JP2010284921A - Method for forming pattern, and template - Google Patents

Method for forming pattern, and template Download PDF

Info

Publication number
JP2010284921A
JP2010284921A JP2009141426A JP2009141426A JP2010284921A JP 2010284921 A JP2010284921 A JP 2010284921A JP 2009141426 A JP2009141426 A JP 2009141426A JP 2009141426 A JP2009141426 A JP 2009141426A JP 2010284921 A JP2010284921 A JP 2010284921A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
pattern
frame
forming
embodiment
material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009141426A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Kawamura
Tomoya Ori
知哉 大理
嘉久 河村
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a high-quality pattern efficiently.
SOLUTION: The method for forming the pattern comprises the steps of: forming a framed pattern 102 on a substratum region 101; packing a masking material 105 inside the framed pattern 102; and fabricating the substratum region 101 by using the framed pattern 102 and a packing material 105 being the masking material as masks.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、パターン形成方法及びテンプレートに関する。 The present invention relates to a pattern forming method and a template.

現在、半導体装置の高集積化及び微細化が進み、微細パターンを実現するための工程が要求されている。 Currently, high integration and miniaturization of semiconductor devices advances, a process for realizing a fine pattern is required. 関連する技術として、ナノインプリントと呼ばれる微細加工技術の開発が進められている。 As a related technology, the development of fine processing technology called nanoimprint has been promoted.
ナノインプリントにおけるパターン形成方法では、ウエハの被加工面上に形成されたパターン形成材料(レジスト)にテンプレート(モールド)を接触させ、UV(紫外線)照射を行うことによってレジストを硬化させ、さらにレジストからテンプレートを離型することでレジストパターンが形成される。 In the pattern forming method of nanoimprinting, the formed on the processed surface of the wafer patterning material (resist) contacting the template (mold), to cure the resist by performing UV (ultraviolet) radiation, the template from the resist a resist pattern is formed by the release.

しかし、ナノインプリント転写において、パターンサイズに反比例して充填速度が減少するため、凹型の大パターンへのレジストの充填が遅く、また、大パターンとレジストの間に空気が混ざるという問題があった。 However, in nanoimprinting transfer, to reduce the filling speed in inverse proportion to the pattern size, slow the resist filling the concave large pattern, also, between the large pattern and the resist has a problem that air is mixed. また、微細パターンとラフパターンを別層として形成した場合には、工程増加によるコストの増加や合せずれの発生による歩留まり低下が問題となる。 Further, in the case of forming a fine pattern and the rough pattern as a separate layer, decrease in yield due to the occurrence of cost and an increase in misalignment due step increase becomes a problem.

また、微細パターンを実現するための関連技術として、下地領域上に芯材パターンを形成した後、芯材パターン側壁部に側壁マスクパターンを形成し、芯材パターンを除去した後に側壁マスクパターンをマスクにして下地領域を加工することにより、下地領域に配線パターン等を形成する側壁転写技術が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。 Further, as a related art for realizing a fine pattern, after forming the core pattern on the base region, forming a sidewall mask pattern in the core pattern side face, mask sidewall mask pattern after removing the core pattern a manner by processing the background area, the sidewall transfer technique of forming a wiring pattern or the like in the base region has been proposed (e.g., see Patent Document 1). しかし、この側壁転写技術は、芯材パターンを除去する工程が必要となるため、側壁パターンにより形成された枠のみが残り、大パターンを形成することができない。 However, the sidewall transfer technique, since the step of removing the core pattern is required, only the frame formed by the side wall pattern remains, it is impossible to form a large pattern. このため、大パターンを形成するための露光を別途行わなければならず、工程数が増加するという問題があった。 Therefore, it is necessary additionally to perform exposure for forming a large pattern, the number of steps is disadvantageously increased.

このように、従来のパターン形成方法では、必ずしも効率的に高品質なパターンを形成できるわけではなかった。 Thus, in the conventional pattern formation method, it did not always possible to form efficiently a high-quality pattern.

米国特許第6063688号明細書 US Pat. No. 6063688

本発明は、効率的に高品質なパターンを形成することのできるパターン形成方法等を提供することを目的としている。 The present invention aims to provide a pattern forming method and the like which can form an efficient high-quality patterns.

本発明の第一の視点に係るパターン形成方法の態様は、下地領域上に第1の枠状パターンを形成する工程と、前記第1の枠状パターンの内側に充填材を充填する工程と、前記第1の枠状パターン及び前記充填材をマスクとして用いて前記下地領域を加工する工程とを含むことを特徴とする 本発明の第二の視点に係るテンプレートの態様は、デバイス形成領域内に凹型の枠状パターンを有することを特徴とする。 Embodiment of the pattern forming method according to the first aspect of the present invention comprises forming a first frame-shaped pattern on the base region, the step of filling the filling material inside the first frame pattern, aspect of the template according to the second aspect of the present invention, which comprises a step of processing the background region by using the first frame pattern, and the filler as a mask, the device formation region characterized in that it has a concave frame pattern.

本発明によれば、効率的に高品質なパターンを形成することのできるパターン形成方法等を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a pattern forming method and the like which can form an efficient high-quality patterns.

図1(a)は本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図1(b)は本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 1 (a) is a sectional view schematically showing a pattern forming method according to the first embodiment of the present invention, schematically a pattern forming method according to the first embodiment of FIG. 1 (b) the invention it is a plan view showing manner. 図2(a)は本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図2(b)は本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 2 (a) is a sectional view schematically showing a pattern forming method according to the first embodiment of the present invention, schematically a pattern forming method according to the first embodiment of FIG. 2 (b) the invention it is a plan view showing manner. 図3(a)は本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図3(b)は本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 3 (a) is a sectional view showing a pattern forming method schematically according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 (b) schematically a pattern forming method according to the first embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す図である。 The pattern formation method according to a second embodiment of the present invention is a diagram schematically showing. 図5(a)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図5(b)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 5 (a) is a cross-sectional view of the pattern forming method according to the second embodiment is shown schematically in the present invention, FIG. 5 (b) schematically a pattern forming method according to the second embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図6(a)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図6(b)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Is a cross-sectional view showing a second embodiment of the pattern forming method schematically according to an embodiment of FIG. 6 (a) the present invention, FIG. 6 (b) schematically a pattern forming method according to the second embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図7(a)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図7(b)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 7 (a) is a cross-sectional view of the pattern forming method according to the second embodiment is shown schematically in the present invention, FIG. 7 (b) schematically a pattern forming method according to the second embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図8(a)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図8(b)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Is a cross-sectional view illustrating a pattern forming method schematically according to a second embodiment of FIG. 8 (a) the present invention, FIG. 8 (b) schematically a pattern forming method according to the second embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図9(a)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図9(b)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 9 (a) is a cross-sectional view of the pattern forming method according to the second embodiment is shown schematically in the present invention, FIG. 9 (b) schematically a pattern forming method according to the second embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法の比較例を概略的に示す断面図である。 The comparative example of the pattern forming method according to a second embodiment of the present invention is a cross-sectional view schematically showing. 図11(a)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図11(b)は本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 11 (a) is a sectional view showing a pattern forming method schematically according to a second embodiment of the present invention, FIG. 11 (b) schematically a pattern forming method according to the second embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 本発明の第2の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the second embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第2の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the second embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第2の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the second embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第2の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the second embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第2の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the second embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第2の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the second embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 図18(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図18(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 FIG. 18 (a) is a sectional view schematically showing a pattern forming method according to the third embodiment of the present invention, FIG. 18 (b) third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図19(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図19(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 FIG. 19 (a) is a third cross-sectional view schematically showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention, FIG. 19 (b) third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図20(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図20(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 20 (a) is a sectional view schematically showing a pattern forming method according to the third embodiment of the present invention, FIG. 20 (b) third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図21(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図21(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 21 (a) is a third cross-sectional view of the pattern forming method according to the embodiment shown schematically in the present invention, FIG. 21 (b) third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図22(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図22(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 22 (a) is a third cross-sectional view schematically showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention, FIG. 22 (b) third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図23(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図23(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 23 (a) is a third cross-sectional view schematically showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention, FIG. 23 (b) third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図24(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図24(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 24 (a) is a third cross-sectional view schematically showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention, the third outlines the pattern forming method according to the embodiment of shown in FIG. 24 (b) is present invention it is a plan view showing manner. 図25(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図25(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 25 (a) is a sectional view schematically showing a pattern forming method according to the third embodiment of the present invention, FIG. 25 (b) are third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図26(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図26(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 26 (a) is a third cross-sectional view of the pattern forming method according to the embodiment shown schematically in the present invention, FIG. 26 (b) are third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図27(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図27(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 27 (a) is a third cross-sectional view of the pattern forming method according to the embodiment shown schematically in the present invention, FIG. 27 (b) are third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 図28(a)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図28(b)は本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 28 (a) is a third cross-sectional view schematically showing a pattern forming method according to an embodiment of the present invention, FIG. 28 (b) third schematic pattern forming method according to an embodiment of the present invention it is a plan view showing manner. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing. 本発明の第3の実施形態の変形例に係るパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 The pattern forming method according to a modification of the third embodiment of the present invention is a plan view schematically showing.

以下、本発明の実施形態の詳細を図面を参照して説明する。 Hereinafter, details of embodiments of the present invention with reference to the drawings.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
図1〜図3を用いて、第1の実施形態のパターン形成方法を説明する。 With reference to FIGS. 1 to 3, illustrating the pattern forming method of the first embodiment.

図1(a)〜図3(a)は第1の実施形態のパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図1(b)〜図3(b)は第1の実施形態のパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 1 (a) ~ FIG. 3 (a) is a sectional view illustrating a pattern forming method of the first embodiment schematically, FIG. 1 (b) ~ FIG. 3 (b) pattern of the first embodiment the forming method is a plan view schematically showing.

先ず、図1に示すように、基板100上に被加工領域として下地領域101を形成する。 First, as shown in FIG. 1, a base region 101 as the processing region on the substrate 100. 次に、下地領域101上に凸型の第1の枠状パターン102を形成し、同時に枠状パターン102の外部に凸型の微細パターン103を形成する。 Next, the first frame pattern 102 of the convex is formed on the underlying region 101, to form a convex fine patterns 103 to the outside of the frame pattern 102 at the same time. なお、この枠状パターン102は、例えば一辺が100μm程度の正方形状であり、線幅が30nm程度の凸型パターンで構成されている。 Incidentally, the frame pattern 102, for example one side is 100μm approximately square shape, the line width is constituted by convex pattern of about 30 nm. つまり、凸型の枠状パターン102の内側には、正方形状の領域が形成されている。 That is, the inside of the frame pattern 102 of convex, square regions are formed. また、微細パターン103のピッチは40nm〜60nm程度である。 The pitch of the fine pattern 103 is about 40 nm to 60 nm.

次に、図2に示すように、例えばインクジェットノズル104を用いて枠状パターン102の内側、つまり枠状パターン102が形成する正方形状の領域に、液状のマスク材(充填材)105を充填する。 Next, as shown in FIG. 2, for example inside the frame pattern 102 using an ink jet nozzle 104, i.e. a square shaped region frame pattern 102 is formed, filled with a liquid mask material (filler) 105 . このマスク材を硬化した後のエッチングレートは、枠状パターン102を構成する材料のエッチングレートと同程度である。 The etching rate after curing the mask material is etched rate about the same material forming the frame pattern 102. そして、マスク材105を硬化させて枠状パターン102及びマスク材パターン(充填材パターン)105からなる一辺が100μmの正方形状の大パターン106を形成する。 Then, one side consisting of frame pattern 102 and the mask material pattern (filler pattern) 105 to cure the mask material 105 to form a square-shaped large pattern 106 of 100 [mu] m. なお、マスク材の硬化方法としては、活性光線を用いた光硬化や、熱処理による熱硬化等がある。 Incidentally, as a curing method of the mask material is photocured or with actinic rays, there is a thermoset such as by heat treatment.

次に、図3に示すように、大パターン106及び微細パターン103をマスクとして用いてエッチングを行うことで、下地領域101に大パターン106及び微細パターン103が転写され、大パターン107及び微細パターン108が形成される。 Next, as shown in FIG. 3, by performing etching using a large pattern 106 and micro pattern 103 as a mask, large pattern 106 and the fine pattern 103 is transferred to the underlying region 101, large pattern 107 and the fine pattern 108 There is formed.

上記第1の実施形態によれば、大パターン106の枠となる枠状パターン102を形成し、枠状パターン102の内側にマスク材を充填して硬化させることで、枠状パターン102及びマスク材パターン105からなる大パターン106を形成している。 According to the first embodiment, to form a frame pattern 102 as a frame of large pattern 106, that is cured by filling the mask material on the inside of the frame pattern 102, a frame-shaped pattern 102 and the mask material forming a large pattern 106 made of the pattern 105. このため、例えば微細な半導体装置の製造工程において、同一層内に大パターンと微細パターンとが存在する場合においても、大パターンと微細パターンを別々に露光するプロセスに比べて効率的に大パターンと微細パターンとを形成することができる。 Thus, for example, in a manufacturing process of a fine semiconductor device, in the case where there are a large pattern and a fine pattern in the same layer is also efficiently with large pattern compared to the process of exposing a large pattern and a fine pattern separately it is possible to form a fine pattern. この結果、工程数を減少させることができ、コストの増加や合せずれの発生による歩留低下を抑制することが可能である。 As a result, it is possible to reduce the number of steps, it is possible to suppress a yield reduction due to the generation of growth and misalignment of cost.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図4〜11を用いて、第2の実施形態のパターン形成方法を説明する。 With reference to FIG. 4 to 11, illustrating the pattern forming method of the second embodiment.

上述した第1の実施形態では、大パターンと微細パターンとを同時に形成する一般的な方法を説明した。 In the first embodiment described above has been described a general method for forming a large pattern and a fine pattern at the same time. 第2の実施形態では、ナノインプリントプロセスにおいて大パターンと微細パターンとを同時に形成する方法を説明する。 In the second embodiment, a method for simultaneously forming a large pattern and a fine pattern in the nano-imprint process.

図4は第2の実施形態のパターン形成方法を概略的に示す図である。 Figure 4 is a diagram illustrating a pattern formation method of the second embodiment schematically. また、図5(a)〜図9(a)、図11(a)は第2の実施形態のパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図5(b)〜図9(b)、図11(b)は第2の実施形態のパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Further, FIG. 5 (a) ~ FIG 9 (a), 11 (a) is a sectional view illustrating a pattern forming method of the second embodiment schematically, FIG. 5 (b) ~ FIG 9 (b) , FIG. 11 (b) is a plan view showing a pattern forming method of the second embodiment schematically. また、図10は、第2の実施形態のパターン形成方法の比較例を概略的に示す断面図である。 FIG. 10 is a comparative example of the pattern forming method of the second embodiment is a sectional view schematically showing.

まず、図4に示すように、ディスペンサ202を用いたインクジェット法によって、下地領域を含む基板200上にマスク材(充填材)201として、液状の光硬化性樹脂膜材料(ナノインプリント材料)を塗布する。 First, as shown in FIG. 4, the ink jet method using a dispenser 202, as a mask material (filler) 201 on the substrate 200 including the ground region, applying liquid photocurable resin film material (imprint material) .

次に、図5に示す工程を行う。 Next, the process shown in FIG. 図5において、テンプレート203は、例えば一般のフォトマスクに用いる透明な石英基板にプラズマエッチングにより凹凸のパターンが形成されたものであり、テンプレート203の表面には凹型の大領域形成パターン204及び凹型の微細パターン205が形成されている。 5, the template 203, for example, by a general plasma etching on a transparent quartz substrate used in the photomask are those patterns of irregularities are formed, on the surface of the template 203 of the concave large area forming pattern 204 and the concave micropattern 205 is formed. また、テンプレート203に形成された大領域形成パターン204及び微細パターン205の線幅は30nm以下である。 Further, the line width of the large area forming pattern 204 and the fine pattern 205 formed on the template 203 is 30nm or less. 更に、大領域形成パターン204は、線幅が30nm程度の凹型の枠状パターン204aと、枠状パターン204aの内側に形成された30nm程度の凹型の微細パターン(C/Hパターンアレイ)204bと、を有している。 Furthermore, the large area forming pattern 204, a frame pattern 204a of the concave line width of about 30nm, concave fine pattern (C / H pattern array) of about 30nm was formed on the inner side of the frame-shaped pattern 204a and 204b, have. そして、テンプレート203と基板200表面とを平行に保持しながら、テンプレート203を徐々に接近させてマスク材201に接触させる。 Then, while held parallel to the template 203 and the substrate 200 surface, gradually close the template 203 is brought into contact with the mask material 201. このとき毛細管現象により、テンプレート203に形成された凹型の大領域形成パターン204内及び凹型の微細パターン205内にマスク材201が充填される。 This time capillarity, the mask material 201 is filled in the large-area forming pattern 204 of concave formed on the template 203 and a concave micro-pattern 205. 枠状パターン204a内には微細パターン204bが形成されているため、パターン間の狭い隙間から素早くマスク材を充填することができる。 Since in the frame pattern 204a are fine pattern 204b is formed, it can be filled quickly mask material from narrow gap between the patterns.

次に、図6に示すように、大領域形成パターン204内及び微細パターン205内にマスク材201が完全に充填されたら、テンプレート203をマスク材201に接触させたまま、テンプレート203の裏面からマスク材201にUV光(活性光線)を照射し、マスク材201を光硬化させる。 Next, as shown in FIG. 6, while the mask material 201 to the large area forming pattern 204 and micro-pattern 205 if it is completely filled, and the template 203 is brought into contact with the mask material 201, a mask from the back surface of the template 203 irradiated with UV light (actinic rays) in wood 201, photocuring the mask material 201.

次に、図7に示すように、テンプレート203を垂直方向に引き上げ、離型を行う。 Next, as shown in FIG. 7, pulling the template 203 in the vertical direction, it carries out a release. これにより、マスク材201に、大領域形成パターン204が転写された凸型の大領域形成パターン206が形成され、微細パターン205が転写された凸型の微細パターン207が形成される。 Accordingly, the mask material 201, the large area forming pattern 206 convex with large area forming pattern 204 has been transferred is formed, the fine pattern 205 is a fine pattern 207 has been convex transferred is formed. 大領域形成パターン206は、線幅が30nm程度の凸型の枠状パターン206aと、枠状パターン206aの内側に形成された30nm程度の凸型の微細パターン206bを有している。 Large area forming pattern 206, the line width has a frame-like pattern 206a of the convex about 30 nm, the frame pattern 206a convex fine patterns 206 b 30 nm about the inner formed in the. これにより、凸型の枠状パターン206aの内側には、凸型の微細パターン206bを含む正方形状の領域が形成されている。 Thus, inside the convex frame pattern 206a, a square-shaped region that includes a convex fine patterns 206b are formed. また、凸型の枠状パターン206aの内側には凸型の微細パターン206bが形成されているため、枠状パターン206aの内側の微細パターン206b以外の領域には微細な隙間が形成されている。 Further, the inside of the convex frame pattern 206a for convex fine patterns 206b are formed, the frame pattern 206a inside the area other than the fine patterns 206b of the formed fine clearance.

次に、図8に示すように、ディスペンサ208を用いたインクジェット法によって、枠状パターン206aの内側に、マスク材(充填材)209として、大領域形成パターン206を構成する材料と同程度のエッチングレートを有する液状の光硬化性樹脂膜材料を滴下する。 Next, as shown in FIG. 8, by an inkjet method using a dispenser 208, the inside of the frame-shaped pattern 206a, as a mask material (filler) 209, the material and the same degree constituting the large area forming pattern 206 etched dropping the photocurable resin film material liquid having a rate. この際、マスク材209の滴下位置は、厳密に枠状パターン206aの中心に一致する必要はない。 At this time, the dropping position of the mask material 209 need not match the center of exactly the frame pattern 206a. 滴下されたマスク材209は、毛細管現象によって枠状パターン206a及び微細パターン206b間に形成された隙間に充填される。 The mask material 209 that has been dropped is filled into a gap formed between the frame pattern 206a and a fine pattern 206b by capillary action.

次に、図9に示すように、UV光を全面に照射し、マスク材209を光硬化させる。 Next, as shown in FIG. 9, it is irradiated with UV light over the entire surface, thereby photocuring the mask material 209. これにより、大領域形成パターン206及びマスク材209からなる一辺が100μm程度の正方形状の大パターン210が形成される。 Thus, the side consisting of the large area forming pattern 206 and mask material 209 square large pattern 210 of about 100μm is formed.

上記第2の実施形態によれば、上述した第1の実施形態と同様に、枠状パターン206aの内側に充填材209を充填して硬化させることで、大領域形成パターン206及び充填材209からなる大パターン210を形成している。 According to the second embodiment, as in the first embodiment described above, by curing by filling the filling material 209 to the inside of the frame-shaped pattern 206a, from the large area forming pattern 206 and the filler 209 forming a large pattern 210 made. また、枠状パターン206aの内側の領域に微細パターン206bが形成されているため、枠状パターン206a及び微細パターン206bに囲われた微細パターンが形成されている。 Further, since the inner area on the fine pattern 206b of the frame-shaped pattern 206a is formed, a fine pattern is formed which is surrounded by the frame pattern 206a and a fine pattern 206b. ここで、図10の比較例に示すように、凹型の大パターン212及び凹型の微細パターン205が形成されているテンプレート211にマスク材201を接触させて大パターン212内にマスク材201を充填する場合、微細パターン205内への充填に比べ、大パターン212内への充填速度は遅く、また、大パターン212内にマスク材201が十分に充填されない事がある。 Here, as shown in the comparative example of FIG. 10, to fill the mask material 201 on the template 211 concave large pattern 212 and concave micropattern 205 is formed by contacting the mask material 201 to the large pattern 212 If, compared to the filling of the minute pattern 205, the filling rate into large pattern 212 is slow, and the mask material 201 may not be sufficiently filled in the large pattern 212. 上記第2実施形態によれば、枠状パターンの内側に充填剤209を流してマスク材を形成するため、より速く、より正確に大パターン210を形成することが可能となる。 According to the second embodiment, in order to form a mask material by flowing filler 209 inside the frame-like pattern, faster, it is possible to form a more accurate large pattern 210. さらに、枠状パターンの内側に微細パターンを形成しておくことで、より速く、充填剤209を注入することが可能である。 Further, by previously forming a fine pattern on the inside of the frame-shaped pattern, faster, it is possible to inject the filler 209. その結果、例えば微細な半導体装置の製造工程において、同一層内に大パターンと微細パターンとが存在する場合においても、効率的に大パターンと微細パターンとを形成することができる。 As a result, for example, in a manufacturing process of a fine semiconductor device, in the case of a large pattern and a fine pattern is present in the same layer can also be formed efficiently with large pattern and fine pattern. これにより、処理時間を短縮させることができ、コストの増加や合せずれの発生による歩留低下を抑制することが可能である。 Thus, the processing time can be shortened, it is possible to suppress a yield reduction due to the generation of growth and misalignment of cost.

なお、上記第2の実施形態によれば、ディスペンサ208を用いたインクジェット法によってマスク材209を滴下することで、枠状パターン206aの内側にマスク材209を充填している。 Note that according to the second embodiment, by dropping the mask material 209 by an inkjet method using a dispenser 208, filling the mask material 209 on the inside of the frame-shaped pattern 206a. しかし、マスク材209を充填するテンプレートを用意し、このテンプレートの凸部にマスク材209を付着させ、枠状パターン206aの内側にマスク材209を充填する方法を用いても良い。 However, providing a template for filling the mask material 209, depositing a mask material 209 on the convex portion of the template may be used a method of filling the mask material 209 on the inside of the frame-shaped pattern 206a.

より具体的には、図11に示すように、枠状パターン206aの内側にマスク材209を充填させるためのテンプレート213を用意する。 More specifically, as shown in FIG. 11, it is prepared template 213 for filling the mask material 209 on the inside of the frame-shaped pattern 206a. このテンプレート213は、例えば大領域形成パターン204及び微細パターン205と同様の凹型のパターンを有している。 The template 213 has, for example, the same concave pattern a large area forming pattern 204 and micro pattern 205. そして、大領域形成パターン204の凹部分以外の凸部分にマスク材209を付着させ、大領域形成パターン204が大領域形成パターン206と、微細パターン205が微細パターン207と噛み合わさる様にテンプレート213を基板200に接近させる。 Then, depositing a mask material 209 on the convex portion other than the concave portion of the large area forming pattern 204, and the large area forming pattern 204 major area forming pattern 206, the template 213 as monkey mesh micropattern 205 fine patterns 207 It is brought close to the substrate 200. これにより、大領域形成パターン204の凸部分に付着されたマスク材209は、選択的に枠状パターン206aの内側に供給される。 Accordingly, the mask material 209 that is attached to the convex portion of the large-area forming pattern 204 is supplied to the inside of selectively the frame pattern 206a.

そして、枠状パターン206aの内側にマスク材209が充填されたら、テンプレート213を保持したまま、あるいはテンプレート213を基板200から引き上げてUV光を照射する。 Then, when the mask material 209 is filled inside the frame-shaped pattern 206a, while holding the template 213, or irradiated with UV light by pulling the template 213 from the substrate 200. これにより図9に示す構造と同様に、マスク材209が光硬化され、大領域形成パターン206及びマスク材209からなる一辺が100μm程度の正方形状の大パターン210が形成される。 Thereby similarly to the structure shown in FIG. 9, the mask material 209 is light cured, is one side consisting of a large area forming pattern 206 and mask material 209 square large pattern 210 of about 100μm is formed.

また、テンプレート213に形成される凸型のパターンは、凸型の枠状パターン206aの内側にマスク材209を充填させることのできる構成であれば、どのような形状でも良い。 Further, convex pattern formed on the template 213, if the configuration inside the convex frame pattern 206a can be filled with the mask material 209 may be any shape.

(変形例) (Modification)
上記第2の実施形態では、インクジェットノズルを用いて枠状パターン206a内にマスク材を充填した。 In the second embodiment, it was filled with the mask material in the frame pattern 206a using an ink jet nozzle. しかし、本変形例では、インクジェットノズルの位置精度に比べて十分に大きい寸法の枠状パターン(充填誘導用パターン)214を枠状パターン206aに接続することで、枠状パターン206aの内側へのマスク材充填を行う。 However, in this modification, the mask of the frame-like pattern (filled guiding pattern) 214 of sufficiently large dimensions as compared with the positional accuracy of the ink jet nozzles by connecting to the frame pattern 206a, the inside of the frame-shaped pattern 206a carry out the wood filling.

図12〜図17を用いて、第2の実施形態の変形例のパターン形成方法について説明する。 With reference to FIGS. 12 to 17, illustrating the pattern forming method of the modification of the second embodiment. なお、基本的な構造及び、基本的な形成方法は、上述した第2の実施形態と同様である。 The basic structure and basic forming method is the same as the second embodiment described above. したがって、上述した第2の実施形態で説明した事項及び上述した第2の実施形態から容易に類推可能な事項についての説明は省略する。 Therefore, the description of the second second easily analogized possible matters from embodiments matters described and described in the above embodiments will be omitted. また、簡単のため、微細パターン206bは図示しない。 Also, for simplicity, the fine pattern 206b is not shown.

図12〜図17は、第2の実施形態の変形例のパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 12 to 17 is a plan view schematically illustrating the pattern forming method of the modification of the second embodiment.

まず、図12に示すように、枠状パターン206aは接続パターン215を介して枠状パターン214に接続されている。 First, as shown in FIG. 12, the frame pattern 206a is connected to the frame pattern 214 through the connection pattern 215. つまり、枠状パターン206aの内側の領域は、接続パターン(充填誘導用パターン)215を介して枠状パターン214の内側の領域に接続されている。 That is, the area inside the frame-shaped pattern 206a is connected to the inner region of the frame pattern 214 connection pattern through the (filled guiding pattern) 215. また、枠状パターン214の内側の領域は、インクジェットノズルの位置精度に比べて十分に大きい寸法を有している。 The inner region of the frame pattern 214 has a sufficiently large size as compared with the positional accuracy of the ink jet nozzles. また、枠状パターン206aの内側の領域は、枠状パターン214の内側の領域に比べて充分小さい。 The inner region of the frame-shaped pattern 206a is sufficiently smaller than the inner region of the frame pattern 214.

次に、図13に示すように、枠状パターン214の内側にインクジェットノズルをセットして、マスク材209を導入する。 Next, as shown in FIG. 13, by setting the ink jet nozzles on the inside of the frame pattern 214, introducing a mask material 209. これにより、マスク材209が、毛細管現象によって、接続パターン215を介し、枠状パターン206aの内側に充填される。 Accordingly, the mask material 209, by capillary action, through the connection pattern 215, is filled inside the frame-shaped pattern 206a. なお、枠状パターン206aの内側にマスク材209が充填されれば良いので、枠状パターン214の内側にマスク材209を完全に充填する必要はない。 Since the mask material 209 on the inside of the frame-shaped pattern 206a need be filled, it is not necessary to completely fill the mask material 209 on the inside of the frame pattern 214.

次に、図14に示すように、枠状パターン206aの内側にマスク材209を充填した後に、UV光を照射することで、マスク材209を光硬化させる。 Next, as shown in FIG. 14, after filling the mask material 209 on the inside of the frame-shaped pattern 206a, by irradiating UV light and photocuring the mask material 209. これにより、枠状パターン206a及びマスク材209からなる正方形状の大パターン216が形成される。 Thus, a square-shaped large pattern 216 consisting of frame pattern 206a and the mask material 209 is formed.

次に、図15に示すように、マスク材209、枠状パターン214及び接続パターン215をカットするために、膜厚200nm程度のレジスト217を形成する。 Next, as shown in FIG. 15, in order to cut the mask material 209, the frame-shaped pattern 214 and the connection pattern 215, a resist 217 having a thickness of about 200 nm. レジスト217は、レジストを基板上に塗布したのち、リソグラフィを実施して形成することができる。 Resist 217, a resist was coated on the substrate can be formed by carrying out lithography.

次に、図16に示すように、レジスト217をマスクとして用いて、マスク材209、枠状パターン214及び接続パターン215をドライエッチングにより除去する。 Next, as shown in FIG. 16, using the resist 217 as a mask, the mask material 209, a frame pattern 214 and the connection pattern 215 is removed by dry etching.

次に、図17に示すように、レジスト217をアッシングにより除去する。 Next, as shown in FIG. 17, the resist 217 is removed by ashing.

そして、大パターン216をマスクとして、異方性エッチングを行うことにより、大パターン216及び微細パターン207を下地領域に転写することが可能である。 Then, a large pattern 216 as a mask, by anisotropic etching, it is possible to transfer the large pattern 216 and the fine pattern 207 in the base region.

上記変形例によれば、インクジェットノズルの位置精度に比べて十分に大きい寸法の枠状パターン214を枠状パターン206aに接続し、枠状パターン206aの内側へマスク材を充填している。 According to the above modification, a frame pattern 214 of sufficiently large dimensions as compared with the positional accuracy of the ink jet nozzles connected to frame pattern 206a, filling the mask material to the inside of the frame-shaped pattern 206a. このため、目的の枠状パターン206aの内側の領域がインクジェットノズルの位置精度よりも小さい寸法である場合においても、容易に枠状パターン206aの内側にマスク材209を導入することができ、上述した、第2の実施形態と同様に、効率的に大パターンと微細パターンとを同時に形成することができる。 Therefore, even when the area inside the frame-shaped pattern 206a of interest is smaller than the positional accuracy of the ink jet nozzle, it is possible to easily introduce the mask material 209 on the inside of the frame-shaped pattern 206a, described above can be similar to the second embodiment efficiently form large pattern and a fine pattern at the same time. これにより、処理時間を短縮させることができ、コストの増加や合せずれの発生による歩留低下を抑制することが可能である。 Thus, the processing time can be shortened, it is possible to suppress a yield reduction due to the generation of growth and misalignment of cost.

なお、上述した第2の実施形態の変形例では、枠状パターン206aと枠状パターン214を、接続パターン215を介して接続しているが、枠状パターン206aと枠状パターン214を直接接続する構造でも良い。 In the modification of the second embodiment described above, the frame pattern 206a and frame pattern 214, but are connected through a connection pattern 215 connects the frame-shaped pattern 206a and frame pattern 214 directly it may be a structure.

さらに、上述した第2の実施形態及び第2の実施形態の変形例では、枠状パターン204aの内側にはC/Hパターンアレイである微細パターン204bが形成されている場合について説明した。 Furthermore, the modification of the second embodiment and the second embodiment described above, the inside of the frame-shaped pattern 204a has been described a case where a fine pattern 204b is C / H pattern array is formed. しかし、枠状パターン204aの内側にマスク材209を充填させることのできる構成であれば、微細パターン204bは任意のパターンでも良い。 However, with the configuration that can be filled with the mask material 209 on the inside of the frame-shaped pattern 204a, a fine pattern 204b may be in any pattern.

また、上記第2の実施形態及び第2の実施形態の変形例は、大領域形成パターン206は、凸型の枠状パターン206aと、枠状パターン206aの内側に形成された凸型の微細パターン206bを有している。 Further, the modification of the second embodiment and the second embodiment, the large area forming pattern 206 includes a frame pattern 206a of the convex, convex formed inside the frame pattern 206a micropattern It has a 206b. しかし、微細パターン206bが形成されない構造であっても、上記第2の実施形態と同様の基本的効果を得ることが可能である。 However, even in the structure in which the fine pattern 206b is not formed, it is possible to obtain a fundamental effect similar to the second embodiment.

また、上述した第2の実施形態及び第2の実施形態の変形例では、ナノインプリント材料として、液状の光硬化性樹脂膜材料を用いた。 Further, the modification of the second embodiment and the second embodiment described above, as a nano-imprint material, using light curing resin film material in liquid. しかし、熱可朔性の樹脂をナノインプリント材料として用いても良い。 However, the heat-friendly Saku resin may be used as nano-imprint material. 具体的には、基板200上に熱可朔性の樹脂を成膜し、加熱して軟化させた前記樹脂にテンプレートを押し付ける。 Specifically, by forming a Netsuka Saku resin on the substrate 200 is pressed against the template to heating to the resin softened. その後、前記樹脂を冷やして硬化させ、テンプレートを離型することで、大領域形成パターン206と微細パターン207等を形成しても良い。 Thereafter, cured cooled the resin, by the template to release, it may be formed a large area forming pattern 206 and the fine pattern 207, and the like.

また、上述した第2の実施形態及び第2の実施形態の変形例では、基板200上面にマスク材201を塗布し、パターン形成面を下面側に向けたテンプレート203を基板200の上方から接触させることで、大領域形成パターン206と微細パターン207と形成するフェイスダウン工程について説明した。 Further, the modification of the second embodiment and the second embodiment described above, the mask material 201 is applied to substrate 200 top surface, contacting the template 203 with its patterned surface on the lower side from above the substrate 200 it is has been described face-down to form a large area forming pattern 206 and the fine pattern 207. しかし、パターン形成面を上面側に向け、パターン内にマスク材201を予め充填したテンプレート203を基板200の下方から接触させるフェイスアップ工程によって大領域形成パターン206と微細パターン207と形成しても良い。 However, toward the upper side of the pattern forming surface may be formed with a large area forming pattern 206 and the fine pattern 207 by face-up step of contacting the lower side of the substrate 200 to template 203 filled with the mask material 201 in advance in the pattern .

(第3の実施形態) (Third Embodiment)
図18〜図28を用いて、第3の実施形態のパターン形成方法を説明する。 With reference to FIGS. 18 to 28, illustrating the pattern forming method of the third embodiment.

上述した第2の実施形態では、ナノインプリントプロセスにおいて大パターンと微細パターンとを同時に形成した。 In the second embodiment described above, and at the same time form a large pattern and a fine pattern in the nano-imprint process. 第3の実施形態では、側壁転写プロセスにおいて大パターンと微細パターンとを同時に形成する方法を説明する。 In the third embodiment, a method for simultaneously forming a large pattern and a fine pattern in the sidewall transfer process.

図18(a)〜図28(a)は第3の実施形態のパターン形成方法を概略的に示す断面図であり、図18(b)〜図28(b)は第3の実施形態のパターン形成方法を概略的に示す平面図である。 Figure 18 (a) ~ FIG 28 (a) is a sectional view showing a pattern forming method of the third embodiment schematically, FIG. 18 (b) ~ FIG. 28 (b) the pattern of the third embodiment the forming method is a plan view schematically showing.

先ず、図18に示すように、基板(シリコン基板)300上に被加工膜301として膜厚200nm程度のシリコン酸化膜(SiO )を形成する。 First, as shown in FIG. 18, to form a substrate (silicon substrate) 300 as a film to be processed 301 the film thickness 200nm of about silicon oxide film on the (SiO 2). 次に、被加工膜301上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて膜厚200nm程度のカーボン膜302を形成し、カーボン膜302上にレジスト(芯材)303として膜厚80nm程度の有機反射防止膜(化学増幅型ArFレジスト)を形成する。 Next, on the film to be processed 301, CVD using (Chemical Vapor Deposition) method to form a carbon film 302 having a thickness of about 200 nm, as a resist (core) 303 on the carbon film 302 having a thickness of about 80nm organic forming an anti-reflection film (chemically amplified ArF resist). その後、NA=1.3以上のArF液浸露光装置により、レチクルを介してレジスト303を露光し、130℃程度でポストエクスポジャーベーク(Post Exposure Bake:PEB)および現像を行う。 Thereafter, the NA = 1.3 or more ArF immersion exposure apparatus, exposing the resist 303 through the reticle, post-exposure bake at approximately 130 ℃ (Post Exposure Bake: PEB) and perform development. これにより、線幅40nm(ピッチ:80nm)程度のラインアンドスペースパターン(微細パターン)304及び一辺が100μm程度の正方形状の大パターン305のレジストパターンが形成される。 Thus, line width 40 nm (pitch: 80 nm) of about line and space pattern (fine pattern) 304 and a side resist pattern square large pattern 305 of about 100μm is formed. なお、レジスト303の感光波長は175nmから210nmで、PEBの反応温度は115℃から190℃である。 The photosensitive wavelength of the resists 303 at 210nm from 175 nm, the reaction temperature of the PEB is 190 ° C. from 115 ° C..

次に、図19に示すように、該レジストパターン上に酸性樹脂の水溶液を塗布し、90℃で60秒間ベークする。 Next, as shown in FIG. 19, the resist pattern aqueous acidic resin is coated on and baked for 60 seconds at 90 ° C.. その後、該レジストパターンを2.38wt%のTMAH水溶液中で30秒間現像し、純水にてリンスする(スリミング)。 Thereafter, the resist pattern was developed for 30 seconds in an aqueous TMAH solution of 2.38 wt%, rinsed with pure water (slimming). これにより、線幅を20nm程度細め、線幅20nm程度のレジストパターンを形成する。 Thus, 20 nm approximately narrowing the line width to form a resist pattern having a line width of about 20 nm. また、ライン幅とスペース幅が1:1となる露光量より多くの露光する方法(オーバードーズ法)によって線幅を20nmにすることも可能である。 The line width and space width of 1: it is also possible to make the line width 20nm by a number of exposure method for from 1 to become exposure (overdose method).

次に、図20に示すように、パターン形成材料膜306として全面に膜厚20nm程度のシリコンを含有する材料膜(シリコン酸化膜)を室温で形成する。 Next, as shown in FIG. 20, the material film containing silicon having a thickness of about 20nm on the entire surface as a pattern forming material layer 306 (silicon oxide film) is formed at room temperature. このパターン形成材料膜306はCVD法で形成しても、シリコン含有塗布材料を全面に塗布することで形成してもよい。 This also pattern forming material layer 306 is formed by a CVD method, a silicon-containing coating material may be formed by coating the entire surface. CVD法によって形成されるパターン形成材料膜306としては、シリコン酸化膜、アモルファスシリコン膜、シリコン窒化膜などが挙げられる。 The pattern forming material layer 306 formed by CVD method, a silicon oxide film, amorphous silicon film, a silicon nitride film. また、パターン形成材料膜306を形成する際の温度は、レジスト303の変形または分解を防止するために200℃以下で行うことが望ましい。 The temperature for forming the pattern forming material layer 306 is preferably performed at 200 ° C. or less in order to prevent deformation or degradation of the resist 303. また、シリコン含有塗布材料としてはシラン化合物、シラザン化合物、シロキサン化合物などが挙げられ、具体的にはSpin on Glass(SOG)材料、ポリシラン化合物、ポリシラザン化合物、シリコン含有ネガレジストなどが挙げられる。 Further, the silane compound as a silicon-containing coating material, silazane compounds, include such siloxane compounds, specifically Spin on Glass (SOG) material, a polysilane compound, a polysilazane compound, a silicon-containing negative resists can be mentioned.

次に、図21に示すように、パターン形成材料膜306をおよそ20nm分エッチバックし、レジスト303の表面を露出させる。 Next, as shown in FIG. 21, approximately to 20nm partial etchback a pattern forming material layer 306 to expose the surface of the resist 303. これにより、レジスト303の側壁に側壁膜としてパターン形成材料306の一部が残る。 Thus, part of the pattern forming material 306 is left as a sidewall film on the sidewall of the resist 303.

次に、図22に示すように、レジスト303に対して酸素を含むプラズマを用いてエッチングを行う。 Next, etching is performed using, as shown in FIG. 22, a plasma containing oxygen against the resist 303. これにより、レジスト303が除去され、微細パターン304の側壁に残ったパターン形成材料306による終端がループ状に閉じた40nmピッチのラインアンドスペースパターン(微細パターン)307が形成され、大パターン305の側壁に残ったパターン形成材料306による一辺が100μm程度の正方形状の枠状パターン308が形成される。 Thus, the resist 303 is removed, a line and space pattern (fine pattern) 307 of 40nm pitch end is closed in a loop by the remaining pattern forming material 306 on the sidewalls of the fine pattern 304 is formed, the side wall of the large pattern 305 square frame pattern 308 of about 100μm are formed side by the remaining pattern forming material 306 on.

次に、図23に示すように、インクジェットノズル309を用いて、枠状パターン308の内側にのみ選択的にマスク材(充填材)310として枠状パターン308を構成する材料と同程度のエッチングレートを有するシリコン含有レジスト材料を充填する。 Next, as shown in FIG. 23, using an ink jet nozzle 309, a frame-shaped inside only selectively mask material pattern 308 (filler) 310 as a frame pattern 308 constituting a material comparable etching rate filling the silicon-containing resist material having the. さらに120℃で60秒間、熱処理を施し、マスク材310を熱硬化する。 Further 60 seconds 120 ° C., a heat treatment, a mask material 310 is thermally cured. これにより、枠状パターン308及びマスク材310からなる、一辺が100μm程度の正方形状の大パターン311が形成される。 Thus, a frame pattern 308 and mask material 310, a side square large pattern 311 of about 100μm is formed. なお、枠状パターン308の内側にマスク材310を導入する手段としては、枠状パターン308の内側に精度良く少量の材料を導入できる手段であれば、インクジェットノズルに限定するものではない。 The means for introducing a mask material 310 on the inside of the frame pattern 308, as long as a means capable of introducing a precisely small amounts of material inside the frame-like pattern 308, is not limited to ink jet nozzles.

次に、図24に示すように、RIE等の異方性エッチングを行うことにより、微細パターン307及び大パターン311がカーボン膜302に転写され、微細パターン312及び大パターン313が形成される。 Next, as shown in FIG. 24, by anisotropic etching such as RIE, fine patterns 307 and the large pattern 311 is transferred to the carbon film 302, the fine patterns 312 and the large pattern 313 is formed.

次に、図25に示すように、RIE等の異方性エッチングによって、微細パターン312及び大パターン313が被加工膜301に転写され、微細パターン314及び大パターン315が形成される。 Next, as shown in FIG. 25, by anisotropic etching such as RIE, fine patterns 312 and the large pattern 313 is transferred to the workpiece film 301, the fine patterns 314 and the large pattern 315 is formed.

次に、図26に示すように、終端がループ状に閉じた微細パターン314の終端(閉ループ)をカットするために、微細パターン314の閉ループ領域をスペース領域として、微細パターン314及び大パターン315上に膜厚200nm程度のレジスト316を形成する。 Next, as shown in FIG. 26, for termination to cut the end (closed loop) of a fine pattern 314 closed in a loop, as a space region closed loop region of the fine pattern 314, the fine patterns 314 and large pattern 315 on a resist 316 having a thickness of about 200nm on.

次に、図27に示すように、このレジスト316をマスクとして用いて微細パターン314の閉ループ領域をドライエッチングにより除去する。 Next, as shown in FIG. 27, it is removed by dry etching a closed loop area of ​​a fine pattern 314 using the resist 316 as a mask.

次に、図28に示すように、レジスト316をアッシングにより除去する。 Next, as shown in FIG. 28, the resist 316 is removed by ashing. これにより、微細なラインアンドスペースパターン(微細パターン)317と大パターン315とを備えるパターンを形成することができる。 Thus, it is possible to form a pattern comprising a fine line-and-space pattern (fine pattern) 317 and the large pattern 315.

上記第3の実施形態によれば、上述した第1の実施形態と同様に、大パターン311の枠となる枠状パターン308を形成し、枠状パターン308の内側に充填材310を充填して硬化させることで、枠状パターン308及び充填材310からなる大パターン311を形成している。 According to the third embodiment, as in the first embodiment described above, to form a frame pattern 308 as a frame of large pattern 311 are filled with a filler 310 on the inside of the frame pattern 308 by curing, to form a large pattern 311 consisting of frame pattern 308 and the filler 310. このため、大パターン311形成のための露光を行うことなく、微細パターン307と大パターン311とを備えたパターンを同時に形成することができる。 Thus, without performing the exposure for the large pattern 311 formed, it is possible to simultaneously form a pattern having a fine pattern 307 and the large pattern 311. これにより、処理時間を短縮させることができ、コストの増加や合せずれの発生による歩留低下を抑制することが可能である。 Thus, the processing time can be shortened, it is possible to suppress a yield reduction due to the generation of growth and misalignment of cost.

(変形例) (Modification)
上記第3の実施形態では、インクジェットノズルを用いて枠状パターン308内にマスク材を充填した。 In the third embodiment, it was filled with the mask material in the frame pattern 308 using an ink jet nozzle. しかし、本変形例では、インクジェットノズルの位置精度に比べて十分に大きい寸法の枠状パターン318を枠状パターン308に接続することで、枠状パターン308の内側へのマスク材充填を行う。 However, in this modification, by connecting dimensions frame pattern 318 sufficiently larger than the positional accuracy of the ink jet nozzles to frame pattern 308 performs mask material filling the inside of the frame pattern 308.

図29〜図37を用いて、第3の実施形態の変形例のパターン形成方法について説明する。 With reference to FIGS. 29 to 37, illustrating the pattern forming method of the modification of the third embodiment. なお、基本的な構造及び、基本的な形成方法は、上述した第3の実施形態と同様である。 The basic structure and basic forming method is the same as the third embodiment described above. したがって、上述した第3の実施形態で説明した事項及び上述した第3の実施形態から容易に類推可能な事項についての説明は省略する。 Therefore, the description of the third easily analogized possible matters from the embodiments of the subject matter and described above described in the third embodiment described above will be omitted.

図29〜図37は、第3の実施形態の変形例のパターン形成方法を概略的に示した平面図である。 29 to 37 is a plan view schematically illustrating the pattern forming method of the modification of the third embodiment.

まず、図29に示すように、大パターン305は接続パターン319を介して大パターン320に接続されている。 First, as shown in FIG. 29, the large pattern 305 is connected to the large pattern 320 through the connection pattern 319.

次に、図30に示すように、パターン形成材料膜306として全面に膜厚20nm程度のシリコンを含有する材料膜(シリコン酸化膜)を室温で形成する。 Next, as shown in FIG. 30, the material film (a silicon oxide film) containing silicon having a thickness of about 20nm on the entire surface as a pattern forming material layer 306 is formed at room temperature.

次に、図31に示すように、パターン形成材料膜306をおよそ20nm分エッチバックし、大パターン305、接続パターン319及び大パターン320の表面を露出させる。 Next, as shown in FIG. 31, approximately to 20nm partial etchback a pattern forming material layer 306, the large pattern 305 to expose the surface of the connection pattern 319 and a large pattern 320. これにより、大パターン305、接続パターン319及び大パターン320の側壁に側壁膜としてパターン形成材料306の一部が残る。 Thus, large pattern 305, a part of the pattern forming material 306 is left as a sidewall film on the sidewall of the connection pattern 319 and a large pattern 320.

次に、図32に示すように、大パターン305、接続パターン319及び大パターン320に対して酸素を含むプラズマを用いて、連続的に異方性エッチングを行う。 Next, as shown in FIG. 32, large pattern 305, by using a plasma containing oxygen to the connection pattern 319 and a large pattern 320, continuously performing anisotropic etching. これにより、大パターン305、接続パターン319及び大パターン320が除去され、大パターン305の側壁に残ったパターン形成材料306による一辺が数μm程度の正方形状の枠状パターン308が形成され、接続パターン319の側壁に残ったパターン形成材料306による接続パターン321が形成され、大パターン320の側壁に残ったパターン形成材料306による一辺が100μmよりも大きい正方形状の枠状パターン318が形成される。 Thus, large pattern 305, connection patterns 319 and the large pattern 320 is removed, square frame-like pattern 308 sidewall remaining side by the pattern forming material 306 is about several μm of large pattern 305 is formed, the connection pattern connecting pattern 321 according to remaining patterned material 306 on the side wall 319 is formed, frame pattern 318 side by the remaining pattern forming material 306 on the side wall is larger square than 100μm large pattern 320 is formed.

これにより、枠状パターン308の内側の領域は、接続パターン321を介して枠状パターン318の内側の領域に接続されている。 Thus, the region inside of the frame pattern 308 is connected to the inner region of the frame pattern 318 through the connection pattern 321. また、枠状パターン318の内側の領域は、インクジェットノズルの位置精度に比べて十分に大きい寸法を有している。 The inner region of the frame pattern 318 has a sufficiently large size as compared with the positional accuracy of the ink jet nozzles. また、枠状パターン308の内側の領域は、枠状パターン318の内側の領域に比べて充分小さい。 The inner region of the frame pattern 308 is sufficiently smaller than the inner region of the frame pattern 318.

次に、図33に示すように、枠状パターン318の内側にマスク材310を導入する。 Next, as shown in FIG. 33, introducing a mask material 310 on the inside of the frame pattern 318. 毛細管現象によって、接続パターン321を介し、枠状パターン308の内側にマスク材310が充填される。 By capillary action, through the connection pattern 321, the mask material 310 is filled inside the frame-shaped pattern 308. なお、枠状パターン308の内側にマスク材310が充填されれば良いので、枠状パターン318の内側にマスク材310を完全に充填する必要はない。 Since the mask material 310 on the inside of the frame pattern 308 need be filled, it is not necessary to completely fill the mask material 310 on the inside of the frame pattern 318.

次に、図34に示すように、枠状パターン308の内側にマスク材310を充填した後に、熱処理を施すことでマスク材310を熱硬化させる。 Next, as shown in FIG. 34, after filling the mask material 310 on the inside of the frame pattern 308, a mask material 310 is thermally cured by heat treatment. これにより、枠状パターン308及びマスク材310からなる正方形状の大パターン311が形成される。 Thus, a square-shaped large pattern 311 consisting of frame pattern 308 and mask material 310 is formed.

次に、図35に示すように、マスク材310、終端がループ状に閉じた微細パターン314の終端(閉ループ)、枠状パターン318及び接続パターン321をカットするために、膜厚200nm程度のレジスト322を形成する。 Next, as shown in FIG. 35, the end of the mask material 310, the fine patterns 314 terminating is closed in a loop (closed loop), in order to cut the frame-shaped pattern 318 and the connection pattern 321, a film thickness of about 200nm resist 322 to the formation.

次に、図36に示すように、レジスト322をマスクとして用いて、マスク材310、終端がループ状に閉じた微細パターン314の終端(閉ループ)、枠状パターン318及び接続パターン321をドライエッチングにより除去する。 Next, as shown in FIG. 36, using the resist 322 as a mask, the mask material 310, the end of the fine pattern 314 terminating is closed in a loop (closed loop), the frame pattern 318 and the connection pattern 321 by dry etching Remove.

次に、図37に示すように、レジスト322をアッシングにより除去する。 Next, as shown in FIG. 37, the resist 322 is removed by ashing. これにより、微細なラインアンドスペースパターン(微細パターン)323と大パターン311とを備えるパターンを形成することができる。 Thus, it is possible to form a pattern comprising a fine line-and-space pattern (fine pattern) 323 and the large pattern 311.

上記変形例によれば、インクジェットノズルの位置精度に比べて十分に大きい寸法の枠状パターン318を枠状パターン308に接続し、枠状パターン308の内側へマスク材310を充填している。 According to the above modification, a frame pattern 318 of sufficiently large dimensions as compared with the positional accuracy of the ink jet nozzles connected to frame pattern 308 are filled with a masking material 310 to the inside of the frame pattern 308. このため、目的の枠状パターン308の内側の領域がインクジェットノズルの位置精度よりも小さい寸法である場合においても、容易に枠状パターン308の内側にマスク材310を導入することができ、上述した第3の実施形態と同様に、効率的に大パターンと微細パターンとを同時に形成することができる。 Therefore, even when the area inside the frame pattern 308 of interest is smaller than the positional accuracy of the ink jet nozzle, it is possible to easily introduce the mask material 310 on the inside of the frame-shaped pattern 308, the above-described Like the third embodiment, it is possible to efficiently form a large pattern and a fine pattern at the same time. これにより、処理時間を短縮させることができ、コストの増加や合せずれの発生による歩留低下を抑制することが可能である。 Thus, the processing time can be shortened, it is possible to suppress a yield reduction due to the generation of growth and misalignment of cost.

なお、上述した第3の実施形態の変形例では、枠状パターン308と枠状パターン318を、接続パターン321を介して接続しているが、枠状パターン308と枠状パターン318とを直接接続する構造でも良い。 In the modification of the third embodiment described above, the frame-shaped pattern 308 and the frame-shaped pattern 318, but are connected via the connecting pattern 321, directly connecting the frame pattern 308 and the frame-shaped pattern 318 structure may be to.

また、上記第3の実施形態及び第3の実施形態の変形例では、枠状パターン308内にマスク材310を充填している。 Further, in the modification of the third embodiment and the third embodiment, filling the mask material 310 within the frame pattern 308. しかし、枠状パターン308をカーボン膜302に転写し、カーボン膜302に転写された枠状パターン308の内側に、カーボン膜302を構成する材料と同程度のエッチングレートを有する材料を充填することで、大パターンを形成しても良い。 However, transferring the frame pattern 308 in the carbon film 302, inside the frame-shaped pattern 308 transferred to the carbon film 302, by filling the material having a material the same degree of etch rate constituting the carbon film 302 , it may be formed a large pattern.

さらに、上述した第3の実施形態及び第3の実施形態の変形例では、芯材としてレジスト303を用いたが、レジスト303の下に形成されたカーボン膜302を芯材として用いても良い。 Furthermore, the modification of the third embodiment and the third embodiment described above, but using a resist 303 as a core material may be a carbon film 302 formed under the resist 303 as a core material. 例えば、カーボン膜302にレジストパターンを転写し、レジストパターンが転写されたカーボン膜302をスリミングする。 For example, transferring the resist pattern to the carbon film 302, slimming the carbon film 302 on which a resist pattern is transferred. その後、スリミングしたカーボン膜302の側壁にパターン形成材料306を形成し、カーボン膜302を除去することで、微細パターン307及び枠状パターン308を形成しても良い。 Then, on the sidewalls of the carbon film 302 which is slimmed to form a pattern forming material 306, by removing the carbon film 302 may be formed a fine pattern 307 and frame pattern 308.

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。 Having described the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments, it can be implemented in various modifications within a range not departing from its gist. さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。 Further, in the above embodiments include inventions of various stages, and various inventions can be extracted by combining the disclosed configuration requirements appropriate. 例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。 For example, some constituent elements from the disclosed configuration requirements be deleted, as long as the desired effect can be obtained, it can be extracted as an invention.

100…基板、 101…下地領域、 102…枠状パターン、 100 ... substrate, 101 ... ground region, 102 ... frame pattern,
103…微細パターン、 105…マスク材、 106…大パターン、 103 ... fine pattern, 105 ... mask material, 106 ... large pattern,
107…大パターン、 108…微細パターン、 107 ... large pattern, 108 ... fine pattern,
200…基板、 201…マスク材、 203…テンプレート、 200 ... substrate, 201 ... mask material, 203 ... template,
204a…枠状パターン、 204b…微細パターン、 204a ... frame-shaped pattern, 204b ... fine pattern,
205…微細パターン、 206a…枠状パターン、 205 ... fine pattern, 206a ... frame-like pattern,
206b…微細パターン、 207…微細パターン、 209…マスク材、 206b ... fine pattern, 207 ... fine pattern, 209 ... mask material,
210…大パターン、 213…テンプレート、 214…枠状パターン、 210 ... large pattern, 213 ... template, 214 ... frame-like pattern,
215…接続パターン、 216…大パターン、 217…レジスト、 215 ... connection pattern, 216 ... large pattern, 217 ... resist,
300…基板、 301…被加工膜、 302…カーボン膜、 300 ... substrate, 301 ... the film to be processed, 302 ... carbon film,
303…レジスト、 304…微細パターン、 305…大パターン、 303 ... resist, 304 ... fine pattern, 305 ... large pattern,
306…パターン形成材料膜、 307…微細パターン、 306 ... pattern forming material layer, 307 ... fine pattern,
308…枠状パターン、 310…マスク材、 311…大パターン、 308 ... frame pattern, 310 ... mask material, 311 ... large pattern,
312…微細パターン、 313…大パターン、 314…微細パターン、 312 ... fine pattern, 313 ... large pattern, 314 ... fine pattern,
315…大パターン、 316…レジスト、 317…微細パターン、 315 ... large pattern, 316 ... resist, 317 ... fine pattern,
318…枠状パターン、 319…接続パターン、 320…大パターン、 318 ... frame pattern, 319 ... connection pattern, 320 ... large pattern,
321…接続パターン、 322…枠状パターン、 323…レジスト、 321 ... connection pattern, 322 ... frame pattern, 323 ... resist,

Claims (8)

  1. 下地領域上に第1の枠状パターンを形成する工程と、 Forming a first frame-shaped pattern on the base region,
    前記第1の枠状パターンの内側に充填材を充填する工程と、 A step of filling a filler inside the first frame pattern,
    前記第1の枠状パターン及び前記充填材をマスクとして用いて前記下地領域を加工する工程と を含むことを特徴とするパターン形成方法。 Pattern forming method which comprises a step of processing the background region by using the first frame pattern, and the filler as a mask.
  2. 前記第1の枠状パターンを形成する際、前記下地領域上に前記第1の枠状パターンに接続され前記第1の枠状パターンよりも大きい凸型の第2の枠状パターンを形成することを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 When forming the first frame-shaped pattern, forming a second frame-like pattern of a large convex than the connected to the first frame pattern on the base region and the first frame pattern the pattern forming method according to claim 1, wherein.
  3. 前記第1の枠状パターンを形成する際、前記第1の枠状パターンの内側にパターンを形成することを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 Wherein when forming the first frame pattern, a pattern forming method according to claim 1, wherein the forming a pattern on the inside of the first frame pattern.
  4. 前記第1の枠状パターンを形成する際、前記第1の枠状パターンの外側に前記第1の枠状パターンの枠で囲まれた領域よりも小さいパターンを形成することを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 Wherein when forming the first frame pattern, claims, characterized in that to form the first frame pattern the first frame pattern smaller pattern than the area surrounded by the frame of the outside of the the pattern forming method of 1, wherein.
  5. 前記第1の枠状パターンを形成する工程は、 The step of forming the first frame-like pattern,
    前記下地領域上にパターン形成材料を供給する工程と、 A step of supplying the patterning material on the underlying region,
    前記下地領域上に供給されたパターン形成材料に第3の枠状パターンを有するテンプレートを接触させて前記第3の枠状パターン内に前記パターン形成材料を充填する工程と、 A step of filling the pattern formation material on the third frame pattern by contacting the template with said third frame pattern in the supplied pattern forming material on the underlying region,
    前記充填したパターン形成材料を硬化する工程と、 And curing the filled pattern forming material,
    前記テンプレートを前記硬化したパターン形成材料から離型して、前記下地領域上に前記第1の枠状パターンを形成する工程と を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 By releasing the template from the cured pattern forming material, the pattern forming method according to claim 1, characterized in that it comprises a step of forming the first frame-like pattern on the underlying region.
  6. 前記第1の枠状パターンを形成する工程は、 The step of forming the first frame-like pattern,
    前記下地領域上に芯材部を形成する工程と、 Forming a core portion on the base region,
    前記下地領域上及び前記芯材部上にパターン形成材料膜を形成する工程と、 Forming a patterned material layer on the underlying region and the core part on,
    前記パターン形成材料膜をエッチバックして前記芯材部の側壁に前記パターン形成材料膜の一部を残す工程と、 A step of leaving a portion of the pattern forming material film on the sidewall of the core part is etched back the patterned material layer,
    前記芯材部を除去して前記芯材部の側壁に残ったパターン形成材料により前記第1の枠状パターンを形成する工程と を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to claim 1, characterized in that it comprises a step of forming the first frame-like pattern by remaining patterning material on the sidewalls of the core part and removing the core part.
  7. デバイス形成領域内に凹型の枠状パターンを有することを特徴とするテンプレート。 Template and having a concave frame pattern to the device formation region.
  8. デバイス形成領域内に凹型の枠状パターン及び前記枠状パターンの外側に前記第1の枠状パターンの枠で囲まれた領域よりも小さいパターンを有することを特徴とする請求項7記載のテンプレート。 Template according to claim 7, characterized in that it has a concave frame pattern and smaller pattern than the area surrounded by the frame of the first frame pattern outside of the frame-like pattern in the device formation region.
JP2009141426A 2009-06-12 2009-06-12 Method for forming pattern, and template Pending JP2010284921A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009141426A JP2010284921A (en) 2009-06-12 2009-06-12 Method for forming pattern, and template

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009141426A JP2010284921A (en) 2009-06-12 2009-06-12 Method for forming pattern, and template

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010284921A true true JP2010284921A (en) 2010-12-24

Family

ID=43540999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009141426A Pending JP2010284921A (en) 2009-06-12 2009-06-12 Method for forming pattern, and template

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010284921A (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011061001A (en) * 2009-09-10 2011-03-24 Toshiba Corp Pattern forming method
JP2013251320A (en) * 2012-05-30 2013-12-12 Dainippon Printing Co Ltd Nano-imprint mold and manufacturing method of the same
JP2014029997A (en) * 2012-06-26 2014-02-13 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of template for nanoimprint
JP2014053536A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Dainippon Printing Co Ltd Pattern forming method
JP2014053535A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Dainippon Printing Co Ltd Pattern forming method
JP2014079903A (en) * 2012-10-15 2014-05-08 Hoya Corp Production method of mold for imprinting
JP2014093450A (en) * 2012-11-05 2014-05-19 Dainippon Printing Co Ltd Pattern structure forming method
JP2014103323A (en) * 2012-11-21 2014-06-05 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing template for nanoimprint
US8747682B2 (en) 2009-08-04 2014-06-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern formation method and method for manufacturing semiconductor device
US8759177B2 (en) 2011-12-19 2014-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method
JP2016201574A (en) * 2016-08-26 2016-12-01 大日本印刷株式会社 Method for manufacturing template for nanoimprint
JP2017034284A (en) * 2012-02-03 2017-02-09 大日本印刷株式会社 Method for manufacturing template for nanoimprint

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8747682B2 (en) 2009-08-04 2014-06-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern formation method and method for manufacturing semiconductor device
JP2011061001A (en) * 2009-09-10 2011-03-24 Toshiba Corp Pattern forming method
US8753803B2 (en) 2009-09-10 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method
US8759177B2 (en) 2011-12-19 2014-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method
JP2017034284A (en) * 2012-02-03 2017-02-09 大日本印刷株式会社 Method for manufacturing template for nanoimprint
JP2013251320A (en) * 2012-05-30 2013-12-12 Dainippon Printing Co Ltd Nano-imprint mold and manufacturing method of the same
JP2014029997A (en) * 2012-06-26 2014-02-13 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of template for nanoimprint
JP2014053535A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Dainippon Printing Co Ltd Pattern forming method
JP2014053536A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Dainippon Printing Co Ltd Pattern forming method
JP2014079903A (en) * 2012-10-15 2014-05-08 Hoya Corp Production method of mold for imprinting
JP2014093450A (en) * 2012-11-05 2014-05-19 Dainippon Printing Co Ltd Pattern structure forming method
JP2014103323A (en) * 2012-11-21 2014-06-05 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing template for nanoimprint
JP2016201574A (en) * 2016-08-26 2016-12-01 大日本印刷株式会社 Method for manufacturing template for nanoimprint

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7354847B2 (en) Method of trimming technology
Komuro et al. Imprint characteristics by photo-induced solidification of liquid polymer
US7140861B2 (en) Compliant hard template for UV imprinting
US20080032508A1 (en) Method and Material For Forming A Double Exposure Lithography Pattern
US8323870B2 (en) Method and photoresist with zipper mechanism
US7186656B2 (en) Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process
US20050230882A1 (en) Method of forming a deep-featured template employed in imprint lithography
US20120244711A1 (en) Sidewall image transfer process
US20060261518A1 (en) Use of step and flash imprint lithography for direct imprinting of dielectric materials for dual damascene processing
US20070212889A1 (en) Trim process for critical dimension control for integrated circuits
US20070243655A1 (en) Self-Aligned Process for Fabricating Imprint Templates Containing Variously Etched Features
JP2000194142A (en) Pattern forming method and production of semiconductor device
JP2007103924A (en) Mold, imprint apparatus, and method for producing structure
JP2004304097A (en) Pattern forming method, and manufacturing method for semiconductor device
US20090011374A1 (en) Method and material for forming high etch resistant double exposure patterns
US20060113697A1 (en) Eliminating printability of sub-resolution defects in imprint lithography
US20090246958A1 (en) Method for removing residues from a patterned substrate
US5756256A (en) Silylated photo-resist layer and planarizing method
US5486424A (en) Silylated photoresist layer and planarizing method
CN101571674A (en) Double exposure method
JP2008006639A (en) Imprinting mold and its manufacturing method
CN101452211A (en) Method for producing photolithography alignment mark
US20060110914A1 (en) Direct imprinting of etch barriers using step and flash imprint lithography
US20110052883A1 (en) Methods of forming reversed patterns in a substrate and semiconductor structures formed during same
JP2005532576A (en) The novel planarization method relates to a multilayer lithography process