JP2010086013A - リニアレギュレータ回路及び半導体装置 - Google Patents

リニアレギュレータ回路及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010086013A
JP2010086013A JP2008250929A JP2008250929A JP2010086013A JP 2010086013 A JP2010086013 A JP 2010086013A JP 2008250929 A JP2008250929 A JP 2008250929A JP 2008250929 A JP2008250929 A JP 2008250929A JP 2010086013 A JP2010086013 A JP 2010086013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
output
transistor
current
output transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008250929A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuyuki Yasukochi
克之 安河内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority to JP2008250929A priority Critical patent/JP2010086013A/ja
Publication of JP2010086013A publication Critical patent/JP2010086013A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

【課題】出力トランジスタの特性に関わらず、PSRRの低下を抑止するレギュレータ回路を提供する。
【解決手段】リニアレギュレータ回路10は、出力トランジスタTr1に流れるトランジスタ電流Itを検出して該出力トランジスタTr1に流れるトランジスタ電流Itに相対した電流検出電圧Vkを出力する電流検出部11と、第1誤差増幅器ERR1の出力端子と出力トランジスタTr1のゲートとの間に、出力トランジスタTr1に流れるトランジスタ電流Itに相対した電流検出電圧Vkと誤差信号Sgとの電圧差に基づく駆動信号Sdを出力トランジスタTr1のゲートに出力して、出力トランジスタTr1に流れるトランジスタ電流Itを誤差信号Sgに相対した電流値にするように動作する第2誤差増幅器ERR2を介在させる。
【選択図】図1

Description

リニアレギュレータ回路及び半導体装置に関するものである。
従来、定電圧を出力するリニアレギュレータ回路の一種類としてLDO(Low Drop Out)回路が知られている。
LDO回路は、入力電圧を電源として動作して、該入力電圧に近い定電圧を出力する回路であり、出力トランジスタの出力電圧を誤差増幅器で検出し、その誤差増幅器で出力電圧の変動を補償するように出力トランジスタを制御する。そして、入力電圧の変動に基づく出力電圧の変動を精度良く抑止することが必要である。
従来のLDO回路としては、図5に示すものが知られている。
LDO回路50は、第1誤差増幅器ERR1、出力トランジスタTr1、第1及び第2抵抗R1,R2を備えている。
入力電圧VINは第1誤差増幅器ERR1に電源電圧として供給されるとともに、PチャネルMOSトランジスタで構成される出力トランジスタTr1のソースに電源電圧として供給される。そして第1誤差増幅器ERR1の出力信号が出力トランジスタTr1のゲートに入力される。出力トランジスタTr1のドレインには、出力端子Toが接続され、該出力端子Toから出力電圧Voが負荷回路13に供給される。
出力トランジスタTr1のドレインとグランドとの間には、第1及び第2抵抗R1,R2が接続され、その第1及び第2抵抗R1,R2の接続点(第1ノードN1)が第1誤差増幅器ERR1のプラス側入力端子に接続される。また、第1誤差増幅器ERR1のマイナス側入力端子には予め設定された基準電圧Vrが入力される。
このような構成では、出力電圧Voが低下して第1ノードN1の電位が低下すると、第1誤差増幅器ERR1から出力トランジスタTr1のゲートに出力される出力電圧(ゲート電圧)が低下する。その結果、出力トランジスタTr1のオン抵抗が減少し、出力電圧Voが引き上げられる。また、出力電圧Voが上昇して第1ノードN1の電位が上昇すると、第1誤差増幅器ERR1から出力トランジスタTr1のゲートに出力される出力信号(ゲート電圧)が上昇する。その結果、出力トランジスタTr1のオン抵抗が増大し、出力電圧Voが引き下げられる。
ところで、LDO回路50は、高周波数帯域において、オープンループのゲイン、位相の特性が悪くなるため、出力電圧Voの高周波成分のPSRR(Power Supply Rjection Ratio 電源電圧変動除去比)が劣化するという問題があった。
ここで、PSRRとは、LDO回路50が、入力電圧VINの変化にかかわらず、一定の出力電圧Voを出力する能力である。LDO回路50のPSRRは、dBの単位で、出力電圧Voに見られる変動を、入力電圧VINにおける変動で割り、次に、この商の対数をとり、結果の値に20を掛けることによって判断される。一般に、オープンループのゲインがより大きくなると、PSRRはより良くなる。より良いPSRRは、PSRRの数値がより大きい負の数値であることを意味する。
しかしながら、LDO回路50のPSRRは、周波数に依存する。オープンループは、入力電圧VINの低周波における変動に適切に応答する。しかしながら、入力電圧VINのより速い変化に対して、オープンループは、予想以上に遅く、その結果、入力電圧VINの変動が、LDO回路10を介して伝えられ、出力電圧Voが変動してしまう。
そこで、図6に示すように、従来のLDO回路50の第1誤差増幅器ERR1と出力トランジスタTr1のゲートとの間に、負荷回路13の負荷電流の大小に基づいてゲインを変える中間段増幅器60を備えている。中間段増幅器60は、負荷回路13に流れる負荷電流が大きいときに、出力トランジスタTr1の直流ゲインが小さくなるため、中間段増幅器60のゲインを大きくする。反対に、中間段増幅器60は、負荷回路13に流れる負荷電流が小さいときに、出力トランジスタTr1のゲインが大きくなるため、中間段増幅器60のゲインを小さくする。
すなわち、オープループのゲインをほぼ一定にして出力電圧Voの高周波成分のPSRRの劣化を抑止している。なお、このようなLDO回路61としては、例えば特許文献1が知られている。
特開2000−47738号公報
ところが、上記のLDO回路61は、出力トランジスタTr1の特性変化によりゲインが変化すると、その結果、オープループのゲインをほぼ一定にすることができず、PSRRの劣化を抑止することができないという問題があった。ここで、出力トランジスタTr1の特性変化とは、出力トランジスタTr1のゲート・ソース間電圧が小さくなる場合、及び出力トランジスタTr1のドレイン・ソース間電圧が小さくなる場合に、出力トランジスタのゲインが小さくなることをいう。
従来のLDO回路のPSRRをシミュレーションした結果を図7に示す。なお、シミュレーション条件として、出力電圧Vo=2.9Vとする。
図7に示すように、従来のLDO回路は、入力電圧VINが3.0Vの場合と3.6Vの場合のPSRRを比較すると、入力電圧VINが3.0Vの場合は3.6Vの場合に対して低周波数帯域のPSRRが大きく劣化している。すなわち、入力電圧VINが3.0Vの場合、入力電圧VIN(=3.0V)と出力電圧Vo(=2.9V)との間の電圧が小さい、つまり、出力トランジスタTr1のソース・ドレイン間電圧が小さいため、出力トランジスタTr1のゲインが小さくなり、PSRRが劣化している。
このリニアレギュレータ回路は、出力トランジスタの特性に関わらず、PSRRの劣化を抑止することを目的とする。
このリニアレギュレータ回路は、入力電圧がソースに供給され、ドレインから出力電圧を出力する出力トランジスタと、前記入力電圧を電源として動作し、前記出力電圧と基準電圧との電圧差に基づく第1誤差信号を生成し、該第1誤差信号を前記出力トランジスタのゲートに出力して、前記出力電圧を制御する第1誤差増幅器とを備えたリニアレギュレータ回路であって、前記出力トランジスタに流れる電流を検出し、該出力トランジスタに流れるに相対した電圧を出力する電流検出部を備え、
前記第1誤差増幅器の出力端子と前記出力トランジスタのゲートとの間に、前記出力トランジスタに流れる電流に相対した電圧と前記第1誤差信号との電圧差に基づく第2誤差信号を生成し、該第2誤差信号を前記出力トランジスタのゲートに出力して、前記出力トランジスタに流れる電流を前記第1誤差信号に相対した電流値にするように動作する第2誤差増幅器を介在させるようにした。
このリニアレギュレータ回路によれば、出力トランジスタの特性が変化することにより出力トランジスタのゲインが変化する場合でも、出力トランジスタに流れる電流を第1誤差信号に相対した電流値にするように動作するため、つまり、出力トランジスタのゲインを維持するため、低周波数帯域においてPSRRの劣化を抑止することができる。
開示されたリニアレギュレータ回路は、出力トランジスタの特性に関わらず、PSRRの劣化を抑止することができる。
以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜図4に従って説明する。なお、本実施形態において、先の図5,6で示した従来と同様な構成部分については同一符号を付して説明する。
図1に示すように、LDO回路10は、電流検出部11、分圧回路12、第1及び第2誤差増幅器ERR1,ERR2、出力トランジスタTr1を備えている。
電流検出部11は、出力トランジスタTr1に流れる電流(トランジスタ電流It)を検出し、そのトランジスタ電流Itに相対した電流検出電圧Vkを第2誤差増幅器ERR2のプラス入力端子に出力する。
分圧回路12は、第1及び第2抵抗R1,R2の直列回路よりなり、その直列回路に負荷回路13にその時出力している実際の出力電圧Vo(以下、実出力電圧Vnoという)を印加されている。そして、分圧回路12は、第1及び第2抵抗R1,R2の接続点(第1ノードN1)の電圧を分圧電圧Veとして第1誤差増幅器ERR1のプラス入力端子に出力する。
誤差増幅回路としての第1誤差増幅器ERR1は、プラス入力端子に分圧電圧Veが入力されるとともに、マイナス入力端子には予め設定された基準電圧Vrが入力される。第1誤差増幅器ERR1は、分圧電圧Ve、即ち、そのときの実出力電圧Vnoに比例した電圧と基準電圧Vrとの差電圧を増幅した第1誤差信号としての誤差信号Sgを、第2誤差増幅器ERR2のマイナス入力端子に出力する。
なお、誤差信号Sgは、そのときの実出力電圧Vnoに比例した電圧と基準電圧Vrとの差電圧に基づいたトランジスタ電流It、すなわち、そのときの実出力電圧Vnoを、出力すべき出力電圧Voに補正するようなトランジスタ電流Itが予め設定され、そのトランジスタ電流Itが流れるための電圧が出力されるようになっている。
つまり、第1誤差増幅器ERR1は、分圧電圧Ve、即ちそのときの出力されている実出力電圧Vnoに比例した電圧と基準電圧Vrとを比較し、実際に出力されている実出力電圧Vnoと出力すべき出力電圧Voとの偏差を求めている。そして、第1誤差増幅器ERR1は、その実際に出力されている実出力電圧Vnoと出力すべき出力電圧Voとの偏差に相対した適切なトランジスタ電流Itが流れるための誤差信号Sgを出力する。
第2誤差増幅器ERR2は、プラス入力端子に電流検出部11からの電流検出電圧Vkが入力されるとともに、マイナス入力端子には第1誤差増幅器ERR1から誤差信号Sgが入力される。第2誤差増幅器ERR2は、入力した電流検出電圧Vkと誤差信号Sg、即ち、そのときのトランジスタ電流Itに相対した電圧と出力すべきトランジスタ電流Itに相対した電圧との偏差に相対した電圧を増幅した第2誤差信号としての駆動信号Sdを、トランジスタTr1のゲートに出力する。
つまり、第2誤差増幅器ERR2は、電流検出電圧Vkと誤差信号Sgを比較し、実際に出力トランジスタTr1に流れている電流と出力すべきトランジスタ電流Itとの偏差を求めている。
出力トランジスタTr1は、PチャネルMOSトランジスタであり、ゲートに駆動信号Sdが入力され、ソースに入力電圧VINが供給されている。出力トランジスタTr1のドレインは、分圧回路12に接続されている。また、出力トランジスタTr1のドレインと分圧回路12の接続点(出力ノードTo)は、出力電圧Voを出力される負荷回路13に接続されている。
つまり、出力トランジスタTr1は、ゲートに入力する駆動信号Sdに応じてオン抵抗を変化させている。そして、出力トランジスタTr1は、入力電圧VINをオン抵抗分とトランジスタ電流Itに基づいて電圧降下させて負荷回路13に供給するようになっている。
すなわち、実際に負荷回路13に出力している電圧(実出力電圧)が、予め設定された出力電圧Vo以下のとき、第2誤差増幅器ERR2は、このとき出力している駆動信号Sdより電圧値が小さい駆動信号Sdを出力し、出力トランジスタTr1のオン抵抗を下げて実出力電圧を上げるようになっている。
反対に、実際に負荷回路13に出力している実出力電圧が、予め設定された出力電圧Voより大きいとき、第2誤差増幅器ERR2は、このとき出力している駆動信号Sdより電圧値が大きい駆動信号Sdを出力し、出力トランジスタTr1のオン抵抗を上げて実出力電圧を下げるようになっている。
つまり、第1誤差増幅器ERR1は、実際に負荷回路13に出力している実出力電圧が予め設定された出力電圧Voに近づくように適切なトランジスタ電流Itにするための誤差信号Sgを出力する。第2誤差増幅器ERR2は、誤差信号Sgに相対したトランジスタ電流Itに近づくようにオン抵抗を制御する駆動信号Sdを出力する。トランジスタTr1は、駆動信号Sdに応答して、実際に出力している電流が誤差信号Sgに相対したトランジスタ電流Itに近づくように、オン抵抗を大小させ、実際に負荷回路13に出力している実出力電圧が予め設定された出力電圧Voに近づける。
LDO回路10の具体的構成を図2に示す。
図2において、第1誤差増幅器ERR1は、PチャネルMOSトランジスタTr2,Tr3と、NチャネルMOSトランジスタTr4,Tr5、及び、第1定電流源A1とから構成されている。対をなすPチャネルMOSトランジスタTr2,Tr3のソースは、第1定電流源A1と接続され、第1定電流源A1から定電流が供給される。トランジスタTr2のゲートには、基準電圧Vrが印加される。また、トランジスタTr3のゲートには、分圧回路12からの分圧電圧Veが印加される。
NチャネルMOSトランジスタTr4,Tr5は、そのドレインがそれぞれ対応するPチャネルMOSトランジスタTr2,Tr3のドレインに接続され、そのソースがそれぞれ接地されている。そして、NチャネルMOSトランジスタTr4,Tr5は、その両ゲートがお互いに接続されるとともにPチャネルMOSトランジスタTr2のドレインに接続されて、カレントミラー回路を構成している。
このように構成したことにより、PチャネルMOSトランジスタTr3のドレイン電流は、第1ノードN1の電位(分圧回路12からの分圧電圧Ve)が上昇すると小さくなり、第1ノードN1の電位(分圧回路12からの分圧電圧Ve)が低下すると大きくなる。従って、NチャネルMOSトランジスタTr5のドレイン電流は、第1ノードN1の電圧が上昇すると大きくなり、第1ノードN1の電圧が低下すると小さくなる。
つまり、PチャネルMOSトランジスタTr3とNチャネルMOSトランジスタTr5との接続点の第2ノードN2の電圧は、分圧回路12の分圧電圧Veが低下するとそれに相応して低くなり、反対に、分圧回路12の分圧電圧Veが高くなるとそれに相対して下がる。
そして、第1誤差増幅器ERR1は、この第2ノードN2の電圧を誤差信号Sgとして、次段の第2誤差増幅器ERR2に出力する。
電流検出部11は、PチャネルMOSトランジスタTr7,Tr8、NチャネルMOSトランジスタTr9、第2及び第3定電流源A2,A3、及び、第3〜第5抵抗R3〜R5とから構成されている。
PチャネルMOSトランジスタTr7,Tr8は、そのソースがそれぞれ対応する第3及び第4抵抗R3,R4を介して入力電圧VINが印加され、そのドレインがそれぞれ対応する第2及び第3定電流源A2,A3に接続されている。そして、PチャネルMOSトランジスタTr7,Tr8は、その両ゲートが互いに接続されるとともにPチャネルMOSトランジスタTr7のドレインに接続されて、カレントミラー回路を構成している。
第3抵抗R3は、出力トランジスタTr1のソースに接続され、入力電圧VINを同第3抵抗R3を介して出力トランジスタTr1のソースに印加するようになっている。
一方、第4抵抗R4は、NチャネルMOSトランジスタTr9のソースに接続され、入力電圧VINを同第4抵抗を介して出力トランジスタTr1のソースに印加するようになっている。NチャネルMOSトランジスタTr9のドレインは、第5抵抗R5を介して接地されている。
このように構成したことにより、PチャネルMOSトランジスタTr8と第3定電流源A3との接続点(第4ノードN4)の電圧は、トランジスタ電流Itが上昇すると上昇し、トランジスタ電流Itが低下すると低下する。
そして、電流検出部11は、この第4ノードN4の電圧を電流検出電圧Vkとして、次段の第2誤差増幅器ERR2に出力する。
第2誤差増幅器ERR2は、NチャネルMOSトランジスタTr6,Tr10、PチャネルMOSトランジスタTr11,Tr12、第6及び第7抵抗R6,R7とから構成されている。
PチャネルMOSトランジスタTr11,Tr12は、そのソースにそれぞれ入力電圧VINが印加され、そのドレインがそれぞれ対応するNチャネルMOSトランジスタTr6,Tr10のドレインに接続されている。そして、PチャネルMOSトランジスタTr11,Tr12は、その両ゲートが互いに接続されるとともにPチャネルMOSトランジスタTr12のドレインに接続されて、カレントミラー回路を構成している。
NチャネルMOSトランジスタTr6,Tr10のソースは、それぞれ対応する第6及第7抵抗R6,R7に接続されている。
このように構成したことにより、NチャネルMOSトランジスタTr6とPチャネルMOSトランジスタTr11の接続点(第3ノードN3)の電圧は、第2ノードN2の電圧である誤差信号Sgが第4ノードN4の電圧である電流検出電圧Vkより大きくなるとそれに相対して小さくなり、誤差信号Sgが電流検出電圧Vkより小さくなるとそれに相対して大きくなる。
そして、第2誤差増幅器ERR2は、この第3ノードN3の電圧を駆動信号Sdとして、出力トランジスタTr1のゲートに出力する。
上記の第2誤差増幅器ERR2と電流検出部11を備えたLDO回路10のPSRRをシミュレーションした結果を図3に示す。なお、シミュレーション条件として、出力電圧Vo=2.9Vとする。
図3に示すように、第2誤差増幅器ERR2と電流検出部11を備えたLDO回路10は、従来のLDO回路に比べ、入力電圧VINが3.0Vの場合は入力電圧VINが3.6Vの場合に対して低周波数帯域のPSRRの劣化が小さく、特性改善している。つまり、出力トランジスタTr1のソース・ドレイン間電圧が小さい場合のPSRRの劣化を抑止している。
上記のように構成されたLDO回路10では、次の示す作用効果を得ることができる。
トランジスタ電流Itを検出して該トランジスタ電流Itに相対した電流検出電圧Vkを出力する電流検出部11と、トランジスタ電流Itを誤差信号Sgに相対した電流値にするように動作する第2誤差増幅器ERR2とを備えた。従って、出力トランジスタTr1の特性が変化することにより出力トランジスタTr1のゲインが変化する場合でも、トランジスタ電流Itを誤差信号Sgに相対した電流値にするように動作するため、つまり、出力トランジスタTr1のゲインを維持するため、低周波数帯域においてPSRRの劣化を抑止することができる。
尚、上記各実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、第2誤差増幅器ERR2にて電流検出電圧Vkと誤差信号Sgとを比較して駆動信号Sdを出力していた。しかしながら、図4に示すように、第2誤差増幅器ERR2を第1及び第2可変電流源Ak1,Ak2に変更してもよい。第1可変電流源Ak1は、NチャネルMOSトランジスタTr9及び第4抵抗R4の間に設けられたPチャネルMOSトランジスタTr20と、第4抵抗R4とから構成されている。
PチャネルMOSトランジスタTr20は、そのドレインがNチャネルMOSトランジスタTr9のドレインと出力トランジスタTr1のゲートに接続され、そのゲートは、PチャネルMOSトランジスタTr7と第2定電流源A2の接続点(第6ノードN6)に接続される。そして、PチャネルMOSトランジスタTr20は、そのソースが第4抵抗R4を介して接地されている。
第2可変電流源Ak2は、NチャネルMOSトランジスタTr9と、第7抵抗R7とから構成されている。NチャネルMOSトランジスタTr9は、そのドレインがPチャネルMOSトランジスタTr20のドレインと出力トランジスタTr1のゲートに接続され、そのゲートは、PチャネルMOSトランジスタTr3とNチャネルMOSトランジスタTr5の接続点(第2ノードN2)に接続される。そして、NチャネルMOSトランジスタTr9は、そのソースが第7抵抗R7を介して接地されている。
そして、次の各トランジスタに関しては接続先が変更されている。NチャネルMOSトランジスタTr9のゲートは、PチャネルMOSトランジスタTr3とNチャネルMOSトランジスタTr5の接続点(第2ノードN2)に接続される。PチャネルMOSトランジスタTr7,Tr8のゲートは、このトランジスタTr8と第3定電流源A3の接続点(第8ノードN8)に接続される。
このように構成したことにより、第1及び第2可変電流源Ak1,Ak2に流れる電流を比較し、その比較結果に相対した電圧が、第1及び第2可変電流源Ak1,Ak2の接続点(第9ノードN9)から駆動信号Sdとして出力される。つまり、駆動信号Sdとしての第9ノードN9の電圧は、第1可変電流源Ak1に流れる電流が第2可変電流源Ak2に流れる電流より大きくなるとそれに相対して大きくなる。反対に、駆動信号Sdとしての第9ノードN9の電圧は、第1可変電流源Ak1に流れる電流が第2可変電流源Ak2に流れる電流より小さくなるとそれに相対して小さくなる。
・上記実施形態において、誤差信号Sgを第2誤差増幅器ERR2のマイナス入力端子に入力していたが、第1及び第2誤差増幅器ERR1,ERR2との間に、誤差信号Sgに相対した予め設定された電圧を第2誤差増幅器ERR2のマイナス入力端子に出力する電流設定部を介在させてもよい。
リニアレギュレータの電気ブロック図である。 リニアレギュレータの電気回路図である。 リニアレギュレータの動作波形図である。 別例のリニアレギュレータの電気回路図である。 従来のリニアレギュレータの電気ブロック図である。 従来のリニアレギュレータの電気ブロック図である。 従来のリニアレギュレータの動作波形図である。
符号の説明
10 リニアレギュレータ回路
Ak1 第1可変電流源
Ak2 第2可変電流源
ERR1 第1誤差増幅器
ERR2 第2誤差増幅器
Sd 第2誤差信号
Sg 第1誤差信号
Tr1 出力トランジスタ
VIN 入力電圧
Vo 出力電圧
Vr 基準電圧

Claims (4)

  1. 入力電圧がソースに供給され、ドレインから出力電圧を出力する出力トランジスタと、
    前記入力電圧を電源として動作し、前記出力電圧と基準電圧との電圧差に基づく第1誤差信号を生成し、該第1誤差信号を前記出力トランジスタのゲートに出力して、前記出力電圧を制御する第1誤差増幅器と
    を備えたリニアレギュレータ回路であって、
    前記出力トランジスタに流れる電流を検出し、該出力トランジスタに流れる電流に相対した電圧を出力する電流検出部を備え、
    前記第1誤差増幅器の出力端子と前記出力トランジスタのゲートとの間に、前記出力トランジスタに流れる電流に相対した電圧と前記第1誤差信号との電圧差に基づく第2誤差信号を生成し、該第2誤差信号を前記出力トランジスタのゲートに出力して、前記出力トランジスタに流れる電流を前記第1誤差信号に相対した電流値にするように動作する第2誤差増幅器を介在させたことを特徴とするリニアレギュレータ回路。
  2. 請求項1に記載のレギュレータ回路において、
    前記第2誤差増幅器は、前記出力トランジスタに流れる電流に応じた電流を流す第1可変電流源と、前記第1誤差信号に応じた電流を流す第2可変電流源の直列回路よりなり、第1及び第2可変電流源の接続点を出力端子とすることを特徴とするリニアレギュレータ回路。
  3. 請求項1に記載のレギュレータ回路において、
    前記第1誤差増幅器と前記第2誤差増幅器との間に、予め設定された前記第1誤差信号に相対した電圧を出力する電流設定部を介在させたことを特徴とするリニアレギュレータ回路。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のリニアレギュレータ回路を搭載したことを特徴とする半導体装置。
JP2008250929A 2008-09-29 2008-09-29 リニアレギュレータ回路及び半導体装置 Pending JP2010086013A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008250929A JP2010086013A (ja) 2008-09-29 2008-09-29 リニアレギュレータ回路及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008250929A JP2010086013A (ja) 2008-09-29 2008-09-29 リニアレギュレータ回路及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010086013A true JP2010086013A (ja) 2010-04-15

Family

ID=42249961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008250929A Pending JP2010086013A (ja) 2008-09-29 2008-09-29 リニアレギュレータ回路及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010086013A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4067C1 (ro) * 2008-08-26 2011-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Procedeu de reglare a tensiunii cu convertizoare de impulsuri de ridicare şi inversare
JP2012053580A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Fujitsu Ten Ltd 定電圧回路
CN102591393A (zh) * 2012-02-24 2012-07-18 电子科技大学 一种低压差线性稳压器
CN102880218A (zh) * 2012-10-12 2013-01-16 西安三馀半导体有限公司 宽输入范围的线性稳压器
US9590496B2 (en) 2013-12-16 2017-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage regulator and power delivering device therewith
US11480983B2 (en) 2019-09-19 2022-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Regulator circuit, semiconductor device and electronic device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4067C1 (ro) * 2008-08-26 2011-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Procedeu de reglare a tensiunii cu convertizoare de impulsuri de ridicare şi inversare
JP2012053580A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Fujitsu Ten Ltd 定電圧回路
CN102591393A (zh) * 2012-02-24 2012-07-18 电子科技大学 一种低压差线性稳压器
CN102880218A (zh) * 2012-10-12 2013-01-16 西安三馀半导体有限公司 宽输入范围的线性稳压器
US9590496B2 (en) 2013-12-16 2017-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage regulator and power delivering device therewith
US11480983B2 (en) 2019-09-19 2022-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Regulator circuit, semiconductor device and electronic device
US11681315B2 (en) 2019-09-19 2023-06-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Regulator circuit, semiconductor device and electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10481625B2 (en) Voltage regulator
US9671805B2 (en) Linear voltage regulator utilizing a large range of bypass-capacitance
US8928296B2 (en) High power supply rejection ratio (PSRR) and low dropout regulator
US8922179B2 (en) Adaptive bias for low power low dropout voltage regulators
US7764123B2 (en) Rail to rail buffer amplifier
US10579084B2 (en) Voltage regulator apparatus offering low dropout and high power supply rejection
US9411345B2 (en) Voltage regulator
JP2015141720A (ja) 低ドロップアウト電圧レギュレータおよび方法
US9052729B2 (en) Current control for output device biasing stage
US20050162218A1 (en) Method and apparatus for outputting constant voltage
JP2009116679A (ja) リニアレギュレータ回路、リニアレギュレーション方法及び半導体装置
US20080290942A1 (en) Differential amplifier
US20080191673A1 (en) Series regulator circuit
KR20160115947A (ko) 버퍼 회로들 및 방법들
JP2010086013A (ja) リニアレギュレータ回路及び半導体装置
US10637401B2 (en) Current output circuit
US9882487B2 (en) Voltage regulator having wide common voltage operating range and operating method thereof
US9793808B1 (en) Enhanced bidirectional current sensing and replication
US9946276B2 (en) Voltage regulators with current reduction mode
JPH11154832A (ja) 差動増幅回路及びオペアンプ回路
US8816774B2 (en) Power amplifier system
US20090295345A1 (en) Voltage regulator
US9864387B2 (en) Voltage regulator
JP2020505679A5 (ja)
US20130049870A1 (en) Power amplifier system