JP2010097697A - Organic el device and method of manufacturing the same, and electronic equipment - Google Patents

Organic el device and method of manufacturing the same, and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2010097697A
JP2010097697A JP2008264868A JP2008264868A JP2010097697A JP 2010097697 A JP2010097697 A JP 2010097697A JP 2008264868 A JP2008264868 A JP 2008264868A JP 2008264868 A JP2008264868 A JP 2008264868A JP 2010097697 A JP2010097697 A JP 2010097697A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
organic el
pixel
layer
el device
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008264868A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirokazu Yanagihara
弘和 柳原
Original Assignee
Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an organic EL device capable of being easily manufactured at low cost and having an optical resonating structure with a little emission unevenness; a method of manufacturing the organic EL device; and electronic equipment.
SOLUTION: In the organic EL device 2, an insulating layer 68 of a first pixel element 12R has a first concave part 70R formed in at least a portion of the area where a first electrode 34 of a first organic EL element 6R is not formed; an insulating layer 68 of a second pixel element 12G has a second concave part 70G having a different capacity from that of the first concave part 70R, the second concave part being formed in at least a portion of the area where a first electrode 34 of a second EL element 6G is not formed; a first functional layer 54R is formed on the first convex part 70R and the first electrode 34 of the first organic EL element 6R; and a second functional layer 54G is formed on the second convex part 70G and the first electrode 34 of the second organic EL element 6G. The first functional layer 54R and the second functional layer 54G are composed of the same material and have approximately an identical volume and different film thicknesses on the first electrodes 34 of their respective organic EL elements.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL装置、有機EL装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。 The present invention relates to an organic EL apparatus, a method of manufacturing an organic EL device, and an electronic apparatus.

携帯電話機、パーソナルコンピュータやPDA(Personal Digital Assistants)等の電子機器に使用される表示装置や、デジタル複写機やプリンタ等の画像形成装置における露光用ヘッドとして、有機エレクトロルミネッセンス(EL/Electroluminescence)装置等の発光装置が注目されている。 Mobile phone, a display device and for use in an electronic device such as a personal computer or a PDA (Personal Digital Assistants), as an exposure head of the image forming apparatus such as a digital copying machine or a printer, an organic electroluminescence (EL / Electroluminescence) device, etc. light-emitting devices have been attracting attention of. この種の発光装置をカラー用に構成するにあたっては、従来、発光層を構成する材料を画素毎に変えることにより、各画素から各色の光が射出されるように構成されている。 When configuring this type of light emitting device for color, conventionally, by changing the material constituting the light-emitting layer for each pixel, and is configured such that the light of each color emitted from each pixel.

その一方で、発光層の下層側に形成された下層側反射層と発光層の上層側に形成された上層側反射層との間に光共振器を形成すると共に、液滴吐出法等の塗布法で正孔注入層の膜厚を変えることにより光共振器の光学長を画素毎に変えて、発光素子の射出光から各色の光を取り出す技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 On the other hand, to form the optical resonator between the lower side reflection layer formed on the lower layer side of the luminescent layer emitting layer upper layer-side reflecting layer formed on the coating of the droplet discharge method, or the like the optical length of the optical resonator by changing the film thickness of the hole injection layer instead for each pixel by law, techniques of extracting light of each color from the light emitted of the light emitting device has been proposed (e.g., see Patent Document 1 ).

特開2006−269327号公報 JP 2006-269327 JP

しかしながら、正孔注入層の膜厚を画素毎に変えることにより、各画素から各色の光が射出されるように構成した場合には、画素に打ち込む正孔注入層を構成する材料の液状物の量の変更だけでは対応が出来ず、その膜厚に応じたそれぞれの液状物を用意する必要がある。 However, by changing the thickness of the hole injection layer in each pixel, when configured as light of each color is emitted from each pixel, the liquid product of the material constituting the hole injection layer driven into pixel only change amount can not correspond, it is necessary to prepare a respective liquid product in accordance with the film thickness. この場合、液滴吐出装置を複数用意するか、若しくは1つの装置で複数の液状物を制御することとなり、コスト的に問題がある。 In this case, either preparing a plurality of droplet discharge device, or becomes possible to control the plurality of liquid material in a single device, there is a problem in cost. 又、液状物が変わることから、乾燥挙動が変わり、同時乾燥し、全インクから平坦な膜を得ることが困難となる。 Further, since the liquid material is changed, drying behavior changes, and co-dried, it is difficult to obtain a flat film from the total ink. 液状物毎にそれぞれ乾燥した場合、その分乾燥装置の数を増やすこととなり、この点からもコスト的に問題がある。 When dried, respectively for each liquid material, will increase the number of its minute drying apparatus, there are problems in terms of cost also from this point.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 The present invention has been made to solve at least part of the problems described above, and can be realized as the following forms or application examples.

[適用例1]第1画素と、前記第1画素とは異なる色を発光する第2画素と、が配置された基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、前記第1画素において前記絶縁層上に形成された第1有機EL素子と、前記第2画素において前記絶縁層上に形成された第2有機EL素子と、を有し、前記第1、第2有機EL素子は、それぞれ、光反射層と、第1電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、第2電極と、をこの順に前記絶縁層上に有しており、前記第1、第2有機EL素子は、前記第2電極と前記光反射層との間で光共振器が構成されており、前記第1画素の形成領域に位置する前記絶縁層には、前記第1有機EL素子の前記第1電極が形成されていない領域の少なくとも一部に第1凹部が形成されており、前記第2画素の形成領域 Application Example 1 and the first pixel, the second pixel emitting a different color from the first pixel, and the substrate is disposed, an insulating layer formed on the substrate, wherein in the first pixel a first organic EL element formed on the insulating layer, and a second organic EL element formed on the insulating layer in the second pixel, the first, second organic EL element, respectively , and the light reflection layer, a first electrode, at least the light emitting layer organic functional layer and a second electrode, a is the having on an insulating layer in this order, the first, second organic EL element, wherein and the optical resonator between the second electrode and the light reflective layer is formed, wherein the said insulating layer positioned in the formation region of the first pixel, said first electrode of said first organic EL element at least in part on which the first recess is formed, forming areas of the second pixel of the formed non region 位置する前記絶縁層には、前記第2有機EL素子の前記第1電極が形成されていない領域の少なくとも一部に、前記第1凹部とは異なる容量を有する第2凹部が形成されており、前記第1有機EL素子の前記有機機能層のうちの一層である第1機能層は、前記第1凹部及び前記第1有機EL素子の前記第1電極上に形成されており、前記第2有機EL素子の前記有機機能層のうちの一層である第2機能層は、前記第2凹部及び第2有機EL素子の前記第1電極上に形成されており、前記第1機能層と前記第2機能層とは、同一材料で略同一体積を有し、且つそれぞれの有機EL素子における前記第1電極上において、異なる膜厚を有することを特徴とする有機EL装置。 The said insulating layer positioned on at least a part of the region where the first electrode is not formed in the second organic EL element, and the first recess are formed second recess having a different capacity, the first functional layer is a layer of one of the organic functional layer of the first organic EL element, the is formed on the first electrode of the first recess and the first organic EL element, the second organic the organic functional layer second functional layer is a layer of of the EL element, the second recess and is formed on the first electrode of the second organic EL element, wherein the first functional layer second the functional layer has substantially the same volume of the same material, and on the first electrode in each of the organic EL element, an organic EL device which is characterized by having different thicknesses.

これによれば、凹部により有機機能層に含まれる層の厚みを調整するので、有機機能層に含まれる層の材料の量を画素間で同一にすることができる。 According to this, since adjusting the thickness of the layers included in the organic functional layer by the recess, it is possible to equalize the amount of material layers included in the organic functional layer between the pixels. それ故、従来のITOからなる陽極の厚さを変える場合と比較して、有機機能層の膜厚を画素毎に容易に変えることができ、生産性を向上することができる。 Therefore, as compared with the case of changing the thickness of the anode made of conventional ITO, the thickness of the organic functional layer can easily be varied for each pixel, it is possible to improve productivity. 従って、低コストで且つ容易に、発光ムラの少ない光共振構造を有する有機EL装置を実現できる。 Accordingly, and easily at low cost, it can realize an organic EL device having a small optical resonance structure light emitting unevenness.
又、複数の画素は各々、赤色、緑色、及び青色に対応しているが、発光素子を構成する有機機能層の材質は、対応する色に係らず、共通であり、いずれの色に対応するかは、有機機能層に含まれる層の厚さによって決定されている。 Also, each plurality of pixels, red, green, and then corresponds to the blue, the material of the organic functional layers constituting the light emitting element, regardless of the corresponding color is a common, corresponding to any color or is determined by the thickness of the layers included in the organic functional layer. 即ち、各画素に光共振器を構成し、有機機能層に含まれる層の厚さによって、光共振器の光学長を赤色光、緑色光、青色光のいずれかに対応する長さに設定する。 That constitutes the optical resonator to each pixel, the thickness of the layers included in the organic functional layer, setting the optical length of the optical resonator red light, green light, a length corresponding to one of blue light . 従って、画素がいずれの色に対応するかに係らず、各発光素子の寿命は略等しいので、有機EL装置全体の寿命を延ばすことができる。 Therefore, regardless of whether the pixel corresponds to one color, the life of each light-emitting element are substantially equal, it is possible to extend the life of the entire organic EL device. 又、有機EL装置を製造する際、画素間で同一の材料を用いるので、生産性を向上することができる。 Further, when manufacturing the organic EL device, since using the same material between the pixels, it is possible to improve the productivity. 更に、膜厚を調整する層が有機機能層であれば、液滴吐出法等で形成できるので、画素に吐出する液滴の量や数を任意、且つ、容易に変えることができる。 Furthermore, if the layer is an organic functional layer to adjust the thickness, it can be formed by a droplet discharge method, or the like, the amount and number of droplets discharged to the pixel arbitrary, and can be easily changed.

[適用例2]上記有機EL装置であって、前記第1凹部と前記第2凹部との容量は、凹部の平面積及び/又は深さが異なることによって異なっていることを特徴とする有機EL装置。 Application Example 2 In the above-described organic EL device, the capacitance between the first recess and the second recess, organic EL, characterized in that different by the different plane area and / or depth of the recesses apparatus.

これによれば、第1凹部と第2凹部との容量を調整することが容易になる。 According to this, it becomes easy to adjust the capacitance between the first recess and the second recess.

[適用例3]上記有機EL装置であって、前記第1凹部は、一つ以上の溝及び/又は穴によって構成されていることを特徴とする有機EL装置。 Application Example 3 In the above-described organic EL device, the first recess, the organic EL device which is characterized by being composed by one or more grooves and / or holes.

これによれば、有機機能層に含まれる層の膜厚を厚くする場合には、この溝及び穴等の容量を小さく、一方、有機機能層に含まれる層の膜厚を薄くする場合は、この溝及び穴等の容量を大きくすることで、容易に膜厚調整ができる。 According to this, in the case of increasing the thickness of the layers included in the organic functional layer, reduce the capacity of such groove and the hole, whereas, in the case of reducing the thickness of the layers included in the organic functional layer, by increasing the capacity of such groove or hole, it is easy to thickness adjustment.

[適用例4]上記有機EL装置であって、前記第1凹部の容量と前記第2凹部の容量との差によって、第1有機EL素子の前記第1電極上における前記第1機能層の膜厚と第2有機EL素子の前記第1電極上における前記第2機能層の膜厚とは異なっていることを特徴とする有機EL装置。 Application Example 4 In the above-described organic EL device, the the difference between the capacitance and the capacity of the second recess of the first recess, film of the first functional layer in the first electrode on the first organic EL element thickness and the organic EL device which is characterized in that is different from the thickness of the second functional layer in the first electrode on the second organic EL element.

これによれば、第1機能層と第2機能層との膜厚を調整することが容易になる。 According to this, it becomes easy to adjust the thickness of the first functional layer and the second functional layer.

[適用例5]上記有機EL装置であって、前記有機機能層は正孔注入層を含み、前記第1機能層及び前記第2機能層は前記正孔注入層であることを特徴とする有機EL装置。 Application Example 5 In the above-described organic EL device, the organic functional layer includes a hole injection layer, the first functional layer and the second functional layer is characterized in that the a hole injection layer organic EL devices.

これによれば、正孔注入層の膜厚を調整することが容易になる。 According to this, it becomes easy to adjust the thickness of the hole injection layer.

[適用例6]上記有機EL装置であって、前記絶縁層は平坦化処理された平坦化層であることを特徴とする有機EL装置。 Application Example 6 In the above-described organic EL device, the insulating layer is an organic EL device, characterized in that the flattening layer is flattened.

これによれば、凹部が形成される領域は平坦化処理され、第1凹部と第2凹部との容量を調整することが更に容易になる。 According to this, areas where recesses are formed is planarized, to adjust the capacity between the first recess and the second recess is further facilitated.

[適用例7]第1画素と、前記第1画素とは異なる色を発光する第2画素とを有する有機EL装置の製造方法であって、基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記第1画素の形成領域に対応する位置に第1凹部を形成すると共に、前記絶縁層の前記第2画素の形成領域に対応する位置に第2凹部を形成する工程と、前記絶縁層上の、前記第1凹部及び前記第2凹部と平面視において重ならない領域の少なくとも一部に、前記第1画素形成領域に対応する位置及び前記第2画素形成領域に対応する位置にそれぞれ光反射膜を形成する工程と、前記第1画素形成領域に対応する位置及び前記第2画素形成領域に対応する位置における前記光反射膜上にそれぞれ第1電極を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記第1画素形成領域と前記 And Application Example 7] first pixel, wherein the first pixel to a method of manufacturing an organic EL device having a second pixel emitting different colors, forming an insulating layer on a substrate, the insulation and forming a first recess in a position corresponding to the formation region of the first pixel layer, and forming a second recess in a position corresponding to the formation region of the second pixel of said insulating layer, said insulating layer above, at least a portion of the first recess and a region which does not overlap in said second recess in a plan view, respectively light reflected at a position corresponding to the position and the second pixel forming region corresponding to the first pixel forming region forming a film, and forming a respective first electrode in the light reflecting film at a position corresponding to the position and the second pixel forming region corresponding to the first pixel forming region, on the insulating layer the said first pixel forming region 2画素形成領域とを互いに区画する隔壁を形成する工程と、及び、前記隔壁によって区画された前記第1画素形成領域及び前記第2画素形成領域のそれぞれに、同一材料で略同一体積の機能液を液滴吐出法を用いて吐出し、該機能液を乾燥させて有機機能層を形成する工程と、を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 Forming a partition wall for partitioning the two pixels forming regions from each other, and each of the first pixel forming region partitioned by the partition wall and the second pixel forming region, the functional fluid substantially the same volume of the same material the discharge by a droplet discharge method, a method of manufacturing an organic EL device characterized by having the steps of forming an organic functional layer by drying the functional fluid.

これによれば、凹部により有機機能層に含まれる層の厚みを調整するので、有機機能層に含まれる層の材料の量を画素間で同一にすることができる。 According to this, since adjusting the thickness of the layers included in the organic functional layer by the recess, it is possible to equalize the amount of material layers included in the organic functional layer between the pixels. それ故、従来のITOからなる陽極の厚さを変える場合と比較して、有機機能層の膜厚を画素毎に容易に変えることができ、生産性を向上することができる。 Therefore, as compared with the case of changing the thickness of the anode made of conventional ITO, the thickness of the organic functional layer can easily be varied for each pixel, it is possible to improve productivity. 従って、低コストで且つ容易に、発光ムラの少ない光共振構造を有する有機EL装置の製造方法を実現できる。 Accordingly, and easily at low cost, it can realize a method of manufacturing an organic EL device having a small optical resonance structure light emitting unevenness.
又、複数の画素は各々、赤色、緑色、及び青色に対応しているが、発光素子を構成する有機機能層の材質は、対応する色に係らず、共通であり、いずれの色に対応するかは、有機機能層に含まれる層の厚さによって決定されている。 Also, each plurality of pixels, red, green, and then corresponds to the blue, the material of the organic functional layers constituting the light emitting element, regardless of the corresponding color is a common, corresponding to any color or is determined by the thickness of the layers included in the organic functional layer. 即ち、各画素に光共振器を構成し、有機機能層に含まれる層の厚さによって、光共振器の光学長を赤色光、緑色光、青色光のいずれかに対応する長さに設定する。 That constitutes the optical resonator to each pixel, the thickness of the layers included in the organic functional layer, setting the optical length of the optical resonator red light, green light, a length corresponding to one of blue light . 従って、画素がいずれの色に対応するかに係らず、各発光素子の寿命は略等しいので、有機EL装置全体の寿命を延ばすことができる。 Therefore, regardless of whether the pixel corresponds to one color, the life of each light-emitting element are substantially equal, it is possible to extend the life of the entire organic EL device. 又、有機EL装置を製造する際、画素間で同一の材料を用いるので、生産性を向上することができる。 Further, when manufacturing the organic EL device, since using the same material between the pixels, it is possible to improve the productivity. 更に、膜厚を調整する層が有機機能層であれば、液滴吐出法等で形成できるので、画素に吐出する液滴の量や数を任意、且つ、容易に変えることができる。 Furthermore, if the layer is an organic functional layer to adjust the thickness, it can be formed by a droplet discharge method, or the like, the amount and number of droplets discharged to the pixel arbitrary, and can be easily changed.

[適用例8]上記のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。 Application Example 8 An electronic apparatus, comprising an organic EL device according to any one of the above.

これによれば、上記有機EL装置を表示部に備えることにより、当該表示部において高品位な表示を行うことができる。 According to this, by providing the display unit of the above organic EL device, it is possible to perform high-quality display in the display unit.

以下、図面を参照し、有機EL装置の実施形態について説明する。 Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments will be described of an organic EL device. 尚、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。 In the drawings referred in the embodiments, since a size capable of recognizing layers and members in the drawings, are displayed with different scales for each layer and each member.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
(有機EL装置の基本構成) (The basic configuration of the organic EL devices)
図1は、本実施形態に係る有機EL装置を示す平面図である。 Figure 1 is a plan view showing an organic EL device according to this embodiment. 図2は、図1中のII−II'線における断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view taken along line II-II 'in FIG. 図3は、本実施形態に係る複数の画素の一部を示す平面図である。 Figure 3 is a plan view showing a part of a plurality of pixels according to the present embodiment. 図4は、本実施形態に係る有機EL装置の回路構成を示す図である。 Figure 4 is a diagram showing a circuit configuration of an organic EL device according to this embodiment.
本実施形態に係る有機EL装置2は、図1に示すように、表示面10を有している。 The organic EL device 2 according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, has a display surface 10. ここで、有機EL装置2には、複数の画素12が設定されている。 Here, the organic EL device 2, a plurality of pixels 12 are set. 複数の画素12は、表示領域14内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。 A plurality of pixels 12, in the display area 14, and arranged in the X direction and the Y direction in the drawing, the X direction and the row direction constitute a matrix M to the Y-direction and the column direction. 有機EL装置2は、複数の画素12から選択的に表示面10を介して有機EL装置2の外に光を射出することで、表示面10に画像を表示することができる。 The organic EL device 2, by emitting light to the outside of the organic EL device 2 through the selectively display surface 10 of a plurality of pixels 12, it is possible to display an image on the display surface 10. 尚、表示領域14とは、画像が表示され得る領域である。 Note that the display area 14 is an area where the image can be displayed. 図1では、構成をわかりやすく示すため、画素12が誇張され、且つ画素12の個数が減じられている。 In Figure 1, to show clearly the arrangement, the pixel 12 is exaggerated, and the number of pixels 12 is reduced.

有機EL装置2は、図1中のII−II'線における断面図である図2に示すように、素子基板16と、封止基板18とを有している。 The organic EL device 2, as shown in FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II 'in FIG. 1, has an element substrate 16, a sealing substrate 18.
素子基板16には、表示面10側、即ち封止基板18側に、複数の画素12のそれぞれに対応して、後述する有機EL素子が設けられている。 In the element substrate 16, the display surface 10 side, namely on the sealing substrate 18 side, corresponding to each of the plurality of pixels 12, the organic EL element is provided, which will be described later.

封止基板18は、素子基板16よりも表示面10側で素子基板16に対向した状態で設けられている。 Sealing substrate 18 is provided so as to face the element substrate 16 on the display surface 10 side of the element substrate 16. 素子基板16と封止基板18とは、接着剤20を介して接合されている。 The element substrate 16 and the sealing substrate 18 are bonded via an adhesive 20. 有機EL装置2では、有機EL素子は、接着剤20によって表示面10側から覆われている。 In the organic EL device 2, the organic EL element is covered from the display surface 10 side by the adhesive 20.
又、素子基板16と封止基板18との間は、有機EL装置2の周縁よりも内側で表示領域14を囲むシール材22によって封止されている。 Further, between the element substrate 16 and the encapsulation substrate 18 are sealed by a sealing member 22 surrounding the display area 14 inside from an edge of the organic EL device 2. つまり、有機EL装置2では、有機EL素子と接着剤20とが、素子基板16及び封止基板18並びにシール材22によって封止されている。 That is, in the organic EL device 2, the organic EL element and the adhesive 20 are sealed by the element substrate 16 and the sealing substrate 18 and the sealing member 22.

ここで、有機EL装置2における複数の画素12は、それぞれ、表示面10から射出する光の色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)、及び青系(B)のうちの1つに設定されている。 Here, a plurality of pixels 12 in the organic EL device 2, respectively, the color of light emitted from the display surface 10, as shown in FIG. 3, reddish (R), green-based (G), and blue-based ( It is set to one of B). つまり、マトリクスMを構成する複数の画素12は、Rの光を射出する画素12Rと、Gの光を射出する画素12Gと、Bの光を射出する画素12Bとを含んでいる。 That is, a plurality of pixels 12 that constitute the matrix M includes a pixel 12R which emits light of R, the pixel 12G for emitting light of G, and a pixel 12B which emits light of B.
尚、以下においては、画素12という表記と、画素12R、12G、12Bという表記とが、適宜、使いわけられる。 In the following, the notation pixel 12, pixel 12R, 12G, and a notation 12B, as appropriate, be divided to use.

ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。 Here, the color of R is not limited to a pure red hue, including orange and the like. Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。 The color of G is not limited to a pure green hue, including a blue-green and yellow-green. Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。 The color of B is not limited to the hue of pure blue, including a blue-purple or blue-green and the like. 他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。 From another point of view, light exhibiting a color of R, the peak wavelength of light can be defined as light in the range of more than 570nm in the visible light region. 又、Gの色を呈する光は、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。 The light exhibiting a color of G, the peak wavelength of light can be defined as light in the range of 500Nm~565nm. Bの色を呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。 Light exhibiting color B, the peak of the wavelength of light can be defined as light in the range of 415Nm~495nm.

マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素12が、1つの画素列24を構成している。 In the matrix M, a plurality of pixels 12 arranged along the Y direction constitute one pixel column 24. 又、X方向に沿って並ぶ複数の画素12が、1つの画素行26を構成している。 Further, a plurality of pixels 12 arranged along the X direction, constitutes one pixel row 26. 1つの画素列24内の各画素12は、光の色がR、G、及びBのうちの1つに設定されている。 Each pixel 12 of one pixel column 24, the color of the light is set to one of R, G, and B. つまり、マトリクスMは、複数の画素12RがY方向に配列した画素列24Rと、複数の画素12GがY方向に配列した画素列24Gと、複数の画素12BがY方向に配列した画素列24Bとを有している。 In other words, the matrix M includes a pixel column 24R in which a plurality of pixels 12R are arranged in the Y direction, and the pixel column 24G in which a plurality of pixels 12G are arranged in the Y direction, the pixel array 24B in which a plurality of pixels 12B are arranged in Y-direction have. そして、有機EL装置2では、画素列24R、画素列24G、及び画素列24Bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。 Then, the organic EL device 2, the pixel row 24R, pixel column 24G, and the pixel array 24B has lined repeated along the X direction in this order.
尚、以下においては、画素列24という表記と、画素列24R、画素列24G、及び画素列24Bという表記とが、適宜、使いわけられる。 In the following, the notation pixel column 24, the pixel row 24R, and the notation pixel column 24G, and pixel columns 24B, as appropriate, be divided to use.

有機EL装置2は、回路構成を示す図である図4に示すように、画素12毎に、TFT(Thin Film Transistor)素子28と、TFT素子30と、保持容量32と、有機EL素子6とを有している。 The organic EL device 2, as shown in FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration for each pixel 12, a TFT (Thin Film Transistor) element 28, a TFT element 30, a storage capacitor 32, an organic EL element 6 have. 各有機EL素子6は、画素電極(第1電極)34と、有機機能層36と、共通電極(第2電極)38とを有している。 Each organic EL element 6 includes a pixel electrode (first electrode) 34, an organic functional layer 36, and a common electrode (second electrode) 38.
又、有機EL装置2は、走査線駆動回路40と、データ線駆動回路42と、複数の走査線44と、複数のデータ線46と、複数の電源線48とを有している。 The organic EL device 2 includes a scanning line drive circuit 40, a data line driving circuit 42, a plurality of scanning lines 44, and a plurality of data lines 46 and a plurality of power supply lines 48.

複数の走査線44は、それぞれ走査線駆動回路40につながっており、Y方向に互いに間隔をあけた状態でX方向に延びている。 A plurality of scanning lines 44 are connected to each scanning line drive circuit 40, and extends in the X direction in a state spaced from each other in the Y direction.
複数のデータ線46は、それぞれデータ線駆動回路42につながっており、X方向に互いに間隔をあけた状態でY方向に延びている。 A plurality of data lines 46 are connected to the data line driving circuit 42, respectively, extend in the Y direction in a state spaced from each other in the X direction.
複数の電源線48は、X方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線48と各データ線46とがX方向に間隔をあけた状態でY方向に延びている。 A plurality of power supply lines 48 are in a state spaced from each other in the X direction and extend in the Y direction and in a state in which the power supply lines 48 and the data lines 46 spaced in the X direction.

各画素12は、各走査線44と各データ線46との交差に対応して設定されている。 Each pixel 12 is set so as to correspond to intersections of the scanning lines 44 and the data lines 46. 各走査線44は、図3に示す各画素行26に対応している。 Each scan line 44 corresponds to each pixel row 26 shown in FIG. 各データ線46及び各電源線48は、それぞれ、図3に示す各画素列24に対応している。 Each data line 46 and the power supply line 48, respectively, corresponds to each pixel column 24 shown in FIG.
図4に示す各TFT素子28のゲート電極は、対応する各走査線44に電気的につながっている。 The gate electrodes of the TFT elements 28 shown in Figure 4, to each corresponding scanning lines 44 are connected electrically. 各TFT素子28のソース電極は、対応する各データ線46に電気的につながっている。 The source electrode of each TFT element 28, to the corresponding data lines 46 are connected electrically. TFT素子28のドレイン電極は、TFT素子30のゲート電極及び保持容量32の一方の電極に電気的につながっている。 A drain electrode of the TFT element 28 is connected electrically to one electrode of the gate electrode and the storage capacitor 32 of the TFT element 30.

保持容量32の他方の電極と、TFT素子30のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線48に電気的につながっている。 And the other electrode of the storage capacitor 32, the source electrode of the TFT element 30, respectively, are connected to the corresponding power line 48 electrically.
各TFT素子30のドレイン電極は、各画素電極34に電気的につながっている。 Drain electrodes of the TFT elements 30 are connected electrically to the pixel electrodes 34. 各画素電極34と共通電極38とは、画素電極34を陽極とし、共通電極38を陰極とする一対の電極を構成している。 And each pixel electrode 34 and the common electrode 38, the pixel electrode 34 as an anode, and the common electrode 38 constitute a pair of electrodes which is a cathode.
ここで、共通電極38は、マトリクスMを構成する複数の画素12間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素12間にわたって共通して機能する。 Here, the common electrode 38 is provided in a series state over between a plurality of pixels 12 that constitute the matrix M, and functions common to over between the plurality of pixels 12.
各画素電極34と共通電極38との間に介在する有機機能層36は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。 The organic functional layer 36 interposed between the pixel electrodes 34 and the common electrode 38 is formed of an organic material has a structure including a luminescent layer described later.

TFT素子28は、このTFT素子28につながる走査線44に走査信号が供給されるとON状態となる。 TFT element 28 is turned ON when the scan signals to the scan lines 44 connected to the TFT element 28 is supplied. このとき、このTFT素子28につながるデータ線46からデータ信号が供給され、TFT素子30がON状態になる。 At this time, the data signal from the data line 46 connected to the TFT element 28 is supplied, the TFT element 30 is turned ON. TFT素子30のゲート電位は、データ信号の電位が保持容量32に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。 The gate potential of the TFT element 30, by the potential of the data signal is held for a certain period of time in the storage capacitor 32 is held by a fixed period of time. これにより、TFT素子30のON状態が一定の期間だけ保持される。 Thus, ON state of the TFT element 30 is held by a fixed period of time.

TFT素子30のON状態が保持されているときに、TFT素子30のゲート電位に応じた電流が、電源線48から画素電極34と有機機能層36を経て共通電極38に流れる。 When the ON state of the TFT element 30 is held, a current corresponding to the gate potential of the TFT element 30, flows into the common electrode 38 from the power supply line 48 through the pixel electrode 34 and the organic functional layer 36. そして、有機機能層36に含まれる発光層が、有機機能層36を流れる電流量に応じた輝度で発光する。 Then, the light-emitting layer included in the organic functional layer 36 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing through the organic functional layer 36. 有機EL装置2は、有機機能層36に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板18を介して表示面10から射出されるトップエミッション型の有機EL装置である。 The organic EL device 2, the light emitting layer included in the organic functional layer 36 emits light, light from the light emitting layer is an organic EL device of top emission type, which is emitted from the display surface 10 via the sealing substrate 18. 尚、有機EL装置2では、表示面10側という表現が上側とも表現され、底面50側という表現が下側とも表現される。 In the organic EL device 2, the term display surface 10 side is expressed as the upper, the term bottom 50 side is expressed as the lower side.

ここで、素子基板16及び封止基板18のそれぞれの構成について、詳細を説明する。 Here, for each of the configuration of the element substrate 16 and the sealing substrate 18, it will be described in detail.
図5は、図3中のV−V'線における断面図である。 Figure 5 is a cross-sectional view taken along line V-V 'in FIG. 図6(A)、(B)は、本実施形態に係る凹部70の一例を示す平面図である。 FIG 6 (A), (B) is a plan view showing an example of a concave portion 70 according to this embodiment. 図7(A)、(B)、(C)は、図5に示す有機EL素子6で内部発光した光のスペクトラムを示す説明図、光共振器66によって取り出された光のスペクトラムを示す説明図、及びカラーフィルタ58の透過特性を示す説明図である。 Figure 7 (A), (B), (C) is an explanatory diagram, explaining diagram showing a spectrum of light extracted by the optical resonator 66 illustrating the spectrum of light inside the light-emitting organic EL device 6 shown in FIG. 5 , and it is an explanatory diagram showing the transmission characteristics of the color filter 58. 尚、図5では、構成をわかりやすく示すため、TFT素子28及び保持容量32並びにデータ線46等の素子が省略されている。 In FIG. 5, to indicate clearly the structure, elements such as TFT elements 28 and the storage capacitor 32 and the data line 46 is omitted.

本実施形態に係る有機EL装置2は、図5に示すように、基板としての透明基板52側とは反対側に向けて表示光を射出するトップエミッション型の装置であり、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれの画素(第1画素)12R、画素(第2画素)12G、及び画素12Bにも、有機EL素子6が形成されている。 The organic EL device 2 according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, a device of a top emission type that emits display light toward a side opposite to the transparent substrate 52 side of the substrate, red (R), green (G), blue (B) in any pixel (first pixel) 12R, the pixel (second pixel) 12G, and in the pixel 12B, the organic EL device 6 is formed. 有機EL素子6はそれぞれ第1有機EL素子6R、第2有機EL素子6G、及び第3有機EL素子6Bである。 The organic EL device 6 are each first organic EL device 6R, the second organic EL element 6G, and the third organic EL element 6B. 有機EL素子6は、透明基板52の上層側に、ITO等からなる透明な画素電極(陽極)34、正孔注入層(有機機能層)54、発光層(有機機能層)56、マグネシウム−銀合金からなる半透過反射型の共通電極(陰極)38がこの順に積層された構成を有する。 The organic EL device 6, the upper layer side of the transparent substrate 52, a transparent pixel electrode made of ITO or the like (anode) 34, a hole injection layer (organic functional layer) 54, the light-emitting layer (organic functional layer) 56, a magnesium - silver It has a configuration in which the common electrode (cathode) 38 of the semi-transmissive reflective type made of an alloy are laminated in this order. 正孔注入層54はそれぞれ正孔注入層54R,54G,54Bである。 The hole injection layer 54 are each a hole injection layer 54R, 54G, an 54B. 又、共通電極38の上層側には、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のカラーフィルタ58R、58G、58Bが形成された透明基板60が、エポキシ系の透明な接着剤20によって接着されている。 Further, the upper layer side of the common electrode 38, the red (R), green (G), the color filter 58R of blue (B), 58G, 58B is a transparent substrate 60 formed is an epoxy-based transparent adhesive 20 They are bonded by. 尚、カラーフィルタ58R、58G、58Bの間には遮光膜62が形成されている。 The color filter 58R, 58G, light shielding film 62 is formed between the 58B. 本実施形態ではカラーフィルタを用いているが、カラーフィルタを用いない構成としてもよい。 In the present embodiment uses a color filter may be configured without using a color filter.

又、透明基板52と画素電極34との間には、銀やアルミニウム等といった光反射層(全反射層)64が形成されており、この光反射層64からなる下層側反射層と、共通電極38からなる上層側反射層との間に光共振器66が構成されている。 Further, between the transparent substrate 52 and pixel electrode 34, the light reflective layer such as silver, aluminum, or the like (the total reflection layer) 64 is formed, and the lower-side reflective layer of the light reflecting layer 64, the common electrode an optical resonator 66 is formed between the upper reflective layer of 38.
又、透明基板52と光反射層64との間には、アクリル樹脂等といった絶縁材料からなる平坦化層(絶縁層)68が形成されており、この平坦化層68には、画素12中の発光しない領域とオーバーラップする領域に凹部(膜厚調整部)70が設けられている。 Further, between the transparent substrate 52 and the light reflecting layer 64, the planarizing layer made of an insulating material such acrylic resin are (insulating layer) 68 is formed, on the planarization layer 68, in the pixel 12 emitting region not overlapping with recesses in the region (the film thickness adjusting unit) 70 is provided. 例えば、凹部70は画素電極34のY方向の両端に形成されている。 For example, the recess 70 is formed in the Y direction across the pixel electrode 34. 凹部70はそれぞれ第1凹部70R、第2凹部70G、及び第3凹部70Bである。 Recess 70 each first recess 70R, the second recess 70G, and a third recess 70B.
凹部70は、透明基板52内において、複数の異なる容量(体積)を有している。 Recess 70, the transparent substrate 52 has a plurality of different capacity (volume). 凹部70は、各画素12から射出される色によって、複数の異なる容量を有している。 Recess 70, by the color emitted from each pixel 12 has a plurality of different capacities.
凹部70の容量の違いにより、正孔注入層54の膜厚を調整している。 The difference in volume of the recess 70, and adjusting the thickness of the hole injection layer 54. 正孔注入層54は、凹部70により、画素12毎に光共振器66の光学長を各色光のいずれかに対応する長さとする膜厚に調整されている。 The hole injection layer 54, the recess 70, is adjusted to the thickness of the length corresponding to the optical length of the optical resonator 66 to one of the color light for each pixel 12. 具体的には、画素電極34及び平坦化層68の上層に形成される正孔注入層54の膜厚を厚くする場合には、この凹部70の容量を小さく、一方、正孔注入層54の膜厚を薄くする場合は、この凹部70の容量を大きくすることで調整できる。 Specifically, when increasing the thickness of the hole injection layer 54 formed on the upper layer of the pixel electrode 34 and the planarization layer 68, reduce the capacity of the recess 70, whereas, in the hole injection layer 54 when thinning the film thickness can be adjusted by increasing the capacity of the recess 70. ここで凹部の容量は、凹部の深さ、平面積(凹部を平面視したときの面積)等を変えることにより、調整可能である。 Capacity where the recess, the recess depth by varying the like plane area (area when the recess in plan view), is adjustable.
凹部70は、画素電極34上の正孔注入層54の膜厚が調整できるように、画素電極34上以外の正孔注入層54の部分を形成できる容量を備えているのであれば、その形状は問わない。 Recess 70, as can adjust the film thickness of the hole injection layer 54 on the pixel electrode 34, if provided with the capacity to form part of the hole injection layer 54 except the upper pixel electrode 34, the shape It does not matter. 例えば凹部70は、図6(A)に示すような溝70A、又は、図6(B)に示すような穴70Cのうち少なくとも一方を含んでいる。 For example recesses 70, the grooves 70A as shown in FIG. 6 (A), or contains at least one of the holes 70C as shown in FIG. 6 (B). 溝70A又は穴70Cは、複数の穴又は溝から形成されていてもよい。 Grooves 70A or holes 70C may be formed from a plurality of holes or grooves. 溝70Aは、一続きの溝に形成されていてもよい。 Grooves 70A may be formed in the groove of a series.

ここで、有機EL素子6に用いた正孔注入層54や発光層56は、いずれの画素12R、12G、12Bにおいても同一の材料から構成されており、有機EL素子6は、図7(A)に実線L1で示すようなスペクトラムをもった光を射出する。 Here, the hole injection layer 54 and luminescent layer 56 used for the organic EL device 6, any pixels 12R, 12G, are composed of the same material also in 12B, the organic EL device 6, FIG. 7 (A ) to emit light having a spectrum as shown by the solid line L1. 本実施形態では、画素12R,12G,12Bにおける発光層56を同一の材料を用いて形成しているが、それぞれ異なる材料を用いて形成してもよい。 In the present embodiment, the pixel 12R, 12G, although to form a light-emitting layer 56 using the same material in 12B, it may be formed using different materials. 即ち、画素12Rには赤色の光を射出可能な赤色発光材料、画素12Gには緑色の光を射出可能な緑色発光材料、画素12Bには青色の光を射出可能な青色発光材料、をそれぞれ用いて形成するようにしてもよい。 That is, each red light emitting materials capable of emitting red light, green light-emitting material that can emit a green light in the pixel 12G, the blue light-emitting materials capable of emitting blue light in the pixel 12B, the uses for the pixel 12R it may be formed Te.

但し、本実施形態では、各画素12R、12G、12Bにおける各層の厚さ(単位はnm)は、表1に示すように、共通電極38、発光層56、画素電極34、及び光反射層64は各画素間で同一の厚さであるが、画素電極34上における正孔注入層54の厚さは、それぞれ異なっている。 However, in the present embodiment, each pixel 12R, 12G, of each layer in 12B thickness (in nm), as shown in Table 1, the common electrode 38, luminescent layer 56, pixel electrodes 34, and the light reflecting layer 64 is identical thickness between the pixels, the thickness of the hole injection layer 54 on the pixel electrode 34 are different. 本実施形態においては、画素12R>画素12G>画素12Bである。 In the present embodiment, the pixel 12R> pixel 12G> pixel 12B.

従って、各画素12R、12G、12Bにおける光共振器66の光学長は、各画素12R、12G、12Bで相違している。 Accordingly, the optical length of the optical resonator 66 in each pixel 12R, 12G, 12B, each pixel 12R, 12G, are different in 12B. 言い換えれば、正孔注入層54の厚さは、光共振器66の光学長が、各画素12R、12G、12Bから所定の色光が射出されるように調整されている。 In other words, the thickness of the hole injection layer 54, the optical length of the optical resonator 66, the pixels 12R, 12G, predetermined color light is adjusted so as to be emitted from 12B. このとき、平坦化層68の凹部70の容量は、画素12R<画素12G<画素12Bである。 At this time, the capacity of the recess 70 of the planarization layer 68 is a pixel 12R <pixel 12G <pixel 12B.

本実施形態においては各画素12R,12G,12Bのそれぞれに凹部70を形成する構成としたが、画素電極上における正孔注入層54の膜厚が、画素12R,12G,12Bのうち一番厚い画素については、凹部70を形成しない構成としてもよい。 Each pixel 12R in this embodiment, 12G, has a configuration which forms a recess 70 on each of 12B, the film thickness of the hole injection layer 54 on the pixel electrode, the pixel 12R, 12G, thickest among 12B the pixel may not be formed a recess 70. 即ち、当該画素において、凹部70を形成しない構成で正孔注入層を形成した際に、正孔注入層の膜厚が所望の膜厚となるように、正孔注入層形成材料の量及び他の色の画素の凹部70の容量を調整することにより、当該画素においては凹部70を形成しなくて済む。 That is, in the pixel, when forming the hole injection layer in a configuration that does not form the recess 70, as the thickness of the hole injection layer has a desired thickness, the amount of hole injection layer forming material and other by adjusting the volume of the recess 70 of the color pixels, eliminating the need to form a recess 70 in the pixel.

(製造方法) (Production method)
続いて、図8、図9、及び図10を参照しながら、上述の液滴吐出装置を用いた有機EL素子6の製造方法について説明する。 Subsequently, FIG. 8, with reference to FIG. 9, and 10, a method for manufacturing the organic EL device 6 using the above-described droplet discharge device.
図8は、本実施形態に係る有機EL装置2の製造方法を示す工程図であり、図9及び図10は、本実施形態に係る有機EL装置2の製造工程における有機EL素子6の断面図である。 Figure 8 is a process diagram showing the method of manufacturing the organic EL device 2 according to the present embodiment, FIGS. 9 and 10 are cross-sectional view of an organic EL device 6 in the organic EL device 2 of the manufacturing process according to this embodiment it is. 以下本実施形態では、図面上側を「上」と呼称する。 In the following embodiment, it referred to the drawings upper "upper". 有機EL装置2を製造するにあたって、本実施形態では、共通電極38、画素電極34、及び光反射層64等は、スパッタ法や真空蒸着法等といった成膜工程やフォトリソグラフィ技術を利用したパターニング工程等といった半導体プロセスで形成されるが、正孔注入層54及び発光層56は、インクジェット法等と称せられる液滴吐出法で形成する。 In producing the organic EL device 2, in this embodiment, the common electrode 38, the patterning process pixel electrode 34, and the light reflection layer 64 or the like, using a film forming process or photolithographic techniques such as sputtering or vacuum evaporation method, or the like are formed by a semiconductor process such like, the hole injection layer 54 and the light emitting layer 56 is formed by a droplet discharge method is called a ink-jet method, or the like.

先ず、ステップS100として、TFT素子等が形成された透明基板52上に層間絶縁層72を形成する。 First, as step S100, an interlayer insulating layer 72 on the transparent substrate 52 TFT element or the like are formed. 層間絶縁層72の形成は、窒化珪素、酸化珪素、或いは窒化酸化珪素を、CVD法(化学気相堆積法)等を用いて200nm程度堆積する手法を用いることが好適である。 Formation of the interlayer insulating layer 72, silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride oxide, it is preferable to use a method of depositing about 200nm by CVD (chemical vapor deposition) or the like.

続いて、層間絶縁層72上に凹部70を有するアクリル樹脂等からなる平坦化層68を形成する(図9(A))。 Subsequently, a planarization layer 68 made of an acrylic resin having a recess 70 on the interlayer insulating layer 72 (FIG. 9 (A)). より詳しくは、先ず層間絶縁層72上に、スピンコート法等によって透明樹脂層を形成する。 More specifically, first, on the interlayer insulating layer 72, a transparent resin layer by spin coating or the like.

続いて、レジスト塗布工程、露光工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程等を含む公知のフォトリソグラフィ法によって透明樹脂層をエッチングし、画素12に対応する領域に平坦化層68を形成する。 Subsequently, a resist coating step, an exposure step, an etching step, and etching the transparent resin layer by a known photolithography including resist stripping step or the like to form a planarizing layer 68 in a region corresponding to the pixel 12. このとき、平坦化層68の外縁部については、オーバーエッチ、アンダーエッチ、或いは多階調マスク等の技術を用いて傾斜面を形成する。 At this time, the outer edge portion of the planarization layer 68, over-etching, under-etched, or to form an inclined surface using techniques such as multi-tone mask. こうして、画素12中の発光しない領域とオーバーラップする領域に凹部70を有する平坦化層68が形成される。 Thus, the planarizing layer 68 having a recess 70 in a region that overlap the region that does not emit light in the pixel 12 is formed. ここでは、画素12毎に、以降作成する画素電極34のX方向の両端に(図6参照)、凹部70が配置されるように形成する。 Here, for each pixel 12, the opposite ends of the X direction of the pixel electrodes 34 to create later (see FIG. 6) is formed so as recesses 70 are arranged. 例えば透明樹脂層用の露光マスクの開口パターンを変え、凹部70の間隔を変化させる。 For example changing the aperture pattern of the exposure mask for the transparent resin layer, changing the spacing of the recess 70. 又、ハーフトーン露光(多諧調マスク)により、凹部70の角度や間隔を変化させる。 Further, the half-tone exposure (multi tone mask), changing the angle and spacing of the recesses 70.

次に、ステップS110として、平坦化層68上に光反射層64を形成する(図9(B))。 Next, in step S110, forming a light reflecting layer 64 on the planarizing layer 68 (FIG. 9 (B)). より詳しくは、蒸着マスクを用いたイオンプレーティング法を用いてアルミニウムを積層し、膜厚200nm程度の、光透過性を有する光反射層64を形成する。 More specifically, an aluminum laminated by ion plating using an evaporation mask, a thickness of about 200 nm, to form a light reflective layer 64 having optical transparency.

次に、ステップS120として、光反射層64上に画素電極34を形成する(図9(B))。 Next, in step S120, a pixel electrode 34 on the light reflection layer 64 (FIG. 9 (B)). より詳しくは、蒸着マスクを用いたイオンプレーティング法を用いてITOを積層し、膜厚150nm程度の、光透過性を有する画素電極34を形成する。 More particularly, ITO is laminated by ion plating using an evaporation mask to form a pixel electrode 34 having a thickness of about 150 nm, the light transmittance.

次に、ステップS130では、平坦化層68上に樹脂有機薄膜を塗付し、これをフォトリソグラフィ法によってパターニングすることによって、隔壁74を形成する(図9(B))。 Next, in step S130, designated coating resin organic thin film on the planarizing layer 68, which by patterning by photolithography to form partition walls 74 (FIG. 9 (B)). より詳しくは、酸化珪素層を200nm程度層形成し、発光層56に電流を供給するための領域をエッチング除去することで隔壁74を形成する。 More specifically, a silicon oxide layer is formed 200nm about layer, a region for supplying current to the light emitting layer 56 forming the partition wall 74 by etching away. このステップS130を経ることにより、透明基板52上に、隔壁74、画素電極34、及び平坦化層68によって形作られる凹部が形成される。 Through this step S130, on the transparent substrate 52, recess is shaped by the partition wall 74, the pixel electrode 34, and the planarization layer 68 is formed.

続いて、酸素プラズマ処理、四弗化炭素ガスでのプラズマ処理等を行い、隔壁74、画素電極34、及び平坦化層68に親液性を与える。 Subsequently, oxygen plasma treatment, plasma treatment or the like in the carbon tetrafluoride gas, the partition wall 74, providing a lyophilic property to the pixel electrode 34 and the planarization layer 68. ここまでの工程を終えた状態を図9(B)に示す。 A state in which after the preceding steps shown in FIG. 9 (B).

次に、液滴吐出法により、正孔注入層54(ステップS140)を形成し(図9(C)及び図10(A))、続いて、発光層56(ステップS150)を形成する(図10(A)及び図10(B))。 Then, by a droplet discharge method, to form a hole injection layer 54 (step S140) (FIG. 9 (C) and FIG. 10 (A)), followed by forming a light-emitting layer 56 (step S150) (FIG. . 10 (A) and FIG. 10 (B)). 具体的には、液滴吐出ヘッド76から、正孔注入層54や発光層56を構成する材料の液状物Mを液滴M0として吐出した後、乾燥させて、正孔注入層54や発光層56として定着させる方法である。 Specifically, from the droplet discharge head 76, after the liquid material M of the material constituting the hole injection layer 54 and luminescent layer 56 were ejected as droplets M0, dried, the hole injection layer 54 and luminescent layer a method of fixing a 56. その際、各画素12R、12G、12Bの周りにバンクと称する隔壁74を形成しておき、吐出した液滴M0や液状物M、が周囲にはみ出さないようにしている。 At this time, each pixel 12R, 12G, previously formed a partition wall 74 called banks around the 12B, the discharged droplet M0 or liquid material M, but is so that they are not exposed to the ambient.

このような方法を採用するにあたって、正孔注入層54は、例えば、PEDOT/PSS用インク(PEDOT:PSS重量比=1:50、固形分濃度0.5%、溶媒:ジエチレングリコール50%、残量は純水)を所定領域に吐出した後、真空乾燥及び熱処理(200℃、10分間)させることにより形成できる。 When employing such a method, the hole injection layer 54, for example, ink PEDOT / PSS (PEDOT: PSS weight ratio = 1: 50 solids concentration of 0.5%, solvent: diethylene glycol 50%, the remaining amount after discharging the pure water) in a predetermined area, vacuum drying and heat treatment (200 ° C., can be formed by making 10 minutes) it is. 正孔注入層54の画素電極34上の膜厚は、各画素12の凹部70の容量の違いにより、画素12Rで100nm程度、画素12Gで50nm程度、画素12Bで10nm程度の厚みを有している。 The film thickness of the pixel electrode 34 of the hole injection layer 54, the difference in the capacity of the concave portion 70 of each pixel 12, about 100nm in pixels 12R, about 50nm in pixel 12G, has a thickness of about 10nm in the pixel 12B there.
又、正孔注入層54を形成するための材料としては、前記のものに限定されることなく、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N、N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン等を用いることもできる。 Further, as the material for forming the hole injection layer 54 is not limited to those described above, polyphenylene vinylene polymer precursor is a poly tetrahydrothiophenyl phenylene, 1,1-bis - (4-N , it can also be used N- ditolyl aminophenyl) cyclohexane.

又、発光層56は、例えば、溶質にRGB色を示すポリオレフィン系ポリマー蛍光材料、溶媒組成にシクロヘキセルベンゼンを100%用いて、各バンク開口のインク吐出重量は共通となるように所定領域に吐出した後、真空乾燥及びN2雰囲気中熱処理(130℃、1時間)させることにより形成できる。 Further, the light emitting layer 56 is discharged, for example, polyolefin polymer fluorescence material showing RGB color solute, with 100% cyclohexanol cell benzene in the solvent composition, a predetermined area so that the ink discharge weight in each bank opening a common after vacuum drying and N2 atmosphere heat treatment (130 ° C., 1 hour) can be formed by. 発光層56の膜厚は、50nm程度の厚みを有している。 The thickness of the light-emitting layer 56 has a thickness of about 50nm.
又、発光層56を形成するための材料としては、前記のものに限定されることなく、平坦化層68及び画素電極34の上層側に形成した際、発光層56に膜厚変化を付与するという観点からすれば、高分子材料、例えば分子量が1000以上の高分子材料を用いることが好ましい。 Further, as the material for forming the light-emitting layer 56 is not limited to those described above, when forming the upper layer side of the planarization layer 68 and the pixel electrode 34, to impart thickness change in the light emitting layer 56 from a viewpoint of a polymeric material, such as molecular weight it is preferred to use a 1000 or more polymeric materials. 具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、又はこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープしたものが用いられる。 Specifically, a polyfluorene derivative, a polyphenylene derivative, polyvinylcarbazole, polythiophene derivatives, or these high molecular materials, perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, e.g. rubrene, perylene, 9,10-diphenyl anthracene, tetraphenyl butadiene, nile red, coumarin 6, is doped with quinacridone used. 尚、このような高分子材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。 As such polymeric materials, it is excellent in light emitting performance from the π electrons of the double bonds are π-conjugated polymer material in non-polar localization on the polymer chain, is also a conductive polymer, It is preferably used. 特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、即ちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。 In particular, a compound having a fluorene skeleton in the molecule, namely polyfluorene-based compounds are more preferably used. 又、このような材料以外にも、例えば特開平11−40358号公報に示される有機EL素子用組成物、即ち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも1種の蛍光色素とを含んでなる有機EL素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。 Further, in addition to such materials, for example, an organic EL element composition as shown in JP-A-11-40358, i.e. a precursor of a conjugated polymer organic compound, at least one for changing the emission characteristic the organic EL element composition comprising a fluorescent dye can also be used as a light emitting layer formation material.

続いて、蒸着マスクを用いてカルシウムを全面に蒸着することで、電子注入層78を形成する(図10(B))。 Subsequently, calcium deposited by evaporation on the entire surface, to form the electron injection layer 78 by a vapor deposition mask (FIG. 10 (B)). 電子注入層78の膜厚は、5nm程度の厚さを有している。 The thickness of the electron injection layer 78 has a thickness of about 5 nm. ここで、蒸着マスクの寸法は、隔壁74側の径に合わせた寸法のマスクを用いている。 Here, dimensions of the deposition mask is a mask dimensions tailored to the diameter of the partition wall 74 side.

続いて、アルミニウムを全面に蒸着することで、共通電極38を形成する(図10(B))。 Subsequently, by depositing aluminum on the entire surface to form the common electrode 38 (FIG. 10 (B)). 共通電極38の膜厚は、10nm程度の厚みを有している。 The film thickness of the common electrode 38 has a thickness of about 10 nm. ここまでの工程を実行することで、図10(B)に示す有機EL素子6を形成することができる。 By executing the steps up to here, it is possible to form the organic EL device 6 shown in FIG. 10 (B).

最後に、有機EL素子6が形成された透明基板52と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。 Finally, a transparent substrate 52 of the organic EL device 6 is formed, and sealed via a sealing resin and a sealing substrate which is separately prepared. 例えば、熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を透明基板52の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。 For example, the sealing resin made of thermosetting resin or UV curable resin is applied to the peripheral portion of the transparent substrate 52, placing a sealing substrate on the sealing resin. 封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。 Sealing step, nitrogen, argon, be carried out in an inert gas atmosphere such as helium preferred. 大気中で行うと、共通電極38にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が共通電極38に侵入して共通電極38が酸化されるおそれがあるので好ましくない。 Undesirable performed in the atmosphere, there is a possibility that the common electrode 38 water and oxygen from the defective portion from entering the common electrode 38 is oxidized when defects such as pinholes have occurred in the common electrode 38 .

この後、透明基板52の配線に共通電極38を接続すると共に、透明基板52上或いは外部に設けられる駆動IC(駆動回路)に回路素子部(図示せず)の配線を接続することにより、本実施形態の有機EL装置2が完成する。 Thereafter, the connecting common electrode 38 to the wiring of the transparent substrate 52, by connecting the wiring of the circuit element portion (not shown) to the driving IC provided on the transparent substrate 52 above or outside (drive circuit), the the organic EL device 2 of the embodiment is completed.

(発光動作) (Light-emitting operation)
このように構成した有機EL素子6では、画素電極34から正孔注入層54及び発光層56を通じて共通電極38に電流が流れると、そのときの電流量に応じて発光層56が発光する。 In the organic EL device 6 constructed as described above, a current flows through the common electrode 38 through the hole injection layer 54 and the light emitting layer 56 from the pixel electrodes 34, the light emitting layer 56 emits light according to a current amount at that time. そして、発光層56から射出された光は共通電極38を透過して、観測者側に射出される一方、発光層56から透明基板52に向けて射出された光は、画素電極34の下層に形成された光反射層64によって反射され、共通電極38を透過して観測者側に射出される。 The light emitted from the light-emitting layer 56 is transmitted through the common electrode 38, while being emitted to the observer side, light emitted toward the transparent substrate 52 from the light-emitting layer 56, the lower layer of the pixel electrode 34 is reflected by the light reflecting layer 64 formed, is emitted to the observer side passes through the common electrode 38. その際、発光層56から射出された光では、光共振器66の下層側反射層(光反射層64)と上層側反射層(共通電極38)の間で多重反射され、光共振器66の光学長の1/4波長の整数倍に相当する光の色度を向上させることができる。 At that time, the light emitted from the light emitting layer 56 is multiply reflected between the lower side reflection layer of the optical resonator 66 (the light reflecting layer 64) and the upper side reflection layer (common electrode 38), the optical resonator 66 it is possible to improve the chromaticity of light corresponding to an integral multiple of a quarter wavelength of the optical length.

従って、有機EL素子6は、図7(A)に実線L1で示すようなスペクトラムをもった白色光を内部で発生させるが、赤色(R)に対応する画素12Rからは、図7(B)に実線LR1で示すスペクトラムをもった赤色光が射出され、緑色(G)に対応する画素12Gからは、図7(B)に点線LG1で示すスペクトラムをもった緑色光が射出され、青色(B)に対応する画素12Bからは、図7(B)に一点鎖線LB1で示すスペクトラムをもった青色光が射出される。 Therefore, the organic EL device 6 is to generate white light having a spectrum as shown by the solid line L1 in FIG. 7 (A) inside, from the pixel 12R corresponding to red (R), FIG. 7 (B) red light having a spectrum indicated by a solid line LR1 is emitted from the pixel 12G corresponding to green (G), the green light is emitted having a spectrum indicated by a dotted line LG1 in FIG. 7 (B), blue (B from corresponding pixel 12B in), blue light having a spectrum indicated by a one-dot chain line LB1 in FIG. 7 (B) is emitted.

更に、本実施形態では、赤色(R)の画素12Rの光射出側には、図7(C)に実線LR2で示す透過特性の赤色のカラーフィルタ58Rが配置され、緑色(G)の画素12Gの光射出側には、図7(C)に一点鎖線LG2で示す透過特性の緑色のカラーフィルタ58(G)が配置され、青色(B)の画素12(B)の光射出側には、図7(C)に二点鎖線LB2で示す透過特性の青色のカラーフィルタ58Bが配置されているので、各画素12R、12G、12Bからは、色純度の高い光が射出されることになる。 Further, in the present embodiment, the light emitting side of the pixel 12R of red (R), the red color filter 58R of the transmission characteristic shown by the solid line LR2 is arranged in FIG. 7 (C), the pixel 12G of green (G) of the light emitting side is a green printing color filter 58 (G) of the transmission characteristic shown by the one-dot chain line LG2 in FIG. 7 (C), on the light emission side of the blue (B) pixels 12 (B) is since the blue color filter 58B of the transmission characteristic indicated by the two-dot chain line LB2 in FIG. 7 (C) are arranged, each pixel 12R, 12G, from 12B, so that the color purity with high light is emitted.

本実施形態によれば、凹部70により正孔注入層54の膜厚を調整するので、正孔注入層54の材料の量を画素12間で同一にすることができる。 According to this embodiment, since adjusting the thickness of the hole injection layer 54 by the recess 70, the amount of material of the hole injection layer 54 can be made same in the pixel 12. それ故、従来のITOからなる陽極の膜厚を変える場合と比較して、有機機能層36の膜厚を画素12毎に容易に変えることができ、生産性を向上することができる。 Therefore, as compared with the case of changing the thickness of the anode made of conventional ITO, the thickness of the organic functional layer 36 can easily be varied for each pixel 12, it is possible to improve productivity. 従って、低コストで且つ容易に、発光ムラの少ない光共振構造を有する有機EL装置2を実現できる。 Accordingly, and easily at low cost, it can realize an organic EL device 2 having less optical resonant structure light emitting unevenness.
又、複数の画素12は各々、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)に対応しているが、有機EL素子6を構成する正孔注入層54や発光層56等の有機機能層の材質は、対応する色にかかわらず、共通であり、いずれの色に対応するかは、有機機能層に含まれる層の厚さによって決定されている。 Also, each plurality of pixels 12 comprises a red (R), green (G), and is then corresponds to blue (B), an organic such as the hole injection layer 54 and luminescent layer 56 constituting the organic EL element 6 the material of the functional layer, regardless of the corresponding color are common, is that it works with the one color, and is determined by the thickness of the layers included in the organic functional layer. 即ち、本実施形態では、各画素12に光共振器66を構成し、有機機能層に含まれる発光層56の厚さによって、光共振器66の光学長を赤色光、緑色光、及び青色光のいずれかに対応する長さに設定する。 That is, in this embodiment, constitutes the optical resonator 66 in each pixel 12, the thickness of the light-emitting layer 56 included in the organic functional layer, a red optical length of the optical resonator 66 light, green light, and blue light setting a length corresponding to one of the. 従って、画素12がいずれの色に対応するかに係らず、有機EL素子6の寿命は略等しいので、有機EL装置2全体の寿命を延ばすことができる。 Therefore, regardless of whether the pixel 12 corresponds to one color, since the lifetime of the organic EL element 6 is substantially equal, it is possible to extend the organic EL device 2 whole life.

又、有機EL装置2を製造する際、画素12間で同一の材料を用いるので、生産性を向上することができる。 Further, when manufacturing the organic EL device 2, because using the same materials in between the pixel 12, it is possible to improve productivity.

更に、有機機能層からなる発光層56であれば、インクジェット法(液滴吐出法)で形成できるので、画素12に吐出する液滴M0の量や数を任意、且つ、容易に変えることができる。 Furthermore, if the light-emitting layer 56 made of an organic functional layer, can be formed by an ink jet method (droplet discharge method), the amount or number of droplets M0 for discharging the pixels 12 optionally, and can easily be changed . それ故、ITOからなる陽極の厚さを変える場合と比較して、生産性が高い。 Therefore, as compared with the case of changing the thickness of the anode made of ITO, the productivity is high.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図11は、本実施形態に係る有機EL装置4に用いた有機EL素子8の構成を模式的に示す断面図である。 Figure 11 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an organic EL element 8 used in the organic EL device 4 according to the present embodiment. 図12は、光共振器80によって取り出された光のスペクトラムを示す説明図である。 Figure 12 is an explanatory diagram showing a spectrum of light extracted by the optical resonator 80. 尚、本実施形態の基本的な構成は、第1の実施形態と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。 The basic configuration of this embodiment, since the first is the same as the embodiment, portions having the functions common to the description thereof is omitted with the same reference numerals.

図11において、本実施形態に係る有機EL装置4は、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)のいずれの画素12R、12G、12Bにも、有機EL素子8が形成されている。 11, the organic EL device 4 according to this embodiment, red (R), green (G), and any pixels 12R of blue (B), 12G, to 12B, the organic EL element 8 is formed there. 有機EL素子8はそれぞれ第1有機EL素子8R、第2有機EL素子8G、及び第3有機EL素子8Bである。 The organic EL element 8 first organic EL element 8R respectively, a second organic EL element 8G, and the third organic EL element 8B. 本実施形態の有機EL素子8は、正孔注入層に代えて正孔輸送層(有機機能層)82が形成されている。 The organic EL device 8 of this embodiment, the hole transport layer instead of the hole injection layer (organic functional layer) 82 is formed. 即ち、有機EL素子8は、透明基板52の上層側に、ITO等からなる透明な画素電極(陽極)34、正孔輸送層82、発光層(有機機能層)56、マグネシウム−銀合金からなる半透過反射型の共通電極(陰極)38がこの順に積層された構成を有する。 That is, the organic EL element 8, on the upper layer side of the transparent substrate 52, a transparent pixel electrode made of ITO or the like (anode) 34, a hole transport layer 82, light-emitting layer (organic functional layer) 56, magnesium - made of silver alloy It has a configuration in which the common electrode (cathode) 38 of the semi-transmissive reflective type are stacked in this order. 正孔輸送層82はそれぞれ正孔輸送層82R,82G,82Bである。 Each hole transport layer 82 is a hole transport layer 82R, 82G, an 82B.

又、透明基板52と画素電極34の間には、銀やアルミニウム等といった光反射層(全反射層)64が形成されており、この光反射層64からなる下層側反射層と、共通電極38からなる上層側反射層との間に光共振器80が構成されている。 Also, between the transparent substrate 52 and pixel electrode 34, the light reflective layer such as silver, aluminum, or the like (the total reflection layer) 64 is formed, and the lower-side reflective layer of the light reflecting layer 64, common electrode 38 an optical resonator 80 is formed between the upper reflective layer of.
又、透明基板52と光反射層64との間には、アクリル樹脂等といった平坦化層68が形成されており、この平坦化層68には、画素12中の発光しない領域とオーバーラップする領域に凹部70が設けられている。 Further, between the transparent substrate 52 and the light reflecting layer 64 is formed with a planarization layer 68, such an acrylic resin or the like, the planarization layer 68 that overlap the region that does not emit light in the pixel 12 area recess 70 is provided in the. 例えば、凹部70は画素電極34のY方向の両端に形成されている。 For example, the recess 70 is formed in the Y direction across the pixel electrode 34. 正孔輸送層82は、凹部70により、画素12毎に光共振器80の光学長を各色光のいずれかに対応する長さとする膜厚に調整されている。 The hole transport layer 82, the recess 70, is adjusted to the thickness of the length corresponding to the optical length of the optical resonator 80 to one of the color light for each pixel 12.

ここで、有機EL素子8に用いた正孔輸送層82や発光層56は、いずれの画素12R、12G、12Bにおいても同一の材料から構成されており、有機EL素子8は、白色光を射出する。 Here, the hole transport layer 82 and light emitting layer 56 used for the organic EL element 8, any pixels 12R, 12G, are composed of the same material also in 12B, the organic EL element 8 emitted white light to.

但し、本実施形態では、各画素12R、12G、12Bにおける各層の厚さ(単位はnm)は、表2に示すように、共通電極38、発光層56、画素電極34、及び光反射層64は各画素間で同一の厚さであるが、正孔輸送層82の画素電極34上の厚さは、画素12R>画素12G>画素12Bである。 However, in the present embodiment, each pixel 12R, 12G, of each layer in 12B thickness (in nm), as shown in Table 2, the common electrode 38, luminescent layer 56, pixel electrodes 34, and the light reflecting layer 64 is identical thickness between the pixels, the thickness of the pixel electrode 34 of the hole transport layer 82 is a pixel 12R> pixel 12G> pixel 12B.

従って、各画素12R、12G、12Bにおける光共振器80の光学長は、各画素12R、12G、12Bで相違している。 Accordingly, the optical length of the optical resonator 80 in each pixel 12R, 12G, 12B, each pixel 12R, 12G, are different in 12B. 言い換えれば、正孔輸送層82の厚さは、光共振器80の光学長が、各画素12R、12G、12Bから所定の色光が射出されるように調整されている。 In other words, the thickness of the hole transport layer 82, the optical length of the optical resonator 80, the pixels 12R, 12G, predetermined color light is adjusted so as to be emitted from 12B. このとき、平坦化層68の凹部70の容量は、画素12R<画素12G<画素12Bである。 At this time, the capacity of the recess 70 of the planarization layer 68 is a pixel 12R <pixel 12G <pixel 12B.

従って、本実施形態では、有機EL素子8は、白色光を内部で発生させるが、赤色(R)に対応する画素12Rからは、図12に実線LR1で示すスペクトラムをもった赤色光が射出され、緑色(G)に対応する画素12Gからは、図12に点線LG1で示すスペクトラムをもった緑色光が射出され、青色(B)に対応する画素12Bからは、図12に一点鎖線LB1で示すスペクトラムをもった青色光が射出される。 Accordingly, in the present embodiment, the organic EL element 8 is to generate a white light internally, from the pixel 12R corresponding to red (R), the red light having the spectrum shown by the solid line LR1 in FIG. 12 is emitted from the pixel 12G corresponding to green (G), emitted green light having a spectrum shown in FIG. 12 by a dotted line LG1, the pixel 12B corresponding to blue (B), indicated by a chain line LB1 in FIG. 12 blue light having a spectrum is emitted.

更に、本実施形態では、第1の実施形態と同様、赤色(R)の画素12Rの光射出側には、図7(C)に実線LR2で示す透過特性の赤色のカラーフィルタ58Rが配置され、緑色(G)の画素12Gの光射出側には、図7(C)に一点鎖線LG2で示す透過特性の緑色のカラーフィルタ58Gが配置され、青色(B)の画素12Bの光射出側には、図7(C)に二点鎖線LB2で示す透過特性の青色のカラーフィルタ58Bが配置されているので、各画素12R、12G、12Bからは、色純度の高い光が射出されることになる。 Further, in the present embodiment, as in the first embodiment, the light exit side of the pixel 12R of red (R), the red color filter 58R of the transmission characteristic shown by the solid line LR2 is arranged in FIG. 7 (C) , on the light emission side of the pixel 12G of green (G), the green color filter 58G for transmission characteristic shown by the one-dot chain line LG2 in FIG. 7 (C) is disposed on the light emission side of the pixel 12B of blue (B) since the blue color filter 58B of the transmission characteristic indicated by the two-dot chain line LB2 in FIG. 7 (C) are arranged, each pixel 12R, 12G, from 12B, that having high color purity of light is emitted Become.

このように本実施形態では、凹部70により正孔輸送層82の膜厚を調整するので、正孔輸送層82の材料の量を画素12間で同一にすることができる。 Thus, in the present embodiment, since adjusting the thickness of the hole transport layer 82 by the recess 70, the amount of material of the hole transport layer 82 can be made same in the pixel 12. それ故、従来のITOからなる陽極の膜厚を変える場合と比較して、有機機能層36の膜厚を画素12毎に容易に変えることができ、生産性を向上することができる。 Therefore, as compared with the case of changing the thickness of the anode made of conventional ITO, the thickness of the organic functional layer 36 can easily be varied for each pixel 12, it is possible to improve productivity. 従って、低コストで且つ容易に、発光ムラの少ない光共振構造を有する有機EL装置4を実現できる。 Accordingly, and easily at low cost, it can realize an organic EL device 4 having a small optical resonance structure light emitting unevenness.
又、各画素12に光共振器80を構成し、有機機能層に含まれる正孔輸送層82の厚さによって、光共振器80の光学長を赤色光、緑色光、青色光のいずれかに対応する長さに設定する。 Further, by constituting the optical resonator 80 in each pixel 12, the thickness of the hole transport layer 82 included in the organic function layer, the optical length of the optical resonator 80 red light, green light, to one of blue light to set to the corresponding length. 従って、画素12がいずれの色に対応するかにかかわらず、有機EL素子8の寿命は略等しいので、有機EL装置4全体の寿命を延ばすことができる。 Therefore, regardless of whether the pixel 12 corresponds to one color, since the lifetime of the organic EL element 8 is approximately equal, it is possible to extend the organic EL device 4 entire lifetime. 又、有機EL装置4を製造する際、画素12間で同一の材料を用いるので、生産性を向上することができる。 Further, when manufacturing the organic EL device 4, since using the same material in between the pixel 12, it is possible to improve productivity. 更に、有機機能層からなる正孔輸送層82であれば、インクジェット法(液滴吐出法)で形成できるので、画素12に吐出する液滴M0の量や数を任意、且つ、容易に変えることができる。 Further, if the hole transport layer 82 made of an organic functional layer, can be formed by an ink jet method (droplet discharge method), optionally an amount or number of droplets M0 for discharging the pixel 12, and easily altering can. それ故、ITOからなる陽極の厚さを変える場合と比較して、生産性が高い等、第1の実施形態と同様な効果を奏する。 Therefore, exhibited as compared with the case of changing the thickness of the anode made of ITO, high productivity and the like, the same effects as the first embodiment.

(電子機器) (Electronics)
次に、上記した有機EL素子6(8)を含む有機EL装置2(4)を備える電子機器について説明する。 It will now be described organic EL device electronic apparatus including 2 (4) containing the organic EL device 6 (8) described above.
図13(A)〜(C)は、本実施形態に係る有機EL素子6(8)を含む有機EL装置2(4)を備える電子機器の斜視図である。 Figure 13 (A) ~ (C) is a perspective view of an electronic apparatus including the organic EL device 2 (4) containing the organic EL device 6 according to this embodiment (8). 図13(A)に、有機EL装置2(4)を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。 In FIG. 13 (A), shows a configuration of a mobile personal computer equipped with an organic EL device 2 (4). パーソナルコンピュータ100は、有機EL装置2(4)と本体部102を備える。 Personal computer 100, the organic EL device 2 and (4) includes a body portion 102. 本体部102には、電源スイッチ104及びキーボード106が設けられている。 The main body 102, a power switch 104 and a keyboard 106 are provided.

図13(B)には、有機EL装置2(4)を備えた携帯電話機の構成を示す。 FIG 13 (B), shows the structure of a mobile phone including the organic EL device 2 (4). 携帯電話機110は、複数の操作ボタン112及びスクロールボタン114、並びに表示ユニットとしての有機EL装置2(4)を備える。 Mobile phone 110 includes an organic EL device 2 (4) as a plurality of operation buttons 112 and scroll buttons 114 and a display unit. スクロールボタン114を操作することによって、有機EL装置2(4)に表示される画面がスクロールされる。 By operating the scroll button 114, a screen displayed on the organic EL device 2 (4) is scrolled.

図13(C)に、有機EL装置2(4)を適用した情報携帯端末PDA(Personal Digital Assistants)の構成を示す。 In FIG. 13 (C), showing a configuration of an information applying organic EL device 2 (4) the mobile terminal PDA (Personal Digital Assistants). 情報携帯端末120は、複数の操作ボタン122及び電源スイッチ124、並びに表示ユニットとしての有機EL装置2(4)を備える。 PDA 120 includes an organic EL device 2 (4) as a plurality of operation buttons 122, a power switch 124 and a display unit. 電源スイッチ124を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機EL装置2(4)に表示される。 By operating the power switch 124, various types of information such as an address book or a schedule book is displayed on the organic EL device 2 (4).

尚、有機EL装置2(4)が搭載される電子機器としては、図13(A)〜(C)に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。 As the electronic equipment organic EL device 2 (4) is mounted, other those shown in FIG. 13 (A) ~ (C), a digital still camera, a liquid crystal television, a view finder type or monitor direct view type video tape recorder , car navigation systems, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, and apparatuses having a touch panel. そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機EL装置2(4)が適用可能である。 Then, as a display portion of various electronic apparatuses, organic EL device 2 (4) described above are possible applications.
本実施形態によれば、有機EL装置2(4)を表示部に備えることにより、当該表示部において高品位な表示を行うことができる。 According to this embodiment, by providing the display unit organic EL device 2 (4), it is possible to perform high-quality display in the display unit.

以上、実施形態について説明したが、変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。 Having described embodiments, as a modification, it is conceivable for example, as follows.

(変形例1) (Modification 1)
上記実施形態の有機EL素子6(8)は、赤、緑、青の3色の発光層56及び画素12を有するが、これに代えて、4色以上の発光層及び画素を有する構成であってもよい。 The organic EL device 6 of the embodiment (8), red, green, has a light-emitting layer 56 and the pixel 12 of the three colors of blue, instead of this, there a configuration having a light-emitting layer and pixels of four or more colors it may be. 例えば、赤、緑、青、シアンの4色による構成とすることができる。 For example, it can be red, green, blue, and configuration with four colors of cyan.

(変形例2) (Modification 2)
上記実施形態では、透明基板52側とは反対側に向けて表示光を射出するトップエミッション型を例に説明したが、基板側に向けて表示光を射出するボトムエミッション型に適用してもよい。 In the above embodiment, the transparent substrate 52 side has been described top emission type that emits display light toward the opposite side as an example, it may be applied to a bottom emission type that emits display light toward the substrate side .

(変形例3) (Modification 3)
上記実施形態では、画素12に機能液を充填させる方法として液滴吐出法に限定されず、例えば、ディスペンサ塗布法を用いるようにしてもよい。 In the above embodiments, not limited to the droplet discharge method as a method of filling a functional fluid in the pixel 12, for example, it may be used a dispenser coating method.

第1の実施形態に係る有機EL装置を示す平面図。 Plan view of an organic EL device according to the first embodiment. 図1中のII−II'線における断面図。 Sectional view taken along line II-II 'in FIG. 第1の実施形態に係る複数の画素の一部を示す平面図。 Plan view showing a part of a plurality of pixels according to the first embodiment. 第1の施形態に係る表示装置の回路構成を示す図。 Diagram illustrating a circuit configuration of a display device according to the first facilities forms. 図3中のV−V'線における断面図。 Sectional view taken along line V-V 'in FIG. 第1の実施形態に係る凹部の一例を示す平面図。 Plan view showing one example of a concave portion according to the first embodiment. 図5に示す有機EL素子で内部発光した光のスペクトラムを示す説明図、光共振器によって取り出された光のスペクトラムを示す説明図、及びカラーフィルタの透過特性を示す説明図。 Explanatory view showing a spectrum of light inside the light-emitting organic EL device shown in FIG. 5, illustration showing a spectrum of light extracted by the optical resonator, and explanatory diagram showing the transmission characteristics of the color filter. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を示す工程図。 Process diagram showing the method of manufacturing the organic EL device according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造工程における有機EL素子の断面図。 Sectional view of an organic EL element in the manufacturing process of the organic EL device according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造工程における有機EL素子の断面図。 Sectional view of an organic EL element in the manufacturing process of the organic EL device according to the first embodiment. 第2の実施形態に係る有機EL装置に用いた有機EL素子の構成を模式的に示す断面図。 Sectional view schematically showing a structure of an organic EL device using the organic EL device according to a second embodiment. 光共振器によって取り出された光のスペクトラムを示す説明図。 Explanatory view showing a spectrum of light extracted by the optical resonator. 本実施形態に係る有機EL素子を含む有機EL装置を備える電子機器の斜視図。 Perspective view of an electronic apparatus including the organic EL device including an organic EL device according to this embodiment.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2,4…有機EL装置 6,8…有機EL素子 10…表示面 12…画素 14…表示領域 16…素子基板 18…封止基板 20…接着剤 22…シール材 24…画素列 26…画素行 28,30…TFT素子 32…保持容量 34…画素電極(第1電極) 36…有機機能層 38…共通電極(上層側反射層)(第2電極) 40…走査線駆動回路 42…データ線駆動回路 44…走査線 46…データ線 48…電源線 50…底面 52…透明基板(基板) 54…正孔注入層(有機機能層) 56…発光層(有機機能層) 58…カラーフィルタ 60…透明基板 62…遮光膜 64…光反射層(下層側反射層) 66…光共振器 68…平坦化層(絶縁層) 70…凹部 72…層間絶縁層 74…隔壁 76…液滴吐出ヘッド 78…電子注入層 80…光共振器 2,4 ... organic EL device 6,8 ... organic EL device 10 ... display surface 12 ... pixel 14 ... display area 16 ... the element substrate 18 ... sealing substrate 20 ... adhesive 22 ... sealing member 24 ... pixel columns 26 ... pixel rows 28, 30 ... TFT element 32 ... holding capacitor 34 ... pixel electrode (first electrode) 36 ... organic functional layer 38 ... common electrode (upper layer-side reflecting layer) (second electrode) 40 ... scanning-line driving circuit 42 ... data line driving circuit 44 ... scanning lines 46 ... data line 48 ... power supply line 50 ... bottom 52 ... transparent substrate (substrate) 54 ... hole injection layer (organic functional layer) 56 ... light-emitting layer (organic functional layer) 58 ... color filter 60 ... transparent substrate 62 ... light shielding film 64 ... light reflection layer (lower layer-side reflecting layer) 66 ... optical resonator 68 ... flattening layer (insulating layer) 70 ... recess 72 ... interlayer insulating layer 74 ... partition wall 76 ... droplet discharge head 78 ... electronic injection layer 80 ... optical resonator 82…正孔輸送層 100…パーソナルコンピュータ 102…本体 104…電源スイッチ 106…キーボード 110…携帯電話機 112…操作ボタン 114…スクロールボタン 120…情報携帯端末PDA 122…操作ボタン 124…電源スイッチ。 82 ... hole transport layer 100 ... personal computer 102 ... main body 104 ... power switch 106 ... keyboard 110 ... mobile phone 112 ... operation buttons 114 ... scroll buttons 120 ... PDA PDA 122 ... operation button 124 ... power switch.

Claims (8)

  1. 第1画素と、前記第1画素とは異なる色を発光する第2画素と、が配置された基板と、 A first pixel, a substrate and a second pixel emitting a different color, are arranged from the first pixel,
    前記基板上に形成された絶縁層と、 An insulating layer formed on the substrate,
    前記第1画素において前記絶縁層上に形成された第1有機EL素子と、 A first organic EL element formed on the insulating layer in the first pixel,
    前記第2画素において前記絶縁層上に形成された第2有機EL素子と、 A second organic EL element formed on the insulating layer in the second pixel,
    を有し、 Have,
    前記第1、第2有機EL素子は、それぞれ、 Said first, second organic EL element, respectively,
    光反射層と、 And a light reflecting layer,
    第1電極と、 A first electrode,
    少なくとも発光層を含む有機機能層と、 An organic functional layer including at least a light emitting layer,
    第2電極と、 A second electrode,
    をこの順に前記絶縁層上に有しており、 The has the insulating layer in this order,
    前記第1、第2有機EL素子は、前記第2電極と前記光反射層との間で光共振器が構成されており、 Said first, second organic EL element, the optical resonator is constituted between the light reflecting layer and the second electrode,
    前記第1画素の形成領域に位置する前記絶縁層には、前記第1有機EL素子の前記第1電極が形成されていない領域の少なくとも一部に第1凹部が形成されており、 Wherein the said insulating layer positioned in the formation region of the first pixel, a first recess is formed in at least part of the region where the first electrode is not formed of the first organic EL element,
    前記第2画素の形成領域に位置する前記絶縁層には、前記第2有機EL素子の前記第1電極が形成されていない領域の少なくとも一部に、前記第1凹部とは異なる容量を有する第2凹部が形成されており、 Wherein the said insulating layer positioned in the formation region of the second pixel, at least a portion of the region where the first electrode is not formed in the second organic EL element, first have a different capacity from that of the first recess 2 the recess is formed,
    前記第1有機EL素子の前記有機機能層のうちの一層である第1機能層は、前記第1凹部及び前記第1有機EL素子の前記第1電極上に形成されており、 The first functional layer is a layer of one of the organic functional layer of the first organic EL element is formed on the first electrode of the first recess and the first organic EL element,
    前記第2有機EL素子の前記有機機能層のうちの一層である第2機能層は、前記第2凹部及び第2有機EL素子の前記第1電極上に形成されており、 The second functional layer is a layer of one of the organic functional layer of the second organic EL element is formed on the first electrode of the second recess and the second organic EL element,
    前記第1機能層と前記第2機能層とは、同一材料で略同一体積を有し、且つそれぞれの有機EL素子における前記第1電極上において、異なる膜厚を有することを特徴とする有機EL装置。 Wherein the first functional layer and the second functional layer has substantially the same volume of the same material, and on the first electrode in each of the organic EL element, an organic EL characterized by having different thicknesses apparatus.
  2. 請求項1に記載の有機EL装置において、 In the organic EL device according to claim 1,
    前記第1凹部と前記第2凹部との容量は、凹部の平面積及び/又は深さが異なることによって異なっていることを特徴とする有機EL装置。 The capacitance between the first recess and the second recess, the organic EL device, characterized in that different by the different plane area and / or depth of the recess.
  3. 請求項1又は2に記載の有機EL装置において、 In the organic EL device according to claim 1 or 2,
    前記第1凹部は、一つ以上の溝及び/又は穴によって構成されていることを特徴とする有機EL装置。 The first recess, the organic EL device which is characterized by being composed by one or more grooves and / or holes.
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機EL装置において、 In the organic EL device according to any one of claims 1 to 3,
    前記第1凹部の容量と前記第2凹部の容量との差によって、第1有機EL素子の前記第1電極上における前記第1機能層の膜厚と第2有機EL素子の前記第1電極上における前記第2機能層の膜厚とは異なっていることを特徴とする有機EL装置。 The difference between the capacitance and the capacity of the second recess of the first recess, the first electrode on the film thickness of the first functional layer on the first electrode of the first organic EL element and the second organic EL element the organic EL device which is characterized in that is different from the thickness of the second functional layer in.
  5. 請求項2〜4のいずれか一項に記載の有機EL装置において、 In the organic EL device according to any one of claims 2-4,
    前記有機機能層は正孔注入層を含み、前記第1機能層及び前記第2機能層は前記正孔注入層であることを特徴とする有機EL装置。 The organic functional layer includes a hole injection layer, the first functional layer and the organic EL device, wherein the second functional layer is a hole injection layer.
  6. 請求項2〜5のいずれか一項に記載の有機EL装置において、 In the organic EL device according to any one of claims 2-5,
    前記絶縁層は平坦化処理された平坦化層であることを特徴とする有機EL装置。 The insulating layer of the organic EL device, characterized in that the flattening layer is flattened.
  7. 第1画素と、前記第1画素とは異なる色を発光する第2画素とを有する有機EL装置の製造方法であって、 A first pixel, a method of manufacturing an organic EL device having a second pixel emitting a different color from that of the first pixel,
    基板上に絶縁層を形成する工程と、 Forming an insulating layer on a substrate,
    前記絶縁層の前記第1画素の形成領域に対応する位置に第1凹部を形成すると共に、前記絶縁層の前記第2画素の形成領域に対応する位置に第2凹部を形成する工程と、 And forming a first recess in a position corresponding to the formation region of the first pixel of the insulating layer, forming a second recess in a position corresponding to the formation region of the second pixel of the insulating layer,
    前記絶縁層上の、前記第1凹部及び前記第2凹部と平面視において重ならない領域の少なくとも一部に、前記第1画素形成領域に対応する位置及び前記第2画素形成領域に対応する位置にそれぞれ光反射膜を形成する工程と、 Wherein on the insulating layer, at least a portion of the first recess and a region which does not overlap in said second recess in a plan view, the position corresponding to the position and the second pixel forming region corresponding to the first pixel forming region forming a light reflection film, respectively,
    前記第1画素形成領域に対応する位置及び前記第2画素形成領域に対応する位置における前記光反射膜上にそれぞれ第1電極を形成する工程と、 Forming a first electrode to each of the light reflection film at a position corresponding to the position and the second pixel forming region corresponding to the first pixel forming region,
    前記絶縁層上に、前記第1画素形成領域と前記第2画素形成領域とを互いに区画する隔壁を形成する工程と、及び、 Wherein on the insulating layer, and forming a partition wall for partitioning the said first pixel forming region and the second pixel formation regions from each other, and,
    前記隔壁によって区画された前記第1画素形成領域及び前記第2画素形成領域のそれぞれに、同一材料で略同一体積の機能液を液滴吐出法を用いて吐出し、該機能液を乾燥させて有機機能層を形成する工程と、 Each of the first pixel forming region partitioned by the partition wall and the second pixel forming region, ejecting the functional liquid of substantially the same volume with the same material by a droplet discharge method, and drying the functional fluid forming an organic functional layer,
    を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 A method of manufacturing an organic EL device, characterized in that it comprises a.
  8. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus, comprising an organic EL device according to any one of claims 1 to 6.
JP2008264868A 2008-10-14 2008-10-14 Organic el device and method of manufacturing the same, and electronic equipment Withdrawn JP2010097697A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008264868A JP2010097697A (en) 2008-10-14 2008-10-14 Organic el device and method of manufacturing the same, and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008264868A JP2010097697A (en) 2008-10-14 2008-10-14 Organic el device and method of manufacturing the same, and electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010097697A true true JP2010097697A (en) 2010-04-30

Family

ID=42259248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008264868A Withdrawn JP2010097697A (en) 2008-10-14 2008-10-14 Organic el device and method of manufacturing the same, and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010097697A (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011093115A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 住友化学株式会社 Light-emitting device
WO2012004823A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-12 パナソニック株式会社 Organic el display panel and method for manufacturing same
WO2012017500A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 Organic el display panel, display device, and method for manufacturing organic el display panel
WO2012017494A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 Organic el display panel, display device, and method for manufacturing organic el display panel
US20120080694A1 (en) * 2009-06-11 2012-04-05 Panasonic Corporation Organic el display
JP2012093748A (en) * 2010-10-25 2012-05-17 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2012063766A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-18 住友化学株式会社 Display apparatus, and method of manufacturing thereof
JP2012216338A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Sony Corp Display device and method for manufacturing the same
JP2014183024A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic apparatus
JP2015207545A (en) * 2014-04-17 2015-11-19 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Oled light emission device and manufacturing method for the same
US9595693B2 (en) 2014-02-10 2017-03-14 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, and electronic device
WO2017158477A1 (en) * 2016-03-18 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120080694A1 (en) * 2009-06-11 2012-04-05 Panasonic Corporation Organic el display
US9240435B2 (en) * 2009-06-11 2016-01-19 Joled Inc Organic EL display
US9231031B2 (en) 2009-06-11 2016-01-05 Joled Inc. Organic EL display
US20140097421A1 (en) * 2009-06-11 2014-04-10 Panasonic Corporation Organic el display
JP2011159406A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Sumitomo Chemical Co Ltd Light-emitting device
WO2011093115A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 住友化学株式会社 Light-emitting device
CN102405687A (en) * 2010-07-05 2012-04-04 松下电器产业株式会社 Organic el display panel and method for manufacturing same
KR20130044114A (en) * 2010-07-05 2013-05-02 파나소닉 주식회사 Organic el display panel and manufacturing method thereof
KR101661366B1 (en) 2010-07-05 2016-09-29 가부시키가이샤 제이올레드 A method of manufacturing the organic el display panel
WO2012004823A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-12 パナソニック株式会社 Organic el display panel and method for manufacturing same
US8466468B2 (en) 2010-07-05 2013-06-18 Panasonic Corporation Organic el display panel and method of manufacturing the same
JP5462251B2 (en) * 2010-08-06 2014-04-02 パナソニック株式会社 Organic el display panel, a display device, and a method of manufacturing an organic el display panel
WO2012017494A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 Organic el display panel, display device, and method for manufacturing organic el display panel
WO2012017500A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 Organic el display panel, display device, and method for manufacturing organic el display panel
US8492184B2 (en) 2010-08-06 2013-07-23 Panasonic Corporation Organic EL display panel, display device, and method of manufacturing organic EL display panel
JP5462257B2 (en) * 2010-08-06 2014-04-02 パナソニック株式会社 Organic el display panel, a display device, and a method of manufacturing an organic el display panel
US8492754B2 (en) 2010-08-06 2013-07-23 Panasonic Corporation Organic light-emitting display panel, display device, and method of manufacturing organic light-emitting display panel
JP2012093748A (en) * 2010-10-25 2012-05-17 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
JP2012104430A (en) * 2010-11-12 2012-05-31 Sumitomo Chemical Co Ltd Display device
WO2012063766A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-18 住友化学株式会社 Display apparatus, and method of manufacturing thereof
US8981352B2 (en) 2011-03-31 2015-03-17 Sony Corporation Display unit having a groove between organic EL devices
JP2012216338A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Sony Corp Display device and method for manufacturing the same
JP2014183024A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic apparatus
US9595693B2 (en) 2014-02-10 2017-03-14 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, and electronic device
JP2015207545A (en) * 2014-04-17 2015-11-19 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Oled light emission device and manufacturing method for the same
WO2017158477A1 (en) * 2016-03-18 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9997576B2 (en) 2016-03-18 2018-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7579771B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US20050140275A1 (en) Organic electroluminescence device
US7030553B2 (en) OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel
US20030201716A1 (en) Light emitting device and manufacturing method of the same
US20040160154A1 (en) Light emitting device and display unit using it
US20070194699A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US6788278B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US20060214573A1 (en) Light emitting apparatus
US20050118745A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US20050151462A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
US20060038752A1 (en) Emission display
US7897979B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US20050099118A1 (en) Organic EL device, method of manufacturing the same and electronic apparatus
US20080143649A1 (en) Display device and display unit
JP2004139970A (en) Electro-optical device, matrix substrate, and electronic equipment
US20070015429A1 (en) Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus
US20070200488A1 (en) Display device
WO2000076010A1 (en) Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror
US20050269947A1 (en) Organic EL device and electronic apparatus
US20060066229A1 (en) EL display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US20060119556A1 (en) OLED displays with varying sized pixels
KR20060053926A (en) Organic light-emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light-emitting element
JP2007157404A (en) Display device and electronic equipment
JP2003229283A (en) Flat-panel display device and manufacturing method of the same
JP2004319119A (en) Display device and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110905

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20120305