JP2010177277A - Laser dicing method and laser dicing device - Google Patents

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Yasuyuki Sakatani
康之 酒谷
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
株式会社東京精密
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser dicing method in which even a wafer having an intermediate layer differing in refractive index can be subjected to laser dicing with high precision without being influenced by the intermediate layer. <P>SOLUTION: The wafer W is diced through a first dicing process of making laser light L incident on a top surface side WA of the wafer W to form a reformed region P at the top surface side WA and a second dicing process of turning over the wafer W and making the laser light L at the reverse surface side WB to form a reformed region P at the reverse surface side WB. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置や電子部品が形成されたウェーハの内部にレーザー光により改質領域を形成して割断ラインを形成し、割断ラインに沿って個々のチップに分割するレーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置に関するものである。 The present invention forms a breaking line to form a modified region by the laser beam inside the wafer on which the semiconductor devices and electronic components are formed, a laser dicing method and laser dicing for dividing into individual chips along the breaking lines to an apparatus.

近年、半導体装置や電子部品が形成されたウェーハを個々のチップへと分割する際には、従来のブレード式のダイシング装置に替えてレーザー光源から出射されたレーザー光をウェーハ内部に集光し、多光子吸収による改質領域をウェーハ内部に連続して形成することによりウェーハを割断するダイシング装置(以下、レーザーダイシング装置と称する)が用いられている(例えば、特許文献1参照。)。 Recently, when dividing the wafer in which the semiconductor devices and electronic components are formed into individual chips, the conventional blade-type laser beam emitted from the laser light source in place of the dicing apparatus condensing the internal wafer, a modified region due to multiphoton absorption dicing apparatus for cleaving the wafer by continuously forming in the wafer (hereinafter, referred to as a laser dicing apparatus) is used (for example, see Patent Document 1.).

レーザーダイシング装置は、ブレードによるダイシング装置と同様にウェーハテーブル、移動手段、撮像手段、制御手段を備え、加工手段としてレーザー発振器やレンズを備えたレーザーヘッドを備えている。 Laser dicing device includes dicing machine similarly to the wafer table with a blade, moving means, imaging means, a control means, the laser head having a laser oscillator and a lens as a processing unit. レーザーダイシング装置では、レーザー光を照射しながらウェーハテーブル上のウェーハを移動手段で移動させることにより、ウェーハの割断予定ラインに沿って連続した改質領域による割断ラインを形成する。 In the laser dicing apparatus, by moving the mobile device wafer on the wafer table while irradiating a laser beam to form a breaking line according to modified region that is continuous along the wafer planned cutting line.

割断ラインが形成されたウェーハは固定機構や押し上げ機構を備えたエキスパンダ等の装置に搬送されエキスパンドやブレーキングが行われることにより割断ラインを起点として割断されて個々のチップに分割される。 The wafer breaking lines are formed by cleaving starting from the breaking line by expanding and braking is conveyed to the apparatus of the expander or the like having a locking mechanism and push-up mechanism is performed is divided into individual chips.

このようにレーザーダイシング装置では、高速回転するダイヤモンド等により形成されるブレードに替わり、レーザー光によりウェーハがチップに分割されるため、ウェーハに大きな力がかからず、チッピングや割れが発生しない。 The laser dicing apparatus, as, instead blade formed by diamond like rotating at a high speed because the wafer by the laser beam is divided into chips, not applied large force to the wafer, chipping or cracking does not occur. また、ウェーハに直接接触する部分がなく熱や切削屑が発生しない為、切削水を必要としない。 Further, since the direct contact portion to the wafer heat or cutting chips without it does not occur and does not require cutting water. 更に、内部に改質領域を形成してウェーハの割段を行いチップに分割するため、チップの間隔がブレードによる切断よりも非常に狭く、一枚のウェーハからより多くのチップが得られる。 Furthermore, in order to divide the chip performs a split stage of the wafer to form a modified region within the interval of the chip is very narrower than the cutting by the blade, the more chips from a single wafer obtained.
特開2002−192367号公報 JP 2002-192367 JP

近年デバイスの高集積化、低消費電力化、高速化、高信頼性の実現を目指して電気絶縁性の高い酸化膜層をウェーハ内部に形成させたSOI(Silicon On Insulator)ウェーハの需要が高まっている。 Highly integrated in recent years devices, low power consumption, high speed, an increasing demand of an SOI (Silicon On Insulator) wafer aim to realize high reliability to form a high oxide layer electrically insulating the interior of the wafer there. SOIウェーハとしては、2枚の研磨されたウェーハが酸化膜を介して貼り合わせられた貼り合せウェーハ(DBW:Direct Bonded Wafer)や、研磨されたウェーハに酸素イオンを注入してウェーハ内部に酸化膜層を形成させたSIMOXウェーハ(Separation by IMplanted OXygen)が用いられている。 The SOI wafer, two polished bonded wafer wafer was bonded via the oxide film (DBW: Direct Bonded Wafer) or oxide film by implanting oxygen ions in the wafer to the polished wafer SIMOX wafer to form a layer (Separation by IMplanted OXygen) is used.

このようなSOIウェーハをレーザーダイシング装置により加工を行うと中間層である酸化膜層でレーザーが屈折してしまい狙った位置にレーザーをフォーカスすることが出来ず、精度よくダイシングを行うことが困難であった。 It can not be focused laser at a position where the laser is aimed causes refracted such SOI wafer with an oxide film layer as an intermediate layer if for machining by a laser dicing apparatus, it is difficult to perform accurately dicing there were.

本発明はこのような状況に鑑みて成されたものであり、屈折率の異なる中間層を備えたウェーハであっても、中間層に影響されず高精度にレーザーダイシングを行うことが可能なレーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of such circumstances, even a wafer having a different intermediate layer refractive index, which can perform laser dicing with high accuracy without being affected by the intermediate layer Laser and its object is to provide a dicing method and a laser dicing apparatus.

本発明は前記目的を達成するために、デバイスが形成され、いずれか一方の面にテープを貼着するとともに前記テープを介してフレームへマウントされた中間層を有するウェーハのいずれか一方の面をレーザーヘッドへ向けてウェーハテーブル上に載置し、前記レーザーヘッドへ向けられた一方の面から前記レーザーヘッドよりレーザー光を入射して、前記ウェーハ内部の前記中間層よりも一方の面側へ改質領域を形成する第1ダイシング工程と、前記ウェーハを反転させて他方の面を前記レーザーヘッドへ向けて前記ウェーハテーブル上に載置し、前記レーザーヘッドよりレーザー光を他方の面側から入射して前記中間層よりも他方の面側へ改質領域を形成する第2ダイシング工程と、により前記ウェーハのダイシングを行うことを特徴と For the present invention, to attain the aforementioned object, the device is formed, either one of the surfaces of the wafer with an intermediate layer that is mounted to the frame through the tape with adhering the tape on either side was placed on the wafer table toward the laser head, break from one surface directed to the laser head enters the laser beam from the laser head, to the intermediate layer on one surface side of the inside of the wafer a first dicing step of forming a quality area, by inverting the wafer toward the other surface to the laser head is placed on the wafer table, incident laser light from the other surface side of the laser head characterized in that a second dicing step of forming the other modified region to the surface side of the intermediate layer, the dicing of the wafer Te and ている。 To have.

本発明によれば、デバイスが形成され、いずれか一方の面にテープを貼着するとともにテープを介してフレームへマウントされた中間層を有するウェーハ内部へ改質領域を形成するレーザーダイシング装置には、ウェーハ内部へ改質領域を形成するレーザーヘッドと、ウェーハ平面がレーザーヘッドと対向するように保持されるウェーハテーブルと、ウェーハテーブルとレーザーヘッドとを相対的に移動させる移動軸と、ウェーハがマウントされたフレームを把持して上昇するとともに反転させて再びウェーハテーブル上に載置することによりウェーハ内部の中間層よりも一方の面側または中間層よりも他方の面側へそれぞれレーザー光を入射させるようにする反転アームと、が備えられている。 According to the present invention, the device is formed, the laser dicing apparatus for forming a modified region into the interior wafer with an intermediate layer that is mounted to the frame through the tape with adhering the tape to one surface is a laser head to form a modified region to inside the wafer, and the wafer table held so wafer plane faces the laser head, a moving shaft for relatively moving the wafer table and the laser head, the wafer is mounted each to the other side to the incident laser beam than one surface or intermediate layer than the wafer inside the intermediate layer by placing on again wafer table is reversed with increased gripping the frames inverting arm so, it is provided.

ウェーハはまず搬送手段によりウェーハテーブル上に搬送され、いずれか一方の面がレーザーヘッドへ向けて載置される。 Wafer is first conveyed by the conveying means on the wafer table, one side is placed towards the laser head. この状態でレーザーヘッドへ向けられた一方の面側よりレーザー光が入射されてウェーハ内部へ改質領域が形成される。 Laser light from one side directed to the laser head in this state is modified region is formed is incident to the inside of the wafer. 形成される改質領域は酸化膜等の中間層よりも一方の面側へ形成される。 Modified region formed rather than the intermediate layer such as an oxide film is formed to one side. 一方の面側へ改質領域が形成された後、ウェーハは反転されて他方の面がレーザーヘッドへ向けてウェーハテーブル上に載置され、中間層よりも他方の面側に改質領域が形成される。 After the modified region is formed to one side, the wafer is inverted and the other surface is placed on the wafer table toward the laser head, modified region on the other surface side of the intermediate layer is formed It is. このとき、テープが貼着されたいずれか一方の面ではテープを通してウェーハ内部へレーザー光が入射される。 In this case, the one surface of the tape has been stuck laser beam is incident on the wafer interior through the tape.

これによりウェーハは連続して形成された改質領域を起点として割断されて個々のチップに分割される。 Thus the wafer is fractured modified region continuously formed starting with is divided into individual chips. レーザー光は屈折率の異なる中間層を通過することがなく、所定の位置にレーザー光をフォーカスすることが容易となり中間層に影響されず高精度にレーザーダイシングを行うことが可能となる。 Without passing through the different intermediate layers in refractive index laser light, it is possible to perform the laser dicing with high accuracy without being affected by the intermediate layer becomes easy to focus the laser beam to a predetermined position.

以上説明したように、本発明のレーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置によれば、ウェーハを反転させることで屈折率の異なる中間層を通過させることなく各深さにレーザー光をフォーカスすることが可能となり、中間層に影響されず高精度にレーザーダイシングを行うことが可能となる。 As described above, according to the laser dicing method and laser dicing apparatus of the present invention, it is possible to focus the laser beam to each depth without passing through the different intermediate layers in refractive index by inverting the wafer , it is possible to perform the laser dicing with high accuracy without being influenced by the intermediate layer.

以下添付図面に従って本発明に係るレーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置の好ましい実施の形態について詳説する。 It will be described in detail preferred embodiments of the laser dicing method and laser dicing apparatus according to the present invention with reference to the accompanying drawings. はじめに、本発明に係るレーザーダイシング装置について説明する。 First, a description will be given laser dicing apparatus according to the present invention. 図1は本発明に係わるレーザーダイシング装置の斜視図、図2はフレームにテープを介してマウントされたウェーハを示した斜視図、図3はレーザーヘッドの構成を示した断面図、図4はレーザーダイシングの様子を示した断面図、図5は反転アームユニットの構成を示した側面図である。 Figure 1 is a perspective view of a laser dicing apparatus according to the present invention, FIG 2 is a perspective view showing a mounted wafer via the tape in the frame, FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of a laser head, Fig 4 is laser sectional views showing states of dicing, and FIG. 5 is a side view showing the configuration of a reversing arm unit.

レーザーダイシング装置1は、図1に示すように対向して配置されたレーザーヘッド2を備えた加工部3、中間層としての酸化膜層が形成されたSOIウェーハであるウェーハWを多数枚収納したカセットを載置するロードポート4、ウェーハWを搬送する搬送手段5、ウェーハWを上下反転させる反転アームユニット6、コントロールパネル7、各部の制御及び加工に必要な各部の制御手順を記憶する不図示の制御手段等を備えている。 Laser dicing apparatus 1, the processing unit 3 which includes a laser head 2 disposed opposite as shown in FIG. 1, and the wafer W is an SOI wafer having an oxide film layer is formed as an intermediate layer and a large number of sheets accommodated load port 4 for placing a cassette, not shown, for storing transporting unit 5 for conveying the wafers W, reversing arm unit 6 for vertically inverting the wafer W, the control panel 7, the control procedure of each part necessary for the control and processing of each unit and a control means or the like.

加工部3には、移動手段としてのX移動軸8上に設けられたウェーハテーブル9に、図2に示すように裏面を研削加工等された後にフレームFへテープTを介してマウントされたウェーハWが吸着載置され、ウェーハテーブル9上部にX移動軸8に直交するように設けられた移動手段としてのY移動軸(不図示)にレーザーヘッド2が対向して設けられている。 Wafer is processed portion 3, which on the wafer table 9 provided on the X moving shaft 8 as a moving means, which is mounted through the tape T to the frame F of the back surface after being grinding or the like as shown in FIG. 2 W is provided with suction is placed, the laser head 2 is opposed to the Y axis of movement (not shown) as moving means provided so as to be perpendicular to the X axis of movement 8 to the wafer table 9 top. 加工部3にはこの他にレーザーヘッド2を上下方向に移動させるZ移動軸(不図示)やウェーハW表面を撮像する撮像手段10が備えられている。 Imaging means 10 to the processing unit 3 for imaging the Z moving shaft (not shown) and wafer W surface for moving the laser head 2 in the vertical direction to the other is provided.

レーザーヘッド2は図3に示すように、レーザー発振器11、コリメートレンズ12、ミラー13、コンデンスレンズ14等からなり、レーザー発振器11から発振されたレーザー光Lは、コリメートレンズ12で水平方向に平行光線とされ、ミラー13で垂直方向に反射され、コンデンスレンズ14によって集光される。 Laser head 2, as shown in FIG. 3, the laser oscillator 11, a collimator lens 12, a mirror 13, consists condensing lens 14, etc., the laser beam L emitted from the laser oscillator 11 is parallel light in the horizontal direction by the collimator lens 12 is a, is reflected perpendicularly by the mirror 13, it is condensed by the condensing lens 14.

レーザー光Lの集光点を、ウェーハテーブル9に載置されたウェーハWの厚さ方向内部に設定すると、図4(a)に示すように、ウェーハWの表面を透過したレーザー光Lは集光点でエネルギーが集中され、ウェーハ内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等の改質領域Pを形成する。 The focal point of the laser beam L, by setting the inner thickness direction of the placed wafer W on the wafer table 9, as shown in FIG. 4 (a), the laser light L having passed through the surface of the wafer W is converged point energy is concentrated in the crack region by multiphoton absorption in the vicinity of the focal point inside the wafer, melt region to form a modified region P such as a refractive index change region.

なお、本実施の形態ではレーザーヘッド2はレーザーダイシング装置1に対して2個対向して設けられているが本発明はこれに限らず、レーザーヘッド2が1個または2個以上のレーザーヘッド2が設けられていても好適に実施可能である。 Incidentally, the laser head 2 in this embodiment is provided with two opposing to the laser dicing apparatus 1 but the present invention is not limited thereto, laser head 2 is one or two or more laser heads 2 even if it is provided it can be suitably implemented.

改質領域Pは、図4(b)に示すように、ウェーハWがX移動軸8により水平方向に移動されることによりウェーハW内部に複数並んで形成され、ウェーハWのダイシングストリートに沿って割断ラインKが形成される。 Modified region P, as shown in FIG. 4 (b), the wafer W is formed alongside more in the wafer W by is moved in the horizontal direction by the X moving shaft 8, along the dicing street of the wafer W breaking line K is formed. 割断ラインKはダイシングストリートに沿って複数形成され、ウェーハWは割断ラインKを起点として割断されてチップに分割される。 Breaking lines K are more formed along the dicing streets, the wafer W is divided into chips are fractured the fracture line K as a starting point.

反転アームユニット6は、図5(a)に示すように上下移動軸15に設けられた移動ブロック16に回転軸17が取り付けられ、回転軸17の先端に反転アーム18が設けられている。 Reversing arm unit 6, the rotary shaft 17 is attached to the moving block 16 provided in the vertical moving shaft 15, as shown in FIG. 5 (a), the inverting arm 18 provided at the tip of the rotary shaft 17.

上下移動軸15に設けられた移動ブロック16は矢印Z方向に上下移動が可能であって反転アーム18を上下に移動させる。 Moving block 16 provided in the vertical moving shaft 15 moves the inverted arm 18 up and down a possible vertical movement in the direction of arrow Z. 反転アーム18は2つの爪が設けられ、爪を開閉することによりフレームFを把持するとともに回転軸17により矢印θ方向に回転する。 Inverting arm 18 two pawls is provided to rotate in the arrow θ direction by the rotation shaft 17 while gripping the frame F by opening and closing the nails.

図5(b)に示すように裏面側にテープTを貼着されてフレームFにマウントされたウェーハWは、下降している反転アーム18の間にフレームFが入るとともに反転アーム18の爪により把持される。 Wafer W that is mounted on the frame F is adhered to the tape T on the back side as shown in FIG. 5 (b), the pawl of the reverse arm 18 together with the frame F enters between the inverting arms 18 are lowered It is gripped. 続いて図5(c)に示すように移動ブロック16により反転アーム18が十分に上昇すると回転軸17により回転してウェーハWの上下が逆転する。 Then the upper and lower wafer W rotated by the rotary shaft 17 and the inverting arm 18 by the movement block 16 as shown in FIG. 5 (c) is sufficiently raised is reversed. この状態で図5(d)に示すように再び移動ブロック16が下降してウェーハWがウェーハテーブル9上に載置される。 The state in FIG. 5 (d) are shown as again moving block 16 and lowered wafer W is placed on the wafer table 9.

これにより、酸化膜層よりも一方の面であるウェーハW表面側または酸化膜層よりも他方の面であるウェーハW裏面側にそれぞれレーザー光をフォーカスさせることが可能となり、酸化膜層に影響されず高精度にレーザーダイシングを行うことが可能となる。 Thereby, it becomes possible to focus the wafer W, respectively on the back side laser light which is the other surface than the surface of the wafer W side or oxide film layer is one side than the oxide film layer is affected by the oxide film layer not it is possible to perform the laser dicing with high accuracy.

なお、ウェーハWのデバイスが形成された表面側がウェーハテーブル9へ載置される際にはデバイスを保護するためウェーハテーブル9上に薄いシート状のポーラスや樹脂等の保護部材19が貼着されていてもよい。 Incidentally, when the surface side of the device is formed of the wafer W is placed to the wafer table 9 are adhered protective member 19 such as a thin sheet of porous or resin on the wafer table 9 is to protect the device it may be. 保護部材19はウェーハWをウェーハテーブル9へ吸着載置する妨げとならないように、エアを透過する多数の小孔を備えた構造を備えている。 Protective member 19 so as not to hinder the adsorption placing the wafer W to the wafer table 9, and a structure with a number of small holes passing through the air.

次に本発明に係わるレーザーダイシング方法について説明する。 Next will be described a laser dicing method according to the present invention. 図6は本発明に係わるレーザーダイシング方法を示した側面図である。 6 is a side view showing a laser dicing method according to the present invention.

本発明のレーザーダイシング方法では、ロードポート4上に載置されたカセットに収納されているウェーハWが、搬送手段5により搬送されてウェーハテーブル9上へ載置される。 The laser dicing method of the present invention, the wafer W contained in the cassette placed on the load port 4 is placed is conveyed by the conveying means 5 onto the wafer table 9. ウェーハWは図6(a)に示すように一方の面としてのデバイスが形成された表面側WAとテープTが貼着されている他方の面としての裏面側WBの間に中間層としての酸化膜層WCが形成されたSOIウェーハであって、レーザーヘッド2によりレーザー光が入射されて内部に改質領域Pが形成される。 Wafer W is oxidized as an intermediate layer between the back surface side WB as other surface surface WA and tape T the device is formed as one side as shown in FIG. 6 (a) is stuck a SOI wafer film layer WC is formed modified region P therein laser light is incident by the laser head 2 is formed.

改質領域Pの形成では、まず第1ダイシング工程としてウェーハW表面に形成されたアライメントマークを基準としてアライメントされ、レーザーヘッド2へ向って載置されている表面側WAよりダイシングストリートに沿ってレーザー光Lが入射される。 In the formation of the modified region P, it aligned the first alignment mark formed on the wafer W surface as a first dicing step as a reference, along the dicing streets from the front surface WA being placed toward the laser head 2 Laser light L is incident. レーザー光Lは酸化膜層WCよりも表面側WAにのみフォーカスされ、改質領域Pを連続して形成することにより割断ラインKが形成される。 The laser light L is focused only on the surface WA than oxide layer WC, breaking line K is formed by continuously forming a modified region P.

表面側WAに割断ラインKが形成された後、ウェーハWは図5に示すようにフレームFを反転アーム18に把持されるとともに上昇反転されてウェーハテーブル9上に再び載置される。 After breaking line K is formed on the surface side WA, wafer W is again placed on the wafer table 9 is raised inverted while being gripped frame F to the inverting arm 18 as shown in FIG. 表面側WAがウェーハテーブル9へ載置される際にはデバイスを保護するためウェーハテーブル9上にポーラスや樹脂等の保護部材19が搬送手段5等により載置される。 When surface WA is placed to the wafer table 9 protective member 19 such as a porous or resin on the wafer table 9 for protecting the device is placed by conveyance means 5, and the like.

裏面側WBをレーザーヘッド2へ向って載置された後、第2ダイシング工程としてウェーハWを透過する波長を備えた光源より光を照射し、ウェーハW表面のアライメントマークを撮像手段10により撮像してアライメントが行われる。 After being placed toward the rear surface side WB into the laser head 2, the light irradiated from a light source having a wavelength that passes through the wafer W as the second dicing step, an alignment mark of the wafer W surface is imaged by the imaging means 10 alignment is performed Te. アライメント後、テープTを通過して裏面側WBへレーザー光Lが入射される。 After the alignment, the laser beam L to the backside WB through the tape T is incident. レーザー光Lは図6(b)に示すように、表面側WAに形成された改質領域PとウェーハW平面上の同じ位置または異なる位置であって、酸化膜層WCよりも裏面側WBにのみフォーカスされる。 Laser beam L, as shown in FIG. 6 (b), the same location or different locations on the surface side WA to form reformed region P and the wafer W plane, on the back side WB than oxide layer WC only is the focus. 改質領域Pは連続して形成されることにより表面側WAと裏面側WBとへ割断ラインKが形成される。 Reformed region P is fracture line K is formed into the surface side WA and back side WB by being formed continuously.

これにより、屈折率の異なる酸化膜層WCを通過させることなく表面側WA、裏面側WBへレーザー光Lをフォーカスすることが可能となり、酸化膜層WCに影響されず高精度に割断ラインKが形成されてウェーハWがダイシングされる。 Thus, the surface side WA without passing through the different oxide layer WC refractive index, it becomes possible to focus the laser beam L to the backside WB, fractured line K with high accuracy without being affected by the oxide film layer WC is wafer W is diced is formed.

ダイシング後のウェーハWは固定機構や押し上げ機構を備えたエキスパンダ等の装置に搬送されエキスパンドやブレーキングが行われることにより割断ラインKを起点として割断されて個々のチップに分割される。 Wafer W after dicing is fractured starting from the breaking line K by expanding and braking is conveyed to the apparatus of the expander or the like having a locking mechanism and push-up mechanism is performed is divided into individual chips.

以上、説明したように、本発明に係わるレーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置によれば、反転アームユニットによりウェーハを反転させることで屈折率の異なる中間層を通過させることなく各深さにレーザー光をフォーカスすることが可能となり、中間層に影響されず高精度にレーザーダイシングを行うことが可能となる。 As described above, according to the laser dicing method and laser dicing apparatus according to the present invention, the laser beam to each depth without passing through the different intermediate layers in refractive index by inverting the wafer by the reversing arm unit it is possible to focus, it is possible to perform the laser dicing with high accuracy without being influenced by the intermediate layer.

なお、本実施の形態では表面側WAをレーザーダイシングした後に裏面側WBをレーザーダイシングしているが、本発明はこれに限らず裏面側WBをレーザーダイシングした後に表面側WAをレーザーダイシングしても好適に実施可能である。 Although in this embodiment is a laser dicing the backside WB surface side WA after laser dicing, the present invention also laser dicing the surface WA after laser dicing the backside WB is not limited thereto It can be suitably performed.

また、本実施の形態では表面側WAにデバイスが形成されているとしているが、本発明はこれに限らず裏面側WB、または表面側WAと裏面側WBとの両面にデバイスが形成されていても好適に実施可能である。 Further, in this embodiment although the device is formed on the surface side WA, the present invention is a device on both sides of the back side WB or surface WA and back side WB, not limited thereto be formed also suitable feasible.

本発明に係わるレーザーダイシング装置の構成を示した斜視図。 Perspective view showing the configuration of a laser dicing apparatus according to the present invention. フレームにテープを介してマウントされたウェーハを示した斜視図。 Perspective view showing the mounted wafer via the tape frame. レーザーヘッドの構成を示した断面図。 Sectional view showing the configuration of a laser head. レーザーダイシングの様子を示した断面図。 Sectional views showing states of laser dicing. 反転アームユニットの構成を示した側面図。 Side view showing the configuration of a reversing arm unit. 本発明に係わるレーザーダイシング方法を示した側面図。 Side view of a laser dicing method according to the present invention.

1…レーザーダイシング装置,2…レーザーヘッド,3…加工部,4…ロードポート,5…搬送手段,6…反転アームユニット,7…コントロールパネル,8…X移動軸,9…ウェーハテーブル,10…撮像手段,11…レーザー発振器,12…コリメートレンズ,13…ミラー,14…コンデンスレンズ,15…上下移動軸,16…移動ブロック,17…回転軸,18…反転アーム、F…フレーム、K…割断ライン,L…レーザー光,P…改質領域,T…テープ,W…ウェーハ,WA…表面側(一方の面),WB…裏面側(他方の面),WC…酸化膜層(中間層) 1 ... laser dicing apparatus, 2 ... laser head, 3 ... processing unit, 4 ... load port, 5 ... conveying means 6 ... reversing arm unit, 7 ... control panel, 8 ... X moving axis, 9 ... wafer table, 10 ... image pickup means, 11 ... laser oscillator, 12 ... collimator lens, 13 ... mirror, 14 ... condensing lens, 15 ... vertical moving shaft 16 ... moving block, 17 ... rotary shaft, 18 ... inversion arm, F ... frame, K ... fracture line, L ... laser light, P ... modified region, T ... tape, W ... wafer, WA ... surface side (one surface), WB ... rear surface side (the other side), WC ... oxide layer (intermediate layer)

Claims (2)

  1. デバイスが形成され、いずれか一方の面にテープを貼着するとともに前記テープを介してフレームへマウントされた中間層を有するウェーハのいずれか一方の面をレーザーヘッドへ向けてウェーハテーブル上に載置し、前記レーザーヘッドへ向けられた一方の面から前記レーザーヘッドよりレーザー光を入射して、前記ウェーハ内部の前記中間層よりも一方の面側へ改質領域を形成する第1ダイシング工程と、 Device is formed, placed on the wafer table either side of the wafer with an intermediate layer that is mounted to the frame towards the laser head via the tape with adhering the tape on either side and, by the incident laser beam from the laser head from the face of the one directed to the laser head, a first dicing step of forming the modified region than the intermediate layer inside the wafer to one side,
    前記ウェーハを反転させて他方の面を前記レーザーヘッドへ向けて前記ウェーハテーブル上に載置し、前記レーザーヘッドよりレーザー光を他方の面側から入射して前記中間層よりも他方の面側へ改質領域を形成する第2ダイシング工程と、により前記ウェーハのダイシングを行うことを特徴とするレーザーダイシング方法。 By inverting the wafer toward the other surface to the laser head is placed on the wafer table, incident laser light from the other surface side of the laser head into the intermediate layer other surface side of the laser dicing wherein a second dicing step of forming the modified region, to make the dicing of the wafer by.
  2. デバイスが形成され、いずれか一方の面にテープを貼着するとともに前記テープを介してフレームへマウントされた中間層を有するウェーハ内部へレーザー光を集光することにより前記ウェーハ内部へ改質領域を形成するレーザーヘッドと、 Device is formed, the modified region into the wafer interior by condensing the laser beam into the interior of the wafer with an intermediate layer that is mounted to the frame through the tape with adhering the tape on either side and the laser head to be formed,
    前記ウェーハ平面が前記レーザーヘッドと対向するように保持されるウェーハテーブルと、 A wafer table which the wafer plane is maintained so as to face the laser head,
    前記ウェーハテーブルと前記レーザーヘッドとを相対的に移動させる移動軸と、 A moving shaft for relatively moving said laser head and the wafer table,
    前記ウェーハがマウントされた前記フレームを把持して上昇するとともに反転させて再び前記ウェーハテーブル上に載置することにより前記ウェーハ内部の前記中間層よりも一方の面側または前記中間層よりも他方の面側へそれぞれレーザー光を入射させるようにする反転アームと、を備えたことを特徴とするレーザーダイシング装置。 Said wafer other than said wafer inside of said intermediate layer one surface or the intermediate layer than by placing again by inverting on the wafer table with rises in gripping the frame that is mounted laser dicing apparatus being characterized in that and a reversing arm so as to be incident respectively to the side the laser beam.
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