JP2010272683A - Vertical wafer boat - Google Patents

Vertical wafer boat Download PDF

Info

Publication number
JP2010272683A
JP2010272683A JP2009123081A JP2009123081A JP2010272683A JP 2010272683 A JP2010272683 A JP 2010272683A JP 2009123081 A JP2009123081 A JP 2009123081A JP 2009123081 A JP2009123081 A JP 2009123081A JP 2010272683 A JP2010272683 A JP 2010272683A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
plurality
concentric
concentric circles
radius
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009123081A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukie Otsuka
Satoshi Suzuki
Tatsuya Tanaka
由紀恵 大塚
達也 田中
諭 鈴木
Original Assignee
Covalent Materials Corp
コバレントマテリアル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Covalent Materials Corp, コバレントマテリアル株式会社 filed Critical Covalent Materials Corp
Priority to JP2009123081A priority Critical patent/JP2010272683A/en
Publication of JP2010272683A publication Critical patent/JP2010272683A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical wafer boat that can suppress a deformation amount of a semiconductor wafer as much as possible, can reduce stress generated at each support position of the semiconductor wafer as much as possible, and can suppress the occurrence of flawing and slippage. <P>SOLUTION: The vertical wafer boat has a plurality of arm portions 11a, 12a, 13a, and 14a extended in directions perpendicular to axial directions of supports 11, 12, 13, and 14, respectively, and at least two projections 3a to 3d, and 4a to 4h supporting the semiconductor wafer are provided on respective upper surfaces of the plurality of arm portions, the projections on the same plane being positioned on two or more concentric circles X and Y differing in radius and at least three projections 3a to 3d, and 4a to 4h being present on the respective concentric circles. Further, the projections positioned on the two or more concentric circles are arranged in different radius directions, and the radii of the two or more concentric circles X and Y are 40 to 95% of the radius of the semiconductor wafer. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、縦型ウエハボートに関し、特に、半導体ウエハの変形を抑制することのできる縦型ウエハボートに関する。 The present invention relates to a vertical wafer boat, in particular, it relates to a vertical wafer boat capable of suppressing the deformation of the semiconductor wafer.

半導体ウエハを酸化・拡散する処理工程において、多数の半導体ウエハを炉内に搬入するために、縦型ウエハボートが用いられている。 In the process step of oxidizing and diffusion of the semiconductor wafer, in order to carry a large number of semiconductor wafers in the furnace, vertical wafer boat is used.
例えば、特許文献1に示された縦型ウエハボート50にあっては、図7、図8に示すように、上下一対の板状固定手段51の間に4本の支持部材52、53が縦方向に配列されている。 For example, in a vertical wafer boat 50 shown in Patent Document 1, as shown in FIGS. 7 and 8, the four support members 52 and 53 between the upper and lower pair of plate-shaped fixing means 51 longitudinally It is arranged in a direction. そして、この縦型ウエハボート50は、これら支持部材52、53に所定の間隔で縦方向に沿って形成された複数のスリット54、55にある支持突起56,57に、それぞれ半導体ウエハWを積載するように構成されている。 Then, the vertical wafer boat 50, the support projections 56 and 57 in the plurality of slits 54 and 55 formed along the longitudinal direction at predetermined intervals in these supporting members 52 and 53, stacking the semiconductor wafer W, respectively It is configured to.

前記スリット54、55は、支持部材52、53の幅の約2/3以上にわたって切り込んで形成され、スリット54、55によって画成された支持部分の所定部分(例えば先端部分)に狭い面積の支持突起56、57が設けられている。 The slits 54 and 55 are formed by cutting over about two-thirds the width of the support members 52 and 53, supporting a narrow area to a predetermined portion of the support portion defined by the slits 54 and 55 (e.g. tip portion) projections 56 and 57 are provided. そして、前記支持突起56、57が、半導体ウエハWの外周縁部を超えてウエハWの中央寄りの部分を支持するようになっている。 Then, the support projections 56 and 57, and supports the inboard portion of the wafer W beyond the outer peripheral edge of the semiconductor wafer W.

このとき、これらの支持突起56、57によるウエハWの支持ポイントは、ウエハWの中心Oから同心円状に配置され、しかもウエハWの半径の50〜90%の領域Pにある。 In this case, the support point of the wafer W by the support protrusions 56, 57 are arranged concentrically from the center O of the wafer W, yet is 50 to 90% of the area P of the radius of the wafer W.
更に、半導体ウエハWをボートの所定位置に積載した状態で、半導体ウエハWの挿入始端側に位置する2本の支持部材52の突起56と、他方の半導体ウエハWの挿入後端側に位置する2つの対向する2本の支持部材53の突起57とが、半導体ウエハWの中心Oを通り、かつ半導体ウエハWの挿入方向Xと平行な線Mに対して線対称の位置に形成されている。 Further, in a state loaded with semiconductor wafers W at a predetermined position of the boat, the projection 56 of the two support members 52 positioned in the insertion start end side of the semiconductor wafer W, it is positioned on the insertion rear end side of the other semiconductor wafer W and projections 57 of the two opposing two support members 53, through the center O of the semiconductor wafer W, and is formed at a position axisymmetric with respect to the insertion direction X and a line parallel M of the semiconductor wafer W .

また、前記突起56と前記突起57は、半導体ウエハWの中心Oを通りかつ半導体ウエハWの挿入方向Xと直角方向の線Nに対しても線対称の位置形成されている。 Further, the projection 56 and the projection 57 is positioned formed line symmetrical with respect to the insertion direction X and the perpendicular direction of the line N of the street and the semiconductor wafer W to the center O of the semiconductor wafer W.
これにより、すべての支持ポイントに等しい荷重がかかり、4つの突起56,56、57,57の荷重バランスを良好に保つことができる。 Thus, all it takes equal load to the support points, it is possible to keep the load balance of the four protrusions 56,56,57,57 good.

また、特許文献2に示された半導体ウエハボート60にあっては、図9、図10に示すように、上下一対の板状固定手段(図示せず)を連結する支柱61の縦方向に、リング型の安着板61が配列されている。 Further, in the semiconductor wafer boat 60 shown in Patent Document 2, 9, as shown in FIG. 10, in the longitudinal direction of the struts 61 connecting the upper and lower pair of plate-like fastening means (not shown), seating plate 61 of the ring are arranged. そして、この半導体ウエハボート60は、これら安着板61に形成されたリング型突起62あるいは半球型突起63に、それぞれ半導体ウエハを積載するように構成されている。 Then, the semiconductor wafer boat 60, these ring formed seating plate 61 with the projection 62 or hemispherical projection 63 is configured so as to stack the semiconductor wafer, respectively. 前記リング型突起62は、ウエハ底面と接触する球型表面を有し、その断面形状が半円形に形成されている。 Said ring shaped boss 62 has a spherical surface in contact with the wafer bottom surface, the cross section is semicircular. 前記半球型突起63は、1つの安着板上に等間隔で3〜12個程度形成されている。 The hemispherical projection 63 is formed about 3 to 12 at equal intervals in a single seating plate.
上記のような安着板62は高温で前記ウエハの垂れ下がりを防止し、接触面積を減らすことができる。 Seating plate 62 as described above can prevent the sag of the wafer at high temperature, reducing the contact area.

特開平06−169010号公報 JP 06-169010 discloses 特開2005−191585号公報 JP 2005-191585 JP

ところで、前記したように、特許文献1に示された縦型ウエハボート50にあっては、半導体ウエハを支持する突起56、57が線M、線Nに対して線対称に形成され、4点の突起56、57が同一の円周上に位置している。 Incidentally, as described above, in the vertical wafer boat 50 shown in Patent Document 1, the projections 56 and 57 for supporting a semiconductor wafer is formed line-symmetrically with respect to a line M, line N, 4 points projections 56 and 57 are positioned on the same circumference.
そのため、半導体ウエハが特に直径300mm以上に大口径化し重量が大きくなると、突起56、57に大きな荷重が作用し、突起の内周側及び外周側において変形が生じる虞があった。 Therefore, when the semiconductor wafer by weight and a large diameter is increased particularly more in diameter 300 mm, a large load on the projection 56 and 57 acts, there is a possibility that deformation occurs in the inner and outer side of the projection. また、前記したように突起において大きな荷重が作用するため、半導体ウエハにスリップが発生する虞があった。 Also, a large load in the projection as described above is to act, the slip in the semiconductor wafer there is a possibility to occur.
また、前記したように、特許文献2に示された半導体ウエハボートにあっては、半導体ウエハを支持する突起がリング型及び半球型であり、前記突起は、1つの円周上に位置している。 Further, as described above, in the semiconductor wafer boat shown in Patent Document 2, projections for supporting the semiconductor wafer is a ring type and hemispherical, said projection is located on one circle there. ウエハを支持する突起がリング型の場合は、ウエハの変形等により、リングの特定な点で支持する状態になった場合には、偏った荷重バランスとなり、ウエハにスリップが発生する虞があった。 If projections for supporting a wafer of the ring, the deformation of the wafer, when the state of supporting a particular point of the ring becomes a biased load balance, slip wafer there is a possibility to occur .
更に、ウエハを支持する突起が半球型の場合は、ウエハが特に直径300mm以上に大口径化し重量が大きくなると、突起に大きな荷重が作用し、突起の内周側及び外周側及び突起間において変形が生じる虞があった。 Moreover, if the projections for supporting the wafer is hemispherical, the wafer is particularly large diameter than the diameter 300mm weight increases, and a large load acts on the projection, deformation between the inner and outer circumferential sides and the projections of the projections there is a possibility to occur. また、前記したように突起において大きな荷重が作用するため、半導体ウエハにスリップが発生する虞があった。 Also, a large load in the projection as described above is to act, the slip in the semiconductor wafer there is a possibility to occur.

本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハの変形量を極力抑制することができ、半導体ウエハの各支持位置に生じる応力を極力低減でき、傷やスリップの発生を抑制することができる縦型ウエハボートを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, it is possible to minimized the amount of deformation of the semiconductor wafer, the stress as much as possible can be reduced resulting in the supporting position of the semiconductor wafer, to suppress the occurrence of scratches and slippage and to provide a vertical wafer boat capable.

上記目的を達成するためになされた本発明にかかる縦型ウエハボートは、天板と、底板と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱と、前記支柱の夫々に前記支柱の軸線に沿って並列に設けられると共に、支柱の軸線方向に対して垂直方向に延設された複数のアーム部とを有し、前記複数のアーム部の夫々の上面に、半導体ウエハを支持する少なくとも2つの凸部が設けられ、前記凸部は、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置するとともに、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在し、各同心円上の凸部上面が同一平面に位置するように配置され、前記2つ以上の同心円上に位置する凸部は、異なる半径方向上に配置され、かつ前記2つ以上の同心円の半径が前記半導体ウエハ半径の40%以上95 Vertical wafer boat according to the present invention made in order to achieve the above object, a top plate, a bottom plate, one end fixed to the top plate, and a plurality of struts whose other end is fixed to the bottom plate, together are provided in parallel along the axis of the strut to each of said strut, and a plurality of arm portions extending in the direction perpendicular to the axial direction of the strut, the upper surface of each of the plurality of arm portions , at least two protrusions are provided for supporting the semiconductor wafer, wherein the convex portion is configured to positioned radially different two or more concentric, at least three protrusions are present on concentric circles each, each protrusion top on the concentric circle is arranged to be positioned on the same plane, convex portion positioned on the two or more concentric varies radially disposed on and the two or more radii of concentric circle the more than 40% of the semiconductor wafer radius 95 以下であることを特徴としている。 It is equal to or less than.

また、上記目的を達成するためになされた本発明にかかる縦型ウエハボートは、天板と、底板と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱と、前記支柱の夫々に前記支柱の軸線に沿って並列に設けられると共に、支柱の軸線方向に対して垂直方向に延設された複数のアーム部と、前記複数のアーム部に着脱可能に固定される複数の支持部材とを有し、前記複数のアーム部の夫々の上面及び、前記複数の支持部材の夫々の上面に、半導体ウエハを支持する凸部が設けられ、前記アーム部上の凸部及び支持部材上の凸部は、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置するとともに、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在し、各同心円上の凸部上面が同一平面に位置するように配置され、前記2つ以上の同心円 The vertical wafer boat according to the present invention made in order to achieve the above object, a top plate, a bottom plate, one end fixed to the top plate, a plurality of the other end of which is fixed to the bottom plate struts When detachably secured together are provided in parallel along the axis of the strut to each of the strut, a plurality of arm portions extending in the direction perpendicular to the axial direction of the post, said plurality of arm portions and a plurality of support members being the upper surface of each of the plurality of arm portions and the upper surface of each of the plurality of support members, the projecting portion is provided for supporting the semiconductor wafer, projections on the arm portions protrusions on the parts and the support member is configured to position a radius of two or more different concentric, there are at least three convex portions on a concentric circle of the respective position protrusion upper surface in the same plane on each concentric circle It is arranged to, the two or more concentric circles に位置する凸部は異なる半径方向上に配置され、かつ前記2つ以上の同心円の半径が前記半導体ウエハ半径の40%以上95%以下であることを特徴としている。 Protrusions located is characterized by different radially disposed on and the two or more radii of concentric circles is 95% or less 40% of the semiconductor wafer radius.

更に、上記目的を達成するためになされた本発明にかかる縦型ウエハボートは、天板と、底板と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱と、前記支柱の夫々に前記支柱の軸線に沿って並列に設けられると共に、支柱の軸線方向に対して垂直方向に延設された複数のアーム部と、前記複数のアーム部に着脱可能に固定される複数の支持部材とを有し、前記複数の支持部材の夫々の上面に、半導体ウエハを支持する複数の凸部が設けられ、前記支持部材上の凸部は、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置するとともに、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在し、各同心円上の凸部上面が同一平面に位置するように配置され、前記2つ以上の同心円上に位置する凸部は異なる半径方向上に配置され、かつ Furthermore, a vertical wafer boat according to the present invention made in order to achieve the above object, a top plate, a bottom plate, one end fixed to the top plate, a plurality of the other end of which is fixed to the bottom plate struts When detachably secured together are provided in parallel along the axis of the strut to each of the strut, a plurality of arm portions extending in the direction perpendicular to the axial direction of the post, said plurality of arm portions and a plurality of support members being, on the upper surface of each of the plurality of support members, a plurality of convex portions are provided for supporting the semiconductor wafer, the convex portions on the support member, the radius of two or more different together located on concentric circles, there are at least three convex portions on a concentric circle of the respective convex upper surface on each concentric circle is arranged so as to be positioned in the same plane, located at the two or more concentric projections are arranged on different radial, and 記2つ以上の同心円の半径が前記半導体ウエハ半径の40%以上95%以下であることを特徴としている。 Is characterized by serial two or more radii of concentric circles is 95% or less 40% of the semiconductor wafer radius.

このように、本発明にかかる縦型ウエハボートは、半導体ウエハを載置、支持する凸部が、半径の異なる2つ以上の同心円の夫々に少なくとも3つ以上存在し、各同心円上の凸部上面が同一平面に配置され、かつ前記2つ以上のいずれの同心円の半径も載置される半導体ウエハ半径の40%以上95%以下とすることにより半導体ウエハの変形量を極力抑制することができ、半導体ウエハの各支持位置に生じる応力を極力低減でき、傷やスリップの発生を抑制することができる。 Thus, vertical wafer boat according to the present invention, placing a semiconductor wafer, the convex portion supporting is present at least three or more people of different radii of two or more concentric husband, protrusions on each concentric circle upper surface are arranged on the same plane, and the two or more of any concentric radius as possible can suppress deformation of the semiconductor wafer by 95% or less 40% of the semiconductor wafer radius to be placed , as much as possible can reduce the stress generated in the support position of the semiconductor wafer, it is possible to suppress the occurrence of scratches and slippage.

ここで、同一平面上における前記凸部が、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置しない場合には、半導体ウエハの半径方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 Here, the convex portion on the same plane, if not located radially different two or more concentric is undesirable because many distortions caused by the radial direction of the semiconductor wafer.
また、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在しない場合には、半導体ウエハの円周方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 Further, when at least three protrusions is not present on a concentric circle of the respective undesirable because many distortions caused by the circumferential direction of the semiconductor wafer.
更に、2つ以上の同心円上に位置する凸部が異なる半径方向上に配置されていない場合、即ち、2つ以上の同心円の円周上に配置された凸部が半径方向において重なっている場合には、半導体ウエハの円周方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 Moreover, if the convex portion located on two or more concentric circles are not arranged on different radial, that is, when the convex portion disposed on the circumference of two or more concentric circles overlap in the radial direction the unfavorable because many distortions caused by the circumferential direction of the semiconductor wafer.
更にまた、前記同心円の半径が載置される半導体ウエハ半径の40%未満の場合、また半導体ウエハ半径の以上95%を超える場合には、半導体ウエハの半径方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 Furthermore, if less than 40% of the semiconductor wafer radius radius of the concentric circle is placed, and when more than 95% or more of the semiconductor wafer radius is undesirable because many distortions caused by the radial direction of the semiconductor wafer .

ここで、前記同心円が2つの場合は、内側の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の40%以上70%未満、かつ外側の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の70%以上95%以下であることが望ましい。 Here, if the concentric circles of the two, the radius of the inner concentric, 40% or more and less than 70% of the semiconductor wafer radius to be placed, and the radius of the outer concentric, the semiconductor wafer radius of 70 to be placed % or more is preferably 95% or less.

本発明によれば、半導体ウエハの変形量を極力抑制することができ、半導体ウエハの各支持位置に生じる応力を極力低減でき、傷やスリップの発生を抑制でき、しかも熱容量が小さく、熱応答性が良い縦型ウエハボートを得ることができる。 According to the present invention, can be suppressed as much as possible the deformation of the semiconductor wafer, the stress as much as possible can be reduced resulting in the supporting position of the semiconductor wafer, it is possible to suppress the generation of scratches and slippage, yet has a small heat capacity, thermal response it is possible to obtain a good vertical wafer boat.

本発明に係る縦型ウエハボートの実施形態を示した斜視図。 Perspective view showing an embodiment of a vertical wafer boat according to the present invention. 本発明に係る縦型ウエハボートの実施形態を示した側面図。 Side view showing an embodiment of a vertical wafer boat according to the present invention. 図2のII−II断面図。 II-II cross-sectional view of FIG. 本発明に係る縦型ウエハボートの第2の実施形態を示した断面図。 Sectional view showing a second embodiment of the vertical wafer boat according to the present invention. 本発明に係る縦型ウエハボートにおける凸部が2つの同心円上に配置された場合を示した概念図。 Conceptual view showing a case where convex portions are disposed on two concentric circles in the vertical wafer boat according to the present invention. 本発明に係る縦型ウエハボートにおける凸部が3つの同心円上に配置された場合を示した概念図。 Conceptual view showing a case where convex portions are disposed on three concentric circles in vertical wafer boat according to the present invention. 従来の縦型ウエハボートの側面図。 Side view of a conventional vertical type wafer boat. 図7のIII−III断面図。 III-III sectional view of FIG. 従来の縦型ウエハボートの一部を示す斜視図。 Perspective view of a portion of a conventional vertical wafer boat. 従来の縦型ウエハボートの一部を示す斜視図。 Perspective view of a portion of a conventional vertical wafer boat.

以下、本発明に係わる縦型ウエハボートの第1の実施形態について、図1、図2に基づいて説明する。 Hereinafter, a first embodiment of the vertical wafer boat according to the present invention, FIG. 1 will be described with reference to FIG.
この縦型ウエハボート10は縦型ウエハボートであって、天板(図示せず)と、底板(図示せず)と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱11,12,13,14と、前記支柱11,12,13,14の夫々に前記支柱の軸線(縦方向の軸線)に沿って並列に設けられた、半導体ウエハWを載置する複数のアーム部11a,12a,13a,14aとを備えた縦型ウエハボートである。 The vertical wafer boat 10 is a vertical wafer boat, the top plate (not shown), a bottom plate (not shown), one end fixed to the top plate, the other end is fixed to the bottom plate a plurality of supports 11, 12, 13, provided in parallel along the axis of the strut to each of the struts 11, 12, 13, 14 (longitudinal axis), placing the semiconductor wafer W a plurality of arm portions 11a which, 12a, 13a, a vertical wafer boat having a 14a.

前記アーム部11a,12a,13a,14aは、前記支柱の軸線方向(縦方向の軸線)に対して垂直方向に延設されている。 The arm portions 11a, 12a, 13a, 14a is extended in a direction perpendicular to the axial direction of the strut (longitudinal axis). また図1、図2に示すように、アーム部11a,12a,13a,14aの上面には、半導体ウエハWを載置する凸部3a〜3dと凸部4a〜4hが設けられている。 Also as shown in FIGS. 1 and 2, the arm portions 11a, 12a, 13a, the upper surface of 14a is convex portion 3a~3d and the convex portion 4a~4h is provided for mounting a semiconductor wafer W. 即ち、前記支柱11,12,13,14の夫々に設けられた同一平面上の複数のアーム部11a,12a,13a,14aおける凸部3a〜3d、4a〜4hの上面は、図3に示すように半径の異なる2つ以上の同心円X,Y上のいずれかに位置している。 That is, a plurality of arm portions 11a of the coplanar provided to each of the struts 11, 12, 13, 14, 12a, 13a, 14a definitive protrusions 3 a to 3 d, the upper surface of 4a~4h is shown in FIG. 3 of different radii of two or more concentric circles X as are located on either Y.
尚、前記凸部上面が、同一平面上に位置し、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置しない場合には、半導体ウエハの半径方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 Incidentally, the convex portion upper surface, positioned on the same plane, if not located radially different two or more concentric is undesirable because many distortions caused by the radial direction of the semiconductor wafer.

また、前記2つ以上の同心円X,Yの半径r,Rは、載置される半導体ウエハWの半径Waの40%以上95%以下の寸法に設定されている。 Further, the two or more concentric circles X, Y of the radius r, R is set at 40% to 95% or less of the dimension of the radius Wa of the semiconductor wafer W mounted.
このように、半導体ウエハWを載置する複数の凸部3a〜3d、4a〜4hが半径の異なる2つ以上の同心円X,Y上のいずれかに位置し、かつ前記2つ以上の同心円X,Yの半径r,Rのいずれもが、載置される半導体ウエハWの半径Waの40%以上95%以下とすることにより、半導体ウエハの歪み量、特に半導体ウエハの半径方向の歪みを抑制でき、半導体ウエハの変形、スリップの発生を低減することができる。 Thus, a plurality of protrusions 3a~3d for placing the semiconductor wafer W, two or more concentric circles X different 4a~4h is radii, located either on the Y, and the two or more concentric circles X , the radius r of Y, both R's, by 95% or less 40% of the radius Wa of the semiconductor wafer W is placed, the strain amount of the semiconductor wafer, especially suppress distortion in the radial direction of the semiconductor wafer can, deformation of the semiconductor wafer, it is possible to reduce the generation of the slip.

特に、前記2つ以上の同心円X,Yのうち内側の同心円Xの半径rを載置される半導体ウエハ半径の40%以上70%未満に、また外側の同心円Yの半径Rを載置される半導体ウエハ半径の70%以上95%以下になすことにより、半導体ウエハの歪み量がより抑制でき、半導体ウエハの変形、半導体スリップの発生をより低減することができる。 In particular, the two or more concentric circles X, is placed less than 40% to 70% of the semiconductor wafer radius, also the radius R of the outer concentric Y to be placed the radius r of the inner concentric X of Y by forming 95% or less 70% of the semiconductor wafer radius, the distortion amount of the semiconductor wafer can be suppressed, the deformation of the semiconductor wafer, it is possible to further reduce the generation of semiconductor slip.

更に、前記凸部3a〜3dを同心円Xの円周上に均等に配置することで、各凸部3a〜3dにおける荷重バランスを均等になし、また凸部4a〜4hを同心円Yの円周上に均等に配置することで、各凸部4a〜4hにおける荷重バランスを均等なし、スリップ等の発生をより抑制することができる。 Further, the convex portions 3 a to 3 d by uniformly arranged on the circumference of concentric circles X, without evenly load balance in the convex portions 3 a to 3 d, also on the circumference of the convex portion 4a~4h concentric Y a by uniformly arranged, without equalizing the load balance in the convex portions 4a through 4h, it is possible to further suppress the occurrence of slippage.

また、前記凸部3a〜3dは同心円Xの円周上に90度の等間隔で配置され、また前記凸部4a〜4hは同心円Yの円周上に45度の等間隔で配置されている。 Further, the convex portion 3a~3d are arranged at equal intervals of 90 degrees on the circumference of concentric circles X, also the protrusion 4a~4h are arranged at equal intervals of 45 degrees on the circumference of concentric circles Y .
また更に、前記凸部3a〜3dと凸部4a〜4hは半径方向において重なることがなく、異なる半径方向に配置されている。 Furthermore, the convex portion 3a~3d and the convex portion 4a~4h is no overlap in the radial direction, are arranged in different radial directions. これによって、凸部3a〜3dと凸部4a〜4hとを上下、左右対称に配置することができ、しかも凸部3a〜3d、凸部4a〜4hを等間隔に配置することができる。 Thus, up and down the convex portions 3 a to 3 d and the convex portion 4a through 4h, it can be arranged symmetrically, moreover may be disposed convex portions 3 a to 3 d, the convex portion 4a through 4h at regular intervals.
その結果、凸部3a〜3dに半導体ウエハWの荷重を均等に作用させることができ、同様に、凸部4a〜4hに半導体ウエハWの荷重を均等に作用させることができ、凸部間の歪み、特に半導体ウエハの円周方向の歪みを抑制できる。 As a result, the load of the semiconductor wafer W on the convex portion 3a~3d can act equally, likewise, the load of the semiconductor wafer W can be made to act evenly on the convex portion 4a through 4h, between the projecting portions of the strain, in particular suppress distortion in the circumferential direction of the semiconductor wafer.

また、この実施形態では、少なくとも3つ以上の凸部が、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置している必要があり、凸部の数が少なくなると、1つの凸部に作用する荷重が大きくなるため好ましくない。 Further, in this embodiment, at least three or more protrusions, must be located radially different two or more concentric, the number of the projections is reduced, acts on one of the protrusions load undesirably increases. 即ち、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在しない場合には、半導体ウエハの円周方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 That is, if not at least three protrusions are present on concentric circles each is undesirable because many distortions caused by the circumferential direction of the semiconductor wafer.
一例を挙げれば、この実施形態のように、2つ以上の同心円のうち内側の同心円上に4つの凸部が配置され、外側の同心円上に8つの凸部が配置されていることが望ましい。 In one example, as in this embodiment, four protrusions on the inside of the concentric circles of the two or more concentric circles are arranged, it is desirable that eight protrusions on the outside of the concentric circle is located.
しかし、前記凸部の数が多くなると、縦型ウエハボートの熱容量が大きくなり、熱応答性を悪化させるため好ましくない。 However, the number of the convex portions is increased, the heat capacity of the vertical wafer boat increases, unfavorably deteriorating the thermal response.
また、この実施形態におけるアーム部11a,12a,13a,14aの形状として、湾曲した形状のものを示したが、本発明はこの形状に限定されるものではなく、直線状、U字状であっても良い。 The arm portion 11a in this embodiment, 12a, 13a, the shape of the 14a, showed that of curved shape, the present invention is not limited to this shape, linear, there in U-shaped and it may be.

次に、本発明に係わる縦型ウエハボートの第2の実施形態について、図4に基づいて説明する。 Next, a second embodiment of the vertical wafer boat according to the present invention will be described with reference to FIG. 尚、図4は、図3に相当する図である。 Incidentally, FIG. 4 is a view corresponding to FIG.
この第2の実施形態における縦型ウエハボート20は、天板(図示せず)と、底板(図示せず)と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱21,22,23と、前記支柱21,22,23の夫々に前記支柱の軸線(縦方向の軸線)に沿って並列に設けられた、半導体ウエハWを載置する複数のアーム部21a,22a,23aとを備えた縦型ウエハボートである。 Vertical wafer boat 20 in the second embodiment, the top plate (not shown), a bottom plate (not shown), one end fixed to the top plate, a plurality of the other end is fixed to the bottom plate and of supports 21, 22, 23, wherein the strut axis to each of the struts 21, 22, 23 provided in parallel along the (longitudinal axis), a plurality of arm portions for placing the semiconductor wafer W 21a, a vertical wafer boat having 22a, and 23a.

前記アーム部21a,22a,23aは、前記支柱の軸線方向(縦方向の軸線)に対して垂直方向に延設されている。 The arm portions 21a, 22a, 23a is extended in a direction perpendicular to the axial direction of the strut (longitudinal axis). またその上面に半導体ウエハWを載置する第1の凸部21b、22b、23bが設けられている。 The first convex portion 21b for placing a semiconductor wafer W, 22b, 23b are provided on the upper surface. この第1の凸部21b、22b、23bは、同心円Y上に位置している。 The first convex portion 21b, 22b, 23b are located on a concentric circle Y.

前記複数のアーム部21a,22a,23aの上面の夫々に、リング状の支持部材24が着脱可能に固定されている。 It said plurality of arm portions 21a, 22a, respectively of the upper surface of 23a, a ring-shaped support member 24 is detachably fixed. この支持部材24の外周部には、外方向に突出し前記アーム部21a,23a上に載置される被支持部24d、24dと、外方向に突出し前記アーム部22a上に載置される係止部24fが形成されている。 The outer periphery of the support member 24, the supported portion 24d is placed on the outwardly projecting the arm portion 21a, on 23a, 24d and the locking being placed on projecting the arm portion 22a outwardly parts 24f are formed.
また、前記係止部24fには貫通穴24gが形成され、前記第1の凸部22bが挿通するように構成されている。 Further, the engagement on the stop portion 24f through hole 24g is formed, the first convex portion 22b is configured so as to pass through. このように、第1の凸部22bが貫通穴24gを挿通しているため、支持部材24の脱落を防止することができる。 Thus, since the first convex portion 22b is inserted through the through hole 24 g, it is possible to prevent the falling off of the support member 24.

また、前記支持部材24の上面には、半導体ウエハWを載置、支持する第2の凸部24a、24b、24cが設けられている。 Further, the upper surface of the support member 24, mounts the semiconductor the wafer W, the second convex portion 24a for supporting, 24b, 24c are provided. この第2の凸部24a、24b、24cは、同心円X上に位置している。 The second protrusions 24a, 24b, 24c are located on a concentric circle X.
尚、第1の凸部21b、22b、23bの上面及び第2の凸部24a、24b、24cの上面が、同一平面上に位置し、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置しない場合には、半導体ウエハの半径方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 The first convex portion 21b, 22b, the upper surface and the second convex portion 24a of 23b, 24b, when the upper surface of 24c are positioned on the same plane, not located radially different two or more concentric It is not preferable because many distortions caused by the radial direction of the semiconductor wafer.

また、前記2つ以上の同心円X,Yの半径r,Rのいずれもが、載置される半導体ウエハWの半径Waの40%以上95%以下に設定されている。 Further, the two or more concentric circles X, radius r of Y, any of R is set to 95% or less 40% of the radius Wa of the semiconductor wafer W mounted.
このように、半導体ウエハWを載置する複数の凸部21b、22b、23b、24a、24b、24cが半径の異なる2つ以上の同心円X,Yのいずれかに位置し、かつ、前記2つ以上の同心円X,Yの半径r,Rのいずれもが、載置される半導体ウエハWの半径Waの40%以上95%以下とすることにより、第1の実施形態の場合と同様に、半導体ウエハの歪み量が抑制でき、ウエハの変形、スリップの発生を低減することができる。 Thus, a plurality of protrusions 21b for mounting the semiconductor wafer W, 22b, 23b, 24a, 24b, 24c is different radii of two or more concentric circles X, located either Y, and the two more concentric X, the radius r of Y, both R's, by 95% or less 40% of the radius Wa of the semiconductor wafer W mounted, as in the first embodiment, the semiconductor distortion of the wafer can be suppressed, the deformation of the wafer, it is possible to reduce the occurrence of the slip.

特に、前記同心円が2つの場合は、第1の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の40%以上70%未満、かつ第2の同心円の半径が70%以上95%以下であることが望ましい。 Especially, if the concentric circles of the two, the radius of the first concentric circle, 40% or more and less than 70% of the semiconductor wafer radius to be placed, and the radius of the second concentric circle is less than 95% 70% It is desirable これにより、半導体ウエハの歪み量がより抑制でき、ウエハの変形、スリップの発生をより低減することができる。 Thus, the distortion amount of the semiconductor wafer can be suppressed, the deformation of the wafer, it is possible to further reduce the occurrence of the slip. さらに、図5に示すように、第1の同心円で囲まれた領域をA、第1の同心円と第2の同心円とで囲まれた領域をB、第2の同心円と半導体ウエハ直径の仮想円とで囲まれた領域をCとすると、A、B、Cの面積比は、A:B:C=0.9〜1.1:0.9〜1.1:1.9〜2.1であることがより望ましい。 Furthermore, as shown in FIG. 5, an area surrounded by the first concentric circle A, a first concentric circle and the area surrounded by the second concentric B, a virtual circle of the second concentric with the semiconductor wafer diameter the region surrounded When C between, a, B, the area ratio of C is, a: B: C = 0.9~1.1: 0.9~1.1: 1.9~2.1 it is more desirable that. これにより、ウエハを支持する凸部にかかる荷重を均等にすることができ、ウエハのスリップ等の発生をより低減することができる。 Thus, the load applied to the convex portion for supporting the wafer can be made uniform, it is possible to further reduce the occurrence of the slip or the like of the wafer.
また、前記同心円が3つの場合は、第1の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の40%以上70%未満、かつ第2の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の70%以上85%未満、かつ第3の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の85%以上95%以下であることが望ましい。 Also, if the concentric circles of the three, the radius of the first concentric circle, 40% or more and less than 70% of the semiconductor wafer radius to be placed, and the radius of the second concentric, the semiconductor wafer radius to be placed 70% or more and less than 85%, and the radius of the third concentric circle is desirably 95% or less 85% of the semiconductor wafer radius is placed. これにより、半導体ウエハの歪み量がより抑制でき、ウエハの変形、スリップの発生をより低減することができる。 Thus, the distortion amount of the semiconductor wafer can be suppressed, the deformation of the wafer, it is possible to further reduce the occurrence of the slip.
さらに、図6に示すように、第1の同心円で囲まれた領域をA、第1の同心円と第2の同心円とで囲まれた領域をB、第2の同心円と第3の同心円とで囲まれた領域をC、第3の同心円と半導体ウエハ直径の仮想円とで囲まれた領域をDとすると、A、B、C、Dの面積比は、A:B:C:D=0.9〜1.1:0.9〜1.1:0.9〜1.1:1.9〜2.1であることがより望ましい。 Furthermore, as shown in FIG. 6, a region surrounded by the first concentric circle A, a region surrounded by the first concentric circle and a second concentric B, and a second concentric and third concentric the area enclosed C, and the area surrounded by the imaginary circle of a third concentric with the semiconductor wafer diameter and D, a, B, C, the area ratio of D is, a: B: C: D = 0 .9~1.1: 0.9 to 1.1: 0.9 to 1.1: it is more desirable that 1.9 to 2.1. これにより、ウエハを支持する凸部にかかる荷重を均等にすることができ、ウエハのスリップ等の発生をより低減することができる。 Thus, the load applied to the convex portion for supporting the wafer can be made uniform, it is possible to further reduce the occurrence of the slip or the like of the wafer.

更に、凸部21b、22b、23bは、同心円Xの円周上に均等に位置することで各凸部21b、22b、23bにおける荷重バランスがとれ、また、凸部24a、24b、24cは、同心円Yの円周上に均等に位置することで各凸部24a、24b、24cにおける荷重バランスがとれ、スリップ等の発生をより抑制することができる。 Furthermore, convex portions 21b, 22b, 23b, each projecting portion 21b by positioned evenly on the circumference of concentric circles X, 22b, take the load balance in 23b, also, the convex portions 24a, 24b, 24c are concentric Y of each convex section 24a by positioned evenly on the circumference, 24b, take the load balance in 24c, it is possible to further suppress the occurrence of slippage.

また、凸部24a、24b、24cは同心円Xの円周上に120度の等間隔で配置され、凸部21b、22b、23bは、同心円Yの円周上に120度の等間隔で配置され、更に、凸部24a、24b、24cは、凸部21b、22b、23bと半径方向において重なることはなく、異なる半径方向に配置されている。 Further, the convex portions 24a, 24b, 24c are arranged at equal intervals of 120 degrees on the circumference of concentric circles X, protrusion 21b, 22b, 23b are arranged at equal intervals of 120 degrees on the circumference of concentric circles Y further, the convex portions 24a, 24b, 24c are convex portions 21b, 22b, no overlap in 23b radially, are arranged in different radial directions.
具体的には、凸部21b、22b、23bと、凸部24a、24b、24cは、交互に60度の間隔をもって、等間隔に配置されている。 Specifically, the convex portions 21b, 22b, and 23b, convex portions 24a, 24b, 24c are at an interval of 60 degrees alternately, are arranged at equal intervals. その結果、凸部21b、22b、23bと、凸部24a、24b、24cに半導体ウエハの荷重を均等に作用させることができ、凸部間での歪み、特に半導体ウエハの円周方向の歪みを抑制できる。 As a result, the convex portions 21b, 22b, and 23b, convex portions 24a, 24b, the load of the semiconductor wafer can be made to act evenly 24c, distortion between the convex portions, in particular the strain in the circumferential direction of the semiconductor wafer It can be suppressed.

また、第1の凸部21b、22b、23b及び第2の凸部24a、24b、24cが、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置しているが、この凸部の数が少なくなると、1つの凸部に作用する荷重が大きくなるため好ましくない。 The first convex portion 21b, 22b, 23b and the second convex portions 24a, 24b, 24c are, but are located in different radii of two or more concentric, the number of the projections is reduced, undesirable because the load acting on one of the protrusions is increased. 即ち、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在しない場合には、半導体ウエハの円周方向により多くの歪みが生じるため好ましくない。 That is, if not at least three protrusions are present on concentric circles each is undesirable because many distortions caused by the circumferential direction of the semiconductor wafer.

尚、この実施形態にあっては、アーム部21a、22a、23aの上面に半導体ウエハWを載置する第1の凸部21b、22b、23bを設け、リング状の支持部材24の上面に凸部24a、24b、24cを設けた場合を示した。 Incidentally, in this embodiment, the arm portions 21a, 22a, the first convex portion 21b for placing a semiconductor wafer W on the upper surface of 23a, 22b, the provided 23b, convex upper surface of the ring-shaped support member 24 part 24a, shows a case of providing 24b, a 24c.
しかしながら、アーム部21a,22a,23aに第1の凸部21b、22b、23bを設けることなく、リング状の支持部材24の上面に第1の凸部21b、22b、23bと、第2の凸部24a、24b、24cを設けても良い。 However, the arm portions 21a, 22a, the first protrusion 21b to 23a, 22b, without providing the 23b, the first protrusion 21b on the upper surface of the ring-shaped support member 24, 22b, 23b and the second convex section 24a, 24b, 24c may be provided.
即ち、複数の支持部材の夫々の上面に、半導体ウエハを支持する複数の凸部が設けられ、前記支持部材上の凸部は、半径の異なる2つ以上の同心円の夫々に少なくとも3つの凸部が存在し、各同心円上の凸部が同一平面に配置され、前記2つ以上の同心円上の凸部は、異なる半径方向上に位置し、かつ前記2つ以上の同心円の半径が前記半導体ウエハ半径の40%以上95%以下に構成しても良い。 That is, the upper surface of each of the plurality of support members, a plurality of convex portions are provided for supporting the semiconductor wafer, the convex portions on the support member to each of two or more concentric circles having different radii at least three protrusions there exists, protrusions on each concentric circle are arranged on the same plane, said two or more protrusions on the concentric circles different located radially on, and the two or more radii of the semiconductor wafer concentric it may be configured to 95% or less 40% of the radius.

1 ウエハ支持具3a、3b、3c、3d 凸部4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h 凸部10 ウエハ支持具11,12,13,14 支柱11a,12a,13a,14a アーム部20 ウエハ支持具21,22,23 支柱21a、22a、23a アーム部21b、22b、23b 第1の凸部24 支持部材24a、24b、24c 第2の凸部X 円(円周) 1 wafer support 3a, 3b, 3c, 3d protrusions 4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f, 4g, 4h protrusion 10 a wafer support 11 to 14 posts 11a, 12a, 13a, 14a Arm part 20 wafer support 21, 22 and 23 post 21a, 22a, 23a the arm portions 21b, 22b, 23b the first protrusions 24 support members 24a, 24b, 24c second protrusion X yen (circumference)
Y 円(円周) Y yen (circumference)
R 円Yの半径r 円Xの半径W 半導体ウエハWa 半導体ウエハの半径 The radius of the radius W semiconductor wafer Wa semiconductor wafer of radius r circle X of R circle Y

Claims (4)

  1. 天板と、底板と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱と、前記支柱の夫々に前記支柱の軸線に沿って並列に設けられると共に、支柱の軸線方向に対して垂直方向に延設された複数のアーム部とを有し、 A top plate, a bottom plate, one end fixed to the top plate, the other end a plurality of supports fixed to the bottom plate, along with are provided in parallel along the axis of the strut to each of the struts, strut and a plurality of arm portions extending in the direction perpendicular to the axial direction,
    前記複数のアーム部の夫々の上面に、半導体ウエハを支持する少なくとも2つの凸部が設けられ、 The upper surface of each of the plurality of arm portions, at least two protrusions are provided for supporting the semiconductor wafer,
    前記凸部は、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置するとともに、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在し、各同心円上の凸部上面が同一平面に位置するように配置され、 The convex portion is configured to positioned radially different two or more concentric, there are at least three convex portions on a concentric circle of the respective convex upper surface on each concentric circle is arranged so as to be located on the same plane ,
    前記2つ以上の同心円上に位置する凸部は異なる半径方向上に配置され、かつ前記2つ以上の同心円の半径が前記半導体ウエハ半径の40%以上95%以下であることを特徴とする縦型ウエハボート。 Vertical, wherein the convex portion located on two or more concentric circles are arranged on different radial, and the two or more radii of concentric circles is 95% or less 40% of the semiconductor wafer radius type wafer boat.
  2. 天板と、底板と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱と、前記支柱の夫々に前記支柱の軸線に沿って並列に設けられると共に、支柱の軸線方向に対して垂直方向に延設された複数のアーム部と、前記複数のアーム部に着脱可能に固定される複数の支持部材とを有し、 A top plate, a bottom plate, one end fixed to the top plate, the other end a plurality of supports fixed to the bottom plate, along with are provided in parallel along the axis of the strut to each of the struts, strut has the the axis a plurality of arm portions extending in the direction perpendicular to the direction, and a plurality of support members detachably secured to said plurality of arm portions,
    前記複数のアーム部の夫々の上面及び、前記複数の支持部材の夫々の上面に、半導体ウエハを支持する凸部が設けられ、 The upper surface of each of the plurality of arm portions and the upper surface of each of the plurality of support members, the projecting portion is provided for supporting the semiconductor wafer,
    前記アーム部上の凸部及び支持部材上の凸部は、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置するとともに、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在し、各同心円上の凸部上面が同一平面に位置するように配置され、 Protrusions on the convex portion and the support member on the arm portion is configured to positioned radially different two or more concentric, at least three protrusions are present on concentric circles of respective protrusions on each concentric circle upper surface is arranged to be positioned on the same plane,
    前記2つ以上の同心円上に位置する凸部は異なる半径方向上に配置され、かつ前記2つ以上の同心円の半径が前記半導体ウエハ半径の40%以上95%以下であることを特徴とする縦型ウエハボート。 Vertical, wherein the convex portion located on two or more concentric circles are arranged on different radial, and the two or more radii of concentric circles is 95% or less 40% of the semiconductor wafer radius type wafer boat.
  3. 天板と、底板と、前記天板に一端が固定され、他端が前記底板に固定された複数本の支柱と、前記支柱の夫々に前記支柱の軸線に沿って並列に設けられると共に、支柱の軸線方向に対して垂直方向に延設された複数のアーム部と、前記複数のアーム部に着脱可能に固定される複数の支持部材とを有し、 A top plate, a bottom plate, one end fixed to the top plate, the other end a plurality of supports fixed to the bottom plate, along with are provided in parallel along the axis of the strut to each of the struts, strut has the the axis a plurality of arm portions extending in the direction perpendicular to the direction, and a plurality of support members detachably secured to said plurality of arm portions,
    前記複数の支持部材の夫々の上面に、半導体ウエハを支持する複数の凸部が設けられ、 The upper surface of each of the plurality of support members, a plurality of protrusions for supporting the semiconductor wafer is provided,
    前記支持部材上の凸部は、半径の異なる2つ以上の同心円上に位置するとともに、夫々の同心円上に少なくとも3つの凸部が存在し、各同心円上の凸部上面が同一平面に位置するように配置され、 Protrusions on the support member, while located radially different two or more concentric, at least three protrusions are present on concentric circles of respective convex upper surface on each concentric circle is located on the same plane is arranged to,
    前記2つ以上の同心円上に位置する凸部は異なる半径方向上に配置され、かつ前記2つ以上の同心円の半径が前記半導体ウエハ半径の40%以上95%以下であることを特徴とする縦型ウエハボート。 Vertical, wherein the convex portion located on two or more concentric circles are arranged on different radial, and the two or more radii of concentric circles is 95% or less 40% of the semiconductor wafer radius type wafer boat.
  4. 前記2つ以上の同心円のうち内側の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の40%以上70%未満、かつ外側の同心円の半径が、載置される半導体ウエハ半径の70%以上95%以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の縦型ウエハボート。 The two or more radii of the inner concentric circle of the concentric circles is 40% or more and less than 70% of the semiconductor wafer radius to be placed, and the radius of the outer concentric circle, more than 70% of the semiconductor wafer radius to be placed 95 vertical wafer boat according to any one of claims 1 to 3, characterized in that% or less.
JP2009123081A 2009-05-21 2009-05-21 Vertical wafer boat Pending JP2010272683A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009123081A JP2010272683A (en) 2009-05-21 2009-05-21 Vertical wafer boat

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009123081A JP2010272683A (en) 2009-05-21 2009-05-21 Vertical wafer boat

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010272683A true JP2010272683A (en) 2010-12-02

Family

ID=43420479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009123081A Pending JP2010272683A (en) 2009-05-21 2009-05-21 Vertical wafer boat

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010272683A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011078714A1 (en) 2010-07-07 2012-01-12 Mitsubishi Paper Mills Limited Recording sheet for wet electrophotography
CN102437079A (en) * 2011-11-17 2012-05-02 北京七星华创电子股份有限公司 Disk clamping device
JP2012238806A (en) * 2011-05-13 2012-12-06 Sumco Corp Susceptor support shaft for epitaxial wafer growth device and epitaxial growth device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236515A (en) * 1995-03-01 1996-09-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device
JP2000150402A (en) * 1998-11-09 2000-05-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd Substrate supporting jig
JP2000223433A (en) * 1999-02-04 2000-08-11 Seiko Epson Corp Board processor, and manufacture of semiconductor manufacture of liquid crystal device
JP2003282388A (en) * 2002-03-26 2003-10-03 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processor, and semiconductor manufacturing method
WO2005045917A1 (en) * 2003-11-07 2005-05-19 Sumco Corporation Jig for heat treating semiconductor substrate and method for heat treating semiconductor substrate
JP2006310848A (en) * 2005-04-25 2006-11-09 Tera Semicon Corp Manufacturing device of semiconductor, manufacturing method of substrate loading holder thereof, its substrate loading batch processing boat, and loading and/or unloading method of semiconductor substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236515A (en) * 1995-03-01 1996-09-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device
JP2000150402A (en) * 1998-11-09 2000-05-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd Substrate supporting jig
JP2000223433A (en) * 1999-02-04 2000-08-11 Seiko Epson Corp Board processor, and manufacture of semiconductor manufacture of liquid crystal device
JP2003282388A (en) * 2002-03-26 2003-10-03 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processor, and semiconductor manufacturing method
WO2005045917A1 (en) * 2003-11-07 2005-05-19 Sumco Corporation Jig for heat treating semiconductor substrate and method for heat treating semiconductor substrate
JP2006310848A (en) * 2005-04-25 2006-11-09 Tera Semicon Corp Manufacturing device of semiconductor, manufacturing method of substrate loading holder thereof, its substrate loading batch processing boat, and loading and/or unloading method of semiconductor substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011078714A1 (en) 2010-07-07 2012-01-12 Mitsubishi Paper Mills Limited Recording sheet for wet electrophotography
JP2012238806A (en) * 2011-05-13 2012-12-06 Sumco Corp Susceptor support shaft for epitaxial wafer growth device and epitaxial growth device
CN102437079A (en) * 2011-11-17 2012-05-02 北京七星华创电子股份有限公司 Disk clamping device
CN102437079B (en) 2011-11-17 2013-11-13 北京七星华创电子股份有限公司 Disk clamping device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7329947B2 (en) Heat treatment jig for semiconductor substrate
KR0129656B1 (en) Vertical boat and a method for making the same
JP3586031B2 (en) Susceptor and heat treatment apparatus and a heat treatment method
US6287112B1 (en) Wafer boat
US20020113027A1 (en) Retainer for use in heat treatment of substrate, substrate heat treatment equipment, and method of manufacturing the retainer
KR20000002833A (en) Semiconductor wafer boat
KR100623898B1 (en) Wafer boat with arcuate wafer support arms
US6099645A (en) Vertical semiconductor wafer carrier with slats
JPH05231608A (en) Catalyst combustor
CN1183854A (en) Slip free vertical rack design
KR970008357B1 (en) Vertical boat
JPH09139352A (en) Wafer boat for vertical furnace
JP3913386B2 (en) The fuel assembly
CN101390444B (en) Planar heater
KR20100030622A (en) Device for coating a plurality of closest-packed substrates arranged on a susceptor
JP2005509303A (en) Edge of the holding apparatus for holding a set of semiconductor wafers in immersion treatment system
US8464589B2 (en) Micro-electromechanical systems (MEMS) structure
JP2000243747A (en) Substrate preparing apparatus
CN1768421B (en) Silicon wafer heat treatment jig, and silicon wafer heat treatment method
JP3596710B2 (en) Vapor deposition apparatus for the susceptor
JP2006008209A (en) Semiconductor device tray and semiconductor device
JP2006066911A (en) Cushion for packing disk such as semiconductor wafer
CN102608684B (en) A substrate having a lightweight structure
JP2006270105A (en) Wafer carrier for minimizing contact area with wafer and wafer washing method using it
WO2005111457A1 (en) Floating type disk brake

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20120224

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130307

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20130311

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130702