JP2010265158A - 珪素微粒子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる珪素微粒子の製造方法を得ること。
【解決手段】珪素塊1を粉砕して珪素微粒子を得る珪素微粒子の製造方法であって、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体4中において前記珪素塊1を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら前記珪素塊1を粉砕して前記珪素微粒子を作製する。これにより、粉砕時の珪素内への不純物の拡散を防止することができ、不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる。
【選択図】図1
【解決手段】珪素塊1を粉砕して珪素微粒子を得る珪素微粒子の製造方法であって、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体4中において前記珪素塊1を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら前記珪素塊1を粉砕して前記珪素微粒子を作製する。これにより、粉砕時の珪素内への不純物の拡散を防止することができ、不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、珪素微粒子の製造方法に関し、特に、珪素を機械的に粉砕する際に、不純物混入や欠陥を低減させて高純度の珪素微粒子を得る珪素微粒子の製造方法に関するものである。
珪素材料を微細形状にする方法としては、珪素材料をボールミルや湿式ビーズミル、ジェットミル等の方式で粉砕する方法が知られている。一方、珪素材料を太陽電池等の半導体デバイスとして使用するには、純度として99.9999%以上が必要であり、特に銅(Cu)、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)などの金属不純物が珪素に混入すると、電気特性が著しく劣化する。
例えば特許文献1においては、珪素を粉砕後にフッ化水素酸(HF)による洗浄により金属不純物を130ppm以下に低減する技術が示されている。また、特許文献2においては、珪素塊を水中またはフッ化水素酸(HF)を含む薬液を添加した水中にて破砕し、粉末化する工程により、高純度の珪素粉末を得る技術が開示されている。
しかしながら、銅(Cu)、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)などの重金属は、珪素中での拡散が室温においても10時間でサブミクロンの拡散長さに達する。そして、粉砕処理時間が長くなるほど粉砕中に混入した重金属が珪素粒子中に拡散するため、珪素微粒子の高純度化には限界があった。また、フッ化水素酸(HF)で珪素微粒子の洗浄を行う場合は、珪素微粒子表面の酸化膜や付着不純物金属は除去できるものの、珪素微粒子内部に拡散した不純物金属を除去することは困難であった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる珪素微粒子の製造方法を得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる珪素微粒子の製造方法は、珪素塊を粉砕して珪素微粒子を得る珪素微粒子の製造方法であって、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体中において前記珪素塊を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら前記珪素塊を粉砕して前記珪素微粒子を作製すること、を特徴とする。
本発明によれば、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体中において珪素塊を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら珪素塊を粉砕することができるため、粉砕時の珪素内への不純物の拡散を防止することができ、不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる、という効果を奏する。
以下に、本発明にかかる珪素微粒子の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法を実施するための粉砕装置を模式的に示した断面図である。以下、図1を参照しながら実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法を説明する。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法を実施するための粉砕装置を模式的に示した断面図である。以下、図1を参照しながら実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法を説明する。
まず、珪素塊の粉砕工程(工程1)を行う。大きさ(径)1mm〜10mm程度、純度が半導体級(純度99.99999999%以上)の珪素塊1を粉砕用のボール2とともに、内面を炭化珪素または窒化珪素で被覆されたステンレス製の容器3に充填する。容器内におけるボール2および珪素塊1の充填率は10%〜20%が適当である。ボール2および珪素塊1の充填率をこのような範囲とすることにより、効率良く且つ確実に珪素塊1を粉砕することができる。
ボール2の径は単一の径でもよく、また複数の径を共存させてもよい。ボール2の材質は、後述する酸化性液体4に耐性を有するものであればよく、例えば石英や窒化珪素、炭化珪素などを用いる。本実施の形態では、ボール2の一例として10mm径の石英製のボール2を使用する。また、容器3の材質は内面が後述する酸化性液体4に耐性を有するものであればよく、容器3は内面を炭化珪素または窒化珪素で被覆されたステンレス容器に限定されない。
つぎに、ボール2と珪素塊1とが充填された容器3内に、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体4を投入する。ここで、酸化性液体4は、珪素を酸化し得る酸化種(酸素)を生成し、珪素表面に酸化珪素膜を形成し得る液体であり、例えば硫酸、過酸化水素、硝酸、オゾンのうちいずれか一つ以上を含む液体を用いることができる。酸化性液体4の液量は、該酸化性液体4に対する珪素塊1の重量比率が最大20重量%となるように調整し、酸化性液体4、珪素塊1およびボール2を含む全体の充填量を容器3の容積の約半分程度とする。
つぎに、酸化性液体4、ボール2および珪素塊1を容器3に充填した状態で容器3を回転、揺動させると、ボール2と珪素塊1とがぶつかり合って珪素塊1が破砕されていく。このとき、珪素塊1は酸化性液体4中に浸漬されているため、該酸化性液体4により酸化され、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜層が形成されながら粉砕されていく。珪素塊1が破砕される際に発熱が生じるため、珪素材料の破砕状態安定化の為に容器3を冷却することが好ましい。
そして、例えば約10時間の回転による破砕処理を行った後、珪素微粒子の混じった酸化性液体4を回収する。粉砕処理を実施する時間は、最終の微粒子径に応じて適宜調整する。回収された酸化性液体4は、遠心分離またはメッシュフィルタを用いて、珪素微粒子とボール2とを分離する。その後、分離後の珪素微粒子を含む酸化性液体4を、純水により数ppmレベルまで希釈する。
なお、ボール2による破砕工程は1回ではなく、複数回、実施してもよい。例えば、1回目の粉砕においては大きさ(径)が数cmのボール2により珪素塊1の粉砕を行って数cmから数mmの大きさの珪素塊を数百μmの大きさまで粉砕した後に、大きさ(径)が1mm以下の細かいボール2(ビーズ)を用いて1μmを下回る径まで粉砕するなど、複数の粉砕工程を実施してもよい。
また、容器3を回転させる代わりに、図2に示すように回転軸5に同心円状に配置された羽根6を容器3内に配置し、該羽根6を回転させることでボール2および珪素塊1に運動エネルギーを与えて珪素塊1同士やボール2と珪素塊1とを衝突させて珪素を微粒化することもできる。図2は、実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法を実施するための他の粉砕装置を模式的に示した断面図である。この場合は、羽根6の材質は酸化性液体4に対して耐食性を有するばかりでなく、延性を有する材料を用いることが羽根6の破損を防ぐことに対して有利である。例えば、ニッケル(Ni:62重量%)−クロム(Cr:19重量%)−モリブデン(Mo:19重量%)合金は、酸化性液体4に対する耐食性に優れ、靭性を有する材料であるので、羽根6の材料として用いるのに好適である。
次に、珪素微粒子の洗浄工程(工程2)を実施する。この珪素微粒子の洗浄工程は、粉砕した珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜層の除去を目的とするものである。上記の珪素塊の粉砕工程においては、珪素微粒子の表面に酸化珪素膜が形成されながら珪素塊が粉砕されるので、得られた珪素微粒子の表面には珪素酸化膜が形成されている。また、例えば得られた珪素微粒子同士を結合させて任意形状の新たな珪素塊を作製する場合は、電気導通が必要になる場合がある。この場合は、洗浄処理により珪素微粒子の表面の酸化珪素膜を除去することが有用である。
そこで、珪素微粒子を含む希釈された酸化性液体4に対して例えばフッ化水素酸を添加する。添加するフッ化水素酸の量は、珪素微粒子を含む液体の重量に対して約0.2重量%〜2重量%程度とする。フッ化水素酸を添加することにより、フッ化水素酸が珪素微粒子の表面に形成されている酸化珪素膜層を除去する。また、この洗浄により、酸化珪素膜に付着している不純物も除去することができる。
また、フッ化水素酸が珪素微粒子の表面に形成されている酸化珪素膜層を除去することにより珪素表面が露出した状態では、容易に不純物が珪素微粒子の内部に拡散する。このため、添加するフッ化水素酸は、極力不純物を含まないことが好ましい。
また、珪素微粒子をフッ化水素酸に曝す時間は、1時間程度が好ましい。珪素微粒子をフッ化水素酸に曝す時間が短すぎると、珪素微粒子の表面に形成されている酸化珪素膜層の除去が不十分になる虞がある。一方、珪素微粒子をフッ化水素酸に浸漬する時間を長くする程、フッ化水素酸に溶出した不純物金属が珪素微粒子内に拡散する。すなわち、フッ化水素酸を含む薬液へ酸素微粒子を長時間浸漬すると、珪素微粒子の表面の珪素酸化膜層から溶出した不純物が再度珪素に混入し得る状況となる。このため、洗浄処理時間、すなわちフッ化水素酸を含む薬液へ珪素微粒子を曝す時間は、1時間程度が適当である。例えば上記のようにして粉砕された珪素微粒子を2.5重量%のフッ化水素酸からなる水溶液を用いて1時間洗浄処理することで、珪素微粒子の表面の酸化珪素膜および酸化珪素膜に付着している不純物を除去することができる。
また、石英はフッ化水素酸に溶解する。したがって、珪素塊の粉砕工程(工程1)において石英製のボール2を用いて珪素塊1の粉砕を行い、フッ化水素酸を用いて珪素微粒子の洗浄工程(工程2)を実施することにより、珪素微粒子の表面や酸化珪素膜に付着または拡散した石英が溶解するので高純度な珪素粒子を得ることができる。
その後、さらに純水を添加してフッ化水素酸をppmレベルまで希釈し、遠心分離により珪素微粒子を濃縮する。最後に、珪素微粒子に付着している液体を除去する。珪素微粒子に付着している液体の除去には、窒素やアルゴン中での乾燥や、凍結乾燥による水分除去が適している。以上の洗浄処理を実施することにより、珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜層を除去し、珪素表面が露出して電流の流れやすさが改善された高純度の珪素微粒子を得ることができる。
なお、上記においてはフッ化水素酸を含む液体中に珪素微粒子を浸漬させることにより、珪素微粒子の表面に形成されている酸化珪素膜層を除去する場合について説明したが、酸化珪素膜層の除去方法はこれに限定されない。例えば他の方法として、珪素微粒子を含む酸化性液体4を除去した後に、フッ化水素酸蒸気に珪素微粒子を暴露することで酸化珪素層を除去することも可能である。
上述した珪素塊の粉砕工程(工程1)においては、珪素塊をボール2により酸化性液体4中で破砕するが、用いる酸化性液体4の種類と、得られる珪素微粒子における不純物量と、の相関について調べた。酸化性液体4の詳細は以下の通りである。なお、酸化性液体4は全て粉砕開始時において室温である。
(酸化性液体A):塩酸(濃度5重量%)
(酸化性液体B):硝酸(濃度50重量%)
(酸化性液体C):塩酸+過酸化水素水(塩酸:濃度5重量%、過酸化水素水:濃度5重量%)
(酸化性液体D):硫酸(濃度90重量%)
(酸化性液体E):オゾン水(濃度100ppm)
(酸化性液体F):フッ化水素酸(濃度5重量%)
(酸化性液体B):硝酸(濃度50重量%)
(酸化性液体C):塩酸+過酸化水素水(塩酸:濃度5重量%、過酸化水素水:濃度5重量%)
(酸化性液体D):硫酸(濃度90重量%)
(酸化性液体E):オゾン水(濃度100ppm)
(酸化性液体F):フッ化水素酸(濃度5重量%)
酸化性液体A〜酸化性液体Fを用いて珪素塊1を粉砕した場合の、珪素微粒子内の不純物量を調べた。ここでは分析を容易にするために、それぞれの酸化性液体4に約1000ppmの鉄(Fe)を混入させた。破砕後に珪素微粒子を回収し、フッ化水素酸で洗浄した後に、珪素微粒子をフッ化水素酸と硝酸との混合液に溶解させて、混合液の不純物量を誘導結合高周波プラズマ質量分析法(ICP−MS)により分析することで、珪素微粒子内の鉄(Fe)不純物量を評価した。珪素微粒子内の鉄(Fe)不純物量の評価結果を図3に示す。図3は、珪素微粒子内の鉄(Fe)不純物量の評価結果示す図である。
図3から分かるように、硝酸(酸化性液体B)、塩酸+過酸化水素水(酸化性液体C)、硫酸(酸化性液体D)およびオゾン水(酸化性液体E)を用いた場合については、珪素微粒子内部の鉄(Fe)不純物量は検出下限(0.1ppm)以下であり、珪素微粒子の表面に安定して酸化珪素膜が形成されているといえる。一方、塩酸(酸化性液体A)においては、3〜10ppmレベルの鉄(Fe)不純物が、フッ化水素酸(酸化性液体F)においては10〜50ppmの鉄(Fe)不純物が検出された。
酸化性液体B、酸化性液体C、酸化性液体D、酸化性液体Eに共通している点は、O(酸素)を放出し、珪素を酸化させる作用を有する酸化性液体であることである。すなわち、本実施の形態での酸化性液体4は、珪素を酸化し得る酸化種(酸素)を生成し、珪素表面に酸化珪素膜を形成し得る液体であればよく、上記の硝酸(酸化性液体B)、塩酸+過酸化水素水(酸化性液体C)、硫酸(酸化性液体D)およびオゾン水(酸化性液体E)に限定されるものではない。
一方、希塩酸の化学式は「HCl」であり、酸素(O)を含まず、水溶液でも珪素に対する酸化作用は極めて小さい。フッ化水素酸も同様に酸素(O)を含まない酸であり、酸化珪素を溶解するので珪素を酸化させる作用を持たない。つまり、酸化性液体4として塩酸やフッ化水素酸のみを使用した場合は、珪素表面に酸化珪素膜を形成し得ない。
不純物金属に対する拡散長さに関して、酸化珪素は珪素に比べて10桁以上小さく、酸化珪素膜が不純物金属の珪素への侵入を防いでいると推定される。すなわち、酸素(O)を放出する酸化作用を有する酸化性液体4の中で珪素塊1を粉砕することで、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら珪素塊1を粉砕することができ、酸化性液体4内や雰囲気中に不純物が存在しても、珪素内への不純物侵入、拡散を極力低減することができる。なお、酸化性液体4として塩酸やフッ化水素酸のみを使用した場合では、上述したように珪素表面に酸化珪素膜を形成し得ないので、酸化性液体4中に不純物金属が混入した場合には、珪素微粒子内に不純物が容易に拡散する。
上述したように、実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法においては、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体4中において珪素塊1を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら珪素塊1を粉砕して珪素微粒子を作製する。これにより、粉砕時の珪素内への不純物の拡散を防止することができ、不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を生産性良く得ることができる。また、実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法で得られた珪素微粒子は高純度であるため再生資源としても十分に利用可能である。
また、実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法においては、上記のようにして粉砕した珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜をエッチング除去することにより、珪素表面が露出し、珪素微粒子同士が連結した際の電流の流れやすさが改善された高純度の珪素微粒子を得ることができる。
なお、珪素塊の粉砕工程(工程1)が終了した時点では珪素微粒子の表面には酸化珪素膜が形成されているので、周囲が汚染された環境であっても不純物が珪素内部に拡散し難い。このため、粉砕後に珪素微粒子を保管する場合などは、酸化珪素膜が形成された状態で保管することにより不純物汚染を防止することができる。例えば、珪素による電気電子デバイスを作製する場合には、デバイス製造の直前に珪素微粒子の洗浄工程(工程2)を実施することが好ましい。
実施の形態2.
実施の形態2では、本発明にかかる珪素微粒子の製造方法の他の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態にかかる珪素微粒子の製造方法は、実施の形態1の場合と同様の粉砕装置により実施できるため、図1を参照しながら実施の形態2にかかる珪素微粒子の製造方法を説明する。
実施の形態2では、本発明にかかる珪素微粒子の製造方法の他の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態にかかる珪素微粒子の製造方法は、実施の形態1の場合と同様の粉砕装置により実施できるため、図1を参照しながら実施の形態2にかかる珪素微粒子の製造方法を説明する。
まず、珪素塊の粉砕工程(工程1)を行う。大きさ(径)1mm〜10mm程度、純度が半導体級(純度イレブンナイン)の珪素塊1を粉砕用のボール2とともに、内面を炭化珪素または窒化珪素で被覆されたステンレス製の容器3に充填する。容器内におけるボール2および珪素塊1の充填率は10%〜20%が適当である。ボール2および珪素塊1の充填率をこのような範囲とすることにより、効率良く且つ確実に珪素塊1を粉砕することができる。
ボール2の径は単一の径でもよく、また複数の径を共存させてもよい。ボール2の材質は、後述する酸化性液体4に耐性を有するものであればよく、例えば石英や窒化珪素、炭化珪素などを用いる。本実施の形態では、ボール2の一例として10mm径の石英製のボール2を使用する。
つぎに、ボール2と珪素塊1とが充填された容器3内に、硝酸を約60〜70重量%含む酸化性液体4を投入する。酸化性液体4の液量は、該酸化性液体4に対する珪素塊1の重量比率が最大20重量%となるように調整し、酸化性液体4、珪素塊1およびボール2を含む全体の充填量を容器3の容積の約半分程度とする。
つぎに、酸化性液体4、ボール2および珪素塊1を容器3に充填した状態で容器3を回転、揺動させると、ボール2と珪素塊1とがぶつかり合って珪素塊1が破砕されていく。このとき、珪素塊1は酸化性液体4中に浸漬されているため、該酸化性液体4により酸化され、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜層が形成されながら粉砕されていく。
ここで、酸化性液体4である硝酸は、120℃付近の温度において珪素酸化作用が増大し、酸化珪素膜を約10nmの厚みで形成することができ、珪素微粒子への不純物拡散を防止する上で十分な酸化珪素膜厚を得ることができる。このため、珪素塊1が破砕される際に発熱が生じるが、酸化性液体4である硝酸の温度を約120℃程度に保つように、加熱機構および冷却機構を容器3に設けることが適当である。
そして、例えば約10時間の回転による破砕処理を行った後、珪素微粒子の混じった酸化性液体4を回収する。粉砕処理を実施する時間は、最終の微粒子径に応じて適宜調整する。回収された酸化性液体4は、遠心分離またはメッシュフィルタを用いて、珪素微粒子とボール2とを分離する。その後、分離後の珪素微粒子を含む酸化性液体4を、純水により数ppmレベルまで希釈する。
なお、ボール2による破砕工程は1回ではなく、複数回、実施してもよい。例えば、1回目の粉砕においては大きさ(径)が数cmのボール2により珪素塊1の粉砕を行って数cmから数mmの大きさの珪素塊を数百μmの大きさまで粉砕した後に、大きさ(径)が1mm以下の細かいボール2(ビーズ)を用いて1μmを下回る径まで粉砕するなど、複数の粉砕工程を実施してもよい。
また、容器3を回転させる代わりに、図2に示すように回転軸5に同心円状に配置された羽根6を容器3内に配置し、該羽根6を回転させることでボール2および珪素塊1に運動エネルギーを与えて珪素塊1同士やボール2と珪素塊1とを衝突させて珪素を微粒化することもできる。図2は、実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法を実施するための他の粉砕装置を模式的に示した断面図である。この場合は、羽根6の材質は酸化性液体4に対して耐食性を有するばかりでなく、延性を有する材料を用いることが羽根6の破損を防ぐことに対して有利である。例えば、ニッケル(Ni:62重量%)−クロム(Cr:19重量%)−モリブデン(Mo:19重量%)合金は、酸化性液体4に対する耐食性に優れ、靭性を有する材料であるので、羽根6の材料として用いるのに好適である。
次に、珪素微粒子の洗浄工程(工程2)を実施する。この珪素微粒子の洗浄工程は、粉砕した珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜層の除去を目的とするものである。上記の珪素塊の粉砕工程においては、珪素微粒子の表面に酸化珪素膜が形成されながら珪素塊が粉砕されるので、得られた珪素微粒子の表面には珪素酸化膜が形成されている。
そこで、珪素微粒子を含む希釈された酸化性液体4を純水で希釈することで、酸化性液体4の硝酸濃度を約30重量%となるように調整する。さらに、希釈した酸化性液体4にフッ化水素酸を添加する。添加するフッ化水素酸の量は、希釈した酸化性液体4の重量に対して約0.5〜1.0重量%程度とする。これにより、珪素微粒子の洗浄用の薬液としてフッ化水素酸と硝酸との混合酸が形成される。
この混合酸は、酸化珪素のみではなく珪素を溶解する作用を有する。すなわち、この混合酸は、フッ化水素酸が珪素微粒子の表面に形成されている酸化珪素膜層だけではなく、露出した珪素微粒子の珪素表面を溶解することができる。この混合酸により酸化珪素膜層を除去し、露出した珪素微粒子の珪素表面をエッチングすることで、珪素微粒子の表面の加工ダメージ層を除去することができ、結晶欠陥の少ない珪素微粒子を得ることが可能になる。また、この洗浄により、酸化珪素膜に付着している不純物も除去することができる。
フッ化水素酸が珪素微粒子の表面に形成されている酸化珪素膜層を除去することにより珪素表面が露出した状態では、容易に不純物が珪素微粒子の内部に拡散する。このため、添加するフッ化水素酸は、極力不純物を含まないことが好ましい。
珪素微粒子をフッ化水素酸と硝酸との混合酸に曝す時間は、30分程度が好ましい。珪素微粒子をフッ化水素酸と硝酸との混合酸に曝す時間が短すぎると、珪素微粒子の表面に形成されている酸化珪素膜層の除去および珪素微粒子の表面の加工ダメージ層の除去が不十分になる虞がある。
一方、珪素微粒子をフッ化水素酸と硝酸との混合酸に浸漬する時間を長くする程、フッ化水素酸と硝酸との混合酸に溶出した不純物金属が珪素微粒子内に拡散する。すなわち、フッ化水素酸を含む薬液へ酸素微粒子を長時間浸漬すると、珪素微粒子の表面の珪素酸化膜層から溶出した不純物が再度珪素に混入し得る状況となる。また、珪素微粒子をフッ化水素酸と硝酸との混合酸に浸漬する時間を長くする程、珪素が過剰にエッチングされて、回収できる珪素の量が減少する。このため、洗浄処理時間、すなわちフッ化水素酸と硝酸との混合酸へ珪素微粒子を曝す時間は、30分程度が適当である。例えば粉砕された珪素微粒子を上記のようなフッ化水素酸と硝酸との混合酸を用いて30分間洗浄処理することで、珪素微粒子の表面の酸化珪素膜および酸化珪素膜に付着している不純物を除去するとともに、珪素微粒子の結晶欠陥密度を1×1017cm−3以下にすることができる。
また、石英はフッ化水素酸に溶解する。したがって、珪素塊の粉砕工程(工程1)において石英製のボール2を用いて珪素塊1の粉砕を行い、フッ化水素酸を用いて珪素微粒子の洗浄工程(工程2)を実施することにより、珪素微粒子の表面や酸化珪素膜に付着または拡散した石英が溶解するので高純度な珪素粒子を得ることができる。
フッ化水素酸と硝酸との混合酸によるエッチング処理後、さらに純水を添加して混合酸をppmレベルまで希釈し、遠心分離により珪素微粒子を濃縮する。最後に、窒素やアルゴン中での乾燥などにより、珪素微粒子に付着している液体を除去する。以上の洗浄処理を実施することにより、珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜層を除去するとともに珪素微粒子の表面の加工ダメージ層の除去し、珪素表面が露出した高純度の珪素微粒子を得ることができる。
上述したように、実施の形態2にかかる珪素微粒子の製造方法においては、酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体4中において珪素塊1を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら珪素塊1を粉砕して珪素微粒子を作製する。これにより、粉砕時の珪素内への不純物の拡散を防止することができ、不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を生産性良く得ることができる。また、実施の形態1にかかる珪素微粒子の製造方法で得られた珪素微粒子は高純度であるため再生資源としても十分に利用可能である。
また、実施の形態2にかかる珪素微粒子の製造方法においては、上記のようにして粉砕した珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜をエッチング除去することにより、珪素表面が露出し、珪素微粒子同士が連結した際の電流の流れやすさが改善された高純度の珪素微粒子を得ることができる。
また、実施の形態2にかかる珪素微粒子の製造方法においては、粉砕した珪素微粒子をフッ化水素酸と硝酸との混合酸によりエッチングすることにより、珪素微粒子の表面の酸化珪素膜および酸化珪素膜に付着している不純物を除去するとともに、珪素微粒子の表面の加工ダメージ層の除去し、結晶欠陥密度の低い高品質の珪素微粒子を得ることができる。
実施の形態3.
実施の形態3では、上述した実施の形態1または実施の形態2で得られた珪素微粒子を用いて、多結晶珪素薄膜を形成する方法について説明する。本実施の形態における多結晶珪素薄膜の形成方法では、まず実施の形態1または実施の形態2で得られた珪素微粒子を、水やエタノールなどの溶媒に分散させて分散液を作製し、この分散液を石英基板上に塗布する。
実施の形態3では、上述した実施の形態1または実施の形態2で得られた珪素微粒子を用いて、多結晶珪素薄膜を形成する方法について説明する。本実施の形態における多結晶珪素薄膜の形成方法では、まず実施の形態1または実施の形態2で得られた珪素微粒子を、水やエタノールなどの溶媒に分散させて分散液を作製し、この分散液を石英基板上に塗布する。
つぎに、溶媒を乾燥させて石英基板上に珪素微粒子を固定した後に、この石英基板上にアモルファス珪素膜を形成し、石英基板上の珪素微粒子間をアモルファス珪素膜により連結する。アモルファス珪素膜を形成する手段としては、公知技術であるプラズマ支援化学気相法が適している。図4はプラズマ支援化学気相法により珪素薄膜を形成する装置の構成を示す模式図である。
例えば反応ガスとしてモノシラン(SiH4)と水素(H)とからなる混合ガスを用いて、図4に示す平行平板電極を有する真空容器7内で反応ガスをプラズマ化することにより、珪素微粒子が固定されて約200℃に加熱された接地電極8に設置された石英基板9上にアモルファス珪素膜が堆積する。プラズマ化には、例えば周波数13.56MHzの高周波電源10を用いて、整合回路11を介して、混合ガス12が噴出される高周波電極13に電力を印加する。印加する電力は0.1W/cm2程度とし、真空排気装置14および圧力調整弁15により真空容器7内は20〜200mTorr程度のガス圧になるように調整される。
このようにして得られた多結晶珪素薄膜は、図5に示すようにアモルファス珪素膜16中に珪素微粒子17が混在した膜となり、電気特性としては、アモルファス珪素と結晶珪素との間の特性を有する。図5は、実施の形態3にかかる多結晶珪素薄膜の構造を模式的に示す断面図である。珪素微粒子17の径や密度を調整することで多結晶珪素薄膜の電気特性を変えることができ、プラズマ支援化学気相法による成膜時の成膜条件を変えることなく所望の多結晶珪素薄膜を得ることが可能になる。
また、実施の形態1および実施の形態2にかかる珪素微粒子の製造方法では珪素微粒子中の不純物や結晶欠陥を低減できるので、本実施の形態で得られる多結晶珪素薄膜も不純物や結晶欠陥の少ない珪素薄膜となり、例えば太陽電池や薄膜トランジスタなどのデバイスに用いられる珪素膜に適用することができる。
以上のように、本発明にかかる珪素微粒子の製造方法は、高純度の珪素微粒子の製造に有用である。
1 珪素塊
2 ボール
3 容器
4 酸化性液体
5 回転軸
6 羽根
7 真空容器
8 接地電極
9 石英基板
10 高周波電源
11 整合回路
12 混合ガス
13 高周波電極
14 真空排気装置
15 圧力調整弁
16 アモルファス珪素膜
17 珪素微粒子
2 ボール
3 容器
4 酸化性液体
5 回転軸
6 羽根
7 真空容器
8 接地電極
9 石英基板
10 高周波電源
11 整合回路
12 混合ガス
13 高周波電極
14 真空排気装置
15 圧力調整弁
16 アモルファス珪素膜
17 珪素微粒子
Claims (6)
- 珪素塊を粉砕して珪素微粒子を得る珪素微粒子の製造方法であって、
酸素を放出して珪素に対する酸化作用を有する酸化性液体中において前記珪素塊を粉砕することにより、粉砕された珪素微粒子の表面に酸化珪素膜を形成しながら前記珪素塊を粉砕して前記珪素微粒子を作製すること、
を特徴とする珪素微粒子の製造方法。 - 前記酸化性液体は、硫酸、過酸化水素、硝酸、オゾンのうちいずれか一つ以上を含む液体であること、
を特徴とする請求項1に記載の珪素微粒子の製造方法。 - 前記珪素塊を粉砕した後に、前記珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜を除去すること、
を特徴とする請求項1に記載の珪素微粒子の製造方法。 - 前記珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜を、フッ化水素酸を含む溶液を用いて除去すること、
を特徴とする請求項3に記載の珪素微粒子の製造方法。 - 前記珪素塊を粉砕した後に、前記珪素微粒子の表面に形成された酸化珪素膜および前記珪素微粒子の表面層をフッ化水素酸と硝酸との混合酸を用いて除去すること、
を特徴とする請求項1に記載の珪素微粒子の製造方法。 - 石英からなる粉砕ボールと前記珪素塊とを前記酸化性液体中に浸漬させた状態で前記粉砕ボールを前記珪素塊に衝突させることにより前記珪素塊を粉砕すること、
を特徴とする請求項1に記載の珪素微粒子の製造方法。
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-
2009
- 2009-05-18 JP JP2009120307A patent/JP2010265158A/ja active Pending
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