JP2010170057A - 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層上に形成されたエッチング停止層と、前記エッチング停止層を含む前記絶縁層上に形成されたパッシベーション層と、前記パッシベーション層に形成されるとともに前記エッチング停止層に通ずる凹部と、前記凹部を含む前記パッシベーション層上に形成されるとともに前記凹部に対応して凹んだ画素電極と、を備え、前記エッチング停止層は、透明半導体よりなる。
【選択図】図1
Description
透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成された走査線と、前記透明絶縁基板上に形成されるとともに、前記走査線から分岐したゲート電極と、前記ゲート電極及び前記走査線を含む前記透明絶縁基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上の前記ゲート電極のチャネルとなる領域に形成された透明半導体層と、前記絶縁層上に形成されるとともに、前記走査線と交差する信号線と、前記絶縁層上に形成されるとともに、前記信号線から分岐し、かつ、前記透明半導体層の一端に接続されたドレイン電極と、前記ドレイン電極と同一層の前記絶縁層上に形成されるとともに、前記透明半導体層の他端に接続されたソース電極と、前記パッシベーション層に形成されるとともに、前記ソース電極に通ずるコンタクトホールと、を備え、前記エッチング停止層は、前記透明半導体層と同一層かつ同一材料であり、前記パッシベーション層は、前記透明半導体層、前記エッチング停止層、前記信号線、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極を含む前記絶縁層上に形成され、前記凹部は、前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の前記パッシベーション層に形成され、前記画素電極は、少なくとも前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の前記パッシベーション層上に形成されるとともに、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極と電気的に接続されていることが好ましい(形態1−1)。
前記凹部は、中心から放射状に複数の突出部を有する形状に形成されていることが好ましい(形態1−2)。
前記凹部は、前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の中央に形成されていることが好ましい(形態1−3)。
前記エッチング停止層は、前記画素電極の領域と略同一の領域に配設されることが好ましい(形態1−4)。
前記画素電極は、複数のサブ画素電極が相互に連結された構成となっており、前記凹部は、前記サブ画素電極ごとに配設されていることが好ましい(形態1−6)。
前記ソース電極は、前記エッチング停止層上にも形成され、前記コンタクトホールは、前記ソース電極と前記エッチング停止層が重なった領域に形成されていることが好ましい(形態1−5)。
透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成された走査線と、前記透明絶縁基板上に形成されるとともに、前記走査線から分岐したゲート電極と、前記ゲート電極及び前記走査線を含む前記透明絶縁基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上の前記ゲート電極のチャネルとなる領域に形成された透明半導体層と、前記絶縁層上に形成されるとともに、前記走査線と交差する信号線と、前記絶縁層上に形成されるとともに、前記信号線から分岐し、かつ、前記透明半導体層の一端に接続されたドレイン電極と、前記ドレイン電極と同一層の前記絶縁層上に形成されるとともに、前記透明半導体層の他端に接続されたソース電極と、前記パッシベーション層に形成されるとともに、前記ソース電極に通ずるコンタクトホールと、を備え、前記画素凸部は、前記透明半導体層と同一層かつ同一材料であり、前記パッシベーション層は、前記透明半導体層、前記画素凸部、前記信号線、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極を含む前記絶縁層上に形成され、前記画素電極は、少なくとも前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の前記パッシベーション層上に形成されるとともに、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極と電気的に接続されていることが好ましい(形態2−1)。
前記画素凸部は、中心から放射状に複数の突出部を有する形状に形成されていることが好ましい(形態2−2)。
前記画素凸部は、前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の中央に形成されていることが好ましい(形態2−3)。
前記画素電極は、複数のサブ画素電極が相互に連結された構成となっており、前記画素凸部は、前記サブ画素電極ごとに配設されていることが好ましい(形態2−4)。
前記画素電極の一部は、前記走査線と重なる領域にも配設されていることが好ましい(形態1、2−1)。
前記画素電極は、周縁部に複数のスリット部が形成されていることが好ましい(形態1、2−2)。
前記画素電極は、前記複数のサブ画素電極のうちいずれか一のサブ画素電極が反射型の画素電極であり、前記一のサブ画素電極以外の他のサブ画素電極が透過型の画素電極であることが好ましい(形態1、2−3)。
前記反射型の画素電極と前記透過型の画素電極は、同一層に形成されていることが好ましい(形態1、2−4)。
前記画素電極は、透過型の画素電極であることが好ましい(形態1、2−5)。
前記液晶層は、垂直配向型の液晶分子よりなる層であることが好ましい(形態3−1)。
2 ゲート電極
3 走査線
4 絶縁層
5 透明半導体層
6 エッチング停止層
7 ドレイン電極
8 ソース電極
9 信号線
10 パッシベーション層
11、11´ 凹部
12 画素電極
12a、12b、12c サブ画素電極
12d、12f、12g 連結部
12e スリット部
13 薄膜トランジスタアレイ基板
14 液晶配向層
15 対向共通電極
16 カラーフィルタ基板
17 液晶配向層
18 液晶層
19 画素凸部
20 コンタクトホール
21 画素電極
22 薄膜トランジスタアレイ基板
23 液晶層
25、26 液晶表示装置
30 アレイ側偏光板
31 カラーフィルタ側偏光板
32 ガラス基板
33 色層
34 遮光層
35 保護層
36 コンタクトホール
37 反射電極
38 第2パッシベーション層
101 液晶表示装置
102 TFT基板
102a 対向基板
105 TFT
110、130 ガラス基板
112a ゲートバスライン
112b 蓄積容量バスライン
113a、113b、113c エッチングストップパターン
114 絶縁層
116 半導体層パターン
118 チャネル保護層
120a ソース電極
120b ドレイン電極
120c 蓄積容量電極
122 保護層
122x、122y コンタクトホール
122z 開口部
123 凹部
124 画素電極
126 垂直配向型液晶
132 ブラックマトリックス
134 カラーフィルタ層
136 コモン電極
Cs 蓄積容量
Claims (21)
- 絶縁層上に形成されたエッチング停止層と、
前記エッチング停止層を含む前記絶縁層上に形成されたパッシベーション層と、
前記パッシベーション層に形成されるとともに前記エッチング停止層に通ずる凹部と、
前記凹部を含む前記パッシベーション層上に形成されるとともに前記凹部に対応して凹んだ画素電極と、
を備え、
前記エッチング停止層は、透明半導体よりなることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。 - 透明絶縁基板と、
前記透明絶縁基板上に形成された走査線と、
前記透明絶縁基板上に形成されるとともに、前記走査線から分岐したゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記走査線を含む前記透明絶縁基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上の前記ゲート電極のチャネルとなる領域に形成された透明半導体層と、
前記絶縁層上に形成されるとともに、前記走査線と交差する信号線と、
前記絶縁層上に形成されるとともに、前記信号線から分岐し、かつ、前記透明半導体層の一端に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と同一層の前記絶縁層上に形成されるとともに、前記透明半導体層の他端に接続されたソース電極と、
前記パッシベーション層に形成されるとともに、前記ソース電極に通ずるコンタクトホールと、
を備え、
前記エッチング停止層は、前記透明半導体層と同一層かつ同一材料であり、
前記パッシベーション層は、前記透明半導体層、前記エッチング停止層、前記信号線、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極を含む前記絶縁層上に形成され、
前記凹部は、前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の前記パッシベーション層に形成され、
前記画素電極は、少なくとも前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の前記パッシベーション層上に形成されるとともに、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記凹部は、中心から放射状に複数の突出部を有する形状に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記凹部は、前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の中央に形成されていることを特徴とする請求項2又は3記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記エッチング停止層は、前記画素電極の領域と略同一の領域に配設されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、複数のサブ画素電極が相互に連結された構成となっており、
前記凹部は、前記サブ画素電極ごとに配設されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記ソース電極は、前記エッチング停止層上にも形成され、
前記コンタクトホールは、前記ソース電極と前記エッチング停止層が重なった領域に形成されていることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか一に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 絶縁層上に形成された画素凸部と、
前記画素凸部を含む前記絶縁層上に形成されるとともに、前記画素凸部に対応した突出部分を有するパッシベーション層と、
前記突出部分を含む前記パッシベーション層上に形成されるとともに前記突出部分に対応した突出部分を有する画素電極と、
を備え、
前記画素凸部は、透明半導体よりなることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。 - 透明絶縁基板と、
前記透明絶縁基板上に形成された走査線と、
前記透明絶縁基板上に形成されるとともに、前記走査線から分岐したゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記走査線を含む前記透明絶縁基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上の前記ゲート電極のチャネルとなる領域に形成された透明半導体層と、
前記絶縁層上に形成されるとともに、前記走査線と交差する信号線と、
前記絶縁層上に形成されるとともに、前記信号線から分岐し、かつ、前記透明半導体層の一端に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と同一層の前記絶縁層上に形成されるとともに、前記透明半導体層の他端に接続されたソース電極と、
前記パッシベーション層に形成されるとともに、前記ソース電極に通ずるコンタクトホールと、
を備え、
前記画素凸部は、前記透明半導体層と同一層かつ同一材料であり、
前記パッシベーション層は、前記透明半導体層、前記画素凸部、前記信号線、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極を含む前記絶縁層上に形成され、
前記画素電極は、少なくとも前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の前記パッシベーション層上に形成されるとともに、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項8記載の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記画素凸部は、中心から放射状に複数の突出部を有する形状に形成されていることを特徴とする請求項8又は9記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素凸部は、前記走査線と前記信号線に囲まれた領域の中央に形成されていることを特徴とする請求項9又は10記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、複数のサブ画素電極が相互に連結された構成となっており、
前記画素凸部は、前記サブ画素電極ごとに配設されていることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記画素電極の一部は、前記走査線と重なる領域にも配設されていることを特徴とする請求項2又は9記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、周縁部に複数のスリット部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、前記複数のサブ画素電極のうちいずれか一のサブ画素電極が反射型の画素電極であり、前記一のサブ画素電極以外の他のサブ画素電極が透過型の画素電極であることを特徴とする請求項6又は12記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記反射型の画素電極と前記透過型の画素電極は、同一層に形成されていることを特徴とする請求項15記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、透過型の画素電極であることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 請求項1乃至17のいずれか一に記載の薄膜トランジスタアレイ基板と、
カラーフィルタ基板と、
前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記カラーフィルタ基板の間に介在した液晶層と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記液晶層は、垂直配向型の液晶分子よりなる層であることを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 透明絶縁基板上にゲート電極及び走査線を形成する工程と、
前記ゲート電極及び前記走査線を含む前記透明絶縁基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上にて、前記ゲート電極のチャネルとなる領域に透明半導体層を形成し、同時に、前記透明半導体層と同一材料であるエッチング停止層を形成する工程と、
少なくとも前記絶縁層上にドレイン電極、ソース電極、及び信号線を形成する工程と、
前記透明半導体層、前記エッチング停止層、前記信号線、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極を含む前記絶縁層上にパッシベーション層を形成する工程と、
前記パッシベーション層に、前記エッチング停止層に通ずる凹部を形成し、同時に、前記ソース電極に通ずるコンタクトホールを形成する工程と、
前記凹部及び前記コンタクトホールの領域を含む前記パッシベーション層上に画素電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。 - 透明絶縁基板上にゲート電極及び走査線を形成する工程と、
前記ゲート電極及び前記走査線を含む前記透明絶縁基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上にて、前記ゲート電極のチャネルとなる領域に透明半導体層を形成し、同時に、前記透明半導体層と同一材料である画素凸部を形成する工程と、
少なくとも前記絶縁層上にドレイン電極、ソース電極、及び信号線を形成する工程と、
前記透明半導体層、前記画素凸部、前記信号線、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極を含む前記絶縁層上にパッシベーション層を形成する工程と、
前記パッシベーション層に、前記ソース電極に通ずるコンタクトホールを形成する工程と、
前記画素凸部及び前記コンタクトホールの領域を含む前記パッシベーション層上に画素電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。
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