JP2011003857A - 光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】広い温度領域で安定した高い結合効率を維持すること。
【解決手段】本発明は、実装部であるステム１２上に設けられたレーザダイオード１４と、レーザダイオード１４の出射光を集光する樹脂レンズ２０と、ステム１２上に固定され、レーザダイオード１４の光軸方向に延在し、樹脂レンズ２０を支持するレンズ支持部２２と、を具備し、レンズ支持部２２は、温度上昇に伴いレーザダイオード１４と樹脂レンズ２０との間隔を広げるような熱膨張係数を有する光半導体装置である。
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体装置に関する。

従来、例えば、ＣＡＮパッケージを採用した光半導体装置において、シングルモードファイバとの結合を効率よくするため、硝子製の非球面レンズが使用されている。また、硝子製の変わりに樹脂製の非球面レンズを使用することで、低コスト化を図ることも提案されている。

樹脂の屈折率は硝子に比べて温度依存性が高い。このため、樹脂製の非球面レンズを用いた場合、温度の変化に伴って樹脂の屈折率が変化し、集光点位置が変化してしまう。これに対して、レンズの表面上に回折溝を設けることにより、樹脂製レンズの集光点位置の温度による変化を回折溝により補正する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。

再表００／１７６９１号公報

特許文献１に係る補正は、レーザ波長の温度依存性を利用するものである。しかしながら、レーザ波長の温度依存性は任意に設定できるわけではなく、また、回折溝の加工性にも限界がある。このため、広い温度領域で安定した高結合効率を維持することは難しい。

そこで、本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、広い温度領域で安定した高い結合効率を維持することが可能な光半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、実装部上に設けられたレーザダイオードと、前記レーザダイオードの出射光を集光する樹脂レンズと、前記実装部上に固定され、前記レーザダイオードの光軸方向に延在し、前記樹脂レンズを支持するレンズ支持部と、を具備し、前記レンズ支持部は、温度上昇に伴い前記樹脂レンズと前記レーザダイオードとの間隔を広げるような熱膨張係数を有することを特徴とする光半導体装置である。本発明によれば、広い温度領域で安定した高い結合効率を維持することができる。

上記構成において、前記レーザダイオードは、前記実装部に接続するレーザ支持部で支持されることで前記実装部上に設けられ、前記レンズ支持部の熱膨張係数は、前記レーザ支持部の熱膨張係数より大きい構成とすることができる。

上記構成において、前記レーザ支持部が接続する前記実装部の面と前記レンズ支持部が固定される前記実装部の面とは同一面であり、前記レーザダイオードの光軸方向は、前記実装部の面の垂直方向である構成とすることができる。この構成によれば、レーザダイオードと樹脂レンズの高さ位置寸法を精度よく調整することが容易にできる。

上記構成において、前記実装部に固定され、前記レーザダイオードと前記樹脂レンズを封止するキャップを有する構成とすることができる。この構成によれば、樹脂レンズが傷つくことを抑制でき、信頼性の向上を図ることができる。

上記構成において、前記レンズ支持部は、前記実装部上から見て、前記レーザダイオードを囲むように設けられている構成とすることができる。この構成によれば、温度上昇に伴い樹脂レンズがレーザダイオードの光軸に対して傾くことを抑制できる。

上記構成において、前記レーザ支持部が接続する前記実装部の面と前記レンズ支持部が固定される前記実装部の面とは同一面であり、前記実装部の面に固定され、前記レーザダイオードと前記樹脂レンズを封止するキャップを有し、前記レンズ支持部は、前記実装部の面上から見て、前記レーザダイオードを囲むように、前記キャップの側面周囲に沿って延在して設けられている構成とすることができる。この構成によれば、信頼性高く、レーザダイオードと樹脂レンズの高さ位置寸法精度の調整が容易であり、温度上昇に伴うレーザダイオードの光軸に対する樹脂レンズの傾きを抑制可能な光半導体装置を得ることができる。

上記構成において、前記樹脂レンズは、輪帯状に形成された回折溝を有する構成とすることができる。この構成によれば、より広い温度領域で安定した高結合効率を維持できる。

上記構成において、前記樹脂レンズと前記レンズ支持部とは、同一の樹脂で形成されている構成とすることができる。

上記構成において、前記樹脂レンズと前記レンズ支持部とは、異なる樹脂で形成されている構成とすることができる。この構成によれば、レンズ支持部に熱膨張係数の最適な樹脂を用いることができる。

本発明によれば、広い温度領域で安定した高い結合効率を維持することが可能な光半導体装置を得ることができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る光半導体装置の上面模式図であり、図１（ｂ）は、実施例１に係る光半導体装置の断面模式図である。 図２は、光半導体装置とシングルモードファイバとの結合効率の温度依存性を計算したシミュレーション結果である。 図３は、比較例に係る光半導体装置の断面模式図である。 図４は、比較例及び比較例の変形例について、集光点位置の温度変化を計算したシミュレーション結果である。 図５（ａ）は、実施例２に係る光半導体装置の上面模式図であり、図５（ｂ）は、実施例２に係る光半導体装置の断面模式図である。

以下、図面を参照して、本発明の光半導体装置の実施例としてＣＡＮパッケージを採用した光半導体装置について説明する。

図１（ａ）は実施例１に係る光半導体装置１００の上面模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面模式図である。なお、図１（ａ）は、キャップ２４の上面３６、封止硝子４０、及び樹脂レンズ２０を透視した上面模式図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、光半導体装置１００は、主として、実装部であるステム１２と、レーザダイオード（ＬＤ）１４及びフォトダイオード（ＰＤ）１６と、ＬＤ１４を支持するレーザ支持部１８と、ＬＤ１４の出射光を集光する樹脂レンズ２０と、樹脂レンズ２０を支持するレンズ支持部２２と、ＬＤ１４、ＰＤ１６及び樹脂レンズ２０を封止するキャップ２４と、から構成される。

ステム１２は、円柱形状をしていて、一方の面２８には、垂直方向に突出するレーザ支持部１８が接続されている。実施例１において、レーザ支持部１８は、ステム１２と同一の材料により一体形成されている。ステム１２及びレーザ支持部１８は、例えば、普通鋼（ＳＰＣＣ）のような鉄系の合金で形成され、１．０〜１．４×１０^−５／℃の熱膨張係数を有する。ステム１２には、リードピン３０が、例えば硝子等の絶縁物３３を介して固定され取り付けられている。リードピン３０は、例えば３本設けられており、その内の１本は、例えばワイヤによりＬＤ１４に接続され、他の１本は、例えばワイヤによりＰＤ１６に接続され、残りの１本は、グランドに接続される。なお、リードピン３０の本数は３本に限られるわけではなく、４本等、他の本数の場合でもよい。

ＬＤ１４及びＰＤ１６はそれぞれ、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で形成されたヒートシンク３２、３４上にマウントされている。ＬＤ１４がマウントされたヒートシンク３２はレーザ支持部１８に実装され、これにより、ＬＤ１４はステム１２の上方に設けられている。ＰＤ１６がマウントされたヒートシンク３４はステム１２に実装されている。

ＬＤ１４は、例えば、量子ドットレーザである。量子ドットレーザ以外にも、例えば量子井戸レーザ等の半導体レーザを用いることもできる。ＬＤ１４の出射光は、ステム１２の面２８に対して垂直方向に出射される。つまり、ＬＤ１４の光軸方向は、ステム１２の面２８の垂直方向である。ＰＤ１６は、ＬＤ１４の光出力をモニタリングするために設けられ、ＬＤ１４の光軸上であって、ステム１２の面２８から掘り下げられたステム１２の面に設けられている。

樹脂レンズ２０は、例えば、非球面レンズであり、ＬＤ１４の出射光を集光し、シングルモードファイバ等に入射させる。樹脂レンズ２０は、樹脂レンズ２０の光軸とＬＤ１４の光軸とが一致するように、ＬＤ１４の上方に設けられている。樹脂レンズ２０は、一端がステム１２の面２８に接着剤により固定され他端が樹脂レンズ２０に接続するレンズ支持部２２により支持されていて、これにより、上述したようなＬＤ１４の上方に配置されている。つまり、レンズ支持部２２は、ＬＤ１４の光軸方向に延在して設けられている。言い換えると、レンズ支持部２２は、ステム１２の面２８の垂直方向に延在して設けられている。樹脂レンズ２０とレンズ支持部２２とは、同一の樹脂により一体成型で形成され、例えば、５．０〜７．０×１０^−５／℃の熱膨張係数を有する。このように、レンズ支持部２２の熱膨張係数は、レーザ支持部１８の熱膨張係数より大きい。

キャップ２４は、例えば、金属製であり、円筒形状をしていて、上面３６には、ＬＤ１４の出射光を、光半導体装置１００の外部に取り出すための孔部３８が設けられている。また、キャップ２４の上面３６には、孔部３８を覆うように、封止硝子４０が設けられており、封止硝子４０により孔部３８がシールされている。封止硝子４０が設けられていることで、キャップ２４の下部４２をステム１２の面２８に溶接固定することで、ＬＤ１４、ＰＤ１６や樹脂レンズ２０をキャップ２４で密閉し、封止することができる。キャップ２４内部は大気が充満している場合でもよいが、ＬＤ１４やＰＤ１６の劣化を抑制する等の目的から窒素ガスが充満している場合が好ましい。

レンズ支持部２２は、リードピン３０とキャップ２４との間を、キャップ２４の内側面周囲に沿って延在しており、レーザ支持部１８が突出している部分を除いて、キャップ２４の内側面周囲に沿って延在して設けられている。つまり、レンズ支持部２２は、ステム１２の面２８の上方から見て、ＬＤ１４を囲むように設けられている。

図２は、光半導体装置１００とシングルモードファイバとの結合効率の温度依存性をシミュレーションした計算結果である。なお、図２において、比較例として、図３に示す構造の光半導体装置２００のシミュレーション結果も示している。また、実施例１及び比較例それぞれについて、光軸を中心とした同心円状で、外周に行くに連れて間隔が狭くなるような輪帯回折溝が入射面側に設けられた樹脂レンズ２０を用いた場合のシミュレーション結果を、実施例１の変形例及び比較例の変形例として示している。

まず、図３の断面図により、比較例に係る半導体装置２００の構造を説明する。図３のように、樹脂レンズ２０は、封止硝子４０に接着剤で固定されていて、実施例１のように、樹脂レンズ２０を支持するレンズ支持部２２が設けられていない。その他の構成については実施例１と同じであるため、説明を省略する。

次に、図２を参照して、結合効率の温度依存性のシミュレーション結果を説明する。なお、シミュレーションにおいては、ＬＤ１４は量子ドットレーザを用いた場合を想定し、ＬＤ１４の出射光の波長は表１のような温度依存性を有するとして計算を行った。樹脂レンズ２０及びレンズ支持部２２はＺＥＯＮＥＸ（登録商標）なる樹脂を用いた場合を想定し、樹脂の屈折率は表２のような温度依存性を有するとして計算を行った。また、樹脂レンズ２０及びレンズ支持部２２に用いた樹脂の熱膨張係数は、７×１０^−５／℃であるとし、ステム１２に用いた普通鋼の熱膨張係数は、１．４×１０^−５／℃であるとして計算を行った。また、温度が２０℃の場合における、ステム１２の面２８とＬＤ１４の光出射端面との間の距離Ａは、１．２７ｍｍで、ステム１２の面２８と樹脂レンズ２０の光入射面との間の距離Ｂは、２．０８ｍｍで、樹脂レンズ２０の光入射面と光出射面との間の距離Ｃは、１．２８ｍｍであるとして計算を行った（距離Ａ、Ｂ、Ｃについては図１（ｂ）及び図３参照）。

図２に示されているように、比較例（図２中の一点鎖線のグラフ）では、安定した高結合効率を示す温度領域は、２０℃から４０℃程度の領域である。一方、実施例１（図２中の細実線のグラフ）では、安定した高結合効率を示す温度領域は、２０℃から６０℃程度の領域であり、比較例に比べて温度領域が広がっている。

このように、安定した高結合効率の温度領域が、比較例に比べて、実施例１で広くなる理由を、図１、図３、及び図４を用いて説明する。図４は、比較例と比較例の変形例とにおける、集光点位置の温度変化を計算したシミュレーション結果である。図４では、温度が２０℃の場合の集光点位置を基準にして表示していて、変位量が正の場合は、集光点位置が樹脂レンズ２０から遠ざかり、負の場合は、樹脂レンズ２０に近づくことを表している。図４のように、比較例及び比較例の変形例共に、温度が上昇するに連れて、最適集光点位置が樹脂レンズ２０から遠ざかっている。

図４のように、温度上昇に伴い、集光点位置が樹脂レンズ２０から遠ざかる理由は、表２のように、樹脂レンズ２０の屈折率が、温度が上昇するに連れて低下していくためと考えられる。このように、温度上昇に伴い樹脂レンズ２０の屈折率が低下し、集光点位置が樹脂レンズ２０から遠ざかることで、図２に示すように、高温領域では、結合効率が低下すると考えられる。

ここで、比較例の構造は、図３のように、樹脂レンズ２０は封止硝子４０に固定されているのに対し、実施例１の構造は、図１（ｂ）のように、樹脂レンズ２０は、ステム１２に固定されているレンズ支持部２２で支持されている。温度が上昇すると物質は各々の熱膨張係数に応じて体積が膨張する。したがって、図３の構造の比較例では、温度が上昇すると、レーザ支持部１８や樹脂レンズ２０等が膨張し、レーザ支持部１８と樹脂レンズ２０との間隔が狭くなる方向に動く。一方、図１（ｂ）の構造の実施例では、レンズ支持部２２の熱膨張係数がレーザ支持部１８より大きいことから、温度上昇に伴うレーザ支持部１８の膨張量よりレンズ支持部２２の膨張量の方が大きく、レーザ支持部１８とレンズ支持部２２との膨張量の差分だけ、樹脂レンズ２０はＬＤ１４から離れて、間隔が広がる。

樹脂レンズ２０とＬＤ１４との間隔が広がると、集光点位置が樹脂レンズ２０に近づく方向に作用する。このため、実施例１では、上述したような、温度上昇に伴う樹脂レンズ２０の屈折率低下による集光点位置の変化を補正することができる。つまり、実施例１は比較例に比べて、温度上昇に伴う集光点位置の変化を小さくできるため、図２のように、安定した高結合効率を維持できる温度領域を、より高温領域まで広げることができる。

図４に戻り、比較例の変形例は、比較例に比べて、温度変化による最適集光点位置の変化量が小さい。これは、比較例の変形例は、回折溝が設けられた樹脂レンズ２０を用いているためである。即ち、表１に示すように、ＬＤ１４のレーザ波長は、温度が上昇するに連れて、長波長側にシフトする。樹脂レンズ２０に回折溝を設け、このような温度上昇によるレーザ波長の長波長化を利用することで、樹脂レンズ２０の屈折率低下による集光点位置の変化を補正することができる。よって、比較例の変形例では、比較例に比べて、温度変化による集光点位置の変化量を小さくすることができる。

このことから、図２のように、比較例の変形例（図２中の二点鎖線のグラフ）は、安定した高結合効率を維持できる温度領域が、２０℃から６０℃程度となり、比較例に比べて広くなる。しかしながら、図４のように、比較例の変形例は、温度変化による集光点位置の変化量を小さくできるが、それでも、温度が８０℃まで上昇すると、集光点位置は７５μｍ程度シフトしてしまう。つまり、回折溝付き樹脂レンズ２０を用いたとしても、使用温度領域が広い場合は、回折溝の効果の限界を超えてしまい、図２のように、８０℃まで温度上昇すると結合効率が低下してしまう。

上述した、レンズ支持部２２の熱膨張を利用した集光点位置の変化の補正と、回折溝を設けてレーザ波長の温度依存性を利用した集光点位置の変化の補正と、の両方を利用したのが、実施例１の変形例である。図２のように、実施例１の変形例（図２中の太実線のグラフ）は、安定した高結合効率を０℃から８０℃までの広範な温度領域で得ることができる。

以上説明してきたように、実施例１によれば、レーザ支持部１８で支持されることでステム１２の上方に設けられたＬＤ１４の出射光を集光する樹脂レンズ２０は、ステム１２上に固定されたレンズ支持部２２により支持されていて、レンズ支持部２２は、ＬＤ１４の光軸方向に延在し、且つレーザ支持部１８の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する。これにより、温度が上昇し、レンズ支持部２２が膨張することで、ＬＤ１４の光出射面と樹脂レンズ２０の光入射面との間隔を広げることができる。よって、温度上昇に伴う樹脂レンズ２０の屈折率低下に起因する集光点位置の変化を補正することができ、安定した高結合効率を維持できる温度領域を広くすることができる。

なお、実施例１では、レンズ支持部２２の熱膨張係数は、レーザ支持部１８の熱膨張係数よりも大きい場合を説明したが、これに限られない。レンズ支持部２２は、少なくとも、温度が上昇することにより、樹脂レンズ２０とＬＤ１４との間隔を広げるような熱膨張係数を有する場合であればよい。この場合でも、温度上昇による集光点位置の変化を補正でき、安定した高結合効率を維持できる温度領域を広くできる。また、ＬＤ１４はレーザ支持部１８に支持されることでステム１２上方に設けられている場合を説明したが、レーザ支持部１８を用いずにステム１２上に設けられている場合でもよい。

樹脂レンズ２０が、ＬＤ１４やＰＤ１６と共にステム１２に固定されたキャップ２４の内部に設けられ、封止されていることで、樹脂レンズ２０が傷つくことや脱落すること等を抑制でき、光半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。

図１（ｂ）のように、レーザ支持部１８が接続するステム１２の面２８とレンズ支持部２２が固定される面２８とは同一面である。そして、ＬＤ１４の光軸方向は、ステム１２の面２８の垂直方向である。これにより、ステム１２の面２８を基準に、ＬＤ１４の光出射面までの距離、及び樹脂レンズ２０の光入射面までの距離等を設定することができる。つまり、ステム１２の面２８を、ＬＤ１４と樹脂レンズ２０との共通の基準面として用いることができる。このため、ＬＤ１４と樹脂レンズ２０との高さ位置寸法を精度よく調整することが容易にできる。また、樹脂レンズ２０をレンズ支持部２２を介してステム１２の面２８に実装することで、ステム１２の面２８上の広い空間を用いて実装できるため、作業性が向上し、また、実装後の検査も容易に実行できる。

図１（ａ）のように、レンズ支持部２２は、キャップ２４の側面周囲に延在して設けられており、これにより、ステム１２の面２８上から見て、ＬＤ１４を囲むように設けられている。このように、ＬＤ１４を囲むようにレンズ支持部２２が設けられていることで、レンズ支持部２２が温度上昇により膨張した際に、樹脂レンズ２０の光軸がＬＤ１４の光軸に対して傾くことを抑制できる。したがって、実施例１においては、レンズ支持部２２は、レーザ支持部１８が形成されている場所を除いて、キャップ２４の側面周囲に沿って延在して設けられている場合を説明したが、樹脂レンズ２０が傾くことを抑制するという目的からは、キャップ２４の側面全周囲に沿って延在して設けられている場合が好ましい。

実施例１の変形例では、実施例１の構造に、光軸を中心とした輪帯状の回折溝を有する樹脂レンズ２０を用いている。比較例の変形例のように、輪帯状の回折溝のみを用いて補正をする場合は、レーザ波長の温度依存性を任意に設定することができないため、補正に限界が生じるが、実施例１の変形例のように、輪帯状の回折溝を用いた補正と、レンズ支持部２２の熱膨張を利用した補正と、を組み合わせることで、任意の補正が可能となり、より大きい温度領域で安定した高結合効率を得ることができる。なお、実施例１の変形例では、回折溝は、樹脂レンズ２０の入射面側に設けられた場合を説明したが、出射面側に設けられている場合でもよく、また、入射面側と出射面側との両方に設けられている場合でもよい。

実施例１では、樹脂レンズ２０とレンズ支持部２２とは同一樹脂で一体成型で形成されている場合を説明したが、別々に成型して形成した同一の樹脂からなる樹脂レンズ２０とレンズ支持部２２とを組み立ててもよい。別々に成型することで、成型を容易に行うことができるという利点がある。

実施例１では、レーザ支持部１８は、ステム１２と一体形成されている場合を説明したが、これに限らず、ステム１２と異なる部材により、別々の構成となっている場合でもよい。また、レーザ支持部１８は、普通鋼のような鉄系の合金から形成されている場合を説明したが、レンズ支持部２２の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料であれば、その他の材料により形成されている場合でもよい。

実施例１では、ＬＤ１４の光出力をモニタリングするためのＰＤ１６が設けられている場合を例に説明したが、ＰＤ１６が設けられていない場合でもよい。この場合でも、上述したようなレンズ支持部２２を用いることで、温度上昇による集光点位置の変化を補正でき、安定した高結合効率を維持できる温度領域を広くできる。

図５（ａ）は実施例２に係る光半導体装置３００の上面模式図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面模式図である。なお、実施例１と同様に、図５（ａ）においては、キャップ２４の上面３６、封止硝子４０、及び樹脂レンズ２０を透視している。

図５（ｂ）のように、光半導体装置３００は、樹脂レンズ２０とレンズ支持部２２とは、異なる樹脂で形成されている。その他の構成については、実施例１と同じであるため、説明を省略する。

このように、実施例２によれば、樹脂レンズ２０とレンズ支持部２２とは、異なる樹脂で形成されている。これにより、レンズ支持部２２は、多くの樹脂の中から最適な熱膨張係数を有する樹脂を選択することが可能となる。よって、温度上昇に伴うＬＤ１４と樹脂レンズ２０との間隔をより最適な間隔とすることができ、より広い温度領域において高結合効率を維持することが可能となる。

また、樹脂レンズ２０とレンズ支持部２２とを、異なる樹脂により別々に成型するため、樹脂レンズ２０及びレンズ支持部２２の成型を容易に行うことができる。なお、レンズ支持部２２は樹脂からなる場合を例に示したが、これに限られず、樹脂以外のメタル等の材料により形成されている場合でもよい。しかしながら、樹脂を用いる場合は、成型が容易であるという利点がある。

以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１２ ステム
１４ レーザダイオード
１６ フォトダイオード
１８ レーザ支持部
２０ 樹脂レンズ
２２ レンズ支持部
２４ キャップ
２８ 面
３０ リードピン
３２ ヒートシンク
３３ 絶縁物
３４ ヒートシンク
３６ 上面
３８ 孔部
４０ 封止硝子
４２ 下部
１００ 光半導体装置
２００ 光半導体装置
３００ 光半導体装置

Claims (9)

1. 実装部上に設けられたレーザダイオードと、
   前記レーザダイオードの出射光を集光する樹脂レンズと、
   前記実装部上に固定され、前記レーザダイオードの光軸方向に延在し、前記樹脂レンズを支持するレンズ支持部と、を具備し、
   前記レンズ支持部は、温度上昇に伴い前記レーザダイオードと前記樹脂レンズとの間隔を広げるような熱膨張係数を有することを特徴とする光半導体装置。
2. 前記レーザダイオードは、前記実装部に接続するレーザ支持部で支持されることで前記実装部上に設けられていて、
   前記レンズ支持部の熱膨張係数は、前記レーザ支持部の熱膨張係数より大きいことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 前記レーザ支持部が接続する前記実装部の面と前記レンズ支持部が固定される前記実装部の面とは同一面であり、
   前記レーザダイオードの光軸方向は、前記実装部の面の垂直方向であることを特徴とする請求項２記載の光半導体装置。
4. 前記実装部に固定され、前記レーザダイオードと前記樹脂レンズを封止するキャップを有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の光半導体装置。
5. 前記レンズ支持部は、前記実装部上から見て、前記レーザダイオードを囲むように設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の光半導体装置。
6. 前記レーザ支持部が接続する前記実装部の面と前記レンズ支持部が固定される前記実装部の面とは同一面であり、
   前記実装部の面に固定され、前記レーザダイオードと前記樹脂レンズを封止するキャップを有し、
   前記レンズ支持部は、前記実装部の面上から見て、前記レーザダイオードを囲むように、前記キャップの側面周囲に沿って延在して設けられていることを特徴とする請求項２記載の光半導体装置。
7. 前記樹脂レンズは、輪帯状に形成された回折溝を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の光半導体装置。
8. 前記樹脂レンズと前記レンズ支持部とは、同一の樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の光半導体装置。
9. 前記樹脂レンズと前記レンズ支持部とは、異なる樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の光半導体装置。

Images