての遮断量のグレーティング間隔依存特性を示す図である。 本発明の第3の態様のファイバアダプタの構成を示す模式的に示す断面図である。 図16に示すファイバアダプタの光導波路内の、半径方向の屈折率分布の一例を示す図である。 図16に示すファイバアダプタの光導波路内の、半径方向の屈折率分布の他の一例を示す図である。 従来のファイバ・ブラッグ・グレーティング素子の遮断量の波長特性を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の第1の態様のファイバ・ブラッグ・グレーティング素子の構成を模式的に示す横断面図である。図1において、ファイバ・ブラッグ・グレーティング素子10は、コア1aとコア1aの外側に設けられたクラッド1bとを有する光導波路1と、コア1aに設けられた複数のチャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティング(以下、チャープトFBGという)2a、2bとを備え、チャープトFBG2aとチャープトFBG2bとが離れると共に対向して配置された構成を有する。なお、ファイバ・ブラッグ・グレーティング素子10は、図1に示すように、クラッド1bの外周に高屈折率材3が設けられているのでもよい。
図1において、コア1aの長手方向と直交する方向を向いた複数の線は屈折率の高い部分を表す。グレーティングピッチは、隣り合う2つの屈折率の高い部分間の距離である。チャープトFBG2a、2bは、グレーティングピッチが徐々に線形に変化するため、グレーティングピッチが一定で異なるFBGが連続的に配置されたものと同様に機能し、所定の幅の波長帯の光を反射または遮断する。チャープトFBG2a、2bは、例えば、グレーティング長la、lbが4〜8mmで、例えば1650nm程度のブラッグ中心波長λBの±5nm以上にわたってブラッグ反射を生じさせるように構成されている。グレーティング長とグレーティングピッチの変化範囲とは、適用対象に応じて異なり、他の値および範囲をとるのでもよい。具体的には、グレーティング長la、lbを5〜6mmとするのでもよい。
コア1aは、SiOを用いて形成されたクラッド1bに囲まれ、例えばGeドープのSiOを用いて形成される。このような構成の光導波路中のコア1aに、例えば、二光束干渉法、フェーズマスク法等を用いてUV光を照射し、グレーティングピッチに応じた屈折率の高低を形成する。なお、UV光の照射前に光ファイバを高圧の水素雰囲気下に所定時間保持する等の、光誘起屈折率変化を生じさせやすくするその他の処理を施すのでもよい。チャープトFBGの形成方法は、周知であるため、更なる説明を省略する。図2に示すように、ファイバ・ブラッグ・グレーティング素子10に入射した光信号は、チャープトFBG2a、2bの帯域の光成分が、波長λ1〜λnに応じて反射条件が異なり、チャープトFBG2a、2b中の異なる位置で反射される。
図3〜図11に、チャープトFBG2aとチャープトFBG2bとの間の間隔(以下、グレーティング間隔という)dを0.3〜5mmまで連続的に変化させていったときの遮断量の波長特性を示す。グレーティング間隔dを0mmとしたもの、即ち、従来のファイバ・ブラッグ・グレーティング素子の遮断量の波長特性を図19に示す。図19に示す遮断量の波長特性には、波長1657nm前後に20dB程度のリップルが存在することがわかる。ここで、上記のリップルは、対象とする波長帯内の最も高いピークの高さとして定義される。
図3〜図11から、上記のリップルは、グレーティング間隔dの増大と共に略単調に減少していくことがわかる。このようなリップルのグレーティング間隔依存特性を図12に示す。図12から、グレーティング間隔dを1mm以上にすることによってこのリップルはdB単位で略半分以下となり、2mm以上にすることによってこのリップルは略4分の1以下となる。リップルの観点からは、グレーティング間隔dを2mm以上にすることによって、例えば40dB等の実用的な遮断量を対象とする波長帯で得ることができ、4mm以上にすることによってリップルを1〜2dBの範囲内に収めることができる好ましい。
(実施の形態2)
図13は、本発明の第2の態様のファイバアダプタの構成を示す模式的に示す断面図である。図13(a)において、ファイバアダプタ20は、対向チャープトFBGファイバ21と、フェルール22と、割りスリーブ23と、ハウジング24とを備える。対向チャープトFBGファイバ21は、図13(a)に示すように、コア21aとコア21aの外側に設けられたクラッド21bとを有する光導波路と、コア21aに設けられた複数のチャープトグレーティング21c、21dとを有し、チャープトグレーティング21cとチャープトグレーティング21dとがグレーティング間隔d離れると共に対向して配置され、コア21aを取り囲むディプレッスト領域21eを有するクラッド21bのコア21a側に形成された構成を有する。ここで、ディプレッスト領域は、クラッド21bのコア21a側の領域であって、クラッド21bのその他の領域より屈折率の低い領域をいう。
上記の光導波路内の半径方向の屈折率分布の一例を図14に示す。図14において、横軸はコア21aの中心からの半径方向の距離(μm)、縦軸は屈折率差を表す。図14に示す例では、コア21aの直径は10μm程度であり、クラッド21bの直径は125μm程度であり、ディプレッスト領域21eの半径方向の幅は10〜25μm程度である。なお、ディプレッスト領域21eの半径方向の幅は、15〜20μm程度が性能および作成上の観点から好ましい。また、コア21aはクラッド21bよりも屈折率が0.005程度高く、ディプレッスト領域21eはクラッド21bよりも屈折率が0.001程度低くなっている。
クラッド21bは通常SiOできているが、ディプレッスト領域21eは、SiOにF、Cl等をドープして得られる。このようにすることによって、ディプレッスト領域21eの屈折率が他の領域の屈折率よりも低いため、コア21a内を伝播するモードの光とクラッド21b内を伝播するモードの光とを分離できるため、これらのモード間の結合を回避または緩和できる。チャープトグレーティング21c、21dは、上述の実施の形態2に記載したものと同様であるため、その説明を省略する。
フェルール22は、フランジ部22aと、フランジ部22aの両側に圧入によって取り付けられた突合せ部22b、22cと、半径方向中心に長手方向に設けられたファイバ孔22dと、フランジ部22aの突合せ部22b側に形成された鍔部22eと、鍔部22eに形成されハウジング24に対して位置決めするスリット22fとを有する。フェルール22は、フランジ部22aがSUS等のステンレスやプラスチック等の材料を、突合せ部22b、22cがジルコニア等の材料を用いてそれぞれ成形されている。フェルール22は、後述する突条24bと鍔部22eとの間に押しばね26を介装してハウジング24内に収容されている。フェルール22のファイバ孔22dには、対向チャープトFBGファイバ21が取り付けられている。
対向チャープトFBGファイバ21は、接着剤を用いてファイバ孔22dに固定されている。ファイバ孔22dに固定された対向チャープトFBGファイバ21は、フェルール22の突合せ部22b、22cの各端面に露出した部分がマイクロラッピング等の技術を用いて鏡面研磨されている。ここで、対向チャープトFBGファイバ21は、裸ファイバの表面に施したナイロン等の合成樹脂からなる被覆が除去されている。使用する接着剤としては、対向チャープトFBGファイバ21のクラッド21bの屈折率以上の屈折率を有するエポキシ系の接着剤を使用することが好ましい。対向チャープトFBGファイバ21の被覆を除去した部分をファイバ孔22dに接着固定する場合は、接着剤の屈折率が、クラッド21bの屈折率より大きいものを使用することによって、チャープトグレーティング21c、21dを通らないクラッドモードの影響を小さくでき波長特性を向上させることができる。
割りスリーブ23は、スリット23aを有するジルコニア、リン青銅等からなる円筒状の部材で、フェルール22の突合せ部22cに取り付けられ、ファイバアダプタ20の突合せ部22c側に嵌合される光コネクタの不図示のフェルールをフェルール22に対して位置決めする。ハウジング24は、フェルール22を割りスリーブ23と共に収容するSUS等の金属からなる筒体で、突合せ部22b側が雄型に、突合せ部22c側が雌型に、それぞれ成形され、突合せ部22b側の内部に周方向に突条24a,24bが形成されている。突条24aは、ハウジング24内に収容したフェルール22の鍔部22eを係止する部分で、突条24bは鍔部22eとの間に介装する押しばね26を係止する部分である。
接続ナット25は、ファイバアダプタ20の突合せ部22bに嵌合される光コネクタの外周に着脱自在に螺着し、この光コネクタとの接続状態を保持するもので、SUS等を用いて形成される。ファイバアダプタ20は、上記のように構成され、突合せ部22b側に不図示の雌型の光コネクタを、突合せ部22c側に不図示の雄型の光コネクタを、それぞれ嵌着して使用される。これにより、ファイバアダプタ20は、対向チャープトFBGファイバ21を介して両側に嵌着した光コネクタの光ファイバ相互が光接続される。
図15は、ファイバアダプタ20についての遮断量のグレーティング間隔依存特性を示す図である。図15から、ファイバアダプタ20の遮断特性は、グレーティング間隔dの増大と共に略単調に減少していくことがわかる。図12から、グレーティング間隔dを1mm以上にすることによってこのリップルはdB単位で略半分以下となり、2mm以上にすることによってこのリップルは略4分の1以下となる。リップルの観点からは、グレーティング間隔dを1.6mm以上にすることによって、例えば40dB等の実用的な遮断量を対象とする波長帯で得ることができ、4mm以上にすることによってリップルを1〜2dBの範囲内に収めることができ、好ましい。
このように構成することによって、単一モードで使用するとき、FBGを有する従来のアダプタよりも17dB程度高い遮断量のファイバアダプタ20を得ることができた。なお、上記では、対向チャープトFBGファイバを内蔵するファイバアダプタについて説明したが、本発明は、対向チャープトFBGファイバを内蔵するファイバコネクタにも同様に適用される。
(実施の形態3)
図16は、本発明の第3の態様のファイバアダプタの構成を示す模式的に示す断面図である。ファイバアダプタ30は、ファイバアダプタ20の対向チャープトFBGファイバ21を図16(b)に示す構造の対向チャープトFBGファイバ31に変えたものである。対向チャープトFBGファイバ31は、図16(a)に示すように、コア31aとコア31aの外側に設けられたクラッド31bとを有する光導波路と、コア31aとクラッド31bの一部に及ぶ領域にわたって設けられた複数のチャープトグレーティング31c、31dとを有し、チャープトグレーティング31cとチャープトグレーティング31dとがグレーティング間隔d離れると共に対向して配置され、コドープ領域31eがコア31aを取り囲むように形成され、上述のチャープトグレーティング31c、31dがコドープ領域31eに形成された構成を有する。
上記の光導波路内の半径方向の屈折率分布の一例を図17に示す。図17において、横軸はコア31aの中心からの半径方向の距離(μm)、縦軸は屈折率差を表す。図17に示す例では、コア31aの直径は10μm程度であり、クラッド31bの直径は125μm程度であり、コドープ領域31eの半径方向の幅は2〜10μm程度である。なお、コドープ領域31eの半径方向の幅は、4〜5μm程度が性能および作成上の観点から好ましい。また、コア31aはクラッド31bよりも屈折率が0.008程度高く、コドープ領域31eはクラッド31bよりも屈折率が0.001程度低くなっている。
クラッド31bは通常SiOを用いて形成されるが、コア31aは光誘起屈折率変化を起こす例えばB、Ge等がドープされたSiOを用いて形成され、コドープ領域31eはB、Ge等とF、Cl等とがドープされたSiOを用いて形成される。コドープ領域31e内のB、Ge等は、チャープトグレーティング31c、31dを形成するためにドープされ、F、Cl等は、コドープ領域31e内の屈折率をコア31a内の屈折率よりも低下させるためにドープされる。F、Cl等をドープしてコドープ領域31e内の屈折率を、例えばクラッド31b内の他の領域の屈折率よりも低下させるのでもよい。このようにして製造した他の光導波路の、半径方向の屈折率分布の一例を図18に示す。
このようにすることによって、チャープトグレーティング31cが形成される領域をコア31aの外にまで広げたため、クラッド31b内を伝播していくモードの光を低減でき、コア31a内を伝播するモードの光とクラッド31b内を伝播するモードの光とのモード間結合を回避または緩和できる。
このように構成することによって、FBGを有する従来のアダプタよりも17dB程度高い遮断量のファイバアダプタを得ることができた。なお、上記では、対向チャープトFBGファイバを内蔵するファイバアダプタについて説明したが、本発明は、対向チャープトFBGファイバを内蔵するファイバコネクタにも同様に適用される。
1 光導波路
1a、21a、31a コア
1b、21b、31b クラッド
2a、2b、21c、21d、31c、31d チャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティング
3 高屈折率材
10 ファイバ・ブラッグ・グレーティング素子
20、30 ファイバアダプタ
21 対向チャープトFBGファイバ
21e ディプレッスト領域
22 フェルール
22a フランジ部
22b、22c 突合せ部
22d ファイバ孔
22e 鍔部
22f スリット
23 割りスリーブ
23a スリット
24 ハウジング
24a、24b 突条
25 接続ナット
26 押しばね
31e コドープ領域

Claims (2)

  1. コアと、
    前記コアの外側に設けられたクラッドと、
    少なくとも前記コア内に設けられ、光導波路に入射した光信号を所定の波長帯域で遮断するフィルタリングを行う複数のグレーティングであって、少なくとも2つの前記グレーティングが相互に離れて対向するように配置され、1650nm近傍の光信号の波長をブラッグ反射するように構成され、対向する前記グレーティングの中心から離れるにつれて、グレーティングピッチが短くなり、対向するように配置された前記グレーティング間の間隔が1.5〜2.0mmである複数のチャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティングと
    を備えることを特徴とするファイバ・ブラッグ・グレーティング素子。
  2. コアと、
    前記コアの外側に設けられ、前記コアを取り囲むディプレッスト領域またはコドープ領域の両方または少なくとも一方を有するクラッドと、
    少なくとも前記コア内に設けられ、光導波路に入射した光信号を所定の波長帯域で遮断するフィルタリングを行う複数のグレーティングであって、少なくとも2つの前記グレーティングが相互に離れて対向するように配置され、1650nm近傍の光信号の波長をブラッグ反射するように構成され、対向する前記グレーティングの中心から離れるにつれて、グレーティングピッチが短くなり、対向するように配置された前記グレーティング間の間隔が1.5〜2.0mmである複数のチャープト・ファイバ・ブラッグ・グレーティングとを有する対向チャープトFBGファイバと、
    前記対向チャープトFBGファイバを内部に保持するフェルールと、
    前記フェルールを内部に格納するハウジングとを備えたことを特徴とするファイバアダプタ。
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