JP2010537398A - 切り替え可能な二重の波長の固体状態のレーザー - Google Patents

切り替え可能な二重の波長の固体状態のレーザー Download PDF

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Abstract

本発明は、光学的に又は電気的にポンピングされたとき第一の偏光を備えた第一の波長における光学的な放射及び少なくとも上記の第一の放射と異なる第二の偏光を備えた第二の波長のものを放出するために選択されたものであるところの固体状態のゲイン媒体(1)を備えた切り替え可能な二重の波長の固体状態のレーザーに関係する。偏光させるデバイス(7)は、レーザーキャビティー内に配置されたものであるが、上記の偏光させるデバイス(7)が、少なくとも上記の第一の及び上記の第二の偏光の間で調節可能なものである。レーザーキャビティーの二つの末端のミラー(2,3)は、偏光させるデバイス(7)が第一の偏光へ調節されたものであるとき第一の波長で固体状態のレーザーのレーザー発振することを許容するために、及び、偏光させるデバイス(7)が第二の偏光へ調節されたものであるとき第二の波長で固体状態のレーザーのレーザー発振することを許容するために、設計されたものである。提案された固体状態のレーザーは、二つの放出の波長の間で簡単な切り替えをすることを許容する。偏光させるデバイス(7)は、例えば、ポッケルスセル(8)及び偏光子(9)の組み合わせによって実現されたものである。末端のミラー(2,3)は、求められたものではない波長を抑制すると共に、ビームクランプ(10)は、共振器においてフィードバックされたものではない放射を吸収する。

Description

発明の分野
本発明は、少なくとも、レーザーキャビティーの二つの共振器の末端のミラーの間に配置された固体状態のゲイン媒体を具備するところの、切り替え可能な波長を備えた固体状態のレーザーに関係するが、上記の固体状態のゲイン媒体が、光学的に又は電気的にポンピングされたとき、数個の波長で光学的な放射を放出するものである。
レーザーの固有の高い放射輝度は、それらを高い光学的な要望を備えた全ての用途のための光源としての理想的な候補にする。一度、青色、緑色、及び赤色において放出するものであるレーザーが、利用可能なものであると、それらは、例.投射システムにおける光源としてのUHPランプに取って代わることができる。緑色の波長領域における統合されたレーザー源の欠如は、今までに、ディスプレイ又は照明の用途のためのレーザーの広範囲に及ぶ使用を妨げてきたものである。今日では、緑色の波長領域のために使用されたレーザー源は、赤外のレーザー源のアップコンバージョンによって又は第二高調波発生によってのいずれかで周波数の変換に頼る。赤外の波長領域からのアップコンバージョン又は第二高調波発生に対する代案は、ちょうど赤外のための周知の色素レーザー又はNd:YAGレーザーの場合におけるものと同様の青色のレーザー源の周波数の変換である。青色−紫色の領域のためのGaNに基づいたレーザーダイオードの最近の開発で、このスキームは、可視の波長における全ての固体の状態のデバイスについて魅了的なものになる。そのような固体状態のレーザーデバイスにおいて、適当な固体状態のゲイン媒体は、青色、緑色、又は赤色の波長領域におけるレーザー放射を放出するために、GaNに基づいたレーザーダイオードによって光学的にポンピングされたものである。
発明の背景
そのようなデバイスのための適当な固体状態のゲイン媒体は、青色−紫色の波長領域における吸収線を有するものでなければならない。希土類のイオンがドープされた異なる結晶質のホスト材料は、すでに、そのような固体状態のレーザーデバイスのためのゲイン媒体として提案されてきたものである。Pr3+イオンは、それが、GaNレーザーダイオードの典型的な放出波長で吸収を示すので、この情況において大きな関心のものであると共に、青色、緑色、赤色、及び橙色の波長におけるレーザー放出へとこの放射を変換することができる。
US6,490,309B1(特許文献1)は、Pr3+がドープされた結晶が、GaNに基づいたレーザーダイオードによって光学的にポンピングされたものであるところの固体状態のレーザーデバイスを開示する。文献は、数個の可視の波長でPr3+からのレーザー放出を得るための異なるPr3+がドープされた結晶を提案する。この文献において示された例示的な実施形態は、Pr3+がドープされたLiYF(YLF)の結晶に基礎が置かれたものである。さらには、Pr3+のレーザー放出は、後に続くものであるホスト、BaY、Ba(Y,Yb)、LaF、Ca(NbO、CaWO、SrMoO、YAlO、YAl12、YSiO、YP14、LaP14、LuAlO、LaCl、LaBr、PrBr、YVO、及びGdVO、から得られたものであるために、報告されたものである。この文献の固体状態のレーザーは、Prがドープされた結晶によって放出された数個の可能性のある波長の一つのみで作動するために、設計されたものである。
米国特許第6,490,309号明細書
本発明の目的は、二つの異なる放出波長の間で簡単に切り替えられたものであることができる固体状態のレーザーを提供することである。
目的は、請求項1に従った固体状態のレーザーで達成されたものである。この固体状態のレーザーの好都合な実施形態は、従属請求項の主たる事項である、又は、記載のその後の部分に記載されたものである。
提案された固体状態のレーザーは、レーザーキャビティーの二つの共振器の末端のミラーの間に配置された固体状態のゲイン媒体を具備する。固体状態のゲイン媒体は、光学的に又は電気的にポンピングされたとき、第一の偏光を備えた第一の波長における光学的な放射及び少なくとも上記の第一の偏光と異なる第二の偏光を備えた第二の波長のものを放出するために選択されたものである。固体状態のレーザーは、さらに、レーザーキャビティーの内に配置されたものであるところの偏光させるデバイスを具備する。偏光させるデバイスは、即ち、第一の調節の状態において上記の第一の偏光を有するものである光学的な放射の透過のみを許容するために及び第二の調節の状態において上記の第二の偏光を有するものである光学的な放射の透過のみを許容するために、少なくとも上記の第一の及び上記の第二の偏光の間で調節可能なものである。レーザーキャビティーの二つの末端のミラーは、設計されたものである、即ち、偏光させるデバイスが第一の調節の状態にあるものであるとき上記の第一の波長で固体状態のレーザーのレーザー発振することを許容するために及び偏光させるデバイスが第二の調節の状態にあるものであるとき上記の第二の波長で固体状態のレーザーのレーザー発振することを許容するために、適当な波長に依存性の反射率を具備する。
提案された固体状態のレーザーでは、このレーザーの放出波長は、簡単に、二つの偏光の間で偏光子のデバイスを切り替えること又はそれを調節することによって、第一の及び第二の波長の間に切り替えられたものであることができる。これは、手動で、例えば、第一の偏光から第二の偏光まで手動で偏光子の素子を回転させることによって、行われたものであることがある。偏光子の素子のそのような回転は、また、適当なアクチュエーター、例えば、電気モーター、によって行われたものであることがある。レーザーキャビティーの内側における偏光の制御のための偏光させるデバイスは、そのような単純な偏光子の素子に限定されるものではない。例えば、偏光ビームスプリッターとのポッケルス(Pockels)セルの組み合わせは、偏光させるデバイスを形成するためにレーザーキャビティーの内側に置かれたものであることができる。これは、ポッケルスセルに適用された電圧の適当な制御によって異なる偏光の間で電気的な切り替えをすることを許容する。当業者にとっては、偏光の制御のまた他の手段が、発明の範囲から逸脱すること無しに要求された偏光の制御を行うためにレーザーキャビティーの内側に置かれたものであることができることは、明りょうなことである。
適当な高い反射率の末端のミラーでレーザー発振することを許容するために十分に高い強度を備えた二つと比べてより多い異なる波長で光学的な放射を放出するところのゲイン媒体を使用するとき、末端のミラーは、好ましくは、第一の及び第二の波長以外のものでレーザーの放出が阻害されたものであるというように、設計されたものである。これは、これらの望まれたものではない波長で十分に低い反射係数を有するために末端のミラーを設計することによって達成されたものである。レーザーキャビティーの末端のミラーは、好ましくは、レーザーの提案された波長の切り替えをすることについての要求された設計を許容するために、誘電的にコートされたミラーである。
望まれた偏光の効果のために光学的な異方性を提供するものでなければならないところの、固体状態のゲイン媒体は、好ましくは、少なくとも二軸の対称性のドープされた結晶に基づいたものである。例えば、希土類の元素がドープされたものであるところの、そのようなドープされた結晶は、異なる放出された波長で要求された異なる偏光を示すことが発見されてきたものである。好ましくは、Prがドープされた結晶は、提案された固体状態のレーザーのゲイン媒体として使用されたものである。導入の部分においてすでに概略が述べられたように、Prがドープされた結晶は、可視の波長の範囲における用途について、特に、投射の用途について、興味深いものであるところの数個の可視の波長で光学的な放射を放出する。そのようなPrがドープされた結晶のレーザーの放出は、522から907nmまでの範囲にわたる六つの異なる波長領域においてすでに報告されてきたものである。ゲイン媒体についてのホストの結晶は、例えば、LiYF、LiLuF、KYF、YAlO、GdAlO、LaF、LaBr、又はBaYの結晶から選択されたものであることがある。そのようなPrがドープされたゲイン媒体は、光学的なキャビティーを形成するところの二つの共振器のミラーの間に置かれたものである。Prがドープされた結晶が、この波長領域において強い吸収を示すので、Prがドープされたゲイン媒体は、例えば、青色のレーザー源によって、光学的にポンピングされたものであることができる。代案は、アップコンバージョンを介した赤外の放射でそのようなゲイン媒体を光学的にポンピングことである。この場合には、好ましくは、アップコンバージョンのプロセスの高い効率を許容するところの、Ybイオンによるゲイン媒体の知られた共同のドーピングは、行われたものである。そのようなPrがドープされたゲイン媒体は、異なる波長で、例えば、赤色のものにおいては640nmで及び緑色のものにおいては522nmで、異なる偏光を備えた光学的な放射を放出する。適当な波長に依存性の反射率を備えた、例えば、640nmで及び522nmで高い反射率を備えた、末端のミラーを設計するとき、レーザーのレーザー発振する波長の切り替えることは、適当にレーザーキャビティーの内側における偏光デバイスの偏光を変動させることによってのみ640nm及び522nmの間で、即ち、640nmにおける光学的な放射の第一の偏光及び第一の偏光に対して垂直なものであるところの522nmにおける光学的な放射の第二の偏光の間で、達成されたものであることができる。にもかかわらず、Prがドープされた結晶の放出の線に対応するものである他の二つの波長の間において切り替えをすることは、また、異なる偏光を備えた二つの波長の光学的な放射が放出されたものであると共に末端のミラーが適当に設計されたものである限り、可能性のあるものである。
提案された固体状態のレーザーの原理が、レーザーキャビティーの設計に依存性のものではないものであることは、上記のものからまた明りょうなものであるべきである。例えば、ゲイン媒体のキャビティー内のポンピングを使用することは、また、可能性のあるものである、即ち、固体状態のゲイン媒体は、ポンプレーザーと同じレーザーキャビティーの内側に置かれたものである。さらには、固体状態のゲイン媒体は、また、ポンプレーザー、例えば、GaNに基づいたポンプレーザーと一緒に共通の基体に配置されたものであることがある。例えば、レーザー光源のアレイを提供するために、共通の基体にそのような固体状態のレーザーの数個のものを配置することは、また可能性のあるものである。
一つの実施形態において、提案された固体状態のレーザーデバイスが、要求された順次の様式においてこれらの二つの波長の間で切り替えをすることによって赤色の及び緑色の光を提供するところの、RGB(R:赤色、G:緑色、B:青色)のレーザー光源は、実現されたものである。例えば、青色の波長領域において放出するものである知られたGaNレーザーダイオードを備えた、青色のレーザー光源は、実現されたものであることができる。
図1は、ポンプレーザーの二つの異なる偏光についての室温におけるLiYF:Prの基底状態の吸収線を示す。 図2は、443nmにおける偏光させられたレーザー放射によってポンピングされた、LiLuF:Prの偏光させられた放出を示す。 図3は、提案された固体状態のレーザーの例の概略的な図を示す。 図4は、提案された固体状態のレーザーの一つの実施形態に従ったレーザーキャビティーの二つの末端のミラーの反射率の例を示す。
発明のこれらの及び他の態様は、以後に記載された実施形態から明らかなことであると共にそれらへの参照で解明されたものであることになる。
図面の手短な記載
提案された固体状態のレーザーは、請求項によって定義されたような保護の範囲を限定することなしに付随するものである図と関連して例の方式によって後に続くものに記載されたものである。図は、
図1 ポンプレーザーの二つの異なる偏光についての室温におけるLiYF:Prの基底状態の吸収線;
図2 443nmにおける偏光させられたレーザー放射によってポンピングされた、LiLuF:Prの偏光させられた放出;
図3 提案された固体状態のレーザーの例の概略的な図;及び
図4 提案された固体状態のレーザーの一つの実施形態に従ったレーザーキャビティーの二つの末端のミラーの反射率の例
:を示す。
実施形態の詳述された記載
固体状態のレーザーについての知られたゲイン媒体のいくつかは、光学的にポンピングされたとき異なる偏光を備えた異なる波長で光学的な放射を放出する。特定のものおいては、二軸の対称性の結晶においては、例えば、Pr3+は、吸収及び放出の強い偏光の依存性を呈示する。これは、LiYF:Prの基底状態の吸収について図1に示されたものである。この図において、吸収係数は、一方におけるゲイン媒体の結晶学的なc軸cに対して平行な及び他方におけるこの結晶学的なc軸に対して垂直なポンプレーザーの電場Eについて描かれたものである。結晶におけるPrのドーピングのレベルは、cpr=0.2%であった。
図2は、結晶の結晶学的なc軸cに対して平行なポンプレーザーの電場Eの場合についてLiLuF:Prの放出を示す。この図は、522nmでの及び640nmでの放出のピークの場合におけるものと同様の、結晶の異なる放出の線に対応するものである異なる波長の偏光に依存性の放出を示す。640nmでの放出が、この結晶学的なc軸に対して垂直な偏光を有するのに対して、522nmでの放出のピークの放射は、結晶の結晶学的なc軸cに対して平行な偏光を有する。図2は、結晶学的なc軸に対して平行なものであるポンプレーザーの電気的な場Eを備えた、443nmでのポンプレーザーの放射に基礎が置かれたものである。
異なる波長での放出の上記の偏光の依存性のおかげで、提案された固体状態のレーザーの発明者は、そのようなゲイン媒体が、適当にレーザーを設計することによって異なる偏光の波長の間で切り替えをすることを許容するかもしれないということを、認識した。
図3は、赤色の及び青色の波長の間で切り替えをするための、そのようなゲイン媒体、即ち、Pr:LiLuFの結晶1を有するものである相応に設計された固体状態のレーザーの例を示す。この固体状態のレーザーの概略的なセットアップは、レーザーキャビティーを形成するところの二つの共振器の末端のミラー2,3の間に配置されたレーザー結晶1を具備する。第二の末端のミラー3は、レーザーの放出のためのアウトカップリング・ミラー4である。ポンプの放射5は、図3に示されたような第一の末端のミラー2を通じてカップリング光学部品6によってレーザー結晶1の中へとカップリングさせられたものである。Prがドープされた結晶1の赤色の及び緑色の放出の線の間で切り替えをすることを許容するために、共振器の末端のミラー2,3は、シアン(491nm)及び橙色(603から606nmまで)の遷移を抑制するものである一方で、同時に緑色の及び赤色の遷移でレーザー発振することを許容する必要がある。従って、図3における左の側における高い反射率の共振器のミラー2は、ポンプレーザーの波長について及びシアンの波長についての高い透過率、例.420から500nmまででT>80%、緑色の波長についての高い反射率、例.500から570nmまででのR>90%、橙色の波長の範囲における高い透過率、例.580及び620nmの間におけるT>60%、並びに、再度、赤色の波長領域についての高い反射率、例.630から660nmまででのR>90%、を有するものでなければならない。アウトカップリング・ミラーとして使用された第二の末端のミラーは、ある一定の透過が、アウトカップリングのために緑色の及び赤色のレーザーの波長で許容されたものであるものでなければならない、例.510から530nmまでの及び630から660nmまでの波長の範囲においてT=2%であるということの例外を備えた類似の性質を有することになる。
図4は、波長の依存性における二つの末端のミラー2,3のミラー透過率の例を示す。この図においては、これらの波長の範囲におけるアウトカップリング・ミラー3が、まだ、2%の近くの小さい透過率を有するのに対して、第一の共振器の末端のミラー2は、100%の近くの赤色の及び緑色の波長について高い反射率を有する。
赤色の及び緑色の波長の間で切り替えをすることを許容するために、偏光の制御7(図3を参照すること)は、レーザー結晶1及びレーザーキャビティーの内側における末端のミラー2,3の一つの間に配置されたものである。キャビティーの内側におけるそのような偏光の制御7の最も単純な場合は、Pr:LiLuFの結晶1の結晶学的なc軸についての共振器の光軸のまわりに回転させられたものであることができるところの偏光子である。図2の線図におけるものと同様な、結晶のc軸に対して平行な電場Eで、結晶のc軸cに対して平行な偏光子の軸pを設定することは、レーザー発振するための緑色の遷移を許容することになると共に、赤色の遷移を抑制することになる。90°だけ偏光子を回転させることは、cに対して直交する軸pを設定すると共に、従って緑色の波長についての喪失を導入すると共に赤色の遷移においてレーザー発振することを許容する。関心のある全てのPr遷移が、熱的にカップリングさせられた準位0−2及びから由来するので、放出の波長の間で切り替えをすることは、速いものであると共に、より上のレーザー準位の寿命によって遅くさせられるものではない。
単純な偏光子の代わりに、また、偏光の制御7のより精巧なバージョンは、図3において示唆されたように実現されたものであることができる。この場合において、ポッケルスセル8は、ビームダンプ10へレーザーキャビティーの外で間違いの偏光を備えた放射を偏向させるところの、偏光ビームスプリッター9と組み合わせられたものである。当技術の状態であるところの偏光の制御の他の手段は、にもかかわらず、可能性のあるものである。
上記の実施形態に示された固体状態のレーザーは、Prがドープされたレーザー結晶の異なる放出の波長の間で簡単な及び便利な切り替えをすることを許容する。提案されたレーザーは、522nmでの緑色及び640nmでの赤色の間で切り替えられたものであることができる。にもかかわらず、レーザーキャビティーの他の放出の線の間で切り替えをすることは、また、適当に末端のミラーを設計することによって可能性のあるものである。上記の二つの放出の波長は、レーザーディスプレイ又はプロジェクターについて適切なものである。従って、そのような技術を使用することによって、カラー・ホイールと同様の、プロジェクターの光学部品のいくつかの機能性が、将来においてはるかにより単純な及び小型のプロジェクターのセットアップに至るものである、レーザー源それ自体へと統合されたものであるところの、投射光源と同様の進歩させられた切り替え可能なレーザーのセットアップは、提供されたものである。
発明が、図面及び先行する記載において詳細に図解されてきた及び記載されてきたものである一方で、そのような図解及び記載は、例証的なもの又は例示的なもの及び制限的なものではないものと考慮されるためのものであると共に、発明は、開示された実施形態に限定されものではない。上に及び請求項に記載された異なる実施形態は、また、組み合わせられたものであることができる。開示された実施形態に対する他のバリエーションは、図面、開示、及び添付された請求項の研究から、請求された発明を実践する際に当業者によって理解されたものであると共に果たされたものであることができる。例えば、提案されたセットアップは、赤色及び緑色の間で切り替えをすることに限定されるものではない。赤色及びシアンの間で並び緑色−橙色及び赤色−橙色の間でさえも切り替えをすることと同様の、また他の組み合わせは、可能性のあるものである。レーザーのセットアップのいずれの変更もまた、可能性のあるものである。図3に描かれたバルクの結晶は、また、導波路の形態におけるものであることができる。可能性のある例は、LiYFにおいてエピタキシャルに成長させられたPr:LiLuFである。レーザーは、光学的にポンピングされたゲイン媒体に限定されるものではない。
請求項において、単語“を具備する”は、他の要素又はステップを排除するものではないと共に、不定冠詞“ある”又は“或る”は、複数を排除するものではない。尺度が相互に異なる従属の請求項に陳述されたものであるということの単なる事実は、これらの尺度の組み合わせが、有利なことに使用されることができるものではないということを、示唆するところのものではない。請求項におけるいずれの参照符号も、これらの請求項の範囲を限定するものであるように解釈されるものではないというべきである。
参照符号のリスト
1 Prがドープされたレーザー結晶
2 第一の共振器の末端のミラー
3 第二の共振器の末端のミラー
4 レーザーの放出
5 ポンプ放射
6 カップリング光学部品
7 偏光の制御
8 ポッケルスセル
9 偏光ビームスプリッター
10 ビームダンプ

Claims (9)

  1. 切り替え可能な波長を備えた固体状態のレーザーであって、少なくとも、
    レーザーキャビティーの二つの共振器の末端のミラーの間に配置された固体状態のゲイン媒体、光学的に又は電気的にポンピングされたとき、上記の固体状態のゲイン媒体が第一の偏光を備えた第一の波長で光学的な放射及び少なくとも上記の第一の偏光と異なる第二の偏光を備えた第二の波長のものを放出するために選択されたものであること
    を具備するものである、固体状態のレーザーデバイスにおいて、
    偏光させるデバイスは、前記レーザーキャビティーの内に配置されたものであると共に、上記の偏光させるデバイスが少なくとも上記の第一の及び上記の第二の偏光の間で調節可能なものであると共に、
    前記二つの末端のミラーは、前記偏光させるデバイスが前記第一の偏光へ調節されたものであるとき上記の第一の波長で前記固体状態のレーザーのレーザー発振することを許容するために、及び、前記偏光させるデバイスが前記第二の偏光へ調節可能なものであるとき上記の第二の波長で前記固体状態のレーザーのレーザー発振することを許容するために、設計されたものである、
    固体状態のレーザーデバイス。
  2. 請求項1に記載の固体状態のレーザーデバイスにおいて、
    上記の固体状態のゲイン媒体は、少なくとも二軸の対称性のドープされた結晶で形成されたものである、固体状態のレーザーデバイス。
  3. 請求項1又は2に記載の固体状態のレーザーデバイスにおいて、
    上記の固体状態のゲイン媒体は、Prがドープされたものである、固体状態のレーザーデバイス。
  4. 請求項1に記載の固体状態のレーザーデバイスにおいて、
    上記の偏光させるデバイスは、光学的な共振器の軸のまわりに回転可能な偏光子の素子である、固体状態のレーザーデバイス。
  5. 請求項1に記載の固体状態のレーザーデバイスにおいて、
    上記の偏光させるデバイスは、偏光ビームスプリッターとの組み合わせにおいてポッケルスセルを具備する、固体状態のレーザーデバイス。
  6. 請求項1に記載の固体状態のレーザーデバイスにおいて、
    上記の固体状態のゲイン媒体は、また、光学的に又は電気的にポンピングされたとき、上記の第一の及び第二の波長と異なる第三の波長における光学的な放射を放出すると共に、
    上記の末端のミラーは、上記の第三の波長でレーザー発振することを阻害するために設計されたものである、
    固体状態のレーザーデバイス。
  7. 請求項1に記載の固体状態のレーザーデバイスにおいて、
    前記第一の波長は、緑色の波長領域におけるものであると共に、
    前記第二の波長は、赤色の波長領域におけるものである、
    固体状態のレーザーデバイス。
  8. 請求項1に記載の少なくとも一つの固体状態のレーザーを具備するRGBレーザー源。
  9. 光源として請求項1に記載の少なくとも一つの固体状態のレーザーを具備する投射デバイス。
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