JP2010199395A - Semiconductor light-emitting element - Google Patents

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JP2010199395A JP2009044203A JP2009044203A JP2010199395A JP 2010199395 A JP2010199395 A JP 2010199395A JP 2009044203 A JP2009044203 A JP 2009044203A JP 2009044203 A JP2009044203 A JP 2009044203A JP 2010199395 A JP2010199395 A JP 2010199395A
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Ryohei Hirose
Fumihiro Inoue
Masahiko Sano
史大 井上
雅彦 佐野
量平 広瀬
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Nichia Corp
日亜化学工業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting element where extraction efficiency is improved while suppressing nonuniformity in light emission.
SOLUTION: The semiconductor light-emitting element 1 includes: a light emission part 10 where a second conductivity type layer 11, a light emission layer 12, and a first conductivity type layer 13 are laminated in order; and an electrode pair 20 constituted of a second electrode 30 which is connected to the second conductivity type layer 11 and a first electrode 40 which has a translucent electrode 70 on the first conductivity type layer 13 and is connected to the translucent electrode 70. The first electrode 40 includes: extension parts 41 which are formed to enclose the second electrode 30 when viewing the semiconductor light-emitting element 1 from above; an insulating film 50 arranged in the lower part of the extension part 41; and two or more first connection parts 45 to be electrically connected to the translucent electrode 70. The second electrode 30 includes a second connection part 35 which is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 11 and is arranged in a region connecting the at least two first connection parts 45.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体発光素子に関し、特に、取出し効率と発光の均一性を共に高めた半導体発光素子に関する。 The present invention relates to a semiconductor light-emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device with improved both the uniformity of the extraction efficiency and the light-emitting.

従来の半導体発光素子において、発光むらを改善させるために、外部電源と接続するpパッド電極から細長いp側電極を延伸させたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 In the conventional semiconductor light emitting device, in order to improve the uneven light emission, which was stretched elongated p-side electrode from the p pad electrodes connected to an external power source are known (e.g., see Patent Document 1). さらに発光むらを改善するために、pパッド電極から伸びる直線状のp側電極と、nパッド電極から伸びるn側電極とを交互に配列した半導体発光素子が知られている(例えば、特許文献2〜4参照)。 To further improve the uneven light emission, and a linear p-side electrodes extending from the p-pad electrode, the semiconductor light-emitting elements arranged an n-side electrode extending from the n-pad electrode alternately is known (for example, Patent Document 2 reference to 4).

また、発光領域内部に設けられたn側電極を、延伸部を設けたp側電極で囲んだ半導体発光素子も知られている(例えば、特許文献5〜8参照)。 Further, the n-side electrode provided inside the light emitting region, the semiconductor light emitting element enclosed in the p-side electrode having a stretched portion is also known (e.g., see Patent Document 5-8).

別の形態の発光素子では、n側電極を発光領域のp型半導体層上に絶縁膜を介して設け、p型半導体層に形成した複数のビアを介してn側電極とn型半導体層とを複数箇所で接続したものが知られている(例えば、特許文献9参照)。 The light emitting device of another form, the n-side electrode on the p-type semiconductor layer of the light emitting region provided via an insulating film, and a p-type semiconductor layer through a plurality of vias formed on the n-side electrode and the n-type semiconductor layer the are obtained by connection is known at a plurality of positions (for example, see Patent Document 9). また、p型半導体層にp側電極を複数設けた発光素子も知られている(例えば、特許文献10の図17(a)参照)。 Further, the light-emitting element provided with a plurality of p-side electrode on the p-type semiconductor layer is also known (e.g., see FIG. 17 of Patent Document 10 (a)).

特開2007−281426号公報 JP 2007-281426 JP 特開2002−319704号公報 JP 2002-319704 JP 特開2001−345480号公報 JP 2001-345480 JP 特開2000−164930号公報 JP 2000-164930 JP 特開2005−183910号公報 JP 2005-183910 JP 特開平7−254732号公報 JP-7-254732 discloses 特開平7−30153号公報 JP 7-30153 discloses 特開2003−179263号公報 JP 2003-179263 JP 特開2004−47988号公報 JP 2004-47988 JP 特開2004−56109号公報 JP 2004-56109 JP

発光素子は、p側電極の直下で強く発光するが、その発光の一部はp側電極に吸収される。 Emitting element is to emit light strongly directly under the p-side electrode, a part of the emission is absorbed in the p-side electrode. 特許文献1〜8のようにp側電極を延伸すると、発光素子の発光部における発光むらが抑制できる効果はあるものの、p側電極の面積が広くなるため、発光の吸収量が増加する。 When stretching the p-side electrode as in Patent Document 1 to 8, although the effect of uneven light emission in the light emitting portion of the light emitting element can be suppressed, the area of ​​the p-side electrode is widened, the absorption amount of light emission is increased. その結果、発光効率が低くなる問題がある。 As a result, there is a problem that emission efficiency is lowered.
特許文献10は、比較的小面積のp側電極を複数設けるので、p側電極の面積を小さく抑えることができる。 Patent Document 10, since providing a plurality of p-side electrode of the relatively small area, it is possible to reduce the area of ​​the p-side electrode. しかしながら、発光素子の実装時に、p側電極と外部電極との配線が複雑になる恐れがある。 However, when mounting of the light emitting element, the wiring between the p-side electrode and the external electrode may become complicated.

そこで、本発明は発光むらを抑制しながら、光取出し効率を高めた半導体発光素子を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention while suppressing uneven light emission, and an object thereof is to provide a semiconductor light emitting device with improved light extraction efficiency.

本発明の半導体発光素子は、第2導電型層、発光層及び第1導電型層を順に積層した発光部と、前記第2導電型層に接続された第2電極と前記第1導電型層上に透光性電極を有し該透光性電極に接続された第1電極とからなる電極対と、を備えた半導体発光素子であって、前記半導体発光素子を上面から見て、前記第1電極は、前記第2電極を囲むように形成された延伸部を含み、前記延伸部の下部に、絶縁膜を備えると共に、前記透光性電極と電気的に接続される第1接続部を2つ以上有し、前記第2電極は、少なくとも2つの前記第1接続部を結ぶ領域に、前記第2導電型半導体層と電気的に接続される第2接続部を有することを特徴とする。 The semiconductor light-emitting device of the present invention, the second conductivity type layer, light emitting layer and a light emitting unit of the first conductivity type layer are laminated in this order, the second electrode and the first conductive layer connected to the second conductive type layer a semiconductor light emitting device comprising an electrode pair composed of a first electrode connected to the light-transmissive electrode having a transparent electrode on top, and looking at the semiconductor light emitting element from the top surface, the first 1 electrode includes the extending portion which is formed to surround the second electrode, the bottom of the extending portion, with an insulating film, a first connection portion to be connected to the transparent electrode and the electrical it has two or more, the second electrode, a region connecting the at least two of said first connecting portion, and having a second connecting portion that is connected to the second conductivity type in the semiconductor layer and electrically .

本発明によれば、第1電極が延伸部を有し、延伸部の下部に絶縁膜を備えることで、延伸部における発光吸収を抑制することができる。 According to the present invention, the first electrode has a stretch portion, by providing the insulating film at the bottom of the extending portion, it is possible to suppress the emission absorption in the stretching unit. さらに、本発明によれば、延伸部と透光性電極とが電気的に接続されている第1接続部を2つ以上有し、それらの接続部を結ぶ領域に第2電極が形成されていることで、光取り出し面における発光むらが大幅に改善される。 Furthermore, according to the present invention, the first connection portion and the extending portion and the translucent electrode are electrically connected have two or more, is the second electrode formed in a region connecting these connection portions by there, uneven light emission on the light extraction surface is significantly improved. このように、本発明の半導体発光素子は、発光むらを抑制しながら、光取り出し効率を高めることができる。 Thus, the semiconductor light-emitting device of the present invention, while suppressing uneven light emission, it is possible to increase the light extraction efficiency. 本発明において「発光むら」とは、光取出し面側から見たときに、発光部の発光が不均一に見えることであり、例えば光が他と比べて暗部があるものなどをいい、発光むらが改善されるとは、発光部の発光が均一に近づくことをいう。 The "light emission unevenness" in the present invention, when viewed from the light extraction surface side, is that the light emission of the light emitting portion looks uneven, refers to such that there is a dark area in comparison example light with other, uneven light emission There is to be improved, refers to the emission of the light emitting portion approaches uniform.

第1の実施形態に係る半導体発光素子を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing a semiconductor light emitting device according to the first embodiment. 図1のA−A線における概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 図1のB−B線における概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 第1の実施形態に係る半導体発光素子の変形例を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing a modified example of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る半導体発光素子の変形例を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing a modified example of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment. 第2の実施形態に係る半導体発光素子を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing a semiconductor light emitting device according to a second embodiment. 第2の実施形態に係る半導体発光素子の変形例を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing a modified example of the semiconductor light emitting device according to a second embodiment. 第2の実施形態に係る半導体発光素子の変形例を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing a modified example of the semiconductor light emitting device according to a second embodiment.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。 Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及び、それらの用語を含む別の用語)を用いる。 In the following description, the terms indicating a particular direction or position (for example, "upper", "lower", "right", "left" and other terms including these terms) used . それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。 Use of these terms is for the purpose of facilitating the understanding of the invention with reference to the drawings, but the technical scope of the present invention by means of those terms is limited. また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。 Also, portions of the same reference numerals appearing in the drawings indicates the same parts or members. また発明を理解しやすくするために、実施形態を分けて説明するが、これらの実施形態はそれぞれ独立するものではなく、共有できるところは他の実施形態の説明を適用できる。 Also in order to facilitate the understanding of the invention, will be described separately embodiments, these embodiments are not intended to independently, where you can share can be applied to the description of other embodiments.

<第1の実施形態> <First embodiment>
図1、図2A及び図2Bに示すように、本願発明に係る半導体発光素子1は、基板3の上に第2導電型層(n型半導体層)11、発光層12及び第1導電型層(p型半導体層)13を順に積層した発光部10を備えている。 As shown in FIGS. 1, 2A and 2B, the semiconductor light emitting device 1 according to the present invention, the second conductivity type layer on a substrate 3 (n-type semiconductor layer) 11, the light emitting layer 12 and the first conductivity type layer the (p-type semiconductor layer) 13 and a light-emitting portion 10 which are laminated in this order. 発光部10は、p型半導体層13及び発光層12を部分的に除去してn型半導体層11を露出させた切欠き部15(図1では切り欠きされた方向に対して垂直方向に長い楕円形)を備えている。 Emitting portion 10 is longer in a direction perpendicular to the p-type semiconductor layer 13 and the light emitting layer 12 partially removed and notch 15 to expose the n-type semiconductor layer 11 (in FIG. 1 notch to direction It has an oval).

本実施の形態の半導体発光素子1は、第2電極(n側電極)30と第1電極(p側電極)40とから成る電極対20を1組備えている。 The semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment has an electrode pair 20 and a second electrode (n-side electrode) 30 a first electrode (p-side electrode) 40. comprising a pair. またp側電極40はp型半導体層13上に備えた透光性電極70と接続されている。 The p-side electrode 40 is connected to the transparent electrode 70 provided on the p-type semiconductor layer 13. n側電極30は、切欠き部15に露出したn型半導体層11に電気的に接続されて、第2接続部35を形成している(図1及び図2A参照)。 n-side electrode 30, the n-type semiconductor layer 11 exposed to the cutout portion 15 are electrically connected to form a second connection portion 35 (see FIGS. 1 and 2A). n側電極30は、切欠き部15からp側半導体層13の上面に伸びて、外部電極(図示せず)と接続される。 n-side electrode 30, extends from the notch 15 on the upper surface of the p-side semiconductor layer 13, is connected to an external electrode (not shown). そして、n側電極30とp型半導体層13と間には絶縁膜60が形成されており、n側電極30とp型半導体層13との短絡を防止している(図1及び図2B参照)。 Further, between the n-side electrode 30 and the p-type semiconductor layer 13 are formed an insulating film 60, and prevent a short circuit between the n-side electrode 30 and the p-type semiconductor layer 13 (see FIGS. 1 and 2B ).

図1に示すように、p側電極40は、p型半導体層13上に備えた透光性電極70の表面の一部に形成されている。 As shown in FIG. 1, p-side electrode 40 is formed on a part of the surface of the p-type semiconductor layer 13 transparent electrode 70 provided on. p側電極40は、n側電極30を囲むように形成された延伸部41を含んでいる。 p-side electrode 40 includes an extending portion 41 formed to surround the n-side electrode 30. そして、図2A及び図2Bに示すように、延伸部41の下部、すなわち延伸部41と透光性電極70との間に、絶縁膜50が形成されている。 Then, as shown in FIGS. 2A and 2B, the lower extending portion 41, i.e., between the extending portion 41 and the transparent electrode 70, the insulating film 50 is formed. この絶縁膜50には、2つ以上(図1では2つ)の開口部51が形成され、この開口部51の内側で、延伸部41と透光性電極70(p型半導体層13)とが接触して第1接続部45を形成している。 The insulating film 50 is two or more (two in FIG. 1) opening 51 is formed in, inside of the opening 51, extending portions 41 and the transparent electrode 70 and the (p-type semiconductor layer 13) There has been formed a first connecting portion 45 in contact. この第1接続部45は、少なくとも延伸部41の一部と透光性電極70とが電気的に接続されていればよい。 The first connection portion 45, a part and the transparent electrode 70 at least extending portions 41 may be electrically connected. 絶縁膜50に設けた開口部51内に第1接続部45を形成する他にも、例えば、延伸部41の一部を絶縁膜50の幅よりも広い幅で設けて、その幅広領域において、延伸部41と透光性電極70とを絶縁膜50の周囲で接続して第1接続部45を形成することもできる。 In addition to forming the first connection portion 45 in the opening 51 provided in the insulating film 50 is also, for example, a portion of the extending portion 41 is provided with a width wider than the width of the insulating film 50, in the wide region, and a drawing unit 41 and the transparent electrode 70 may be formed a first connecting portion 45 connected around the insulating film 50.

この半導体発光素子1によれば、延伸部41と、p型半導体層13上に有する透光性電極70と、の間に絶縁膜50が形成されるので、発光層12から延伸部41に入射する光が減少するので、延伸部41での発光吸収が抑制される。 According to the semiconductor light emitting element 1, and the extending portion 41, and the translucent electrode 70 having on the p-type semiconductor layer 13, the insulating film 50 is formed between the incident the extending portion 41 from the light-emitting layer 12 since light is reduced, emission absorption in the extending portion 41 is suppressed. よって、半導体発光素子1の光取出し効率が向上する。 Therefore, light extraction efficiency of the semiconductor light emitting element 1 is improved.

また、少なくとも2つ以上(図1では2つ)の第1接続部45を有することで、それぞれの第1接続部45から電流が透光性電極70に流れ、さらにp型半導体層13に流れることで、発光層12の面内における発光むらを、ひいては光取出し部での発光むらを改善することができる。 In addition, with the first connecting portion 45 of at least two or more (two in FIG. 1), the current from each of the first connecting portion 45 flows to the translucent electrode 70, further flows to the p-type semiconductor layer 13 it is, uneven light emission in the plane of the light-emitting layer 12, it is possible to improve the uneven light emission in turn light extraction unit. さらに、半導体発光素子を上面から見て、少なくとも2つ以上の第1接続部45を結ぶ領域55内に第2接続部35が形成されている(つまり、領域55内にn側電極30が形成されている)ので、1つのn側電極30に向かってそれぞれの第1接続部45から電流が流れて、n側電極30の周囲を広く発光させることができる。 Further, looking at the semiconductor light emitting element from the top surface, the second connecting portion 35 in the region 55 connecting at least two first connecting portions 45 are formed (i.e., n-side electrode 30 in the region 55 formed since the being), it can be a current flows from each of the first connecting portion 45 towards one of the n-side electrode 30, thereby widely emitting light around the n-side electrode 30. その結果、n側電極30周囲の非発光領域(いわゆる暗部)が減少し、発光むらを効果的に抑えることができる。 As a result, the n-side electrode 30 around the non-emissive area (a so-called dark portion) is reduced, it is possible to suppress the uneven light emission effectively. 図1においては、第1接続部45が2つ設けられており、この2つの第1接続部45を結ぶ領域55(斜線部分)内にn側電極が配置されているので、領域55において発光むらを抑えることができる。 In Figure 1, the first connecting portion 45 is two provided, since the n-side electrode is arranged in a region 55 (shaded area) in connecting the two first connecting portions 45, the light emitting in the region 55 it is possible to suppress the non-uniformity.

第1接続部45の大きさは、延伸部41での発光吸収を抑制するために、できるだけ小さく設けることが好ましい。 The size of the first connecting portion 45, in order to suppress the emission absorption in the stretching section 41, it is preferable to provide as small as possible. 本実施形態のように第1接続部45が2つであって、これらの第1接続部45を結ぶ領域55にn側電極30が配置される場合、2つの第1接続部45の延伸方向における長さの総和は、延伸部41の延伸方向における長さの少なくとも半分以下に設定することが好ましい。 The first connecting portion 45 be two as in this embodiment, if the n-side electrode 30 is arranged in a region 55 connecting these first connecting portion 45, two extending direction of the first connecting portion 45 sum of the lengths in is preferably set to less than at least half the length in the stretching direction of the stretching portion 41. また各第1接続部45の面積は、少なくともp側電極から透光性電極70に電流が流れればよく、できるだけ小さく設けることが好ましい。 The area of ​​each first connecting portion 45 may be current to the transparent electrode 70 at least from p-side electrode flows through, it is preferable to provide as small as possible.

なお、本明細書において、「少なくとも2つの第1接続部45を結ぶ領域55に、第2導電型半導体層(n型半導体層)11と電気的に接続される第2接続部35を有する」とは、領域55の内部にn側電極30の少なくとも一部が形成され、かつ領域55の内部においてn側電極30がn型半導体層11と通電している(すなわち、領域55内に第2接続部35の少なくとも一部が設けられている)ことを意味している。 In this specification, "a region 55 connecting the at least two first connecting portions 45, having a second connecting portion 35 which is electrically connected to the second conductive type semiconductor layer (n-type semiconductor layer) 11 ' and at least a portion of the n-side electrode 30 inside the region 55 is formed, and n-side electrode 30 inside the region 55 are energized with the n-type semiconductor layer 11 (i.e., the second in the region 55 At least a portion of the connecting portion 35 is meant to have) be provided. 特に図1に示すように、n側電極30の先端部が領域55の内部に形成されているのが好ましい。 In particular, as shown in FIG. 1, preferably the tip portion of the n-side electrode 30 is formed in the region 55.

また、図1のように、第1接続部45(開口部51)が延伸部41の先端近傍に形成されているのが好ましい。 Further, as shown in FIG. 1, preferably the first connecting portion 45 (the opening 51) is formed in the vicinity of the tip of the extending portion 41. 延伸部41の先端は、p側電極40の給電位置から最も遠い部分である。 The tip of the extending portion 41 is a portion which is furthest from the feed position of the p-side electrode 40. よって、延伸部41の先端に第1接続部45を設けると、発光部10の広範囲に電流を拡散することができる。 Therefore, it is possible to diffuse the provision of the first connection portion 45 to the tip of the extending portion 41, a wide range of current of the light emitting unit 10. その結果、半導体発光素子1の発光むらを抑えることができる。 As a result, it is possible to suppress the uneven light emission of the semiconductor light emitting element 1.
なお、図1では、絶縁膜50の先端近傍に形成された開口部51を介して、第1接続部45を設ける形態を示している。 Also shows an embodiment in FIG. 1, via an opening 51 formed in the vicinity of the tip of the insulating film 50, providing the first connecting portion 45. しかしながら、開口部51を形成せずに、延伸部41の先端に第1接続部45を設けてもよい。 However, without forming the opening 51, it may be provided first connecting portion 45 to the tip of the extending portion 41. 例えば、図7のように、延伸部41の長手方向において延伸部41を絶縁膜50よりも長く形成すれば、延伸部41の先端は、絶縁膜50を越えて透光性電極70に接触し、第1接続部45が形成される。 For example, as shown in FIG. 7, if formed to be longer than the insulating film 50 stretched portion 41 in the longitudinal stretching section 41, the tip of the stretching portion 41 is in contact with translucent electrode 70 across an insulating film 50 the first connecting portion 45 is formed.

延伸部41は、n側電極30を囲むように形成されていれば、どのような形状に延伸することもできる。 Extending portions 41 be formed to surround the n-side electrode 30 can be stretched in any shape. 特に、延伸部41が略U字状(図1では上下が逆向きのU字状に描かれている)であるのが好ましい。 Particularly preferably extending portion 41 is substantially U-shaped (in Fig. 1 vertically is illustrated in reverse U-shape).
図1において、上側から下向きに伸びるp側電極40は、左右に分岐したのちに弧を描きながら下方向に延びている。 In Figure 1, p-side electrode 40 extending from the upper side downwards extend downward while drawing an arc After branching to the left and right. 「U字状の延伸部41」とは、図1のp側電極40において、左右に分岐して下方向に伸びている部分を指している。 The "U-shaped extension portion 41 ', the p-side electrode 40 of FIG. 1 refers to a portion extending downward branches to the left and right.

複数の第1接続部45(開口部51)を形成するときに、第1接続部45とn側電極30との距離をほぼ等しくすると、各第1接続部45からn側電極30に流れる電流の電流密度が同程度になる。 When forming a plurality of first connecting portion 45 (the opening 51), the substantially equal distance between the first connecting portion 45 and the n-side electrode 30, the current flowing from the first connecting portion 45 to the n-side electrode 30 current density is comparable. よって、第1接続部45とn側電極30との間の輝度がほぼ一定にできる利点がある。 Therefore, the luminance between the first connecting portion 45 and the n-side electrode 30 has an advantage that was almost constant. そして、延伸部41を略U字状に形成することにより、第1接続部45の形成位置に関係なく、第1接続部45とn側電極30との距離をほぼ等しくすることができる。 Then, by forming the extending portion 41 in a substantially U shape, regardless of the formation position of the first connecting portion 45 may be approximately equal the distance between the first connecting portion 45 and the n-side electrode 30.
すなわち、延伸部41をU字状にすることにより、任意の位置に第1接続部45(開口部51)を形成しても、発光むらを抑えることができる。 That is, by the extending portion 41 in a U-shape, be formed first connecting portion 45 (the opening 51) at any position, it is possible to suppress the uneven light emission.

第2電極(n側電極)30は第2配線(n側配線)37を備えることが好ましい。 The second electrode (n-side electrode) 30 preferably comprises a second wiring (n-side wiring) 37. 本明細書における「n側配線37」とは、切欠き部15に設けられたn側電極30から延びる配線部分を指す。 The "n-side interconnect 37" herein refers to a wiring portion extending from the n-side electrode 30 provided in the notch 15. n側配線37を設けることにより、外部電源と接続されるパッド(図示せず)と、パッドから離れた位置(例えば領域55内)に形成されたn側電極30との間を、電気的に接続することができる。 By providing the n-side interconnect 37, the pad (not shown) connected to an external power source, between the n-side electrode 30 formed at a position away from the pad (e.g., region 55), electrically it can be connected. よって、領域55内に第2接続部35を設けることが比較的容易になる。 Therefore, it becomes relatively easy to provide the second connection portion 35 in the region 55.

n側配線37は、発光する領域(主に、領域55)の外側まで設けることが好ましい。 n-side interconnect 37, the light emitting regions (mainly, region 55) is preferably provided to the outer. 具体的には、図1のように、切欠き部15が発光部10内に孤立して形成されている場合(つまり、切欠き部15の周囲が、全てp型半導体層13で囲まれている場合)、n側配線37は、p型半導体層13の上に形成されることになる。 Specifically, as shown in FIG. 1, if the notch 15 is formed in isolation within the light emitting portion 10 (i.e., the surrounding notch 15, is surrounded on all p-type semiconductor layer 13 If you are), n-side interconnect 37 will be formed on the p-type semiconductor layer 13. n側電極30とp型半導体層13との短絡を防止するために、n側配線37とp型半導体層13と間に、絶縁膜60を介在させるとよい(図2B参照)。 To prevent a short circuit between the n-side electrode 30 and the p-type semiconductor layer 13, between the n-side interconnect 37 p-type semiconductor layer 13 and, it may be interposed an insulation film 60 (see FIG. 2B). また、絶縁膜60により、発光層12からn側配線37に入射する光が減少するので、n側配線37での発光吸収が抑制される。 Also, the insulating film 60, light incident from the light emitting layer 12 to the n-side interconnection 37 is so reduced, emission absorption in the n-side interconnection 37 is suppressed. よって、半導体発光素子1の光取出し効率が向上する効果も得られる。 Therefore, there is also an effect that the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting element 1 is improved.

また、別の例としては、切欠き部15が発光部10の外側まで連続して設けられている場合(図示せず)、n側配線37は、切欠き部15に(すなわち、n型半導体層11の上に)形成することができる。 As another example, if the notch 15 is provided continuously to the outside of the light emitting portion 10 (not shown), n-side interconnect 37, the cutout portion 15 (ie, n-type semiconductor on the layer 11) can be formed. n側配線37とn型半導体層11との間は絶縁する必要はないので、それらの間には絶縁膜を介在させても、させなくてもよい。 Since between the n-side interconnect 37 and the n-type semiconductor layer 11 does not need to be insulated, even between them is interposed an insulating film, it may not be allowed. 特に、絶縁膜を介在させると、発光層12からn側配線37に入射する光を減少させて、n側配線37での発光吸収を抑制することができる。 In particular, it is possible when interposing the insulating film, to reduce the light incident from the light-emitting layer 12 on the n-side interconnect 37, to suppress the emission absorption in the n-side interconnect 37. すなわち、絶縁膜を介在させることにより、半導体発光素子1の光取出し効率が向上する効果が得られる。 That is, by interposing the insulating film, the effect of light extraction efficiency of the semiconductor light emitting element 1 is improved is obtained.

なお、切欠き部15を形成するには、発光層12を除去する必要がある。 In order to form the notch 15, it is necessary to remove the light-emitting layer 12. よって、切欠き部15の面積をできるだけ小さくすると、発光層12の面積を広くすることができる。 Therefore, when minimizing the area of ​​the cutout portion 15, it is possible to increase the area of ​​the light-emitting layer 12. 特に、図1のように、切欠き部15を孤立して形成すると、切欠き部15の面積は、第2接続部35の形成に必要な面積まで縮小可能なため、発光部10の面積を広くするのに有利である。 In particular, as shown in FIG. 1, to form in isolation the notch 15, the area of ​​the notch 15, because it can reduce to the area required for forming the second connecting portion 35, the area of ​​the light emitting portion 10 it is advantageous to widely.

図1の半導体発光素子1を応用して、大面積化に適した半導体発光素子を形成することもできる。 By applying the semiconductor light-emitting element 1 in FIG. 1, it is possible to form the semiconductor light-emitting device which is suitable for large area. 図3及び図4を参照しながら、半導体発光素子1の応用例を詳細に説明する。 With reference to FIGS. 3 and 4, it will be described an application example of the semiconductor light emitting device 1 in detail.

図3に示すように、本発明の半導体発光素子1では、1つの発光部10に、n側電極30とp側電極40とから成る電極対50を複数形成してもよい。 As shown in FIG. 3, in the semiconductor light emitting device 1 of the present invention, in one light-emitting portion 10, the electrode pair 50 consisting of n-side electrode 30 and the p-side electrode 40. may be a plurality of forming. 図1と同様に、電極対50のp側電極40の2本の延伸部41の先端近傍には、第1接続部45(開口部51)がそれぞれ形成されている。 Similar to FIG. 1, the vicinity of the distal end of the two extending portions 41 of the p-side electrode 40 of the electrode pair 50, the first connecting portion 45 (the opening 51) are formed respectively. また、2つの第1接続部45を結ぶ領域55の内部には、n側電極30が形成されている。 Inside the region 55 connecting the two first connecting portions 45, n-side electrode 30 is formed. なお図3では、第1接続部45、開口部51及び領域55は1つ(上側)の電極対50のみに図示されているが、実際には、それらの構成は、全ての電極対50に形成されている。 In FIG. 3, the first connecting portion 45, openings 51 and regions 55 are illustrated only in the electrode pair 50 of one (upper), in fact, their construction is all the electrode pairs 50 It is formed.
特に、大面積の半導体発光素子1を形成する場合には、複数の電極対50を形成することにより、半導体発光素子1の全体を発光させることができる。 Particularly, in the case of forming the semiconductor light-emitting element 1 having a large area, by forming a plurality of electrode pairs 50 can emit light the entire semiconductor light emitting element 1. よって、大面積の半導体発光素子1であっても、発光むらを抑えることができる。 Therefore, even in the semiconductor light emitting element 1 having a large area, it is possible to suppress the uneven light emission.

図3には、2つのnパッド33と、2つのpパッド43とが図示されている。 3 includes two n-pad 33, and two p-pad 43 is shown. これらのパッド3、43は、半導体発光素子1と外部電源との接続の際に、ワイヤ等をボンディングする部分である。 These pads 3, 43, when the connection between the semiconductor light emitting element 1 and the external power supply, a portion of bonding wire or the like.
1つのnパッド33には、隣接する電極対20のn側電極30から、それぞれ1本(合計2本)のn側配線37が接続されている。 A single n-pad 33, the n-side electrode 30 of the adjacent electrode pair 20, n-side interconnect 37 of each one (total two) are connected. そして、全ての(図3では3つの)n側電極30が、nパッド33とn側配線37によって接続されている。 Then, all (the three in FIG. 3) an n-side electrode 30 are connected by the n-pad 33 and the n-side interconnect 37.
また、1つのpパッド43には、隣接する電極対20のp側電極40から、それぞれ1本(合計2本)の第1配線(p側配線)47が接続されている。 Further, the single p-pad 43, the p-side electrode 40 of the adjacent electrode pair 20, the first wirings each one (total two) (p-side interconnection) 47 is connected. そして、全ての(図3では3つの)p側電極40が、pパッド43とp側配線47によって接続されている。 Then, all (the three in FIG. 3) p-side electrode 40 are connected by the p-pad 43 and the p-side interconnect 47.
n側配線37及びp側配線47を上述のように接続することにより、複数の電極対50が並列に接続される。 By connecting the n-side interconnect 37 and the p-side interconnection 47 as described above, a plurality of electrode pairs 50 are connected in parallel.
なお、隣接する2つのn側電極30は、nパッド33と接続する前に、互いのn側配線37によって接続されてもよい。 Incidentally, two adjacent n-side electrode 30, before connecting the n-pad 33, may be connected by another of the n-side interconnect 37. また、隣接する2つのp側電極40も、pパッド43と接続する前に、互いのp側配線47によって接続されてもよい。 Also, two adjacent p-side electrode 40 is also Before connecting the p pad 43 may be connected by a p-side interconnection 47 to each other.

複数の電極対50は、直列に接続することもできる(図示せず)。 The plurality of electrode pairs 50 can also be connected in series (not shown). 2つの電極対20を直列接続する例を具体的に説明する。 Two electrode pairs 20 will be described in detail an example of series connection. 2つの電極対20を隣接配置し、一方の電極対20のn側電極30と、他方の電極対20のp側電極40とを、n側配線37及びp側配線47を介して接続する。 Two electrode pairs 20 arranged adjacently, the n-side electrode 30 of one electrode pair 20, and a p-side electrode 40 of the other electrode pair 20, connected via the n-side interconnect 37 and the p-side interconnect 47. そして、一方の電極対20のp側電極40は、p側配線47を介してpパッド43と接続する。 Then, the p-side electrode 40 of one electrode pair 20 is connected to the p-pad 43 via the p-side interconnect 47. 他方の電極対20のn側電極30は、n側配線37を介してnパッド33と接続する。 n-side electrode 30 of the other electrode pair 20 via the n-side interconnect 37 connected to the n-pad 33. 3つ以上の電極対20を直列接続する場合も同様に接続すればよく、隣接する電極対20のn側電極30とp側電極40とを接続し、両端に位置するn側電極30とp側電極40とを、それぞれnパッド33及びpパッド43と接続する。 Three or more electrode pairs 20 may be similarly connected may be connected in series, connects the n-side electrode 30 of the adjacent electrode pair 20 p-side electrode 40, and the n-side electrode 30 located at both ends p a side electrode 40, connected to the n-pad 33 and p-pad 43, respectively.

1つの発光部10に複数の電極対20を形成する場合には、図3のように並列に接続するのがより好ましい。 When forming a plurality of electrode pairs 20 into a single light emitting portion 10, it is more preferable to connect in parallel as shown in FIG. 電極対20を並列にすると、全ての電極対20の周囲の発光の強度がほぼ等しくなるので、発光部10の発光むらを抑制することができる。 When the electrode pair 20 in parallel, because the intensity of the emission of around all of the electrode pairs 20 become substantially equal, it is possible to suppress the uneven light emission of the light emitting portion 10.

図4に示すように、本発明の半導体発光素子1では、複数の発光部10を備えることができる。 As shown in FIG. 4, in the semiconductor light emitting device 1 of the present invention may comprise a plurality of light emitting portions 10. そのような半導体発光素子1は、特に、大面積の半導体発光素子1を形成するのに適している。 Such semiconductor light-emitting device 1 is particularly suitable for forming a semiconductor light emitting element 1 having a large area. 複数の発光部10を形成し、各発光部10を発光させることにより、大面積の半導体発光素子1であっても発光むらを抑えることができる。 Forming a plurality of light emitting portions 10, by emitting the light emitting portion 10 can be a semiconductor light emitting element 1 having a large area suppressing uneven light emission.

図4には、図3に示した「複数(3つ)の電極対50を備えた発光部10」を、さらに複数(3つ)備えた半導体発光素子1を図示している。 FIG. 4, the "light-emitting portion 10 having an electrode pair 50 of the plurality (three)" shown in FIG. 3, and further illustrates a plurality (three) semiconductor light emitting device 1 having. nパッド33は、一番下の発光部10の下縁部に形成され、pパッド43は、一番上の発光部10の上縁部に設けられている。 n pad 33 is formed on the lower edge of the light emitting portion 10 of the bottom, p pad 43 is provided on the upper edge of the light emitting portion 10 of the top. まん中の発光部10には、いずれのパッド33、43も形成されていない。 The light emitting portion 10 of the middle, one of the pads 33 and 43 not be formed.
また、隣り合う発光部10と発光部10との間から、基板3が露出されている。 Further, from between the light emitting portion 10 adjacent to the light emitting portion 10, the substrate 3 is exposed.

図4では、横方向(各発光部10内)に配列した3つの電極対20は、図3と同様に並列に接続されている。 In Figure 4, transverse three electrode pairs 20 arranged in (the light-emitting portions 10) are connected in parallel as in FIG 3.
そして、縦方向(隣接する発光部10間)に配列した3つの電極対20は、直列に接続される。 The longitudinal three electrode pairs 20 arranged in (adjacent between the light emitting portion 10 to be) are connected in series. つまり、縦方向に隣接する電極対20の一方に含まれるn側電極30(例えば、一番上の発光部10のn側電極30)と、他方に含まれるp側電極40(例えば、まん中の発光部10のp側電極40)とが、n側配線37及びp側配線47を介して接続されている。 That, n-side electrode 30 included in one electrode pair 20 adjacent in the vertical direction (for example, n-side electrode 30 of the light emitting portion 10 of the top), p-side electrode 40 included in the other (e.g., the middle a p-side electrode 40) of the light emitting portion 10, but is connected through the n-side interconnect 37 and the p-side interconnect 47. そして、一番上の発光部10のp側電極40は、p側配線47を介してpパッド43に接続さる。 Then, the p-side electrode 40 of the light emitting portion 10 of the top is connected monkey to p-pad 43 through the p-side interconnect 47. また、一番下の発光部10のn側電極30は、n側配線37を介してnパッド33に接続される。 Further, n-side electrode 30 of the light emitting portion 10 of the bottom is connected to the n-pad 33 through the n-side interconnect 37.

なお、縦方向(隣接する発光部10間)に配列した3つの電極対20も、並列に接続することもできる(図示せず)。 The vertical direction (the adjacent light emitting unit 10 between) three pairs of electrodes arranged in 20 well (not shown) can be connected in parallel. つまり、縦方向に並んだ電極対20の全てのn側電極30が、それぞれのn側配線37を介して接続され、全てのp側電極40が、それぞれのp側配線47を介して接続されてもよい。 That is, all of the n-side electrode 30 in the vertical direction aligned electrode pair 20 is connected through a respective n-side interconnect 37, all of the p-side electrode 40 are connected via the respective p-side interconnect 47 it may be. そして、いずれかのn側配線37がnパッド33に接続され、いずれかのp側配線47がpパッド43に接続される。 Then, either the n-side interconnect 37 is connected to the n-pad 33, either the p-side interconnection 47 is connected to the p-pad 43.

複数の発光部10に複数の電極対20を形成する場合には、並列に接続するのがより好ましい。 When forming a plurality of electrode pairs 20 into a plurality of light emitting portions 10, it is more preferable to connect in parallel. 電極対20を並列にすると、全ての電極対20の周囲の発光の強度がほぼ等しくなるので、発光部10の発光むらを抑制することができる。 When the electrode pair 20 in parallel, because the intensity of the emission of around all of the electrode pairs 20 become substantially equal, it is possible to suppress the uneven light emission of the light emitting portion 10.

図3及び図4では、n側配線37及びp側配線47の下側に絶縁膜が形成される(図示せず)。 3 and 4, the lower the insulating film of the n-side interconnection 37 and the p-side interconnection 47 is formed (not shown). 絶縁膜により、n側配線37及びp側配線47は、その下にあるn型半導体層11、p型半導体層13、及び透光性電極70と絶縁される。 The insulating film, n-side interconnect 37 and the p-side interconnect 47 is insulated from the n-type semiconductor layer 11, p-type semiconductor layer 13 and the transparent electrode 70, beneath it. なお、図4の発光部10間のように、基板13の上にn側配線37及びp側配線47を形成する場合にも、n側配線37及びp側配線47と基板13との間に絶縁膜を形成するのが好ましい。 Note that, as between the light emitting portion 10 of FIG. 4, between the case of forming the n-side interconnect 37 and the p-side interconnection 47 as well, the n-side interconnection 37 and the p-side interconnect 47 and the substrate 13 on the substrate 13 preferably, an insulating film is formed.

pパッド43は、発光部10の上側に形成されてもよいが、特に、発光部10の外側に形成されるのが好ましい。 p-pad 43 may be formed on the upper side of the light emitting portion 10, but particularly preferably be formed outside the light emitting unit 10. pパッド43を発光部10の外側に形成すると、発光層12からの光をpパッド43が吸収するのを防ぐことができる。 When the p-pad 43 are formed on the outside of the light emitting portion 10, light from the light-emitting layer 12 p-pad 43 can be prevented from being absorbed. さらに、pパッド43によって発光層12からの光が遮られるのを防止する効果も得られる。 Furthermore, there is also an effect to prevent the light from the light emitting layer 12 is blocked by the p-pad 43.

上面図(図3及び図4)における具体的なpパッド43の形成位置としては、発光素子1の端部が最も好ましい。 The forming position of the specific p-pad 43 in the top view (FIGS. 3 and 4), the ends of the light emitting element 1 being most preferred.
また、断面図における具体的なpパッド43の形成位置としては、基板3上又はn型半導体層11上が挙げられる。 Further, as a formation position of a specific p-pad 43 in cross section, and the substrate 3 or on n-type semiconductor layer 11 above. これらの位置は、直下に発光層12を含まないので、発光の吸収や遮光の影響を少なくできる。 These positions, does not include the light emitting layer 12 immediately below, can reduce the influence of light emission of the absorption and shielding. なお、n型半導体層11上にpパッド43を形成する場合には、絶縁膜等を介して絶縁する必要がある。 In the case of forming the p-pad 43 on the n-type semiconductor layer 11 needs to be insulated via an insulating film.

さらに、光吸収の抑制と遮光の低減のために、発光部10の上側に形成されるp側配線47の長さをできるだけ短くするのが好ましい。 Furthermore, in order to reduce shading and suppression of light absorption, it is preferable to minimize the length of the p-side interconnection 47 is formed on the upper side of the light emitting portion 10. 例えば、図3では、隣接する電極対20のp側電極40は、p側配線47やpパッド43を介して並列接続されるが、その際に、p側配線47の長さができるだけ短くなるように配線するのが好ましい。 For example, in FIG. 3, p-side electrode 40 of the adjacent electrode pair 20 is connected in parallel via the p-side interconnect 47 and p-pad 43, at that time, the length of the p-side interconnection 47 is as short as possible it is preferable to wiring so. 具体例としては、隣接する電極対20のそれぞれのp側電極40から、最近接の発光部10の縁部までp側配線47を延ばし、発光部10外側で互いのp側配線47を接続する。 Specific examples from each of the p-side electrode 40 of the adjacent electrode pair 20, extending the p-side interconnection 47 to the edge of the light emitting portion 10 of the closest, to connect the p-side interconnect 47 to each other at the outer light-emitting portion 10 .

また、nパッド33も、発光部10の上側に形成されてもよいが、特に発光部10の外側に形成されるのが好ましい。 Further, n pad 33 may also be formed on the upper side of the light emitting portion 10, but is preferably in particular being formed on the outside of the light emitting portion 10. nパッド33を発光部10の外側に形成すると、発光層12からの光をnパッド33が吸収するのを防ぐことができる。 When the n-pad 33 formed on the outside of the light emitting portion 10, light from the light-emitting layer 12 n-pad 33 can be prevented from being absorbed. さらに、pパッド43によって発光層12からの光が遮られるのを防止する効果も得られる。 Furthermore, there is also an effect to prevent the light from the light emitting layer 12 is blocked by the p-pad 43.

上面図(図3及び図4)における具体的なnパッド33の形成位置としては、発光素子1の端部が最も好ましい。 The forming position of the specific n-pad 33 in the top view (FIGS. 3 and 4), the ends of the light emitting element 1 being most preferred.
また、断面図における具体的なnパッド33の形成位置としては、基板3上又はn型半導体層11上が挙げられる。 Further, as a formation position of a specific n-pad 33 in cross section, and the substrate 3 or on n-type semiconductor layer 11 above. これらの位置は、直下に発光層12を含まないので、発光の吸収や遮光の影響を少なくできる。 These positions, does not include the light emitting layer 12 immediately below, can reduce the influence of light emission of the absorption and shielding.

また、p型半導体層13はp型窒化物半導体層であり、n型半導体層11はn型窒化物半導体層にすることができる。 Further, p-type semiconductor layer 13 is a p-type nitride semiconductor layer, n-type semiconductor layer 11 may be a n-type nitride semiconductor layer.
p型の窒化物半導体層は、n型の窒化物半導体層に比べて非常に抵抗が高いので、電流が面内に広がりにくい。 p-type nitride semiconductor layer, because very high resistance compared to the n-type nitride semiconductor layer, current does not easily spread in the plane. しかしながら、本発明では、p型半導体層13の表面に透光性電極70を有しており、この透光性電極70が、p型半導体層13の面内に電流を広げる補助として機能するので、発光層12に流れる電流も、面内に均一に流れやすくなる。 However, in the present invention, the surface of the p-type semiconductor layer 13 has a transparent electrode 70, the transparent electrode 70, since the function as an auxiliary to spread the current in the plane of the p-type semiconductor layer 13 , the current flowing to the light emitting layer 12 also tends to uniformly flow in the plane. よって、本発明は、p型半導体層13をp型窒化物半導体層から形成するのに好適である。 Accordingly, the present invention is suitable for p-type semiconductor layer 13 to form a p-type nitride semiconductor layer.

次に、各構成部材について詳述する。 Next, will be described in detail the components.

(基板3) (Substrate 3)
基板3は、半導体結晶をエピタキシャル成長させるのに適した材料から形成される。 Substrate 3 is formed of a semiconductor crystal of a material suitable for epitaxial growth. 窒化物半導体のエピタキシャル成長に適した基板3としては、C面、A面、R面のいずれかを主面とするサファイア(A1 )やスピネル(MgA 12 )のような絶縁性基板、またSiC(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド;LiNbO 、NdGaO 等の酸化物基板、窒化物半導体基板(GaN、AlN等)等が挙げられる。 The substrate 3 suitable for nitride semiconductor epitaxial growth, C plane, A plane, insulating substrate such as sapphire (A1 2 O 3) and spinel (MgA 12 O 4) to either the major surface of the R-plane and SiC (6H, 4H, 3C), silicon, ZnS, ZnO, GaAs, diamond, an oxide substrate such as LiNbO 3, NdGaO 3, such a nitride semiconductor substrate (GaN, AlN, etc.). また、半導体成長面がオフアングルした基板、或いは凹凸構造が設けられた基板であってもよい。 Further, the semiconductor growth surface may be a substrate off-angle and substrate, or the uneven structure is provided. なお、基板3は、最終的に除去することもできる。 The substrate 3 may be finally removed. さらに、透光性を有する基板であれば、半導体素子構造を積層した主面に対向するもう一方の主面側を光取り出し面とすることも可能である。 Furthermore, if a light-transmitting substrate, it is possible to the other principal surface side opposite to the main surface formed by laminating a semiconductor device structure and light extraction surface.

(発光部10) (Light-emitting portion 10)
半導体発光素子1を構成する発光部10としては、いわゆる発光ダイオード、レーザーダイオードなどが好適である。 The light emitting portion 10 constituting the semiconductor light emitting element 1, so-called light-emitting diodes, laser diodes are preferred. 発光部10の形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形又はこれに近い形状のものを利用することができる。 The shape of the light emitting portion 10 is not particularly limited, for example, can be utilized circular, oval, polygonal or which is close to the shape of things. 特に、三角形、四角形、六角形などの形状であると、半導体発光素子1を形成する際に、複数の発光部10を緻密に配置できるので好ましい。 In particular, a triangle, a rectangle, when a shape such as a hexagon, in forming the semiconductor light-emitting element 1, since a plurality of light emitting portions 10 can be densely arranged preferably.

発光部10の構造としては、MIS接合、PIN接合、PN接合等のホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。 The structure of the light emitting portion 10, MIS junction, PIN junction, homo structure, such as PN junction, include the hetero bond or a double heterojunction. また、半導体活性層12を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。 Also, a single quantum well structure where the semiconductor active layer 12 is formed on the thin quantum effect may be a multiple quantum well structure. 活性層12には、Si、Ge等のドナー不純物及び/又はZn、Mg等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。 The active layer 12, there is a case where Si, donor impurity and / or Zn such as Ge, the acceptor impurity such as Mg is doped. 得られる半導体発光素子1の発光波長は、半導体の材料、混晶比、活性層12のInGaNのIn含有量、活性層12にドープする不純物の種類を変化させる等によって、紫外領域から赤外領域まで変化させることができる。 Emission wavelength of the semiconductor light emitting element 1 obtained is a semiconductor material, the mixed crystal ratio, In content of the InGaN active layer 12, such as by changing the kind of impurities to be doped into the active layer 12, the infrared region from ultraviolet region it can be changed to.

発光部10に含まれるn型半導体層11、活性層12及びp型半導体層13は、例えば、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体から形成することができる。 n-type semiconductor layer 11 included in the light emitting portion 10, the active layer 12 and the p-type semiconductor layer 13, for example, InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, nitride semiconductors such as InGaAlN, III-V group compound semiconductor, II -VI compound semiconductor or the like, can be formed from a variety of semiconductor. 特に、n型半導体層11、活性層12p型半導体層13は、窒化物半導体から形成するのが好ましい。 In particular, n-type semiconductor layer 11, active layer 12p-type semiconductor layer 13 is preferably formed from a nitride semiconductor.

窒化物半導体から成る発光部10の具体例としては、例えば、AlGaNよりなるバッファ層、アンドープGaN層、Siドープn型GaNよりなるn側コンタクト層、GaN層とInGaN層とを交互に積層させた超格子構造のn側クラッド層、GaN層とInGaN層とを交互に積層させた多重量子井戸構造の発光層、MgドープAlGaN層とMgドープInGaN層とを交互に積層させた超格子構造のp側クラッド層、MgドープGaNよりなるp側コンタクト層を含むことができる。 Specific examples of the light emitting unit 10 composed of a nitride semiconductor, for example, a buffer layer made of AlGaN, an undoped GaN layer, n-side contact layer made of Si-doped n-type GaN, were alternately stacked and the GaN layer and the InGaN layer n-side cladding layer of super lattice structure, the light emitting layer of multiple quantum well structure formed by laminating alternately a GaN layer and the InGaN layer, p superlattice structure formed by laminating alternately a Mg-doped AlGaN layer and Mg-doped InGaN layer side cladding layer may include a p-side contact layer made of Mg-doped GaN.

(電極30、40) (Electrodes 30 and 40)
電極30、40は、第1接続部45及び第2接続部35を形成する際に、n型半導体層11もしくは透光性電極70と接続される。 Electrodes 30 and 40, when forming the first connecting portion 45 and the second connecting portion 35 is connected to the n-type semiconductor layer 11 or the transparent electrode 70. よって、第1接続部45及び第2接続部35が低抵抗な状態で接続できるように、電極30、40の材料が選択される。 Therefore, the first connecting portion 45 and the second connecting portion 35 so as to be connected in a low resistance state, the material of the electrodes 30 and 40 is selected. 電極30、40を積層構造で設ける場合、例えばAu、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Tiのいずれかの金属またはこれらの合金やそれらの組み合わせとすることができる。 When providing the electrodes 30 and 40 in laminate structure can be, for example, Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, and any metal or an alloy or combination thereof of Ti. 具体的な一例として、窒化物半導体層や透光性電極70と接続する側からTi/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au/Ni、Pt/Au、Ti/Rhなどを用いて構成することができる。 As a specific example, the nitride semiconductor layer and the translucent electrode 70 and Ti / Rh / Au from the side of connecting, W / Pt / Au, Rh / Pt / Au, W / Pt / Au / Ni, Pt / Au it can be constructed by using a Ti / Rh.

(透光性電極70) (Translucent electrode 70)
発光部上の第2導電型半導体層に設けられる透光性電極70は、第2導電型半導体層の全面に設けられることが好ましい。 Translucent electrode 70 provided on the second conductive type semiconductor layer on the light emitting portion is preferably provided on the entire surface of the second conductive type semiconductor layer. 発光層12からの光は、この透光性電極70を通って外部に放出される。 Light from the light emitting layer 12 is emitted to the outside through the transparent electrode 70. そのため、透光性電極70には、特に、発光層で発生する光の波長域における光透過率が大きい材料が好適に用いられる。 Therefore, the transparent electrode 70, in particular, the material the light transmittance is large in the wavelength range of the light generated in the light emitting layer is preferably used. 例えば、透光性電極70としては、In、Zn、Sn、Ga、W、Tiから選択される少なくとも1種を含む導電性の酸化物、具体的には、ITO、IZO、ZnO、In 、SnO 、TiO 及びこれらの複合酸化物が挙げられる。 For example, the transparent electrode 70, In, Zn, Sn, Ga, W, a conductive oxide containing at least one selected from Ti, specifically, ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3, SnO 2, TiO 2 and composite oxides thereof.

(絶縁膜50、60) (Insulating film 50, 60)
絶縁膜50、60は、p型半導体層13よりも屈折率の小さい材料から形成するのが好ましい。 Insulating film 50 and 60 is preferably formed from a material having a low refractive index than the p-type semiconductor layer 13. これにより、p型半導体層13側から入射した光は、p型半導体層13と絶縁膜50、60との界面で全反射が起こりやすくなる。 Thus, light incident from the p-type semiconductor layer 13 side, the total reflection tends to occur at the interface between the p-type semiconductor layer 13 and the insulating film 50 and 60. よって、絶縁膜50、60の上側に形成されたn側電極30(n側配線37を含む)及びp側電極40(p側配線47を含む)に入射する発光を効果的に低減して、それらの電極30、40に吸収される発光を低減することができる。 Therefore, to effectively reduce the emission incident on the n-side electrode 30 formed on the upper side of the insulating film 50 and 60 (including the n-side interconnect 37) and (including the p-side interconnect 47) p-side electrode 40, it is possible to reduce the emission to be absorbed into the electrodes 30 and 40. その結果、半導体発光素子1の発光の取出し効率を向上させることができる。 As a result, it is possible to improve the extraction efficiency of light emission of the semiconductor light emitting element 1.
p型半導体層13がGaNに代表される窒化物半導体層(n=2.5〜2.6)から成る場合、絶縁膜50、60は、屈折率が2.5未満(n<2.5)の材料が適している。 If p-type semiconductor layer 13 is made of a nitride semiconductor layer typified by GaN (n = 2.5~2.6), the insulating film 50 and 60 has a refractive index less than 2.5 (n <2.5 materials are suitable for).

さらに、絶縁膜50、60は、透光性電極70よりも屈折率の小さい材料から形成するのが好ましい。 Furthermore, the insulating film 50 and 60 is preferably formed from a material having a low refractive index than the light-transmitting electrode 70. これにより、透光性電極70の上に絶縁膜50、60が形成された場所において、透光性電極70と絶縁膜50、60との界面で全反射が起こりやすくなる。 Thus, in a place where the insulating film 50 and 60 is formed on the transparent electrode 70, the total reflection tends to occur at the interface between the insulating film 50 and 60 and the transparent electrode 70. よって、絶縁膜50、60の上側に形成されたn側電極30(n側配線37を含む)及びp側電極40(p側配線47を含む)に入射する発光を効果的に低減して、それらの電極30、40に吸収される発光を低減することができる。 Therefore, to effectively reduce the emission incident on the n-side electrode 30 formed on the upper side of the insulating film 50 and 60 (including the n-side interconnect 37) and (including the p-side interconnect 47) p-side electrode 40, it is possible to reduce the emission to be absorbed into the electrodes 30 and 40. その結果、半導体発光素子1の発光の取出し効率を向上させることができる。 As a result, it is possible to improve the extraction efficiency of light emission of the semiconductor light emitting element 1.
透光性電極70がITO(屈折率:n=2.1〜2.2)である場合、絶縁膜50、60に適した材料には、SiO (n=1.46)、Al (n=1.6)などがある。 Translucent electrode 70 is ITO (refractive index: n = 2.1-2.2) if it, Suitable materials for the insulating layer 50,60, SiO 2 (n = 1.46 ), Al 2 O there is such as 3 (n = 1.6).

<第2の実施形態> <Second Embodiment>
図5は、延伸部41に第1接続部45(開口部51)を3つ設けた点で、第1の実施形態と異なる。 5, the extending portion 41 first connection portion 45 in that provided three (the opening 51), different from the first embodiment. 第1接続部45を3つ以上設けると、それらを結ぶ領域55が多角形となるため、領域55の面積は、主に第1接続部45の配置に依存する。 When the first connection part 45 more than three provided, since the region 55 connecting them is polygonal, the area of ​​the region 55 is primarily dependent on the arrangement of the first connecting portion 45. よって、本実施の形態では、第1接続部45の寸法が小さくても、十分な面積の領域55を確保できる。 Therefore, in the present embodiment, even if small size of the first connecting portion 45, can be secured area 55 of sufficient area.
なお、第1の実施形態(図1参照)では、第1接続部45を2つだけ設けているので、第1接続部45を結んだ領域55の面積は、第1接続部45の寸法(例えば、延伸部41の延伸方向における第1接続部45の長さ)に依存する。 In the first embodiment (see FIG. 1), since there is provided a first connecting portion 45 only two, the area of ​​the region 55 connecting the first connection part 45, the dimensions of the first connecting portion 45 ( for example, depending on the length of the first connecting portion 45) in the extending direction of the extending portion 41. よって、第1の実施形態では、領域55の面積を確保しながら、第1接続部45の寸法を小さくすることが難しい。 Therefore, in the first embodiment, while ensuring the area of ​​the region 55, it is difficult to reduce the size of the first connecting portion 45.

このように、本実施形態では、領域55の面積を確保しながら第1接続部45(開口部51)の寸法を小さくできるので、延伸部41と透光性電極70(p型半導体層13)との間に備える絶縁膜50を大きく設けることができる。 Thus, in the present embodiment, since the dimension of the first connecting part while securing the area of ​​the region 55 45 (opening 51) can be reduced, extending portions 41 and the light transmitting electrode 70 (p-type semiconductor layer 13) it can be provided large insulating film 50 provided between the. よって、延伸部41での発光吸収をさらに抑制することができる。 Therefore, it is possible to further suppress the emission absorption in the extending portion 41.

また、本実施形態も、第1の実施形態と同様に、領域55の内部にn側電極30の第2接続部35の少なくとも一部が含まれているので、n側電極30周囲の暗部が減少し、発光むらを抑えることができる。 Further, the present embodiment also, as in the first embodiment, because it contains at least a portion of the second connecting portion 35 of the n-side electrode 30 inside the region 55, n-side electrode 30 surrounding a dark portion reduced, it is possible to suppress the uneven light emission.

本実施形態では、第1接続部45(開口部51)の個数は、3つ以上であれば任意に選択できる。 In the present embodiment, the number of the first connection part 45 (the opening 51) can be arbitrarily selected as long as three or more. また、第1接続部45の配置は任意に設計することができる。 The arrangement of the first connecting portion 45 can be arbitrarily designed. 一例として、図6〜図7に、5つの第1接続部45の配置例を示す。 As an example, in FIGS. 6 and 7 show an example of arrangement of five first connection portion 45.

図6〜図7に示す半導体発光素子1では、5つの第1接続部45を設けている。 In the semiconductor light-emitting device 1 shown in FIGS. 6 and 7, is provided with five first connection portion 45. まず、2本の延伸部41の先端に、第1接続部45(451)を各々1つ(合計2つ)形成する。 First, the tip of the two extending portions 41, each one (total of two) the first connection portion 45 (451) are formed. そして、2つの延伸部41のほぼ中央の位置に第1接続部45(452)を1つ形成する。 Then, at substantially the center position of the two extending portions 41 first connecting portion 45 (452) to form one. 第1接続部452から湾曲して左右に延びる延伸部41に、さらに第1接続部45(453)を各々1つ(合計2つ)形成する。 The extending portion 41 extending in the left-right curved from the first connection portion 452, each one (total of two) further first connection portion 45 (453) are formed. 第1接続部453は、湾曲した延伸部41に沿って、中央の第1接続部452と端部の第1接続部451との間に位置することになる。 The first connecting portion 453 along the extending portion 41 that is curved, will be located between the first connecting portion 451 of the first connecting portion 452 and the end of the central.
ここで、図6では、第1接続部453は、延伸部41に沿って測定したときに、隣接する中央の第1接続部452と端部の第1接続部541との間隔が等しくなるように配置されている。 In FIG. 6, the first connecting portion 453, when measured along the extending portion 41, so that the distance between the first connecting portion 541 of the first connecting portion 452 and the end portion of the center adjacent equals It is located in. 一方、図7では、図6に比べると、第1接続部453が先端の第1接続部451寄りに配置されている。 On the other hand, in FIG. 7, compared to FIG. 6, the first connecting portion 453 is disposed on the first connecting portion 451 toward the tip.

なお、図6〜図7では、第1接続部45は左右対称の位置に配置されているが、これに限定されず、左右非対称に配置しても構わない。 In FIG. 6-7, the first connecting portion 45 is arranged at a position symmetrical but, not limited to this, may be arranged asymmetrically. また、形成する第1接続部45の個数によっては、中央の第1接続部452を形成しなくてもよい。 Also, depending on the number of the first connecting portion 45 which forms, it is not necessary to form the first connecting portion 452 of the center.

図6〜図7のいずれの半導体発光素子1でも、領域55の内側にn側電極30の第2接続部35の少なくとも一部が含まれているので、n側電極30周囲の暗部が減少し、発光むらを抑えることができる。 Any of the semiconductor light-emitting device 1 of FIGS. 6 and 7, because it contains at least a portion of the second connecting portion 35 of the n-side electrode 30 inside the region 55, n-side electrode 30 surrounding a dark portion is reduced , it is possible to suppress the uneven light emission. 特に、図6のように開口部51を等間隔に形成すると、発光むらが最も小さくできる。 In particular, when formed at equal intervals openings 51 as shown in FIG. 6, uneven light emission can be minimized.

なお、開口部51の形状は、図3〜図5では円形にされているが、これに限定されない。 The shape of the opening 51 has been circular in FIGS. 3 to 5, but is not limited thereto. 第1接続部45は、少なくともp側電極から透光性電極70に電流が流れればよく、楕円形、多角形等の任意の形状にすることができる。 The first connection portion 45 may be current to the transparent electrode 70 at least from p-side electrode flows through, can be oval, any shape such as a polygon.

上述の第1及び第2の実施形態では、第1導電型半導体層がp型半導体層13から成り、第2導電型半導体層がn型半導体層11から成る半導体発光素子1を説明してきた。 In the first and second embodiments, the first conductive type semiconductor layer composed of p-type semiconductor layer 13, the second conductive type semiconductor layer has been described semiconductor light emitting element 1 made of n-type semiconductor layer 11. しかしながら、特に限定する場合を除いて、本発明は、第1導電型半導体層がn型半導体層から成り、第2導電型半導体層がp型半導体層から成る半導体発光素子も含むものと理解されるべきである。 However, except where specifically limited, the present invention, the first conductive type semiconductor layer composed of n-type semiconductor layer, the second conductive type semiconductor layer is understood to include also a semiconductor light-emitting device comprising a p-type semiconductor layer is Rubeki. この場合、第1電極がn側電極、第2電極はp側電極となる。 In this case, the first electrode is an n-side electrode, the second electrode becomes a p-side electrode.

また、本発明で使用される透光性電極70は、第1導電型半導体層が高抵抗の場合(例えばp型窒化物半導体層から成る場合)に、第1導電型半導体層の面内に沿って電流を拡げるのに非常に有効である。 Further, the transparent electrode 70 used in the present invention, when the first conductive type semiconductor layer of high resistance (for example, when a p-type nitride semiconductor layer), in the plane of the first conductivity type semiconductor layer it is very effective in spreading the current along. しかしながら、第1導電型半導体層の抵抗がそれほど高くなく、第1導電型半導体層の内部で十分に電流を拡げることができる場合等には、透光性電極70を設けなくてもよい。 However, resistance is not so high in the first conductive type semiconductor layer, the like if it can be expanded sufficiently current inside the first conductive type semiconductor layer, it may not be provided transparent electrode 70.

本発明の半導体発光素子は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレター等、種々の光源に使用することができる。 The semiconductor light-emitting device of the present invention, the illumination light source, various indicators light sources, automotive light sources, light sources for displays, liquid crystal backlight light source, the sensor light source, traffic signal, vehicle component, billboards channel letters, etc., various light sources it can be used for.

1 半導体発光素子 3 基板 10 発光部 11 第1導電型層(n型半導体層) 1 semiconductor light-emitting element 3 substrate 10 light-emitting portion 11 a first conductivity type layer (n-type semiconductor layer)
12 発光層 13 第2導電型層(p型半導体層) 12 light-emitting layer 13 and the second conductivity type layer (p-type semiconductor layer)
15 切欠き部 20 電極対 30 第1電極(n側電極) 15 notch 20 electrode pairs 30 first electrode (n side electrode)
33 nパッド 35 第2接続部 37 第2配線(n側配線) 33 n pad 35 second connecting portion 37 and the second wiring (n-side interconnect)
40 第2電極(p側電極) 40 second electrode (p side electrode)
41 延伸部 43 pパッド 45 第1接続部 47 第1配線(p側配線) 41 extending portion 43 p pad 45 first connecting portion 47 first wiring (p-side interconnection)
50、60 絶縁膜 51 開口部 55 領域 70 透光性電極 50, 60 insulating film 51 opening 55 area 70 translucent electrode

Claims (10)

  1. 第2導電型層、発光層及び第1導電型層を順に積層した発光部と、 A light emitting portion formed by laminating a second conductive type layer, a light emitting layer and the first conductivity type layer in this order,
    前記第2導電型層に接続された第2電極と、前記第1導電型層上に透光性電極を有し、該透光性電極に接続された第1電極と、からなる電極対と、を備えた半導体発光素子であって、 A second electrode connected to the second conductivity type layer, wherein the first conductivity type layer has a transparent electrode, a first electrode connected to the light-transmissive electrode, consisting of electrode pairs and , a semiconductor light-emitting device comprising a,
    前記半導体発光素子を上面から見て、 Watching the semiconductor light emitting element from above,
    前記第1電極は、前記第2電極を囲むように形成された延伸部を含み、 The first electrode includes a stretching portion formed so as to surround the second electrode,
    前記延伸部の下部に、絶縁膜を備えると共に、前記透光性電極と電気的に接続される第1接続部を2つ以上有し、 Wherein the lower portion of the extending portion, with an insulating film having a first connection portion to be connected to the translucent electrode and electrically two or more,
    前記第2電極は、少なくとも2つの前記第1接続部を結ぶ領域に、前記第2導電型半導体層と電気的に接続される第2接続部を有する ことを特徴とする半導体発光素子。 The second electrode is a region connecting the at least two of said first connecting portion, the semiconductor light emitting device characterized by having a second connecting portion that is connected to the second conductive semiconductor layer and electrically.
  2. 前記延伸部は前記第1接続部を少なくとも3つ備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 The device according to claim 1 wherein the extending portion is characterized in that it comprises at least three said first connecting portion.
  3. 前記第1接続部が、前記延伸部の先端と対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。 Wherein the first connecting portion, the semiconductor light-emitting device according to claim 1 or 2, characterized in that it is formed at a position corresponding to the tip of the extending portion.
  4. 前記第1電極は、発光部の外から延伸してなり、前記延伸部が、略U字状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 It said first electrode is made to extend from the outside of the light emitting portion, wherein the extending portion is a semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a substantially U-shaped.
  5. 前記第2電極は、第第2配線を含み、 Said second electrode includes first second wiring,
    該第2配線の下部に、絶縁膜を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 The lower part of the second wiring, the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it comprises an insulating film.
  6. 前記発光部に前記電極対が複数形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the electrode pairs are formed in plural on the light emitting portion.
  7. 複数の前記発光部を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein a plurality of said light emitting portion.
  8. 前記絶縁膜が、前記透光性電極より屈折率の小さい材料からなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 The insulating film, the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that it consists of a material having a small refractive index of the light-transmissive electrode.
  9. 前記第1電極は、発光部の外に外部と接続されるパッド部を備えることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 The first electrode, the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 8, characterized in that it comprises a pad portion connected to an external to the outside of the light emitting portion.
  10. 前記第1導電型層は、p型の窒化物半導体層であり、第2導電型層は、n型の窒化物半導体層であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 The first conductivity type layer is a p-type nitride semiconductor layer, the second conductivity type layer, in any one of claims 1 to 9, characterized in that the n-type nitride semiconductor layer the device according.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011061077A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Toyoda Gosei Co Ltd Semiconductor light emitting element
JP2011187670A (en) * 2010-03-08 2011-09-22 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting element
JP2012169392A (en) * 2011-02-14 2012-09-06 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2012209475A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Sanken Electric Co Ltd Light emitting element
JP2013098561A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Lg Innotek Co Ltd The light-emitting element
JP2013098562A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Lg Innotek Co Ltd Light-emitting element and light-emitting element package
JP2013161851A (en) * 2012-02-02 2013-08-19 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting element
JP2014225539A (en) * 2013-05-16 2014-12-04 日亜化学工業株式会社 The light-emitting element
JP2015109332A (en) * 2013-12-04 2015-06-11 シャープ株式会社 Semiconductor light emitting element
JP2016025341A (en) * 2014-07-25 2016-02-08 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light-emitting element
US9761761B2 (en) 2015-02-13 2017-09-12 Nichia Corporation Light-emitting element

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (en) * 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Iii nitride compound semiconductor element
JP2003110138A (en) * 2001-09-28 2003-04-11 Nichia Chem Ind Ltd Nitride semiconductor light emitting diode
JP2003174193A (en) * 2001-12-04 2003-06-20 Sharp Corp Nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and manufacturing method thereof
JP2003243709A (en) * 2002-02-15 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor light emitting element
JP2006073618A (en) * 2004-08-31 2006-03-16 Toyoda Gosei Co Ltd Optical element and manufacturing method thereof
JP2008210903A (en) * 2007-02-25 2008-09-11 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light emitting element

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (en) * 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Iii nitride compound semiconductor element
JP2003110138A (en) * 2001-09-28 2003-04-11 Nichia Chem Ind Ltd Nitride semiconductor light emitting diode
JP2003174193A (en) * 2001-12-04 2003-06-20 Sharp Corp Nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and manufacturing method thereof
JP2003243709A (en) * 2002-02-15 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor light emitting element
JP2006073618A (en) * 2004-08-31 2006-03-16 Toyoda Gosei Co Ltd Optical element and manufacturing method thereof
JP2008210903A (en) * 2007-02-25 2008-09-11 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light emitting element

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011061077A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Toyoda Gosei Co Ltd Semiconductor light emitting element
JP2011187670A (en) * 2010-03-08 2011-09-22 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting element
US9159878B2 (en) 2010-03-08 2015-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US8461615B2 (en) 2010-03-08 2013-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
JP2012169392A (en) * 2011-02-14 2012-09-06 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2012209475A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Sanken Electric Co Ltd Light emitting element
JP2013098562A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Lg Innotek Co Ltd Light-emitting element and light-emitting element package
JP2013098561A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Lg Innotek Co Ltd The light-emitting element
JP2013161851A (en) * 2012-02-02 2013-08-19 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor light-emitting element
JP2014225539A (en) * 2013-05-16 2014-12-04 日亜化学工業株式会社 The light-emitting element
JP2015109332A (en) * 2013-12-04 2015-06-11 シャープ株式会社 Semiconductor light emitting element
JP2016025341A (en) * 2014-07-25 2016-02-08 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light-emitting element
US9761761B2 (en) 2015-02-13 2017-09-12 Nichia Corporation Light-emitting element

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