JP2010073872A - Solder connection method and electronic apparatus - Google Patents

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徹 和布浦
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solder connection method superior in reliability with respect to a method for connecting solder via an adhesive layer having a flux function. <P>SOLUTION: This invention relates to the solder connection method for electrically connecting a first solder bump of a first electronic component having the first solder bump and an electrode of a second electronic component having the electrode via an adhesive layer having a flux function, the method including: a step of disposing the adhesive layer on the first electronic component so as to satisfy A>B wherein A[μm] is a height of the first solder bump from one surface of the first electronic component and B[μm] is a thickness of the adhesive layer having a flux function; and a contact step of not only heating and pressurizing the first solder bump to the electrode to deform the first solder bump so as to approximately equalize a distance between surfaces facing each other of the first electronic component and the second electronic component to the thickness [μm] of the adhesive layer but also bringing the first solder bump and the electrode into contact with each other. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半田の接続方法および電子機器に関する。   The present invention relates to a solder connection method and an electronic device.

近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、半導体パッケージ等の電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでおり、これら電子部品の小型化、多ピン化が進んでいる。これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合を用いており、たとえば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップが搭載したパッケージのような半導体チップ−回路基板間の導通接合部、回路基板−回路基板間の導通接合部といったものに用いている。さらに電子部品の薄化、小型化、狭ピッチ接合の要求に伴い、半田接合部には毛細管現象を利用したアンダーフィル材を充填し接合部を補強して接合部分の信頼性を確保している。   In recent years, electronic devices such as semiconductor packages have been integrated with higher density and higher density in response to demands for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices. These electronic components have become smaller and more pins. It is out. In order to obtain an electrical connection between these electronic components, solder bonding is used. For example, a conductive bonding portion between semiconductor chips, a conductive bonding portion between a semiconductor chip and a circuit board such as a package on which a flip chip is mounted, It is used for a conductive junction between a circuit board and a circuit board. Furthermore, along with the demand for thinner and smaller electronic components and narrow pitch bonding, the solder joints are filled with underfill material using capillary action to reinforce the joints and ensure the reliability of the joints. .

半田接合によって生じたギャップをアンダーフィル材のような樹脂で補強する場合、その充填するギャップが形成する空間の容積以上の樹脂量を用いると、不必要な場所へ樹脂がはみ出してしまい、例えば装置を汚染したり、はみ出した樹脂により他の部品を搭載するための端子の面積が制限されたりする場合がある。
更に、毛細管現象を利用したアンダーフィル材は、アンダーフィル材の充填工程に工数がかかりコストアップの原因ともなっている。そこで、半導体素子を基板に接続する際に予めフラックスを混合したアンダーフィル材を滴下、その後半田接続と同時にアンダーフィル材を硬化させる処方が提案されている(例えば、特許文献1参照)。このアセンブリ方法は、アンダーフィル材の充填工程を省き大幅なコストダウンに有効である。
When the gap generated by soldering is reinforced with a resin such as an underfill material, if the amount of the resin is larger than the volume of the space formed by the gap to be filled, the resin protrudes to an unnecessary place. In some cases, the terminal area for mounting other components may be limited by the resin that protrudes.
Furthermore, the underfill material using the capillary phenomenon takes a man-hour in the filling process of the underfill material, and causes a cost increase. Accordingly, a prescription has been proposed in which an underfill material mixed with a flux in advance is dropped when a semiconductor element is connected to a substrate, and then the underfill material is cured simultaneously with the solder connection (see, for example, Patent Document 1). This assembly method eliminates the filling process of the underfill material and is effective for significant cost reduction.

しかし、このようなフラックスを混合したアンダーフィル材(以下、ノンフローアンダーフィル材という)は、主剤に液状エポキシ、硬化剤として無水フタル酸系の酸無水物が広く用いられているが、その理由として硬化剤の酸無水物自体にフラックス作用があり、更に必要に応じて酸無水物をエポキシとの当量以上に過剰に添加することによりフラックス性を強化できるためである。しかしながら、無水フタル酸系のような酸無水物は吸湿性が高く、使用前および使用中の吸湿により粘度上昇を起こしやすく、信頼性の点で問題が生じる場合があった。   However, underfill materials mixed with such flux (hereinafter referred to as non-flow underfill materials) are mainly liquid epoxy as the main agent and phthalic anhydride acid anhydride as the curing agent. This is because the acid anhydride itself of the curing agent has a flux action, and if necessary, the flux properties can be enhanced by adding an acid anhydride in excess of the equivalent of epoxy. However, acid anhydrides such as phthalic anhydride are highly hygroscopic, and are liable to increase in viscosity due to moisture absorption before and during use, causing problems in terms of reliability.

特開平04−280443号公報Japanese Patent Laid-Open No. 04-280443

本発明の目的は、フラックス機能を有する接着剤層を介して半田を接続する方法において、信頼性に優れた半田接続方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、信頼性に優れた電子機器を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a solder connection method having excellent reliability in a method of connecting solder via an adhesive layer having a flux function.
Another object of the present invention is to provide an electronic device having excellent reliability.

このような目的は、下記(1)〜(8)に記載の本発明により達成される。
(1)第1半田バンプを有する第1電子部品と、電極を有する第2電子部品とをフラックス機能を有する接着剤層を介して前記第1半田バンプと前記電極とを電気的に接続する半田の接続方法であって、前記第1電子部品の一方の面から第1半田バンプの高さをA〔μm〕とし、前記フラックス機能を有する接着剤層の厚さをB〔μm〕としたときA>Bであり、前記第1電子部品に、前記フラックス機能を有する接着剤層を配置する工程と、
前記第1半田バンプの高さA〔μm〕が、前記フラックス機能を有する接着剤層の厚さB〔μm〕とほぼ同じとなるように、前記第1半田バンプを前記電極に加熱・加圧して、前記第1半田バンプを変形させると共に、前記第1半田バンプと前記電極とを接触させる接触工程と、を有することを特徴とする半田の接続方法。
(2)前記電極は、その表面がほぼ平坦状である上記(1)に記載の半田の接続方法。
(3)前記電極は、その周囲を被覆層に覆われることにより前記第2電子部品の側面視では凹状となっているものである上記(1)または(2)に記載の半田の接続方法。
(4)さらに、前記フラックス機能を有する接着剤層を硬化させる硬化工程を有するものである上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の半田の接続方法。
(5)前記フラックス機能を有する接着剤層が、熱硬化性樹脂およびフラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されているものである上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の半田の接続方法。
(6)前記接触工程では前記半田バンプが融解した後に、前記熱硬化性樹脂が硬化するように加熱するものである上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の半田の接続方法。
(7)前記フラックス機能を有する接着剤を常温から10℃/分の昇温速度で溶融状態まで昇温したときに初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有し、かつ前記最低溶融粘度が10〜10,000Pa・s以下である上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の半田の接続方法。
(8)上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の半田の接続方法で接続された半田接続部を有することを特徴とする電子機器。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (8).
(1) Solder that electrically connects the first electronic bump having the first solder bump and the second electronic component having an electrode to the first solder bump and the electrode through an adhesive layer having a flux function. The height of the first solder bump from one surface of the first electronic component is A [μm], and the thickness of the adhesive layer having the flux function is B [μm]. A> B, and a step of arranging an adhesive layer having the flux function on the first electronic component;
The first solder bump is heated and pressed on the electrode so that the height A [μm] of the first solder bump is substantially the same as the thickness B [μm] of the adhesive layer having the flux function. And a contact step of deforming the first solder bump and bringing the first solder bump and the electrode into contact with each other.
(2) The solder connection method according to (1), wherein the electrode has a substantially flat surface.
(3) The solder connection method according to (1) or (2), wherein the electrode has a concave shape in a side view of the second electronic component by being covered with a coating layer.
(4) The solder connection method according to any one of (1) to (3), further including a curing step of curing the adhesive layer having the flux function.
(5) The adhesive layer having the flux function is composed of a resin composition containing a thermosetting resin and a compound having flux activity, and is described in any one of (1) to (4) above. Solder connection method.
(6) The solder connection method according to any one of (1) to (5), wherein in the contact step, the solder bump is melted and then heated so that the thermosetting resin is cured.
(7) When the adhesive having the flux function is heated from room temperature to a molten state at a heating rate of 10 ° C./min, the initial melt viscosity decreases, and after reaching the minimum melt viscosity, it further increases The solder connection method according to any one of (1) to (6) above, wherein the minimum melt viscosity is 10 to 10,000 Pa · s or less.
(8) An electronic apparatus having a solder connection portion connected by the solder connection method according to any one of (1) to (7).

本発明によれば、フラックス機能を有する接着剤層を介して半田を接続する方法において、信頼性に優れた半田接続方法を提供することができる。
また、本発明によれば、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the method of connecting solder via the adhesive bond layer which has a flux function, the solder connection method excellent in reliability can be provided.
Further, according to the present invention, it is possible to provide an electronic device with excellent reliability.

以下、本発明の半田の接続方法および電子機器について、詳細に説明する。
本発明の半田の接続方法は、第1半田バンプを有する第1電子部品と、電極を有する第2電子部品とをフラックス機能を有する接着剤層を介して前記第1半田バンプと前記電極とを電気的に接続する半田の接続方法であって、前記第1電子部品の一方の面から第1半田バンプの高さをA〔μm〕とし、前記フラックス機能を有する接着剤層の厚さをB〔μm〕としたときA>Bであり、前記第1電子部品に、前記フラックス機能を有する接着剤層を配置する工程と、第1電子部品と第2電子部品の対向する表面の距離が、前記フラックス機能を有する接着剤層の厚さB〔μm〕とほぼ同じとなるように、前記第1半田バンプを前記電極に加熱・加圧して、前記第1半田バンプを変形させると共に、前記第1半田バンプと前記電極とを接触させる接触工程と、を有することを特徴とする
また、本発明の電子機器は、上記に記載の半田の接続方法で接続された半田接続部を有することを特徴とする。
Hereinafter, a solder connection method and an electronic apparatus according to the present invention will be described in detail.
According to the solder connection method of the present invention, a first electronic component having a first solder bump and a second electronic component having an electrode are bonded to the first solder bump and the electrode via an adhesive layer having a flux function. A method of connecting solder for electrical connection, wherein the height of the first solder bump from one surface of the first electronic component is A [μm], and the thickness of the adhesive layer having the flux function is B [Μm] When A> B, the step of disposing the adhesive layer having the flux function on the first electronic component, and the distance between the opposing surfaces of the first electronic component and the second electronic component, The first solder bumps are deformed by heating and pressurizing the first solder bumps so as to be substantially the same as the thickness B [μm] of the adhesive layer having the flux function, and the first solder bumps are deformed. 1 Solder bumps are brought into contact with the electrodes Further, it characterized in that it comprises a step catalyst, the electronic apparatus of the present invention is characterized by having a solder connection connected by the solder connection method described above.

まず、半田の接続方法について、図1に示す好適な実施形態に基づいて説明する。
図1は、第2電子部品の電極がほぼ平坦状であるものの一例を示すものである。
図1に示すように、第1電子部品として第1基板1と、第2電子部品として第2基板2とを用意する(図1)。
第1基板1は、コア基板11と、コア基板11の一方の面側(図1中の下側)に設けられた電極12と、電極12を覆うように設けられた第1半田バンプ13と、コア基板11の一方の面側を覆うソルダーレジスト14と、コア基板11の他方の面側(図1中の上側)に設けられた回路配線15と、回路配線15およびコア基板11の他方の面側を覆うように設けられたソルダーレジスト14とで構成されている。
First, a solder connection method will be described based on a preferred embodiment shown in FIG.
FIG. 1 shows an example in which the electrodes of the second electronic component are substantially flat.
As shown in FIG. 1, a first substrate 1 is prepared as a first electronic component, and a second substrate 2 is prepared as a second electronic component (FIG. 1).
The first substrate 1 includes a core substrate 11, an electrode 12 provided on one surface side (lower side in FIG. 1) of the core substrate 11, and a first solder bump 13 provided so as to cover the electrode 12. The solder resist 14 covering one surface side of the core substrate 11, the circuit wiring 15 provided on the other surface side (upper side in FIG. 1) of the core substrate 11, the other of the circuit wiring 15 and the core substrate 11 It is comprised with the soldering resist 14 provided so that the surface side might be covered.

第2基板2は、コア基板21と、コア基板21の一方の面側(図1中の上側)に設けられた電極22と、電極22の周囲と、コア基板21の一方の面側を覆うソルダーレジスト24と、コア基板21の他方の面側(図1中の下側)に設けられた回路配線25と、回路配線25およびコア基板21の他方の面側を覆うように設けられたソルダーレジスト24とで構成されている。電極22の表面には、金属層23が形成されている。電極22は、周囲をソルダーレジスト24で覆われており、ソルダーレジスト24と金属層23は、ほぼ同一面となっている(ほぼ平坦状になっている)。   The second substrate 2 covers the core substrate 21, the electrode 22 provided on one surface side (the upper side in FIG. 1) of the core substrate 21, the periphery of the electrode 22, and the one surface side of the core substrate 21. Solder resist 24, circuit wiring 25 provided on the other surface side (lower side in FIG. 1) of core substrate 21, and solder provided so as to cover circuit wiring 25 and the other surface side of core substrate 21 And a resist 24. A metal layer 23 is formed on the surface of the electrode 22. The periphery of the electrode 22 is covered with a solder resist 24, and the solder resist 24 and the metal layer 23 are substantially flush with each other (substantially flat).

金属層23として使用できる材質としては、半田、銅、金、銀、アルミ、ニッケルなどがあり、好ましくは、第1半田バンプ13と金属間化合物を生成する銅、ニッケルであり、さらに好ましくは、第1半田バンプ13と金属層23とが溶融し一体化する半田、金である。さらに、前述の材質を1種類だけでなく、複数を組み合わせて形成して使用できる。たとえば、凹形状の電極22上へニッケルを無電解めっきにより形成し、さらに金を無電解めっきにより形成したのち、印刷により半田をソルダーレジスト24と金属層23がほぼ同一面となり凹凸のないように形成する。これにより、第1半田バンプ13との濡れ性が向上し、より接続信頼性が高い半田接続部を形成できる。   Examples of materials that can be used for the metal layer 23 include solder, copper, gold, silver, aluminum, nickel, and the like, preferably copper and nickel that form an intermetallic compound with the first solder bump 13, and more preferably, The first solder bump 13 and the metal layer 23 are melted and integrated with solder and gold. Furthermore, the above-mentioned materials can be used by forming not only one type but also a plurality. For example, after nickel is formed on the concave electrode 22 by electroless plating and gold is further formed by electroless plating, the solder is formed by printing so that the solder resist 24 and the metal layer 23 are substantially on the same surface, so that there is no unevenness. Form. Thereby, wettability with the 1st solder bump 13 improves, and a solder connection part with higher connection reliability can be formed.

(フラックス機能を有する接着剤層の配置)
フラックス機能を有する接着剤層3の配置では、フラックス機能を有する接着剤層3を第1基板1の第1半田バンプ13が設けられている側にラミネートする。
次に、第1基板1の第1半田バンプ13が設けられている側にフラックス機能を有する接着剤層3をラミネートして、フラックス機能を有する接着剤層3を配置する(図2)。この際、第1半田バンプ13の高さA[μm]を、第1基板1の一方の面(図2中の第1基板1の下側のソルダーレジスト14の下面141)からとし、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さをB〔μm〕としたとき、A>Bである。
したがって、加熱・加圧圧着をして、第1半田バンプ13を金属層23へ接触し、第1半田バンプ13と金属層23との間に介在する接着剤層3を排除しながら押しつぶすことで、フラックス機能を有する接着剤層3よりも第1半田バンプ13の先端部131が露出し易くなっている。これにより、半田接続の際にフラックス機能を有する接着剤層3が第1半田バンプ13と金属層23との間に挟まる(樹脂噛み)のを防止することができる。
(Arrangement of adhesive layer with flux function)
In the arrangement of the adhesive layer 3 having the flux function, the adhesive layer 3 having the flux function is laminated on the side of the first substrate 1 where the first solder bumps 13 are provided.
Next, the adhesive layer 3 having a flux function is laminated on the side of the first substrate 1 where the first solder bumps 13 are provided, and the adhesive layer 3 having a flux function is disposed (FIG. 2). At this time, the height A [μm] of the first solder bump 13 is set from one surface of the first substrate 1 (the lower surface 141 of the solder resist 14 below the first substrate 1 in FIG. 2), and the flux function. When the thickness of the adhesive layer 3 having B is B [μm], A> B.
Accordingly, the first solder bump 13 is brought into contact with the metal layer 23 by heating and pressure bonding, and is crushed while removing the adhesive layer 3 interposed between the first solder bump 13 and the metal layer 23. The tip 131 of the first solder bump 13 is more easily exposed than the adhesive layer 3 having a flux function. Thereby, it is possible to prevent the adhesive layer 3 having a flux function from being sandwiched between the first solder bump 13 and the metal layer 23 (resin biting) at the time of solder connection.

より具体的には、第1基板1の一方の面(第1基板1の下側のソルダーレジスト14の下面141)からの半田バンプ13の高さA[μm]と、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さB〔μm〕とが、10≦A−B≦100となることが好ましく、20≦A−B≦35となることが好ましい。AとBとが前記範囲内にあると、樹脂噛みを低減することができることに加え、加圧による樹脂のはみ出し量を低減することができる。   More specifically, the height A [μm] of the solder bump 13 from one surface of the first substrate 1 (the lower surface 141 of the solder resist 14 below the first substrate 1) and an adhesive having a flux function The thickness B [μm] of the layer 3 is preferably 10 ≦ A−B ≦ 100, and preferably 20 ≦ A−B ≦ 35. When A and B are within the above ranges, resin biting can be reduced, and the amount of resin protruding due to pressurization can be reduced.

具体的に、第1基板1の一方の面からの第1半田バンプ13の高さA[μm]は、特に限定されないが、5〜400μmであることが好ましく、特に50〜65μmであることが好ましい。高さの差が前記範囲内であると、部品内に多数の接続用端子が形成され、半田形成時の高さばらつきがある程度大きくなっても、接着剤層の厚みまで加圧して、半田バンプ同士が接触しやすくなるため、良好な半田接続部を得る歩留まりを高めることができる。   Specifically, the height A [μm] of the first solder bump 13 from one surface of the first substrate 1 is not particularly limited, but is preferably 5 to 400 μm, and particularly preferably 50 to 65 μm. preferable. If the difference in height is within the above range, a large number of connection terminals are formed in the component, and even if the height variation during solder formation increases to some extent, the solder bumps are pressed to the thickness of the adhesive layer. Since it becomes easy to mutually contact, the yield which obtains a favorable solder connection part can be raised.

また、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さB[μm]は、特に限定されないが、10〜390μmであることが好ましく、特に30〜35μmが好ましい。AとBの厚みが前述の関係を満たすような関係である範囲内であると、接続信頼性と、接着剤層中へのボイドの発生の低減効果とのバランスに優れる。   Further, the thickness B [μm] of the adhesive layer 3 having a flux function is not particularly limited, but is preferably 10 to 390 μm, and particularly preferably 30 to 35 μm. When the thicknesses of A and B are within a range that satisfies the above-described relationship, the connection reliability and the effect of reducing the occurrence of voids in the adhesive layer are excellent.

このフラックス機能を有する接着剤層3は、例えば熱硬化性樹脂、フラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されている。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が用いられる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
The adhesive layer 3 having the flux function is composed of, for example, a thermosetting resin and a resin composition containing a compound having flux activity.
Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, oxetane resin, phenol resin, (meth) acrylate resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, and maleimide resin. Among them, an epoxy resin excellent in curability and storage stability, heat resistance, moisture resistance, and chemical resistance of a cured product is preferably used.

前記エポキシ樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂のいずれを用いてもよい。また、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂とを併用しても良い。これにより、樹脂の溶融挙動の設計自由度をさらに高めることができる。   The epoxy resin may be either an epoxy resin that is solid at room temperature or an epoxy resin that is liquid at room temperature. Further, an epoxy resin that is solid at room temperature and an epoxy resin that is liquid at room temperature may be used in combination. Thereby, the design freedom of the melting behavior of the resin can be further increased.

前記室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、3官能エポキシ樹脂、4官能エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに具体的には、固形3官能エポキシ樹脂とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とを含んでもよい。   The epoxy resin solid at room temperature is not particularly limited. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl Examples include ester type epoxy resins, trifunctional epoxy resins, and tetrafunctional epoxy resins. More specifically, a solid trifunctional epoxy resin and a cresol novolac type epoxy resin may be included.

また、前記室温で液状のエポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂またはビスフェノールF型エポキシ樹脂とすることができる。また、これらを組み合わせて用いてもよい。   The epoxy resin that is liquid at room temperature may be a bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin. Moreover, you may use combining these.

前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の25〜75重量%が好ましく、特に45〜70重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、良好な硬化性が得られると共に、良好な溶融挙動の設計が可能となる。   Although content of the said thermosetting resin is not specifically limited, 25 to 75 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 45 to 70 weight% is especially preferable. When the content is within the above range, good curability can be obtained, and good melting behavior can be designed.

前記フラックス活性を有する化合物は、接続を阻害する半田バンプなどの電極端子表面の酸化膜を還元し、酸化膜を取り除く還元力を有する機能を有するものである。
前記フラックス活性を有する化合物としては、例えば分子中にカルボキシル基および/またはフェノール性水酸基が少なくとも1つ以上存在する化合物をいい、液状であっても固体であってもよい。
The compound having the flux activity has a function of reducing the oxide film on the surface of the electrode terminal such as a solder bump that hinders the connection and has a reducing power to remove the oxide film.
The compound having the flux activity is, for example, a compound having at least one carboxyl group and / or phenolic hydroxyl group in the molecule, and may be liquid or solid.

前記カルボキシル基を含有するフラックス活性化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。フェノール性水酸基を有するフラックス活性化合物としては、フェノール類が挙げられる。   Examples of the flux active compound containing a carboxyl group include aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, aliphatic carboxylic acids, and aromatic carboxylic acids. Examples of the flux active compound having a phenolic hydroxyl group include phenols.

前記脂肪族酸無水物としては、例えば無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。   Examples of the aliphatic acid anhydride include succinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazeline acid anhydride and polysebacic acid anhydride.

前記脂環式酸無水物としては、例えばメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。   Examples of the alicyclic acid anhydride include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methylcyclohexene dicarboxylic acid. An acid anhydride etc. are mentioned.

前記芳香族酸無水物としては、例えば無水フタル酸無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。   Examples of the aromatic acid anhydride include phthalic anhydride trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, glycerol tris trimellitate, and the like.

前記脂肪族カルボン酸としては、下記式(1)で示される化合物が挙げられる。   As said aliphatic carboxylic acid, the compound shown by following formula (1) is mentioned.

Figure 2010073872
Figure 2010073872

また、フラックス活性、接着時のアウトガス及び接着剤の硬化後の弾性率やガラス転移温度のバランスから、上記式(1)中のnは、3以上10以下が好ましい。nを3以上とすることにより、接着剤の硬化後の弾性率の増加を抑制し、被接着物との接着性を向上させることができる。また、nを10以下とすることにより、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができる。
上記式(1)で示される化合物として、例えばn=3のグルタル酸(HOOC−(CH2−COOH)、n=4のアジピン酸(HOOC−(CH24−COOH)、n=5のピメリン酸(HOOC−(CH2−COOH)、n=8のセバシン酸(HOOC−(CH28−COOH)およびn=10のHOOC−(CH210−COOH−が挙げられる。
他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
Moreover, from the balance of flux activity, the outgas at the time of adhesion | attachment, the elasticity modulus after hardening of an adhesive agent, and glass transition temperature, n in said Formula (1) has preferable 3-10. By setting n to 3 or more, it is possible to suppress an increase in the elastic modulus after curing of the adhesive and to improve the adhesion to the adherend. Further, by setting n to 10 or less, it is possible to suppress a decrease in elastic modulus and further improve connection reliability.
As the compound represented by the above formula (1), for example, n = 3 glutaric acid (HOOC— (CH 2 ) 3 —COOH), n = 4 adipic acid (HOOC— (CH 2 ) 4 —COOH), n = 5 pimelic acid (HOOC— (CH 2 ) 5 —COOH), n = 8 sebacic acid (HOOC— (CH 2 ) 8 —COOH) and n = 10 HOOC— (CH 2 ) 10 —COOH—. It is done.
Other aliphatic carboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid pivalate, caprylic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, Examples include oleic acid, fumaric acid, maleic acid, oxalic acid, malonic acid, and oxalic acid.

前記芳香族カルボン酸としては、例えば安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸(2,5−ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)、1,4−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;ジフェノール酸等が挙げられる。   Examples of the aromatic carboxylic acid include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, hemimellitic acid, trimellitic acid, trimesic acid, merophanic acid, platnic acid, pyromellitic acid, merit acid, triyl acid, and xylyl acid. , Hemelitic acid, mesitylene acid, prenylic acid, toluic acid, cinnamic acid, salicylic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), 2,6 -Dihydroxybenzoic acid, 3,5-dihydroxybenzoic acid, gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid), 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid Naphthoic acid derivatives such as phenolphthalin; diphenolic acid and the like.

前記フェノール性水酸基を有するフラックス活性化合物としては、例えばフェノール、o−クレゾール、2,6−キシレノール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−エチルフェノール、2,4−キシレノール、2,5キシレノール、m−エチルフェノール、2,3−キシレノール、メジトール、3,5−キシレノール、p−ターシャリブチルフェノール、カテコール、p−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、p−オクチルフェノール、p−フェニルフェノール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、o−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールFノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等が挙げられる。   Examples of the flux active compound having a phenolic hydroxyl group include phenol, o-cresol, 2,6-xylenol, p-cresol, m-cresol, o-ethylphenol, 2,4-xylenol, 2,5 xylenol, m. -Ethylphenol, 2,3-xylenol, meditol, 3,5-xylenol, p-tertiarybutylphenol, catechol, p-tertiaryamylphenol, resorcinol, p-octylphenol, p-phenylphenol, bisphenol A, bisphenol F, Monomers containing phenolic hydroxyl groups such as bisphenol AF, biphenol, diallyl bisphenol F, diallyl bisphenol A, trisphenol, tetrakisphenol, phenol novolac resin, o-c Tetrazole novolac resin, bisphenol F novolac resin, bisphenol A novolac resins.

前記フラックス活性化合物は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂との反応で三次元的に取り込まれるため、1分子中にエポキシ樹脂に付加することができる少なくとも2個のフェノール性水酸基と、金属酸化膜にフラックス作用を示す芳香族に直接結合したカルボキシル基を一分子中に少なくとも1個有する化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸(2,5−ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)等の安息香酸誘導体;1,4−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,7−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;およびジフェノール酸等が挙げられる。
これらのフラックス活性化合物は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Since the flux active compound is three-dimensionally incorporated by reaction with a thermosetting resin such as an epoxy resin, at least two phenolic hydroxyl groups that can be added to the epoxy resin in one molecule, and metal oxidation A compound having at least one carboxyl group directly bonded to an aromatic group exhibiting a flux action on the membrane is preferable. Examples of such compounds include 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), 2,6-dihydroxybenzoic acid, and 3,4-dihydroxybenzoic acid. Benzoic acid derivatives such as acid and gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid); 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,7-dihydroxy- Naphthoic acid derivatives such as 2-naphthoic acid; phenolphthaline; and diphenolic acid.
These flux active compounds may be used alone or in combination of two or more.

前記フラックス活性を有する化合物の含有量は、特に限定されないが、フラックス活性を向上させる観点では、前記樹脂組成物全体の1重量%以上とすることが好ましく、特に5重量%以上とすることが好ましい。熱硬化樹脂と未反応のフラックス活性化合物が残留していると、マイグレーションの原因となる。したがって、熱硬化性樹脂と反応しないフラックス活性化合物が残らないようにするためには、フラックス活性化合物の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の30重量%以下とすることが好ましく、特に25重量%以下とすることが好ましい。上記範囲内であると、銅箔表面の酸化膜を還元し強度の大きい良好な接合が得られる。   The content of the compound having the flux activity is not particularly limited. However, from the viewpoint of improving the flux activity, the content is preferably 1% by weight or more, particularly preferably 5% by weight or more of the entire resin composition. . If the thermosetting resin and the unreacted flux active compound remain, it causes migration. Therefore, in order to prevent a flux active compound that does not react with the thermosetting resin from remaining, the content of the flux active compound is not particularly limited, but is preferably 30% by weight or less of the entire resin composition. In particular, it is preferably 25% by weight or less. Within the above range, the oxide film on the surface of the copper foil is reduced, and a good bond with high strength can be obtained.

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含むことが好ましい。
前記硬化剤としては、例えばフェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂が用いられる場合、このエポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性(例えば、耐熱性、耐湿性等)が得られるという点で、フェノール類が好適に用いられる。
Although the said resin composition is not specifically limited, It is preferable that the hardening | curing agent of the said thermosetting resin is included.
Examples of the curing agent include phenols, amines, and thiols. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, good reactivity with the epoxy resin, low dimensional change during curing, and appropriate physical properties after curing (for example, heat resistance, moisture resistance, etc.) are obtained. Phenols are preferably used.

前記フェノール類としては、特に限定されるものではないが、接着剤の硬化後の物性を考えた場合、2官能以上が好ましい。例えばビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールA、ジアリルビスフェノールA、ビフェノール、ビスフェノールF、ジアリルビスフェノールF、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類、クレゾールノボラック類等が挙げられるが、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性および硬化後の物性を考えた場合、フェノールノボラック類およびクレゾールノボラック類を好適に用いることができる。   Although it does not specifically limit as said phenols, When the physical property after hardening of an adhesive agent is considered, bifunctional or more is preferable. Examples include bisphenol A, tetramethylbisphenol A, diallyl bisphenol A, biphenol, bisphenol F, diallyl bisphenol F, trisphenol, tetrakisphenol, phenol novolacs, cresol novolacs, etc., but melt viscosity, reactivity with epoxy resin When considering the physical properties after curing, phenol novolacs and cresol novolacs can be preferably used.

前記硬化剤としてフェノールノボラック類が用いられる場合、その含有量は特に限定されないが、樹脂を確実に硬化させる観点では、前記樹脂組成物全体の5重量%以上とすることが好ましく、特に10重量%以上とすることが好ましい。エポキシ樹脂と未反応のフェノールノボラック類が残留していると、マイグレーションの原因となる。したがって、残渣として残らないようにするためには、前記樹脂組成物全体の30重量%以下とすることが好ましく、特に25重量%以下とすることが好ましい。   When phenol novolacs are used as the curing agent, the content thereof is not particularly limited. However, from the viewpoint of reliably curing the resin, it is preferably 5% by weight or more, particularly 10% by weight based on the total resin composition. The above is preferable. If epoxy resin and unreacted phenol novolac remain, it causes migration. Therefore, in order not to remain as a residue, it is preferably 30% by weight or less, and particularly preferably 25% by weight or less, based on the entire resin composition.

熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、フェノールノボラック樹脂の含有量は、エポキシ樹脂に対する当量比で規定してもよい。具体的には、エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック類の当量比は、特に限定されないが、0.5以上、1.2以下が好ましく、特に0.6以上、1.1以下が好ましく、最も0.7以上、0.98以下が好ましい。エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック樹脂の当量比を前記下限値以上とすることで、硬化後の耐熱性、耐湿性を確保することができ、この当量比を前記上限値以下とすることで、硬化後のエポキシ樹脂と未反応の残留フェノールノボラック樹脂の量を低減することができ、耐マイグレーション性が良好となる。   When the thermosetting resin is an epoxy resin, the content of the phenol novolac resin may be defined by an equivalent ratio with respect to the epoxy resin. Specifically, the equivalent ratio of the phenol novolac to the epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 0.5 or more and 1.2 or less, particularly preferably 0.6 or more and 1.1 or less, and most preferably 0.7 Above, 0.98 or less is preferable. By setting the equivalent ratio of the phenol novolac resin to the epoxy resin to be equal to or higher than the lower limit, heat resistance and moisture resistance after curing can be ensured, and by setting the equivalent ratio to be equal to or lower than the upper limit, The amount of the epoxy resin and the unreacted residual phenol novolac resin can be reduced, and the migration resistance is improved.

他の硬化剤としては、例えば融点が150℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。イミダゾール化合物の融点が低すぎると、半田粉が電極表面へ移動する前に接着剤の樹脂が硬化してしまい接続が不安定になったり、接着剤の保存性が低下したりしる場合がある。そのため、イミダゾールの融点は150℃以上が好ましい。融点が150℃以上のイミダゾール化合物として、例えば2−フェニルヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、接着剤の接着温度に応じて適宜設定することができる。   As another curing agent, for example, an imidazole compound having a melting point of 150 ° C. or higher can be used. If the melting point of the imidazole compound is too low, the adhesive resin may harden before the solder powder moves to the electrode surface, which may result in unstable connection or decrease the storage stability of the adhesive. . Therefore, the melting point of imidazole is preferably 150 ° C. or higher. Examples of the imidazole compound having a melting point of 150 ° C. or higher include 2-phenylhydroxyimidazole and 2-phenyl-4-methylhydroxyimidazole. In addition, there is no restriction | limiting in particular in the upper limit of melting | fusing point of an imidazole compound, According to the adhesion temperature of an adhesive agent, it can set suitably.

前記硬化剤としてイミダゾール化合物が使用される場合、その含有量は特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の0.005重量%以上、10重量%以下とすることが好ましく、特に0.01重量%以上、5重量%以下とすることが好ましい。
前記イミダゾール化合物の含有量を前記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂の硬化触媒としての機能をさらに効果的に発揮させて、接着剤の硬化性を向上させることができる。また、イミダゾール化合物の含有量を前記上限値以下とすることにより、半田が溶融する温度において樹脂の溶融粘度が高すぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着剤の保存性をさらに向上させることができる。
これらの硬化剤は、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いても良い。
When an imidazole compound is used as the curing agent, the content thereof is not particularly limited, but is preferably 0.005% by weight or more and 10% by weight or less, particularly 0.01% by weight of the entire resin composition. The content is preferably 5% by weight or less.
By making content of the said imidazole compound more than the said lower limit, the function as a curing catalyst of a thermosetting resin can be exhibited more effectively, and the sclerosis | hardenability of an adhesive agent can be improved. Further, by setting the content of the imidazole compound to the upper limit value or less, the melt viscosity of the resin is not too high at the temperature at which the solder melts, and a good solder joint structure is obtained. Moreover, the preservability of the adhesive can be further improved.
These curing agents may be used alone or in combination of two or more.

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、製膜性樹脂を含むことが好ましい。これにより、フィルムへの製膜性を向上することができる。
前記製膜性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、アクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Although the said resin composition is not specifically limited, It is preferable that film forming resin is included. Thereby, the film forming property to a film can be improved.
Examples of the film-forming resin include phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene, polypropylene, styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer, Polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetal resin, butyl rubber, chloroprene rubber, polyamide resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polyvinyl acetate, nylon Acrylic rubber or the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more.

前記製膜性樹脂として、フェノキシ樹脂が用いられる場合、その数平均分子量は、特に限定されないが、5,000〜15,000であるフェノキシ樹脂が好ましい。このようなフェノキシ樹脂を用いることにより、硬化前の接着剤の流動性を抑制し、層間厚みを均一にすることができる。フェノキシ樹脂の骨格は、ビスフェノールAタイプ、ビスフェノールFタイプ、ビフェニル骨格タイプなどが挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、飽和吸水率が1%以下であるフェノキシ樹脂が、接合時や半田実装時の高温下においても発泡や剥離などの発生を抑えることができるため、好ましい。   When a phenoxy resin is used as the film-forming resin, its number average molecular weight is not particularly limited, but a phenoxy resin having a molecular weight of 5,000 to 15,000 is preferable. By using such a phenoxy resin, the fluidity of the adhesive before curing can be suppressed and the interlayer thickness can be made uniform. Examples of the skeleton of the phenoxy resin include, but are not limited to, bisphenol A type, bisphenol F type, and biphenyl skeleton type. Preferably, a phenoxy resin having a saturated water absorption rate of 1% or less is preferable because foaming, peeling, and the like can be suppressed even at high temperatures during bonding and solder mounting.

また、前記製膜性樹脂として、接着性や他の樹脂との相溶性を向上させる目的で、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基等の官能基を有するものを用いてもよく、このような樹脂として、例えば官能基を有するアクリルゴムを用いることができる。
前記製膜性樹脂として、(官能基を有する)アクリルゴムが用いられる場合、フィルム状の接着剤を作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着剤の弾性率を低下させ、被接着物と接着剤間の残留応力を低減することができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。
In addition, as the film-forming resin, a resin having a functional group such as a nitrile group, an epoxy group, a hydroxyl group, or a carboxyl group may be used for the purpose of improving adhesiveness or compatibility with other resins. As such a resin, for example, an acrylic rubber having a functional group can be used.
When acrylic rubber (having a functional group) is used as the film-forming resin, it is possible to improve film formation stability when producing a film-like adhesive. In addition, since the elastic modulus of the adhesive can be reduced and the residual stress between the adherend and the adhesive can be reduced, the adhesion to the adherend can be improved.

前記製膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の5重量%以上、45重量%以下とすることが好まし。製膜性樹脂が前記範囲内で配合される場合、成膜性の低下が抑制されるとともに、接着剤の硬化後の弾性率の増加が抑制されるため、被接着物との密着性をさらに向上させることができる。また、上記範囲内とすることにより、接着剤の溶融粘度の増加が抑制される。   The content of the film-forming resin is not particularly limited, but is preferably 5% by weight or more and 45% by weight or less of the entire resin composition. When the film-forming resin is blended within the above range, a decrease in film formability is suppressed and an increase in the elastic modulus after curing of the adhesive is suppressed. Can be improved. Moreover, the increase in the melt viscosity of an adhesive agent is suppressed by setting it as the said range.

また、前記樹脂組成物は、特に限定されないが、シランカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、接着剤の被接着物への密着性をさらに高めることができる。前記シランカップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Moreover, although the said resin composition is not specifically limited, It is preferable that a silane coupling agent is included. Thereby, the adhesiveness to the to-be-adhered thing of an adhesive agent can further be improved. Examples of the silane coupling agent include epoxy silane coupling agents and aromatic-containing aminosilane coupling agents. These may be used alone or in combination of two or more.

シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の0.01〜5重量%が好ましく、特に0.1〜1重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、密着性を向上する効果に特に優れる。   Although content of a silane coupling agent is not specifically limited, 0.01 to 5 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 0.1 to 1 weight% is especially preferable. When the content is within the above range, the effect of improving the adhesion is particularly excellent.

前記樹脂組成物は、上記以外の成分を含んでいてもよい。たとえば、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤を適宜添加してもよい。を含んでも良い。   The resin composition may contain components other than those described above. For example, various additives may be appropriately added in order to improve various properties such as resin compatibility, stability, and workability. May be included.

このような樹脂組成物をトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系有機溶剤、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系有機溶剤に溶解し、得られたワニスをポリエステルシートに塗布し、上記溶剤が揮発する温度で乾燥させて、接着剤シートを作製することで、ポリエステルシートに形成された接着剤層3を得る。
次に、第1基板1の第1半田バンプ13が設けられている側にフラックス機能を有する接着剤層3をラミネートして、ポリエステルシートを剥離することにより、フラックス機能を有する接着剤層3を得ることができる。
Such a resin composition is dissolved in an aromatic hydrocarbon solvent such as toluene or xylene, an ester organic solvent such as ethyl acetate or butyl acetate, or a ketone organic solvent such as acetone or methyl ethyl ketone, and the resulting varnish is polyester. The adhesive layer 3 formed on the polyester sheet is obtained by applying to a sheet and drying at a temperature at which the solvent evaporates to produce an adhesive sheet.
Next, the adhesive layer 3 having a flux function is laminated on the side of the first substrate 1 on which the first solder bumps 13 are provided, and the polyester sheet is peeled off to thereby form the adhesive layer 3 having a flux function. Obtainable.

(第1半田バンプと電極との接触工程)
この接触工程では、第1半田バンプ13を加熱・加圧して、第1半田バンプ13の高さがフラックス機能を有する接着剤層3の厚さと同じになるように変形させるものである。
次に、第1半田バンプ13の高さA〔μm〕が、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さB〔μm〕とほぼ同じとなるように、第1基板1および第2基板2の少なくとも一方を加熱・加圧して、第1半田バンプ13金属層23を変形させると共に、第1半田バンプ13と金属層23とを接触させる(図3)。
ここで、第1半田バンプ13の高さA〔μm〕は、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さB〔μm〕は、最初はA>Bの関係を有していたが、これを上述した加熱・加圧することにより第1半田バンプ13および金属層23を変形させ、それによって第1半田バンプ13の高さA〔μm〕が、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さB〔μm〕とほぼ同じとなるようにする。これにより、第1半田バンプ13と金属層23との間に、フラックス機能を有する接着剤層3が挟まって残存してしまう現象(樹脂噛み)を防止することができる。
この樹脂噛みを防止できる理由は、前述したとおり、第1半田バンプ13の先端部を覆ったフラックス機能を有する接着剤層3を排除するように第1半田バンプ13が変形するためである。
(Contact process between first solder bump and electrode)
In this contact step, the first solder bumps 13 are heated and pressurized to be deformed so that the height of the first solder bumps 13 is the same as the thickness of the adhesive layer 3 having a flux function.
Next, the first substrate 1 and the second substrate 2 are formed so that the height A [μm] of the first solder bump 13 is substantially the same as the thickness B [μm] of the adhesive layer 3 having a flux function. At least one of them is heated and pressurized to deform the first solder bump 13 metal layer 23 and to bring the first solder bump 13 and the metal layer 23 into contact with each other (FIG. 3).
Here, the height A [μm] of the first solder bumps 13 and the thickness B [μm] of the adhesive layer 3 having a flux function initially had a relationship of A> B. The first solder bump 13 and the metal layer 23 are deformed by heating and pressurizing as described above, whereby the height A [μm] of the first solder bump 13 is set to the thickness B of the adhesive layer 3 having a flux function. μm] to be substantially the same. Thereby, it is possible to prevent a phenomenon (resin biting) in which the adhesive layer 3 having a flux function is sandwiched between the first solder bumps 13 and the metal layer 23 and remains.
The reason why this resin biting can be prevented is that, as described above, the first solder bump 13 is deformed so as to exclude the adhesive layer 3 having a flux function that covers the tip of the first solder bump 13.

この第1半田バンプ13の高さを、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さとほぼ同じとなるように変形させる前記加熱・加圧は、フラックス機能を有する接着剤層3を構成する樹脂組成物中の熱硬化性樹脂が硬化反応を開始しない条件で実施することが好ましい。これにより、第1半田バンプ13の先端部を覆ったフラックス機能を有する接着剤層3の排除が容易になる。
具体的に加熱条件は、特に限定されないが、80〜150℃×5秒間〜5分間が好ましく、特に90〜120℃×30秒間〜2分間が好ましい。また、加圧条件も特に限定されないが、0.4〜1.0〔MPa〕が好ましく、特に0.6〜0.9〔MPa〕が好ましい。加熱・加圧条件が前記範囲内であると、特に第1半田バンプ近傍に生じるフラックス機能を有する接着剤層3の充填不良によるボイドの発生を低減する効果に優れる。さらに、フラックス機能を有する接着剤層3を、第1半田バンプ13および金属層23との間から排除する効果に優れ、後述する半田接合工程で第1半田バンプ13と金属層23とを樹脂噛みすることなく接合することが容易となる。
The heating and pressurizing to deform the height of the first solder bump 13 so as to be substantially the same as the thickness of the adhesive layer 3 having a flux function is a resin composition constituting the adhesive layer 3 having a flux function. The thermosetting resin in the product is preferably carried out under conditions that do not initiate the curing reaction. This facilitates removal of the adhesive layer 3 having a flux function that covers the tip of the first solder bump 13.
Specifically, the heating conditions are not particularly limited, but are preferably 80 to 150 ° C. × 5 seconds to 5 minutes, and particularly preferably 90 to 120 ° C. × 30 seconds to 2 minutes. Moreover, although pressurization conditions are not specifically limited, 0.4-1.0 [MPa] is preferable and 0.6-0.9 [MPa] is especially preferable. When the heating / pressurizing condition is within the above range, the effect of reducing the generation of voids due to poor filling of the adhesive layer 3 having a flux function that occurs particularly in the vicinity of the first solder bump is excellent. Furthermore, it is excellent in the effect of removing the adhesive layer 3 having a flux function from between the first solder bumps 13 and the metal layer 23, and the first solder bumps 13 and the metal layer 23 are resin-engaged in a solder bonding step to be described later. It becomes easy to join without doing.

(半田接続工程)
半田接続工程では、第1半田バンプ13の半田を溶融して、金属層23と接続する。
次に、半田を溶融して第1半田バンプ13と、金属層23とを接続する半田接続工程を有する。これにより、第1半田バンプ13と金属層23とを半田接続する(図4)。
具体的には、半田の種類にもよるが、例えばSn−Agの場合、220〜260℃×30〜120秒間加熱して半田接続することが好ましく、特に230〜240℃×60〜100秒間加熱することが好ましい。
また、この加熱は第1半田バンプ13、金属層23が融解した後に、接着剤層3を構成する熱硬化性樹脂が硬化するように加熱することが好ましい。すなわち、加熱による接着剤層3を構成する熱硬化性樹脂が硬化する前に、半田バンプの半田が融解していることが好ましい。熱硬化性樹脂が半田の融解前に硬化してしまうと、半田接続部の形状が熱硬化性樹脂の硬化により固定されてしまい、好適な形状を得ることができない場合があるからである。
これに対して、上述したように第1半田バンプ13、金属層23が融解した後に、接着剤層3を構成する熱硬化性樹脂が硬化するように加熱すると、第1半田バンプ13と、金属層23とを圧着して変形させた際に、半田バンプの先端部のみならず、周辺部(端部)も半田が溶融して安定した接続部形状を得ることができる。
(Solder connection process)
In the solder connection step, the solder of the first solder bump 13 is melted and connected to the metal layer 23.
Next, a solder connection step of connecting the first solder bump 13 and the metal layer 23 by melting the solder is provided. As a result, the first solder bump 13 and the metal layer 23 are solder-connected (FIG. 4).
Specifically, although depending on the type of solder, for example, in the case of Sn-Ag, it is preferable to perform solder connection by heating at 220 to 260 ° C. for 30 to 120 seconds, particularly 230 to 240 ° C. for 60 to 100 seconds. It is preferable to do.
Further, this heating is preferably performed so that the thermosetting resin constituting the adhesive layer 3 is cured after the first solder bump 13 and the metal layer 23 are melted. That is, it is preferable that the solder of the solder bump is melted before the thermosetting resin constituting the adhesive layer 3 by heating is cured. This is because if the thermosetting resin is cured before the solder is melted, the shape of the solder connection portion is fixed by the curing of the thermosetting resin, and a suitable shape may not be obtained.
On the other hand, when the first solder bump 13 and the metal layer 23 are melted as described above and then heated so that the thermosetting resin constituting the adhesive layer 3 is cured, the first solder bump 13 and the metal layer When the layer 23 is pressure-bonded and deformed, the solder melts not only at the front end portion of the solder bump but also at the peripheral portion (end portion), so that a stable connection portion shape can be obtained.

フラックス機能を有する接着剤3を常温から10℃/分の昇温速度で溶融状態まで昇温したときに初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有する場合の前記最低溶融粘度は、特に限定されないが、10〜100,000Pa・sが好ましく、さらに好ましくは100〜5,000Pa・s、特に1,000〜2,000Pa・sが好ましい。フラックス機能を有する接着剤層3の最低溶融粘度が前記範囲内であると、特に電子部品の吸湿や電子部品自体から発生する気体成分によって熱処理中に接着剤層に生成するボイドの低減、および、第1半田バンプ13と金属層23間の接着剤層を排除する効果に優れる。最低溶融粘度が前記下限値未満であると、樹脂の流れにより半田バンプが端子間以外の場所の樹脂中に飛散してしまう場合がある。前記上限値を超えると、第1半田バンプ13と金属層23が一体化せずに半田バンプが圧接したままの形状が維持されてしまう場合がある。   When the temperature of the adhesive 3 having a flux function is increased from room temperature to a molten state at a temperature increase rate of 10 ° C./min, the initial melt viscosity decreases, and after reaching the minimum melt viscosity, the characteristics are such that it further increases. The minimum melt viscosity when it is contained is not particularly limited, but is preferably 10 to 100,000 Pa · s, more preferably 100 to 5,000 Pa · s, and particularly preferably 1,000 to 2,000 Pa · s. When the minimum melt viscosity of the adhesive layer 3 having a flux function is within the above range, particularly, the reduction of voids generated in the adhesive layer during heat treatment due to moisture absorption of the electronic component and gas components generated from the electronic component itself, and The effect of eliminating the adhesive layer between the first solder bump 13 and the metal layer 23 is excellent. When the minimum melt viscosity is less than the lower limit value, the solder bumps may be scattered in the resin other than between the terminals due to the flow of the resin. If the upper limit is exceeded, the first solder bump 13 and the metal layer 23 may not be integrated, and the shape of the solder bump being pressed may be maintained.

次に、加熱してフラックス機能を有する接着剤層3を硬化させる硬化工程を有する。これにより、接着剤層3は、適切な物性(例えば、耐熱性、耐湿性等)を確保することができる。
前記硬化工程は、フラックス機能を有する接着剤層3を構成する熱硬化性樹脂が硬化する温度であれば特に限定されないが、具体的には160〜200℃が好ましく、特に170〜190℃が好ましい。
Next, it has the hardening process which heats and hardens the adhesive bond layer 3 which has a flux function. Thereby, the adhesive layer 3 can ensure appropriate physical properties (for example, heat resistance, moisture resistance, etc.).
Although the said hardening process will not be specifically limited if the thermosetting resin which comprises the adhesive bond layer 3 which has a flux function hardens | cures, specifically 160-200 degreeC is preferable, and 170-190 degreeC is especially preferable. .

上述のような方法により、第1基板1の第1半田バンプ13と、第2基板2の金属層23とをフラックス機能を有する接着剤層3を介して半田接続部5を形成することができる。このような方法を用いることで、従来で半田接合部には毛細管現象を利用したアンダーフィル材を充填し接合部を補強して接合部分を形成していたが、接続信頼性に優れる半田接合形状の形成と、樹脂による半田接合部分の補強を同時に行うことが出来るため、大幅な工程の短縮が可能となる。さらに、一層毎に形成していた多層基板の絶縁層を、一括して積層し、導体部を一括して形成することが可能となる。   By the method as described above, the solder connection portion 5 can be formed by bonding the first solder bump 13 of the first substrate 1 and the metal layer 23 of the second substrate 2 via the adhesive layer 3 having a flux function. . By using such a method, the solder joint has been filled with an underfill material that utilizes capillary action to reinforce the joint, and the joint has been formed. Since the formation of the solder and the reinforcement of the solder joint portion with the resin can be performed at the same time, the process can be greatly shortened. Furthermore, it is possible to stack the insulating layers of the multilayer substrate formed for each layer in a lump and form the conductors in a lump.

次に、第2電子部品(第2基板4)の電極42および金属層43が、ソルダーレジスト44によって側面視では凹状となっているもの半田の接続方法について説明する。   Next, a solder connection method will be described in which the electrode 42 and the metal layer 43 of the second electronic component (second substrate 4) are concave in the side view due to the solder resist 44.

図5は、金属層43が、その周囲をソルダーレジスト44に覆われることにより第2電子部品4の側面視では金属層43部分が凹状となっているものの一例を示すものである。この第2基板4の表面441からの金属層43の深さC[μm]とする。
この際、第1半田バンプ13の高さA[μm]と第2基板4の表面からの金属層43の深さC[μm]と、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さをB〔μm〕との関係は、A−C>Bである。
したがって、上述した第2基板2の金属層23側面が平坦である場合と同様に、加熱・加圧圧着をして、第1半田バンプ13を金属層43へ接触し、第1半田バンプ13と金属層43との間に介在する接着剤層3を排除しながら押しつぶすことで、フラックス機能を有する接着剤層3よりも第1半田バンプ13の先端部131が露出し易くなっている。これにより、半田接続の際にフラックス機能を有する接着剤層3が第1半田バンプ13と金属層43との間に挟まる(樹脂噛み)のを防止することができる。
FIG. 5 shows an example in which the metal layer 43 is covered with the solder resist 44 so that the metal layer 43 is concave in a side view of the second electronic component 4. The depth C of the metal layer 43 from the surface 441 of the second substrate 4 is C [μm].
At this time, the height A [μm] of the first solder bump 13, the depth C [μm] of the metal layer 43 from the surface of the second substrate 4, and the thickness of the adhesive layer 3 having a flux function are set to B [ μm] is A−C> B.
Accordingly, in the same manner as in the case where the side surface of the metal layer 23 of the second substrate 2 is flat, the first solder bump 13 is brought into contact with the metal layer 43 by heating and pressure bonding, and the first solder bump 13 and By crushing while removing the adhesive layer 3 interposed between the metal layer 43 and the adhesive layer 3 having a flux function, the tip 131 of the first solder bump 13 is more easily exposed. Thereby, it is possible to prevent the adhesive layer 3 having a flux function from being sandwiched between the first solder bump 13 and the metal layer 43 (resin biting) at the time of solder connection.

より具体的には、第1基板1の一方の面(第1基板1の下側のソルダーレジスト14の下面141)からの半田バンプ13の高さA[μm]と、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さB〔μm〕とが、10≦A−B−C≦100となることが好ましく、20≦A−B−C≦35となることが好ましい。
AとBとCとが前記範囲内にあると、樹脂噛みを低減することができることに加え、加圧による樹脂のはみ出し量を低減し、さらに半田バンプの変形による半田バンプ幅の広がりを抑制することができる。
More specifically, the height A [μm] of the solder bump 13 from one surface of the first substrate 1 (the lower surface 141 of the solder resist 14 below the first substrate 1) and an adhesive having a flux function The thickness B [μm] of the layer 3 is preferably 10 ≦ ABC ≦ 100, and preferably 20 ≦ ABC ≦ 35.
When A, B, and C are within the above ranges, resin biting can be reduced, the amount of resin protruding due to pressurization is reduced, and the expansion of the solder bump width due to deformation of the solder bumps is suppressed. be able to.

具体的に、第1基板1の一方の面からの第1半田バンプ13の高さA[μm]から、第2基板4の表面からの金属層43の深さC[μm]を引いたバンプ高さの値は、特に限定されないが、5〜400μmであることが好ましく、特に50〜65μmであることが好ましい。高さの値が前記範囲内であると、部品内に多数の接続用端子が形成され、半田形成時の高さばらつきがある程度大きくなっても、接着剤層の厚みまで加圧して、半田バンプ同士が接触しやすくなるため、良好な半田接続部を得る歩留まりを高めることができる。このとき、金属層43の深さC[μm]は、50μm以下が好ましく、特に5〜15μmが好ましい。   Specifically, a bump obtained by subtracting the depth C [μm] of the metal layer 43 from the surface of the second substrate 4 from the height A [μm] of the first solder bump 13 from one surface of the first substrate 1. Although the value of height is not specifically limited, It is preferable that it is 5-400 micrometers, and it is especially preferable that it is 50-65 micrometers. When the height value is within the above range, a large number of connection terminals are formed in the component, and even if the height variation during solder formation becomes large to some extent, the solder bumps are pressed to the thickness of the adhesive layer. Since it becomes easy to mutually contact, the yield which obtains a favorable solder connection part can be raised. At this time, the depth C [μm] of the metal layer 43 is preferably 50 μm or less, and particularly preferably 5 to 15 μm.

また、フラックス機能を有する接着剤層3の厚さB[μm]は、特に限定されないが、10〜390μmであることが好ましく、特に30〜35μmが好ましい。AとBとCの厚みが前述の関係を満たすような関係であると、接続信頼性と、接着剤層中へのボイドの発生の低減効果とのバランスに優れる。   Further, the thickness B [μm] of the adhesive layer 3 having a flux function is not particularly limited, but is preferably 10 to 390 μm, and particularly preferably 30 to 35 μm. If the thicknesses of A, B, and C satisfy the above-described relationship, the balance between connection reliability and the effect of reducing the occurrence of voids in the adhesive layer is excellent.

以下の工程は、前述のソルダーレジストと金属層がほぼ同一面となり凹凸の無い場合と同様に行うことができる。   The following steps can be performed in the same manner as in the case where the above-described solder resist and the metal layer are substantially flush and have no irregularities.

本発明の電子部品とは、例えば半田バンプを有する有機基板、半田バンプを有するセラミックス基板、半田バンプを有する半導体素子等が挙げられる。
また、本発明の電子機器には、例えば上述したような電子部品等が電気的に接続されてなる半導体装置等が挙げられる。
Examples of the electronic component of the present invention include an organic substrate having solder bumps, a ceramic substrate having solder bumps, and a semiconductor element having solder bumps.
The electronic apparatus of the present invention includes, for example, a semiconductor device in which the electronic components as described above are electrically connected.

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.

(実施例1〜6および比較例1〜2)
(接着テープの製造)
表1に示される各成分を、メチルエチルケトンに溶解して樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをポリエステルシートに塗布し、80℃で3分間乾燥させ、ついで、120℃で3分間乾燥させて、厚さ30μmのフラックス機能を有する接着剤層(接着テープ)を得た。なお、表中の配合量は、配合成分の合計量に対する重量%である。
(Examples 1-6 and Comparative Examples 1-2)
(Manufacture of adhesive tape)
Each component shown in Table 1 was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a resin varnish. This resin varnish was applied to a polyester sheet, dried at 80 ° C. for 3 minutes, and then dried at 120 ° C. for 3 minutes to obtain an adhesive layer (adhesive tape) having a thickness of 30 μm and having a flux function. In addition, the compounding quantity in a table | surface is the weight% with respect to the total amount of a compounding component.

(電子部品の製造)
・第1基板(第1半田バンプを有する第1電子部品)および第2基板(第2電子部品の電極42および金属層43が側面視では凹状となっている第2電子部品)の作製
12μmの銅箔が付いた両面銅張り積層板(住友ベークライト社製 ELC−4785GS)をエッチングし、銅回路パターンを形成したのち、銅回路パターンを粗化処理して、ソルダーレジスト(太陽インキ製造社製 PSR−AUS703)を両面へ銅回路上15μmの厚みで印刷形成し、露光・現像して、200μmの開口部を形成したのち、前記開口部の銅回路パターン上へ無電解ニッケル層を厚み3μm、無電解金めっき層を厚み0.03μmで形成し、第2基板を得た。さらに所望の高さになるように半田(Sn/3.5Ag)ペーストを印刷形成し、リフローにより半田ペースト溶融させてソルダーレジストから所望の高さが得られた第1基板(半田バンプ付き基板)を得た。
(Manufacture of electronic components)
Production of the first substrate (first electronic component having the first solder bump) and the second substrate (second electronic component in which the electrode 42 and the metal layer 43 of the second electronic component are concave in a side view) 12 μm After etching the double-sided copper-clad laminate with copper foil (ELC-4785GS manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) to form a copper circuit pattern, the copper circuit pattern is roughened and solder resist (PSR manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.) -AUS703) is printed on both surfaces with a thickness of 15 μm on a copper circuit, exposed and developed to form a 200 μm opening, and then an electroless nickel layer is formed on the copper circuit pattern in the opening with a thickness of 3 μm. An electrolytic gold plating layer was formed with a thickness of 0.03 μm to obtain a second substrate. Furthermore, a solder (Sn / 3.5Ag) paste is printed and formed to a desired height, and the solder paste is melted by reflow to obtain the desired height from the solder resist (substrate with solder bumps). Got.

・多層回路基板(電子部品)の作製
第1基板の半田バンプが形成された面に、厚さ30μmのフラックス機能付き接着剤層を真空プレス(名機製作所製 MVLP‐500)により、120℃、0.8MPa、30秒間で貼着し、ポリエステルフィルムを剥離した。つぎに、第1基板と第2基板の半田バンプと凹形状の電極が対向するように位置合わせし、真空プレスにより、120℃、0.8MPa、30秒間で成形した。
次いで、平板プレス(システム開発製 MSA−2)により240℃、0.3MPa、120秒間プレスし、半田バンプ同士を接合した。さらに、熱硬化フラックステープを硬化させるために180℃、60分間の熱履歴を加え多層回路基板(電子部品)を得た。
-Fabrication of multilayer circuit board (electronic component) On the surface of the first board on which the solder bumps are formed, a 30 μm thick adhesive layer with a flux function is vacuum pressed (MVLP-500 manufactured by Meiki Seisakusho) at 120 ° C. The polyester film was peeled off at 0.8 MPa for 30 seconds. Next, it aligned so that the solder bump and concave electrode of the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate might oppose, and it shape | molded by 120 degreeC and 0.8 Mpa for 30 second by the vacuum press.
Subsequently, it pressed at 240 degreeC and 0.3 Mpa for 120 second with the flat plate press (MSA-2 by system development), and solder bumps were joined. Furthermore, in order to cure the thermosetting flux tape, a heat history was applied at 180 ° C. for 60 minutes to obtain a multilayer circuit board (electronic component).

各実施例および比較例で得られたフラックス機能付き接着剤層(フラックス機能付き接着フィルム)および電子部品について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を、表1に示す。
1.溶融粘度の測定
得られたフラックス機能付き接着層(接着テープ)を用いて、溶融粘度を測定した。具体的には、厚さ100μmの接着テープを、粘弾性測定装置(ジャスコインターナショナル社製)で昇温速度10℃/min、周波数1.0Hzで、歪み一定−応力検知で測定し、雰囲気温度が300℃まで測定した時に、溶融粘度が初期は減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇した際の前記最低溶融粘度を調べた。
なお、実施例2の接着テープについては、100℃で60分間熱処理した。これにより、樹脂の硬化を一部促進させて最低溶融粘度を調整した。
The following evaluation was performed about the adhesive layer with a flux function (adhesive film with a flux function) and electronic component which were obtained by each Example and the comparative example. The evaluation items are shown together with the contents. The obtained results are shown in Table 1.
1. Measurement of melt viscosity The melt viscosity was measured using the obtained adhesive layer with a flux function (adhesive tape). Specifically, an adhesive tape having a thickness of 100 μm is measured with a viscoelasticity measuring device (manufactured by Jusco International) at a temperature rising rate of 10 ° C./min, a frequency of 1.0 Hz, and constant strain-stress detection. When measured up to 300 ° C., the melt viscosity initially decreased, and after reaching the minimum melt viscosity, the minimum melt viscosity when further increased was examined.
In addition, about the adhesive tape of Example 2, it heat-processed for 60 minutes at 100 degreeC. As a result, the resin was partially cured to adjust the minimum melt viscosity.

2.接続率
得られた多層回路基板(電子部品)の層間接続抵抗を、デジタルマルチメータにより20ヶ所のバンプ接続部を測定した。測定は、多層回路基板作製後と−65℃で1時間、150℃で1時間の温度サイクル1,000サイクル後の両方を測定した。評価は、n=20で行った。各符号は、以下の通りである。
◎:全てのバンプ接続部で導通が取れた多層回路基板が、20個であった。
○:全てのバンプ接続部で導通が取れた多層回路基板が、18個または19個であった。
△:全てのバンプ接続部で導通が取れた多層回路基板が、16個または17個であった。
×:全てのバンプ接続部で導通が取れた多層回路基板が、15個以下であった。
2. Connection Ratio The interlayer connection resistance of the obtained multilayer circuit board (electronic component) was measured at 20 bump connection portions with a digital multimeter. The measurement was performed both after the production of the multilayer circuit board and after 1,000 cycles of a temperature cycle of -65 ° C for 1 hour and 150 ° C for 1 hour. Evaluation was performed at n = 20. Each code is as follows.
A: There were 20 multilayer circuit boards in which conduction was obtained at all bump connection portions.
A: There were 18 or 19 multilayer circuit boards in which conduction was obtained at all bump connection portions.
(Triangle | delta): The multilayer circuit board from which conduction | electrical_connection was able to be taken in all the bump connection parts was 16 pieces or 17 pieces.
X: There were 15 or less multilayer circuit boards in which conduction was obtained at all bump connection portions.

3.接合部断面の評価
得られた多層回路基板を、エポキシ樹脂硬化物で包埋し、断面を研磨し、層間接続部分10ヶ所をSEM(走査型電子顕微鏡)により観察した。各符号は、以下の通りである。
○:10ヶ所とも安定した接続形状であった。
×:半田バンプと凹形状の電極が一体化していないあるいは半田が樹脂中に流れた形状のバンプが1ヶ所以上存在した。
3. Evaluation of junction cross section The obtained multilayer circuit board was embedded in an epoxy resin cured product, the cross section was polished, and 10 interlayer connection portions were observed with an SEM (scanning electron microscope). Each code is as follows.
○: The connection shape was stable at all 10 locations.
X: Solder bumps and concave electrodes were not integrated, or there were one or more bumps in which solder flowed into the resin.

4.加圧による接着剤層の広がり量の測定
多層回路基板を作製する際に、平板プレスでの圧着前後に超音波探傷機での透過法による映像を観察し、接着剤層の広がりを面積の増加率によって測定した。各符号は、以下の通りである。
◎:樹脂の広がり量が、5.0%以内であった。
○:樹脂の広がり量が、5.0%を超え、10.0%以内であった。
△:樹脂の広がり量が、10.0%を超え、50.0%以内であった。
×:樹脂の広がり量が、50%を超えた。
4). Measurement of spreading amount of adhesive layer by pressurization When making a multilayer circuit board, observe the images by the transmission method with an ultrasonic flaw detector before and after crimping with a flat plate press, and increase the area of the spreading of the adhesive layer. Measured by rate. Each code is as follows.
A: The spread amount of the resin was within 5.0%.
○: The spread amount of the resin exceeded 5.0% and was within 10.0%.
(Triangle | delta): The spreading amount of resin exceeded 10.0% and was within 50.0%.
X: The spread amount of the resin exceeded 50%.

Figure 2010073872
Figure 2010073872

表1から明らかなように、実施例1〜実施例6は、接続性に優れていた。
また、実施例1〜6は、半田の接合部断面形状が安定しており、信頼性に優れていることが示唆された。
また、実施例1および3〜6は、樹脂の広がり量が少なく、電子部品等の汚染が低減されることが示された。
As is clear from Table 1, Examples 1 to 6 were excellent in connectivity.
In addition, in Examples 1 to 6, it was suggested that the cross-sectional shape of the joint portion of the solder was stable and excellent in reliability.
In Examples 1 and 3 to 6, it was shown that the amount of spread of the resin is small and the contamination of electronic parts and the like is reduced.

図1は、本発明の半田の接続方法を説明する断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a solder connection method according to the present invention. 図2は、本発明の半田の接続方法を説明する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the solder connection method of the present invention. 図3は、本発明の半田の接続方法を説明する断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the solder connection method of the present invention. 図4は、本発明の半田の接続方法を説明する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the solder connection method of the present invention. 図5は、本発明の半田の接続方法を説明する断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the solder connection method of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 第1基板
11 コア基板
12 端子
13 第1半田バンプ
131 先端部
14 ソルダーレジスト
141 下面
15 回路配線
2 第2基板
21 コア基板
22 端子
23 平坦または凹形状の電極
24 ソルダーレジスト
241 上面
25 回路配線
3 フラックス機能を有する接着剤層
4 第2基板
41 コア基板
42 端子
43 平坦または凹形状の電極
44 ソルダーレジスト
441 上面
45 回路配線
5 半田接続部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st board | substrate 11 Core board | substrate 12 Terminal 13 1st solder bump 131 Tip part 14 Solder resist 141 Lower surface 15 Circuit wiring 2 2nd board | substrate 21 Core board 22 Terminal 23 Flat or concave shaped electrode 24 Solder resist 241 Upper surface 25 Circuit wiring 3 Adhesive layer having flux function 4 Second substrate 41 Core substrate 42 Terminal 43 Flat or concave electrode 44 Solder resist 441 Upper surface 45 Circuit wiring 5 Solder connection portion

Claims (8)

第1半田バンプを有する第1電子部品と、電極を有する第2電子部品とをフラックス機能を有する接着剤層を介して前記第1半田バンプと前記電極とを電気的に接続する半田の接続方法であって、
前記第1電子部品の一方の面から第1半田バンプの高さをA〔μm〕とし、前記フラックス機能を有する接着剤層の厚さをB〔μm〕としたときA>Bであり、
前記第1電子部品に、前記フラックス機能を有する接着剤層を配置する工程と、
前記第1半田バンプの高さA〔μm〕が、前記フラックス機能を有する接着剤層の厚さB〔μm〕とほぼ同じとなるように、前記第1半田バンプを前記電極に加熱・加圧して、前記第1半田バンプを変形させると共に、前記第1半田バンプと前記電極とを接触させる接触工程と、を有することを特徴とする半田の接続方法。
A solder connection method for electrically connecting a first electronic component having a first solder bump and a second electronic component having an electrode to each other through the adhesive layer having a flux function. Because
When the height of the first solder bump from one surface of the first electronic component is A [μm] and the thickness of the adhesive layer having the flux function is B [μm], A> B,
Arranging the adhesive layer having the flux function on the first electronic component;
The first solder bump is heated and pressed on the electrode so that the height A [μm] of the first solder bump is substantially the same as the thickness B [μm] of the adhesive layer having the flux function. And a contact step of deforming the first solder bump and bringing the first solder bump and the electrode into contact with each other.
前記電極は、その表面がほぼ平坦状である請求項1に記載の半田の接続方法。   The solder connection method according to claim 1, wherein the electrode has a substantially flat surface. 前記電極は、その周囲を被覆層に覆われることにより前記第2電子部品の側面視では凹状となっているものである請求項1または2に記載の半田の接続方法。   The solder connection method according to claim 1, wherein the electrode has a concave shape in a side view of the second electronic component by covering the periphery thereof with a coating layer. さらに、前記フラックス機能を有する接着剤層を硬化させる硬化工程を有するものである請求項1ないし3のいずれかに記載の半田の接続方法。   The solder connection method according to claim 1, further comprising a curing step of curing the adhesive layer having the flux function. 前記フラックス機能を有する接着剤層が、熱硬化性樹脂およびフラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されているものである請求項1ないし4のいずれかに記載の半田の接続方法。   The solder connection method according to any one of claims 1 to 4, wherein the adhesive layer having a flux function is composed of a resin composition containing a thermosetting resin and a compound having flux activity. 前記接触工程では前記半田バンプが融解した後に、前記熱硬化性樹脂が硬化するように加熱するものである請求項1ないし5のいずれかに記載の半田の接続方法。   The solder connection method according to claim 1, wherein, in the contact step, after the solder bump is melted, heating is performed so that the thermosetting resin is cured. 前記フラックス機能を有する接着剤を常温から10℃/分の昇温速度で溶融状態まで昇温したときに初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有し、かつ前記最低溶融粘度が10〜10,000Pa・s以下である請求項1ないし6のいずれかに記載の半田の接続方法。   When the adhesive having the flux function is heated from normal temperature to a molten state at a temperature rising rate of 10 ° C./min, the melt viscosity decreases at the beginning, and after reaching the minimum melt viscosity, further increases the characteristic. The solder connection method according to claim 1, wherein the minimum melt viscosity is 10 to 10,000 Pa · s or less. 請求項1ないし7のいずれかに記載の半田の接続方法で接続された半田接続部を有することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising a solder connection portion connected by the solder connection method according to claim 1.
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