JP2010155338A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010155338A5 JP2010155338A5 JP2009288689A JP2009288689A JP2010155338A5 JP 2010155338 A5 JP2010155338 A5 JP 2010155338A5 JP 2009288689 A JP2009288689 A JP 2009288689A JP 2009288689 A JP2009288689 A JP 2009288689A JP 2010155338 A5 JP2010155338 A5 JP 2010155338A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- substrate
- carrier fixture
- path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (10)
- 研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨パッドで研磨するための方法であって、基材がキャリヤ固定具に固定され、キャリヤ固定具が流路のない表面を有し、方法が、
a)研磨パッドの研磨面に隣接し平行な流路のない表面を持つキャリヤ固定具に基材を固定する工程であって、研磨パッドが多数の溝を有し、多数の溝が高速経路を有し、高速経路の少なくとも50パーセントが研磨パッドの同心円中心を基点とする極座標中の溝軌跡φ(r)の20パーセント以内にあり、(1)研磨パッドの同心円中心と被研磨基材の回転中心との間の距離R、(2)キャリヤ固定具の半径Rcおよび(3)キャリヤ固定具の仮想溝の局所角度θc0に関して以下のとおり画定される、工程と、
b)キャリヤ固定具に隣接する研磨パッドに研磨媒体を適用する工程と、
c)研磨パッドおよびキャリヤ固定具を回転させて研磨パッドおよび研磨媒体で基材を研磨する工程であって、キャリヤ固定具の流路のない表面が研磨パッドに押し当てられて基材への研磨媒体の流動を妨げ、高速溝経路がキャリヤ固定具を横断して基材への研磨媒体の流動を促進する、工程とを含む方法。 - 研磨パッドが中心を有し、中心から互い違いにずらされた半径で開始する多数の溝によって研磨が生じる、請求項1記載の方法。
- φc(r)が負である場合に反時計方向に、またはφc(r)が正である場合に時計方向に回転する研磨パッドとともに回転が生じる、請求項1記載の方法。
- θc0が0〜90度である溝軌跡の20パーセント以内にある高速経路によって研磨が生じる、請求項1記載の方法。
- 研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨パッドで研磨するための方法であって、基材がキャリヤ固定具に固定され、キャリヤ固定具が流路のない表面を有し、方法が、
a)研磨パッドの研磨面に隣接し平行な流路のない表面を持つキャリヤ固定具に基材を固定する工程であって、研磨パッドが多数の溝を有し、多数の溝が高速経路を有し、高速経路の少なくとも50パーセントが研磨パッドの同心円中心を基点とする極座標中の溝軌跡φ(r)の20パーセント以内にあり、(1)研磨パッドの同心円中心と被研磨基材の回転中心との間の距離R、(2)キャリヤ固定具の半径Rcおよび(3)キャリヤ固定具の仮想溝の局所角度θc0に関して以下のとおり画定される、工程と、
b)キャリヤ固定具に隣接する研磨パッドに研磨媒体を適用する工程と、
c)研磨パッドおよびキャリヤ固定具を同一の方向に回転させて研磨パッドおよび研磨媒体で基材を研磨する工程であって、キャリヤ固定具の流路のない表面が研磨パッドに押し当てられて基材への研磨媒体の流動を妨げ、高速溝経路がキャリヤ固定具を横断して基材への研磨媒体の流動を促進する、工程とを含む方法。 - 研磨パッドが中心を有し、中心から互い違いにずらされた半径で開始する多数の溝によって研磨が生じる、請求項5記載の方法。
- φc(r)が負である場合に反時計方向に、またはφc(r)が正である場合に時計方向に回転する研磨パッドとともに回転が生じる、請求項5記載の方法。
- 高速経路を有する多数の溝間の不均等な角離間によって研磨が生じる、請求項5記載の方法。
- θc0が30〜60度である溝軌跡の20パーセント以内にある高速経路によって研磨が生じる、請求項5記載の方法。
- θc0が40〜50度である溝軌跡の10パーセント以内にある高速経路によって研磨が生じる、請求項5記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/317,573 | 2008-12-23 | ||
US12/317,573 US8057282B2 (en) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | High-rate polishing method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010155338A JP2010155338A (ja) | 2010-07-15 |
JP2010155338A5 true JP2010155338A5 (ja) | 2012-11-08 |
JP5453075B2 JP5453075B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=41560870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009288689A Active JP5453075B2 (ja) | 2008-12-23 | 2009-12-21 | 高速研磨方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8057282B2 (ja) |
EP (1) | EP2202031B1 (ja) |
JP (1) | JP5453075B2 (ja) |
KR (1) | KR101601281B1 (ja) |
CN (1) | CN101758446A (ja) |
TW (1) | TWI449598B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110100080A (ko) * | 2010-03-03 | 2011-09-09 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비 |
TWI492818B (zh) * | 2011-07-12 | 2015-07-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨墊、研磨方法以及研磨系統 |
TWI599447B (zh) | 2013-10-18 | 2017-09-21 | 卡博特微電子公司 | 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的cmp拋光墊 |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
WO2016060712A1 (en) | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Applied Materials, Inc. | Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
WO2017074773A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
CN114770371B (zh) * | 2022-03-10 | 2023-08-25 | 宁波赢伟泰科新材料有限公司 | 一种高抛光液使用效率的抛光垫 |
CN115922557B (zh) * | 2023-03-09 | 2023-07-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种抛光组件及抛光设备 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904609A (en) * | 1995-04-26 | 1999-05-18 | Fujitsu Limited | Polishing apparatus and polishing method |
JPH11347938A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Ebara Corp | 研磨生成物の排出機構及び研磨装置 |
TW479000B (en) * | 2000-02-24 | 2002-03-11 | United Microelectronics Corp | Polish pad for polishing semiconductor wafer |
US6843711B1 (en) * | 2003-12-11 | 2005-01-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration |
US6955587B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-10-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Grooved polishing pad and method |
JP2005228828A (ja) | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 半導体ウェハの製造方法 |
US7329174B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-02-12 | Jsr Corporation | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad |
US7059949B1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement |
US7059950B1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP polishing pad having grooves arranged to improve polishing medium utilization |
US7131895B2 (en) * | 2005-01-13 | 2006-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having a radially alternating groove segment configuration |
US7182677B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution |
US7267610B1 (en) * | 2006-08-30 | 2007-09-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having unevenly spaced grooves |
US7300340B1 (en) * | 2006-08-30 | 2007-11-27 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | CMP pad having overlaid constant area spiral grooves |
US7520798B2 (en) | 2007-01-31 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption |
US7311590B1 (en) * | 2007-01-31 | 2007-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to retain slurry on the pad texture |
US7520796B2 (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption |
-
2008
- 2008-12-23 US US12/317,573 patent/US8057282B2/en active Active
-
2009
- 2009-03-13 EP EP09155068.1A patent/EP2202031B1/en active Active
- 2009-12-16 TW TW098143062A patent/TWI449598B/zh active
- 2009-12-21 JP JP2009288689A patent/JP5453075B2/ja active Active
- 2009-12-22 CN CN200910265961A patent/CN101758446A/zh active Pending
- 2009-12-22 KR KR1020090128625A patent/KR101601281B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010155338A5 (ja) | ||
JP5208467B2 (ja) | 不均等に離間した溝を有するcmpパッド | |
RU2015114097A (ru) | Модифицированный процесс микрошлифования | |
EP2202031A3 (en) | High-rate polishing method | |
TW201001515A (en) | Method and apparatus for polishing outer circumferential end section of semiconductor wafer | |
WO2008010357A1 (fr) | Support pour dispositif de polissage recto verso et dispositif de polissage recto verso et procédé de polissage recto verso utilisant le support | |
TWI600077B (zh) | Wafer cutting method | |
WO2009132003A3 (en) | Methods and apparatus for low cost and high performance polishing tape for substrate bevel and edge polishing in semiconductor manufacturing | |
JP2008539594A5 (ja) | ||
CN107210210A (zh) | 吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法 | |
JP2006192568A (ja) | 半径方向に交互に位置する溝セグメント配置形態を有するcmpパッド | |
JP2014144500A (ja) | サファイアウェハーの片面研磨方法、サファイアウェハーの製造方法 | |
TWI523096B (zh) | 晶圓硏磨機台及晶圓硏磨方法 | |
CN102172885A (zh) | 衬底的抛光装置及其抛光的衬底 | |
JP2010257561A (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
TW201233844A (en) | Vapor phase growing apparatus | |
TWI456687B (zh) | 藉由增加含矽材料的光學吸收性改良輻射加熱效能 | |
US20150306727A1 (en) | Polishing method and holder | |
JP2015104771A5 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法及び研磨処理用キャリア | |
JP2006198701A (ja) | 両面平面研磨装置 | |
JP2014120583A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5796771B2 (ja) | 円盤状ワークの周面研磨方法、及び両面研磨機用キャリヤ | |
JP2017205809A (ja) | 面取り加工装置及び面取り加工方法 | |
CN103223638B (zh) | 化学机械研磨设备 | |
US20160354895A1 (en) | Substrate polishing device and method thereof |