JP2010199240A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】樹脂基板を薄層化しても、配線基板の剛性低下を抑制できる配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板10のパターン形成面に形成された配線パターン22が絶縁性樹脂層24によって被覆され、且つ搭載される電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッド26,28の接続面が絶縁性樹脂層24に形成された凹部の底面に露出している配線基板であって、絶縁性樹脂層24がガラス繊維から成る織布32によって補強されている。
【選択図】図1
【解決手段】樹脂基板10のパターン形成面に形成された配線パターン22が絶縁性樹脂層24によって被覆され、且つ搭載される電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッド26,28の接続面が絶縁性樹脂層24に形成された凹部の底面に露出している配線基板であって、絶縁性樹脂層24がガラス繊維から成る織布32によって補強されている。
【選択図】図1
Description
本発明は配線基板及びその製造方法に関する。
半導体装置の製造工程では、図6(a)に示す短冊状の配線基板100が用いられている。この配線基板100は、その長軸方向に半導体素子等の電子部品が搭載される搭載部分102,102・・が形成されている。かかる搭載部分102は、スリット104,104・・に囲まれており、スリット104,104の間に形成された掛渡部106,106によって配線基板100の本体部108に繋がっている。
この搭載部分102を形成する樹脂基板110の一面側には、配線基板100の横断面図である図6(b)に示す様に、配線パターン112,112・・及び半導体素子114の電極端子と接続されるパッド116,116・・が形成されている。
更に、樹脂基板100の他面側には、外部接続端子としてのはんだボール118が装着されるパッド120,120・・が形成されている。
かかる配線パターン112,112・・は、樹脂基板110の両面側を覆うソルダーレジストから成る絶縁性樹脂層124によって被覆され、パッド116,120は絶縁性樹脂層124に形成された凹部の底面に露出している(下記特許文献1参照)。
尚、樹脂基板102の一面側に形成されたパッド116と樹脂基板102の他面側に形成されたパッド120とは、配線パターン112及び樹脂基板110を貫通するヴィア122によって電気的に接続されている。
この搭載部分102を形成する樹脂基板110の一面側には、配線基板100の横断面図である図6(b)に示す様に、配線パターン112,112・・及び半導体素子114の電極端子と接続されるパッド116,116・・が形成されている。
更に、樹脂基板100の他面側には、外部接続端子としてのはんだボール118が装着されるパッド120,120・・が形成されている。
かかる配線パターン112,112・・は、樹脂基板110の両面側を覆うソルダーレジストから成る絶縁性樹脂層124によって被覆され、パッド116,120は絶縁性樹脂層124に形成された凹部の底面に露出している(下記特許文献1参照)。
尚、樹脂基板102の一面側に形成されたパッド116と樹脂基板102の他面側に形成されたパッド120とは、配線パターン112及び樹脂基板110を貫通するヴィア122によって電気的に接続されている。
図6に示す配線基板100によれば、配線基板100の所定箇所に半導体素子114を実装し、樹脂モールドを施した後に、掛渡部106,106・・を切断することによって、半導体装置を得ることができる。
ところで、近年、半導体装置では、その薄層化が進展し、配線基板100の薄層化が要請されている。
かかる要請に応えるべく、樹脂基板110の厚さを薄くすると、配線基板100の剛性が低下し、半導体装置の製造工程でトラブルが発生し易くなって、半導体装置の歩留率が低下する傾向がある。
そこで、本発明では、樹脂基板の薄層化に伴って配線基板の強度が低下する従来の配線基板の課題を解決し、樹脂基板を薄層化しても、配線基板の剛性低下を抑制できる配線基板及びその製造方法を提供する。
ところで、近年、半導体装置では、その薄層化が進展し、配線基板100の薄層化が要請されている。
かかる要請に応えるべく、樹脂基板110の厚さを薄くすると、配線基板100の剛性が低下し、半導体装置の製造工程でトラブルが発生し易くなって、半導体装置の歩留率が低下する傾向がある。
そこで、本発明では、樹脂基板の薄層化に伴って配線基板の強度が低下する従来の配線基板の課題を解決し、樹脂基板を薄層化しても、配線基板の剛性低下を抑制できる配線基板及びその製造方法を提供する。
本発明者は、前記課題を解決すべく検討した結果、樹脂基板110の両面側に形成した配線パターン112,112・・を被覆する絶縁性樹脂層124として、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材によって補強されている絶縁性樹脂層を用いることによって、樹脂基板110を薄層化しても、配線基板110の剛性の低下が少ないことを知り、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、樹脂基板のパターン形成面に形成された配線パターンが絶縁性樹脂層によって被覆され、且つ搭載される電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッドの接続面が前記絶縁性樹脂層に形成された凹部の底面に露出している配線基板であって、前記絶縁性樹脂層が電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材によって補強されていることを特徴とする配線基板にある。
また、本発明は、配線パターンと搭載する電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッドとが形成された樹脂基板のパターン形成面の全面に、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材によって補強された、半硬化状態の熱硬化性樹脂から成るシート状体のプリプレグを被着した後、前記熱硬化性樹脂の硬化を完了して前記樹脂基板と一体化して、前記補強材によって補強された絶縁性樹脂層を形成し、次いで、前記絶縁層樹脂層にレーザを照射して、前記パッドの接続面が底面に露出する凹部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法でもある。
すなわち、本発明は、樹脂基板のパターン形成面に形成された配線パターンが絶縁性樹脂層によって被覆され、且つ搭載される電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッドの接続面が前記絶縁性樹脂層に形成された凹部の底面に露出している配線基板であって、前記絶縁性樹脂層が電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材によって補強されていることを特徴とする配線基板にある。
また、本発明は、配線パターンと搭載する電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッドとが形成された樹脂基板のパターン形成面の全面に、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材によって補強された、半硬化状態の熱硬化性樹脂から成るシート状体のプリプレグを被着した後、前記熱硬化性樹脂の硬化を完了して前記樹脂基板と一体化して、前記補強材によって補強された絶縁性樹脂層を形成し、次いで、前記絶縁層樹脂層にレーザを照射して、前記パッドの接続面が底面に露出する凹部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法でもある。
かかる本発明において、プリプレグとして、布帛状の補強材によって補強した半硬化状態の熱硬化性樹脂から成るシート状体のプリプレグを用いることにより、剛性等のバラツキを可及的に少なくした配線基板を得ることができる。
また、絶縁性樹脂層を、樹脂基板を形成する樹脂と同一種類の樹脂によって形成することによって、絶縁性樹脂層を樹脂基板と同等程度の電気絶縁性と高温・高湿度下での耐熱性とを呈し得るものにできる。
更に、樹脂基板として、補強材によって補強することなく樹脂のみによって形成した樹脂基板を用い、前記樹脂基板と絶縁層樹脂層との合計厚さを0.03〜0.2mmとなるように、前記樹脂基板と絶縁層樹脂層との厚さを調整することによって、薄く且つ高剛性の配線基板を得ることができる。
また、絶縁性樹脂層を、樹脂基板を形成する樹脂と同一種類の樹脂によって形成することによって、絶縁性樹脂層を樹脂基板と同等程度の電気絶縁性と高温・高湿度下での耐熱性とを呈し得るものにできる。
更に、樹脂基板として、補強材によって補強することなく樹脂のみによって形成した樹脂基板を用い、前記樹脂基板と絶縁層樹脂層との合計厚さを0.03〜0.2mmとなるように、前記樹脂基板と絶縁層樹脂層との厚さを調整することによって、薄く且つ高剛性の配線基板を得ることができる。
本発明に係る配線基板によれば、樹脂基板のパターン形成面に形成した配線パターンを被覆する絶縁性樹脂層は、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材によって補強されている。
このため、樹脂基板を薄くしても、配線基板の剛性の低下を可及的に少なくできる結果、薄層化した配線基板であっても、半導体装置の製造工程の通過性を良好に維持でき、薄層化した半導体装置の歩留率の向上を図ることができる。
このため、樹脂基板を薄くしても、配線基板の剛性の低下を可及的に少なくできる結果、薄層化した配線基板であっても、半導体装置の製造工程の通過性を良好に維持でき、薄層化した半導体装置の歩留率の向上を図ることができる。
本発明に係る配線基板の一例を図1に示す。図1に示す配線基板は、図1(a)に示す様に、配線基板10は、その長軸方向に半導体素子等の電子部品が搭載される搭載部分12,12・・が形成されている。かかる搭載部分12は、スリット14,14に囲まれており、スリット14,14の間に形成された掛渡部16,16によって配線基板10の本体部18に繋がっている。
この搭載部分12を形成する樹脂基板20には、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材が配合されておらず、樹脂のみから成る樹脂基板である。
かかる樹脂基板20の一面側には、配線基板10の横断面図である図1(b)に示す様に、配線パターン22,22・・及び搭載する半導体素子等の電子部品の電極端子と接続されるパッド26,26・・が形成されている。
更に、樹脂基板20の他面側には、外部接続端子としてのはんだボール等が装着されるパッド28,28・・が形成されている。
かかる配線パターン22,22・・は、樹脂基板20の両面側を覆う絶縁性樹脂層24,24によって被覆され、パッド26,28は絶縁性樹脂層24に形成された凹部の底面に露出している。
尚、樹脂基板20の一面側に形成されたパッド26と樹脂基板20の他面側に形成されたパッド28とは、配線パターン22及び樹脂基板20を貫通するヴィア30によって電気的に接続されている。
この搭載部分12を形成する樹脂基板20には、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材が配合されておらず、樹脂のみから成る樹脂基板である。
かかる樹脂基板20の一面側には、配線基板10の横断面図である図1(b)に示す様に、配線パターン22,22・・及び搭載する半導体素子等の電子部品の電極端子と接続されるパッド26,26・・が形成されている。
更に、樹脂基板20の他面側には、外部接続端子としてのはんだボール等が装着されるパッド28,28・・が形成されている。
かかる配線パターン22,22・・は、樹脂基板20の両面側を覆う絶縁性樹脂層24,24によって被覆され、パッド26,28は絶縁性樹脂層24に形成された凹部の底面に露出している。
尚、樹脂基板20の一面側に形成されたパッド26と樹脂基板20の他面側に形成されたパッド28とは、配線パターン22及び樹脂基板20を貫通するヴィア30によって電気的に接続されている。
図1に示す絶縁性樹脂層24,24の各々は、補強材として、電気絶縁性の無機繊維としてのガラス繊維から成る布帛である織布32によって補強されている。かかるガラス繊維から成る織布32は、最も厚くなる経糸と緯糸との交差部でも厚さが25μm程度のものである。
この織布32としては、有機繊維から成る織布を用いることができる。この有機繊維としては、ポリエステル樹脂又はポリアミド樹脂から成る有機繊維を用いることができる。また、織布32に代えて、不織布を用いることができる。
絶縁性樹脂層24,24の各々での補強材の体積含有率を、20〜80%とすることが好ましい。
かかる補強材によって補強された絶縁性樹脂層24に形成されている凹部は、樹脂基板10の両面側に接合した絶縁性樹脂層24にレーザを照射して形成したものである。
また、絶縁性樹脂層24を、樹脂基板20を形成する樹脂と同一種類の樹脂、例えエポキシ樹脂やポリイミド樹脂によって形成することによって、絶縁性樹脂層24を樹脂基板20と同等程度の電気絶縁性と高温・高湿度下での耐熱性とを呈し得るものにできる。
この様に、絶縁性樹脂層24を織布32によって補強することによって、図1に示す様に、樹脂基板20が補強材によって補強されていない場合であっても、樹脂基板20及び絶縁性樹脂層24,24から成る配線基板10の合計厚さを0.03〜0.2mmとすることができる。かかる厚さの配線基板10であっても、その剛性の低下を抑制でき、半導体装置の製造工程の工程通過性を良好に維持できる。
この織布32としては、有機繊維から成る織布を用いることができる。この有機繊維としては、ポリエステル樹脂又はポリアミド樹脂から成る有機繊維を用いることができる。また、織布32に代えて、不織布を用いることができる。
絶縁性樹脂層24,24の各々での補強材の体積含有率を、20〜80%とすることが好ましい。
かかる補強材によって補強された絶縁性樹脂層24に形成されている凹部は、樹脂基板10の両面側に接合した絶縁性樹脂層24にレーザを照射して形成したものである。
また、絶縁性樹脂層24を、樹脂基板20を形成する樹脂と同一種類の樹脂、例えエポキシ樹脂やポリイミド樹脂によって形成することによって、絶縁性樹脂層24を樹脂基板20と同等程度の電気絶縁性と高温・高湿度下での耐熱性とを呈し得るものにできる。
この様に、絶縁性樹脂層24を織布32によって補強することによって、図1に示す様に、樹脂基板20が補強材によって補強されていない場合であっても、樹脂基板20及び絶縁性樹脂層24,24から成る配線基板10の合計厚さを0.03〜0.2mmとすることができる。かかる厚さの配線基板10であっても、その剛性の低下を抑制でき、半導体装置の製造工程の工程通過性を良好に維持できる。
図1に示す配線基板10は、図2に示す製造方法によって得ることができる。先ず、図2(a)に示す、補強材が配合されていない樹脂基板20の両面側に銅箔42,42が積層された両面銅張板40の所定箇所に、図2(b)に示す様に、ドリル等によって貫通孔44を形成する。
更に、図2(c)に示す様に、銅箔42,42を給電層とする電解銅めっきによって貫通孔44を銅で充填してヴィア30を形成すると共に、銅箔42,42上に銅を析出して所定厚さの銅層を形成した後、この銅層にパターニングを施して樹脂基板20の両面側のパターン形成面に配線パターン22,22・・、パッド26,26・・及びパッド28,28・・を形成する。
更に、図2(c)に示す様に、銅箔42,42を給電層とする電解銅めっきによって貫通孔44を銅で充填してヴィア30を形成すると共に、銅箔42,42上に銅を析出して所定厚さの銅層を形成した後、この銅層にパターニングを施して樹脂基板20の両面側のパターン形成面に配線パターン22,22・・、パッド26,26・・及びパッド28,28・・を形成する。
次いで、図2(d)に示す様に、樹脂基板20のパターン形成面の全面に、ガラス繊維から成る織布32によって補強された、半硬化状態の熱硬化性樹脂から成るシート状体のプリプレグ34,34を被着する。
ここで、熱硬化性樹脂が半硬化状態のプリプレグ34,34とは、いわゆるBステージ状態であること、具体的には、プリプレグ34,34が、室温下では粘着性を呈さない程度に、熱硬化性樹脂が硬化されているが、加熱されることによって再度粘着性を呈することを意味する。
このプリプレグ34,34を形成する熱硬化性樹脂としては、樹脂基板20を形成する熱硬化性樹脂と同一種類の熱硬化性樹脂を好適に用いることができる。
かかる樹脂基板20のパターン形成面の全面に被着したプリプレグ34,34に加熱処理を施して、熱硬化性樹脂の硬化を完了すると、樹脂基板20のパターン形成面の全面に固着された絶縁性樹脂層24を形成できる。
この絶縁性樹脂層24の所定箇所にレーザを照射することによって、図2(e)に示す様に、パッド26又はパッド28の接続面が底面に露出する凹部を形成できる。かかるレーザとしては、任意のレーザを使用できるが、炭酸ガスレーザを好適に用いることができる。
ここで、熱硬化性樹脂が半硬化状態のプリプレグ34,34とは、いわゆるBステージ状態であること、具体的には、プリプレグ34,34が、室温下では粘着性を呈さない程度に、熱硬化性樹脂が硬化されているが、加熱されることによって再度粘着性を呈することを意味する。
このプリプレグ34,34を形成する熱硬化性樹脂としては、樹脂基板20を形成する熱硬化性樹脂と同一種類の熱硬化性樹脂を好適に用いることができる。
かかる樹脂基板20のパターン形成面の全面に被着したプリプレグ34,34に加熱処理を施して、熱硬化性樹脂の硬化を完了すると、樹脂基板20のパターン形成面の全面に固着された絶縁性樹脂層24を形成できる。
この絶縁性樹脂層24の所定箇所にレーザを照射することによって、図2(e)に示す様に、パッド26又はパッド28の接続面が底面に露出する凹部を形成できる。かかるレーザとしては、任意のレーザを使用できるが、炭酸ガスレーザを好適に用いることができる。
絶縁性樹脂層24の凹部の底面に露出したパッド26,28の露出面には、必要に応じてはんだ等との濡れ性を向上できるニッケル皮膜や金皮膜を形成してもよい。
その後、図2(e)に示す配線基板に、半導体素子等の電子部品が搭載される搭載部分12,12・・を囲むように、スリット14,14・・をルータによって形成することによって、図1に示す配線基板10を得ることができる。
図1及び図2に示す配線基板10には、補強材によって補強されていない樹脂基板20を用いていたが、図3に示す様に、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材としての織布38によって補強された樹脂基板20を用いてもよい。この様に、補強材によって補強された樹脂基板20を用いることによって、配線基板10の剛性を更に向上できる。
図3に示す配線基板10は、図4に示す様に、織布38によって補強された樹脂基板20の両面側に銅箔42,42が積層された両面銅張板40を用いることによって得ることができる。
尚、その後の工程は、図2に示す工程と同一工程であるため、説明を省略する。
その後、図2(e)に示す配線基板に、半導体素子等の電子部品が搭載される搭載部分12,12・・を囲むように、スリット14,14・・をルータによって形成することによって、図1に示す配線基板10を得ることができる。
図1及び図2に示す配線基板10には、補強材によって補強されていない樹脂基板20を用いていたが、図3に示す様に、電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材としての織布38によって補強された樹脂基板20を用いてもよい。この様に、補強材によって補強された樹脂基板20を用いることによって、配線基板10の剛性を更に向上できる。
図3に示す配線基板10は、図4に示す様に、織布38によって補強された樹脂基板20の両面側に銅箔42,42が積層された両面銅張板40を用いることによって得ることができる。
尚、その後の工程は、図2に示す工程と同一工程であるため、説明を省略する。
補強材としてのガラス繊維から成る織布38によって補強された、ポリイミド変性樹脂から成る厚さ0.04mmの樹脂基板20の両面側に銅箔42,42が積層された図3に示す両面銅張板40を用い、両面銅張板40の所定箇所に、ドリルによって直径100μmの貫通孔44を形成した。
この銅箔42,42を給電層とする電解銅めっきによって貫通孔44に銅を充填すると共に、銅箔42,42上に銅を析出して所定厚さの銅層を形成した後、銅層にパターニングを施して、樹脂基板20の両面側のパターン形成面に所望の配線パターン22,22・・、パッド26,26・・及びパッド28,28・・を形成した。
次いで、樹脂基板20の両面側のパターン形成面の各々に、補強材としてのガラス繊維から成る織布32によって補強された、半硬化状態のポリイミド樹脂から成る厚さ0.03mmのシート状体のプリプレグ34を被着した。プリプレグ34中のガラス繊維による体積含有率は30%であった。
このプリプレグ34,34に対し、真空プレス状態下で200℃、2時間の加熱処理を施して、ポリイミド樹脂を完全に硬化させて、絶縁性樹脂層24,24を形成した。
更に、絶縁性樹脂層24,24の所定箇所に炭酸レーザを照射して、パッド26,28が底面に露出する凹部を形成した後、外部接続端子としてのはんだボールを装着するパッド28の露出面に、はんだとの濡れ性を向上すべく、Ni−Au層をめっきによって形成した。
その後、半導体素子等の電子部品が搭載される搭載部分12,12・・を囲むように、スリット14,14・・をルータによって形成して、図1に示す配線基板10を得た。得られた配線基板10の厚さは、0.11mmであった。
この配線基板10の一端部を、図5に示すように台50の上面縁に把持したとき、配線基板10の他端の位置を台50の上面からの距離hを測定し、配線基板10の撓み度とした。本実施例で得られた配線基板10の距離hは70mmであった。かかる配線基板10の半導体装置の工程通過性は良好であった。
この銅箔42,42を給電層とする電解銅めっきによって貫通孔44に銅を充填すると共に、銅箔42,42上に銅を析出して所定厚さの銅層を形成した後、銅層にパターニングを施して、樹脂基板20の両面側のパターン形成面に所望の配線パターン22,22・・、パッド26,26・・及びパッド28,28・・を形成した。
次いで、樹脂基板20の両面側のパターン形成面の各々に、補強材としてのガラス繊維から成る織布32によって補強された、半硬化状態のポリイミド樹脂から成る厚さ0.03mmのシート状体のプリプレグ34を被着した。プリプレグ34中のガラス繊維による体積含有率は30%であった。
このプリプレグ34,34に対し、真空プレス状態下で200℃、2時間の加熱処理を施して、ポリイミド樹脂を完全に硬化させて、絶縁性樹脂層24,24を形成した。
更に、絶縁性樹脂層24,24の所定箇所に炭酸レーザを照射して、パッド26,28が底面に露出する凹部を形成した後、外部接続端子としてのはんだボールを装着するパッド28の露出面に、はんだとの濡れ性を向上すべく、Ni−Au層をめっきによって形成した。
その後、半導体素子等の電子部品が搭載される搭載部分12,12・・を囲むように、スリット14,14・・をルータによって形成して、図1に示す配線基板10を得た。得られた配線基板10の厚さは、0.11mmであった。
この配線基板10の一端部を、図5に示すように台50の上面縁に把持したとき、配線基板10の他端の位置を台50の上面からの距離hを測定し、配線基板10の撓み度とした。本実施例で得られた配線基板10の距離hは70mmであった。かかる配線基板10の半導体装置の工程通過性は良好であった。
実施例1において、両面銅張板40として、補強材を配合することなくポリイミド樹脂のみで形成した厚さ0.025mmの樹脂基板20の両面側に銅箔42,42を積層した図2(a)に示す両面銅張板40を用いた他は、実施例1と同様にして配線基板10を得た。得られた配線基板10の厚さは、0.11mmであった。
本実施例の配線基板10の撓み度を示す距離hは90mmであった。かかる配線基板10の半導体装置の工程通過性は良好であった。
本実施例の配線基板10の撓み度を示す距離hは90mmであった。かかる配線基板10の半導体装置の工程通過性は良好であった。
実施例1において、両面銅張板40として、補強材を配合することなくポリイミド樹脂のみで形成した厚さ0.025mmの樹脂基板20の両面側に銅箔42,42を積層した図2(a)に示す両面銅張板40を用い、且つ絶縁性樹脂層24に代えて市販のソルダーレジスト(感光剤非含有)を用いた他は、実施例1と同様にして配線基板10を得た。得られた配線基板10の厚さは、0.13mmであった。
本比較例の配線基板10の撓み度を示す距離hは160mmであった。かかる配線基板10の半導体装置の工程通過性は、配線基板10がローラに巻き付く等のトラブルが頻発して、実施例1及び実施例2の配線基板10に比較して著しく劣った。
本比較例の配線基板10の撓み度を示す距離hは160mmであった。かかる配線基板10の半導体装置の工程通過性は、配線基板10がローラに巻き付く等のトラブルが頻発して、実施例1及び実施例2の配線基板10に比較して著しく劣った。
10 配線基板
12 搭載部分
14 スリット
16 掛渡部
18 本体部
20 樹脂基板
24 絶縁性樹脂層
26,28 パッド
30 ヴィア
32,38 織布
34 プリプレグ
40 両面銅張板
42 銅箔
44 貫通孔
12 搭載部分
14 スリット
16 掛渡部
18 本体部
20 樹脂基板
24 絶縁性樹脂層
26,28 パッド
30 ヴィア
32,38 織布
34 プリプレグ
40 両面銅張板
42 銅箔
44 貫通孔
Claims (9)
- 樹脂基板のパターン形成面に形成された配線パターンが絶縁性樹脂層によって被覆され、且つ搭載される電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッドの接続面が前記絶縁性樹脂層に形成された凹部の底面に露出している配線基板であって、
前記絶縁性樹脂層が電気絶縁性の無機繊維又は有機繊維から成る補強材によって補強されていることを特徴とする配線基板。 - 補強材が、布帛状である請求項1記載の配線基板。
- 絶縁性樹脂層に形成された凹部が、レーザの照射によって形成された凹部である請求項1又は請求項2記載の配線基板。
- 絶縁性樹脂層が、樹脂基板を形成する樹脂と同一種類の樹脂によって形成されている請求項1〜3のいずれか一項記載の配線基板。
- 樹脂基板が、補強材によって補強されることなく樹脂のみによって形成されている樹脂基板であって、前記樹脂基板と絶縁層樹脂層との合計厚さが0.03〜0.2mmである請求項1〜4のいずれか一項記載の配線基板。
- 配線パターンと搭載する電子部品の端子又は外部接続端子と接続されるパッドとが形成された樹脂基板のパターン形成面の全面に、樹脂基板が補強材によって補強された、半硬化状態の熱硬化性樹脂から成るシート状体のプリプレグを被着した後、
前記熱硬化性樹脂の硬化を完了して前記樹脂基板と一体化して、前記補強材によって補強された絶縁性樹脂層を形成し、
次いで、前記絶縁層樹脂層にレーザを照射して、前記パッドの接続面が底面に露出する凹部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - プリプレグとして、布帛状の補強材によって補強した半硬化状態の熱硬化性樹脂から成るシート状体のプリプレグを用いる請求項6記載の配線基板の製造方法。
- 絶縁性樹脂層を、樹脂基板を形成する樹脂と同一種類の樹脂によって形成する請求項6又は請求項7記載の配線基板。
- 樹脂基板として、補強材によって補強することなく樹脂のみによって形成した樹脂基板を用い、前記樹脂基板と絶縁層樹脂層との合計厚さを0.03〜0.2mmとなるように、前記樹脂基板と絶縁層樹脂層との厚さを調整する請求項6〜8のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
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