JP2011014750A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66613—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
- H01L29/66628—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation recessing the gate by forming single crystalline semiconductor material at the source or drain location
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
- H01L21/76229—Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
- H01L29/1037—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure and non-planar channel
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
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Abstract
【課題】活性領域における電界の部分的な集中を防止する。
【解決手段】半導体装置は、分離絶縁領域(6)に囲まれた活性領域に形成された第1の拡散領域と第2の拡散領域と、第1の拡散領域と第2の拡散領域との間に形成された溝状のトレンチ領域と、トレンチ領域上に形成されたゲート絶縁膜(10)と、トレンチ領域を埋め込むようにゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(11)と、ゲート絶縁膜と分離絶縁領域とで挟まれた領域のうち上層側に位置する領域に形成された保護絶縁膜(4)と、を備える。
【選択図】図9
【解決手段】半導体装置は、分離絶縁領域(6)に囲まれた活性領域に形成された第1の拡散領域と第2の拡散領域と、第1の拡散領域と第2の拡散領域との間に形成された溝状のトレンチ領域と、トレンチ領域上に形成されたゲート絶縁膜(10)と、トレンチ領域を埋め込むようにゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(11)と、ゲート絶縁膜と分離絶縁領域とで挟まれた領域のうち上層側に位置する領域に形成された保護絶縁膜(4)と、を備える。
【選択図】図9
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、電界効果トランジスタを備える半導体装置及びその製造方法に関する。
半導体装置の高集積化のため、トランジスタサイズの縮小化が求められている。ところが、プレーナ型の電界効果トランジスタでは、そのサイズを縮小しようとすると、ゲート幅縮小のため短チャネル効果が生じると共に、チャネル領域の幅も減少して駆動電流が低下するという問題を生じる。このため、プレーナ型の電界効果トランジスタのサイズ縮小化は困難である。
上述した問題を引き起こすことなくトランジスタサイズの縮小化を可能にする方法として、トランジスタの構造を3次元構造とする方法が知られている。例えば、ゲート電極をシリコン基板に埋め込むトレンチゲート型構造を採用することにより、ゲート幅を拡大することができる。また、活性領域を薄い壁状にしたフィン型構造を採用することにより、チャネル幅を拡大することができる。
特許文献1には、トレンチゲート型構造とフィン型構造の両者を組み合わせた構造を採用した半導体装置が記載されている。この半導体装置は、分離絶縁領域とトレンチ領域とに挟まれた活性領域の突出部と、この突出部を横切るように形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極とを有している。そして、突出部がチャネル領域として利用される。
特許文献1に記載された半導体装置では、突出部を横切るようにゲート絶縁膜及びゲート電極が形成されている。即ち、突出部の上面から両側壁にかけてゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されている。この構成では、突出部の上部側の周囲が、ゲート酸化膜を介してゲート電極によって囲まれる。それゆえ、ゲート電極に電圧を印加すると、突出部の上部先端付近では、側壁側のゲート電極による電界と上面側のゲート電極による電界とが重なって発生する。つまり、この構成において発生する電界は、突出部の先端周辺に特に集中して増大することになり、その結果、ゲート酸化膜の絶縁耐圧が劣化し、最終的に絶縁破壊に至るおそれがある。
本発明の一実施の形態に係る半導体装置は、分離絶縁領域に囲まれた活性領域に形成された第1の拡散領域と第2の拡散領域と、前記第1の拡散領域と前記第2の拡散領域との間に形成された溝状のトレンチ領域と、前記トレンチ領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記トレンチ領域を埋め込むように前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜と前記分離絶縁領域とで挟まれた領域のうち上層側に位置する領域に形成された保護絶縁膜と、を備えることを特徴とする。
ゲート絶縁膜と分離絶縁領域とで挟まれた領域の上層側に保護絶縁膜を設けることで、その領域の下層側に位置する活性領域の上面とゲート絶縁膜及びゲート電極との距離を大きくし、これにより、活性領域における電界の部分的な集中を防止する。なお、上面から電界を遮断すると、その分だけチャネル領域の幅が減少して、トランジスタの駆動電流が低下することになる。しかし、チャネル領域の全体幅に対する上面の占有割合は低く、今後半導体装置の小型化とともにその割合は低下していくので、本実施の形態に係る半導体装置のように、チャネル領域の上面から電界が発生しない構造としても、トランジスタの駆動電流は、上面からの電界があった場合と比べて、さほど変わらない。
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ここでは、半導体装置として、DRAM(Dynamic Random Access Memory)を取り上げ、特にそれに用いられるトランジスタ、例えばMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、の製造プロセスについて説明する。
図1は、MOSFETの製造プロセスを説明するためのフローチャートである。ただし、ここでは主要部(STI:Shallow Trench Isolation、ゲート電極、セルコンタクト等)の形成工程のみを示しており、不純物拡散等の工程については省略している。不純物拡散等の工程については、公知の方法を用いることができる。
以下、図1に加え、図2乃至図10を参照して、トランジスタの製造プロセスについて詳細に説明する。
まず、図2(a),(b)及び(c)に示すように、シリコン(Si)基板1上に、所定形状の窒化シリコン(SiN)膜2を形成する。ここで、図2(a)は、トランジスタの単位セルに相当する領域を示す平面図であり、図2(b)は、図2(a)におけるA−A線断面図、図2(c)は、図2(a)におけるD−D線断面図である。なお、図3以降の各図においても同様であって、(a)は、トランジスタの単位セルに相当する領域を示す平面図、(b)は(a)におけるA−A線断面図、(c)は(a)におけるD−D線断面図である。
図2(a),(b)及び(c)に示す所定形状の窒化シリコン膜2は、以下のように形成される。
まず、シリコン基板1を用意し、その表面上の全面に窒化シリコン膜2を形成する(ステップS101)。この窒化シリコン膜2は、例えば、減圧CVD法により、膜厚100nmに形成される。
次に、リソグラフィ技術を用いて、窒化シリコン膜2上に所定形状のレジスト膜を形成する(ステップS102)。即ち、レジストの塗布、露光及び現像を行い、所定形状のレジスト膜を形成する。なお、所定の形状は、後に形成される活性領域の形状に対応する。
次に、窒化シリコン膜2上のレジスト膜をマスクとして、窒化シリコン膜2をドライエッチングし、マスクパターンを窒化シリコン膜2に転写する(ステップS103)。その後、レジスト膜を除去する(ステップS104)。
以上の工程により、シリコン基板1上に所定形状の窒化シリコン膜2が形成される。所定形状の窒化シリコン膜2は、シリコン基板1の活性領域上に位置している。本実施の形態では、トランジスタの単位セル領域内に、互いに並列に配置された同一形状の複数(ここでは3つ)の活性領域が形成されるものとする。
次に、窒化シリコン膜2をマスクとして、シリコン基板1をドライエッチングし、図3(a),(b)及び(c)に示すように、トレンチ領域(STI)3を形成する(ステップS105)。このときのエッチング深さは、例えば65nmである。ここでのドライエッチングには、誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)による反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)を用いることができる。その場合のエッチング条件は、例えば、ソースパワー:1000W、高周波パワー:50〜200W、圧力:5〜20mTorr、ステージ温度:20〜40℃、エッチングガス:SF6(90sccm)及びCl2(100sccm)、とすることができる。
次に、ケイ酸ガラス(NSG:Non-doped Silicate Glass)膜4を成膜して、図4(a),(b)及び(c)に示すように、シリコン基板1及び窒化シリコン膜2の露出面全面を被覆する(ステップS106)。これにより、トレンチ領域3の側面部(シリコン基板1の活性領域の側面及び窒化シリコン膜2の側面)もまたケイ酸ガラス膜4に覆われる。ケイ酸ガラス膜4は、例えば、減圧CVD法により、膜厚15nmに形成される。
次に、ケイ酸ガラス膜4をエッチバックし、図5(a),(b)及び(c)に示すように、トレンチ領域3の側面部にケイ酸ガラス膜4を残したまま、シリコン基板1と窒化シリコン膜2の上のケイ酸ガラス膜4を除去する(ステップS107)。
次に、窒化シリコン膜2及びケイ酸ガラス膜4をマスクとして、ドライエッチングを行い、図6(a),(b)及び(c)に示すように、トレンチ領域3の深さを増大させ、分離絶縁領域であるトレンチ領域5を形成する(ステップS108)。このドライエッチングは、ステップS105のものと同一の条件で行うことができる。エッチング深さは例えば、65nmである。ステップS105のエッチングとステップS108のエッチングの深さが夫々65nmのとき、トータル深さは130nmとなる。
図6(b)及び(c)から理解されるように、トレンチ領域3の側面部に残したケイ酸ガラス膜4の下では、シリコン基板1のエッチングが進行せず、シリコン基板1がそのまま残留している。その結果、図6(c)に示すように、トレンチ領域5を規定するケイ酸ガラス膜4及びシリコン基板1の残留部分の側面は、左右対称な形状となる。このシリコン基板の残留部分が、後に明らかとなるようにチャネル領域として利用される領域である。そのため、この部分が左右非対称になると、後に製造される半導体装置の特性がばらつく原因となる。
次に、図7(a),(b)及び(c)に示すように、酸化シリコン(SiO2)膜6により、トレンチ領域5を埋め込むとともに、活性領域7の上面を露出させる。
まず、トレンチ領域5を埋め込むため、酸化シリコン膜6を全面に成膜する(ステップS109)。例えば、プラズマCVD法により、膜厚480nmのSiO2膜を形成することにより、トレンチ領域5を埋め込むことができる。
次に、シリコン基板1の活性領域7上に残した窒化シリコン膜2をストッパとして、酸化シリコン膜6に対してCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理を行い、不要なSiO2を除去する(ステップS110)。
その後、例えば燐酸を用いたウエットエッチングにより、残留している窒化シリコン膜2を除去し、活性領域7の上面を露出させる(ステップS111)。このとき、トレンチ領域5を埋め込んでいる酸化シリコン膜6も希釈フッ化水素酸でのウェットエッチングにより、活性領域7の上面位置と酸化シリコン膜6の上面位置とは一致させることができる。
こうして、図7(a),(b)及び(c)に示すように、トレンチ領域5が酸化シリコン膜6によって埋め込まれ、かつ活性領域7の上面が露出した構造が得られる。
次に、図8(a),(b)及び(c)に示すように、活性領域7の各々に一対のゲートトレンチ8を形成する。ゲートトレンチ8の形成は、例えば、以下のように行われる。
まず、酸化シリコン膜6及び活性領域7の表面上にレジスト膜を形成する。続いて、リソグラフィ技術により、形成したレジスト膜のゲートトレンチに対応する領域に開口を形成する(ステップS112)。そして、このレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングを行い、活性領域7の一部にトレンチ(ゲートトレンチ8)を形成する(ステップS113)。その後、レジスト膜を除去する(ステップS114)。
こうして、図8(a),(b)及び(c)に示すように、活性領域7の各々に一対のゲートトレンチ8が形成される。ゲートトレンチ8の深さは、例えば、65nmである。
図8(a)及び(b)において、各活性領域の中央に位置する領域、即ち一対のゲートトレンチ8に挟まれた領域、がソース領域(第1の拡散領域)となる。また、同図において各活性領域の両端側に位置する領域が、ドレイン領域(第2の拡散領域)となる。このように、ゲートトレンチ8は、第1の拡散領域と一対の第2の拡散領域の夫々との間に溝状に形成される。
また、図8(c)に示すように、各活性領域は、第1の拡散領域と各第2の拡散領域との間に位置する領域において、その断面形状が凹形状となる。つまり、ゲートトレンチ8を挟み、互いに距離をおいて対向する一対の突起部(フィン部)9,9’が形成される。これら突起部9,9’がチャネル領域として利用される。これら突起部9,9’の上には、ほぼ同一形状(フィン形状)のケイ酸ガラス膜4が絶縁膜として存在する。なお、ゲートトレンチ8は、その底部がトレンチ5の底部よりも浅い位置(酸化シリコン膜6の下面よりも上の位置)となるように形成されることが望ましい。
次に、図9(a),(b)及び(c)に示すように、ゲートを形成する。ゲートの形成は以下のように行われる。
まず、ゲート酸化膜(SiO2膜)10を、例えば膜厚2〜6nm成膜し(ステップS115)、続いて、ゲート電極11を形成する(ステップS116)。ゲート電極11は、例えば、膜厚60nmのDOPS(Doped Poly Silicon)と膜厚35nmのタングステン膜との積層膜とすることができる。
次に、マスク窒化シリコン膜12を、例えば膜厚200nmとなるように成膜し(ステップS117)、レジストを用いたリソグラフィとドライエッチングにより、マスク窒化シリコン膜12、ゲート電極11及びゲート酸化膜10を所定形状に加工する(ステップS118〜S119)。その後、レジストを除去する(ステップS120)。
こうして、ゲートトレンチ領域上にゲート絶縁膜であるゲート酸化膜10が形成される。換言すると、突起部9,9’の側面を含むゲートトレンチ8を規定する活性領域7の表面上及び突起部9,9’の上のケイ酸ガラス膜4の側面及び上面にかけてゲート絶縁膜が形成される。また、そのゲート絶縁膜上に、ゲートトレンチ領域を埋め込むようにゲート電極11が形成される。その結果、図9(c)に見られるように、ゲート絶縁膜(ゲート酸化膜10)と分離絶縁領域(酸化シリコン膜6)との間の領域のうち上層側の領域には、ケイ酸ガラス膜4が保護絶縁膜として存在する。その領域のうち下層側の領域は、チャネル領域となる。
次に、保護窒化シリコン膜13を、例えば膜厚20〜30nm形成し(ステップS121)、エッチバックを行って、ゲート側壁部に保護窒化シリコン膜13を残留させる(ステップS122)。
以上の工程により、複数の活性領域を横切るようにゲートが形成される。
次に、図10(a),(b)及び(c)に示すように、ソース電極及びドレイン電極等の形成を行う。
まず、活性領域にシリコンエピタキシャル層14を、例えば、20〜30nm成長させる(ステップS123)。
次に、SOD(Spin On Dielectrics)膜15を、例えば、膜厚400nmで形成し(ステップS124)、マスク窒化シリコン膜12をストッパとしてCMPを行って不要なSOD膜15を除去する(ステップS125)。
次に、レジストを用いたリソグラフィとドライエッチングとにより、SOD膜15にセルコンタクトホール16を形成する(ステップS126〜S127)。その後、レジストを除去する(ステップS128)。
次に、セルコンタクトホール16内にコンタクトプラグ17を形成する。コンタクトプラグ17は、チタン、窒化チタン及びタングステンの積層膜として構成することができる。例えば、チタンを膜厚10nm,窒化チタンを膜厚10nm,タングステンを膜厚100nm順次形成し(ステップS129)、CMPにより不要なタングステン、窒化チタン及びチタンを除去する(ステップS130)。こうしてコンタクトプラグ17がセルコンタクトホール16内に形成される。
以上のようにして、半導体装置が製造される。
本実施の形態に係る半導体装置では、ゲート絶縁膜(ゲート酸化膜10)と分離絶縁膜(酸化シリコン膜6)とで挟まれた領域のうち上層側に位置する領域に保護絶縁膜(ケイ酸ガラス膜4)を備えている。それゆえ、ゲート電極11から突起部9,9’に対して電圧を印加したとき、少なくとも突起部9,9’の上面から電界は生じない。その結果、突起部9,9’に生じる電界が緩和され、電界集中に起因した問題点は解決される。
また、本実施の形態に係る半導体装置では、単位セル内に、複数の活性領域を並列に形成している。このため、第1の拡散領域と第2の拡散領域との間には、複数のチャネル領域が並列して存在することになる。このため、これら複数のチャネル領域を同時に使用することで、トランジスタの駆動電流を増大させることができる。
以上、本発明についていくつかの実施の形態に即して説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更、変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、単位セル内に3個の活性領域を並列に設ける場合について説明したが、1個でもよいし、2個又は4個以上であってもよい。
1 シリコン基板
2 窒化シリコン膜
3 トレンチ領域
4 ケイ酸ガラス膜
5 トレンチ領域
6 酸化シリコン膜
7 活性領域
8 ゲートトレンチ
9,9’ 突起部
10 ゲート酸化膜
11 ゲート電極
12 マスク窒化シリコン膜
13 保護窒化シリコン膜
14 シリコンエピタキシャル層
15 SOD膜
16 セルコンタクトホール
17 コンタクトプラグ
2 窒化シリコン膜
3 トレンチ領域
4 ケイ酸ガラス膜
5 トレンチ領域
6 酸化シリコン膜
7 活性領域
8 ゲートトレンチ
9,9’ 突起部
10 ゲート酸化膜
11 ゲート電極
12 マスク窒化シリコン膜
13 保護窒化シリコン膜
14 シリコンエピタキシャル層
15 SOD膜
16 セルコンタクトホール
17 コンタクトプラグ
Claims (9)
- 分離絶縁領域に囲まれた活性領域に形成された第1の拡散領域と第2の拡散領域と、
前記第1の拡散領域と前記第2の拡散領域との間に形成された溝状のトレンチ領域と、
前記トレンチ領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチ領域を埋め込むように前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜と前記分離絶縁領域とで挟まれた領域のうち上層側に位置する領域に形成された保護絶縁膜と、
をさらに備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜と前記分離絶縁領域とで挟まれた領域のうち下層側に位置する領域に形成されたチャネル領域を備えることを特徴とする請求項1に記載された半導体装置。
- 前記第1の拡散領域の両側に前記第2の拡散領域が夫々設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載された半導体装置。
- トランジスタの単位セル内に、前記活性領域が互いに並列に複数個設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載された半導体装置。
- 活性領域に形成されたフィン部と、
該フィン部の上面に形成されたフィン形状の保護絶縁膜と、
前記フィン部及び前記保護絶縁膜の側面から前記保護絶縁膜の上面にかけて形成されたゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記フィン部が、互いに距離を置いて対向するように2個設けられていることを特徴とする請求項5に記載された半導体装置。
- 前記フィン部及び前記保護絶縁膜の側面が、ゲートトレンチの一部を規定し、前記ゲート電極が前記ゲートトレンチを埋め込むように形成されていることを特徴とする請求項5又は6に記載された半導体装置。
- シリコン基板をエッチングしてトレンチ領域を形成する工程と、
前記トレンチ領域の側面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を残したまま前記シリコン基板をさらにエッチングして、前記トレンチ領域の深さを増大させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ領域とは異なる領域の前記シリコン基板を部分的にエッチングして、前記絶縁膜の下にフィン部を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項8に記載された半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009158345A JP2011014750A (ja) | 2009-07-03 | 2009-07-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
US12/796,941 US20110001185A1 (en) | 2009-07-03 | 2010-06-09 | Device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009158345A JP2011014750A (ja) | 2009-07-03 | 2009-07-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011014750A true JP2011014750A (ja) | 2011-01-20 |
Family
ID=43412167
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009158345A Withdrawn JP2011014750A (ja) | 2009-07-03 | 2009-07-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110001185A1 (ja) |
JP (1) | JP2011014750A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110073939A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
JP7142695B2 (ja) | 2017-11-03 | 2022-09-27 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100696764B1 (ko) * | 2006-03-23 | 2007-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
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-
2009
- 2009-07-03 JP JP2009158345A patent/JP2011014750A/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-06-09 US US12/796,941 patent/US20110001185A1/en not_active Abandoned
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US20110073939A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
US8633531B2 (en) * | 2009-09-29 | 2014-01-21 | Noriaki Mikasa | Semiconductor device |
JP7142695B2 (ja) | 2017-11-03 | 2022-09-27 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20110001185A1 (en) | 2011-01-06 |
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