JP2010258157A - Solid-state imaging device and method of manufacturing the same - Google Patents

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JP2009105408A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Hirofuji
Mitsuo Yasuhira
光雄 安平
裕一 広藤
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Panasonic Corp
パナソニック株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the occurrence of color mixing in a back-side illumination type solid-state imaging device. <P>SOLUTION: A solid-state imaging device includes: a plurality of photoelectric conversion units 3 formed in a first surface of a semiconductor substrate; a plurality of read-out circuits formed in a second surface opposite from the first one of the semiconductor substrate in such a manner as to correspond to the photoelectric conversion units 3, respectively; a multilayer interconnection 7 formed on the second surface of the semiconductor substrate to output electric signals of the plurality of photoelectric conversion units to the outside by using the plurality of read-out circuits; and a light shield 8 that is formed in the semiconductor substrate and surrounds at least part of the periphery of each photoelectric conversion unit. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板の裏面に光電変換部の受光面を配置した裏面照射型の固体撮像装置に関し、特にMOS(Metal Oxide Semiconductor)プロセスを用いて製造するMOS型イメージセンサに有効な固体撮像装置に関する。 The present invention relates to a back-illuminated solid-state imaging device arranged light receiving surface of the photoelectric conversion portion on the back surface of the substrate, more particularly, MOS (Metal Oxide Semiconductor) effective solid-state imaging device in the MOS image sensor manufactured using a process .

CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサやMOS型イメージセンサ等の固体撮像装置では、さらなる画素数増大の要求に応えるため、画素面積が縮小していく傾向にある。 A CCD (Charge Coupled Device) image sensor or a MOS type image sensor solid-state imaging device or the like, to meet the requirements of further pixel number increases, there is a tendency to continue to shrink the pixel area. それに伴い、基板の表面側から光が入射される表面照射型の固体撮像装置では、基板表面側に形成された電極や配線によって光が遮られることとなり、基板内部の光電変換部(以下、「フォトダイオード」ということもある)に十分に集光させることが困難となりつつある。 Along with this, the surface-illuminated solid-state imaging device in which light is incident from the surface side of the substrate, becomes the light is blocked by the electrodes and wiring formed on the substrate surface side, the photoelectric conversion portion in the substrate (hereinafter, " It is becoming difficult to sufficiently focused on also) that photodiode ". これを解決するため、基板の裏面側から光が入射される裏面照射型の固体撮像装置が提案されている(例えば非特許文献1、特許文献1参照)。 To solve this, the back-illuminated solid-state imaging device in which light is incident from the back side of the substrate has been proposed (for example, Non-Patent Document 1, Patent Document 1).

図12は、従来の裏面照射型の固体撮像装置(CMOSイメージセンサ)の一般的な構造例を示す断面図である。 Figure 12 is a sectional view showing a general structure of a conventional back-illuminated solid-state imaging device (CMOS image sensor). 半導体基板121内に素子分離領域122およびフォトダイオード123が形成されている。 Isolation region 122 and a photodiode 123 is formed in the semiconductor substrate 121. 半導体基板121の第2の面(表面)116側に、フォトダイオード123から電気信号を読み出す複数のMOSトランジスタ(転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、アドレストランジスタ等)が形成されている。 The second surface (surface) 116 side of the semiconductor substrate 121, a plurality of MOS transistors reading the electric signal (the transfer transistor, a reset transistor, an amplification transistor, address transistor, etc.) is formed from the photodiode 123. これらのMOSトランジスタは、ソース・ドレイン領域124およびゲート電極125,126等により構成されている。 These MOS transistors, a source and drain regions 124 and gate electrode 125 and the like. 複数のMOSトランジスタの上には、配線層131が形成されている。 On the plurality of MOS transistors, the wiring layer 131 is formed. また、半導体基板121の第1の面(裏面)117上には、保護用絶縁膜135、カラーフィルタ136、マイクロレンズ137が形成されている。 Also, on the first surface (back surface) 117 of the semiconductor substrate 121, the protective insulating film 135, a color filter 136, a microlens 137 is formed. また、裏面照射型の固体撮像装置は薄膜化された半導体基板121と配線層131とだけでは強度が不十分なため、支持基板133に固着されている。 Further, the back-illuminated solid-state imaging device for intensity only the semiconductor substrate 121 which is thinned and the wiring layer 131 is insufficient, and is fixed to the support substrate 133.

裏面照射型の固体撮像装置では、光が入射される第1の面(裏面)117側にMOSトランジスタの電極や配線層が形成されていないので、画素の開口率を大きくすることができる。 In the back-illuminated solid-state imaging device, since the electrode and the wiring layer of the MOS transistor to the first surface (back surface) 117 side to which light is incident is not formed, it is possible to increase the aperture ratio of the pixel. また、フォトダイオード123からカラーフィルタ136までの厚み方向の距離が短く、これらの途中に入射光を遮る配線層もない為、高い集光率を得ることができる。 Furthermore, short distance in the thickness direction from the photodiode 123 to the color filter 136, because there is no wiring layer that blocks incident light in the middle of these, it is possible to obtain a high light-condensing rate. これらにより、表面照射型固体撮像装置に比較して、集光特性の良い、高い感度の固体撮像装置を得ることができる。 These, as compared to the front-illuminated solid-state imaging device, it is possible to obtain good focusing characteristics, the solid-state imaging device of high sensitivity.

特開2006−128392号公報 JP 2006-128392 JP

ところが、このような裏面照射型の固体撮像装置では、基板に対して斜めに入射された光が、一つの画素の光電変換部123内で完全には吸収されず、隣接画素の光電変換部123に漏れ出す場合がある。 However, in such a back-illuminated solid-state imaging device, light obliquely incident on the substrate is not completely absorbed by the photoelectric conversion section within 123 of one pixel, a photoelectric conversion portion of an adjacent pixel 123 there is a case in which leaks in. この場合、隣接画素では漏れ込んできた光により電荷が発生して、いわゆる混色という色解像度の低下をもたらすという課題がある。 In this case, electric charge by light that has leaks in adjacent pixels occurs, there is a problem that results in a reduction in color resolution of the so-called color mixing.
そこで、本発明は、裏面照射型の固体撮像装置において、混色の発生を抑制することができる技術を提供することを目的とする。 The present invention provides a back-illuminated solid-state imaging device, and an object thereof is to provide a technique capable of suppressing the occurrence of color mixing.

本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板内の第1の面側に形成された複数の光電変換部と、前記半導体基板の前記第1の面とは反対の第2の面側に、前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数の読み出し回路と、前記半導体基板の第2の面上に形成された、前記複数の読み出し回路を用いて前記複数の光電変換部の電気信号を外部に出力するための積層配線と、前記半導体基板内に形成された、各光電変換部の周囲の少なくとも一部を囲む遮光部とを備える。 The solid-state imaging device according to the present invention includes: a plurality of photoelectric conversion portion formed on the first surface side of the semiconductor substrate, the second surface opposite to the first surface of the semiconductor substrate, wherein a plurality of read circuits which are formed corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion portions, formed on said second surface of the semiconductor substrate, using the plurality of readout circuits of said plurality of photoelectric conversion unit electrically comprising a laminated wiring for outputting a signal to the outside, formed in said semiconductor substrate, and a light shielding portion surrounding at least part of the periphery of the photoelectric conversion unit.

上記構成によれば、光電変換部の受光面を半導体基板の第1の面(裏面)側に配置した裏面照射型の固体撮像装置において、各光電変換部の周囲の少なくとも一部を囲む遮光部を設けることによって、一つの画素の光電変換部に斜めに入射された光が隣接画素の光電変換部に漏れ出すことを抑制できるため、いわゆる混色という課題を解決することができる。 According to the above configuration, the light shielding portion in the back-illuminated solid-state imaging device disposed on the first surface (back surface) side of the semiconductor substrate a light-receiving surface of the photoelectric conversion part, surrounding at least part of the periphery of the photoelectric conversion units the by providing, for light incident obliquely on the photoelectric conversion unit of one pixel can be prevented from leaking to the photoelectric conversion portion of an adjacent pixel, it is possible to solve the problem of so-called color mixing. これは、本来、裏面照射型の固体撮像装置が有する、光線の入射角が大きくなっても、表面照射型の固体撮像装置に比較して感度低下が小さいという利点を最大限に引き出すことができるという点で、大きな効果をもたらすものである。 This is inherently possessed by the back-illuminated solid-state imaging device, even if the angle of incidence of the ray is large, the advantage of reduced sensitivity compared to the surface illuminated solid-state imaging device is small can be maximized in terms of, it is one that results in a large effect.

本発明の第1実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の平面図である。 It is a plan view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の断面図であり、図1の平面図のA−A'断面を示している。 Is a cross-sectional view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a first embodiment of the present invention, shows the A-A 'cross section in plan view of FIG. 遮光部の構造を例示する断面図である。 It is a cross-sectional view illustrating the structure of the light-shielding portion. 本発明の第1実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a method of manufacturing a back-illuminated solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a method of manufacturing a back-illuminated solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a method of manufacturing a back-illuminated solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の断面図である。 It is a cross-sectional view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a method of manufacturing a back-illuminated solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第3実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の断面図である。 It is a cross-sectional view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第3実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a method of manufacturing a back-illuminated solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第3実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining a method of manufacturing a back-illuminated solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention. 従来の裏面照射型の固体撮像装置の一般的な構造例を示す断面図である。 It is a sectional view showing a general structure of a conventional back-illuminated solid-state imaging device.

本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。 The embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[第1実施形態] First Embodiment
(構成の説明) (Description of Configuration)
本発明の第1実施形態に係る裏面照射型の固体撮像装置の構成について、図1乃至図3を用いて説明する。 The configuration of the back-illuminated solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は、本発明の第1実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の平面図であり、半導体基板の第2の面(表面)側から観察したものである。 Figure 1 is a plan view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a first embodiment of the present invention is obtained by observation from the second surface (surface) side of the semiconductor substrate. 50は単位画素の領域を示す。 50 shows a region of a unit pixel. 半導体基板内には、フォトダイオード3、FD(フローティングデフュージョン)4および遮光部8が形成されている。 The semiconductor substrate, the photodiode 3, FD (floating diffusion) 4 and the light shielding portion 8 is formed. とくにフォトダイオード3のうち、半導体基板の第2の面側の領域を3aで示す。 Especially among the photodiode 3, it shows a region of the second surface of the semiconductor substrate in 3a. 遮光部8は、フォトダイオード3の周囲を囲むように形成されている。 Shielding portion 8 is formed so as to surround the photodiode 3. 半導体基板の第2の面には、ゲート絶縁膜を介して転送トランジスタゲート電極5、リセットトランジスタゲート電極41、増幅トランジスタゲート電極42、アドレストランジスタゲート電極43が形成されている。 The second surface of the semiconductor substrate, the transfer transistor gate electrode 5 through the gate insulating film, the reset transistor gate electrode 41, the amplification transistor gate electrode 42, the address transistor gate electrode 43 is formed. ゲート電極および半導体基板内部のソース・ドレイン領域によりMOSトランジスタが構成され、これらのMOSトランジスタにより読み出し回路が構成される。 MOS transistor is constituted by the source and drain regions of the inner gate electrode and the semiconductor substrate, a read circuit is constituted by the MOS transistors. 半導体基板の第2の面の上には、読み出し回路を用いてフォトダイオード3の電気信号を外部に出力するための積層配線が形成されており、積層配線に含まれる各配線とゲート電極または半導体基板の所定箇所とがコンタクト6a,6b,6c,6d,6f,6e,6gにより電気的に接続されている。 On the second surface of the semiconductor substrate, a laminated wiring for outputting an electric signal from the photodiode 3 to the outside using the read circuitry has been formed, the wiring and the gate electrode or a semiconductor included in the multilayer wiring predetermined portion and the contact 6a of substrate, 6b, 6c, 6d, 6f, 6e, are electrically connected by 6 g.

図2は、本発明の第1実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の断面図であり、図1の平面図のA−A'断面を示している。 Figure 2 is a cross-sectional view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a first embodiment of the present invention, shows the A-A 'cross section in plan view of FIG. ここで、20は、半導体基板(シリコン基板)領域、30は配線領域、40はオンチップフィルタ領域である。 Here, 20 is a semiconductor substrate (silicon substrate) areas, 30 wiring region, 40 is an on-chip filter region. p型の半導体基板1の第2の面20b(表面)側には、読み出し回路を囲む素子分離領域2が形成されている。 The second surface 20b (surface) side of the p-type semiconductor substrate 1, an element isolation region 2 surrounding the readout circuit is formed. 半導体基板1の第1の面20a(裏面)には、フォトダイオード3が形成されている。 The first surface 20a of the semiconductor substrate 1 (the back side) of the photodiode 3 is formed. 半導体基板1の第2の面20b(表面)上には、層間絶縁膜36を介して積層配線7が形成されている。 On the second surface 20b of the semiconductor substrate 1 (surface) is laminated wiring 7 is formed through the interlayer insulating film 36. 層間絶縁膜36上には、支持基板60が固着されている。 On the interlayer insulating film 36, the supporting substrate 60 is fixed.

半導体基板1の第2の面20a(裏面)上には、各フォトダイオード3に対応して複数のカラーフィルタ9が形成され、複数のカラーフィルタの上には透明膜(図示せず)が形成され、透明膜上には各フォトダイオード3に対応してマイクロレンズ10が形成されている。 On the second surface 20a of the semiconductor substrate 1 (the back surface), corresponding to the photodiodes 3 a plurality of color filters 9 are formed, a transparent film (not shown) over the plurality of color filters formed It is, in the transparent film microlenses 10 corresponding to the respective photodiodes 3 are formed.
遮光部8は、半導体基板1の厚み方向に、第1の面20aから素子分離領域2に接触するまで延在している。 Shielding portion 8, the thickness direction of the semiconductor substrate 1, extending from the first surface 20a until it contacts the element isolation region 2. この例では、遮光部8の断面形状は第1の面20aから遠ざかっても幅が一定の矩形であるが、第1の面20aから遠ざかるほど幅が狭くなるようなテーパー形状としてもよい。 In this example, the sectional shape of the light shielding portion 8 is width away from the first surface 20a is constant rectangular, it may be tapered such that the width farther from the first surface 20a is narrowed. このような構成により、遮光部8は、フォトダイオード3の周囲を囲む壁状の構造体であるといえる。 With such a configuration, the light shielding portion 8 can be said to be wall-like structure surrounding the photodiode 3. また、遮光部8は、隣接画素の境界領域に存在して各画素を区画する平面視格子状の構造体であるともいえる。 The light-shielding portion 8 can be regarded as a plan view lattice-like structure which partitions the pixels present in the boundary region between the adjacent pixels.

図3は、遮光部の構造を例示する断面図であり、図2のB領域を示している。 Figure 3 is a cross-sectional view illustrating the structure of the light-shielding portion shows a region B of FIG. 遮光部8は、一つの画素のフォトダイオードに入射された光が隣接画素のフォトダイオードに漏れ出すのを抑制する機能と共に、隣接画素間のフォトダイオードを電気的に分離する機能を果たすものである。 Shielding portion 8 is one in which one pixel light incident on the photodiode of with function of preventing leaking into the photodiode of an adjacent pixel, serve to electrically isolate the photodiode between adjacent pixels .
図3(a)の例では、遮光部8は単一材料から構成されている。 In the example of FIG. 3 (a), the light shielding portion 8 is composed of a single material. この場合、両者の機能を果たすために、遮光部8は、遮光性のある樹脂(黒フィルタ材料)から成る。 In this case, in order to fulfill both functions, the light-shielding portion 8 is made of light-blocking of certain resins (black filter material). 遮光性のある樹脂とは、例えば、黒色の色材を分散した樹脂であり、黒色の色材としては、カーボンブラック等が挙げられる。 The a light-shielding resin, for example, a resin obtained by dispersing black colorant, the black colorant, carbon black and the like.

図3(b)の例では、遮光部8は、絶縁層8a、遮光層8bおよび充填層8cの3層構造からなる。 In the example of FIG. 3 (b), the light shielding portion 8, the insulating layer 8a, a three-layer structure of the light-shielding layer 8b and the filling layer 8c. 絶縁層8aの存在により、遮光層8bに導電性の材料を採用することができる。 The presence of the insulating layer 8a, it is possible to employ a conductive material in the light-shielding layer 8b. 導電性の材料としては、例えば、タングステンや窒化チタンが挙げられる。 As the conductive material, for example, tungsten or titanium nitride. 絶縁層8aには、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンを採用することができる。 The insulating layer 8a, for example, can be employed silicon oxide or silicon nitride. また、充填層8cには、導電性であるか絶縁性であるかを問わず採用でき、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、タングステン、窒化チタン等が挙げられる。 Further, the filling layer 8c may be employed irrespective of whether it is a one insulating conductive, for example, silicon oxide, silicon nitride, tungsten, titanium nitride and the like.

図3(c)の例では、遮光部8は、絶縁層8dおよび遮光層8eの2層構造からなる。 In the example of FIG. 3 (c), the light shielding portion 8, a two-layer structure of the insulating layer 8d and the light-shielding layer 8e. 図3(b)の充填層8cに遮光層8bと同じ材料を採用すると、図3(c)のような構造になる。 By employing the same material as the light-shielding layer 8b in the filling layer 8c in FIG. 3 (b), a structure as shown in FIG. 3 (c).
(効果) (effect)
本実施形態によれば、フォトダイオードの受光面を半導体基板の第1の面(裏面)に配置した裏面照射型の固体撮像装置において、各光電変換部の周囲を囲む遮光部を設けることによって、一つの画素のフォトダイオードに斜めに入射された光が隣接画素のフォトダイオードに漏れ出すことを抑制できるため、いわゆる混色という課題を解決することができる。 According to this embodiment, the back-illuminated solid-state imaging device disposed on the first surface of the semiconductor substrate (back surface) of the light receiving surface of the photodiode, by providing a light-shielding portion surrounding the respective photoelectric conversion portions, since the light that is obliquely incident on the photodiode of a pixel can be prevented from leaking into the photodiode of an adjacent pixel, it is possible to solve the problem of so-called color mixing.

なお、遮光部を構成する材料は、少しでも光の透過を抑制できる材料であればよく、また、遮光部はフォトダイオードの周囲の少なくとも一部を囲めばよい。 Incidentally, the material constituting the light shielding portion may be a material capable of suppressing the transmission of light even a little, also, the light shielding portion may be enclose at least a part of the periphery of the photodiode. これらにより、少なくとも遮光部を設けない場合よりも混色抑制の効果を得ることができる。 These makes it possible to obtain the effect of color mixing inhibition than the case without the least light shielding portion.
(製造方法の説明) (Description of the manufacturing method)
次に、図4,5,6を用いて、本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を簡単に説明する。 Next, with reference to FIG. 4, 5 and 6 will be briefly described a method of manufacturing a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.

はじめに、図4(a)を用いて、半導体基板領域20にトランジスタを形成するまでを説明する。 First, with reference 4 (a), illustrating a semiconductor substrate region 20 to form a transistor. 半導体基板1(ここで、半導体基板の不純物濃度は、例えば2×10 15 cm −3程度である)にドライエッチングで約0.3umの深さのシャロートレンチを形成し、シリコン酸化膜を埋め込んで、最小分離幅0.1um以細の素子分離領域2を形成する。 The semiconductor substrate 1 (here, the impurity concentration of the semiconductor substrate, for example 2 × 10 15 cm is about -3) in forming a shallow trench having a depth of about 0.3um at dry etching, embedding the silicon oxide film , an element isolation region 2 is formed of a minimum separation width 0.1um 以細. 次に、半導体基板1の第2の面(表面)側から500KeV以上の高加速エネルギーでのAs(ヒ素)やP(リン)のイオン注入により3um〜5umの深さのフォトダイオード3を形成する。 Then, a photodiode 3 depth 3um~5um of by ion implantation of As in the second surface (surface) than 500KeV from side of the high acceleration energy of the semiconductor substrate 1 (arsenic) or P (phosphorus) . ここで、フォトダイオード3のn型不純物濃度は、例えば1×10 15 cm −3 〜 2×10 16 cm −3程度である。 Here, n-type impurity concentration of the photodiode 3 is, for example, 1 × 10 15 cm -3 ~ 2 × 10 approximately 16 cm -3. 次に、画素領域、及び周辺回路領域(図示せず)の各種トランジスタのソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極を通常のパターン形成、イオン注入やポリシリコンのドライエッチングで形成する。 Then, the source region of the various transistors of the pixel region and the peripheral circuit region (not shown), a drain region, and a conventional patterning a gate electrode is formed by dry etching of the ion implantation or polysilicon. 画素領域においては、図4(a)に示すように、フォトダイオード3からの信号電荷を一時的に蓄積するフローティングデフュージョン4をAsやPのイオン注入により形成し、その後、ポリシリコンを堆積し、リソグラフィーとドライエッチングで所望のパターンを形成し、フォトダイオード3からの信号電荷をフローティングデフュージョン4に転送する転送トランジスタゲート電極5を形成する(図4(a))。 In the pixel region, as shown in FIG. 4 (a), the floating diffusion 4 for temporarily storing the signal charges from the photodiode 3 is formed by ion implantation of As or P, then polysilicon is deposited to form a desired pattern in the lithography and dry etching to form a transfer transistor gate electrode 5 for transferring signal charges from the photodiode 3 to the floating diffusion 4 (Figure 4 (a)).

次に、図4(b)を用いて、配線領域30を形成するまでを説明する。 Next, with reference to FIG. 4 (b), described up to form a wiring region 30. 半導体基板領域20に形成されたトランジスタのソース、ドレイン領域やポリシリコンのゲート電極との電気的接続をとるために、層間絶縁膜にドライエッチングで開口し、その内部に金属のW(タングステン)を埋め込んでコンタクト6aを形成する。 The source of the transistor formed on the semiconductor substrate region 20, in order to make electrical connection between the gate electrode of the drain region and polysilicon, opened by dry etching the interlayer insulating film, the metal of W (tungsten) therein embedded to form a contact 6a. そして、層間絶縁膜を堆積し、その上にAl(アルミニウム)やCu(銅)からなる導電層を形成し、この導電層をリソグラフィーとドライエッチングで所望の配線パターンを形成することにより、層間絶縁膜上に配線を形成する。 By depositing an interlayer insulating film, a conductive layer made of Al (aluminum) or Cu (copper) thereon, to form the desired wiring pattern the conductive layer by lithography and dry etching, the interlayer insulating forming a wiring on the membrane. この工程を繰り返すことで複数の配線が積層された積層配線7が形成される。 The laminated wiring 7 in which a plurality of wires are stacked by step repeated is formed. 画素領域においては、フローティングデフュージョン4と積層配線7に含まれる配線とがコンタクト6aで電気的に接続されている(図4(b))。 In the pixel region, wiring and included in the floating diffusion 4 and laminated wiring 7 are electrically connected to each other by a contact 6a (Figure 4 (b)).

次に、図5(a)を用いて、配線領域30上に支持基板60を形成した後にウェーハを裏返しして半導体基板1をフォトダイオード3の深さ近くまで削る(薄膜化する)までを説明する。 Next, with reference to FIG. 5 (a), and turned over wafer after forming the supporting substrate 60 in the wiring region 30 on grinding the semiconductor substrate 1 to a depth close to the photodiode 3 to (thinning) Description to. 配線領域30上の表面に数10nm〜数100nmのシリコン酸化膜を形成した厚さ300um〜500umのシリコンウェーハからなる支持基板60を貼り付ける。 The supporting substrate 60 made of a silicon wafer having a thickness of 300um~500um forming a silicon oxide film having 10nm~ number 100nm on the surface of the wiring area 30 pasted. 貼り付けは200℃〜300℃の窒素雰囲気中で圧力を加えながら行い、配線領域30上のシリコン酸化膜と支持基板60上のシリコン酸化膜のファンデルワールス力の原理で接着する。 Paste performs while applying pressure in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. to 300 ° C., to adhere to the principle of the van der Waals forces of the silicon oxide film on the silicon oxide film and the supporting substrate 60 on the wiring area 30. 次に、支持基板60を貼り付けた状態でトランジスタや配線層が形成されているウェーハを裏返しして、半導体基板1を裏側からバックグラインドやCMP(Chemical Mechanical Polishing)で、フォトダイオード3の深さ近くまで研磨する(図5(a))。 Then turned over wafers transistors and wiring layers are formed in a state of pasting a supporting substrate 60, the back grinding and CMP the semiconductor substrate 1 from the back side (Chemical Mechanical Polishing), the photodiode 3 depth polished to near (Figure 5 (a)).

次に、図5(b)を用いて、遮光部8に相当する領域28に溝を形成するまでを説明する。 Next, with reference to FIG. 5 (b), description will be given on the forming grooves in the corresponding region 28 in the light-shielding portion 8. 半導体基板1の第1の面(裏面)にリソグラフィーでパターンを形成し、その後、第1の面からドライエッチングすることにより、フォトダイオード3の周囲を囲み、かつ、フォトダイオード3の深さ3um〜5umと同じ深さの溝18を形成する(図5(b))。 Pattern is formed by lithography on the first surface of the semiconductor substrate 1 (the back surface), then, by dry etching from the first surface, surrounds the photodiode 3, and the depth of the photodiode 3 3Um~ same depth to form the grooves 18 between 5um (Figure 5 (b)).

次に、図6(a)を用いて、領域28に形成された溝18に遮光性のある材料を埋め込むまでを説明する。 Next, with reference to FIG. 6 (a), described up to embed materials with light-shielding properties in a groove 18 formed in the region 28. 溝18に遮光性のある樹脂(黒フィルタ材料等)を塗布で埋め込む。 Embedding resin with a light-shielding property in the groove 18 (black filter material) in the coating. あるいは、溝18の内壁および底面にCVD(Chemical Vapor Deposition)でシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を堆積し(図示せず)、次に、このシリコン酸化膜やシリコン窒化膜上にPVD(Physical Vapor Deposition)やCVDによりW(タングステン)やTiN(窒化チタン)等の数10nm以上の金属の薄膜を堆積し、そして、この金属薄膜上にCVDによりシリコン酸化膜を堆積することにより溝18を埋め込む。 Alternatively, depositing a silicon oxide film or a silicon nitride film on the inner wall and the bottom surface of the groove 18 in the CVD (Chemical Vapor Deposition) (not shown), then, on the silicon oxide film or a silicon nitride film on the PVD (Physical Vapor Deposition ) or by CVD deposition of a thin number of 10nm or more metals such as W (tungsten) or TiN (titanium nitride), and to fill the groove 18 by depositing a silicon oxide film by CVD on the metal thin film. また、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜が堆積された溝18にCVDでW等の金属を堆積することにより溝18を埋め込むことも可能である。 It is also possible to embed the groove 18 by depositing a metal such as W by the CVD on the groove 18 of the silicon oxide film or a silicon nitride film is deposited. これにより遮光部8が形成される(図6(a))。 Thus the light shielding portion 8 is formed (FIG. 6 (a)).

次に、図6(b)を用いて、半導体基板領域20上にオンチップフィルタ領域40を形成し、デバイスが完成するまでを説明する。 Next, with reference to FIG. 6 (b), on the semiconductor substrate region 20 to form an on-chip filter region 40, illustrating a until the device is completed. 遮光部8が形成されている半導体基板上に、カラーフィルタ材料の下地となるレジスト材料等の有機膜を塗布等により形成する(図示せず)。 On a semiconductor substrate where the light-shielding portion 8 is formed, it is formed by coating such as an organic film of the resist material such as a base of the color filter material (not shown). 次に、有機膜上に、カラーフィルタ9を塗布で形成する。 Then, on the organic film to form a color filter 9 with a coating. このとき、画素毎に色の異なるカラーフィルタ(具体的には原色カラーフィルタの場合はRed、Green、Blue、補色カラーフィルタの場合はイエロー、マゼンタ、シアン)を、通常のフォトリソグラフィーと同様な方法でパターン形成することにより形成する。 In this case, (in the case of primary color filters specifically Red, Green, Blue, Yellow For complementary color filter, magenta, cyan) different color filter colors for each pixel, similar to the conventional photolithographic method in it formed by patterning. 次に、カラーフィルタ9上に、マイクロレンズ10の下地となるレジスト材料等の有機膜を塗布等により形成する(図示せず)。 Then, on the color filter 9, (not shown) formed to the organic film of the resist material or the like serving as a base of the microlens 10 coating. 次に、有機膜上に、マイクロレンズ10をレジスト材料等の有機膜をドライエッチングによってレンズ形状に加工し、形成する。 Then, on the organic film, and processing the micro lens 10 and the organic film such as a resist material into a lens shape by dry etching to form. または、レジスト材料等の有機膜を熱フローすることによってレンズ形状に形成する(図6(b))。 Alternatively, the organic film of the resist material or the like is formed into a lens shape by heat flow (Figure 6 (b)).
[第2実施形態] Second Embodiment
(構成の説明) (Description of Configuration)
本発明の第2実施形態に係る裏面照射型の固体撮像装置の構成について、図7を用いて説明する。 The configuration of the back-illuminated solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図7は、本発明の第2実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の断面図である。 Figure 7 is a cross-sectional view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a second embodiment of the present invention. 本実施形態では、半導体基板1の第1の面20a上に、各カラーフィルタ9の周囲を囲む遮光性グリッド50が形成されている。 In the present embodiment, on the first surface 20a of the semiconductor substrate 1, light-shielding grid 50 which surrounds the periphery of the color filter 9 is formed. これ以外の構成は第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と同一の構成要素には同一の番号を用い、説明を省略する。 Since other configurations are the same as the first embodiment, using the same numerals to the same components as the first embodiment, the description thereof is omitted.
遮光性グリッド50は、遮光性の材料からなる格子状の構造体であり、具体的には、金属(タングステン、窒化チタン等)または遮光性の樹脂(黒フィルタ材料、青フィルタ材料等)からなる。 Light-shielding grid 50 is a grid-like structure made of a light-shielding material, in particular, made of metal (tungsten, titanium nitride, etc.) or the light-shielding resin (black filter material, a blue filter material) . 遮光性グリッド50はカラーフィルタ9の厚みと同等の高さで、例えば、数100nm〜1um程度である。 In light-shielding grid 50 is equivalent to the thickness of the color filter 9 height, for example, about several 100Nm~1um. また、遮光性グリッド50の幅は、遮光部8の幅とほぼ等しい。 The width of the light-shielding grid 50 is approximately equal to the width of the light shielding portion 8. カラーフィルタ9は遮光性グリッド50により画素毎に分離されている。 The color filter 9 is separated for each pixel by the light shielding property grid 50.
(効果) (effect)
本実施形態によれば、フォトダイオードの受光面を半導体基板の第1の面(裏面)に配置した裏面照射型の固体撮像装置において、各光電変換部の周囲を囲む遮光部を設け、更に、各カラーフィルタの周囲を囲む遮光性グリッドを設けることによって、一つの画素のフォトダイオードに斜めに入射された光が隣接画素のフォトダイオードに漏れ出すことを抑制できるだけでなく、一つの画素のカラーフィルタに斜めに入射された光が隣接画素のカラーフィルタに漏れ出すことを抑制できるため、いわゆる混色という課題を解決することができる。 According to this embodiment, the back-illuminated solid-state imaging device disposed on the first surface of the semiconductor substrate (back surface) of the light receiving surface of the photodiode, is provided a light-shielding portion surrounding the respective photoelectric conversion unit, further, by providing the light-shielding grids surrounding the respective color filters, not only one pixel photodiode is obliquely incident on the light can be prevented from leaking into the photodiode of an adjacent pixel, the color of one pixel filter the light is incident obliquely can be suppressed from leaking to the color filters of adjacent pixels, it is possible to solve the problem of so-called color mixture.
(製造方法の説明) (Description of the manufacturing method)
次に、図8を用いて、本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を簡単に説明する。 Next, with reference to FIG. 8, it will be briefly described a method of manufacturing a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention. 第1実施形態の図4,5に表された工程までは本実施形態でも共通である。 Up to the step represented in Figure 4 and 5 of the first embodiment is the same in this embodiment. 図8(a)は、溝18に遮光性のある材料が埋め込まれた状態を示している。 FIG. 8 (a) shows a state in which the material is embedded in the groove 18 of the light-shielding property. これにより遮光部8が形成される。 Thus the light shielding portion 8 is formed.

次に、図8(b)に示すように、遮光部8が形成された半導体基板領域20上に、金属または遮光性のある樹脂からなる遮光性グリッド50を形成する。 Next, as shown in FIG. 8 (b), on the semiconductor substrate region 20 where the light-shielding portion 8 is formed, to form a light-shielding grid 50 comprising a metal or a light-blocking of certain resins. 遮光性グリッド50が金属の場合は、CVDやPVDによりW(タングステン)等の金属膜を堆積し、フォトリソグラフィーとドライエッチングでパターン形成する。 When light-shielding grid 50 is metal, the CVD or PVD deposited metal film such as W (tungsten) is patterned by photolithography and dry etching. また、遮光性グリッド50が遮光性のある樹脂(黒フィルター材料、青フィルター材料)の場合は、遮光性のある樹脂を塗布した後、フォトリソグラフィーでパターン形成する。 The resin (black filter material, blue filter material) light-shielding grid 50 with a light-shielding property in the case of, after coating the light-shielding of certain resins, patterned by photolithography. ここで、遮光性グリッド50はカラーフィルタ9の厚みと同等の高さで、例えば、数100nm〜1um程度である。 Here, light-tight grid 50 is equivalent to the thickness of the color filter 9 height, for example, about several 100Nm~1um.

次に、遮光性グリッド50が形成された半導体基板上に、開口50aからカラーフィルタ材料の下地となるレジスト材料等の有機膜を塗布により形成し、次に、有機膜上に、カラーフィルタ9を塗布で形成する。 Next, on the semiconductor substrate where the light-shielding property grid 50 is formed, the organic film of the resist material or the like serving as a base of the color filter material from an opening 50a is formed by coating, then on the organic film, a color filter 9 to form a coating. カラーフィルタ9の厚みは遮光性グリッド50の厚みと同等で、遮光性グリッド50の開口50aを埋め込むように形成される。 The thickness of the color filter 9 in equal to the thickness of the light-shielding grid 50 is formed so as to fill the opening 50a of the light-shielding grid 50. あとは、第1実施形態と同様に、カラーフィルタ上にマイクロレンズを形成する。 After that, similarly to the first embodiment, to form a microlens on the color filter.
[第3実施形態] Third Embodiment
(構成の説明) (Description of Configuration)
本発明の第3実施形態に係る裏面照射型の固体撮像装置の構成について、図9を用いて説明する。 The configuration of the back-illuminated solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図9は、本発明の第3実施形態に係る裏面照射型固体撮像装置の画素の断面図である。 Figure 9 is a cross-sectional view of a pixel of a backside illumination type solid imaging device according to a third embodiment of the present invention. 本実施形態では、遮光部38以外の構成は第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と同一の構成要素には同一の番号を用い、説明を省略する。 In the present embodiment, since the configuration other than the light-shielding portion 38 is the same as in the first embodiment, using the same numerals to the same components as the first embodiment, the description thereof is omitted. 遮光部38は、カラーフィルタ9の厚み分(例えば数100nm〜1um程度)だけ半導体基板の第1の面20aから突出している。 Shielding portion 38 protrudes from the first surface 20a of the semiconductor substrate by the thickness of the color filter 9 (for example, about several 100nm~1um). そのため、遮光部38の上面の高さとカラーフィルタ9の上面の高さとがほぼ等しくなっている。 Therefore, the heights of the upper surface of the color filter 9 of the upper surface of the light shielding portion 38 is substantially equal.
(効果) (effect)
本実施形態によれば、フォトダイオードの受光面を半導体基板の第1の面(裏面)に配置した裏面照射型の固体撮像装置において、各光電変換部の周囲を囲む遮光部を設け、更に、この遮光部が各カラーフィルタの周囲を囲むため、一つの画素のフォトダイオードに斜めに入射された光が隣接画素のフォトダイオードに漏れ出すことを抑制できるだけでなく、一つの画素のカラーフィルタに斜めに入射された光が隣接画素のカラーフィルタに漏れ出すことを抑制できるため、いわゆる混色という課題を解決することができる。 According to this embodiment, the back-illuminated solid-state imaging device disposed on the first surface of the semiconductor substrate (back surface) of the light receiving surface of the photodiode, is provided a light-shielding portion surrounding the respective photoelectric conversion unit, further, Thus the light shielding portion surrounds the periphery of the color filters, not only one pixel light incident obliquely photodiode can be prevented from leaking into the photodiode of an adjacent pixel, diagonally to the color filter of one pixel since the light incident on can be suppressed from leaking to the color filters of adjacent pixels, it is possible to solve the problem of so-called color mixing.
(製造方法の説明) (Description of the manufacturing method)
次に、図10,11を用いて、本発明の第3実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を簡単に説明する。 Next, with reference to FIGS. 10 and 11 it will be briefly described a method of manufacturing a solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention. 第1実施形態の図4に表された工程までは本実施形態でも共通である。 Up to the step represented in FIG. 4 of the first embodiment is the same in this embodiment.

図10(a)に示すように、配線領域30上の表面に数10nm〜数100nmのシリコン酸化膜を形成した厚さ300um〜500umのシリコンウェーハからなる支持基板60を貼り付ける。 As shown in FIG. 10 (a), paste the supporting substrate 60 made of a silicon wafer having a thickness of 300um~500um forming a silicon oxide film having 10nm~ number 100nm on the surface of the wiring area 30. 貼り付けは200℃〜300℃の窒素雰囲気中で圧力を加えながら行い、配線領域30上のシリコン酸化膜と支持基板60上のシリコン酸化膜のファンデルワールス力の原理で接着する。 Paste performs while applying pressure in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. to 300 ° C., to adhere to the principle of the van der Waals forces of the silicon oxide film on the silicon oxide film and the supporting substrate 60 on the wiring area 30. 次に、支持基板60を貼り付けた状態でトランジスタや配線層が形成されているウェーハを裏返しして、半導体基板1を裏側からバックグラインドやCMP(Chemical Mechanical Polishing)で、フォトダイオード3の深さ近くまで研磨する。 Then turned over wafers transistors and wiring layers are formed in a state of pasting a supporting substrate 60, the back grinding and CMP the semiconductor substrate 1 from the back side (Chemical Mechanical Polishing), the photodiode 3 depth polished to near. この後の工程で、半導体基板1をカラーフィルタ9の厚み分(例えば数100nm〜1um程度)だけドライエッチングするので、その分、第1実施形態に比べて研磨量を少なくする。 In a subsequent step, since only dry-etching the semiconductor substrate 1 thickness of the color filter 9 (for example, about several 100Nm~1um), correspondingly, to reduce the polishing amount as compared with the first embodiment.

次に、図10(b)に示すように、半導体基板1の第1の面(裏面)にリソグラフィーでパターンを形成し、その後、第1の面からフォトダイオード3の厚み(例えば、3um〜5um)とカラーフィルタの厚み(例えば数100nm〜1um程度)を加えた深さまでドライエッチングすることにより、フォトダイオード3の周囲を囲み、かつ、素子分離領域2に達する溝18を形成する。 Next, as shown in FIG. 10 (b), to form a pattern in the lithography on the first surface of the semiconductor substrate 1 (back), then the first terms of the photodiode 3 thickness (e.g., 3Um~5um ) and by dry etching the thickness of the color filters (for example, about several 100Nm~1um) depth plus, it surrounds the photodiode 3, and a groove 18 which reaches the isolation region 2.

次に、図11(a)に示すように、溝18に遮光性のある材料を埋め込むことにより遮光部38を形成する。 Next, as shown in FIG. 11 (a), to form the light shielding portion 38 by embedding the light shielding property of a material in the groove 18. 遮光部38の材料および形成方法は第1実施形態と同様である。 Materials and forming methods of the light shielding portion 38 is the same as in the first embodiment.
次に、図11(b)に示すように、半導体基板1におけるカラーフィルタが形成される領域11を、カラーフィルタの厚み分(例えば数100nm〜1um程度)だけドライエッチングにより除去する。 Next, as shown in FIG. 11 (b), a region 11 where the color filter is formed in the semiconductor substrate 1, the thickness of the color filter only (for example, about several 100Nm~1um) is removed by dry etching. これにより、半導体基板1の領域11に凹部が形成される。 Accordingly, recesses are formed in the region 11 of the semiconductor substrate 1.

次に、半導体基板の凹部に、カラーフィルタ材料の下地となるレジスト材料等の有機膜を塗布により形成し、次に、有機膜上に、カラーフィルタ9を塗布で形成する。 Then, the concave portion of the semiconductor substrate, is formed by applying an organic film of a resist material or the like serving as a base of the color filter material, then, on the organic film to form a color filter 9 with a coating. カラーフィルタ9は半導体基板の凹部を埋め込むように形成される。 The color filter 9 is formed so as to bury the recess of the semiconductor substrate. あとは、第1実施形態と同様に、カラーフィルタ上にマイクロレンズを形成する。 After that, similarly to the first embodiment, to form a microlens on the color filter.

本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に利用でき、特にオンチップマイクレンズ構造を有する固体撮像装置及び製造方法に有効である。 The present invention can be applied to a solid-state imaging device and a manufacturing method thereof, which is effective in particular solid-state imaging device and a manufacturing method having on-chip microphone lens structure.

1 半導体基板 2 素子分離領域 3 フォトダイオード 4 フローティングデフュージョン 5 転送トランジスタゲート電極 6a,6b,6c,6d,6f,6e,6g コンタクト 7 積層配線 8,38 遮光部 9 カラーフィルタ 10 マイクロレンズ 18 溝 20 半導体基板領域 30 配線領域 36 層間絶縁膜 38 遮光部 40 オンチップフィルタ領域 41 リセットトランジスタゲート電極 42 増幅トランジスタゲート電極 43 アドレストランジスタゲート電極 50 遮光性グリッド 60 支持基板 1 semiconductor substrate 2 isolation region 3 photodiode 4 floating diffusion 5 transfer transistor gate electrodes 6a, 6b, 6c, 6d, 6f, 6e, 6g contacts 7 laminated wiring 8, 38 light shielding portion 9 color filter 10 micro lenses 18 groove 20 semiconductor substrate region 30 wiring region 36 interlayer insulating film 38 light-shielding part 40 on-chip filter region 41 reset transistor gate electrode 42 amplifying transistor gate electrode 43 address transistor gate electrode 50 light-shielding grids 60 support substrate

Claims (20)

  1. 半導体基板内の第1の面側に形成された複数の光電変換部と、 A plurality of photoelectric conversion portion formed on the first surface of the semiconductor substrate,
    前記半導体基板の前記第1の面とは反対の第2の面側に、前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数の読み出し回路と、 Wherein the second surface side opposite to the first surface of the semiconductor substrate, a plurality of readout circuits which are formed corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion portions,
    前記半導体基板の第2の面上に形成された、前記複数の読み出し回路を用いて前記複数の光電変換部の電気信号を外部に出力するための積層配線と、 Formed on said second surface of the semiconductor substrate, and the multilayer wiring for outputting an electric signal of the plurality of photoelectric conversion unit with the plurality of readout circuits to the outside,
    前記半導体基板内に形成された、各光電変換部の周囲の少なくとも一部を囲む遮光部と を備えることを特徴とする固体撮像装置。 Formed in said semiconductor substrate, the solid-state imaging device characterized by comprising a light-shielding portion surrounding at least part of the periphery of the photoelectric conversion unit.
  2. 前記半導体基板の第2の面側に形成された、各読み出し回路の周囲を囲む素子分離領域をさらに備え、 Formed in said second surface of the semiconductor substrate, further comprising an element isolation region surrounding the respective readout circuits,
    前記遮光部は、前記半導体基板の厚み方向に、前記第1の面から前記素子分離領域に接触するまで延在していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 The light blocking portion, the thickness direction of the semiconductor substrate, the solid-state imaging device according to claim 1, characterized in that extending from the first surface to contact with the element isolation region.
  3. 前記第1の面上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数のカラーフィルタと、 A plurality of color filters which are formed corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion unit on said first surface,
    前記複数のカラーフィルタの上に形成された透明膜と、 Transparent and films formed on the plurality of color filters,
    前記透明膜の上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数のマイクロレンズと をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 1 or 2, characterized in that it further comprises a plurality of the plurality of microlenses formed corresponding to each of the photoelectric conversion unit on the transparent film.
  4. 前記遮光部は金属から成ることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 1 wherein the light blocking section that comprises a metal.
  5. 前記遮光部は遮光性のある樹脂から成ることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 1 wherein the light shielding unit, characterized by comprising a resin having the light shielding property.
  6. 前記遮光部の断面形状は、前記第1の面から遠ざかるほど幅が狭くなるようなテーパー形状であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。 The cross-sectional shape of the light-shielding portion, the solid-state imaging device according to claim 1, wherein the width with increasing distance from the first surface is a tapered shape becomes narrower.
  7. 前記第1の面上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数のカラーフィルタと、 A plurality of color filters which are formed corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion unit on said first surface,
    前記第1の面上に形成され、各カラーフィルタの周囲を囲む遮光性グリッドと をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。 Wherein formed on the first surface, the solid-state imaging device according to claim 1 or 2, further comprising a light-shielding grids surrounding the color filters.
  8. 前記遮光性グリッドの幅は前記遮光部の幅とほぼ等しいことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。 The width of the light-shielding grid solid-state imaging device according to claim 7, characterized in that substantially equal to the width of the light shielding portion.
  9. 前記複数のカラーフィルタの上に形成された透明膜と、 Transparent and films formed on the plurality of color filters,
    前記透明膜の上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数のマイクロレンズと をさらに備えることを特徴とする請求項7または8に記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 7 or 8, further comprising a plurality of the plurality of microlenses formed corresponding to each of the photoelectric conversion unit on the transparent film.
  10. 前記遮光部は金属から成ることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to any one of claims 7-9 wherein the light blocking portion which comprises a metal.
  11. 前記遮光部は遮光性のある樹脂から成ることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to any one of claims 7-9 wherein the shielding portion is characterized by comprising a resin having the light shielding property.
  12. 前記遮光部の断面形状は、前記第1の面から遠ざかるほど幅が狭くなるようなテーパー形状であることを特徴とする請求項7〜11のいずれかに記載の固体撮像装置。 The cross-sectional shape of the light-shielding portion, the solid-state imaging device according to any one of claims 7 to 11, wherein the width with increasing distance from the first surface is a tapered shape becomes narrower.
  13. 前記第1の面上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数のカラーフィルタをさらに備え、 Further comprising a plurality of color filters which are formed corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion unit on said first surface,
    前記遮光部は、前記カラーフィルタの上面とほぼ等しい高さまで前記第1の面から突出していることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。 The light blocking portion, the solid-state imaging device according to claim 1 or 2, characterized in that protrudes from the first surface to approximately the same height as the upper surface of the color filter.
  14. 前記複数のカラーフィルタの上に形成された透明膜と、 Transparent and films formed on the plurality of color filters,
    前記透明膜の上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して形成された複数のマイクロレンズと をさらに備えることを特徴とする請求項13または14に記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 13 or 14, further comprising a plurality of the plurality of microlenses formed corresponding to each of the photoelectric conversion unit on the transparent film.
  15. 前記遮光部は金属から成ることを特徴とする請求項13または14に記載の固体撮像装置。 The solid-state imaging device according to claim 13 or 14 wherein the light shielding unit is characterized in that it consists of metal.
  16. 前記遮光部は遮光性のある樹脂から成ることを特徴とする請求項13または14に記載の固体撮像装置。 The light shielding unit solid-state imaging device according to claim 13 or 14, characterized by comprising a resin having the light shielding property.
  17. 前記遮光部の断面形状は、前記第1の面から遠ざかるほど幅が狭くなるようなテーパー形状であることを特徴とする請求項13〜16のいずれかに記載の固体撮像装置。 The cross-sectional shape of the light-shielding portion, the solid-state imaging device according to any one of claims 13 to 16, wherein the width with increasing distance from the first surface is a tapered shape becomes narrower.
  18. 半導体基板内の第1の面側に複数の光電変換部を、前記半導体基板の前記第1の面とは反対の第2の面側に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応する複数の読み出し回路を、前記第2の面上に前記複数の読み出し回路を用いて前記複数の光電変換部の電気信号を外部に出力するための積層配線を形成する第1の工程と、 A plurality of photoelectric conversion units to the first surface of the semiconductor substrate, the plurality of reading corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion unit on the second surface side opposite to the first surface of the semiconductor substrate a first step of forming a laminated wiring for outputting the circuit, an electrical signal of said plurality of photoelectric conversion unit to the outside by using a plurality of readout circuits on the second surface,
    前記半導体基板の第1の面から、各光電変換部の周囲の少なくとも一部を囲むように溝部を形成する第2の工程と、 From the first surface of the semiconductor substrate, a second step of forming a groove so as to surround at least a part of the periphery of the photoelectric conversion unit,
    前記溝部を遮光性の材料で埋める第3の工程と、 A third step of filling the groove with a light-shielding material,
    前記第1の面上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して複数のカラーフィルタを形成する第4の工程と、 A fourth step of forming a plurality of color filters corresponding to each of said plurality of photoelectric conversion unit on said first surface,
    前記複数のカラーフィルタの上に透明膜を形成する第5の工程と、 A fifth step of forming a transparent film on the plurality of color filters,
    前記透明膜の上に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して複数のマイクロレンズを形成する第6の工程と を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 Method for manufacturing a solid-state imaging device which comprises a sixth step of forming a plurality of micro lenses corresponding to the plurality of photoelectric conversion unit on the transparent film.
  19. 前記第1の工程は、 The first step,
    前記半導体基板の前記第2の面から不純物を注入して複数の光電変換部を形成し、 Impurities are implanted from the second surface of the semiconductor substrate to form a plurality of photoelectric conversion portions,
    前記第2の面側に前記複数の光電変換部のそれぞれに対応する複数の読み出し回路を形成し、 Forming a plurality of read circuits corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion unit to said second surface,
    前記第2の面上に前記複数の読み出し回路を用いて前記複数の光電変換部の電気信号を外部に出力するための積層配線を形成し、 Forming a laminated wiring for outputting an electric signal of the plurality of photoelectric conversion unit to the outside by using a plurality of readout circuits on the second surface,
    前記複数の光電変換部が表面近くに位置するように、前記半導体基板を前記第2の面の反対側から研磨すること を特徴とする請求項18に記載の固体撮像装置の製造方法。 Wherein the plurality of such photoelectric conversion portion is located near the surface, a method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 18, characterized in that polishing the semiconductor substrate from the opposite side of the second surface.
  20. 前記第1の工程において、前記第2の面側に、各読み出し回路の周囲を囲む素子分離領域をさらに形成し、 In the first step, on the second surface side, further forming an isolation region surrounding the respective readout circuits,
    前記第2の工程において、前記溝部を前記素子分離領域に達するように形成することを特徴とする請求項18または19に記載の固体撮像装置の製造方法。 In the second step, the manufacturing method of the solid-state imaging device according to claim 18 or 19, characterized by forming the groove to reach the element isolation region.
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